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TW201843340A - 用於可流動式cvd的擴散器設計 - Google Patents

用於可流動式cvd的擴散器設計 Download PDF

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TW201843340A
TW201843340A TW107104918A TW107104918A TW201843340A TW 201843340 A TW201843340 A TW 201843340A TW 107104918 A TW107104918 A TW 107104918A TW 107104918 A TW107104918 A TW 107104918A TW 201843340 A TW201843340 A TW 201843340A
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tubular
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plasma
dome
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TW107104918A
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馬瑩
戴米恩 瑞吉
葛瑞格 奇科卡諾夫
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美商應用材料股份有限公司
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Abstract

本文所述的實施方式大體上關於用於形成可流動膜的設備。在一個實施方式中，設備為擴散器，該擴散器包括具有第一表面及與該第一表面相對的第二表面的主體、形成在該第一表面中的複數個圓頂結構、形成在該第二表面中的中心歧管及經耦接在該中心歧管及該複數個圓頂結構中之相應一者之間的複數個管狀導管，該複數個管狀導管的至少一部分相對於該第一表面的平面對角地定位。

Description

用於可流動式CVD的擴散器設計
本文所述的實施方式大體上關於使用前驅物氣體的電漿來形成可流動膜的方法及設備；係具体關於用於流動在電子設備製造中所使用之前驅物氣體的電漿的擴散器設計。
自幾十年前引入半導體裝置幾何形狀以來，該等半導體裝置幾何形狀之尺寸急劇下降。現代的半導體製造設備通常生產具有45nm、32nm及28nm特徵尺寸的裝置，及正在開發及實施新設備以製造具有甚至更小幾何形狀的裝置。減小的特徵尺寸導致裝置上的結構特徵具有減小的寬度。裝置上的縫隙及溝槽的寬度很窄，使得用介電材料填充縫隙變得更具挑戰性。最近，已將可流動薄膜用於填充縫隙(如高-縱橫比的縫隙)。為了實現流動性，已使用具有在遠端電漿源(Remote Plasma Source; RPS)中產生並使用擴散器將其傳送至基板表面的自由基的化學氣相沉積(Chemical vapor deposition; CVD)來將膜沉積至縫隙中。電漿均勻性對於在基板上形成均勻的膜是重要的。例如，期望在基板的整個表面區域上的膜厚/密度。然而，傳統的擴散器通常包括用於電漿的不同電導路徑。不同的電導路徑可導致一部分電漿重新結合，此可能產生電漿中的不均勻性。這可能導致基板表面上的缺陷、沉積速率漂移或其他異常。
因此，需要改善的方法及設備以在基板上形成均勻的膜。
