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TW201839974A - 具有輔助電極的顯示裝置 - Google Patents

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TW201839974A
TW201839974A TW106146567A TW106146567A TW201839974A TW 201839974 A TW201839974 A TW 201839974A TW 106146567 A TW106146567 A TW 106146567A TW 106146567 A TW106146567 A TW 106146567A TW 201839974 A TW201839974 A TW 201839974A
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崔浩源
金惠淑
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南韓商樂金顯示科技股份有限公司
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Abstract

一種包含輔助電極的顯示裝置，用於避免因電壓下降所造成之亮度不均勻。顯示裝置還包括由層疊之絕緣層所形成的底切區域。在此顯示裝置中，由於改變輔助電極的形狀，底切區域被填料完全填充，從而提高了顯示影像的品質。此外，在此顯示裝置中，發光結構的上電極和輔助電極之間的接觸區域增加，從而提高了可靠性與集成度。

Description

具有輔助電極的顯示裝置
本發明係關於一種具有輔助電極的顯示裝置，用於避免因電壓下降所造成之亮度不均勻。
一般而言，電子用品，例如顯示器、電視、筆記型電腦及數位相機，包含有顯示裝置來實現影像。舉例來說，顯示裝置可包含液晶顯示裝置及/或有機發光顯示裝置。
顯示裝置可包含多個畫素區。每個畫素區可顯示與相鄰的畫素區不同的色彩。舉例來說，顯示裝置可包含用於顯示藍色的藍色畫素區、用於顯示紅色的紅色畫素區、用於顯示綠色的綠色畫素區、用於顯示白色的白色畫素區。
在顯示裝置中，發光結構可被設置於每個畫素區上。舉例來說，發光結構可包含依序層疊的下電極、發光層以及上電極。所述的上電極可以是共電極。舉例來說，在顯示裝置中，畫素區的上電極可連接至相鄰畫素區的上電極。
顯示裝置可包含輔助電極，用於避免因上電極的電壓下降所造成之不均勻亮度。舉例來說，輔助電極可沿著畫素區之間的一方向延伸。上電極可電性連接至輔助電極。顯示裝置可包含能夠將上電極與輔助電極連接在一起的結構。舉例來說，顯示裝置可包含設置於輔助電極上的絕緣層所形成之底切區域(under-cut region)。
然而，因為輔助電極上的絕緣層的垂直厚度不夠，填充於下基板與上基板之間的空間的填料可能無法適當地流入底切區域。因此，在顯示裝置中，未被填料所填充的部分所產生之空隙(void)可能會形成於底切區域中。在顯示裝置中，所述的空隙看起來像是一個點(spot)，因此顯示畫面的品質可能受到空隙的影響而降低。
在顯示裝置中，底切區域可被減少而避免未被填料所填充的部分所產生的空隙(void)。然而，當底切區域減少時，未被發光層所覆蓋的輔助電極的一部分亦會減少。因此，在顯示裝置中，發光結構的上電極與輔助電極之間的接觸區域可能減少，從而可能使電性連接(electrical connection)的可靠性降低。
有鑑於此，本發明提出一種顯示裝置，其包含輔助電極，用於避免電壓下降所造成之不均勻亮度，實質地解決因先前技術的限制與缺陷所導致的一或多個問題。
本發明的一目的係提供一種顯示裝置，可避免於輔助電極上的絕緣層所形成的底切區域中產生空隙(void)。
本發明的一目的係提供一種顯示裝置，可適當地保護上電極與輔助電極之間的接觸區域。
本發明的附加優點、目的和特徵將部分地在下列的描述中闡述，並且對於本領域的具有通常知識者來說，以下的描述將變得顯而易見，或者可以從實踐中獲悉披露。本發明的目的和其他優點可以通過在書面說明書和申請專利範圍以及附圖中特別指出的結構來實現和獲得。
為了實現這些目的和其它優點，並且根據本發明的目的，如本文所體現和廣泛描述的，提供了一種顯示裝置，其包含在下基板上的基底絕緣層。基底絕緣層包含基底穿孔。下絕緣層設置於基底絕緣層上。下絕緣層包含與基底穿孔重疊的下穿孔。上絕緣層設置於下絕緣層上。上絕緣層包含沿伸至下穿孔上的突出區域。基底絕緣層包含與上絕緣層的突出區域重疊的第一側表面。輔助電極設置於下基板上的基底穿孔內。輔助電極沿伸至基底絕緣層的第一側表面上。
設置靠近於基底絕緣層的第一側表面的輔助電極之端部可設置於基底絕緣層與下絕緣層之間。
上絕緣層更可包含暴露基底絕緣層的第二側表面的上穿孔。
輔助電極可沿伸至基底絕緣層的第二側表面上。
薄膜電晶體可設置於下基板上。薄膜電晶體可與輔助電極相隔一段距離。下鈍化層可設置於薄膜電晶體上。發光結構可設置於下鈍化層上。發光結構可包含依序層疊的下電極、發光層及上電極。下電極可連接至薄膜電晶體。上電極可連接至輔助電極。下絕緣層可包含與下鈍化層相同的材料。
堤絕緣層(bank insulating layer)可設置於下絕緣層上。堤絕緣層可覆蓋下電極的邊緣。上絕緣層可包含與堤絕緣層相同的材料。
薄膜電晶體可包含半導體圖形、閘極絕緣層、閘極電極、源極電極與汲極電極。輔助電極可包含與源極電極以及汲極電極相同的材料。
薄膜電晶體更可包含介於閘極電極與源極/汲極電極之間的層間絕緣層。基底絕緣層可包含與層間絕緣層相同的材料。
於本發明的另一面向中，顯示裝置包含下基板上的基底絕緣層。基底絕緣層包含基底穿孔。輔助電極設置於下基板與基底絕緣層上。輔助電極包含設置於基底絕緣層的基底穿孔內的第一電極區以及第二電極區。下絕緣層設置於基底絕緣層上。下絕緣層包含與基底穿孔重疊的下穿孔。上絕緣層設置於下絕緣層上。上絕緣層包含與輔助電極的第一電極區重疊的突出區域，以及與輔助電極的第二電極區重疊的上穿孔。
輔助電極的第一電極區與上絕緣層的突出區域之間的垂直距離可大於下絕緣層的垂直厚度。
