TW201834030A - 晶圓的加工方法 - Google Patents

Abstract

在組合雷射加工方法與研削方法之晶圓的加工方法中，以在研削時不會在晶片角產生缺口的方式分割晶圓。 　　其解決手段為： 　　一種具有在以交叉的複數的切割道所區劃的各領域分別形成有裝置(D)的表面(Wa)之晶圓(W)的加工方法，包含： 　　將表面保護膠帶(T)貼著於晶圓表面(Wa)之步驟； 　　實施表面保護膠帶貼著步驟之後，加熱表面保護膠帶(T)及晶圓(W)之步驟； 　　實施加熱步驟之後，將對於晶圓(W)具有透過性的波長的雷射束朝晶圓背面(Wb)沿著切割道來照射而於晶圓(W)的內部形成改質層之步驟；及 　　實施改質層形成步驟之後，研削晶圓背面(Wb)而使晶圓(W)薄化成預定厚度，且以改質層為起點將晶圓(W)分割成各個的晶片(C)之研削步驟。

Description

晶圓的加工方法

[0001] 本發明是有關形成有裝置的晶圓的加工方法。

[0002] 複數的裝置藉由被稱為切割道(Street)的分割預定線來區劃形成於表面的半導體晶圓等的被加工物是沿著切割道來分割成各個的裝置晶片，被分割的裝置晶片是被利用於各種電子機器等。 　　[0003] 作為將晶圓分割成各個的裝置晶片的方法，例如有使用可對晶圓照射雷射束的雷射加工裝置及可藉由研削磨石來研削晶圓的研削裝置而實施之被稱為所謂的SDBG(Stealth Dicing Before Grinding)的加工方法(例如參照專利文獻1)。此加工方法是組合雷射加工與研削的技術，首先，沿著切割道來照射對於晶圓具有透過性的波長的雷射束，而在晶圓內部的預定深度的位置形成改質層。然後，研削晶圓的背面而使晶圓薄化成完工厚度，且以改質層作為分割起點，藉由研削壓力來使龜裂伸長至晶圓的表面側，藉此可將晶圓分割成各個的裝置晶片。 ［先前技術文獻］ ［專利文獻］ 　　[0004] 　　[專利文獻1]國際公開第03/077295號公報

(發明所欲解決的課題) 　　[0005] 但，在上述專利文獻1記載的加工方法中，藉由分割來形成的複數的晶片會互相接近，由於在各晶片的對角線方向鄰接的各晶片的角落(角)間無間隔，因此被形成的晶片彼此間會在研削中接觸，尤其晶片的角落彼此間會互相摩擦，有容易在角落產生缺口的問題。然後，一旦晶片的角落缺口，則會有以此缺口作為起點產生的龜裂伸長至裝置表面，裝置破損的問題。 　　[0006] 因此，在組合雷射加工與研削的晶圓的加工方法中，有以在研削加工時不會使缺口產生於各個的晶片的角之方式分割晶圓的課題。 (用以解決課題的手段) 　　[0007] 若根據本發明，則可提供一種晶圓的加工方法，係具有在以交叉的複數的切割道所區劃的各領域分別形成有裝置的表面之晶圓的加工方法，其特徵為具備： 　　表面保護膠帶貼著步驟，其係將表面保護膠帶貼著於晶圓的該表面； 　　加熱步驟，其係實施該表面保護膠帶貼著步驟之後，加熱該表面保護膠帶及晶圓； 　　改質層形成步驟，其係實施該加熱步驟之後，將對於晶圓具有透過性的波長的雷射束朝晶圓的背面沿著該切割道來照射而於晶圓的內部形成改質層；及 　　研削步驟，其係實施該改質層形成步驟之後，研削晶圓的背面而使晶圓薄化成預定厚度，且以該改質層為起點將晶圓分割成各個的晶片。 　　[0008] 較理想，前述切割道係包含：伸長於第一方向的第一切割道，及伸長於與該第一方向交叉的第二方向的第二切割道， 　　在前述改質層形成步驟中，分別形成沿著該第一切割道的第一改質層及沿著該第二切割道的第二改質層，且鄰接的晶片的該第一改質層係互相偏移於該第二方向而形成。 ［發明的效果］ 　　[0009] 在本發明的晶圓的加工方法中，實施表面保護膠帶貼著步驟之後，實施加熱表面保護膠帶及晶圓的加熱步驟，藉此表面保護膠帶會成為藉由加熱的黏著層的軟化而對晶圓的表面的密著性提升的狀態。因此，在研削步驟中，晶片全體不易移動，在研削步驟中，各晶片的角彼此間難互相摩擦，所以可不使缺口產生於晶片的角。 　　[0010] 並且，在本發明的晶圓的加工方法中，在改質層形成步驟中形成第一改質層時，在每個具備裝置的鄰接的晶片，錯開於第二方向形成非連續的第一改質層。因此，可在對角線方向鄰接的各晶片的角部分形成間隔，在研削步驟中，抑止各晶片的角彼此間互相摩擦，可不使缺口產生於晶片的角。

