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TW201812114A - 基板固持器及使用該基板固持器之鍍覆裝置 - Google Patents

基板固持器及使用該基板固持器之鍍覆裝置 Download PDF

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TW201812114A
TW201812114A TW106119231A TW106119231A TW201812114A TW 201812114 A TW201812114 A TW 201812114A TW 106119231 A TW106119231 A TW 106119231A TW 106119231 A TW106119231 A TW 106119231A TW 201812114 A TW201812114 A TW 201812114A
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宮本松太郎
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荏原製作所股份有限公司
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Abstract

本發明提供一種不使用板簧，而具有新定位構造之基板固持器及使用該基板固持器之鍍覆裝置。該基板固持器具有：具有可與基板接觸而構成之第一面的第一保持構件；及與第一保持構件一起夾著基板而保持之第二保持構件。第一保持構件具有將接觸於第一面之基板定位於第一面的指定位置之定位構件。定位構件係構成在與基板之周緣部接觸，並在第一面之指定位置定位基板的第一位置、以及不與基板接觸的第二位置之間移動。第二保持構件具有以第一保持構件與第二保持構件保持基板時，使定位構件位於第一位置而構成的驅動構件。

Description

基板固持器及使用該基板固持器之鍍覆裝置
本發明係關於一種基板固持器及使用該基板固持器之鍍覆裝置。
例如，在TAB(膠帶自動接合(Tape Automated Bonding))及倒裝片之製造中，係廣泛進行在形成了導線之半導體晶片表面的指定部位形成由金、銅、焊錫或鎳、或多層堆疊此等之金屬構成的突起狀連接電極(凸塊)。經由該凸塊而將半導體晶片與封裝體之電極及TAB電極電性連接。該凸塊之形成方法包含電解鍍覆法、蒸鍍法、印刷法、球凸塊法等各種方法。近年來隨著半導體晶片之I/O數量增加及窄間距化，而多採用可微細化且性能比較穩定之電解鍍覆法。
電解鍍覆法大致上分為杯式與浸漬式。杯式係將半導體晶圓等基板之被鍍覆面朝下(Face Down)水平放置，並從下方噴上鍍覆液而在基板上進行鍍覆。浸漬式係將基板垂直豎立在鍍覆槽中，從鍍覆槽下方注入鍍覆液，藉由使其溢流而在基板上進行鍍覆。採用浸漬式之電解鍍覆法具有排除對鍍覆品質造成不良影響之氣泡佳，且腳印小的優點。因而，適合鍍覆孔之尺寸比較大，且鍍覆需要長時間之凸塊鍍覆。
過去採用浸漬式之電解鍍覆裝置中使用裝卸自如地保持半 導體晶圓等基板的基板固持器。該基板固持器係密封基板之端面與背面，而使基板表面(被鍍覆面)露出。藉由使該基板固持器與基板一起浸漬於鍍覆液中，而在基板表面進行鍍覆。
基板固持器為了使電流在基板表面流動而具有接觸於基板表面之電接點。例如，在以一對保持構件裝卸自如地保持基板之基板固持器中，係在一方保持構件中設電接點。並在另一方保持構件之支撐面裝載了基板的狀態下，藉由以此等保持構件保持基板而電接點接觸於基板表面。
此種基板固持器係板簧狀形成上述電接點，以此等保持構件保持基板時，係進行藉由設於一方保持構件之電接點，而將支撐面上之基板定心於支撐面中央(參照專利文獻1)。亦即，係使電接點接觸於基板緣部，利用電接點之彈性力而將基板在中心方向施力。
【先前技術文獻】
【專利文獻】
[專利文獻1]日本專利第4162440號
由於此種電接點係藉由板簧之彈性力而將基板在中心方向施力，因此各電接點之彈性力不均勻時，正確進行基板之定心(定位)困難。此外，基板藉由板簧之彈性力來定心(定位)時還有以下問題。亦即，板簧之彈性力係依板簧活動部無負載時之位置、負載時之位置及尺寸來決定，另外，板簧在特性上管理此等設定困難，且正確微調整彈性力困難。為了提高設定基板之定心(定位)能力，板簧宜為高剛性。但是，板簧之 剛性高時，板簧施加於基板之負荷提高，最壞情況下有損傷基板之虞。反之，使用剛性低之板簧時，則可抑制基板損傷。但是剛性低之板簧存在對基板的定心(定位)能力低之問題。因此，不致損傷基板而適切進行基板之定心(定位)即成為課題。
此外，專利文獻1中，因對基板固持器複數次進行基板之裝卸而電接點產生金屬疲勞情況下，亦有無法正確進行基板定心之虞。再者，專利文獻1之基板固持器中設置複數個電接點。此等電接點係消耗品，且僅更換複數個電接點之一部分。如此將舊的電接點與新的電接點安裝於基板固持器時，會有每個電接點彈性力不同之虞，結果有無法正確進行基板定心之虞。
本發明係鑑於上述問題而形成者，其目的之一為提供一種不使用板簧而具有新的定位構造之基板固持器、及使用該基板固持器之鍍覆裝置。
本發明一種形態提供一種基板固持器。該基板固持器具有：第一保持構件，其係具有可與基板接觸而構成之第一面；及第二保持構件，其係與前述第一保持構件一起夾著前述基板而保持。前述第一保持構件具有定位構件，其係將接觸於前述第一面之前述基板定位於前述第一面的指定位置。前述定位構件係構成在與前述基板之周緣部接觸，並在前述第一面之指定位置定位前述基板的第一位置、以及不與前述基板接觸的第二位置之間移動。前述第二保持構件具有驅動構件，其係構成以前述第一保持構件與前述第二保持構件保持前述基板時，使前述定位構件位於前述第一 位置。
採用該一種形態時，定位構件係在第一位置與第二位置之間移動，以第一保持構件與第二保持構件保持基板時，驅動構件可將定位構件移動至第一位置。藉此，即使定位構件不使用具有彈性力之板簧，仍可藉由驅動構件使定位構件移動至第一位置來定位基板。亦即，可將基板正確定位於第一位置，即在固定位置保持基板。此外，由於定位構件無須使用板簧，因此可以樹脂及金屬等剛體形成定位構件。因而，消除因板簧彈性力不均勻而無法確保充分之基板定位精度的問題。如過去以板簧構造定位基板時，為了確保用於充分施力基板之彈性力，板簧構造需要保持某種程度之寬度。但是，採用此一形態時，由於定位構件無須使用板簧，因此可以剛體形成定位構件，結果，可使定位構件寬度(基板周方向寬度)比過去小。進而由於可縮小定位構件寬度，因此可增大該部分饋電部寬度，而可在基板之大致全周配置饋電部。結果可在基板上均勻流入電流，可使形成於基板之鍍覆膜的面內均勻性提高。
