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TW201811557A - 附脫模層的銅箔、積層體、印刷配線板的製造方法及電子機器的製造方法 - Google Patents

附脫模層的銅箔、積層體、印刷配線板的製造方法及電子機器的製造方法 Download PDF

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TW201811557A
TW201811557A TW106119920A TW106119920A TW201811557A TW 201811557 A TW201811557 A TW 201811557A TW 106119920 A TW106119920 A TW 106119920A TW 106119920 A TW106119920 A TW 106119920A TW 201811557 A TW201811557 A TW 201811557A
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release layer
copper foil
resin
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TW106119920A
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English (en)
Inventor
古曳倫也
Original Assignee
日商Ｊｘ金屬股份有限公司
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Abstract

本發明提供一種能夠藉由減成法以簡易的步驟形成電路埋入基板等的電路的附脫模層的銅箔。本發明的附脫模層的銅箔依序具備脫模層、對銅蝕刻劑具有耐溶解性的阻擋層、及銅箔。

Description

附脫模層的銅箔、積層體、印刷配線板的製造方法及電子機器的製造方法
本發明涉及一種附脫模層的銅箔、積層體、印刷配線板的製造方法及電子機器的製造方法。
關於印刷配線板，這半個世紀以來取得了較大進展，如今已用於幾乎所有的電子機器。隨著近年來對電子機器的小型化、高性能化的需求增大，發展搭載零件的高密度封裝化或信號的高頻化，對於印刷配線板，要求導體圖案的微細化(微間距化)及對應高頻等，尤其是在印刷配線板上搭載IC晶片的情況下，要求L(線)/S(間隙)=20μm/20μm以下的微間距化。
印刷配線板首先以覆銅積層體的形式製造，上述覆銅積層體是將銅箔、與以環氧玻璃基板、BT(Bismaleimide Triazine)樹脂、聚醯亞胺膜等為主的絕緣基板進行貼合而成。貼合是使用如下方法：將絕緣基板與銅箔重疊並進行加熱加壓而形成的方法(層壓法)、或者將絕緣基板材料的前驅物即清漆塗布在具有銅箔的被覆層的面並進行加熱、硬化的方法(鑄造法)。
隨著微間距化，覆銅積層體所使用的銅箔的厚度成為9μm、進而5μm以下等，即箔厚不斷變薄。然而，如果箔厚成為9μm以 下，那麼藉由上述層壓法或鑄造法形成覆銅積層體時的處理性會變得極差。因此，出現了應用有厚度的金屬箔作為載體，在其上經由剝離層而形成有極薄銅層的附載體的銅箔。作為附載體的銅箔的一般使用方法，如專利文獻1等所揭示般，是將極薄銅層的表面貼合於絕緣基板並進行熱壓接後，將載體經由剝離層進行剝離。
在使用附載體的銅箔的印刷配線板的製作過程中，附載體的銅箔的典型使用方法是首先將附載體的銅箔積層於絕緣基板後自極薄銅層剝離載體。其次，在將載體剝離而露出的極薄銅層之上設置由光硬化性樹脂形成的抗鍍敷層。其次，藉由對抗鍍敷層的特定區域進行曝光而使該區域硬化。接著，將非曝光區域的未硬化的抗鍍敷層去除後，在該抗蝕劑去除區域設置電解鍍層。其次，藉由將已硬化的抗鍍敷層去除而獲得形成有電路的絕緣基板，使用其而製作印刷配線板。
[現有技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2006-022406號公報
近年來，關於印刷配線板的製作方法，視各種目的而開發、應用有各種方法。例如藉由所謂埋入法而製作印刷配線板等電路埋入基板(ETS,Embedded Trace Substrate)，所謂埋入法是在附載體的銅箔的極薄銅層的表面形成電路鍍層，以覆蓋該形成的電路鍍層的方式(以電路鍍層埋沒的方式)在極薄銅層上設置埋入樹脂而積層樹脂層，在樹脂層的特定位置 進行打孔，使電路鍍層露出並形成盲孔而在積層體的多層間使電路或配線導通。
關於電路埋入基板等，是在極薄銅層上藉由鍍銅而形成電路，但此時，是藉由在極薄銅層上積層乾膜(抗鍍敷層)，接著進行曝光、顯影，由此形成鍍銅(圖案鍍銅)後，將乾膜進行剝離而形成電路。然而，如果如上述般由圖案鍍銅形成電路，那麼步驟複雜化而在成本方面產生問題。
本發明人等進行努力研究，結果發現，使用能夠藉由減成法形成電路的銅箔，由此能夠在積層乾膜(抗鍍敷層)，接著進行曝光、顯影後，不會由圖案鍍銅形成電路而是藉由減成法形成電路，因此能夠以簡易的步驟製作電路埋入基板等的電路。
基於以上的見解而完成的本發明具有以下的特徵。
本發明是一種附脫模層的銅箔，其依序具備脫模層、對銅蝕刻劑具有耐溶解性的阻擋層、及銅箔。
在本發明的實施方式中，上述對銅蝕刻劑具有耐溶解性的阻擋層也可具有選自由下述材料所組成的群中任一種以上的層：Ni層、Ti層、Cr層、V層、Zr層、Ta層、Au層、Pt層、Os層、Pd層、Ru層、Rh層、Ir層、W層、Sn層、不銹鋼層、Ag層、Mo層、Ni-Cr合金層、Al層、Co層、In層、Bi層、ITO(氧化銦錫)層、含有具有選自由Ni、Ti、V、Zr、Ta、Au、Pt、Os、Pd、Ru、Rh、Ir、W、Si、Fe、Mo、Mn、P、S、N、C、Al、Co、In、Bi、Sn、Ag、Mo及Cr 所組成的群中任一種以上元素的合金之層、以及含有具有選自由Ni、Ti、V、Zr、Ta、Au、Pt、Os、Pd、Ru、Rh、Ir、W、Si、Fe、Mo、Mn、P、S、N、C、Al、Co、In、Bi、Sn、Ag、Mo及Cr所組成的群中任一種以上元素的碳化物、氧化物或氮化物之層。
在本發明的又一個實施方式中，上述對銅蝕刻劑具有耐溶解性的阻擋層可為Ni層、或含有Ni的合金層。
在本發明的又一個實施方式中，上述脫模層可單獨地或組合多種地具有下式所示的矽烷化合物、其水解生成物或該水解生成物的縮合物，
(式中，R1為烷氧基或鹵素原子，R2為選自由烷基、環烷基及芳基所組成的群中的烴基，或者為一個以上的氫原子被取代為鹵素原子的上述任一種烴基，R3及R4分別獨立為鹵素原子、烷氧基、或選自由烷基、環烷基及芳基所組成的群中的烴基，或者為一個以上的氫原子被取代為鹵素原子的上述任一種烴基)。
在本發明的又一個實施方式中，上述脫模層可具有分子內具有兩個以下的巰基的化合物。
在本發明的又一個實施方式中，上述脫模層可單獨地或組合多種地具有下式所示的鋁酸酯化合物、鈦酸酯化合物、鋯酸酯化合物、這些的水解生成物或該水解生成物的縮合物， (R 1 ) m -M-(R 2 )n
(式中，R1為烷氧基或鹵素原子，R2為選自由烷基、環烷基及芳基所組成的群中的烴基，或者為一個以上的氫原子被取代為鹵素原子的上述任一種烴基，M為Al、Ti、Zr中的任一種，n為0、1或2，m為1以上且M的價數以下的整數，R1的至少一個為烷氧基，此外，m+n為M的價數，即，在為Al的情況下為3，在為Ti或Zr的情況下為4)。
在本發明的又一個實施方式中，上述脫模層可具有由聚矽氧、與選自環氧系樹脂、三聚氰胺系樹脂及氟樹脂中的任一種以上的樹脂所構成的樹脂塗膜。
在本發明的又一個實施方式中，可在上述銅箔的與上述脫模層相反側的表面具有選自由粗化處理層、耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合劑處理層所組成的群中的一種以上的層。
在本發明的又一個實施方式中，上述粗化處理層可為由選自由銅、鎳、磷、鎢、砷、鉬、鉻、鈦、鐵、釩、鈷及鋅所組成的群中的任一種單質或含有任一種以上上述單質的合金所組成的層。
在本發明的又一個實施方式中，可在選自由上述粗化處理層、上述耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合劑處理層所組成的群中的一種以上的層之上具備樹脂層。
在本發明的又一個實施方式中，可在上述附脫模層的銅箔上具備樹脂層。
另外，本發明是一種積層體，其具有上述附脫模層的銅箔。
另外，本發明是一種積層體，其是含有上述附脫模層的銅箔與樹脂的積層體，且上述附脫模層的銅箔的端面之一部分或全部被上述樹脂所覆蓋。
另外，本發明是一種積層體，其是具有兩個上述附脫模層的銅箔與樹脂，且以上述兩個附脫模層的銅箔中的一個附脫模層的銅箔的銅箔側表面、與另一個附脫模層的銅箔的銅箔側表面分別露出的方式設置於樹脂中而成。
另外，本發明是一種積層體，其是將一個上述附脫模層的銅箔自上述銅箔側積層於另一個上述附脫模層的銅箔的上述銅箔側而成。
另外，本發明是一種印刷配線板的製造方法，其使用上述附脫模層的銅箔而製造印刷配線板。
另外，本發明是一種印刷配線板的製造方法，其包括如下步驟：在上述附脫模層的銅箔之上述脫模層側積層絕緣基板1的步驟；在積層有上述絕緣基板1的附脫模層的銅箔之上述銅箔側積層乾膜的步驟；將上述乾膜圖案化後，將上述銅箔進行蝕刻而形成電路的步驟；將上述乾膜剝離而使上述電路露出的步驟；藉由以絕緣基板2覆蓋上述露出的電路而埋入電路的步驟；藉由上述脫模層將上述絕緣基板1從埋入至上述絕緣基板2中的電路與上述阻擋層的積層體剝離而使上述阻擋層露出的步驟；及、藉由蝕刻將上述露出的阻擋層去除，由此使埋入至上述絕緣基板2中的電路露出的步驟。
進而，本發明係一種電子機器的製造方法，其使用印刷配線板而製造 電子機器，上述印刷配線板是藉由上述方法所製造。
本發明能夠提供一種能夠藉由減成法以簡易的步驟形成電路埋入基板等的電路之附脫模層的銅箔。
圖1是表示使用本發明的一個實施方式的附脫模層的銅箔的埋入電路的形成方法之模式圖。
<附脫模層的銅箔>
本發明的附脫模層的銅箔依序具備脫模層、對銅蝕刻劑具有耐溶解性的阻擋層、及銅箔。銅箔典型而言，以壓延銅箔或電解銅箔的形態提供。一般而言，電解銅箔是使銅從硫酸銅鍍浴電解析出至鈦或不銹鋼的轉筒上而製造，壓延銅箔是反復進行利用壓延輥的塑性加工與熱處理而製造。作為銅箔的材料，除精銅(JIS H3100合金編號C1100)或無氧銅(JIS H3100合金編號C1020或JIS H3510合金編號C1011)等高純度的銅以外，例如也可使用加入有Sn的銅、加入有Ag的銅、添加有Cr、Zr或Mg等的銅合金、添加有Ni及Si等的卡遜系銅合金(Corson copper alloy)之類的銅合金。
