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TW201812289A - 電子束檢查裝置及電子束檢查方法 - Google Patents

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TW201812289A
TW201812289A TW106118902A TW106118902A TW201812289A TW 201812289 A TW201812289 A TW 201812289A TW 106118902 A TW106118902 A TW 106118902A TW 106118902 A TW106118902 A TW 106118902A TW 201812289 A TW201812289 A TW 201812289A
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electron
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安藤厚司
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日商紐富來科技股份有限公司
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Abstract

本發明的一個態樣之電子束檢查裝置，其特徵為，具備：可移動的平台，載置檢查對象基板；及鏡柱，使用藉由在直線上以同一間距排列的射束列並排複數列之複數個第1電子束所構成的多射束，在平台連續移動之期間，以多射束的各射束的照射區域的中心於平台的移動方向不和其他射束的照射區域重疊之方式對基板照射多射束，藉此在基板上掃描；及檢測器，檢測由於對基板照射多射束而從基板放出之2次電子。

Description

電子束檢查裝置及電子束檢查方法
本發明有關電子束檢查裝置及電子束檢查方法。例如，有關照射由電子線所造成的多射束而取得放出之圖樣的2次電子圖像來檢查圖樣之檢查裝置。
近年來隨著大規模積體電路(LSI)的高度積體化及大容量化，對半導體裝置要求之電路線寬愈來愈變狹小。該些半導體元件，是使用形成有電路圖樣之原圖圖樣(亦稱光罩或倍縮光罩，以下總稱為光罩)，藉由稱為所謂步進機之縮小投影曝光裝置將圖樣曝光轉印於晶圓上來做電路形成，藉此製造。
又，對於耗費莫大的製造成本之LSI的製造而言，產率的提升不可或缺。但，以十億位元(gigabyte)級的DRAM(隨機存取記憶體)為首，構成LSI之圖樣，從次微米成為了奈米尺度。近年來，隨著形成於半導體晶圓上之LSI圖樣尺寸的微細化，必須檢測出圖樣缺陷之尺寸亦成為極小。故，檢查被轉印至半導體晶圓上之超微細圖樣的缺陷之圖樣檢查裝置必須高精度化。除此之外，作為使產率降低的一個重大因素，可以舉出將超微細圖樣以光微影技術 曝光、轉印至半導體晶圓上時所使用之光罩的圖樣缺陷。因此，檢查LSI製造中使用的轉印用光罩的缺陷之圖樣檢查裝置必須高精度化。
作為檢查手法，已知有下述方法，即，將使用放大光學系統以規定的倍率拍攝形成於半導體晶圓或微影光罩等基板上之圖樣而得之光學圖像，和設計資料或拍攝試料上的同一圖樣而得之光學圖像予以比較，藉此進行檢查。例如，作為圖樣檢查方法，有將拍攝同一光罩上的相異場所的同一圖樣而得之光學圖像資料彼此予以比較「die to die(晶粒-晶粒)檢查」、或將設計有圖樣的CAD資料變換成對光罩描繪圖樣時用來供描繪裝置輸入的裝置輸入格式而得之描繪資料(設計圖樣資料)輸入至檢查裝置，依此為基礎來生成設計圖像資料(參照圖像)，並將其和拍攝圖樣而得之作為測定資料的光學圖像予以比較之「die to database(晶粒-資料庫)檢查」。該檢查裝置中的檢查方法中，檢查對象基板被載置於平台上，平台移動，藉此光束在試料上掃描，進行檢查。藉由光源及照明光學系統，光束會被照射至檢查對象基板。透射檢查對象基板或是反射的光會透過光學系統在感測器上成像。以感測器拍攝出的圖像，會作為測定資料被送往比較電路。比較電路中，做圖像彼此之對位後，將測定資料和參照資料遵照適合的演算法予以比較，當不一致的情形下，判定有圖樣缺陷。
上述圖樣檢查裝置中，是將雷射光照射至檢查對象基板，並拍攝其透射像或反射像，藉此取得光學圖像。相對 於此，目前亦正在開發將多射束照射至檢查對象基板，而檢測從檢查對象基板放出的和各射束相對應之2次電子，來取得圖樣像之檢查裝置，其中該多射束是由在直線上以同一間距排列之射束列並排複數列這樣的陣列排列之複數個電子束所構成。在運用了含有該多射束的電子束之圖樣檢查裝置中，是對檢查對象基板的每個小區域掃描射束來檢測2次電子。此時，於正在掃描射束的期間，會將檢查對象基板的位置固定，於掃描結束後令檢查對象基板的位置往下個小區域移動，亦即進行步進及重複(step-and-repeat)動作。藉由使用在直線上以同一間距排列之射束列並排複數列這樣的陣列排列之多射束，能夠在有限的區域內配置多數個射束，故可一口氣同時進行多數個小區域的掃描。因此，可望提升產能。然而，步進及重複動作中，於平台的每次移動，需要有平台位置達穩定為止之安定(settling)時間(額外(overhead)時間)。因1次的掃描範圍(小區域)小，若要掃描基板全體，平台之步進次數會成為龐大的次數。故，會產生步進次數乘上安定時間而得之時間量這一掃描所不需要之無益時間。即使當使用多射束在基板上掃描的情形下，針對1片基板，例如還曾有產生80小時以上的掃描所不需要之時間這樣的試算結果。
鑑此，為謀求檢查裝置的產能提升，正在研討將平台的移動方式從步進及重複動作方式改為不需要每次步進的安定時間之連續移動方式。然而，當藉由陣列排列而成之多射束進行掃描的情形下，連續移動方式中，安定時間雖 能免除，但取而代之的是，同一個小區域會依序被送至於移動方向並排之複數個射束的掃描範圍內，因此變得針對已經取得圖樣像的小區域會反覆做無益的掃描。因此，對產能的提升仍然沒有幫助。
