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TW201832830A - 噴淋板、處理裝置及噴出方法 - Google Patents

噴淋板、處理裝置及噴出方法 Download PDF

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TW201832830A
TW201832830A TW107106280A TW107106280A TW201832830A TW 201832830 A TW201832830 A TW 201832830A TW 107106280 A TW107106280 A TW 107106280A TW 107106280 A TW107106280 A TW 107106280A TW 201832830 A TW201832830 A TW 201832830A
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寺田貴洋
益永孝幸
大瀧誠
長谷川仁
安達浩祐
津野聡
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日商東芝股份有限公司
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Abstract

根據一實施例，一種噴淋板包含一第一構件及一第二構件。該第一構件包含一第一壁，其上提供有複數個第一開口且在內部包含與該等第一開口連通之一室。該第二構件包含一第二壁，其上提供有一第二開口且被佈置在該室中。該第二構件被佈置在與該第一構件間隔開之一位置處，且藉由改變該第二構件相對於該第一構件之一位置而允許該等第一開口中面向該第二開口之一第一開口被替換為該等第一開口之另一者。

Description

噴淋板、處理裝置及噴出方法
本文中描述之實施例通常係關於一種噴淋板、一種處理裝置及一種噴出方法。
用於自複數個開口噴出一流體之一噴淋板係眾所周知的。例如，為改變每種流體類型之流體之噴出位置，存在如下情況：與其中一第一流體擴散之一空間連通之複數個第一開口及與其中一第二流體擴散之一第二空間連通之複數個第二開口分開地提供在噴淋板上。
實施例一之目的係提供一種噴淋板，其能夠改變流體之一噴出位置且更均勻地噴出流體。 根據一實施例，一種噴淋板包含一第一構件及一第二構件。該第一構件包含一第一壁，其上提供有複數個第一開口且在內部包含與該等第一開口連通之一室。該第二構件包含一第二壁，其上提供有一第二開口且被佈置在該室中。該第二構件被佈置在與該第一構件間隔開之一位置處，且藉由改變該第二構件相對於該第一構件之一位置而允許該等第一開口中面向該第二開口之一第一開口被替換為該等第一開口之另一者。 根據上文描述之噴淋板，可改變流體之一噴出位置且更均勻地噴出流體。
第一實施例 在下文中，將參考圖1至6描述一第一實施例。本說明書基本上將一垂直向上方向界定為一上部或向上方向，且將一垂直向下方向界定為下部或向下方向。另外，本說明書可包含根據該實施例之一構成要素之複數個表達及對該要素之描述。用複數個表達書寫之構成要素及描述可以其他未描述之方式表達。另外，未用複數個表達書寫之構成要素及描述亦可以其他未描述之方式表達。 圖1係示意地圖解說明根據第一實施例之一半導體製造裝置10之一截面視圖。半導體製造裝置10係一例示性處理裝置，且亦可被稱為例如一製造裝置、一機械加工裝置、一噴出裝置、一供應裝置，及一裝置。應注意，處理裝置不限於半導體製造裝置10，且可表示對一目標物體執行諸如機械加工、清潔及測試等處理之另一裝置。 如個別圖式中所圖解說明，在本說明書中界定一X軸、一Y軸及一Z軸。X軸、Y軸及Z軸彼此正交。X軸被界定為沿著半導體製造裝置10之一寬度。Y軸被界定為沿著半導體製造裝置10之一深度(長度)。Z軸被界定為沿著半導體製造裝置10之一高度。在本實施例中，Z軸在垂直方向上延伸。Z軸延伸之方向可與垂直方向不同。 例如，根據第一實施例之在圖1中所圖解說明之半導體製造裝置10係一化學氣相沈積(CVD)裝置。半導體製造裝置10可為另一種類型的裝置。半導體製造裝置10包含一製造單元11、一平臺12、一噴淋板13、一第一氣體供應裝置14、一第二氣體供應裝置15及一控制單元16。 例如，製造單元11亦可被稱為一外殼。平臺12係一例示性佈置單元，且亦被稱為例如一安裝部或一桌子。例如，噴淋板13亦可被稱為一通道結構、一噴出裝置、一供應裝置、一噴射裝置、一分配裝置、一排出裝置、一構件或一組件。第一氣體供應裝置14及第二氣體供應裝置15係例示性供應單元。 製造單元11在內部包含可被氣密密封之一腔21。例如，腔21亦可被稱為一室或一空間。例如，半導體製造裝置10在腔21中製造一半導體晶圓(以下稱為一晶圓) W。晶圓W係一例示性目標物體。製造單元11包含一上壁23及一側壁24。 上壁23包含一內表面23a。內表面23a係面朝下之一大致平坦表面。側壁24包含一內側表面24a。內側表面24a係面向一大致水平方向之一表面。內表面23a及內側表面24a形成腔21之一部分。即，內表面23a及內側表面24a面向腔21內部。側壁24包含複數個排氣孔27。腔21中之氣體可自排氣孔27吸入。 平臺12及噴淋板13被佈置在腔21中。如圖1中所圖解說明，平臺12之一部分及噴淋板13之一部分可位於腔21外部。 平臺12包含一支撐件12a。支撐件12a位於腔21中且朝上壁23之內表面23a支撐晶圓W。換言之，晶圓W被佈置在平臺12上。平臺12包含一加熱器，且能夠加熱由支撐件12a支撐之晶圓W。 例如，平臺12可藉由吸入晶圓W將晶圓W固定至支撐件12a。另外，平臺12連接至諸如一馬達等一驅動裝置且可在支撐晶圓W的同時進行旋轉。 例如，噴淋板13附接至製造單元11之上壁23。噴淋板13面向由平臺12之支撐件12a支撐之晶圓W。如圖1中箭頭所指示，噴淋板13能夠向晶圓W噴出一第一氣體G1及一第二氣體G2。 第一氣體G1係一流體及一第一流體之一實例。第二氣體G2係一流體及一第二流體之一實例。流體不限於一氣體，且可為諸如一液體之另一流體。 例如，第一氣體G1在晶圓W上形成氧化膜。