在本發明中，所謂“有耐溶解性”，意指銅對於銅蝕刻劑(銅的蝕刻液)，較難以溶解或被蝕刻的速度較慢。
作為對銅蝕刻劑具有耐溶解性的阻擋層，較佳為使用Ni層、Ti層、Cr 層、V層、Zr層、Ta層、Au層、Pt層、Os層、Pd層、Ru層、Rh層、Ir層、W層、Sn層、不銹鋼層、Ag層、Mo層、Ni-Cr合金層、Al層、Co層、In層、Bi層、ITO(氧化銦錫)層；含有包含Ni、Ti、V、Zr、Ta、Au、Pt、Os、Pd、Ru、Rh、Ir、W、Si、Fe、Mo、Mn、P、S、N、C、Al、Co、In、Bi、Sn、Ag、Mo及Cr中的任一種以上的合金之層；或者含有包含Ni、Ti、V、Zr、Ta、Au、Pt、Os、Pd、Ru、Rh、Ir、W、Si、Fe、Mo、Mn、P、S、N、C、Al、Co、In、Bi、Sn、Ag、Mo及Cr中的任一種以上的碳化物、氧化物或氮化物的層等。作為對銅蝕刻劑具有耐溶解性的阻擋層，更佳為使用Ni層、Ti層、Cr層、V層、Zr層、Ta層、Au層、Pt層、Os層、Pd層、Ru層、Rh層、Ir層、W層；含有包含Ni、Ti、V、Zr、Ta、Au、Pt、Os、Pd、Ru、Rh、Ir、W、Si及Cr中的任一種以上的合金之層；或者含有包含Ni、Ti、V、Zr、Ta、Au、Pt、Os、Pd、Ru、Rh、Ir、W、Si及Cr中的任一種以上的碳化物、氧化物或氮化物的層等。作為對銅蝕刻劑具有耐溶解性的阻擋層，進而更佳為Ni層、或含有Ni的合金層等。
此外，Ni層或含有Ni的合金層較佳為以如下方式形成。其原因在於：由於Ni層或含有Ni的合金層的表面變得平滑，且其上所形成的極薄銅層及/或銅層的阻擋層側及與阻擋層相反側的表面也變得平滑，所以極薄銅層及/或銅層的微細電路形成性提高。
‧Ni層或含有Ni的合金層的形成
Ni層或含有Ni的合金層能夠藉由進行鍍鎳或含有鎳的合金鍍敷而形成。此時，重要的是緻密且均一，並且無缺陷地完成鍍敷。作為鍍鎳或含有鎳的合金鍍敷，是在以下的條件下進行。
‧鍍敷液
鎳：20~200g/L
其他元素：0.1~200g/L(僅在含有鎳的合金鍍敷的情況下)
硼酸：5~60g/L
液溫：40~65℃
pH值：1.5~5.0、較佳為2.0~3.0。藉由降低pH值並階段性地進行鍍敷處理，而使氫氣產生從而陰極表面成為還原性氣氛。因此，能夠抑制氧化物、氫氧化物、水合物等的水分產生即原因要素的產生。
電流密度：0.5~20A/dm2、較佳為2~8A/dm2。以低電流密度進行處理時，由於難以成為燒鍍並成為缺陷較少的緻密鍍敷，所以較佳。
‧攪拌(液體循環量)
100~1000L/分鐘。液體循環量較多時，所產生的氫氣的脫氣性變良好，從而針孔等缺陷變少。另外，有使擴散層厚度變小的效果，而能夠抑制氫氧化物等的水分產生即原因要素的產生。
‧進行鍍敷的物件的搬送速度
2~30m/分鐘、較佳為5~10m/分鐘。搬送速度較慢時，會形成平滑且緻密的Ni層或含鎳的合金層。
‧添加劑
添加劑較佳為使用以下的一次光澤劑及二次光澤劑。由此，結晶變得平滑且緻密。因此，鍍敷時所產生的缺陷減少，而水分的吸收減少。
(一次光澤劑)
1-5萘二磺酸鈉：2~10g/L、1-3-6萘三磺酸鈉：10~30g/L、對甲苯磺 醯胺：0.5~4g/L、糖精鈉：0.5~5g/L中的任一種。
(二次光澤劑)
福馬林：0.5~5g/L、明膠：0.005~0.5g/L、硫脲：0.05~1.0g/L、炔丙醇：0.01~0.3g/L、1-4丁炔二醇：0.05~0.5g/L、2-腈乙醇：0.05~0.5g/L中的任一種。
先前的附脫模層的銅箔不具有此種對銅蝕刻劑具有耐溶解性的阻擋層，而沒有埋入法使用附脫模層的銅箔的例子。認為其原因在於：有因蝕刻而腐蝕至脫模層之虞。相對於此，本發明的附脫模層的銅箔由於在銅箔與脫模層之間具備對銅蝕刻劑具有耐溶解性的阻擋層，所以沒有因蝕刻而腐蝕至脫模層之虞。因此，在藉由埋入法中的減成法形成電路時，脫模層能夠發揮其功能。因此，在使用附脫模層的銅箔的埋入電路的形成時，能夠在積層乾膜(抗鍍敷層)，接著進行曝光、顯影後，不會由圖案鍍銅形成電路而藉由減成法形成電路，因此能夠以簡易的步驟製作電路埋入基板等的電路。
對脫模層進行說明。附脫模層的銅箔的脫模層使藉由壓接等貼合樹脂基材時的樹脂基材從脫模層側剝離成為可能。此時，樹脂基材與銅箔由脫模層隔開。從脫模層側藉由樹脂基材而貼合有附脫模層的銅箔時，樹脂基材與附脫模層的銅箔的剝離強度沒有特別限定。從脫模層側藉由樹脂基材而貼合有附脫模層的銅箔時，樹脂基材與附脫模層的銅箔的剝離強度較佳為1gf/cm以上，更佳為3gf/cm以上，進而更佳為5gf/cm以上。另外，從脫模層側藉由樹脂基材而貼合有附脫模層的銅箔時，樹脂基材與銅箔的剝離強度較佳為500gf/cm以下，較佳為200gf/cm以下，更佳為150 gf/cm以下，進而更佳為100gf/cm以下。另外，從脫模層側藉由樹脂基材而貼合附脫模層的銅箔後，在220℃下加熱3小時、6小時或9小時中的任一種時間、兩種時間或三種時間後的情形時，樹脂基材與銅箔的剝離強度較佳為1gf/cm以上，更佳為3gf/cm以上，進而更佳為5gf/cm以上。另外，從脫模層側藉由樹脂基材而貼合附脫模層的銅箔後，在220℃下加熱3小時、6小時或9小時中的任一種時間、兩種時間或三種時間後的情形時，樹脂基材與銅箔的剝離強度較佳為500gf/cm以下，較佳為200gf/cm以下，更佳為150gf/cm以下，進而更佳為100gf/cm以下。在從脫模層側藉由樹脂基材而貼合有附脫模層的銅箔時，將樹脂基材與附脫模層的銅箔的剝離強度控制在上述範圍內的情況下，印刷配線板的生產性更為提高，所以較佳為。
(1)矽烷化合物
脫模層也可單獨地形成或組合多種地形成具有下式所示的結構的矽烷化合物、其水解生成物、或該水解生成物的縮合物(以下，簡述為矽烷化合物)。
(式中，R1為烷氧基或鹵素原子，R2為選自由烷基、環烷基及芳基所組成的群中的烴基，或者為一個以上的氫原子被取代為鹵素原子的上述任一種烴基，R3及R4分別獨立為鹵素原子、烷氧基、或選自由烷基、 環烷基及芳基所組成的群中的烴基，或者為一個以上的氫原子被取代為鹵素原子的上述任一種烴基)。
該矽烷化合物必須具有至少一個烷氧基。在烷氧基不存在而僅由選自由烷基、環烷基及芳基所組成的群中的烴基、或者一個以上的氫原子被取代為鹵素原子的上述任一種烴基構成取代基的情況下，有板狀載體與金屬箔表面的密合性過度降低的傾向。另外，該矽烷化合物必須具有至少一個選自由烷基、環烷基及芳基所組成的群中的烴基、或者一個以上的氫原子被取代為鹵素原子的上述任一種烴基。其原因在於：在上述烴基不存在的情況下，有板狀載體與金屬箔表面的密合性上升的傾向。此外，本案發明的烷氧基也包括一個以上的氫原子被取代為鹵素原子的烷氧基。
上述矽烷化合物較佳為具有三個烷氧基、一個上述烴基(包括一個以上的氫原子被取代為鹵素原子的烴基)。如果將其以上式表示，那麼R3及R4兩者為烷氧基。
作為烷氧基，沒有限定，可列舉：甲氧基、乙氧基、正或異丙氧基、正、異或第三丁氧基、正、異或新戊氧基、正己氧基、環己氧基、正庚氧基、及正辛氧基等直鏈狀、支鏈狀、或環狀的碳數1~20、較佳為碳數1~10、更佳為碳數1~5的烷氧基。
作為鹵素原子，可列舉：氟原子、氯原子、溴原子及碘原子。
作為烷基，沒有限定，可列舉：甲基、乙基、正或異丙基、正、異或第三丁基、正、異或新戊基、正己基、正辛基、正癸基等直鏈狀或支鏈狀的碳數1~20、較佳為碳數1~10、更佳為碳數1~5的烷基。
作為環烷基，沒有限定，可列舉：環丙基、環丁基、環戊基、 環己基、環庚基、環辛基等碳數3~10、較佳為碳數5~7的環烷基。
作為芳基，可列舉：苯基、經烷基取代的苯基(例如：甲苯基、二甲苯基)、1-或2-萘基、蒽基等碳數6~20、較佳為6~14的芳基。
這些烴基可一個以上的氫原子被取代為鹵素原子，例如可經氟原子、氯原子、或溴原子取代。
作為較佳的矽烷化合物的例子，可列舉：甲基三甲氧基矽烷、乙基三甲氧基矽烷、正或異丙基三甲氧基矽烷、正、異或第三丁基三甲氧基矽烷、正、異或新戊基三甲氧基矽烷、己基三甲氧基矽烷、辛基三甲氧基矽烷、癸基三甲氧基矽烷、苯基三甲氧基矽烷；烷基取代苯基三甲氧基矽烷(例如，對(甲基)苯基三甲氧基矽烷)、甲基三乙氧基矽烷、乙基三乙氧基矽烷、正或異丙基三乙氧基矽烷、正、異或第三丁基三乙氧基矽烷、戊基三乙氧基矽烷、己基三乙氧基矽烷、辛基三乙氧基矽烷、癸基三乙氧基矽烷、苯基三乙氧基矽烷、烷基取代苯基三乙氧基矽烷(例如，對(甲基)苯基三乙氧基矽烷)、(3,3,3-三氟丙基)三甲氧基矽烷、及十三氟辛基三乙氧基矽烷、甲基三氯矽烷、二甲基二氯矽烷、三甲基氯矽烷、苯基三氯矽烷、三甲基氟矽烷、二甲基二溴矽烷、二苯基二溴矽烷、這些化合物的水解生成物、及這些化合物的水解生成物的縮合物等。這些中，就易取得性的觀點而言，較佳為丙基三甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、己基三甲氧基矽烷、苯基三乙氧基矽烷、癸基三甲氧基矽烷。
(2)分子內具有兩個以下的巰基的化合物
脫模層也可使用分子內具有兩個以下的巰基的化合物而構成。
作為該分子內具有兩個以下的巰基的化合物，可列舉：硫醇、二硫醇、硫代羧酸或其鹽、二硫代羧酸或其鹽、硫代磺酸或其鹽、及二硫代磺酸或其鹽，可使用選自這些化合物中的至少一種。
硫醇是分子內具有一個巰基的化合物，例如以R-SH表示。此處，R表示可含有羥基或胺基的脂肪族系或芳香族系烴基或雜環基。
二硫醇是分子內具有兩個巰基的化合物，例如以R(SH)2表示。R表示可含有羥基或胺基的脂肪族系或芳香族系烴基或雜環基。另外，兩個巰基可分別鍵結於相同的碳，也可鍵結於互不相同的碳或氮。
硫代羧酸是有機羧酸的羥基被取代為巰基的化合物，例如以R-CO-SH表示。R表示可含有羥基或胺基的脂肪族系或芳香族系烴基或雜環基。另外，硫代羧酸也可以鹽的形態使用。此外，也可使用具有兩個硫代羧酸基的化合物。
二硫代羧酸是有機羧酸的羧基中的兩個氧原子被取代為硫原子的化合物，例如以R-(CS)-SH表示。R表示可含有羥基或胺基的脂肪族系或芳香族系烴基或雜環基。另外，二硫代羧酸也可以鹽的形態使用。此外，也可使用具有兩個二硫代羧酸基的化合物。
硫代磺酸是有機磺酸的羥基被取代為巰基的化合物，例如以R(SO2)-SH表示。R表示可含有羥基或胺基的脂肪族系或芳香族系烴基或雜環基。另外，硫代磺酸也可以鹽的形態使用。
二硫代磺酸是有機二磺酸的兩個羥基分別被取代為巰基的化合物，例如以R-((SO2)-SH)2表示。R表示可含有羥基或胺基的脂肪族系或芳香族系烴基或雜環基。另外，兩個硫代磺酸基可分別鍵結於相同的碳， 也可鍵結於互不相同的碳。另外，二硫代磺酸也可以鹽的形態使用。
此處，關於適合作為R的脂肪族系烴基，可列舉烷基、環烷基，這些烴基也可含有羥基與胺基中的任一者或者兩者。
