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TW201827812A - 用於產生用於度量測量之經程式化缺陷之方法及系統 - Google Patents

用於產生用於度量測量之經程式化缺陷之方法及系統 Download PDF

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TW201827812A
TW201827812A TW106136028A TW106136028A TW201827812A TW 201827812 A TW201827812 A TW 201827812A TW 106136028 A TW106136028 A TW 106136028A TW 106136028 A TW106136028 A TW 106136028A TW 201827812 A TW201827812 A TW 201827812A
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Abstract

一種用於產生與實施經程式化缺陷之系統包含一微影工具，該微影工具經組態以在一樣本上形成包含一第一陣列圖案及一第二陣列圖案之一個多圖案結構。該第一陣列圖案或該第二陣列圖案含有一經程式化缺陷，以將該第一陣列圖案與該第二陣列圖案區分開。該系統包含一度量工具，該度量工具經組態以獲取該第一陣列圖案及該第二陣列圖案之一或多個影像，該等影像具有含有該經程式化缺陷之一視場。該系統包含包括一或多個處理器之一控制器。該一或多個處理器經組態以自該度量工具接收該第一陣列圖案及該第二陣列圖案之影像，且判定與該第一陣列圖案或該第二陣列圖案相關聯之一度量參數。

Description

用於產生用於度量測量之經程式化缺陷之方法及系統
本發明一般而言係關於基於影像之度量，且特定而言係關於在經由多個圖案化程序形成之若干圖案中產生且應用經程式化缺陷以增強經由掃描電子顯微術執行之度量測量。
製作諸如邏輯及記憶體裝置之半導體裝置通常包含使用大數目個半導體製作程序來處理諸如一半導體晶圓之一基板以形成半導體裝置之各種特徵及多個層級。隨著半導體裝置大小變得愈來愈小，開發增強型監測與檢查裝置及過程變得關鍵。在一「顯影後檢驗」(ADI)步驟之後，當前可使用一光學測量系統對放置於一半導體裝置之一晶粒之切割道中之疊對目標執行疊對測量。此方法通常係快速的且在其中結果不合規格之情形中，可對樣本(例如，半導體晶圓)進行重加工。隨著裝置特徵大小繼續按比例縮小且多重圖案化程序變得更廣泛地用於積體電路(IC)晶片製造中，疊對控制變得更嚴格。另外，在ADI步驟處對切割道之光學疊對測量不再足夠用於在一「蝕刻後檢驗」(AEI)步驟處對實際IC裝置之疊對控制。因此，在AEI步驟處在裝置圖案中使用掃描電子顯微鏡(SEM)疊對測量變得必要。 當前，SEM疊對目標設計有一線空間陣列圖案，必須在一第一遮罩及一第二遮罩之邊界處測量該線空間陣列圖案，使得可識別來自兩個層之圖案。此一方法受限制，此乃因其僅可在陣列邊界處執行。可對測試圖案或裝置圖案形成該方法，該等測試圖案或裝置圖案通常由於負載效應(其對測量結果具有一消極影響)而以不同於陣列中心之方式經圖案化。因此，期望消除先前多圖案測量方法之缺點之一系統及方法。
根據本發明之一或多項實施例闡述一種用於在一個多圖案結構內產生且實施經程式化缺陷以增強度量測量之系統。在一項實施例中，該系統包含一微影工具，該微影工具經組態以在一樣本上形成包含一第一陣列圖案及一第二陣列圖案之一個多圖案結構，其中該第一陣列圖案或該第二陣列圖案中之至少一者含有一經程式化缺陷以將該第一陣列圖案與該第二陣列圖案區分開。在另一實施例中，該系統包含一度量工具，該度量工具經組態以獲取該第一陣列圖案及該第二陣列圖案之一或多個影像，該一或多個影像具有含有該經程式化缺陷之一視場。在另一實施例中，該系統包含一控制器，該控制器包含一或多個處理器，其中該一或多個處理器經組態以致使該一或多個處理器執行記憶體中所含有之一組程式指令。在另一實施例中，該組程式指令經組態以致使該一或多個處理器自該度量工具接收該第一陣列圖案及該第二陣列圖案之該一或多個影像。在另一實施例中，該組程式指令經組態以致使該一或多個處理器判定與該第一陣列圖案及該第二陣列圖案中之至少一者相關聯之一或多個度量參數。 應理解，前述大體闡述及以下詳細闡述兩者皆僅為例示性及解釋性且不必限制所請求之本發明。併入本說明書中並構成本說明書之一部分之隨附圖式圖解說明本發明之實施例，並與該大體闡述一起用於闡釋本發明之原理。
相關申請案交叉參考 本申請案依據35 U.S.C. § 119(e)主張2016年10月20日提出申請之標題為「DESIGNED DEFECTS FOR SEM-BASED CDU AND OVERLAY MEASUREMENTS IN ARRAY PATTERNS FORMED WITH MULTIPLE PATTERNIGN PROCESSES」之第62/410,397號美國臨時申請案(其將Hong Xiao指定為一發明人)之權益且構成該美國臨時申請案之一正規(非臨時)專利申請案，該美國臨時申請案係以全文引用方式併入本文中。 現在將詳細參考在附圖中所圖解說明之所揭示標的物。一般參考圖1A至圖6，根據本發明闡述用於在一個多圖案結構中產生且利用經程式化缺陷之一系統及方法。 本發明之實施例針對於一種用於在一個多圖案結構之一或多個圖案中產生經設計或經程式化缺陷之系統。本發明之額外實施例針對於一種基於成像之度量工具，諸如一SEM，該基於成像之度量工具利用形成於一個多層結構之一或多個層中之經程式化缺陷作為用以將一個多層結構中之若干層區分開之一標記。 本發明之實施例解決與在藉助多個圖案化程序形成之一陣列中識別自不同遮罩形成之圖案相關聯的困難。該困難由於在最終圖案化之後所有圖案表現得一樣而出現。在疊對之情形中，若一疊對移位存在於層之間，則一度量工具無法判定哪一層經不正確地移位。舉例而言，圖1A繪示其中一疊對誤差由於層中之一者的移位而存在於一線空間陣列102之兩個層之間的情形。