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TW201826518A - 微型發光二極體晶片以及顯示面板 - Google Patents

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TW201826518A
TW201826518A TW106100760A TW106100760A TW201826518A TW 201826518 A TW201826518 A TW 201826518A TW 106100760 A TW106100760 A TW 106100760A TW 106100760 A TW106100760 A TW 106100760A TW 201826518 A TW201826518 A TW 201826518A
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Abstract

一種具有多個發光區域的微型發光二極體晶片，包括半導體磊晶結構、第一電極以及多個間隔設置的第二電極。半導體磊晶結構包括至少一第一型摻雜半導體層、多個第二型摻雜半導體層以及多個間隔設置的發光層。一發光層位於一第一型摻雜半導體層與一第二型摻雜半導體層之間。一發光層位於一發光區域中。第一電極與這些第一型摻雜半導體層電性連接。這些第二電極與這些第二型摻雜半導體層電性連接。另，一種顯示面板亦被提出。

Description

微型發光二極體晶片以及顯示面板
本發明是有關於一種發光二極體晶片以及顯示面板，且特別是有關於一種微型發光二極體（Micro Light Emitting Diode, μLED）晶片以及具有此微型發光二極體的顯示面板。
微型發光二極體（Micro LED, μLED）具有自發光顯示特性。相較於同為自發光顯示的有機發光二極體（Organic Light Emitting Diode, OLED）技術，微型發光二極體不僅效率高、壽命較長、材料不易受到環境影響而相對穩定。因此微型發光二極體有望超越有機發光二極體顯示技術而成為未來顯示技術的主流。
然而，由於微型發光二極體的尺寸較小，當要使微型發光二極體上的電極轉移接合（Bonding）於顯示面板的背板上的接墊時，較不容易對準，而造成微型發光二極體與接墊接觸不良的現象。因此，上述接觸不良的現象會使得顯示面板產生壞點（Defect Pixel），而壞點會降低顯示面板的製造良率或者是使顯示面板的影像品質惡化。為了解決上述的問題，習知技術在顯示面板中的各子像素區域中設置多個黏結層以及多個微型發光二極體並且預留出冗餘的修理黏結點。若顯示面板經檢測後發現：子像素區域中的這些微型發光二極體其中之一為不良品時，例如是一微型發光二極體無法點亮，此時就點亮另一為良品的微型發光二極體。若各子像素區域中的這些微型發光二極體經檢測後發現皆為不良品時，則在預留的冗餘修理黏結點上黏結另一微型發光二極體，以使子像素區域中至少具有一顆能夠發亮的微型發光二極體。習知技術透過此方式來降低壞點的產生機率。然而，這樣的解決方式則是會使整個子像素區域所涵蓋的區域過大，每一單位面積所含的子像素區域則較少，顯示面板整體的解析度則受到限制。
綜合以上，如何解決上述問題，實為目前本領域研發人員研發的重點之一。
本發明提供一種微型發光二極體晶片，其可使應用此微型發光二極體晶片的顯示面板接合成功的機率高，且具有良好的製造良率以及影像品質。
本發明提供一種顯示面板，其具有良好的製造良率以及影像品質。
本發明的一實施例提出一種微型發光二極體晶片。微型發光二極體晶片具有多個發光區域。微型發光二極體晶片包括半導體磊晶結構、第一電極以及多個第二電極。半導體磊晶結構包括至少一第一型摻雜半導體層、多個間隔設置的第二型摻雜半導體層以及多個間隔設置的發光層。這些發光層位於第一型摻雜半導體層與這些第二型摻雜半導體層之間。一發光層位於一發光區域中。第一電極與第一型摻雜半導體層電性連接。這些第二電極間隔設置並與這些第二型摻雜半導體層電性連接。