例如，第二氣體G2在晶圓W上形成氮化膜。第一氣體G1及第二氣體G2不限於此實例。另外，第一氣體G1及第二氣體G2可為具有相同組成之流體。 圖2係根據第一實施例之噴淋板13之一截面視圖。圖3係圖解說明第一實施例中之一噴淋板13之一仰視圖。如圖2中所圖解說明，噴淋板13包含一第一構件31及一第二構件32。例如，第一構件31及第二構件32之各者係由分別抵抗第一氣體G1及第二氣體G2之一材料形成。 第一構件31包含一擴散器41及一管部42。擴散器41具有在一X-Y平面上展開之一大致圓盤狀。管部42在沿著Z軸之一正方向(Z軸箭頭所面向之方向，向上方向)上自擴散器41之一大致中心部延伸。 如圖1中所圖解說明，管部42穿透上壁23。例如，管部42固定至上壁23，以便將噴淋板13附接至製造單元11之上壁23。噴淋板13可藉由另一裝置附接至製造單元11。 如圖2中所圖解說明，擴散器41包含一底壁44、一周邊壁45及一覆蓋壁46。底壁44係一例示性第一壁。另外，擴散器41在內部包含一擴散腔47。擴散腔47係一室之一實例，且例如亦可稱為一空間或一容器。擴散腔47被底壁44、周邊壁45及覆蓋壁46包圍。 底壁44具有在X-Y平面上展開之一大致圓盤狀。底壁44包含一底表面44a及第一內表面44b。例如，底表面44a亦可被稱為一外表面或一表面。第一內表面44b係一例示性第一表面。 底表面44a係面向沿著Z軸之負方向(與Z軸箭頭所指向相反之方向，向下方向)之一大致平坦表面，且位於沿著噴淋板13之Z軸之一負端處。換言之，底表面44a形成噴淋板13之外表面之一部分。底表面44a可為一曲面或可具有不規則性。 如圖1中所圖解說明，底表面44a經由一間隙面向由平臺12之支撐件12a支撐之晶圓W。換言之，平臺12在底表面44a所面向之一位置處支撐晶圓W。 如圖2中所圖解說明，第一內表面44b係一大致平坦表面，其位於底表面44a之相對側上且面向沿著Z軸之正方向。第一內表面44b可為一曲面或可具有不規則性。第一內表面44b面向擴散腔47且形成擴散腔47之內表面之一部分。 周邊壁45係一大致圓柱形壁，其在沿著Z軸之正方向上自底壁44之邊緣延伸。周邊壁45包含一第二內表面45a。第二內表面45a係室之一例示性內表面。第二內表面45a面向擴散腔47且形成擴散腔47之內表面之一部分。 覆蓋壁46具有在X-Y平面上展開之一大致圓盤狀。覆蓋壁46之一邊緣由周邊壁45連接至底壁44之一邊緣。覆蓋壁46包含一上表面46a及一第三內表面46b。第三內表面46b係一例示性第二表面。 上表面46a係面向沿著Z軸之正方向之一大致平坦表面。上表面46a形成噴淋板13之外表面之一部分。管部42在沿著Z軸之正方向自上表面46a延伸。 第三內表面46b位於上表面46a之相對側上且係面向沿著Z軸之負方向之一大致平坦表面。第三內表面46b面向第一內表面44b。第三內表面46b可為一曲面或可具有不規則性。第三內表面46b面向擴散腔47且形成擴散腔47之內表面之一部分。 一供應孔42a提供在管部42內部。供應孔42a在沿著Z軸之方向上延伸以在第三內表面46b上開口以與擴散腔47連通。例如，供應孔42a經由一管道與圖1中之第一氣體供應裝置14及第二氣體供應裝置15連通。即，第一氣體供應裝置14及第二氣體供應裝置15經由管道及供應孔42a與擴散腔47連接。 底壁44包含複數個第一開口48。第一開口48亦可被稱為孔、通孔及噴出孔。複數個第一開口48之各者與底表面44a及第一內表面44b連通。換言之，第一開口48與擴散腔47及噴淋板13外部連通。 在本實施例中，複數個第一開口48具有大致相同形狀。複數個第一開口48可包含具有相互不同形狀之複數個第一開口48。 複數個第一開口48之各者具有一直部48a及一漸縮部48b。漸縮部48b亦可被稱為漸縮部、直徑擴大部分、容納部分或引導部分。第一開口48可各自具有直部48a及漸縮部48b之任一者。 直部48a係與底壁44之底表面44a連通之大致圓孔。直部48a在沿著Z軸之方向上大致上線性地延伸。漸縮部48b係與底壁44之第一內表面44b連通之大致上截頭圓錐形孔。漸縮部48b可具有另一形狀。漸縮部48b在自第一內表面44b朝底表面44a之一方向上漸縮。即，具有漸縮部48b之最大截面積之部分在第一內表面44b上開口。相反，具有漸縮部48b之最小截面積之部分連接至直部48a。 第二構件32包含一第一移動壁51及一第一支撐件52。第一移動壁51係一例示性第二壁。第一支撐件52係一例示性支撐件。第二構件32被佈置在與第一構件31間隔開之一位置處。第二構件32至少在第一構件31內部與第一構件31間隔開。 第一移動壁51具有在X-Y平面上展開之一大致圓盤狀。第一移動壁51、大致圓盤狀底壁44及覆蓋壁46及大致圓柱形周邊壁45經佈置以共同具有一中心軸Ax。中心軸Ax在沿著Z軸之一方向上延伸。第一移動壁51、底壁44、覆蓋壁46及周邊壁45可具有相互不同的中心軸。 第一移動壁51被佈置在擴散腔47中的與第一構件31間隔開之一位置處。即，第一移動壁51比擴散腔47更小，且容納在第一構件31內部。第一移動壁51包含一下表面51a、一上表面51b及一側表面51c。 下表面51a係面向沿著Z軸之負方向之一大致平坦表面。下表面51a經由一間隙面向底壁44之第一內表面44b。換言之，底壁44之第一內表面44b經由一間隙面向第一移動壁51之下表面51a。大致均勻地設定第一內表面44b與下表面51a之間之距離。 上表面51b係面向沿著Z軸之正方向之一大致平坦表面。上表面51b及下表面51a彼此大致平行。上表面51b可相對於下表面51a傾斜。上表面51b在與覆蓋壁46之第三內表面46b間隔開一之位置處面向第三內表面46b。 側表面51c係面向一大致水平方向之一表面且連接下表面51a之邊緣及上表面51b之邊緣。側表面51c經由一間隙面向周邊壁45之第二內表面45a。如上所述，周邊壁45及第一移動壁51共同具有中心軸Ax。因此，大致均勻地設定側表面51c與第二內表面45a之間之距離。 底壁44之第一內表面44b與第一移動壁51之下表面51a之間之距離小於覆蓋壁46之第三內表面46b與第一移動壁51之上表面51b之間之距離51。