TW201837189A

TW201837189A - 靶材的洗淨方法與其裝置、靶材的製造方法與其靶材以及回收鑄塊的製造方法和回收鑄塊

Info

Publication number: TW201837189A
Application number: TW107110324A
Authority: TW
Inventors: 西岡宏司; 塚田洋行
Original assignee: 日商住友化學股份有限公司
Priority date: 2017-03-30
Filing date: 2018-03-26
Publication date: 2018-10-16
Also published as: TWI816663B; JP2018172796A; JP6533265B2; JP2018168465A; JP7102237B2

Abstract

一種靶材的洗淨方法，包括：自利用接合材將主要包含金屬的靶材與支持構件結合而成的濺鍍靶分離所述靶材的步驟；以及藉由向所述靶材中的附著有所述接合材的面噴射水而將所述接合材自所述靶材去除的步驟。

Description

靶材的洗淨方法與其裝置、靶材的製造方法與其靶材以及回收鑄塊的製造方法和回收鑄塊

本發明是有關於一種靶材的洗淨方法與其裝置、靶材的製造方法、靶材、回收鑄塊的製造方法和回收鑄塊。

濺鍍靶通常是利用接合材將包含金屬、合金或陶瓷的靶材與支持構件結合（焊接（bonding））而成。靶材於其使用後被回收，金屬可藉由再次溶解並進行鑄造而作為鑄塊（坯料、鑄錠）而再使用（回收）。

關於濺鍍靶的回收，例如於日本專利特開2005-23350號公報、日本專利特開2005-23349號公報或國際公開第2015/151498號手冊中揭示了利用酸處理或噴砂處理等機械去除來去除濺鍍靶的表面附著物。

本發明者進行了努力研究，結果發現於利用接合材將主要包含金屬的靶材與支持構件結合而成的濺鍍靶中，於其使用後自濺鍍靶分離靶材，其後藉由向靶材的附著並殘存有接合材的面噴射水而將靶材洗淨，藉此可自靶材簡單地去除所附著的接合材。

本申請案是有關於以下的發明。

[1] 一種靶材的洗淨方法，其包括：自利用接合材將主要包含金屬的靶材與支持構件結合而成的濺鍍靶分離所述靶材的步驟；以及藉由向所述靶材中的附著有所述接合材的面噴射水而將所述接合材自所述靶材去除的步驟。 [2] 如所述[1]所述的靶材的洗淨方法，其中所述水的壓力為90 MPa以上。 [3] 如所述[1]或[2]所述的靶材的洗淨方法，其中所述金屬為鋁或銅。 [4] 一種靶材的製造方法，其包括進行如所述[1]～[4]中任一項所述的洗淨方法的步驟。 [5] 一種靶材，其自利用接合材將主要包含金屬的靶材與支持構件結合而成的濺鍍靶分離，且所述靶材的特徵在於：源自所述接合材及所述支持構件的元素未藉由能量分散型螢光X射線分析檢測出。 [6] 一種回收鑄塊的製造方法，其包括：藉由鑄造由進行了如所述[1]～[3]中任一項所述的洗淨方法獲得的靶材而獲得包含所述金屬的回收鑄塊的步驟。 [7] 一種回收鑄塊，其源自利用接合材將主要包含金屬的靶材與支持構件結合而成的濺鍍靶的靶材，且源自所述接合材及所述支持構件的元素的合計量以重量基準計未滿10 ppm。 [8] 如所述[7]所述的回收鑄塊，其中作為所述回收鑄塊的主成分的金屬為鋁或銅。 [9] 如所述[7]所述的回收鑄塊，其中作為所述回收鑄塊的主成分的金屬為鋁，所述雜質的合計量以重量基準計未滿5 ppm。 [10] 一種裝置，其可用於藉由向自濺鍍靶分離的靶材中的附著有接合材的面噴射水而將所述接合材自所述靶材去除，所述濺鍍靶是利用所述接合材將所述主要包含金屬的靶材與支持構件結合而成，且所述裝置包含：具備至少一個用以向所述靶材噴射水的噴射口的至少一個噴嘴頭；用以操作所述噴嘴頭的致動器；以及配置有所述致動器且用以收容所述靶材並進行處理的處理室。 [11] 如所述[10]所述的裝置，其進一步包含用以於所述處理室內固定所述靶材的夾具。 [12] 如所述[10]或[11]所述的裝置，其進一步包含用以使所述靶材反轉的反轉機構。 [13] 如所述[10]～[12]中任一項所述的裝置，其包含排水機構，所述排水機構用以回收自所述噴射口噴射的水並進行排水，且分離包含自所述靶材去除的接合材的處理物。

本發明中，濺鍍靶例如如圖1的概略圖所示通常可藉由如下方式製作，即將對金屬進行溶解、鑄造而獲得的鑄塊進行加工（例如對所得的鑄塊實施軋製、擠出等塑性加工後，進行切削、研磨等機械加工）而製作具有平板型或圓筒型等形狀的靶材，使用接合材將所述靶材與作為另外製作的支持構件的支承板（backing plate）或支承管（backing tube）等結合或接合。

根據本發明的一實施形態，濺鍍中使用的濺鍍靶被分離為靶材與支持構件。進而，藉由對所分離的靶材噴射水，可自該靶材去除接合材。進而，藉由對去除了接合材的靶材進行溶解、鑄造，可獲得鑄塊（以下，稱為「回收鑄塊」）。藉由對所述回收鑄塊進行加工，可製造靶材。

靶材的洗淨方法本發明中，「濺鍍靶」是利用接合材將主要包含金屬（元素）的靶材與支持構件結合而成者，只要為可用於濺鍍者，則並無特別限制。於濺鍍靶為平板型的情況下，作為支持構件，可使用平板狀的支承板。另外，於濺鍍靶為圓筒型的情況下，作為支持構件，可使用圓筒狀的支承管。此處，於圓筒型靶材的內部可插入圓筒狀的支承管，可利用接合材將圓筒型靶材的內周部與支承管的外周部結合。

「靶材」主要可包含金屬（元素），例如包含選自由鋁（Al）、銅（Cu）、鉻（Cr）、鐵（Fe）、鉭（Ta）、鈦（Ti）、鋯（Zr）、鎢（W）、鉬（Mo）、鈮（Nb）、銀（Ag）、鈷（Co）、釕（Ru）、鉑（Pt）、鈀（Pd）、金（Au）、銠（Rh）、銥（Ir）及鎳（Ni）所組成的群組中的金屬（元素），亦可為包含所述金屬的合金。作為靶材，較佳為維氏硬度通常為200以下、較佳為100以下、進而佳為50以下的金屬或合金。其中，較佳為主要包含鋁（純度99.99%（4N）以上、較佳為純度99.999%（5N）以上）或銅（純度99.99%（4N）以上）。維氏硬度可藉由維氏硬度試驗（日本工業標準（Japanese Industrial Standards，JIS）Z 2244:2003）確認。靶材的尺寸、形狀及結構並無特別限制。作為靶材，較佳為使用板狀的靶材。

於靶材為板狀的情況下，靶材的長邊方向的尺寸例如為500 mm～4000 mm，較佳為1000 mm～3200 mm，更佳為1200 mm～2700 mm。寬度方向（與長邊方向垂直的方向）的尺寸例如為50 mm～1200 mm，較佳為150 mm～750 mm，更佳為170 mm～300 mm。厚度例如為5 mm～35 mm，較佳為10 mm～30 mm，更佳為12 mm～25 mm。本發明中，即便為例如大型的平板顯示器用靶材，亦可簡單地進行處理。

於支持構件為「支承板」的情況下，主要包含選自由銅（Cu）、鉻（Cr）、鋁（Al）、鈦（Ti）、鎢（W）、鉬（Mo）、鉭（Ta）、鈮（Nb）、鐵（Fe）、鈷（Co）及鎳（Ni）所組成的群組中的金屬（元素），亦可為包含所述金屬的合金。於支持構件為「支承板」的情況下，較佳為銅（無氧銅）、鉻銅合金、鋁合金等。若為可配置靶材的板狀者，則支承板的尺寸、形狀及結構並無特別限制。於支持構件為「支承管」的情況下，構成的金屬亦與所述支承板的情況相同。於支持構件為「支承管」的情況下，較佳為不鏽鋼（SUS）、鈦、鈦合金等。關於支承管的尺寸，為了插入至圓筒型靶材的內部進行接合，通常比圓筒型靶材長，支承管的外徑較佳為稍小於圓筒型靶材的內徑。

「接合材」只要是有助於靶材與支持構件的結合且可用於形成濺鍍靶者，則並無特別限制（圖2）。接合材包含焊料（soldering material）、硬焊料（brazing filler metal）等。所謂「焊料」是包含低熔點（例如723 K以下）的金屬或合金的材料，可列舉包含選自由銦（In）、錫（Sn）、鋅（Zn）、鉛（Pb）、銀（Ag）、銅（Cu）、鉍（Bi）、鎘（Cd）及銻（Sb）所組成的群組中的金屬或其合金的材料等。更具體而言，可列舉：In、In-Sn、Sn-Zn、Sn-Zn-In、In-Ag、Sn-Pb-Ag、Sn-Bi、Sn-Ag-Cu、Pb-Sn、Pb-Ag、Zn-Cd、Pb-Sn-Sb、Pb-Sn-Cd、Pb-Sn-In、Bi-Sn-Sb等。作為「硬焊料」，可將靶材與支持構件結合，只要為熔點低於靶材及支持構件的金屬或合金，則可無特別限制地使用。作為接合材，較佳為通常低熔點的In或In合金、Sn或Sn合金等焊料。