本發明的一實施例提出一種顯示面板，包括背板以及上述多個微型發光二極體晶片。一微型發光二極體晶片位於一子像素區域中。背板包括具有多個子像素區域。背板與這些微型發光二極體晶片電性連接並控制這些微型發光二極體晶片於相對應的這些子像素區域中發光。
在本發明的一實施例中，上述的這些發光區域是獨立控制發光。
在本發明的一實施例中，上述的第一電極與這些第二電極分別位於半導體磊晶結構的相對兩側。
在本發明的一實施例中，上述的微型發光二極體晶片更包括絕緣層。絕緣層具有多個貫孔。第一電極具有主體部以及由主體部延伸出來的多個延伸部。絕緣層位於主體部以及這些第一型摻雜半導體層之間。第一電極的這些延伸部分別位於這些貫孔內並連接至這第一型摻雜半導體層。
在本發明的一實施例中，上述的半導體磊晶結構包括多個第一型摻雜半導體層。第一電極與這些第一型摻雜半導體層電性連接。
在本發明的一實施例中，上述的第一電極與這些第二電極位於半導體磊晶結構的同一側。
在本發明的一實施例中，上述的半導體磊晶結構具有溝槽。溝槽分隔出這些發光層與這些第二型摻雜半導體層。第一電極透過溝槽與第一型半導體層電性連接。
在本發明的一實施例中，上述的微型發光二極體晶片具有絕緣層。絕緣層位於第一電極與這些發光層、這些第二型摻雜半導體層間以電性絕緣第一電極與這些發光層、這些第二型摻雜半導體層。
在本發明的一實施例中，上述的第一型摻雜半導體層為P型摻雜半導體層以及N型摻雜半導體層中的其中一者，且第二型摻雜半導體層為P型摻雜半導體層以及N型摻雜半導體層中的其中另一者。
在本發明的一實施例中，上述的微型發光二極體晶片的對角線長度的範圍落在2微米至250微米的範圍內。
在本發明的一實施例中，上述的背板還包括多個接墊。這些微型發光二極體晶片藉由該些接墊與該背板電性連接。
在本發明的一實施例中，上述的各子像素區域中所設置的接墊數量與各微型發光二極體晶片的第二電極數量相同。
基於上述，本發明實施例的顯示面板中的各微型發光二極體晶片具有多個第二電極以及對應這些第二電極設置的多個發光層。在顯示面板的各子像素區域中，當微型發光二極體晶片的這些第二電極對接於背板上的這些接墊時，只要這些第二電極的其中之一接合於子像素區域中的一接墊，背板提供的第一型載子與第二型載子仍可以在微型發光二極體晶片的這些發光層中的其中之一複合以放出光束。換言之，本發明實施例的微型發光二極體晶片透過較大的電極接合面積（例如多個間隔設置的第二電極的設計）。當微型發光二極體晶片轉移至背板時，可以使得電極與背板上的接墊接合成功的機率較高。因此，本發明實施例的微型發光二極體晶片能夠使應用此微型發光二極體晶片的顯示面板降低壞點產生的機率，而提升顯示面板的製造良率以及影像品質。同時，修復壞點時也不需另外的晶片轉移製程，並且，相對於習知技術，由於本發明實施例的顯示面板中的各子像素區域涵蓋的區域較小，每一單位面積所含的子像素區域可以越多，因此本發明實施例顯示面板整體的解析度良好。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
圖1A為本發明一實施例的顯示面板的上視示意圖。圖1B為圖1A中線段A-A’的剖面示意圖。圖1C為圖1A中顯示面板的微型發光二極體晶片的底視圖。應注意的是，為求清楚表示，圖1A省略繪示微型發光二極體晶片與其他膜層結構，僅表示子像素區域與微型發光二極體晶片接合位置。