在此實例中，兩個不同線陣列104、106係以一交錯方式形成，藉此一第一圖案結構104之線係位於一第二圖案結構106之線之間。當發生線空間陣列中之一者中的移位時，在多圖案結構的中央部分處測量時判定哪一圖案結構移位係極其困難的。 藉由另一實例之方式，圖1B繪示其中一疊對誤差由於層中之一者的移位而存在於一微影蝕刻-微影蝕刻(LELE)觸點陣列103之兩個層之間的情形。如先前所述，判定哪一層不正確地移位對於一度量工具而言係困難的。 本發明之實施例允許藉由在呈陣列圖案之一或多個遮罩層中添加經設計之SEM可偵測缺陷(經程式化缺陷)，而對微影蝕刻-微影蝕刻(LELE)多重圖案化層之間的疊對誤差進行基於SEM之測量。該等經程式化缺陷可係，但不需要係被放置於切割道區域、虛擬填充區域或實際裝置陣列區域中。在具有來自設計資料之精確位置資訊的情況下，一SEM度量工具可被驅動至經設計缺陷，獲取一或多個SEM影像，識別來自多重圖案化之不同遮罩層的圖案，且測量不同遮罩之間的疊對誤差。應注意，此等SEM影像亦可被用於在用多重圖案化程序之不同遮罩層所形成的陣列中測量結構的臨界尺寸(CD)及臨界尺寸均勻性(CDU)。本發明之實施例亦使得能夠判定自對準雙重圖案化(SADP)或自對準四重圖案化(SAQP)之間距遊動的根本原因。此能力對於疊對測量係關鍵的，此乃因在不將一當前層與一先前層區別開的情況下，無法執行有意義測量。 本發明之實施例在一個多重圖案化程序中所使用之一或多個遮罩中之陣列矩陣中之一者中添加一經程式化缺陷，如上文所述，此有助於識別經由一或多個遮罩形成之陣列中之圖案。該等經程式化缺陷可形成於一測試圖案或一實際裝置圖案之陣列中。 圖2圖解說明根據本發明之一或多項實施例之繪示一或多個經程式化缺陷之形成及使用之一程序流程200。在步驟202中，在一樣本上之一個多圖案結構之一或多個圖案中形成一或多個經程式化缺陷。舉例而言，可將一或多個經程式化缺陷添加至由一微影工具使用之一或多個遮罩之一陣列矩陣中。然後，可使用該微影工具以形成含有該樣本上之一或多個經程式化缺陷之一陣列圖案。在步驟204中，自樣本獲取經程式化缺陷之一位置處之一或多個影像。舉例而言，一或多個基於成像之度量工具(諸如但不限於一SEM)可獲取經程式化缺陷之位置處的一陣列圖案之一或多個影像。在步驟206中，處理自陣列圖案獲取的經程式化缺陷之位置處之一或多個影像且測量一或多個度量參數。舉例而言，基於自陣列圖案獲取的一或多個經程式化缺陷之位置處之影像資料，測量或判定一或多個度量圖案，諸如疊對誤差或CD/CDU。 圖3圖解說明根據本發明之一或多項實施例之用於在一樣本之一或多個陣列結構中產生且利用經程式化缺陷之一系統300。在一項實施例中，系統300包含一微影工具302、一基於成像之度量工具303及/或一控制器306。 在一項實施例中，微影工具302經組態以用於在一或多個樣本304形成多個陣列圖案。舉例而言，微影工具302可經組態以實施一或多個遮罩305。一或多個遮罩305可用於在樣本304上形成一或多個選定陣列圖案。在一項實施例中，一或多個遮罩305可經設計以在一或多個遮罩305之一或多個陣列矩陣中包含一或多個經程式化或經設計缺陷。微影工具302可包含微影技術中已知之任何微影工具，諸如但不限於一電子束微影工具或一UV微影工具(例如，EUV微影工具)。 在另一實施例中，系統300包含用於自一或多個樣本304獲取多個陣列圖案之一或多個影像之一度量工具303。度量工具303可包含適合用於對形成於半導體樣本上之圖案執行基於成像之疊對測量及/或CD/CDU測量之任何基於成像之度量工具。舉例而言，度量工具303可包含但不限於一SEM成像工具。 在另一實施例中，系統300包含一控制器306。控制器306可包含經組態以執行維持於一記憶體裝置110上之程式指令之一或多個處理器308。就此而言，控制器306之一或多個處理器308可執行本發明通篇中所闡述之各種程序步驟中之任一者。舉例而言，控制器306可控制微影工具302之一或多個特徵。藉由另一實例之方式，控制器306可分析及/或解譯來自度量工具303之度量資料以基於自安置於樣本304上之多個陣列圖案(例如，多層陣列結構)之一或多個部分獲得之影像資料而判定疊對及/或CD/CDU，藉此多個陣列圖案之層中之一者之一或多個圖案結構含有一或多個經程式化缺陷。 如圖1A中所繪示，在其中兩個不同圖案陣列結構以一交錯方式形成(亦即，一第一圖案結構之線位於一第二圖案結構之線之間)之情形中，判定哪一圖案結構已移位係困難的。 圖4A至圖4H圖解說明根據本發明之一或多項實施例之一經圖案化陣列中之一或多個經程式化缺陷之各種實施方案。應注意，圖4A至圖4H中所繪示之特定經程式化缺陷及實施內容脈絡僅出於說明性目的而提供且不應解釋為對本發明之範疇之一限制。本發明之經程式化缺陷可延伸至任何多重圖案化微影內容脈絡。 圖4A繪示根據本發明之一或多項實施例之含有一經設計缺陷403之一線空間陣列結構402。在一項實施例中，微影工具302可形成線空間陣列，使得其包含一第一線陣列404及一第二線陣列406。舉例而言，在微影工具302內利用之一或多個遮罩305之一陣列矩陣包含一經程式化缺陷/特徵，使得一對應缺陷/特徵在微影處理期間形成於樣本304上。在此實例中，經程式化缺陷放置於第二線陣列406之線中之一或多者內。圖4B繪示根據本發明之一或多項實施例之顯示用於形成陣列結構402之遮罩305中之一疊對誤差之線空間陣列結構402。在線陣列中之一者中包含經程式化缺陷403允許藉由成像技術改良第一線陣列404與第二線陣列406之間的區分。舉例而言，度量工具303可獲取配備有經程式化缺陷403之線空間陣列結構402之影像，諸如圖4A至圖4B中所展示。然後，由於能夠將線陣列404與線陣列406區別開，因此控制器306可判定一疊對誤差是否存在於圖案結構中且哪一線陣列移位。 在一項實施例中，度量工具303可經組態以獲得經程式化缺陷403之位置中具有一大視場(FOV)之一影像。在另一實施例中，由控制器306執行一或多個影像特徵偵測演算法以識別經程式化缺陷403。