例如，焊料可藉由加熱在與靶材的結合面上和靶材中所含的金屬（元素）形成擴散層（合金層）而結合。焊料亦可在與支持構件的接合面上同樣地和支持構件中所含的金屬（元素）形成擴散層（合金層）而結合。因此，可由所述焊料形成焊層而將靶材與支持構件結合（圖3）。

通常，若於靶材或支持構件上僅載置所述焊料，則有時可存在於靶材或支持構件的表面的氧化膜產生影響，而無法獲得充分的接合強度。因此，首先為了提高焊料對該些表面的潤濕性，可設置金屬化（metallizing）層。

所謂「金屬化」通常是可用於對非金屬的表面進行金屬膜化的處理方法，本發明中，例如於靶材或支持構件具有氧化膜的情況下等，是指使用金屬化用焊料來與靶材或支持構件結合而形成金屬化層。金屬化層例如可藉由如下方式形成，即使用超音波烙鐵，一面藉由超音波的振動能量（空蝕效應）破壞靶材或支持構件的氧化膜，一面利用加熱，與氧化膜中的氧原子一起使金屬化用焊料中所含的金屬原子和靶材或支持構件中所含的金屬原子化學結合。金屬化層的形成可利用所述接合材。

金屬化層（5、5'）（參照圖4）亦可與所述焊層（4）結合，且可位於靶材（1）與焊層（4）之間、支持構件（2）與焊層（4）之間而發揮將靶材（1）與焊層（4）、支持構件（2）與焊層（4）牢固地結合的作用。

關於焊層的厚度，於平板型的情況下，例如為10 μm～1000 μm、較佳為50 μm～500 μm的範圍內，於圓筒型的情況下，例如為100 μm～2000 μm、較佳為250 μm～1500 μm的範圍內。關於金屬化層的厚度，平板型、圓筒型均為通常1 μm～100 μm、較佳為10 μm～100 μm、更佳為5 μm～50 μm的範圍內。

可用於金屬化的焊料例如為包含選自由銦（In）、錫（Sn）、鋅（Zn）、鉛（Pb）、銀（Ag）、銅（Cu）、鉍（Bi）、鎘（Cd）及銻（Sb）所組成的群組中的金屬或其合金的材料等，更具體而言，可列舉In、In-Sn、Sn-Zn、Sn-Zn-In、In-Ag、Sn-Pb-Ag、Sn-Bi、Sn-Ag-Cu、Pb-Sn、Pb-Ag、Zn-Cd、Pb-Sn-Sb、Pb-Sn-Cd、Pb-Sn-In、Bi-Sn-Sb等。只要適宜選擇與靶材或支持構件的親和性高的材料即可。

本發明中，例如如圖1的概略圖所示般，於濺鍍中使用濺鍍靶後，自濺鍍靶分離（剝離）靶材。將靶材與支持構件分離的方法並無特別限制。例如可對能夠由所述接合材形成的接合層（或結合層）加熱（例如180℃～300℃），一面對接合層進行軟化或熔融，一面視需要以物理方式破壞接合層而自濺鍍靶分離靶材。

於靶材為平板型的情況下，於分離後的靶材中，在與支持構件結合（或接合）一側的面（以下，有時亦稱為「結合面」或「接合面」）上大多附著並殘存有接合材。即便利用刮鏟（例如矽酮製刮鏟）等將所附著的接合材刮落，亦難以完全去除該接合材。尤其難以去除與靶材結合的金屬化層，通常殘存有厚度數μm左右的金屬化層與厚度50 μm～200 μm左右的焊層。有時於靶材的濺鍍面亦附著並殘存有接合材。作為其原因，例如可列舉於靶材的分離時熔融的接合材附著於濺鍍面上。作為其他原因，可列舉由於將分離的靶材彼此堆疊保管，因此結合面與濺鍍面接觸，結合面的接合材附著於濺鍍面上。

於靶材為圓筒型的情況下，可使用接合材使圓筒型靶材結合於圓筒狀的支承管的外周部，因此與所述板狀靶材的情況同樣地，於分離後的靶材的結合面（內周部）附著有接合材，且包含金屬化層，無法完全去除接合材。有時於靶材的濺鍍面亦附著並殘存有接合材。有時源自支承管的成分亦可作為雜質而混入。因此，於圓筒型靶材中亦可對作為濺鍍面的外周部或內周部應用該洗淨方法。

分離後的靶材中的接合材的附著的存在例如可藉由能量分散型螢光X射線分析（EDXRF：Energy Dispersive X-ray Fluorescence Analysis）而確認。再者，有時金屬元素亦自支持構件向靶材（尤其是接合面附近）擴散。關於所述金屬元素，亦可同樣地藉由EDXRF確認。除此以外，即便為波長分散型螢光X射線分析（WDXRF：Wavelength Dispersive X-ray Fluorescence Analysis）、電子探針顯微分析（EPMA：Electron Probe Micro Analysis）、歐傑電子分光法（AES：Auger Electron Spectroscopy）、X射線光電子分光法（XPS：X-ray Photoelectron Spectroscopy）、飛行時間型二次離子質譜分析法（TOF-SIMS：Time-of-Flight Secondary Ion Mass Spectrometry）、雷射照射型感應耦合電漿質譜分析（LA-ICP-MS：Laser Ablation Inductively Coupled Plasma Mass Spectrometry）、X射線繞射法（XRD：X-ray Diffraction Analysis）等分析方法，亦可確認源自接合材、支持構件的雜質，但就分析的簡單性、分析範圍的廣泛性而言，較佳為利用EDXRF、WDXRF進行的確認。

此處，若直接使用附著有接合材的分離後的靶材製造鑄塊（以下，有時亦稱為「坯料」或「鑄錠」），並由所述鑄塊來製造靶材，則源自所附著的接合材的成分的雜質混入。進而，有時金屬元素亦自支持構件朝靶材擴散而作為雜質混入，另外，所述金屬元素有時亦作為雜質而混入鑄塊中。

本發明中，於自濺鍍靶分離靶材後，對至少靶材中的附著並殘存有接合材的面噴射水，藉此將靶材洗淨，可將附著的接合材自靶材去除（圖1）。再者，藉由該洗淨，亦可將與靶材結合的金屬化層去除。

水的噴射方法並無特別限制，較佳為於以下的條件下噴射水。

水的噴射例如可使用泵進行，較佳為於高壓下噴射水（以下，有時亦稱為「噴水」）。噴射水的壓力例如為90 MPa以上，較佳為90 MPa～350 MPa，更佳為100 MPa～300 MPa，進而佳為150 MPa～280 MPa，尤佳為180 MPa～250 MPa。藉由提高噴射壓，可去除接合材、尤其是金屬化層，可獲得充分的洗淨效果。藉由使噴射壓以某種程度降低，可防止穿過金屬化層而深深地削減靶材自身。若將靶材自身深深地削減例如1.5 mm以上，則有良率變差，設備費用變高的可能性。

水的噴射較佳為使用具有多個噴射口（或噴嘴）的旋轉式（或可旋轉）的噴嘴頭進行。噴嘴頭的形狀並無特別限制，噴嘴頭的與靶材對向面臨的一側的面（或設置噴嘴的一側的面）的形狀例如為三角形、四邊形等多邊形、圓形、橢圓形，但為了使其旋轉而噴射水，較佳為圓形及正方形等正多邊形，更佳為正圓形。於對平板型靶材的接合面進行處理的情況下，較佳為使用可以朝大致平行於噴嘴頭的旋轉軸的方向噴射水的方式安裝噴射口的噴嘴頭。於對圓筒型靶材的接合面（內周部）進行處理的情況下，較佳為使用可以朝大致垂直於噴嘴頭的旋轉軸的方向噴射水的方式安裝噴射口的噴嘴頭。

一個噴嘴頭所設置的噴射口的數量（或噴嘴數）並無特別限制，例如為1個以上，較佳為1個～15個，更佳為3個～10個。噴嘴數只要根據噴嘴頭的尺寸適宜決定即可。藉由增加噴嘴數，可防止產生接合材等的切削殘留或者處理時間變長。若噴嘴數多，則總噴出量增加，因此有時需要更大型且昂貴的泵，設備費用變高。於在噴嘴頭中設置多個噴射口的情況下，可將噴射口配置於噴嘴頭的同徑位置，亦可配置於異徑位置。另外，亦可為同徑位置、異徑位置的組合。

噴射口的尺寸（噴嘴直徑）例如為0.1 mm以上，較佳為0.15 mm～0.50 mm，更佳為0.2 mm～0.35 mm。可將直徑相同的噴射口安裝於噴嘴頭，亦可將直徑不同的噴射口組合而安裝於噴嘴頭。

水的噴出量（或水量）根據噴射的水的壓力或噴射口的尺寸變化，水的噴出量越大，洗淨效果越高。自一個噴嘴頭的所有噴射口噴射的水的總噴出量例如為2.0 L/min以上，較佳為2.0 L/min～42 L/min，更佳為5.0 L/min～30 L/min，進而佳為5.0 L/min～20 L/min。

水的噴射較佳為對於靶材的處理面一面保持固定的距離，一面以固定的速度沿水平方向呈帶狀（線狀）移動而進行。水的噴射可於同一部位重覆進行數次、較佳為1次～3次。或者，於一次水的噴射中的處理寬度小於靶材寬度的情況下等，可以線狀且使部分重覆（重疊（overlap））來噴射水。

