TW201828376A - 連接體之製造方法 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種使光硬化型各向異性導電接著劑之樹脂充分地熔融而獲得優異之導通性之連接體之製造方法。 本發明之連接體之製造方法具有：配置步驟，其係經由含有聚合性化合物、光聚合起始劑及光吸收劑之光硬化型各向異性導電接著劑30，將第2電子零件20配置於第1電子零件10上；及照射步驟，其係一面利用壓接工具40將第2電子零件20按壓於第1電子零件10，一面自光照射器照射光；且於照射步驟中，控制光之波長範圍，而使光吸收劑活化後，使光聚合起始劑活化。

Description

連接體之製造方法

本發明係關於一種使用光硬化型各向異性導電接著劑將電子零件連接於基板等之連接體之製造方法。

先前，作為將電子零件連接於基板等之方法，使用有各向異性導電接著劑。此種各向異性導電接著劑一般由包含熱硬化性環氧樹脂、聚合起始劑、及導電性粒子之熱硬化性樹脂組合物形成，於使各向異性導電接著劑硬化時，於高溫下進行加熱。因此，尤其是於以大畫面電視等為代表之大型製品之情形時，存在於連接對象之基板產生翹曲或變形，其結果，產生顯示不均等問題。 因此，為了以低溫、短時間使其硬化，而提出有可利用紫外線(UV：ultraviolet)進行硬化之光硬化型各向異性導電接著劑(例如，參照專利文獻1、2)。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本專利特開平11-060899號公報 [專利文獻2]日本專利特開平11-279500號公報

[發明所欲解決之問題] 然而，關於光硬化型各向異性導電接著劑，由於硬化時之樹脂之熔融藉由來自高熱之焊頭之傳熱而進行，故而例如存在引起IC(Integrated Circuit，積體電路)之熱膨脹或熱變形而產生較大之翹曲之情形。又，於為了抑制翹曲而使焊頭為低溫之情形時，存在樹脂不充分地熔融之情形。 本發明係解決上述先前技術中之課題者，提供一種可使光硬化型各向異性導電接著劑之樹脂充分地熔融而獲得優異之導通性之連接體之製造方法。 [解決問題之技術手段] 本發明者等人進行了努力研究，結果發現：藉由使用含有聚合性化合物、光聚合起始劑及光吸收劑之光硬化型各向異性導電接著劑，並於使光吸收劑活化後，使光聚合起始劑活化，而可獲得優異之導通性。 即，本發明之連接體之製造方法之特徵在於具有：配置步驟，其係經由含有聚合性化合物、光聚合起始劑及光吸收劑之光硬化型各向異性導電接著劑，將第2電子零件配置於第1電子零件上；及照射步驟，其係一面利用壓接工具將上述第2電子零件按壓於上述第1電子零件，一面自光照射器照射光；且於上述照射步驟中，控制上述光之波長範圍，而使上述光吸收劑活化後，使上述光聚合起始劑活化。 [發明之效果] 本發明藉由控制光之波長範圍，而使光吸收劑活化後，使光聚合起始劑活化，而可獲得優異之導通性。可認為其原因在於：藉由光吸收劑之熱而樹脂熔融，於將壓接工具緊緊壓下後，樹脂硬化開始。

