TW201839868A - 半導體裝置之製造方法及雙面黏著薄片 - Google Patents

Abstract

本發明提供半導體裝置之製造方法及該製造方法所用之雙面黏著薄片，該半導體裝置之製造方法係使用雙面黏著薄片來製造半導體裝置之方法，該雙面黏著薄片依序具有：第1黏著劑層、包含膨脹性粒子且為非黏著性的基材、與第2黏著劑層， 　　具有下述步驟(1)~(4)， 　　步驟(1)：將硬質支撐體貼合於第2黏著劑層的黏著表面之步驟； 　　步驟(2)：將半導體晶片載置於第1黏著劑層的黏著表面的一部分之步驟； 　　步驟(3)：以密封材來被覆前述半導體晶片、與第1黏著劑層的黏著表面中的前述半導體晶片的周邊部，使該密封材硬化，得到前述半導體晶片被硬化密封材所密封而成的硬化密封體之步驟； 　　步驟(4)：使前述膨脹性粒子膨脹，將前述雙面黏著薄片從前述硬化密封體上剝離之步驟。 　　該製造方法可抑制扇出型封裝之製造步驟中之半導體晶片發生位置偏移，且生產性優異，所得之半導體裝置之再配線層形成面之平坦性優異。

Description

半導體裝置之製造方法及雙面黏著薄片

本發明係關於半導體裝置之製造方法及雙面黏著薄片。

進幾年來，已進展電子機器之小型化、輕量化及高機能化，伴隨此，對於搭載於電子機器之半導體裝置，亦要求小型化、薄型化及高密度化。 　　半導體晶片有安裝於接近其尺寸之封裝中之情況。此等封裝亦稱為CSP(Chip Scale Package，晶片規格封裝)。作為CSP舉例有以晶圓尺寸處理至封裝最終步驟而完成之WLP(Wafer Level Package，晶圓等級封裝)，以比晶圓尺寸大之面板尺寸處理至封裝最終步驟而完成之PLP(Panel Level Package，面板等級封裝)等。

WLP及PLP分類為扇入(Fan-In)型與扇出(Fan-out)型。扇出型之WLP(以下亦稱為「FOWLP」)及PLP(以下亦稱為「FOPLP」)中，半導體晶片以成為比晶片尺寸大之區域之方式由密封材覆蓋形成半導體晶片之密封體，不僅於半導體晶片之電路面形成再配線層及外部電極，亦形成於密封材之表面區域。

不過，FOWLP及FOPLP係經過以下步驟而製造，例如將複數半導體晶片載置於暫時固定用之黏著薄片(以下亦稱為「暫時固定用薄片」)上之載置步驟，以賦予流動性之密封材被覆之被覆步驟，使該密封材熱硬化之硬化步驟，自前述密封體剝離暫時固定用薄片之剝離步驟，於露出之半導體晶片側之表面形成再配線層之再配線層形成步驟。 　　對於上述步驟中使用之暫時固定用薄片，要求於前述被覆步驟及硬化步驟(以下亦將該等稱為「密封步驟」)之間，不發生半導體晶片之位置偏移，且密封材不進入至半導體晶片與暫時固定用薄片之接著界面之程度的接著性，且要求於密封步驟後，可無殘糊地容易去除之剝離性。亦即，於FOWLP及FOPLP之製造中使用之暫時固定用薄片被要求兼具使用時之接著性與使用後之剝離性。

例如，專利文獻1中，揭示於FOWLP之製造方法中，以具有由聚醯亞胺膜所成之基材與該基材表面所具備之由矽系黏著劑所成之黏著層之暫時固定用薄片進行密封步驟後，以手邊使該暫時固定用薄片彎曲邊剝離之方法。然而，以手等剝離暫時固定用薄片之步驟繁瑣，基於提高生產性之觀點，要求以更小外力即可剝離暫時固定用薄片。

作為剝離性優異之暫時固定用薄片，例如於專利文獻2中，揭示於基材之至少一面上設置含有熱膨脹性微小球之熱膨脹性黏著層之電子零件切斷時之暫時固定用加熱剝離型黏著薄片。FOWLP及FOPLP之製造中，亦考慮使用專利文獻2中記載之加熱剝離型黏著薄片。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1] 日本特開2015-32646號公報 　　[專利文獻2] 日本專利第3594853號公報

[發明預解決之課題]

然而，依據本發明人等之檢討，了解到使用專利文獻2中記載之加熱剝離型黏著薄片作為FOWLP及FOPLP之製造中之暫時固定用薄片時，起因於熱膨脹性黏著層之彈性率低，而於前述載置步驟及密封步驟中，所載置之半導體晶片會沉入於黏著薄片側，而發生半導體晶片之位置偏移。藉此，密封步驟後，於去除黏著薄片後之半導體晶片側之表面(以下亦稱為「再配線形成面」)，於半導體晶片表面與密封材表面之間會發生階差，故平坦性差，而成為半導體晶片之位置精度降低之結果。由於此等再配線層形成面之平坦性之降低及半導體晶片之位置精度之降低與再配線精度之降低相關，故而期望被抑制。 　　且，去除黏著薄片時，即使加熱使膨脹性黏著層膨脹，亦因半導體晶片沉入黏著薄片側，故認為若無某程度大小之外力將難以剝離。

本發明係鑒於上述問題點而完成者，目的在於提供可抑制扇出型封裝之製造步驟中的半導體晶片之位置偏移發生，生產性優異，所得半導體裝置之再配線層形成面之平坦性優異之半導體裝置之製造方法及該製造方法所用之雙面黏著薄片。 [用以解決課題之手段]

本發明人等發現於扇出型封裝之製造步驟中，藉由使用具有包含膨脹性粒子且包含非黏著性之基材的特定層構成之雙面黏著薄片，可解決上述課題。 　　亦即，本發明係關於下述[1]~[10]者。 　　[1] 一種半導體裝置之製造方法，其係使用雙面黏著薄片來製造半導體裝置之方法，該雙面黏著薄片依序具有：第1黏著劑層、包含膨脹性粒子且為非黏著性的基材、與第2黏著劑層， 　　具有下述步驟(1)~(4)， 　　步驟(1)：將硬質支撐體貼合於第2黏著劑層的黏著表面之步驟； 　　步驟(2)：將半導體晶片載置於第1黏著劑層的黏著表面的一部分之步驟； 　　步驟(3)：以密封材來被覆前述半導體晶片、與第1黏著劑層的黏著表面中的前述半導體晶片的周邊部，使該密封材硬化，得到前述半導體晶片被硬化密封材所密封而成的硬化密封體之步驟； 　　步驟(4)：使前述膨脹性粒子膨脹，將前述雙面黏著薄片從前述硬化密封體上剝離之步驟。 　　[2] 如上述[1]之半導體裝置之製造方法，其中進一步具有下述步驟(5)， 　　步驟(5)：對前述雙面黏著薄片經剝離的硬化密封體形成再配線層之步驟。 　　[3] 如上述[1]或[2]之半導體裝置之製造方法，其中前述膨脹性粒子為熱膨脹性粒子，前述步驟(4)係藉由將前述雙面黏著薄片進行加熱，使前述熱膨脹性粒子膨脹來將前述雙面黏著薄片從前述硬化密封體上剝離之步驟。 　　[4] 如上述[3]之半導體裝置之製造方法，其中前述熱膨脹性粒子的膨脹開始溫度(t)為120~250℃。 　　[5] 如上述[4]之半導體裝置之製造方法，其中前述基材滿足下述要件(1)~(2)， 　　要件(1)：在100℃下的前述基材的儲存模數E’(100)為2.0×10⁵ Pa以上； 　　要件(2)：在前述熱膨脹性粒子的膨脹開始溫度(t)下的前述基材的儲存模數E’(t)為1.0×10⁷ Pa以下。 　　[6] 如上述[1]~[5]中任一項之黏著薄片，其中前述膨脹性粒子在23℃下的膨脹前的平均粒徑為3~100μm。 　　[7] 如上述[1]~[6]中任一項之半導體裝置之製造方法，其中在23℃下的第1黏著材層的剪切儲存模數G’(23)為1.0×10⁴ ~1.0×10⁸ Pa。 　　[8] 如上述[1]~[7]中任一項之半導體裝置之製造方法，其中在23℃下的前述基材的厚度、與第1黏著劑層的厚度之比(基材/第1黏著劑層)為0.2以上。 　　[9] 如上述[1]~[8]中任一項之半導體裝置之製造方法，其中在23℃下的前述基材的厚度為10~1000μm，前述第1黏著劑層的厚度為1~60μm。 　　[10] 如上述[1]~[9]中任一項之半導體裝置之製造方法，其中前述基材的表面的探針黏性值為未滿50mN/ 5mmφ。 　　[11] 一種雙面黏著薄片，其係於上述[1]~[10]中任一項之半導體裝置之製造方法中所使用的雙面黏著薄片，依序具有：第1黏著劑層、包含膨脹性粒子且為非黏著性的基材、與第2黏著劑層。 [發明效果]

依據本發明，可提供可抑制扇出型封裝之製造步驟中的半導體晶片之位置偏移發生，生產性優異，所得半導體裝置之再配線層形成面之平坦性優異之半導體裝置之製造方法及該製造方法所用之雙面黏著薄片。

本發明中，所謂「有效成分」係指成為對象的組成物中所含之成分中，稀釋溶劑除外之成分。 　　又，質量平均分子量(Mw)係以凝膠滲透層析(GPC)法測定之標準聚苯乙烯換算之值，具體而言係基於實施例中記載之方法測定之值。

本發明中，例如「(甲基)丙烯酸」表示「丙烯酸」與「甲基丙烯酸」兩者，其他類似用語亦相同。 　　又，關於較佳之數值範圍(例如含量等之範圍)，階段性記載之下限值及上限值可分別獨立組合。例如基於「較好為10~90，更好30~60」之記載，亦可組合「較佳之下限值(10)」與「更佳之上限值(60)」而成為「10~60」。

[半導體裝置之製造方法] 　　本實施形態之半導體裝置之製造方法係使用雙面黏著薄片來製造半導體裝置之方法，該雙面黏著薄片依序具有：第1黏著劑層、包含膨脹性粒子且為非黏著性的基材、與第2黏著劑層， 　　具有下述步驟(1)~(4)， 　　步驟(1)：將硬質支撐體貼合於第2黏著劑層的黏著表面之步驟； 　　步驟(2)：將半導體晶片載置於第1黏著劑層的黏著表面的一部分之步驟； 　　步驟(3)：以密封材來被覆前述半導體晶片、與第1黏著劑層的黏著表面中的前述半導體晶片的周邊部，使該密封材硬化，得到前述半導體晶片被硬化密封材所密封而成的硬化密封體之步驟； 　　步驟(4)：使前述膨脹性粒子膨脹，將前述雙面黏著薄片從前述硬化密封體上剝離之步驟。 　　以下，首先針對本實施形態之半導體裝置之製造方法所用之雙面黏著薄片加以說明，隨後針對包含步驟(1)~(4)之各製造步驟加以說明。

＜雙面黏著薄片＞ 　　本實施形態之雙面黏著薄片只要為依序具有第1黏著劑層、包含膨脹性粒子且為非黏著性的基材(以下亦稱為「膨脹性基材」)與第2黏著劑層者，則未特別限定。 　　雙面黏著薄片之形狀可採取薄片狀、膠帶狀、標籤狀等之所有形狀。

(雙面黏著薄片之構成) 　　圖1(A)係本實施形態之雙面黏著薄片10之剖面圖。 　　如圖1(A)所示，本實施形態之雙面黏著薄片10具有以第1黏著劑層121及第2黏著劑層122夾持基材11之構成。 　　又，本實施形態之雙面黏著薄片亦可如圖1(B)所示之雙面黏著薄片10a，於第1黏著劑層121之黏著表面121a上進而具有剝離材131，於第2黏著劑層122之黏著表面122a上進而具有剝離材132。 　　又，如圖1(B)所示之雙面黏著薄片10a中，自第1黏著劑層121剝離剝離材131時之剝離力與自第2黏著劑層122剝離剝離材132時之剝離力為相同程度時，若欲將兩者剝離材朝外側拉伸剝下時，有時會產生第1黏著劑層121及第2黏著劑層122伴隨兩個剝離材而斷裂剝下之現象。基於抑制此等現象之觀點，兩者剝離材131及132較好使用經設計為自相互貼合之黏著劑層之剝離力不同之2種剝離材。於將雙面黏著薄片10a使用於本實施形態之半導體裝置之製造方法時，剝離材131及132係適當剝離去除。 　　作為其他雙面黏著薄片，於圖1(B)所示之雙面黏著薄片10a中，亦可為具有將於第1黏著劑層121或第2黏著劑層122之一者之黏著表面上層合對兩面施以剝離處理之剝離材者捲繞成捲筒狀之構成的雙面黏著薄片。 　　此處，本實施形態之雙面黏著薄片亦可為於膨脹性基材與第1黏著劑層之間，及膨脹性基材與第2黏著劑層之間具有其他層之構成。 　　惟，基於成為藉少許力即可容易剝離之雙面黏著薄片之觀點，如圖1(A)及(B)所示之雙面黏著薄片，較好具有基材11與第1黏著劑層121、基材11與第2黏著劑層122直接層合之構成。