基底絕緣層可包含第一基底絕緣層與第二基底絕緣層。第一基底絕緣層可設置靠近於下基板。第二基底絕緣層可設置於第一基底絕緣層與下絕緣層之間。第二基底絕緣層可包含第二穿孔。第二穿孔可與第一穿孔重疊。
第一基底穿孔的大小可小於第二基底穿孔的大小。
薄膜電晶體可設置於下基板上。薄膜電晶體可與輔助電極相隔一段距離。緩衝層可設置於下基板與薄膜電晶體之間。第一基底絕緣層可包含與緩衝層相同的材料。
薄膜電晶體可包含閘極電極、閘極絕緣層、半導體圖形、源極電極及汲極電極。第二基底絕緣層可包含與閘極絕緣層相同的材料。
發光結構可設置於下基板上。發光結構可包含下電極、發光結構及上電極。基底絕緣層可包含第一側表面與第二側表面。第一側表面可設置靠近於輔助電極的第一電極區。第二側表面可設置靠近於輔助電極的第二電極區。
於本發明的再另一面向中，顯示裝置包含下基板上的輔助電極。下絕緣層可設置於下基板上。下絕緣層包含暴露輔助電極的下穿孔。上絕緣層設置於下絕緣層上。上絕緣層包含覆蓋輔助電極之一部份的突出區域。基底絕緣層設置於下基板與下絕緣層之間。基底絕緣層包含與上絕緣層的突出區域重疊的第一側表面，以及被上絕緣層所暴露的第二側表面。輔助電極延伸至基底絕緣層的第一側表面與第二側表面上。
基底絕緣層的第一側表面與第二側表面可重疊下絕緣層的下穿孔。
輔助電極的端部可設置於基底絕緣層與下絕緣層之間。
上絕緣層可包含第一上絕緣層與第二上絕緣層。第一上絕緣層可設置於下絕緣層與第二上絕緣層之間。與輔助電極重疊的第一上絕緣層的一側可與第二上絕緣層的一側具有不同形狀。
與輔助電極重疊的第一上絕緣層的一側可以係為漸縮(negatively tapered)。
實施例亦與顯示裝置相關。顯示裝置包含具有第一開口與輔助電極的第一基底絕緣層。輔助電極包含朝第一方向延伸的第一部份以及朝第二方向延伸的第二部份，其中第二方向與第一方向相交。第二部份設置於第一基底絕緣層內的第一開口的側表面上。顯示裝置也包含覆蓋輔助電極的第二部份與輔助電極的第一部份的至少一部分的第一上絕緣層。第一上絕緣層朝第一方向突出。顯示裝置也包含發光結構，其包含有上電極。上電極的至少一部份與輔助電極的第二部份接觸。
於一實施例中，顯示裝置包含第一基底絕緣層上的下絕緣層。下絕緣層具有第二開口，且上電極與下絕緣層內的第二開口的側表面接觸。輔助電極可包含朝第一方向延伸且設置於下絕緣層與第一基底絕緣層之間的第三部份。
於一實施例中，輔助電極包含朝第一基底絕緣層內的第一開口的另一側表面上的第二方向延伸的第三部份。
於一實施例中，發光結構包含與輔助電極的第三部份接觸的發光層。
於一實施例中，朝輔助電極的第一部份與第一上絕緣層之間的第二方向的垂直距離大於第一基底絕緣層的厚度。
於一實施例中，顯示裝置更包含緩衝層以及緩衝層上的薄膜電晶體(TFT)。薄膜電晶體電性連接發光結構。第一基底絕緣層可與緩衝層位於同一層，且輔助電極的第一部份可與緩衝層形成於其上的基板接觸。
於一實施例中，顯示裝置更包含第一基底絕緣層上的第二基底絕緣層。第二基底絕緣層具有第二開口。輔助電極可包含朝第二基底絕緣層內的第二開口的側表面上的第二方向延伸的第三部份。
於一實施例中，上電極與輔助電極的第三部份接觸。
於一實施例中，薄膜電晶體包含汲極電極、半導體層以及介於汲極電極與半導體層之間的層間絕緣層。第二基底絕緣層可與薄膜電晶體的層間絕緣層位於同一層。
於一實施例中，薄膜電晶體包含閘極絕緣層且第二基底絕緣層可與薄膜電晶體的閘極絕緣層位於同一層。
於一實施例中，顯示裝置更包含緩衝層以及與發光結構電性連接的緩衝層上的薄膜電晶體(TFT)。第一基底絕緣層位於緩衝層上，且輔助電極的第一部份可與緩衝層接觸。
於一實施例中，薄膜電晶體包含汲極電極、半導體層以及介於汲極電極與半導體層之間的層間絕緣層。第一基底絕緣層可與薄膜電晶體的層間絕緣層位於同一層。
於一實施例中，薄膜電晶體包含閘極絕緣層且第一基底絕緣層與閘極絕緣層位於同一層。
於一實施例中，顯示裝置更包含第一基底絕緣層上的第二基底絕緣層。第二基底絕緣層具有第二開口。輔助電極可包含朝第二基底絕緣層內的第二開口的側表面上的第二方向延伸的第三部份。
於一實施例中，上電極與輔助電極的第三部份接觸。
於一實施例中，顯示裝置更包含位於第一上絕緣層上的第二上絕緣層，第二上絕緣層覆蓋輔助電極的第二部份且覆蓋輔助電極的第一部份的一部分。第二上絕緣層朝第一方向突出。
於一實施例中，與輔助電極的第一部份相距第一距離的第一開口的第一寬度大於與輔助電極的第一部份相距第二距離的第一開口的第二寬度，其中第一距離大於第二距離。
應當理解的是本發明的前述所及之一般描述和以下詳細描述都是屬於示例性和說明性，並且旨在提供對所要求保護的本發明的進一步說明。
下面參照附圖說明本發明實施例的上述目的，技術結構和操作效果的細節，通過下面的詳細描述可以清楚地理解本發明的實施例。這裡提供了本發明的實施例，以使得本發明的技術精神能夠滿意地轉移給本領域之技術人員，因此本發明可以以其他形式實施，並不限於如下面所描述的這些實施例。
此外，在整個說明書中，相同或非常相似的元件可以由相同的附圖標記表示，並且在附圖中，為了方便起見，層和區域的長度和厚度可能被誇大。應當理解，當第一元件被描述為在第二元件“上(on)”時，儘管第一元件可以設置在第二元件上以便與第二元件接觸，但是可以插入第三元件於第一元件和第二元件之間。
於此，可以使用例如“第一”和“第二”這樣的術語來將任何一個元素與另一元素區分開。然而，根據本領域技術人員的方便，第一元件和第二元件可以是任意命名的，而不脫離本發明的技術要點。
僅為了描述特定實施例而使用本發明的說明書中使用的術語，並不意圖限制本發明的範圍。例如，除非上下文另有明確指出，以單數形式描述的元件係旨在包括多個元件。此外，在本發明的說明書中，可理解到，術語“包括(includes)”和“包含(comprises)”指定所述特徵、整體、步驟、操作、元件、組件和/或其組合的存在，但是不排除存在或添加一個或多個其他特徵、整體、步驟、操作、元件、組件和/或組合。
除非另有定義，本文使用的所有術語(包括技術和科學術語)具有與本實施例屬於本領域普通技術人員通常理解的相同的含義。還將進一步理解，諸如在通常使用的字典中定義的術語應被解釋為具有與其在相關領域的背景下的含義一致的含義，並且不應以理想化或過度形式的意義來解釋，除非明確如此定義。