因此，在第三內表面46b與上表面51b之間提供比第一內表面44b與下表面51a之間的間隙更寬之一擴散空間47a。擴散空間47a係擴散腔47之一部分，且連接至側表面51c與第二內表面45a之間之一間隙及下表面51a與第一內表面44b之間之一間隙。 第一支撐件52具有在沿著Z軸之正方向上自第一移動壁51之大致中心部沿著中心軸Ax延伸之一圓柱形形狀。換言之，第一支撐件52連接至第一移動壁51之上表面51b。第一支撐件52穿過管部42之供應孔42a以自管部42之一上端突出至第一構件31外部。 第一支撐件52被佈置在與管部42間隔開之一位置處。即，在第一支撐件52與供應孔42a之內表面之間形成一間隙。第一支撐件52與供應孔42a之內表面之間之距離大致恆定且比第一內表面44b與下表面51a之間之距離更長。 第一支撐件52在第一構件31外部連接至一第一驅動裝置55。第一驅動裝置55係一例示性驅動單元。第一驅動裝置55包含諸如一馬達或一致動器等一發電源及將由發電源產生之功率傳輸至第一支撐件52之一傳輸機構。 例如，第一驅動裝置55之傳動機構將第一支撐件52支撐在第一構件31外部。第一支撐件52由第一驅動裝置55支撐，使得第二構件32被佈置在與第一構件31間隔開之一位置處。換言之，第二構件32以與第一構件31間隔開之一狀態由第一驅動裝置55懸掛。 第一移動壁51包含複數個第二開口58。第二開口58亦可被稱為孔、通孔、連接孔及連通孔。複數個第二開口58之各者係在沿著Z軸之方向上延伸且與下表面51a及上表面51b連通之一大致圓孔。換言之，第二開口58與第一內表面44b與下表面51a之間的間隙連通且與擴散空間47a連通。 第二開口58之直徑大致等於第一開口48之直部48a之直徑。另外，第二開口58之直徑大致上等於具有漸縮部48b之最小截面積之部分之直徑，且小於具有漸縮部48b之最大截面積之部分之直徑。即，漸縮部48b之最大截面積大於在下表面51a上開口之第二開口58之截面積。換言之，漸縮部48b之最大截面積大於第二開口58之面向底壁44之端部(沿著Z軸之負端部)之截面積。第一開口48及第二開口58之大小不限於此實例。 圖4係圖解說明根據第一實施例之第一移動壁51之一仰視圖。如圖3及4中所圖解說明，在本實施例中，第二開口58之數目係第一開口48之數目的一半。第二開口58之數目不限於此實例。 圖5係圖解說明第一實施例之第二構件32旋轉時的噴淋板13之一仰視圖。如圖5中所圖解說明，例如，第二構件32藉由圖2中之第一驅動裝置55相對於第一構件31圍繞中心軸Ax旋轉。換言之，第一驅動裝置55能夠使第二構件32相對於第一構件31移動。第一驅動裝置55使第二構件32相對於第一構件31旋轉，同時保持第二構件32與第一構件31間隔開之狀態。 如圖3中所圖解說明，複數個第一開口48包含複數個第一噴出孔61及複數個第二噴出孔62。第一噴出孔61及第二噴出孔62具有大致相同形狀，且為便於解釋而單獨稱引用。第一噴出孔61及第二噴出孔62可具有相互不同形狀。 第一噴出孔61之數目等於第二開口58之數目。另外，第二噴出孔62之數目等於第二開口58之數目。複數個第一噴出孔61圍繞中心軸Ax雙重對稱地(旋轉對稱、點對稱)佈置。複數個第二噴出孔62及複數個第二開口58亦圍繞中心軸Ax雙重對稱地佈置。複數個第一噴出孔61經佈置以便在圍繞中心軸Ax旋轉90°時與複數個第二噴出孔62重疊。複數個第二開口58、複數個第一噴出孔61及複數個第二噴出孔62之佈置不限於此實例。例如，複數個第二開口58、複數個第一噴出孔61及複數個第二噴出孔62可各自圍繞中心軸Ax三重或更多重地對稱佈置。另外，複數個第二開口58、複數個第一噴出孔61及複數個第二噴出孔62之各者可佈置在與其等經佈置以具有旋轉對稱性時的位置不同之位置處。 圖6係圖解說明第一實施例中之第二構件32旋轉後的噴淋板32之一仰視圖。第二構件32藉由第一驅動裝置55旋轉以便能夠相對於第一構件31移動至圖3中所圖解說明之一第一位置P1及圖6中所圖解說明之一第二位置P2。 如圖3中所圖解說明，複數個第一噴出孔61及複數個第二開口58在第一位置P1處面向彼此。即，提供在第一內表面44b上之第一噴出孔61之開口端面向提供在下表面51a上之第二開口58之開口端。換言之，第二開口58在第一位置P1處與第一噴出孔61重疊。同時，複數個第二噴出孔62在第一位置P1處被第一移動壁51覆蓋。在圖3中，被第一移動壁51覆蓋之第二噴出孔62用陰影線表示。 如圖6中所圖解說明，複數個第二噴出孔62及複數個第二開口58在第二位置P2處面向彼此。即，提供在第一內表面44b上之第二噴出孔62之開口端面向提供在下表面51a上之第二開口58之開口端。換言之，第二開口58在第二位置P2處與第二噴出孔62重疊。同時，複數個第一噴出孔61在第二位置P2處被第一移動壁51覆蓋。在圖6中，被第一移動壁51覆蓋之第一噴出孔61用陰影線表示。 如上所述，複數個第二開口58在第一位置P1或第二位置P2處面向複數個第一噴出孔61或複數個第二噴出孔62。如圖3及6中所圖解說明，當在平面視圖中觀察底壁44之底表面44a時，面向第二開口58之第一噴出孔61或第二噴出孔62曝露擴散空間47a。 例如，如圖2中所圖解說明，被第一移動壁51覆蓋之第一噴出孔61及第二噴出孔62與第一內表面44b與下表面51a之間之一間隙連通。因此，被第一移動壁51覆蓋之第一噴出孔61及第二噴出孔62經由第一內表面44b與下表面51a之間的間隙及第二內表面45a與側表面51c之間之一間隙與擴散空間47a連通。 在與Z軸(X-Y平面)正交之方向上，複數個第二開口58之總截面積大於第二構件32與第二內表面45a之間的間隙之截面積。與Z軸正交之方向係與第二開口延伸之方向正交之一方向之一實例。 第一內表面44b與下表面51a之間之距離比第二開口58之直徑更短。第一內表面44b與下表面51a之間之距離比第一開口48之直部48a之直徑更短。 圖1中所圖解說明之第一氣體供應裝置14連接至噴淋板13之供應孔42a，且自供應孔42a向擴散腔47之擴散空間47a供應第一氣體G1。第一氣體供應裝置14包含一罐14a及一閥14b。閥14b係一例示性調整單元。調整單元可為另一裝置，諸如一幫浦。 