噴嘴頭的移動速度例如為100 mm/min以上，較佳為500 mm/min～7000 mm/min，更佳為900 mm/min～5000 mm/min。藉由增大移動速度，可縮短處理時間。藉由減小移動速度，可獲得充分的洗淨效果。

噴嘴頭的旋轉速度例如為500 min^‑ ¹ 以上，較佳為500 min^‑ ¹ ～4000 min^‑ ¹ ，更佳為900 min^‑ ¹ ～2500 min^‑ ¹ 。藉由增大旋轉速度，藉由噴嘴的數量而使水與靶材整個面接觸，可防止接合材等的切削殘留。若減小旋轉速度，則與靶材接觸時的衝擊變大，因此可獲得充分的洗淨效果。

噴嘴頭與靶材之間的距離（或噴嘴距離）例如為10 mm以上，較佳為15 mm～100 mm，更佳為20 mm～70 mm。藉由使距離以某種程度增大，可防止與靶材接觸而彈回的水的影響，結果可獲得充分的洗淨效果。藉由使距離以某種程度縮小，與靶材接觸時的衝擊變大，因此可獲得充分的洗淨效果。

所噴射的水只要不含堵塞噴嘴般的粒子狀的雜質或粉末等，則並無特別限制，例如可列舉自來水或純水的使用。另外，亦可於泵與噴嘴之間設置過濾器，通過所述過濾器後噴射水。

水的噴射方向只要為水接觸到靶材的角度，則並無特別限制，可相對於靶材垂直亦可傾斜。例如，噴射口的角度（噴射口的中心軸與朝靶材的垂線所成的角度）為0°～60°，較佳為0°～45°，更佳為5°～45°，進而佳為5°～30°，進而更佳為8°～30°，尤佳為10°～25°。於相對於靶材傾斜地噴射水的情況下，噴嘴頭旋轉，因此相較於垂直噴射的情況而言處理寬度變大。與靶材接觸的水不會留在處理面上而流至外側，因此亦期待洗淨效果的提高。若自噴嘴頭傾斜地噴射水，則亦可於使噴嘴頭位於靶材的上方的狀態下實施側面的洗淨。藉由將水的噴射方向設定為所述範圍內，可防止與靶材接觸時的衝擊的減少，可獲得充分的洗淨效果。進而，關於靶材的接合面的處理、濺鍍面的處理、側面的處理，無需重新設置靶材或者變更噴嘴頭的位置，因此可縮短處理時間。於在噴嘴頭中設置多個噴射口的情況下，各噴嘴的角度可相同亦可不同。各噴射口的角度只要以成為所需的處理寬度或者不會產生水不接觸所引起的切削殘留的方式適宜決定即可。

關於所述噴嘴頭，為了縮短每一枚靶材的處理時間，可同時使多個噴嘴頭掃描。

上文對使用旋轉式的噴嘴頭的情況進行了說明，但於可使靶材旋轉的情況下、或者使用水呈線狀噴射的平射型噴嘴頭的情況下，即便使用固定式的噴嘴頭，亦可有效率地將靶材洗淨。

若自使用過的靶材的接合面藉由洗淨而充分地進行接合材或金屬化層的去除，則靶材自身的表面亦被削減。此時，靶材自身的表面於厚度方向上例如被削減5 μm以上、較佳為10 μm以上且1000 μm以下、更佳為20 μm以上且750 μm以下、進而佳為50 μm以上且500 μm以下，其被洗淨的表面可能成為梨皮狀。亦可形成對應於洗淨時的噴嘴頭的動作的週期性的加工痕（鱗狀、螺旋狀等）。於成為梨皮狀的情況下，被洗淨的表面的波長300 nm～1500 nm的正反射率通常為1.0%以下，為了確認源自接合材及支持構件的雜質被充分去除，較佳為0.7%以下。進而，若以相對於波長300 nm～1500 nm的各入射光的波長的正反射率的變化率（被洗淨的表面的正反射率/洗淨前的表面的正反射率）通常為0.025以上且0.85以下、較佳為0.05以上且0.75以下、更佳為0.08以上且0.60以下、進而佳為0.10以上且0.40以下的方式進行洗淨處理，則可確認到源自接合材及支持構件的雜質被充分去除，且可防止超過必要程度地過度削減靶材。洗淨後的靶材的接合面的算術平均粗糙度Ra為5 μm以上，為了確認源自接合材及支持構件的雜質被充分去除，較佳為10 μm以上，更佳為15 μm以上。可以洗淨前後的算術平均粗糙度Ra的變化率（被洗淨的表面的算術平均粗糙度Ra/洗淨前的表面的算術平均粗糙度Ra）成為4以上且80以下、較佳為5以上且50以下、更佳為7.5以上且20以下、進而佳為10以上且15以下的方式進行洗淨處理。洗淨後的靶材的接合面的算術平均粗糙度Ra通常為100 μm以下，較佳為50 μm以下。若算術平均粗糙度Ra過大，則有容易附著粉末或沙粒等異物，或者氧化膜的厚度變厚，而回收鑄塊中的雜質增加之虞。

根據本發明的洗淨方法，可將源自接合材及支持構件的元素的量減少至低於EDXRF的檢測下限（通常檢測下限因元素而異，例如源自接合材的雜質的檢測下限為0.01重量%左右，例如若為銦則為0.01重量%）的值。即，根據本發明，特徵在於：於洗淨後的靶材中實質上未檢測到源自接合材及支持構件的元素（或洗淨後的靶材實質上不含源自接合材及支持構件的元素）。

本發明中，所謂「實質上未檢測到源自接合材及支持構件的元素」（或者「實質上不含源自接合材及支持構件的元素」）如上所述是指源自接合材及支持構件的元素的量減少至低於EDXRF的檢測下限、利用EDXRF無法檢測到的程度為止。此處，所謂源自接合材或支持構件的「雜質」僅表示構成接合材或支持構件的主要的元素。所謂「源自接合材及支持構件的元素」是指構成接合材或支持構件的主要的元素。該元素相對於接合材或支持構件100質量份而言包含通常0.1質量份、較佳為0.5質量份以上、更佳為1質量份以上。

本發明的洗淨方法與如利用銑刀的切削加工般於固定高度的位置進行平面加工的方法不同，是僅對噴射的水所接觸的靶材（或工件）的表面效率良好地削取的方法。因此，關於本發明的洗淨方法，即便靶材存在凹凸或變形，亦可進行高良率下的處理，亦適合於不僅靶材的接合面、而且具有藉由濺鍍而形成的凹凸的靶材的濺鍍面或圓筒靶材內部的接合面的洗淨處理。進而，關於本發明的洗淨方法，由於可不介意處理面的高度而設置工件，因此設置或洗淨無需時間而可簡單地進行，因而與噴砂或切削等先前的方法相比具有很多優點。

裝置本發明亦是有關於所述洗淨方法中可使用的裝置。詳細而言是有關於如下裝置（以下，有時亦簡稱為「洗淨裝置」），所述裝置可用於藉由向自利用接合材將所述主要包含金屬的靶材與支持構件結合而成的濺鍍靶分離的靶材（或使用過的靶材）中的至少附著有接合材的面噴射水而將接合材自靶材去除。

洗淨裝置至少可包含以下的構成（a）～（c）。（a）具備至少一個用以向靶材噴射水的噴射口的至少一個噴嘴頭（b）用以操作或移動噴嘴頭的致動器（c）配置有致動器且用以收容靶材並進行處理的處理室

例如，如圖5～圖8所示，裝置100至少包含：具備可向使用過的靶材（或工件）101噴射水的至少一個噴射口（未圖示）的至少一個噴嘴頭102；可操作（或移動）噴嘴頭102的致動器、較佳為具備X軸滑件（slider）103X、Y軸滑件103Y、Z軸滑件103Z，以亦可使噴嘴頭102朝XYZ軸的任一方向移動的方式構成的致動器103；以及可配置致動器，再者且可收容靶材101並進行處理（或洗淨）的處理室104。於圖示的態樣中，靶材101以平板型進行了記載，但裝置100中可使用的靶材101並不限定於平板型。

·噴嘴頭噴嘴頭只要具備至少一個可噴射水的噴射口（或噴嘴），則可無特別限制地使用。另外，所使用的噴嘴頭的數量亦無特別限制。於使用多個噴嘴頭的情況下，較佳為以自噴嘴噴射的水互不干涉的方式適當地隔開間隔配置。進而，本發明的裝置亦可另外具備用以向工件的側面噴射水並進行洗淨的噴嘴頭（或側面噴嘴頭）。用於處理工件的側面（X-Z面及/或Y-Z面）的噴嘴頭的數量及配置的位置並無特別限制。作為噴嘴頭，可適宜、無限制地使用所述「靶材的洗淨方法」中詳細說明者。亦可進而具備用以使噴嘴頭旋轉的旋轉單元。

·致動器作為致動器，只要使用可利用電氣、油壓、空氣壓等的驅動力來操作或移動噴嘴頭者即可。較佳為使用可分別任意地、適當地使噴嘴頭沿X軸、Y軸及Z軸的至少一個方向、更佳為X軸、Y軸及Z軸的全部方向移動者。更具體而言，為了使噴嘴頭沿X軸、Y軸及Z軸的全部方向移動，例如如圖5～圖9（尤其是圖9）所示，可使用具備X軸滑件103X、Y軸滑件103Y及Z軸滑件103Z的三軸組合類型的致動器103。

噴嘴頭102例如以可視需要經由杆106等而直接或間接地與Z軸滑件103Z結合的方式構成，藉由Z軸滑件103Z可使噴嘴頭102沿Z軸方向（上下方向或者靠近或遠離靶材101的被處理面的方向）移動（圖9）。另一態樣中，Z軸滑件103Z亦可以杆106貫穿Z軸滑件103Z的內部而通過的方式構成。