請參照圖1A以及圖1B，在本實施例中，顯示面板200包括背板210以及多個微型發光二極體晶片100。背板210具有多個子像素區域SPR以及多個接墊212。一微型發光二極體晶片100位於一子像素區域SPR中。在圖1B中，線段A-A’經過的多個子像素區域SPR例如是三個子像素區域SPR1、SPR2、SPR3，也可以是小於三個的子像素區域SPR或者是大於三個的子像素區域SPR，本發明並不以此為限。背板210更包括多個子像素驅動電路（未示出），背板210可以是半導體（Semiconductor）基板、次黏著基台（Submount）、互補式金屬氧化物半導體（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor, CMOS）電路基板、矽基液晶（Liquid Crystal on Silicon, LCOS）基板、薄膜電晶體（Thin Film Transistor, TFT）基板或者是其他類型的基板。這些接墊212電性連接於子像素驅動電路（未示出）。背板210透過這些子像素驅動電路用以控制各子像素區域SPR中對應的微型發光二極體100是否發出光束，進而顯示面板200所顯示的影像。顯示面板200的操作與實施方式可以由所屬技術領域的通常知識獲致足夠的教示、建議與實施說明，因此不再贅述。在本實施例中，顯示面板200具體化為微型發光二極體顯示面板。背板210具體化為薄膜電晶體基板（Thin Film Transistor Substrate）。這些微型發光二極體晶片100與背板210電性連接，更具體而言，這些微型發光二極體晶片100係藉由這些接墊212與背板210電性連接。背板210控制這些微型發光二極體晶片100於相對應的這些子像素區域SPR中發光。請參照圖1C，在本實施例中，每一個微型發光二極體晶片100的對角線L長度例如是微米等級的長度。更詳細來說，一個微型發光二極體晶片100的對角線L長度例如是落在2微米至250微米的範圍內。
請參照圖1B以及圖1C，本發明實施例的一個微型發光二極體晶片100具有多個發光區域ER，且例如是兩個發光區域ER，但不以此為限。微型發光二極體晶片100包括半導體磊晶結構110、第一電極120以及多個第二電極130。半導體磊晶結構110包括至少一第一型摻雜半導體層112、多個間隔設置的第二型摻雜半導體層116以及多個間隔設置的發光層114。在本實施例中，例如是兩個第一型摻雜半導體層1121、1122，兩個發光層1141、1142。這些發光層114位於第一型摻雜半導體層112與這些第二型摻雜半導體層116之間，且一個發光層114位於一個發光區域ER中，每一發光區域ER都可以獨立控制發光。第一電極120與這些第一型摻雜半導體層112電性連接。這些第二電極130間隔設置並與這些第二型摻雜半導體層116電性連接。
詳細來說，本實施例的微型發光二極體晶片100例如是垂直式發光二極體（Vertical type LED）。微型發光二極體晶片100中的第一電極120與這些第二電極130分別位於半導體磊晶結構110的相對兩側S1、S2。第一電極120位於微型發光二極體晶片100的一側S1。這些第二電極130位於微型發光二極體晶片100的另一側S2，且這些第二電極130位於背板210與這些第二型摻雜半導體層116之間。
在本實施例中，半導體磊晶結構110包括兩個彼此分離的半導體子磊晶結構110a、110b。這些半導體子磊晶結構110a、110b彼此獨立。這些半導體子磊晶結構110a、110b之間具有溝槽N。溝槽N內例如是空氣，在其他的實施例中，溝槽N內也可填置絕緣材料，本發明並不以此為限。半導體子磊晶結構110a包括第一型摻雜半導體層1121、發光層1141以及第二型摻雜半導體層1161。半導體子磊晶結構110b包括第一型摻雜半導體層1122、發光層1142以及第二型摻雜半導體層1162。在本實施例中，溝槽N例如是透過蝕刻製程所形成，且例如是以感應耦合離子電漿（Inductively-Coupled Plasma, ICP）製程所形成，本發明並不以此為限。
