TW201812077A

TW201812077A - 原位晶圓旋轉的基板支撐件

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Publication number: TW201812077A
Application number: TW106124813A
Authority: TW
Inventors: 史林尼法斯Ｄ奈馬尼; 珊胡Ｎ羅伊; 蘇坦馬立克; 維亞契史拉維芭芭洋
Original assignee: 應用材料股份有限公司
Priority date: 2016-07-26
Filing date: 2017-07-25
Publication date: 2018-04-01
Also published as: WO2018022477A1; US20180033673A1

Abstract

本文提供用於處理基板的方法與設備的實施例。在一些實施例中，基板支撐件包括：底座，具有設計成支撐具有給定寬度的基板的第一支撐表面；複數個弧形槽，該等複數個弧形槽係穿過底座而形成；相應複數個提升銷，設置為穿過弧形槽，其中提升銷可相對於底座旋轉及垂直移動；以及蓋板，設置在底座上但並未耦接至底座，以覆蓋第一支撐表面，其中蓋板具有大於給定寬度的直徑，且其中蓋板包括設計成支撐具有給定寬度的基板的第二支撐表面。

Description

原位晶圓旋轉的基板支撐件

本揭示之實施例一般係關於基板處理系統與方法，更具體而言，係關於用於增強處理均勻性的方法與設備。

由於基板處理腔室中的方位角溫度變化，在基板處理腔室中處理的基板（例如原子層沉積（ALD）與電漿增強化學氣相沉積（PECVD）腔室）通常缺乏均勻性。通常在此種處理中使用包括旋轉基板支撐件的對稱腔室設計，以增強處理的均勻性。然而，發明人已觀察到，由於基板支撐件與設置其上的基板之間缺乏相對運動，可旋轉的基板支撐件可能在充分降低基板膜不均勻性方面無效。舉例而言，發明人已觀察到，即使具有相對高的溫度均勻性的基板支撐件有時亦產生均勻性差的膜，特別是針對需要長處理時間的厚膜，或者由於基板放置的變化。

因此，發明人提供用於處理基板的改善的設備與方法。

在一些實施例中，基板支撐件包括：底座，具有第一支撐表面，以支撐基板；以及周邊構件，具有第一側與相對的第二側，第一側包括第二支撐表面，以支撐基板，其中周邊構件環繞底座設置，其中第一支撐表面與第二支撐表面可相對於彼此旋轉地移動，且其中第一支撐表面與第二支撐表面可相對於彼此垂直地移動，而足以提供第一垂直配置與第二垂直配置，在第一垂直配置中，第一支撐表面與第二支撐表面係為共面，而在第二垂直配置中，第二支撐表面升高至第一支撐表面上方。

在一些實施例中，處理基板的方法包括以下步驟：在設置於處理腔室內部的基板支撐件的頂部上的給定寬度的基板上執行處理，其中基板支撐件具有底座，底座具有設計成支撐基板的利用蓋板覆蓋的第一支撐表面；不從處理腔室移除基板，將基板與蓋板提升至第一支撐表面上方，並將基板相對於第一支撐表面旋轉；以及將基板降低至第一支撐表面上，並在基板上執行處理。

本發明的其他與更多實施例將描述於下文中。

本揭示之實施例大致上係關於用於處理基板之方法與設備。本揭示之實施例包括基板支撐件，基板支撐件具有支撐表面以支撐基板，並經配置以相對於基板旋轉。基板支撐件有利地提供基板相對於基板支撐件的旋轉，以克服由於基板支撐件的表面上的不均勻熱分佈所引起的膜不均勻性。相較於將基板轉移出腔室再旋轉，本揭示之實施例進一步有利地促進基板相對於基板支撐件的原位旋轉（亦即，在腔室內部），而因此增強生產率，並保護基板與形成其上的膜免於因為空氣暴露與突然的溫度變化所造成的損傷。儘管不意欲限制範圍，但是本揭示的實施例可以有利於薄膜處理、微電子裝置的製造、及類似者期間的基板的處理。示例性的基板包括例如半導體基板、玻璃面板、或類似者。