Z軸滑件103Z以可與Y軸滑件103Y物理性或機械性結合的方式構成，可藉由Y軸滑件103Y使噴嘴頭102與滑件103Z一起沿Y軸方向（與靶材101的行進方向或者圖式的裝置100或靶材101的長邊方向垂直的方向）移動（圖9）。

Y軸滑件103Y以可與X軸滑件103X物理性或機械性結合的方式構成，藉由X軸滑件103X可使噴嘴頭102與滑件103Y及滑件103Z一起沿X軸方向（靶材101的行進方向或者圖式的裝置100或靶材101的長邊方向）移動（圖9）。另外，和Y軸滑件103Y的與X軸滑件103X結合的端部為相反側的端部亦可與和X軸滑件103X平行配置的支架導杆（或導軌）卡合。

藉由使用包含所述滑件103X、滑件103Y及滑件103Z的致動器103（圖9），可使噴嘴頭102沿X軸、Y軸及Z軸的三方向適當地移動。

滑件103X、滑件103Y及滑件103Z只要可利用電氣、油壓、空氣壓等的驅動力以能夠使彼此滑動的方式移動，則並不特別限制於所述驅動樣式或結合樣式。

利用致動器進行的噴嘴頭的移動及水的噴射亦可藉由電子程序控制。該情況下，各滑件可利用電纜等適當地加以連接。關於噴嘴頭的移動速度及水的噴射，理想的是如所述「靶材的洗淨方法」中定義般進行控制。

致動器亦可為防水規格，藉由為防水規格，可防止由所噴射的水或與靶材接觸而產生的水花和致動器接觸而生成的鏽或缺油而引起的不良情況。另外，於利用電纜連接致動器的各滑件的情況下，關於電纜，亦較佳為防水規格。

如圖示的實施形態般，可自噴嘴頭朝垂直下方噴射水，但亦可視需要進一步配置可變更噴嘴頭的角度的機構。該情況下，藉由電子程序，亦可同時控制噴嘴頭的角度。另外，藉由所述機構，可更有效率地將圓筒型的靶材洗淨。

作為致動器，例如亦可使用IAI股份有限公司製造的三軸組合類型的產業用機器人。

再者，本發明的裝置中可使用的致動器並不應解釋為限定於如上所述者。

·處理室關於處理室，可將所述致動器與噴嘴頭一起配置，主要目的是收容靶材並根據所述「靶材的洗淨方法」處理靶材。

藉由於處理室內處理靶材，可防止自噴嘴頭噴射的水與靶材接觸而產生的水花、或者包含自靶材去除的接合材的固體的處理物（或粉塵）於周圍飛散而污染環境。

例如，如圖5～圖8所示般，處理室104具有矩形的主體，其上部開放，以可配置致動器（具體而言，包含圖9所示的滑件103X、滑件103Y、滑件103Z的致動器103）的方式構成。

處理室104的尺寸並無特別限制，較佳為可對大型的濺鍍靶用靶材進行處理。

於如圖示的實施形態般使靶材101沿其長邊方向搬送的情況下，處理室104的X軸方向的尺寸與Y軸方向的尺寸的比（X/Y）例如為3/16～10/1，較佳為1/2～10/3，更佳為6/7～7/3。 X軸方向的尺寸與Z軸方向的尺寸的比（X/Z）例如為1/3～10/1，較佳為1/2～4/1，更佳為5/6～35/12。 Y軸方向的尺寸與Z軸方向的尺寸的比（Y/Z）例如為1/5～8/1，較佳為3/5～2/1，更佳為5/6～35/24。

於所述情況下，X軸方向的尺寸例如為750 mm～5000 mm，較佳為1000 mm～4000 mm，更佳為1500 mm～3500 mm。 Y軸方向的尺寸例如為500 mm～4000 mm，較佳為1200 mm～2000 mm，更佳為1500 mm～1750 mm。 Z軸方向的尺寸具體而言例如為500 mm～2500 mm，較佳為1000 mm～2000 mm，更佳為1200 mm～1750 mm。

於圖示的實施形態中，藉由使用以下詳細說明的傳送帶、輥等搬送機構105，可使靶材101沿其長邊方向搬送，於處理室104的內部處理靶材，但亦可沿靶材101的寬度方向（與長邊方向垂直的方向）（例如沿著Y軸）搬送靶材101，於處理室104的內部處理靶材101。

於使靶材101沿其寬度方向（與長邊方向垂直的方向）搬送的情況下，處理室104的X軸方向的尺寸與Y軸方向的尺寸的比（X/Y）例如為3/16～10/1，較佳為1/2～10/3，更佳為6/7～7/3。 X軸方向的尺寸與Z軸方向的尺寸的比（X/Z）例如為1/3～10/1，較佳為1/2～4/1，更佳為5/6～35/12。 Y軸方向的尺寸與Z軸方向的尺寸的比（Y/Z）例如為1/5～8/1，較佳為3/5～2/1，更佳為5/6～35/24。

於所述情況下，X軸方向的尺寸例如為750 mm～5000 mm，較佳為1000 mm～4000 mm，更佳為1500 mm～3500 mm。 Y軸方向的尺寸例如為500 mm～4000 mm，較佳為1200 mm～2000 mm，更佳為1500 mm～1750 mm。 Z軸方向的尺寸例如為500 mm～2500 mm，較佳為1000 mm～2000 mm，更佳為1200 mm～1800 mm。

於使用搬送機構105的情況下，可於處理室104中具有用以使搬送機構105及靶材101通過的一對開口部（搬入口、搬出口）。只要可使靶材101通過，則開口部的尺寸並無特別限制。

於如圖示的實施形態般使靶材101沿其長邊方向搬送的情況下，開口部的Y軸方向的尺寸例如為100 mm以上，較佳為150 mm～1500 mm，更佳為200 mm～1000 mm，進而更佳為250 mm～500 mm，Z軸方向的尺寸例如為10 mm以上，較佳為12 mm～300 mm，更佳為20 mm～200 mm，進而更佳為45 mm～150 mm。

於使靶材101沿其寬度方向（與長邊方向垂直的方向）搬送的情況下，開口部的X軸方向的尺寸例如為500 mm以上，較佳為750 mm～4000 mm，更佳為1000 mm～3500 mm，進而更佳為1500 mm～3000 mm，Z軸方向的尺寸例如為10 mm以上，較佳為12 mm～300 mm，更佳為20 mm～200 mm，進而更佳為45 mm～150 mm。

所述實施形態中，對可搬送靶材101的裝置進行了敘述，但本發明的洗淨裝置亦可不設置搬送機構105。

於圖5所示的實施形態中，為了清楚地觀察到處理室104的內部的樣子，而示出了於其側面（X-Z面）亦具有開口部，但所述開口部可存在亦可不存在。於存在所述開口部的情況下，亦可於所述開口部中設置開閉式的門（例如左右對開的門）而防止水花或粉塵的飛散。藉由設置所述門，處理室104的內部的維護變得簡單，因此較佳。

亦可於處理室104的內部的底部具備用以暫時貯存自噴嘴頭噴射且將靶材101洗淨後的水（包含含有自靶材去除的接合材的固體的處理物（或粉塵））（以下，稱為「處理水」）的池子（未圖示）。

亦可於處理室104的內部具有用以排出處理水的排出口（未圖示）。排出口可配置於處理室104的底面，但有時亦可能有處理物堆積而堵塞排出口的情況，因此亦可自底面起隔開例如1 mm～50 mm、較佳為10 mm～25 mm的間隔而配置於側面。排出口只要可排出處理水，則其形狀、尺寸及結構並無特別限制。

進而，亦可於處理室104的內部任意地具備用以沖洗附著於處理室104的內壁面上的處理物的淋浴機構。

本發明的裝置中可使用的處理室並不應解釋為限定於以上所述。

其他構成裝置除了所述構成以外，亦可包含其他構成。

·夾具本發明的裝置亦可進一步包含用以於處理室內固定靶材的夾具。藉由利用夾具固定靶材，可以於洗淨處理的期間使靶材不動的方式固定。於處理室內，配置夾具的位置並無特別限制。較佳為將靶材的側面自其兩側固定。藉由以所述方式固定，可不使靶材的被處理面經夾具覆蓋而對被處理面的整個面噴射水。於靶材發生變形的情況下、呈弓形彎曲的情況下等，若自靶材的上側噴射水，則有時靶材亦振動而洗淨處理的性能下降，但如上所述藉由利用夾具固定靶材的側面，可抑制靶材的振動。於靶材的翹曲少的情況下、或者於靶材的下側具有基底的情況下，為了自靶材的垂直上方噴射水，只要以不使靶材自預先決定的規定位置移動的方式固定即可。藉由利用夾具於預先決定的規定位置固定靶材（靶材的定位），亦可獲得如下優點：於噴嘴頭的操作時無需進行0點調整（處理範圍的指定）。夾具的形狀及尺寸並無特別限制，但較佳為使用如上所述般可將靶材的側面自其兩側固定的夾具。例如，可使用今尾股份有限公司、津田駒工業股份有限公司製造的側面夾具等。夾具的數量、配置夾具的位置並無特別限制，只要根據靶材適宜決定即可。夾具的機構可為自動，亦可為手動，但為了使固定大型的靶材的作業簡單化，較佳為如於在規定位置設置靶材時將靶材的側面自其兩側夾入般的自動式。另外，於夾具為手動式的情況下，就作業性的方面而言，可於處理室104側面（X-Z面）設置開口部、較佳為開閉式的門。