一旦已識別經程式化缺陷403，控制器306便可指導度量工具303對經程式化缺陷403進行放大且獲取一高解析度小FOV影像以實施用不同遮罩形成之圖案之測量(例如，CDU或疊對)。 圖4C繪示根據本發明之一或多項實施例之含有一經設計缺陷413之一觸點陣列結構412。舉例而言，觸點陣列結構412可包含但不限於一LELE觸點陣列結構。在一項實施例中，微影工具302可形成觸點陣列結構412，使得其包含元素之一第一陣列414及元素之一第二陣列416。如圖4C中所展示，在一項實施例中，元素之第一陣列414及元素之第二陣列416在不存在不對準時均等地散置。 圖4D繪示根據本發明之一或多項實施例之顯示用於形成陣列結構412之遮罩305中之一疊對誤差之觸點陣列結構412。再次，在陣列416中之一者中包含經程式化缺陷413允許藉由成像技術改良第一陣列414與第二陣列416之間的區分。舉例而言，度量工具303可獲取配備有經程式化缺陷403之觸點陣列結構412之影像。然後，由於能夠將陣列414與陣列416區分開，因此控制器306可判定一疊對誤差是否存在於兩個陣列414、416之間，且若一疊對誤差存在於兩個陣列414、416之間，則判定哪一陣列移位。 圖4E繪示根據本發明之一或多項實施例之圖解說明在空間厚度變化之內容脈絡中識別與SADP之間距遊動相關聯之根本原因之困難的一自對準雙重圖案(SADP)結構420。另外，圖4E繪示形成有一橋接缺陷423之一SADP結構421。橋接缺陷423之使用允許系統300判定與所觀察到之間距遊動相關聯之根本原因。如圖4E中所展示，橋接缺陷423之使用允許系統300判定間距遊動之根本原因是否與空間厚度變化相關聯。 圖4F繪示根據本發明之一或多項實施例之圖解說明在心軸CD變化之內容脈絡中識別與SADP之間距遊動相關聯之根本原因之困難的一SADP結構424。另外，圖4F繪示形成有一橋接缺陷423之一SADP結構425。如圖4F中所展示，橋接缺陷423之使用允許系統300判定間距遊動之根本原因是否與心軸CD變化相關聯。 圖4G繪示根據本發明之一或多項實施例之圖解說明識別與自對準四重圖案(SAQP)之間距遊動相關聯之根本原因之困難的一SAQP結構430。圖4H繪示根據本發明之一或多項實施例之形成有一橋接缺陷433之一SAQP結構432。 在自對準雙重圖案化或自對準四重圖案化結構之內容脈絡中使用一經程式化缺陷允許控制器306及使用者判定此等結構中之間距之根本原因。應注意，SADP具有兩個變數：心軸CD及間隔件厚度，而SAQP具有三個變數：心軸CD、第一間隔件厚度及第二間隔件厚度。 一般而言，貫穿微影程序之各個階段實施本發明之經程式化缺陷允許系統300識別CDU及/或疊對誤差之根本原因。舉例而言，在利用經程式化缺陷(及如本發明通篇中所闡述之隨後分析)之情況下，系統300可判定什麼程序步驟或工具係一疊對誤差及/或CDU之原因。例如，一或多個經程式化缺陷的使用允許系統300判定一給定度量問題(例如，疊對誤差、CDU或諸如此類)是由一微影步驟(亦即，一掃描機)、薄膜沈積、一化學機械平坦化(CMP)步驟還是一蝕刻步驟所導致。舉例而言，如本發明通篇中所闡述之一或多個經程式化缺陷的使用可允許系統300判定一特定層上之一蝕刻工具還是CMP工具係一特定度量問題(例如，疊對誤差或CDU)的原因。 圖4I圖解說明根據本發明之一或多項實施例之繪示各種類型之可能經程式化缺陷之一線空間陣列結構440。應注意，雖然本發明通篇中已繪示一虛線或間隙類型缺陷，但此特定類型之經程式化缺陷類型並非對本發明之範疇之一限制。在本文中認識到，可在本發明之各種實施例中實施各種類型之經程式化或經設計缺陷。在一項實施例中，本發明之經程式化缺陷可包含在圖案結構中之一或多者中之一突出441。在另一實施例中，本發明之經程式化缺陷可包含在圖案結構中之一或多者中之一侵入442或「缺口」。在另一實施例中，本發明之經程式化缺陷可包含在圖案結構中之一或多者中之一頸縮或捏縮缺陷443。在另一實施例中，本發明之經程式化缺陷可包含在圖案結構中之一或多者中之一虛線或間隙缺陷444。在另一實施例中，本發明之經程式化缺陷可包含在圖案結構中之一或多者中之一針孔缺陷445。在另一實施例中，本發明之經程式化缺陷可包含在圖案結構中之一或多者中之一曲線缺陷446。 雖然在一單個多圖案結構之一單個線上圖解說明圖4I之各種缺陷類型441至446，但在本文中應注意，此一配置並非對本發明之範疇之一限制，而是僅為了簡單而提供。在本文中應注意，本發明之缺陷中之任一者可單獨或結合半導體裝置製造技術中已知之任何多圖案結構中之一或多個其他缺陷來使用。 圖5係根據本發明之一或多項實施例之系統300之微影工具302之一概念圖。微影工具302可包含微影圖案產生技術中已知之任何微影工具。在一項實施例中，微影工具302可包含一光學微影工具。舉例而言，如圖5中所展示，微影工具302可包含經組態以結合一透射遮罩操作之一光學微影工具。藉由另一實例之方式，儘管未展示，但微影工具302可包含經組態以結合一反射遮罩操作之一光學微影工具。在基於光學之微影之情形中，微影工具302可包含但不限於經組態以沿著一光學軸線506產生一或多個照明束504之一照明源502。一或多個照明束504可包含光之一或多個選定波長，包含但不限於極紫外線輻射(EUV)、真空紫外線輻射(VUV)、紫外線(UV)輻射、可見輻射或紅外線(IR)輻射。在另一實施例中，微影工具302可包含一電子束微影工具。舉例而言，儘管未繪示，但微影工具302可包含經組態以結合一反射遮罩操作之一電子束微影工具。在此實施例中，微影工具302可包含一電子束源，諸如但不限於一或多個電子槍。 在另一實施例中，微影工具302包含一遮罩支撐裝置508。遮罩支撐裝置508經組態以固定圖案遮罩305。在另一實施例中，微影工具302包含一組投影光學器件，該組投影光學器件經組態以將由一或多個照明束504照明之圖案遮罩305之一影像投影至安置於一樣本載台512上之樣本304上以便產生對應於圖案遮罩305之影像之印刷圖案元素。在另一實施例中，遮罩支撐裝置508可經組態以致動或定位圖案遮罩305。