在此，有人研討下述之檢查裝置，即，使用各射束以對於x方向而言成為等間隔之方式沿著圓周上排列而成之多射束，一面於y方向將平台連續移動一面在試料上掃描(例如參照日本特開2003-188221號公報)。但，該技術中，射束能夠配置之處僅限於圓周上，故無法增加射束道數，不僅如此，也難以適用於在直線上以同一間距排列之射束列並排複數列這樣的排列之多射束。
本發明的一個態樣，提供一種電子束檢查裝置及電子束檢查方法，是於使用了在直線上以同一間距排列之射束列並排複數列這樣的排列之多射束的圖樣檢查中，可使產能提升。
本發明的一個態樣之電子束檢查裝置，其特徵為，具備：可移動的平台，載置檢查對象基板；及鏡柱，使用藉由在直線上以同一間距排列的射束列並排複數列之複數個第1電子束所構成的多射束，在平台連續移動之期間，以多射束的射束的照射區域於平台的移動方向不會重疊之方式對基板照射多射束，藉此在基板上掃 描；及檢測器，檢測由於對基板照射多射束而從基板放出之2次電子；鏡柱，是以將多射束予以偏向之偏向區域的尺寸於平台的移動方向及於和平台的移動方向正交的方向為相異之方式，將多射束予以偏向，藉此在基板上掃描。
本發明的一個態樣之電子束檢查方法，其特徵為，使用藉由在直線上以同一間距排列的射束列並排複數列之複數個第1電子束所構成的多射束，在載置檢查對象基板之平台連續移動之期間，以多射束的射束的照射區域於平台的移動方向不會重疊之方式對基板照射多射束，藉此在基板上掃描，檢測由於對基板照射多射束而從基板放出之2次電子，以將多射束予以偏向之偏向區域的尺寸於平台的移動方向及於和平台的移動方向正交的方向為相異之方式，將多射束予以偏向，藉此在前述基板上掃描。
100‧‧‧檢查裝置
101‧‧‧基板
102‧‧‧電子束鏡筒
103‧‧‧檢查室
105‧‧‧XY平台
106‧‧‧檢測電路
107‧‧‧位置電路
108‧‧‧比較電路
109‧‧‧記憶裝置
110‧‧‧控制計算機
111‧‧‧擴展電路
112‧‧‧參照電路
114‧‧‧平台控制電路
117‧‧‧監視器
118‧‧‧記憶體
119‧‧‧印表機
120‧‧‧匯流排
122‧‧‧雷射測長系統
123‧‧‧晶片圖樣記憶體
124‧‧‧透鏡控制電路
126‧‧‧遮沒控制電路
128‧‧‧偏向控制電路
142‧‧‧平台驅動機構
150‧‧‧電子光學圖像取得部
160‧‧‧控制系統電路
20(20a~20d)‧‧‧多射束
200‧‧‧電子束
201‧‧‧電子槍
202‧‧‧照明透鏡
203‧‧‧成形孔徑陣列基板
205‧‧‧縮小透鏡
206‧‧‧限制孔徑基板
207‧‧‧對物透鏡
208‧‧‧主偏向器
209‧‧‧副偏向器
212‧‧‧整體遮沒偏向器
214‧‧‧射束分離器
216‧‧‧鏡
22‧‧‧孔
222‧‧‧多檢測器
224，226‧‧‧投影透鏡
228‧‧‧偏向器
28‧‧‧測定用像素
29‧‧‧格子
300‧‧‧多2次電子
30‧‧‧檢查區域
32‧‧‧條紋區域
33‧‧‧單位檢查區域
332‧‧‧晶片
34‧‧‧照射區域
36‧‧‧測定用像素
50，52‧‧‧記憶裝置
56‧‧‧分割部
58‧‧‧對位部
60‧‧‧比較部
圖1為實施形態1中的圖樣檢查裝置的構成示意概念圖。
圖2為實施形態1中的成形孔徑陣列構件的構成示意概念圖。
圖3為實施形態1中的檢查裝置內的射束的軌道說明用 圖。
圖4為實施形態1中的掃描動作的一例說明用概念圖。
圖5為實施形態1中的多射束的照射區域與測定用像素的一例示意圖。
圖6為實施形態1中的掃描動作的細部的一例說明用概念圖。
圖7為實施形態1中的掃描動作的另一例說明用概念圖。
圖8A至圖8C為實施形態1的比較例中的掃描動作說明用圖。
圖9A至圖9C為實施形態1的比較例中的被掃描而得之圖像說明用圖。
圖10揭示實施形態1的比較例中的多射束的排列狀態。
圖11揭示實施形態1中的多射束的排列狀態。
圖12為實施形態1中的掃描動作的細部的一例說明用之另一概念圖。
圖13A與圖13B為實施形態1與比較例之產能比較圖。
圖14為實施形態1中的比較電路的內部構成示意圖。
圖15為實施形態2中的在檢查對象基板上之射束排列的一例示意圖。
圖16A至圖16D為實施形態2中的旋轉變化量說明用圖。
圖17為實施形態3中的在檢查對象基板上之射束排列 的一例示意圖。
圖18A與圖18B為實施形態1的比較例2中的像素尺寸與產能之關係的一例示意圖。
圖19A與圖19B為實施形態1中的像素尺寸與產能之關係的一例示意圖。
以下，實施形態中，說明一種電子束檢查裝置及方法，是於使用了在直線上以同一間距排列之射束列並排複數列這樣的排列之多射束的圖樣檢查中，可使產能提升。
實施形態1.
圖1為實施形態1中的圖樣檢查裝置的構成示意概念圖。圖1中，檢查形成於基板之圖樣的檢查裝置100，為多電子束檢查裝置的一例。檢查裝置100，具備電子光學圖像取得部150、及控制系統電路160(控制部)。電子光學圖像取得部150，具備電子束鏡柱102(電子鏡筒)、檢查室103、檢測電路106、晶片圖樣記憶體123、平台驅動機構142、及雷射測長系統122。在電子束鏡柱102內，配置有電子槍201、照明透鏡202、成形孔徑陣列基板203、縮小透鏡205、限制孔徑基板206、對物透鏡207、主偏向器208、副偏向器209、集體遮沒偏向器212、射束分離器214、投影透鏡224，226、偏向器228、及多檢測器222。
在檢查室103內，配置有至少可於XY平面上移動之XY 平台105。在XY平台105上，配置有作為檢查對象之形成有複數個晶片圖樣之基板101。基板101中，包含曝光用光罩或矽晶圓等的半導體基板。基板101，例如以圖樣形成面朝向上側而被配置於XY平台105。此外，在XY平台105上，配置有將從配置於檢查室103的外部之雷射測長系統122照射的雷射測長用雷射光予以反射之鏡216。多檢測器222，於電子束鏡柱102的外部連接至檢測電路106。檢測電路106，連接至晶片圖樣記憶體123。
