TW201842395A

TW201842395A - 附導電膜之基板、附多層反射膜之基板、反射型光罩基底、反射型光罩及半導體裝置之製造方法

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Publication number: TW201842395A
Application number: TW107101646A
Authority: TW
Inventors: 池邊洋平; 笑喜勉
Original assignee: 日商Ｈｏｙａ股份有限公司
Priority date: 2017-01-17
Filing date: 2018-01-17
Publication date: 2018-12-01
Also published as: WO2018135468A1; JPWO2018135468A1; US20190369483A1; KR20190102192A; SG11201906154PA

Abstract

本發明提供一種用以製造可藉由雷射光束等自背面側修正反射型光罩之位置偏移之反射型光罩的附導電膜之基板。本發明係一種附導電膜之基板，其係於微影法所使用之光罩基底用基板之主表面上之一表面形成有導電膜者，且於上述基板與上述導電膜之間具備具有應力調整功能之中間層，上述中間層與上述導電膜之積層膜於波長532 nm之光下之透過率為20%以上。

Description

附導電膜之基板、附多層反射膜之基板、反射型光罩基底、反射型光罩及半導體裝置之製造方法

本發明係關於一種用以製造半導體裝置之製造等中所使用之曝光用光罩的附導電膜之基板、附多層反射膜之基板、反射型光罩基底、反射型光罩及半導體裝置之製造方法。

製造半導體裝置時之曝光裝置之光源之種類係以波長436 nm之g線、波長365 nm之i線、波長248 nm之KrF雷射、波長193 nm之ArF雷射而使波長逐漸變短並且進化，為了實現更微細之圖案轉印，正開發使用波長為13.5 nm附近之極紫外線(EUV：Extreme Ultra Violet)之EUV微影法。EUV微影法中，由於對於EUV光透明之材料較少，故而使用反射型之光罩。該反射型光罩係以如下光罩結構作為基本結構：於低熱膨脹基板上形成有反射曝光用光之多層反射膜，於用以保護該多層反射膜之保護膜上形成有所需之轉印用圖案。又，根據轉印用圖案之構成，作為代表性者，有充分吸收EUV光之包含相對較厚之吸收體圖案的二元型反射光罩、及藉由光吸收使EUV光消光且產生相對於來自多層反射膜之反射光而相位大致反轉(約180°之相位反轉)之反射光的包含相對較薄之吸收體圖案的相移型反射光罩(半色調式相移型反射光罩)。該相移型反射光罩(半色調式相移型反射光罩)與穿透式光相移光罩同樣地，藉由相移效果可獲得較高之轉印光學像對比度，因而具有解像度提昇效果。又，由於相移型反射光罩之吸收體圖案(相移圖案)之膜厚較薄，故而可形成精度良好且微細之相移圖案。多層反射膜及吸收體膜之成膜一般而言係使用濺鍍等成膜方法進行成膜。該成膜時，反射型光罩基底用基板係於成膜裝置內藉由支持手段而進行支持。作為基板之支持手段，可使用靜電吸附。因此，於玻璃基板等絕緣性之反射型光罩基底用基板之背面(與供形成多層反射膜等之表面相反側的面)，為了促進利用靜電吸附之基板固定而形成有導電膜(背面導電膜)。作為附導電膜之基板之例，於專利文獻1中記載有如下附導電膜之基板，其特徵在於：其係用於EUV微影法用反射型光罩基底之製造者，且上述導電膜含有鉻(Cr)及氮(N)，上述導電膜中之N之平均濃度為0.1 at%以上且未達40 at%，上述導電膜之至少表面之結晶狀態為非晶質，上述導電膜之表面粗糙度(rms)為0.5 nm以下，上述導電膜係導電膜中之N濃度沿著該導電膜之厚度方向以基板側之N濃度變低、表面側之N濃度變高之方式變化的梯度組成膜。於專利文獻2中記載有對光微影法用之轉印用光罩之誤差進行修正的方法。具體而言，於專利文獻2中記載有藉由對轉印用光罩之基板局部地照射飛秒雷射脈衝，而將基板表面或基板內部改質，從而對轉印用光罩之誤差進行修正。於專利文獻2中，作為產生飛秒雷射脈衝之雷射，例示有藍寶石雷射(波長800 nm)及Nd-YAG雷射(532 nm)等。於專利文獻3中記載有包含堆積於基板之後表面上之塗層的用於光微影法光罩之基板。於專利文獻3中記載有塗層包含至少一個第1層及至少一個第2層，上述第1層包含至少一種金屬，上述第2層包含至少一種金屬氮化物。又，記載有至少一種金屬包含鎳(Ni)、鉻(Cr)、鋁(Al)、金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、鈦(Ti)、鎢(W)、銦(In)、鉑(Pt)、鉬(Mo)、銠(Rh)及/或鋅(Zn)、及/或該等金屬中之至少兩者之混合物。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本專利第4978626號公報 [專利文獻2]日本專利第5883249號公報 [專利文獻3]日本專利第6107829號公報

[發明所欲解決之問題] 於專利文獻2中記載有藉由雷射光束對光微影法用之光罩之誤差進行修正之方法。於將專利文獻2所記載之技術應用於反射型光罩時，考慮自基板之第2主表面(背面)側照射雷射光束。然而，於反射型光罩之基板之第2主表面配置有包含含有鉻(Cr)等之材料的背面導電膜(有時簡稱為「導電膜」)，故而會產生不易透過雷射光束之問題。因此，本發明之目的在於提供一種可藉由雷射光束等自背面側修正反射型光罩之位置偏移之反射型光罩。又，本發明之目的在於獲得一種用以製造可藉由雷射光束等自背面側修正反射型光罩之位置偏移之反射型光罩的附導電膜之基板、附多層反射膜之基板及反射型光罩基底。 [解決問題之技術手段] 為了解決上述問題，本發明具有以下構成。 (構成1) 一種附導電膜之基板，其特徵在於：其係於微影法所使用之光罩基底用基板之主表面上之一表面形成有導電膜者，且於上述基板與上述導電膜之間具備具有應力調整功能之中間層，上述中間層與上述導電膜之積層膜於波長532 nm之光下之透過率為20%以上。 (構成2) 如構成1記載之附導電膜之基板，其特徵在於：上述中間層包含含有選自矽(Si)、鉭(Ta)及鉻(Cr)中之至少一者之材料。 (構成3) 如構成1或2記載之附導電膜之基板，其特徵在於：上述中間層包含含有選自Si₃ N₄ 、SiO₂ 、TaO、TaON、TaCON、TaBO、TaBON、TaBCON、CrO、CrON、CrCON、CrBO、CrBON及CrBCON中之至少一者之材料。 (構成4) 如構成1至3中任一項記載之附導電膜之基板，其特徵在於：上述中間層之膜厚為1 nm以上且200 nm以下。 (構成5) 如構成1至4中任一項記載之附導電膜之基板，其特徵在於：上述導電膜包含含有選自鉑(Pt)、金(Au)、鋁(Al)及銅(Cu)中之至少一者之材料。 (構成6) 一種附多層反射膜之基板，其特徵在於：於如構成1至5中任一項記載之附導電膜之基板的與形成有上述導電膜之側為相反側的主表面上，形成有將高折射率層與低折射率層交替地積層而成之多層反射膜。 (構成7) 如構成6記載之附多層反射膜之基板，其特徵在於：於上述多層反射膜上形成有保護膜。 (構成8) 一種反射型光罩基底，其特徵在於：於如構成6記載之附多層反射膜之基板的上述多層反射膜上、或如構成7記載之上述保護膜上形成有吸收體膜。 (構成9) 一種反射型光罩，其特徵在於：其具有對如構成8記載之反射型光罩基底之上述吸收體膜進行圖案化而成之吸收體圖案。 (構成10) 一種半導體裝置之製造方法，其特徵在於具有如下步驟：於具有發出EUV光之曝光用光源之曝光裝置中設置如構成9記載之反射型光罩，將轉印圖案轉印至形成於被轉印基板上之抗蝕劑膜。 [發明之效果] 根據本發明之反射型光罩基底，可提供一種可藉由雷射光束等自背面側修正反射型光罩之位置偏移之反射型光罩。又，根據本發明，可獲得一種用以製造可藉由雷射光束等自背面側修正反射型光罩之位置偏移之反射型光罩的附導電膜之基板、附多層反射膜之基板及反射型光罩基底。

