TW201812072A

TW201812072A - 基板處理方法

Info

Publication number: TW201812072A
Application number: TW106128363A
Authority: TW
Inventors: 今井宗幸; 小林典之
Original assignee: 日商東京威力科創股份有限公司
Priority date: 2016-08-24
Filing date: 2017-08-22
Publication date: 2018-04-01
Also published as: US20180061657A1; JP6670707B2; TWI727085B; JP2018032720A; US10141195B2

Abstract

本發明提供一種在存在有複數含矽膜之環境中，可選擇性地去除特定含矽膜之基板處理方法。

在晶圓中，第1含矽膜係形成於晶圓的表面中之凹部的底面，第2含矽膜係形成於凹部的兩側，使用由八氟環丁烷氣體所生成之電漿而於晶圓的表面形成碳系沉積膜，再對晶圓施予COR處理及PHT處理。

Description

基板處理方法

本發明關於一種選擇性地去除特定含矽膜之基板處理方法。

近年來，已進行了許多具有多層配線構造之半導體元件的開發。多層配線構造中，有在例如被挾置在2個層間膜之凹部的底部處設置有矽所構成的鰭之情況(例如，參閱專利文獻1)。另外，上述般的構造中，雖有以含矽膜來將底部的鰭覆蓋之情況，但為了形成電極等而有將含矽膜加以去除的情況。由於多層配線構造具有非常微細且複雜的構造，因此對含矽膜的去除來說，較佳為不須蝕刻停止層，且為了去除存在於微細間隙的含矽膜而具有等方向性之蝕刻手法，例如，較佳係使用化學性蝕刻處理，例如COR(Chemical Oxide Removal)處理。

[先前技術文獻]

[專利文獻]

專利文獻1：美國專利申請案公開第2012/0313170號說明書

然而，由於層間膜亦係由含矽膜所構成，故會因COR處理而被去除，有層間膜變薄之虞。若層間膜變薄，則會產生例如閘極長度變短，使得電晶體中之開關的控制變得困難，導致半導體元件的良率惡化之問題。

本發明之目的係提供一種在存在有複數含矽膜之環境中，可選擇性地去除特定含矽膜之基板處理方法。

為達成上述目的，本發明之基板處理方法係對表面具有凹部且於該凹部的底面形成有第1含矽膜，而該凹部的兩側則形成有第2含矽膜之基板所施加之基板處理方法，具有以下步驟：使碳系沉積物沉積在該基板的表面之步驟；對該基板施予使用處理氣體來使含矽膜變質為反應生成物之COR處理來去除該第1含矽膜之步驟；以及去除該沉積後的碳系沉積物之步驟。

依據本發明，第1含矽膜係形成於基板的表面中之凹部的底面，第2含矽膜係形成於凹部的兩側，基板的表面係沉積有碳系沉積物。此時，第2含矽膜會沉積有碳系沉積物，另一方面，由於碳系沉積物不會到達凹部的底面，故第1含矽膜不會沉積有碳系沉積物。於是，在COR處理中，處理氣體便會與第1含矽膜接觸而使第1含矽膜變質為反應生成物，另一方面，處理氣體不會與第2含矽膜接觸，故不會使第2含矽膜變質為反應生成物。其結果，便可在存在有第1含矽膜及第2含矽膜之環境中，透過反應生成物的昇華來選擇性地去除第1含矽膜(特定含矽膜)。

