TW201839972A - 畫素結構 - Google Patents
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Abstract
一種畫素結構，包括基板、第一子畫素結構、第二子畫素結構及第三子畫素結構。第一子畫素結構、第二子畫素結構及第三子畫素結構配置於基板上，其中第一子畫素結構與第二子畫素結構沿第一方向排列，且第三子畫素結構環繞第一子畫素結構與第二子畫素結構。
Description
本發明是有關於一種畫素結構，且特別是有關於一種用於有機發光二極體顯示面板的畫素結構。
近年來，由於有機發光二極體顯示器具有自發光、廣視角、省電、程序簡易、低成本、操作溫度廣泛、高應答速度以及全彩化等等的優點，使其具有極大的潛力成為下一代平面顯示器的主流。隨著顯示技術的不斷進步，對於顯示器的顯示品質的要求也越益提高。因此，如何提高有機發光二極體顯示器的顯示品質仍是目前此領域極欲發展的目標。
本發明提供一種畫素結構，其可提高顯示面板的顯示品質。
本發明的畫素結構包括基板、第一子畫素結構、第二子畫素結構及第三子畫素結構。第一子畫素結構、第二子畫素結構及第三子畫素結構配置於基板上，其中第一子畫素結構與第二子畫素結構沿第一方向排列，且第三子畫素結構環繞第一子畫素結構與第二子畫素結構。
基於上述，在本發明的畫素結構中，第一子畫素結構與第二子畫素結構沿一方向排列，且第三子畫素結構環繞第一子畫素結構與第二子畫素結構，藉此包括本發明的畫素結構的顯示面板的顯示品質可被提升。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
以下將以圖式揭露本發明的多個實施例，為明確說明起見，許多實務上的細節將在以下敘述中一併說明。然而，應瞭解到，這些實務上的細節不應用以限制本發明。也就是說，在本發明部分實施方式中，這些實務上的細節是非必要的。此外，為簡化圖式起見，一些習知慣用的結構與元件在圖式中將以簡單示意地方式為之。
本文使用的「約」或「近似」或「實質上」包括所述值和在本領域普通技術人員確定的特定值的可接受的偏差範圍內的平均值，考慮到所討論的測量和與測量相關的誤差的特定數量(即，測量系統的限制)。例如，「約」可以表示在所述值的一個或多個標準偏差內，或例如±20%、±15%、±10%、±5%內。
在附圖中，為了清楚起見，放大了層、膜、面板、區域等的厚度。在整個說明書中，相同的附圖元件符號表示相同的元件。應當理解，當諸如層、膜、區域或基板的元件被稱為在另一元件「上」或「連接到」另一元件時，其可以直接在另一元件上或與另一元件連接，或者中間元件可以也存在。相反地，當元件被稱為「直接在另一元件上」或「直接連接到」另一元件時，不存在中間元件。如本文所使用的，「連接」可以指物理及/或電性連接。
本發明的畫素結構例如可應用於有機發光二極體顯示面板中。基於此，雖然為了詳細地說明本發明的畫素結構的設計，以下是以單一畫素結構為例來作說明，但任何所屬技術領域中具有通常知識者應可以瞭解，有機發光二極體顯示面板一般包括由多個相同或相似的畫素結構陣列排列而成的畫素陣列。因此，任何所屬技術領域中具有通常知識者可以根據以下針對單一畫素結構的說明，而瞭解有機發光二極體顯示面板中之畫素陣列的結構或佈局。
圖1是依照本發明的第一實施例的畫素結構的上視示意圖。圖2是依照本發明的第一實施例的畫素結構沿著圖1中的剖線A-A’的剖面示意圖。請同時參照圖1及圖2，在本實施例中，畫素結構10可包括基板100、元件層110、第一電極層120、第一發光層130、第二發光層132、第三發光層134、隔離層140以及第二電極層150。為了方便說明起見，圖1中省略繪示第三發光層134以及第二電極層150等元件。另外，在本實施例中，畫素結構10的形狀（例如：垂直投影面積的形狀）為正方形或類正方形，但不限於此。於其它實施例中，畫素結構10的形狀亦可為多邊形、弧形、具有曲率或彎折的形狀或其它合適的形狀。
基板100包括第一子畫素區域100A、第二子畫素區域100B以及第三子畫素區域100C。在本實施例中，基板100的材料例如是玻璃、石英、有機聚合物或是金屬等等。
在本實施例中，第一子畫素區域100A與第二子畫素區域100B沿方向D1排列，且第三子畫素區域100C環繞第一子畫素區域100A與第二子畫素區域100B。詳細而言，在本實施例中，第一子畫素區域100A與第二子畫素區域100B以並列（side by side）方式排列，且第三子畫素區域100C環繞於第一子畫素區域100A與第二子畫素區域100B之周圍。在本文中，所述並列（side by side）方式排列並不是指二個子畫素區域緊臨而不具備任何的空間或間隔，而是指二個子畫素區域相鄰，且二個子畫素區域之間仍具備有空間或間隔，可容納其它的子畫素區域。另一方面來說，第一子畫素區域100A與第二子畫素區域100B位於第三子畫素區域100C中，即第三子畫素區域100C形成二個封閉的容納區，第一子畫素區域100A位於二個封閉的容納區其中一個中，第二子畫素區域100B位於二個封閉的容納區另一個中。
第一電極層120配置於基板100上。詳細而言，在本實施例中，第一電極層120包括彼此分離的電極圖案120A、電極圖案120B及電極圖案120C，其中電極圖案120A位於第一子畫素區域100A中，則可稱為第一電極圖案120A，電極圖案120B位於第二子畫素區域100B中，則可稱為第二電極圖案120B，而電極圖案120C位於第三子畫素區域100C中，可稱為第三電極圖案120C。也就是說，在本實施例中，第一電極層120為經圖案化的電極層，且第一電極層120位於第一子畫素區域100A、第二子畫素區域100B以及第三子畫素區域100C中。