罐14a容納第一氣體G1且經由閥14b及一管道連接至供應孔42a。閥14b打開，使得第一氣體供應裝置14向供應孔42a供應罐14a之第一氣體G1。當閥14b關閉時，第一氣體供應裝置14停止供應第一氣體G1。另外，調整閥14b之打開-關閉量以使得能夠調整第一氣體G1之流量。以此方式，閥14b可調整第一氣體G1之供應狀態。 第二氣體供應裝置15連接至噴淋板13之供應孔42a，且自供應孔42a向擴散腔47之擴散空間47a供應第二氣體G2。第二氣體供應裝置15包含一罐15a及一閥15b。閥15b係一例示性調整單元。 罐15a容納第二氣體G2且經由閥15b及一管道連接至供應孔42a。閥15b打開，使得第二氣體供應裝置15向供應孔42a供應罐15a之第二氣體G2。當閥15b關閉時，第二氣體供應裝置15停止供應第二氣體G2。另外，調整閥15b之打開-關閉量以使得能夠調整第二氣體G2之流量。以此方式，閥15b可調整第二氣體G2之供應狀態。 除了第一氣體供應裝置14及第二氣體供應裝置15之外，半導體製造裝置10亦可包含一運載氣體供應裝置。運載氣體供應裝置包含容納諸如氬等一運載氣體之一罐、一管道及將該罐與供應孔42a連接之一閥。當閥打開時，容納在罐中之運載氣體經由供應孔42a供應至擴散腔47之擴散空間47a。例如，運載氣體經供應以將第一氣體G1或第二氣體G2傳送至擴散腔47，且係對晶圓W影響很小之一種氣體。例如，運載氣體供應裝置可獨立於第一氣體供應裝置14及第二氣體供應裝置15而提供，或可作為第一氣體供應裝置14及第二氣體供應裝置15之各者之一部分而提供。 控制單元16包含例如諸如一CPU等一處理裝置及諸如一ROM或一RAM等一儲存裝置。控制單元16例如控制平臺12、第一氣體供應裝置14、第二氣體供應裝置15及第一驅動裝置55。 如下文將描述，半導體製造裝置10向腔21中之晶圓W供應第一氣體G1及第二氣體G2。首先，控制單元16驅動圖2中之第一驅動裝置55以使第二構件32相對於第一構件31旋轉，藉此將第二構件32佈置在第一位置P1處。此操作使複數個第二開口58面向複數個第一噴出孔61。 第一驅動裝置55例如包含一旋轉角度感測器，諸如一旋轉編碼器。控制單元16可基於自旋轉角度感測器獲得之第二構件32之旋轉角度將第二構件32佈置在第一位置P1處。控制單元16可藉由另一裝置將第二構件32佈置在第一位置P1處。 接下來，控制單元16進行控制以打開第一氣體供應裝置14之閥14b且向噴淋板13供應第一氣體G1。第一氣體G1經由供應孔42a供應至擴散腔47之擴散空間47a。即，當複數個第二開口58面向複數個第一噴出孔61時，第一氣體供應裝置14向擴散腔47供應第一氣體G1。第一噴出孔61係一第一開口之一實例。 例如，第一氣體G1在擴散空間47a中在沿著X-Y平面之一方向上擴散。第一氣體G1穿過與擴散空間47a連通之複數個第二開口58，且自面向第二開口58之第一噴出孔61朝晶圓W噴出。因此，第一氣體G1在晶圓W之表面上形成一膜。 當在晶圓W之表面上形成一膜時，控制單元16進行控制以關閉第一氣體供應裝置14之閥14b。因此，停止供應第一氣體G1。例如，噴淋板13上剩餘的第一氣體G1可藉由被供應至擴散腔47之運載氣體排出。 接下來，控制單元16驅動第一驅動裝置55，使得第一驅動裝置55將第二構件32之第一支撐件52旋轉。第一驅動裝置55使第二構件32相對於第一構件31旋轉，藉此將第二構件32佈置在第二位置P2處。此操作使複數個第二開口58面向複數個第二噴出孔62。 如上所述，第一驅動裝置55使第二構件32之第一支撐件52相對於第一構件31旋轉，使得連接至第一支撐件52之第一移動壁51相對於第一構件31旋轉。第一移動壁51相對於第一構件31旋轉，使得面向第二開口58之第一開口48 (第一噴出孔61)被替換為其他第一開口48 (第二噴出孔62)。換言之，改變第一移動壁51相對於第一構件31之位置使得面向第二開口58之第一開口48被替換為其他第一開口48。 接下來，控制單元16進行控制以打開第二氣體供應裝置15之閥15b且向噴淋板13供應第二氣體G2。第二氣體G2經由供應孔42a供應至擴散腔47之擴散空間47a。即，當複數個第二開口58面向複數個第二噴出孔62時，第二氣體供應裝置15向擴散腔47供應第二氣體G2。第二噴出孔62係另一第一開口之一實例。即，第一氣體供應裝置14及第二氣體供應裝置15取決於面向第二開口58之第一開口48向擴散腔47供應不同氣體(第一氣體G1或第二氣體G2)。 例如，第二氣體G2在擴散空間47a中在沿著X-Y平面之方向上擴散。第二氣體G2穿過與擴散空間47a連通之複數個第二開口58，且自面向第二開口58之第二噴出孔62朝晶圓W噴出。因此，第二氣體G2在晶圓W之表面上形成一膜。 如上所述，第一氣體G1自複數個第一噴出孔61噴出，而第二氣體G2自複數個第二噴出孔62噴出。因此，第一氣體G1及第二氣體G2可自其等自身的合適位置噴出。如上所述，例如，在晶圓W上形成氧化膜及氮化膜。 已穿過第二開口58之第一氣體G1及第二氣體G2自第二開口58朝第一開口48噴出。第一開口48之漸縮部48b在底壁44上朝第一移動壁51開口且面向第二開口58。漸縮部48b在遠離第一移動壁51之一方向上漸縮。因此，自第二開口58噴出之第一氣體G1及第二氣體G2由漸縮部48b引導流入第一開口48之直部48a。第一氣體G1及第二氣體G2自直部48a噴出至噴淋板13外部。 在一些情況下，除了第二開口58之外，被供應至擴散空間47a之第一氣體G1及第二氣體G2亦可能會流入第二內表面45a與側表面51c之間的間隙。在一些情況下，第一氣體G1及第二氣體G2可能會自被第一移動壁51覆蓋之第一噴出孔61或第二噴出孔62噴出至噴淋板13外部。然而，在此情況下，流入第二內表面45a與側表面51c之間的間隙中之第一氣體G1及第二氣體G2之流量低於穿過第二開口58之第一氣體G1及第二氣體G2之流量。因此，分別自被第一移動壁51覆蓋之第一噴出孔61或第二噴出孔62噴出之第一氣體G1或第二氣體G2不會影響形成晶圓W之膜。例如，由面向第二開口58之第一開口48 (第一噴出孔61)噴出之第一氣體G1之流量高於自被第一移動壁51覆蓋之第一開口48 (第二噴出孔62)噴出之第一氣體G1之流量。 