W‧‧‧晶圓

10‧‧‧基板處理系統

33、41‧‧‧凹部

34、39‧‧‧第1含矽膜

35‧‧‧兩側

36、43‧‧‧第2含矽膜

37‧‧‧碳系沉積膜

38、42‧‧‧鰭

40‧‧‧氮化膜

圖1係概略顯示實行本發明實施型態相關的基板處理方法之基板處理系統的構成之平面圖。

圖2係用以說明在形成有複數鰭之含矽膜形成沉積膜時，COR處理及PHT處理中的形狀變化之工序圖。

圖3係用以說明凹部的底面未形成有沉積膜的理由之圖式。

圖4係用以說明作為本發明實施型態相關之基板處理方法的選擇性含矽膜去除處理之工序圖。

圖5係用以說明圖4之選擇性含矽膜去除處理的第1變形例之工序圖。

圖6係用以說明圖4之選擇性含矽膜去除處理的第2變形例之工序圖。

圖7係用以說明圖4之選擇性含矽膜去除處理的第3變形例之工序圖。

圖8係用以說明圖4之選擇性含矽膜去除處理的第4變形例之工序圖。

以下，針對本發明之實施型態，參閱圖式來詳細地說明。

圖1係概略顯示實行本發明實施型態相關的基板處理方法之基板處理系統的構成之平面圖。此外，圖1中，為了容易理解，而穿透內部構成的一部份來加以顯示。

圖1中，基板處理系統10係具備有用以保管複數作為基板的半導體晶圓(以下簡稱作「晶圓」。)W之晶圓保管部11、可同時搬送2片晶圓W之作為搬送室的轉移模組12、以及對從轉移模組12搬入的晶圓W施予COR處理、PHT處理(Post Heat Treatment)或成膜處理之複數製程模組13。各製程模組13及轉移模組12的內部係被維持在真空氛圍。

基板處理系統10中，係藉由轉移模組12所內建之搬送臂14來搬送保管在晶圓保管部11的晶圓W，並將晶圓W一片片地分別載置於製程模組13的內部所配置之2個台座15。接下來，基板處理系統10中，會在以製程模組13來對台座15所載置之各晶圓W施予COR處理、PHT處理或成膜處理後，藉由搬送臂14來將處理後的晶圓W搬出至晶圓保管部11。

晶圓保管部11具有：複數載置埠17，係保管複數晶圓W之容器(即晶圓匣盒16)的載置台；載置模組18，係從各載置埠17所載置之晶圓匣盒16來收取所保管的晶圓W，或將已在製程模組13施予特定處理後的晶圓W傳遞至晶圓匣盒16；2個加載互鎖模組19，係在載置模組18及轉移模組12之間為了傳遞晶圓W而暫時地保持晶圓W；以及冷卻器20，係用以冷卻施予PHT處理後的晶圓W。

載置模組18係由內部為大氣壓氛圍的矩形框體所構成，構成其矩形長邊的一側面係並排設置有複數載置埠17。再者，載置模組18係具有可在內部中移動於其矩形的長邊方向之搬送臂(圖中未顯示)。該搬送臂會從各載置埠17所載置之晶圓匣盒16來將晶圓W搬入至加載互鎖模組19，或是從加載互鎖模組19來將晶圓W搬出至各晶圓匣盒16。

由於各加載互鎖模組19會將載置在大氣壓氛圍之各載置埠17的晶圓匣盒16所收納之晶圓W傳遞至內部為真空氛圍的製程模組13，故會暫時地保持晶圓W。各加載互鎖模組19係具有用以保持2片晶圓W之緩衝板21。又，各加載互鎖模組19係具有用以相對於載置模組18來確保氣密性之閘閥22a，與用以相對於轉移模組12來確保氣密性之閘閥22b。另外，加載互鎖模組19係藉由配管而連接有圖中未顯示之氣體導入系統及氣體排氣系統，來將內部控制為大氣壓氛圍或真空氛圍。

轉移模組12會將未處理的晶圓W從晶圓保管部11搬入至製程模組13，並將處理後的晶圓W從製程模組13搬出至晶圓保管部11。轉移模組12係由內部為真空氛圍之矩形框體所構成，係包含有可保持2片晶圓W並使其移動之2個搬送臂14、可旋轉地支撐各搬送臂14之旋轉台23、搭載有旋轉台23之旋轉載置台24、以及可使旋轉載置台24移動於轉移模組12的長邊方向來加以導引之導引軌道25。又，轉移模組12係透過閘閥22a、22b，甚至後述的各閘閥26，而連接於晶圓保管部11的加載互鎖模組19，以及各製程模組13。轉移模組12中，搬送臂14會從加載互鎖模組19來將2片晶圓W朝各製程模組13搬送，並將施予處理後的2片晶圓W從各製程模組13搬出至其他的製程模組13或加載互鎖模組19。