本文所述的實施方式大體上關於用於形成可流動膜的設備及方法。在一個實施方式中，設備為擴散器，該擴散器包括具有第一表面及與該第一表面相對的第二表面的主體、形成在該第一表面中的複數個圓頂結構、形成在該第二表面中的中心歧管及經耦接在中心歧管及複數個圓頂結構中之相應一者之間的複數個管狀導管，複數個管狀導管的至少一部分相對於第一表面的平面對角地定位。
在一些實施例中，每個管狀導管由經耦接至大直徑通道的小直徑通道組成。小導管的長度基本相同，而大導管的長度不同。利用具有相同長度的小直徑導管以在其他小直徑導管之間保持相同的電導。大導管可用於補償中心歧管及擴散器邊緣之間的不同距離差。在另一實施方式中，處理腔室包括擴散器、腔室壁、經設置在該擴散器下方的基板支撐件及經設置在該擴散器與基板支撐件之間的電漿輸送環，其中該擴散器經設置在該腔室壁上方。
在另一實施方式中，設備包括具有第一表面及與該第一表面相對的第二表面的主體；形成在該第一表面中的複數個圓頂結構，每個圓頂結構具有開口；形成在第二表面中的中心歧管，該中心歧管具有複數個開口；及複數個管狀導管，每個管狀導管經耦接在該中心歧管中的一個開口與該複數個圓頂結構之一者中的相應開口之間，其中該複數個管狀導管中的每一者包括第一部分及不同於該第一部分的第二部分，且該複數個管狀導管的至少一部分相對於該第一表面的平面對角地定位，且其中圓頂結構的數量等於管狀導管的數量。
在另一實施方式中，處理腔室包括擴散器、經設置在該擴散器上方的第一遠端電漿源、腔室壁、經耦接至腔室壁的第二遠端電漿源、經設置在該擴散器下方的基板支撐件及經設置在該擴散器及該基板支撐件之間的電漿輸送環，其中該擴散器經設置在該腔室壁上方。
本文所述的實施方式大體上關於使用擴散器來形成可流動膜的方法及設備。在一個實施方式中，設備為處理腔室，該處理腔室包括經耦接至包括擴散器之處理腔室之蓋的第一遠端電漿源(RPS)。處理腔室可包括經耦接至處理腔室之側壁的第二RPS。第一RPS係用於通過擴散器將沉積自由基輸送至處理腔室中的處理區域中。第二RPS係用於將清潔自由基輸送至處理區域中。具有用於沉積及清潔的分離RPS並使用分離的輸送通道來將來自RPS的自由基引入處理區域中，可最大限度地減少RPS上的交叉污染及週期性變化，從而導致了沉積速率漂移及微粒效能的改善。
圖1為根據一個實施方式之處理工具100的示意性上視平面圖。處理工具100(如圖1所示的群集工具)包括用於供應基板(如半導體晶圓)的一對前開式晶圓傳送盒(front opening unified pods; FOUP)102，該等基板由機器人臂104接收且經放置在加載互鎖腔室106中。第二機器人臂110經設置在耦接至加載互鎖腔室106的傳送腔室112中。第二機器人臂110用於將基板從加載互鎖腔室106傳送至耦接至傳送腔室112的處理腔室108a至處理腔室108f。
處理腔室108a至處理腔室108f可包括用於在基板上沉積、退火、固化及/或蝕刻可流動膜的一或多個系統元件。在一個配置中，可使用兩對處理腔室(例如，108c-108d及108e-108f)來將可流動膜沉積在基板上，及第三對處理腔室(例如，108a-108b)可用於退火/固化經沉積的可流動膜。在另一配置中，可使用相同的兩對處理腔室(例如，108c-108d及108e-108f)來沉積及退火/固化基板上的可流動膜，而第三對處理腔室(例如，108a-108b)可用以使用紫外線(UV)或電子束(E束)來固化基板上的可流動膜。用於在基板上沉積可流動膜的處理腔室(例如，108c、108d、108e及108f)可各自包括設置在處理腔室的蓋上的第一RPS(例如，109c、109d、109e及109f)。
