TW201830854A

TW201830854A - 濾波器裝置及電漿處理裝置

Info

Publication number: TW201830854A
Application number: TW106137287A
Authority: TW
Inventors: 永島望; 奧西直彥
Original assignee: 日商東京威力科創股份有限公司
Priority date: 2016-11-11
Filing date: 2017-10-30
Publication date: 2018-08-16
Also published as: KR20180053244A; KR102431939B1; JP2018078515A; US10897808B2; US20180139834A1; TWI742187B

Abstract

本發明能夠降低複數個濾波器之線圈之溫度，且抑制了複數個濾波器間之阻抗之頻率特性之差異。本發明之一實施形態之濾波器裝置具備複數個線圈及複數個接地構件。複數個線圈以其等之中心軸線相互平行之方式設置。複數個接地構件於複數個線圈之外側與該複數個線圈之中心軸線平行地延伸。複數個接地構件相互隔開。複數個線圈分別相對於該複數個線圈中之最近處之其他線圈具有相同之第1距離。複數個接地構件分別相對於複數個線圈中之最近處之線圈具有相同之第2距離。複數個接地構件中之自複數個線圈各者隔開第2距離而配置之接地構件之個數相同。

Description

濾波器裝置及電漿處理裝置

本發明之實施形態係關於一種濾波器裝置及電漿處理裝置。

於半導體器件等電子器件之製造中使用電漿處理裝置。電漿處理裝置具備腔室本體、載置台、及高頻電源。腔室本體之內部空間係作為用於被加工物之電漿處理之腔室而提供。載置台設置於腔室內，且以於其上保持被加工物之方式構成。載置台包含下部電極及靜電吸盤。於下部電極連接有高頻電源。於使用電漿處理裝置執行之電漿處理中，必須調整被加工物之面內之溫度之分佈。有為了調整被加工物之面內之溫度之分佈，載置台具有複數個加熱器之情況。該等加熱器之各者經由饋電線而連接於加熱器控制器之電源。如上述般自高頻電源對載置台之下部電極供給高頻。供給至下部電極之高頻可流入至連接複數個加熱器與加熱器控制器之複數個饋電線。因此，於複數個饋電線之各者設置使高頻遮斷或衰減之濾波器。作為此種濾波器，已知有下述專利文獻1所記載之濾波器。該濾波器具備線圈及套管。線圈構成饋電線之一部分，且收容於套管內。套管由導體形成。套管之電位設定為接地電位。於該濾波器中，線圈與套管形成分佈常數線路。該濾波器具有複數個共振頻率。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本專利特開2014-99585號公報

[發明所欲解決之問題] 上述線圈藉由向加熱器之交流之供給及自下部電極之高頻之流入而發熱。該線圈收容於實質上封閉之套管內，因此，線圈之溫度變為高溫。因此，需要將線圈冷卻。作為冷卻線圈之對策，可採用於套管形成多數個孔及/或對套管內送風之對策。然而，若高頻之功率變高，則此種對策可能變得不充分。另一方面，由於在上述電漿處理裝置中使用有複數個加熱器，故而於複數個饋電線上設置複數個濾波器。較理想為該等濾波器之阻抗之頻率特性之差異較小。因此，必須降低複數個濾波器之線圈之溫度且抑制複數個濾波器之阻抗之頻率特性之差異。 [解決問題之技術手段] 於一態樣中提供一種濾波器裝置。濾波器裝置具備複數個線圈及複數個接地構件。複數個線圈以其等之中心軸線相互隔開且平行之方式設置。複數個接地構件於複數個線圈之外側與該複數個線圈之中心軸線平行地延伸。複數個接地構件相互隔開。複數個線圈分別相對於該複數個線圈中之最近處之線圈具有相同之第1距離。複數個接地構件分別相對於複數個線圈中之最近處之線圈具有相同之第2距離。複數個接地構件中之自複數個線圈各者隔開第2距離而配置之接地構件之個數相同。於一態樣之濾波器裝置中，複數個接地構件相互隔開。即，於複數個接地構件之各者與其他接地構件之間提供空間。因此，複數個線圈未配置於接地電位之套管內之封閉之空間，而藉由於濾波器裝置之外部與內部之間產生之空氣之對流，而促進複數個線圈之散熱。因此，根據該濾波器裝置，複數個線圈之溫度變低。又，所有線圈相對於其等之最近處之線圈具有相同之第1距離。因此，複數個線圈分別自最近處之另一線圈受到大致相同之干擾。又，複數個線圈各者之最近處之接地構件之個數相同，且複數個線圈各者與最近處之接地構件之間之距離係相同之第2距離。因此，複數個線圈之各者與周圍之接地構件之間之電容之差異減少。因此，分別包含複數個線圈之複數個濾波器之阻抗之頻率特性之差異得以抑制。於一實施形態中，第1距離大於複數個線圈各者之內徑之1/2，且小於該內徑之3倍。根據該實施形態，複數個濾波器之阻抗之頻率特性之差異變得更小。於一實施形態中，第2距離為12.7 mm以上且16.4 mm以下。接地構件自最近處之線圈隔開12.7 mm以上，藉此，更確實地防止線圈與接地構件之間之放電。又，若接地構件自最近處之線圈隔開16.4mm以下，則濾波器之阻抗之頻率特性相對於接地構件與該接地構件之最近處之線圈之間之距離的依存性變小。於一實施形態中，濾波器裝置具備一個以上之第1印刷電路基板、及一個以上之第2印刷電路基板。一個以上之印刷電路基板設置於複數個線圈之一端側，一個以上之第2印刷電路基板設置於複數個線圈之另一端側。複數個線圈由一個以上之第1印刷電路基板及一個以上之第2印刷電路基板支持。於一實施形態中，複數個接地構件由一個以上之第1印刷電路基板及一個以上之第2印刷電路基板支持。複數個接地構件構成支持一個以上之第1印刷電路基板及一個以上之第2印刷電路基板之支柱。於一實施形態中，濾波器裝置進而具備分別連接於複數個線圈之複數個電容器。一個以上之第1印刷電路基板支持複數個電容器。一個以上之第1印刷電路基板具有電性連接於複數個電容器及複數個接地構件之接地區域。於另一態樣中，提供一種電漿處理裝置。電漿處理裝置具備腔室本體、載置台、高頻電源、濾波器裝置、及加熱器控制器。載置台設置於由腔室本體提供之腔室內。載置台具有下部電極、靜電吸盤、及複數個加熱器。高頻電源連接於下部電極。濾波器裝置係上述一態樣或各種實施形態中之任一濾波器裝置。加熱器控制器包含電性連接於複數個加熱器之電源。濾波器裝置之複數個線圈分別構成複數個加熱器與加熱器控制器之間之饋電線。 [發明之效果] 如以上所說明般，可降低複數個濾波器之線圈之溫度且抑制複數個濾波器間之阻抗之頻率特性之差異。