第1圖係為根據本揭示的實施例的適用於各種基板處理腔室的示例性基板支撐件的示意性側視圖。可以根據本文提供的教示進行適當修改的合適的處理腔室與系統的實例包括可從位於California的Santa Clara的Applied Materials, Inc.購得的ENDURA^® 、CENTURA^® 、及PRODUCER^® 處理系統或其他合適的處理系統。其他處理腔室與系統（包括來自其他製造商者）亦可以適用於來自本揭示的益處。舉例而言，處理腔室通常可以包含真空或非真空處理容積。舉例而言，處理腔室可經配置以執行各種功能，包括層沉積（包括原子層沉積（ALD））、電漿增強化學氣相沉積（PECVD）、物理氣相沉積（PVD）、蝕刻、預清潔、除氣、退火、及其他基板處理。

在一些實施例中，基板支撐件100係設置於處理腔室的內部容積中，以促進基板108的處理，並始終將基板保持在隔離的大氣中。在一些實施例中，內部容積可以維持在真空狀態中（例如低於大氣壓力）。處理腔室與基板支撐件100可經配置以處理及操縱特定大小的基板，包括圓形晶圓（例如，半導體晶圓），例如150mm、200mm、300mm、450mm、或類似者。

基板支撐件100包括底座102。底座102的頂部部分包括第一支撐表面104，經配置以支撐具有給定寬度（或直徑）（例如上述示例性直徑）的基板108。基板支撐件100可相對於設置於基板支撐件100的頂部上的基板108旋轉。

在一些實施例中，基板支撐件100可以可選擇地包括設置於底座102中的第一傳熱設備116，用於將熱量提供至底座102。基板支撐件100亦可包括溫度監測設備，用於監測底座的溫度以及底座102的熱分佈。在一些實施例中，第一傳熱設備116可以是設置於底座102中的電阻加熱器。可替代或組合地，第一傳熱設備116可以包括用於流動傳熱介質的通道，例如用於冷卻基板支撐件100的冷卻劑。

在一些實施例中，基板支撐件100可以是真空卡盤或靜電卡盤（ESC）。在一些實施例中，基板支撐件100可進一步包括處理設備，例如用於RF偏壓、脈衝DC偏壓、及類似者的電極。在其他實施例中，基板支撐件100可以可選擇地包括用於讓非反應性氣體（例如氦）流動的入口，以用於防止或減少基板108的背側上的沉積或基板支撐件100上的不良沉積。

基板支撐件100進一步包括穿過底座102形成的複數個弧形槽106。在第3圖中更清楚地圖示弧形槽106，第3圖圖示沒有蓋板（例如下面更詳細論述的蓋板110）的基板支撐件100的頂視圖。

複數個提升銷112設置為可移動穿過弧形槽106。提升銷112可相對於底座102旋轉及垂直移動，例如沿著弧形槽106旋轉並垂直穿過弧形槽106。如本文所使用的，提升銷112相對於底座102的旋轉移動意味著提升銷112沿著各別弧形槽106並環繞第一支撐表面104的中心軸線同步旋轉（例如，全部同時旋轉），而不是環繞提升銷112的各別中心軸線。在一些實施例中，基板支撐件100為不可旋轉，而提升銷112為可旋轉。在一些實施例中，基板支撐件100為可旋轉，而提升銷112為不可旋轉。在一些實施例中，基板支撐件100與提升銷112皆為可旋轉。

在一些實施例中，提升銷112可以沿著弧形槽106旋轉通過大於0度的最小旋轉角度至最大旋轉角度的角度範圍。舉例而言，在一些實施例中，最小旋轉角度可以在約0度至約5度的範圍內（例如5度），而最大旋轉角度可以在約90度至約110度的範圍內（例如90度）。換言之，提升銷可以沿著弧形槽旋轉多達約110度，或者多達約90度，或約5度至約110度，或約5度至約90度。根據本揭示的示例性實施例，最大旋轉角度可以取決於提升銷112的數量。舉例而言，具有n個提升銷的實施例中的最大旋轉角度可以根據關係式（（360度/n）-10度）。因此，在第1圖與第2圖所示的示例性實施例中，提升銷的數量為3，所以最大旋轉角度為110度。