在本實施例中，除了子像素區域SPR2之外的各子像素區域SPR中所設置的接墊212數量與各微型發光二極體晶片100的第二電極130的數量相同（例如是皆為兩個，但不以此為限）。應注意的是，圖1A所繪示的接墊212配置情形係為範例，本發明並不以每一個子像素區域SPR中所設置的接墊212數量為限制。具體而言，在本實施例中，子像素區域SPR1中設置有兩個接墊212，分別與微型發光二極體晶片的兩個第二電極130a, 130b連接。在子像素區域SPR2中繪示有一個接墊212，其用以表示例如是在設置接墊212的過程中有一個接墊並未準確地設置於此子像素區域SPR2。在子像素區域SPR3中繪示有二個接墊212，但相對於其他的子像素區域SPR中接墊212的配置情形，下方的接墊212稍微偏移，其用以表示例如是在設置接墊212的過程中下方的接墊212因製程上的因素偏移。更詳細來說，顯示面板200更包括多個導電件230，且一子像素區域SPR內有一個導電件230。微型發光二極體晶片100可以透過背板210的驅動電路佈局（未示出）而能獨立控制這些發光區域ER發光與否。導電件230的材料例如是透明導電材料（如氧化銦錫），但本發明並不以此為限。
具體來說，這些導電件230的形成方法例如是當這些微型發光二極體晶片100與背板210上的接墊212接合後，形成透明導電層於這些微型發光二極體晶片100上，形成透明導電層的方法例如是透過旋轉塗佈法或者是蒸鍍法，本發明並不以此為限。接著，透過黃光製程，以定義出導電件230的電路圖案，以使導電件230電性連接第一電極120，本發明並不以導電件230的形成方法為限。
在本實施例中，背板210透過導電件230提供第一型載子（例如是電子）、透過接墊212提供第二型載子（例如是電洞）於微型發光二極體晶片100而使該些發光層發光。
在本實施例中，第一型摻雜半導體層112為P型摻雜半導體層以及N型摻雜半導體層中的其中一者。第二型摻雜半導體層114為P型摻雜半導體層以及N型摻雜半導體層中的其中另一者。更具體來說，第一型摻雜半導體層112例如是N型摻雜半導體層，第二型摻雜半導體層114例如是P型摻雜半導體層，本發明並不以此為限。N型摻雜半導體層的材料例如是N型氮化鎵（n-GaN），P型摻雜半導體層的材料例如是P型氮化鎵（p-GaN），本發明並不以此為限。背板210提供的第一型載子例如是電子（Electron），背板210提供的第二型載子例如是電洞（Hole），本發明並不以此為限。
更具體而言，在每一子像素區域SPR中第一型載子由背板210依序通過導電件230、第一電極120、第一型摻雜半導體層112並傳遞至發光層114。第二型載子由背板210依序通過接墊212、第二電極130、第二型摻雜半導體層116並傳遞至發光層114。如此一來，第一型載子與第二型載子會於發光層114進行複合以放出光束。由於本實施例的微型發光二極體晶片100具有多個間隔設置的第二電極130，當這些微型發光二極體晶片100轉移接合於與背板210上的接墊212時，對於單一個微型發光二極體晶片100來說，只要在這些第二電極130中的其中一個第二電極（130a或130b）與背板210上的接墊212良好接合，多個發光區域ER中的至少一發光區域ER即可對應發出光束。
或者，即使在轉移過程中有一半導體子磊晶結構受損，也可使用另一個半導體子磊晶結構發光。更甚者，若微型發光二極體晶片100中的其中之一的發光層1141所發出的光束不夠亮時，則可以透過另一層發光層1142來進行亮度的補償。
此外，值得一提的是，背板210可以透過調整電壓或電流來調整發光層1141以及發光層1142個別所發出的光束的強度，然本發明並不以此為限。也就是說，本實施例的微型發光二極體100接合於顯示面板200的成功的機率高且也不需另外轉移修復的微型發光二極體晶片。因此，本實施例的微型發光二極體晶片100能夠使應用此微型發光二極體晶片100的顯示面板200降低壞點產生的機率，而提升顯示面板200的製造良率以及影像品質。並且，相對於習知技術，由於本實施例的顯示面板200中的各子像素區域SPR不需要預留兩顆封裝晶片的冗餘黏結點，因此各子像素區域SPR可有較小的面積，顯示面板的每一單位面積所含的子像素區域SPR可以越多，進而提高顯示面板200整體的解析度。