舉例而言，遮罩支撐裝置508可將圖案遮罩305致動至相對於微影工具302之投影光學器件之一選定位置。 樣本304可包含適合用於接收圖案遮罩305之影像之任何數目個光敏材料及/或材料層。舉例而言，樣本304可包含一抗蝕劑層514。就此而言，該組投影光學器件可將圖案遮罩305之一影像投影至抗蝕劑層514上以曝露抗蝕劑層514。一隨後蝕刻步驟可移除經曝露材料(例如正性蝕刻)或未經曝露材料(例如負性蝕刻)以便在樣本304上提供印刷特徵。進一步地，可在此項技術中已知之任一成像組態中利用圖案遮罩305。舉例而言，圖案遮罩305可係其中圖案元素正性地成像為印刷圖案元素之一正性遮罩(例如一亮場遮罩)。藉由另一實例之方式，圖案遮罩305可係其中圖案遮罩305之圖案元素形成負性印刷圖案元素(例如間隙、空間或諸如此類)之一負性遮罩(例如一暗場遮罩)。 控制器306可以通信方式耦合至遮罩支撐裝置508及/或樣本載台512以指導圖案遮罩305上之圖案元素轉印至樣本304。 圖6圖解說明根據本發明之一項實施例之經配置以用於對樣本304之多圖案結構執行基於SEM之度量之度量工具303。 在一項實施例中，度量工具303包含用於產生一或多個電子束603之一電子束源602。電子束源602可包含此項技術中已知之任何電子源。舉例而言，電子束源602可包含但不限於一或多個電子槍。例如，電子束源602可包含用於產生一單個原始電子束603之一單個電子槍。在另一例項中，電子束源602可包含用於產生多個原始電子束之多個電子槍。 在另一實施例中，度量工具303包含一樣本載台610。樣本載台610固定樣本304。樣本304可包含適合用於藉助電子束顯微術進行基於影像之度量之任何樣本，諸如但不限於一半導體晶圓(例如，矽晶圓)。在另一實施例中，樣本載台610係一可致動載台。舉例而言，樣本載台610可包含但不限於適合用於使樣本304沿著一或多個線性方向(例如，x方向、y方向及/或z方向)選擇性地平移之一或多個可平移載台。藉由另一實例之方式，樣本載台610可包含但不限於適合用於使樣本304沿著一旋轉方向選擇性地旋轉之一或多個可旋轉載台。藉由另一實例之方式，樣本載台610可包含但不限於適合用於使樣本沿著一線性方向平移之一可平移載台及/或適合用於使樣本304沿著一旋轉方向旋轉之一可旋轉載台。 在另一實施例中，度量工具303包含一偵測器總成612。舉例而言，偵測器總成612可包含但不限於一次級電子偵測器。藉由另一實例之方式，偵測器總成612可包含但不限於一反向散射電子偵測器。應注意，偵測器總成612可包含此項技術中已知之任一類型之電子偵測器。在一項實施例中，次級電子可使用一埃弗哈特-索恩利(Everhart-Thornley)偵測器(或其他類型之基於閃爍器之偵測器)來收集及成像。在另一實施例中，電子可使用一微通道板(MCP)來收集及成像。在另一實施例中，電子可使用一PIN或p-n接面偵測器(諸如一個二極體或一個二極體陣列)來收集及成像。在另一實施例中，電子可使用一或多個崩潰光電二極體(APD)來收集及成像。 在另一實施例中，度量工具303包含一組電子-光學元件。該組電子-光學元件604可形成由一光學軸線界定之一電子-光學柱，如圖6中所展示。出於簡單目的，圖6中繪示一單個電子-光學柱。在本文中應注意，此組態不應解釋為對本發明之一限制。舉例而言，度量工具303可包含多個電子-光學柱。 該組電子-光學元件604可將原始電子束603之至少一部分引導至含有形成於樣本304上之經程式化缺陷403之多圖案結構之一選定部分上。該組電子-光學元件可包含基於SEM之度量技術中已知之任何電子-光學元件。在一項實施例中，該組電子-光學元件604包含一或多個電子-光學透鏡。舉例而言，該一或多個電子-光學透鏡可包含但不限於用於收集來自電子束源602之電子之一或多個聚光透鏡606。藉由另一實例之方式，該等電子-光學透鏡可包含但不限於用於將原始電子束603聚焦至樣本304之一選定區上之一或多個物鏡608。 控制器306之一或多個處理器308可包含此項技術中已知之任何一或多個處理元件。在此意義上，一或多個處理器308可包含經組態以執行軟體演算法及/或指令之任何微處理器類型裝置。在一項實施例中，一或多個處理器308可由一桌上型電腦、主機電腦系統、工作站、影像電腦、平行處理器或經組態以執行經組態以如本發明通篇中所闡述而操作系統300之一程式之其他電腦系統(例如，聯網電腦)組成。應認識到，本發明通篇中所闡述之步驟可由一單個電腦系統或另一選擇係多個電腦系統實施。一般而言，術語「處理器」可在廣義上經定義以涵蓋具有執行來自一非暫時性記憶體媒體310之程式指令之一或多個處理元件之任何裝置。此外，系統300之不同子系統(例如，微影工具、度量工具、程序工具、顯示器或使用者介面)可包含適合用於實施本發明通篇中所闡述之步驟之至少一部分之處理器或邏輯元件。因此，以上說明不應解釋為對本發明之一限制而僅係一圖解說明。 記憶體媒體310可包含此項技術中已知之適合用於儲存可由相關聯的一或多個處理器308執行之程式指令之任何儲存媒體。舉例而言，記憶體媒體310可包含一非暫時性記憶體媒體。例如，記憶體媒體310可包含但不限於一唯讀記憶體、一隨機存取記憶體、一磁性或光學記憶體裝置(例如，磁碟)、一磁帶、一固態磁碟機及諸如此類。在另一實施例中，媒體310經組態以儲存來自微影工具302或度量工具之一或多個結果及/或本文中闡述之各個步驟之輸出。應進一步注意，媒體310可與一或多個處理器308一起裝納在一共同控制器外殼中。在一替代實施例中，媒體310可相對於處理器及控制器306之實體位置遠端地定位。 在另一實施例中，系統300包含一使用者介面。在一項實施例中，該使用者介面以通信方式耦合至控制器306之一或多個處理器308。在另一實施例中，該使用者介面可由控制器306利用以自一使用者接受選擇及/或指令。在某些實施例中，一顯示器可用於將資料顯示給一使用者。繼而，一使用者可回應於經由顯示裝置顯示給使用者之資料而輸入選擇及/或指令。 使用者介面裝置可包含此項技術中已知之任何使用者介面。