在一些實施例中，蓋板110係設置於底座102上，以覆蓋第一支撐表面104。蓋板110包括設計成支撐具有給定寬度的基板108的第二支撐表面114。蓋板110具有等於或大於基板108的給定寬度的直徑。舉例而言，蓋板110的直徑可以等於基板108的給定寬度，或大於基板108的給定寬度。在一些實施例中，舉例而言，在配置成一次處理一個基板的處理腔室中，蓋板110的直徑可以大於基板108的給定寬度多達約50mm。在其他實施例中，在用於處理多個基板（例如6個晶圓）的配置的實例中，晶圓可以具有約300mm的寬度，而蓋板可以具有多達1000mm的直徑。蓋板110具有用於操縱的適當厚度，以防止蓋板110與設置於蓋板110上的基板108的操縱及處理期間的彎曲或斷裂。在一些實施例中，蓋板具有約5至約50mm的厚度。在一些實施例中，蓋板110的第二支撐表面114與蓋板110的相對底表面中之一或兩者為平面。在一些實施例中，第二支撐表面114與相對底表面係為共面。在一些實施例中，第二支撐表面114可包括凹部，以最小化與設置於蓋板110上的基板的背側的接觸。可替代或組合地，第二支撐表面114可包括突出的基板定位導引件或銷。

蓋板110可以具有高的熱傳導率，例如約5W/m·K至約500W/m·K。在一些實施例中，蓋板110的熱傳導率可以大於或等於底座102的熱傳導率。蓋板110可以由一或更多種合適的處理相容材料製成，例如銅、鋁、不銹鋼、陶瓷（例如氧化鋁、氮化鋁、或類似者）、及類似者。蓋板的熱傳導率有利於促進從基板支撐件傳遞的熱量的擴散，並使所得到的熱剖面在蓋板上（而因此在基板上）變得平滑。

如第2圖與第4圖所示，蓋板110進一步包含複數個孔洞202，複數個孔洞202係位於對應於複數個提升銷112的各別位置的位置。取決於蓋板110相對於底座102（以及因此相對於複數個提升銷112）的角度定向，提升銷112可以接合蓋板110，並將蓋板110提升至第一支撐表面104上方（例如，當提升銷112並未對準孔洞202時），或者提升銷112可以穿過蓋板110，以將基板108提升至蓋板110的第一支撐表面104與第二支撐表面114上方（例如，當提升銷112對準孔洞202時）。

舉例而言，在一些實施例中，藉由將提升銷112與孔洞202對準，並將提升銷112延伸穿過蓋板110，而僅提升基板108，而非蓋板110，基板108可以藉由機器臂或其他合適的基板轉移設備轉移至第二支撐表面114上或從第二支撐表面114移出。具體而言，在基板108的轉移期間，蓋板110可以停靠在第一支撐表面104上，而複數個孔洞202提供用於提升銷112的出入口，以讓提升銷112向上移動穿過孔洞202，並提升基板108以離開第二支撐表面114。提升銷112經配置成足夠延伸以提升基板108離開第二支撐表面114，並提供用於讓機器臂或其他合適的基板轉移設備從基板支撐件100移除基板108的空間。提升銷112亦經配置成延伸穿過孔洞202，以接收基板108，而蓋板110停靠在第一支撐表面104上。

可替代地，基板108與蓋板110可以一起轉移至第一支撐表面104上或離開第一支撐表面104。在一些實施例中，舉例而言，蓋板110可以沒有孔洞，其中基板108與蓋板110總是一起轉移至第一支撐表面104上或離開第一支撐表面104。

可替代地，在一些實施例中，第二支撐表面114可以包括弧形槽，類似於上文相對於基板支撐件揭示的弧形槽106。弧形槽可以利用與上述相對於弧形槽106所述的相同方式變化。在第二支撐表面具有弧形槽的實施例中，弧形槽可以對準底座102中的弧形槽106，以促進基板相對於蓋板與基板支撐件的旋轉。

提升銷112可以從縮回位置垂直移動至延伸位置。提升銷112的延伸位置可以是單個延伸位置，或者可以至少包括最小垂直位置與最大垂直位置。舉例而言，可以相對於第一支撐表面104的垂直位置量測最小垂直位置與最大垂直位置。最小垂直位置經配置以允許基板108相對於基板支撐件的旋轉。舉例而言，最小垂直位置可以在約5mm至約10mm之間。最大垂直位置經配置以有助於將基板108轉移至基板支撐件100上及離開基板支撐件100。舉例而言，可以依據用於將基板108轉移至第二支撐表面114上或離開第二支撐表面114的機器臂或其他合適的基板轉移設備的配置以選擇最大高度。舉例而言，最大垂直位置可以在約25mm至約50mm之間。在一些實施例中，提升銷112可以在兩個以上的延伸垂直位置之間垂直移動，例如三個或四個垂直位置。