本發明一種形態提供一種基板固持器。該基板固持器具有：第一保持構件，其係具有可與基板接觸而構成之第一面；及第二保持構件，其係與前述第一保持構件一起夾著前述基板而保持。前述第二保持構件具有定位構件，其係將接觸於前述第一面之前述基板定位於前述第一面的指定位置。前述定位構件係構成在與前述基板之周緣部接觸，並在前述第一面之指定位置定位前述基板的第一位置、以及不與前述基板接觸的第二位置之間移動。前述第一保持構件具有驅動構件，其係構成以前述第一保持構件與前述第二保持構件保持前述基板時，使前述定位構件位於前述第一 位置。
採用該一種形態時，定位構件係在第一位置與第二位置之間移動，以第一保持構件與第二保持構件保持基板時，驅動構件可將定位構件移動至第一位置。藉此，即使定位構件不使用具有彈性力之板簧，仍可藉由驅動構件使定位構件移動至第一位置來定位基板。亦即，可將基板正確定位於第一位置，即在固定位置保持基板。此外，由於定位構件無須使用板簧，因此可以樹脂及金屬等剛體形成定位構件。因而，消除因板簧彈性力不均勻而無法確保充分之基板定位精度的問題。如過去以板簧構造定位基板時，為了確保用於充分施力基板之彈性力，板簧構造需要保持某種程度之寬度。但是，採用此一形態時，由於定位構件無須使用板簧，因此可以剛體形成定位構件，結果，可使定位構件寬度(基板周方向寬度)比過去小。進而由於可縮小定位構件寬度，因此可增大該部分饋電部寬度，而可在基板之大致全周配置饋電部。結果可在基板上均勻流入電流，可使形成於基板之鍍覆膜的面內均勻性提高。
本發明一種形態中，前述定位構件或/及前述驅動構件係由剛體而形成。
採用該一種形態時，定位構件或/及驅動構件係由剛體形成。如過去以板簧構造定位基板時，為了確保用於充分施力基板之彈性力，板簧構造需要保持某種程度之寬度。但是，定位構件以剛體形成情況下，可使定位構件寬度(基板周方向寬度)比過去小。進而由於可縮小定位構件寬度，因此可增大該部分饋電部寬度，而可在基板之大致全周配置饋電部。結果可在基板上均勻流入電流，可使形成於基板之鍍覆膜的面內均勻 性提高。
本發明一種形態中，前述定位構件或/及前述驅動構件係由芳香族聚醚酮而形成。
採用該一種形態時，定位構件或/及驅動構件係由芳香族聚醚酮而形成。芳香族聚醚酮例如包含：PEK(聚醚酮)、PEEK(聚醚醚酮)、PEKK(聚醚酮酮)、及PEEKK(聚醚醚酮酮)、以及此等之複合材料等。芳香族聚醚酮特別是PEEK係具有良好加工性與剛性之樹脂(剛體)。因此，藉由以芳香族聚醚酮特別是PEEK形成定位構件或/及驅動構件，可比較輕易地加工定位構件或/及驅動構件。此外，由於芳香族聚醚酮特別是PEEK具有良好之耐疲勞性、耐磨耗性、耐藥品性，因此，即使以基板固持器反覆裝卸基板，定位構件或/及驅動構件仍難以破損且不易受到鍍覆液的影響。
本發明一種形態中，前述驅動構件係由合成樹脂而形成。
採用該一種形態時，驅動構件係由合成樹脂形成。合成樹脂例如可包含PVC(聚氯乙烯)及芳香族聚醚酮等。芳香族聚醚酮例如包含：PEK(聚醚酮)、PEEK(聚醚醚酮)、PEKK(聚醚酮酮)、及PEEKK(聚醚醚酮酮)、以及此等之複合材料等。芳香族聚醚酮特別是PEEK係具有良好加工性與剛性之樹脂(剛體)。因此，藉由以芳香族聚醚酮特別是PEEK形成驅動構件，可比較輕易地加工驅動構件。此外，由於芳香族聚醚酮特別是PEEK具有良好之耐疲勞性、耐磨耗性、耐藥品性，因此，即使以基板固持器反覆裝卸基板，驅動構件仍難以破損且不易受到鍍覆液的影響。
本發明一種形態中，基板固持器具有施力構件，其係配置於前述第一保持構件或前述第二保持構件與前述定位構件之間，而將前述定 位構件施力於前述第二位置。
採用該一種形態時，定位構件在未藉由驅動構件移動至第一位置中，係藉由施力構件施力於第二位置。藉此，未以第一保持構件與第二保持構件保持基板時，由於定位構件係自動位於第二位置，因此可將基板輕易裝卸於基板固持器。
本發明一種形態中，基板固持器具有插銷，其係轉動自如地支撐前述定位構件，前述定位構件藉由以前述插銷為中心轉動，而在前述第一位置與前述第二位置之間移動。
採用該一種形態時，由於定位構件藉由插銷而轉動自如地支撐，因此與例如定位構件在第一位置與第二位置之間水平方向或鉛直方向移動時比較，可縮小定位構件之移動空間及設置空間。進而可抑制基板固持器之尺寸大型化。
本發明一種形態中，前述定位構件具有前端部，前述前端部分歧成第一前端部與第二前端部，前述第一前端部在以前述第一保持構件與前述第二保持構件保持前述基板之狀態下係位於前述基板的徑方向內側，前述第二前端部在以前述第一保持構件與前述第二保持構件保持前述基板之狀態下係位於前述基板的徑方向外側，前述第一前端部構成可與前述基板接觸，前述第二前端部構成可與前述驅動構件接觸。
採用該一種形態時，定位構件具有第一前端部與第二前端部，第一前端部與第二前端部分歧。換言之，可在第一前端部與第二前端部之間產生空間。定位基板時，驅動構件與第二前端部接觸而將定位構件移動至第一位置，對應於此，移動至第一位置之定位構件的第一前端部與 基板接觸。此時，藉由在第一前端部與第二前端部之間存在空間，第一前端部具有一些彈性可與基板接觸。如此，即使為尺寸有數mm差異之基板，第一前端部可吸收其數mm之尺寸差，而藉由定位構件將不同尺寸之基板定位。另外，第一前端部與第二前端部間之空間亦可係空隙，亦可埋入任何彈性體。
本發明一種形態中，前述第一保持構件具有引導構件，其係將前述基板引導至前述第一面上的指定位置。
採用該一種形態時，將基板配置於支撐面時，可輕易配置於指定區域。
本發明一種形態中，前述第一保持構件或前述第二保持構件具有：基板密封構件，其係密封前述第二保持構件與前述基板之間；及固持器密封構件，其係密封前述第二保持構件與前述第一保持構件之間。
本發明一種形態中，具有饋電部，其係饋電至前述基板，前述饋電部係構成在前述基板周方向之95%以上的長度與前述基板接觸。
採用該一種形態時，由於饋電部在基板之大致全周與基板接觸，因此可使流入基板表面之電流的均勻性提高。
本發明一種形態提供一種鍍覆裝置，係使用上述基板固持器在基板上進行鍍覆處理。
30‧‧‧基板固持器
31‧‧‧第一保持構件
32‧‧‧第二保持構件
33‧‧‧支撐面
34‧‧‧固定夾
35‧‧‧手臂
36‧‧‧密封固持器
37‧‧‧壓環
37a‧‧‧突條部
38‧‧‧外部接點部
39‧‧‧基板密封構件
40‧‧‧固持器密封構件
41‧‧‧固定環
41a‧‧‧錐形面
42‧‧‧間隔物
43‧‧‧支撐座
44‧‧‧活動座
44a‧‧‧凹部
44c‧‧‧凹部
45‧‧‧突起
46‧‧‧壓縮彈簧
48‧‧‧階部
50‧‧‧饋電接點
51‧‧‧第一端部
52‧‧‧第二端部
53‧‧‧基座引導機構
54‧‧‧引導軸桿
54a‧‧‧止動器