以下，針對本發明之實施形態，一面參照圖式一面按下述順序詳細地進行說明。 1.連接體之製造方法 2.實施例 ＜1.連接體之製造方法＞ 本實施形態之連接體之製造方法具有：配置步驟，其係經由含有聚合性化合物、光聚合起始劑及光吸收劑之光硬化型各向異性導電接著劑，將第2電子零件配置於第1電子零件上；及照射步驟，其係一面利用壓接工具將第2電子零件按壓於第1電子零件，一面自光照射器照射光；且於照射步驟中，控制光之波長範圍，而使光吸收劑活化後，使光聚合起始劑活化。藉此，藉由光吸收劑之熱而樹脂熔融，於將壓接工具緊緊壓下後，樹脂硬化開始，因此可獲得優異之導通性。此處，所謂活化，係指分子吸收光及其他能量而被激發為較高之能量狀態，而容易引起化學反應之狀態。 又，於光硬化型各向異性導電接著劑含有光增感劑之情形時，於照射步驟(S2)中，較佳為控制光之波長範圍，而依序使光吸收劑、光增感劑、光聚合起始劑活化。藉此，光增感劑可使能量向光聚合起始劑傳播，因此可消除光聚合起始劑之能量不足，而防止硬化不足。 又，光聚合起始劑之吸收峰值波長較佳為位於較光吸收劑之吸收峰值波長更短波長側。藉此，光聚合起始劑藉由能量較高之短波長之光而活化，因此速硬化性優異，而可獲得較高之生產性。 又，光聚合起始劑之吸收峰值波長較佳為位於較光增感劑之吸收峰值波長更短波長側。藉此，即便於光聚合起始劑藉由不易到達至樹脂內部之短波長之光而活化之情形時，光增感劑亦可藉由相對容易滲透至樹脂內部之長波長之光而活化，從而使能量向光聚合起始劑傳播，因此可消除到達光聚合起始劑之能量不足，而防止樹脂內部之硬化不足。 作為自光照射器照射之光，可自紫外線(UV，ultraviolet)、可見光線(visible light)、紅外線(IR，infrared)等波長頻帶根據光硬化各向異性導電接著劑之硬化系統進行選擇。該等之中，自光照射器照射之光較佳為包含能量較高之紫外線。 紫外線之波長為10 nm～400 nm，波長較短之紫外線具有雖能量較大但不易到達至樹脂內部之性質，另一方面，波長較長之紫外線具有雖能量略較但相對容易滲透至樹脂內部之性質。又，若波長為200 nm以下，則容易被分解氧所消耗或容易被氧吸收。因此，自光照射器照射之光較佳為包含波長為200 nm以上之近紫外線。作為照射包含近紫外線之光之光源，例如可列舉高輸出波長248 nm、313 nm、334 nm、365 nm、405 nm、436 nm之高壓水銀燈等。 以下，對使用紫外線硬化型之各向異性導電接著劑、及照射包含紫外線之光之光源之配置步驟(S1)及照射步驟(S2)進行說明。圖1係模式性地表示本實施形態之連接體之製造方法之剖視圖，圖1(A)表示配置步驟(S1)，圖1(B)表示照射步驟(S2)。 [配置步驟(S1)] 如圖1(A)所示般，於配置步驟(S1)中，經由含有聚合性化合物、光聚合起始劑及光吸收劑之光硬化型各向異性導電接著劑30，將第2電子零件20配置於第1電子零件10上。 第1電子零件10具備第1端子行11，第2電子零件20具備與第1端子行11對向之第2端子行21。第1電子零件10及第2電子零件20並無特別限制，可根據目的適當選擇。作為第1電子零件10，例如可列舉LCD(Liquid Crystal Display，液晶顯示器)面板、有機EL((OLED(Organic Light-Emitting Diode，有機發光二極體))等平板顯示器(FPD)用途、觸控面板用途等之透明基板、印刷配線板(PWB)等。印刷配線板之材質並無特別限定，例如可為FR-4基材等環氧玻璃，亦可使用熱塑性樹脂等塑膠、陶瓷等。又，透明基板只要為透明性較高者，則並無特別限定，可列舉玻璃基板、塑膠基板等。又，作為第2電子零件20，例如可列舉IC(Integrated Circuit)、軟性基板(FPC，Flexible Printed Circuits)、帶載體封裝(TCP)基板、將IC安裝於FPC之COF(Chip On Film，覆晶薄膜)等。 各向異性導電接著劑30可為膜狀之各向異性導電膜(ACF，Anisotropic Conductive Film)或膏狀之各向異性導電膏(ACP，Anisotropic conductive paste)之任一者。就操作之容易性而言，較佳為各向異性導電膜，就成本之方面而言，較佳為各向異性導電膏。