以下，針對本實施形態之雙面黏著薄片所具備之膨脹性基材、第1黏著劑層、第2黏著劑層及根據需要使用之剝離材依序加以說明。

(膨脹性基材) 　　膨脹性基材包含膨脹性粒子且為非黏著性之基材。 　　一般，如專利文獻2中記載之黏著薄片具有般之熱膨脹性黏著劑層除了以彈性模數低的黏著劑為主成分以外，由於充分含有膨脹性粒子，故必定為某程度之厚度。因此，可能產生於半導體晶片之載置步驟及密封步驟之間發生半導體晶片之位置偏移，半導體晶片沉入黏著薄片側，再配線層形成面無法平坦之缺點。 　　另一方面，本實施形態之雙面黏著薄片由於膨脹性粒子係含於彈性模數高的非黏著性樹脂中，故可提高載置半導體晶片之第1黏著劑層之厚度調整、黏著力、黏彈性模數等之控制等之設計自由度。藉此可抑制半導體晶片之位置偏移發生，同時抑制半導體晶片沉入雙面黏著薄片中，可形成平坦性優異之再配線層形成面。 　　再者，使用本實施形態之雙面黏著薄片時，由於半導體晶片係載置於第1黏著劑層之黏著表面，故膨脹性基材與再配線層形成面未直接接觸。藉此，抑制了源自膨脹性粒子之殘渣及大為變形之黏著劑層之一部分附著於再配線層形成面，抑制了形成於熱膨脹性黏著劑層的凹凸形狀轉印於再配線層形成面使平滑性降低，可獲得乾淨性及平滑性優異之再配線層形成面。

膨脹性基材之厚度較好為10~1000μm，更好為20~500μm，又更好為25~400μm，再更好為30~300μm。 　　又，本說明書中，膨脹性基材之厚度意指藉由實施例記載之方法側定之值。

黏著薄片所具有之膨脹性基材為非黏著性之基材。 　　本發明中，是否為非黏著性基材之判斷係對成為對象之基材表面，依據JIS Z0237：1991測定之探針黏性值若未滿50mN/5mmφ，則判斷為該基材為「非黏著性基材」。 　　本文中，本實施形態所用之膨脹性基材之表面的探針黏性值通常為未滿50mN/5mmφ，但較好未滿30mN/ 5mmφ，更好未滿10mN/5mmφ，又更好未滿5mN/ 5mmφ。 　　又，本說明書中，膨脹性基材之表面的探針黏性值之具體測定方法係利用實施例所記載之方法。

本實施形態之黏著薄片具有之膨脹性基材係包含樹脂及膨脹性粒子者，但在不損及本發明效果之範圍內，可根據需要含有基材用添加劑。 　　又，膨脹性基材可由包含樹脂及膨脹性粒子之樹脂組成物(y)所形成。 　　以下，針對膨脹性基材之形成材料的樹脂組成物(y)所含之各成分加以說明。

＜樹脂＞ 　　作為樹脂組成物(y)所含之樹脂，只要為可使膨脹性基材成為非黏著性之樹脂，則未特別限定，可為非黏著性樹脂，亦可為黏著性樹脂。 　　亦即，樹脂組成物(y)所含之樹脂即使為黏著性樹脂，只要在自樹脂組成物(y)形成膨脹性基材之過程中，該黏著性樹脂與聚合性化合物進行聚合反應，使所得樹脂成為非黏著性樹脂，而使包含該樹脂之膨脹性基材成為非黏著性即可。

作為樹脂組成物(y)所含之前述樹脂之質量平均分子量(Mw)較好為1000~100萬，更好為1000~70萬，又更好為1000~50萬。 　　又，該樹脂為具有2種以上構成單位之共聚物時，該共聚物之形態並未特別限定，可為嵌段共聚物、無規共聚物及接枝共聚物之任一者。

前述樹脂之含量，相對於樹脂組成物(y)之有效成分全量(100質量%)，較好為50~99質量%，更好為60~95質量%，又更好為65~90質量%，再更好為70~85質量%。

作為樹脂組成物(y)所含之前述樹脂，較好包含選自丙烯酸胺基甲酸酯系樹脂及烯烴系樹脂之1種以上。 　　又，作為上述丙烯酸胺基甲酸酯系樹脂，較好為以下之樹脂(U1)。 　　・胺基甲酸酯預聚物(UP)與包含(甲基)丙烯酸酯之乙烯基化合物聚合成之丙烯酸胺基甲酸酯系樹脂(U1)。

[丙烯酸胺基甲酸酯系樹脂(U1)] 　　作為成為丙烯酸胺基甲酸酯系樹脂(U1)之主鏈的胺基甲酸酯預聚物(UP)舉例為多元醇與多元異氰酸酯之反應物。 　　又，胺基甲酸酯預聚物(UP)較好使用可進而使用鏈延長劑實施鏈延長反應者。

作為成為胺基甲酸酯預聚物(UP)之原料的多元醇舉例為例如伸烷基型多元醇、醚型多元醇、酯型多元醇、酯醯胺型多元醇、酯/醚型多元醇、碳酸酯型多元醇等。 　　該等多元醇可單獨使用，亦可併用2種以上。 　　作為本實施形態所用之多元醇較好為二醇，更好為酯型二醇、伸烷基型二醇及碳酸酯型二醇，又更好為酯型二醇、碳酸酯型二醇。

作為酯型二醇舉例為例如1,3-丙二醇、1,4-丁二醇、1,5-戊二醇、新戊二醇、1,6-己二醇等之烷二醇；乙二醇、丙二醇、二乙二醇、二丙二醇等之烷二醇；等之二醇類選擇之1種或2種以上與鄰苯二甲酸、間苯二甲酸、對苯二甲酸、萘二羧酸、4,4-二苯基二羧酸、二苯基甲烷-4,4’-二羧酸、琥珀酸、己二酸、壬二酸、癸二酸、氯橋酸(Het acid)、馬來酸、富馬酸、依康酸、環己烷-1,3-二羧酸、環己烷-1,4-二羧酸、六氫鄰苯二甲酸、六氫間苯二甲酸、六氫對苯二甲酸、甲基六氫鄰苯二甲酸等之二羧酸及該等之酸酐選擇之1種或2種以上之聚縮合物。 　　具體而言，舉例為聚己二酸伸乙酯二醇、聚己二酸伸丁酯二醇、聚己二酸六亞甲酯二醇、聚間苯二甲酸六甲亞酯二醇、聚己二酸新戊酯二醇、聚己二酸伸乙基伸丙基酯二醇、聚己二酸伸乙基伸丁基酯二醇、聚己二酸伸丁基六亞甲基酯二醇、聚己二酸二伸乙基酯二醇、聚(聚四亞甲基醚)己二酸酯二醇、聚(3-甲基伸戊基己二酸酯)二醇、聚壬二酸伸乙酯二醇、聚癸二酸伸乙酯二醇、聚癸二酸伸丁酯二醇、聚癸二酸伸丁酯二醇及聚對苯二甲酸新戊酯二醇等。

作為伸烷基型二醇舉例為例如1,3-丙二醇、1,4-丁二醇、1,5-戊二醇、新戊二醇、1,6-己二醇等之烷二醇；乙二醇、丙二醇、二乙二醇、二丙二醇等之烷二醇；聚乙二醇、聚丙二醇、聚丁二醇等之聚烷二醇；聚四甲亞基二醇等之聚氧伸烷二醇等。

作為碳酸酯型二醇舉例為例如碳酸1,4-四亞甲基酯二醇、碳酸1,5-五亞甲基酯二醇、碳酸1,6-六亞甲基酯二醇、碳酸1,2-伸丙基酯二醇、碳酸1,3-伸丙基酯二醇、碳酸2,2-二甲基伸丙基酯二醇、碳酸1,7-七亞甲基酯二醇、碳酸1,8-八亞甲基酯二醇、碳酸1,4-環己酯二醇等。

作為成為胺基甲酸酯預聚物(UP)之原料的多元異氰酸酯舉例為芳香族聚異氰酸酯、脂肪族聚異氰酸酯、脂環式聚異氰酸酯等。 　　該等多元異氰酸酯可單獨使用，亦可併用2種以上。 　　且，該等多元異氰酸酯亦可為三羥甲基丙烷加成型改質體、與水反應之縮二脲型改質體、含有異氰脲酸酯環之異氰脲酸酯型改質體。

該等中，作為本實施形態所用之多元異氰酸酯，較好為二異氰酸酯，更好為選自4,4’-二苯基甲烷二異氰酸酯(MDI)、2,4-甲苯二異氰酸酯(2,4-TDI)、2,6-甲苯二異氰酸酯(2,6-TDI)、六亞甲基二異氰酸酯(HMDI)及脂環式二異氰酸酯中之1種以上。

作為脂環式二異氰酸酯舉例為例如3-異氰酸酯基甲基-3,5,5-三甲基環己基異氰酸酯(異佛爾酮二異氰酸酯，IPDI)、1,3-環戊烷二異氰酸酯、1,3-環己烷二異氰酸酯、1,4-環己烷二異氰酸酯、甲基-2,4-環己烷二異氰酸酯、甲基-2,6-環己烷二異氰酸酯等，較好為異佛爾酮二異氰酸酯(IPDI)。

本實施形態中，作為成為丙烯酸胺基甲酸酯系樹脂(U1)之主鏈的胺基甲酸酯預聚物(UP)係二醇與二異氰酸酯之反應物，較好為於兩末端具有乙烯性不飽和基之直鏈胺基甲酸酯預聚物。 　　作為於該直鏈胺基甲酸酯預聚物之兩末端導入乙烯性不飽和基之方法，舉例為使二醇與二異氰酸酯化合物反應而成之直鏈胺基甲酸酯預聚物之末端的NCO基與(甲基)丙烯酸羥基烷酯反應之方法。

作為(甲基)丙烯酸羥基烷酯舉例為例如(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯等。

作為成為丙烯酸胺基甲酸酯系樹脂(U1)之側鏈的乙烯基化合物至少包含(甲基)丙烯酸酯。 　　作為(甲基)丙烯酸酯，較好為選自(甲基)丙烯酸烷酯及(甲基)丙烯酸羥基烷酯之1種以上，更好併用(甲基)丙烯酸烷酯及(甲基)丙烯酸羥基烷酯。

併用(甲基)丙烯酸烷酯及(甲基)丙烯酸羥基烷酯時，相對於(甲基)丙烯酸烷酯100質量份，作為(甲基)丙烯酸羥基烷酯之調配比例，較好為0.1~100質量份，更好為0.5~30質量份，又更好為1.0~20質量份，再更好為1.5~10質量份。

作為(甲基)丙烯酸烷酯所具有之烷基碳數較好為1~24，更好為1~12，又更好為1~8，再更好為1~3。

又，作為(甲基)丙烯酸羥基烷酯，舉例為與用以於上述直鏈胺基甲酸酯預聚物之兩末端導入乙烯性不飽和基所用之(甲基)丙烯酸羥基烷酯相同者。

作為(甲基)丙烯酸烷酯以外之乙烯基化合物，舉例為例如苯乙烯、α-甲基苯乙烯、乙烯基甲苯等之芳香族烴系乙烯基化合物；甲基乙烯醚、乙基乙烯醚等之乙烯醚類；乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯、(甲基)丙烯腈、N-乙烯基吡咯啶酮、(甲基)丙烯酸、馬來酸、富馬酸、依康酸、甲基(丙烯醯胺)等之含極性基之單體；等。 　　該等可單獨使用，亦可併用2種以上。

作為乙烯基化合物中之(甲基)丙烯酸酯之含量，相對於該乙烯基化合物之全量(100質量%)，較好為40~100質量%，更好為65~100質量%，又更好為80~100質量%，再更好為90~100質量%。

作為乙烯基化合物中之(甲基)丙烯酸烷酯及(甲基)丙烯酸羥基烷酯之合計含量，相對於該乙烯基化合物之全量(100質量%)，較好為40~100質量%，更好為65~100質量%，又更好為80~100質量%，再更好為90~100質量%。

本實施形態所用之丙烯酸胺基甲酸酯系樹脂(U1)係將胺基甲酸酯預聚物(UP)與包含(甲基)丙烯酸酯之乙烯基化合物混合，使兩者聚合而得。 　　該聚合中，較好進而添加自由基起始劑進行。