在根據一些實施例的操作中，當蓋板110停靠在第一支撐表面104上時，在設置於蓋板110的第二支撐表面114上的基板108上執行處理。在並未從處理腔室移除基板的情況下，藉由提升銷112將蓋板110以及設置於蓋板110的第二支撐表面114上的基板108一起提升至第一支撐表面104上方的垂直位置。當孔洞202並未對準提升銷112時，提升銷112一起提升蓋板110與基板108。

當已經從第一支撐表面104提升蓋板110與基板108時，提升銷112相對於第一支撐表面104沿著弧形槽106以方位角旋轉。由提升銷112支撐的蓋板110與基板108類似地相對於第一支撐表面104旋轉。當旋轉完成時，提升銷112可以縮回，以將蓋板110與基板108下降至第一支撐表面104上，並可恢復基板108的處理。在一些實施例中，可以同時執行基板旋轉與處理。

如上所述，可以依據底座102的熱剖面而選擇提升銷112沿著弧形槽106的旋轉角度。

第5A圖與第5B圖圖示根據本揭示之實施例的基板支撐件100，其中基板支撐件100進一步包括周邊構件502，周邊構件502具有第一側504與相對的第二側508，第一側504包括第二支撐表面506，以支撐基板108，其中周邊構件502環繞底座102設置，其中第一支撐表面104與第二支撐表面506可相對於彼此旋轉地移動，且其中第一支撐表面104與第二支撐表面506可相對於彼此垂直地移動，而足以提供第一垂直配置與第二垂直配置，在第一垂直配置中，第一支撐表面104與第二支撐表面506係為共面，而在第二垂直配置中，第二支撐表面506升高至第一支撐表面104上方。

如第5A圖與第5B圖所示，在包括周邊構件502的實施例中，周邊構件502可相對於底座102垂直及可旋轉地移動。可以透過控制周邊構件502、底座102、或周邊構件502與底座102二者的位置而實現此種垂直及旋轉移動。舉例而言，在一些實施例中，基板支撐件100可進一步包括垂直及旋轉致動器510。垂直及旋轉致動器510可以耦接至周邊構件502，以將旋轉及垂直運動提供至周邊構件502。垂直及旋轉致動器510可包括用於控制垂直移動與旋轉移動的分離的致動器。可替代或組合地，可以使用致動器、馬達、傳動帶、齒輪、或類似者的各種組合，以控制周邊構件502或底座102中之任一者的垂直位置。此外，可以使用致動器、馬達、傳動帶、齒輪、或類似者的各種組合，以控制周邊構件502或底座102中之任一者的旋轉位置。可以將相對旋轉運動與相對垂直運動提供至周邊構件502與底座102的不同者。舉例而言，周邊構件可以相對於處理腔室在垂直方向上固定，而可旋轉地移動（或在旋轉上固定，而可垂直地移動），而底座102可相對於處理腔室垂直地移動，而在旋轉上固定（或可在旋轉上移動，而在垂直方向上固定），而使得一個部件提供相對垂直運動，而另一部件提供相對旋轉運動。可替代地，周邊構件502與底座102中之單一者可以提供垂直與旋轉移動兩者，或者周邊構件502與底座102中之每一者可以提供垂直與旋轉移動。

在包括周邊構件502的一些實施例中，基板支撐件100可以可選擇地包括用於提升基板108的提升銷112，如第5A圖與第5B圖所示。提升銷112可以相對於底座102垂直地移動。如本文所使用的，提升銷112相對於底座102的垂直移動意味著底座102或提升銷112中之至少一者可以相對於彼此垂直地移動，而足以將底座102與提升銷112設置於第一垂直配置與第二垂直配置，在第一垂直配置中，提升銷112的頂部係設置於底座102的第一支撐表面上方，而在第二垂直配置中，提升銷112的頂部設置成與底座102的第一支撐表面齊平或下方。

在第5A圖所示的第一垂直配置中，第一支撐表面104與第二支撐表面506係為共面。在第二垂直配置（第5B圖所示）中，第二支撐表面506係升高至第一支撐表面104上方。第二垂直位置亦提供用於基板轉移設備（如機器臂或類似者）的出入口，以將基板108轉移至周邊構件502上以及離開周邊構件502，或者用於將基板108轉移出入處理腔室。

在包括周邊構件502的一些實施例中，第一傳熱設備116可以進一步將熱量提供至周邊構件502。在包括周邊構件502的其他實施例中，可以提供溫度監測設備，以用於監測底座102與周邊構件502的溫度與熱剖面。為了清楚起見，第5A圖與第5B圖未圖示第一傳熱設備116。