控制系統電路160中，作為電腦之控制計算機110，是透過匯流排120而連接至位置電路107、比較電路108、擴展電路111、參照電路112、平台控制電路114、透鏡控制電路124、遮沒控制電路126、偏向控制電路128、磁碟裝置等記憶裝置109、監視器117、記憶體118、及印表機119。此外，晶片圖樣記憶體123，連接至比較電路108。此外，XY平台105，在平台控制電路114的控制之下藉由驅動機構142而被驅動。驅動機構142中，例如，構成有於X方向、Y方向、θ方向驅動之3軸(X-Y-θ)電動機這樣的驅動系統，使得XY平台105可移動。這些未圖示之X電動機、Y電動機、θ電動機，例如能夠使用步進電動機。XY平台105，藉由XYθ各軸的電動機而可於水平方向及旋轉方向移動。又，XY平台105的移動位置，會藉由雷射測長系統122而被測定，被供給至位置電路107。雷射測長系統122，接收來自鏡216的反射光，藉此以雷射干涉法的原理來將XY平台105的位置予以測長。
電子槍201中，連接有未圖示之高壓電源電路，從高壓電源電路對於電子槍201內的未圖示燈絲(filament)與引出電極(陽極電極)之間施加加速電壓，並且藉由規定的引出電極之電壓施加與規定溫度之陰極加熱，從陰極放出的電子群會被加速，而成為電子束被放出。照明透鏡202、縮小透鏡205、對物透鏡207、及投影透鏡224，226，例如是使用電磁透鏡，皆藉由透鏡控制電路124而受到控制。此外，射束分離器214亦藉由透鏡控制電路124而受到控制。集體遮沒偏向器212、及偏向器228，各自由至少2極的電極群所構成，藉由遮沒控制電路126而受到控制。主偏向器208、及副偏向器209，各自由至少4極的電極群所構成，藉由偏向控制電路128而受到控制。
當基板101為形成有複數個晶片(晶粒)圖樣之半導體晶圓的情形下，該晶片(晶粒)圖樣的圖樣資料會從檢查裝置100的外部輸入，被存儲於記憶裝置109。
此處，圖1中記載了用以說明實施形態1所必須之構成。對檢查裝置100而言，通常具備必要的其他構成亦無妨。
圖2為實施形態1中的成形孔徑陣列構件的構成示意概念圖。圖2中，在成形孔徑陣列基板203，有二維狀的橫(x方向)m列×縱(y方向)n段(m，n為2以上的整數)的孔(開口部)22於x，y方向以規定之排列間距L’形成。另，當多射束的縮小倍率為a倍(當將多射束徑縮小至1/a而照射至基板101的情形)的情形下會成為L’=aL。將該情形下在基板101 上的對於x,y方向之多射束的射束間間距訂為L。實施形態1中，揭示了於x方向並排之m個的孔22，是於-y方向(或+y方向)依序一面恰好位置錯開L’/m一面形成之情形。圖2例子中，揭示了於x方向並排之4個的孔22，是於-y方向依序一面恰好位置錯開L’/4一面形成之情形。藉由該排列，例如會以於y方向為同間隔且在平行並排的假想的複數個直線上以同一間距排列之方式，二維狀地形成複數個孔22。圖2例子中，在對於x軸而言以順時針傾斜了恰好角度θ(=tan-1(1/m))的複數個直線上，複數個孔22以同一間距排列。或是，在和y軸平行的複數個直線上，複數個孔22以同一間距排列，配置於各線上的孔22依序恰好位置錯開L’/4。像這樣，只要使對於XY平台105的移動方向(此處為-x方向)而言並排的m個的孔22之y方向位置依序恰好各錯開L’/m即可。如此一來，形成於成形孔徑陣列基板203的所有孔22，便能夠形成為不和XY平台105為了掃描而做連續移動之移動方向(-x方向)或/及隨著XY平台105的移動而成為於x方向移動之檢查方向重疊。另，孔22的尺寸，當然比L’/m還充分小。接著說明檢查裝置100中的電子光學圖像取得部150的動作。
圖3為實施形態1中的檢查裝置內的射束的軌道說明用圖。從電子槍201(放出源)放出之電子束200(第2電子束)，會藉由照明透鏡202而近乎垂直地對成形孔徑陣列基板203全體做照明。在成形孔徑陣列基板203，如圖2所示，形成有矩形的複數個孔22(開口部)，電子束200對包含所有複 數個孔22之區域做照明。照射至複數個孔22的位置之電子束200的各一部分，會各自通過該成形孔徑陣列基板203的複數個孔22，藉此形成例如圓形的複數個電子束(多射束)(複數個第1電子束)20a~20d(圖1及圖3的實線)。
形成的多射束20a~20d，其後，會形成交叉點(C.O.)，通過了配置於多射束20的交叉點位置之射束分離器214後，藉由縮小透鏡205被縮小，而朝向形成於限制孔徑基板206之中心的孔行進。此處，當藉由配置於成形孔徑陣列基板203與縮小透鏡205之間的集體遮沒偏向器212，而多射束20a~20d全體被集體偏向的情形下，位置會偏離限制孔徑基板206的中心的孔，而藉由限制孔徑基板206被遮蔽。另一方面，未藉由集體遮沒偏向器212被偏向的多射束20a~20d，會如圖1所示通過限制孔徑基板206的中心的孔。藉由該集體遮沒偏向器212的ON/OFF，來進行遮沒控制，射束的ON/OFF受到集體控制。像這樣，限制孔徑基板206，是將藉由集體遮沒偏向器212而被偏向成為射束OFF的狀態之多射束20a~20d予以遮蔽。
然後，藉由從成為射束ON開始至成為射束OFF為止所形成之通過了限制孔徑基板206的射束群，形成多射束20a~20d。通過了限制孔徑基板206的多射束20a~20d，會藉由對物透鏡207而合焦，成為期望之縮小率的圖樣像(射束徑)，然後藉由主偏向器208及副偏向器209，通過了限制孔徑基板206的多射束20全體朝同方向被整體偏向，照射至各射束於基板101上的各自之照射位置。
該情形下，藉由主偏向器208，將多射束20全體做集體偏向以便各射束各自照射欲掃描之後述單位檢查區域的基準位置，並且進行追蹤偏向以便跟隨XY平台105的移動。然後，藉由副偏向器209，將多射束20全體做集體偏向以便各射束掃描各自相對應之單位檢查區域內。一次所照射之多射束20，理想上會成為以成形孔徑陣列基板203的複數個孔22的排列間距aL乘上上述期望的縮小率(1/a)而得之間距而並排。像這樣，電子束鏡柱102，一次會將二維狀的m×n道的多射束20照射至基板101。由於多射束20被照射至基板101的期望之位置，從基板101會放出和多射束20的各射束相對應之2次電子的束(多2次電子300)(圖1及圖3的虛線)。
