TW201826517A

TW201826517A - 顯示面板

Info

Publication number: TW201826517A
Application number: TW106100756A
Authority: TW
Inventors: 賴育弘; 林子暘; 李允立; 羅玉雲
Original assignee: 錼創科技股份有限公司
Priority date: 2017-01-10
Filing date: 2017-01-10
Publication date: 2018-07-16
Also published as: US20180197461A1; TWI607559B; US10410577B2

Abstract

一種顯示面板，包括背板以及多個微型發光二極體。背板包括多個子像素區域。每一子像素區域具有N組接墊組。每一接墊組包括第一電性接墊與X個第二電性接墊。N為1~3的整數、X為2~4的整數。這些微型發光二極體個別設置於這些子像素區域中且一微型發光二極體與N組接墊組中的一相對應之接墊組電性連接以接受第一電性載子與第二電性載子而發光。

Description

顯示面板

本發明是有關於一種顯示面板。

微型發光二極體（Micro LED, μLED）具有自發光顯示特性。相較於同為自發光顯示的有機發光二極體（Organic Light Emitting Diode, OLED）技術，微型發光二極體不僅效率高、壽命較長、材料不易受到環境影響而相對穩定。因此微型發光二極體有望超越有機發光二極體顯示技術而成為未來顯示技術的主流。

然而，在將微型發光二極體接合（Bonding）於顯示面板的基板上時常常衍生出以下的問題。由於微型發光二極體的尺寸較小，當要使微型發光二極體接合於顯示面板的基板時，較不容易對準。接著，將微型發光二極體與基板上的接墊（Pad）對準後，還要再進行接合的步驟。在一般的狀況下，微型發光二極體上的P型電極與N型電極的寬度會設計為相同的大小，並且基板上的接墊（Pad）通常選用較軟以及熔點較低的金屬（例如是銦、錫或其合金）。在接合的過程中，需要對基板上的接墊稍微加熱，以使接墊變成熔融態，並且將微型發光二極體往接墊的方向下壓以完成接合的步驟。然而，經受壓以及加熱後的接墊會往其兩側的方向擴張，而容易使得相鄰的接墊之間彼此接觸，造成短路（Short Circuit）的現象。

為了解決短路的問題，一種解決的方式是將微型發光二極體上的P型電極與N型電極的寬度兩者等比例縮小，以使兩個電極之間的距離變大。如此一來，當微型發光二極體下壓的過程中，相鄰的接墊彼此接觸的機率大幅降低，可以解決短路的問題。然而，由於P型電極與N型電極過小的關係，當將微型發光二極體下壓時，容易使得微型發光二極體產生裂紋（Crack）。

上述所提到的問題都會使得顯示面板產生壞點（Defect Pixel），降低顯示面板的製造良率或者是使顯示面板的影像品質惡化。綜合以上，如何解決上述問題，實為目前本領域研發人員研發的重點之一。

本發明提供一種顯示面板，其大幅降低對準的難度，且具有良好的製造良率以及影像品質。

本發明提供一種顯示面板，包括背板以及多個微型發光二極體。背板包括多個子像素區域。每一子像素區域具有N組接墊組。每一接墊組包括第一電性接墊與X個第二電性接墊。N為1~3的整數、X為2~4的整數。這些微型發光二極體個別設置於這些子像素區域中且一微型發光二極體與N組接墊組中的一相對應之接墊組電性連接以接受第一電性載子與第二電性載子而發光。

在本發明的一實施例中，上述的每一微型發光二極體包括第一型摻雜半導體層、第二型摻雜半導體層、發光層、第一電極以及第二電極。發光層位於第一型摻雜半導體層與第二型摻雜半導體層之間。第一電極電性連接第一型摻雜半導體層與其中相對應之接墊組的第一電性接墊。第二電極電性連接第二型摻雜半導體層與相對應之接墊組的這些第二電性接墊中的至少其中之一。