在本實施例中，接墊212的材料例如是選自銦（In）、錫（Sn）或其合金（In/Sn），本發明並不以此為限。第一電極120以及第二電極130的材料例如是選自金（Au）、錫（Sn）或其合金（Au/Sn），本發明並不以此為限。另一方面，發光層114的結構例如是多層量子井結構（Multiple Quantum Well, MQW）。多重量子井結構包括以重複的方式交替設置的多個量子井層（Well）和多個量子阻障層（Barrier）。進一步來說，發光層114的材料例如是包括交替堆疊的多層氮化銦鎵（InGaN）以及多層氮化鎵（GaN），藉由設計發光層114中銦或鎵的比例，可使發光層114發出不同的發光波長範圍。應注意的是，關於上述所舉的發光層114的材料僅為舉例，發光層114的材料並不以氮化銦鎵與氮化鎵為限。
此外，在本實施例中，修復壞點方式是例如透過這些第二電極130與子像素區域SPR中的驅動電路的連接佈局來選擇欲作動的發光區域ER，達到修復壞點的功效；或者，也可利用後續製程圖案化導電件230與第一電極120來限制電路迴路以導通欲作動的發光區域，此些修復方法可由背板210的多種電路佈局達到，而不以本實施例所述為限。
在此必須說明的是，下述實施例沿用前述實施例的部分內容，省略了相同技術內容的說明，關於相同的元件名稱可以參考前述實施例的部分內容，下述實施例不再重複贅述。
圖2A為本發明另一實施例的顯示面板的上視示意圖。圖2B為圖2A中線段B-B’的剖面示意圖。圖2C是圖2B中微型發光二極體晶片100a的底視圖。應注意的是，為求清楚表示，圖2A省略繪示微型發光二極體晶片與其他膜層結構，僅表示子像素區域與微型發光二極體晶片接合位置。
請參照圖2A至圖2C，本實施例中的顯示面板200a大致類似於圖1A以及圖1B中的顯示面板200，其主要差異在於：各子像素區域SPR中具有三個接墊212a，212b，2121，以及本實施例之微型發光二極體晶片100a例如是水平式發光二極體（Horizontal LED）。並且，各子像素區域SPR中所設置的接墊212數量等於第一電極120與第二電極130的數量和。具體來說，第一電極120與這些第二電極130位於半導體磊晶結構110的同一側S2。半導體磊晶結構110具有溝槽N。溝槽N分隔出這些發光層1141、1142與這些第二型摻雜半導體層1161、1162。第一電極120位於溝槽N中並與第一型摻雜半導體層1121、1122電性連接。此外，微型發光二極體晶片100a更包括第一絕緣層140。第一絕緣層140位於第一電極120與發光層1141,1142間、及第一電極120與第二型摻雜半導體層1161,1162間以電性絕緣第一電極120與發光層1141,1142、第二型摻雜半導體層1161,1162，以避免造成短路。更具體來說，第一絕緣層140覆蓋溝槽N的側壁且暴露出第一型摻雜半導體層112。第一電極120填置於溝槽N，且與第一型摻雜半導體層112接觸。
請再參照圖2B，在接合良好的子像素區域SPR中，第二電極130a與接墊212a電性連接，另一個第二電極130b與接墊212b電性連接，第一電極120與接墊2121電性連接。第一型載子由背板210依序通過接墊2121、第一電極120、第一型摻雜半導體層1121、1122並傳遞至發光層1141、1142。第二型載子由背板210依序通過接墊212a/212b、第二電極130a/130b、第二型摻雜半導體層1161、1162傳遞至發光層1141、1142。然而，在子像素區域SPR2中，微型發光二極體晶片100a的一個第二電極130b並未與接墊212b有效地電性連接，如圖2B所示，有可能是製程中接墊位置誤差導致第二電極130b無法良好地與接墊212b電性接合，但仍然可以靠著第二電極130a與接墊212a電性連接。因此，背板210還是可以使在子像素區域SPR2中的微型發光二極體晶片100a發光。此外，在本實施例中，藉由驅動電路的設計與修補，可選擇欲作動的發光區域ER，或同時導通多個發光區域ER。在本實施例中，修補壞點的方式例如在後續的製程中以雷射的方式斷開、或架橋連接等等方式來達成，本發明並不以此為限。