另外，作為烷基，沒有限定，可列舉：甲基、乙基、正或異丙基、正、異或第三丁基、正、異或新戊基、正己基、正辛基、正癸基等直鏈狀或支鏈狀的碳數1~20、較佳為碳數1~10、更佳為碳數1~5的烷基。
另外，作為環烷基，沒有限定，可列舉：環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環庚基、環辛基等碳數3~10、較佳為碳數5~7的環烷基。
另外，關於適合作為R的芳香族烴基，可列舉：苯基、經烷基取代的苯基(例如：甲苯基、二甲苯基)、1-或2-萘基、蒽基等碳數6~20、較佳為6~14的芳基，這些烴基也可含有羥基與胺基中的任一者或者兩者。
另外，關於適合作為R的雜環基，可列舉：咪唑、三唑、四唑、苯并咪唑、苯并三唑、噻唑、苯并噻唑，也可含有羥基與胺基中的任一者或者兩者。
作為分子內具有兩個以下的巰基的化合物的較佳例，可列舉：3-巰基-1,2-丙二醇、2-巰基乙醇、1,2-乙二硫醇、6-巰基-1-己醇、1-辛硫醇、1-十二烷硫醇、10-羥基-1-十二烷硫醇、10-羧基-1-十二烷硫醇、10-胺基-1-十二烷硫醇、1-十二烷硫醇磺酸鈉、苯硫酚、硫代苯甲酸、4-胺基-苯硫酚、對甲苯硫醇、2,4-二甲基苯硫酚、3-巰基-1,2,4-三唑、2-巰基苯并噻唑。這些化合物中，就水溶性與廢棄物處理的觀點而言，較佳為3-巰基-1,2-丙二 醇。
(3)金屬烷氧化物
脫模層也可單獨地構成或組合多種地構成具有下式所示的結構的鋁酸酯化合物、鈦酸酯化合物、鋯酸酯化合物、或其水解生成物質、或該水解生成物質的縮合物(以下，簡稱為金屬烷氧化物)。
(R 1 ) m -M-(R 2 ) n
式中，R1為烷氧基或鹵素原子，R2為選自由烷基、環烷基及芳基所組成的群中的烴基，或者為一個以上的氫原子被取代為鹵素原子的上述任一種烴基，M為Al、Ti、Zr中的任一種，n為0、1或2，m為1以上且M的價數以下的整數，R1的至少一個為烷氧基。此外，m+n為M的價數，即，在為Al的情況下為3，在為Ti或Zr的情況下為4。
該金屬烷氧化物必須具有至少一個烷氧基。在烷氧基不存在而僅由選自由烷基、環烷基及芳基所組成的群中的烴基、或者一個以上的氫原子被取代為鹵素原子的上述任一種烴基構成取代基的情況下，有板狀載體與金屬箔表面的密合性過度降低的傾向。另外，該金屬烷氧化物必須具有0~兩個選自由烷基、環烷基及芳基所組成的群中的烴基、或者一個以上的氫原子被取代為鹵素原子的上述任一種烴基。其原因在於：在具有三個以上該烴基的情況下，有板狀載體與金屬箔表面的密合性過度降低的傾向。此外，本案發明的烷氧基也包括一個以上的氫原子被取代為鹵素原子的烷氧基。就將板狀載體與金屬箔的剝離強度調節為上述範圍的方面而 言，該金屬烷氧化物較佳為具有兩個以上烷氧基、一個或兩個上述烴基(包含一個以上的氫原子被取代為鹵素原子的烴基)。
另外，作為烷基，沒有限定，可列舉：甲基、乙基、正或異丙基、正、異或第三丁基、正、異或新戊基、正己基、正辛基、正癸基等直鏈狀或支鏈狀的碳數1~20、較佳為碳數1~10、更佳為碳數1~5的烷基。
另外，作為環烷基，沒有限定，可列舉：環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環庚基、環辛基等碳數3~10、較佳為碳數5~7的環烷基。
另外，關於適合作為R2的芳香族烴基，可列舉：苯基、經烷基取代的苯基(例如：甲苯基、二甲苯基)、1-或2-萘基、蒽基等碳數6~20、較佳為6~14的芳基，這些烴基也可含有羥基與胺基中的任一者或兩者。
這些烴基也可一個以上的氫原子被取代為鹵素原子，例如可經氟原子、氯原子、或溴原子取代。
作為較佳的鋁酸酯化合物的例子，可列舉：三甲氧基鋁、甲基二甲氧基鋁、乙基二甲氧基鋁、正或異丙基二甲氧基鋁、正、異或第三丁基二甲氧基鋁、正、異或新戊基二甲氧基鋁、己基二甲氧基鋁、辛基二甲氧基鋁、癸基二甲氧基鋁、苯基二甲氧基鋁；烷基取代苯基二甲氧基鋁(例如，對(甲基)苯基二甲氧基鋁)、二甲基甲氧基鋁、三乙氧基鋁、甲基二乙氧基鋁、乙基二乙氧基鋁、正或異丙基二乙氧基鋁、正、異或第三丁基二乙氧基鋁、戊基二乙氧基鋁、己基二乙氧基鋁、辛基二乙氧基鋁、癸基二乙氧基鋁、苯基二乙氧基鋁、烷基取代苯基二乙氧基鋁(例如，對(甲 基)苯基二乙氧基鋁)、二甲基乙氧基鋁、三異丙氧基鋁、甲基二異丙氧基鋁、乙基二異丙氧基鋁、正或異丙基二乙氧基鋁、正、異或第三丁基二異丙氧基鋁、戊基二異丙氧基鋁、己基二異丙氧基鋁、辛基二異丙氧基鋁、癸基二異丙氧基鋁、苯基二異丙氧基鋁、烷基取代苯基二異丙氧基鋁(例如，對(甲基)苯基二異丙氧基鋁)、二甲基異丙氧基鋁、(3,3,3-三氟丙基)二甲氧基鋁、及十三氟辛基二乙氧基鋁、甲基二氯鋁、二甲基氯鋁、二甲基氯鋁、苯基二氯鋁、二甲基氟鋁、二甲基溴鋁、二苯基溴鋁、這些的水解生成物、及這些的水解生成物的縮合物等。這些中，就易取得性的觀點而言，較佳為三甲氧基鋁、三乙氧基鋁、三異丙氧基鋁。
作為較佳的鈦酸酯化合物的例子，可列舉：四甲氧基鈦、甲基三甲氧基鈦、乙基三甲氧基鈦、正或異丙基三甲氧基鈦、正、異或第三丁基三甲氧基鈦、正、異或新戊基三甲氧基鈦、己基三甲氧基鈦、辛基三甲氧基鈦、癸基三甲氧基鈦、苯基三甲氧基鈦；烷基取代苯基三甲氧基鈦(例如，對(甲基)苯基三甲氧基鈦)、二甲基二甲氧基鈦、四乙氧基鈦、甲基三乙氧基鈦、乙基三乙氧基鈦、正或異丙基三乙氧基鈦、正、異或第三丁基三乙氧基鈦、戊基三乙氧基鈦、己基三乙氧基鈦、辛基三乙氧基鈦、癸基三乙氧基鈦、苯基三乙氧基鈦、烷基取代苯基三乙氧基鈦(例如，對(甲基)苯基三乙氧基鈦)、二甲基二乙氧基鈦、四異丙氧基鈦、甲基三異丙氧基鈦、乙基三異丙氧基鈦、正或異丙基三乙氧基鈦、正、異或第三丁基三異丙氧基鈦、戊基三異丙氧基鈦、己基三異丙氧基鈦、辛基三異丙氧基鈦、癸基三異丙氧基鈦、苯基三異丙氧基鈦、烷基取代苯基三異丙氧基鈦(例如，對(甲基)苯基三異丙氧基鈦)、二甲基二異丙氧基鈦、(3,3,3-三氟丙基) 三甲氧基鈦、及十三氟辛基三乙氧基鈦、甲基三氯鈦、二甲基二氯鈦、三甲基氯鈦、苯基三氯鈦、二甲基二氟鈦、二甲基二溴鈦、二苯基二溴鈦、這些的水解生成物、及這些的水解生成物的縮合物等。這些中，就易取得性的觀點而言，較佳為四甲氧基鈦、四乙氧基鈦、四異丙氧基鈦。
作為較佳的鋯酸酯化合物的例子，可列舉：四甲氧基鋯、甲基三甲氧基鋯、乙基三甲氧基鋯、正或異丙基三甲氧基鋯、正、異或第三丁基三甲氧基鋯、正、異或新戊基三甲氧基鋯、己基三甲氧基鋯、辛基三甲氧基鋯、癸基三甲氧基鋯、苯基三甲氧基鋯；烷基取代苯基三甲氧基鋯(例如，對(甲基)苯基三甲氧基鋯)、二甲基二甲氧基鋯、四乙氧基鋯、甲基三乙氧基鋯、乙基三乙氧基鋯、正或異丙基三乙氧基鋯、正、異或第三丁基三乙氧基鋯、戊基三乙氧基鋯、己基三乙氧基鋯、辛基三乙氧基鋯、癸基三乙氧基鋯、苯基三乙氧基鋯、烷基取代苯基三乙氧基鋯(例如，對(甲基)苯基三乙氧基鋯)、二甲基二乙氧基鋯、四異丙氧基鋯、甲基三異丙氧基鋯、乙基三異丙氧基鋯、正或異丙基三乙氧基鋯、正、異或第三丁基三異丙氧基鋯、戊基三異丙氧基鋯、己基三異丙氧基鋯、辛基三異丙氧基鋯、癸基三異丙氧基鋯、苯基三異丙氧基鋯、烷基取代苯基三異丙氧基鋯(例如，對(甲基)苯基三異丙氧基鈦)、二甲基二異丙氧基鋯、(3,3,3-三氟丙基)三甲氧基鋯、及十三氟辛基三乙氧基鋯、甲基三氯鋯、二甲基二氯鋯、三甲基氯鋯、苯基三氯鋯、二甲基二氟鋯、二甲基二溴鋯、二苯基二溴鋯、這些的水解生成物、及這些的水解生成物的縮合物等。這些中，就易取得性的觀點而言，較佳為四甲氧基鋯、四乙氧基鋯、四異丙氧基鋯。
(4)由樹脂塗膜構成的脫模層
對於板狀載體與金屬箔，使用由聚矽氧、與選自環氧系樹脂、三聚氰胺系樹脂及氟樹脂中的任一種、兩種或三種樹脂所構成的樹脂塗膜將板狀載體與金屬箔進行貼合，由此密合性適度地降低，而能夠將剝離強度調節至如下述的範圍內。
用以實現此種密合性的剝離強度的調節是藉由如下述般使用由聚矽氧、與選自環氧系樹脂、三聚氰胺系樹脂及氟樹脂中的任一種、兩種或三種樹脂所構成的樹脂塗膜而進行。其原因在於：對此種樹脂塗膜進行如下述的特定條件的烘烤處理，將之用於板狀載體與金屬箔之間，進行熱壓以進行貼合，由此密合性適度地降低，而能夠將剝離強度調節至上述的範圍內。
作為環氧系樹脂，可列舉：雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、酚醛清漆型環氧樹脂、溴化環氧樹脂、胺型環氧樹脂、可撓性環氧樹脂、氫化雙酚A型環氧樹脂、苯氧基樹脂、溴化苯氧基樹脂等。
作為三聚氰胺系樹脂，可列舉：甲醚化三聚氰胺樹脂、丁基化脲三聚氰胺樹脂、丁基化三聚氰胺樹脂、甲基化三聚氰胺樹脂、丁醇改質三聚氰胺樹脂等。另外，三聚氰胺系樹脂也可為上述樹脂與丁基化脲樹脂、丁基化苯代三聚氰胺樹脂等的混合樹脂。
此外，環氧系樹脂的數均分子量較佳為2000~3000，三聚氰胺系樹脂的數均分子量較佳為500~1000。藉由具有此種數均分子量，而樹脂的塗料化成為可能，並且變得容易將樹脂塗膜的接著強度調整至特定範圍。
另外，作為氟樹脂，可列舉：聚四氟乙烯、聚氯三氟乙烯、聚偏二氟乙烯、聚氟乙烯等。
作為聚矽氧，可列舉：甲基苯基聚矽氧烷、甲基氫聚矽氧烷、二甲基聚矽氧烷、改質二甲基聚矽氧烷、這些的混合物等。此處，所謂改質，例如可列舉：環氧基改質、烷基改質、胺基改質、羧基改質、醇改質、氟改質、烷基芳烷基聚醚改質、環氧基聚醚改質、聚醚改質、烷基高級醇酯改質、聚酯改質、醯氧基烷基改質、鹵化烷基醯氧基烷基改質、鹵化烷基改質、胺基二醇改質、巰基改質、含羥基的聚酯改質等。
關於樹脂塗膜，如果膜厚過小，那麼樹脂塗膜過薄而形成困難，因此生產性容易降低。另外，即便膜厚超過一定厚度，仍未見樹脂塗膜的剝離性進一步提高，且樹脂塗膜的製造成本容易變高。就此種觀點而言，樹脂塗膜較佳其膜厚為0.1~10μm，進而較佳為0.5~5μm。另外，樹脂塗膜的膜厚是藉由在下述的順序中將樹脂塗料以特定塗布量進行塗布而達成。
在樹脂塗膜中，聚矽氧是作為樹脂塗膜的剝離劑發揮功能。因此，如果環氧系樹脂、三聚氰胺系樹脂的合計量與聚矽氧相比過多，那麼在板狀載體與金屬箔之間樹脂塗膜所賦予的剝離強度變大，因此有樹脂塗膜的剝離性降低，而用人手無法容易地剝離的情況。另一方面，如果環氧系樹脂、三聚氰胺系樹脂的合計量過少，那麼上述的剝離強度變小，因此有在附載體的金屬箔的搬送時或加工時發生剝離的情況。就該觀點而言，較佳為相對於聚矽氧100質量份，較佳為以環氧系樹脂、三聚氰胺系樹脂的合計為10~1500質量份的量含有，進而更佳為以20~800質量份的 量含有。
另外，氟樹脂與聚矽氧同樣地，作為剝離劑發揮功能，且有使樹脂塗膜的耐熱性提高的效果。如果氟樹脂與聚矽氧相比過多，那麼上述剝離強度變小，因此有在積層體的搬送時或加工時發生剝離的情況，此外，由於下述的烘烤步驟所需的溫度會上升，會變得浪費。就該觀點而言，氟樹脂較佳為相對於聚矽氧100質量份，較佳為0~50質量份、進而較佳為0~40質量份。