在本發明的一實施例中，上述的這些微型發光二極體是以覆晶（Flip-Chip）方式設置於該背板上。

在本發明的一實施例中，上述的第一電性載子經由第一電性接墊、第一電極傳遞至發光層。第二電性載子經由其中一第二電性接墊、第二電極傳遞至發光層。

在本發明的一實施例中，上述的第一電性載子經由相對應之接墊組的第一電性接墊、第一電極傳遞至發光層。第二電性載子經由相對應之接墊組的其中一第二電性接墊、第二電極傳遞至發光層。

在本發明的一實施例中，上述的每一微型發光二極體於背板形成投影區域。與微型發光二極體電性連接的第一電性接墊位於此投影區域中。與微型發光二極體的第二電極連接的第二電性接墊與此投影區域至少部分重疊。

在本發明的一實施例中，在一子像素區域中，第一電性接墊與電性連接第二電極的第二電性接墊之間的距離為第一距離。電性連接第二電極的第二電性接墊與相鄰之另一第二電性接墊之間的距離為第二距離。第一距離大於第二距離。

在本發明的一實施例中，在每一子像素區域中更包括導電層配置於第二型摻雜半導體層上，並電性連接第二型摻雜半導體層與相對應之接墊組中不與第二電極連接之第二電性接墊。

在本發明的一實施例中，上述導電層以金屬打線方式與第二電性接墊電性連接。

在本發明的一實施例中，上述每一微型發光二極體於背板形成投影區域。與微型發光二極體電性連接的第一電性接墊位於該投影區域中。與微型發光二極體的第二電極連接的第二電性接墊與投影區域至少部分重疊，與導電層連接的第二電性接墊位於投影區域之外。

在本發明的一實施例中，上述第一電性載子經由第一電性接墊、第一電極傳遞至發光層。第二電性載子透過這些第二電性接墊並經由第二電極與導電層傳遞至發光層。

在本發明的一實施例中，上述第二電極與該導電層分別位於該第二型摻雜半導體層的兩相對側。

在本發明的一實施例中，在每一子像素區域中，第一電性接墊與電性連接第二電極的第二電性接墊之間的距離與微型發光二極體的最大寬度的比例介於0.1~0.6。

在本發明的一實施例中，在每一子像素區域中，第一電極的最大寬度與微型發光二極體的最大寬度的比例介於0.4~0.9。

在本發明的一實施例中，在每一子像素區域中，第二電極的最大寬度與該微型發光二極體的最大寬度的比例介於0.1~0.4。

在本發明的一實施例中，上述第一型摻雜半導體層為P型摻雜半導體層，且第二型摻雜半導體層為N型摻雜半導體層。

在本發明的一實施例中，上述每一微型發光二極體具有貫孔與絕緣層。貫孔貫穿第一型摻雜半導體層、發光層以及部分第二型摻雜半導體層。絕緣層設置於貫孔的側壁以及第一型摻雜半導體層的一部分表面。第二電極設置於貫孔內以與第二型摻雜半導體層電性連接。絕緣層位在第二電極與第一型摻雜半導體層間以及第二電極與發光層間。

基於上述，在本發明上述實施例的顯示面板的每一子像素區域中，微型發光二極體透過對應的子像素區域中的N組接墊組中相對應之一接墊組電性連接以接受第一電性載子與第二電性載子而發光。詳細來說，在接合良好的情況下，顯示面板透過第二電性接墊形成第一種載子傳遞路徑（電性載子例如是依序通過第二電性接墊以及第二電極並傳遞至發光層）。在接合不良的情況下，顯示面板透過第二電性接墊以及導電件以形成第二種載子傳遞路徑（電性載子例如是依序通過第二電性接墊、導電層、第二型摻雜半導體層並傳遞至發光層）。無論是在接合良好的情況或者是接合不良的情況下，每一子像素區域的微型發光二極體皆能發出光束。因此，本發明上述實施例的顯示面板可以降低壞點產生的機率，具有良好的製造良率以及影像品質。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

圖1為本發明的一實施例的顯示面板的上視示意圖。圖2為圖1中X-X線段的剖面示意圖。圖3為圖2中區域A的放大剖面示意圖。

請參照圖1、圖2以及圖3，在本實施例中，顯示面板100具體化為微型發光二極體顯示面板（Micro LED Display Panel）。顯示面板100包括背板110以及多個微型發光二極體150。請參照圖1，背板110包括多個以陣列排列的像素區域PR。像素區域PR更包括多個以陣列排列的子像素區域SPR。