從基板101放出的多2次電子300，藉由對物透鏡207，朝多2次電子300的中心側被折射，而朝向形成於限制孔徑基板206之中心的孔行進。通過了限制孔徑基板206的多2次電子300，藉由縮小透鏡205被折射成和光軸近乎平行，而朝射束分離器214行進。
此處，射束分離器214是在和多射束20行進的方向(光軸)正交之面上，令電場與磁場於正交之方向產生。電場和電子的行進方向無關而對同一方向施力。相對於此，磁場會遵循弗萊明左手定則而施力。因此藉由電子的侵入方向能夠使作用於電子之力的方向變化。對於從上側朝射束分離器214侵入而來的多射束20(1次電子束)，電場所造成的力與磁場所造成的力會相互抵消，多射束20會朝下方直 進。相對於此，對於從下側朝射束分離器214侵入而來的多2次電子300，電場所造成的力與磁場所造成的力皆朝同一方向作用，多2次電子300會朝斜上方被彎折。
朝斜上方被彎折了的多2次電子300，藉由投影透鏡224、226，一面被折射一面被投影至多檢測器222。多檢測器222，檢測被投影的多2次電子300。多檢測器222，具有未圖示之二極體型的二維感測器。然後，在和多射束20的各射束相對應之二極體型的二維感測器位置，多2次電子300的各2次電子會衝撞二極體型的二維感測器，產生電子，對於後述每個像素生成2次電子圖像資料。當多檢測器222不欲檢測多2次電子300的情形下，只要藉由偏向器228將多2次電子300做遮沒偏向，藉此不使多2次電子300到達受光面即可。
圖4為實施形態1中的掃描動作的一例說明用概念圖。圖4中，基板101的檢查區域30，例如朝向y方向以規定寬度被假想分割成長條狀的複數個條紋區域32。作為基板101，例如合適是針對曝光用光罩基板來適用。例如，會以和一次的多射束20全體的照射所可照射之照射區域34的寬度的自然數倍相同之寬度，被假想分割成長條狀的複數個條紋區域32。圖4例子中，是以和照射區域34相同之寬度被假想分割成長條狀的複數個條紋區域32。此外，各條紋區域32，是以和照射區域34相同之尺寸被分割成複數個單位檢查區域33。首先，使XY平台105移動，調整以使得一次的多射束20的照射所可照射之照射區域34位於從第1 個條紋區域32的左端起算比第1個條紋區域32還單位檢查區域33的1個尺寸份外側之位置，開始掃描動作。實施形態1中，藉由使XY平台105朝-x方向連續移動來相對地使照射區域34朝x方向連續移動。
藉由該動作，會依序逐漸掃描於x方向並排之複數個單位檢查區域33。在掃描第1個條紋區域32時，使XY平台105例如朝-x方向移動，藉此便相對地往x方向逐漸進行描繪動作。第1個條紋區域32的檢查用之多射束照射結束後，使平台位置朝-y方向移動，調整以使得照射區域34相對地於y方向位於從第2個條紋區域32的右端起算更右側之位置，這次則使XY平台105例如朝x方向移動，藉此朝向-x方向同樣地進行多射束照射。在第3個條紋區域32朝向x方向做多射束照射，在第4個條紋區域32朝-x方向做多射束照射，像這樣一面交互地改變方向一面掃描，藉此能夠縮短檢查時間。但，並不限於該一面交互改變方向一面掃描之情形，在描繪各條紋區域32時，設計成朝向同一方向進行掃描亦無妨。藉由因通過成形孔徑陣列構件203的各孔22而形成之多射束20，最大會同時檢測對應於和各孔22同數量的複數個射束(1次電子束)之2次電子的束所造成之多2次電子300。
圖5為實施形態1中的多射束的照射區域與測定用像素的一例示意圖。圖5中，各條紋區域32例如以多射束的射束尺寸被分割成網目狀的複數個網目區域。該各網目區域，成為測定用像素36(單位照射區域)。又，揭示在照射 區域34內，一次的多射束20的照射所可照射之複數個測定用像素28(1擊發時的射束的照射位置)。換言之，相鄰測定用像素28間的x、y方向的間距L會成為多射束20的各射束間的間距。圖5例子中，將相鄰4個測定用像素28當中1個測定用像素28訂為矩形的4隅的1者，以該測定用像素28為起點於x，y方向以L×L包圍之區域當中，藉由於x方向為L、於-y方向為L/M的尺寸之矩形區域來構成1個格子29。圖5例子，揭示各格子29(個別射束掃描區域)由8×2像素所構成之情形。
圖6為實施形態1中的掃描動作的細部的一例說明用概念圖。圖6中，揭示當掃描某1個單位檢查區域33(照射區域34)之情形的一例。在1個照射區域34內，會成為於x、y方向(二維狀地)排列m×n(L/M)個格子29。該狀態下，電子束鏡柱102(鏡柱的一例)，會使用藉由在直線上以同一間距排列的射束列並排複數列之複數個電子束(第1電子束)所構成的多射束20，在XY平台105朝-x方向(規定的方向)連續移動之期間，以多射束20的射束的照射區域不和平行於XY平台105的移動方向(-x方向)之方向重疊之方式對基板101照射多射束20，藉此在基板101上掃描。具體而言，XY平台105朝-x方向連續移動，藉此相對地多射束20的照射區域34一面連續地朝x方向移動，一面在該單位檢查區域33內做掃描(掃描動作)。圖6例子中，揭示1個單位檢查區域33與多射束20的照射區域34以一致之方式重疊的狀態。構成多射束20的各射束，會負責彼此相異之其中一個 格子29。然後，於各擊發時，各射束，會照射相當於負責格子29內的同一位置之1個測定用像素36。圖6例子中，各射束，於第1擊發會照射負責格子29內的從最下段左邊起算第1個的測定用像素36。然後，藉由副偏向器209將多射束20全體集體朝y方向使射束偏向位置平移恰好1個測定用像素36份，於第2擊發照射負責格子29內的從下方數來第2段的左邊起算第1個的測定用像素36。然後，藉由副偏向器209將多射束20全體集體朝x方向使射束偏向位置平移恰好1個測定用像素36份，於第3擊發照射負責格子29內的從下方數來第2段的左邊起算第2個的測定用像素36。