各製程模組13係透過各閘閥26而連接於轉移模組12，內部係具有2個台座15，另外，係具有圖中未顯示之處理氣體導入系統、排氣機構或電漿生成機構(例如供應有電漿生成用高頻電力之上部電極板)。在本實施型態中，各個複數製程模組13會實行COR處理、PHT處理及成膜處理中的任一者。又，基板處理系統10之各構成要素的動作係藉由裝置控制器27而依照特定的程式來受到控制。

另外，在本發明之前，本案發明人已先使用氟碳系氣體，具體來說為由八氟環丁烷(C₄F₈)氣體所生成之電漿，來於圖2(A)所示般之形成有複數鰭28之含矽膜29的表面形成沉積膜30，之後，使用氨(NH₃)氣及氟化氫(HF)氣體作為處理氣體來對含矽膜29施予COR處理，再進一步地，加熱含矽膜29來施予PHT處理。此外，COR處理中，含矽膜29會與氨氣及氟化氫氣體反應，而變質為作為反應生成物之氟矽酸銨(AFS)。PHT處理中，係藉由加熱來使AFS昇華。亦即，透過COR處理及PHT處理來將含矽膜29削除。

在形成沉積膜30之際，如圖2(B)所示，沉積膜30雖會覆蓋各鰭28的頂面或側面，但卻不會覆蓋各鰭28的下方，例如，被挾置於鄰接的2個鰭 28所構成之凹部31的底面，而維持該底面會露出有含矽膜29之狀態。於是，在後續的COR處理及PHT處理中，被沉積膜30覆蓋之各鰭28的頂面或側面便不會被削除，但另一方面，在凹部31的底面處所露出之含矽膜29則會被削除，結果造成凹部31的深寬比(縱橫比)變大(圖2(C))。之後，使用從氧(O₂)氣體所生成之電漿來對含矽膜29施予灰化處理，而將沉積膜30去除(圖2(D))。

有關凹部31的底面不會形成有沉積膜30之理由雖難以明白地說明，但由含矽膜29中之凹部31形狀的測定結果，凹部31的寬度為25nm，凹部31的深度為100nm，本案發明人便類推了以下說明的假說。

亦即，由八氟環丁烷氣體所生成之電漿中的碳自由基32雖會進入凹部31，但若凹部31的深寬比(圖3中，凹部31之深度D相對於寬度L的比)較大，具體來說為4以上的話，則在凹部31中不規則地移動之碳自由基32在到達凹部31的底面之前便先接觸到鰭28的頂面或側面之可能性會變高。然後，接觸到鰭28的頂面或側面之碳自由基32會作為沉積物而直接沉積，形成了沉積膜30。亦即，若凹部31的深寬比較大，則碳自由基32幾乎不會到達凹部31的底面，其結果，凹部31的底面便不會形成有沉積膜30。本發明係基於上述見解。

圖4係用以說明作為本實施型態相關之基板處理方法的選擇性含矽膜去除處理之工序圖。

首先，如圖4(A)所示，準備由矽(Si)所構成且表面具有凹部33之晶圓W。晶圓W中，凹部33的底面係形成有作為層間膜之例如氧化矽(SiO₂)所構成的第1含矽膜34，凹部33的兩側35係形成有作為層間膜之例如氧化矽所構成的第2含矽膜36。第1含矽膜34係由熱氧化膜所構成，第2含矽膜36係由CVD氧化膜所構成。又，凹部33的深寬比(圖中，凹部33之深度D相對於寬度L的比)係設定為4以上。此外，第1含矽膜34及第2含矽膜36任一者亦可非由氧化矽，而是藉由矽(Si)、氮化矽(SiN)及氮碳氧化矽(SiOCN)的任一者來構成。又，凹部33的兩側35亦可由矽構成的2個凸部所構成，各凸部的頂面亦可係形成有第2含矽膜36。