舉例來說，背板110可以是半導體（Semiconductor）基板、次黏著基台（Submount）、互補式金屬氧化物半導體（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor, CMOS）電路基板、矽基液晶（Liquid Crystal on Silicon, LCOS）基板、薄膜電晶體（Thin Film Transistor, TFT）基板或者是其他類型的基板，本發明並不以此為限。在本實施例中，背板110具體化為薄膜電晶體基板。微型發光二極體150的尺寸大小例如是微米等級的尺寸大小。詳言之，微型發光二極體150的對角線長度大小例如是落在5微米至150微米的範圍內。

更詳細來說，每一個子像素區域SPR中設置有N組接墊組120以及一個微型發光二極體150，且每一接墊組120是包括一個第一電性接墊121以及X個第二電性接墊122，其中N為1~3的整數，X為2~4的整數。在本實施例中，每一個子像素區域SPR中是以設置一組接墊組120（N=1）為例，且每一接墊組120具有兩個第二電性接墊122為例，但不以此為限。在其他未繪示的實施例中，第二電性接墊122的數量也可以是3個（X=3）或4個（X=4），並且，每一個子像素區域SPR中也可以是設置2組接墊組120（N=2）或3組接墊組120（N=3）。在一子像素區域SPR中，愈多的電性接墊可以讓接合良率提升且提高修復率，然而由於尺寸限制，也不適合過多的數量導致解析度下降。

具體而言，請參照圖2以及圖3，在本實施例中，這些微型發光二極體150是以覆晶（Flip-chip）方式設置於背板110上。詳言之，這些第一電性接墊121與第二電性接墊122位於背板110上，微型發光二極體150則透過接墊組120與背板110電性連接。具體而言，一個微型發光二極體150對應一組接墊組120設置。每一微型發光二極體150包括第一型摻雜半導體層151（例如是P型摻雜半導體層，但不以此為限）、第二型摻雜半導體層153（例如是N型摻雜半導體層，但不以此為限）、發光層155、貫孔H、絕緣層157、第一電極152以及第二電極154。發光層155位於第一型摻雜半導體層151與第二型摻雜半導體層153之間。第一電極152電性連接第一型摻雜半導體層151與相對應之接墊組120的第一電性接墊121。第二電極154電性連接第二型摻雜半導體層153與相對應之接墊組120的這些第二電性接墊122a、122b中的至少其中之一（例如是第二電性接墊122a）。更詳細來說，這些第二電性接墊122a、122b中的第二電性接墊122b不與第二電極154連接。

請再參照圖3，在本實施例中，貫孔H貫穿第一型摻雜半導體層151、發光層155以及部分第二型摻雜半導體層153。絕緣層157設置於貫孔H的側壁以及部分第一型摻雜半導體層151的表面LS。第二電極154一部分設置於貫孔H內以與第二型摻雜半導體層153電性連接、第二電極154另一部分則在第一型摻雜半導體層151的表面LS以與背板110上的其中一第二電性接墊122a連接。絕緣層157用以使第二電極154與第一型摻雜半導體層151以及發光層155電性絕緣，絕緣層157的材料例如是無機材料或有機材料組成。在本實施例中，絕緣層157的材料例如是氮化矽與氧化矽，本發明並不以此為限。

此外，在本實施例中，微型發光二極體150更包括保護層158。保護層158覆蓋微型發光二極體150的側壁。保護層158用以避免微型發光二極體150受到外在水氣或灰塵影響，以提升微型發光二極體150的壽命。在本實施例中，保護層158的材料例如是有機絕緣材料（如光阻材料）或無機絕緣材料（如氧化矽薄膜），本發明並不以此為限。

在本實施例中，第一電極152的最大寬度W1大於第二電極154的最大寬度W2。透過上述寬度的設計，當要使微型發光二極體150與背板110上的第一電性接墊121以及第二電性接墊122a對準時，以寬度較大的第一電極152與第一電性接墊121對準，可以大幅地降低對準的難度。