在本實施例中，第一電極層120可利用任何所屬領域中具有通常知識者所周知的任一種製造電極層的方法來形成，例如：薄膜沉積及曝光與蝕刻方法、網版印刷方法、噴墨印刷方法、轉印方式、曝光與蝕刻方法、或其它合適的方法。
元件層110配置於基板100上，且位於基板100與第一電極層120之間，用以提供驅動電壓至第一電極層120，以使後續製程的第一發光層130、第二發光層132及/或第三發光層134發光。在本實施例中，元件層110可以是任何所屬領域中具有通常知識者所周知的用於有機發光二極體顯示面板的任一種主動元件層，例如:元件層110可至少包括多條掃描線、多條資料線、多個薄膜電晶體（thin film transistor，TFT）、多個電容器及至少一條電源線（power line，VDD）、或其它合適的電極或線，然而本發明不限於此。舉例而言，在本實施例中，元件層110包含多個薄膜電晶體，第一子畫素區域100A、第二子畫素區100B與第三子畫素區100B中的第一電極圖案120A、第二電極圖案120B與第三電極圖案120C分別與所對應的薄膜電晶體連接，以使得各子畫素分別接收所需要的訊號。
在本實施例中，元件層110可具有2T1C的架構、3T1C的架構、4T2C的架構、6T1C的架構、7T2C的架構、或是任何可做應用於有機發光二極體顯示面板中的其他架構。
另外，在本實施例中，第一電極層120可為單層或多層結構，且其材料可包括反射材料，其例如是金屬、合金、金屬氧化物等導電材料，或是金屬與透明導電材料之堆疊層，上述透明導電材料例如是銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、厚度小於60埃(Å)的金屬及/或合金、奈米碳管/桿、或其它合適的透明導電材料。也就是說，在本實施例中，第一電極層120，較佳地，為反射電極層，則畫素結構10可屬於上發光型（top emission type），但不限於此。於其它實施例中，第一電極層120可為透明導電層，則畫素結構10可屬於底發光型（bottom emission type）或雙面發光型（dual emission type）。
第一發光層130、第二發光層132及第三發光層134配置在第一電極層120與第二電極層150之間。舉例而言，第一發光層130可位於第一子畫素區域100A中，第二發光層132可位於第二子畫素區域100B中，第三發光層134可位於第一子畫素區域100A、第二子畫素區域100B及第三子畫素區域100C中。換言之，在第一子畫素區域100A中，第三發光層134覆蓋第一發光層130，以及在第二子畫素區域100B中，第三發光層134覆蓋第二發光層132。於其它實施例中，第一發光層130可僅位於第一子畫素區域100A中，第二發光層132可僅位於第二子畫素區域100B中，而第三發光層134可為一連續結構層，連續分佈於第一子畫素區域100A、第二子畫素區域100B及第三子畫素區域100C中。在本實施例中，第三發光層134，較佳地，需選用電子遷移率（mobility）較快的材料，以使得在第三發光層134覆蓋第一發光層130之第一子畫素區域100A中，電子與電洞較容易於第一發光層130中結合而發光；以及在第三發光層134覆蓋第二發光層132之第二子畫素區域100B中，電子與電洞較容易於第二發光層132中結合而發光。另一方面，在本實施例中，可透過微共振腔效應控制位於第一子畫素區域100A及第二子畫素區域100B中的第三發光層134所發的光無法自畫素結構10發射至外部。
在本實施例中，第一發光層130及第二發光層132例如是分別使用蒸鍍製程或噴墨製程，且可選擇性地搭配對應的罩幕，例如：精細（或稱為精密）金屬罩幕（fine metal mask，FMM）來形成。另外，在本實施例中，第三發光層134可為一連續結構層，因此第三發光層134不需使用罩幕，例如：FMM加以形成。詳細而言，在本實施例中，第三發光層134例如是使用蒸鍍製程或噴墨製程，且可選擇性地搭配一般金屬遮罩來形成。值得一提的是，在本實施例中，由於第三發光層134不需使用罩幕，例如：FMM加以形成，因此在畫素結構10的製造過程中可減少FMM的使用次數，從而可降低生產成本與製程難度。
另外，在本實施例中，第一發光層130、第二發光層132與第三發光層134可分別為不同顏色的發光層，例如：第一發光層130可為紅色發光層、第二發光層132可為綠色發光層及第三發光層134可為藍色發光層，即第一發光層130可包括紅色發光材料、第二發光層132可包括綠色發光材料及第三發光層134可包括藍色發光材料。