55‧‧‧軸桿座
55a‧‧‧凸緣
60‧‧‧中繼接點
70‧‧‧定位構件
72‧‧‧支撐構件
72a‧‧‧結合部
72b‧‧‧分歧部
73‧‧‧止動器
74‧‧‧固定手段
75‧‧‧前端部
75a‧‧‧第一前端部
75b‧‧‧第二前端部
75c‧‧‧錐形面
75d‧‧‧鉤部
76‧‧‧支臂部
77‧‧‧插銷
78‧‧‧O型環
78'‧‧‧彈簧
79‧‧‧長孔
80‧‧‧接觸部
85‧‧‧引導構件
86‧‧‧板狀部
87‧‧‧錐形面
90‧‧‧突起部
91‧‧‧錐形面
39'‧‧‧基板密封構件
100‧‧‧匣盒
102‧‧‧匣盒台
104‧‧‧對準器
106‧‧‧自旋沖洗乾燥器
110‧‧‧鍍覆槽
114‧‧‧鍍覆單元
120‧‧‧基板裝卸部
122‧‧‧基板搬送裝置
124‧‧‧暫存盒
126‧‧‧預濕槽
128‧‧‧預浸槽
130a‧‧‧第一洗淨槽
130b‧‧‧第二洗淨槽
132‧‧‧噴吹槽
136‧‧‧溢流槽
140‧‧‧基板固持器搬送裝置
142‧‧‧第一輸送機
144‧‧‧第二輸送機
150‧‧‧軌道
152‧‧‧裝載板
160‧‧‧槳葉驅動部
162‧‧‧槳葉從動部
Wf‧‧‧基板
第一圖係使用第一種實施形態之基板固持器進行鍍覆處理的鍍覆裝置整體配置圖。
第二圖係第一種實施形態之基板固持器的分解立體圖。
第三圖係基板固持器之第一保持構件的部分俯視圖。
第四圖係保持基板之狀態的基板固持器在厚度方向切斷面之部分放大剖面圖。
第五圖係顯示基座引導機構之放大剖面圖。
第六圖係第三圖所示之引導構件的概略立體圖。
第七圖係第三圖所示之定位構件的立體圖。
第八圖係安裝於活動基座之狀態的定位構件立體圖。
第九圖係顯示定位構件之縱剖面的立體圖。
第十圖係顯示定位構件在第一位置狀態而保持基板狀態下基板固持器在厚度方向切斷面之部分放大剖面圖。
第十一A圖係顯示進行基板之定位的步驟概略圖。
第十一B圖係顯示進行基板之定位的步驟概略圖。
第十一C圖係顯示進行基板之定位的步驟概略圖。
第十二圖係顯示定位構件之變形例而保持基板狀態下基板固持器在厚度方向切斷面之部分放大剖面圖。
第十三圖係第二種實施形態之基板固持器的第一保持構件部分立體圖。
第十四圖係第二種實施形態之基板固持器的定位構件立體圖。
第十五圖係顯示將第二保持構件安裝於第一保持構件之前第二種實施形態的基板固持器之概略剖面圖。
第十六圖係顯示將第二保持構件安裝於第一保持構件之時第二種實施形態的基板固持器之概略剖面圖。
第十七圖係顯示將第一保持構件安裝於第二保持構件之前第三種實施形態的基板固持器之概略剖面圖。
第十八圖係顯示將第一保持構件安裝於第二保持構件時第三種實施形態之基板固持器的概略剖面圖。
<第一種實施形態>
以下，參照圖式說明本發明之實施形態。以下說明之圖式中，在同一或相當之元件上註記同一符號，並省略重複之說明。第一圖係使用第一種實施形態之基板固持器進行鍍覆處理的鍍覆裝置整體配置圖。如第一圖所示，該鍍覆裝置具有：2台匣盒台102；將基板之定向平面(Orientation Flat)或凹槽等位置對準指定方向的對準器104；及使鍍覆處理後之基板高速旋轉而乾燥的自旋沖洗乾燥器106。匣盒台102搭載收納半導體晶圓等基板之匣盒100。在自旋沖洗乾燥器106附近設有裝載基板固持器30並進行基板裝卸之基板裝卸部120。在此等單元100、104、106、120之中央配置有在此等單元間搬送基板之由搬送機器人構成的基板搬送裝置122。
基板裝卸部120具備沿著軌道150在橫方向滑動自如之平板狀的裝載板152。2固基板固持器30以水平狀態橫向裝載於該裝載板152上，在一方基板固持器30與基板搬送裝置122之間進行基板交接後，裝載板152在橫方向滑動，並在另一方基板固持器30與基板搬送裝置122之間進行基板交接。
鍍覆裝置進一步具有：暫存盒124、預濕槽126、預浸槽128、第一洗淨槽130a、噴吹槽132、第二洗淨槽130b、及鍍覆槽110。暫存盒124 係進行基板固持器30之保管及暫時放置。預濕槽126係將基板浸漬於純水中。預浸槽128係蝕刻除去形成於基板表面之種層等導電層表面的氧化膜。第一洗淨槽130a係以洗淨液(純水等)將預浸後之基板與基板固持器30一起洗淨。噴吹槽132係進行洗淨後之基板的排液。第二洗淨槽130b係以洗淨液將鍍覆後之基板與基板固持器30一起洗淨。基板裝卸部120、暫存盒124、預濕槽126、預浸槽128、第一洗淨槽130a、噴吹槽132、第二洗淨槽130b、及鍍覆槽110係依該順序配置。
該鍍覆槽110例如係在溢流槽136內部收納複數個鍍覆單元114而構成。各鍍覆單元114係構成在內部收納1個基板，並使基板浸漬於保持在內部的鍍覆液中，對基板表面實施銅鍍覆等鍍覆。
鍍覆裝置具有位於此等各設備之側方，在此等各設備之間與基板一起搬送基板固持器30之例如採用線性馬達方式的基板固持器搬送裝置140。該基板固持器搬送裝置140具有：第一輸送機142、及第二輸送機144。第一輸送機142係以在基板裝卸部120、暫存盒124、預濕槽126、預浸槽128、第一洗淨槽130a及噴吹槽132之間搬送基板的方式構成。第二輸送機144係以在第一洗淨槽130a、第二洗淨槽130b、噴吹槽132、及鍍覆槽110之間搬送基板的方式構成。鍍覆裝置亦可不具第二輸送機144而僅具備第一輸送機142。
在溢流槽136之兩側配置有驅動位於各鍍覆單元114內部作為攪拌鍍覆單元114內之鍍覆液的攪混棒的槳葉之槳葉驅動部160及槳葉從動部162。
說明該鍍覆裝置進行之一連串鍍覆處理的一例。首先，從搭 載於匣盒台102之匣盒100，由基板搬送裝置122取出1個基板，並將基板搬送至對準器104。對準器104將定向平面及凹槽等位置對準指定方向。經該對準器104對準方向之基板藉由基板搬送裝置122搬送至基板裝卸部120。
在基板裝卸部120中，藉由基板固持器搬送裝置140之第一輸送機142同時握持2個收容於暫存盒124中的基板固持器30而搬送至基板裝卸部120。而後，將2個基板固持器30同時水平裝載於基板裝卸部120之裝載板152上。在該狀態下，基板搬送裝置122搬送基板至各個基板固持器30，並以基板固持器30保持搬送之基板。
其次，以基板固持器搬送裝置140之第一輸送機142同時握持2個保持了基板的基板固持器30，並收納於預濕槽126中。其次，藉由第一輸送機142將保持了經預濕槽126處理後之基板的基板固持器30搬送至預浸槽128，藉由預浸槽128蝕刻基板上之氧化膜。繼續，將該保持了基板之基板固持器30搬送至第一洗淨槽130a，以收納於該第一洗淨槽130a之純水清洗基板表面。
保持了清洗結束後之基板的基板固持器30，藉由第二輸送機144從第一洗淨槽130a搬送至鍍覆槽110，並收納於裝滿鍍覆液之鍍覆單元114中。第二輸送機144依序反覆進行上述程序，並將保持了基板之基板固持器30依序收納於鍍覆槽110的各個鍍覆單元114中。