在一些實施例中，周邊構件502的的熱傳導率大致等於底座102的熱傳導率。在一些實施例中，周邊構件502的熱傳導率為約5W/m·K至約500W/m·K。在一些實施例中，周邊構件502可以包含矽或碳化矽中之至少一者。在其他實施例中，在第一垂直配置中，周邊構件502可以停靠在鄰接於底座102的周邊的相鄰表面上。鄰接於底座102的周邊的相鄰表面可以由與底座相同的材料製成，例如矽或碳化矽。

在一些實施例中，周邊構件502可以包括用於接收及支撐基板的特徵。舉例而言，特徵可以是設計成確保在第一垂直位置中的第二支撐表面506與基板108的主表面為共面的唇部。在一些實施例中，舉例而言，如第6A圖所示，可以藉由設置於第一側504中的切口步驟以及將第二支撐表面506的其餘部分連接到周邊構件502的內邊緣602，以形成唇部。在第一垂直配置的其他實施例中，舉例而言，如第6B圖所示，第二支撐表面506的主要部分可為平坦，並與第一支撐表面104為共面，而使得基板108的主表面係設置於第一支撐表面104與第二支撐表面506兩者上方。在第一垂直配置的其他實施例中，底座102的外邊緣係與內邊緣602接合及配合。第6C圖圖示實施例的非限制性實例，其中底座102的外邊緣經配置成與內邊緣602接合及配合。

在一些實施例中，周邊構件502可以是箍狀物或環形組件。箍狀物可以是具有圍繞形狀的內周邊的表面的任何封閉形狀。箍狀物的形狀的非限制性實例包括圓形、四邊形、或六邊形。第7圖係為周邊構件502是圓形箍狀物的實施例的圖示。第7圖圖示圍繞底座102的周邊構件502的頂視圖，其中具有設置於第二支撐表面506上以及在底座102上方的基板108。第7圖中的虛線的內圓圈圖示在基板108的直徑大於底座102的直徑且小於周邊構件502的直徑的示例性實施例中的底座102。

在包括周邊構件502的一些實施例中，周邊構件502可以包括從周邊構件502向內徑向延伸的複數個指狀物802。複數個狹槽804係形成於底座102中，如第8圖的基板支撐件的頂視圖所示。周邊構件的第二支撐表面506至少部分地沿著複數個指狀物802設置。

複數個狹槽804的數量可以與複數個指狀物802的數量相同或更多。因此，在第一垂直配置（如上所述）的一些實施例中，複數個指狀物中之每一者可配置成設置於複數個狹槽中之任一者中，以最大化可以設置複數個指狀物中之每一者的可能角度位置的數量。

複數個指狀物802從底座102的第一支撐表面104的周邊外側的位置向內徑向延伸至第一支撐表面104的周邊內的位置，而使得指狀物802中之每一者可以取決於周邊構件502相對於底座102的位置，而選擇性設置於狹槽804內部。

舉例而言，如第9A圖所示，並根據上述第一垂直配置，複數個指狀物802基本上可以設置於狹槽804內部，而使得第二支撐表面506與第一支撐表面104係為共面。

第9B圖圖示根據第8圖的基板支撐件的示例性第二垂直配置的側視圖。如第9B圖所示，複數個指狀物802係位於狹槽804上方，而使得周邊構件502處於第二垂直配置中。

在操作中，根據包括周邊構件502的一些實施例，當周邊構件502處於第一垂直配置（例如，第5A圖與第9A圖所示）時，在基板108上執行處理。在並未從處理腔室移除基板的情況下，藉由耦接至周邊構件502的垂直及旋轉致動器510的垂直運動將設置於第二支撐表面506上的基板108與周邊構件502一起提升。周邊構件502與基板108在第一支撐表面104上方提升至對應於第二垂直配置的垂直位置。在第二垂直配置（例如，第5B圖與第9B圖所示）中，藉由垂直及旋轉致動器510的旋轉運動讓具有基板108支撐於其上的周邊構件502相對於第一支撐表面104旋轉。當旋轉完成時，藉由垂直及旋轉致動器510將周邊構件502與基板108降低至第一支撐表面104上。當第一支撐表面104與第二支撐表面506為共面時，可以恢復基板處理。