隔離層140配置於第一電極層120上。舉例而言，隔離層140具有開口V1及開口V2，其中開口V1暴露出第一電極層120的電極圖案120A，即隔離層140未遮蔽第一電極層120的電極圖案120A至少一部份，以及開口V2暴露出第一電極層120的電極圖案120B，即隔離層140未遮蔽第一電極層120的電極圖案120B至少一部份。另外，在本實施例中，第一發光層130至少位於開口V1內並覆蓋被暴露出的電極圖案120A，第二發光層132至少位於開口V2內並覆蓋被暴露出的電極圖案120B。於其它實施例中，隔離層140可封閉環繞第一發光層130及第二發光層132。在本實施例中，隔離層140的材料可為單層或多層結構，較佳地，可包括有機材料，例如：聚醯亞胺（polyimide，PI）、聚醯胺（polyamide，PA）、聚酯（Polyester）、苯並環丁烯（Benzocyclobutene，BCB）、光阻、聚乙烯吡咯烷酮（Polyvinylpyrrolidone，PVP）、對苯二甲酸乙二酯（polyethylene terephthalate，PET）、或其它合適的材料，但不限於此。於其它實施例中，隔離層140的材料也可包含無機材料、無機材料與有機材料之組合、或其它合適的材料，其中無機材料例如是：氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、或其它合適的材料。
在本實施例中，隔離層140，例如：可用以定義第一子畫素區域100A及第二子畫素區域100B。舉例而言，鄰近第一發光層130之沿方向D2延伸的一側邊的隔離層140的寬度f的中心（或稱為形心）到鄰近前述側邊之對向側邊的隔離層140的寬度f的中心（或稱為形心）之間的距離為第一子畫素區域100A的寬度d，以及鄰近第二發光層132之沿方向D2延伸的一側邊的隔離層140的寬度f的中心（或稱為形心）到鄰近前述側邊之對向側邊的隔離層140的寬度f的中心（或稱為形心）之間的距離為第二子畫素區域100B的寬度d。
第二電極層150配置在第一電極層120上。詳細而言，第二電極層150可位於第一子畫素區域100A、第二子畫素區域100B以及第三子畫素區域100C中。在本實施例中，第二電極層150可為單層或多層結構，且其材料包括反射導電材料（可參閱前文中的描述）、透明導電材料（可參閱前文中的描述）、或二者之組合。依照畫素結構10類型可加以選擇第二電極層150的材料，例如：若畫素結構10可為上發光型，則第一電極層120的材料可具有反射性質（即第一電極層120可作為反射電極層），第二電極層150的材料可為透明導電材料（即第二電極層150可作為透明電極層）；若畫素結構10可為下發光型，則第一電極層120的材料可為透明導電材料（即第一電極層120可作為透明電極層），第二電極層150的材料可具有反射性質（即第二電極層150可作為反射電極層）；若畫素結構10可為雙面發光型，則第一電極層120與第二電極層150的材料皆可為透明導電材料（即第一電極層120與第二電極層150皆可作為透明電極層）。也就是說，第一電極層120與第二電極層150的材料選用可實質上相同或不同。再者，在其他實施例中，依照畫素結構10的類型，例如：上發光型或雙面發光型，第二電極層150也可以是半穿透半反射電極。
另外，在本實施例中，第一電極層120可作為陽極，而第二電極層150可作為陰極。但必需說明的，就以設計上的需求來說，第一電極層120也可能作為陰極，而第二電極層150則可作為陽極。
在本實施例中，至少位於第一子畫素區域100A中的元件層100、第一電極層120的電極圖案120A、第一發光層130、第三發光層134及第二電極層150構成第一子畫素結構U1；至少位於第二子畫素區域100B中的元件層100、第一電極層120的電極圖案120B、第二發光層132、第三發光層134及第二電極層150構成第二子畫素結構U2；以及至少位於第三子畫素區域100C中的元件層100、第一電極層120的電極圖案120C、第三發光層134及第二電極層150構成第三子畫素結構U3。也就是說，在本實施例中，畫素結構10包括配置於基板100上的第一子畫素結構U1、第二子畫素結構U2及第三子畫素結構U3，其中第一子畫素結構U1位於第一子畫素區域100A中，第二子畫素結構U2位於第二子畫素區域100B中，且第三子畫素結構U3位於第三子畫素區域100C中。
如前文所述，在本實施例中，第一發光層130可為紅色發光層、第二發光層132可為綠色發光層及第三發光層134可為藍色發光層，藉此第一子畫素結構U1可發出紅光、第二子畫素結構U2可發出綠光及第三子畫素結構U3可發出藍光，即前述子畫素結構U1~U3可分別發出不同顏色的光。換言之，第一子畫素區域100A具有第一發光區（即可發出第一顏色光線的區域，例如：第一發光層130所在的區域）、第二子畫素區域100B具有第二發光區（即可發出第二顏色光線的區域，例如：第二發光層132所在的區域）以及第三子畫素區域100C具有第三發光區（即可發出第三顏色光線的區域，例如：第三發光層134所在的區域），而這三區分別發出不同顏色的光。因此，第三子畫素區域100C之第三發光區環繞於第一子畫素區域100A之第一發光區與第二子畫素區域100B之第二發光區的周圍，即第三子畫素區域100C之第三發光區形成二個封閉的容納區，第一子畫素區域100A之第一發光區位於二個封閉的容納區其中一個中，第二子畫素區域100B之第二發光區位於二個封閉的容納區另一個中。另外，第一發光區的面積實質上等於或小於第一子畫素區域100A的面積，第二發光區的面積實質上等於或小於第二子畫素區域100B的面積，且第三發光區的面積實質上等於或小於第三子畫素區域100C的面積。