又，各向異性導電接著劑30只要為光聚合型即可，可為光陽離子聚合型、光陰離子聚合型或光自由基聚合型之任一種，又，只要不會特別造成妨礙，則亦可併用。作為光聚合型之併用例，可列舉光陽離子聚合型與光自由基聚合型之併用等。 [光陽離子聚合型之各向異性導電接著劑] 以下，列舉光陽離子聚合型之各向異性導電接著劑為例進行說明。光陽離子聚合型之各向異性導電接著劑含有膜形成樹脂、聚合性化合物、作為光聚合起始劑之光陽離子聚合起始劑、作為光吸收劑之光陽離子吸收劑及導電粒子31。 膜形成樹脂相當於例如平均分子量為10000以上之高分子量樹脂，就膜形成性之觀點而言，較佳為10000～80000左右之平均分子量。作為膜形成樹脂，可列舉苯氧基樹脂、聚酯樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、聚酯胺基甲酸酯樹脂、丙烯酸系樹脂、聚醯亞胺樹脂、丁醛樹脂等各種樹脂，該等可單獨使用，亦可將2種以上組合而使用。該等之中，就膜形成狀態、連接可靠性等之觀點而言，較佳為適當使用苯氧基樹脂。作為可於市場上獲得之具體例，可列舉新日鐵住金化學(股份)之商品名「YP-70」等。膜形成樹脂之含量相對於聚合性化合物50質量份，較佳為5～50質量份，更佳為10～30質量份。 作為聚合性化合物，只要為能夠進行陽離子聚合之化合物，則並無特別限定，就硬化性、硬化樹脂之物理特性、光學特性等觀點而言，較佳為使用環氧化合物、氧雜環丁烷化合物、乙烯醚化合物等，尤佳為使用環氧化合物。 作為環氧化合物，較佳為形成三維網狀結構且能夠賦予良好之耐熱性、接著性者，較佳為將固體環氧化合物與液狀環氧化合物併用。此處，所謂固體環氧化合物，係指於常溫下為固體之環氧化合物。又，所謂液狀環氧化合物，係指於常溫下為液狀之環氧化合物。又，所謂常溫，係指JIS Z 8703所規定之5～35℃之溫度範圍。 作為固體環氧化合物，只要與液狀環氧化合物相溶且於常溫下為固體狀者即可，並無特別限定，可列舉雙酚A型環氧化合物、雙酚F型環氧化合物、多官能型環氧化合物、二環戊二烯型環氧化合物、酚醛清漆苯酚型環氧化合物、聯苯型環氧化合物、萘型環氧化合物等，該等之中，可單獨使用1種或將2種以上組合而使用。該等之中，較佳為使用雙酚A型環氧化合物。作為可於市場上獲得之具體例，可列舉新日鐵住金化學(股份)之商品名「YD-014」等。 作為液狀環氧化合物，只要於常溫下為液狀，則並無特別限定，可列舉雙酚A型環氧化合物、雙酚F型環氧化合物、酚醛清漆苯酚型環氧化合物、萘型環氧化合物等，該等之中，可單獨使用1種或將2種以上組合而使用。尤其是，就膜之黏性、柔軟性等觀點而言，較佳為使用雙酚A型環氧化合物。作為可於市場上獲得之具體例，可列舉三菱化學(股份)之商品名「EP828」等。 作為光陽離子聚合起始劑，例如可列舉錪鹽、鋶鹽、芳香族重氮鎓鹽、鏻鹽、硒鹽等鎓鹽或金屬芳烴錯合物、矽烷醇/鋁錯合物等錯合物化合物、安息香甲苯磺酸酯、甲苯磺酸鄰硝基苄酯等。又，作為形成鹽時之抗衡陰離子，可列舉伸丙基碳酸根、六氟銻酸根、六氟磷酸根、四氟硼酸根、四(五氟苯基)硼酸根等。 光陽離子聚合起始劑可單獨使用該等之中之1種或將2種以上組合而使用。其中，芳香族鋶鹽於300 nm以上之波長區域亦具有紫外線吸收特性，硬化性優異，因此可適當使用。作為可於市場上獲得之具體例，可列舉ADEKA(股份)之商品名「SP-170」等。光陽離子聚合起始劑之含量相對於聚合性化合物50質量份，較佳為0.1～20質量份，更佳為1～10質量份。 作為光陽離子吸收劑，可列舉將紫外線轉換為熱能之紫外線吸收劑、光自由基聚合起始劑等，可根據光陽離子聚合起始劑之吸收峰值波長、紫外線照射器之分光分佈、與黏合劑樹脂等其他成分之相溶性、紫外線吸收能力等適當選擇。 作為紫外線吸收劑，例如可列舉苯并三唑系、三系、二苯甲酮系等，作為可於市場上獲得之具體例，可列舉ADEKA(股份)之商品名「LA-31」等。又，作為光自由基聚合起始劑，可列舉二苯甲酮系、9-氧硫系、苯乙酮系、醯基膦系等。光陽離子吸收劑之含量相對於聚合性化合物50質量份，較佳為0.1～20質量份，更佳為1～10質量份。 作為導電粒子31，可使用各向異性導電膜中所使用之公知之導電性粒子。