(實施例)
圖1係依據本發明之一實施例所繪示的顯示裝置的平面示意圖。圖2係依據本發明之一實施例所繪示的圖1依據剖切線I-I’的剖面圖。圖3係依據本發明之一實施例所繪示的圖2中的區域P的放大視圖。
請一併參照圖1至圖3，依據本發明之一實施例揭露一種顯示裝置，可包含下基板100、薄膜電晶體Tr1與Tr2、發光結構300、輔助電極500、上基板600及填料700。
下基板100可支撐薄膜電晶體Tr1與Tr2、發光結構300及輔助電極500。下基板100可包含絕緣材料。舉例來說，下基板100可包含玻璃或塑膠。
閘極線GL、資料線DL及電源供應線PL可設置於下基板100上。閘極線GL可沿著一方向延伸。資料線DL可與閘極線GL相交。資料線DL可設置於相異於閘極線GL的層。電源供應線PL可平行於閘極線GL或資料線DL。舉例來說，電源供應線PL可與閘極線GL相交。電源供應線PL可與資料線DL設置於同一層。
閘極線GL、資料線DL及電源供應線PL可定義一畫素區域PA。舉例來說，畫素區域PA可以被閘極線GL、資料線DL及電源供應線PL所圍繞。用於控制發光結構500的電路可設置於所述的畫素區域。舉例來說，選擇薄膜電晶體Tr1、驅動薄膜電晶體Tr2及儲存電容Cst可設置於畫素區域PA內。
選擇薄膜電晶體Tr1可依據施加於閘極線GL的閘極訊號來開啟/關閉驅動薄膜電晶體Tr2。驅動薄膜電晶體Tr2可依據選擇薄膜電晶體Tr1的訊號來提供驅動電流至對應的發光結構300。儲存電容Cst可維持施加於驅動薄膜電晶體Tr2的選擇薄膜電晶體Tr1的訊號一預定時間。
驅動薄膜電晶體Tr2的結構可與選擇薄膜電晶體Tr1的結構相同。舉例來說，驅動薄膜電晶體Tr2可包含半導體圖形210、閘極絕緣層220、閘極電極230、層間絕緣層240、源極電極250及汲極電極260。
半導體圖形210可設置靠近於下基板100。半導體圖形210可包含半導體材料。舉例來說，半導體圖形210可包含非晶矽(amorphous silicon)或多晶矽(polycrystalline silicon)。半導體圖形210可包含氧化半導體材料。舉例來說，半導體圖形210可包含氧化銦鎵鋅(IGZO)。
半導體圖形210可包含源極區、汲極區與通道區。通道區可設置於源極區與汲極區之間。通道區的導電率(conductivity)可低於源極區與汲極區的導電率。舉例來說，源極區與汲極區可能包含導電雜質(conductive impurity)。
依據本發明之一實施例的顯示裝置更可包含介於下基板100與半導體圖形210之間的緩衝層110。緩衝層110可延伸至半導體圖形210的外部。舉例來說，緩衝層110可完全覆蓋下基板100一表面。緩衝層110可包含絕緣材料。舉例來說，緩衝層110可包含矽氧化物(silicon oxide)。
閘極絕緣層220可設置於半導體圖形210上。閘極絕緣層220可包含絕緣材料。舉例來說，閘極絕緣層220可包含矽氧化物(silicon oxide)及/或矽氮化物(silicon nitride)。閘極絕緣層220可以係為多層結構。閘極絕緣層220可包含高介電(High-K)材料。舉例來說，閘極絕緣層220可包含二氣化鉿(hafnium oxide，HfO)或是二氧化鈦(titaniumoxide，TiO)。
閘極電極230可設置於閘極絕緣層220上。閘極電極230可與半導體圖形210的通道區重疊。閘極電極230可透過閘極絕緣層220與半導體圖形210絕緣。舉例來說，閘極電極230可包含一側邊，所述的側邊垂直地對齊於閘極絕緣層220的側邊。閘極絕緣層220的側邊可與閘極電極230的側邊相連。
閘極電極230可包含導電材料。舉例來說，閘極電極230可包含金屬，例如鋁(Al)、鉻(Cr)、銅(Cu)、鈦(Ti)、鉬(Mo)及鎢(W)。閘極電極230可以係為多層結構。閘極線GL可包含與閘極電極230相同的材料。閘極電極230可設置於一層以做為閘極線GL。舉例來說，閘極線GL的結構可以與閘極電極230的結構相同。
層間絕緣層240可設置於半導體圖形210與閘極電極230上。層間絕緣層240可延伸至半導體圖形210的外部。舉例來說，層間絕緣層240可直接地與半導體圖形210外部的緩衝層110接觸。層間絕緣層240可包含絕緣材料。舉例來說，層間絕緣層240可包含氧化矽(silicon oxide)。
源極電極250與汲極電極260可設置於層間絕緣層240上。源極電極250可電性連接半導體圖形210的源極區。汲極電極260可電性連接半導體圖形210的汲極區。舉例來說，層間絕緣層240可包含層間接觸孔，所述的層間接觸孔暴露半導體圖形210的源極區與汲極區。汲極電極260與源極電極250相距一段距離。
源極電極250與汲極電極260可包含導電材料。舉例來說，源極電極250與汲極電極260可包含金屬，例如鋁(Al)、鉻(Cr)、銅(Cu)、鈦(Ti)、鉬(Mo)及鎢(W)。汲極電極260可包含與源極電極250相同的材料。源極電極250可以係為多層結構。汲極電極260的結構可與源極電極250的結構相同。舉例來說，汲極電極260可以係為多層結構。
資料線DL與電源供應線PL可包含與源極電極250及汲極電極260相同的材料。舉例來說，源極電極250與汲極電極260可設置於一層以做為資料線DL及電源供應線PL。資料線DL與電源供應線PL可設置於層間絕緣層240上。資料線DL的結構與電源供應線PL的結構可與源極電極250的結構及汲極電極260的結構相同。舉例來說，資料線DL與電源供應線PL可以係為多層結構。
依據本發明之一實施例的顯示裝置更可包含薄膜電晶體Tr1與Tr2上的下鈍化層13。下鈍化層130可避免外面的濕氣與外部碰撞所造成之薄膜電晶體Tr1與Tr2的損壞。下鈍化層130可延伸至源極電極250與汲極電極260的外部。下鈍化層130可包含絕緣層。舉例來說，下鈍化層130可包含氧化矽(silicon oxide)及/或氮化矽(silicon nitride)。下鈍化層130可以係為多層結構。