舉例而言，使用者介面可包含但不限於一鍵盤、一小鍵盤、一觸控螢幕、一控制桿、一旋鈕、一滾輪、一軌跡球、一切換器、一標度盤、一滑條、一滾動條、一滑塊、一把手、一觸控板、一槳、一轉向輪、一操縱桿、一遮光板安裝之輸入裝置或諸如此類。在一觸控螢幕介面裝置之情形中，熟習此項技術者應認識到，大量觸控螢幕介面裝置可適合用於在本發明中實施。例如，顯示裝置可與一觸控螢幕介面(諸如但不限於一電容性觸控螢幕、一電阻性觸控螢幕、一基於表面聲波之觸控螢幕、一基於紅外線之觸控螢幕或諸如此類)整合在一起。在一般意義上，能夠與一顯示裝置之顯示部分整合在一起之任何觸控螢幕介面適合用於在本發明中實施。 顯示裝置可包含此項技術中已知之任何顯示裝置。在一項實施例中，顯示裝置可包含但不限於一液晶顯示器(LCD)、一基於有機發光二極體(OLED)之顯示器或一CRT顯示器。熟習此項技術者應認識到，各種顯示裝置可適合用於在本發明中實施且顯示裝置之特定選擇可取決於各種因素，包含但不限於外觀尺寸、成本及諸如此類。在一般意義上，能夠與一使用者介面裝置(例如，觸控螢幕、遮光板安裝之介面、鍵盤、滑鼠、軌跡墊及諸如此類)整合在一起之任何顯示裝置適合用於在本發明中實施。 在某些實施例中，本文中所闡述之系統300之控制器306可組態為一「獨立工具」或不實體地耦合至一程序工具之一工具。在其他實施例中，控制器306可藉由一傳輸媒體(其可包含有線及/或無線部分)耦合至一程序工具、檢驗工具或一度量工具。程序工具可包含此項技術中已知之任何程序工具，諸如一微影工具、一蝕刻工具、一沈積工具、一拋光工具、一電鍍工具、一清洗工具或一離子植入工具。由本文中所闡述之系統執行之度量及/或檢驗之結果可用於使用一回饋控制技術、一前饋控制技術及/或一原位控制技術更改一程序或一半導體製作程序之一程序工具之一參數。可手動或自動更改該程序或該程序工具之該參數。 本文中所闡述之所有方法可包含將方法實施例之一或多個步驟之結果儲存於一儲存媒體中。結果可包含本文中所闡述之結果中之任一者且可以此項技術中已知之任何方式儲存。儲存媒體可包含本文中所闡述之任何儲存媒體或此項技術中已知之任何其他適合儲存媒體。在已儲存結果之後，該等結果可在該儲存媒體中經存取且由本文中所闡述之方法或系統實施例中之任一者使用，經格式化以用於顯示給一使用者，由另一軟體模組、方法或系統使用等。此外，可「永久性地」、「半永久性地」、臨時性地或在某一時間週期內儲存結果。舉例而言，儲存媒體可係隨機存取記憶體(RAM)，且結果可不必無限期地存留於該儲存媒體中。 熟習此項技術者將認識到，當前技術水平已進展到其中系統態樣之硬體實施方案與軟體實施方案之間存在極小差別之程度；硬體或軟體之使用一般(但並不始終，此乃因在特定內容脈絡中硬體與軟體之間的選擇可變得重要)係表示成本與效率折衷之一設計選擇。熟習此項技術者將瞭解，存在本文中所闡述之程序及/或系統及/或其他技術可受其影響之各種載具(例如，硬體、軟體及/或韌體)，且較佳載具將隨其中部署程序及/或系統及/或其他技術之內容脈絡而變化。舉例而言，若一實施者判定速度及準確度係最重要的，則該實施者可選擇一主要硬體及/或韌體載具；另一選擇係，若靈活性係最重要的，則該實施者可選擇一主要軟體實施方案；或，再另一選擇係，該實施者可選擇硬體、軟體及/或韌體之某一組合。因此，存在本文中所闡述之程序及/或裝置及/或其他技術可受其影響之數個可能載具，該等載具中無一者固有地優於另一者，此乃因待利用之任一載具係取決於其中將部署該載具之內容脈絡及實施者之特定關注問題(例如，速度、靈活性或可預測性)(其中任一者可變化)之一選擇。熟習此項技術者將認識到，實施方案之光學態樣通常將採用光學導向之硬體、軟體及/或韌體。 熟習此項技術者將認識到，以本文中所陳述之方式闡述裝置及/或程序，且此後使用工程實踐來將此等所闡述裝置及/或程序整合至資料處理系統中在此項技術內係常見的。亦即，本文中所闡述之裝置及/或程序之至少一部分可經由一合理量之實驗整合至一資料處理系統中。熟習此項技術者將認識到，一典型資料處理系統一般包含以下各項中之一或多者：一系統單元外殼；一視訊顯示裝置；一記憶體，諸如揮發性及非揮發性記憶體；處理器，諸如微處理器及數位信號處理器；計算實體，諸如作業系統、驅動程序、圖形使用者介面及應用程序；一或多個互動裝置，諸如一觸控墊或觸控螢幕；及/或控制系統，其包含回饋迴路及控制電動機(例如，用於感測位置及/或速度之回饋；用於移動及/或調整組件及/或數量之控制電動機)。可利用任何適合市售組件(諸如，通常存在於資料計算/通信及/或網路計算/通信系統中之該等組件)來實施一典型資料處理系統。 據信，藉由前述闡述將理解本發明及諸多其隨附優點，且將明瞭可在不背離所揭示標的物或不犧牲所有其實質優點之情況下在組件之形式、構造及配置方面做出各種改變。所闡述之形式僅係解釋性的，且所附申請專利範圍之意圖係涵蓋並包含此類改變。
102‧‧‧線空間陣列
103‧‧‧微影蝕刻-微影蝕刻(LELE)觸點陣列
104‧‧‧線陣列/第一圖案結構
106‧‧‧線陣列/第二圖案結構
300‧‧‧系統
302‧‧‧微影工具
303‧‧‧度量工具/基於成像之度量工具
304‧‧‧樣本
305‧‧‧遮罩/圖案遮罩
306‧‧‧控制器
308‧‧‧處理器
310‧‧‧非暫時性記憶體媒體/記憶體媒體/媒體
402‧‧‧線空間陣列結構/陣列結構
403‧‧‧經設計缺陷/經程式化缺陷
404‧‧‧第一線陣列/線陣列
406‧‧‧第二線陣列/線陣列
412‧‧‧觸點陣列結構/陣列結構
413‧‧‧經設計缺陷/經程式化缺陷
414‧‧‧第一陣列/陣列
416‧‧‧第二陣列/陣列
420‧‧‧自對準雙重圖案結構
421‧‧‧自對準雙重圖案結構
423‧‧‧橋接缺陷
424‧‧‧SADP結構
425‧‧‧SADP結構
430‧‧‧自對準四重圖案結構
432‧‧‧自對準四重圖案結構
433‧‧‧橋接缺陷
440‧‧‧線空間陣列結構
441‧‧‧突出/缺陷類型
442‧‧‧侵入/缺陷類型
443‧‧‧頸縮或捏縮缺陷/缺陷類型
444‧‧‧虛線或間隙缺陷/缺陷類型
445‧‧‧真空缺陷/缺陷類型
446‧‧‧曲線缺陷/缺陷類型