如圖5中所圖解說明，可在第二構件32自第一位置P1或第二位置P2稍微旋轉之一狀態下，向擴散腔47供應第一氣體G1或第二氣體G2。例如，在圖5中所圖解說明之情況下，第一噴出孔61之部分被第一移動壁51覆蓋。相反，第二噴出孔62以與第一位置P1之情況相同之方式被第一移動壁51覆蓋。 與第二構件32被佈置在第一位置P1處之情況相比，第一噴出孔61之部分被第一移動壁51覆蓋，從而使噴淋板13之通道(面向彼此之第一噴出孔61及第二開口58)變窄。此組態減小了第一氣體G1之噴出量。 第二構件32相對於第一構件31之移動改變了將被第一移動壁51覆蓋之第一開口48之部分的量。即，第二構件32相對於第一構件31之移動調整自第一開口48噴出之第一氣體G1及第二氣體G2之流量。 例如，噴淋板13係藉由使用三維列印機之層壓成型來製造。因此，以被容納在第一構件31中之一狀態製造第二構件32。製造噴淋板13之方法不限於此實例。 在根據上述第一實施例之半導體製造裝置10中，擴散腔47提供在第一構件31中，且第二構件32之第一移動壁51與第一構件31間隔開且被佈置在擴散腔47中。藉由改變第二構件32相對於第一構件31之位置，第二構件32允許第一開口48中面向第二開口58之一第一開口48 (第一噴出孔61)被替換為第一開口48之另一者(第二噴出孔62)。運用此組態，噴淋板13可自複數個位置噴出被供應至共用擴散腔47之第一氣體G1及第二氣體G2，從而使得可確保擴散腔47的空間很大。這導致降低擴散腔47中之第一氣體G1及第二氣體G2之壓力損失，且在提供複數個第一開口48之一情況下，自複數個第一開口48進一步均等地噴出第一氣體G1及第二氣體G2。即，第一氣體G1及第二氣體G2可進一步均勻地噴出在能夠改變第一氣體G1及第二氣體G2之噴出位置之噴淋板13中。另外，當第一開口48中面向第二開口58之一第一開口48被替換為第一開口48之另一者時，抑制由於第一構件31與第二構件32之間之接觸而產生顆粒。這導致抑制顆粒進入擴散腔47及第一開口48及第二開口58，且抑制第一氣體G1及第二氣體G2之均勻噴出之所得阻礙。 複數個第一開口48之各者包含漸縮部48b，其與第一內表面44b連通且在遠離第一移動壁51之一方向上漸縮。漸縮部48b之最大截面積大於在下表面51a上開口之第二開口58之截面積。運行此組態，自第二開口58朝第一開口48噴出之第一氣體G1及第二氣體G2由漸縮部48b引導，從而導致抑制第一氣體G1及第二氣體G2流入底壁44與第一移動壁51之間的間隙。 第一內表面44b與第二構件32之間之距離比第三內表面46b與第二構件32之間之距離更短。這促進擴散腔47 (擴散空間47a)中之第一氣體G1及第二氣體G2在第三內表面46b與第二構件32之間擴散。另外，可抑制自第二開口58流出之第一氣體G1及第二氣體G2散佈在第一內表面44b與第二構件32之間的間隙中，從而導致抑制第一氣體G1及第二氣體G2自非所需第一開口48噴出。 第二構件32藉由相對於第一構件31旋轉允許第一開口48中面向第二開口58之一第一開口48被替換為第一開口48之另一者。因此，第一開口48中面向第二開口58之一第一開口48可易於被替換為第一開口48之另一者。 在與第二開口58延伸之方向正交之一方向上，複數個第二開口58之總截面積大於第二構件32與第二內表面45a之間的間隙之截面積。運用此組態，可抑制被供應至擴散腔47之第一氣體G1及第二氣體G2透過第二構件32與第二內表面45a之間的間隙散佈至第一構件31與第二構件32之間的間隙，從而導致抑制第一氣體G1及第二氣體G2自非所需第一開口48噴出。 第二構件32由第一支撐件52支撐在第一構件31外部，以被佈置在與第一構件31間隔開之一位置處。運用此組態，可抑制由於第一支撐件52與支撐第一支撐件52之第一驅動裝置55之間之接觸而產生的顆粒進入擴散腔47或第一開口48及第二開口58。 第一驅動裝置55在第一構件31外部連接至第一支撐件52，以使第一支撐件52相對於第一構件31移動，藉此將第一開口48中面向第二開口58之一第一開口48被替換為第一開口之另一者48。這導致抑制藉由第一驅動裝置55驅動第一支撐件52而產生之顆粒進入擴散腔47及第一開口48及第二開口58。 當第二開口58面向第一噴出孔61時，第一氣體供應裝置14及第二氣體供應裝置15向擴散腔47供應第一氣體G1，且當第二開口58面向第二噴出孔62時向擴散腔47供應第二氣體G2。這使得半導體製造裝置10能夠改變第一開口48之位置以噴出第一氣體G1且改變第一開口48之位置以噴出第二氣體G2，從而使得可自適當位置噴出第一氣體G1及第二氣體G2。 圖7係圖解說明根據第一實施例之一修改之噴淋板13之一仰視圖。如圖3及7中所圖解說明，複數個第一開口48被佈置在由單點虛線指示之複數個同心圓上。例如，自最內圓至外圓之圓之各者上佈置之第一開口48之數目按四個、十二個、二十個、二十八個、三十六個…等之方式增加。藉由以此方式佈置第一開口48，可更均等地佈置複數個第一開口48。第一開口48之數目及佈置不限於此實例。 第二實施例 在下文中，將參考圖8及9描述一第二實施例。在複數個實施例之以下描述中，對具有與已經描述的構成要素之功能類似之功能之構成要素給定相同的附圖標記，且在一些情況下將省略進一步描述。另外，由相同附圖標記標示之複數個構成要素不必具有所有共用功能及性質，且可根據實施例之各者具有不同功能及性質。 圖8係根據第二實施例之噴淋板13之一仰視圖。圖9係圖解說明第二實施例中之第一移動壁51之一仰視圖。如圖8中所圖解說明，在第二實施例中，複數個第一開口48包含複數個第一噴出孔61、複數個第二噴出孔62及複數個第三噴出孔63。第一噴出孔61至第三噴出孔63具有大致相同形狀且為便於解釋而單獨引用。第一噴出孔61至第三噴出孔63可具有相互不同形狀。 第三噴出孔63之數目等於第二開口58之數目。另外，第三噴出孔63之數目等於第一噴出孔61之數目且等於第二噴出孔62之數目。複數個第三噴出孔63圍繞中心軸Ax雙重對稱地佈置。複數個第三噴出孔63之佈置不限於此實例。例如，複數個第三噴出孔63可圍繞中心軸Ax三重或更多重地對稱地佈置。另外，複數個第三噴出孔63亦可佈置在與其等經佈置以具有旋轉對稱性時的位置不同之位置處。 