以下，參照圖式對各種實施形態詳細地進行說明。再者，於各圖式中對相同或相當之部分附註相同之符號。圖1係概略性地表示一實施形態之電漿處理裝置之圖。圖1所示之電漿處理裝置10係藉由微波激發氣體而產生電漿之電漿處理裝置。電漿處理裝置10具備腔室本體12。腔室本體12之內部空間係作為腔室12c提供。腔室本體12可包含側壁12a、底部12b、及頂部12t。側壁12a具有於鉛垂方向延伸之大致圓筒形狀。側壁12a之中心軸線與沿鉛垂方向延伸之軸線AX大致一致。底部12b於側壁12a之下端側延伸。側壁12a之上端部開口。側壁12a之上端部開口藉由介電窗48而封閉。介電窗48被夾持於側壁12a之上端部與頂部12t之間。為了將腔室12c密封，亦可於該介電窗48與側壁12a之上端部之間設置O形環等密封構件。電漿處理裝置10進而具備載置台14。載置台14設置於腔室12c內。於該載置台14之上方配置有上述介電窗48。載置台14以保持載置於其上之被加工物W之方式構成。被加工物W如晶圓般具有大致圓盤形狀。該載置台14具有下部電極16、靜電吸盤18、及複數個加熱器HT。複數個加熱器HT例如設置於靜電吸盤18內以軸線AX為中心之同軸之複數個區域之各者。於該複數個區域之各者設置有一個以上之加熱器HT。再者，設置於載置台14之複數個加熱器HT之個數可為兩個以上之任意之個數。下部電極16包含第1構件16a及第2構件16b。第1構件16a具有大致圓盤形狀，且由金屬(例如鋁)形成。第1構件16a由支持構件20支持。支持構件20具有大致圓筒形狀。支持構件20自腔室本體12之底部12b向上方延伸。第2構件16b設置於第1構件16a上。第2構件16b具有大致圓盤形狀，且由金屬(例如鋁)形成。該第2構件16b電性連接於第1構件16a。於下部電極16經由匹配單元24及饋電導體26(例如饋電棒)連接有高頻電源22。高頻電源22產生高頻。該高頻可為用以將於腔室12c內產生之離子等活性種帶入至被加工物W之偏壓用之高頻。又，高頻並不受限定，例如可具有13.56 MHz之頻率。匹配單元MU具有匹配電路，該匹配電路用以於高頻電源22側之阻抗與主要為電極、電漿、腔室本體12等負荷側之阻抗之間取得匹配。於下部電極16上設置有靜電吸盤18。靜電吸盤18於大致圓盤形狀之絕緣體之內部內置有膜狀之電極。於靜電吸盤18之電極經由開關32而連接有直流電源30。若自該直流電源30對靜電吸盤18之電極施加電壓，則靜電吸盤18產生靜電力。藉由該靜電力，靜電吸盤18保持載置於其上之被加工物W。於利用電漿處理裝置10時，以包圍該靜電吸盤18之邊緣及被加工物W之邊緣之方式設置聚焦環FR。於下部電極16之第2構件16b之內部形成有流路16f。於流路16f連接有配管28a及配管28b。配管28a及配管28b亦連接於冷卻器單元。冷卻器單元設置於腔室本體12之外部。自冷卻器單元經由配管28a而對流路16f供給冷媒。供給至流路16f之冷媒經由配管28b而返回至冷卻器單元。藉由以此方式控制供給至流路16f之冷媒之溫度，而調整藉由載置台14保持之被加工物W之溫度。進而，於電漿處理裝置10中，傳熱氣體之供給管線29通過下部電極16而延伸至靜電吸盤18之上表面。供給管線29將來自傳熱氣體供給部之傳熱氣體、例如氦氣供給至靜電吸盤18之上表面與被加工物W之背面之間。於靜電吸盤18之內部內置有複數個加熱器HT。複數個加熱器HT經由複數個饋電線而連接於加熱器控制器HC。加熱器控制器HC包含對複數個加熱器HT賦予交流輸出之電源。於複數個饋電線上設置有濾波器裝置FA之複數個濾波器。再者，對於濾波器裝置FA之詳情於下文中進行敍述。於載置台14之周圍、即載置台14與腔室本體12之側壁12a之間，提供有環狀之排氣通路12v。於排氣通路12v之軸線AX方向上之中間設置有擋板31。於該擋板31中形成有於該擋板31之板厚方向貫通該擋板31之複數個貫通孔。於腔室本體12之底部12b以與排氣通路12v連通之方式連接有排氣管33。於排氣管33連接有排氣裝置34。排氣裝置34具有壓力調整器、及渦輪分子泵等減壓泵。藉由該排氣裝置34對腔室12c進行減壓。電漿處理裝置10可進而具備微波產生器40、調諧器41、波導管42、模式轉換器43、同軸波導管44、介電板45、冷卻套46、天線47、及介電窗48。微波產生器40產生供給至天線47之微波。藉由微波產生器40而產生之微波之頻率例如可為2.45 GHz。微波產生器40經由調諧器41、波導管42、及模式轉換器43而連接於同軸波導管44之上部。同軸波導管44於鉛垂方向延伸，且其中心軸線與軸線AX大致一致。同軸波導管44包含外側導體44a及內側導體44b。外側導體44a及內側導體44b具有將軸線AX作為中心軸線共有之圓筒形狀。外側導體44a之下端可電性連接於具有導電性之表面之冷卻套46之上部。內側導體44b於外側導體44a之內側與該外側導體44a同軸地設置。內側導體44b之下端連接於天線47。於一實施形態中，天線47係放射狀線槽孔天線。天線47配置於形成於頂部12t之開口內，且設置於介電窗48之上表面上。於天線47上設置有介電板45。介電板45係使微波之波長縮短者，且具有大致圓盤形狀。介電板45例如由石英或氧化鋁形成。介電板45被夾持於天線47與冷卻套46之下表面之間。圖2係表示圖1所示之電漿處理裝置之天線之俯視圖。天線47為薄板狀，且為圓盤狀。天線47之中心位於軸線AX上。於天線47形成有複數個槽對47p。複數個槽對47p於相對於軸線AX同軸之天線47之複數個區域之各者中排列於圓周方向。複數個槽對47p之各者包含於板厚方向貫通之兩個槽孔47a、47b。