依據本發明之一實施例的顯示裝置更可包含下鈍化層130上的外塗層(over-coat layer)140。外塗層140可移除薄膜電晶體Tr1與Tr2所導致的厚度差異。舉例來說，相對於下基板100的外塗層140的上表面可以係為一平坦表面。外塗層140的上表面可以平行於下基板100的表面。外塗層140可包含絕緣材料。舉例來說，外塗層140可包含有機絕緣材料。
發光結構300可實現特定的顏色。舉例來說，發光結構300可包含依序層疊的下電極310、發光層320以及上電極330。
發光結構300可受控於對應電路的薄膜電晶體Tr1與Tr2。舉例來說，發光結構300的下電極310可電性連接對應的驅動薄膜電晶體Tr2。發光結構300可設置於外塗層140上。舉例來說，下鈍化層130與外塗層140可包含暴露對應的驅動薄膜電晶體Tr2的汲極電極260的第一接觸孔130h與第二接觸孔140h。下電極310可通過第一接觸孔130h與第二接觸孔140h電性連接對應的驅動薄膜電晶體Tr2的汲極電極260。
下電極310可包含導電材料。下電極310可包含高反射材料。舉例來說，下電極310可包含金屬，例如鋁(Al)與銀(Ag)。下電極310可以係為多層結構。舉例來說，下電極310可以係為包含具有高反射材料的反射電極的一結構，所述反射電極具有介於透明電極之間的高反射材料，透明電極例如是氧化銦錫(ITO)與銦鋅氧化物(IZO)。
發光層320可產生光線，其亮度對應於下電極310與上電極330之間的電壓差異。舉例來說，發光層320可包含具有發光材料的發光材料層(emission material layer, EML)。發光材料可以係為有機發光材料、無機發光材料及/或混合發光材料(hybrid light-emitting material)。舉例來說，依據本發明之一實施例的顯示裝置可以是包含有機發光材料的發光層320的有機發光顯示裝置。
發光層320可以係為多層結構。舉例來說，發光層320可更進一步包含電洞注入層(hole injection layer，HIL)、電洞傳輸層(hole transporting layer，HTL)、電子傳輸層(electron transporting layer，ETL)與電子注入層(electron injection layer，EIL)至少其中之一。
上電極330可包含導電材料。上電極330的結構與下電極310的結構可以不同。舉例來說，上電極330可以係為透明電極。因此，依據本發明之一實施例的顯示裝置，發光層320所產生的光可以通過上電極330而發出。
依據本發明之一實施例的顯示裝置，位於相鄰的畫素區域內的PA發光結構300可被各別地控制。舉例來說，依據本發明之一實施例的顯示裝置更可包含堤絕緣層150，用於隔絕發光結構300的下電極310與相鄰畫素區域PA上的發光結構300的下電極310。堤絕緣層150可覆蓋下電極310的邊緣。發光層320與上電極330可依序地層疊在暴露於堤絕緣層150的下電極310的表面。堤絕緣層150可包含絕緣材料。舉例來說，堤絕緣層150可包含有機絕緣材料。堤絕緣層150可直接地與位於下電極310邊界外的外塗層140接觸。堤絕緣層150可包含與外塗層140不同的材料。
輔助電極500可設置於下基板100上。輔助電極500可設置於畫素區域PA之外。舉例來說，輔助電極500可設置於資料線DL的外部。薄膜電晶體Tr1與Tr2以及儲存電容Cst可與輔助電極500相距一段距離。輔助電極500可沿第一方向延伸。舉例來說，輔助電極500與資料線DL平行。
依據本發明之一實施例的顯示裝置係被描述為輔助電極500係呈線形狀(line-shape)，沿著相鄰畫素區域PA之間的一方向延伸。然而，依據本發明之另一實施例的顯示裝置可包含圍繞著畫素區域PA的輔助電極500。舉例來說，依據本發明之另一實施例的顯示裝置，輔助電極500可以係呈現網格形狀(mesh shape)。
輔助電極500可包含導電材料。舉例來說，輔助電極500可包含金屬，例如鋁(Al)、鉻(Cr)、銅(Cu)、鈦(Ti)、鉬(Mo)及鎢(W)。輔助電極500可以係為多層結構。
輔助電極500可包含與組成薄膜電晶體Tr1與Tr2的導電層其中之一相同的材料。舉例來說，輔助電極500所包含的材料可與源極電極250與汲極電極260的材料相同。輔助電極500的結構可與源極電極250與汲極電極260的結構相同。舉例來說，輔助電極500可與源極電極250與汲極電極260同時間形成。
依據本發明之一實施例的顯示裝置更可包含介於下基板100與輔助電極500之間的基底絕緣層420。舉例來說，基底絕緣層420可設置於緩衝層110與輔助電極500之間。基底絕緣層420可包含絕緣材料。舉例來說，基底絕緣層420所包含的材料可與介於下基板100及源極/汲極電極250與260之間的多個絕緣層之一的材料相同。舉例來說，基底絕緣層420所包含的材料可與層間絕緣層240的材料相同。
基底絕緣層420可包含與輔助電極500重疊的基底穿孔420h。輔助電極500可包含設置於基底絕緣層420的基底穿孔420h內的第一電極區501與第二電極區502。舉例來說，輔助電極500的第一電極區501與第二電極區502可與緩衝層110直接地接觸。輔助電極500可延伸至基底絕緣層420的側表面421S與422S。舉例來說，輔助電極500的端部可設置於基底絕緣層420的上表面。如圖2與圖3所示，輔助電極500包含至少朝第一方向(例如水平方向)延伸的第一部份510，以及於基底絕緣層420內的第一開口的側表面421S上朝第二方向(例如水平方向)延伸的第二部份512，所述的第二方向與第一方向相交。如同上述，輔助電極500更可包含朝第一方向延伸且設置於下絕緣層430與基底絕緣層420之間的第三部份514。且如同上述，輔助電極500可包含於基底絕緣層420內的開口之側表面422S上朝第二方向延伸的第四部份516。於一實施例中，與輔助電極500的第一部份510相距第一距離的基底穿孔420h的第一寬度可大於與輔助電極500的第一部份510相距第二距離的基底穿孔420h的第二寬度。其中，第一距離大於第二距離。如圖2與圖3所示，輔助電極500的第一部份510的至少一部份可與緩衝層110接觸。然而，如同下列詳述，於其他實施例中，輔助電極500的第一部份510可不與緩衝層110接觸，而是與基板100接觸。