502‧‧‧照明源
504‧‧‧照明束
506‧‧‧光學軸線
508‧‧‧遮罩支撐裝置
512‧‧‧樣本載台
514‧‧‧抗蝕劑層
602‧‧‧電子束源
603‧‧‧電子束
604‧‧‧電子-光學元件
606‧‧‧聚光透鏡
608‧‧‧物鏡
610‧‧‧樣本載台
612‧‧‧偵測器總成
熟習此項技術者可藉由參考附圖更佳地理解本發明之眾多優點，其中： 圖1A圖解說明根據本發明之一項實施例之一個多圖案線陣列結構之一中央部分，其繪示其中一疊對誤差由於層中之一者之移位及不能夠將該多圖案陣列結構之兩個線圖案陣列區別開而存在於該兩個線圖案陣列之間之情形。 圖1B圖解說明根據本發明之一項實施例之一觸點陣列結構之一中央部分，其繪示其中一疊對誤差由於層中之一者之移位及不能夠將該觸點陣列結構之兩個圖案陣列區別開而存在於該兩個圖案陣列之間之情形。 圖2圖解說明繪示根據本發明之一或多項實施例之用於在一樣本之一個多圖案陣列結構中形成且使用一或多個經程式化缺陷之一方法之一程序流程。 圖3圖解說明根據本發明之一或多項實施例之用於在一樣本之一個多圖案陣列結構中產生且利用經程式化缺陷之一系統。 圖4A圖解說明根據本發明之一或多項實施例之含有一經程式化或經設計之缺陷之一線空間陣列結構。 圖4B圖解說明根據本發明之一或多項實施例之含有顯示一疊對誤差之一經程式化缺陷之一線空間陣列結構。 圖4C圖解說明根據本發明之一或多項實施例之含有一經程式化缺陷之一觸點陣列結構。 圖4D圖解說明根據本發明之一或多項實施例之顯示一疊對誤差之一觸點陣列結構。 圖4E圖解說明根據本發明之一或多項實施例之繪示在空間厚度變化之內容脈絡中識別與自對準雙重圖案(SADP)之間距遊動(pitch walk)相關聯之根本原因之困難的一SADP結構及形成有一經程式化缺陷之一SADP結構。 圖4F圖解說明根據本發明之一或多項實施例之繪示在心軸CD變化之內容脈絡中識別與SADP之間距遊動相關聯之根本原因之困難的一SADP結構及形成有一經程式化缺陷之一SADP結構。 圖4G圖解說明根據本發明之一或多項實施例之一自對準四重圖案(SAQP)結構，其圖解說明識別與SAQP之間距遊動相關聯之根本原因之困難。 圖4H繪示根據本發明之一或多項實施例之形成有一橋接缺陷之一SAQP結構。 圖4I圖解說明根據本發明之一或多項實施例之繪示各種類型之可能經程式化缺陷之一線空間陣列結構。 圖5圖解說明根據本發明之一或多項實施例之用於在一樣本上產生含有一或多個經程式化缺陷之一個多圖案陣列結構之一微影工具之一概念圖。 圖6圖解說明根據本發明之一或多項實施例之用於測量含有一或多個經程式化缺陷之一個多圖案陣列結構之一或多個度量參數之一度量工具之一概念圖。

Claims (29)

  1. 一種系統，其包括： 一微影工具，其經組態以在一樣本上形成包含一第一陣列圖案及一第二陣列圖案的一個多圖案結構，其中該第一陣列圖案或該第二陣列圖案中之至少一者含有一經程式化缺陷，以將該第一陣列圖案與該第二陣列圖案區分開； 一度量工具，其經組態以獲取該第一陣列圖案及該第二陣列圖案之一或多個影像，該一或多個影像具有含有該經程式化缺陷之一視場；及 一控制器，其包含一或多個處理器，其中該一或多個處理器經組態以致使該一或多個處理器執行記憶體中所含有之一組程式指令，其中該組程式指令經組態以致使該一或多個處理器： 自該度量工具接收該第一陣列圖案及該第二陣列圖案之該一或多個影像；及 判定與該第一陣列圖案及該第二陣列圖案中之至少一者相關聯的一或多個度量參數。
  2. 如請求項1之系統，其中該判定與該第一陣列圖案及該第二陣列圖案中之至少一者相關聯的一或多個度量參數包括： 判定該第一陣列圖案與該第二陣列圖案之間之一疊對誤差。
  3. 如請求項1之系統，其中該判定與該第一陣列圖案及該第二陣列圖案中之至少一者相關聯的一或多個度量參數包括： 判定該第一陣列圖案及該第二陣列圖案中之至少一者之一臨界尺寸(CD)。
  4. 如請求項1之系統，其中該判定與該第一陣列圖案及該第二陣列圖案中之至少一者相關聯的一或多個度量參數包括： 判定該第一陣列圖案及該第二陣列圖案中之至少一者的臨界尺寸均勻性(CDU)。
  5. 如請求項1之系統，其中該經程式化缺陷包括： 一突出缺陷、一侵入缺陷、一捏縮缺陷、一間隙缺陷、一針孔缺陷、一彎曲缺陷，或一橋接缺陷中之至少一者。
  6. 如請求項1之系統，其中該經程式化缺陷係形成於該樣本之一切割道區域、一虛擬填充區域，或一實際裝置區域中之至少一者中。
  7. 如請求項1之系統，其中該微影工具包括： 一極紫外線(EUV)微影工具或一電子束微影工具中之至少一者。
  8. 如請求項1之系統，其中該度量工具包括： 一掃描電子顯微術(SEM)度量工具。
  9. 如請求項1之系統，其中該樣本包括： 一半導體晶圓。
  10. 一種微影工具，其包括： 一照明源； 一遮罩載台，其經組態以固定一或多個遮罩； 一樣本載台，其經組態以固定一樣本；及 一組光學器件，其經組態以將照明自該照明源引導至該一或多個圖案遮罩，將兩個或兩個以上圖案自該一或多個圖案遮罩投影至該樣本上， 其中該一或多個圖案遮罩包含含有一或多個經程式化缺陷之至少一個陣列矩陣，其中該一或多個圖案遮罩經組態以在該樣本上形成一第一陣列圖案及一第二陣列圖案，其中該第一陣列圖案或該第二陣列圖案中之至少一者含有一經程式化缺陷，以將該第一陣列圖案與該第二陣列圖案區分開。
  11. 如請求項10之微影工具，進一步包括： 一控制器。
  12. 如請求項11之微影工具，其中該控制器經組態以判定與該第一陣列圖案及該第二陣列圖案中之至少一者相關聯的一或多個度量參數。
  13. 如請求項12之微影工具，其中該控制器進一步經組態以判定該第一陣列圖案與該第二陣列圖案之間之一疊對誤差。
  14. 如請求項12之微影工具，其中該控制器進一步經組態以判定該第一陣列圖案及該第二陣列圖案中之至少一者之一臨界尺寸(CD)。
  15. 如請求項12之微影工具，其中該控制器進一步經組態以判定該第一陣列圖案及該第二陣列圖案中之至少一者之一臨界尺寸均勻性(CDU)。