具體來說，在本實施例中，第一電性接墊121與電性連接於第二電極154的第二電性接墊122a之間的距離D1與微型發光二極體150的最大寬度W的比例範圍為0.1~0.6，較佳地D1/W的值小於0.3，透過此比例（D1/W）的設計，可以在第一電性接墊121與第二電性接墊122a之間具有較大的容置空間，大幅降低在接合過程中因上述處於熔融態的兩電性接墊121、122a彼此接觸而造成短路的機率。

另一方面，第一電極152的最大寬度W1與微型發光二極體150的最大寬度W的比例落在0.4至0.9的範圍內。當此比例（W1/W）落在此範圍內時，可以降低當微型發光二極體150受壓時產生裂紋（Crack）的機率。第二電極154的最大寬度W2與微型發光二極體150的最大寬度W的比例（W2/W）落在0.1至0.4的範圍內。

請繼續參照圖3，在每一子像素區域SPR中，微型發光二極體150於背板110形成一投影區域。與微型發光二極體150電性連接的第一電性接墊121以及第二電性接墊122a皆位於此投影區域中。不與微型發光二極體150電性連接的第二電性接墊122b則落在此投影區域之外。此外，在本實施例中，第一電性接墊121與電性連接第二電極154的第二電性接墊122a之間的距離為第一距離D1。電性連接第二電極154的第二電性接墊122a與相鄰之另一第二電性接墊122b之間的距離為第二距離D2。第一距離D1大於第二距離D2。

在本實施例中，第一電性接墊121以及這些第二電性接墊122的材料例如是選自銦（In）、錫（Sn）或其合金（In/Sn），本發明並不以此為限。第一電極152以及第二電極154的材料例如是選自金（Au）、錫（Sn）或其合金（Au/Sn），本發明不以此為限。

在本實施例中，P型摻雜半導體層的材料例如是P型氮化鎵（p-GaN），N型摻雜半導體層的材料例如是N型氮化鎵（n-GaN），但本發明並不以此為限。另一方面，發光層155的結構例如是多層量子井結構（Multiple Quantum Well, MQW）。多重量子井結構包括以重複的方式交替設置的多個量子井層（Well）和多個量子阻障層（Barrier）。進一步來說，發光層155的材料例如是包括交替堆疊的多層氮化銦鎵（InGaN）以及多層氮化鎵（GaN），藉由設計發光層155中銦或鎵的比例，可使發光層155發出不同的發光波長範圍。應注意的是，關於上述所舉的發光層155的材料僅為舉例，本發明的發光層155的材料並不以氮化銦鎵與氮化鎵為限。

在本實施例中，微型發光二極體150與相對應的接墊組120電性連接以接收第一電性載子（例如是電洞）與第二電性載子（例如是電子）而發光。具體而言，背板110對這些微型發光二極體150提供第一電性載子以及第二電性載子。第一電性載子經由相對應之接墊組120的第一電性接墊121、第一電極152傳遞至發光層155。第二電性載子經由相對應之接墊組120的其中一第二電性接墊122a、第二電極154傳遞至發光層155（第一種載子傳遞路徑）。第一電性載子與第二電性載子在發光層155中複合（Recombination）以放出光束。

承上述，當每一微型發光二極體150的第一電極152與第二電極154與背板110上的第一電性接墊121與第二電性接墊122接合步驟完成時，會經過點測的步驟以測試是否背板110上的這些微型發光二極體150能夠被點亮。在圖3的狀態下，微型發光二極體150例如是與第一電性接墊121以及第二電性接墊122a成功地電性連接，第二電性接墊122b例如是在冗餘（Redundant）的狀態。

應注意的是，在本實施例中，顯示面板100例如是透過驅動單元（未示出）、多條資料線（未示出）、多條掃描線（未示出）以及多個電晶體（未示出）以控制子像素區域SPR中對應的微型發光二極體150是否發出光束，進而控制像素區域PR所顯示的影像。顯示面板100的操作與實施方式可以由所屬技術領域的通常知識獲致足夠的教示、建議與實施說明，因此不再贅述。