本實施形態所用之丙烯酸胺基甲酸酯系樹脂(U1)中，源自胺基甲酸酯預聚物(UP)之構成單位(u11)與源自乙烯基化合物之構成單位(u12)之含量比[(u11)/(u12)]，以質量比計，較好為10/90~80/20，更好為20/80~70/30，又更好為30/70~60/40，再更好為35/65~55/45。

[烯烴系樹脂] 　　作為樹脂組成物(y)所含之樹脂較佳者，作為烯烴系樹脂，係至少具有源自烯烴單體之構成單位的聚合物。 　　作為上述烯烴單體，較好為碳數2~8之α-烯烴，具體而言舉例為乙烯、丙烯、丁烯、異丁烯、1-己烯等。 　　該等中，較好為乙烯及丙烯。

作為具體之烯烴系樹脂舉例為例如超低密度聚乙烯(VLDPE，密度：880 kg/m³ 以上且未滿910 kg/m³ )、低密度聚乙烯(LDPE，密度：910 kg/m³ 以上且未滿915 kg/m³ )、中密度聚乙烯(MDPE，密度：915 kg/m³ 以上且未滿942 kg/m³ )、高密度聚乙烯(HDPE，密度：942 kg/m³ 以上)、直鏈狀低密度聚乙烯等之聚乙烯樹脂；聚丙烯樹脂(PP)；聚丁烯樹脂(PB)；乙烯-丙烯共聚物；烯烴系彈性體(TPO)；聚(4-甲基-1-戊烯)(PMP)；乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)；乙烯-乙烯醇共聚物(EVOH)；乙烯-丙烯-(5-亞乙基-2-降冰片烯)等之烯烴系三元共聚物；等。

本實施形態中，烯烴系樹脂亦可為進而施以選自酸改質、羥基改質、及丙烯酸改質之1種以上改質之改質烯烴系樹脂。

例如作為對烯烴系樹脂施以酸改質之酸改質烯烴系樹脂，舉例為對上述之無改質烯烴系樹脂接枝聚合不飽和羧酸或其酸酐而成之改質聚合物。 　　作為上述不飽和羧酸或其酸酐舉例為例如馬來酸、富馬酸、依康酸、檸康酸、戊烯二酸、四氫鄰苯二甲酸、烏頭酸、(甲基)丙烯酸、馬來酸酐、依康酸酐、戊烯二酸酐、檸康酸酐、烏頭酸酐、降冰片烯二羧酸酐、四氫鄰苯二甲酸酐等。 　　又，不飽和羧酸或其酸酐可單獨使用，亦可併用2種以上。

作為對烯烴系樹脂施以丙烯酸改質之丙烯酸改質烯烴系樹脂，舉例為對主鏈的上述無改質烯烴系樹脂接枝聚合作為側鏈之(甲基)丙烯酸烷酯之改質聚合物。 　　作為上述(甲基)丙烯酸烷酯所具有的烷基之碳數較好為1~20，更好為1~16，又更好為1~12。 　　作為上述(甲基)丙烯酸烷酯舉例為例如與作為後述之單體(a1’)而可選擇之化合物相同者。

作為對烯烴系樹脂施以羥基改質之羥基改質烯烴系樹脂，舉例為對主鏈的上述無改質烯烴系樹脂接枝聚合含羥基之化合物之改質聚合物。 　　作為上述含羥基之化合物舉例為例如(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯等之(甲基)丙烯酸羥基烷酯類；乙烯醇、烯丙醇等之不飽和醇類等。

[丙烯酸胺基甲酸酯系樹脂及烯烴系樹脂以外之樹脂] 　　本實施形態中，樹脂組成物(y)中，在不損及本發明效果之範圍內，可含有丙烯酸胺基甲酸酯系樹脂及烯烴系樹脂以外之樹脂。 　　作為此等樹脂舉例為例如聚氯乙烯、聚偏氯乙烯、聚乙烯醇等之乙烯系樹脂；聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯等之聚酯系樹脂；聚苯乙烯；丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物；三乙酸纖維素；聚碳酸酯；不相當於丙烯酸胺基甲酸酯系之聚胺基甲酸酯；聚碸；聚醚醚酮；聚醚碸；聚苯硫醚；聚醚醯亞胺；聚醯亞胺等之聚醯亞胺系樹脂；聚醯胺系樹脂；丙烯酸樹脂；氟系樹脂等。 　　作為丙烯酸胺基甲酸酯系樹脂及烯烴系樹脂以外之樹脂含有比例，相對於樹脂組成物(y)中所含之樹脂全量100質量份，較好為未滿30質量份，更好未滿20質量份，又更好未滿10質量份，再更好未滿5質量份，又再更好未滿1質量份。

＜膨脹性粒子＞ 　　膨脹性粒子若為可藉由外部刺激以其本身膨脹而於第1黏著劑層形成凹凸，可降低與被接著體之接著力者，則未特別限制。 　　作為膨脹性粒子舉例為例如藉由加熱而膨脹之熱膨脹性粒子，藉由能量線之照射而膨脹之能量線膨脹性粒子等，但基於廣泛使用性及處理性之觀點，較好為熱膨脹性粒子。

作為熱膨脹性粒子較好係調整為膨脹開始溫度(t)為120~250℃之粒子。 　　又，本說明書中，熱膨脹性粒子之膨脹開始溫度(t)意指基於以下方法測定之值。 [熱膨脹性粒子之膨脹開始溫度(t)之測定法] 　　製作於直徑6.0mm(內徑5.65mm)、深4.8mm之鋁盤中，添加成為測定對象之熱膨脹性粒子0.5mg，自其上蓋住鋁蓋(直徑5.6mm，厚0.1mm)之試料。 　　使用動態黏彈性測定裝置，對該試料自鋁蓋上部藉由加壓子施加0.01N的力之狀態，測定試料高度。接著，以藉由加壓子施加0.01N的力之狀態，以10℃/min之升溫速度自20℃加熱至300℃，測定加壓子於垂直方向之位移量，將朝正方向之位移開始溫度作為膨脹開始溫度(t)。

作為熱膨脹性粒子較好係由熱塑性樹脂所構成之外殼與由該外殼所內包且加熱至特定溫度時會氣化之內包成分所構成之微膠囊化發泡劑。 　　作為構成微膠囊化發泡劑之外殼的熱塑性樹脂舉例為例如偏氯乙烯-丙烯腈共聚物、聚乙烯醇、聚乙烯縮丁醛、聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯腈、聚偏氯乙烯、聚碸等。

作為內包於外殼之內包成分舉例為例如丙烷、丁烷、戊烷、己烷、庚烷、辛烷、壬烷、癸烷、異丁烷、異戊烷、異己烷、異庚烷、異辛烷、異壬烷、異癸烷、環丙烷、環丁烷、環戊烷、環己烷、環庚烷、環辛烷、新戊烷、十二烷、異十二烷、環十三烷、己基環己烷、十三烷、十四烷、十五烷、十六烷、十七烷、十八烷、十九烷、異十三烷、4-甲基十二烷、異十四烷、異十五烷、異十六烷、2,2,4,4,6,8,8-七甲基壬烷、異十七烷、異十八烷、異十九烷、2,6,10,14-四甲基十七烷、環十三烷、庚基環己烷、正辛基環己烷、環十五烷、壬基環己烷、癸基環己烷、十五烷基環己烷、十六烷基環己烷、十七烷基環己烷、十八烷基環己烷等。 　　該等內包成分可單獨使用，亦可併用兩種以上。 　　熱膨脹性粒子之膨脹開始溫度(t)可藉由適當選擇內包成分種類而調整。

本實施形態所用之熱膨脹性粒子加熱至膨脹開始溫度(t)以上時之體積最大膨脹率較好為1.5~100倍，更好為2~80倍，又更好為2.5~60倍，再更好為3~40倍。

本實施形態所用之膨脹性粒子在23℃下的膨脹前的平均粒徑較好為3~100μm，更好為4~70μm，又更好為6~60μm，再更好為10~ 50μm。 　　又，膨脹性粒子之膨脹前的平均粒徑為體積中值粒徑(D₅₀ )，意指使用雷射繞射式粒度分佈測定裝置(例如Malvern公司製，製品名「Mastersizer 3000」)測定之膨脹前膨脹性粒子的粒子分佈中，自膨脹前之膨脹性粒子之粒徑小者起計算的累積體積頻度相當於50%之粒徑。

本實施形態所用之膨脹性粒子在23℃下的膨脹前的90%粒徑(D₉₀ )較好為10~150μm，更好為20~100 μm，又更好為25~90μm，再更好為30~80μm。 　　又，膨脹性粒子之膨脹前的90%粒徑(D₉₀ )，意指使用雷射繞射式粒度分佈測定裝置(例如Malvern公司製，製品名「Mastersizer 3000」)測定之膨脹前膨脹性粒子的粒子分佈中，自膨脹前之膨脹性粒子之粒徑小者起計算的累積體積頻度相當於90%之粒徑。

膨脹性粒子之含量，相對於樹脂組成物(y)之有效成分全量(100質量%)，較好為1~40質量%，更好為5~35質量%，又更好為10~30質量%，再更好為15~25質量%。

＜基材用添加劑＞ 　　本實施形態所用之樹脂組成物(y)，在不損及本發明效果之範圍內，亦可含有一般黏著薄片所具有之基材中所含之基材用添加劑。 　　作為此等基材用添加劑舉例為例如紫外線吸收劑、光安定劑、抗氧化劑、抗靜電劑、滑劑、抗黏連劑、著色劑等。 　　又，該等基材用添加劑各可單獨使用，亦可組合2種以上使用。 　　含有該等基材用添加劑時，各基材用添加劑之含量，相對於樹脂組成物(y)中之前述樹脂100質量份，較好為0.0001~20質量份，更好為0.001~10質量份。

(無溶劑型樹脂組成物(y1)) 　　本實施形態所用之樹脂組成物(y)之一態樣，舉例為調配有質量平均分子量(Mw)為50000以下之具有乙烯性不飽和基之寡聚物與能量線聚合性單體及上述膨脹性粒子，而未調配溶劑之無溶劑型樹脂組成物(y1)。 　　無溶劑型樹脂組成物(y1)係未調配溶劑，但能量線聚合性單體有助於提高前述寡聚物之可塑性者。 　　對於自無溶劑型樹脂組成物(y1)形成之塗膜照射能量線，可獲得膨脹性基材。

關於無溶劑型樹脂組成物(y1)中調配之膨脹性粒子之種類、形狀、調配量(含量)係如上述。

無溶劑型樹脂組成物(y1)所含之前述寡聚物之質量平均分子量(Mw)為50000以下，但較好為1000~ 50000，更好為2000~40000，又更好為3000~35000，再更好為4000~30000。

且，作為前述寡聚物只要為上述樹脂組成物(y)所含之樹脂中，質量平均分子量(Mw)為50000以下之具有乙烯性不飽和基者即可，但較好為上述之胺基甲酸酯預聚物(UP)。 　　又，作為該寡聚物亦可使用具有乙烯性不飽和基之改質烯烴系樹脂等。

無溶劑型樹脂組成物(y1)中之前述寡聚物及前述能量線聚合性單體之合計含量，相對於無溶劑型樹脂組成物(y1)之全量(100質量%)，較好為50~99質量%，更好為60~95質量%，又更好為65~90質量%，再更好為70~85質量%。

作為能量線聚合性單體舉例為例如(甲基)丙烯酸異冰片酯、(甲基)丙烯酸二環戊烯酯、(甲基)丙烯酸二環戊酯、(甲基)丙烯酸二環戊烯氧基酯、(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸金剛烷酯、丙烯酸三環癸酯等之脂環式聚合性化合物；丙烯酸苯基羥基丙酯、丙烯酸苄酯、酚環氧乙烷改質丙烯酸酯等之芳香族聚合性化合物；(甲基)丙烯酸四氫糠酯、嗎啉丙烯酸酯、N-乙烯基吡咯啶酮、N-乙烯基己內醯胺等之雜環式聚合性化合物等。 　　該等能量線聚合性單體可單獨使用，亦可併用2種以上。

無溶劑型樹脂組成物(y1)中之前述寡聚物與前述能量線聚合性單體之含量比(前述寡聚物/能量線聚合性單體)以質量比計，較好為20/80~90/10，更好為30/70~ 85/15，又更好為35/65~80/20。

本實施形態中，無溶劑型樹脂組成物(y1)較好進而調配光聚合起始劑。 　　藉由含有光聚合起始劑，即使以比較低能量之能量線照射，亦可充分進行硬化反應。

作為光聚合起始劑舉例為例如1-羥基-環己基-苯基酮、苯偶因、苯偶因甲醚、苯偶因乙醚、苯偶因丙醚、苯偶因苯硫醚、四甲基秋蘭姆單硫醚、偶氮雙異丁腈、聯苯醯、聯乙醯、8-氯蒽醌等。 　　該等光聚合起始劑可單獨使用，亦可併用2種以上。