樹脂塗膜除含有聚矽氧、及環氧樹脂及/或三聚氰胺樹脂、及視需要的氟樹脂以外，還可進而含有選自SiO2、MgO、Al2O3、BaSO4及Mg(OH)2中的一種以上的表面粗化粒子。藉由樹脂塗膜含有表面粗化粒子，而樹脂塗膜的表面成為凹凸。藉由該凹凸，塗布有樹脂塗膜的板狀載體或金屬箔的表面成為凹凸，而成為消光表面。關於表面粗化粒子的含量，只要樹脂塗膜會被凹凸化，則沒有特別限定，相對於聚矽氧100質量份，較佳為1~10質量份。
表面粗化粒子的粒徑較佳為15nm~4μm。此處，粒徑是指根據掃描式電子顯微鏡(SEM)照片等所測得的平均粒徑(最大粒徑與最小粒徑的平均值)。藉由表面粗化粒子的粒徑為上述範圍，而樹脂塗膜的表面的凹凸量變得容易調整，結果板狀載體或金屬箔的表面的凹凸量變得容易調整。具體而言，板狀載體或金屬箔的表面的凹凸量以JIS規定的最大高度粗糙度Ry計成為4.0μm左右。
此處，對積層體的製造方法進行說明。
該附載體的金屬箔是經過如下順序而獲得，該順序具有：在板狀載體 或金屬箔的至少一個表面塗布上述樹脂塗膜的步驟；與使該所塗布的樹脂塗膜硬化的烘烤步驟。以下，對各步驟進行說明。
(塗布步驟)
塗布步驟是在板狀載體的單面或兩面塗布由作為主劑的聚矽氧、作為硬化劑的環氧系樹脂、三聚氰胺系樹脂、及視需要的作為剝離劑的氟樹脂所構成的樹脂塗料而形成樹脂塗膜的步驟。樹脂塗料是使環氧系樹脂、三聚氰胺系樹脂、氟樹脂及聚矽氧溶解於醇等有機溶劑中而成。另外，關於樹脂塗料中的摻合量(添加量)，較佳為相對於聚矽氧100質量份，環氧系樹脂、三聚氰胺系樹脂的合計為10~1500質量份。另外，氟樹脂較佳為相對於聚矽氧100質量份為0~50質量份。
作為塗布步驟中的塗布方法，只要能夠形成樹脂塗膜，則無特別限定，可使用凹版塗布法、棒式塗布法、輥塗法、淋流式塗布法、使用靜電塗裝機的方法等，就樹脂塗膜的均一性及作業的簡便性而言，較佳為凹版塗布法。另外，作為塗布量，以使樹脂塗膜3成為較佳膜厚：0.5~5μm之方式樹脂量較佳為1.0~2.0g/m2。
凹版塗布法是藉由將填滿設置在輥表面的凹部(槽)的樹脂塗料轉印至板狀載體，而在板狀載體的表面形成樹脂塗膜的方法。具體而言，將表面設置有槽的下側輥的下部浸漬在樹脂塗料中，藉由下側輥的滾動而將樹脂塗料汲取至槽內。然後，在下側輥、與配置在下側輥的上側的上側輥之間配置板狀載體，一面用上側輥將板狀載體壓抵於下側輥，一面使下側輥及上側輥滾動，由此一邊搬送板狀載體，一面將被汲取至槽內的 樹脂塗料向板狀載體的單面進行轉印(塗布)。
另外，藉由在板狀載體的搬入側以與下側輥的表面接觸的方式配置刮刀，而將被汲取至槽以外的輥表面的過量樹脂塗料去除，從而在板狀載體的表面塗布特定量的樹脂塗料。此外，在槽的支數(大小及深度)較大的情況下，或樹脂塗料的黏度較高的情況下，板狀載體的單面所形成的樹脂塗膜不易變得平滑。因此，也可在板狀載體的搬出側配置平滑化輥，而維持樹脂塗膜的平滑度。
此外，在板狀載體的兩面形成樹脂塗膜的情況下，在板狀載體的單面形成樹脂塗膜後，將板狀載體反轉，再次配置在下側輥與上側輥之間。然後，以與上述相同的方式，將下側輥的槽內的樹脂塗料轉印(塗布)至板狀載體的背面。
(烘烤步驟)
烘烤步驟是在125~320℃(烘烤溫度)下對塗布步驟中所形成的樹脂塗膜實施0.5~60秒鐘(烘烤時間)烘烤處理的步驟。如上所述，藉由對由特定摻合量的樹脂塗料所形成的樹脂塗膜實施特定條件的烘烤處理，而將由樹脂塗膜賦予的板狀載體與金屬箔之間的剝離強度控制在特定範圍內。在本發明中，烘烤溫度是板狀載體的極限溫度。另外，作為烘烤處理所使用的加熱手段，是使用先前公知的裝置。
在烘烤並不充分的條件、例如烘烤溫度未達125℃或烘烤時間未達0.5秒鐘的情況下，樹脂塗膜會變得硬化不足，上述剝離強度超過200gf/cm而剝離性降低。另外，在烘烤過度的條件、例如烘烤溫度超過320 ℃的情況下，樹脂塗膜會劣化，上述剝離強度超過200gf/cm而剝離時的作業性變差。或者，有板狀載體因高溫而變質的情況。另外，在烘烤時間超過60秒鐘的情況下，生產性變差。
在積層體的製造方法中，上述塗布步驟的樹脂塗料也可由作為主劑的聚矽氧、作為硬化劑的環氧樹脂、三聚氰胺系樹脂、作為剝離劑的氟樹脂、及選自SiO2、MgO、Al2O3、BaSO4及Mg(OH)2中的一種以上的表面粗化粒子所構成的塗料。
具體而言，樹脂塗料是在上述添加聚矽氧之樹脂溶液中進而添加有表面粗化粒子的樹脂塗料。藉由進而將此種表面粗化粒子添加至樹脂塗料中，而樹脂塗膜的表面成為凹凸，藉由該凹凸而板狀載體或金屬箔變得凹凸，而成為消光表面。然後，為了獲得具有此種消光表面的板狀載體或金屬箔，樹脂塗料中的表面粗化粒子的摻合量(添加量)較佳為相對於聚矽氧100質量份為1~10質量份。另外，表面粗化粒子的粒徑進而較佳為15nm~4μm。
本發明的製造方法如上所述，但在進行本發明時，也可在不會對上述各步驟造成不良影響的範圍內，在上述各步驟之間或前後含有其他步驟。例如也可在塗布步驟之前進行將板狀載體的表面進行洗淨的洗淨步驟。
‧能夠在附脫模層的銅箔的脫模層側進行積層的樹脂(下述的絕緣基板1)
作為能夠在附脫模層的銅箔的脫模層側進行積層的樹脂，可使用公知 的樹脂。另外，可使用能夠用作板狀載體的公知的樹脂。另外，關於上述的樹脂，可使用下述的樹脂層。另外，作為能夠在附脫模層的銅箔的脫模層側進行積層的樹脂，沒有特別限制，可使用酚樹脂、聚醯亞胺樹脂、環氧樹脂、天然橡膠、松脂等，較佳為熱硬化性樹脂。另外，還可使用預浸體。與銅箔貼合前的預浸體可處在B階段的狀態。預浸體(C階段)的線膨脹係數如果為12~18(×10-6/℃)，那麼與作為基板的構成材料的銅箔的16.5(×10-6/℃)、或SUS加壓板的17.3(×10-6/℃)大致同等，因此在由加壓前後的基板尺寸與設計時的尺寸不同的現象(縮小變化)導致的電路錯位不易產生的方面上有利。進而，作為這些優點的協同效應，多層的極薄空心基板的生產也成為可能。此處所使用的預浸體可為與構成電路基板的預浸體相同的物質，也可為與構成電路基板的預浸體不同的物質。
就將加熱後的剝離強度維持在最佳範圍的觀點而言，該預浸體較佳為具有較高的玻璃轉移溫度Tg，例如為120~320℃、較佳為170~240℃的玻璃轉移溫度Tg。此外，玻璃轉移溫度Tg設為藉由DSC(示差掃描熱量測定法)所測定的值。
另外，樹脂的熱膨脹率較理想為銅箔的熱膨脹率的+10%且-30%以內。由此，能夠有效地防止由銅箔與樹脂的熱膨脹差引起的電路錯位，而能夠減少不良品產生，使良率提高。
樹脂的厚度沒有特別限制，可為剛性也可為撓性，如果過厚，那麼會對熱壓中的熱分佈造成不良影響，另一方面，如果過薄，那麼彎曲而使印刷配線板的製造步驟停止，因此通常為5μm以上且1000μm以下，較佳為50μm以上且900μm以下，更佳為100μm以上且400μm 以下。
<積層體>
可使用本發明的附脫模層的銅箔而製作積層體(覆銅積層體等)。
作為使用本發明的附脫模層的銅箔的積層體，例如也可為以“脫模層/阻擋層/銅箔/樹脂或預浸體”的順序積層的構成。
上述樹脂或預浸體可為下述的樹脂層，也可包含下述的樹脂層所使用的樹脂、樹脂硬化劑、化合物、硬化促進劑、介電質、反應觸媒、交聯劑、聚合物、預浸體、骨架材等。此外，附脫模層的銅箔也可在俯視時比樹脂或預浸體小。
<粗化處理及其他表面處理>
在附脫模層的銅箔的銅箔表面，例如為了使與絕緣基板或樹脂的密合性變得良好等，也可藉由實施粗化處理而設置粗化處理層。粗化處理例如能夠藉由由銅或銅合金形成粗化粒子而進行。粗化處理也可為微細的粗化處理。粗化處理層也可為由選自由銅、鎳、磷、鎢、砷、鉬、鉻、鈦、鐵、釩、鈷及鋅所組成的群中的任一種單質或含有任一種以上的合金所組成的層等。另外，也可進行如下粗化處理，即在由銅或銅合金形成粗化粒子後，進而以鎳、鈷、銅、鋅的單質或合金等設置二次粒子或三次粒子。其後，還可由鎳、鈷、銅、鋅、錫、鉬、鎢、磷、砷、鉻、釩、鈦、鋁、金、銀、鉑族元素、鐵、鉭的單質及/或合金及/或氧化物及/或氮化物及/或矽化物等形成耐熱層或防銹層，進而還可對其表面實施鉻酸鹽處理、矽烷偶合劑處 理等處理。或者也可不進行粗化處理，而由鎳、鈷、銅、鋅、錫、鉬、鎢、磷、砷、鉻、釩、鈦、鋁、金、銀、鉑族元素、鐵、鉭的單質及/或合金及/或氧化物及/或氮化物及/或矽化物等形成耐熱層或防銹層，進而對其表面實施鉻酸鹽處理、矽烷偶合劑處理等處理。即，可在粗化處理層的表面形成選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合劑處理層所組成的群中的一種以上的層，也可在附脫模層的銅箔之銅箔表面或附載體的銅箔的極薄銅層的表面形成選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合劑處理層所組成的群中的一種以上的層。此外，上述的耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層、矽烷偶合劑處理層也可分別由多層所形成(例如兩層以上、三層以上等)。
例如，關於作為粗化處理的銅-鈷-鎳合金鍍敷，能夠以藉由電解鍍敷而形成如附著量為15~40mg/dm2的銅-100~3000μg/dm2的鈷-100~1500μg/dm2的鎳之三元系合金層的方式實施。如果Co附著量未達100μg/dm2，那麼有耐熱性變差，蝕刻性變差的情況。如果Co附著量超過3000μg/dm2，那麼在必須考慮磁性的影響的情況下並不佳，有產生蝕刻斑，另外，耐酸性及耐化學品性變差的情況。如果Ni附著量未達100μg/dm2，那麼有耐熱性變差的情況。另一方面，如果Ni附著量超過1500μg/dm2，那麼有蝕刻殘留物變多的情況。Co附著量較佳為1000~2500μg/dm2，鎳附著量較佳為500~1200μg/dm2。此處，所謂蝕刻斑是指在藉由氯化銅進行蝕刻的情況下，Co未溶解而殘留的情況，而且，所謂蝕刻殘留物是指在藉由氯化銨進行鹼性蝕刻的情況下，Ni未溶解而殘留的情況。
用以形成此種三元系銅-鈷-鎳合金鍍敷的一般鍍浴及鍍敷 條件的一例如下：
鍍浴組成：Cu 10~20g/L、Co 1~10g/L、Ni 1~10g/L
pH值：1~4
溫度：30~50℃
電流密度Dk：20~30A/dm2
鍍敷時間：1~5秒鐘
所謂上述鉻酸鹽處理層，是指經含有鉻酸酐、鉻酸、重鉻酸、鉻酸鹽或重鉻酸鹽的液體處理過的層。鉻酸鹽處理層也可含有Co、Fe、Ni、Mo、Zn、Ta、Cu、Al、P、W、Sn、As及Ti等元素(也可為金屬、合金、氧化物、氮化物、硫化物等任何形態)。作為鉻酸鹽處理層的具體例，可列舉：經鉻酸酐或重鉻酸鉀水溶液處理過的鉻酸鹽處理層、或者經含有鉻酸酐或重鉻酸鉀及鋅的處理液處理過的鉻酸鹽處理層等。
上述矽烷偶合劑處理層可使用公知的矽烷偶合劑而形成，也可使用環氧系矽烷、胺基系矽烷、甲基丙烯醯氧基系矽烷、巰基系矽烷、乙烯系矽烷、咪唑系矽烷、三系矽烷等矽烷偶合劑等而形成。此外，此種矽烷偶合劑也可混合兩種以上而使用。其中，較佳為使用胺基系矽烷偶合劑或環氧系矽烷偶合劑而形成的矽烷偶合劑處理層。