以下，一面參照圖式一面對本發明之實施形態具體地進行說明。再者，以下實施形態係將本發明具體化時之一形態，並非將本發明限定於該範圍內。再者，圖中存在對相同或相應部分標註相同符號並將其說明簡化或省略之情況。本發明係於光罩基底用基板之主表面上之一表面形成有導電膜的附導電膜之基板。將光罩基底用基板之主表面(main surface)中供形成導電膜(亦稱為「背面導電膜」)之主表面稱為「背面(back surface)」。又，本發明係於附導電膜之基板的未形成有導電膜之主表面(有時稱為「表面(front surface)」)上形成有將高折射率層與低折射率層交替地積層而成之多層反射膜的附多層反射膜之基板。又，本發明係於附多層反射膜之基板的多層反射膜上具有包含吸收體膜之光罩基底用多層膜的反射型光罩基底。圖1係表示本發明之附導電膜之基板50之一例的模式圖。本發明之附導電膜之基板50具有於光罩基底用基板1之背面上形成有背面導電膜5之結構。再者，於本說明書中，所謂附導電膜之基板50，係至少於基板1之背面形成有背面導電膜5者，於其他主表面上形成有多層反射膜2者、及進而形成有吸收體膜4者(反射型光罩基底100)等亦包含於附導電膜之基板50中。本說明書中，有時將背面導電膜5簡稱為導電膜5。＜反射型光罩基底之構成及其製造方法＞圖2係用以說明本發明之反射型光罩基底之構成的要部剖面模式圖。如圖2所示，反射型光罩基底100具有：基板1；多層反射膜2，其形成於第1主面(表面)側，且將作為曝光用光之EUV光反射；保護膜3，其係為了保護該多層反射膜2而設置，且由對將下述吸收體膜4進行圖案化時所使用之蝕刻劑及洗淨液具有耐性的材料所形成；及吸收體膜4，其吸收EUV光；且將該等依序積層。又，於基板1之第2主面(背面)側，形成有靜電吸附用之背面導電膜5。於本說明書中，所謂「於光罩基底用基板1之主表面上具有多層反射膜2」，除了意指多層反射膜2與光罩基底用基板1之表面接觸而配置之情形以外，亦包含意指於光罩基底用基板1與多層反射膜2之間具有其他膜之情形。對於其他膜而言亦相同。例如所謂「於膜A上具有膜B」，除了意指將膜A與膜B以直接接觸之方式配置之情況以外，亦包含於膜A與膜B之間具有其他膜之情形。又，於本說明書中，例如所謂「膜A與膜B之表面接觸而配置」，意指於膜A與膜B之間不經由其他膜而將膜A與膜B以直接接觸之方式配置。於本說明書中，例如所謂中間層6「包含含有選自矽(Si)、鉭(Ta)及鉻(Cr)中之至少一者之材料」，意指中間層6至少包含實質上含有選自矽(Si)、鉭(Ta)及鉻(Cr)中之至少一者之材料。又，所謂中間層6「包含含有選自矽(Si)、鉭(Ta)及鉻(Cr)中之至少一者之材料」，存在意指中間層6僅包含含有選自矽(Si)、鉭(Ta)及鉻(Cr)中之至少一者之材料的情況。又，任何情形均包含如下情況：中間層6中含有不可避免地混入之雜質。對於其他膜例如導電膜5而言亦相同。以下，對各層分別進行說明。＜＜基板＞＞為了防止由EUV光之曝光時之熱所引起的吸收體圖案之變形，基板1可較佳地使用具有0±5 ppb/℃之範圍內之低熱膨脹係數者。作為具有該範圍之低熱膨脹係數之素材，例如可使用SiO₂ -TiO₂ 系玻璃、多成分系玻璃陶瓷等。關於基板1之供形成轉印圖案(後述之吸收體膜構成該轉印圖案)之側之第1主面，至少就獲得圖案轉印精度、位置精度之觀點而言，以成為高平坦度之方式進行表面加工。於EUV曝光之情形時，較佳為於基板1之供形成轉印圖案之側之主表面的132 mm×132 mm之區域中，平坦度為0.1 μm以下，進而較佳為0.05 μm以下，尤佳為0.03 μm以下。又，與供形成吸收體膜之側為相反側之第2主面係於設置於曝光裝置時供靜電吸附之面，且較佳為於132 mm×132 mm之區域中平坦度為0.1 μm以下，進而較佳為0.05 μm以下，尤佳為0.03 μm以下。再者，關於反射型光罩基底100之第2主面側之平坦度，較佳為於142 mm×142 mm之區域中平坦度為1 μm以下，進而較佳為0.5 μm以下，尤佳為0.3 μm以下。又，基板1之表面平滑度高亦為極其重要之項目，供形成轉印用吸收體圖案之基板1之第1主面之表面粗糙度較佳為以均方根粗糙度(RMS)計為0.1 nm以下。再者，表面平滑度可利用原子力顯微鏡進行測定。進而，關於基板1，為了防止由形成於其上之膜(多層反射膜2等)之膜應力所引起的變形，較佳為具有較高之剛性。尤佳為具有65 GPa以上之較高之楊氏模數。＜＜多層反射膜＞＞多層反射膜2係於反射型光罩中賦予將EUV光反射之功能，成為將以折射率不同之元素為主成分之各層週期性地積層而成的多層膜之構成。一般而言，將作為高折射率材料之輕元素或其化合物之薄膜(高折射率層)、與作為低折射率材料之重元素或其化合物之薄膜(低折射率層)交替地積層40至60週期左右而成之多層膜可用作多層反射膜2。多層膜可自基板1側起將依序積層高折射率層與低折射率層而成之高折射率層/低折射率層之積層結構作為1個週期而積層複數個週期，亦可自基板1側起將依序積層低折射率層與高折射率層而成之低折射率層/高折射率層之積層結構作為1個週期而積層複數個週期。再者，多層反射膜2之最表面之層、即多層反射膜2之與基板1為相反側之表面層較佳為設為高折射率層。於上述多層膜中，於自基板1起將依序積層高折射率層與低折射率層而成之高折射率層/低折射率層之積層結構作為1個週期而積層複數個週期之情形時，最上層成為低折射率層。於該情形時，若低折射率層構成多層反射膜2之最表面則容易被氧化，反射型光罩之反射率減少。因此，較佳為於最上層之低折射率層上進而形成高折射率層而製成多層反射膜2。另一方面，於上述多層膜中，於自基板1側起將依序積層低折射率層與高折射率層而成之低折射率層/高折射率層之積層結構作為1個週期而積層複數個週期之情形時，由於最上層成為高折射率層，故而保持原樣即可。於本實施形態中，作為高折射率層，採用含有矽(Si)之層。作為含有Si之材料，除了Si單體以外，亦可為於Si中含有硼(B)、碳(C)、氮(N)、及氧(O)之Si化合物。藉由使用含有Si之層作為高折射率層，可獲得EUV光之反射率優異之EUV微影法用反射型光罩。又，於本實施形態中，可較佳地使用玻璃基板作為基板1。Si與玻璃基板之密接性亦優異。又，作為低折射率層，可使用選自鉬(Mo)、釕(Ru)、銠(Rh)、及鉑(Pt)中之金屬單體或該等之合金。例如作為針對波長13 nm至14 nm之EUV光的多層反射膜2，較佳為使用將Mo膜與Si膜交替地積層40至60週期左右而成之Mo/Si週期積層膜。再者，亦可利用矽(Si)形成作為多層反射膜2之最上層之高折射率層，並於該最上層(Si)與Ru系保護膜3之間形成含有矽及氧之矽氧化物層。藉此，可提昇光罩洗淨耐性。此種多層反射膜2之單獨計之反射率通常為65%以上，上限通常為73%。再者，多層反射膜2之各構成層之厚度、週期只要根據曝光波長適當選擇即可，以滿足布勒格反射之定律之方式選擇。於多層反射膜2中分別存在複數個高折射率層及低折射率層，但高折射率層彼此、以及低折射率層彼此之厚度亦可不同。又，多層反射膜2之最表面之Si層之膜厚可於不降低反射率之範圍內進行調整。最表面之Si(高折射率層)之膜厚可設為3 nm至10 nm。多層反射膜2之形成方法於該技術領域中廣為人知。例如可藉由利用離子束濺鍍法將多層反射膜2之各層成膜而形成。於上述Mo/Si週期多層膜之情形時，例如藉由離子束濺鍍法，首先使用Si靶於基板1上成膜厚度4 nm左右之Si膜，其後使用Mo靶成膜厚度3 nm左右之Mo膜，將其作為1個週期而積層40至60週期，形成多層反射膜2(最表面之層設為Si層)。