在第二實施例中，複數個第一噴出孔61經佈置以便在圍繞中心軸Ax旋轉60°時與複數個第二噴出孔62重疊。 另外，複數個第一噴出孔61經佈置以便在圍繞中心軸Ax旋轉120°時與複數個第三噴出孔63重疊。 第二構件32之第一移動壁51藉由第一驅動裝置55相對於第一構件31旋轉以便能夠移動至第一位置P1、第二位置P2及第三位置P3。圖8圖解說明了被佈置在第三位置P3處之第二構件32。 在第一位置P1處，第一噴出孔61面向第二開口58，且第二噴出孔62及第三噴出孔63被第一移動壁51覆蓋。在第二位置P2處，第二噴出孔62面向第二開口58，且第一噴出孔61及第三噴出孔63被第一移動壁51覆蓋。在第三位置P3處，第三噴出孔63面向第二開口58，且第一噴出孔61及第二噴出孔62被第一移動壁51覆蓋。在圖8中，由第一移動壁51覆蓋之第一噴出孔61及第二噴出孔62以不同陰影線表示。 在根據上述第二實施例之半導體製造裝置10中，第二構件32藉由相對於第一構件31移動而允許第一開口48中之面向第二開口58之一第一開口48 (第一噴出孔61)被替換為第一開口48中之另一者(第二噴出孔62)，且另外，允許該第一開口48被替換為第三開口48之另一者(第三噴出孔63)。運用此組態，噴淋板13可自複數個位置噴出被供應至共用擴散腔47之複數種類型的氣體(第一氣體G1、第二氣體G2及又另一種氣體)，從而使得可確保擴散腔47的空間很大。因此，擴散腔47中之第一氣體G1及第二氣體G2之壓力損失減小，且在提供複數個第一開口48之一情況下，自複數個第一開口48更均等地噴出複數種氣體。 第三實施例 在下文中，將參考圖10描述一第三實施例。圖10係根據第三實施例之噴淋板13之一截面視圖。如圖10中所圖解說明，第三實施例之噴淋板13具有一第三構件70。 例如，第三構件70係由抵抗第一氣體G1及第二氣體G2之一材料形成。第三構件70被佈置在與第一構件31及第二構件32間隔開之一位置處。第三構件70至少在第一構件31內部與第一構件31及第二構件32間隔開。第三構件70包含一第二移動壁71及一第二支撐件72。第二移動壁71係一例示性第三壁。 第二移動壁71具有在X-Y平面上展開之一大致圓盤狀。第二移動壁71具有與底壁44、覆蓋壁46、周邊壁45及第一移動壁51共用之一中心軸Ax。第二移動壁71、底壁44、覆蓋壁46、周邊壁51及第一移動壁51可具有相互不同的中心軸。 第二移動壁71被佈置在擴散腔47中的與第一構件31及第二構件32間隔開之一位置處。即，第二移動壁71比擴散腔47更小，且容納在第一構件31內部。第二移動壁71包含一下表面71a、一上表面71b及一側表面71c。 下表面71a係面向沿著Z軸之負方向之一大致平坦表面。下表面71a經由一間隙面向第一移動壁51之上表面51b。因此，第一移動壁51在沿著Z軸之方向上位於底壁44與第二移動壁71之間。 上表面71b係面向沿著Z軸之正方向之一大致平坦表面。上表面71b在與覆蓋壁46之第三內表面46b間隔開一之位置處面向第三內表面46b。側表面71c係面向一大致水平方向之一表面且將下表面71a之一邊緣與上表面71b之一邊緣連接。在第三實施例中，擴散空間47a提供在第三內表面46b與上表面71b之間。 側表面71c經由一間隙面向周邊壁45之第二內表面45a。側表面71c與第二內表面45a之間之距離大致上等於第一移動壁51之側表面51c與第二內表面45a之間之距離且大致均勻地設定。 第二支撐件72具有在沿著Z軸之正方向上自第二移動壁71之大致中心部沿著中心軸Ax延伸之一圓柱形形狀。第二支撐件72穿過管部42之供應孔42a以自管部42之一上端突出至第一構件31外部。 一插入孔72a提供在第二支撐件72內部。插入孔72a透過第二支撐件72之一上端及第二移動壁71之下表面71a插入。第一支撐件52以與第三構件70間隔開之一狀態穿過插入孔72a。 第二支撐件72被佈置在與管部42間隔開之一位置處。第二支撐件72與供應孔42a之內表面之間之距離比第一內表面44b與下表面51a之間之距離更長。 第二支撐件72在第一構件31外部連接至一第二驅動裝置75。第二驅動裝置75包含諸如一馬達或一致動器等一發電源及將由發電源產生之功率傳輸至第二支撐件72之一傳輸機構。 例如，第二驅動裝置75之傳動機構將第二支撐件72支撐在第一構件31外部。第二支撐件72由第二驅動裝置75支撐，使得第三構件70被佈置在與第一構件31及第二構件32間隔開之一位置處。 第二移動壁71包含複數個第三開口78。複數個第三開口78之各者係在沿著Z軸之方向上延伸且與下表面71a及上表面71b連通之一大致圓孔。換言之，第三開口78與第一移動壁51之下表面71a及上表面51b之間的間隙及擴散空間47a連通。 第三開口78之直徑大致上等於第二開口58之直徑。第三開口78之數目等於第二開口58之數目。第三開口78之大小及數目不限於此實例。 例如，第三構件70藉由第二驅動裝置75相對於第一構件31圍繞中心軸Ax旋轉。第二驅動裝置75使第三構件70相對於第一構件31旋轉，同時保持第三構件70與第一構件31及第二構件32間隔開之狀態。 當第二構件32位於第一位置P1或第二位置P2處時，第三構件70旋轉使得第三開口78面向第二開口58。即，第三構件70藉由第二驅動裝置75旋轉以便跟隨第二構件32。 同時，在一些情況下，在第二構件32自第一位置P1或第二位置P2稍微旋轉之一狀態下，可能向擴散腔47供應第一氣體G1或第二氣體G2。例如，在將第二構件32佈置在自第一位置P1稍微旋轉之一位置處之一情況下，藉由第三構件70相對於第二構件32旋轉，第三開口78被佈置在與第一噴出孔61重疊之位置處。這導致第一噴出孔61之部分及第三開口78之部分被第一移動壁51覆蓋。 第一移動壁51覆蓋第一噴出孔61之部分，從而導致減小第一氣體G1之噴出量。另外，第三開口78被佈置在與第一噴出孔61重疊之位置處，從而允許第一氣體G1被噴出之方向更接近Z軸。即，第三構件70相對於第二構件32移動，藉此調整第一氣體G1及第二氣體G2自第一開口48噴出之方向。 在第三實施例中，複數個第二開口58包含直部58a及漸縮部58b。直部58a係與第一移動壁51之下表面51a連通之大致圓孔。