另外，可對附脫模層的銅箔之銅箔表面或脫模層表面、粗化處理層、耐熱層、防銹層、矽烷偶合劑處理層或鉻酸鹽處理層的表面進行國際公開編號WO2008/053878、日本特開2008-111169號、日本專利第5024930號、國際公開編號WO2006/028207、日本專利第4828427號、國際公開編號WO2006/134868、日本專利第5046927號、國際公開編號WO2007/105635、 日本專利第5180815號、日本特開2013-19056號所記載的表面處理。
另外，也可在附脫模層的銅箔之銅箔表面具備粗化處理層，也可在上述粗化處理層上具備一層以上的選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合劑處理層所組成的群中的層。
另外，也可在附脫模層的銅箔之銅箔表面具備粗化處理層，也可在上述粗化處理層上具備耐熱層、防銹層，也可在上述耐熱層、防銹層上具備鉻酸鹽處理層，也可在上述鉻酸鹽處理層上具備矽烷偶合劑處理層。
另外，也可在附脫模層的銅箔之銅箔表面或脫模層表面或者上述粗化處理層上、或者上述耐熱層、或者上述防銹層、或者上述鉻酸鹽處理層、或者上述矽烷偶合劑處理層上具備樹脂層。上述樹脂層也可為絕緣樹脂層。
上述樹脂層可為接著劑，也可為接著用的半硬化狀態(B階段狀態)的絕緣樹脂層。所謂半硬化狀態(B階段狀態)包含如下狀態：即便用手指接觸其表面也無黏著感，能夠重疊該絕緣樹脂層以進行保管，如果進而受到加熱處理，那麼會產生硬化反應。
另外，上述樹脂層可含有熱硬化性樹脂，也可為熱塑性樹脂。另外，上述樹脂層也可含有熱塑性樹脂。其種類沒有特別限定，例如可列舉：含有選自環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、多官能性氰酸酯化合物、馬來醯亞胺化合物、聚乙烯醇縮醛樹脂、聚氨酯樹脂、聚醚碸(也稱為polyethersulphone)、聚醚碸(也稱為polyethersulphone)樹脂、芳香族聚醯胺樹脂、芳香族聚醯胺樹脂聚合物、橡膠性樹脂、聚胺、芳香族聚胺、聚醯胺醯亞胺樹脂、橡膠改質環氧樹脂、苯氧基樹脂、羧基改質丙烯腈-丁二烯樹脂、聚伸苯醚、雙馬來醯亞胺三樹脂、熱硬化性聚伸苯醚樹脂、氰酸 酯系樹脂、羧酸酐、多元羧酸酐、具有可交聯的官能基的線狀聚合物、聚苯醚樹脂、2,2-雙(4-氰酸酯基苯基)丙烷、含磷酚化合物、環烷酸錳(manganese naphthenate)、2,2-雙(4-縮水甘油基苯基)丙烷、聚苯醚-氰酸酯系樹脂、矽氧烷改質聚醯胺醯亞胺樹脂、氰基酯樹脂、膦腈系樹脂、橡膠改質聚醯胺醯亞胺樹脂、異戊二烯、氫化型聚丁二烯、聚乙烯丁醛、苯氧基、高分子環氧基、芳香族聚醯胺、氟樹脂、雙酚、嵌段共聚合聚醯亞胺樹脂及氰基酯樹脂的群中的1種以上的樹脂作為適合的樹脂。
另外，上述環氧樹脂是分子內具有兩個以上環氧基的環氧樹脂，只要為可用於電氣電子材料用途的環氧樹脂，則可使用，沒有特別問題。另外，上述環氧樹脂較佳為使用分子內具有兩個以上縮水甘油基的化合物而環氧化而成的環氧樹脂。另外，可使用選自雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、雙酚AD型環氧樹脂、酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、脂環式環氧樹脂、溴化(brominated)環氧樹脂、酚系酚醛清漆型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、溴化雙酚A型環氧樹脂、鄰甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、橡膠改質雙酚A型環氧樹脂、縮水甘油胺型環氧樹脂、三縮水甘油基異氰尿酸酯、N,N-二縮水甘油基苯胺等縮水甘油胺化合物、四氫鄰苯二甲酸二縮水甘油酯等縮水甘油酯化合物、含磷環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、聯苯酚醛清漆型環氧樹脂、三羥基苯基甲烷型環氧樹脂、四苯基乙烷型環氧樹脂的群中1種或混合2種以上而使用，或者可使用上述環氧樹脂的氫化物或鹵化物。
可使用公知的含有磷的環氧樹脂作為上述含磷環氧樹脂。另外，上述含磷環氧樹脂例如較佳為如下環氧樹脂，該環氧樹脂是以源自分子內具備 兩個以上環氧基的9,10-二氫-9-氧雜-10-磷雜菲-10-氧化物的衍生物之形態獲得。
上述樹脂層可含有公知的樹脂、樹脂硬化劑、化合物、硬化促進劑、介電質(也可使用含有無機化合物及/或有機化合物的介電質、含有金屬氧化物的介電質等之類的介電質)、反應觸媒、交聯劑、聚合物、預浸體、骨架材等。另外，上述樹脂層例如也可使用國際公開編號WO2008/004399號、國際公開編號WO2008/053878、國際公開編號WO2009/084533、日本特開平11-5828號、日本特開平11-140281號、日本專利第3184485號、國際公開編號WO97/02728、日本專利第3676375號、日本特開2000-43188號、日本專利第3612594號、日本特開2002-179772號、日本特開2002-359444號、日本特開2003-304068號、日本專利第3992225、日本特開2003-249739號、日本專利第4136509號、日本特開2004-82687號、日本專利第4025177號、日本特開2004-349654號、日本專利第4286060號、日本特開2005-262506號、日本專利第4570070號、日本特開2005-53218號、日本專利第3949676號、日本專利第4178415號、國際公開編號WO2004/005588、日本特開2006-257153號、日本特開2007-326923號、日本特開2008-111169號、日本專利第5024930號、國際公開編號WO2006/028207、日本專利第4828427號、日本特開2009-67029號、國際公開編號WO2006/134868、日本專利第5046927號、日本特開2009-173017號、國際公開編號WO2007/105635、日本專利第5180815號、國際公開編號WO2008/114858、國際公開編號WO2009/008471、日本特開2011-14727號、國際公開編號WO2009/001850、國際公開編號WO2009/145179、國際公開編 號WO2011/068157、日本特開2013-19056號所記載的物質(樹脂、樹脂硬化劑、化合物、硬化促進劑、介電質、反應觸媒、交聯劑、聚合物、預浸體、骨架材等)及/或樹脂層的形成方法、形成裝置而形成。
使這些樹脂溶解於例如甲基乙基酮(MEK)、甲苯等溶劑中而製成樹脂液，藉由例如輥式塗布法等將該樹脂液塗布在附脫模層的銅箔之銅箔或脫模層上、或者上述耐熱層、防銹層、或者上述鉻酸酯皮膜層、或者上述矽烷偶合劑層上，接著視需要進行加熱乾燥，去除溶劑而製成B階段狀態。在乾燥中，例如只要使用熱風乾燥爐即可，乾燥溫度只要為100~250℃、較佳為130~200℃即可。
具備上述樹脂層的附脫模層的銅箔(附樹脂之附脫模層的銅箔)是以如下形態使用：將該樹脂層重疊在基材上後，對整體進行熱壓接而使該樹脂層熱硬化，接著將載體剝離而使極薄銅層露出(當然露出的是該極薄銅層的剝離層側的表面)，在此處形成特定的配線圖案。
如果使用該附樹脂的附脫模層的銅箔，那麼能夠減少製造多層印刷配線基板時的預浸體材的使用片數。而且，能夠使樹脂層的厚度為如可確保層間絕緣的厚度，或者即便完全不使用預浸體材也能夠製造覆銅積層板。另外，此時，也可在基材的表面底塗絕緣樹脂而進一步改善表面的平滑性。
此外，在不使用預浸體材的情況下，具有如下優點；節省預浸體材的材料成本，另外，積層步驟也變得簡單，因此在經濟上變得有利，而且，以僅預浸體材的厚度製造的多層印刷配線基板的厚度變薄，而能夠製造一層的厚度為100μm以下的極薄多層印刷配線基板。
該樹脂層的厚度較佳為0.1~80μm。如果樹脂層的厚度變得薄於0.1μm，那麼有如下情況：接著力下降，在不經由預浸體材而將該附樹脂的附載體的銅箔積層在具備內層材的基材上時，變得難以確保內層材的與電路之間的層間絕緣。
另一方面，如果使樹脂層的厚度厚於80μm，那麼有如下情況：變得難以以一次塗布步驟形成目標厚度的樹脂層，而耗費多餘的材料費與步驟數，因此在經濟上變得不利。進而，所形成的樹脂層由於其柔性較差，所以在操作時變得容易產生龜裂等，另外，有在與內層材的熱壓接時引起過度的樹脂流動而難以順利地進行積層的情況。
作為附樹脂之附脫模層的銅箔的另一個製品形態，也可在附脫模層的銅箔之銅箔或脫模層上、或者上述耐熱層、防銹層、或者上述鉻酸鹽處理層、或者上述矽烷偶合劑處理層上用樹脂層進行被覆，成為半硬化狀態後，以附樹脂之銅箔的形態進行製造。
藉由進而在印刷配線板搭載電子零件類而完成印刷電路板。在本發明中，“印刷配線板”還包括如上述般搭載有電子零件類的印刷配線板、印刷電路板、及印刷基板。
另外，也可使用該印刷配線板而製作電子機器，也可使用該搭載有電子零件類的印刷電路板而製作電子機器，也可使用該搭載有電子零件類的印刷基板而製作電子機器。在以下表示幾個使用本發明的附脫模層的銅箔之印刷配線板的製造步驟的例子。
在本發明的印刷配線板的製造方法的一個實施方式中，也可使用減成法而形成埋入電路。在本發明中，所謂減成法，是指藉由蝕刻等， 將覆銅積層板上的銅箔的不要部分選擇性地去除，而形成導體圖案的方法。在以下，對包含使用本發明的附脫模層的銅箔，藉由減成法而形成埋入電路的步驟的印刷配線板的製造方法的例子進行說明。此外，在本說明書中，“電路”設為包括配線的概念。
圖1中顯示用以對使用本發明的一個實施方式的附脫模層的銅箔之埋入電路的形成方法進行說明之模式圖。使用本發明的一個實施方式的附脫模層的銅箔之埋入電路的形成方法是首先在本發明的附脫模層的銅箔(圖1a)的上述脫模層側積層絕緣基板1(圖1b)。其次，在積層有絕緣基板1的附脫模層的銅箔之銅箔側積層乾膜(DF)(圖1c)。其次，藉由曝光/顯影而將乾膜圖案化(圖1d)後，將銅箔進行蝕刻而形成電路(圖1e)。其次，將乾膜剝離而使電路露出(圖1f)。其次，藉由用絕緣基板2覆蓋所露出的電路而埋入電路(圖1g)。其次，藉由脫模層從埋入至絕緣基板2中的電路與阻擋層的積層體將絕緣基板1剝離而使阻擋層露出(圖1h)。其次，藉由蝕刻將所露出的阻擋層去除，由此使埋入至絕緣基板2中的電路露出(圖1i)。以此方式獲得埋入電路，而能夠製造使用該埋入電路的印刷配線板。