然後，藉由副偏向器209將多射束20全體集體朝-y方向使射束偏向位置平移恰好1個測定用像素36份，於第4擊發照射負責格子29內的從下方數來第1段的左邊起算第2個的測定用像素36。反覆該動作，以1個射束依序逐漸照射1個格子29內的所有測定用像素36。1次的擊發中，藉由因通過成形孔徑陣列構件203的各孔22而形成之多射束，最大會一口氣檢測對應於和各孔22同數量的複數個擊發之2次電子的束所造成之多2次電子300。在多射束20掃描完負責的格子29內的所有測定用像素36之前，主偏向器208，會將多射束20偏向(做追蹤動作)以跟隨XY平台105的移動，以免因XY平台105的移動導致偏向位置偏離。一旦多射束20掃描完各自負責的格子29內的所有測定用像素36，主偏向器208，會做追蹤重置，將多射束20全體的偏向位置集體挪移，以使各射束照射至於x方向鄰接之各自負責的下一格 子29的第1擊發的像素36之位置。然後，同樣地進行掃描動作。
另，此處雖以第1擊發、第2擊發、．．．這樣將擊發區隔來說明，但多射束20亦可進行逐線掃描(raster scan)動作，即不對每個像素36將射束設為ON/OFF而是一面持續照射一面使偏向位置移動。
像以上這樣，各射束會掃描各自對應之1個格子29。每次藉由多射束20之擊發，會從被照射的測定用像素36朝上方放出2次電子。像這樣，多檢測器222會檢測由於對基板101照射多射束20而從基板101放出之2次電子。多檢測器222，對每個測定用像素36(或每個格子29)檢測從各測定用像素36朝上方放出之多2次電子300。
像以上這樣藉由使用多射束20做掃描，相較於以單射束掃描的情形能夠高速地達成掃描動作(測定)。
圖7為實施形態1中的掃描動作的另一例說明用概念圖。如圖7所示，在基板101的檢查區域330，例如朝向x、y方向陣列狀地各自以規定的寬度形成有複數個晶片332(晶粒)。在此，作為檢查對象的基板101，合適是適應於半導體基板(例如晶圓)。各晶片332，例如是以30mm×25mm的尺寸形成於基板101上。圖樣檢查，會對每個晶片332實施。各晶片332的區域，例如會以和一次的多射束20全體的照射所可照射之照射區域34相同的x，y方向寬度被假想分割成複數個單位檢查區域33。首先，使XY平台105移動，調整以使得一次的多射束20的照射所可照 射之照射區域34位於從第1個晶片332的4個角的其中一者(例如左上端)的單位檢查區域33之位置起算朝外側(-x方向側)偏離了恰好1個單位檢查區域33份之位置，開始掃描動作。掃描動作的內容，和圖5及圖6中已說明的內容同樣。如上述般，實施形態1中，藉由使XY平台105朝-x方向連續移動來相對地一面使照射區域34朝x方向連續移動一面藉由多射束20逐漸掃描各單位檢查區域33。於y方向同一段的朝x方向並排之所有的單位檢查區域33之掃描結束後，使平台位置朝-y方向移動，將於y方向相同之下一段的朝x方向並排之各單位檢查區域33藉由多射束20同樣地逐漸掃描。反覆該動作，1個晶片332的區域之掃描結束後，使XY平台105移動，對於下一晶片332的4隅的其中一者(例如左上端)的單位檢查區域33同樣地進行掃描動作。藉由反覆該動作，針對所有的晶片332逐漸掃描。
實施形態1中，例如當以條紋區域32單位來進行掃描的情形下，只要使XY平台105(例如朝-x方向)連續移動恰好條紋區域32的長邊方向(例如x方向)的長度及前後各1個照射區域34份即可。例如，當以晶片332單位來進行掃描的情形下，只要使XY平台105(例如朝-x方向)連續移動恰好晶片332的x方向的長度及前後各1個照射區域34份即可。
圖8A至圖8C為實施形態1的比較例中的掃描動作說明用圖。
圖9A至圖9C為實施形態1的比較例中的被掃描而得之 圖像說明用圖。
圖10揭示實施形態1的比較例中的多射束的排列狀態。如圖10所示，實施形態1的比較例中，設想了使用於縱橫(x，y方向)以行列狀排列複數個射束之多射束來進行掃描動作之情形。也就是說，設想了各射束不朝y方向偏移而沿著x方向以規定的間距排列之情形。圖10例子中，揭示4×4的多射束20。當於x，y方向各自以間距L排列的情形下，各射束的個別射束掃描範圍，會成為由相鄰4個射束所包圍之L×L的正方形區域。圖8A中，揭示圖10所示之4×4的多射束20當中，於x、y方向2×2的射束1~4所掃描之範圍。圖8A中，射束1、2於x方向重疊。同樣地，射束3、4於x方向重疊。藉由使XY平台105朝-x方向連續移動，如圖8A所示，圖樣會被送至射束2、4的掃描範圍。然後，圖樣的左側半邊藉由射束2、4而受到掃描，得到如圖9A所示般圖樣的左側半邊的第1次的圖像。其後，隨著XY平台105的移動，如圖8B所示，圖樣的右半邊重疊於射束2、4的掃描範圍、圖樣的左半邊重疊於射束1、3的掃描範圍。然後，圖樣的右半邊藉由射束2、4而受到掃描，已經得到圖像的圖樣的左半邊藉由射束1、3而再度受到掃描。如此一來，如圖9B所示，會得到圖樣的左側半邊的第2次的圖像與圖樣的右半邊的第1次的圖像。其後，又隨著XY平台105的移動，如圖8C所示，圖樣的右半邊重疊於射束1、3的掃描範圍。然後，圖樣的右半邊藉由射束1、3而受到掃描，得到如圖9C所示般圖樣的右半邊的第2次的圖像。像 以上這樣，若射束20a~20d於XY平台105的移動方向重疊、或是掃描範圍重疊，則圖樣的圖像會重複取得。因此，會耗費取得不需要的圖像之時間，即使令XY平台105連續移動，產能的提升效果也沒有效率。鑑此，實施形態1中，藉由錯開射束的配置位置來謀求產能的提升。