接下來，基板處理系統10中，首先，將晶圓W朝實行成膜處理之製程模組13搬入，而於晶圓W的表面形成碳系沉積膜37。具體來說，係朝內部經減壓後之製程模組13導入作為處理氣體之八氟環丁烷氣體，以及作為稀釋氣體之氬(Ar)氣體，而於製程模組13的內部產生電場或磁場來將處理氣體或稀釋氣體激發以生成電漿。另外，在製程模組13的內部中，將晶圓W的表面暴露在所生成之電漿，以使電漿中的碳自由基作為沉積物而沉積在晶圓W的表面，來形成碳系沉積膜37。此外，製程模組13中，晶圓W的溫度係維持在10℃~60℃，被供應至上部電極板之電漿生成用高頻電力係設定為10W~1000W，製程模組13的內部壓力係設定為10mTorr~1000mTorr。此時，如上所述，由於凹部33的深寬比係設定為4以上，故碳自由基幾乎不會到達凹部33的底面，其結果，形成於凹部33的底面之第1含矽膜34並未被碳系沉積膜37覆蓋。另一方面，由於碳自由基會容易地到達凸部35的頂面，故形成於該頂部之第2含矽膜36便會被碳系沉積膜37覆蓋(圖4(B))。

接下來，將晶圓W依序朝實行COR處理之製程模組13，以及實行PHT處理之製程模組13搬入，藉此對晶圓W施予COR處理及PHT處理。此時，由於第1含矽膜34並未被碳系沉積膜37覆蓋，故雖然在COR處理中會與氨氣及氟化氫氣體反應而變質為AFS，但由於第2含矽膜36係被碳系沉積膜37覆蓋，故在COR處理中便不會與氨氣及氟化氫氣體反應，而不會變質為AFS。其結果，透過COR處理及PHT處理，僅有第1含矽膜34會被選擇性地去除(圖4(C))。對晶圓W施予COR處理之際，製程模組13中，晶圓W的溫度係被維持在10℃~150℃，製程模組13的內部壓力係設定為10mTorr~1000mTorr。又，氨氣及氟化氫氣體的流量係分別設定為10sccm~1000sccm，作為稀釋氣體而被導入至製程模組13之氬氣及氮(N₂)氣體的流量係分別設定為0sccm~500sccm。由於在本案發明人所為之先行實驗中，確認了只要覆蓋含矽膜之碳系沉積膜的厚度為5nm以上，則含矽膜便不會因COR處理及PHT處理而被削除，故覆蓋第2含矽膜36之碳系沉積膜37的厚度只要為5nm以上即可。

接下來，將晶圓W朝實行灰化處理之製程模組13搬入，並使用由氧氣所生成之電漿來對晶圓W施予灰化處理，而去除碳系沉積膜37(圖4(D))，便結束本處理。

依據圖4的處理，第1含矽膜34會形成於晶圓W的表面中之凹部33的底面，第2含矽膜36會形成於之間挾置有凹部33之2個凸部35的頂面，使用由八氟環丁烷氣體所生成之電漿，而於晶圓W的表面形成有碳系沉積膜37。此時，第2含矽膜36會沉積有電漿中的碳自由基，另一方面，由於凹部33的深寬比係設定為4以上，故碳自由基不會到達凹部33的底面，而在第1含矽膜34便不會沉積有碳自由基。於是，在COR處理中，氨氣及氟化氫氣體便會與第1含矽膜34接觸，而使第1含矽膜34變質為AFS，另一方面，氨氣及氟化氫氣體則不會與第2含矽膜36接觸，而不會使第2含矽膜36變質為AFS。其結果，便可在存在有第1含矽膜34及第2含矽膜36之晶圓W中將第1含矽膜34選擇性地去除。特別是，由於CVD氧化膜相較於熱氧化膜，組織較為稀疏，故在COR處理中，CVD氧化膜會較熱氧化膜更容易被去除，上述晶圓W中，CVD氧化膜所構成的第2含矽膜36雖會有較熱氧化膜所構成的第1含矽膜34而優先地被去除之虞，但由於藉由使用圖4的處理，便可選擇性地去除第1含矽膜34，故可使用CVD氧化膜來作為第2含矽膜36這一點亦為本發明之優點。