在一些實施例中，可以同時執行基板旋轉與處理。在其他實施例中，可以依序執行基板處理與旋轉。可以依據底座102的熱剖面或周邊構件502的熱剖面中之至少一者選擇周邊構件502的旋轉量。

第10圖係為說明處理在處理期間放置於本揭示的基板支撐件上的基板的方法1000的流程圖。在1005處，在並未從處理腔室移除基板的情況下，將基板與蓋板提升至第一支撐表面上方。在1010處，基板相對於第一支撐表面旋轉。在1015處，將基板下降至第一支撐表面上。在1020處，在基板上執行處理。因此，可以旋轉基板以改善均勻性，而不會由於在處理腔室外部執行基板旋轉而影響膜的品質。

因此，已經提供基板支撐設備的實施例及其使用方法，以減少或消除由於例如台座之間的變化或晶圓對晶圓放置的變化以及其使用方法所引起的基板膜不均勻性。

儘管上述內容係針對本揭示之實施例，但在不脫離本發明的基本範疇情況下，可設計本揭示的其他及進一步實施例。

100‧‧‧基板支撐件

102‧‧‧底座

104‧‧‧第一支撐表面

106‧‧‧弧形槽

108‧‧‧基板

110‧‧‧蓋板

112‧‧‧提升銷

114‧‧‧第二支撐表面

116‧‧‧第一傳熱設備

202‧‧‧孔洞

502‧‧‧周邊構件

504‧‧‧第一側

506‧‧‧第二支撐表面

508‧‧‧第二側

510‧‧‧垂直及旋轉致動器

602‧‧‧內邊緣

802‧‧‧指狀物

804‧‧‧狹槽

1000‧‧‧方法

1005‧‧‧步驟

1010‧‧‧步驟

1015‧‧‧步驟

1020‧‧‧步驟

為讓上文簡要概述且下文更詳細論述的本發明的實施例更明顯易懂，可配合本發明的參考實施例說明，該等實施例係圖示於隨附圖式中。然而，隨附圖式僅繪示本揭示之典型實施例，且因此不應視為限制範疇，因為本揭示可允許其他均等有效的實施例。

第1圖圖示根據本揭示的至少一些實施例的基板支撐件的示意性側視圖。

第2圖圖示根據本揭示的至少一些實施例的基板支撐件的示意性側視圖。

第3圖圖示根據本揭示的至少一些實施例的基板支撐件的頂視圖。

第4圖圖示根據本揭示的至少一些實施例的用於基板支撐件的蓋板的頂視圖。

第5A圖圖示根據本揭示的至少一些實施例的處於第一垂直配置的包括周邊構件的基板支撐件的示意性側視圖。

第5B圖圖示根據本揭示的至少一些實施例的處於第二垂直配置的第5A圖的基板支撐件的示意性側視圖。

第6A圖、第6B圖、及第6C圖圖示第5A圖與第5B圖的基板支撐件與周邊構件的各種實施例的一部分的示意性特寫側視圖。

第7圖圖示根據本揭示的至少一些實施例的第5A圖與第5B圖的基板支撐件的頂視圖。

第8圖圖示根據本揭示的至少一些實施例的基板支撐件的頂視圖。

第9A圖圖示根據本揭示的至少一些實施例的處於第一垂直配置的第8圖的基板支撐件的示意性側視圖。

第9B圖圖示根據本揭示的至少一些實施例的處於第二垂直配置的第8圖的基板支撐件的示意性側視圖。

第10圖圖示根據本揭示的至少一些實施例在設置於基板支撐件的頂部上的基板上執行處理的方法的流程圖。

為促進理解，各圖中相同的元件符號儘可能指定相同的元件。為清楚說明，以上圖式已經簡化且未按比例繪製。一個實施例的元件與特徵可以有利地併入其他實施例，在此不另外詳述。