例如，可列舉鎳、鐵、銅、鋁、錫、鉛、鉻、鈷、銀、金等各種金屬或金屬合金之粒子、於金屬氧化物、碳、石墨、玻璃、陶瓷、塑膠等粒子之表面塗佈有金屬者、於該等粒子之表面進而塗佈有絕緣薄膜者等。於為於樹脂粒子之表面塗佈有金屬者之情形時，作為樹脂粒子，例如可使用環氧樹脂、酚系樹脂、丙烯酸系樹脂、丙烯腈-苯乙烯(AS)樹脂、苯并胍胺樹脂、二乙烯苯系樹脂、苯乙烯系樹脂等粒子。作為對樹脂微粒子實施有鍍鎳及鍍金之可於市場上獲得之具體例，可列舉積水化學(股份)之商品名「AUL704」等。 作為導電粒子31之平均粒徑，通常為1～30 μm，較佳為2～20 μm，更佳為2.5～15 μm。又，導電粒子31之含量相對於聚合性化合物50質量份，較佳為10～50質量份，更佳為20～40質量份。 又，導電粒子31可分散於絕緣性樹脂中，亦可於俯視膜時各自獨立，又，亦可任意配置而存在。於配置導電粒子之情形時，可根據各向異性連接之電極之尺寸或佈局，可設定個數密度或導電粒子間距離等。因此，對捕捉提昇、短路抑制等有效果，亦可預料到良率之提昇等成本削減效果。 又，各向異性導電接著劑較佳為含有使能量向光陽離子聚合起始劑傳播之光陽離子增感劑。藉此，可消除光陽離子聚合起始劑之能量不足，而防止硬化不足。 作為光陽離子增感劑，可列舉安息香系、二苯甲酮系、9-氧硫系、蒽醌系、吖啶酮系等，作為可於市場上獲得之具體例，可列舉川崎化成工業(股份)之商品名「UVS-1331」等。該等光陽離子增感劑可單獨使用，亦可將2種以上組合而使用。光陽離子增感劑之含量相對於聚合性化合物50質量份，較佳為0.1～20質量份，更佳為1～10質量份。 又，各向異性導電膜亦可視需要根據目的適當調配丙烯酸系橡膠、各種丙烯酸系單體等稀釋用單體、填充劑、軟化劑、著色劑、阻燃劑、觸變劑、矽烷偶合劑等作為其他成分。 於此種光陽離子聚合型之各向異性導電接著劑中，光陽離子聚合起始劑之吸收峰值波長較佳為位於較光陽離子吸收劑之吸收峰值波長更短波長側。藉此，光陽離子聚合起始劑藉由能量較高之短波長之光而活化，因此速硬化性優異，而可獲得較高之生產性。 又，光陽離子聚合起始劑之吸收峰值波長較佳為位於較光陽離子增感劑之吸收峰值波長更短波長側。藉此，即便於光陽離子聚合起始劑藉由不易到達至樹脂內部之短波長之光而活化之情形時，光陽離子增感劑亦可藉由相對容易滲透至樹脂內部之長波長之光而活化，從而使能量向光陽離子聚合起始劑傳播，因此可消除到達光陽離子聚合起始劑之能量不足，而防止樹脂內部之硬化不足。 更具體而言，光陽離子聚合起始劑之吸收峰值波長較佳為290 nm～330 nm，光陽離子吸收劑之吸收峰值波長較佳為340 nm～380 nm。又，光陽離子增感劑之吸收峰值波長較佳為390 nm～450 nm。藉此，藉由使用照射包含近紫外線之光之光源及帶通濾波器、短波長截止濾波器、長波長截止濾波器等濾波器，來控制照射光之波長範圍，而可選擇性地使光陽離子聚合起始劑、光陽離子吸收劑、及光陽離子增感劑活化。 [照射步驟(S2)] 如圖1(B)所示般，於照射步驟(S2)中，一面利用壓接工具40將第2電子零件20按壓於第1電子零件10，一面自光照射器照射光。於壓接步驟(S2)中，使用壓接工具40，於較佳為80℃以下之溫度、更佳為50℃以下之溫度、進而較佳為室溫之溫度下進行按壓。藉由於此種較低之溫度下進行加壓，而可抑制熱對第1電子零件10及第2電子零件20之影響。 又，於照射步驟(S2)中，控制光之波長範圍，而使光陽離子吸收劑活化後，使光陽離子聚合起始劑活化。藉此，藉由光陽離子吸收劑之熱而樹脂熔融，於將壓接工具40緊緊壓下後，樹脂硬化開始，因此可獲得優異之導通性。 又，於各向異性導電接著劑含有光陽離子增感劑之情形時，於照射步驟(S2)中，較佳為控制光之波長範圍，而依序使光陽離子吸收劑、光陽離子增感劑、光陽離子聚合起始劑活化。藉此，光陽離子增感劑可使能量向光陽離子聚合起始劑傳播，因此可消除光陽離子聚合起始劑之能量不足，而防止硬化不足。 光照射器根據照射時間而變更光之波長範圍，藉此使光陽離子吸收劑活化而使其發熱，使黏合劑熔融後，於在第1電子零件10之第1端子行11與第2電子零件20及第2端子行21夾持有導電粒子31之狀態下，使光陽離子聚合起始劑活化而使黏合劑硬化，從而使端子間導通連接。 