·搬送機構本發明的裝置亦可包含可於處理室內搬入靶材且自處理室搬出靶材的搬送機構（例如，圖5～圖8所示的搬送機構105）。作為搬送機構，只要為可搬送靶材者，則可無特別限制地使用，例如可列舉傳送帶、輥式傳送機、履帶等傳送機、梭式（shuttle）搬送、托盤搬送、真空夾盤搬送、機器人搬送等。利用搬送機構的靶材的搬送速度並無特別限制，例如為15 m/分鐘～60 m/分鐘，較佳為20 m/分鐘～50 m/分鐘，更佳為25 m/分鐘～40 m/分鐘。搬送機構可形成以能夠自處理室搬出靶材後再次搬入處理室的方式連續的環路。搬送機構可根據搬入用、搬出用、處理室內用、環路用等目的任意分配。進而，於搬送機構中，可於處理室的入口側設置靶材的供給機構，於處理室的出口側設置靶材的反轉機構。

·靶材的供給機構本發明的裝置亦可包含靶材的供給機構，以可將靶材適當地供給至所述搬送機構。靶材的供給機構只要可適當地供給靶材，則並無特別限制。另外，靶材的供給機構亦可包含用以貯存多個靶材的卡盒，亦可自該卡盒視需要適當地供給靶材。作為靶材的供給機構，亦可使用市售的自動供給裝置。

·靶材的反轉機構本發明的裝置亦可進一步包含用以使靶材反轉的反轉機構、較佳為可於固定（例如利用夾具等固定）靶材的狀態下使其反轉的機構。藉由包含所述反轉機構，可使靶材的被處理面任意地反轉。反轉機構的尺寸並無特別限制。亦可使用市售的自動反轉裝置，例如可使用艾派克（ADPEC）股份有限公司製造的自動反轉裝置等。

·排水機構將靶材洗淨後的處理水包含含有自靶材去除的接合材的固體處理物（或粉塵）等，因此本發明的裝置亦可視需要包含如下排水機構，所述排水機構可自所述處理水中理想為僅回收水並排水，且將接合材等固體處理物分離。作為排水機構，只要為可將固體與液體分離者，則可無特別限制地使用。該領域中，可視需要適宜使用通常廣為人知的固液分離裝置等。排水機構較佳為連接於可設置於處理室的內部的排出口。

例如，可利用通常可用於水處理的膜分離式的固液分離裝置。於膜分離式的固液分離裝置中，使用至少一個包含可固液分離的膜的多個膜濾筒，可通過連接於所述膜濾筒的集水管將藉由利用泵對水進行吸引過濾而回收的水排出至外部（圖10）。此時，處理物可於槽的底部沈澱，因此亦可另外進行回收再利用。

作為排水機構，亦可利用可藉由沈澱而將固體與液體分離的沈澱槽。例如，可列舉通常可用於水處理的漏斗型沈澱槽、帶有中心驅動刮取裝置的圓形沈澱槽、橫流式沈澱槽等。藉由使用所述沈澱槽，可另外回收包含自靶材去除的接合材的固體處理物。

或者，亦可利用如圖11所示的多段式沈澱槽來將固體與液體分離。多段式的沈澱槽具有多個沈澱槽，可自水位高的沈澱槽朝水位低的沈澱槽依次自沈澱槽的上方朝下段的沈澱槽排水。於各沈澱槽的底部處理物沈澱，可另外回收再利用。沈澱槽的段數及各沈澱槽的容量並無特別限制。另外，自沈澱槽朝下一個沈澱槽的排水亦可使用泵來進行。

·側面噴嘴頭本發明的裝置亦可於處理室內包含至少一個側面噴嘴頭，所述側面噴嘴頭具有用以向靶材的側面噴射水的至少一個噴嘴。側面噴嘴頭可與所述同樣地使用所述「靶材的洗淨方法」中說明的噴嘴頭。側面噴嘴頭可為固定式，亦可為可動式。於側面噴嘴頭為可動式的情況下，較佳為使側面噴嘴頭沿著X軸或Y軸移動而使用。配置側面噴嘴頭的位置及其數量並無特別限制。藉由視需要使用所述側面噴嘴頭，可對不僅靶材的主表面而且亦包含其側面在內三維地實施洗淨處理。

·泵本發明的裝置亦可包含可對所述噴嘴頭或側面噴嘴頭供給水的泵。作為泵，例如可使用所述「靶材的洗淨方法」中說明的泵。泵可通過可連接流體的管線、較佳為耐壓性的管線而與噴嘴頭及/或側面噴嘴頭連接。所述管線可任意地配置，例如可沿著圖5～圖8所示的杆106或者通過杆106的內部而配置。所述泵亦可配置於處理室的內部、外部的任一者中，但較佳為配置於處理室的外部。另外，所使用的泵的數量並無特別限制，亦可使用多個泵。

·控制機構所述構成均可使用控制機構適當地進行控制。作為控制機構，例如可列舉具備中央處理單元（central processing unit，CPU）、唯讀記憶體（read only memory，ROM）、隨機存取記憶體（random access memory，RAM）等的機構。任意地選擇所述構成並電性連接，視需要使用電子程序，可藉由所述控制機構控制所述構成。

·乾燥機構本發明的裝置亦可於處理室內外包含用以將附著於洗淨後的使用過的靶材的水快速地去除的乾燥機構。藉由去除水，於將洗淨後的使用過的靶材作為原料而進行溶解、鑄造時，可防止因附著於原料上的水而產生的異物混入等不良情況。作為乾燥機構，例如可採用：利用對洗淨後的使用過的靶材吹附乾燥空氣或氮氣等氣體而將附著於靶材上的水吹跑的送風的乾燥機構、或者利用溫風或加熱板上的加熱的乾燥機構。於在處理室104中具有用以使搬送機構105及靶材101通過的開口部（搬出口）的情況下，較佳為於開口部內外任一者的鄰接部事先設置利用送風的乾燥機構。

[洗淨裝置的較佳的實施形態] 裝置於較佳的實施形態中包含：噴嘴頭、致動器、處理室、以及選自由夾具、側面噴嘴頭、反轉機構、排水機構、乾燥機構及搬送機構所組成的群組中的至少一個構成要素。

本發明的裝置並不應解釋為限定於包含所述構成者。

回收鑄塊的製造方法將藉由包括進行本發明的洗淨方法的步驟的製造方法而獲得的靶材例如如圖1所示般溶解、鑄造，藉此可製造回收鑄塊。

作為製造回收鑄塊的方法，可經過對依照本發明洗淨的靶材進行溶解或鑄造的步驟而加以製造。溶解或鑄造可利用公知的順序進行。於回收鑄塊中，作為溶解方法，只要利用電爐或燃燒爐在大氣中或真空中溶解即可，作為鑄造方法，可採用連續鑄造法、半連續鑄造法、模具鑄造法、精密鑄造法、熱頂鑄造法、重力鑄造法等。另外，亦可於溶解、鑄造步驟間進行脫氣處理、夾雜物去除處理。

回收鑄塊的製造條件（溫度等）只要根據靶材中主要包含的金屬（元素）適宜決定即可。

於作為主成分而包含於靶材中的金屬為鋁的情況下，將洗淨後的靶材於真空下（例如0.03托（Torr））或大氣下、670℃～1200℃、較佳為750℃～850℃下、在碳或氧化鋁等的坩堝中溶解，視需要於大氣中進行攪拌而去除浮渣後，於大氣中進行冷卻，藉此可製造回收鑄塊。

於作為主成分而包含於靶材中的金屬為銅的情況下，將洗淨後的靶材於真空下（例如0.03 Torr）或大氣下、1100℃～1500℃、較佳為1150℃～1200℃下、在碳或氧化鋁等的坩堝中溶解，視需要於大氣中進行攪拌而去除浮渣後，於大氣中進行冷卻，藉此可製造回收鑄塊。

回收鑄塊的製造可僅由洗淨後的靶材製造，亦可同時使用先前的原料金屬與洗淨後的靶材的混合物。於將原料金屬與洗淨後的靶材混合的情況下，洗淨後的靶材的混合比例通常為20重量%以上，就抑制製造成本中的原料費用的比例的方面而言，較佳為50重量%以上。

回收鑄塊本發明的回收鑄塊是源自利用接合材將主要包含金屬的靶材與支持構件結合而成的濺鍍靶的靶材的回收鑄塊，如上所述，特徵在於實質上不含源自接合材及支持構件的元素，可具有與原來的（未使用的）靶材實質上相同的組成。因此，可由所述回收鑄塊製造具有與原來的靶材實質上相同的組成的靶材。此處，所謂「具有與原來的靶材實質上相同的組成」是指主要的金屬（元素）相同，可包含與原來的靶材中原本所包含的雜質為同等程度的量的雜質。所述回收鑄塊中，源自接合材及支持構件的雜質的合計量以重量基準計通常未滿10 ppm，較佳為0.1 ppm～8 ppm，更佳為5 ppm以下（或未滿），進而佳為0.1 ppm～5 ppm，進而更佳為0.1 ppm～2 ppm。所述回收鑄塊中，總雜質合計量例如未滿50 ppm，較佳為0.1 ppm～20 ppm，更佳為0.1 ppm～10 ppm，進而佳為5 ppm以下（或未滿），進而更佳為0.1 ppm～5 ppm的範圍內。再者，原來的靶材中所含的雜質及其量可依存於作為主成分而包含於所述靶材中的金屬的種類及原來的靶材的製造方法。回收鑄塊可於靶材以外的用途中使用，亦可作為鋁電解電容器、硬碟基板、耐蝕性材料、高純度氧化鋁等要求高純度的製品的原料而使用。