[0012] 以下，說明有關實施本發明的晶圓的加工方法來將圖1所示的晶圓W分割成各個的裝置晶片時的各步驟。 　　[0013] (1)表面保護膠帶貼著步驟 　　被加工物之圖1所示的晶圓W是例如具有圓盤狀的外形的半導體晶圓，在晶圓W的表面Wa上是配列有：伸長於第一方向(在圖1中是X軸方向)的複數的第一切割道S1，及伸長於在水平面與第一方向正交的第二方向(在圖1中是Y軸方向)的複數的第二切割道S2。一條的第一切割道S1與位於其旁的其他另一條的第一切割道S1之間的距離(各第一切割道S1的中心線間的距離)是成為等間隔，又，一條的第二切割道S2與位於其旁的其他另一條的第二切割道S2之間的距離(各第二切割道S1的中心線間的距離)也成為等間隔。在以第一切割道S1及第二切割道S2所區劃的矩形狀的各領域是分別形成有IC等的裝置D。 　　[0014] 晶圓W是由此開始實施加工時，圖1所示的表面保護膠帶T會被貼著於表面Wa，形成表面Wa被保護的狀態。表面保護膠帶T是例如具有與晶圓W的外徑同程度的外徑之圓盤狀的薄膜，具備：由聚烯烴所成的基材層，及由黏著糊所成的黏著層。在使晶圓W的中心與表面保護膠帶T的中心大略一致的狀態下，表面保護膠帶T的黏著層的貼著面Ta被貼著於晶圓W的表面Wa，藉此晶圓W的表面Wa是形成藉由表面保護膠帶T來保護的狀態。 　　[0015] (2)加熱步驟 　　實施表面保護膠帶貼著步驟之後，實施加熱表面保護膠帶T及晶圓W的加熱步驟。表面保護膠帶T及晶圓W的加熱是例如在被加熱至圖2所示的預定溫度的熱板5上進行。熱板5的溫度是依據表面保護膠帶T的黏著層及基材層的種類或膠帶厚度等，在約50℃~約90℃的範圍內適當設定，如本實施形態般，表面保護膠帶T具備由聚烯烴所成的基材層時，是例如被設定成約70℃。亦即，熱板5的溫度是被設定成不會產生因熱而造成表面保護膠帶T的溶融及因表面保護膠帶T的熱收縮而造成外徑的變化程度的溫度。 　　[0016] 在圖示的例子中，是以背面Wb側為下側，在熱板5上載置晶圓W，加熱表面保護膠帶T及晶圓W，但並非限於此，亦可以表面保護膠帶T側為下側，在熱板5上載置晶圓W而加熱表面保護膠帶T及晶圓W，藉此表面保護膠帶T會更快被加熱。 　　[0017] 例如，同時並行表面保護膠帶貼著步驟及加熱步驟時，藉由表面保護膠帶T一邊被加熱一邊被貼附於晶圓W，表面保護膠帶T會在朝向徑方向外側延伸的狀態下被貼附於晶圓W。因此，所欲收縮的應力會殘存於被貼附在晶圓W上的表面保護膠帶T。為此，一但表面保護膠帶T被貼著於晶圓W之後經過預定時間而表面保護膠帶T冷卻，則所欲回到表面保護膠帶T的自然長的收縮力會作為機械的外力來傳播至晶圓W的表面Wa，發生無用的張力施加於晶圓W的表面Wa的狀態等的問題。但，如本發明的晶圓W的加工方法般，實施表面保護膠帶貼著步驟之後，實施加熱表面保護膠帶T及晶圓W的加熱步驟，藉此可防止上述般的問題發生。 　　[0018] 藉由將晶圓W載置於熱板5上約5分鐘，使表面保護膠帶T及晶圓W的加熱完了。表面保護膠帶T是藉由被加熱，表面保護膠帶T的黏著層軟化而成為對晶圓W的表面Wa的密著性提升的狀態。另外，表面保護膠帶T及晶圓W的加熱時間是約5分~約10分程度為理想。又，晶圓W的加熱是不限於使用熱板5來以接觸式進行的形態，例如亦可使用能夠放射紅外線的紅外線燈或加熱烤箱等，以非接觸加熱表面保護膠帶T及晶圓W。 　　[0019] (3)改質層形成步驟 　　使加熱步驟完了後，實施照射對於晶圓W具有透過性的波長的雷射束而在晶圓W的內部形成改質層的改質層形成步驟。在改質層形成步驟中所被使用的圖3所示的雷射加工裝置1是例如至少具備：吸引保持晶圓W的吸盤(chuck table)10，及對於被保持於吸盤10的晶圓W照射雷射束的雷射束照射手段11。