直部58a在沿著Z軸之方向上大致上線性地延伸。漸縮部58b大致上係與第一移動壁51之上表面51b連通之截頭圓錐形孔。漸縮部58b可具有另一形狀。漸縮部58b在自上表面51b朝下表面51a之一方向上漸縮。即，具有漸縮部58b之最大截面積之部分在上表面51b上開口。另一方面，具有漸縮部58b之最小截面積之部分連接至直部58a。 已穿過第三開口78之第一氣體G1及第二氣體G2自第三開口78朝第二開口58噴出。第二開口58之漸縮部58b面向第三開口78。漸縮部58b在遠離第二移動壁71之一方向上漸縮。因此，自第三開口78噴出之第一氣體G1及第二氣體G2由漸縮部58b引導流入第二開口58之直部58a。第一氣體G1及第二氣體G2經由第一開口48自直部58a噴出至噴淋板13外部。以此方式，自第三開口78朝第二開口58噴出之第一氣體G1及第二氣體G2由漸縮部58b引導，從而導致抑制第一氣體G1及第二氣體G2流入第一移動壁51與第二移動壁71之間的間隙。 在根據上述第三實施例之半導體製造裝置10中，第三構件70相對於第二構件32移動，藉此在移動壁51覆蓋第一開口48之一部分(第一噴出孔61)之一情況中，第三開口78可被佈置在與第一開口48重疊之一位置處。這使得能夠調整第一氣體G1及第二氣體G2自第一開口48噴出之方向。 第四實施例 在下文中，將參考圖11及12描述一第四實施例。圖11係圖解說明根據第四實施例之噴淋板13之一截面視圖。圖12係圖解說明第四實施例中之噴淋板13之一仰視圖。 在第四實施例中，擴散器41具有在X-Y平面上展開的同時在沿著X軸之方向延伸之一大致矩形板形狀。第一移動壁51具有在X-Y平面上展開的同時在沿著X軸之方向延伸之一大致矩形板形狀。擴散器41及第一移動壁51可各自具有以與第一至第三實施例中的方式相同之方式具有一大致圓盤狀。 例如，藉由第一驅動裝置55，第二構件32相對於第一構件31在沿著X軸之方向上平移。即，第二構件32相對於第一構件31移動，且大致上沒有旋轉或形狀改變。換言之，第一驅動裝置55能夠使第二構件32相對於第一構件31移動。第一驅動裝置55使第二構件32相對於第一構件31平移至第一位置P1及第二位置P2，同時保持第二構件32與第一構件31間隔開之狀態。在圖11中，第一位置P1中之第二構件32用一實線指示，且第二位置P2中之第二構件32用一雙點虛線指示。 以與第一實施例中相同之方式，第一噴出孔61及第二開口58在第一位置P1處面向彼此，且複數個第二噴出孔62被第一移動壁51覆蓋。同時，在第二位置P2處，第二噴出孔62及第二開口58面向彼此，且第一噴出孔61被第一移動壁51覆蓋。在圖12中，被第一移動壁51覆蓋之第二噴出孔62用陰影線表示。 第一驅動裝置55使第二構件32之第一支撐件52相對於第一構件31平移，使得連接至第一支撐件52之第一移動壁51相對於第一構件31平移。第一移動壁51相對於第一構件31平移以使面向第二開口58之第一開口48 (第一噴出孔61)被替換為其他第一開口48 (第二噴出孔62)。 可在第二構件32自第一位置P1或第二位置P2稍微移動之一狀態下，向擴散腔47供應第一氣體G1或第二氣體G2。例如，在第二構件32自第一位置P1稍微移動之一情況下，第一噴出孔61之部分被第一移動壁51覆蓋。另外，第二噴出孔62以與第一位置P1之情況相同之方式被第一移動壁51覆蓋。 在第四實施例中，第一噴出孔61被第一移動壁51覆蓋之部分中之部分覆蓋量在複數個第一噴出孔61之間相等。這使得可均勻地調整自複數個第一噴出孔61噴出之第一氣體G1及第二氣體G2之流量及傾斜角度。 如圖11中所圖解說明，在周邊壁45上提供兩個凹面45b。凹面45b係在沿著X軸之方向上自第二內表面45a凹陷之一部分。當第二構件32位於第一位置P1中時，第一移動壁51之一部分容納在由一凹面45b界定之一凹部中。當第二構件32位於第二位置P2中時，第一移動壁51之一部分容納在由另一凹面45b界定之一凹部中。 複數個第二開口58之總截面積大於凹面45b與第二構件32之間的間隙之截面積。此組態抑制被供應至擴散空間47a之第一氣體G1及第二氣體G2進入凹面45b與第二構件32之間的間隙。 在根據上述第四實施例之半導體製造裝置10中，第二構件32藉由相對於第一構件31平移允許第一開口48中面向第二開口58之一第一開口48被替換為第一開口48之另一者。運用此組態，在提供複數個第二開口58之一情況下，相應的第二開口58及第一開口48之相對位置大致相同，從而使得可進一步均勻化自第一開口48噴出之第一氣體G1及之第二氣體G2之噴出量及傾斜角度。 圖13係圖解說明根據第四實施例之一修改之噴淋板13之一截面視圖。如圖13中所圖解說明，第四實施例中之半導體製造裝置10可包含第三構件70及第二驅動裝置75。 例如，在第一移動壁51覆蓋第一開口48之部分(第一噴出孔61)之一情況下，第三構件70可相對於第二構件32平移使得第三開口78被佈置在與第一開口48重疊之位置處。藉由將第三開口78佈置在與第一噴出孔61重疊之位置處，第一氣體G1被噴出之方向更接近Z軸。另外，第一噴出孔61被第一移動壁51覆蓋之部分中之部分覆蓋量在複數個第一噴出孔61之間相等。這使得可進一步均勻地調整自複數個第一噴出孔61噴出之第一氣體G1及第二氣體G2之流量及傾斜角度。 根據上述至少一實施例，一第二構件包含提供有一第二開口且被佈置在第一構件內部之一室中之一第二壁，且被佈置在與第一構件間隔開之一位置處。藉由改變第二構件相對於第一構件之位置，第二構件允許第一開口中面向第二開口之一第一開口被替換為第一開口之另一者。這允許流體自複數個第一開口更均勻地噴出。另外，當第一開口中面向第二開口之一第一開口被替換為第一開口之另一者時，抑制由於第一構件與第二構件之間之接觸而產生顆粒。 雖然已描述了某些實施例，但此等實施例僅藉由實例呈現，且並非旨在限制本發明之範疇。實際上，本文所描述之新穎實施例可以多種其他形式體現；而且，可在不脫離本發明之精神之情況下對本文所描述之實施例之形式作出各種省略、替代及改變。隨附申請專利範圍及其等效物旨在涵蓋如將落在本發明之範疇及精神內之此等形式或修改。 例如，在實施例之各者中，第一驅動裝置55使第二構件32旋轉。替代地，第一驅動裝置55可使第一構件31旋轉以使第二構件32相對於第一構件31移動。 相關申請案交叉參考 本申請案係基於2017年3月8日申請之日本專利申請案第2017-044260號且主張該申請案之優先權利，該案之全部內容以引用的方式併入本文中。