用於在基板上沉積可流動膜的每對處理腔室(例如，108c-108d及108e-108f)共享第二RPS(例如，109g及109h)，該第二RPS經設置在每對處理腔室之間。例如，第二RPS 109g經設置在處理腔室108c與處理腔室108d之間，及第二RPS 109h經設置在處理腔室108e與處理腔室108f之間。在一些實施方式中，每對處理腔室108a-108b、處理腔室108c-108d及處理腔室108e-108f為包括兩個基板支撐件且能處理兩個基板的單一處理腔室。在此種實施方式中，每個處理腔室包括兩個第一RPS，每個第一RPS經設置在對應的基板支撐件上方的處理腔室的蓋上，及一個第二RPS經設置在兩個第一RPS之間的處理腔室的蓋上。
第一RPS 109c、第一RPS 109d、第一RPS 109e及第一RPS 109f中的每一者經配置以激發前驅物氣體(如含矽氣體、含氧氣體及/或含氮氣體)以形成前驅物自由基，該前驅物自由基在分別經設置在處理腔室108c、處理腔室108d、處理腔室108e及處理腔室108f之每者中之基板上形成可流動膜。第二RPS 109g及第二RPS 109h中的每一者經配置以激發清潔氣體(如含氟氣體)以形成分別清潔處理腔室108c-108d及處理腔室108e-108f之每對的元件的清潔自由基。
圖2A為根據一個實施方式的處理腔室200的示意性橫截面側視圖。處理腔室200可為沉積腔室，如CVD沉積腔室。處理腔室200可為圖1中所示之處理腔室108a至處理腔室108f的任何一者。處理腔室200可經配置以將可流動膜沉積在基板205上。處理腔室200包括經設置在腔室壁215上方的蓋組件210。絕緣環220可經設置在蓋組件210及腔室壁215之間。
第一RPS 222經設置在蓋組件210上，其中形成前驅物氣體的離子及/或自由基(例如，電漿)。形成在第一RPS 222中的電漿經由電漿入口組件230流入處理腔室200的擴散器225中。前驅物氣體入口232經設置在第一RPS 222上，以使一或多種前驅物氣體流入第一RPS 222中。擴散器225可為將來自第一RPS 222的電漿均勻分佈至基板205上的噴淋頭。
擴散器225包括與電漿入口組件230流體連通的中心歧管235。中心歧管235包括經耦接至管狀導管240的複數個埠。每個管狀導管240可為形成在擴散器225的主體中的鑽孔。每個管狀導管240終止於擴散器225面向基板205的表面上的相應的圓頂結構245中。
圖2B為圖2A的放大截面視圖，此視圖示出了擴散器225的細節。每個圓頂結構245包括壁247，壁247可傾斜或包括半徑。在一個實施例中，圓頂結構245的至少一部分的壁247以相對於擴散器225的第一(底)表面249成角度248形成。角度248可小於約20度，如16度至20度(例如，約18度)。在一些實施例中，圓頂結構245經配置成具有約115度至約130度(如約120度)的喇叭狀角度246的喇叭狀開口。下文更詳細地描述擴散器225的構造及效能。
處理腔室200包括用於在處理期間支撐基板205的基板支撐件250。處理區域255限定在擴散器225的下表面與基板支撐件250的上表面之間。電漿輸送環260經設置在擴散器225及基板支撐件250之間。電漿輸送環260用於將清潔自由基自耦接至處理腔室200的腔室壁215的第二RPS 263輸送至處理區域255。電漿輸送環260包括複數個通道265，以將清潔氣體的離子及/或自由基(即，電漿)輸送至處理區域255中。第二RPS 263可經耦接至形成在腔室壁215中的入口270，及電漿輸送環260與入口270對準以接收來自第二RPS 263的清潔電漿。由於來自擴散器225的電漿在擴散器225下方的處理區域255中混合及反應，故沉積主要發生在擴散器225下方(除了一些小的反擴散之外)。因此，應在週期性處理後清潔經設置在擴散器225下方之處理腔室200的元件。
在替代或另外的實施例中，第二RPS 263可耦接至電漿入口組件230，使得可提供清潔氣體的電漿以通過擴散器225流向處理區域255。因此，若需要，可清潔擴散器225之內部表面以及擴散器225下方的元件。