吸盤10是例如其外形為圓形狀，在由多孔構件等所成的保持面10a上吸引保持晶圓W。吸盤10是可繞著鉛直方向(Z軸方向)的軸心旋轉，且可藉由加工進給手段12來往復移動於X軸方向。 　　[0020] 雷射束照射手段11是例如具備：可振盪對於晶圓W具有透過性的預定的波長的雷射束之雷射振盪器110(例如YAG雷射或YVO4雷射)，雷射振盪器110是經由光纖等的傳送光學系來連接至集光器111。然後，雷射束照射手段11是使從雷射振盪器110振盪的雷射束射入至集光器111的內部的集光透鏡111a，藉此可將雷射束集光於晶圓W的內部。雷射振盪器110雷射加工裝置1是具備：進行雷射振盪器110的啟動及停止，亦即雷射振盪器110之雷射束的照射的ON及OFF的轉換之ON/OFF轉換手段119。 　　[0021] 在雷射束照射手段11的近旁是配設有用以檢測出圖1所示的晶圓W的第一切割道S1及第二切割道S2的對準手段14。對準手段14是具備：照射紅外線之未圖示的紅外線照射手段，及以捕捉紅外線的光學系和輸出對應於紅外線的電氣訊號的攝像元件(紅外線CCD)等所構成的紅外線攝影機140，可根據利用紅外線攝影機140所取得的畫像，藉由圖案匹配等的畫像處理來檢測出晶圓W的表面Wa的第一切割道S1及第二切割道S2。雷射束照射手段11是與對準手段14成為一體構成，兩者是連動朝Y軸方向及Z軸方向移動。吸盤10、雷射束照射手段11、加工進給手段12及對準手段14是被連接至未圖示的控制手段，該控制手段是由CPU及記憶體等的記憶元件所構成，進行雷射加工裝置1全體的控制，此控制手段是根據操作員所輸入至控制手段的加工條件等來控制上述的各構成的動作。 　　[0022] 在本實施形態中，例如，首先，使用圖3所示的雷射加工裝置1，沿著圖1所示的第二切割道S2來照射雷射束而在晶圓W的內部形成第二改質層，接著，沿著第一切割道S1來照射雷射束而形成第一改質層。第二改質層是在第二切割道S2的中央連續性地形成直線狀，但第一改質層是在從第一切割道S1的中央偏移至兩側的位置交替地非連續形成。為了進行如此的加工，在第二改質層及第一改質層的形成前，對於雷射加工裝置1所具備之未圖示的控制手段設定加工條件。作為預先設定的加工條件，是有晶圓W的加工進給速度、第一切割道S1及第二切割道S2的加工開始位置、第一距離L1及第二距離L2的值等。晶圓W的加工進給速度是藉由操作員來從雷射加工裝置1所具備之未圖示的輸入手段輸入。第一切割道S1及第二切割道S2的加工開始位置是藉由對準手段14來檢測出。由於第一距離L1及第二距離L2的值為既知，因此其值可藉由操作員來從雷射加工裝置1所具備之未圖示的輸入手段輸入。並且，為了將形成於第一切割道S1的第一改質層設為非連續，決定藉由ON/OFF轉換手段119所被轉換的ON時間及OFF時間，而設定於控制手段。如此的ON時間及OFF時間是藉由未圖示的控制手段根據第二距離L2的值及晶圓W的加工進給速度的值等來進行運算處理而算出。ON時間與OFF時間是相等，各個的時間是為了吸盤10僅第二距離L2部分移動至X軸方向所花的時間，被設定成為交替重複ON及OFF。 　　[0023] 首先，以圖3所示的雷射加工裝置1的吸盤10的保持面10a與藉由晶圓W的表面保護膠帶T所保護的表面Wa側能夠對向之方式進行對位，以背面Wb側作為上側，將晶圓W載置於吸盤10上。然後，被連接至吸盤10之未圖示的吸引源會作動，將晶圓W吸引保持於吸盤10上。 　　[0024] 其次，以晶圓W的第一切割道S1能夠對於X軸方向形成平行之方式，保持晶圓W的吸盤10繞著Z軸方向的軸心旋轉來調整其方向。然後，被保持於吸盤10的晶圓W會藉由加工進給手段12來傳送至-X方向(往方向)，且藉由對準手段14來檢測出第一切割道S1。