於作為主成分而包含於靶材中的金屬為鋁的情況下，回收鑄塊中所含的源自接合材及支持構件的元素的合計量以重量基準計例如未滿10 ppm，較佳為0.1 ppm～8 ppm，更佳為5 ppm以下（或未滿），進而佳為0.1 ppm～5 ppm，進而更佳為0.1 ppm～2 ppm。雖因用途而異，但例如即便平板顯示器用鋁製靶材包含通常50 ppm以下、較佳為0.1 ppm～20 ppm、更佳為0.1 ppm～10 ppm、進而更佳為5 ppm以下（或未滿）的雜質，亦並不特別影響濺鍍。

於作為主成分而包含於靶材中的金屬為銅的情況下，回收鑄塊中所含的源自接合材及支持構件的元素的合計量以重量基準計通常未滿10 ppm，較佳為0.05 ppm～9 ppm，更佳為0.05 ppm～8 ppm。雖因用途而異，但已知例如平板顯示器用無氧銅製靶材可包含通常100 ppm以下、較佳為0.1 ppm～75 ppm、更佳為0.1 ppm～50 ppm的雜質，只要雜質的量為所述程度，則並不特別影響濺鍍。

回收鑄塊中所含的雜質的量極其微量，因此所述雜質的量可使用輝光放電質譜法（Glow Discharge Mass Spectrometry（GDMS））進行測定。GDMS的定量下限雖因靶材的主元素及作為檢測對象的元素而不同，但例如於作為靶材的主成分而包含的金屬為鋁的情況下，通常為0.001 ppm～0.1 ppm，例如若為銦，則為0.01 ppm。

如上所述，根據本發明，可將使用過的靶材簡單地洗淨，洗淨後的靶材實質上不含源自接合材及支持構件的元素。因此，藉由再使用（或回收）利用所述洗淨方法進行處理的所述靶材，可獲得實質上不含源自接合材及支持構件的元素的回收鑄塊。即，藉由本發明，可簡單地再生具有與原來的靶材實質上相同的組成的靶材。

根據本發明，可效率良好地去除主要包含金屬的靶材的表層所存在的接合材（焊料、硬焊料等）。需要根據靶材的表層中的接合材的結合情況、尤其是金屬化層的形成情況而使沖水的水壓增加（例如增加至90 MPa以上），但藉由設為主要包含金屬的靶材，即便接觸高水壓的水，亦可不使靶材自身破損而去除接合材。

以下，列舉本發明的實施例來對本發明進行詳細說明，但本發明並不限定於以下的實施例。 [實施例]

實施例1 藉由對使用過的濺鍍靶的接合層進行加熱（280℃），而自支承板分離靶材。再者，該濺鍍靶於使用前的狀態下是利用In的焊料（焊層的厚度：350 μm）將鋁製平板型靶材（純度：99.999%、維氏硬度：15～17、尺寸：2000 mm×200 mm×15 mm）與無氧銅製支承板（純度：99.99%、尺寸：2300 mm×250 mm×15 mm）接合（靶材的金屬化使用Sn-Zn-In的焊料）而成。進而，利用矽酮製刮鏟將附著於分離的靶材的接合面上的焊料刮落，並盡可能回收焊料。自支承板分離後，以成為300 mm×200 mm×15 mm左右的方式將靶材切斷。

使用將噴嘴直徑：0.25 mm（杉野機械（Sugino Machine）（股）製造、形式編號：DN-0825）、0.30 mm（杉野機械（Sugino Machine）（股）製造、形式編號：DN-0830）的噴嘴分別各安裝3個（共計6個、於噴嘴頭的外側三個部位配置0.30 mm噴嘴、內側三個部位配置0.25 mm噴嘴）的正圓形的噴嘴頭（杉野機械（Sugino Machine）（股）製造、形式編號：MNH-2506CH），向靶材的接合面及濺鍍面噴射水而將整個面洗淨（水壓：245 MPa、水量：11.6 L/min、靶材與噴嘴頭間的距離：55 mm、掃描：2次、重疊：5 mm、噴嘴頭的旋轉速度：1500 min^-1 、噴嘴頭的移動速度：3000 mm/min）。此時，以噴嘴頭的中心軸與使用過的靶材的接合面垂直的方式配置噴嘴頭及使用過的靶材，朝使用過的靶材的長邊方向掃描噴嘴頭（噴嘴頭的噴射水的一側的面成為向下凸的弧線形的結構，因此噴嘴相對於接合面朝向傾斜方向，水自傾斜方向與接合面接觸）。自洗淨後的靶材表面去除接合材及金屬化層而成為梨皮狀。利用紫外可見近紅外分光光度計（日立高新技術（Hitachi High-technologies）（股）製造、U-4100型）測定成為梨皮狀的接合面的波長300 nm～1500 nm整個區域的正反射率。使用5°正反射附屬裝置，對試樣照射入射角5°的入射光，以入射光的波長100 nm為單位求出以反射角5°反射的反射光相對於入射光的反射率。最大是於入射光的波長為1300 nm時為0.4%，於波長500 nm時為0.3%，於1000 nm時為0.2%。再者，附著有處理前的接合材的接合面的波長300 nm～1500 nm整個區域中的正反射率最大是於入射光的波長為1300 nm時為2%～3%左右，於波長500 nm時為1%～2%，於1000 nm時為1%～2%。另外，對於算術平均粗糙度Ra，使用接觸式表面粗糙度計（三豐（股）製造、蘇福特（Surftest）SJ-301），利用JIS B 0601（2001）中規定的方法對成為梨皮狀的接合面進行3點測定，結果Ra的平均值為19 μm。再者，附著有處理前的接合材的接合面的算術平均粗糙度Ra以平均計為1.7 μm。

使用島津製作所製造的EDXRF分析裝置（EDX-700L，檢測極限：In為約0.01重量%），於下述條件下對洗淨後的使用過的靶材的接合面進行分析（半定量分析）。其結果，於洗淨後的使用過的靶材的接合面均完全未檢測出源自焊料的Sn、Zn、In、或源自支承板的Cu。此時，關於接合材或支承板的成分的元素，亦對是否檢測出X射線峰值進行了確認。再者，可知若與所述同樣地利用EDXRF分析洗淨前的使用過的靶材的接合面，則源自焊料的Sn、Zn、In分別以10重量%以下、10重量%以下、1重量%～70重量%存在，源自支承板的Cu以1重量%～50重量%存在，藉由本發明的洗淨方法，洗淨後的使用過的靶材實質上不含源自焊料及支承板的雜質中所含的元素。＜分析條件＞ X射線照射徑：10 mmf 激發電壓：10 kV（Na～Sc）、50 kV（Ti～U）電流：100 μA 測定時間：200秒（於各激發電壓下測定100秒）環境：He 管球：Rh靶過濾器：無測定方法：基本參數法檢測器：Si（Li）半導體檢測器

於真空下（約0.03 Torr）、850℃下對洗淨後的使用過的靶材進行溶解，於大氣中進行攪拌而去除浮渣後，於大氣中進行冷卻，藉此製造回收鑄塊。使用GDMS（VG元素（Elemental）公司製造、VG9000）對回收鑄塊中所含的雜質的量進行關於Sn、Zn、In、Cu的微量分析。將結果與以相同的方法自使用過的靶材（洗淨前）製作的鑄塊和未使用的靶材（接合前）的分析結果一併示於以下的表1。

[表1]

實施例2 藉由對使用過的濺鍍靶的接合層進行加熱（280℃），而自支承板分離靶材。再者，該濺鍍靶於使用前的狀態下是利用In的焊料（焊層的厚度：350 μm）將無氧銅製平板型靶材（純度：99.99%、維氏硬度：90、尺寸：2000 mm×200 mm×15 mm）與無氧銅製支承板（純度：99.99%、尺寸：2300 mm×250 mm×15 mm）接合（靶材的金屬化使用Sn-Zn-In的焊料）而成。進而，利用矽酮製刮鏟將附著於分離的靶材的接合面上的焊料刮落，並盡可能回收焊料。自支承板分離後，以成為300 mm×200 mm×15 mm左右的方式將靶材切斷。

使用安裝有6個噴嘴直徑：0.30 mm（杉野機械（Sugino Machine）（股）製造、形式編號：DN-0830）的噴嘴的正圓形的噴嘴頭（杉野機械（Sugino Machine）（股）製造、形式編號：MNH-2506CH），向靶材的接合面噴射水而將整個面洗淨（水壓：245 MPa、水量：13.7 L/min、靶材與噴嘴頭間的距離：25 mm、掃描：3次、重疊：5 mm、噴嘴頭的旋轉速度：1500 cm^-1 、噴嘴頭的移動速度：100 mm/min）。此時，以噴嘴頭的中心軸與接合面垂直的方式配置噴嘴頭及使用過的靶材，朝使用過的靶材的長邊方向掃描噴嘴頭（噴嘴頭的噴射水的一側的面成為向下凸的弧線形的結構，因此噴嘴相對於接合面朝向傾斜方向，水自傾斜方向與接合面接觸）。自洗淨後的靶材表面去除接合材及金屬化層而成為梨皮狀。於與實施例1相同的條件下測定成為梨皮狀的接合面的波長300 nm～1500 nm整個區域的正反射率，結果最大是於入射光的波長為1300 nm時為0.5%，於波長500 nm時為0.1%，於1000 nm時為0.3%。再者，附著有處理前的接合體的接合面的波長300 nm～1500 nm整個區域中的正反射率於入射光的波長為1300 nm時最大且為2%～3%左右，於波長500 nm時為1%～2%，於波長1000 nm時為1%～2%。另外，與實施例1同樣地測定算術平均粗糙度Ra，結果Ra的平均值為17 μm。再者，附著有處理前的接合體的接合面的算術平均粗糙度Ra以平均計為2.1 μm。