清潔係指去除沉積在腔室元件表面上的材料。因較小的沉積可能發生在擴散器225上方(上游)的位置，故清潔電漿流入擴散器225中可導致元件表面變化(如表面氟化)，因氟自由基可作為清潔自由基。因此，從第一RPS 222引入清潔自由基可導致對擴散器225上方的元件的不必要的清潔。因此，在一些實施例中，清潔自由基在擴散器225下方(下游)的位置經引入至處理區域255中。
擴散器225的實施例同時提供較小的面積-體積比及較小的體積。小體積使擴散器225中的電漿停留時間最小化，而小的面積體積比為自由基重新結合提供更少的表面相互作用。因此，電漿路徑(即，管狀導管240的體積)可使沉積及清潔電漿兩者的重新結合最小化。在一個實例中，若清潔電漿在管狀導管240的體積中流動，則可使由於氟重新結合而導致的表面形態變化最小化。
擴散器225的實施例亦對於流經擴散器225的沉積及清潔電漿，產生均勻的電漿或基本上均勻的電漿。可將「基本上」定義成約90%至略小於約100%的電漿均勻性(例如，10％的不均勻性)。若清潔電漿流過擴散器225，則基本上均勻的電漿可進一步有利於最小化清潔時間，及最小化局部過度清潔與微粒產生。
在一些實施例中，第一RPS 222經配置以激發前驅物氣體(如含矽氣體、含氧氣體及/或含氮氣體)以形成電漿，該電漿在設置在基板支撐件250上的基板205上提供可流動膜。第二RPS 263經配置以激發清潔氣體(如含氟氣體)以形成清潔處理腔室200的元件(如基板支撐件250及腔室壁215)的清潔電漿。使第一RPS 222設置在處理腔室200的蓋組件210上同時使第二RPS 263耦接至腔室壁215可由於沉積之優先度實現更佳的沉積均勻性。此外，在擴散器225及基板支撐件250之間引入清潔電漿可實現高的清潔蝕刻速率並改善清潔速率分佈。此外，用於在基板205上沉積可流動膜的電漿藉由擴散器225引入至處理區域中，而用於清潔處理腔室200的元件的自由基藉由電漿輸送環260引入至處理區域255中。藉由分離用於輸送沉積電漿及清潔電漿的通道，減少了處理腔室200之元件上的交叉污染及週期性變化，此導致了沉積速率漂移及微粒效能的改善。
處理腔室200進一步包括底部275、形成在底部280中的狹縫閥開口280及經耦接至底部280的泵環285。泵環285用於去除來自處理腔室200的殘留前驅物氣體及電漿。處理腔室200進一步包括用於自基板支撐件250提升基板205的複數個升舉銷290及支撐基板支撐件250的軸292。軸292經耦接至可旋轉軸292的馬達294，軸292依次旋轉基板支撐件250及設置在基板支撐件250上的基板205。在處理或清潔期間旋轉基板支撐件250可實現改善的沉積均勻性及清潔均勻性。
圖3A為擴散器300的等角上視圖，及圖3B為圖3A的擴散器300的等角下視圖。擴散器300可在處理腔室200中作為如圖2A中所述的擴散器225使用。
擴散器300包括如圖2A中所述的電漿入口組件230。電漿入口組件230包括耦接至管狀導管240的複數個開口305(如圖2A所示)。擴散器300亦包括具有耦接至其上的安裝凸緣315的主體310。主體310及安裝凸緣315可由單一材料(如鋁)製成。中心歧管235可包括穿孔洞。中心歧管235可經研磨或鑽孔至主體310的第二(頂)表面320中。頂表面320可基本上平行於第一表面249(如圖2B及圖3B所示)。如圖3B所示，圓頂結構245的至少一部分的壁247可接觸相鄰圓頂結構245的壁247。每個管狀導管240(圖2中所示)終止於在圓頂結構245之對應的壁247中形成的偏移開口325中。
圖4為擴散器300的等角橫截面視圖，其中主體310的材料的一部分經移除以更詳細示出管狀導管240及中心歧管235的表面的一部分位置。