如前文所述，在本實施例中，第一子畫素區域100A與第二子畫素區域100B沿方向D1排列，且第三子畫素區域100C環繞第一子畫素區域100A與第二子畫素區域100B，因此第一子畫素結構U1與第二子畫素結構U2會沿方向D1排列，且第三子畫素結構U3會環繞第一子畫素結構U1與第二子畫素結構U2周圍，即第三子畫素結構U3形成二個封閉的容納區，第一子畫素結構U1位於二個封閉的容納區其中一個，第二子畫素結構U2位於二個封閉的容納區另一個。如此一來，包括畫素結構10的顯示面板的顯示品質可被提升。
在本實施例中，設置有第一子畫素結構U1的第一子畫素區域100A、設置有第二子畫素結構U2的第二子畫素區域100B與第三子畫素結構U3的第三子畫素區域100C的形狀（例如：垂直投影面積的形狀）可為矩形或類矩形為範例，但不限於此。於其它實施例中，設置有第一子畫素結構U1的第一子畫素區域100A、設置有第二子畫素結構U2的第二子畫素區域100B與第三子畫素結構U3的第三子畫素區域100C的形狀為多邊形、弧形、具有曲率或彎折的形狀、或其它合適的形狀。舉例而言，設置有第三子畫素結構U3的第三子畫素區域100C可具有沿方向D1延伸的第一矩形區域（或稱為第一區域）C1和第二矩形區域（或稱為第二區域）C2，以及沿與方向D1相垂直的方向D2延伸的第三矩形區域（或稱為第三區域）C3、第四矩形區域（或稱為第四區域）C4、第五矩形區域（或稱為第五區域）C5和第六矩形區域（或稱為第六區域）C6，其中第三矩形區域C3、第四矩形區域C4、第五矩形區域C5和第六矩形區域C6介於第一矩形區域C1與第二矩形區域C2之間。一般而言，第三子畫素區域100C中前述各區域C1~C6可分別具有次發光區，例如：第一區域C1具有第一次發光區，且第一次發光區的面積實質上等於或小於第一區域C1，而其餘各區域C2~C6中的次發光區（例如：第二次發光區~第六次發光區）可依此類推。因此，本實施例的第三發光區至少包含第一至第六次發光區。
在本實施例中，第一矩形區域C1、第二矩形區域C2、第三矩形區域C3和第四矩形區域C4共同環繞第一子畫素區域100A；以及第一矩形區域C1、第二矩形區域C2、第五矩形區域C5和第六矩形區域C6共同環繞第二子畫素區域100B。如前文所述，在本實施例中，由於第三子畫素區域100C封閉環繞第一子畫素區域100A與第二子畫素區域100B，故第一矩形區域C1、第二矩形區域C2、第三矩形區域C3和第四矩形區域C4共同地封閉環繞第一子畫素區域100A；且第一矩形區域C1、第二矩形區域C2、第五矩形區域C5和第六矩形區域C6共同地封閉環繞第二子畫素區域100B。舉例而言，第三矩形區域C3、第四矩形區域C4、第五矩形區域C5和第六矩形區域C6分別連接第一矩形區域C1與第二矩形區域C2。換句話說，第三區域C3的第三次發光區連接第一區域C1的第一次發光區與第二區域C2的第二次發光區，第四區域C4的第四次發光區連接第一區域C1的第一次發光區與第二區域C2的第二次發光區，以形成環繞第一子畫素區域100A的容納區來容納第一子畫素區域100A的第一發光區。第五區域C5的第五次發光區連接第一區域C1的第一次發光區與第二區域C2的第二次發光區，第六區域C6的第六次發光區連接第一區域C1的第一次發光區與第二區域C2的第二次發光區，以形成環繞第二子畫素區域100B的容納區來容納第二子畫素區域100B的第二發光區。另外，第四區域C4的第四次發光區鄰接於第五區域C5的第五次發光區，但不限於此。在其他實施例中，第三矩形區域C3、第四矩形區域C4、第五矩形區域C5和第六矩形區域C6也可以分別不連接第一矩形區域C1與第二矩形區域C2，即第三子畫素區域100C具有非連續的輪廓。換句話說，在第三子畫素區域100C中，第三矩形區域C3的第三次發光區、第四矩形區域C4的第四次發光區、第五矩形區域C5的第五次發光區和第六矩形區域C6的第六次發光區也可以分別不連接第一矩形區域C1的第一次發光區與第二矩形區域C2的第二次發光區。
值得一提的是，與第三矩形區域C3、第四矩形區域C4、第五矩形區域C5和第六矩形區域C6可分別不連接第一矩形區域C1與第二矩形區域C2的實施例相比，第三矩形區域C3、第四矩形區域C4、第五矩形區域C5和第六矩形區域C6分別連接第一矩形區域C1與第二矩形區域C2的實施例可具有最大發光區域。
另一方面，在本實施例中，第一子畫素區域100A和第二子畫素區域100B的寬度d與第三子畫素區域100C中的第一矩形區域C1、第二矩形區域C2、第三矩形區域C3、第四矩形區域C4、第五矩形區域C5和第六矩形區域C6的寬度b滿足以下特定關係式：b＜0.25d。值得一提的是，畫素結構10透過設置有第一子畫素結構U1的第一子畫素區域100A與設置有第二子畫素結構U2的第二子畫素區域100B沿方向D1排列，設置有第三子畫素結構U3的第三子畫素區域100C環繞第一子畫素區域100A與第二子畫素區域100B，且b＜0.25d，使得與包括各自尺寸為3d×d（或稱為條狀）之RGB子畫素結構以依序且緊鄰地方式排列（即依序的子畫素結構之間，不存在可容納其它子畫素結構的空間）的習知畫素結構的顯示面板相比，包括畫素結構10的顯示面板可在實質上相同的畫素密度下具有提高的開口率，以及可在實質上相同的開口率下具有提高的畫素密度。也就是說，與包括各自尺寸為3d×d（或稱為條狀）之RGB子畫素結構以依序且緊鄰地方式排列的習知畫素結構的顯示面板相比，包括畫素結構10的顯示面板可具有提升的解析度。