圖11揭示實施形態1中的多射束的排列狀態。圖11例子中，揭示4×4的多射束20。揭示了於x，y方向各自以間距L排列之情形。但，實施形態1中，將y方向的各段的於x方向並排之射束20a~20d依序以各L/m(圖11例子中為L/4)依序朝-y方向錯開而配置。換言之，當於x，y方向配置m×n道的射束的情形下，將y方向的各段的於x方向並排之射束20a~20d沿著朝順時針錯開恰好角度θ(=tan-1(1/m))之直線而配置。實施形態1中，在成形孔徑陣列基板203，以不和XY平台105連續移動的移動方向(-x方向)重疊之方式，且在以相同間隔平行地並排之複數個直線上以同一間距排列之方式，二維狀地形成了複數個孔22。電子束200(第2電子束)是以對該成形孔徑陣列基板203的複數個孔22全體照明之方式照射，電子束200的一部分各自通過複數個孔22，藉此便能形成不和XY平台105的移動方向重疊之多射束20。如此一來，1道射束的掃描範圍(格子29)，於x，y方向，能夠做成L×L/m的矩形區域。像這樣，將多射束20予以偏向之偏向區域(掃描範圍：格子29)的尺寸，於XY平台105的移動方向(-x方向)及於和XY平台105的移動方向正交的方向(y方向)係相異。和XY平台105的移 動方向正交的方向(y方向)能夠做成較小。像這樣，電子束鏡柱101，是以掃描範圍於x、y方向相異之方式，將多射束20予以偏向，藉此在基板101上掃描。
圖12為實施形態1中的掃描動作的細部的一例說明用之另一概念圖。XY平台105朝-x方向連續移動，藉此相對地多射束20的照射區域34一面連續地朝x方向移動，一面將圖樣做掃描(掃描動作)。如圖12所示，y方向的各段的於x方向並排之射束20a~20d被配置成不和XY平台105的移動方向(-x方向)重疊，並且各射束20a~20d的掃描範圍(格子29)亦被配置成不和XY平台105的移動方向(-x方向)重疊。故，當使XY平台105連續移動的情形下，能夠消弭將同一區域以相異的複數個射束重複掃描之情事。
圖13A與圖13B為實施形態1與比較例之產能比較圖。圖13A中，作為比較例，揭示了於縱橫(x、y方向)以行列狀排列4×2道射束之情形。y方向各段的於x方向並排之4個射束會彼此重複掃描，因此結果來說，等同於藉由於y方向並排之2段的射束將相異的區域同時掃描。故，會獲得以1道單射束掃描之情形的2倍產能。另一方面，圖13B中，作為實施形態1，是將y方向各段的於x方向並排之4個射束朝-y方向依序以掃描範圍(格子29)不重疊之方式予以錯開，故等同於藉由於y方向並排之8段的射束將相異的區域同時掃描。故，會獲得以1道單射束掃描之情形的8倍產能。
像以上這樣，電子光學圖像取得部150，是使用不和 XY平台105連續移動的移動方向(-x方向)重疊之複數個電子束所造成的多射束20，在形成有圖形圖樣之被檢查基板101上掃描，而檢測因被多射束20照射而從被檢查基板101放出的多2次電子300。掃描(scan)的方式、及多2次電子300的檢測方式如同上述。藉由多檢測器222檢測出的來自各測定用像素36之2次電子的檢測資料，會依測定順序被輸出至檢測電路106。在檢測電路106內，藉由未圖示之A/D變換器，類比的檢測資料被變換成數位資料，存儲於晶片圖樣記憶體123。然後，在蓄積了1個條紋區域32份(或晶片332份)的檢測資料之階段，會作為條紋圖樣資料(或晶片圖樣資料)，和來自位置電路107的示意各位置之資訊一起被傳送至比較電路108。
另一方面，並行於或前後於多射束掃描及2次電子檢測工程，會作成參照圖像。
作為參照圖像作成工程，擴展電路111及參照電路112這些參照圖像作成部，當基板101為半導體基板的情形下，會基於當將曝光用光罩的光罩圖樣曝光轉印至半導體基板時之定義有基板上的曝光影像之曝光影像資料，來作成和由複數個像素36所構成的檢查單位區域33的測定圖像(電子光學圖像)相對應之區域的參照圖像。亦可使用用來形成將複數個圖形圖樣曝光轉印至基板101之曝光用光罩的身為原稿之描繪資料(設計資料)，來取代曝光影像資料。擴展電路111及參照電路112這些參照圖像作成部，當基板101為曝光用光罩的情形下，會基於用來將複數個圖 形圖樣形成至基板101之身為原稿之描繪資料(設計資料)，來作成和由複數個像素36所構成的檢查單位區域33的測定圖像(電子光學圖像)相對應之區域的參照圖像。電子光學圖像，亦可將解析度設為比像素36還粗糙，而作成以格子29或是於y方向將m個格子29並排而成的矩形區域作為1個像素之圖像。在該情形下，參照圖像亦同樣地，將解析度設為粗糙，而作成以格子29或是於y方向將m個格子29並排而成的矩形區域作為1個像素之單位檢查區域33為單位的圖像即可。當以格子29或是於y方向將m個格子29並排而成的矩形區域作為1個像素的情形下，可將格子29或是於y方向將m個格子29並排而成的矩形區域內的圖樣所占之占有率設為階度值。
具體而言係如下述般動作。首先，擴展電路111，從記憶裝置109透過控制計算機110讀出描繪資料(或是曝光影像資料)，將讀出的描繪資料(或是曝光影像資料)中定義之各檢查單位區域33的各圖形圖樣變換成二元值或多元值的影像資料，此影像資料被送至參照電路112。
在此，描繪資料(或是曝光影像資料)中定義之圖形，例如是以長方形或三角形作為基本圖形之物，例如，存儲有藉由圖形的基準位置之座標(x、y)、邊的長度、區別長方形或三角形等圖形種類之作為識別符的圖形代碼這些資訊來定義各圖樣圖形的形狀、大小、位置等而成之圖形資料。
該作為圖形資料之描繪資料(或是曝光影像資料)一旦 被輸入至擴展電路111，就會擴展到每個圖形的資料，而解譯示意該圖形資料的圖形形狀之圖形代碼、圖形尺寸等。然後，將二元值或多元值之設計圖像資料予以擴展、輸出，作為配置於以規定的量子化尺寸的格子為單位之格盤格內的圖樣。換言之，將設計資料讀入，對於將檢查區域予以假想分割成以規定尺寸為單位之棋盤格而成的每個棋盤格，演算設計圖樣中的圖形所占之占有率，而輸出n位元的占有率資料。例如，合適是將1個棋盤格設定作為1像素。然後，若訂定令1像素具有1/28(=1/256)的解析力，則將1/256的小區域恰好分配至配置於像素內之圖形的區域份，來演算像素內的占有率。然後，輸出至參照電路112作為8位元的占有率資料。該棋盤格，可做成和測定用像素36同尺寸。另，當以格子29或是於y方向將m個格子29並排而成的區域作為像素的情形下，該棋盤格，可做成和格子29或是於y方向將m個格子29並排而成的矩形區域同尺寸。