槽孔47a、47b各者之平面形狀為長孔形狀。於各槽對47p中，槽孔47a之長軸延伸之方向與槽孔47b之長軸延伸之方向相互交叉或正交。再次參照圖1。於電漿處理裝置10中，來自微波產生器40之TE模式之微波經由波導管42而傳輸至模式轉換器43。模式轉換器43將微波之模式自TE模式轉換為TEM模式。TEM模式之微波經由同軸波導管44及介電板45而自槽孔47a及47b傳播至介電窗48。電漿處理裝置10進而具備氣體供給系統。於一實施形態中，氣體供給系統包含中央供給部50及周邊供給部52。中央供給部50包含配管50a、噴射器50b、及中央導入口48i。配管50a穿過同軸波導管44之內側導體44b之內孔之中。又，配管50a之端部延伸至介電窗48沿著軸線AX劃分形成之空間內。於該空間內且配管50a之端部之下方，收容有噴射器50b。於噴射器50b設置有沿著軸線AX方向延伸之複數個貫通孔。又，介電窗48劃分形成有中央導入口48i。中央導入口48i與收容有噴射器50b之空間之下方連續而沿著軸線AX延伸。該構成之中央供給部50經由配管50a而對噴射器50b供給氣體，且自噴射器50b經由中央導入口48i而噴射氣體。如此，中央供給部50沿著軸線AX向介電窗48之正下方噴射氣體。即，中央供給部50將氣體導入至電子溫度較高之電漿產生區域。該中央供給部50主要形成朝向被加工物W之中心區域之氣流。周邊供給部52提供複數個周邊導入口52i。複數個周邊導入口52i主要對被加工物W之邊緣區域供給氣體。複數個周邊導入口52i朝向被加工物W之邊緣區域或靜電吸盤18之周緣部開口。複數個周邊導入口52i於較中央供給部50更靠下方、且載置台14之上方沿著圓周方向排列。即，複數個周邊導入口52i於電子溫度較介電窗48之正下方更低之區域(電漿擴散區域)以軸線AX為中心於圓周方向排列。該周邊供給部52自電子溫度較低之區域朝向被加工物W供給氣體。因此，自周邊供給部52導入至腔室12c之氣體之離解度較自中央供給部50供給至腔室12c之氣體之離解度更受到抑制。周邊供給部52具有環狀之配管52p。於該配管52p形成有複數個周邊導入口52i。配管52p例如可包含石英。於一實施形態中，配管52p沿著側壁12a之內壁面設置。於中央供給部50經由第1流量控制單元群61連接有第1氣體源群60。又，於周邊供給部52經由第2流量控制單元群63而連接有第2氣體源群62。第1氣體源群60具有複數個氣體源。第1流量控制單元群61具有複數個流量控制單元。第1流量控制單元群61之各流量控制單元例如包含兩個閥、及設置於該兩個閥間之流量控制器。流量控制器例如係質量流量控制器或壓力控制式之流量控制器。第1氣體源群60之複數個氣體源分別經由第1流量控制單元群61之複數個流量控制單元中之對應之流量控制單元而連接於中央供給部50之配管50a。又，第2氣體源群62具有複數個氣體源。第2流量控制單元群63具有複數個流量控制單元。第2流量控制單元群63之各流量控制單元例如包含兩個閥、及設置於該兩個閥間之流量控制器。流量控制器例如係質量流量控制器或壓力控制式之流量控制器。第2氣體源群62之複數個氣體源分別經由第2流量控制單元群63之複數個流量控制單元中之對應之流量控制單元而連接於周邊供給部52之配管52p。又，電漿處理裝置10進而具備控制部Cnt。控制部Cnt可為可編程之電腦裝置。控制部Cnt可具有處理器及記憶體等記憶裝置。控制部Cnt可按照記憶於記憶裝置之控制程式及製程配方控制電漿處理裝置10之各部分。以下，對電漿處理裝置10之濾波器裝置FA詳細地進行說明。圖3係一實施形態之濾波器裝置之立體圖。如圖3所示般，濾波器裝置FA具備複數個濾波器單元FU。複數個濾波器單元FU分別連接於複數個加熱器HT。複數個濾波器單元FU之各者於將對應之加熱器HT與加熱器控制器HC連接之饋電線上使高頻遮斷或衰減。再者，濾波器裝置FA之複數個濾波器單元FU之個數係兩個以上之任意之個數。於本實施形態中，複數個濾波器單元FU之個數與加熱器HT之個數相同。圖4係濾波器單元之電路圖。各濾波器單元FU具有濾波器FT1及濾波器FT2。濾波器FT1包含線圈CL1及電容器CP1。濾波器FT2包含線圈CL2及電容器CP2。線圈CL1構成將對應之加熱器HT之一端與加熱器控制器HC連接之饋電線之一部分。線圈CL2構成將加熱器HT之另一端與加熱器控制器HC連接之饋電線之一部分。於線圈CL1與加熱器控制器HC之間之饋電線上之節點，連接有電容器CP1之一端。電容器CP1之另一端之電位設定為接地電位。於線圈CL2與加熱器控制器HC之間之饋電線上之節點，連接有電容器CP2之一端。電容器CP2之另一端之電位設定為接地電位。如下述般，於線圈CL1及線圈CL2之周圍設置有一個以上之接地構件GM。接地構件GM之電位設定為接地電位。線圈CL1與接地構件GM構成分佈常數線路。線圈CL2與接地構件GM亦同樣地構成分佈常數線路。因此，濾波器FT1及濾波器FT2之各者構成為分佈常數型之濾波器。濾波器FT1及濾波器FT2之各者具有包含複數個共振頻率之阻抗之頻率特性。即，濾波器FT1及濾波器FT2之各者於複數個共振頻率中具有阻抗之峰值。複數個共振頻率由線圈(線圈CL1或線圈CL2)之每單位長度之電感、及每單位長度之靜電電容規定。每單位長度之線間電容由連接於線圈之電容器之靜電電容、接地構件GM與線圈之間之靜電電容、及線圈之繞組間(或匝間)之靜電電容規定。再次參照圖3。於圖3所示之例中，複數個濾波器單元FU構成兩個濾波器單元群FUG。再者，藉由複數個濾波器單元FU而構成之濾波器單元群之個數可為一個以上之任意之個數。