另外，在本實施例中，在第一子畫素結構U1、第二子畫素結構U2及第三子畫素結構U3中，第一電極層120與第二電極層150之間至少設置有一發光層130、第二發光層132及第三發光層134，但不限於此。在其他實施例中，在第一子畫素結構U1、第二子畫素結構U2及第三子畫素結構U3中，第一電極層120與第二電極層150之間可更設置有以下膜層中的至少一者：電洞注入層（hole injection layer，HIL）、電洞傳輸層（hole transport layer，HTL）、電子注入層(electron injection layer，EIL)、電子傳輸層（electron transport layer，ETL）、或其它合適的膜層。
另外，在圖1、2的實施例中，第三發光層134不需使用罩幕，例如：FMM加以形成，但不限於此。在其他實施例中，第三發光層134也可搭配使用罩幕，例如：FMM來形成。以下，將參照圖3、4針對其他的實施型態進行說明。在此必須說明的是，下述實施例沿用了前述實施例的元件符號與部分內容，其中採用相同或相似的符號來表示相同或相似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參照前述實施例，下述實施例不再重複贅述。
圖3是依照本發明的第二實施例的畫素結構的上視示意圖。圖4是沿著圖3中的剖線B-B’的剖面示意圖。請同時參照圖3、4及圖1、2，本實施例的畫素結構20與第一實施例的畫素結構10相似，差異主要在於發光層的佈置方式，因此以下將針對兩者之間的差異處進行說明，且其餘可參閱前述，並不再贅述。另外，為了方便說明起見，圖3中省略繪示第二電極層150。
請同時參照圖3、4，在本實施例中，配置在第一電極層120與第二電極層150之間的第三發光層234可僅位於第三子畫素區域100C中。也就是說，在本實施例中，第一發光層130、第二發光層132及第三發光層234彼此之間不相重疊。
在本實施例中，第三發光層234例如是使用蒸鍍製程或噴墨製程並搭配對應的罩幕，例如：精細金屬罩幕（fine metal mask，FMM）來形成。詳細而言，在本實施例中，製備第三發光層234的方法例如包括：使用蒸鍍製程或噴墨製程並搭配具有沿方向D1延伸的多個開口的罩幕，例如：FMM來形成位於第一矩形區域C1和第二矩形區域C2中的第三發光層234，以及使用蒸鍍製程或噴墨製程並搭配具有沿方向D2延伸的多個開口的罩幕，例如：FMM來形成位於第三矩形區域C3、第四矩形區域C4、第五矩形區域C5和第六矩形區域C6中的第三發光層234。也就是說，在本實施例中，製備第三發光層234至少需要兩道罩幕，例如：FMM。另外，在本實施例中，第三發光層234可為藍色發光層。也就是說，在本實施例中，第三發光層234可包括藍色發光材料。
在本實施例中，位於第一子畫素區域100A中的元件層100、第一電極層120的電極圖案120A、第一發光層130、及第二電極層150構成第一子畫素結構2U1；位於第二子畫素區域100B中的元件層100、第一電極層120的電極圖案120B、第二發光層132、及第二電極層150構成第二子畫素結構2U2；以及位於第三子畫素區域100C中的元件層100、第一電極層120的電極圖案120C、第三發光層234及第二電極層150構成第三子畫素結構2U3。也就是說，畫素結構20包括配置於基板100上的第一子畫素結構2U1、第二子畫素結構2U2及第三子畫素結構2U3，其中第一子畫素結構2U1位於第一子畫素區域100A中，第二子畫素結構2U2位於第二子畫素區域100B中，且第三子畫素結構2U3位於第三子畫素區域100C中。
如前文所述，在本實施例中，第一發光層130可為紅色發光層、第二發光層132可為綠色發光層及第三發光層234可為藍色發光層，藉此第一子畫素結構2U1可用於發出紅光、第二子畫素結構2U2可用於發出綠光及第三子畫素結構2U3可用於發出藍光，即前述子畫素結構2U1~2U3可分別發光不同顏色的光。
如前文所述，在本實施例中，第一子畫素區域100A與第二子畫素區域100B沿方向D1排列，且第三子畫素區域100C環繞第一子畫素區域100A與第二子畫素區域100B，因此第一子畫素結構2U1與第二子畫素結構2U2會沿方向D1排列，且第三子畫素結構2U3會環繞第一子畫素結構2U1與第二子畫素結構2U2周圍。如此一來，包括畫素結構20的顯示面板的顯示品質可被提升。
畫素結構20透過設置有第一子畫素結構2U1的第一子畫素區域100A與設置有第二子畫素結構2U2的第二子畫素區域100B沿方向D1排列，設置有第三子畫素結構2U3的第三子畫素區域100C環繞第一子畫素區域100A與第二子畫素區域100B，且b＜0.25d，使得與包括各自尺寸為3d×d（或稱為條狀）之RGB子畫素結構以依序且緊鄰地方式排列（即依序的子畫素結構之間，不存在可容納其它子畫素結構的空間）的習知畫素結構的顯示面板相比，包括畫素結構20的顯示面板可在實質上相同的畫素密度下具有提高的開口率，以及可在實質上相同的開口率下具有提高的畫素密度。也就是說，與包括各自尺寸為3d×d（或稱為條狀）之RGB子畫素結構以依序且緊鄰地方式排列的習知畫素結構的顯示面板相比，包括畫素結構20的顯示面板可具有提升的解析度。
另外，在圖1、2的實施例中，雖然第三矩形區域C3和C4第四矩形區域分別位於第一子畫素區域100A的相對兩側，且第五矩形區域C5和第六矩形區域C6分別位於第二子畫素區域100B的相對兩側，但本發明並不限於此。以下，將參照圖5、6針對其他的實施型態進行說明。在此必須說明的是，下述實施例沿用了前述實施例的元件符號與部分內容，其中採用相同或相似的符號來表示相同或相似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參照前述實施例，下述實施方式不再重複贅述。