各個鍍覆單元114係在鍍覆單元114中之陽極(無圖示)與基板之間施加鍍覆電壓，同時藉由槳葉驅動部160及槳葉從動部162使槳葉與基板表面平行地往返移動，而在基板表面進行鍍覆。
鍍覆結束後，藉由第二輸送機144同時握持2個保持了鍍覆後 之基板的基板固持器30而搬送至第二洗淨槽130b，使其浸漬在收容於第二洗淨槽130b之純水中來純水洗淨基板表面。其次，藉由第二輸送機144將基板固持器30搬送至噴吹槽132，藉由吹送空氣等除去附著於基板固持器30之水滴。然後藉由第一輸送機142將基板固持器30搬送至基板裝卸部120。
基板裝卸部120係藉由基板搬送裝置122從基板固持器30取出處理後之基板並搬送至自旋沖洗乾燥器106。自旋沖洗乾燥器106藉由高速旋轉使鍍覆處理後之基板高速旋轉而乾燥。乾燥後之基板藉由基板搬送裝置122送回匣盒100。
其次，詳細說明第一圖所示之基板固持器30。第二圖係第一種實施形態之基板固持器30的分解立體圖。如第二圖所示，基板固持器30具有：例如氯乙烯製且矩形平板狀之第一保持構件31；及對該第一保持構件31裝卸自如而構成之第二保持構件32。該基板固持器30藉由以第一保持構件31與第二保持構件32夾著晶圓等基板而保持基板。在基板固持器30之第一保持構件31的概略中央部設置用於支撐基板之支撐面33(相當於第一面的一例)。此外，在第一保持構件31之支撐面33外側，沿著支撐面33周圍等間隔設有複數個具有突出於內方之突出部的倒L字狀固定夾34。
在基板固持器30之第一保持構件31端部連結有搬送或懸掛支撐基板固持器30時成為支撐部的一對手臂35。在第一圖所示之暫存盒124中，藉由在暫存盒124之周壁上面掛上手臂35，而垂直地懸掛支撐基板固持器30。此外，藉由第一輸送機142或第二輸送機144握持該懸掛支撐之基板固持器30的手臂35來搬送基板固持器30。
此外，在一個手臂35上設有與外部電源電性連接之外部接點 部38。該外部接點部38經由複數條導線而與設於支撐面33外周之複數個中繼接點60(參照第三圖、第四圖等)電性連接。
第二保持構件32具備環狀之密封固持器36。在第二保持構件32之密封固持器36中旋轉自如地安裝有用於將密封固持器36按壓於第一保持構件31而固定的壓環37。壓環37在其外周部具有突出於外方之複數個突條部37a。突條部37a之上面與固定夾34之內方突出部的下面具有沿著旋轉方向彼此反方向傾斜的錐形面。
保持基板時，首先，在從第一保持構件31拆卸第二保持構件32之狀態下將基板裝載於第一保持構件31的支撐面33，並將第二保持構件32安裝於第一保持構件31。繼續，使壓環37順時鐘旋轉，而使壓環37之突條部37a滑入固定夾34的內方突出部之內部(下側)。藉此，經由分別設於壓環37與固定夾34之錐形面，將第一保持構件31與第二保持構件32彼此緊固而鎖定來保持基板。解除基板之保持時，在鎖定第一保持構件31與第二保持構件32之狀態下，使壓環37逆時鐘旋轉。藉此，壓環37之突條部37a從倒L字狀的固定夾34脫離而解除基板之保持。
第三圖係基板固持器30之第一保持構件31的部分俯視圖。如圖示，基板固持器30之第一保持構件31具有：支撐座43；及從支撐座43分離之概略圓板狀的活動座44。支撐面33設於活動座44上。此外，第一保持構件31具有沿著支撐面33周圍而在支撐面33之全周配置於支撐座43的中繼接點60。如上述，中繼接點60與第二圖所示之外部接點部38電性連接。此外，第一保持構件31具有用於將配置於支撐面33之基板定位的複數個定位構件70。圖示之例係將4個定位構件70設於活動座44的外周部附近。進一步 第一保持構件31具有用於將基板引導於支撐面33上之指定位置的複數個引導構件85。
第四圖係保持基板之狀態的基板固持器30在厚度方向切斷面之部分放大剖面圖。如圖示，在第二保持構件32之密封固持器36與第一保持構件31相對的面設置：基板密封構件39、及固持器密封構件40。基板密封構件39係構成以基板固持器30保持基板Wf時，接觸於基板Wf外周部而密封基板Wf表面與密封固持器36之間。基板密封構件39亦可如本實施形態與第二保持構件32裝卸自如地設置。此外，基板密封構件39亦可構成將具有與基板Wf接觸而密封基板Wf周緣部之功能的突起部(或是由彈性體構成之構成部)與第二保持構件32一體不可分。固持器密封構件40比基板密封構件39設於徑方向外側，而構成與第一保持構件31之支撐座43接觸。藉此，固持器密封構件40可密封密封固持器36與支撐座43之間。基板密封構件39及固持器密封構件40夾在密封固持器36與經由螺栓等旋緊件而安裝於密封固持器36的固定環41之間而安裝於密封固持器36。另外，圖示之實施形態係將基板密封構件39與固持器密封構件40設於第二保持構件32上，不過，亦可取而代之將此等密封構件設於第一保持構件31上。
在第二保持構件32之密封固持器36的外周部設置階部，該階部中經由間隔物42旋轉自如地安裝有壓環37。壓環37係由對酸的耐腐蝕性優異、且具有充分剛性之金屬(例如鈦)構成。間隔物42係由摩擦係數低之材料，例如由PTFE(聚四氟乙烯)構成，使壓環37可順利旋轉。
如第三圖所示，第一保持構件31具有：支撐座43、及活動座44。支撐座43係概略平板狀，並在以基板固持器30保持了基板Wf時與固持 器密封構件40接觸。設於活動座44之支撐面33在以基板固持器30保持了基板Wf時支撐基板Wf的外周部。支撐座43在與活動座44相對之面具有：突起45、及圓筒狀的壓縮彈簧46。第四圖係顯示1個突起45及1個壓縮彈簧46，不過，係沿著支撐面33之周方向配置複數個突起45及壓縮彈簧46。壓縮彈簧46配置成為繞突起45的周圍，且將活動座44施力於從支撐座43離開的方向。在活動座44與支撐座43相對之面設置插入壓縮彈簧46的一部分之凹部44a。
活動座44對抗壓縮彈簧46之施加力，並在接近支撐座43之方向移動自如地安裝於支撐座43。藉此，以基板固持器30保持厚度不同之基板Wf時，活動座44依基板Wf之厚度對抗壓縮彈簧46的施加力(彈力)而在接近支撐座43之方向移動。因此，基板固持器30即使保持厚度不同之基板Wf時，基板密封構件39與固持器密封構件40仍可分別適切地接觸基板Wf與支撐座43。
具體而言，將第二保持構件32與第一保持構件31鎖定並以基板固持器30保持基板Wf時，基板密封構件39接觸沿著基板固持器30所保持之基板Wf外周部的位置，固持器密封構件40則接觸第一保持構件31之支撐座43表面。此時，活動座44對應於基板Wf之厚度而對支撐座43移動。亦即，基板Wf之厚度愈厚，活動座44對支撐座43之移動量愈大。