使用島津製作所製造的EDXRF分析裝置（EDX-700L），於與實施例1相同的條件下對洗淨後的使用過的靶材的接合面進行分析。其結果，於洗淨後的使用過的靶材的接合面均完全未檢測出源自焊料的Sn、Zn、In。

若與所述同樣地利用EDXRF分析洗淨前的使用過的靶材的接合面，則源自焊料的Sn、Zn、In分別以1重量%～20重量%、1重量%～20重量%、2重量%～60重量%的量存在。

於真空下（約0.03 Torr）、1200℃下對洗淨後的使用過的靶材進行溶解，於大氣中進行攪拌而去除浮渣後，於大氣中進行冷卻，藉此製造回收鑄塊。使用GDMS（VG元素（Elemental）公司製造、VG9000）對回收鑄塊中所含的雜質的量進行關於Sn、Zn、In的微量分析。將結果與以相同的方法自未使用的靶材（接合前）製作的鑄塊的分析結果一併示於表2。

[表2]

根據表2所示的結果，確認了使用洗淨後的使用過的靶材而製造的回收鑄塊中所含的雜質（源自焊料的In、Sn、Zn）的量與未使用的靶材（接合前）相比增加了若干，但其增加量的合計為1.4 ppm（重量基準）左右。

實施例3 藉由對使用過的濺鍍靶的接合層進行加熱（280℃），而自支承板分離靶材。再者，該濺鍍靶於使用前的狀態下是利用下述焊料（焊層的厚度：350 μm）將鋁製平板型靶材（純度：99.999%、維氏硬度：15～17、尺寸：2000 mm×200 mm×15 mm）與無氧銅製支承板（純度：99.99%、尺寸：2300 mm×250 mm×15 mm）接合而成。進而，利用矽酮製刮鏟將附著於分離的靶材的接合面上的焊料刮落，並盡可能回收焊料。自支承板分離後，以成為300 mm×200 mm×15 mm左右的方式將靶材切斷。

於以下的條件1～條件10下將靶材的接合面洗淨。在任一條件下，均自洗淨後的靶材表面去除接合材及金屬化層而成為梨皮狀。關於洗淨後的靶材，使用島津製作所製造的EDXRF分析裝置（EDX-700L，檢測極限：In為約0.01重量%），於與實施例1相同的條件下對洗淨後的使用過的靶材的接合面進行分析。其結果，於洗淨後的使用過的靶材的接合面均完全未檢測出源自焊料的In、Sn、Zn、或源自支承板的Cu。尤其是關於在以下的條件1～條件8下獲得的洗淨後的使用過的靶材，於真空下（例如0.03 Torr）、850℃下對靶材進行溶解，於大氣中進行攪拌而去除浮渣後，於大氣中進行冷卻，藉此製造回收鑄塊。分別使用GDMS（VG元素（Elemental）公司製造、VG9000）對未使用的靶材（接合前）、該回收鑄塊及利用相同的方法自使用過的靶材（洗淨前）製作的鑄塊中所含的雜質的量進行測定。將結果示於以下的表3、表4。

條件1 接合用焊料：In 金屬化用焊料：Sn-Zn-In 水壓：200 MPa 水量：8.5 L/min 噴嘴數：6個（噴嘴頭使用杉野機械（Sugino Machine）（股）製造的形式編號：MNH-2506CH）噴嘴直徑：0.25 mm（杉野機械（Sugino Machine）（股）製造、形式編號：DN-0825）噴嘴距離：25 mm 旋轉速度：1500 min^-1 移動速度：1000 mm/min 管線處理：1次重疊：5 mm 洗淨處理：接合面

條件2 接合用焊料：In 金屬化用焊料：Sn-Zn-In 水壓：200 MPa 水量：8.5 L/min 噴嘴數：6個（噴嘴頭使用杉野機械（Sugino Machine）（股）製造的形式編號：MNH-2506CH）噴嘴直徑：0.25 mm（杉野機械（Sugino Machine）（股）製造、形式編號：DN-0825）噴嘴距離：25 mm 旋轉速度：1500 min^-1 移動速度：1000 mm/min 管線處理：1次重疊：22 mm 洗淨處理：接合面及濺鍍面

條件3 接合用焊料：In 金屬化用焊料：Sn-Zn-In 水壓：200 MPa 水量：8.5 L/min 噴嘴數：6個（噴嘴頭使用杉野機械（Sugino Machine）（股）製造的形式編號：MNH-2506CH）噴嘴直徑：0.30 mm（杉野機械（Sugino Machine）（股）製造、形式編號：DN-0830）噴嘴距離：25 mm 旋轉速度：1500 min^-1 移動速度：1000 mm/min 管線處理：1次重疊：22 mm 洗淨處理：接合面及濺鍍面

條件4 接合用焊料：In 金屬化用焊料：Sn-Zn-In 水壓：200 MPa 水量：8.5 L/min 噴嘴數：6個（噴嘴頭使用杉野機械（Sugino Machine）（股）製造的形式編號：MNH-2506CH）噴嘴直徑：0.25 mm（杉野機械（Sugino Machine）（股）製造、形式編號：DN-0825）噴嘴距離：25 mm 旋轉速度：1500 min^-1 移動速度：2000 mm/min 管線處理：2次重疊：22 mm 洗淨處理：接合面及濺鍍面

條件5 接合用焊料：In 金屬化用焊料：Sn-Zn-In 水壓：200 MPa 水量：8.5 L/min 噴嘴數：6個（噴嘴頭使用杉野機械（Sugino Machine）（股）製造的形式編號：MNH-2506CH）噴嘴直徑：0.25 mm（杉野機械（Sugino Machine）（股）製造、形式編號：DN-0825）噴嘴距離：25 mm 旋轉速度：1500 min^-1 移動速度：2000 mm/min 管線處理：2次重疊：5 mm 洗淨處理：接合面及濺鍍面

條件6 接合用焊料：Sn-Zn 金屬化用焊料：Sn-Zn-In 水壓：200 MPa 水量：8.5 L/min 噴嘴數：6個（噴嘴頭使用杉野機械（Sugino Machine）（股）製造的形式編號：MNH-2506CH）噴嘴直徑：0.25 mm（杉野機械（Sugino Machine）（股）製造、形式編號：DN-0825）噴嘴距離：25 mm 旋轉速度：1500 min^-1 移動速度：1000 mm/min 管線處理：2次重疊：5 mm 洗淨處理：接合面及濺鍍面

條件7 接合用焊料：In 金屬化用焊料：Sn-Zn-In 水壓：245 MPa 水量：11.6 L/min 噴嘴數：6個（噴嘴頭使用杉野機械（Sugino Machine）（股）製造的形式編號：MNH-2506CH）噴嘴直徑：0.25 mm、0.30 mm（分別各3個噴嘴、杉野機械（Sugino Machine）（股）製造、形式編號：DN-0825、DN-0830、於噴嘴頭的外側三個部位配置0.30 mm噴嘴、內側三個部位配置0.25 mm噴嘴）噴嘴距離：55 mm 旋轉速度：1500 min^-1 移動速度：4000 mm/min 管線處理：2次重疊：5 mm 洗淨處理：接合面及濺鍍面

條件8 接合用焊料：Sn-Zn 金屬化用焊料：Sn-Zn-In 水壓：245 MPa 水量：11.6 L/min 噴嘴數：6個（噴嘴頭使用杉野機械（Sugino Machine）（股）製造的形式編號：MNH-2506CH）噴嘴直徑：0.25 mm、0.30 mm（分別各3個噴嘴、杉野機械（Sugino Machine）（股）製造、形式編號：DN-0825、DN-0830、於噴嘴頭的外側三個部位配置0.30 mm噴嘴、內側三個部位配置0.25 mm噴嘴）噴嘴距離：55 mm 旋轉速度：1500 min^-1 移動速度：3000 mm/min 管線處理：2次重疊：5 mm 洗淨處理：接合面及濺鍍面

條件9 接合用焊料：In 金屬化用焊料：Sn-Zn-In 水壓：150 MPa 水量：7.3 L/min 噴嘴數：3個（噴嘴頭為杉野機械（Sugino Machine）（股）製造，配置於節圓直徑（P.C.D.）20 mm的位置，朝垂直方向噴射水）噴嘴直徑：0.35 mm（杉野機械（Sugino Machine）（股）製造、形式編號：DN-0835）噴嘴距離：25 mm 旋轉速度：1000 min^-1 移動速度：1000 mm/min 管線處理：1次重疊：5 mm 洗淨處理：接合面

條件10 接合用焊料：In 金屬化用焊料：Sn-Zn-In 水壓：245 MPa 水量：3.4 L/min 噴嘴數：6個（噴嘴頭使用杉野機械（Sugino Machine）（股）製造的形式編號：MNH-2506CH）噴嘴直徑：0.15 mm（杉野機械（Sugino Machine）（股）製造、形式編號：DN-0815）噴嘴距離：25 mm 旋轉速度：1500 min^-1 移動速度：1000 mm/min 管線處理：1次重疊：5 mm 洗淨處理：接合面

[表3]

[表4]