圖3A為本發明又一實施例的顯示面板的上視示意圖，圖3B為圖3A中線段C-C’的剖面示意圖。應注意的是，為求清楚表示，圖3A省略繪示微型發光二極體晶片與其他膜層結構，僅表示子像素區域與微型發光二極體晶片接合位置。
請參照圖3A以及圖3B，本實施例中的顯示面板200b大致類似於圖1A以及圖1B中的顯示面板200，其主要差異在於：各子像素區域SPR中所設置的接墊212數量小於各微型發光二極體晶片100b的第二電極130數量。具體而言，背板210的每一子像素區域SPR設置一個接墊212，微型發光二極體晶片100a以第一電極120所在的那一側S2與接墊212電性連接。以及，本實施例中的微型發光二極體晶片100b的溝槽N貫穿發光層114、第二型摻雜半導體層116以及部分第一型摻雜半導體層112。多個導電件230a分別設置於這些第二電極130a、130b上，並與這些第二電極130a、130b電性連接。而這些第二電極130a、130b分別利用獨立的導電件230a來選擇欲作動的發光區域ER。也就是說，背板210透過這些導電件230a提供第二型載子於此微型發光二極體晶片100b，令選擇的發光區域ER中的發光層114形成通路而發光。
承上述，在本實施例中，第一電極120的面積實質相等於半導體磊晶結構110的面積。也就是說，顯示面板200b藉由較大面積的第一電極120與背板210的接墊212進行接合可提高良率，進一步再透過導電件230a的電路佈局來選擇欲作動的半導體子磊晶結構110發光達到修補的功效，以改善顯示面板200b的顯示品質與製造良率。
請參照圖4，繪示本發明另一實施例的微型發光二極體晶片100c，微型發光二極體晶片100c大致類似於圖1B中的微型發光二極體100、或圖3B中的微型發光二極體100b，其主要差異在於：微型發光二極體晶片100c具有四個發光區域ER。在其他的實施例中，微型發光二極體晶片100c的發光區域ER的數量可以例如是三個，本發明並不以此為限。
請參照圖5，繪示本發明另一實施例的微型發光二極體晶片100d ，可用來替換前述實施例中的顯示面板200、200b中的微型發光二極體晶片。本實施例中的微型發光二極體晶片100d類似於圖1B中的微型發光二極體晶片100，其主要差異在於：微型發光二極體晶片100d更包括第二絕緣層150。第二絕緣層150具有多個貫孔H，例如是兩個貫孔H，本發明並不以此為限。貫孔H貫穿第二絕緣層150。第一電極120具有主體部120a以及由主體部120a延伸出來的多個延伸部120b。絕緣層140位於主體部120a以及這些第一型摻雜半導體層1121、1122之間。第一電極120的這些延伸部120b分別位於這些貫孔H內，且這些延伸部120b連接於這些第一型摻雜半導體層1121、1122。在本實施例中，絕緣層140的材質例如是環苯丁烷（Benzocyclobutene, BCB）或二氧化矽（Silicon Dioxide, SiO2 ），本發明並不以此為限。
圖6A以及圖6B為本發明另一微型發光二極體晶片100e。圖6B為圖6A的微型發光二極體晶片沿著線段D-D’的剖面示意圖。
請參照圖6A以及圖6B，本實施例的微型發光二極體晶片100e類似於圖2A至圖2C中的微型發光二極體晶片100a，第一電極120與多個第二電極130均位於同一側，其主要差異在於：第一電極120與第二電極130的排列方式。
圖7為本發明另一微型發光二極體晶片100f，類似於圖6A至圖6B中的微型發光二極體晶片100e，其主要差異在於：第一電極120與第二電極130的排列方式。
綜上所述，本發明實施例的顯示面板中的各微型發光二極體晶片具有多個第二電極以及對應這些第二電極設置的多個發光層。在顯示面板的各子像素區域中，當微型發光二極體晶片對接於背板上的接墊時，只要背板提供的第一型載子與第二型載子仍可以在微型發光二極體晶片的這些發光層中的其中之一複合以放出光束即可。換言之，本發明實施例的微型發光二極體晶片透過較大的電極接合面積（例如多個間隔設置的第二電極的設計）。當微型發光二極體晶片轉移至背板時，可以使得電極與背板上的接墊接合成功的機率較高。因此，本發明實施例的微型發光二極體晶片能夠使應用此微型發光二極體晶片的顯示面板降低壞點產生的機率，而提升顯示面板的製造良率以及影像品質。並且，相對於習知技術，由於本發明實施例的顯示面板中的各子像素區域涵蓋的區域較小，每一單位面積所含的子像素區域可以越多，因此本發明實施例顯示面板整體的解析度良好。