此外，圖4的處理中，凹部33之兩側35的全部亦可藉由第2含矽膜36來構成。此情況下，由於進入凹部33之碳自由基會不規則地移動而朝兩側35的側面接觸，故碳系沉積膜37不僅是兩側35的頂面，且亦會覆蓋側面。於是，在COR處理中，氨氣及氟化氫氣體便不會與第2含矽膜36接觸，而不會有構成兩側35之第2含矽膜36變質為AFS的情況。其結果，即使是藉由第2含矽膜36來構成兩側35的全部，仍不會有兩側35被去除的情況。

圖5係用以說明圖4之選擇性含矽膜去除處理的第1變形例之工序圖。圖5的處理相較於圖4的處理，係僅有被施予選擇性含矽膜去除處理之晶圓W的一部分構造不同，由於處理的步驟順序或內容基本上與圖4的處理相同，故針對重複的構造或處理則省略說明，以下僅針對相異之構造或處理來進行說明。

首先，如圖5(A)所示，準備表面具有凹部33之晶圓W。晶圓W中，凹部33的底面係形成有朝向上方立設之鰭38，該鰭38係藉由作為層間膜之例如氧化矽所構成的第1含矽膜39而被加以覆蓋。本變形例中亦係將凹部33的深寬比(圖中，凹部33之深度D相對於寬度L的比)設定為4以上。

接下來，基板處理系統10中，係使用由處理氣體(八氟環丁烷氣體)所生成之電漿，來於晶圓W的表面形成碳系沉積膜37。此時，如上所述，由於凹部33的深寬比係設定為4以上，故電漿中的碳自由基幾乎不會到達凹部33的底面，其結果，第1含矽膜39並未被碳系沉積膜37覆蓋。另一方面，第2含矽膜36則會被碳系沉積膜37覆蓋(圖5(B))。

接下來，對晶圓W施予COR處理及PHT處理。此時，由於第2含矽膜36係被碳系沉積膜37覆蓋，另一方面，第1含矽膜39並未被碳系沉積膜37覆蓋，故僅有第1含矽膜39會被選擇性地去除(圖5(C))。之後，對晶圓W施予灰化處理來去除碳系沉積膜37(圖5(D))，便結束本處理。

依據圖5的處理，便可在存在有第1含矽膜39及第2含矽膜36之晶圓W中將第1含矽膜39選擇性地去除，從而，可在凹部33的底面中使鰭38露出。

圖6係用以說明圖4之選擇性含矽膜去除處理的第2變形例之工序圖。圖6的處理相較於圖4的處理，亦係僅有被施予選擇性含矽膜去除處理之晶圓W的一部分構造不同，由於處理的步驟順序或內容基本上與圖4的處理相同，故針對重複的構造或處理則省略說明，以下僅針對相異之構造或處理來進行說明。

首先，如圖6(A)所示，準備表面具有凹部33之晶圓W。晶圓W中，兩側35的側面係形成有氮化膜40。本變形例中，亦係將凹部33的深寬比(圖中，凹部33之深度D相對於寬度L的比)設定為4以上。

接下來，基板處理系統10中，係使用由處理氣體(八氟環丁烷氣體)所生成之電漿，來於晶圓W的表面形成碳系沉積膜37。此時，如上所述，由於凹部33的深寬比係設定為4以上，故電漿中的碳自由基幾乎不會到達凹部33的底面，其結果，第1含矽膜34並未被碳系沉積膜37覆蓋。另一方面，第2含矽膜36則會被碳系沉積膜37覆蓋，再者，由於進入凹部33之碳自由基會不規則地移動而朝兩側35的側面接觸，故碳系沉積膜37亦會覆蓋氮化膜40(圖6(B))。

接下來，對晶圓W施予COR處理及PHT處理。此時，第2含矽膜36或氮化膜40係被碳系沉積膜37覆蓋，另一方面，由於第1含矽膜34並未被碳系沉積膜37覆蓋，故僅有第1含矽膜34會被選擇性地去除(圖6(C))。之後，對晶圓W施予灰化處理來去除碳系沉積膜37(圖6(D))，便結束本處理。