又，於多層反射膜2之成膜時，較佳為藉由自離子源供給氪(Kr)離子粒子並進行離子束濺鍍而形成多層反射膜2。＜＜保護膜＞＞保護膜3係為了保護多層反射膜2不受下述反射型光罩之製造步驟中的乾式蝕刻及洗淨之影響，而形成於多層反射膜2上。又，亦兼具如下作用：於使用電子束(EB)進行吸收體圖案之黑點缺陷修正時，保護多層反射膜2。此處，圖2中示出保護膜3為1層之情形，但亦可設為3層以上之積層結構。例如，亦可設為如下保護膜3：將最下層及最上層設為包含上述含有Ru之物質之層，且使Ru以外之金屬、或合金介於最下層與最上層之間。例如，保護膜3可藉由含有釕作為主成分之材料而構成。即，保護膜3之材料可為Ru金屬單體，亦可為於Ru中含有選自鈦(Ti)、鈮(Nb)、鉬(Mo)、鋯(Zr)、釔(Y)、硼(B)、鑭(La)、鈷(Co)、及錸(Re)等中之至少一種金屬之Ru合金，亦可含有氮。此種保護膜3尤其於如下情形時有效：將吸收體膜4設為Co-X非晶質金屬或Ni-X非晶質金屬材料，並利用Cl系氣體之乾式蝕刻對該吸收體膜4進行圖案化。該Ru合金之含Ru比率為50原子%以上且未達100原子%，較佳為80原子%以上且未達100原子%，進而較佳為95原子%以上且未達100原子%。尤其於Ru合金之含Ru比率為95原子%以上且未達100原子%之情形時，可抑制多層反射膜構成元素(矽)向保護膜3中之擴散，並且充分確保EUV光之反射率，且能夠兼具光罩洗淨耐性、對吸收體膜進行蝕刻加工時之蝕刻終止層功能、及防止多層反射膜經時變化之保護膜功能。 EUV微影法中，對於曝光用光透明之物質較少，故而防止異物附著於光罩圖案面之EUV光罩護膜於技術上並不簡單。由此，不使用光罩護膜之無光罩護膜操作成為主流。又，EUV微影法中，EUV曝光會引起於光罩上沈積碳膜、或成長氧化膜等曝光污染。因此，於將EUV反射型光罩用於製造半導體裝置之階段中，需要屢次進行洗淨而將光罩上之異物或污染去除。因此，對於EUV反射型光罩，要求與光微影法用之穿透式光罩不同精確度之光罩洗淨耐性。若使用含有Ti之Ru系保護膜，則對硫酸、硫酸過氧化氫混合物(SPM)、氨、氨水過氧化氫混合物(APM)、OH自由基洗淨水或濃度為10 ppm以下之臭氧水等洗淨液之洗淨耐性尤其高，能夠滿足光罩洗淨耐性之要求。關於此種藉由Ru或其合金等所構成之保護膜3之厚度只要可發揮作為該保護膜之功能，則並無特別限制。就EUV光之反射率之觀點而言，保護膜3之厚度較佳為1.0 nm至8.0 nm，更佳為1.5 nm至6.0 nm。作為保護膜3之形成方法，可無特別限制地採用與公知之膜形成方法相同者。作為具體例，可列舉濺鍍法及離子束濺鍍法。＜＜吸收體膜＞＞反射型光罩基底100於上述附多層反射膜之基板上具有吸收體膜4。即，吸收體膜4係形成於多層反射膜2上(於形成有保護膜3之情形時，形成於保護膜3上)。作為吸收體膜4之材料，只要具有吸收EUV光之功能，且能夠藉由蝕刻等進行加工(較佳為能夠利用氯(Cl)及氟(F)系氣體之乾式蝕刻進行蝕刻)，則並無特別限定。作為具有此種功能者，可使用鉭(Ta)單體或含有Ta之材料。作為含有Ta之材料，例如可列舉：含有Ta及B之材料，含有Ta及N之材料，含有Ta、B、以及O及N中之至少一者之材料，含有Ta及Si之材料，含有Ta、Si及N之材料，含有Ta及Ge之材料，含有Ta、Ge及N之材料，含有Ta及Pd之材料，含有Ta及Ru之材料，及含有Ta及Ti之材料等。吸收體膜4例如可藉由含有選自由如下材料所組成之群中之至少一者的材料而形成：Ni單體、含有Ni之材料、Cr單體、含有Cr之材料、Ru單體、含有Ru之材料、Pd單體、含有Pd之材料、Mo單體、及含有Mo之材料。又，EUV微影法中，根據透光率之關係而使用包含多數個反射鏡之投影光學系統。而且，使EUV光相對於反射型光罩傾斜入射，使該等複數個反射鏡不遮擋投影光(曝光用光)。關於入射角度，目前主流為相對於反射光罩基板垂直面而設為6°。正以改善高投影光學系統之數值孔徑(NA)並且設為8°左右之更斜入射之角度的趨勢推進研究。 EUV影法中，由於使曝光用光傾斜入射，故而存在被稱為陰影效應之固有問題。所謂陰影效應，係指因曝光用光向具有立體結構之吸收體圖案傾斜入射而產生投影，轉印形成之圖案之尺寸或位置改變的現象。吸收體圖案之立體結構成為障壁於背陰側產生投影，轉印形成之圖案之尺寸或位置改變。例如，於所配置之吸收體圖案之朝向與斜入射光之方向成為平行之情形及成為垂直之情形時，兩者之轉印圖案之尺寸及位置產生差異，而使轉印精度降低。由於越使圖案微細及越提高圖案尺寸或圖案位置之精度，半導體裝置之電氣特性性能越為提昇，且能夠提高積體度或減小晶片尺寸，故而對EUV微影法要求較先前高一級之高精度微細尺寸圖案轉印性能。目前，要求與hp16 nm(half pitch 16 nm)代對應之超微細高精度圖案形成。針對此種要求，為了減小陰影效應，要求進一步之薄膜化。尤其於EUV曝光之情形時，要求將吸收體膜(相移膜)4之膜厚設為未達60 nm，較佳為50 nm以下。作為形成反射型光罩基底100之吸收體膜(相移膜)4之材料，一直使用Ta。然而，Ta於EUV光(例如波長13.5 nm)下之折射率n為約0.943，即便利用其相移效果，僅以Ta形成之吸收體膜(相移膜)4之薄膜化之極限亦為60 nm。為了進一步進行薄膜化，例如，作為二元型反射型光罩基底之吸收體膜4，可使用消光係數k較高(吸收效果較高)之金屬材料。作為於波長13.5 nm下之消光係數k較大之金屬材料，有鈷(Co)及鎳(Ni)。然而，Co及Ni具有磁性，故而若對使用該等材料所成膜之吸收體膜上之抗蝕劑膜進行電子束描繪，則無法描繪如設計值般之圖案之可能性令人擔憂。因此，鑒於上述方面，為了獲得進一步降低反射型光罩之陰影效應，並且可形成微細且高精度之相移圖案的反射型光罩基底100，可將吸收體膜4設為以下構成。即，吸收體膜4包含含有如下非晶質金屬之材料作為具有吸收EUV光之功能且可藉由乾式蝕刻進行加工之材料，上述非晶質金屬含有鈷(Co)及鎳(Ni)中之至少一種以上之元素。藉由將吸收體膜4設為包含鈷(Co)及鎳(Ni)之構成，可將消光係數k設為0.035以上，且能夠實現吸收體膜4之薄膜化。又，藉由將吸收體膜4設為非晶質金屬，能夠加快蝕刻速度，或使圖案形狀良好而使加工特性提昇。作為非晶質金屬，可列舉於鈷(Co)及鎳(Ni)中之至少一種以上之元素中添加鎢(W)、鈮(Nb)、鉭(Ta)、鈦(Ti)、鋯(Zr)、鉿(Hf)、釔(Y)及磷(P)中之至少一種以上之元素(X)而成者。該等添加元素(X)之中，W、Nb、Ta、Ti、Zr、Hf及Y為非磁性金屬材料。因此，藉由添加至Co或Ni中製成Co-X合金或Ni-X合金，可製成軟磁性之非晶質金屬，從而能夠抑制構成吸收體膜4之材料之磁性。藉此，於電子束描繪時不會產生影響，可進行良好之圖案描繪。於添加元素(X)為Zr、Hf及Y之情形時，Co-X合金或Ni-X合金中之添加元素(X)之含有比率較佳為3原子%以上，更佳為10原子%以上。於Zr、Hf及Y之含有比率未達3原子%之情形時，Co-X合金或Ni-X合金難以非晶質化。又，於添加元素(X)為W、Nb、Ta及Ti之情形時，Co-X合金或Ni-X合金中之添加元素(X)之含有比率較佳為10原子%以上，更佳為15原子%以上。於W、Nb、Ta及Ti之含有比率未達10原子%之情形時，Co-X合金或Ni-X合金難以非晶質化。