光聚合起始劑之調配量，相對於前述寡聚物及能量線聚合性單體之全量(100質量份)，較好為0.01~5質量份，更好為0.01~4質量份，又更好為0.02~3質量份。

＜基材之儲存模數＞ 　　本實施形態之黏著薄片所具有之膨脹性基材之23℃下之儲存模數E’(23)，較好為1.0×10⁶ Pa以上，更好為5.0×10⁶ ~5.0×10¹² Pa，又更好為1.0×10⁷ ~1.0×10¹² Pa，再更好為5.0×10⁷ ~1.0×10¹¹ Pa，又再更好為1.0×10⁸ ~1.0×10¹⁰ Pa。藉由使用儲存模數E’(23)在上述範圍內之膨脹性基材，可防止半導體晶片之位置偏移，並且亦可防止半導體晶片朝第1黏著劑層之沉入。 　　例如，可使半導體晶片以其電路面經黏著劑層之黏著表面覆蓋之方式載置。半導體晶片之載置中，有時使用覆晶黏合機、晶片黏合機等之習知裝置。上述順序中，使用覆晶黏合機或晶片黏合機，將半導體晶片載置於黏著薄片之黏著劑層上時，由於施加將半導體晶片壓向黏著薄片之厚度方向之壓入力，故有半導體晶片過度沉入黏著劑層之厚度方向側之虞。又，使用覆晶黏合機或晶片黏合機，將半導體晶片載置於黏著薄片上時，由於亦對半導體晶片施加朝黏著薄片之水平方向移動之力，故亦有半導體晶片於黏著劑層之水平方向之位置偏移之虞。然而，藉由使用滿足上述儲存模數E’(23)之膨脹性基材，亦可解決該等問題。 　　又，本說明書中，特定溫度下之膨脹性基材的儲存模數E’意指藉由實施例所記載之方法測定之值。

再者，本實施形態之黏著薄片具有之膨脹性基材較好其儲存模數滿足以下要件(1)。 　　・要件(1)：在100℃下的前述膨脹性基材的儲存模數E’(100)為2.0×10⁵ Pa以上。 　　藉由具有滿足要件(1)之膨脹性基材，即使於FOWLP及FOPLP之製造過程中之密封步驟之溫度環境下，由於可良好程度地抑制膨脹性粒子之流動，故設於膨脹性基材上之第1黏著劑層的黏著表面亦難以變形。其結果，可防止半導體晶片之位置偏移，並且亦可防止半導體晶片朝第1黏著劑層之沉入。

基於上述觀點，膨脹性基材之儲存模數E’(100)，較好為4.0×10⁵ Pa以上，更好為6.0×10⁵ Pa以上，又更好為8.0×10⁵ Pa以上，再更好為1.0×10⁶ Pa以上。 　　又，於密封步驟中，基於有效抑制半導體晶片之位置偏移之觀點，膨脹性基材之儲存模數E’(100)，較好為1.0×10¹² Pa以上，更好為1.0×10¹¹ Pa以下，又更好為1.0×10¹⁰ Pa以下，再更好為1.0×10⁹ Pa以下。

本實施形態之黏著薄片具有之膨脹性基材含有熱膨脹性粒子作為膨脹性粒子時，其儲存模數較好滿足以下要件(2)。 　　・要件(2)：前述熱膨脹性粒子之膨脹開始溫度(t)下的前述膨脹性基材之儲存模數E’(t)為1.0× 10⁷ Pa以下。 　　藉由具有滿足要件(2)之膨脹性基材，於使熱膨脹性粒子膨脹之溫度下，膨脹性基材容易追隨熱膨脹性粒子之體積膨脹而變形，容易於第1黏著劑層之黏著表面形成凹凸。藉此，藉由少許外力即可自對象物剝離。

基於上述觀點，膨脹性基材之儲存模數E’(t)，較好為9.0×10⁶ Pa以下，更好為8.0×10⁶ Pa以下，又更好為6.0×10⁶ Pa以下，再更好為4.0×10⁶ Pa以下。 　　又，基於抑制膨脹之膨脹性粒子的流動，提高於第1黏著劑層之黏著表面所形成之凹凸之形狀維持性，更提高剝離性之觀點，膨脹性基材之儲存模數E’(t)，較好為1.0×10³ Pa以上，更好為1.0×10⁴ Pa以上，又更好為1.0×10⁵ Pa以上。

(第1黏著劑層) 　　本實施形態之黏著薄片具有之第1黏著劑層只要為包含黏著性樹脂即可，亦可根據需要，含有交聯劑、黏著賦予劑、聚合性化合物、聚合起始劑等之黏著劑用添加劑。 　　又，基於防止因密封步驟之加熱，而使載置之半導體晶片沉入第1黏著劑層之觀點，第1黏著劑層較好為非膨脹性黏著劑層。

本實施形態之黏著薄片中，在23℃下的膨脹性粒子膨脹前之第1黏著劑層之黏著表面的黏著力較好為0.1~10.0N/25mm，更好為0.2~ 8.0N/25mm，又更好為0.4~6.0N/25mm，再更好為0.5~4.0 N/25mm。 　　該黏著力若為0.1 N/25mm以上，則可於能防止密封步驟中半導體晶片之位置偏移之程度充分固定。 　　另一方面，該黏著力若為10.0N/25mm以下，則自被黏著體剝離時，以稍許外力即可容易剝離。 　　又，上述黏著力意指藉由實施例中記載之方法測定之值。

本實施形態之黏著薄片中，作為在23℃下的第1黏著材層的剪切儲存模數G’(23)，較好為1.0×10⁴ ~1.0×10⁸ Pa，更好為5.0×10⁴ ~5.0×10⁷ Pa，又更好為1.0×10⁵ ~1.0×10⁷ Pa。 　　具有複數層黏著劑層之黏著薄片時，較好半導體晶片所貼合之黏著劑層之剪切儲存模數G’(23)在上述範圍內，較好自膨脹性基材起之半導體晶片所貼合之側的黏著劑層之總剪切儲存模數G’(23)在上述範圍內。 　　第1黏著材層的剪切儲存模數G’(23)若為1.0×10⁴ Pa以上，則可防止半導體晶片之位置偏移，並且亦可防止半導體晶片朝第1黏著劑層之沉入。 　　另一方面，第1黏著材層的剪切儲存模數G’(23)若為1.0×10⁸ Pa以下，則藉由膨脹性基材中之膨脹性粒子之膨脹，容易於第1黏著劑層表面形成凹凸，結果，以稍許力即可容易剝離。 　　又，本說明書中，第1黏著材層的剪切儲存模數G’(23)意指藉由實施例中記載之方法測定之值。

本實施形態之黏著薄片所具有之第1黏著劑層之厚度，基於展現優異黏著力之觀點，及藉由膨脹性基材中之膨脹性粒子之膨脹而容易於第1黏著劑層表面形成凹凸之觀點，較好為1~60μm，更好為2~50μm，又更好為3~40μm，再更好為5~30μm。

本實施形態之黏著薄片中，23℃下之膨脹性基材之厚度與第1黏著劑層之厚度的比(膨脹性基材/第1黏著劑層)，基於使再配線層形成面平坦並且防止半導體晶片之位置偏移之觀點，較好為0.2以上，更好為0.5以上，又更好為1.0以上，再更好為5.0以上，又，基於成為剝離時以少許力即可容易剝離之黏著薄片之觀點，較好為1000以下，更好為200以下，又更好為60以下，再更好為30以下。 　　第1黏著劑層之厚度意指基於實施例中記載之方法測定之值。

第1黏著劑層可由包含黏著性樹脂之黏著劑組成物形成。 　　以下，針對第1黏著劑層之形成材料的黏著劑組成物所含之各成分加以說明。

＜黏著性樹脂＞ 　　作為本實施形態所用之黏著性樹脂，較好以該樹脂單獨即具有黏著性，且質量平均分子量(Mw)為1萬以上之聚合物。 　　作為本實施形態所用之黏著性樹脂之質量平均分子量(Mw)，基於提高黏著力之觀點，較好為1萬~200萬，更好為2萬~150萬，又更好為3萬~100萬。

作為黏著性樹脂舉例為例如丙烯酸系樹脂、胺基甲酸酯系樹脂、聚異丁烯系樹脂等之橡膠系樹脂、聚酯系樹脂、烯烴系樹脂、矽氧系樹脂、聚乙烯醚系樹脂等。 　　該等黏著性樹脂可單獨使用，亦可併用2種以上。 　　又，該等黏著性樹脂為具有2種以上之構成單位之共聚物時，該共聚物之形態並未特別限定，可為嵌段共聚物、無規共聚物、及接枝共聚物之任一者。

本實施形態所用之黏著性樹脂亦可為於上述黏著性樹脂之側鏈導入聚合性官能機之能量線硬化型之黏著性樹脂。 　　作為該聚合性官能基舉例為(甲基)丙烯醯基、乙烯基等。 　　又，作為能量線舉例為紫外線、電子束等，較好為紫外線。

黏著性樹脂之含量，相對於黏著劑組成物之有效成分全量(100質量%)，較好為30~99.99質量%，更好為40~99.95質量%，又更好為50~99.90質量%，再更好為55~99.80質量%，又再更好為60~99.50質量%。 　　又，本說明書之以下記載中，「相對於黏著劑組成物之有效成分全量之各成分含量」與「由該黏著劑組成物形成之黏著劑層中之各成分含量」同義。

本實施形態中，基於展現優異黏著力之觀點，及藉由加熱處理而使膨脹性基材中之膨脹性粒子之膨脹，而容易於形成之黏著劑層表面形成凹凸之觀點，黏著性樹脂較好包含丙烯酸系樹脂。 　　黏著性樹脂中之丙烯酸系樹脂之含有比例，相對於黏著劑組成物所含之黏著性樹脂全量(100質量%)，較好為30~100質量%，更好為50~100質量%，又更好為70~100質量%，再更好為85~100質量%。

[丙烯酸系樹脂] 　　本實施形態中，作為可使用作為黏著性樹脂之丙烯酸系樹脂，舉例為例如包含源自具有直鏈或分支鏈之烷基的(甲基)丙烯酸烷酯之構成單位的聚合物，包含源自具有環狀構造之(甲基)丙烯酸酯之構成單為之聚合物等。

丙烯酸系樹脂之質量平均分子量(Mw)，較好為10萬~150萬，更好為20萬~130萬，又更好為35萬~120萬，再更好為50萬~110萬。

作為丙烯酸系樹脂，更好為具有源自(甲基)丙烯酸烷酯(a1’)(以下亦稱為「單體(a1’)」)之構成單位(a1)及源自含官能基之單體(a2’) (以下亦稱為「單體(a2’)」)之構成單位(a2)之丙烯酸系共聚物(A1)。

作為單體(a1’)所具有之烷基的碳數，基於提高黏著特性之觀點，較好為1~24，更好為1~12，又更好為2~10，再更好為4~8。 　　又，單體(a1’)所具有之烷基可為直鏈烷基，亦可為分支鏈烷基。

作為單體(a1’)，舉例為例如(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸月桂酯、(甲基)丙烯酸十三烷酯、(甲基)丙烯酸硬脂酯等。 　　該等單體(a1’)可單獨使用，亦可組合2種以上使用。 　　作為單體(a1’)，較好為(甲基)丙烯酸丁酯及(甲基)丙烯酸2-乙基己酯。

構成單位(a1)之含量，相對於丙烯酸系共聚物(A1)之全構成單位(100質量%)，較好為50~99.9質量%，更好為60~99.0質量%，又更好為70~97.0質量%，再更好為80~95.0質量%。

作為單體(a2’)所具有之官能基舉例為例如羥基、羧基、胺基、環氧基等。 　　亦即，作為單體(a2’)舉例為例如含羥基之單體、含羧基之單體、含胺基之單體、含環氧基之單體等。 　　該等單體(a2’)可單獨使用，亦可組合2種以上使用。 　　該等中，作為單體(a2’)較好為含羥基之單體及含羧基之單體。

作為含羥基之單體舉例為上述之含羥基之化合物相同者。

作為含羧基之單體舉例為例如(甲基)丙烯酸、巴豆酸等之乙烯性不飽和單羧酸；富馬酸、依康酸、馬來酸、檸康酸等之乙烯性不飽和二羧酸及其酸酐；水楊酸2-(丙烯醯氧基)乙酯、(甲基)丙烯酸2-羧基乙酯等。

構成單位(a2)之含量，相對於丙烯酸系共聚物(A1)之全構成單位(100質量%)，較好為0.1~40質量%，更好為0.5~35質量%，又更好為1.0~30質量%，再更好為3.0~25質量%。