此外，在本發明實施例的顯示面板中，微型發光二極體晶片具有多個可獨立控制的發光區域的設計（例如是透過導電件來控制微型發光二極體晶片中的各個發光區域是否發光），當要修復壞點時也不需另外的晶片轉移製程，並使得接合製程中半導體子磊晶結構的損壞可簡單被修復。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
100、100a、100b、100c、100d、100e、100f‧‧‧微型發光二極體晶片
110‧‧‧半導體磊晶結構
110a、110b‧‧‧半導體子磊晶結構
112、1121、1122、1123‧‧‧第一型摻雜半導體層
114、1141、1142、1143‧‧‧發光層
116、1161、1162、1163‧‧‧第二型摻雜半導體層
120‧‧‧第一電極
120a‧‧‧主體部
120b‧‧‧延伸部
130、130a、130b‧‧‧第二電極
140‧‧‧第一絕緣層
150‧‧‧第二絕緣層
200、200a、200b‧‧‧顯示面板
210‧‧‧背板
212、212a、212b、2121‧‧‧接墊
230、230a‧‧‧導電件
A-A’、B-B’、C-C’、D-D’‧‧‧剖面線
ER‧‧‧發光區域
L‧‧‧對角線
H‧‧‧貫孔
S1、S2‧‧‧兩側
SPR、SPR1、SPR2、SPR3‧‧‧子像素區域
圖1A為本發明一實施例的顯示面板的上視示意圖。 圖1B為圖1A中線段A-A’的剖面示意圖。 圖1C為圖1A中顯示面板的微型發光二極體晶片的底視圖。 圖2A為本發明另一實施例的顯示面板的上視示意圖。 圖2B為圖2A中線段B-B’的剖面示意圖。 圖2C是圖2B中微型發光二極體晶片的底視圖。 圖3A為本發明又一實施例的顯示面板的上視示意圖。 圖3B為圖3A中線段C-C’的剖面示意圖。 圖4為本發明另一實施例的微型發光二極體晶片的剖面圖。 圖5為本發明又一實施例的微型發光二極體晶片的剖面圖。 圖6A為本發明另一實施例的微型發光二極體晶片的底視圖。 圖6B為圖6A的微型發光二極體晶片沿著線段D-D’的剖面示意圖。 圖7為本發明再一實施例的微型發光二極體晶片的剖面圖。

Claims (20)

  1. 一種微型發光二極體晶片，具有多個發光區域，該微型發光二極體晶片包括： 一半導體磊晶結構，包括至少一第一型摻雜半導體層、多個間隔設置的第二型摻雜半導體層以及多個間隔設置的發光層，該些發光層位於該第一型摻雜半導體層與該些第二型摻雜半導體層之間，且一該發光層位於一該發光區域中； 一第一電極，與該第一型摻雜半導體層電性連接；以及 多個第二電極，間隔設置並與該些第二型摻雜半導體層電性連接。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的微型發光二極體晶片，該些發光區域是獨立控制發光。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的微型發光二極體晶片，其中該第一電極與該些第二電極分別位於該半導體磊晶結構的相對兩側。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的微型發光二極體晶片，其中該微型發光二極體晶片更包括一絕緣層，該絕緣層具有多個貫孔，其中該第一電極具有一主體部以及由該主體部延伸出來的多個延伸部，該絕緣層位於該主體部以及該些第一型摻雜半導體層之間，該第一電極的該些延伸部分別位於該些貫孔內並連接至該第一型摻雜半導體層。