在此必須說明的是，下述實施例沿用前述實施例的部分內容，省略了相同技術內容的說明，關於相同的元件名稱可以參考前述實施例的部分內容，下述實施例不再重複贅述。

圖4為本發明另一實施例的顯示面板的上視示意圖。圖5為圖4中Y-Y線段的剖面示意圖。圖6為圖5中區域B的放大剖面示意圖。

請參照圖4至圖6，在通過子像素區域SPR的線段Y-Y中，每一微型發光二極體150於背板110形成投影區域。與微型發光二極體150電性連接的第一電性接墊121位於此投影區域中。與微型發光二極體150的第二電極154連接的第二電性接墊122a與此投影區域至少部分重疊。詳言之，部分的第二電性接墊122a落在此投影區域之外。

圖7為本發明的再一實施例的顯示面板的上視示意圖。圖8為圖7中Z-Z線段的顯示面板剖面示意圖。圖9為圖8中區域C的放大剖面示意圖。

請參照圖7至圖9，再另一些情況下，這些微型發光二極體150經點測的步驟後發現部分為點亮，另一部分為壞點（或者是全部都是壞點）。代表部分（或全部）的微型發光二極體150對應的第二電極154並沒有與第二電性接墊122a電性連接。在圖7至圖9的實施例中，Z-Z線段所通過的子像素區域SPR中的這些微型發光二極體150例如是繪示為並未與第二電性接墊122a電性連接。顯示面板100b可在每一子像素區域SPR中更包括一導電層170。導電層170配置於第二型摻雜半導體層153上，並透過金屬導線160以打線方式（Wire-bonding）與第二電性接墊122b電性連接。

具體而言，導電層170的材料例如是透明導電材料（如氧化銦錫），或是其他導電金屬、合金膜層，但不以此為限。第二電極154與導電層170分別位於第二型摻雜半導體層153的兩相對側。導電層170連接第二電性接墊122b以及第二型摻雜半導體層153的上表面US以使第二型摻雜半導體層153與第二電性接墊122b電性連接。因此，第一電性載子由背板110依序通過第一電性接墊121、第一電極152、第一型摻雜半導體層151傳遞至發光層155，並且，背板110所提供的第二電性載子依序通過第二電性接墊122b、導電層170以及第二型摻雜半導體層153至發光層155。

換言之，若經點測後發現，部分或全部的微型發光二極體150為壞點，代表第二電極154並沒有與第二電性接墊122a電性連接。顯示面板100b透過這些導電層170以及冗餘的這些第二電性接墊122b 的設置，以在每一子像素區域SPR中形成第二種載子傳輸路徑，以使第二電性載子傳遞至發光層155。具體來說，顯示面板100b透過第二電性接墊122b以及導電件170以形成第二種載子傳遞路徑以使第二電性載子傳遞至發光層155。如此一來，第一電性載子與第二電性載子會於發光層155中進行複合以放出光束。

具體來說，這些導電層170的形成方法例如是當這些微型發光二極體150與背板110上的接墊組120接合後，形成導電層170於這些微型發光二極體150上，形成導電層170的方法例如是透過旋轉塗佈法或者是蒸鍍法，本發明並不以此為限。接著，透過黃光製程，以定義出導電層170的圖案，並使導電層170電性連接第二型摻雜半導體層153與第二電性接墊122b，本實施例是以金屬打線方式連接，另一實施方式也可例如是點導電膠、或導電層170延伸連接等方式。再者，於另一實施例中，導電層170可以是透明膜層整面覆蓋於第二型摻雜半導體層153上，本發明並不以導電層170的形成方法為限。