依據本發明之一實施例的顯示裝置更可包含位於基底絕緣層420之上的下絕緣層430以及輔助電極500。下絕緣層430可暴露輔助電極500的第一電極區501與第二電極區502。舉例來說，下絕緣層430可包含與基底絕緣層420的基底穿孔420h重疊的下穿孔430h。輔助電極500的端部可設置於基底絕緣層420與下絕緣層430之間。舉例來說，下絕緣層430可覆蓋輔助電極500的邊緣。設置於基底穿孔420h之側表面421S與422S的輔助電極500可通過下穿孔430h暴露出來。
依據本發明之一實施例的顯示裝置更可包含位於下絕緣層430之上的中間絕緣層440。中間絕緣層440可暴露輔助電極500的第一電極區501與第二電極區502。舉例來說，中間絕緣層440可包含與下穿孔430h重疊的中間穿孔440h。中間穿孔440h的大小可大於下穿孔430h的大小。舉例來說，與輔助電極500重疊的下絕緣層430的側表面431S與432S可重疊於中間穿孔440h。
依據本發明之一實施例的顯示裝置更可包含位於中間絕緣層440之上的上絕緣層450。上絕緣層450可部份暴露輔助電極500。舉例來說，上絕緣層450可包含與輔助電極500的第二電極區502重疊的上穿孔450h。輔助電極500的第一電極區501可被上絕緣層450所覆蓋。舉例來說，上絕緣層450可包含與輔助電極500的第一電極區501重疊的突出區域450p。下絕緣層430、中間絕緣層440以及上絕緣層450可形成底切區域UC。上絕緣層450可設置於基底絕緣層420的側表面421S上的輔助電極500的第二部份512之上，且設置於輔助電極500的第一部份510的至少一部份之上。上絕緣層450的突出區域450p可朝第一方向(例如水平方向)突出。
上絕緣層450的突出區域450p可延伸至下穿孔430h。突出區域450p可延伸至中間穿孔440h的內部。舉例來說，面向下基板100的突出區域450p之下表面450bs可與面向中間絕緣層440的下絕緣層430之上表面共平面。底切區域UC可被下絕緣層430與上絕緣層450形成。
下絕緣層430可包含由突出區域450p所覆蓋的第一側表面431S，以及被上穿孔450h所暴露的第二側表面432S。下絕緣層430的第一側表面431S可設置靠近於輔助電極500的第一電極區501。下絕緣層430的第二側表面432S可設置靠近於輔助電極500的第二電極區502。
基底絕緣層420可包含被設置靠近於下絕緣層430的第一側表面431S的第一側表面421S，以及被設置靠近於下絕緣層430的第二側表面432S的第二側表面422S。基底絕緣層420的第一側表面421S可與上絕緣層450的突出區域450p重疊。基底絕緣層420的第二側表面422S可與上絕緣層450的上穿孔450h重疊。輔助電極500可延伸至基底絕緣層420的第一側表面421S與第二側表面422S。
底切區域UC可設置於輔助電極500的第一電極區501與上絕緣層450的突出區域450p之間。底切區域UC可與基底穿孔420h重疊。輔助電極500的第一電極區501與上絕緣層450的突出區域450p之間的垂直距離可大於下絕緣層420的垂直厚度。
依據本發明之一實施例的顯示裝置，發光層320可延伸至堤絕緣層150。發光層320可通過下穿孔430h、中間穿孔440h及上穿孔450h延伸至輔助電極500。舉例來說，下絕緣層430、中間絕緣層440及上絕緣層450各別包含的材料可與介於薄膜電晶體Tr1與Tr2以及發光結構300之間的多個絕緣層之一相同。舉例來說，下絕緣層430包含的材料可與下鈍化層130的材料相同。舉例來說，中間絕緣層440所包含的材料可與外塗層140的材料相同。舉例來說，上絕緣層450所包含的材料可與堤絕緣層150的材料相同。
發光層320可延伸至與輔助電極500重疊的上絕緣層450的一側。發光層320可延伸至上絕緣層450的上穿孔450h所暴露的下絕緣層430的第二側表面432S。發光層320可覆蓋基底絕緣層420的第二側表面422S上的輔助電極500。換句話說，發光層320得至少一部分可接觸設置於基底絕緣層420之側表面422S的輔助電極500的第四部份。與上穿孔450h重疊的輔助電極500的第二電極區502可被發光層320覆蓋。
發光層320可藉由具有相對較低的階梯覆蓋(step coverage)。舉例來說，形成發光層320的步驟可包含熱蒸發過程(thermal evaporation process)。發光層320可被底切區域UC截斷。舉例來說，發光層320可暴露突出區域450p的下表面450bs。下絕緣層430的第一側表面431S可不與發光層320接觸。位於基底絕緣層420的第一側表面421S上的輔助電極500可不被發光層320所覆蓋。發光層320可不形成於輔助電極500的第一電極區501的表面。且自發光層320的第一部份320A延伸之發光層320的至少第二部份320B的上電極330可與基板100上的輔助電極500之第一部份510接觸。在一實施例中，發光層320的第二部份320B沿著堤絕緣層150的上表面自發光層320的第一部份320A延伸。
在本發明之一實施例的顯示裝置中，上電極330可沿發光層320延伸。因此，上電極330至少一部份可設置於與輔助電極500的第一部份510接觸的發光層320之第二部份上。上電極330具有相對較高的階梯覆蓋(step coverage)。舉例來說，形成上電極330的步驟可包含濺鍍製程(sputtering process)。上電極330可延伸至發光層320所暴露的一部分。舉例來說，上電極330可延伸至突出區域450p的下表面450bs。下絕緣層430的第一側表面431S可被上電極330覆蓋。因此，上電極330的至少一部分可與下絕緣層430的一側表面431S接觸。上電極330可直接與基底絕緣層420的第一側表面421S上的輔助電極500接觸。因此，自與發光層320重疊的上電極330的第一部份330A延伸的上電極330的至少第二部份330B可與位於基底絕緣層420的一側表面421S上的輔助電極500的第二部份512接觸。在一實施例中，上電極330的第二部份330B沿著堤絕緣層150的上表面自上電極330的第一部份330A延伸。上電極330可形成於輔助電極500的第一電極區501的表面。因此，上電極330的至少一部份可與輔助電極500的第一部份510接觸。