在此，形成有第一切割道S1的晶圓W的表面Wa是位於下側，未與對準手段14直接對向，但可藉由紅外線攝影機140來使從晶圓W的背面Wb側透過而攝取第一切割道S1。對準手段14會藉由紅外線攝影機140所攝取的第一切割道S1的畫像來實行圖案匹配等的畫像處理，檢測出最初應照射雷射束的第一切割道S1的位置，例如圖2的最-Y側的第一切割道S1。然後，被檢測出的第一切割道S1的Y座標的值會被記憶於控制手段。 　　[0025] 其次，以晶圓W的第二切割道S2能夠對於X軸方向形成平行之方式，保持晶圓W的吸盤10繞著Z軸方向的軸心旋轉。然後，藉由對準手段14來檢測出第二切割道S2。例如，檢測出圖1的最-X側的第二切割道S2。 　　[0026] 隨著第二切割道S2被檢測出，雷射束照射手段11會被驅動於Y軸方向，進行照射雷射束的第二切割道S2與集光器111的Y軸方向的對位。此對位是例如以第二切割道S2的中心線能夠位於集光器111所具備的集光透鏡111a的正下面之方式進行。 　　[0027] 其次，在以集光器111來將對於晶圓W具有透過性的雷射束的集光點定位至對應於第二切割道S2的晶圓W的內部的預定的高度位置之狀態下，一面沿著第二切割道S2來照射從雷射振盪器110振盪被集光於集光透鏡111a的雷射束，一面以預定的加工進給速度來將晶圓W加工進給至-X方向，如圖3所示般，在晶圓W的內部形成第二改質層M2。第二改質層M2的晶圓W的厚度方向(Z軸方向)的形成位置是例如成為從晶圓W的表面Wa僅裝置晶片的完工厚度部分比上方的位置更上的位置。並且，第二改質層M2是被形成為與延伸於晶圓W的第二方向(圖1的Y軸方向)的第二切割道S2的中心線重疊。 　　[0028] 在晶圓W的內部沿著第二切割道S2的中心線來連續性地形成第二改質層M2，例如，若晶圓W行進於-X方向至結束對一條的第二切割道S2照射雷射束的X軸方向的預定的位置，則如在圖4中以虛線所示般，在晶圓W的內部，以能夠沿著第二切割道S2來從第二切割道S2的一端到另一端穿越各第一切割道S1之方式形成直線狀連續性延伸的第二改質層M2。 　　[0029] 其次，使雷射束的照射停止，且使晶圓W的 -X方向(往方向)的加工進給一度停止，使雷射束照射手段11朝+Y方向移動，而進行位於被照射雷射束的第二切割道S2的旁邊尚未被照射雷射束的第二切割道S2與集光器111的Y軸方向的對位。其次，加工進給手段12會將晶圓W朝+X方向(復方向)加工進給，與在往方向的雷射束的照射同樣雷射束被照射至第二切割道S2。藉由依序進行同樣的雷射束的照射，沿著延伸於X軸方向的全部的第二切割道S2來從晶圓W的背面Wb側照射雷射束，在晶圓W內部形成成為分割起點的第二改質層M2。 　　[0030] 其次，沿著第一切割道S1來照射對於晶圓W具有透過性的波長的雷射束而在晶圓W的內部形成延伸於第一方向的第一改質層。 　　[0031] 首先，以圖3所示的晶圓W的第一切割道S1能夠對於X軸方向形成平行之方式，保持晶圓W的吸盤10繞著Z軸方向的軸心旋轉。然後，被保持於吸盤10的晶圓W會藉由加工進給手段12來傳送至-X方向(往方向)。 　　[0032] 其次，將集光器111的Y軸方向的位置對準所欲最初照射雷射束之圖5所示的第一切割道S11。此對位是例如以集光器111所具備的集光透鏡111a的正下面位置能夠從第一切割道S11的中心線僅預定的距離偏移至-Y方向之方式進行。 　　[0033] 其次，在以集光器111來將對於晶圓W具有透過性的雷射束的集光點定位至對應於第一切割道S11的晶圓W的內部的預定的高度位置之狀態下，一面沿著第一切割道S11來照射從雷射振盪器110振盪被集光於集光透鏡111a的雷射束，一面以預定的加工進給速度來將晶圓W加工進給至-X方向，在晶圓W的內部形成圖5中以一點虛線所示的第一改質層M11。