比較例1 以成為100 mm×200 mm×15 mm左右的方式將與實施例1相同的使用過的平板型靶材切斷，於室溫下於4.4 wt%的硝酸水溶液中浸漬20小時，進行利用化學處理的焊料的去除。利用與實施例1相同的處理測定接合面的波長300 nm～1500 nm整個區域中的正反射率，結果於入射光的波長為1300 nm時最大且為13%，於波長500 nm時為6.0%，於波長1000 nm時為8.0%。另外，與實施例1同樣地測定算術平均粗糙度Ra，結果Ra的平均值為1.1 μm。再者，附著有處理前的接合體的接合面的波長300 nm～1500 nm整個區域中的正反射率於入射光的波長為1300 nm時最大且為2%～3%左右，於波長500 nm時為1%～2%，於波長1000 nm時為1%～2%，處理前的接合面的算術平均粗糙度Ra以平均計為1.7 μm。使用島津製作所製造的EDXRF分析裝置（EDX-700L，檢測極限：In為約0.01重量%），於與實施例1相同的條件下對化學處理後的使用過的靶材的接合面進行分析。其結果，明確了於化學處理後的使用過的靶材的接合面上檢測出0.6 wt%源自支承板的Cu，而無法去除雜質。另外，於真空下（約0.03 Torr）、850℃下對化學處理後的使用過的靶材進行溶解，於大氣中進行攪拌而去除浮渣後，於大氣中進行冷卻，藉此製造回收鑄塊。分別使用GDMS（VG元素（Elemental）公司製造、VG9000）對未使用的靶材（接合前）、比較例1的回收鑄塊、將使用過的靶材（化學處理前）溶解而製作的鑄塊中所含的雜質的量進行測定。將結果示於以下的表5。

[表5]

於僅進行了利用酸的處理的比較例1中，雖然花20小時進行了處理，但回收鑄塊中所含的源自接合材及支承板的雜質（即In、Sn、Zn、Cu）的合計量以重量基準計為約19 ppm，無法獲得具有與原來的靶材實質上相同的組成的回收鑄塊。

實施例4 藉由對使用過的濺鍍靶的接合層進行加熱（280℃），而自支承板分離靶材。再者，該濺鍍靶是利用下述焊料（焊層的厚度：350 μm）將鋁製平板型靶材（純度：99.999%、維氏硬度：14～17、尺寸：2000 mm×200 mm×15 mm）與無氧銅製支承板（純度：99.99%、尺寸：2300 mm×250 mm×15 mm）接合而成。進而，利用矽酮製刮鏟將附著於分離的靶材的接合面上的焊料刮落，並盡可能回收焊料。自支承板分離靶材後，以成為300 mm×200 mm×15 mm左右的方式將靶材切斷。於以下的條件11下將55枚靶材的接合面、濺鍍面及側面洗淨。在任一者中，均自洗淨後的靶材表面去除接合材及金屬化層而成為梨皮狀。自洗淨的55枚中隨機選出10枚，於與實施例1相同的條件下測定成為梨皮狀的接合面的波長300 nm～1500 nm整個區域中的正反射率。於任一靶材中，正反射率最大均為0.4%左右，於波長500 nm時為平均0.2%左右，於1000 nm時為平均0.2%左右。利用與實施例1相同的方法測定隨機選出的10枚的算術平均粗糙度Ra，結果Ra的平均值為20 μm。再者，附著有處理前的接合體的接合面的波長300 nm～1500 nm整個區域中的正反射率於入射光的波長為1300 nm時最大且為2%～3%左右，於波長500 nm時為1%～2%，於波長1000 nm時為1%～2%，處理前的接合面的算術平均粗糙度Ra以平均計為1.8 μm。關於洗淨後的靶材，使用島津製作所製造的EDXRF分析裝置（EDX-700L，檢測極限：In為約0.01重量%），於與實施例1相同的條件下對洗淨後的使用過的靶材55枚的接合面進行分析。其結果，於洗淨後的使用過的靶材的接合面均完全未檢測出源自焊料的In、Sn、Zn或源自支承板的Cu。另外，根據55枚的靶材的洗淨前後的重量差求出良率，結果平均為98%。繼而，將處理後的洗淨過的靶材中25枚（約50 kg）於真空中、800℃下溶解，去除浮渣後，於大氣中於碳製的鑄型中注入熔融金屬，於大氣中對熔融金屬進行冷卻，藉此製造回收鑄塊。使用GDMS（VG元素（Elemental）公司製造、VG9000（型號））測定回收鑄塊中所含的雜質的量。將結果示於表4。

條件11 接合用焊料：In 金屬化用焊料：Sn-Zn-In 水壓：245 MPa 水量：18.6 L/min 噴嘴數：6個（噴嘴頭使用杉野機械（Sugino Machine）（股）製造的形式編號：MNH-2506-15C（噴嘴配置於P.C.D. 36 mm的位置））噴嘴直徑：0.35 mm（杉野機械（Sugino Machine）（股）製造、形式編號：DN-0835）噴嘴距離：60 mm 旋轉速度：2000 min^-1 移動速度：4000 mm/min 管線處理：2次重疊：5 mm 洗淨處理：接合面、濺鍍面及側面 [產業上的可利用性]

根據本發明，例如使用所述裝置，以所述方式將使用過的靶材洗淨，藉此可獲得實質上不含源自接合材及支持構件的元素的使用過的靶材。進而，藉由將所述使用過的靶材作為原料來製造鑄塊，可獲得具有與原來的靶材實質上相同的組成的回收鑄塊。根據本發明，可自所述回收鑄塊再生具有與原來的靶材實質上相同的組成的靶材，因此對於靶材的回收而言有用。

1‧‧‧靶材

2‧‧‧支持構件

3‧‧‧接合材（或接合層）

4‧‧‧焊層

5、5'‧‧‧金屬化層

10、20、30‧‧‧濺鍍靶

100‧‧‧裝置

101‧‧‧靶材（或工件）

102‧‧‧噴嘴頭

103‧‧‧致動器

103X‧‧‧X軸滑件

103Y‧‧‧Y軸滑件

103Z‧‧‧Z軸滑件

104‧‧‧處理室

105‧‧‧搬送機構

106‧‧‧杆

A-A、B-B‧‧‧裝置的一部分

圖1是表示本發明的概要的概略圖。圖2是表示濺鍍靶的靶材與支持構件的結合的概略圖。圖3是表示另一濺鍍靶的靶材與支持構件的結合的概略圖。圖4是表示又一濺鍍靶的靶材與支持構件的結合的概略圖。圖5是示意性地表示本發明中可使用的裝置的實施形態的概略立體圖。圖6是示意性地表示本發明中可使用的裝置的實施形態的概略俯視圖。圖7是表示圖6所示的裝置的A-A處的剖面的概略圖。圖8是表示圖6所示的裝置的B-B處的剖面的概略圖。圖9是示意性地表示圖5～圖8所示的致動器103與噴嘴頭102的關係的概略圖。圖10是示意性地表示作為排水機構的一例的膜分離式的固液分離裝置的概略圖。圖11是示意性地表示作為排水機構的一例的多段式沈澱槽的概略圖。

Claims

一種靶材的洗淨方法，包括：自利用接合材將主要包含金屬的靶材與支持構件結合而成的濺鍍靶分離所述靶材的步驟；以及藉由向所述靶材中的附著有所述接合材的面噴射水而將所述接合材自所述靶材去除的步驟。
如申請專利範圍第1項所述的靶材的洗淨方法，其中所述水的壓力為90 MPa以上。
如申請專利範圍第1項或第2項所述的靶材的洗淨方法，其中所述金屬為鋁或銅。
一種靶材的製造方法，其包括進行如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的洗淨方法的步驟。
一種靶材，其特徵在於：自利用接合材將主要包含金屬的靶材與支持構件結合而成的濺鍍靶分離而獲得，其中，藉由能量分散型螢光X射線分析未能檢測出源自所述接合材及所述支持構件的元素。
一種回收鑄塊的製造方法，包括：藉由鑄造進行了如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的洗淨方法的靶材而獲得包含所述金屬的回收鑄塊的步驟。
一種回收鑄塊，其源自利用接合材將主要包含金屬的靶材與支持構件結合而成的濺鍍靶的靶材，且源自所述接合材及支持構件的元素的合計量以重量基準計未滿10 ppm。
如申請專利範圍第7項所述的回收鑄塊，其中作為所述回收鑄塊的主成分的金屬為鋁或銅。
如申請專利範圍第7項所述的回收鑄塊，其中作為所述回收鑄塊的主成分的金屬為鋁，所述雜質的合計量以重量基準計未滿5 ppm。
一種裝置，其可用於藉由向自濺鍍靶分離的靶材中的附著有接合材的面噴射水而將所述接合材自所述靶材去除，所述濺鍍靶是利用所述接合材將所述主要包含金屬的靶材與支持構件結合而成，且所述裝置包含：具備至少一個用以向所述靶材噴射水的噴射口的至少一個噴嘴頭；用以操作所述噴嘴頭的致動器；以及配置有所述致動器且用以收容所述靶材並進行處理的處理室。
如申請專利範圍第10項所述的裝置，其進一步包含用以於所述處理室內固定所述靶材的夾具。
如申請專利範圍第10項或第11項所述的裝置，其進一步包含用以使所述靶材反轉的反轉機構。
如申請專利範圍第10項至第12項中任一項所述的裝置，其包含排水機構，所述排水機構用以回收自所述噴射口噴射的水並進行排水，且分離包含自所述靶材去除的接合材的處理物。