在如圖1e等般將銅箔局部去除的情況下，更佳為藉由銅箔能夠去除但與銅箔接觸的阻擋層難以被去除的方法將銅箔去除。例如，更佳為使用銅箔會溶解，但阻擋層難以溶解的蝕刻液而將銅箔去除。上述的蝕刻液例如可使用選擇性蝕刻液。此外，阻擋層由於對銅蝕刻劑或銅蝕刻液有耐溶解性，所以可使用公知的銅蝕刻劑或銅蝕刻液作為去除銅箔時的蝕刻劑或蝕刻液。
在如圖1i等般將阻擋層去除的情況下，較佳為藉由阻擋層能夠去除，但與阻擋層接觸的電路難以被去除的方法將阻擋層去除。例如在電路為銅的情況下，較佳為使用阻擋層會溶解，但為銅的電路難以溶解的蝕刻液而將阻擋層去除。
上述的蝕刻液例如可使用選擇性蝕刻液。可使用所有的選擇性蝕刻液作為選擇性蝕刻液。另外，可使用公知的選擇性蝕刻液作為選擇性蝕刻液。
作為選擇性蝕刻液，例如可列舉以下的蝕刻液。
‧日本化學產業股份有限公司製造 鎳選擇性蝕刻液NC及鎳蝕刻液H
會溶解的元素：Ni
難以溶解的元素：Ti、Au、Al、Cr、Cu、Ag等
‧日本化學產業股份有限公司製造FLICKER MH、或者MEC股份有限公司製造MECREMOVE CH系列
會溶解的元素：Ni-Cr合金
難以溶解的元素或合金：Cu
‧MEC股份有限公司製造MECREMOVE NH-1860系列
會溶解的元素：Ni
難以溶解的元素或合金：Cu
‧MEC股份有限公司製造MEC ALBRITE AS-1250
會溶解的元素：Al
難以溶解的元素或合金：Cu
‧MEC股份有限公司製造 選擇性蝕刻液
會溶解的元素：Co
難以溶解的元素或合金：Cu
‧日本化學產業股份有限公司製造 銅選擇性蝕刻液CS
會溶解的元素：Cu
難以溶解的元素或合金：Ti、Cr、Sn、W、Au、NiCr合金、不銹鋼等
‧日本化學產業股份有限公司製造 銅選擇性蝕刻液CSD
會溶解的元素：Cu
難以溶解的元素或合金：Ti、Cr、W、Au、NiCr合金、不銹鋼、Ag、Mo等
‧日本化學產業股份有限公司製造 銅選擇性蝕刻液CSS
會溶解的元素：Cu
難以溶解的元素或合金：Ti、Cr、W、Au、NiCr合金、不銹鋼、Ni、Sn、Ag、Mo等
‧MEC股份有限公司製造MECBRITE SF-5420
會溶解的元素：Cu
難以溶解的元素或合金：Ni
‧MEC股份有限公司製造 選擇性蝕刻液
會溶解的元素：Cu
難以溶解的元素或合金：Co、Sn、Al、Mo、In、Bi、Ni-Cr合金或ITO(氧化銦錫)
‧MEC股份有限公司製造 選擇性蝕刻液MEC REMOVER S-651A
會溶解的元素：Sn、Ag、Zn、Al、Ti、Bi、Cr、Fe、Co、Ni、Pd、Au、Pt
難以溶解的元素或合金：Cu、Cu合金
‧含硝酸等無機酸的水溶液
會溶解的元素：Sn、Ag、Zn、Al、Ti、Bi、Cr、Fe、Co、Ni、Pd、Au、Pt
難以溶解的元素或合金：Cu、Cu合金
‧含有硫羰基化合物及鹵化物離子的酸性水溶液
會溶解的元素或氧化物：含有選自由Zn、Sn、Al、In及Ga所組成的群中的一種以上的元素的氧化物
難以溶解的元素或合金：Cu、Cu合金
上述的硫羰基化合物例如可使用日本特開2013-135039號所記載的硫羰基化合物。
‧含有氧化性金屬離子源、選自由無機酸及有機酸所組成的群中的一種以上的酸、及僅具有氮原子作為雜環的雜原子的唑之水溶液
會溶解的元素或合金：Cu、Cu合金
難以溶解的元素或氧化物：含有選自由Zn、Sn、Al、In及Ga所組成的群中的一種以上的元素的氧化物
‧日本化學產業股份有限公司製造 鹼性鉻蝕刻液
會溶解的元素：Cr、Cr合金
難以溶解的元素或合金：Cu、Ni、Au、Ti、Co、Si等
另外，可使用日本特開2013-135039號、日本特開2005-23301號所記載的蝕刻液、酸、水溶液、其他溶液作為上述選擇性蝕刻液。
再者，絕緣基板1及2可使用埋入樹脂(RESIN)。該埋入樹脂可使用公知的樹脂、預浸體。例如可使用BT(雙馬來醯亞胺三)樹脂或作為含浸有BT樹脂的玻璃布的預浸體、味之素精細化學(Ajinomoto Fine-Techno)股份有限公司製造的ABF膜或ABF。另外，上述絕緣基板1及2以及上述埋入樹脂(RESIN)可使用公知的樹脂或本說明書所記載的樹脂層及/或樹脂及/或預浸體。
本發明的印刷配線板的製造方法也可為如下印刷配線板的製造方法(空心法)，該製造方法包括：將本發明的附脫模層的銅箔之上述脫模層側表面與樹脂基板進行積層的步驟；在積層有上述樹脂基板的附脫模層的銅箔之銅箔部分形成電路，其後用樹脂埋設該電路後，進行至少1次在該樹脂之上設置電路與樹脂層這兩層的步驟；及在形成上述樹脂層及電路這兩層後，使上述附脫模層的銅箔從上述樹脂基板剝離的步驟。其後，也可為包含從已剝離的附脫模層的銅箔去除脫模層、阻擋層的步驟之印刷配線板的製造方法(空心法)。
另外，本發明的印刷配線板的製造方法也可為如下印刷配線板的製造方法(空心法)，該製造方法包括：將本發明的附脫模層的銅箔之上述銅箔側表面或上述脫模層側表面與樹脂基板進行積層的步驟；在與積層有上述樹脂基板的銅箔側表面或上述脫模層側表面相反側之附脫模層的銅箔的表面進行至少1次設置樹脂層與電路這兩層的步驟；及在形成上述樹脂層及電路這兩層後，使上述樹脂層及電路這兩層從上述附脫模層的銅 箔剝離的步驟。此外，樹脂層及電路這兩層可以樹脂層、電路的順序設置，也可以電路、樹脂層的順序設置。關於該空心法，作為具體的例子，首先將本發明的附脫模層的銅箔之銅箔側表面或脫模層側表面與樹脂基板進行積層而製造積層體(也稱為覆銅積層板、覆銅積層體)。其後，在與積層有樹脂基板的銅箔側表面或上述脫模層側表面相反側之附脫模層的銅箔的表面形成樹脂層。也可進而將另一個附脫模層的銅箔從脫模層側或銅箔側積層於形成在脫模層側表面或銅箔側表面的樹脂層。另外，也可將如下積層體用於上述印刷配線板的製造方法(空心法)，即具有以樹脂基板或樹脂或預浸體為中心，且在該樹脂基板或樹脂或預浸體的兩表面側以脫模層/阻擋層/銅箔的順序或銅箔/阻擋層/脫模層的順序積層有附脫模層的銅箔之構成的積層體；或者具有以“脫模層/阻擋層/銅箔/樹脂基板或樹脂或預浸體/脫模層/阻擋層/銅箔”的順序積層之構成的積層體、或者具有以“脫模層/阻擋層/銅箔/樹脂基板/脫模層/阻擋層/銅箔”的順序積層之構成的積層體；或者具有以“銅箔/阻擋層/脫模層/樹脂基板/脫模層/阻擋層/銅箔”的順序積層之構成的積層體。然後，也可藉由在上述積層體的兩端的銅箔或脫模層已露出的表面設置另一個樹脂層，進而設置銅層或金屬層後，對該銅層或金屬層進行加工而形成電路或配線。進而，也可將另一個樹脂層以埋入該電路或配線的方式(以埋沒的方式)設置在該電路或配線上。另外，也可在上述積層體的兩端的銅箔或脫模層已露出的表面設置銅或金屬的配線或電路，在該配線或電路上設置另一個樹脂層，而藉由該另一個樹脂層埋入該配線或電路(也可埋沒)。其後，也可在另一個樹脂層上進行電路或配線與樹脂層的形成。另外，也可進行一次以上的此種電路或配線及樹脂層的形 成(增層法)。然後，對於以上述方式形成的積層體(以下，也稱為積層體B)，可將各附脫模層的銅箔從上述的積層體剝離而製作空心基板。此外，在製作上述的空心基板時，也可使用兩個附脫模層的銅箔，而製作具有下述的銅箔/阻擋層/脫模層/脫模層/阻擋層/銅箔之構成的積層體、或具有脫模層/阻擋層/銅箔/銅箔/阻擋層/脫模層之構成的積層體、或具有脫模層/阻擋層/銅箔/脫模層/阻擋層/銅箔之構成的積層體，並將上述積層體用於中心。可在這些積層體(以下，也稱為積層體A)的兩側的銅箔或脫模層的表面進行一次以上設置樹脂層及電路這兩層，在進行一次以上設置樹脂層及電路這兩層後，使進行一次以上上述設置樹脂層及電路這兩層所得的層從各附脫模層的銅箔剝離而製造空心基板。此外，樹脂層及電路這兩層可以樹脂層、電路的順序設置，也可以電路、樹脂層的順序設置。上述積層體也可在銅箔的表面、脫模層的表面、脫模層與脫模層之間、銅箔與銅箔之間、銅箔與脫模層之間具有其他層。其他層也可為樹脂基板或樹脂層。此外，本說明書中，關於“銅箔的表面”、“銅箔側表面”、“銅箔表面”、“脫模層的表面”、“脫模層側表面”、“脫模層表面”、“積層體的表面”、“積層體表面”當銅箔、脫模層、積層體在銅箔表面、脫模層表面、積層體表面具有其他層的情況下，設為包括該其他層的表面(最表面)的概念。另外，積層體較佳為具有銅箔/阻擋層/脫模層/脫模層/阻擋層/銅箔的構成。其原因在於：在使用該積層體而製造空心基板時，由於在空心基板側配置有銅箔，所以容易使用改進半加成法而在空心基板上形成電路。另一個原因在於：在銅箔的厚度較薄的情況下，該銅箔的去除容易進行，在去除銅箔後使用半加成法，變得容易在空心基板上形成電路。
此外，在本說明書中，未特別記載為“積層體A”或“積層體B”的“積層體”表示至少包含積層體A及積層體B的積層體。
此外，在上述的空心基板的製造方法中，藉由用樹脂覆蓋附脫模層的銅箔或上述積層體(包含積層體A)的端面之一部分或全部，而能夠在藉由增層法製造印刷配線板時，防止藥液向構成剝離層或積層體的一個附脫模層的銅箔與另一個附脫模層的銅箔之間滲入，而能夠防止由藥液的滲入引起的附脫模層的銅箔的腐蝕，從而能夠使良率提高。作為此處所使用的“覆蓋附脫模層的銅箔的端面之一部分或全部的樹脂”或者“覆蓋積層體的端面之一部分或全部的樹脂”，可使用能夠用於樹脂層的樹脂或公知的樹脂。另外，在上述的空心基板的製造方法中，在俯視附脫模層的銅箔或積層體時，附脫模層的銅箔或積層體的積層部分(脫模層與銅箔的積層部分、或一個附脫模層的銅箔與另一個附脫模層的銅箔的積層部分)的外周之至少一部也可被樹脂或預浸體覆蓋。另外，藉由上述的空心基板的製造方法所形成的積層體(積層體A)也可使一對附脫模層的銅箔以能夠相互分離的方式進行接觸而構成。另外，俯視該附脫模層的銅箔時，附脫模層的銅箔或積層體的積層部分(脫模層與銅箔的積層部分、或者一個附脫模層的銅箔與另一個附脫模層的銅箔之積層部分)的外周的整體或積層部分的整面也可被樹脂或預浸體覆蓋。另外，在俯視的情況下，樹脂或預浸體較佳為大於附脫模層的銅箔或積層體或積層體的積層部分，而較佳為製成如下積層體，該積層體具有如下構成：將該樹脂或預浸體積層於附脫模層的銅箔或積層體的兩面，且附脫模層的銅箔或積層體被樹脂或預浸體包裹(包圍)。藉由設為此種構成，而在俯視附脫模層的銅箔或積層體時， 附脫模層的銅箔或積層體的積層部分被樹脂或預浸體覆蓋，而能夠防止其他構件從橫向方向碰到該部分的側方向、即積層方向，結果能夠使操作中的脫模層與銅箔或者附脫模層的銅箔彼此的剝離減少。另外，藉由以不會使附脫模層的銅箔或積層體之積層部分的外周露出的方式用樹脂或預浸體進行覆蓋，而能夠防止如上述的藥液處理步驟中的藥液向該積層部分的界面滲入，而能夠防止附脫模層的銅箔的腐蝕或侵蝕。此外，從積層體的一對附脫模層的銅箔分離一個附脫模層的銅箔時，存在如下情況：在被樹脂或預浸體覆蓋的附脫模層的銅箔或積層體的積層部分(脫模層與銅箔的積層部分、或者一個附脫模層的銅箔與另一個附脫模層的銅箔的積層部分)藉由樹脂或預浸體等而牢固地密合的情況下，必須藉由切割等而將該積層部分等去除。