因此，該基板固持器30係基板Wf之厚度愈厚，壓縮彈簧46之應變(縮小)量增加大致對應於基板Wf厚度增加部分之量的程度，因而活動座44對支撐座43之移動量變大。如此，由於活動座44之移動量依基板Wf的厚度而變化，因此將基板密封構件39之壓縮尺寸保持在一定範圍狀態 下，可以基板固持器30保持厚度不同之基板Wf。
第五圖係顯示基座引導機構之放大剖面圖。基板固持器30以活動座44可對支撐座43順利移動之方式而具有基座引導機構53。基座引導機構53具有：由固定於支撐座43之螺栓等構成的引導軸桿54；及固定於活動座44之具有凸緣55a的概略圓筒狀之軸桿座55。引導軸桿54插通軸桿座55的內部。藉此，活動座44構成可沿著引導軸桿54外周面對支撐座43移動。引導軸桿54例如係不銹鋼製，而軸桿座55例如係潤滑性佳之樹脂製。為使活動座44不致對支撐座43在橫方向移動，引導軸桿54之外徑與軸桿座55的內徑之差可設定為0.05mm~0.16mm。
圖示之例係使用構成引導軸桿54之螺栓頭部作為止動器54a，並藉由壓縮彈簧46(參照第四圖)之彈力而使軸桿座55之凸緣55a抵接於止動器54a。藉此，防止活動座44從支撐座43脫離。此外，圖示之例係在活動座44表面設置凹部44c，引導軸桿54之止動器54a可在該凹部44c中露出。藉此，可經由構成引導軸桿54之螺栓輕易進行活動座44對支撐座43之安裝、拆卸。
返回第四圖作說明。如第四圖所示，在第一保持構件31之支撐座43上設置平板形狀的中繼接點60。第四圖中顯示1個中繼接點60。不過如第三圖所示，中繼接點60係以沿著支撐面33周圍之方式而在支撐座43上設置複數個。中繼接點60藉由無圖示之導線而與第二圖所示之外部接點部38電性連接。中繼接點60之一端側藉由螺絲等任意固定手段固定於支撐座43。此外，以中繼接點60之另一端側成為自由端之方式而在支撐座43上形成階部48。
在第二保持構件32之固定環41的內周面安裝有以基板固持器30保持基板Wf時，與支撐於支撐面33之基板Wf的外周部接觸，而對基板Wf饋電之複數個饋電接點50(相當於饋電部之一例)。第四圖中顯示一個饋電接點50，不過係在固定環41之大致全周安裝有複數個饋電接點50。另外，饋電接點50亦可作為與第二保持構件32不同之構件而安裝於第二保持構件32，亦可與第二保持構件32一體形成。
饋電接點50具有：與基板Wf接觸之複數個第一端部51；及與中繼接點60接觸之複數個第二端部52。饋電接點50宜由不銹鋼等彈簧材料形成。第一端部51係構成以約90°之角度彎曲，且板簧狀突出於前側(支撐面33之中央側)。第一端部51如第四圖所示係構成以基板固持器30保持基板Wf時，與基板Wf之外周部彈性接觸。具體而言，第一端部51在基板固持器30保持基板Wf時，撓曲而與基板Wf之外周部接觸。藉此，饋電接點50之第一端部51可對基板Wf之外周部施加因第一端部51的彈性產生之力，而可與基板Wf確實接觸。此外，第一端部51係在基板Wf周方向之95%以上與基板Wf接觸。
如第四圖所示，饋電接點50之第二端部52在基板固持器30之厚度方向的切斷面具有概略C形之剖面。具體而言，第二端部52在與第一端部51彎曲方向(前側)之相反側彎曲而形成概略C形的剖面。藉此，饋電接點50之第二端部52係構成以第一保持構件31與第二保持構件32保持基板Wf時可對中繼接點60彈性接觸。更具體而言，饋電接點50之第二端部52在第一保持構件31與第二保持構件32保持基板Wf時，係以將中繼接點60朝向第一保持構件31施力之方式而與中繼接點60彈性接觸。藉此，饋電接點50 之第二端部52可對中繼接點60施加因第二端部52的彈性產生之力，而可與中繼接點60確實接觸。此外，由於係構成饋電接點50對中繼接點60彈性接觸，因此如第一種實施形態可將中繼接點60形成平板形狀。因此，無須以不銹鋼等彈簧材料形成中繼接點60，可減低基板固持器30之成本。
另外，第二端部52如第四圖所示係形成具有概略C形剖面，不過，只要以第一保持構件31與第二保持構件32保持基板Wf時第二端部52可對中繼接點60彈性接觸，則第二端部52之形狀不在此限。例如，亦可以第二端部52接觸中繼接點60時撓曲之方式而將第二端部52形成板簧狀、線圈彈簧狀、或彈簧盤狀。
如第四圖所示，第二端部52與中繼接點60接觸之部分形成曲面狀。如此，第二端部52在第一保持構件31與第二保持構件32保持基板Wf時，宜以曲面與中繼接點60接觸。饋電接點50之第二端部52與中繼接點60彈性接觸時，藉由中繼接點60對彈性力之反作用力，第二端部52與中繼接點60之接觸部可能偏離。如第一種實施形態，饋電接點50之第二端部52以曲面與中繼接點60接觸時，即使第二端部52與中繼接點60之接觸部偏離時，仍可緩和第二端部52與中繼接點60間之摩擦。進而在中繼接點60表面被覆用於使導電性提高之鍍金等情況下，可抑制中繼接點60表面之鍍金等剝離。
此外，如第四圖所示，饋電接點50之第二端部52係藉由固定環41及密封固持器36而包圍其上側及後側。換言之，第二保持構件32之固定環41及密封固持器36構成包圍第二端部52與中繼接點60的接觸部以外區域之至少一部分的壁面部。如上述，饋電接點50之第二端部52與中繼接點 60彈性接觸時，藉由中繼接點60對彈性力之反作用力，第二端部52對中繼接點60可能偏離。如第一種實施形態第二端部52對中繼接點60偏離時，第二端部52接觸上述壁面部。因此，可將第二端部52彈性接觸中繼接點60時第二端部52對中繼接點60偏離的變位量，抑制在壁面部與第二端部52之間隙的間隔內。換言之，可抑制第二端部52對第一端部51偏離。
第六圖係第三圖所示之引導構件85的概略立體圖。引導構件85設於第一保持構件31之活動座44。此外，引導構件85具有位於支撐面33外側之板狀部86。板狀部86之前端位於比支撐面33稍上方，且在支撐面33側具有錐形面87。配置於支撐面33之基板Wf藉由板狀部86的錐形面87引導至支撐面33之指定位置。
第七圖係第三圖所示之定位構件70的立體圖。第八圖係安裝於活動座44狀態下之定位構件70的立體圖。第九圖係顯示定位構件70之縱剖面的立體圖。如第七圖至第九圖所示，定位構件70係剖面概略L字型之構件，且具有：與支撐面33概略平行地延伸之支臂部76；及從支臂部76概略正交地延伸至支撐面33上之前端部75。前端部75分歧成第一前端部75a與第二前端部75b。換言之，在第一前端部75a與第二前端部75b之間存在空間。該空間如第七圖至第九圖所示亦可係空隙，亦可以任意彈性體埋入。
第一前端部75a在以第一保持構件31與第二保持構件32保持基板Wf之狀態下位於基板Wf的徑方向內側。換言之，第一前端部75a位於支撐面33之徑方向內側。第二前端部75b在以第一保持構件31與第二保持構件32保持基板Wf之狀態下，比第一前端部75a位於基板Wf之徑方向外側。換言之，第二前端部75b比第一前端部75a位於支撐面33之徑方向內側。在 第二前端部75b之徑方向外側，以第二前端部75b朝向前端側而寬度變小之方式形成錐形面75c。如後述，第一前端部75a具有與基板Wf接觸之面，第二前端部75b具有與固定環41接觸之面。