第一改質層M11的形成位置是成為例如在晶圓W的厚度方向(Z軸方向)，從晶圓W的表面Wa僅裝置晶片的完工厚度部分比上方的位置更下的位置，且在晶圓W的第二方向，從第一切割道S11的中心線僅預定距離偏移至-Y方向側的位置。 　　[0034] 例如，若晶圓W僅一條的第二切割道S2的中心線與位於其旁的另一條的第二切割道S2的中心線之間的距離部分被加工進給，從圖5所示的第二改質層M21到僅預定距離被隔開形成於第一方向之圖5所示的第二改質層M22為止，第一改質層M11被形成直線狀延伸，則控制手段所決定之雷射振盪器110的ON時間經過，ON/OFF轉換手段119會將雷射束的照射轉換至OFF。這樣的話，雖晶圓W被維持以預定的加工進給速度來被加工進給至-X方向的狀態，但由於雷射束的照射是停止，因此第一切割道S11之中從第二改質層M22到第二改質層M23之間，雷射束未被照射至晶圓W的內部，第一改質層不會被形成。 　　[0035] 若晶圓W以預定的加工進給速度來僅一條的第二切割道S2的中心線與位於其旁的另一條的第二切割道S2的中心線之間的距離部分再被加工進給至-X方向，而預定的OFF時間經過，則ON/OFF轉換手段119會將雷射束的照射轉換成ON。因此，晶圓W是以預定的加工進給速度被加工進給至-X方向，藉此雷射束被照射至晶圓W的內部，以一點虛線所示的第一改質層M11會沿著從第二改質層M23到僅預定距離被隔開形成於第一方向之圖5所示的第二改質層M24之間的第一切割道S11來形成於晶圓W的內部。 　　[0036] 如上述般，在晶圓W的內部沿著第一切割道S11來以僅預定的間隔分離於第一方向的方式非連續性地形成第一改質層M11，晶圓W會行進於-X方向至結束對一條的第一切割道S11照射雷射束的X軸方向的預定的位置為止。其次，停止雷射束的照射，且使晶圓W的-X方向(往方向)的加工進給一度停止，使圖3所示的雷射束照射手段11朝+Y方向移動，而進行位於被照射雷射束的第一切割道S11的旁邊尚未被照射雷射束之圖5所示的第一切割道S12與集光器111的Y軸方向的對位。其次，加工進給手段12會將晶圓W朝+X方向(復方向)加工進給，與在往方向的雷射束的照射同樣雷射束被照射至第一切割道S12。藉由依序進行同樣的雷射束的照射，沿著延伸於X軸方向的全部的第一切割道S1來從晶圓W的背面Wb側照射雷射束，在晶圓W內部成為分割起點的第一改質層M11會沿著各第一切割道S1來以非連續形成。 　　[0037] 其次，沿著第一切割道S1來照射對於晶圓W具有透過性的波長的雷射束而於晶圓W的內部形成與第一改質層M11互相偏移於第二方向且延伸於第一方向的第一改質層。首先，被保持於吸盤10的晶圓W會藉由圖2所示的加工進給手段12來傳送至-X方向(往方向)。 　　[0038] 然後，進行照射雷射束的第一切割道S11與集光器111的Y軸方向的對位。此對位是例如以集光器111所具備的集光透鏡111a的正下面位置能夠從第一切割道S11的中心線僅預定的距離偏移至+Y方向之方式進行。其次，以集光器111來將預定波長的雷射束的集光點定位至對於第一切割道S11的晶圓W的內部的預定的高度位置。並且，以預定的加工進給速度來將晶圓W加工進給至-X方向。 　　[0039] 例如，藉由ON/OFF轉換手段119將雷射束的照射形成OFF，即使晶圓W以預定的加工進給速度被加工進給至-X方向，在圖6所示的第一切割道S11之中從第二改質層M21到第二改質層M22之間是雷射束不會被照射至晶圓W的內部，與第一改質層M11互相偏移於第二方向且延伸於第一方向的第一改質層不會被形成。 　　