丙烯酸系共聚物(A1)亦可進而具有源自單體(a1’)及(a2’)以外之其他單體(a3’)之構成單位(a3)。 　　又，丙烯酸系共聚物(A1)中，構成單位(a1)及(a2)之含量，相對於丙烯酸系共聚物(A1)之全構成單位(100質量%)，較好為70~100質量%，更好為80~100質量%，又更好為90~100質量%，再更好為95~100質量%。

作為單體(a3’)舉例為例如乙烯、丙烯、異丁烯等之烯烴類；氯乙烯、偏氯乙烯等之鹵化烯烴類；丁二烯、異戊二烯、氯丁二烯等之二烯系單體類；(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸苄酯、(甲基)丙烯酸異冰片酯、(甲基)丙烯酸二環戊酯、(甲基)丙烯酸二環戊烯酯、(甲基)丙烯酸二環戊烯氧基乙酯、(甲基)丙烯酸醯亞胺酯等之具有環狀構造之(甲基)丙烯酸酯；苯乙烯、α-甲基苯乙烯、乙烯基甲苯、甲酸乙烯酯、乙酸乙烯酯、丙烯腈、(甲基)丙烯醯胺、(甲基)丙烯腈、(甲基)丙烯醯基嗎啉、N-乙烯基吡咯啶酮等。

又，丙烯酸系共聚物(A1)亦可為於側鏈導入聚合性官能基之能量線硬化型之丙烯酸系共聚物。 　　作為該聚合性官能基及該能量線係如上述。 　　又，聚合性官能基可藉由使具有上述構成單位(a1)及(a2)之丙烯酸系共聚物與具有可與該丙烯酸系共聚物之構成單位(a2)所具有之官能基鍵結之取代基及聚合性官能基之化合物反應而導入。 　　作為前述化合物，舉例為例如(甲基)丙烯醯氧基乙基異氰酸酯、(甲基)丙烯醯基異氰酸酯、(甲基)丙烯酸縮水甘油酯等。

＜交聯劑＞ 　　本實施形態中，黏著劑組成物含有如上述之丙烯酸系共聚物(A1)之含有官能基之黏著性樹脂時，較好進而含有交聯劑。 　　該交聯劑係與具有官能基之黏著性樹脂反應，以該官能基為交聯起點，使黏著性樹脂彼此交聯者。

作為交聯劑舉例為例如異氰酸酯系交聯劑、環氧系交聯劑、氮丙啶系交聯劑、金屬螯合劑系交聯劑等。 　　該等交聯劑可單獨使用，亦可併用2種以上。 　　該等交聯劑中，基於提高凝集力，提高黏著力之觀點，及取得容易性等之觀點，較好為異氰酸酯系交聯劑。

交聯劑含量，可藉由黏著性樹脂具有之官能基數而適當調整，但例如相對於具有官能基之黏著性樹脂100質量份，較好為0.01~10質量份，更好為0.03~7質量份，又更好為0.05~5質量份。

＜黏著賦予劑＞ 　　本實施形態中，基於更提高黏著力之觀點，黏著劑組成物可進而含有黏著賦予劑。 　　本說明書中，所謂「黏著賦予劑」係輔助提高上述黏著性樹脂之黏著力的成分，係指質量平均分子量(Mw)未滿1萬之寡聚物，係與前述黏著性樹脂有所區別者。 　　黏著賦予劑之質量平均分子量(Mw)較好為400~ 10000，更好為500~8000，又更好為800~5000。

作為黏著賦予劑舉例為例如松脂系樹脂、萜烯系樹脂、苯乙烯系樹脂、石油腦之熱分解所生成之戊烯、異戊二烯、胡椒鹼、1,3-戊二烯等之C5餾分共聚合所得之C5系石油樹脂、石油腦之熱分解所生成之茚、乙烯基甲苯等之C9餾分共聚合所得之C9系石油樹脂及使該等氫化之氫化樹脂等。

黏著賦予劑之軟化點較好為60~170℃，更好為65~160℃，又更好為70~150℃。 　　又，本說明書中，黏著賦予劑之「軟化點」係指依據JIS K2531測定之值。 　　黏著賦予劑可單獨使用，亦可併用軟化點、構造等不同之2種以上。 　　而且，使用2種以上之複數黏著賦予劑時，該等複數黏著賦予劑之軟化點之加權平均較好屬於前述範圍。

黏著賦予劑之含量，相對於黏著劑組成物中有效成分全量(100質量%)，較好為0.01~65質量%，更好為0.05~55質量%，又更好為0.1~50質量%，再更好為0.5~45質量%，又再更好為1.0~40質量%。

＜光聚合起始劑＞ 　　本實施形態中，黏著劑組成物包含能量線硬化型之黏著性樹脂作為黏著性樹脂時，較好進而含有光聚合起始劑。 　　藉由成為含有能量線硬化型之黏著性樹脂及光聚合起始劑之黏著劑組成物，自該黏著劑組成物形成之黏著劑層即使以比較低能量之能量線照射，亦可進行充分之硬化反應，可將黏著力調整至所期望之範圍。 　　又，作為光聚合起始劑，舉例為調配於上述無溶劑型樹脂組成物(y1)者相同者。

光聚合起始劑之含量，相對於能量線硬化型之黏著性樹脂100質量份，較好為0.01~10質量份，更好為0.03~5質量份，又更好為0.05~2質量份。

＜黏著劑用添加劑＞ 　　本實施形態中，第1黏著劑層之形成材料的黏著劑組成物，在不損及本發明效果之範圍內，除上述添加劑以外，亦可含有一般黏著劑所使用之黏著劑用添加劑。 　　作為該黏著劑用添加劑舉例為例如抗氧化劑、軟化劑(可塑劑)、防鏽劑、顏料、染料、延遲劑、反應促進劑(觸媒)、紫外線吸收劑等。 　　又，該等黏著劑用添加劑各可單獨使用，亦可併用2種以上。

含有該等黏著劑用添加劑時，各黏著劑用添加劑之含量，相對黏著性樹脂100質量份，較好為0.0001~ 20質量份，更好為0.001~10質量份。

黏著劑層之形成材料的黏著劑組成物，在不損及本發明效果之範圍內，亦可含有膨脹性粒子。 　　惟，如上述，第1黏著劑層較好為非膨脹性黏著劑層。因此，該黏著劑層之形成材料的黏著劑組成物中膨脹性粒子之含量越極力減少越佳。 　　膨脹性粒子之含量，相對於黏著劑組成物之有效成分全量(100質量%)，較好為未滿5質量%，更好未滿1質量%，又更好未滿0.1質量%，再更好未滿0.01質量%，特佳未滿0.001質量%。

(第2黏著劑層) 　　本實施形態之黏著薄片具有之第2黏著劑層只要為包含黏著性樹脂即可，亦可根據需要含有交聯劑、黏著賦予劑、聚合性化合物、聚合起始劑等之黏著劑用添加劑。 　　第2黏著劑層之組成及形態之較佳態樣，與第1黏著劑層相同。但，第1黏著劑層與第2黏著劑層之組成可相同亦可不同。且，第1黏著劑層與第2黏著劑層之形態可相同亦可不同。 　　作為第2黏著劑層之剪切儲存模數G’(23)，基於與支撐體等之密著性良好之觀點，較好為1.0×10⁴ ~1.0×10⁸ Pa，更好為3.0×10⁴ ~5.0×10⁷ Pa，又更好為5.0×10⁴ ~1.0×10⁷ Pa。

(剝離材) 　　如圖1(B)之黏著薄片10a所示，本實施形態之黏著薄片可於第1黏著劑層及/或第2黏著劑層之黏著表面進而具有剝離材。 　　作為剝離材，係使用雙面經剝離處理之剝離薄片、或單面經剝離處理之剝離薄片等，舉例為於剝離材用之基材上塗佈剝離劑者等。

作為剝離材用之基材，舉例為例如上等紙、玻璃紙、牛皮紙等之紙類；聚對苯二甲酸乙二酯樹脂、聚對苯二甲酸丁二酯樹脂、聚萘二甲酸乙二酯樹脂等之聚酯樹脂膜，聚丙烯樹脂、聚乙烯樹脂等之烯烴樹脂膜等之塑膠膜；等。

作為剝離劑舉例為例如矽氧系樹脂、烯烴系樹脂、異戊二烯系樹脂、丁二烯系樹脂等之橡膠系彈性體、長鏈烷基系樹脂、醇酸系樹脂、氟系樹脂等。

剝離材厚度並未特別限制，但較好為10~200 μm，更好為25~170 μm，又更好為35~80μm。

[黏著薄片之製造方法] 　　本實施形態之黏著薄片之製造方法並未特別限制，舉例為例如包含下述步驟(1a)~(4a)之製造方法(a)。 　　・步驟(1a)：於剝離材之剝離處理面上，塗佈膨脹性基材之形成材料的樹脂組成物(y)形成塗膜，使該塗膜乾燥或UV硬化後，自所得膨脹性基材剝離剝離材之步驟。 　　・步驟(2a)：於與步驟(1a)不同之剝離材的剝離處理面上，塗佈第1黏著劑層之形成材料的黏著劑組成物形成塗膜，使該塗膜乾燥形成第1黏著劑層之步驟。 　　・步驟(3a)：於與步驟(1a)及(2a)不同之剝離材的剝離處理面上，塗佈第2黏著劑層之形成材料的黏著劑組成物形成塗膜，使該塗膜乾燥形成第2黏著劑層之步驟。 　　・步驟(4a)：於步驟(1a)形成之膨脹性基材之一表面貼合第1黏著劑層，於另一表面貼合第2黏著劑層之步驟。

作為本實施形態之雙面黏著薄片之另一製造方法舉例為具有下述步驟(1b)~(3b)之製造方法(b)。 　　・步驟(1b)：於剝離材的剝離處理面上，塗佈第1黏著劑層之形成材料的黏著劑組成物形成塗膜，使該塗膜乾燥形成第1黏著劑層之步驟。 　　・步驟(2b)：於形成之第1黏著劑層之表面上，塗佈膨脹性基材之形成材料的樹脂組成物(y)形成塗膜，使該塗膜乾燥或UV硬化後，形成膨脹性基材之步驟。 　　・步驟(3b)：於形成之前述膨脹性基材之表面上，塗佈第2黏著劑層之形成材料的黏著劑組成物形成塗膜，使該塗膜乾燥形成第2黏著劑層之步驟。

上述製造方法(a)及(b)中，樹脂組成物(y)及黏著劑組成物亦可進而調配稀釋溶劑，作成溶液形態。 　　作為塗佈方法舉例為例如旋轉塗佈法、噴霧塗佈法、棒塗佈法、刮刀塗佈法、輥塗佈法、刮板塗佈法、模嘴塗佈法、凹版塗佈法等。

又，自製造方法(a)的步驟(1a)及製造方法(b)的步驟(1b)之塗膜形成膨脹性基材之乾燥或UV照射較好適當選擇不使膨脹性粒子膨脹之條件實施。例如使含有熱膨脹性粒子之樹脂組成物(y)乾燥形成膨脹性基材時，較好以乾燥溫度未滿熱膨脹性粒子的膨脹開始溫度(t)而進行。

＜本實施形態之半導體裝置之各製造步驟＞ 　　其次，針對本實施形態之半導體裝置之製造方法的各步驟加以說明。 　　本實施形態之半導體裝置之製造方法係使用前述雙面黏著薄片而製造半導體裝置之方法，且具有下述步驟(1)~(4)者。 　　步驟(1)：將硬質支撐體貼合於第2黏著劑層的黏著表面之步驟； 　　步驟(2)：將半導體晶片載置於第1黏著劑層的黏著表面的一部分之步驟； 　　步驟(3)：以密封材被覆前述半導體晶片、與第1黏著劑層的黏著表面中的前述半導體晶片的周邊部，使該密封材硬化，得到前述半導體晶片被硬化密封材所密封而成的硬化密封體之步驟； 　　步驟(4)：使前述膨脹性粒子膨脹，將前述雙面黏著薄片從前述硬化密封體上剝離之步驟。 　　以下，邊參考圖式邊說明本實施形態之半導體裝置之製造方法的各步驟。

(步驟(1)) 　　於圖2(A)中顯示說明於雙面黏著薄片10之第2黏著劑層122之黏著表面122a上，貼合硬質支撐體20之步驟(1)的剖面圖。 　　又，雙面黏著薄片10具有剝離材132時，預先剝離剝離材132。