如圖3所示，該等濾波器單元群FUG配置於殼體CS內。殼體CS以於該殼體CS之內部空間與外部之間產生空氣之對流之方式具有開放構造。於殼體CS，以自該殼體CS之表面突出之方式安裝有複數個連接器CN。複數個連接器CN之各者具有複數個端子。複數個連接器CN中之一個以上之連接器之複數個端子連接於複數個濾波器單元FU之線圈CL1及線圈CL2。該等端子連接於複數個加熱器HT。又，複數個連接器CN中之一個以上之連接器之複數個端子連接於加熱器控制器HC。圖5係表示圖3所示之濾波器裝置之濾波器單元群之立體圖。圖5所示之濾波器單元群FUG包含九個濾波器單元FU。再者，濾波器單元群FUG所包含之濾波器單元FU之個數可為二個以上之任意之個數。濾波器裝置FA進而具備一個以上之第1印刷電路基板PCB1及一個以上之第2印刷電路基板PCB2。於圖5所示之例中，濾波器單元群FUG包含三個第1印刷電路基板PCB1及三個第2印刷電路基板PCB2。第1印刷電路基板PCB1之各者與對應之第2印刷電路基板PCB2平行地、即以面向對應之第2印刷電路基板PCB2之方式配置。又，於圖5所示之例中，一個第1印刷電路基板PCB1與對應之一個第2印刷電路基板PCB2由三個濾波器單元FU共有。再者，第1印刷電路基板PCB1之個數及第2印刷電路基板PCB2之個數可為與濾波器單元FU之個數相同或較其更少之任意之個數。圖6及圖7係表示共有二個印刷電路基板之複數個濾波器單元之立體圖。即，圖6及圖7表示圖5所示之複數個濾波器單元FU中之共有一個第1印刷電路基板PCB1及對應之一個第2印刷電路基板PCB2之三個濾波器單元FU。再者，於圖6中示出有於Y方向觀察到之三個濾波器單元FU，於圖7中示出有於與圖6相反之方向(即-Y方向)觀察到之三個濾波器單元FU。又，圖8係濾波器單元之剖視圖。進而，圖9係表示三個濾波器單元中之線圈與接地構件之佈局之圖。以下，一併參照圖5、圖6～圖9。於各濾波器單元FU中，以中心軸線CX為中心將線圈CL1之繞組及線圈CL2之繞組捲繞成螺旋狀。線圈CL1之繞組及線圈CL2之繞組沿著中心軸線CX延伸之方向交替地捲繞。於線圈CL1及線圈CL2各者之一端側設置有第1印刷電路基板PCB1。於線圈CL1及線圈CL2各者之另一端側設置有第2印刷電路基板PCB2。線圈CL1及線圈CL2由第1印刷電路基板PCB1及第2印刷電路基板PCB2支持。於第1印刷電路基板PCB1上搭載有電容器箱CB。電容器箱CB收容有電容器CP1及電容器CP2。於第2印刷電路基板PCB2設置有線圈CL1及線圈CL2之端子。線圈CL1之端子及線圈CL2之端子之各者電性連接於上述連接器CN內之對應之端子。於第1印刷電路基板PCB1設置有接地區域GR。於第1印刷電路基板PCB1之接地區域GR電性連接有電容器CP1之另一端及電容器CP2之另一端。於第2印刷電路基板PCB2亦設置有接地區域GR。該等接地區域GR由導體形成，其等之電位設定為接地電位。再者，第1印刷電路基板PCB1之接地區域GR具有與第2印刷電路基板PCB2之接地區域GR大致相同之圖案。濾波器單元FU進而具有複數個梳齒構件TM。於一例中，各濾波器單元FU之梳齒構件TM之個數為四個。再者，各濾波器單元FU之梳齒構件TM之個數可為任意之個數。複數個梳齒構件TM相對於中心軸線CX於圓周方向上大致均等地配置。複數個梳齒構件TM之各者可由絕緣體、例如PEEK(polyetheretherketone，聚醚醚酮)或PCTFE(polychlorotrifluoroethylene，聚三氟氯乙烯)等樹脂形成。複數個梳齒構件TM之各者包含柱狀部TMa及複數個梳齒TMb。柱狀部TMa呈柱狀，且與中心軸線CX大致平行地延伸。柱狀部TMa之一端固定於第1印刷電路基板PCB1，柱狀部TMa之另一端固定於第2印刷電路基板PCB2。複數個梳齒TMb之各者具有薄板形狀。複數個梳齒TMb之各者於較柱狀部TMa更靠中心軸線CX之側，於與中心軸線CX交叉或正交之方向延伸。梳齒構件TM中，於在中心軸線CX延伸之方向上相鄰之梳齒TMb之間提供有狹縫。即，梳齒構件TM中提供有沿著中心軸線CX延伸之方向排列之複數個狹縫。線圈CL1之繞組及線圈CL2之繞組插入至藉由複數個梳齒構件TM之各者提供之複數個狹縫。藉此，規定線圈CL1之繞組之複數個間距(匝間之間距)及線圈CL2之繞組之複數個間距(匝間之間距)。線圈CL1之複數個間距可相同，亦可為其等中之一個以上之間距與其他間距不同。同樣地，線圈CL2之複數個間距可相同，亦可為其等中之一個以上之間距與其他間距不同。於具有複數個間距中之一個以上之間距與其他間距不同之線圈之濾波器中，該濾波器之一個以上之特定之共振頻率成為與具有複數個間距相同之線圈之濾波器之對應之共振頻率不同的共振頻率。即，藉由將線圈之複數個間距中之一個以上之間距設定為與其他間距不同之間距，可調整包含該線圈之濾波器之一個以上之特定之共振頻率。如圖5～圖7所示，複數個濾波器單元FU各者之複數個線圈CL1以其等之中心軸線CX相互隔開且平行之方式排列。複數個線圈CL2與對應之線圈CL1共有中心軸線CX。因此，複數個線圈CL2亦以其等之中心軸線CX相互隔開且平行之方式排列。又，於濾波器裝置FA中，於複數個線圈CL1及複數個線圈CL2之外側，複數個接地構件GM與中心軸線CX平行地延伸。複數個接地構件GM相互隔開。複數個接地構件GM由導體形成。複數個接地構件GM之電位設定為接地電位。於一實施形態中，複數個接地構件GM之電位連接於第1印刷電路基板PCB1之接地區域GR。