[0040] 若晶圓W以預定的加工進給速度來僅一條的第二切割道S2的中心線與位於其旁的另一條的第二切割道S2的中心線之間的距離部分再被加工進給至-X方向，而經過預定的OFF時間，則ON/OFF轉換手段119會將雷射束的照射轉換成ON。因此，晶圓W是以朝-X方向的預定的加工進給速度來再被加工進給，藉此雷射束被照射至晶圓W的內部，以二點虛線所示的第一改質層M12會沿著從圖6所示的第二改質層M22到第二改質層M23之間的第一切割道S11來形成於晶圓W的內部。第一改質層M12的形成位置是成為例如在晶圓W的厚度方向(Z軸方向)，從晶圓W的表面Wa僅裝置晶片的完工厚度部分比上方的位置更上的位置，且在晶圓W的第二方向，從第一切割道S11的中心線僅預定距離偏移至+Y方向側的位置。因此，第一改質層M12是相對於第一改質層M11偏移至第二方向形成。 　　[0041] 例如，若晶圓W僅一條的第二切割道S2的中心線與位於其旁的另一條的第二切割道S2的中心線之間的距離部分被加工進給，從圖6所示的第二改質層M22到第二改質層M23為止，第一改質層M12被形成為直線狀延伸，則ON/OFF轉換手段119會將雷射束的照射轉換成OFF。雖晶圓W被維持以預定的加工進給速度來再被加工進給至-X方向的狀態，但從第二改質層M23到第二改質層M24之間，雷射束未被照射至晶圓W的內部，與第一改質層M11互相偏移於第二方向且延伸於第一方向的第一改質層不會被形成。 　　[0042] 如上述般，在晶圓W的內部沿著第一切割道S11來以僅預定的間隔分離於第一方向的方式非連續性地形成第一改質層M12，晶圓W會行進於-X方向至結束對一條的第一切割道S11照射雷射束的X軸方向的預定的位置為止。其次，停止雷射束的照射，且使晶圓W的-X方向(往方向)的加工進給一度停止，使雷射束照射手段11朝+Y方向移動，而進行位於被照射雷射束的第一切割道S11的旁邊尚未被照射雷射束的第一切割道S12與集光器111的Y軸方向的對位。其次，加工進給手段12會將晶圓W朝+X方向(復方向)加工進給，與在往方向的雷射束的照射同樣雷射束被照射至第一切割道S12。藉由依序進行同樣的雷射束的照射，沿著延伸於X軸方向的全部的第一切割道S1來從晶圓W的背面Wb側照射雷射束，與第一改質層M11互相偏移於第二方向且延伸於第一方向的第一改質層M12會沿著各第一切割道S1來以非連續形成於晶圓W的內部。第一改質層M12是在第一改質層M11的形成時被形成於將雷射設為OFF的X座標位置。因此，在各個的第一切割道S11，S12，･･･中，第一改質層M11與第二改質層M12會在第一方向交替地形成，在鄰接的晶片間，第一改質層M11與第二改質層M12會互相偏移於第二方向而形成。 　　[0043] (4)研削步驟 　　改質層形成步驟完了後，將晶圓W的背面Wb研削而使晶圓W薄化至預定厚度，且以圖6所示的第一改質層M11及第一改質層M12以及第二改質層M2為起點，實施將晶圓W分割成圖6所示的各個的晶片C之研削步驟。 　　[0044] 圖7所示的研削裝置2是例如至少具備：吸引保持晶圓W的保持台20，及研削加工被保持於保持台20的晶圓W的研削手段21。保持台20是例如其外形為圓形狀，在由多孔構件等所成的保持面20a上吸引保持晶圓W。保持台20是可繞著鉛直方向的軸心旋轉，且可藉由Y軸方向進給手段23來往復移動於Y軸方向。 　　[0045] 研削手段21是可藉由研削進給手段22來上下移動，該研削進給手段22是使研削手段21在相對於保持台20分離或接近的Z軸方向研削進給。研削進給手段22是例如藉由馬達等來動作的滾珠螺桿機構。研削手段21是具備：軸方向為鉛直方向(Z軸方向)的旋轉軸210，將旋轉軸210旋轉驅動的馬達212，被連接至旋轉軸210的下端的圓環狀的固定件(mount)213，及可裝卸地連接至固定件213的下面的研削輪214。 　　