  5. 如申請專利範圍第3項所述的微型發光二極體晶片，其中該半導體磊晶結構包括多個第一型摻雜半導體層，該第一電極與該些第一型摻雜半導體層電性連接。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的微型發光二極體晶片，其中該第一電極與該些第二電極位於該半導體磊晶結構的同一側。
  7. 如申請專利範圍第6項所述的微型發光二極體晶片，其中該半導體磊晶結構具有一溝槽，該溝槽分隔出該些發光層與該些第二型摻雜半導體層，該第一電極透過該溝槽與該第一型半導體層電性連接。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的微型發光二極體晶片，其中該微型發光二極體晶片具有一絕緣層，該絕緣層位於該第一電極與該些發光層、該些第二型摻雜半導體層間以電性絕緣該第一電極與該些發光層、該些第二型摻雜半導體層。
  9. 如申請專利範圍第1項所述的微型發光二極體晶片，其中該第一型摻雜半導體層為P型摻雜半導體層以及N型摻雜半導體層中的其中一者，且該第二型摻雜半導體層為P型摻雜半導體層以及N型摻雜半導體層中的其中另一者。
  10. 如申請專利範圍第1項所述的微型發光二極體晶片，其中該微型發光二極體晶片的對角線長度的範圍落在2微米至250微米的範圍內。
  11. 一種顯示面板，包括： 一背板，具有多個子像素區域；以及 多個微型發光二極體晶片，一該微型發光二極體晶片位於一該子像素區域中，各該微型發光二極體晶片具有多個發光區域，各該微型發光二極體晶片包括： 一半導體磊晶結構，包括至少一第一型摻雜半導體層、多個間隔設置的第二型摻雜半導體層以及多個間隔設置的發光層，該些發光層位於該第一型摻雜半導體層與該些第二型摻雜半導體層之間，且一該發光層位於一該發光區域中； 一第一電極，與該些第一型摻雜半導體層電性連接；以及 多個第二電極，間隔設置並與該些第二型摻雜半導體層電性連接， 其中，該背板與該些微型發光二極體晶片電性連接並控制該些微型發光二極體晶片於相對應的該些子像素區域中發光。
  12. 如申請專利範圍第11項所述的顯示面板，其中該背板還包括多個接墊，該些微型發光二極體晶片藉由該些接墊與該背板電性連接。
  13. 如申請專利範圍第11項所述的顯示面板，其中各該微型發光二極體晶片的該第一電極與該些第二電極分別位於該半導體磊晶結構的相對兩側，且該些第二電極位於該背板與該些第二型摻雜半導體層之間。
  14. 如申請專利範圍第13項所述的顯示面板，其中該微型發光二極體晶片更包括一絕緣層，該絕緣層具有多個貫孔，其中該第一電極具有一主體部以及由該主體部延伸出來的多個延伸部，該絕緣層位於該主體部以及該些第一型摻雜半導體層之間，該第一電極的該些延伸部分別位於該些貫孔內並連接至該些第一型摻雜半導體層。
  15. 如申請專利範圍第12項所述的顯示面板，其中各該子像素區域中所設置的接墊數量與各該微型發光二極體晶片的第二電極數量相同。
  16. 如申請專利範圍第11項所述的顯示面板，其中各該微型發光二極體晶片的該第一電極與該些第二電極分別位於該半導體磊晶結構的相對兩側，且該第一電極位於該背板與該第一型摻雜半導體層之間。
  17. 如申請專利範圍第11項所述的顯示面板，其中該第一電極與該些第二電極位於該半導體磊晶結構的同一側。
  18. 如申請專利範圍第17項所述的顯示面板，其中各該微型發光二極體晶片的該半導體磊晶結構具有一溝槽，該溝槽分隔出該些發光層與該些第二型摻雜半導體層，該第一電極透過該溝槽與該第一型半導體層電性連接。
  19. 如申請專利範圍第18項所述的顯示面板，其中該微型發光二極體晶片具有一絕緣層，該絕緣層位於該第一電極與該些發光層、該些第二型摻雜半導體層間以電性絕緣該第一電極與該些發光層、該些第二型摻雜半導體層。
  20. 如申請專利範圍第11項所述的顯示面板，其中該微型發光二極體晶片的對角線長度的範圍落在2微米至250微米的範圍內。
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