單個管狀導管240經定位在中心歧管235及相應的圓頂結構245之間。每個管狀導管240可包括經耦接至第二部分405的第一部分400。每個第一部分400可具有小於與其耦接之每個相應第二部分405的直徑的直徑。管狀導管240的每個第一部分400耦接至中心歧管235的單一開口305。中心歧管235的開口305作為電漿進入管狀導管240的第一部分400的入口點。開口305的直徑及管狀導管240的第一部分400的直徑提供高流阻及/或高壓梯度。每個第一部分400的長度可基本上相同或變化到期望比率。在一些實施例中，為了控制在其中流動的電漿的電導，第一部分400的長度可基本上相同。因此，管狀導管240的第一部分400亦可控制來自中心歧管235之電漿的均勻或期望的流動分佈。
管狀導管240的每個第二部分405可具有大於管狀導管240的相應第一部分400的長度的長度。如上所述，管狀導管240的第二部分405包括直徑(例如，平均內徑)，該直徑大於管狀導管240的第一部分400的直徑(例如，平均內徑)。第二部分405可具有小於管狀導管240的第一部分400之流阻的流阻。可從相應的圓頂結構245加工(例如，鑽孔)管狀導管240的第一部分400及第二部分405。第二部分405之經擴大的內徑助於對相應的第一部分400及開口305鑽孔。圓頂結構245助於電漿在基板的局部區域中的擴散(圖2中所示)，及可為管狀導管240的偏移開口325(圖3B中所示)與環形凹陷區域410(擴散器225的第一表面249)之間的瞬態流動通道。環形凹陷區域410可由在安裝凸緣315內部的主體310中形成的台階415形成。環形凹陷區域410可助於來自個別管狀導管240的電漿的混合。環形凹陷區域410亦可最小化由圓頂結構245提供之體積所引起的局部不均勻性的圖案。
圓頂結構245的數量等於管狀導管240的數量。在一些實施例中，圓頂結構245的數量大於約30。圓頂結構245的直徑(基於在擴散器225的第一表面249處量測的壁247的邊緣)可為約1.5英寸至約2英寸。在一些實施例中，管狀導管240的第一部分400的直徑為約0.12英寸至約0.2英寸(如約0.15英寸)。在其它實施例中，管狀導管240的第二部分405的直徑為約0.22英寸至約0.32英寸(如約0.28英寸)。管狀導管240的長度可在約1.5英寸至約7英寸之間變化。管狀導管240相對於擴散器225的縱軸LA的角度(如圖2A所示)可根據其位置而變化。例如，外部(例如較長的)管狀導管240可相對於擴散器225的縱軸LA成約20度角形成，而中心管狀導管240可相對於擴散器225的縱軸LA成約0度(例如，平行於縱軸LA)角形成。
與習知的噴淋頭相比，如本文所述的擴散器225及/或擴散器300的實施例使電漿不均勻性最小化。例如，習知的噴淋頭可具有第一板材、與該第一板材相對的第二板材，及形成在該第一板材及該第二板材之間的氣室，該第一板材具有複數個穿孔及該第二板材其中形成有中心入口。電漿流過中心入口，及一部分的該電漿流過第一板材中的複數個穿孔。然而，由於習知噴淋頭的此種構造，電漿密度出於多種原因而不能均勻地分佈至基板上。電漿的流動路徑是不同的(例如，與中心入口正下方的穿孔相比，與中心入口間隔開的穿孔更長)。較長的流動路徑可助於一些電漿的重新結合，並因此向具有高不均勻百分比的基板提供電漿。此外，與第一板材、第二板材及/或氣室壁的表面碰撞可能導致電漿失去能量並重新結合。已經嘗試了所描述的習知噴淋頭的變化。例如，已嘗試了與在第二板材的中心部分中的穿孔相對之在第二板材的邊緣處的較大穿孔、在第一板材中形成的複數個電漿入口及氣室壁及/或第一板材及第二板材的塗層。然而，在此等習知的噴淋頭設計中，基板表面處的電漿密度具有很高的不均勻性百分比。這些習知的噴淋頭亦允許電漿的再循環，此可能由於重新結合而導致電漿損失。