於添加元素(X)為P之情形時，藉由將NiP中之P之含有比率設為9原子%以上，更佳為19原子%以上，可製成非磁性之非晶質金屬，從而能夠消除構成吸收體膜之材料之磁性。於P之含有比率未達9原子%之情形時，NiP具有磁性，難以非晶質化。又，Co-X合金或Ni-X合金中之添加元素(X)之含有比率係以於波長13.5 nm下之消光係數k不成為未達0.035之方式進行調整。因此，添加元素(X)之含有比率較佳為97原子%以下，更佳為50原子%以下，進而較佳為24原子%以下。尤其以單體計之消光係數k未達約0.035之Nb、Ti、Zr及Y較佳為24原子%以下。又，除了上述添加元素(X)以外，亦可於不對折射率及消光係數產生較大影響之範圍內含有氮(N)、氧(O)、碳(C)或硼(B)等其他元素。包含此種非晶質金屬之吸收體膜4可利用DC(Direct Current，直流)濺鍍法及RF(Radio Frequency，射頻)濺鍍法等磁控濺鍍法等公知之方法而形成。又，靶可使用Co-X金屬靶或Ni-X金屬靶，亦可設為使用Co靶或Ni靶、及添加元素(X)之靶的共濺鍍。關於吸收體膜4，可為以二元型之反射型光罩基底之形式以EUV光之吸收為目的之吸收體膜4，亦可為以相移型之反射型光罩基底之形式而亦考慮到EUV光之相位差的具有相移功能之吸收體膜4。於以EUV光之吸收為目的之吸收體膜4之情形時，以針對吸收體膜4之EUV光之反射率成為2%以下、較佳為1%以下之方式設定膜厚。又，為了抑制陰影效應，要求將吸收體膜之膜厚設為未達60 nm，較佳為50 nm以下。例如，如圖4中虛線所示，於利用NiTa合金膜形成吸收體膜4之情形時，藉由將膜厚設為39.8 nm，可將13.5 nm下之反射率設為0.11%。於具有相移功能之吸收體膜4之情形時，於形成有吸收體膜4之部分，吸收EUV光而消光並且以對圖案轉印無不良影響之水準使一部分光反射，與經由保護膜3自多層反射膜2反射而來之來自畦部之反射光形成所需之相位差。吸收體膜4係以來自吸收體膜4之反射光、與來自多層反射膜2之反射光之相位差成為160°至200°之方式而形成。經反轉180°左右之之相位差之光彼此於圖案邊緣部相互干涉，藉此投影光學像之像對比度提昇。伴隨該像對比度之提昇，解像度提高，曝光量裕度、焦點裕度等與曝光相關之各種裕度擴大。雖亦取決於圖案或曝光條件，但一般而言，用以充分地獲得該相移效果之吸收體膜4之反射率之標準以絕對反射率計為1%以上，以相對於多層反射膜(附保護膜)之反射比計為2%以上。作為具有相移功能之吸收體膜(相移膜)4之材料，較佳為含有鉭(Ta)及鈦(Ti)之TaTi系材料。TaTi系材料可列舉：TaTi合金、以及於該TaTi合金中含有氧、氮、碳及硼中之至少一者之TaTi化合物。作為TaTi化合物，例如可應用TaTiN、TaTiO、TaTiON、TaTiCON、TaTiB、TaTiBN、TaTiBO、TaTiBON、及TaTiBCON等。Ti由於較Ta而言消光係數較小，故而可獲得相位效果而且獲得充分之反射率。例如，TaTiN膜於13.5 nm下之折射率n為約0.937，消光係數k為約0.030。相移膜(吸收體膜4)可設定反射率及相位差成為所需值之膜厚。具體而言，可將相移膜之膜厚設為未達60 nm，較佳為50 nm以下。於利用TaTiN膜形成相移膜(吸收體膜4)之情形時，若膜厚為46.7 nm，則相對於多層反射膜(附保護膜)之相對反射率成為5.4%，相位差成為約169°，若膜厚為51.9 nm，則相對於多層反射膜(附保護膜)之相對反射率成為6.6%，相位差成為約180°。再者，所謂相對反射率，係指以EUV光直接入射至多層反射膜(附保護膜)並反射之情形的絕對反射率為基準時之相移膜對EUV光的反射率。又，TaTi系材料為能夠利用實質上不含氧氣之氯(Cl)系氣體進行乾式蝕刻之材料。如上所述，作為可獲得相移效果之材料，例如可列舉Ru，但Ru係蝕刻速率較低，難以進行加工或修正，故而於利用含有TaRu合金之材料形成相移膜之情形時，存在加工性產生問題之情形。 TaTi系材料之Ta與Ti之比率較佳為4：1～1：4。包含此種TaTi系材料之相移膜(吸收體膜4)可利用DC濺鍍法或RF濺鍍法等磁控濺鍍法等公知之方法而形成。又，靶可使用TaTi合金靶，亦可設為使用Ta靶與Ti靶之共濺鍍。吸收體膜4可為單層之膜，亦可為包含2層以上之複數層膜之多層膜。於單層膜之情形時，具有如下特徵：可減少製造光罩基底時之步驟數，使生產效率提昇。於多層膜之情形時，以上層膜成為使用光之光罩圖案檢查時之抗反射膜之方式適當設定其光學常數及膜厚。藉此，使用光之光罩圖案檢查時之檢查感度提昇。如此，藉由設為多層膜，能夠附加各種功能。於吸收體膜4為具有相移功能之吸收體膜4之情形時，藉由設為多層膜，於光學方面之調整範圍擴大，容易獲得所需反射率。於吸收體膜4為2層以上之多層膜之情形時，可將多層膜之中之1層設為Co-X非晶質金屬或Ni-X非晶質金屬。又，於2層結構之吸收體膜4之情形時，可使上層膜與下層膜之蝕刻氣體不同。例如，上層膜之蝕刻氣體可使用選自如下氣體中者：CF₄ 、CHF₃ 、C₂ F₆ 、C₃ F₆ 、C₄ F₆ 、C₄ F₈ 、CH₂ F₂ 、CH₃ F、C₃ F₈ 、SF₆ 、及F₂ 等氟系氣體，以及以特定之比率含有氟系氣體與O₂ 之混合氣體等。又，下層膜之蝕刻氣體可使用選自如下氣體中者：Cl₂ 、SiCl₄ 、及CHCl₃ 等氯系氣體，以特定之比率含有氯系氣體與O₂ 之混合氣體，以特定之比率含有氯系氣體與He之混合氣體，以及以特定之比率含有氯系氣體與Ar之混合氣體。此處，若於蝕刻之最終階段中於蝕刻氣體中含有氧氣，則Ru系保護膜3產生表面粗糙。因此，於將Ru系保護膜3暴露於蝕刻之過蝕刻階段中，較佳為使用不含氧氣之蝕刻氣體。於吸收體膜4上亦可形成蝕刻遮罩膜。作為蝕刻遮罩膜之材料，使用吸收體膜4相對於蝕刻遮罩膜之蝕刻選擇比較高之材料。此處，所謂「B相對於A之蝕刻選擇比」，係指不欲進行蝕刻之層(成為遮罩之層)即A與欲進行蝕刻之層即B之蝕刻速率之比。具體而言，藉由「B相對於A之蝕刻選擇比＝B之蝕刻速度/A之蝕刻速度」之式進行指定。又，所謂「選擇比較高」，係指相對於比較對象，上述定義之選擇比之值較大。吸收體膜4相對於蝕刻遮罩膜之蝕刻選擇比較佳為1.5以上，進而較佳為3以上。作為吸收體膜4相對於蝕刻遮罩膜之蝕刻選擇比較高之材料，可列舉鉻或鉻化合物之材料。因此，於利用氟系氣體蝕刻吸收體膜4之情形時，可使用鉻或鉻化合物之材料。作為鉻化合物，可列舉含有Cr及選自N、O、C、H中之至少一種元素之材料。又，於利用實質上不含氧氣之氯系氣體蝕刻吸收體膜4之情形時，可使用矽或矽化合物之材料。作為矽化合物，可列舉：含有Si及選自N、O、C及H中之至少一種元素之材料，以及於矽或矽化合物中含有金屬之金屬矽(金屬矽化物)或金屬矽化合物(金屬矽化物化合物)等材料。作為金屬矽化合物，可列舉含有金屬及Si以及選自N、O、C及H中之至少一種元素之材料。關於蝕刻遮罩膜之膜厚，就獲得作為將轉印圖案精度良好地形成於吸收體膜4的蝕刻遮罩之功能之觀點而言，較理想為3 nm以上。又，蝕刻遮罩膜之膜厚就使抗蝕劑膜之膜厚變薄之觀點而言，較理想為15 nm以下。＜＜背面導電膜＞＞繼而，針對本發明之附導電膜之基板50進行說明。如圖1所示，於光罩基底用基板1之主表面上之一表面形成特定之背面導電膜5，藉此可獲得本發明之附導電膜之基板50。又，於附多層反射膜之基板中，於基板1之與和多層反射膜2接觸之面為相反側的面上形成特定之背面導電膜5，藉此亦可獲得本發明之附導電膜之基板50。