硬質支撐體20係貼合於第2黏著劑層122之黏著表面122a者，係以於步驟(2)及(3)中獲得平坦性優異之硬化密封體為目的而使用者。 　　基於發揮前述目的之觀點，如圖2(A)所示，硬質支撐體20較好貼合於黏著表面122(a)整面。因此，硬質支撐體20較好為板狀，較好與黏著表面122a貼合之側的表面之面積為黏著表面122a之面積以上。 　　硬質支撐體20之材質，只要考慮機械強度、耐熱性等適當決定即可，舉例為例如SUS等之金屬材料；玻璃、矽晶圓等之非金屬無機材料；聚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺等之樹脂材料；玻璃環氧樹脂等之複合材料等，該等中，較好為SUS、玻璃、矽晶圓等。 　　硬質支撐體20之厚度，只要考慮機械強度、處理性等適當決定即可，例如為100μm~50mm。

(步驟(2)) 　　圖2(B)中顯示說明於第1黏著劑層121之黏著表面121a之一部分載置半導體晶片CP之步驟(2)的剖面圖。 　　又，雙面黏著薄片10具有剝離材131時，預先剝離剝離材131。 　　半導體晶片CP可使用以往習知者。半導體晶片CP係於其電路面W1上形成由電晶體、電阻、電容器等之電路元件構成之積體電路。 　　半導體晶片CP以例如其電路面W1經黏著表面121a覆蓋之方式載置。半導體晶片CP之載置可使用覆晶黏合機、晶粒黏合機等之習知裝置。 　　半導體晶片CP之配置佈局、配置數等只要根據目的之封裝形態、生產數等適當決定即可。 　　本文中，本實施形態之半導體裝置之製造方法係將如FOWLP、FOPLP等之半導體晶片CP於比晶片尺寸大的區域由密封材覆蓋，而可較好地應用於不僅於半導體晶片CP之電路面W1，亦於密封材的表面區域形成再配線層之封裝。因此，半導體晶片CP係載置於第1黏著劑層121之黏著表面121a之一部分者，且較好複數之半導體晶片CP以空出一定間隔排列之狀態載置於黏著表面121a，更好複數之半導體晶片CP以空出一定間隔排列為複數列且複數行之矩陣狀之狀態載置於黏著表面121a。半導體晶片CP彼此之間隔只要根據目的之封裝形態等適當決定即可。 　　半導體晶片CP藉由載置於第1黏著劑層121之黏著表面121a之一部分，而形成第1黏著劑層121之黏著表面121a中之半導體晶片CP之周邊部30。圖2(B)中，所謂半導體晶片CP之周邊部30係複數半導體晶片CP中，相當於鄰接之半導體晶片CP彼此之間隙的第1黏著劑層121之黏著表面121a。

(步驟(3)) 　　圖2(C)及(D)中顯示說明於將半導體晶片CP與第1黏著劑層121之黏著表面121a中之半導體晶片CP之周邊部30以密封材40被覆，使該密封材40硬化，獲得半導體晶片CP被硬化密封材41密封之硬化密封體50的步驟(3)之剖面圖。 　　以下，有時將半導體晶片CP與第1黏著劑層121之黏著表面121a中之半導體晶片CP之周邊部30以密封材40被覆之步驟稱為「被覆步驟」，有時將使該密封材40硬化，獲得半導體晶片CP被硬化密封材41密封之硬化密封體50的步驟稱為「硬化步驟」。

如圖2(C)所示，於被覆步驟中，首先，以密封材40被覆半導體晶片CP與第1黏著劑層121之黏著表面121a中之半導體晶片CP之周邊部30。密封材40係覆蓋半導體晶片CP之露出面全體，且亦填充於複數之半導體晶片CP彼此之間隙。

密封材40係具有保護半導體晶片CP及其隨附要件免於受外部環境影響之功能。 　　作為密封材40並未特別限制，可自以往作為半導體密封材料使用者中，適當選擇任意者使用。 　　基於機械強度、耐熱性、絕緣性等之觀點，密封材40係具有硬化性者，舉例為例如熱硬化性樹脂組成物、能量線硬化性樹脂組成物等。 　　以下，本實施形態中，說明密封材40為熱硬化性樹脂組成物之情況。

作為密封材40之熱硬化性樹脂組成物所含有之熱硬化性樹脂舉例為例如環氧樹脂、酚樹脂、氰酸酯樹脂等，但基於機械強度、耐熱性、絕緣性、成形性等之觀點，較好為環氧樹脂。 　　前述熱硬化性樹脂組成物中，除了前述熱硬化性樹脂以外，亦可根據需要，含有酚樹脂系硬化劑、胺系硬化劑等之硬化劑、硬化促進劑、氧化矽等之無機填充材、彈性體等之添加劑。 　　密封材40於室溫可為固形，亦可為液狀。且於室溫為固形之密封材40之形態並未特別限制，例如可為顆粒狀、薄片狀等。

作為藉由密封材40被覆半導體晶片CP及其周邊部30之方法，可自以往之應用於半導體封裝步驟之方法中適當選擇任意而使用，可適用例如輥層合法、真空加壓法、真空層合法、旋轉塗佈法、模嘴塗佈法、轉注成型法、壓縮成形成型法等。 　　該等方法中，通常為了提高密封材40之填充性，於被覆時加熱密封材40賦予流動性。

如圖2(D)所示，進行被覆步驟後，使密封材40硬化，獲得以硬化密封材41密封半導體晶片CP之硬化密封體50。 　　本文中，如前述，本實施形態所用之雙面黏著薄片10，係含有藉由熱、能量線等而膨脹之膨脹性粒子者，於後述步驟(4)中，藉由該膨脹性粒子膨脹而使黏著表面121a與硬化密封體50之黏著力降低，而自硬化密封體50剝離雙面黏著薄片10。因此，於被覆步驟及硬化步驟中，較好適當選擇不使膨脹性粒子膨脹之條件，被覆密封材40及硬化。 　　例如，於雙面黏著薄片10所含之膨脹性粒子為熱膨脹性粒子時，被覆步驟及硬化步驟中之加熱條件(加熱溫度及加熱時間)較好為起因於熱膨脹性粒子之膨脹所致之雙面黏著薄片10之厚度增加率為10%以下之加熱條件，更好為前述增加率為5%以下之加熱條件，又更好為前述增加率為0%之加熱條件(亦即不使熱膨脹性粒子膨脹之加熱條件)。又，雙面黏著薄片10之厚度增加率可例如依據JIS K6783、Z1702、Z1709，使用定壓厚度測定器(TECLOCK股份有限公司製，製品名「PG-02」)測定於特定條件下之加熱前後之雙面黏著薄片10之厚度，基於下述式計算。 　　厚度增加率(%)=(加熱後之厚度－加熱前之厚度)×100/加熱前之厚度 　　又，被覆步驟及硬化步驟可個別實施，但亦可於被覆步驟中加熱密封材40時，藉由該加熱直接使密封材40硬化。亦即，該情況下，被覆步驟及硬化步驟可同時實施。

又，本實施形態中，係以使用熱硬化性樹脂組成物作為密封材40，使用熱膨脹性粒子作為膨脹性粒子之態樣進行說明，但亦可為例如密封材40為能量線硬化性樹脂組成物，膨脹性粒子為熱膨脹性粒子之態樣，亦可為密封材40為能量線硬化性樹脂組成物，膨脹性粒子為能量線膨脹性粒子之態樣，該等態樣中，被覆步驟及硬化步驟中之雙面黏著薄片10之厚度增加率均較好滿足前述範圍。

前述被覆步驟中加熱熱硬化性樹脂組成物之溫度具體例雖亦隨使用之密封材40之種類、膨脹性粒子之種類等而異，但可為30~180℃，較好為50~170℃，更好為70~150℃。又，加熱時間為例如5秒~60分鐘，較好為10秒~45分鐘，更好為15秒~30分鐘。 　　前述硬化步驟中，使密封材40硬化之溫度具體例雖亦隨使用之密封材40之種類、膨脹性粒子之種類等而異，但可為80~240℃，較好為90~200℃，更好為100~170℃。又，加熱時間為例如10~180分鐘，較好為20~150分鐘，更好為30~120分鐘。

本實施形態中，較好使用薄片狀之密封材(以下亦稱為「薄片狀密封材」)實施被覆步驟及硬化步驟。 　　使用薄片狀密封材之方法中，將薄片狀密封材載置為覆蓋半導體晶片CP及其周邊部30，而使半導體晶片CP及其周邊部30由密封材40被覆。此時，較好以使不會產生半導體晶片CP彼此之間隙未被密封材40填充之部分之方式，藉由真空層合機，邊適當減壓，邊加熱及壓著。減壓、加熱及壓著條件之較佳態樣如上述。隨後，使經層合之密封材40加熱硬化。硬化之溫度的較佳態樣如上述。 　　薄片狀密封材亦可為由聚對苯二甲酸乙二酯等之樹脂薄片支持之層合薄片。該情況下，亦可以薄片狀密封材覆蓋半導體晶片CP及其周邊部30之方式載置層合薄片後，自密封材剝離樹脂薄片。

藉由步驟(3)，獲得以每特定距離隔開之複數半導體晶片CP嵌埋於硬化密封材41之硬化密封體50。

(步驟(4)) 　　圖2(E)中顯示說明膨脹性粒子膨脹，使雙面黏著薄片10自硬化密封體50剝離之步驟(4)之剖面圖。 　　具體而言，膨脹性粒子根據其種類，藉由熱、能量線等膨脹，而於第1黏著劑層121之黏著表面121a形成凹凸，藉此，使黏著表面121a與硬化密封體50之黏著力降低，而剝離雙面黏著薄片10。 　　此時，藉由本實施形態之製造方法，由於於第2黏著劑層122之黏著表面122a貼合硬質支撐體20，故於第2黏著劑層122之黏著表面122a側形成凹凸受到抑制，藉此可有效率地於第1黏著劑層121之黏著表面121a側形成凹凸，獲得優異剝離性。 　　作為使膨脹性粒子膨脹之方法，只要根據膨脹性粒子種類適當選擇即可。 　　膨脹性粒子為熱膨脹性粒子時，只要加熱至膨脹開始溫度(t)以上之溫度即可。此處，作為「膨脹開始溫度(t)以上之溫度」較好為「膨脹開始溫度(t)+10℃」以上「膨脹開始溫度(t)+60℃」以下，更好為「膨脹開始溫度(t)+15℃」以上「膨脹開始溫度(t)+40℃」以下。具體而言，對應於其熱膨脹性粒子之種類，加熱至例如120~250℃之範圍並膨脹即可。

膨脹性粒子膨脹後，自硬化密封體50剝離雙面黏著薄片10。本實施形態之雙面黏著薄片10由於具有優異剝離性，故以比以往之暫時固定用薄片更小之外力即可剝離。剝離方法並未特別限定，但舉例為例如自雙面黏著薄片10使用膠帶移除機自硬化密封體50剝離之方法。

本實施形態之製造方法，於步驟(4)中，於自硬化密封體50剝離雙面黏著薄片10之前或剝離之後，根據需要，亦可包含用以將硬化密封體50厚度減薄之研削步驟。

(步驟(5)) 　　本實施形態之製造方法，較好包含於經剝離雙面黏著薄片10之硬化密封體50上形成再配線層之步驟(5)。 　　圖3(A)顯示剝離雙面黏著薄片10後之硬化密封體50之剖面圖。 　　本步驟中，於電路面W1上及相當於半導體晶片CP之區域外的硬化密封體50之面50a上形成與露出之複數半導體晶片CP之電路W2連接之再配線。

圖3(B)係顯示說明於半導體晶片CP之電路面W1及硬化密封體50之面50a上形成第1絕緣層61之步驟的剖面圖。 　　包含絕緣性樹脂之第1絕緣層61於電路面W1及面50a上形成為使半導體晶片CP之電路W2或電路W2之內部端子電極W3露出。作為絕緣性樹脂舉例為聚醯亞胺樹脂、聚苯并噁唑樹脂、矽氧樹脂等。內部端子電極W3之材質若為導電性材料則未限定，舉例為金、銀、銅、鋁等之金屬、包含該等金屬之合金等。

圖3(C)中顯示說明形成與被硬化密封體50密封之半導體晶片CP電性連接之再配線70之步驟的剖面圖。 　　本實施形態中，接續於第1絕緣層61之形成後形成再配線70。再配線70之材質若為導電性材料則未限定，舉例為金、銀、銅、鋁等之金屬、包含該等金屬之合金等。再配線70可藉由去除法、半添加法等之習知方法形成。

圖4(A)中顯示形成被覆再配線70之第2絕緣層62之步驟的剖面圖。 　　再配線70具有外部端子電極用之外部電極焊墊70A。第2絕緣層62上設有開口等，使外部端子電極用之外部電極焊墊70A露出。本實施形態中，外部電極焊墊70A露出於硬化密封體50之半導體晶片CP的區域(與電路面W1對應之區域)內及區域外(與硬化密封體50上之面50a對應之區域)。且，再配線70以使外部電極焊墊70A配置為陣列狀之方式，形成於硬化密封體50上之面50a上。本實施形態中，由於具有外部電極焊墊70A露出於硬化密封體50之半導體晶片CP的區域外之構造，故可獲得FOWLP或FOPLP。