圖5是依照本發明的第三實施例的畫素結構的上視示意圖。圖6是沿著圖5中的剖線C-C’的剖面示意圖。請同時參照圖5、6及圖1、2，本實施例的畫素結構30與第一實施例的畫素結構10相似，差異主要在於子畫素區域的佈置方式，因此以下將針對兩者之間的差異處進行說明，且其餘可參閱前述，並不再贅述。另外，為了方便說明起見，圖5中省略繪示第三發光層134以及第二電極層150。
請同時參照圖5、6，在本實施例中，設置有第三子畫素結構U3的第三子畫素區域100C具有沿方向D1延伸的第一矩形區域（或稱為第一區域）C1和第二矩形區域（或稱為第二區域）C2，以及沿方向D2延伸的第三矩形區域（或稱為第三區域）3C3、第四矩形區域（或稱為第四區域）3C4、第五矩形區域（或稱為第五區域）3C5和第六矩形區域（或稱為第六區域）3C6，其中第三矩形區域3C3、第四矩形區域3C4、第五矩形區域3C5和第六矩形區域3C6介於第一矩形區域C1與第二矩形區域C2之間。
詳細而言，在本實施例中，第三矩形區域3C3和第四矩形區域3C4位於第一子畫素區域100A的一側（例如：畫素結構30的第一側），而第五矩形區域3C5和第六矩形區域3C6位於第一子畫素區域100A的另一側（例如：畫素結構30的第二側），此也可視為第五矩形區域3C5和第六矩形區域3C6位於第二子畫素區域100B之遠離第一子畫素區域100A的一側（例如：畫素結構30的第二側），即第二子畫素區域100B位於第一子畫素區域100A與第五矩形區域3C5和第六矩形區域3C6之間。也就是說，第一子畫素區域100A與第二子畫素區域100B彼此相緊鄰，即第一子畫素區域100A與第二子畫素區域100B之間不存在容納其它子畫素區域的空間（例如：不存在第三子畫素區域100C一部份），而第三矩形區域3C3和第四矩形區域3C4彼此相緊鄰位於第一子畫素區域100A一側（例如：畫素結構30的第一側），且第五矩形區域3C5和第六矩形區域3C6彼此相緊鄰位於第一子畫素區域100A的另一側（例如：畫素結構30的第二側）。
進一步而言，在本實施例中，第一矩形區域C1、第二矩形區域C2、第三矩形區域3C3、第四矩形區域3C4、第五矩形區域3C5和第六矩形區域3C6共同環繞第一子畫素區域100A及第二子畫素區100B。如前文所述，在本實施例中，由於第三子畫素區域100C封閉環繞第一子畫素區域100A與第二子畫素區域100B，故第一矩形區域C1、第二矩形區域C2、第三矩形區域3C3、第四矩形區域3C4、第五矩形區域3C5和第六矩形區域3C6共同地封閉環繞第一子畫素區域100A及第二子畫素區域100B。也就是說，在本實施例中，第三矩形區域3C3、第四矩形區域3C4、第五矩形區域3C5和第六矩形區域3C6分別連接第一矩形區域C1與第二矩形區域C2。然而，本發明並不限於此。在其他實施例中，第三矩形區域3C3、第四矩形區域3C4、第五矩形區域3C5和第六矩形區域3C6也可以分別不連接第一矩形區域C1與第二矩形區域C2。也就是說，第三子畫素區域100C具有非連續的輪廓。在本實施例中，與第三矩形區域3C3、第四矩形區域3C4、第五矩形區域3C5和第六矩形區域3C6可分別不連接第一矩形區域C1與第二矩形區域C2的實施例相比，第三矩形區域3C3、第四矩形區域3C4、第五矩形區域3C5和第六矩形區域3C6分別連接第一矩形區域C1與第二矩形區域C2的實施例可具有最大發光區域。
另一方面，在本實施例中，第一子畫素區域100A和第二子畫素區域100B的寬度d與第三子畫素區域100C中的第一矩形區域C1、第二矩形區域C2、第三矩形區域3C3、第四矩形區域3C4、第五矩形區域3C5和第六矩形區域3C6的寬度b滿足以下特定關係式：b＜0.25d。值得一提的是，畫素結構30透過設置有第一子畫素結構U1的第一子畫素區域100A與設置有第二子畫素結構U2的第二子畫素區域100B沿方向D1排列，設置有第三子畫素結構U3的第三子畫素區域100C環繞第一子畫素區域100A與第二子畫素區域100B，且b＜0.25d，使得與包括各自尺寸為3d×d（或稱為條狀）之RGB子畫素結構以依序且緊鄰地方式排列（即依序的子畫素結構之間，不存在可容納其它子畫素結構的空間）的習知畫素結構的顯示面板相比，包括畫素結構30的顯示面板可在實質上相同的畫素密度下具有提高的開口率，以及可在實質上相同的開口率下具有提高的畫素密度。也就是說，與包括各自尺寸為3d×d（或稱為條狀）之RGB子畫素結構以依序且緊鄰地方式排列的習知畫素結構的顯示面板相比，包括畫素結構30的顯示面板可具有提升的解析度。
基於第一實施例可知，畫素結構30透過第一子畫素結構U1與第二子畫素結構U2會沿方向D1排列，且第三子畫素結構U3會環繞第一子畫素結構U1與第二子畫素結構U2，使得包括畫素結構30的顯示面板的顯示品質可被提升。
另外，基於第一實施例可知，在圖5、6的實施方式中，雖然第三發光層134不需使用罩幕，例如：FMM加以形成，但本發明並不限於此。在其他實施例中，第三發光層134也可搭配使用罩幕，例如：FMM來形成。以下，將參照圖7、8針對其他的實施型態進行說明。在此必須說明的是，下述實施例沿用了前述實施例的元件符號與部分內容，其中採用相同或相似的符號來表示相同或相似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參照前述實施例，下述實施例不再重複贅述。