也可將本發明的附脫模層的銅箔從脫模層側或銅箔側積層於另一個本發明的附脫模層的銅箔的脫模層側或銅箔側而構成積層體。另外，也可為上述一個附脫模層的銅箔的上述脫模層側表面或上述銅箔側表面與上述另一個附脫模層的銅箔的上述脫模層側表面或上述銅箔側表面視需要經由接著劑直接積層而獲得的積層體。另外，也可將上述一個附脫模層的銅箔的脫模層或銅箔、與上述另一個附脫模層的銅箔的脫模層或銅箔接合。此處，該“接合”在脫模層或銅箔具有表面處理層的情況下，還包括經由該表面處理層而相互接合的形態。另外，該積層體的端面的一部分或全部也可被樹脂覆蓋。
脫模層彼此、銅箔彼此、脫模層與銅箔、附脫模層的銅箔彼此的積層除簡單地重疊以外，還可利用例如以下的方法進行。
(a)冶金接合方法：熔接(弧焊、TIG(Tungsten Inert Gas，鎢極惰性氣體)焊、MIG(Metal inert gas，金屬惰性氣體)焊、電阻焊、縫焊、點焊)、壓接(超音波焊、摩擦攪拌焊)、軟焊及硬焊；(b)機械接合方法：嵌縫、利用鉚釘的接合(利用自鉚接(Self-piercing Rivet)的接合、利用鉚釘的接合)、釘箱機；(c)物理接合方法：接著劑、(雙面)膠帶
使用上述接合方法將一個銅箔的一部分或全部與另一個銅箔的一部分或全部、或者脫模層的一部分或全部進行接合，由此能夠製造如下積層體，該積層體是將一個銅箔與另一個銅箔或脫模層進行積層，且使銅箔彼此或者銅箔與脫模層以能夠分離的方式進行接觸而構成。在將一個銅箔與另一個銅箔或脫模層較弱地接合，而將一個銅箔與另一個銅箔或脫模層積層的情況下，即便不去除一個銅箔與另一個銅箔或脫模層的接合部，一個銅箔與另一個銅箔或脫模層仍能夠分離。另外，在將一個銅箔與另一個銅箔或脫模層較強地接合的情況下，藉由切割或化學研磨(蝕刻等)、機械研磨等將接合有一個銅箔與另一個銅箔或脫模層的部位去除，由此能夠將一個銅箔與另一個銅箔或脫模層進行分離。
另外，能夠藉由實施如下步驟而製作不具心部的印刷配線板，即在以上述方式構成的積層體進行至少1次設置樹脂層與電路這兩層的步驟；及進行至少一次形成上述樹脂層及電路這兩層後，使進行至少一次形成上述樹脂層及電路這兩層所得的層從上述積層體的附脫模層的銅箔剝離的步驟。此外，也可在上述積層體的一面或兩面設置樹脂層與電路這兩層。此外，樹脂層及電路這兩層可以樹脂層、電路的順序進行設置，也 可以電路、樹脂層的順序進行設置。
上述積層體所使用的樹脂基板、樹脂層、樹脂、預浸體也可為本說明書所記載的樹脂層，也可含有本說明書所記載的樹脂層所使用的樹脂、樹脂硬化劑、化合物、硬化促進劑、介電質、反應觸媒、交聯劑、聚合物、預浸體、骨架材等。
此外，上述附脫模層的銅箔或積層體也可在俯視時小於樹脂或預浸體或樹脂基板或樹脂層。
[實施例]
在以下，藉由本發明的實施例對本發明進一步詳細地進行說明，但本發明並不受這些實施例任何限定。
(實施例1：附脫模層的銅箔)
銅箔是使用JX金屬股份有限公司製造 電解銅箔JTC箔(厚度35μm)，在以下的條件下藉由電解鍍敷在該電解銅箔的S面(光澤面)側形成厚度1μm的Ni層作為阻擋層。
[鍍鎳(Ni)]
‧鍍敷液
鎳：20~200g/L
硼酸：5~60g/L
液溫：40~65℃
pH值：1.5~5.0
‧電流密度：0.5~20A/dm2
‧通電時間：1~20秒鐘
‧攪拌(液體循環量)：100~1000L/分鐘
‧搬送速度：2~30m/分鐘
‧添加劑：一次光澤劑(糖精鈉：0.5~5g/L)、二次光澤劑(硫脲：0.05~1g/L)
其後，在以下的條件下將脫模層形成在Ni層之上。
‧矽烷偶合劑處理
處理液：
矽烷化合物：正丙基三甲氧基矽烷
矽烷濃度：0.4vol%
使用前的處理液攪拌時間：12小時
醇濃度：0vol%
(剩餘部分為水)
pH值：4~7
處理時間：30秒鐘(利用噴霧嘴所進行的塗布)
(實施例2：附脫模層的銅箔)
銅箔是使用JX金屬股份有限公司製造 電解銅箔JTC箔(厚度35μm)，在以下的條件下藉由濺鍍在該電解銅箔的S面(光澤面)側形成厚度0.1μm的Ni-Cr合金層作為阻擋層。
[Ni-Cr合金乾式鍍敷]
‧濺鍍靶
組成：Ni-20wt%Cr
‧濺鍍裝置
日本真空技術(ULVAC)股份有限公司製造的濺鍍裝置
‧濺鍍條件
輸出：DC 50W
氬氣壓力：0.2Pa
其後，在以下的條件下將脫模層形成在Ni-Cr合金層之上。
‧使用分子內具有兩個以下的巰基之化合物的表面處理
處理液：
分子內具有兩個以下的巰基之化合物：1-十二烷硫醇磺酸鈉
分子內具有兩個以下的巰基的化合物濃度：3wt%
(剩餘部分為水)
pH值：5~9
處理時間：60秒鐘(利用噴霧嘴所進行的塗布)
在上述的處理後在100℃的空氣中乾燥5分鐘而形成脫模層。
(實施例3：附脫模層的銅箔)
銅箔是使用JX金屬股份有限公司製造 電解銅箔JTC箔(厚度35μm)，在以下的條件下藉由濺鍍在該電解銅箔的S面(光澤面)側形成厚度0.5μm的Al層作為阻擋層。
[Al乾式鍍敷]
‧濺鍍靶
組成：Al 99質量%以上
‧濺鍍裝置
日本真空技術(ULVAC)股份有限公司製造的濺鍍裝置
‧濺鍍條件
輸出：DC 50W
氬氣壓力：0.2Pa
其後，在以下的條件將脫模層形成在Al層之上。
‧使用金屬烷氧化物的表面處理
處理液：
金屬烷氧化物：為鋁酸酯化合物的三異丙氧基鋁
鋁酸酯化合物濃度：0.04mol/L
(剩餘部分為水)
pH值：5~9
處理時間：45秒鐘(利用噴霧嘴所進行的塗布)
從使鋁酸酯化合物溶解于水中開始直至進行塗布前的攪拌時間：2小時
水溶液中的醇濃度：0vol%
在上述的處理後在100℃的空氣中乾燥5分鐘而形成脫模層。
(實施例4：附脫模層的銅箔)
銅箔是使用JX金屬股份有限公司製造 電解銅箔JTC箔(厚度12μm)，在以下的條件下藉由電解鍍敷在該電解銅箔的S面(光澤面)側形成厚度2μm的Co層作為阻擋層。
[鍍鈷(Co)]
‧鍍敷液
鈷：20~200g/L
硼酸：5~60g/L
液溫：40~65℃
pH值：1.5~5.0
‧電流密度：0.5~20A/dm2
‧通電時間：1~20秒鐘
‧攪拌(液體循環量)：100~1000L/分鐘
‧搬送速度：2~30m/分鐘
‧添加劑：一次光澤劑(糖精鈉：0.5~5g/L)、二次光澤劑(硫脲：0.05~1g/L)
其後，在以下的條件下將脫模層形成在Co層之上。
‧使用金屬烷氧化物的表面處理
處理液：
金屬烷氧化物：為鋯酸酯化合物的正丙基-三正丁氧基鋯
鋯酸酯化合物濃度：0.04mol/L
(剩餘部分為水)
pH值：5~9
處理時間：30秒鐘(利用噴霧嘴所進行的塗布)
從使鉻酸酯化合物溶解于水中開始直至進行塗布前的攪拌時間：12小時
水溶液中的醇濃度：0vol%
在上述的處理後在100℃的空氣中乾燥5分鐘而形成脫模層。
(實施例5：附脫模層的銅箔)
銅箔是使用JX金屬股份有限公司製造 電解銅箔JTC箔(厚度9μm)，在以下的條件下藉由電解鍍敷在該電解銅箔的S面(光澤面)側形成厚度0.2μm的Cr層作為阻擋層。
[鍍鉻(Cr)]
‧鍍敷液
CrO3：200~400g/L
H2SO4：1.5~4g/L
液溫：40~65℃
pH值：1~4
‧電流密度：10~40A/dm2
‧通電時間：1~20秒鐘
‧攪拌(液體循環量)：100~1000L/分鐘
‧搬送速度：2~30m/分鐘
其後，在以下的條件下將脫模層形成在Cr層之上。
‧使用金屬烷氧化物的表面處理
處理液：
金屬烷氧化物：為鈦酸酯化合物的正癸基三異丙氧基鈦
鈦酸酯化合物濃度：0.01mol/L
(剩餘部分為水)
pH值：5~9
處理時間：15秒鐘(利用噴霧嘴所進行的塗布)
從使鈦酸酯化合物溶解于水中開始直至進行塗布前的攪拌時間：24小時
水溶液中的醇濃度：甲醇20vol%
在上述的處理後在100℃的空氣中乾燥5分鐘而形成脫模層。
(試驗結果)
使用實施例1~5的附脫模層的銅箔，使用預浸體FR-4作為積層於銅箔的阻擋層側的樹脂，使用環氧樹脂作為埋入樹脂，如圖1所記載般製作埋入電路基板(印刷配線板)。
此外，在將實施例1的銅箔進行蝕刻而形成電路時，使用MEC股份有限公司製造的蝕刻液即MECBRITE SF-5420。另外，在將實施例1的阻擋層去除時，使用MEC股份有限公司製造的蝕刻液即MEC REMOVER NH-1860系列。
另外，在將實施例2的銅箔進行蝕刻而形成電路時，使用日本化學產業股份有限公司製造的銅選擇性蝕刻液CSS。另外，在將實施例2的阻擋層去除時，使用MEC股份有限公司製造的蝕刻液即MEC REMOVER CH系列。
另外，在將實施例3的銅箔進行蝕刻而形成電路時，使用MEC股份有限公司製造的選擇性蝕刻液。另外，在將實施例3的阻擋層去除時，使用MEC股份有限公司製造的蝕刻液即MEC ALBRITE AS-1250。
另外，在將實施例4的銅箔進行蝕刻而形成電路時，使用MEC股份有限公司製造的選擇性蝕刻液。另外，在將實施例4的阻擋層去除時，使用MEC股份有限公司製造的選擇性蝕刻液即MEC REMOVER S-651A。
另外，在將實施例5的銅箔進行蝕刻而形成電路時，使用使氯化鐵與鹽酸溶解於水中而獲得的水溶液作為蝕刻液。另外，在將實施例5的阻擋層去除時，使用日本化學產業股份有限公司製造的鹼性鉻蝕刻液。

Claims (29)

  1. 一種附脫模層的銅箔，其依序具備脫模層、對銅蝕刻劑具有耐溶解性的阻擋層、及銅箔。
  2. 如申請專利範圍第1項之附脫模層的銅箔，其中，上述對銅蝕刻劑具有耐溶解性的阻擋層具有選自由下述材料所組成的群中任一種以上的層：Ni層、Ti層、Cr層、V層、Zr層、Ta層、Au層、Pt層、Os層、Pd層、Ru層、Rh層、Ir層、W層、Sn層、不銹鋼層、Ag層、Mo層、Ni-Cr合金層、Al層、Co層、In層、Bi層、ITO(氧化銦錫)層、含有具有選自由Ni、Ti、V、Zr、Ta、Au、Pt、Os、Pd、Ru、Rh、Ir、W、Si、Fe、Mo、Mn、P、S、N、C、Al、Co、In、Bi、Sn、Ag、Mo及Cr所組成的群中任一種以上元素的合金之層、以及含有具有選自由Ni、Ti、V、Zr、Ta、Au、Pt、Os、Pd、Ru、Rh、Ir、W、Si、Fe、Mo、Mn、P、S、N、C、Al、Co、In、Bi、Sn、Ag、Mo及Cr所組成的群中任一種以上元素的碳化物、氧化物或氮化物之層。
  3. 如申請專利範圍第1項之附脫模層的銅箔，其中，上述對銅蝕刻劑具有耐溶解性的阻擋層為Ni層、或含有Ni的合金層。
  4. 如申請專利範圍第1項之附脫模層的銅箔，其中，上述脫模層單獨地或組合多種地具有下式所示的矽烷化合物、其水解生成物或該水解生成物的縮合物， (式中，R 1為烷氧基或鹵素原子，R 2為選自由烷基、環烷基及芳基所組成的群中的烴基，或者為一個以上的氫原子被取代為鹵素原子的上述任一種烴基，R 3及R 4分別獨立為鹵素原子、烷氧基、或選自由烷基、環烷基及芳基所組成的群中的烴基，或者為一個以上的氫原子被取代為鹵素原子的上述任一種烴基)。