(與外部端子電極之連接步驟) 　　圖4(B)係顯示於外部電極焊墊70A連接外部端子電極80之步驟的剖面圖。 　　於自第2絕緣層62露出之外部電極焊墊70A上載置焊球等之外部端子電極80，藉由焊接接合等，將外部端子電極80與外部電極焊墊70A電性連接。焊球材質並未特別限定，舉例為含鉛焊料、無鉛焊料等。

(切晶步驟) 　　圖4(C)顯示說明將連接有外部端子電極80之硬化密封體50單片化之步驟的剖面圖。 　　本步驟將硬化密封體50以半導體晶片CP單位單片化。使硬化密封體50單片化之方法並無特別限定，可藉由切割鋸等之切斷手段實施。 　　藉由使硬化密封體50單片化，而製造半導體晶片CP單位之半導體裝置100。如上述於扇出至半導體晶片CP之區域外之外部電極焊墊70A連接有外部端子電極80之半導體裝置100係作為FOWLP、FOPLP等予以製造。

(安裝步驟) 　　本實施形態中較好亦包含將單片化之半導體裝置100安裝於印刷配線基板等之步驟。 [實施例]

本發明中，藉由以下實施例具體加以說明，但本發明並非限定於以下實施例者。又，以下之製造例及實施例中之物性值係藉由以下方法測定之值。

＜質量平均分子量(Mw)＞ 　　使用凝膠滲透層析裝置(TOSOH股份有限公司製，製品名「HLC-8020」)，於下述條件下測定，使用以標準聚苯乙烯換算所測定之值。 (測定條件) 　　・管柱：「TSK保護管柱HXL-L」「TSK gel G2500HXL」「TSK gel G2000HXL」「TSK gel G1000HXL」(均為TOSOH股份有限公司製)依序連結者。 　　・管柱溫度：40℃ 　　・展開溶劑：四氫呋喃 　　・流速：1.0mL/分鐘

＜各層厚度之測定＞ 　　使用TECLOCK股份有限公司製之定壓厚度測定器(型號「PG-02J」，標準規格：依據JIS K6783、Z1720、Z1709)測定。

＜熱膨脹性粒子之平均粒徑(D₅₀ )、90%粒徑(D₉₀ )＞ 　　使用雷射繞射式粒度分佈測定裝置(例如Malvern公司製，製品名「Mastersizer 3000」)，測定23℃下之膨脹前之熱膨脹性粒子的粒子分佈。 　　接著，將自粒子分佈之粒徑較小者起計算之累積體積頻度相當於50%及90%之粒徑分別設為「熱膨脹性粒子之平均粒徑(D₅₀ )」及「熱膨脹性粒子之90%粒徑(D₉₀ )」。

＜膨脹性基材之儲存模數E’＞ 　　於測定對象為非黏著性之膨脹性基材時，將該膨脹性基材作成縱5mm×橫30mm×厚200μm之大小，將去除剝離材者作為試驗樣品。 　　使用動態黏彈性測定裝置(TA Instrument公司製，製品名「DMAQ800」)，以試驗開始溫度0℃、試驗結束溫度300℃、升溫速度3℃/分鐘，振動數1Hz、振幅20μm之條件，測定特定溫度下之該試驗樣品之儲存模數E’。

＜黏著劑層之剪切儲存模數G’、膨脹性黏著劑層之儲存模數E’＞ 　　於測定對象為具有黏著性之膨脹性黏著劑層及黏著劑層時，將該膨脹性黏著劑層及黏著劑層作成直徑8mm×厚3mm，將去除剝離材者作為試驗樣品。 　　使用黏彈性測定裝置(Anton Paar公司製，裝置名「MCR300」)，以試驗開始溫度0℃、試驗結束溫度300℃、升溫速度3℃/分鐘，振動數1Hz之條件，藉由擰剪斷法測定於特定溫度下之該試驗樣品之剪切儲存模數G’。 　　接著，基於所測定之剪切儲存模數G’之值，自近似式「E’=3G’」算出儲存模數E’之值。

＜探針黏性值＞ 　　將成為測定對象之膨脹性基材或膨脹性黏著劑層切斷為一邊10mm之正方形後，於23℃、50%RH(相對溼度)之環境下靜置24小時，將去除輕剝離膜者作為試驗樣品。 　　於23℃、50%RH(相對溼度)之環境下，使用TACKING試驗機(日本特殊測器股份有限公司製，製品名「NTS-4800」)，依據JIS Z0237：1991測定經去除輕剝離膜而露出之前述試驗樣品表面之探針黏性。 　　具體而言，將直徑5mm之不鏽鋼製之探針以1秒、接觸荷重0.98N/cm² 接觸試驗樣品之表面後，測定該探針以10mm/秒之速度，自試驗樣品表面離開時之必要力。接著，將該測定值作為該試驗樣品之探針黏性值。

以下製造例所使用之黏著性樹脂、添加劑、熱膨脹性粒子及剝離材之細節如以下。 ＜黏著性樹脂＞ 　　・丙烯酸系共聚物(i)：含有具有源自丙烯酸2-乙基己酯(2EHA)/丙烯酸2-羥基乙酯(HEA)=80.0/20.0(質量比)所成之原料單體之構成單位的質量平均分子量(Mw)60萬之丙烯酸系聚合物之溶液。稀釋溶劑：乙酸乙酯，固形分濃度：40質量%。 　　・丙烯酸系共聚物(ii)：含有具有源自丙烯酸正丁酯(BA)/甲基丙烯酸甲酯(MMA)/丙烯酸2-羥基乙酯(HEA)/丙烯酸=86.0/8.0/5.0/1.0(質量比)所成之原料單體之構成單位的質量平均分子量(Mw)60萬之丙烯酸系聚合物之溶液。稀釋溶劑：乙酸乙酯，固形分濃度：40質量%。 ＜添加劑＞ 　　・異氰酸酯交聯劑(i)：TOSOH股份有限公司製，製品名「Coronate L」，固形分濃度：75質量%。 　　・光聚合起始劑(i)：BASF公司製，製品名「IRGACURE 184」，1-羥基-環己基-苯基酮。 ＜熱膨脹性粒子＞ 　　・熱膨脹性粒子(i)：KURARAY股份有限公司製，製品名「S2640」，膨脹開始溫度(t)=208℃，平均粒徑(D₅₀ ) =24μm，90%粒徑(D₉₀ )=49μm。 ＜剝離材＞ 　　・重剝離膜：LINTEK股份有限公司製，製品名「SP-PET382150」，於聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜之單面，設置由矽氧系剝離劑所形成之剝離劑層者，厚：38μm。 　　・輕剝離膜：LINTEK股份有限公司製，製品名「SP-PET381031」，於PET膜之單面，設置由矽氧系剝離劑所形成之剝離劑層者，厚：38μm。

製造例1(第1黏著劑層(X-1)之形成) 　　於黏著性樹脂的上述丙烯酸系共聚物(i)之固形分100質量份中，調配上述異氰酸酯系交聯劑(i) 5.0質量份(固形分比)，以甲苯稀釋，均一攪拌，調製固形分濃度(有效成分濃度) 25質量%之組成物(x-1)。 　　接著，於上述重剝離膜之剝離劑層之表面上，塗佈所調製之組成物(x-1)形成塗膜，使該塗膜於100℃乾燥60秒，形成厚度10μm之第1黏著劑層(X-1)。 　　又，23℃下之第1黏著劑層(X-1)的剪切儲存模數G’(23)為2.5×10⁵ Pa。

製造例2(第2黏著劑層(X-2)之形成) 　　於黏著性樹脂的上述丙烯酸系共聚物(ii)之固形分100質量份中，調配上述異氰酸酯系交聯劑(i) 0.8質量份(固形分比)，以甲苯稀釋，均一攪拌，調製固形分濃度(有效成分濃度) 25質量%之組成物(x-2)。 　　接著，於上述輕剝離膜之剝離劑層之表面上，塗佈所調製之組成物(x-2)形成塗膜，使該塗膜於100℃乾燥60秒，形成厚度10μm之第2黏著劑層(X-2)。 　　又，23℃下之第2黏著劑層(X-2)的剪切儲存模數G’(23)為9.0×10⁴ Pa。

製造例3(膨脹性基材(Y-1)之形成) (1)組成物(y-1)之調製 　　於使酯型二醇與異佛爾酮二異氰酸酯(IPDI)反應所得之末端異氰酸酯胺甲酸酯預聚物，與丙烯酸2-羥基乙酯反應，獲得質量平均分子量(Mw)5000之2官能丙烯酸胺基甲酸酯系寡聚物。 　　接著，於上述合成之丙烯酸胺基甲酸酯系寡聚物40質量%(固形分比)中，調配作為能量線聚合性單體之丙烯酸異冰片酯(IBXA) 40質量%(固形分比)及丙烯酸苯基羥基丙酯(HPPA) 20質量%(固形分比)，相對於丙烯酸胺基甲酸酯系寡聚物及能量線聚合性單體之全量100質量份，進而調配作為光聚合起始劑之1-羥基環己基苯基酮(BASF公司製，製品名「IRGACURE 184」) 2.0質量份(固形分比)及作為添加劑之酞青系顏料0.2質量份(固形分比)，調製能量線硬化性組成物。 　　接著，於該能量線硬化性組成物中調配上述熱膨脹性粒子(i)，調製不含溶劑之無溶劑型之組成物(y-1)。 　　又，相對於組成物(y-1)之全量(100質量%)之熱膨脹性粒子(i)之含量為20質量%。

(2)膨脹性基材(Y-1)之形成 　　於上述輕剝離膜之剝離劑層表面上，塗佈所調製之組成物(y-1)形成塗膜。 　　接著，使用紫外線照射裝置(EYEGRAPHICS公司製，製品名「ECS-401GX」)及高壓水銀燈(EYEGRAPHICS公司製，製品名「H04-L41」)，以照度160 mW/cm² 、光量500 mJ/cm² 之條件照射紫外線，使該塗膜硬化，形成厚度50μm之膨脹性基材(Y-1)。又，紫外線照射時之上述照度及光量係使用照度・光量計(EIT公司製，製品名「UV Power Puck II」)測定之值。

製造例4(膨脹性基材(Y-2)之形成) (1)胺基甲酸酯預聚物之合成 　　於氮氣環境下之反應容器內，相對於質量平均分子量(Mw) 1,000之碳酸酯型二醇100質量份(固形分比)，以碳酸酯型二醇之羥基與異佛爾酮二異氰酸酯之異氰酸酯基之當量比成為1/1之方式調配異佛爾酮二異氰酸酯(IPDI)，進而添加甲苯160質量份，於氮氣環境下，邊攪拌邊於80℃反應6小時以上直至異氰酸酯基濃度達到理論量。 　　其次，添加將甲基丙烯酸2-乙基己酯(2-HEMA) 1.44質量份(固形分比)稀釋於甲苯30質量份之溶液，進而於80℃反應6小時直至兩末端之異氰酸酯基消失，獲得質量平均分子量(Mw) 2.9萬之胺基甲酸酯預聚物。

(2)丙烯酸胺基甲酸酯系樹脂之合成 　　於氮氣環境下之反應容器內，添加上述(1)所得之胺基甲酸酯預聚物100質量份(固形分比)、甲基丙烯酸甲酯(MMA) 117質量份(固形分比)、丙烯酸2-乙基己酯(2-HEMA) 5.1質量份(固形分比)、1-硫代甘醇1.1質量份(固形分比)及甲苯50質量份，邊攪拌邊升溫至105℃。 　　接著，於反應容器內，進而將自由基起始劑(日本Finechem股份有限公司製，製品名「ABN-E」) 2.2質量份(固形分比)以甲苯210質量份稀釋之溶液，維持於105℃之狀態歷時4小時予以滴加。 　　滴加結束後，於105℃反應6小時，獲得質量平均分子量(Mw) 10.5萬之丙烯酸胺基甲酸酯系樹脂之溶液。

(3)膨脹性基材(Y-2)之形成 　　對於上述(2)所得之丙烯酸胺基甲酸酯系樹脂之溶液之固形分100質量份，調配上述異氰酸酯系交聯劑(i) 6.3質量份(固形分比)、作為觸媒之二辛基錫雙(2-乙基己酸酯) 1.4質量份(固形分比)及上述熱膨脹性粒子(i)，以甲苯稀釋，均一攪拌，調製固形分濃度(有效成分濃度) 30質量%之組成物(y-2)。 　　又，相對於所得組成物(y-2)中之有效成分全量(100質量%)的熱膨脹性粒子(i)之含量為20質量%。 　　接著，於上述輕剝離膜之剝離劑層之表面上，塗佈所調製之組成物(y-2)形成塗膜，該塗膜於100℃乾燥120秒，形成厚度50μm之膨脹性基材(Y-2)。