定位構件70可由任意材料形成。但是，從提高基板Wf之定位精度的觀點而言，定位構件70宜以剛體形成。此外，從定位構件70之加工性、耐疲勞性、耐磨耗性、及耐藥品性之觀點而言，定位構件70更宜由PEK、PEEK、PEKK、及PEEKK、以及此等之複合材料等的芳香族聚醚酮而形成。芳香族聚醚酮特別是PEEK係具有良好加工性及剛性的樹脂(剛體)。因此，藉由以芳香族聚醚酮特別是PEEK形成定位構件70，定位構件70比較容易加工。此外，由於芳香族聚醚酮特別是PEEK具有良好之耐疲勞性、耐磨耗性、耐藥品性，因此即使以基板固持器30反覆裝卸基板Wf，定位構件70仍難破損，且不易受到鍍覆液之影響。
基板固持器30具有用於支撐定位構件70之支撐構件72。支撐構件72具有：結合部72a；及從結合部72a朝向端部而分歧之分歧部72b。結合部72a藉由螺栓等固定手段74而固定於活動座44。分歧部72b構成可夾著定位構件70。定位構件70藉由貫穿分歧部72b之插銷77而轉動自如地支撐。藉此，定位構件70藉由支撐構件72之分歧部72b而轉動自如地支撐。
此外，基板固持器30具有與定位構件70之支臂部76接觸，而限制定位構件70之轉動範圍的止動器73。止動器73藉由固定手段74而固定於支撐構件72。如第九圖所示，在定位構件70的支臂部76與活動座44之間設置將支臂部76施力於支撐面33側的O型環78(相當於施力構件之一例)。
第七圖至第九圖所示之定位構件70構成可在與基板Wf之周 緣部接觸而將基板Wf定位於支撐面33的指定位置之第一位置；及比基板Wf周緣部位於外側，不與基板Wf接觸的第二位置之間移動。具體而言，定位構件70藉由O型環78將支臂部76朝向支撐面33施力，以插銷77為中心轉動，前端部75在從支撐面33之中央側離開的方向移動。藉此，在支撐面33配置了基板Wf之狀態下，定位構件70移動至前端部75不接觸基板之第二位置。另外，所謂基板Wf之周緣部，係指基板Wf之斜角部。換言之，所謂基板Wf之周緣部，係指包含基板Wf之最外周端，實施斜切處理等而對基板Wf之被處理面傾斜的一定範圍區域。
第十圖係顯示定位構件70在第一位置狀態而保持基板Wf狀態下基板固持器30在厚度方向切斷面之部分放大剖面圖。如第十圖所示，固定環41在其內周面具有錐形面41a。定位構件70在第二位置，亦即在未與基板Wf接觸之位置時，以第一保持構件31與第二保持構件32保持基板Wf時，固定環41之錐形面41a與第二前端部75b的錐形面75c接觸，而將第二前端部75b壓入支撐面33之徑方向內側(中央部側)。藉此，第一前端部75a移動至支撐面33的徑方向內側(中央部側)，可將基板Wf定位於指定位置。亦即，該固定環41在以第一保持構件31與第二保持構件32保持基板Wf時發揮使定位構件70移動至第一位置之驅動構件的功能。固定環41可以剛體形成。一個實施例係固定環41可由PVC及芳香族聚醚酮等合成樹脂形成。芳香族聚醚酮可包含PEK、PEEK、PEKK、及PEEKK、以及此等之複合材料等芳香族聚醚酮。
第十一A圖至第十一C圖係顯示進行基板Wf之定位的步驟概略圖。另外，第十一A圖至第十一C圖中簡化顯示基板固持器30之構造。 此外，O型環78係簡化顯示成具有彈性之一般構件的彈簧。如第十一A圖所示，在支撐面33上配置了基板Wf狀態下，將第二保持構件32安裝於第一保持構件31。此時如第十一B圖所示，固定環41之內周面與定位構件70的前端部75外側接觸，而將前端部75壓入支撐面33之中央部側。結果如第十一C圖所示，前端部75之內側與基板Wf的側部接觸，可將基板Wf定位於支撐面33之指定位置，例如定位於中央部。
如以上說明，定位構件70藉由基板固持器30而在第一位置與第二位置之間移動，以第一保持構件31與第二保持構件32保持基板Wf時，固定環41可將定位構件70移動至第一位置。藉此，即使定位構件70不使用具有彈性力之板簧，仍可藉由固定環41使定位構件70移動至第一位置來定位基板Wf。因此，由於定位構件70無須使用板簧，所以可以樹脂及金屬等剛體形成定位構件70。如過去以板簧構造定位基板Wf時，為了確保用於將基板Wf充分施力之彈性力，板簧構造需要具有某種程度之寬度。但是，採用第一種實施形態時，由於定位構件70不需要使用板簧，因此可以剛體形成定位構件70，結果可使定位構件70之寬度(基板Wf周方向之寬度)比過去小。進而由於可縮小定位構件70寬度，因此可增大饋電接點50寬度，而可在基板Wf之大致全周配置饋電接點50。結果可在基板Wf上均勻流入電流，可使形成於基板Wf之鍍覆膜的面內均勻性提高。
此外，第一種實施形態之基板固持器30中，定位構件70因固定環41而未移動至第一位置時，係藉由O型環78施力於第二位置。藉此，未以第一保持構件31與第二保持構件32保持基板Wf時，由於定位構件70自動位於第二位置，因此可將基板Wf輕易裝卸於基板固持器30。
此外，第一種實施形態由於定位構件70係藉由插銷77而轉動自如地支撐，因此例如與定位構件70在第一位置與第二位置之間於水平方向或鉛直方向移動時比較，可縮小定位構件70之移動空間與設置空間。結果可抑制基板固持器30之尺寸大型化。
此外，第一種實施形態係定位構件70具有第一前端部75a與第二前端部75b，且第一前端部75a與第二前端部75b分歧。換言之，在第一前端部75a與第二前端部75b之間存在空間。將基板Wf定位時，固定環41與第二前端部75b接觸而將定位構件70移動至第一位置，藉此第一前端部75a與基板Wf之周緣部接觸。此時，藉由在第一前端部75a與第二前端部75b之間存在空間，第一前端部75a具有一些彈性可接觸基板Wf。如此，即使為尺寸有數mm差異之基板Wf，第一前端部75a仍可吸收該數mm之尺寸差，並藉由定位構件70將不同尺寸之基板Wf定位。
第十二圖係顯示定位構件70之變形例而保持基板狀態下基板固持器30在厚度方向切斷面之部分放大剖面圖。第十二圖所示之定位構件70具有插入插銷77之長孔79。長孔79形成其長度方向與前端部75之延伸方向一致。藉此，定位構件70可藉由插銷77轉動自如地支撐，且沿著長孔79之長度方向滑動。此外，該定位構件70在第一前端部75a具有用於將基板Wf壓入支撐面33之鉤部75d。鉤部75d設置成從第一前端部75a之端部朝向支撐面33的徑方向內側而突出。