  5. 如申請專利範圍第2項之附脫模層的銅箔，其中，上述脫模層單獨地或組合多種地具有下式所示的矽烷化合物、其水解生成物或該水解生成物的縮合物， (式中，R 1為烷氧基或鹵素原子，R 2為選自由烷基、環烷基及芳基所組成的群中的烴基，或者為一個以上的氫原子被取代為鹵素原子的上述任一種烴基，R 3及R 4分別獨立為鹵素原子、烷氧基、或選自由烷基、環烷基及芳基所組成的群中的烴基，或者為一個以上的氫原子被取代為鹵素原子的上述任一種烴基)。
  6. 如申請專利範圍第3項之附脫模層的銅箔，其中，上述脫模層單獨地或組合多種地具有下式所示的矽烷化合物、其水解生成物或該水解生成物 的縮合物， (式中，R 1為烷氧基或鹵素原子，R 2為選自由烷基、環烷基及芳基所組成的群中的烴基，或者為一個以上的氫原子被取代為鹵素原子的上述任一種烴基，R 3及R 4分別獨立為鹵素原子、烷氧基、或選自由烷基、環烷基及芳基所組成的群中的烴基，或者為一個以上的氫原子被取代為鹵素原子的上述任一種烴基)。
  7. 如申請專利範圍第1項之附脫模層的銅箔，其中，上述脫模層具有分子內具有兩個以下的巰基之化合物。
  8. 如申請專利範圍第2項之附脫模層的銅箔，其中，上述脫模層具有分子內具有兩個以下的巰基之化合物。
  9. 如申請專利範圍第3項之附脫模層的銅箔，其中，上述脫模層具有分子內具有兩個以下的巰基之化合物。
  10. 如申請專利範圍第1項之附脫模層的銅箔，其中，上述脫模層單獨地或組合多種地具有下式所示的鋁酸酯化合物、鈦酸酯化合物、鋯酸酯化合物、這些的水解生成物或該水解生成物的縮合物， (R 1 ) m -M-(R 2 ) n (式中，R 1為烷氧基或鹵素原子，R 2為選自由烷基、環烷基及芳基所 組成的群中的烴基，或者為一個以上的氫原子被取代為鹵素原子的上述任一種烴基，M為Al、Ti、Zr中的任一種，n為0、1或2，m為1以上且M的價數以下的整數，R 1的至少一個為烷氧基，此外，m+n為M的價數，即，在為Al的情況下為3，在為Ti或Zr的情況下為4)。
  11. 如申請專利範圍第2項之附脫模層的銅箔，其中，上述脫模層單獨地或組合多種地具有下式所示的鋁酸酯化合物、鈦酸酯化合物、鋯酸酯化合物、這些的水解生成物或該水解生成物的縮合物， (R 1 ) m -M-(R 2 ) n (式中，R 1為烷氧基或鹵素原子，R 2為選自由烷基、環烷基及芳基所組成的群中的烴基，或者為一個以上的氫原子被取代為鹵素原子的上述任一種烴基，M為Al、Ti、Zr中的任一種，n為0、1或2，m為1以上且M的價數以下的整數，R 1的至少一個為烷氧基，此外，m+n為M的價數，即，在為Al的情況下為3，在為Ti或Zr的情況下為4)。
  12. 如申請專利範圍第3項之附脫模層的銅箔，其中，上述脫模層單獨地或組合多種地具有下式所示的鋁酸酯化合物、鈦酸酯化合物、鋯酸酯化合物、這些的水解生成物或該水解生成物的縮合物， (R 1 ) m -M-(R 2 ) n (式中，R 1為烷氧基或鹵素原子，R 2為選自由烷基、環烷基及芳基所組成的群中的烴基，或者為一個以上的氫原子被取代為鹵素原子的上述任一種烴基，M為Al、Ti、Zr中的任一種，n為0、1或2，m為1以上且M 的價數以下的整數，R 1的至少一個為烷氧基，此外，m+n為M的價數，即，在為Al的情況下為3，在為Ti或Zr的情況下為4)。
  13. 如申請專利範圍第1項之附脫模層的銅箔，其中，上述脫模層具有由聚矽氧、與選自環氧系樹脂、三聚氰胺系樹脂及氟樹脂中的任一種、兩種或三種樹脂所構成的樹脂塗膜。
  14. 如申請專利範圍第2項之附脫模層的銅箔，其中，上述脫模層具有由聚矽氧、與選自環氧系樹脂、三聚氰胺系樹脂及氟樹脂中的任一種、兩種或三種樹脂所構成的樹脂塗膜。
  15. 如申請專利範圍第3項之附脫模層的銅箔，其中，上述脫模層具有由聚矽氧、與選自環氧系樹脂、三聚氰胺系樹脂及氟樹脂中的任一種、兩種或三種樹脂所構成的樹脂塗膜。
  16. 如申請專利範圍第1項之附脫模層的銅箔，其滿足以下的(A)~(D)的項目中的一項、兩項、三項或四項，(A)上述脫模層單獨地或組合多種地具有下式所示的矽烷化合物、其水解生成物或該水解生成物的縮合物， (式中，R 1為烷氧基或鹵素原子，R 2為選自由烷基、環烷基及芳基所組成的群中的烴基，或者為一個以上的氫原子被取代為鹵素原子的上述任一種烴基，R 3及R 4分別獨立為鹵素原子、烷氧基、或選自由烷基、環烷基 及芳基所組成的群中的烴基，或者為一個以上的氫原子被取代為鹵素原子的上述任一種烴基)；(B)上述脫模層具有分子內具有兩個以下的巰基之化合物；(C)上述脫模層單獨地或組合多種地具有下式所示的鋁酸酯化合物、鈦酸酯化合物、鋯酸酯化合物、這些的水解生成物或該水解生成物的縮合物， (R 1 ) m -M-(R 2 ) n (式中，R 1為烷氧基或鹵素原子，R 2為選自由烷基、環烷基及芳基所組成的群中的烴基，或者為一個以上的氫原子被取代為鹵素原子的上述任一種烴基，M為Al、Ti、Zr中的任一種，n為0、1或2，m為1以上且M的價數以下的整數，R 1的至少一個為烷氧基，此外，m+n為M的價數，即，在為Al的情況下為3，在為Ti或Zr的情況下為4)；(D)上述脫模層具有由聚矽氧、與選自環氧系樹脂、三聚氰胺系樹脂及氟樹脂中的任一種以上的樹脂所構成的樹脂塗膜。
  17. 如申請專利範圍第2項之附脫模層的銅箔，其滿足以下的(A)~(D)的項目中的一項、兩項、三項或四項，(A)上述脫模層單獨地或組合多種地具有下式所示的矽烷化合物、其水解生成物或該水解生成物的縮合物， (式中，R 1為烷氧基或鹵素原子，R 2為選自由烷基、環烷基及芳基所組成的群中的烴基，或者為一個以上的氫原子被取代為鹵素原子的上述任一種烴基，R 3及R 4分別獨立為鹵素原子、烷氧基、或選自由烷基、環烷基及芳基所組成的群中的烴基，或者為一個以上的氫原子被取代為鹵素原子的上述任一種烴基)；(B)上述脫模層具有分子內具有兩個以下的巰基之化合物；(C)上述脫模層單獨地或組合多種地具有下式所示的鋁酸酯化合物、鈦酸酯化合物、鋯酸酯化合物、這些的水解生成物或該水解生成物的縮合物， (R 1 ) m -M-(R 2 ) n (式中，R 1為烷氧基或鹵素原子，R 2為選自由烷基、環烷基及芳基所組成的群中的烴基，或者為一個以上的氫原子被取代為鹵素原子的上述任一種烴基，M為Al、Ti、Zr中的任一種，n為0、1或2，m為1以上且M的價數以下的整數，R 1的至少一個為烷氧基，此外，m+n為M的價數，即，在為Al的情況下為3，在為Ti或Zr的情況下為4)；(D)上述脫模層具有由聚矽氧、與選自環氧系樹脂、三聚氰胺系樹脂及氟樹脂中的任一種以上的樹脂所構成的樹脂塗膜。
  18. 如申請專利範圍第3項之附脫模層的銅箔，其滿足以下的(A)~(D) 的項目中的一項、兩項、三項或四項，(A)上述脫模層單獨地或組合多種地具有下式所示的矽烷化合物、其水解生成物或該水解生成物的縮合物， (式中，R 1為烷氧基或鹵素原子，R 2為選自由烷基、環烷基及芳基所組成的群中的烴基，或者為一個以上的氫原子被取代為鹵素原子的上述任一種烴基，R 3及R 4分別獨立為鹵素原子、烷氧基、或選自由烷基、環烷基及芳基所組成的群中的烴基，或者為一個以上的氫原子被取代為鹵素原子的上述任一種烴基)；(B)上述脫模層具有分子內具有兩個以下的巰基之化合物；(C)上述脫模層單獨地或組合多種地具有下式所示的鋁酸酯化合物、鈦酸酯化合物、鋯酸酯化合物、這些的水解生成物或該水解生成物的縮合物， (R 1 ) m -M-(R 2 ) n (式中，R 1為烷氧基或鹵素原子，R 2為選自由烷基、環烷基及芳基所組成的群中的烴基，或者為一個以上的氫原子被取代為鹵素原子的上述任一種烴基，M為Al、Ti、Zr中的任一種，n為0、1或2，m為1以上且M的價數以下的整數，R 1的至少一個為烷氧基，此外，m+n為M的價數，即， 在為Al的情況下為3，在為Ti或Zr的情況下為4)；(D)上述脫模層具有由聚矽氧、與選自環氧系樹脂、三聚氰胺系樹脂及氟樹脂中的任一種以上的樹脂所構成的樹脂塗膜。
  19. 如申請專利範圍第1至18項中任一項之附脫模層的銅箔，其中，在上述銅箔的與上述脫模層相反側的表面具有選自由粗化處理層、耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合劑處理層所組成的群中一種以上的層。
  20. 如申請專利範圍第19項之附脫模層的銅箔，其中，上述粗化處理層為由下述單質或含有任一種以上下述單質所構成之層，該單質為選自由銅、鎳、磷、鎢、砷、鉬、鉻、鈦、鐵、釩、鈷及鋅所組成的群中任一種。
  21. 如申請專利範圍第19項之附脫模層的銅箔，其中，在選自由上述粗化處理層、上述耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合劑處理層所組成的群中的一種以上的層之上具備樹脂層。
  22. 如申請專利範圍第1至18項中任一項之附脫模層的銅箔，其中，在上述附脫模層的銅箔上具備樹脂層。
  23. 一種積層體，其具有申請專利範圍第1至22項中任一項之附脫模層的銅箔。
  24. 一種積層體，係含有申請專利範圍第1至22項中任一項之附脫模層的銅箔與樹脂者，並且，上述附脫模層的銅箔之端面的一部分或全部被上述樹脂覆蓋。
  25. 一種積層體，其具有兩個申請專利範圍第1至22項中任一項之附脫模層的銅箔與樹脂，且以上述兩個附脫模層的銅箔中的一個附脫模層的銅箔之銅箔側表面、與另一個附脫模層的銅箔之銅箔側表面分別露出的方式 設置於樹脂中而成。
  26. 一種積層體，係將一個申請專利範圍第1至22項中任一項之附脫模層的銅箔從上述銅箔側積層於另一個申請專利範圍第1至22項中任一項之附脫模層的銅箔之上述銅箔側而成。
  27. 一種印刷配線板的製造方法，其使用申請專利範圍第1至22項中任一項之附脫模層的銅箔來製造印刷配線板。
  28. 一種印刷配線板的製造方法，其包括如下步驟：在申請專利範圍第1至22項中任一項之附脫模層的銅箔之上述脫模層側積層絕緣基板1的步驟；在積層有上述絕緣基板1的附脫模層的銅箔之上述銅箔側積層乾膜的步驟；將上述乾膜圖案化後，將上述銅箔進行蝕刻而形成電路的步驟；將上述乾膜剝離而使上述電路露出的步驟；藉由以絕緣基板2覆蓋上述露出的電路而埋入電路的步驟；藉由上述脫模層將上述絕緣基板1從埋入至上述絕緣基板2中的電路與上述阻擋層的積層體剝離而使上述阻擋層露出的步驟；及藉由蝕刻將上述露出的阻擋層去除，由此使埋入至上述絕緣基板2中的電路露出的步驟。
  29. 一種電子機器的製造方法，其使用印刷配線板來製造電子機器，上述印刷配線板是藉由申請專利範圍第27或28項之方法製成者。
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