製造例5(膨脹性黏著劑層(Y-3)之形成) 　　於黏著性樹脂的上述丙烯酸系共聚物(ii)之固形分100質量份中，調配上述異氰酸酯系交聯劑(i) 6.3質量份(固形分比)及上述熱膨脹性粒子(i)，以甲苯稀釋，均一攪拌，調製固形分濃度(有效成分濃度) 30質量%之組成物(y-3)。 　　又，相對於所得組成物(y-3)中之有效成分全量(100質量%)的熱膨脹性粒子(i)之含量為20質量%。 　　接著，於上述輕剝離膜之剝離劑層之表面上，塗佈所調製之組成物(y-3)形成塗膜，該塗膜於100℃乾燥120秒，形成厚度50μm之膨脹性黏著劑層(Y-3)。

針對製造例3~4所形成之膨脹性基材(Y-1)~ (Y-2)及製造例5所形成之膨脹性黏著劑層(Y-3)，基於上述方法，分別測定23℃、100℃及使用之熱膨脹性粒子之膨脹開始溫度的208℃之儲存模數E’及探針黏性值。該等結果示於表1。

實施例1 　　將製造例1形成之第1黏著劑層(X-1)與製造例3形成之膨脹性基材(Y-1)之表面彼此貼合，去除膨脹性基材(Y-1)側之輕剝離膜，於露出之膨脹性基材(Y-1)表面，貼合製造例2形成之第2黏著劑層(X-2)。 　　藉此製作依序層合輕剝離膜/第2黏著劑層(X-2)/膨脹性基材(Y-1)/第1黏著劑層(X-1)/重剝離膜之黏著薄片(1)。

實施例2 　　除了膨脹性基材(Y-1)替代為製造例4形成之膨脹性基材(Y-2)以外，與實施例1同樣，製作依序層合輕剝離膜/第2黏著劑層(X-2)/膨脹性基材(Y-2)/第1黏著劑層(X-1)/重剝離膜之黏著薄片(2)。

比較例1 　　將製造例2形成之第2黏著劑層(X-2)與製造例5形成之膨脹性黏著劑層(Y-3)之表面彼此貼合。接著，去除膨脹性基材(Y-3)側之輕剝離膜，於露出之膨脹性黏著劑層(Y-3)表面上，貼合製造例1形成之第1黏著劑層(X-1)。 　　藉此製作依序層合輕剝離膜/第2黏著劑層(X-2)/膨脹性黏著劑層(Y-3)/第1黏著劑層(X-1)/重剝離膜之黏著薄片(3)。

比較例2 　　將製造例2形成之第2黏著劑層(X-2)與製造例5形成之膨脹性黏著劑層(Y-3)之表面彼此貼合，製作依序層合輕剝離膜/第2黏著劑層(X-2)/膨脹性黏著劑層(Y-3)/輕剝離膜之黏著薄片(4)。

且，針對所製作之黏著薄片(1)~(4)，進行以下測定。該等結果示於表2。

＜密封步驟時之半導體晶片之位置偏移評價＞ 　　將所製作之黏著薄片(1)~(3)所具有之第2黏著劑層(X-2)側之輕剝離膜去除，將露出之第2黏著劑層(X-2)之黏著表面貼合於硬質支撐體的SUS板(厚1mm，尺寸：200mmφ)。 　　接著，去除黏著薄片(1)~(3)之重剝離膜，於露出之第1黏著劑層(X-1)之黏著表面上，以該黏著表面與半導體晶片之電路面接觸之方式，空出必要間隔載置9個半導體晶片(晶片尺寸6.4mm×6.4mm，晶片厚200μm(#2000))。又，去除黏著薄片(4)之膨脹性黏著劑層(Y-3)側之輕剝離膜，於露出之膨脹性黏著劑層(Y-3)之黏著表面上，與黏著薄片(1)~(3)之情況同樣載置半導體晶片。 　　隨後，於黏著表面及半導體晶片上層合密封用樹脂膜(密封材)，使用真空加熱加壓層合機(ROHM and HASS公司製之「7024HP5」)，以密封材被覆第1黏著劑層(X-1)之黏著表面及半導體晶片，並且使密封材硬化，製作硬化密封體。又，密封條件如下述。 　　・預熱溫度：台及膜均為100℃ 　　・抽真空：60秒 　　・動態壓製模式：30秒 　　・靜態壓製模式：10秒 　　・密封溫度：180℃(比熱膨脹性粒子之膨脹開始溫度的208℃低的溫度) 　　・密封時間：60分鐘

密封後，將黏著薄片(1)~(4)於熱膨脹性粒子之膨脹開始溫度(208℃)以上之240℃加熱3分鐘，自黏著薄片(1)~(4)分離該硬化密封體，以目視及顯微鏡觀察經分離之硬化密封體表面(再配線層形成面)之半導體晶片，確認半導體晶片有無位置偏移，藉以下基準進行評價。 　　・A：未確認到發生較密封前位置偏移25μm以上之半導體晶片。 　　・F：確認到發生較密封前位置偏移25μm以上之半導體晶片。

＜密封步驟後之半導體晶片側之表面平坦性評價＞ 　　使用黏著薄片(1)~(4)，以與上述「密封步驟時之半導體晶片之位置偏移評價」同樣順序，製作硬化密封體，並與黏著薄片分離。 　　使用接觸式表面粗糙度計(三豐公司製「SV3000」)，對所製作之硬化密封體之各半導體晶片側之表面(再配線層形成面)測定階差，由以下基準進行評價。 　　・A：未確認到發生2μm以上階差之部位。 　　・F：確認到發生2μm以上階差之部位。

＜加熱前後之黏著薄片之黏著力測定＞ 　　去除所製作之黏著薄片(1)~(3)所具有之第2黏著劑層(X-2)側之輕剝離膜，於露出之第2黏著劑層(X-2)之黏著表面上，層合厚50μm之聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜(東洋紡股份有限公司製，製品名「Cosmoshine A4100」)，作為附基材之黏著薄片。 　　接著，該黏著薄片(1)~(3)之重剝離膜亦去除，將露出之第1黏著劑層(X-1)之黏著表面貼附於被黏著體之不鏽鋼板(SUS 304 360號研磨)，於23℃、50%RH(相對溼度)環境下，靜置24小時者作為試驗樣品。又，去除黏著薄片(4)之膨脹性黏著劑層(Y-3)側之輕剝離膜，對於露出之膨脹性黏著劑層(Y-3)之黏著表面，以黏著薄片(1)~(3)同樣順序準備試驗樣品。 　　接著，使用上述試驗樣品，於23℃、50%RH(相對溼度)環境下，基於JIS Z0237：2000，藉由180°剝離法，以拉伸速度300mm/分鐘，測定在23℃下的黏著力。 　　又，將上述試驗樣品於加熱板上，於成為熱膨脹性粒子之膨脹開始溫度(208℃)以上之240℃下加熱3分鐘，於標準環境(23℃、50% RH(相對溼度))靜置60分鐘後，基於JIS Z0237：2000，藉由180°剝離法，以拉伸速度300mm/分鐘，測定於膨脹開始溫度以上加熱後之黏著力。 　　又，於無法貼附於被黏著體之不鏽鋼板而難以測定黏著力時，稱為「無法測定」，其黏著力為0(N/25mm)。

由表2可知，依據使用實施例1及2之黏著薄片(1)及(2)之製造方法，密封步驟時之加熱時，由於半導體晶片之沉入抑制效果高，故未見到半導體晶片之位置偏移，密封步驟後之半導體晶片側之表面(再配線層形成面)亦平坦。 　　且，黏著薄片(1)及(2)於加熱前雖具有良好黏著力，但於膨脹開始溫度以上加熱後黏著力降低至無法測定之程度，故證實為剝離時僅以少許力即可容易剝離之結果。

另一方面，比較例1之黏著薄片(3)及比較例2之黏著薄片(4)並非膨脹性基材，由於具有膨脹性黏著劑層，故於密封步驟時之加熱時，發生半導體晶片之沉入，見到半導體晶片之位置偏移，且，於密封步驟後之半導體晶片側之表面(再配線層形成面)見到階差。因此，認為不適用於製造例如FOWLP及FOPLP時之密封步驟中之使用。

10‧‧‧雙面黏著薄片

11‧‧‧基材

121‧‧‧第1黏著劑層

121a‧‧‧黏著表面

122‧‧‧第2黏著劑層

122a‧‧‧黏著表面

131、132‧‧‧剝離材

20‧‧‧硬質支撐體

30‧‧‧第1黏著劑層之黏著表面中之半導體晶片周邊部

40‧‧‧密封材

41‧‧‧硬化密封材

50‧‧‧硬化密封體

50a‧‧‧面

61‧‧‧第1絕緣層

62‧‧‧第2絕緣層

70‧‧‧再配線

70A‧‧‧外部電極焊墊

80‧‧‧外部端子電極

100‧‧‧半導體裝置

CP‧‧‧半導體晶片

W1‧‧‧電路面

W2‧‧‧電路

W3‧‧‧內部端子電極

圖1係顯示本實施形態之雙面黏著薄片之構成的一例之雙面黏著薄片之剖面圖。 　　圖2係說明本實施形態之製造方法的一例之剖面圖。 　　圖3係說明接續圖2之本實施形態之製造方法的一例之剖面圖。 　　圖4係說明接續圖3之本實施形態之製造方法的一例之剖面圖。

Claims (11)

1. 一種半導體裝置之製造方法，其係使用雙面黏著薄片來製造半導體裝置之方法，該雙面黏著薄片依序具有：第1黏著劑層、包含膨脹性粒子且為非黏著性的基材、與第2黏著劑層， 　　具有下述步驟(1)~(4)， 　　步驟(1)：將硬質支撐體貼合於第2黏著劑層的黏著表面之步驟； 　　步驟(2)：將半導體晶片載置於第1黏著劑層的黏著表面的一部分之步驟； 　　步驟(3)：以密封材來被覆前述半導體晶片、與第1黏著劑層的黏著表面中的前述半導體晶片的周邊部，使該密封材硬化，得到前述半導體晶片被硬化密封材所密封而成的硬化密封體之步驟； 　　步驟(4)：使前述膨脹性粒子膨脹，將前述雙面黏著薄片從前述硬化密封體上剝離之步驟。
2. 如請求項1記載之半導體裝置之製造方法，其中，進一步具有下述步驟(5)， 　　步驟(5)：對前述雙面黏著薄片為經剝離的硬化密封體形成再配線層之步驟。
3. 如請求項1或2記載之半導體裝置之製造方法，其中，前述膨脹性粒子為熱膨脹性粒子，前述步驟(4)係藉由將前述雙面黏著薄片進行加熱，使前述熱膨脹性粒子膨脹來將前述雙面黏著薄片從前述硬化密封體上剝離之步驟。
4. 如請求項3記載之半導體裝置之製造方法，其中，前述熱膨脹性粒子的膨脹開始溫度(t)為120~250℃。
5. 如請求項4記載之半導體裝置之製造方法，其中，前述基材滿足下述要件(1)~(2)， 　　要件(1)：在100℃下的前述基材的儲存模數E’(100)為2.0×10⁵ Pa以上； 　　要件(2)：在前述熱膨脹性粒子的膨脹開始溫度(t)下的前述基材的儲存模數E’(t)為1.0×10⁷ Pa以下。
6. 如請求項1~5中任一項記載之黏著薄片，其中，前述膨脹性粒子在23℃下的膨脹前的平均粒徑為3~100μm。
7. 如請求項1~6中任一項記載之半導體裝置之製造方法，其中，在23℃下的第1黏著材層的剪切儲存模數G’(23)為1.0×10⁴ ~1.0×10⁸ Pa。
8. 如請求項1~7中任一項記載之半導體裝置之製造方法，其中，在23℃下的前述基材的厚度、與第1黏著劑層的厚度之比(基材/第1黏著劑層)為0.2以上。
9. 如請求項1~8中任一項記載之半導體裝置之製造方法，其中，在23℃下的前述基材的厚度為10~1000μm，前述第1黏著劑層的厚度為1~60μm。
10. 如請求項1~9中任一項記載之半導體裝置之製造方法，其中，前述基材的表面的探針黏性值為未滿50mN/ 5mmφ。
11. 一種雙面黏著薄片，其係於請求項1~10中任一項記載之半導體裝置之製造方法中所使用的雙面黏著薄片，依序具有：第1黏著劑層、包含膨脹性粒子且為非黏著性的基材、與第2黏著劑層。