作為光照射器之光源，亦可使用具有於光陽離子聚合起始劑、光陽離子吸收劑、及光陽離子增感劑之吸收峰值波長區域具有峰值之分光分佈之水銀燈、遍及包含光陽離子聚合起始劑、光陽離子吸收劑、及光陽離子增感劑之吸收峰值波長之波長區域照射紫外線之金屬鹵化物燈等。又，作為光照射器之光源，亦可使用於光陽離子聚合起始劑、光陽離子吸收劑、及光陽離子增感劑之吸收峰值波長區域分別具有最大發光波長之複數個LED燈。該等之中，作為光照射器之光源，較佳為照射包含波長為200 nm以上之近紫外線之光。作為照射包含近紫外線之光之光源，例如可列舉高輸出波長248 nm、313 nm、334 nm、365 nm、405 nm、436 nm之高壓水銀燈等。 又，較佳為藉由使用帶通濾波器、短波長截止濾波器、長波長截止濾波器等濾波器而變更光之波長範圍。藉此，可根據照射時間選擇性地照射所需之波長頻帶之光。例如，於光陽離子聚合起始劑之吸收峰值波長位於較光陽離子吸收劑之吸收峰值波長更短波長側之情形時，可藉由使將光陽離子聚合起始劑之吸收峰值波長截止之短波長截止濾波器接通，而不使光陽離子聚合起始劑活化而使光陽離子吸收劑活化，且藉由使短波長截止濾波器斷開，而使光陽離子聚合起始劑及光陽離子吸收劑活化。 又，利用光照射器之照射時間、照度、總照射量等條件可根據黏合劑之組成、利用壓接工具40施加之壓力、時間等，鑒於由黏合劑之硬化反應之進行及利用壓接工具40之壓下獲得之連接可靠性、接著強度之提昇而適當設定。 又，光之照射方向只要可照射至各向異性導電接著劑，則並無特別限定。例如，可自載有第1電子零件10之載台下照射光。又，例如於如大型面板般接著面積較大之情形時，亦可一面使光點移動，或者一面使其迴轉(搖頭)，一面照射至各向異性導電接著劑。又，光照射器亦可存在複數個。又，於電子零件不使紫外線透過而無法自上側或下側照射紫外線之情形時，亦可相對於各向異性導電接著劑(接合部)自斜方向或橫方向進行照射。 又，亦可於壓接工具40與第2電子零件20之間使用緩衝材。作為緩衝材，可使用聚四氟乙烯(PTFE，polytetrafluoroethylene)、聚醯亞胺、玻璃布、矽橡膠等。 ＜3.實施例＞ [實施例] 以下，對本發明之實施例進行說明。於本實施例中，製作調配有聚合性化合物、光陽離子聚合起始劑、及光陽離子吸收劑之各向異性導電膜。然後，於各種條件下照射包含紫外線之光而製作連接體，並測定初始之導通電阻及可靠性試驗後之導通電阻。再者，本發明並不限定於該等實施例。 [連接體之製作] 介隔各向異性導電膜將評價用IC配置於玻璃基板，利用壓接工具(寬度10.0 mm、長度40.0 mm)進行加壓，並且藉由光照射使各向異性導電膜硬化，而製作連接體樣品。 各向異性導電膜係使用製成厚度20 μm，寬度4.0 mm、長度40.0 mm者。評價用IC晶片係使用厚度0.5 mm、寬度1.8 mm、長度34 mm且形成有導通測定用配線(凸塊)之測定用TEG(Test Element Group，試驗元件組)。玻璃基板係使用厚度0.5 mm之形成有導通測定用配線之測定用TEG。 利用壓接工具之加壓係介隔厚度0.05 mm之包含聚四氟乙烯(PTFE：polytetrafluoroethylene)之緩衝材而進行。又，壓接條件係設為RT-70 MPa-5 sec。 光照射係使用具備照射於波長313 nm、365 nm、405 nm具有峰頂之紫外線之光源之UV照射裝置(REX-250、朝日分光股份有限公司製造)，並使用帶通濾波器、短波長截止濾波器、或長波長截止濾波器，照射所需之波長頻帶之紫外線。又，紫外線照射之大小係設為寬度約4.0 mm×長度約44.0 mm。又，紫外線照射時間係設為整體為5 sec。 [導通電阻之測定] 針對評價用IC晶片與玻璃基板之連接狀態，使用數位萬用表測定連接初始及可靠性試驗後之導通電阻(Ω)。導通電阻值之測定係如圖2所示般，將數位萬用表與和評價用IC晶片之凸塊51連接之玻璃基板之配線52連接，以50 V之電壓測定，利用所謂之4端子法測定導通電阻值。又，可靠性試驗之條件係設為溫度85℃、濕度85% RH、時間500 hr。 ＜實施例1～3、比較例1～3＞ 調配表1所示之材料，而製作厚度20 μm之各向異性導電膜。 [表1] 介隔各向異性導電膜將評價用IC配置於玻璃基板，利用壓接工具進行加壓，並且於表2所示之照射時點照射於波長310 nm具有峰頂之紫外線、及於波長365 nm具有峰頂之紫外線，而使各向異性導電膜硬化，從而製作實施例1～3及比較例1～3之連接體樣品。 [表2] ＜實施例4＞ 調配表3所示之材料，而製作厚度20 μm之各向異性導電膜。 [表3] 介隔各向異性導電膜將評價用IC配置於玻璃基板，利用壓接工具進行加壓，並且於表4所示之照射時點照射於波長310 nm具有峰頂之紫外線、於波長365 nm具有峰頂之紫外線及於波長405 nm具有峰頂之紫外線，而使各向異性導電膜硬化，從而製作實施例4之連接體樣品。 [表4] ＜評價＞ 於比較例1中，不使用濾波器而自壓接工具落下之瞬間照射於波長310 nm及波長365 nm具有峰頂之紫外線5秒。於該情形時，可靠性試驗後之電阻值變高。可認為其原因在於：於利用光吸收劑之熱之樹脂熔融之同時，利用光聚合起始劑之樹脂硬化開始，而利用熔融之樹脂排除變得不充分，從而未成為壓接工具緊緊壓下之狀態。 於比較例2中，不使用濾波器而自壓接工具落下之瞬間照射於波長310 nm及波長365 nm具有峰頂之紫外線2秒後，使用將波長350 nm以下截止之短波長截止濾波器照射於波長365 nm具有峰頂之紫外線3秒。於該情形時，可靠性試驗後之電阻值變高。可認為其原因在於：與比較例1同樣地，於利用光吸收劑之熱之樹脂熔融之同時，利用光聚合起始劑之樹脂硬化開始，而利用熔融之樹脂排除變得不充分，從而未成為壓接工具緊緊壓下之狀態。 於比較例3中，使用將波長350 nm以上截止之長波長截止濾波器，自壓接工具落下之瞬間，照射於波長310 nm具有峰頂之紫外線2秒後，不使用濾波器而照射於波長310 nm及波長365 nm具有峰頂之紫外線3秒。於該情形時，初始及可靠性試驗後之電阻值變高。可認為其原因在於：自工具落下之瞬間，利用光聚合起始劑之樹脂硬化開始，於2秒後之利用光吸收劑之熱之樹脂熔融開始時，樹脂硬化既已進行，因此樹脂排除變得困難，而無法將壓接工具緊緊壓下。 於實施例1中，使用將波長350 nm以下截止之短波長截止濾波器，自壓接工具落下之瞬間，照射於波長365 nm具有峰頂之紫外線1秒後，不使用濾波器而照射於波長310 nm及波長365 nm具有峰頂之紫外線4秒。於該情形時，初始及可靠性試驗後之電阻值變低。可認為其原因在於：於最初之1秒，主要為光吸收劑之作用，利用吸收劑之熱之樹脂熔融充分地進行，而可將壓接工具緊緊壓下，其後利用光聚合起始劑之硬化開始。 於實施例2中，使用將波長350 nm以下截止之短波長截止濾波器，自壓接工具落下之瞬間，照射於波長365 nm具有峰頂之紫外線2秒後，不使用濾波器而照射於波長310 nm及波長365 nm具有峰頂之紫外線3秒。於該情形時，初始及可靠性試驗後之電阻值與實施例1相比變低。可認為其原因在於：利用光吸收劑之熱產生之樹脂熔融之時間長於實施例1，因此可將壓接工具緊緊壓下。 於實施例3中，使用將波長350 nm以下截止之短波長截止濾波器，自壓接工具落下之瞬間，照射於波長365 nm具有峰頂之紫外線1秒後，不使用濾波器而照射於波長310 nm及波長365 nm具有峰頂之紫外線1秒，進而使用將波長350 nm以下截止之短波長截止濾波器照射於波長365 nm具有峰頂之紫外線1秒後，不使用濾波器而照射於波長310 nm及波長365 nm具有峰頂之紫外線2秒。於該情形時，初始及可靠性試驗後之電阻值變低。可認為其原因在於：與實施例1同樣地，於最初之1秒，主要為光吸收劑之作用，利用吸收劑之熱之樹脂熔融充分地進行，而可將壓接工具緊緊壓下。 於實施例4中，使用中心波長為365 nm之帶通濾波器，自壓接工具落下之瞬間，照射於波長365 nm具有峰頂之紫外線2秒後，使用將波長350 nm以下截止之短波長截止濾波器照射於波長365 nm及波長405 nm具有峰頂之紫外線1秒，進而不使用濾波器而照射於波長310 nm、波長365 nm及波長405 nm具有峰頂之紫外線2秒。於該情形時，初始及可靠性試驗後之電阻值進一步變低。可認為其原因在於：於最初之2秒，主要為光吸收劑之作用，利用吸收劑之熱之樹脂熔融充分地進行，而可將壓接工具緊緊壓下，於之後之1秒，利用光增感劑進行樹脂之深度方向之深部之硬化，其後利用光聚合起始劑進行包含樹脂之表層部在內之硬化，從而進行充分之樹脂硬化。