[0046] 研削輪214是具備：輪基台214a，及被環狀地配設於輪基台214a的底面的大致長方體形狀的複數的研削磨石214b。研削磨石214b是例如以樹脂結合劑或金屬結合劑等來黏著鑽石磨粒等而成形。另外，研削磨石214b的形狀是亦可為被一體形成環狀者。 　　[0047] 例如，在旋轉軸210的內部，連通至研削水供給源成為研削水的通道之未圖示的流路是貫通於旋轉軸210的軸方向(Z軸方向)而形成，流路是通過固定件213，開口成為在輪基台214a的底面可朝研削磨石214b噴出研削水。 　　[0048] 在研削步驟中，首先，使保持台20的中心與晶圓W的中心大略一致，晶圓W在將背面Wb側朝上的狀態下被載置於保持面20a上。然後，藉由未圖示的吸引源來產生的吸引力會被傳達至保持面20a，藉此保持台20會吸引保持晶圓W。 　　[0049] 其次，保持晶圓W的保持台20會朝+Y方向移動至研削手段21之下，進行研削手段21所具備的研削輪214與晶圓W的對位。對位是例如圖7所示般，研削輪214的旋轉中心相對於保持台20的旋轉中心，僅預定的距離偏移至+Y方向，以研削磨石214b的旋轉軌道會通過保持台20的旋轉中心之方式進行。 　　[0050] 進行研削手段21所具備的研削輪214與晶圓W的對位之後，隨著旋轉軸210從+Z方向側來看被旋轉驅動於反時針方向，研削輪214旋轉。並且，研削手段21會藉由研削進給手段22來送往-Z方向，藉由旋轉的研削輪214的研削磨石214b抵接於晶圓W的背面Wb來進行研削加工。研削中是隨著保持台20從+Z方向側來看旋轉於反時針方向，被保持於保持面20a上的晶圓W也旋轉，因此研削磨石214b會進行晶圓W的背面Wb的全面的研削加工。並且，在研削加工中，經由旋轉軸210中的流路來對研削磨石214b與晶圓W的接觸部位供給研削水，而冷卻･洗淨研削磨石214b與晶圓W的背面Wb的接觸部位。 　　[0051] 若繼續進行研削，則藉由研削壓力沿著圖6所示的第一改質層M11及第一改質層M12以及第二改質層M2作用，龜裂會朝晶圓W的表面Wa伸長，晶圓W被分割成具備圖6所示的裝置D之矩形狀的各個的晶片C。然後，分割後也繼續進行研削，一旦晶圓W被形成完工厚度，則研削進給手段22會使研削手段21上昇至+Z方向，終了研削。 　　[0052] 本發明的晶圓的加工方法是在實施表面保護膠帶貼著步驟之後，實施加熱表面保護膠帶T及晶圓W的加熱步驟，藉此表面保護膠帶T會藉由加熱所造成黏著層的軟化，成為對晶圓W的表面Wa的密著性提升的狀態。因此，在研削步驟中，晶片C全體不易移動，在研削步驟的晶圓W的分割時及分割後，各晶片C的角Cd彼此間難互相摩擦，可不使缺口產生於晶片C的角Cd。 　　[0053] 並且，在本發明的晶圓的加工方法中，在改質層形成步驟中形成第一改質層時，在每個具備裝置D的鄰接的晶片C，錯開於第二方向形成非連續的第一改質層M11及第一改質層M12。因此，可在相鄰於對角線方向的各晶片C的角Cd部分形成間隔，在研削步驟的晶圓W的分割時及分割後，抑止各晶片C的角Cd彼此間互相摩擦，可使缺口不會產生於晶片C的角Cd。 　　[0054] 另外，本發明的晶圓的加工方法是不限於上述實施形態，且附圖所示的雷射加工裝置1及研削裝置2的構成等也不限於此，可在能夠發揮本發明的效果的範圍內適當變更。 　　[0055] 例如，在改質層形成步驟中，亦可最初沿著第一切割道S1來對於晶圓W照射雷射束而於晶圓W的內部形成第一改質層M11及第一改質層M12，然後，沿著第二切割道S2來對於晶圓W照射雷射束而於晶圓W的內部形成第二改質層M2。