接著，參照電路112，對被送來的圖形的影像資料亦即設計圖像資料施加適當的濾波處理。從檢測電路106獲得的作為光學圖像之測定資料，係處於由於電子光學系統而濾波起作用之狀態，換言之處於連續變化的類比狀態，因此藉由對圖像強度(濃淡值)為數位值之設計側的影像資料亦即設計圖像資料也施加濾波處理，便能契合測定資料。依此方式，作成和檢查單位區域33的測定圖像(光學圖像)比較之設計圖像(參照圖像)。作成的參照圖像之圖像 資料被輸出至比較電路108，被輸出至比較電路108內的參照圖像，各自存儲於記憶體。
圖14為實施形態1中的比較電路的內部構成示意圖。圖14中，在比較電路108內，配置磁碟裝置等的記憶裝置50,52、分割部56、對位部58、及比較部60。分割部56、對位部58、及比較部60這些各「~部」，包含處理電路，該處理電路中，包含電子電路、電腦、處理器、電路基板、量子電路、或是半導體裝置等。此外，各「~部」亦可使用共通的處理電路(同一處理電路)。或是，亦可使用相異的處理電路(個別的處理電路)。在分割部56、對位部58、及比較部60內必要的輸入資料或是演算出的結果會隨時被記憶於未圖示之記憶體。
被傳送的條紋圖樣資料(或是晶片圖樣資料)，會和來自位置電路107的示意各位置之資訊一起暫時地存儲於記憶裝置50。同樣地，參照圖像資料，會和示意設計上的各位置之資訊一起暫時地存儲於記憶裝置52。
接著，分割部56，將條紋圖樣資料(或是晶片圖樣資料)依每個檢查單位區域33予以分割，生成複數個圖框(frame)圖像。
接著，對位部58，以比像素36還小的次像素單位，將圖框圖像(測定圖像)與參照圖像做對位。例如，可以最小平方法進行對位。
然後，比較部60，將該圖框圖像與參照圖像依每個像素36予以比較。比較部60，遵照規定的判定條件依每個像 素36比較兩者，例如判定有無形狀缺陷這些缺陷。例如，若每個像素36的階度值差比判定閾值Th還大則判定為缺陷。然後，比較結果被輸出。比較結果，可藉由記憶裝置109、監視器117、記憶體118、或是印表機119被輸出。當為以格子29或是於y方向將m個格子29並排而成的矩形區域作為像素之圖像的情形下，可將像素36置換成格子29或是於y方向將m個格子29並排而成的矩形區域。
像以上這樣，按照實施形態1，即使於使用了在直線上以同一間距排列的射束列並排複數列之多射束20的圖樣檢查中當使XY平台105連續移動的情形下，仍能夠不將基板101上的同一小區域送至複數個射束的掃描範圍。故，於使用了在直線上以同一間距排列的射束列並排複數列之多射束的圖樣檢查中，能夠提升產能。
另，上述例子中，雖說明了各射束的掃描範圍構成為於x方向訂為L、於y方向訂為L/m而不和其他射束的掃描範圍重疊之情形，但並不限於此。例如，亦可設計成將y方向的掃描範圍Scany訂為L/m≦Scany≦2L/m，而於y方向部分地疊合。故，只要以多射束的各射束的照射區域的中心於平行於平台的移動方向之方向不和其他射束的照射區域重疊之方式來進行射束掃描即可。如此一來，雖產能會降低，但能消弭由於誤差等而未被掃描之區域。此外，針對x方向亦將追蹤範圍窄化，藉此能夠將x方向的掃描範圍Scanx訂為Scanx≦L。
實施形態2.
實施形態1中，是構成為在形成多射束之時間點，將形成位置本身形成在不和XY平台105的移動方向重疊之位置。但，並不限於此。實施形態2中的檢查裝置的構成和圖1相同。此外，以下除特別說明的點以外之內容，均與實施形態1相同。
圖15為實施形態2中的在檢查對象基板上之射束排列的一例示意圖。實施形態2中，在成形孔徑陣列基板203，並未將y方向各段的於x方向並排之複數個射束朝y方向錯開。也就是說，是沿著x方向將m個射束列不變動地朝y方向並排n段而排列。換言之多射束20，於x、y方向以行列狀排列。單純這樣的話，會如上述比較例般，各段的於x方向並排之射束列會於XY平台105的移動方向(-x方向)重疊，故會導致將同一區域以於x方向並排之射束列予以重複掃描。鑑此，實施形態2中，如圖15所示，是在將m×n道的多射束20照射至基板101上之前，將多射束20像例如順時針地令其旋轉恰好角度0(=tan-1(1/m))。實施形態2中，是以電子光學系統令多射束20的像旋轉，以免和XY平台105連續移動的移動方向(-x方向)重疊。具體而言，多射束20像的旋轉角θ，只要調整透鏡控制電路124對縮小透鏡205及對物透鏡207這些電子光學系統激磁之電流值即可。或是，亦可追加配置圖1中未圖示之靜電透鏡等對像的旋轉造成影響之電子光學系統，而藉由對該靜電透鏡施加之電位來調整。或是，亦可令成形孔徑陣列基板203本 身旋轉。
藉由令多射束20像旋轉，各射束的掃描範圍會受到旋轉所造成之變化量△的影響。
圖16A至圖16D為實施形態2中的旋轉變化量說明用圖。圖16A中，揭示了當沒有成形孔徑陣列基板203的旋轉的情形下之各射束的掃描範圍的影像。圖16B中，揭示了當令成形孔徑陣列基板203旋轉了的情形下之各射束的掃描範圍的影像。若將旋轉的有無所造成之各射束的掃描範圍予以重疊，則如圖16C所示，例如在y方向尺寸會變化恰好變化量△。利用圖16C所示之三角形，計算變化量△，則由圖16D所示之關係，能夠以△=2L(sin(α/2))2來定義。利用該變化量△，求出各射束的掃描範圍。實施形態2中的掃描範圍(格子29)，於x方向成為(L-△)、於y方向成為(L-△)/m。
像以上這樣，在令多射束像旋轉了的狀態下，即使令XY平台105一面連續移動一面掃描，仍能如同實施形態1般，不將基板101上的同一小區域送至複數個射束的掃描範圍。故，於使用了在直線上以同一間距排列的射束列並排複數列之多射束的圖樣檢查中，能夠提升產能。
另，如同實施形態1般，亦可將y方向的掃描範圍Scany訂為(L-△)/m≦Scany≦2(L-△)/m，而於y方向部分地疊合。如此一來，雖產能會降低，但能消弭由於誤差等而未被掃描之區域。此外，針對x方向亦將追蹤範圍窄化，藉此能夠將x方向的掃描範圍Scanx訂為Scanx≦(L- △)。
實施形態3.