本發明之附導電膜之基板50係於微影法所使用之光罩基底用基板1之主表面上之一表面(背面)形成導電膜5(背面導電膜5)。於基板1與導電膜5之間具備具有應力調整功能之中間層6。靜電吸附用之背面導電膜5所要求之電氣特性(薄片電阻)通常為100 Ω/□(Ω/Square)以下。關於背面導電膜5之形成方法，例如可藉由磁控濺鍍法或離子束濺鍍法，使用作為背面導電膜5之材料的金屬或合金之靶而形成。背面導電膜5之材料係使用至少對532 nm之波長之光的透過率為20%以上之材料而形成。作為此種透過率較高之背面導電膜(透明導電膜)5之材料，較佳為使用摻錫氧化銦(ITO)、摻氟氧化錫(FTO)、摻鋁氧化鋅(AZO)或摻銻氧化錫(ATO)。藉由將透明導電膜之膜厚設為50 nm以上，可將靜電吸附用之背面導電膜5所要求之電氣特性(薄片電阻)設為100 Ω/□以下。例如，膜厚100 nm之ITO膜對532 nm之波長之透過率為約79.1%，薄片電阻為50 Ω/□。又，作為透過率較高之背面導電膜(透明導電膜)5之材料，較佳為使用鉑(Pt)、金(Au)、鋁(Al)或銅(Cu)之金屬單體。又，可使用於滿足所需透過率及電氣特性之範圍內，於該金屬中含有硼、氮、氧及碳中之至少一者之金屬化合物。該等金屬膜係與上述ITO等相比較而導電率較高，故而能夠薄膜化。關於金屬膜之膜厚，就透過率之觀點而言較佳為50 nm以下，更佳為20 nm以下。又，若膜厚過薄，則有薄片電阻急遽地增加之傾向，及就成膜時之穩定性之觀點而言，金屬膜之膜厚較佳為2 nm以上。例如，膜厚10.1 nm之Pt膜對532 nm之波長之透過率為20.3%，薄片電阻為25.3 Ω/□。進而，背面導電膜5可設為單層膜或2層以上之積層結構。為了使進行靜電吸附時之機械耐久性提昇、或使洗淨耐性提昇，較佳為將最上層設為CrO、TaO或SiO₂ 。又，亦可將最上層設為上述金屬膜之氧化膜，即PtO、AuO、AlO或CuO。最上層之厚度較佳為1 nm以上，更佳為5 nm以上，進而10 nm以上。背面導電膜5之材料及膜厚係以背面導電膜5之透過率滿足20%以上之方式選擇。如上所述，對於背面導電膜5，要求電氣特性(薄片電阻)及於自背面照射雷射光束之情形時將透過率設為所需值，但若為了滿足該等要求而使背面導電膜5之膜厚變薄，則存在產生其他問題之情形。通常，多層反射膜2具有較高之壓縮應力，故而基板1之第1主面側成為凸形狀，第2主面(背面)側成為凹形狀。另一方面，藉由多層反射膜2之退火(加熱處理)、或背面導電膜5之成膜而進行應力調整，以獲得總體平坦或第2主面側為略凹形狀之反射型光罩基底之方式進行調整。然而，若背面導電膜5之膜厚較薄，則該平衡崩塌，第2主面(背面)側之凹形狀會變得過大。於此種情況下進行靜電吸附時，存在如下情況：於基板周緣部(尤其是角部)產生刮痕，並產生膜剝落或微粒產生之問題。因此，本發明之附多層反射膜之基板較佳為第2主表面(背面)側設為平坦或凸形狀，並將平坦度設為300 nm以下。再者，本發明中之所謂凸形狀，例如係指如下表面形狀：於藉由利用光之干涉之平坦度測定裝置對包含基板之主表面中心的特定區域中之某面之表面形狀進行測定時，以自測定面利用最小平方法所算出之焦平面作為基準面的測定面之高度分佈呈現出自基板之中心或大致中心朝周緣(外周)減少的傾向。又，平坦度係表示以TIR(Total Indicated Reading，量表讀數差)所表示之表面之翹曲(變形量)的值，且如下般進行定義。即，將以基板表面為基礎利用最小平方法所確定之平面作為焦平面，繼而，以該焦平面作為基準，將處於較焦平面靠上方之基板表面之最高位置與處於較焦平面靠下方之基板表面之最低位置之間具有的高低差之絕對值定義為平坦度。於本發明中，以142×142 mm之區域內之測定值作為平坦度。為了解決背面導電膜(透明導電膜)5之膜厚較薄之情形時產生之上述問題，較佳為於背面導電膜5之基板側設置中間層6。中間層6可設為具有應力調整功能，且與透明導電膜組合時可獲得所需透過率(例如，於波長532 nm下為20%以上)者。中間層6之材料可列舉Si₃ N₄ 及SiO₂ 。Si₃ N₄ 由於對波長532 nm之透過率較高，故而與其他材料相比，膜厚之限制較少。例如，於Si₃ N₄ 之中間層6之情形時，可於膜厚1～200 nm之範圍內進行應力調整。圖6係將基板1之背面上之背面導電膜5設為膜厚10 nm之Pt膜且將中間層6設為Si₃ N₄ 膜之情形，且研究自背面導電膜5側照射波長532 nm之光時的相對於中間層6之膜厚變化的透過率變化。據此，中間層6至少於膜厚為100 nm以下之範圍內，中間層6及背面導電膜5之積層膜成為透過率20%以上，因而能夠於該範圍內進行應力調整。圖7係於將背面導電膜5設為膜厚10 nm之Pt膜且將中間層6設為SiO₂ 膜之情形時，研究相對於中間層6之膜厚變化的透過率變化。據此，中間層6至少於膜厚為100 nm以下之範圍內，中間層6及背面導電膜5之積層膜成為透過率20%以上，因而能夠於該範圍內進行應力調整。於將中間層6之材料設為Si₃ N₄ 及SiO₂ 之情形時，就導電性之確保及透過率之觀點而言，包含金屬膜之背面導電膜5之膜厚較佳為設為2 nm以上且10 nm以下。又，中間層6與背面導電膜5之積層膜之膜厚較佳為6 nm以上且250 nm以下，更佳為15 nm以上且100 nm以下。又，作為中間層6之材料，可使用消光係數較小之Ta系氧化膜或Cr系氧化膜。中間層6之材料較佳為於波長532 nm下之消光係數為1.3以下。Ta系氧化膜可列舉TaO、TaON、TaCON、TaBO、TaBON、及TaBCON等。於中間層6為Ta系氧化膜之情形時，氧(O)含量較佳為20～70原子%。Cr系氧化膜可列舉CrO、CrON、CrCON、CrBO、CrBON、及CrBOCN等。於中間層6為Cr系氧化膜之情形時，氧(O)含量較佳為25～75原子%。進而，中間層之材料亦可設為上述背面導電膜5之金屬膜之氧化膜，即PtO、AuO、AlO或CuO。圖8係於將背面導電膜5設為膜厚5 nm之Pt膜且將中間層6設為TaBO膜之情形時，研究相對於中間層6之膜厚變化的透過率變化。據此，中間層6於膜厚為58 nm以下之範圍內，中間層6及背面導電膜5之積層膜成為透過率20%以上，因而能夠於該範圍內進行應力調整。圖9係於將背面導電膜5設為膜厚5 nm之Pt膜且將中間層6設為CrOCN膜之情形時，研究相對於中間層6之膜厚變化的透過率變化。據此，中間層6至少於膜厚為100 nm以下之範圍內，中間層6及背面導電膜5之積層膜成為透過率20%以上，因而能夠於該範圍內進行應力調整。於將中間層6之材料設為Ta系氧化膜或Cr系氧化膜等金屬氧化膜之情形時，就導電性之確保及透過率之觀點而言，包含金屬膜之背面導電膜5之膜厚較佳為設為2 nm以上且5 nm以下。又，包含Ta系氧化膜之中間層6與背面導電膜5之積層膜之膜厚較佳為3 nm以上且200 nm以下，更佳為10 nm以上且60 nm以下。包含Cr系氧化膜之中間層6與背面導電膜5之積層膜之膜厚較佳為3 nm以上且250 nm以下，較佳為10 nm以上且100 nm以下。又，為了解決背面導電膜5之膜厚較薄之情形時產生之上述問題，較佳為將形成有背面導電膜5之附導電膜之基板之第2主面(背面)側設為凸形狀。作為將附導電膜之基板之第2主面(背面)側設為凸形狀之第1方法，將成膜背面導電膜5之前的基板1之第2主面側之形狀設為凸形狀即可。藉由預先將基板1之第2主面設為凸形狀，即便將膜厚為10 nm左右之包含Pt膜等之膜應力較小之背面導電膜5成膜，且將具有較高之壓縮應力之多層反射膜2成膜，亦可將第2主面側之形狀設為凸形狀。