依據本發明之一實施例的顯示裝置，輔助電極500可延伸至設置於輔助電極500下方的基底絕緣層420的基底穿孔420h的內部，且位於輔助電極500上的絕緣層450可包含與基底絕緣層420的第一側表面421S重疊的突出區域450p。因此，在本發明之一實施例的顯示裝置中，上電極330可直接地接觸被上絕緣層450的突出區域450p所重疊的輔助電極500的第一電極區 501，以及接觸基底絕緣層 420的第一側表面421S上的輔助電極500。因此，在本發明之一實施例的顯示裝置中，可以增加介於上電極330與輔助電極500之間的接觸區域。
此外，在本發明之一實施例的顯示裝置中，上電極330與輔助電極500之間的接觸區域可以與基底絕緣層420的第一側表面421S的距離成正比。因此，在本發明之一實施例的顯示裝置中，上電極330與輔助電極500之間的接觸區域可以充分地被確保，且輔助電極500的水平距離可以減少。也就是說，本發明之一實施例的顯示裝置可藉由上電極300與輔助電極500之間穩定的連接來減少輔助電極500的水平距離。因此，在本發明之一實施例的顯示裝置中，可以改善集成度。
上基板600可相對於下基板100。舉例來說，上基板600可設置於發光結構300上。上基板600可包含絕緣材料。上基板600可包含透明材料。舉例來說，上基板可包含玻璃或塑膠。
填料700可以被設置於下基板100與上基板600之間。舉例來說，發光結構300的上電極330與上基板600之間的空間可以填入填料700。填料700可通過上絕緣層450的上穿孔450h流入底切區域UC。
在本發明之一實施例的顯示裝置依據，輔助電極500可包含設置於基底絕緣層420之基底穿孔420h內的第一電極區501與第二電極區502。因此，在本發明之一實施例的顯示裝置中，由於下絕緣層430與上絕緣層450，底切區域UC的垂直距離可以增加。也就是說，在本發明之一實施例的顯示裝置中，填料700可平順地流入底切區域UC的內部。因此，在本發明之之一實施例的顯示裝置中，於底切區域UC內未填入填料700所導致的空隙(void)的產生可以避免。
填料700可包含絕緣材料。填料700可包含透明材料。填料700可包含可固化材料。舉例來說，填料700可包含熱固性樹脂。
顯示裝置依據本發明之一實施例被描述為發光結構300與填料700直接地接觸。然而，本發明之另一實施例的顯示裝置更可包含位於發光結構300上的上鈍化層(upper passivation layer)。上鈍化層可避免發光結構300受到外部濕氣與碰撞的影響。上鈍化層可包含絕緣材料。舉例來說，上鈍化層可以係為層疊包含有機材料的有機層及包含無機材料的無機層的結構。
從而，由於輔助電極500的形狀可因介於下基板100與輔助電極500之間的基底絕緣層420的基底穿孔420h而被改變，本發明之一實施例的顯示裝置可以避免未填入填料700的部份所導致的空隙(void)的產生。因此，在本發明之一實施例的顯示裝置中，可以改善顯示影像的品質且可以有效確保上電極330與輔助電極500之間的接觸區域。因此，在本發明之一實施例的顯示裝置中，電性連接的可靠性可以被改善，且集成度可以被提升。
依據本發明之一實施例的顯示裝置被描述為介於緩衝層110與輔助電極500之間的基底絕緣層420可以係為單一層。然而，本發明之另一實施例的顯示裝置可包含多層結構的基底絕緣層420。舉例來說，在本發明之另一實施例的顯示裝置中，介於下基板100與輔助電極500之間的基底絕緣層420可包含依序層疊的第一基底絕緣層421與第二基底絕緣層422，如圖4所示。第一基底絕緣層421可被設置靠近於下基板100。舉例來說，第一基底絕緣層421的材料可與緩衝層110的材料相同。作為另一例子，第一基底絕緣層421可與緩衝層110形成於同一層。第二基底絕緣層422可設置於第一基底絕緣層421與輔助電極500之間。舉例來說，第二基底絕緣層422所包含的材料可與層間絕緣層240的材料相同。作為另一例子，第二基底絕緣層422可與層間絕緣層240形成於同一層。基底絕緣層420的基底穿孔420h可穿透第一基底絕緣層421與第二基底絕緣層422。舉例來說，第一基底絕緣層421可包含第一基底穿孔421h。第二基底絕緣層422可包含與第一基底穿孔421h重疊的第二基底穿孔422h。輔助電極500的端部可被設置於第二基底絕緣層422與下絕緣層430之間。輔助電極500可延伸至第一基底穿孔421h及第二基底穿孔422h。輔助電極500可直接接觸第一基底穿孔421h內的下基板100。換句話說，輔助電極500可包含於第一基底絕緣層421內的開口之一側表面及第二基底絕緣層422內的開口之一側表面上朝第二方向(例如垂直方向)延伸的一部分。因此，在本發明之另一實施例的顯示裝置中，可以充分地確保填料700流入底切區域UC的通道，且可以增加上電極330與輔助電極500之間的接觸區域。
本發明之另一實施例的顯示裝置被描述為第一基底絕緣層421包含一側，其與第二基底絕緣層422的一側連續形成於輔助電極500上。然而，在本發明之再一實施例的顯示裝置中，與輔助電極500重疊的第一基底絕緣層421的一側與第二基底絕緣層422的一側不連續。舉例來說，在本發明之再另一實施例的顯示裝置中，第一基底穿孔421h的大小可以小於第二基底穿孔422h的大小，如圖5所示。第二基底絕緣層422的第二基底穿孔422h可暴露與輔助電極500重疊的第一絕緣層421的一側。因此，於本發明之再另一實施例的顯示裝置中，未被填料所填充的部分所導致的空隙(void)的產生可以被避免，且上電極330可以穩定地連接至輔助電極500。
本發明之另一實施例的顯示裝置被描述為輔助電極500直接地接觸位於多層結構的基底絕緣層420之基底穿孔420h內的下基板100。然而，在本發明之再一實施例的顯示裝置中，緩衝層110可於多層結構的基底絕緣層420與下基板110之間延伸，以及可於下基板110與輔助電極500之間延伸，如圖6所示。舉例來說，第一基底絕緣層421所包含的材料可與介於半導體圖形210與閘極電極230之間的閘極絕緣層220的材料相同。作為另一個例子，第一基底絕緣層421可與閘極絕緣層220形成於同一層。因此，在本發明之再一實施例的顯示裝置中，顯示畫面的品質、可靠度以及集成度可以被有效地改善。