圖7是依照本發明的第四實施例的畫素結構的上視示意圖。圖8是沿著圖7中的剖線D-D’的剖面示意圖。請同時參照圖7、8及圖5、6，本實施例的畫素結構40與第三實施例的畫素結構30相似，差異主要在於發光層的佈置方式，因此以下將針對兩者之間的差異處進行說明，且其餘可參閱前述，並不再贅述。另外，為了方便說明起見，圖7中省略繪示第二電極層150。
請同時參照圖7、8，在本實施例中，配置在第一電極層120與第二電極層150之間的第三發光層434可僅位於第三子畫素區域100C中。也就是說，在本實施例中，第一發光層130、第二發光層132及第三發光層434彼此之間不相重疊。
在本實施例中，第三發光層434例如是使用蒸鍍製程或噴墨製程並搭配對應的罩幕，例如：精細金屬罩幕（fine metal mask，FMM）來形成。詳細而言，在本實施例中，製備第三發光層434的方法例如包括：使用蒸鍍製程或噴墨製程並搭配具有沿方向D1延伸的多個開口的罩幕，例如：FMM來形成位於第一矩形區域C1和第二矩形區域C2中的第三發光層434，以及使用蒸鍍製程或噴墨製程並搭配具有沿方向D2延伸的多個開口的罩幕，例如：FMM來形成位於第三矩形區域3C3、第四矩形區域3C4、第五矩形區域3C5和第六矩形區域3C6中的第三發光層434。也就是說，在本實施例中，製備第三發光層434至少需要兩道罩幕，例如：FMM。另外，在本實施例中，第三發光層434可為藍色發光層。也就是說，在本實施例中，第三發光層434包括藍色發光材料。
進一步而言，在本實施例中，位於第一子畫素區域100A中的元件層100、第一電極層120的電極圖案120A、第一發光層130、及第二電極層150構成第一子畫素結構4U1；位於第二子畫素區域100B中的元件層100、第一電極層120的電極圖案120B、第二發光層132、及第二電極層150構成第二子畫素結構4U2；以及位於第三子畫素區域100C中的元件層100、第一電極層120的電極圖案120C、第三發光層234及第二電極層150構成第三子畫素結構4U3。也就是說，在本實施例中，畫素結構40包括配置於基板100上的第一子畫素結構4U1、第二子畫素結構4U2及第三子畫素結構4U3，其中第一子畫素結構4U1位於第一子畫素區域100A中，第二子畫素結構4U2位於第二子畫素區域100B中，且第三子畫素結構4U3位於第三子畫素區域100C中。
如前文所述，在本實施例中，第一發光層130可為紅色發光層、第二發光層132可為綠色發光層及第三發光層434可為藍色發光層，藉此第一子畫素結構4U1可用於發出紅光、第二子畫素結構4U2可用於發出綠光及第三子畫素結構4U3可用於發出藍光，即前述子畫素結構4U1~4U3可分別發光不同顏色的光。
如前文所述，在本實施例中，第一子畫素區域100A與第二子畫素區域100B沿方向D1排列，且第三子畫素區域100C環繞第一子畫素區域100A與第二子畫素區域100B，因此第一子畫素結構4U1與第二子畫素結構4U2會沿方向D1排列，且第三子畫素結構4U3會環繞第一子畫素結構4U1與第二子畫素結構4U2。如此一來，包括畫素結構40的顯示面板的顯示品質可被提升。
另一方面，如前文所述，畫素結構40透過設置有第一子畫素結構4U1的第一子畫素區域100A與設置有第二子畫素結構4U2的第二子畫素區域100B沿方向D1排列，設置有第三子畫素結構4U3的第三子畫素區域100C環繞第一子畫素區域100A與第二子畫素區域100B，且b＜0.25d，使得與包括各自尺寸為3d×d（或稱為條狀）之RGB子畫素結構以依序且緊鄰地方式排列（即依序的子畫素結構之間，不存在可容納其它子畫素結構的空間）的習知畫素結構的顯示面板相比，包括畫素結構40的顯示面板可在實質上相同的畫素密度下具有提高的開口率，以及可在實質上相同的開口率下具有提高的畫素密度。也就是說，與包括各自尺寸為3d×d（或稱為條狀）之RGB子畫素結構以依序且緊鄰地方式排列的習知畫素結構的顯示面板相比，包括畫素結構40的顯示面板可具有提升的解析度。
再者，前述實施例中，較佳地，第一子畫素區域100A中的第一電極圖案120A、第二子畫素區100B中的第二電極圖案120B與第三子畫素區100B中的第三電極圖案120C所分別連接之對應的薄膜電晶體是不同的，但不限於此。於其它實施例中，任二相鄰的第一子畫素區域100A中的第一電極圖案120A、第二子畫素區100B中的第二電極圖案120B與第三子畫素區100B中的第三電極圖案120C可連接於相同的薄膜電晶體。另外，薄膜電晶體的類型可為底閘型、頂閘型、或其它合適的類型。元件層110至少所包含的薄膜電晶體、電容器或其它合適的元件可分別位於對應的第一子畫素區域100A、第二子畫素區100B與第三子畫素區100C，但不限於此。於其它實施例中，元件層110所包含的薄膜電晶體、電容器或其它合適的元件也可僅位於三個子畫素區域100A~100C中的其中一者，或者也可位於三個子畫素區域100A~100C中的其中二者。此外，在前述各實施例中，各個子畫素結構（即第一子畫素結構U1、2U1、4U1、第二子畫素結構U2、2U2、4U2、或第三子畫素結構U3、2U3、4U3）、各個子畫素區域（即第一子畫素區域100A、第二子畫素區域100B或第三子畫素區域100C）、前述各子畫素區域的發光區、各個區域C1~C6與各區域C1~C6的次發光區其中至少一者的形狀（例如：垂直投影面積的形狀）係以矩形或類矩形為範例，但不限於此。於其它實施例中，前述各實施例的各個子畫素結構、各個子畫素區域、前述各子畫素區域的發光區、各個區域C1~C6與各區域C1~C6的次發光區其中至少一者的形狀（例如：垂直投影面積的形狀）也可為多邊形、弧形、具有曲率或彎折的形狀、或其它合適的形狀。