於一實施形態中複數個接地構件GM呈柱狀，且構成支持一個以上之第1印刷電路基板PCB1及一個以上之第2印刷電路基板PCB2之支柱。於圖5～圖7所示之例中，一個第1印刷電路基板PCB1及對應之一個第2印刷電路基板PCB2由四個接地構件GM支持。再者，四個接地構件GM於在一個第1印刷電路基板PCB1中於長邊方向延伸之一緣部與在對應之一個第2印刷電路基板PCB2中於長邊方向延伸之一緣部之間延伸。於一第1印刷電路基板PCB1之與上述一緣部相反側之另一緣部及對應之一第2印刷電路基板PCB2之與上述一緣部相反側之另一緣部之間延伸有二個以上之支柱SC。該等支柱SC由絕緣體形成，且支持一個第1印刷電路基板PCB1及對應之一個第2印刷電路基板PCB2。以下，參照圖5～圖7、及圖9對複數個線圈CL1及複數個接地構件GM之佈局進行說明。再者，複數個線圈CL2與對應之線圈CL1共有中心軸線CX，因此，複數個線圈CL2與複數個接地構件GM之佈局與以下所說明之複數個線圈CL1及複數個接地構件GM之佈局相同。由此，省略有關複數個線圈CL2與複數個接地構件GM之佈局之說明。複數個線圈CL1及複數個接地構件GM之佈局滿足三個條件。第1個條件係複數個線圈CL1分別相對於該複數個線圈CL1中之最近處之另一線圈CL1具有相同之第1距離L1。第1距離L1係配置於最近處之二個線圈CL1之外周面之間之最短距離。第2個條件係複數個接地構件GM分別相對於複數個線圈CL1中之最近處之線圈CL1具有相同之第2距離L2。第2距離L2係複數個接地構件GM之各者之外周面與最近處之線圈CL1之外周面之間之最短距離。又，第3個條件係複數個接地構件GM中之自複數個線圈CL1之各者隔開第2距離L2而配置之接地構件GM之個數相同。即，根據第3個條件，複數個線圈CL1各者之最近處之接地構件GM之個數相同。圖6、圖7、及圖9所示之佈局滿足上述三個條件。於該佈局中，相對於三個線圈CL1設置有四個接地構件GM。三個線圈CL1排列於一方向。四個接地構件GM等間隔地排列於與包含三個線圈CL1之三個中心軸線CX之平面平行之平面上。三個線圈CL1之各者之最近處之接地構件GM之個數為二個。各線圈CL1之最近處之二個接地構件GM中之一個亦為另一線圈CL1之最近處之接地構件。換言之，於圖9所示之佈局中，於與中心軸線CX正交之任意之剖面中，三個線圈CL1之中心與於一方向上連續之三個正方形之中心一致。又，於與中心軸線CX正交之任意之剖面中，四個接地構件GM之位置與處於該三個正方形之連續之三個邊上之四個角之位置一致。圖6、圖7、及圖9所示之佈局中，包含一個線圈CL1及其最近處之二個線圈之單位構造係排列於一方向(圖9中為X方向)，且滿足平移對稱性。再者，於圖5所示之濾波器單元群FUG中，採用沿著一方向及與該一方向正交之另一方向該兩方向排列有3×3個單位構造之佈局，且該佈局亦滿足平移對稱性。如上所述，於濾波器裝置FA中，複數個接地構件GM相互隔開。即，於複數個接地構件GM之各者與其他接地構件GM之間提供有空間。因此，複數個線圈CL1、CL2並未配置於接地電位之套管內之被封閉之空間，而藉由在濾波器裝置FA之外部與內部之間產生之空氣之對流促進複數個線圈CL1、CL2之散熱。因此，根據該濾波器裝置FA，複數個線圈CL1、CL2之溫度變低。又，所有線圈CL1相對於其等之最近處之線圈CL1具有相同之第1距離L1。因此，複數個線圈CL1分別自最近處之另一線圈CL1受到大致相同之干擾。又，所有線圈CL2相對於其等之最近處之線圈CL2具有相同之第1距離L1。因此，複數個線圈CL2分別自最近處之另一線圈CL2受到大致相同之干擾。又，複數個線圈CL1各者之最近處之接地構件GM之個數相同，且複數個線圈CL1各者與最近處之接地構件GM之間之距離為相同之第2距離L2。又，複數個線圈CL2各者之最近處之接地構件GM之個數相同，且複數個線圈CL2各者與最近處之接地構件GM之間之距離為相同之第2距離L2。因此，複數個線圈CL1之各者與周圍之接地構件GM之間之電容之差異減少。又，複數個線圈CL2之各者與周圍之接地構件GM之間之電容之差異減少。因此，抑制了分別包含複數個線圈CL1之複數個濾波器FT1之阻抗之頻率特性之差異。又，抑制了分別包含複數個線圈CL2之複數個濾波器FT2之阻抗之頻率特性之差異。於一實施形態中，如上所述，第1距離L1大於複數個線圈CL1及複數個線圈CL2之各者之內徑r之1/2，且小於該內徑r之3倍。根據該實施形態，複數個濾波器FT1及複數個濾波器FT2之阻抗之頻率特性之差異變得更小。於一實施形態中，如上所述，第2距離L2為12.7 mm以上且16.4 mm以下。接地構件GM自最近處之線圈CL1、CL2隔開12.7 mm以上，藉此，更確實地防止線圈CL1、CL2與接地構件GM之間之放電。又，若該距離為16.4 mm以下，則濾波器之阻抗之頻率特性相對於接地構件GM與該接地構件GM之最近處之線圈之間之距離的依存性變小。以下，對有關以圖5、圖6、及圖9所示之佈局配置之三個濾波器FT1之阻抗之頻率特性之第1模擬之結果進行說明。於第1模擬中，使用以下之設定。＜第1模擬之設定＞線圈CL1之內徑r：41 mm 線圈CL1之外徑R：47 mm 線圈CL1之繞組之形狀：3.0 mm×0.8 mm之平角形狀線圈CL1之匝數：48匝線圈CL1之長度：144 mm 電容器CP1之靜電電容：2700 pF 於第1模擬中，求出三個濾波器FT1之阻抗之頻率特性。於圖10之(a)及圖10之(b)表示第1模擬之結果。圖10之(a)及圖10之(b)所示之曲線之橫軸係頻率，縱軸係阻抗。