依據本發明之一實施例的顯示裝置被描述為基底絕緣層係為班一層，所包含的材料與層間絕緣層240的材料相同。然而，在本發明之另一實施例的顯示裝置中，層間絕緣層240可不在下基板100與輔助電極500之間延伸。舉例來說，在本發明之另一實施例的顯示裝置中，設置於下基板100與輔助電極500之間的單一層的基底絕緣層420所包含的材料可與緩衝層110相同，如圖7所示。作為另一例子，基底絕緣層420可與緩衝層110形成於同一層。因此，在本發明之另一實施例的顯示裝置中，填料700的流通道及上電極330與輔助電極500之間的接觸區域可以充分地被確保。
本發明之一實施例的顯示裝置被描述為薄膜電晶體Tr1與Tr2包含介於閘極電極230和源極/汲極電極250與260之間的層間絕緣層240。然而，在本發明之另一實施例的顯示裝置中，薄膜電晶體Tr1與Tr2可包含設置靠近於下基板100的閘極電極810、位於閘極電極810上的閘極絕緣層820、位於閘極絕緣層820上的半導體圖形830、位於半導體圖形830之端部上的源極電極840，以及位於半導體圖形830之另一端部上的汲極電極850，如圖8所示。因此，在本發明之另一實施例的顯示裝置中，設置於下基板100與輔助電極500之間的多層結構的基底絕緣層420可包含具有與緩衝層110相同材料的第一基底絕緣層421及具有與閘極絕緣層820相同材料的第二基底絕緣層422。作為另一例子，第一基底絕緣層421可與緩衝層110形成於同一層，且第二基底絕緣層422可與閘極絕緣層820形成於同一層。第二基底絕緣層的第二基底穿孔422h可暴露與輔助電極500重疊的第一基底絕緣層421的一側。舉例來說，第二基底絕緣層422的第二基底穿孔422h與第一基底絕緣層421的第一基底穿孔421h形成一階梯。且輔助電極500可包含在第一基底絕緣層421內的開口之側表面與第二基底絕緣層422內的開口之側表面上朝第二方向(例如垂直方向)延伸的一部分。因此，在本發明之另一實施例的顯示裝置中，由於各種的薄膜電晶體Tr1與Tr2可被使用，顯示影像的品質、電性連接的可靠性以及集成度可被有效地改善。
依據本發明之一實施例的顯示裝置被描述為輔助電極500的端部被設置於基底絕緣層420與下絕緣層430之間。然而，在本發明之另一實施例的顯示裝置中，輔助電極500之端部設置鄰近於與上絕緣層450之上穿孔450h重疊的輔助電極500區域，所述的輔助電極500之端部可被設置於基底絕緣層420的基底穿孔420h內，如圖9所示。舉例來說，在本發明之另一實施例的顯示裝置中，位於下基板100上的基底絕緣層420之基底穿孔420h內的輔助電極500可延伸至與上絕緣層450的突出區域450p重疊的基底絕緣層420的一側。因此，在本發明之另一實施例的顯示裝置中，上電極330可穩定地連接於輔助電極500且填料700可平順地流動。
顯示裝置依據本發明之一實施例可被描述為中間絕緣層440被設置於單一層的下絕緣層430與上絕緣層450之間。然而，在本發明之另一實施例的顯示裝置中，位於下絕緣層430上的上絕緣層450可以係為多層結構。舉例來說，在本發明之另一實施例的顯示裝置中，上絕緣層450可包含第一上絕緣層451與第二上絕緣層452，其依序層疊於下絕緣層430上，如圖10所示。第一上絕緣層451可直接地與下絕緣層430接觸。舉例來說，第一上絕緣層451所包含的材料可與外塗層140的材料相同。第二上絕緣層452所包含的材料可與堤絕緣層150的材料相同。作為另一個例子，第一上絕緣層451可與外塗層140形成於同一層，且第二上絕緣層422可與堤絕緣層150形成於同一層。第一上絕緣層451可包含第一上穿孔451h第一突出區域451p。第二上絕緣層452可包含第二上穿孔452h及第二突出區域452p。第一上穿孔451h的大小可以小於上穿孔452h的大小。舉例來說，延伸至下穿孔430h的第二突出區域452p的水平距離可小於延伸至下穿孔430h的第一突出區域451p的水平距離。與輔助電極500重疊的第一上絕緣層451的一側的形狀可相異於與輔助電極500重疊的第二上絕緣層452的一側的形狀。舉例來說，與輔助電極500重疊的第一上絕緣層451的一側可以係為漸縮。因此，在本發明之另一實施例的顯示裝置中，藉由增加上電極330與輔助電極500之間的接觸區域可以有效避免因填料700所導致的空隙(void)的產生。
依據本發明之一實施例的顯示裝置被描述為輔助電極500的端部被設置於面向上基板600的基底絕緣層420的上表面。然而，在本發明之另一實施例的顯示裝置中，輔助電極500可包含位於基底絕緣層420之一側的端部，如圖11所示。舉例來說，在本發明之另一實施例的顯示裝置中，輔助電極500的橫截面可以係為U形。因此，在本發明之另一實施例的顯示裝置中，可以改善顯示畫面的品質，且可以提升集成度。
依據本發明之一實施例的顯示裝置被描述為基底絕緣層420包含被上絕緣層450的上穿孔450h暴露的第二側表面422S。然而，在本發明之另一實施例的顯示裝置中，基底絕緣層420之一側的所有區域被上絕緣層450的突出區域450p覆蓋，如圖12所示。舉例來說，在本發明之另一實施例的顯示裝置中，與上穿孔450h重疊的輔助電極500的第二電極區502可被與突出區域450p重疊的輔助電極500的第一電極區501圍繞。因此，在本發明之另一實施例的顯示裝置，可以藉由上電極330與輔助電極500之間的穩定連接而改善集成度及顯示影像的品質。
結果，依據本發明之實施例的顯示裝置提升上電極與輔助電極之間的接觸區域且充分地確保填料流入底切區域的通道。因此，在本發明之實施例的顯示裝置中，可以避免因未被填料所填充的部分所導致的空隙(void)的產生，且上電極與輔助電極之間的連接可以穩定。因此，在本發明之實施例的顯示裝置中，顯示影像的品質及電性連接的可靠性可以被改善，且集成度可以提升。
100‧‧‧基板
110‧‧‧緩衝層
130‧‧‧下鈍化層
130h‧‧‧第一接觸孔
140‧‧‧外塗層
140h‧‧‧第二接觸孔
150‧‧‧堤絕緣層
210‧‧‧半導體圖形
220‧‧‧閘極絕緣層
230‧‧‧閘極電極
240‧‧‧層間絕緣層
250‧‧‧源極電極