  16. 如請求項10之微影工具，其中該經程式化缺陷包括： 一突出缺陷、一侵入缺陷、一捏縮缺陷、一間隙缺陷、一針孔缺陷、一彎曲缺陷，或一橋接缺陷中之至少一者。
  17. 如請求項10之微影工具，其中該微影工具在該樣本之一切割道區域、一虛擬填充區域，或一實際裝置區域中之至少一者中形成該經程式化缺陷。
  18. 如請求項10之微影工具，其中該微影工具包括： 一極紫外線(EUV)微影工具或一電子束微影工具中之至少一者。
  19. 如請求項10之微影工具，其中該樣本包括： 一半導體晶圓。
  20. 一種度量工具，其包括： 一電子束源，其經組態以產生一原始電子束； 一樣本載台，其經組態以固定一樣本； 一組電子-光學元件，其經組態以將該原始電子束之至少一部分引導至該樣本之一部分上； 一偵測器總成，其經組態以偵測自經安置於該樣本之表面上之兩個或兩個以上陣列圖案之一或多個部分發出的電子，其中該兩個或兩個以上陣列圖案之一第一陣列圖案或一第二陣列圖案中之至少一者含有一經程式化缺陷，以將該第一陣列圖案與該第二陣列圖案區分開；及 一控制器，其包含一或多個處理器，其中該一或多個處理器經組態以致使該一或多個處理器執行記憶體中所含有之一組程式指令，其中該組程式指令經組態以致使該一或多個處理器： 自該偵測器總成接收與該兩個或兩個以上陣列圖案相關聯之影像資料；及 基於該所接收到之影像資料來判定與該兩個或兩個以上陣列圖案相關聯的一或多個度量參數。
  21. 如請求項20之度量工具，進一步包括： 一控制器。
  22. 如請求項21之度量工具，其中該控制器經組態以判定與該第一陣列圖案及該第二陣列圖案中之至少一者相關聯的一或多個度量參數。
  23. 如請求項21之度量工具，其中該控制器進一步經組態以判定該第一陣列圖案與該第二陣列圖案之間之一疊對誤差。
  24. 如請求項21之度量工具，其中該控制器進一步經組態以判定該第一陣列圖案及該第二陣列圖案中之至少一者之一臨界尺寸(CD)。
  25. 如請求項21之度量工具，其中該控制器進一步經組態以判定該第一陣列圖案及該第二陣列圖案中之至少一者之一臨界尺寸均勻性(CDU)。
  26. 如請求項20之度量工具，其中該經程式化缺陷包括： 一突出缺陷、一侵入缺陷、一捏縮缺陷、一間隙缺陷、一針孔缺陷、一彎曲缺陷，或一橋接缺陷中之至少一者。
  27. 如請求項20之度量工具，其中該經程式化缺陷係形成於該樣本之一切割道區域、一虛擬填充區域，或一實際裝置區域中之至少一者中。
  28. 如請求項20之度量工具，其中該度量工具包括： 一掃描電子顯微術(SEM)度量工具。
  29. 如請求項20之度量工具，其中該樣本包括： 一半導體晶圓。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI732657B (zh) * 2019-08-29 2021-07-01 台灣積體電路製造股份有限公司 半導體晶圓檢測方法及其系統
TWI743688B (zh) * 2019-02-20 2021-10-21 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 判定用於在基板上製造特徵之一或多個製程之特性的方法及相關的非暫時性電腦可讀媒體
TWI774350B (zh) * 2020-06-10 2022-08-11 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 用於計算一經校正基板高度圖之方法、用於高度量測之系統、及微影裝置
TWI807442B (zh) * 2018-12-31 2023-07-01 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 程序控制之晶粒內度量衡方法及系統

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3290911A1 (en) * 2016-09-02 2018-03-07 ASML Netherlands B.V. Method and system to monitor a process apparatus
US10120973B2 (en) 2017-03-15 2018-11-06 Applied Materials Israel Ltd. Method of performing metrology operations and system thereof
US10296702B2 (en) * 2017-03-15 2019-05-21 Applied Materials Israel Ltd. Method of performing metrology operations and system thereof
US11914290B2 (en) * 2019-07-24 2024-02-27 Kla Corporation Overlay measurement targets design
CN117581161A (zh) * 2021-07-13 2024-02-20 Asml控股股份有限公司 具有用于污染物检测和显微镜检查的相控阵列的量测系统
EP4152096A1 (en) * 2021-09-15 2023-03-22 ASML Netherlands B.V. System and method for inspection by failure mechanism classification and identification in a charged particle system

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003315284A (ja) * 2002-04-24 2003-11-06 Mitsubishi Electric Corp パターン検査装置の感度調整方法