圖10之(a)及圖10之(b)所示之濾波器FT1-2之特性係三個濾波器FT1中之配置於中央之濾波器FT1之特性。濾波器FT1-1之特性係三個濾波器FT1中之相對於中央之濾波器FT1配置於一側之濾波器FT1之阻抗之頻率特性。濾波器FT1-3之特性係三個濾波器FT1中之相對於中央之濾波器FT1配置於另一側之濾波器FT1之阻抗之頻率特性。濾波器FT1於其線圈之周圍不存在其他濾波器之線圈之情形時，於複數個頻帶之各者具有一個共振頻率。然而，如圖10之(a)及圖10之(b)所示，於濾波器FT1-2、即中央之濾波器FT1之特性中，於各頻帶出現二個共振頻率。其原因在於濾波器FT1-2之線圈自濾波器FT1-1之線圈及濾波器FT1-3之線圈該兩者受到大致相等之干擾。另一方面，於濾波器FT1-1之特性、及濾波器FT1-3之特性中，於各頻帶中出現三個共振頻率。其原因在於，濾波器FT1-1之線圈及濾波器FT1-3之各者之線圈自其他二個濾波器FT1之線圈受到不同之干擾。如此，三個濾波器FT1於包含共振頻率之頻帶中具有彼此不同之阻抗，因此，無法用於該頻帶所包含之高頻之遮斷或衰減。然而，如圖10之(a)及圖10之(b)所示，於其他頻帶中三個濾波器FT1之阻抗大致一致，因此，可將三個濾波器FT1用於該頻帶所包含之高頻之遮斷或衰減。以下，對有關第1距離L1之第2模擬之結果進行說明。於第2模擬中，將二個濾波器FT1之線圈CL1間之第1距離L1設為可變之參數而求出一個濾波器FT1之阻抗之頻率特性。於第2模擬中，將第1距離L1設定為60 mm(線圈CL1之內徑r之3倍之距離)、20 mm(與線圈CL1之內徑r相同之距離)、10 mm(線圈CL1之內徑r之1/2之距離)、5 mm(線圈CL1之內徑r之1/4之距離)。又，於第2模擬中，使用以下設定。＜第2模擬之設定＞線圈CL1之內徑r：20 mm 線圈CL1之外徑R：23 mm 線圈CL1之繞組之形狀：1.5 mm×0.4 mm之平角形狀線圈CL1之匝數：48匝線圈CL1之長度：72 mm 電容器CP1之靜電電容：2700 pF 於圖11之(a)、圖11之(b)、圖12之(a)、及圖12之(b)表示第2模擬之結果。該等圖中所示之曲線之橫軸係頻率，縱軸係阻抗。又，於該等圖所示之曲線中，「單獨體」之特性係於濾波器FT1之線圈CL1之周圍不存在其他濾波器之線圈之情形之濾波器FT1之阻抗之頻率特性。以下，將該特性稱為「單獨體之濾波器FT1之阻抗之頻率特性」。如圖11之(a)所示，於第1距離L1為60 mm(線圈CL1之內徑r之3倍之距離)之情形時，濾波器FT1之阻抗之頻率特性於300 MHz以上之高頻段中與單獨體之濾波器FT1之阻抗之頻率特性不同。因此，可確認第1距離L1較理想為小於線圈CL1之內徑r之3倍。又，如圖11之(b)所示，於第1距離L1為20 mm(與線圈CL1之內徑r相同之距離)之情形時，濾波器FT1之阻抗之頻率特性於0 MHz～600 MHz之較寬之頻帶中，與單獨體之濾波器FT1之阻抗之頻率特性大致一致。如圖12(a)所示，於第1距離L1為10 mm(線圈CL1之內徑r之1/2之距離)之情形時，濾波器FT1之阻抗之頻率特性於低頻段中與單獨體之濾波器FT1之阻抗之頻率特性不同。又，如圖12之(b)所示，於第1距離L1為5 mm(線圈CL1之內徑r之1/4之距離)之情形時，濾波器FT1之阻抗之頻率特性於較寬之頻帶中與單獨體之濾波器FT1之阻抗之頻率特性不同。因此，可確認較理想為第1距離L1大於線圈CL1之內徑r之1/2。以下，對有關第2距離L2之第3模擬之結果進行說明。於第3模擬中，將線圈CL1與接地構件之間之第2距離L2設為可變之參數，而求出包含該線圈CL1及電容器CP1之濾波器之阻抗之頻率特性。圖13係表示第3模擬中之線圈與接地構件之立體圖。如圖13所示，於第3模擬中，接地構件GS設為具有圓筒形狀且於線圈CL1之外側與該線圈CL1同軸地設置之接地構件。又，於第3模擬中，將第2距離L2設為16.4 mm、13 mm、8.2 mm、32.8 mm。再者，「13 mm」係與作為用以防止線圈CL1與接地構件之間之放電的安全距離之12.7 mm大致相同之距離。又，於第3模擬中，使用以下設定。＜第3模擬之設定＞線圈CL1之內徑r：82 mm 線圈CL1之外徑R：94 mm 線圈CL1之繞組之形狀：6.0 mm×1.6 mm之平角形狀線圈CL1之匝數：48匝線圈CL1之長度：288 mm 電容器CP1之靜電電容：2700 pF 於圖14之(a)、圖14之(b)、及圖15表示第3模擬之結果。該等圖所示之曲線之橫軸係頻率，縱軸係阻抗。如圖14之(a)所示，第2距離L2為16.4 mm之情形之濾波器之阻抗之頻率特性與第2距離L2為13 mm之情形之濾波器之阻抗之頻率特性大致一致。又，如圖14之(b)所示，第2距離L2為8.2 mm之情形之濾波器之阻抗之頻率特性與第2距離L2為13 mm之情形之濾波器之阻抗之頻率特性不同。又，如圖15所示，第2距離L2為32.8 mm之情形之濾波器之阻抗之頻率特性亦與第2距離L2為13 mm之情形之濾波器之阻抗之頻率特性不同。因此，可確認若為第2距離L2設定為12.7 mm以上且16.4mm以下之濾波器，則可防止線圈CL1與接地構件GM之間之放電，且可獲得與具有與安全距離大致相同之第2距離L2之濾波器之阻抗之頻率特性大致相同之阻抗之頻率特性。以下，對複數個線圈CL1及複數個接地構件GM可採用之其他佈局進行說明。以下所說明之佈局係滿足上述三個條件者。再者，以下所說明之佈局亦可應用於複數個線圈CL2與複數個接地構件GM之關係中。