260‧‧‧汲極電極
300‧‧‧發光結構
310‧‧‧下電極
320‧‧‧發光層
320A、330A‧‧‧第一部份
320B、330B‧‧‧第二部份
330‧‧‧上電極
420‧‧‧基底絕緣層
420h‧‧‧基底穿孔
421‧‧‧第一基底絕緣層
422‧‧‧第二基底絕緣層
421S、422S‧‧‧側表面
430‧‧‧下絕緣層
430h‧‧‧下穿孔
431S、432S‧‧‧側表面
440‧‧‧中間絕緣層
440h‧‧‧中間穿孔
450‧‧‧上絕緣層
450bs‧‧‧下表面
450h‧‧‧上穿孔
450p‧‧‧突出區域
500‧‧‧輔助電極
501‧‧‧第一電極區
502‧‧‧第二電極區
510‧‧‧第一部份
512‧‧‧第二部份
514‧‧‧第三部份
516‧‧‧第四部份
600‧‧‧上基板
700‧‧‧填料
Cst‧‧‧儲存電容
GL‧‧‧閘極線
DL‧‧‧資料線
PA‧‧‧畫素區域
PL‧‧‧電源供應線
Tr1、Tr2‧‧‧薄膜電晶體
P‧‧‧區域
UC‧‧‧底切區域
被包括以提供對本發明的進一步理解並被併入並構成本申請的一部分的附圖示出了本發明的實施例，並且與說明書一起用於解釋本發明的原理發明。在圖式中：
圖1係依據本發明之一實施例所繪示的顯示裝置的平面示意圖。
圖2係依據本發明之一實施例所繪示的圖1依據剖切線I-I’剖切的剖面圖。
圖3係依據本發明之一實施例所繪示的圖2中的區域P的放大視圖。
圖4至圖12係依據本發明之其他實施例所分別繪示的顯示裝置的各種例子的視圖。

Claims (19)

  1. 一顯示裝置，包含：一第一基底絕緣層，具有一第一開口；一輔助電極，包含：一第一部份，朝一第一方向延伸；以及一第二部份，朝與該第一方向相交的一第二方向延伸，該第二部份位於該第一基底絕緣層內的該第一開口的一側表面；一第一上絕緣層，覆蓋該輔助電極的該第二部份，且覆蓋該輔助電極的該第一部份的至少一部分，該第一上絕緣層朝該第一方向突出；以及一發光結構，包含一上電極，該上電極的至少一部份與該輔助電極的該第二部份接觸。
  2. 如請求項1所述的顯示裝置，更包含位於該第一基底絕緣層上的一下絕緣層，該下絕緣層具有一第二開口，其中該上電極與該下絕緣層內的該第二開口的一側表面接觸，且該輔助電極包含一第三部份，該第三部份朝該第一方向延伸且設置於該下絕緣層與該第一基底絕緣層之間。
  3. 如請求項1所述的顯示裝置，其中該輔助電極包含一第三部份，朝該第一基底絕緣層內的該第一開口的另一側表面上的該第二方向延伸。
  4. 如請求項1所述的顯示裝置，其中該發光結構包含一發光層，該發光層與該輔助電極的該第三部份接觸。
  5. 如請求項1所述的顯示裝置，其中該輔助電極的該第一部份與該第一上絕緣層之間的該第二方向上的一垂直距離大於該第一基底絕緣層的厚度。
  6. 如請求項1所述的顯示裝置，更包含：一緩衝層；以及一薄膜電晶體，位於該緩衝層上，該薄膜電晶體電性連接該發光結構；其中，該第一基底絕緣層與該緩衝層位於同一層，且該輔助電極的該第一部份與該緩衝層形成於上的一基板接觸。
  7. 如請求項6所述的顯示裝置，更包含：一第二基底絕緣層，位於該第一基底絕緣層上，該第二基底絕緣層具有一第二開口；其中，該輔助電極包含一第三部份，朝該第二基底絕緣層內的該第二開口的一側表面上的該第二方向延伸。
  8. 如請求項7所述的顯示裝置，其中該上電極與該輔助電極的該第三部份接觸。
  9. 如請求項7所述的顯示裝置，其中該薄膜電晶體包含一汲極電極、一半導體層以及介於該汲極電極與該半導體層之間的一層間絕緣層，且該第二基底絕緣層與該薄膜電晶體的該層間絕緣層位於同一層。
  10. 如請求項7所述的顯示裝置，其中該薄膜電晶體包含一閘極絕緣層，且該第二基底絕緣層與該薄膜電晶體的該閘極絕緣層位於同一層。
  11. 如請求項1所述的顯示裝置，更包含：一緩衝層；以及一薄膜電晶體，位於與該發光結構電性連接的該緩衝層上；其中，該第一基底絕緣層位於該緩衝層上，且該輔助電極的該第一部份與該緩衝層接觸。
  12. 如請求項11所述的顯示裝置，其中該薄膜電晶體包含一汲極電極、一半導體層以及介於該汲極電極與該半導體層之間的一層間絕緣層，且該第一基底絕緣層與該薄膜電晶體的該層間絕緣層位於同一層。
  13. 如請求項11所述的顯示裝置，其中該薄膜電晶體包含一閘極絕緣層，且該第一基底絕緣層與該閘極絕緣層位於同一層。
  14. 如請求項13所述的顯示裝置，更包含：一第二基底絕緣層，位於該第一基底絕緣層上，該第二基底絕緣層具有一第二開口；其中，該輔助電極包含一第三部份，朝該第二基底絕緣層內的該第二開口的一側表面上的該第二方向延伸。
  15. 如請求項14所述的顯示裝置，其中該上電極與該輔助電極的該第三部份接觸。
  16. 如請求項1所述的顯示裝置，更包含：一第二上絕緣層，位於該第一上絕緣層上，且覆蓋該輔助電極的該第二部份，且覆蓋該輔助電極的該第一部份的該部分，該第二上絕緣層朝該第一方向突出。
  17. 如請求項1所述的顯示裝置，其中與該輔助電極的該第一部份相距一第一距離的該第一開口的一第一寬度大於與該輔助電極的該第一部份相距一第二距離的該第一開口的一第二寬度，該第一距離大於該第二距離。
  18. 一顯示裝置，包含：一基底絕緣層，位於一下基板上，該基底絕緣層包含一基底穿孔；一下絕緣層，位於該基底絕緣層上，該下絕緣層包含一下穿孔，該下穿孔與該基底穿孔重疊；一上絕緣層，位於該下絕緣層上，該上絕緣層包含延伸至該下穿孔的一突出區域；以及一輔助電極，位於該下基板上的該基底穿孔內部；其中，該輔助電極延伸至與該上該絕緣層的該突出區域重疊的該基底絕緣層的一第一側表面。
  19. 一顯示裝置，包含：一基底絕緣層，位於一下基板上，該基底絕緣層包含一基底穿孔；一輔助電極，位於該下基板與該基底絕緣層上，該輔助電極包含設置於該基底穿孔內部的一第一電極區與一第二電極區；一下絕緣層，位於該基底絕緣層上，該下絕緣層包含與該基底穿孔重疊的一下穿孔；以及一上絕緣層，位於該下絕緣層上；其中，該上絕緣層包含與該輔助電極的該第一電極區重疊的一突出區域，以及與該輔助電極的該第二電極區重疊的一上穿孔。
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