[0056]

W‧‧‧晶圓

Wa‧‧‧晶圓的表面

Wb‧‧‧晶圓的背面

S1‧‧‧第一切割道

S2‧‧‧第二切割道

D‧‧‧裝置

M11、M12‧‧‧第一改質層

M2‧‧‧第二改質層

T‧‧‧表面保護膠帶

Ta‧‧‧表面保護膠帶的黏著面

5‧‧‧熱板

1‧‧‧雷射加工裝置

10‧‧‧吸盤

10a‧‧‧吸盤的保持面

11‧‧‧雷射束照射手段

110‧‧‧雷射振盪器

111‧‧‧集光器

111a‧‧‧集光透鏡

119‧‧‧ON/OFF轉換手段

12‧‧‧加工進給手段

14‧‧‧對準手段

140‧‧‧紅外線攝影機

2‧‧‧研削裝置

20‧‧‧保持台

20a‧‧‧保持台的保持面

23‧‧‧Y軸方向進給手段

21‧‧‧研削手段

210‧‧‧旋轉軸

212‧‧‧馬達

213‧‧‧固定件

214‧‧‧研削輪

214a‧‧‧輪基台

214b‧‧‧研削磨石

[0011] 　　圖1是表示在晶圓的表面貼著保護膠帶的狀態的立體圖。 　　圖2是表示熱板來加熱表面保護膠帶及晶圓的狀態的剖面圖。 　　圖3是表示使用雷射加工裝置沿著第二切割道來對晶圓照射雷射束而於晶圓的內部形成第二改質層的狀態的剖面圖。 　　圖4是由晶圓的上方來看在晶圓的內部形成有沿著第二切割道來連續性地延伸成直線狀的第二改質層的狀態時的說明圖。 　　圖5是由晶圓的上方來看在晶圓的內部形成有沿著第一切割道來非連續性地延伸的第一改質層的狀態時的說明圖。 　　圖6是由晶圓的上方來看形成有相對於先被形成的第一改質層偏移至第二方向來沿著第一切割道而非連續性地延伸的第一改質層的狀態時的說明圖。 　　圖7是表示研削晶圓的背面而使晶圓薄化成預定厚度，且以第一改質層及第二改質層作為起點將晶圓分割成各個的晶片的狀態的剖面圖。

Claims (2)

1. 一種晶圓的加工方法，係具有在以交叉的複數的切割道所區劃的各領域分別形成有裝置的表面之晶圓的加工方法，其特徵為具備： 　　表面保護膠帶貼著步驟，其係將表面保護膠帶貼著於晶圓的該表面； 　　加熱步驟，其係實施該表面保護膠帶貼著步驟之後，加熱該表面保護膠帶及晶圓； 　　改質層形成步驟，其係實施該加熱步驟之後，將對於晶圓具有透過性的波長的雷射束朝晶圓的背面沿著該切割道來照射而於晶圓的內部形成改質層；及 　　研削步驟，其係實施該改質層形成步驟之後，研削晶圓的背面而使晶圓薄化成預定厚度，且以該改質層為起點將晶圓分割成各個的晶片。
2. 如申請專利範圍第1項之晶圓的加工方法，其中，前述切割道係包含：伸長於第一方向的第一切割道，及伸長於與該第一方向交叉的第二方向的第二切割道， 　　在前述改質層形成步驟中，分別形成沿著該第一切割道的第一改質層及沿著該第二切割道的第二改質層，且鄰接的晶片的該第一改質層係互相偏移於該第二方向而形成。