綜上所述，在本發明的畫素結構中，第一子畫素結構與第二子畫素結構沿一方向排列，且第三子畫素結構環繞第一子畫素結構與第二子畫素結構，藉此包括本發明的畫素結構的顯示面板的顯示品質可被提升。另外，在本發明的畫素結構中，設置有第一子畫素結構的第一子畫素區域與設置有第二子畫素結構的第二子畫素區域沿一方向排列，設置有第三子畫素結構的第三子畫素區域環繞第一子畫素區域與第二子畫素區域，且第一子畫素區域和第二子畫素區域的寬度d與第三子畫素區域中的第一矩形區域、第二矩形區域、第三矩形區域、第四矩形區域、第五矩形區域和第六矩形區域的寬度b滿足以下特定關係式：b＜0.25d，藉此包括本發明的畫素結構的顯示面板可具有提升的解析度。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
10、20、30、40‧‧‧畫素結構
100‧‧‧基板
100A‧‧‧第一子畫素區域
100B‧‧‧第二子畫素區域
100C‧‧‧第三子畫素區域
110‧‧‧元件層
120‧‧‧第一電極層
120A、120B、120C‧‧‧電極圖案
130‧‧‧第一發光層
132‧‧‧第二發光層
134、234、434‧‧‧第三發光層
140‧‧‧隔離層
150‧‧‧第二電極層
b、d、f‧‧‧寬度
C1、C2、C3、3C3、C4、3C4、C5、3C5、C6、3C6‧‧‧區域
D1、D2‧‧‧方向
V1、V2‧‧‧開口
U1、2U1、4U1‧‧‧第一子畫素結構
U2、2U2、4U2‧‧‧第二子畫素結構
U3、2U3、4U3‧‧‧第三子畫素結構
圖1是依照本發明的第一實施例的畫素結構的上視示意圖。 圖2是沿著圖1中的剖線A-A’的剖面示意圖。 圖3是依照本發明的第二實施例的畫素結構的上視示意圖。 圖4是沿著圖3中的剖線B-B’的剖面示意圖。 圖5是依照本發明的第三實施例的畫素結構的上視示意圖。 圖6是沿著圖5中的剖線C-C’的剖面示意圖。 圖7是依照本發明的第四實施例的畫素結構的上視示意圖。 圖8是沿著圖7中的剖線D-D’的剖面示意圖。
Claims (12)
- 一種畫素結構，包括： 一基板；以及 一第一子畫素結構、一第二子畫素結構及一第三子畫素結構，配置於該基板上，其中該第一子畫素結構與該第二子畫素結構沿一第一方向排列，且該第三子畫素結構環繞該第一子畫素結構與該第二子畫素結構。
- 如申請專利範圍第1項所述的畫素結構，其中該基板包括一第一子畫素區域、一第二子畫素區域以及一第三子畫素區域，其中該第一子畫素結構位於該第一子畫素區域中，該第二子畫素結構位於該第二子畫素區域中，且該第三子畫素結構位於該第三子畫素區域中。
- 如申請專利範圍第2項所述的畫素結構，其中該第一子畫素區域及該第二子畫素區域的形狀為矩形，該第三子畫素區域具有沿該第一方向延伸的一第一矩形區域和一第二矩形區域，以及沿一第二方向延伸的一第三矩形區域、一第四矩形區域、一第五矩形區域和一第六矩形區域，其中該第一方向與該第二方向相垂直，且該第三矩形區域、該第四矩形區域、該第五矩形區域和該第六矩形區域介於該第一矩形區域與該第二矩形區域之間。
- 如申請專利範圍第3項所述的畫素結構，其中該第一子畫素區域和該第二子畫素區域分別具有寬度d，該第一矩形區域、該第二矩形區域、該第三矩形區域、該第四矩形區域、該第五矩形區域和該第六矩形區域分別具有寬度b，且b＜0.25d。
- 如申請專利範圍第3項所述的畫素結構，其中： 該第一矩形區域、該第二矩形區域、該第三矩形區域和該第四矩形區域共同環繞該第一子畫素區域；以及 該第一矩形區域、該第二矩形區域、該第五矩形區域和該第六矩形區域共同環繞該第二子畫素區域。
- 如申請專利範圍第3項所述的畫素結構，其中該第三矩形區域和該第四矩形區域位於該第一子畫素區域的一側，該第五矩形區域和該第六矩形區域位於該第一子畫素區域的另一側，且該第一矩形區域、該第二矩形區域、該第三矩形區域、該第四矩形區域、該第五矩形區域和該第六矩形區域共同環繞該第一子畫素區域及該第二子畫素區域。
- 如申請專利範圍第3項所述的畫素結構，其中該第三矩形區域、該第四矩形區域、該第五矩形區域和該第六矩形區域分別連接該第一矩形區域與該第二矩形區域。
- 如申請專利範圍第2項所述的畫素結構，其中該第一子畫素結構包括一第一發光層，該第二子畫素結構包括一第二發光層，該第三子畫素結構包括一第三發光層。
- 如申請專利範圍第8項所述的畫素結構，其中該第三發光層更覆蓋該第一發光層及該第二發光層。
- 如申請專利範圍第8項所述的畫素結構，其中該第一發光層僅位於該第一子畫素區域中，該第二發光層僅位於該第二子畫素區域中，該第三發光層僅位於該第三子畫素區域中。
- 如申請專利範圍第8項所述的畫素結構，其中該第一發光層為紅色發光層，該第二發光層為綠色發光層，且該第三發光層為藍色發光層。
- 如申請專利範圍第1項所述的畫素結構，其中所述畫素結構的形狀為正方形。
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