又，作為將附導電膜之基板之第2主面(背面)側設為凸形狀之第2方法，可列舉於多層反射膜2成膜後於150℃～300℃下進行退火(加熱處理)之方法。尤佳為於210℃以上之高溫下進行退火。多層反射膜2可藉由進行退火而減小多層反射膜之膜應力，但退火溫度與多層反射膜之反射率處於取捨之關係。於多層反射膜2之成膜時，於自離子源供給氬(Ar)離子粒子之先前之Ar濺鍍之情形時，若於高溫下進行退火，則無法獲得所需反射率。另一方面，藉由進行自離子源供給氪(Kr)離子粒子之Kr濺鍍，能夠使多層反射膜2之退火耐性提昇，即便於高溫下進行退火，亦可維持較高之反射率。因此，藉由利用Kr濺鍍成膜多層反射膜2之後於150℃～300℃下進行退火，可減小多層反射膜2之膜應力。於該情形時，即便將膜厚為10 nm左右之包含Pt膜等之膜應力較小之背面導電膜5成膜，亦可將第2主面側之形狀設為凸形狀。進而，亦可將上述第1方法與第2方法組合。再者，於將背面導電膜設為ITO膜等透明導電膜之情形時，能夠使膜厚變厚。因此，藉由於滿足電氣特性之範圍內進行厚膜化，可將附導電膜之基板之第2主面(背面)側設為凸形狀。藉由如此般將附導電膜之基板之第2主面(背面)側設為凸形狀，能夠於進行靜電吸附時，防止於基板周緣部(尤其是角部)產生刮痕。又，關於中間層6，可使其具有提昇基板1與背面導電膜5之密接性、或抑制氫氣自基板1向背面導電膜5侵入之功能。又，關於中間層6，可使其具有如下功能：抑制使用EUV光作為曝光源之情形時被稱為帶外(out-of-band)光之真空紫外光及紫外光(波長：130～400 nm)透過基板1而被背面導電膜5反射。作為中間層6之材料，例如可列舉：Si、SiO₂ 、SiON、SiCO、SiCON、SiBO、SiBON、Cr、CrN、CrON、CrC、CrCN、CrCO、CrCON、Mo、MoSi、MoSiN、MoSiO、MoSiCO、MoSiON、MoSiCON、TaO及TaON等。中間層6之厚度較佳為1 nm以上，更佳為5 nm以上，進而10 nm以上。再者，中間層6之材料及膜厚需要以將中間層6及背面導電膜5積層而成之積層膜之透過率滿足20%以上之方式進行選擇。又，中間層6可設為單層膜或2層以上之積層結構。於將中間層6設為積層結構之情形時，亦可使各層分別具有應力調整功能、氫氣侵入抑制功能及/或帶外光抑制功能。＜反射型光罩及其製造方法＞使用本實施形態之反射型光罩基底100，製造反射型光罩200。此處僅進行概要說明，下文將於實施例中一面參照圖式一面詳細地進行說明。準備反射型光罩基底100，於其第1主面之吸收體膜4上形成抗蝕劑膜(於反射型光罩基底100具備抗蝕劑膜之情形時不需要)，對該抗蝕劑膜描繪(曝光)所需之圖案，進而進行顯影、沖洗，藉此形成特定之抗蝕劑圖案。於反射型光罩基底100之情形時，將該抗蝕劑圖案作為遮罩對吸收體膜4進行蝕刻而形成吸收體圖案，並利用灰化或抗蝕劑剝離液等去除抗蝕劑圖案，藉此形成吸收體圖案。最後，進行使用酸性或鹼性之水溶液之濕式洗淨。此處，作為吸收體膜4之蝕刻氣體，可使用：Cl₂ 、SiCl₄ 、CHCl₃ 、及CCl₄ 等氯系氣體，以特定之比率含有氯系氣體與He之混合氣體，以特定之比率含有氯系氣體與Ar之混合氣體等。於吸收體膜4之蝕刻中，由於蝕刻氣體實質上不含氧氣，故而Ru系保護膜不會產生表面粗糙。作為該實質上不含氧氣之氣體，相當於氣體中之氧氣之含量為5原子%以下。藉由以上步驟，可獲得陰影效應較少且具有側壁粗糙較少之高精度微細圖案之反射型光罩。＜半導體裝置之製造方法＞藉由使用上述本實施形態之反射型光罩200進行EUV曝光，可抑制由陰影效應所引起之轉印尺寸精度之降低，而於半導體基板上形成基於反射型光罩200上之吸收體圖案之所需轉印圖案。又，由於吸收體圖案為側壁粗糙較少之微細且高精度之圖案，故而能以較高之尺寸精度於半導體基板上形成所需之圖案。藉由除了該微影法步驟以外還歷經被加工膜之蝕刻、絕緣膜及導電膜之形成、摻雜劑之導入、以及退火等各種步驟，可製造形成有所需電子電路之半導體裝置。若進一步詳細地說明，則EUV曝光裝置包含產生EUV光之雷射電漿光源、照明光學系統、光罩平台系統、縮小投影光學系統、晶圓平台系統、及真空設備等。光源中具備碎片捕捉功能及截止曝光用光以外之長波長光之截止濾波器及真空差動排氣用之設備等。照明光學系統及縮小投影光學系統包含反射型鏡。EUV曝光用反射型光罩200係藉由形成於其第2主面之背面導電膜5被靜電吸附而載置於光罩平台。 EUV光源之光經由照明光學系統以相對於反射型光罩垂直面傾斜6°至8°之角度照射至反射型光罩200。針對該入射光之來自反射型光罩200之反射光朝與入射相反之方向且以與入射角度相同之角度反射(正反射)，並被導入至通常具有1/4之縮小比之反射型投影光學系統，對載置於晶圓平台上之晶圓(半導體基板)上之抗蝕劑進行曝光。其間，至少對EUV光通過之空間進行真空排氣。又，於該曝光時，對光罩平台及晶圓平台以與縮小投影光學系統之縮小比相應之速度同步進行掃描，並經由狹縫進行曝光之掃描曝光成為主流。繼而，對該經曝光之抗蝕劑膜進行顯影，藉此可於半導體基板上形成抗蝕劑圖案。本發明中，使用陰影效應較小之薄膜而且具有側壁粗糙較少之高精度之吸收體圖案的光罩。因此，形成於半導體基板上之抗蝕劑圖案成為具有較高之尺寸精度之所需者。繼而，藉由使用該抗蝕劑圖案作為遮罩實施蝕刻等，例如可於半導體基板上形成特定之配線圖案。藉由歷經此種曝光步驟或被加工膜加工步驟、絕緣膜或導電膜之形成步驟、摻雜劑導入步驟、或退火步驟等其他需要之步驟，而製造半導體裝置。 [實施例] 以下，一面參照圖式一面對實施例進行說明。再者，於實施例中，對相同之構成要素使用相同之符號，並將說明簡化或省略。 [實施例1] 圖3係表示由反射型光罩基底100製作反射型光罩200之步驟的要部剖面模式圖。反射型光罩基底100具有背面導電膜5、基板1、多層反射膜2、保護膜3、及吸收體膜4。吸收體膜4包含含有NiTa之非晶質合金之材料。並且，如圖3(a)所示，於吸收體膜4上形成抗蝕劑膜11。首先，對反射型光罩基底100進行說明。準備第1主面及第2主面之兩主表面經研磨之6025尺寸(約152 mm×152 mm×6.35 mm)之作為低熱膨脹玻璃基板之SiO₂ -TiO₂ 系玻璃基板作為基板1。以成為平坦且平滑之主表面之方式，進行包含粗研磨加工步驟、精密研磨加工步驟、局部加工步驟、及接觸研磨加工步驟之研磨。於SiO₂ -TiO₂ 系玻璃基板1之第2主面(背面)，於Ar氣體氛圍中藉由使用Pt靶之DC磁控濺鍍法以5.2 nm、10.1 nm、15.2 nm、及20.0 nm之膜厚分別成膜包含Pt膜之背面導電膜5，製作4片附導電膜之基板。自所製作之4片附導電膜之基板之第2主面(背面)照射波長532 nm之光並測定透過率。如圖5所示，4片附導電膜之基板之透過率分別為39.8%、20.3%、10.9%、及6.5%。即，膜厚為5.2 nm及10.1 nm之附導電膜之基板滿足透過率20%以上之條件。又，藉由四端子測定法測定背面導電膜5之薄片電阻，結果薄片電阻分別為57.8 Ω/□、25.3 Ω/□、15.5 Ω/□、及11.2 Ω/□。因此，任一背面導電膜5均滿足100 Ω/□以下之條件。繼而，針對透過率成為20%以上之膜厚為5.2 nm及10.1 nm之各附導電膜之基板，於與形成有背面導電膜5之側為相反側的基板1之主表面(第1主面)上形成多層反射膜2。