於圖16所示之佈局中，於與中心軸線CX正交之任意之剖面中，3×3個線圈CL1之中心與於一方向及與該一方向正交之方向上連續之九個正方形之中心一致。又，於與中心軸線CX正交之任意之剖面中，該九個正方形之所有角之位置與4×4個接地構件GM之位置一致。於圖16所示之佈局中，各線圈CL1之最近處之四個接地構件GM中之若干個被其他線圈CL1作為該其他線圈CL1之最近處之接地構件之一部分而共有。於圖16所示之佈局中，包含線圈CL1及其最近處之四個接地構件GM之單位構造沿著一方向及與該一方向正交之方向以滿足平移對稱性之方式排列。於圖17所示之佈局中，於與中心軸線CX正交之任意之剖面中，3×3個線圈CL1之中心與於一方向及與該一方向正交之方向上連續之九個正方形之中心一致。又，於與中心軸線CX正交之任意之剖面中，於沿著該九個正方形之各者之四個角之位置配置有四個接地構件GM。於圖17所示之佈局中，各線圈CL1之最近處之四個接地構件GM未被其他線圈CL1作為該其他線圈CL1之最近處之接地構件而共有。於圖17所示之佈局中，包含線圈CL1及其最近處之四個接地構件GM之單位構造沿著一方向及與該一方向正交之方向以滿足平移對稱性之方式排列。於圖18所示之佈局中，於與中心軸線CX正交之任意之剖面中，七個線圈CL1之中心與緊密排列之七個正六邊形之中心一致。又，於與中心軸線CX正交之任意之剖面中，接地構件GM之位置與該七個正六邊形之所有頂點之位置一致。於圖18所示之佈局中，各線圈CL1之最近處之六個接地構件GM中之若干個被其他線圈CL1作為該其他線圈CL1之最近處之接地構件之一部分而共有。於圖18所示之佈局中，包含線圈CL1及其最近處之六個接地構件GM之單位構造以滿足平移對稱性之方式排列。又，於圖18所示之佈局中，該單位構造之排列亦滿足旋轉對稱性。於圖19所示之佈局中，於與中心軸線CX正交之任意之剖面中，四個線圈CL1之中心與呈十字狀排列之五個正方形中之除中央之正方形以外之四個正方形之中心一致。又，於與中心軸線CX正交之任意之剖面中，接地構件GM之位置與該四個正方形之所有的角之位置一致。於圖19所示之佈局中，各線圈CL1之最近處之四個接地構件GM中之一個被其他線圈CL1作為該其他線圈CL1之最近處之一個接地構件而共有。於圖19所示之佈局中，包含線圈CL1及其最近處之四個接地構件GM之單位構造以滿足平移對稱性及旋轉對稱性該兩者之方式排列。於圖20所示之佈局中，於與中心軸線CX正交之任意之剖面中，四個線圈CL1之中心與呈十字狀排列之五個正方形中之除中央之正方形以外之四個正方形之中心一致。又，於與中心軸線CX正交之任意之剖面中，接地構件GM排列於沿著該四個正方形之所有之角之位置。於圖20所示之佈局中，各線圈CL1之最近處之四個接地構件GM未被其他線圈CL1作為該其他線圈CL1之最近處之接地構件而共有。於圖20所示之佈局中，包含線圈CL1及其最近處之四個接地構件GM之單位構造以滿足旋轉對稱性及旋轉對稱性該兩者之方式排列。於圖21所示之佈局中，於與中心軸線CX正交之任意之剖面中，六個線圈CL1之中心與緊密排列之七個正六邊形中之除中央之正六邊形以外之六個正六邊形之中心一致。又，於與中心軸線CX正交之任意之剖面中，接地構件GM之位置與該六個正六邊形之所有之頂點之位置一致。於圖21所示之佈局中，各線圈CL1之最近處之六個接地構件GM中之若干個被其他線圈CL1作為該其他線圈CL1之最近處之接地構件之一部分而共有。於圖21所示之該佈局中，包含線圈CL1及其最近處之六個接地構件GM之單位構造以滿足旋轉對稱性之方式排列。於圖22所示之佈局中，於與中心軸線CX正交之任意之剖面中，四個線圈CL1之中心與將一個正三角形均等地分割而成之四個正三角形之中心一致。又，於與中心軸線CX正交之任意之剖面中，接地構件GM之位置與四個正三角形之所有之頂點之位置一致。於圖22所示之佈局中，各線圈CL1之最近處之三個接地構件GM中之若干個被其他線圈CL1作為該其他線圈CL1之最近處之接地構件之一部分而共有。於圖22所示之佈局中，包含線圈CL1及其最近處之六個接地構件GM之單位構造以滿足旋轉對稱性之方式排列。於圖23所示之佈局中，於與中心軸線CX正交之任意之剖面中，三個線圈CL1之中心與將一個正三角形均等地分割而成之四個正三角形中之除中央之正三角形以外之三個正三角形之中心一致。又，於與中心軸線CX正交之任意之剖面中，接地構件GM之位置與三個正三角形之所有之頂點之位置一致。於圖23所示之佈局中，各線圈CL1之最近處之三個接地構件GM未被其他線圈CL1作為該其他線圈CL1之最近處之接地構件而共有。於圖23所示之佈局中，包含線圈CL1及其最近處之三個接地構件GM之單位構造以滿足旋轉對稱性之方式排列。由以上說明可知，濾波器裝置FA之複數個線圈CL1與複數個接地構件GM之佈局只要滿足平移對稱性及旋轉對稱性中之至少一個即可。對於複數個線圈CL2亦為同樣。再者，分別包含包括以圖16～圖23之佈局配置之複數個線圈CL1及複數個接地構件GM之複數個濾波器的複數個濾波器群亦可排列於線圈CL1之中心軸線CX延伸之方向上。對於分別包含包括複數個線圈CL2及複數個接地構件GM之複數個濾波器的複數個濾波器群亦同樣。以上，對各種實施形態進行了說明，但並不限定於上述實施形態，可構成各種變形態樣。依據上述佈局之三個條件之濾波器裝置並不限於應用在使用微波之電漿處理裝置中。該濾波器裝置亦可應用於電容耦合型之電漿處理裝置、感應耦合型之電漿處理裝置等任意類型之電漿處理裝置。又，該濾波器裝置亦可用於必須使高頻遮斷或衰減之電漿處理裝置以外之任意之裝置。