依據圖6的處理，便可在存在有第1含矽膜34及第2含矽膜36之晶圓W中將第1含矽膜34選擇性地去除，另外，可防止形成於兩側35的側面之氮化膜40被去除。

圖7係用以說明圖4之選擇性含矽膜去除處理的第3變形例之工序圖。圖7的處理相較於圖4的處理，亦係僅有被施予選擇性含矽膜去除處理之晶圓W的一部分構造不同，由於處理的步驟順序或內容基本上與圖4的處理相同，故針對重複的構造或處理則省略說明，以下僅針對相異之構造或處理來進行說明。

首先，如圖7(A)所示，準備表面具有凹部33之晶圓W。晶圓W中，凹部33的底面係形成有朝向上方突出之鰭38，該鰭38係藉由第1含矽膜39而被加以覆蓋。又，兩側35的側面係形成有氮化膜40。本變形例中，亦係將凹部33的深寬比(圖中，凹部33之深度D相對於寬度L的比)設定為4以上。

接下來，基板處理系統10中，係使用由處理氣體(八氟環丁烷氣體)所生成之電漿，來於晶圓W的表面形成碳系沉積膜37。此時，如上所述，由於凹部33的深寬比係設定為4以上，故電漿中的碳自由基幾乎不會到達凹部33的底面，其結果，第1含矽膜39並未被碳系沉積膜37覆蓋。另一方面，第2含矽膜36則會被碳系沉積膜37覆蓋，該碳系沉積膜37亦會覆蓋氮化膜40(圖7(B))。

接下來，對晶圓W施予COR處理及PHT處理。此時，由於第2含矽膜36或氮化膜40係被碳系沉積膜37覆蓋，另一方面，第1含矽膜39並未被碳系沉積膜37覆蓋，故僅有第1含矽膜39會被選擇性地去除(圖7(C))。之後，對晶圓W施予灰化處理來去除碳系沉積膜37(圖7(D))，便結束本處理。

依據圖7的處理，便可在存在有第1含矽膜39及第2含矽膜36之晶圓W中將第1含矽膜39選擇性地去除，從而可在凹部33的底面中使鰭38露出。再者，可防止兩側35的側面所形成之氮化膜40被去除。

圖8係用以說明圖4之選擇性含矽膜去除處理的第4變形例之工序圖。圖8的處理相較於圖4的處理，亦係僅有被施予選擇性含矽膜去除處理之晶圓W的一部分構造不同，由於處理的步驟順序或內容基本上與圖4的處理相同，故針對重複的構造或處理則省略說明，以下僅針對相異之構造或處理來進行說明。

首先，如圖8(A)所示，準備表面具有凹部41之晶圓W。晶圓W中，凹部41係被挾置於鄰接2個之矽所構成的鰭42來加以形成，凹部41的底面係形成有朝向上方突出之鰭38，該鰭38係藉由第1含矽膜39而被加以覆蓋。又，鰭42的頂面係形成有作為層間膜之例如氧化矽所構成的第2含矽膜43。本變形例中，凹部41的深寬比(圖中，凹部41之深度D相對於寬度L的比)係設定為4以上。

接下來，基板處理系統10中，係使用由處理氣體(八氟環丁烷氣體)所生成之電漿，來於晶圓W的表面形成碳系沉積膜37。此時，如上所述，由於凹部41的深寬比係設定為4以上，故電漿中的碳自由基幾乎不會到達凹部41的底面，其結果，第1含矽膜39並未被碳系沉積膜37覆蓋。另一方面，第2含矽膜43則會被碳系沉積膜37覆蓋(圖8(B))。

接下來，對晶圓W施予COR處理及PHT處理。此時，由於第2含矽膜43係被碳系沉積膜37覆蓋，另一方面，第1含矽膜39並未被碳系沉積膜37覆蓋，故僅有第1含矽膜39會被選擇性地去除(圖8(C))。之後，對晶圓W施予灰化處理來去除碳系沉積膜37(圖8(D))，便結束本處理。

依據圖8的處理，便可在形成有複數種鰭38、42，且存在有第1含矽膜39及第2含矽膜43之晶圓W中將第1含矽膜39選擇性地去除，從而可在凹部41的底面中使鰭38露出。