定位構件70藉由O型環78將支臂部76施力於支撐面33側。此時，插銷77位於長孔79之下方(第一保持構件31側)。亦即，定位構件70在未與基板Wf接觸之第二位置時插銷77藉由O型環78之施加力而位於長孔79 的下方。因而，第十二圖所示之定位構件70的前端部75在定位構件70位於第二位置時，比第七圖至第十圖所示之定位構件70的前端部75加長突出於支撐面33上方(與支撐座43相反側)之長度。將基板Wf配置於支撐面33並將第二保持構件32安裝於第一保持構件31時，固定環41之錐形面41a與定位構件70的第二前端部75b接觸。此時，首先錐形面41a將第二前端部75b壓入支撐面33之徑方向內側(中央部側)。藉此，第一前端部75a在支撐面33之徑方向內側(中央部側)移動，可將基板Wf定位於指定位置。繼續，錐形面41a將第二前端部75b朝向支撐座43壓入。此時，插銷77在長孔79中滑動，將第一前端部75a之鉤部75d掛在基板Wf邊緣，而將基板Wf按壓於支撐面33。藉此，從基板固持器30取出基板Wf時，可從基板Wf剝離貼合於基板Wf之基板密封構件39。
採用第十二圖所示之定位構件70的變形例時，由於進行基板Wf之定位後，可藉由鉤部75d將基板Wf按壓於支撐面33，因此從基板固持器取出基板Wf時，可從基板Wf剝離基板Wf所視合之基板密封構件39。此外，由於基板固持器30所保持之基板Wf上進行了各種前處理，因此基板Wf上會產生應變。應變之基板Wf由於其緣部之高度在周方向不同，因此在支撐面33上配置應變之基板Wf時，第一前端部75a可能無法到達該緣部。為了使第一前端部75a確實接觸緣部來定位基板Wf，只須加長第一前端部75a之長度即可。但是，由於第一前端部75a之長度受到第一保持構件31與第二保持構件32所包圍之空間的約束，因此無法無限加長。採用第十二圖所示之定位構件70的變形例時，定位構件70係以插銷77位於長孔79下方之方式藉由O型環78而施力於支撐面33側。因而，即使不加長定位構件70之前端部 75，仍可加長突出於支撐面33上方(與支撐座43相反側)之部分的長度。因此，即使保持之基板Wf上有一些應變，第一前端部75a仍容易接觸應變基板Wf邊緣，而可將基板Wf輕易定位。再者，即使是此種應變之基板Wf，仍可藉由鉤部75d按壓於支撐面33，或是從基板固持器取出基板Wf時，可從基板Wf剝離基板Wf所貼合之基板密封構件39。因此，至少可局部消除基板Wf之應變，並且亦可具有剝離貼合於基板Wf之基板密封構件39的作用。此外，由於定位構件70係沿著長孔79朝向支撐座43壓入，因此可輕易收納於第一保持構件31與第二保持構件32所包圍之空間。
<第二種實施形態>
其次，說明本發明第二種實施形態之基板固持器。第二種實施形態之基板固持器可使用第一種實施形態中說明的鍍覆裝置。以下，就第二種實施形態之基板固持器主要說明與第一種實施形態之基板固持器30不同的部分。
第十三圖係第二種實施形態之基板固持器的第一保持構件31之部分立體圖。第二種實施形態之基板固持器30的第一保持構件31在活動座44之側面具有突起部90。第十三圖中顯示1個突起部90，不過係沿著周方向在活動座44之側面等間隔設置複數個突起部90。突起部90在支撐面33側具有錐形面91。錐形面91係以從支撐面33側朝向支撐座43側突起部90之突出量增加的方式形成。突起部90發揮驅動構件之功能，在以第一保持構件31與第二保持構件32保持基板Wf時，使定位構件70移動至定位構件70與基板Wf接觸而將基板Wf定位的第一位置。突起部90可以剛體形成。一個實施例係突起部90可由PVC及芳香族聚醚酮等合成樹脂形成。芳香族聚醚酮 可包含PEK、PEEK、PEKK、及PEEKK、以及此等之複合材料等的芳香族聚醚酮。
第十四圖係第二種實施形態之基板固持器30的定位構件70之立體圖。第二種實施形態之基板固持器30的第二保持構件32具有定位構件70。第一保持構件31之固定環41上藉由螺絲等固定手段固定有支撐構件72。定位構件70經由插銷77而連接於支撐構件72。定位構件70藉由插銷77轉動自如地支撐。定位構件70整體係概略板狀之構件，且在其一端形成包含第一前端部75a與第二前端部75b之前端部75，另一端形成與第十三圖所示之突起部90接觸而構成的接觸部80。在接觸部80與固定環41之間設置作為彈性體之一例的彈簧78'。彈簧78'將接觸部80在從固定環41之內周面離開的方向施力。藉此，前端部75在接近固定環41之內周面的方向施力。
第十五圖係顯示將第二保持構件32安裝於第一保持構件31之前的第二種實施形態之基板固持器30的概略剖面圖。第十六圖係顯示將第二保持構件32安裝於第一保持構件31時之第二種實施形態的基板固持器30之概略剖面圖。另外，第十五圖及第十六圖中係簡化顯示基板固持器30之構造。如第十五圖所示，將第二保持構件32安裝於第一保持構件31之前，定位構件70在不與基板Wf接觸之第二位置。具體而言，如第十五圖所示，接觸部80藉由彈簧78'而朝向支撐面33之徑方向內側施力。另外，定位構件70之前端部75朝向支撐面33之徑方向外側施力。
如第十六圖所示，欲將第二保持構件32安裝於第一保持構件31時，定位構件70之接觸部80藉由突起部90朝向支撐面33之徑方向外側按壓，結果定位構件70轉動，定位構件70之前端部75朝向支撐面33之徑方向 內側移動。藉此，定位構件70之前端部75接觸基板Wf的側部，可將基板Wf定位於支撐面33之指定位置，例如中央部。此外，將基板Wf定位於支撐面33之指定位置的同時或之後，固定環41之基板密封構件39'接觸基板Wf的外周部而密封基板Wf表面與密封固持器36之間。
第二種實施形態之基板固持器30具有與第一種實施形態之基板固持器30同樣的優點。除此之外，第二種實施形態之基板固持器30藉由將定位構件70設於第二保持構件32還具有以下優點。第二種實施形態之基板固持器30由於係將定位構件70設於具有饋電接點50之第二保持構件32，因此定位構件70與饋電接點50之位置關係經由第二保持構件32而固定。因此，藉由定位構件70定位基板Wf，可直接決定基板Wf對饋電接點50之位置。亦即，由於可藉由定位構件70決定饋電接點50與基板Wf之位置關係，因此可使基板Wf之中心至饋電接點50的距離保持一定。藉此，從複數個饋電接點50流入基板Wf之電流均勻，可使形成於基板Wf之鍍覆膜膜厚的面內均勻性提高。
<第三種實施形態>
其次，說明本發明第三種實施形態之基板固持器。第三種實施形態之基板固持器係所謂噴流式或杯式的基板固持器。亦即，第三種實施形態之基板固持器係將基板之被鍍覆面朝下(Face Down)而概略水平地保持。對該基板固持器所保持之基板進行鍍覆時，係在概略水平狀態下將基板浸漬於鍍覆液，或是從下方噴上鍍覆液。第三種實施形態之基板固持器可供以噴流式或杯式之基板固持器進行鍍覆的習知鍍覆裝置來使用。