10‧‧‧電漿處理裝置

12‧‧‧腔室本體

12a‧‧‧側壁

12b‧‧‧底部

12c‧‧‧腔室

12t‧‧‧頂部

12v‧‧‧排氣通路

14‧‧‧載置台

16‧‧‧下部電極

16a‧‧‧第1構件

16b‧‧‧第2構件

16f‧‧‧流路

18‧‧‧靜電吸盤

20‧‧‧支持構件

22‧‧‧高頻電源

24‧‧‧匹配單元

26‧‧‧饋電導體

28a‧‧‧配管

28b‧‧‧配管

29‧‧‧供給管線

30‧‧‧直流電源

31‧‧‧擋板

32‧‧‧開關

33‧‧‧排氣管

34‧‧‧排氣裝置

40‧‧‧微波產生器

41‧‧‧調諧器

42‧‧‧波導管

43‧‧‧模式轉換器

44‧‧‧同軸波導管

44a‧‧‧外側導體

44b‧‧‧內側導體

45‧‧‧介電板

46‧‧‧冷卻套

47‧‧‧槽對

47a‧‧‧槽孔

47b‧‧‧槽孔

47p‧‧‧槽對

48‧‧‧介電窗

48i‧‧‧中央導入口

50‧‧‧中央供給部

50a‧‧‧配管

50b‧‧‧噴射器

52‧‧‧周邊供給部

52i‧‧‧周邊導入口

60‧‧‧第1氣體源群

61‧‧‧第1流量控制單元群

62‧‧‧第2氣體源群

63‧‧‧第2流量控制單元群

AX‧‧‧軸線

CB‧‧‧電容器箱

CL1‧‧‧線圈

CL2‧‧‧線圈

CN‧‧‧連接器

CP1‧‧‧電容器

CP2‧‧‧電容器

CS‧‧‧殼體

CX‧‧‧中心軸線

FA‧‧‧濾波器裝置

FR‧‧‧聚焦環

FT1‧‧‧濾波器

FT2‧‧‧濾波器

FU‧‧‧濾波器單元

FUG‧‧‧濾波器單元群

GM‧‧‧接地構件

GR‧‧‧接地區域

GS‧‧‧接地構件

HC‧‧‧加熱器控制器

HT‧‧‧加熱器

L1‧‧‧第1距離

L2‧‧‧將第2距離

PCB1‧‧‧第1印刷電路基板

PCB2‧‧‧第2印刷電路基板

r‧‧‧內徑

R‧‧‧外徑

SC‧‧‧支柱

TM‧‧‧梳齒構件

TMa‧‧‧柱狀部

TMb‧‧‧梳齒

W‧‧‧被加工物

圖1係概略性地表示一實施形態之電漿處理裝置之圖。圖2係表示圖1所示之電漿處理裝置之天線之俯視圖。圖3係一實施形態之濾波器裝置之立體圖。圖4係濾波器單元之電路圖。圖5係表示圖3所示之濾波器裝置之濾波器單元群之立體圖。圖6係表示共有兩個印刷電路基板之複數個濾波器單元之立體圖。圖7係表示共有兩個印刷電路基板之複數個濾波器單元之立體圖。圖8係濾波器單元之剖視圖。圖9係表示三個濾波器單元中之線圈與接地構件之佈局之圖。圖10之(a)及圖10之(b)係表示第1模擬之結果之圖。圖11之(a)及圖11之(b)係表示第2模擬之結果之圖。圖12之(a)及圖12之(b)係表示第2模擬之結果之圖。圖13係表示第3模擬中之線圈與接地構件之立體圖。圖14之(a)及圖14之(b)係表示第3模擬中之線圈與接地構件之立體圖。圖15係表示第3模擬中之線圈及接地構件之立體圖。圖16係表示複數個線圈與複數個接地構件之佈局之另一例之圖。圖17係表示複數個線圈與複數個接地構件之佈局之又一例之圖。圖18係表示複數個線圈與複數個接地構件之佈局之又一例之圖。圖19係表示複數個線圈與複數個接地構件之佈局之又一例之圖。圖20係表示複數個線圈與複數個接地構件之佈局之又一例之圖。圖21係表示複數個線圈與複數個接地構件之佈局之又一例之圖。圖22係表示複數個線圈與複數個接地構件之佈局之又一例之圖。圖23係表示複數個線圈與複數個接地構件之佈局之又一例之圖。

Claims

一種濾波器裝置，其具備：複數個線圈，其等之中心軸線相互隔開且平行；及複數個接地構件，其等於上述複數個線圈之外側與該複數個線圈之上述中心軸線平行地延伸，且相互隔開；且上述複數個線圈分別相對於該複數個線圈中之最近處之其他線圈具有相同之第1距離，上述複數個接地構件分別相對於上述複數個線圈中之最近處之線圈具有相同之第2距離，且上述複數個接地構件中之自上述複數個線圈各者隔開上述第2距離而配置之接地構件之個數相同。
如請求項1之濾波器裝置，其中上述第1距離大於上述複數個線圈之各者之內徑之1/2，且小於該內徑之3倍。
如請求項1或2之濾波器裝置，其中上述第2距離為12.7 mm以上且16.4 mm以下。
如請求項1或2之濾波器裝置，其進而具備：一個以上之第1印刷電路基板，其等設置於上述複數個線圈之一端側；及一個以上之第2印刷電路基板，其等設置於上述複數個線圈之另一端側；且上述複數個線圈由上述一個以上之第1印刷電路基板及上述一個以上之第2印刷電路基板支持。
如請求項3之濾波器裝置，其進而具備：一個以上之第1印刷電路基板，其等設置於上述複數個線圈之一端側；及一個以上之第2印刷電路基板，其等設置於上述複數個線圈之另一端側；且上述複數個線圈由上述一個以上之第1印刷電路基板及上述一個以上之第2印刷電路基板支持。
如請求項4之濾波器裝置，其中上述複數個接地構件構成支持上述一個以上之第1印刷電路基板及上述一個以上之第2印刷電路基板之支柱。
如請求項5之濾波器裝置，其中上述複數個接地構件構成支持上述一個以上之第1印刷電路基板及上述一個以上之第2印刷電路基板之支柱。
如請求項4之濾波器裝置，其進而具備分別連接於上述複數個線圈之複數個電容器，上述一個以上之第1印刷電路基板支持上述複數個電容器，且上述一個以上之第1印刷電路基板具有電性連接於上述複數個電容器及上述複數個接地構件之接地區域。
如請求項5之濾波器裝置，其進而具備分別連接於上述複數個線圈之複數個電容器，上述一個以上之第1印刷電路基板支持上述複數個電容器，上述一個以上之第1印刷電路基板具有電性連接於上述複數個電容器及上述複數個接地構件之接地區域。
如請求項6之濾波器裝置，其進而具備分別連接於上述複數個線圈之複數個電容器，上述一個以上之第1印刷電路基板支持上述複數個電容器，且上述一個以上之第1印刷電路基板具有電性連接於上述複數個電容器及上述複數個接地構件之接地區域。
如請求項7之濾波器裝置，其進而具備分別連接於上述複數個線圈之複數個電容器，上述一個以上之第1印刷電路基板支持上述複數個電容器，上述一個以上之第1印刷電路基板具有電性連接於上述複數個電容器及上述複數個接地構件之接地區域。
一種電漿處理裝置，其具備：腔室本體；載置台，其設置於上述腔室本體內，且具有下部電極、靜電吸盤、及複數個加熱器；高頻電源，其連接於上述下部電極；如請求項1至11中任一項之濾波器裝置；及加熱器控制器，其包含電性連接於上述複數個加熱器之電源；且上述濾波器裝置之上述複數個線圈分別構成上述複數個加熱器與上述加熱器控制器之間之饋電線。