關於形成於基板1上之多層反射膜2，為了製成適於波長13.5 nm之EUV光之多層反射膜，而設為包含Mo及Si之週期多層反射膜。多層反射膜2係使用Mo靶及Si靶，於Ar氣體氛圍中藉由離子束濺鍍法於基板1上交替地積層Mo層及Si層而形成。首先，以4.2 nm之厚度成膜Si膜，繼而以2.8 nm之厚度成膜Mo膜。將其作為1週期，同樣地積層40週期，最後以4.0 nm之厚度成膜Si膜，而形成多層反射膜2。此處係設為40週期，但並不限於此，例如亦可為60週期。於設為60週期之情形時，步驟數較40週期而增多，但可提高對EUV光之反射率。繼而，於Ar氣體氛圍中，藉由使用Ru靶之離子束濺鍍法以2.5 nm之厚度成膜包含Ru膜之保護膜3。繼而，藉由DC磁控濺鍍法，形成包含NiTa膜之吸收體膜4。NiTa膜係使用NiTa靶，於Ar氣體氛圍中利用反應性濺鍍以39.8 nm之膜厚進行成膜。 NiTa膜之元素比率係Ni為80原子%，Ta為20原子%。又，藉由X射線繞射裝置(XRD)測定NiTa膜之結晶結構，結果為非晶質結構。又，NiTa膜於波長13.5 nm下之折射率n為約0.947，消光係數k為約0.063。關於上述包含NiTa膜之吸收體膜4於波長13.5 nm下之反射率，由於將膜厚設為39.8 nm，故而為0.11%(圖4)。繼而，使用上述反射型光罩基底100製造反射型光罩200。如上所述，於反射型光罩基底100之吸收體膜4上以100 nm之厚度形成抗蝕劑膜11(圖3(a))。繼而，對該抗蝕劑膜11描繪(曝光)所需之圖案，進而進行顯影、沖洗，藉此形成特定之抗蝕劑圖案11a(圖3(b))。繼而，將抗蝕劑圖案11a作為遮罩，使用Cl₂ 氣體進行NiTa膜(吸收體膜4)之乾式蝕刻，藉此形成吸收體圖案4a(圖3(c))。其後，利用灰化或抗蝕劑剝離液等去除抗蝕劑圖案11a。最後，進行使用純水(DIW)之濕式洗淨，而製造反射型光罩200(圖3(d))。再者，視需要可於濕式洗淨後進行光罩缺陷檢查，適當進行光罩缺陷修正。就本實施例之反射型光罩200而言，可確認：即便對NiTa膜上之抗蝕劑膜11進行電子束描繪，亦可描繪如設計值般之圖案。又，由於NiTa膜為非晶質合金，故而利用氯系氣體之加工性良好，能以較高之精度形成吸收體圖案4a。又，吸收體圖案4a之膜厚為39.8 nm，可較先前之利用Ta系材料所形成之吸收體膜而變薄，從而可減小陰影效應。又，自所製作之反射型光罩200之基板1之第2主面(背面)側照射波長532 nm之Nd-YAG雷射之雷射光束，結果由於背面導電膜5係利用透過率較高之Pt膜而形成，故而可修正反射型光罩200之對位誤差。將本實施例所製作之反射型光罩設置於EUV掃描儀，對在半導體基板上形成有被加工膜及抗蝕劑膜之晶圓進行EUV曝光。繼而，將該經曝光之抗蝕劑膜進行顯影，藉此於形成有被加工膜之半導體基板上形成抗蝕劑圖案。藉由蝕刻將該抗蝕劑圖案轉印至被加工膜，又，歷經絕緣膜、導電膜之形成、摻雜劑之導入、或退火等各種步驟，藉此可製造具有所需特性之半導體裝置。 [實施例2] 實施例2係將背面導電膜5之Pt膜設為10 nm且於基板1與Pt膜之間設有包含Si₃ N₄ 膜之中間層6之情形時之實施例，除此以外與實施例1相同。即，於SiO₂ -TiO₂ 系玻璃基板1之第2主面(背面)，使用Si靶，於Ar氣體與N₂ 氣體之混合氣體氛圍下利用反應性濺鍍(RF濺鍍)以90 nm之膜厚成膜包含Si₃ N₄ 膜之中間層。繼而，於Ar氣體氛圍中藉由使用Pt靶之DC磁控濺鍍法以10 nm之膜厚成膜包含Pt膜之背面導電膜5，而製作附導電膜之基板。自所製作之附導電膜之基板之第2主面(背面)照射波長532 nm之光並測定透過率，結果為21%。又，薄片電阻係藉由四端子測定法進行測定，結果為25 Ω/□。針對積層有Si₃ N₄ 膜及Pt膜之附導電膜之基板，利用與實施例1相同之方法製作反射型光罩基底100。藉由利用光干涉之平坦度測定裝置對反射型光罩基底100之背面之平坦度進行測定，結果確認為凸形狀且具有95 nm之平坦度。再者，對不設置包含Si₃ N₄ 膜之中間層6而設為膜厚10 nm之Pt膜之背面導電膜5之情形時的反射型光罩基底之背面之平坦度進行測定，結果為凹形狀且為401 nm之平坦度，可確認Si₃ N₄ 膜具有應力調整功能。其後，製作反射型光罩200。自所製作之反射型光罩200之基板1之第2主面(背面)側照射波長532 nm之Nd-YAG雷射之雷射光束，結果由於中間層6及背面導電膜5係利用透過率較高之Si₃ N₄ 膜及Pt膜而形成，故而可修正反射型光罩200之對位誤差。 [實施例3] 實施例3係將中間層6設為TaBO膜且將背面導電膜5之膜厚設為5 nm之情形時之實施例，除此以外與實施例2相同。即，於SiO₂ -TiO₂ 系玻璃基板1之第2主面(背面)，使用TaB混合燒結靶，利用Ar氣體及O₂ 之混合氣體氛圍之反應性濺鍍，以50 nm之膜厚成膜包含TaBO膜之中間層6。繼而，於Ar氣體氛圍中藉由使用Pt靶之DC磁控濺鍍法以5 nm之膜厚成膜包含Pt膜之背面導電膜5，而製作附導電膜之基板。 TaBO膜之組成為Ta：B：O＝40.7：6.3：53.0。又，自所製作之附導電膜之基板之第2主面(背面)照射波長532 nm之光並測定透過率，結果為22%。針對積層有TaBO膜及Pt膜之附導電膜之基板，利用與實施例1相同之方法製作反射型光罩基底100。藉由利用光干涉之平坦度測定裝置對反射型光罩基底100之背面之平坦度進行測定，結果確認為凸形狀且具有220 nm之平坦度。其後，製作反射型光罩200。自所製作之反射型光罩200之基板1之第2主面(背面)側照射波長532 nm之Nd-YAG雷射之雷射光束，結果由於中間層6及背面導電膜5係利用透過率較高之TaBO膜及Pt膜而形成，故而可修正反射型光罩200之對位誤差。 [比較例1] 比較例中，使用單層之TaBN膜作為吸收體膜4，且使用CrN作為背面導電膜5，除此以外，利用與實施例1相同之結構及方法而製造反射型光罩基底、反射型光罩，又，利用與實施例1相同之方法而製造半導體裝置。於SiO₂ -TiO₂ 系玻璃基板1之第2主面(背面)，藉由磁控濺鍍(反應性濺鍍)法於下述條件下形成包含CrN膜之背面導電膜5。背面導電膜形成條件：Cr靶、Ar與N₂ 之混合氣體氛圍(Ar：90%；N：10%)、膜厚20 nm。單層之TaBN膜係於實施例1之光罩基底結構之保護膜3上代替NiTa膜而形成。TaBN膜係使用TaB混合燒結靶，於Ar氣體與N₂ 氣體之混合氣體氛圍下利用反應性濺鍍以62 nm之膜厚進行成膜。 TaBN膜之元素比率係Ta為75原子%，B為12原子%，N為13原子%。TaBN膜於波長13.5 nm下之折射率n為約0.949，消光係數k為約0.030。上述包含單層之TaBN膜之吸收體膜於波長13.5 nm下之反射率為1.4%。又，自所製作之附導電膜之基板之第2主面(背面)照射波長532 nm之光並測定透過率，結果為5.8%。其後，利用與實施例1相同之方法於包含TaBN膜之吸收體膜上形成抗蝕劑膜，進行所需圖案描繪(曝光)及顯影、沖洗，而形成抗蝕劑圖案。繼而，將該抗蝕劑圖案作為遮罩，對包含TaBN膜之吸收體膜進行使用氯氣之乾式蝕刻，而形成吸收體圖案。抗蝕劑圖案去除或光罩洗淨等亦利用與實施例1相同之方法進行，而製造反射型光罩。吸收體圖案之膜厚為62 nm，無法減小陰影效應。又，自所製作之反射型光罩之基板1之第2主面(背面)側照射波長532 nm之Nd-YAG雷射之雷射光束，結果背面導電膜5之透過率較低，故而無法修正反射型光罩之對位誤差。