WO2006066137A2 (en) * 2004-12-19 2006-06-22 Ade Corporation System and method for inspecting a workpiece surface using polarization of scattered light
KR20060084922A (ko) * 2005-01-21 2006-07-26 삼성전자주식회사 오버레이 측정 장치의 보정 방법
US7916927B2 (en) 2007-01-16 2011-03-29 Asml Netherlands B.V. Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method
US9201310B2 (en) 2008-08-19 2015-12-01 Asml Netherlands B.V. Method of measuring overlay error and a device manufacturing method
CN101650534B (zh) * 2009-07-24 2012-12-12 上海宏力半导体制造有限公司 测量曝光机台焦平面均匀度的方法
NL2005192A (en) * 2009-08-24 2011-02-28 Asml Netherlands Bv Metrology method and apparatus, lithographic apparatus, device manufacturing method and substrate.
KR101492205B1 (ko) * 2010-11-12 2015-02-10 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 메트롤로지 방법 및 장치, 리소그래피 시스템, 및 디바이스 제조 방법
US9709903B2 (en) * 2011-11-01 2017-07-18 Kla-Tencor Corporation Overlay target geometry for measuring multiple pitches
NL2010717A (en) * 2012-05-21 2013-11-25 Asml Netherlands Bv Determining a structural parameter and correcting an asymmetry property.
US9214317B2 (en) * 2013-06-04 2015-12-15 Kla-Tencor Corporation System and method of SEM overlay metrology
US9347862B2 (en) * 2013-08-06 2016-05-24 Kla-Tencor Corp. Setting up a wafer inspection process using programmed defects
US10267746B2 (en) * 2014-10-22 2019-04-23 Kla-Tencor Corp. Automated pattern fidelity measurement plan generation

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI807442B (zh) * 2018-12-31 2023-07-01 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 程序控制之晶粒內度量衡方法及系統
US12040187B2 (en) 2018-12-31 2024-07-16 Asml Netherlands B.V. In-die metrology methods and systems for process control
TWI743688B (zh) * 2019-02-20 2021-10-21 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 判定用於在基板上製造特徵之一或多個製程之特性的方法及相關的非暫時性電腦可讀媒體
TWI771226B (zh) * 2019-02-20 2022-07-11 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 判定用於在基板上製造特徵之一或多個製程之特性的方法及相關的非暫時性電腦可讀媒體
US11860548B2 (en) 2019-02-20 2024-01-02 Asml Netherlands B.V. Method for characterizing a manufacturing process of semiconductor devices
TWI732657B (zh) * 2019-08-29 2021-07-01 台灣積體電路製造股份有限公司 半導體晶圓檢測方法及其系統
US11231376B2 (en) 2019-08-29 2022-01-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Method for semiconductor wafer inspection and system thereof
TWI774350B (zh) * 2020-06-10 2022-08-11 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 用於計算一經校正基板高度圖之方法、用於高度量測之系統、及微影裝置
US12253807B2 (en) 2020-06-10 2025-03-18 Asml Netherlands B.V. Height measurement method and height measurement system

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