10‧‧‧半導體製造裝置
11‧‧‧製造單元
12‧‧‧平臺
12a‧‧‧支撐件
13‧‧‧噴淋板
14‧‧‧第一氣體供應裝置
14a‧‧‧罐
14b‧‧‧閥
15‧‧‧第二氣體供應裝置
15a‧‧‧罐
15b‧‧‧閥
16‧‧‧控制單元
21‧‧‧腔
23‧‧‧上壁
23a‧‧‧內表面
24‧‧‧側壁
24a‧‧‧內側表面
27‧‧‧排氣孔
31‧‧‧第一構件
32‧‧‧第二構件
41‧‧‧擴散器
42‧‧‧管部
42a‧‧‧供應孔
44‧‧‧底壁
44a‧‧‧底表面
44b‧‧‧第一內表面
45‧‧‧周邊壁
45a‧‧‧第二內表面
45b‧‧‧凹面
46‧‧‧覆蓋壁
46a‧‧‧上表面
46b‧‧‧第三內表面
47‧‧‧擴散腔
47a‧‧‧擴散空間
48‧‧‧第一開口
48a‧‧‧直部
48b‧‧‧漸縮部
51‧‧‧第一移動壁
51a‧‧‧下表面
51b‧‧‧上表面
51c‧‧‧側表面
52‧‧‧第一支撐件
55‧‧‧第一驅動裝置
58‧‧‧第二開口
61‧‧‧第一噴出孔
62‧‧‧第二噴出孔
63‧‧‧第三噴出孔
70‧‧‧第三構件
71‧‧‧第二移動壁
71a‧‧‧下表面
71b‧‧‧上表面
71c‧‧‧側表面
72‧‧‧第二支撐件
72a‧‧‧插入孔
75‧‧‧第二驅動裝置
78‧‧‧第三開口
Ax‧‧‧中心軸
G1‧‧‧第一氣體
G2‧‧‧第二氣體
P1‧‧‧第一位置
P2‧‧‧第二位置
P3‧‧‧第三位置
W‧‧‧晶圓
圖1係示意地圖解說明根據一第一實施例之一半導體製造裝置之一截面視圖； 圖2係圖解說明第一實施例中之一噴淋板之一截面視圖； 圖3係圖解說明第一實施例中之一噴淋板之一仰視圖； 圖4係圖解說明第一實施例中之一第一移動壁之一仰視圖； 圖5係圖解說明第一實施例中之上面有一第二構件在旋轉之一噴淋板之一仰視圖； 圖6係圖解說明第一實施例中之第二構件旋轉後的噴淋板之一仰視圖； 圖7係圖解說明根據第一實施例之一修改之一噴淋板之一仰視圖； 圖8係圖解說明根據一第二實施例之一噴淋板之一仰視圖； 圖9係圖解說明第二實施例中之一第一移動壁之一仰視圖； 圖10係圖解說明根據一第三實施例之一噴淋板之一截面視圖； 圖11係圖解說明根據一第四實施例之一噴淋板之一截面視圖； 圖12係圖解說明第四實施例中之噴淋板之一仰視圖；且 圖13係圖解說明根據第四實施例之一修改之一噴淋板之一截面視圖。

Claims (11)

  1. 一種噴淋板，其包括： 一第一構件，其包含一第一壁，該第一壁上提供有複數個第一開口且在內部包含與該等第一開口連通之一室；及 一第二構件，其包含一第二壁，該第二壁上提供有第二開口且被佈置在該室中，該第二構件被佈置在與該第一構件間隔開之一位置處，且藉由改變該第二構件相對於該第一構件之一位置，該第二構件允許該等第一開口中面向該第二開口之一第一開口被替換為該等第一開口之另一者。
  2. 如請求項1之噴淋板，其中該第二構件允許藉由相對於該第一構件旋轉而將該等第一開口中面向該第二開口之一第一開口替換為該等第一開口之另一者。
  3. 如請求項1之噴淋板，其中該第二構件允許藉由相對於該第一構件平移而將該等第一開口中面向該第二開口之一第一開口替換為該等第一開口之另一者。
  4. 如請求項1至3任一項中之噴淋板，其中 該第一壁包含一第一表面，其面向該第二壁且與該等第一開口連通， 該第一構件包含一第二表面，其面向該第一表面，且 該第一表面與該第二構件之間之一距離比該第二表面與該第二構件之間之一距離更短。
  5. 如請求項1至3任一項中之噴淋板，其中 該第二開口包含提供在該第二壁中之複數個第二開口，且 在與該等第二開口延伸之一方向正交之一方向上，該等第二開口之一總截面積大於該第二構件與該室之一內表面之間之一間隙之一截面積。
  6. 如請求項1至3任一項中之噴淋板，其中 該等第一開口之各者包含一漸縮部，其在該第一壁上朝該第二壁開口且在遠離該第二壁之一方向上漸縮，且 該漸縮部之一最大截面積大於該第二開口之面向該第一壁之一端部之一截面積。
  7. 如請求項1至3中任一項之噴淋板，其進一步包括一第三構件，該第三構件包含一第三壁，該第三壁上提供有一第三開口且被佈置在該室中，該第三構件被佈置在與該第一構件及該第二構件間隔開之一位置處，且該第三構件在該第二壁覆蓋該等第一開口之一者之一部分之一情況下能夠藉由相對於該第二構件移動而將該第三開口佈置在與該等第一開口之該一者重疊之一位置處。
  8. 如請求項1至3任一項中之噴淋板，其中 在該第一構件中提供有與該室連通之一供應孔，且 該第二構件包含一支撐件，該支撐件連接至該第二壁、穿過該供應孔且被支撐在該第一構件外部，第二構件藉由被支撐之該支撐件而被佈置在與該第一構件間隔開之該位置處。
  9. 一種處理裝置，其包括： 一佈置單元，其用於佈置一目標物體； 如請求項1至8中任一項之噴淋板，在該噴淋板中向該室供應一流體且該噴淋板向被佈置在該佈置單元上之該目標物體噴出該流體； 一調整單元，其能夠調整被供應至該室之該流體之一供應狀態；及 一驅動單元，其用於將該第二構件相對於該第一構件移動以將該等第一開口中面向該第二開口之一第一開口替換為該等第一開口之另一者。
  10. 如請求項9之裝置，其進一步包括一供應單元，該供應單元包含該調整單元且向該室供應該流體，其中 當該第二開口面向該等第一開口之一者時，該供應單元向該室供應一第一流體，且當該第二開口面向該等第一開口之另一者時，向該室供應一第二流體。
  11. 一種噴出方法，其包括： 將提供有一第二開口且被佈置在一室中之與一第一構件間隔開之一位置處之一第二壁相對於該第一構件移動以將該等第一開口中面向該第二開口之一第一開口替換為該等第一開口之另一者，該第一構件包含一第一壁，該第一壁上提供有複數個第一開口且在內部包含與該等第一開口連通之該室；及 向該室供應一流體。
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