以上，有關本發明，雖已使用上述實施型態來加以說明，但本發明並未限定於上述實施型態。

例如，上述圖4~圖8的處理中，雖然第1含矽膜34、39係由熱氧化膜所構成，而第2含矽膜36、43係由CVD氧化膜所構成，但第1含矽膜34、39亦可藉由CVD氧化膜或PVD(Physical Vapor Deposition)氧化膜來構成，又，第2含矽膜36、43亦可藉由熱氧化膜或PVD氧化膜來構成。

再者，本發明之目的亦可藉由對基板處理系統10的裝置控制器27供應記錄有能夠實現上述實施型態的功能之軟體的程式碼之記憶媒體，該裝置控制器27的CPU會讀取並實行儲存在記憶媒體之程式碼來達成。

此情況下，從記憶媒體所讀取之程式碼本身便會實現上述實施型態的功能，而程式碼及記憶有該程式碼之記憶媒體則構成了本發明。

又，作為用以供應程式碼之記憶媒體，只要是例如，RAM、NV-RAM、軟(Floppy，註冊商標)碟、硬碟、磁光碟、CD-ROM、CD-R、CD-RW、DVD(DVD-ROM、DVD-RAM、DVD-RW、DVD+RW)等之光碟、磁帶、非揮發性記憶卡、其他的ROM等之可記憶上述程式碼者即可。抑或，上述程式碼亦可藉由從連接於網際網路、商用網路或區域網路等之未圖示的其他電腦或資料庫等來下載，而供應至上述裝置控制器27。

又，不僅是藉由CPU實行所讀取之程式碼，來實現上述實施型態的功能，亦包含有使CPU上所稼動之OS(作業系統)等會依據該程式碼的指示來進行實際處理的一部分或全部，而藉由該處理來實現上述實施型態的功能之情況。

再者，亦包含有從記憶媒體所讀取之程式碼被寫入連接於上述裝置控制器27的功能擴張卡或功能擴張單元所具備之記憶體後，使該功能擴張卡或功能擴張單元所具備之CPU等會依據該程式碼的指示來進行實際處理的一部分或全部，而藉由該處理來實現上述實施型態的功能之情況。

上述程式碼的型態亦可由藉由目的碼(object code)、解譯器(interpreter)所實行之程式碼、供應至OS之腳本資料(script data)等的型態所構成。

Claims

一種基板處理方法，係對表面具有凹部且於該凹部的底面形成有第1含矽膜，而該凹部的兩側則形成有第2含矽膜之基板所施加之基板處理方法，具有以下步驟：使碳系沉積物沉積在該基板的表面之步驟；對該基板施予使用處理氣體來使含矽膜變質為反應生成物之COR(Chemical Oxide Removal)處理來去除該第1含矽膜之步驟；以及去除該沉積後的碳系沉積物之步驟。
如申請專利範圍第1項之基板處理方法，其中該凹部的深寬比為4以上。
如申請專利範圍第1或2項之基板處理方法，其中在使該碳系沉積物沉積之際，係使用由氟碳系氣體所生成之電漿。
如申請專利範圍第1或2項之基板處理方法，其中該第1含矽膜與該第2含矽膜不相同。
如申請專利範圍第1或2項之基板處理方法，其中該第1含矽膜為熱氧化膜。
如申請專利範圍第1或2項之基板處理方法，其中該第2含矽膜為CVD(Chemical Vapor Deposition)氧化膜。
如申請專利範圍第1或2項之基板處理方法，其中該第1含矽膜與該第2含矽膜係由相同的膜所構成。
如申請專利範圍第1或2項之基板處理方法，其中該凹部的側面係被氮化膜覆蓋。
如申請專利範圍第1或2項之基板處理方法，其中該基板係具有自該凹部的底面所立設之鰭。
如申請專利範圍第1或2項之基板處理方法，其中該凹部係被挾置於2個凸部，各該凸部的頂面係形成有該第2含矽膜。
如申請專利範圍第1或2項之基板處理方法，其中該第1含矽膜及該第2含矽膜係分別由氧化矽(SiO ₂)、矽(Si)、氮化矽(SiN)及氮碳氧化矽(SiOCN)中任一者所構成。