承上述，在本發明上述實施例的顯示面板（100、100a、100b）中，每一子像素區域SPR中的微型發光二極體150與相對應的接墊組120電性連接以接受第一電性載子與第二電性載子而發光。詳言之，依據點測後這些微型發光二極體150不同點亮的狀況，本發明上述實施例的顯示面板提供兩種可能的載子傳輸路徑以使第二電性載子傳遞至發光層155。更詳細來說，若子像素區域SPR中的微型發光二極體150的第一電極152以及第二電極154分別與相對應的接墊組120的第一電性接墊121以及這些第二電性接墊122a、122b的其中一第二電性接墊122a分別形成良好的電性連接，則代表在此子像素區域SPR中的微型發光二極體150經點測後是能夠被點亮的。也就是說，背板110所提供的第二電性載子透過第二電性接墊122a、第二電極154以及第二型摻雜半導體層153以傳遞至發光層155（第一種載子傳遞路徑）。若子像素區域SPR中的微型發光二極體150的第二電極154並未與相對應的接墊組120的第二電性接墊122a形成良好的電性連接，則代表在此子像素區域SPR中的微型發光二極體150經點測後是不能被點亮的，而形成壞點。本發明實施例的顯示面板100b可進一步透過導電層170以及原本處於冗餘的第二電性接墊122b以形成第二種載子傳遞路徑。背板110所提供的第二電性載子並透過第二電性接墊122b、導電層170以及第二型摻雜半導體層153以傳遞至發光層155（第二種載子傳遞路徑）。因此，本發明上述實施例的顯示面板可以降低產生壞點的機率，具有良好的製造良率以及影像品質。

綜上所述，在本發明上述實施例的顯示面板的每一子像素區域中，微型發光二極體透過對應的子像素區域中的N組接墊組中相對應之一接墊組電性連接以接受第一電性載子與第二電性載子而發光。詳細來說，在接合良好的情況下，顯示面板透過第二電性接墊形成第一種載子傳遞路徑（電性載子例如是依序通過第二電性接墊以及第二電極並傳遞至發光層）。在接合不良的情況下，顯示面板透過第二電性接墊以及導電件以形成第二種載子傳遞路徑（電性載子例如是依序通過第二電性接墊、導電層、第二型摻雜半導體層並傳遞至發光層）。無論是在接合良好的情況或者是接合不良的情況下，每一子像素區域的微型發光二極體皆能發出光束。因此，本發明上述實施例的顯示面板可以降低壞點產生的機率，具有良好的製造良率以及影像品質。

接著，本發明上述實施例的顯示面板透過微型發光二極體中的第一電極的最大寬度大於第二電極的最大寬度的設計，可以大幅地降低對準的難度。第一電性接墊與電性連接於第二電極的第二電性接墊之間的距離與微型發光二極體的最大寬度的比例範圍為0.1~0.6，透過此比例的設計可以降低短路的機率。此外，第一電極的最大寬度與微型發光二極體的最大寬度的比例落在0.4~0.9的範圍內，可以降低微型發光二極體受壓時產生裂紋的機率。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

100、100a、100b‧‧‧顯示面板

110‧‧‧背板

121‧‧‧第一電性接墊

122、122a、122b‧‧‧第二電性接墊

150‧‧‧微型發光二極體

151‧‧‧第一型摻雜半導體層

152‧‧‧第一電極

153‧‧‧第二型摻雜半導體層

154‧‧‧第二電極

155‧‧‧發光層

157‧‧‧絕緣層

158‧‧‧保護層

160‧‧‧導線

170‧‧‧導電層

A、B、C‧‧‧區域

D1‧‧‧第一距離

D2‧‧‧第二距離

H‧‧‧貫孔

LS‧‧‧下表面

PR‧‧‧像素區域

SPR‧‧‧子像素區域

US‧‧‧上表面

W1、W2、W‧‧‧最大寬度

X-X、Y-Y、Z-Z‧‧‧線段

圖1為本發明的一實施例的顯示面板的上視示意圖。圖2為圖1中X-X線段的剖面示意圖。圖3為圖2中區域A的放大剖面示意圖。圖4為本發明的另一實施例的顯示面板的上視示意圖。圖5為圖4中Y-Y線段的顯示面板剖面示意圖。圖6為圖5中區域B的放大剖面示意圖。圖7為本發明的再一實施例的顯示面板的上視示意圖。圖8為圖7中Z-Z線段的顯示面板剖面示意圖。圖9為圖8中區域C的放大剖面示意圖。