1‧‧‧基板

2‧‧‧多層反射膜

3‧‧‧保護膜

4‧‧‧吸收體膜

4a‧‧‧吸收體圖案

5‧‧‧背面導電膜

6‧‧‧中間層

11‧‧‧抗蝕劑膜

11a‧‧‧抗蝕劑圖案

50‧‧‧附導電膜之基板

100‧‧‧反射型光罩基底

200‧‧‧反射型光罩

圖1係表示本發明之附導電膜之基板之構成之一例的要部剖面模式圖。圖2係用以說明本發明之反射型光罩基底之概略構成的要部剖面模式圖。圖3(a)～(d)係以要部剖面模式圖表示由反射型光罩基底製作反射型光罩之步驟的步驟圖。圖4係表示實施例1之吸收體膜之厚度與對波長13.5 nm之光之反射率之關係的圖。圖5係表示包含Pt膜之背面導電膜之各膜厚之透過率光譜的圖。圖6係表示於將背面導電膜設為Pt膜且將中間層設為Si₃ N₄ 膜之情形時的相對於中間層之膜厚變化之透過率變化的圖。圖7係表示於將背面導電膜設為Pt膜且將中間層設為SiO₂ 膜之情形時的相對於中間層之膜厚變化之透過率變化的圖。圖8係表示於將背面導電膜設為Pt膜且將中間層設為TaBO膜之情形時的相對於中間層之膜厚變化之透過率變化的圖。圖9係表示於將背面導電膜設為Pt膜且將中間層設為CrOCN膜之情形時的相對於中間層之膜厚變化之透過率變化的圖。

Claims

一種附導電膜之基板，其特徵在於：其係於微影法所使用之光罩基底用基板之主表面上之一表面形成有導電膜者，且於上述基板與上述導電膜之間具備具有應力調整功能之中間層，上述中間層與上述導電膜之積層膜於波長532 nm之光下之透過率為20%以上。
如請求項1之附導電膜之基板，其中上述中間層包含含有選自矽(Si)、鉭(Ta)及鉻(Cr)中之至少一者之材料。
如請求項1或2之附導電膜之基板，其中上述中間層包含含有選自Si₃ N₄ 、SiO₂ 、TaO、TaON、TaCON、TaBO、TaBON、TaBCON、CrO、CrON、CrCON、CrBO、CrBON及CrBCON中之至少一者之材料。
如請求項1至3中任一項之附導電膜之基板，其中上述中間層之膜厚為1 nm以上且200 nm以下。
如請求項1至4中任一項之附導電膜之基板，其中上述導電膜包含含有選自鉑(Pt)、金(Au)、鋁(Al)及銅(Cu)中之至少一者之材料。
一種附多層反射膜之基板，其特徵在於：於如請求項1至5中任一項之附導電膜之基板的與形成有上述導電膜之側為相反側的主表面上，形成有將高折射率層與低折射率層交替地積層而成之多層反射膜。
如請求項6之附多層反射膜之基板，其中於上述多層反射膜上形成有保護膜。
一種反射型光罩基底，其特徵在於：於如請求項6之附多層反射膜之基板的上述多層反射膜上、或如請求項7之上述保護膜上形成有吸收體膜。
一種反射型光罩，其特徵在於：其具有對如請求項8之反射型光罩基底中之上述吸收體膜進行圖案化而成之吸收體圖案。
一種半導體裝置之製造方法，其特徵在於具有如下步驟：於具有發出EUV光之曝光用光源之曝光裝置中設置如請求項9之反射型光罩，將轉印圖案轉印至形成於被轉印基板上之抗蝕劑膜。