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Claims

一種基板支撐件，包含：一底座，具有設計成支撐具有一給定寬度的一基板的一第一支撐表面；複數個弧形槽，穿過該底座而形成；相應的複數個提升銷，穿過該等弧形槽而設置，其中該等提升銷可相對於該底座旋轉及垂直移動；以及一蓋板，設置於該底座上，但並未耦接至該底座，以覆蓋該第一支撐表面，其中該蓋板具有大於該給定寬度的一直徑，且其中該蓋板包括設計成支撐具有該給定寬度的一基板的一第二支撐表面。
如請求項1所述之基板支撐件，其中該蓋板進一步包含複數個孔洞，該等複數個孔洞經配置以對準該等複數個提升銷，以用於將該基板轉移至該第二支撐表面或離開該第二支撐表面。
如請求項1至2中之任一者所述之基板支撐件，其中該蓋板的一熱傳導率大於或等於該底座的該熱傳導率。
如請求項3所述之基板支撐件，進一步包含：一第一傳熱設備，用於將熱量提供至該底座。
如請求項4所述之基板支撐件，進一步包含：一溫度監測設備，用於監測該底座的該溫度以及該底座的一熱分佈。
如請求項4所述之基板支撐件，其中該第一傳熱設備係為設置於該底座中的一電阻加熱器。
一種基板支撐件，包含：一底座，具有一第一支撐表面，以支撐一基板；以及一周邊構件，具有一第一側與相對的一第二側，該第一側包括一第二支撐表面，以支撐該基板，其中該周邊構件環繞該底座設置，其中該第一支撐表面與該第二支撐表面可相對於彼此旋轉地移動，且其中該第一支撐表面與該第二支撐表面可相對於彼此垂直地移動，而足以提供一第一垂直配置與一第二垂直配置，在該第一垂直配置中，該第一支撐表面與該第二支撐表面係為共面，而在該第二垂直配置中，該第二支撐表面升高至該第一支撐表面上方。
如請求項7所述之基板支撐件，其中該周邊構件的一熱傳導率大約等於該底座的該熱傳導率。
如請求項7所述之基板支撐件，其中該周邊構件包含矽或碳化矽。
如請求項7至9中之任一者所述之基板支撐件，其中當處於該第一垂直配置時，該周邊構件停靠在該底座的一相鄰表面上。
如請求項7至9中之任一者所述之基板支撐件，其中該底座的一外邊緣沿著移動遠離該第一支撐表面的一方向向外徑向延伸，且其中該周邊構件的一內邊緣經配置以配合該第一支撐表面的該外邊緣。
如請求項7至9中之任一者所述之基板支撐件，其中該周邊構件進一步包含用於接收及支撐該基板的一唇部。
如請求項12所述之基板支撐件，其中該唇部與該底座係由相同的材料製成。
如請求項7至9中之任一者所述之基板支撐件，進一步包含：一第一傳熱設備，用於將熱量提供至該底座；以及一溫度監測設備，用於監測該底座的該溫度以及該底座的一熱分佈。
如請求項7至9中之任一者所述之基板支撐件，進一步包含：複數個提升銷，設置為穿過該底座，而相對於該第一支撐表面選擇性升高或降低一基板。
如請求項7至9中之任一者所述之基板支撐件，其中該周邊構件係為一箍狀物。
如請求項7至9中之任一者所述之基板支撐件，進一步包含：狹槽，形成於該第一支撐表面中，其中該周邊構件包含複數個指狀物，該等複數個指狀物從該第一支撐表面的該周邊外部的一位置向內徑向延伸至該第一支撐表面的該周邊內的一位置，而使得各別指狀物可以取決於該周邊部件相對於該底座的該位置而選擇性設置於該等狹槽內部，其中該周邊部件的該第一側至少部分地沿著該等複數個指狀物而設置。
如請求項7至9中之任一者所述之基板支撐件，進一步包含：複數個狹槽，形成於該第一支撐表面中，其中該周邊構件包含複數個指狀物，該等複數個指狀物從該第一支撐表面的該周邊外部的一位置向內徑向延伸至該第一支撐表面的該周邊內的一位置，而使得各別指狀物可以取決於該周邊部件相對於該底座的該位置而選擇性設置於該等狹槽內部，其中該第二支撐表面至少部分地沿著該等複數個指狀物而設置。
如請求項18所述之基板支撐件，其中該等複數個狹槽的該數量係與該等複數個指狀物的該數量相同或更多，且其中該等複數個指狀物中之每一者經配置成設置於該等複數個狹槽中之任一者中。
一種處理一基板的方法，該方法包含以下步驟：在一處理腔室內部的一基板支撐件的頂部上的一給定寬度的一基板上執行一處理，其中該基板支撐件具有一底座，該底座具有利用一蓋板覆蓋的設計成支撐該基板的一第一支撐表面；在並未從該處理腔室移除該基板的情況下，將該基板與該蓋板提升至該第一支撐表面上方，以及將該基板相對於該第一支撐表面旋轉；以及將該基板降低至該第一支撐表面上，並在該基板上執行該處理。