實施形態2中，說明了對於XY平台105的連續移動方向，令多射束像的基板101上的位置旋轉之構成。但，並不限於此。實施形態3中的檢查裝置的構成和圖1相同。此外，以下除特別說明的點以外之內容，均與實施形態1或實施形態2相同。
圖17為實施形態3中的在檢查對象基板上之射束排列的一例示意圖。實施形態3中，是令XY平台105的連續移動方向逆時針地旋轉恰好角度θ(=tan-1(1/m))，來取代令多射束像旋轉。換言之多射束20，於x、y方向以行列狀排列。然後，XY平台105，於基板101上受到掃描的期間，是朝讓於x、y方向以行列狀排列之多射束20的射束彼此不會重疊之方向傾斜而連續移動。實施形態3中，是藉由平台控制電路114，將平台驅動的x、y座標系變換成令其旋轉恰好角度θ而成之x’、y’座標系，再令XY平台105朝x’方向一面連續移動一面進行掃描動作即可。實施形態3中的掃描範圍(格子29)，如同實施形態2般，於x’方向成為(L-△)、於y’方向成為(L-△)/m。
像以上這樣，在令XY平台105的連續移動方向旋轉了的狀態下，即使令XY平台105一面連續移動一面掃描，仍能如同實施形態1般，不將基板101上的同一小區域送至複數個射束的掃描範圍。故，於使用了在直線上以同一間距 排列的射束列並排複數列之多射束的圖樣檢查中，能夠提升產能。
另，如同實施形態2般，亦可將y’方向的掃描範圍Scany訂為(L-△)/m≦Scany≦2(L-△)/m，而於y’方向部分地疊合。如此一來，雖產能會降低，但能消弭由於誤差等而未被掃描之區域。此外，針對x’方向亦將追蹤範圍窄化，藉此能夠將x’方向的掃描範圍Scanx訂為Scanx≦(L-△)。
圖18A與圖18B為實施形態1的比較例2中的像素尺寸與產能之關係的一例示意圖。
圖19A與圖19B為實施形態1中的像素尺寸與產能之關係的一例示意圖。
比較例2中，如圖18B所示，使用於y方向將11道射束並排而成的射束列僅1列所構成之1×11道的多射束。將使用該1列的多射束，令XY平台105朝-x方向一面連續移動一面進行掃描動作的情形下之產能和像素尺寸建立關聯而如圖18A所示。藉由增大每1道射束所照射之像素尺寸(增大射束徑)，能夠縮短每1片基板的檢查時間(H/W)，能夠提升產能(T/P)。實施形態1中，如圖19B所示，使用於y方向將11道射束並排而成的射束列將射束位置朝y方向各錯開L/m而配置之11×11道的多射束。將使用該11×11道的多射束，令XY平台105朝-x方向一面連續移動一面進行掃描動作的情形下之產能和像素尺寸建立關聯而如圖19A所示。藉由增大每1道射束所照射之像素尺寸(增大射束 徑)，相較於比較例2能夠更縮短每1片基板的檢查時間(H/W)，相較於比較例2能夠更提升產能(T/P)。該結果，在實施形態1中，是因為於x方向並排的射束不和XY平台105的移動方向重疊才能得到。針對實施形態2、3亦同。
以上說明中，一連串的「~電路」包含處理電路，該處理電路中，包含電子電路、電腦、處理器、電路基板、量子電路、或是半導體裝置等。此外，各「~電路」亦可使用共通的處理電路(同一處理電路)。或是，亦可使用相異的處理電路(個別的處理電路)。令處理器等執行之程式，可記錄於磁碟裝置、磁帶裝置、FD、或是ROM(唯讀記憶體)等的記錄媒體。
以上已一面參照具體例一面針對實施形態做了說明。但，本發明並非限定於該些具體例。
此外，針對裝置構成或控制手法等對於本發明說明非直接必要之部分等雖省略記載，但能夠適當選擇使用必要之裝置構成或控制手法。
其他具備本發明之要素，且所屬技術領域者可適當變更設計之所有電子束檢查裝置及電子束檢查方法，均包含於本發明之範圍。
雖已說明了本發明的幾個實施形態，但該些實施形態僅是提出作為例子，並非意圖限定發明範圍。該些新穎之實施形態，可以其他各種形態來實施，在不脫離發明要旨之範圍內，能夠進行各種省略、置換、變更。該些實施形態或其變形，均包含於發明範圍或要旨當中，且包含於申 請專利範圍所記載之發明及其均等範圍內。

Claims (10)

  1. 一種電子束檢查裝置，其特徵為，具備：可移動的平台，載置檢查對象基板；及鏡柱，使用藉由在直線上以同一間距排列的射束列並排複數列之複數個第1電子束所構成的多射束，在前述平台朝規定的方向連續移動之期間，以前述多射束的各射束的照射區域的中心於和前述平台的移動方向平行之方向不和其他射束的照射區域重疊之方式對前述基板照射前述多射束，藉此在前述基板上掃描；及檢測器，檢測由於對前述基板照射前述多射束而從前述基板放出之2次電子；前述鏡柱，是以將前述多射束予以偏向之偏向區域的尺寸於前述平台的移動方向及於和前述平台的移動方向正交的方向為相異之方式，將前述多射束予以偏向，藉此在前述基板上掃描。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之電子束檢查裝置，其中，前述鏡柱，具有：放出源，放出第2電子束；及成形孔徑陣列基板，以各電子束的照射區域的中心於前述平台連續移動的前述移動方向不和其他射束的照射區域重疊之方式，且以在以相同間隔平行地並排之複數個直線上以同一間距排列之方式，二維狀地形成複數個開口 部，接受前述第2電子束的照射而使前述複數個開口部全體被照明，前述第2電子束的一部分各自通過前述複數個開口部，藉此形成藉由前述複數個第1電子束所構成之前述多射束。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之電子束檢查裝置，其中，前述鏡柱，具有：電子光學系統，以各電子束的照射區域的中心於前述平台連續移動的前述移動方向不和其他射束的照射區域重疊之方式，令前述多射束的像旋轉。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之電子束檢查裝置，其中，前述多射束，行列狀地排列，前述平台，於前述基板上受到掃描的期間，朝行列狀地排列之前述多射束的射束彼此不會重疊之方向連續移動。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之電子束檢查裝置，其中，將和前述平台的移動方向正交之方向的射束間間距除以於前述平台的移動方向並排的射束數而得之尺寸，會成為前述偏向區域的和前述平台的移動方向正交之方向的尺寸。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之電子束檢查裝置，其 中，前述平台的移動方向的射束間間距，會成為前述偏向區域的前述平台的移動方向的尺寸。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之電子束檢查裝置，其中，前述多射束的各射束，於各自相對應之前述偏向區域內，朝前述平台的移動方向及朝和前述平台的移動方向正交之方向受到偏向。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之電子束檢查裝置，其中，前述多射束的各射束的偏向量，於各自相對應之前述偏向區域內，於前述平台的移動方向及於和前述平台的移動方向正交之方向係相異。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之電子束檢查裝置，其中，當前述多射束的各射束掃描於前述平台的移動方向及於和前述平台的移動方向正交之方向為尺寸相異的各自相對應之前述偏向區域內的情形下，前述多射束集體朝同一方向掃描。
  10. 一種電子束檢查方法，其特徵為，使用藉由在直線上以同一間距排列的射束列並排複數列之複數個第1電子束所構成的多射束，在載置檢查對象基板之平台連續移動之期間，以前述多射束的各射束的照射區域的中心於和前述平台的移動方向平行之方向不和其 他射束的照射區域重疊之方式對前述基板照射前述多射束，藉此在前述基板上掃描，檢測由於對前述基板照射前述多射束而從前述基板放出之2次電子，以將前述多射束予以偏向之偏向區域的尺寸於前述平台的移動方向及於和前述平台的移動方向正交的方向為相異之方式，將前述多射束予以偏向，藉此在前述基板上掃描。
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