Claims

一種顯示面板，包括：一背板，包括多個子像素區域，每一該子像素區域具有N組接墊組，每一該接墊組包括一第一電性接墊與X個第二電性接墊，其中N為1~3的整數、X為2~4的整數；以及多個微型發光二極體，個別設置於該些子像素區域中且一該微型發光二極體與該N組接墊組中的一相對應之接墊組電性連接以接受一第一電性載子與一第二電性載子而發光。
如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，其中每一該微型發光二極體包括：一第一型摻雜半導體層；一第二型摻雜半導體層；一發光層，位於該第一型摻雜半導體層與該第二型摻雜半導體層之間；一第一電極，電性連接該第一型摻雜半導體層與該相對應之接墊組的該第一電性接墊；以及一第二電極，電性連接該第二型摻雜半導體層與該相對應之接墊組的該些第二電性接墊中的至少其中之一。
如申請專利範圍第2項所述的顯示面板，其中該些微型發光二極體是以覆晶方式設置於該背板上。
如申請專利範圍第2項所述的顯示面板，其中該第一電性載子經由該相對應之接墊組的該第一電性接墊、該第一電極傳遞至該發光層，該第二電性載子經由該相對應之接墊組的其中一該第二電性接墊、該第二電極傳遞至該發光層。
如申請專利範圍第2項所述的顯示面板，其中每一該微型發光二極體於該背板形成一投影區域，與該微型發光二極體電性連接的該第一電性接墊位於該投影區域中，與該微型發光二極體的該第二電極連接的該第二電性接墊與該投影區域至少部分重疊。
如申請專利範圍第2項所述的顯示面板，其中在一該子像素區域中，該第一電性接墊與電性連接該第二電極的該第二電性接墊之間的距離為一第一距離，電性連接該第二電極的該第二電性接墊與相鄰之另一該第二電性接墊之間的距離為一第二距離，其中該第一距離大於該第二距離。
如申請專利範圍第2項所述的顯示面板，其中每一子像素中更包括一導電層配置於該第二型摻雜半導體層上，並電性連接該第二型摻雜半導體層與該相對應之接墊組中不與該第二電極連接之該第二電性接墊。
如申請專利範圍第7項所述的顯示面板，其中該導電層以金屬打線方式與該第二電性接墊電性連接。
如申請專利範圍第7項所述的顯示面板，其中每一微型發光二極體於該背板形成一投影區域，與該微型發光二極體電性連接的該第一電性接墊位於該投影區域中，與該微型發光二極體的該第二電極連接的該第二電性接墊與該投影區域至少部份重疊，與該導電層連接的該第二電性接墊位於該投影區域之外。
如申請專利範圍第7項所述的顯示面板，其中該第一電性載子經由該第一電性接墊、該第一電極傳遞至該發光層，該第二電性載子經由該些第二電性接墊並經由該第二電極與該導電層傳遞至該發光層。
如申請專利範圍第7項所述的顯示面板，其中該第二電極與該導電層分別位於該第二型摻雜半導體層的兩相對側。
如申請專利範圍第2項所述的顯示面板，其中在每一該子像素區域中，該第一電性接墊與電性連接該第二電極的該第二電性接墊之間的距離與該微型發光二極體的最大寬度的比例介於0.1~0.6。
如申請專利範圍第2項所述的顯示面板，其中在每一該子像素區域中，該第一電極的最大寬度與該微型發光二極體的最大寬度的比例介於0.4~0.9。
如申請專利範圍第2項所述的顯示面板，其中在每一該子像素區域中，該第二電極的最大寬度與該微型發光二極體的最大寬度的比例介於0.1~0.4。
如申請專利範圍第2項所述的顯示面板，其中該第一型摻雜半導體層為P型摻雜半導體層，且該第二型摻雜半導體層為N型摻雜半導體層。
如申請專利範圍第2項所述的顯示面板，其中每一該微型發光二極體具有一貫孔與一絕緣層，該貫孔貫穿該第一型摻雜半導體層、該發光層以及部分該第二型摻雜半導體層，該絕緣層設置於該貫孔的側壁以及該第一型摻雜半導體層的一部分表面，其中該第二電極設置於該貫孔內以與該第二型摻雜半導體層電性連接，該絕緣層位在該第二電極與該第一型摻雜半導體層間以及該第二電極與該發光層間。