10‧‧‧第1電子零件

11‧‧‧第1端子行

20‧‧‧第2電子零件

21‧‧‧第2端子行

30‧‧‧各向異性導電接著劑

31‧‧‧導電性粒子

40‧‧‧壓接工具

51‧‧‧凸塊

52‧‧‧配線

圖1係模式性地表示本實施形態之連接構造體之製造方法之剖視圖，圖1(A)表示配置步驟(S1)，圖1(B)表示照射步驟(S2)。 圖2係表示實施例及比較例之連接體之導通電阻之測定方法之立體圖。

Claims (7)

1. 一種連接體之製造方法，其具有： 配置步驟，其係經由含有聚合性化合物、光聚合起始劑及光吸收劑之光硬化型各向異性導電接著劑，將第2電子零件配置於第1電子零件上；及 照射步驟，其係一面利用壓接工具將上述第2電子零件按壓於上述第1電子零件，一面自光照射器照射光；且 於上述照射步驟中，控制上述光之波長範圍，而使上述光吸收劑活化後，使上述光聚合起始劑活化。
2. 如請求項1之連接體之製造方法，其中上述光硬化型各向異性導電接著劑含有光增感劑， 於上述照射步驟中，控制上述光之波長範圍，而依序使上述光吸收劑、上述光增感劑、上述光聚合起始劑活化。
3. 如請求項1或2之連接體之製造方法，其中上述光聚合起始劑之吸收峰值波長位於較上述光吸收劑之吸收峰值波長更短波長側。
4. 如請求項2之連接體之製造方法，其中上述光聚合起始劑之吸收峰值波長位於較上述光增感劑之吸收峰值波長更短波長側。
5. 如請求項1或2之連接體之製造方法，其中自上述光照射器照射之光包含紫外線， 於上述照射步驟中，根據照射時間變更光之波長範圍。
6. 如請求項1或2之連接體之製造方法，其中上述光聚合起始劑為光陽離子聚合起始劑， 上述光吸收劑為紫外線吸收劑或光自由基聚合起始劑。
7. 如請求項1或2之連接體之製造方法，其中上述光聚合起始劑之吸收峰值波長為290 nm～330 nm， 上述光吸收劑之吸收峰值波長為340 nm～380 nm。