另一習知的電漿分佈設計包括具有從中心入口朝向基板周邊延伸之擴張的錐形表面的板材。擋板可定位在中心入口附近以將電漿引向基板周邊。與上述的習知噴淋頭相比，此種習知設計可藉由使有效表面積最小化而使電漿損失最小化。然而，此種習知設計幾乎不能控制電漿流動模式並允許電漿的再循環，此可能導致由於重新結合而引起的電漿損失。此種習知的設計亦取決於流速。例如，當流速高時，電漿以更高的速度衝擊擋板，且偏離角小於低流速下的偏離角。此外，擋板可具有比膨脹的錐形表面的溫度更高的溫度。此可能會導致許多問題，如與擋板附近的電漿反應及擋板失效(例如，擋板熔化)。
本文所述的擴散器225及/或擴散器300的實施例具有比上述習知噴淋頭設計更小的有效表面積。此藉由最小化表面碰撞來減少電漿的重新結合。此外，如本文所述的擴散器225及/或擴散器300的流體體積小於習知噴淋頭設計，其減少了電漿在其中的停留時間及減少了由於表面碰撞而導致的重新結合。如本文所述的擴散器225及/或擴散器300的實施例使用管狀導管240來控制穿過其中的電漿的流動路徑。這最小化了可能導致表面碰撞的電漿再循環及較長的停留時間，此兩者皆可能導致重新結合。
儘管前述內容係針對本申請案的實施方式，但可在不背離本申請案的基本範疇的情況下設計本申請案的其他及進一步的實施方式，且其範圍由隨後的申請專利範圍來決定。
100‧‧‧處理工具
104‧‧‧機器人臂
106‧‧‧加載互鎖腔室
108a‧‧‧處理腔室
108b‧‧‧處理腔室
108c‧‧‧處理腔室
108d‧‧‧處理腔室
108e‧‧‧處理腔室
108f‧‧‧處理腔室
109c‧‧‧RPS
109d‧‧‧RPS
109e‧‧‧RPS
109f‧‧‧RPS
109g‧‧‧RPS
109h‧‧‧RPS
110‧‧‧機器人臂
112‧‧‧腔室
200‧‧‧處理腔室
205‧‧‧基板
210‧‧‧蓋組件
215‧‧‧腔室壁
220‧‧‧絕緣環
222‧‧‧第一RPS
225‧‧‧擴散器
230‧‧‧電漿入口組件
232‧‧‧前驅物氣體入口
235‧‧‧中心歧管
240‧‧‧管狀導管
245‧‧‧圓頂結構
247‧‧‧壁
248‧‧‧角
249‧‧‧表面
250‧‧‧基板支撐件
255‧‧‧處理區域
260‧‧‧電漿輸送環
263‧‧‧第二RPS
265‧‧‧通道
270‧‧‧入口
275‧‧‧底部
280‧‧‧狹縫閥開口
285‧‧‧泵環
290‧‧‧升舉銷
292‧‧‧軸
294‧‧‧馬達
300‧‧‧擴散器
305‧‧‧開口
310‧‧‧主體
315‧‧‧安裝凸緣
320‧‧‧表面
325‧‧‧偏移開口
400‧‧‧第一部分
405‧‧‧第二部分
410‧‧‧環形凹陷區域
415‧‧‧台階
為了能夠詳細瞭解本申請案的上述特徵，上文簡要總結之本申請案的更具體描述可參考實施方式，其中一些實施方式在附加圖式中示出。然應注意到附加圖式僅說明本申請案之選定實施方式，因而不應被視為係對本申請案之範疇的限制；本申請案可允許其他等效的實施方式。
圖1為根據一個實施方式的處理工具的示意性上視平面圖。
圖2A為根據一個實施方式的處理腔室的示意性橫截面側視圖。
圖2B為圖2A的擴散器的放大截面視圖。
圖3A為根據另一實施方式的擴散器的等角上視圖。
圖3B為圖3A的擴散器的等角下視圖。
圖4為擴散器的等角橫截面視圖，其中移除主體的部分以更詳細地示出管狀導管及中心歧管。
為了助於理解，已儘可能使用相同的元件符號來表示圖式中共有的相同元件。此外，一個實施方式中的元件可有利地經調適以在本文描述的其他實施方式中使用。
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Claims (20)