第三種實施形態之基板固持器的保持機構與第二種實施形 態之基板固持器的保持機構大致相同。另外，第三種實施形態之基板固持器與第二種實施形態比較，基板之保持程序不同。以下，就第三種實施形態之基板固持器主要說明與第二種實施形態之基板固持器30不同的部分。
第十七圖係顯示將第一保持構件31安裝於第二保持構件32之前的第三種實施形態之基板固持器30的概略剖面圖。第十八圖係顯示將第一保持構件31安裝於第二保持構件32時之第三種實施形態的基板固持器30之概略剖面圖。另外，第十七圖及第十八圖中係簡化顯示基板固持器30之構造。如第十七圖所示，第三種實施形態之基板固持器30首先係將基板Wf配置於第二保持構件32的基板密封構件39'上。此時，基板Wf之被鍍覆面朝向圖中下方。
如第十七圖所示，將第一保持構件31安裝於第二保持構件32之前，定位構件70在不與基板Wf接觸之第二位置。具體而言，如第十七圖所示，接觸部80藉由彈簧78'而朝向支撐面33的徑方向內側施力。另外，定位構件70之前端部75朝向支撐面33之徑方向外側施力。
繼續，如第十八圖所示，欲將第二保持構件32安裝於第一保持構件31時，定位構件70之接觸部80藉由突起部90朝向支撐面33的徑方向外側按壓，結果定位構件70轉動，定位構件70之前端部75朝向支撐面33的徑方向內側移動。藉此，定位構件70之前端部75接觸基板Wf的側部，可將基板Wf定位於支撐面33之指定位置，例如中央部。換言之，將基板Wf定位在環狀之基板密封構件39'的指定位置，例如中央部。此外，在將基板Wf定位於支撐面33之指定位置的同時或之後，第一保持構件31之支撐面33將基板Wf按壓於基板密封構件39。藉此，固定環41之基板密封構件39'按壓於基 板Wf的外周部，而密封基板Wf表面與密封固持器36之間。
第三種實施形態之基板固持器30具有與第二種實施形態的基板固持器30同樣之優點。亦即，由於第三種實施形態之基板固持器30係將定位構件70設於具有饋電接點50的第二保持構件32，因此，係經由第二保持構件32固定定位構件70與饋電接點50之位置關係。因此，藉由定位構件70將基板Wf定位，而直接決定基板Wf對饋電接點50之位置。亦即，由於可藉由定位構件70決定饋電接點50與基板Wf之位置關係，因此可將基板Wf中心至饋電接點50之距離保持一定。藉此，從複數個饋電接點50流入基板Wf之電流均勻，可使形成於基板Wf之鍍覆膜膜厚的面內均勻性提高。
以上，係說明本發明之實施形態，不過，上述本發明之實施形態係為了容易瞭解本發明者，而並非限定本發明者。本發明在不脫離其旨趣情況下可變更及改良，並且本發明當然亦包含其等效物。例如，上述發明之實施形態當然亦可適用於杯式之電解鍍覆裝置。此外，亦可適用於使基板浸漬於無電解鍍覆液來進行鍍覆處理的無電解鍍覆裝置。例如，「基板固持器」或「晶圓固持器」之概念，一般而言係及於與基板嚙合可進行基板之移動及定位的零件之各種組合及局部組合。其例例如可將具有：具有可壓縮之前緣密封(Lip Seal)的杯；及可與基板嚙合之圓錐(Cone)；藉由來自圓錐及基板在垂直方向之力壓縮前緣密封，該前緣密封形成液密密封而構成之基板保持構件包含於此概念中。此外，將複數個基板背後對準保持於基板固持器而構成之基板保持構件亦可包含於本發明的實施形態概念中。此外，在可解決上述問題之至少一部分的範圍、或可達到效果之至少一部分的範圍內，申請專利範圍及說明書所記載之各元件可任意組合 或省略。

Claims (12)

  1. 一種基板固持器，其具有：第一保持構件，其係具有可與基板接觸而構成之第一面；及第二保持構件，其係與前述第一保持構件一起夾著前述基板而保持；前述第一保持構件具有定位構件，其係將接觸於前述第一面之前述基板定位於前述第一面的指定位置，前述定位構件係構成在與前述基板之周緣部接觸，並在前述第一面之指定位置定位前述基板的第一位置、以及不與前述基板接觸的第二位置之間移動，前述第二保持構件具有驅動構件，其係構成以前述第一保持構件與前述第二保持構件保持前述基板時，使前述定位構件位於前述第一位置。
  2. 一種基板固持器，其具有：第一保持構件，其係具有可與基板接觸而構成之第一面；及第二保持構件，其係與前述第一保持構件一起夾著前述基板而保持；前述第二保持構件具有定位構件，其係將接觸於前述第一面之前述基板定位於前述第一面的指定位置，前述定位構件係構成在與前述基板之周緣部接觸，並在前述第一面之指定位置定位前述基板的第一位置、以及不與前述基板接觸的第二位置之間移動， 前述第一保持構件具有驅動構件，其係構成以前述第一保持構件與前述第二保持構件保持前述基板時，使前述定位構件位於前述第一位置。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之基板固持器，其中前述定位構件或/及前述驅動構件係由剛體而形成。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之基板固持器，其中前述定位構件或/及前述驅動構件係由芳香族聚醚酮而形成。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之基板固持器，其中前述驅動構件係由合成樹脂而形成。
  6. 如申請專利範圍第1或2項之基板固持器，其中具有施力構件，其係配置於前述第一保持構件或前述第二保持構件與前述定位構件之間，而將前述定位構件施力於前述第二位置。
  7. 如申請專利範圍第1或2項之基板固持器，其中具有插銷，其係轉動自如地支撐前述定位構件，前述定位構件藉由以前述插銷為中心轉動，而在前述第一位置與前述第二位置之間移動。
  8. 如申請專利範圍第1或2項之基板固持器，其中前述定位構件具有前端部，前述前端部分歧成第一前端部與第二前端部，前述第一前端部在以前述第一保持構件與前述第二保持構件保持前述基板之狀態下係位於前述基板的徑方向內側，前述第二前端部在以前述第一保持構件與前述第二保持構件保持 前述基板之狀態下係位於前述基板的徑方向外側，前述第一前端部構成可與前述基板接觸，前述第二前端部構成可與前述驅動構件接觸。
  9. 如申請專利範圍第1或2項之基板固持器，其中前述第一保持構件具有引導構件，其係將前述基板引導至前述第一面上的指定位置。
  10. 如申請專利範圍第1或2項之基板固持器，其中前述第一保持構件或前述第二保持構件具有：基板密封構件，其係密封前述第二保持構件與前述基板之間；及固持器密封構件，其係密封前述第二保持構件與前述第一保持構件之間。
  11. 如申請專利範圍第1或2項之基板固持器，其中具有饋電部，其係饋電至前述基板，前述饋電部係構成在前述基板周方向之95%以上的長度與前述基板接觸。
  12. 一種鍍覆裝置，係使用申請專利範圍第1或2項之基板固持器在基板上進行鍍覆處理。
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