  1. 一種擴散器，包括： 一主體，該主體具有一第一表面及與該第一表面相對的一第二表面；複數個圓頂結構，該複數個圓頂結構形成在該第一表面中，每個圓頂結構具有一開口；一中心歧管，該中心歧管形成在該第二表面中，該中心歧管具有複數個開口；及複數個管狀導管，每個管狀導管具有兩個整體部分及經耦接在該中心歧管中的一個開口與該複數個圓頂結構之一者中的一相應開口之間，該複數個管狀導管的至少一部分相對於該第一表面的一平面對角地定位。
  2. 如請求項1所述之擴散器，其中該複數個管狀導管中的每一者包括一第一部分及不同於該第一部分的一第二部分。
  3. 如請求項2所述之擴散器，其中該第一部分包括大於該第二部分的一直徑的一直徑。
  4. 如請求項2所述之擴散器，其中該等第一部分的一部分的一長度是變化的，而該等第二部分中之每一者的一長度是相同的。
  5. 如請求項1所述之擴散器，其中該複數個圓頂結構中的每一者包括相對於該第一表面的該平面成角度的一壁。
  6. 如請求項5所述之擴散器，其中該壁的一部分接觸另一圓頂結構的一相鄰壁。
  7. 如請求項1所述之擴散器，其中該複數個圓頂結構中的每一者包括約120度的一擴張角。
  8. 如請求項1所述之擴散器，其中該複數個管狀導管包括一中心管狀導管，及該中心導管相對於該第一表面的該平面成約180度角。
  9. 如請求項1所述之擴散器，其中圓頂結構的數量等於管狀導管的數量。
  10. 一種擴散器，包括： 一主體，該主體具有一第一表面及與該第一表面相對的一第二表面； 複數個圓頂結構，該複數個圓頂結構形成在該第一表面中，每個圓頂結構具有一開口； 一中心歧管，該中心歧管形成在該第二表面中，該中心歧管具有複數個開口；及 複數個管狀導管，該複數個管狀導管中之每一者經耦接在該中心歧管中的一開口與該複數個圓頂結構之一者中的一相應開口之間，其中該複數個管狀導管中之每一者包括一第一部分及不同於該第一部分的一第二部分，及該複數個管狀導管的至少一部分相對於該第一表面的一平面對角地定位，及其中圓頂結構的數量等於管狀導管的數量。
  11. 如請求項10所述之擴散器，其中該第一部分包括大於該第二部分的一直徑的一直徑。
  12. 如請求項10所述之擴散器，其中該等第一部分的一部分的一長度是變化的，而該等第二部分中之每一者的一長度是相同的。
  13. 如請求項10所述之擴散器，其中該複數個圓頂結構中的每一者包括相對於該第一表面的該平面成角度的一壁。
  14. 一種處理腔室，包括： 一擴散器； 一第一遠端電漿源，該第一遠端電漿源經設置在該擴散器上方； 一腔室壁，其中該擴散器經設置在該腔室壁上方； 一第二遠端電漿源，該第二遠端電漿源經耦接至該腔室壁； 一基板支撐件，該基板支撐件經設置在該擴散器下方；及 一電漿輸送環，該電漿輸送環經設置在該擴散器及該基板支撐件之間。
  15. 如請求項14所述之處理腔室，其中該擴散器包括： 一主體，該主體具有一第一表面及與該第一表面相對的一第二表面； 複數個圓頂結構，該複數個圓頂結構形成在該第一表面中； 一中心歧管，該中心歧管形成在該第二表面中；及 複數個管狀導管，該複數個管狀導管經耦接在該中心歧管及該複數個圓頂結構中之相應一者之間。
  16. 如請求項15所述之處理腔室，其中該複數個管狀導管的至少一部分相對於該第一表面的一平面對角地定位。
  17. 如請求項15所述之處理腔室，其中該複數個管狀導管中的每一者包括一第一部分及不同於該第一部分的一第二部分。
  18. 如請求項17所述之處理腔室，其中該第一部分包括一內徑，該內徑大於該第二部分的一內徑。
  19. 如請求項17所述之處理腔室，其中該第一部分包括大於該第二部分的一長度的一長度。
  20. 如請求項15所述之處理腔室，其中該複數個圓頂結構中的每一者包括相對於該第一表面的該平面成角度的一壁。
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