[go: up one dir, main page]

TW201817046A - 多列型ｌｅｄ用配線構件及其製造方法 - Google Patents

多列型ｌｅｄ用配線構件及其製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TW201817046A
TW201817046A TW106123827A TW106123827A TW201817046A TW 201817046 A TW201817046 A TW 201817046A TW 106123827 A TW106123827 A TW 106123827A TW 106123827 A TW106123827 A TW 106123827A TW 201817046 A TW201817046 A TW 201817046A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
plating layer
photoresist
metal plate
photoresist mask
layer
Prior art date
Application number
TW106123827A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI752055B (zh
Inventor
菱木薫
飯谷一則
Original Assignee
日商友立材料股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商友立材料股份有限公司 filed Critical 日商友立材料股份有限公司
Publication of TW201817046A publication Critical patent/TW201817046A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI752055B publication Critical patent/TWI752055B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/857—Interconnections, e.g. lead-frames, bond wires or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/8506—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/855—Optical field-shaping means, e.g. lenses
    • H10H20/856—Reflecting means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H29/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one light-emitting semiconductor element covered by group H10H20/00
    • H10H29/10—Integrated devices comprising at least one light-emitting semiconductor component covered by group H10H20/00
    • H10H29/14—Integrated devices comprising at least one light-emitting semiconductor component covered by group H10H20/00 comprising multiple light-emitting semiconductor components
    • H10H29/142—Two-dimensional arrangements, e.g. asymmetric LED layout
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H10H20/036—Manufacture or treatment of packages
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H10H20/036—Manufacture or treatment of packages
    • H10H20/0363—Manufacture or treatment of packages of optical field-shaping means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H10H20/036—Manufacture or treatment of packages
    • H10H20/0364—Manufacture or treatment of packages of interconnections
    • H10W72/50—
    • H10W90/756—

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)

Abstract

提供一種不用添加光澤劑便可維持反射用鍍敷層表面的反射率之多列型LED用配線構件及其製造方法。
一種多列型LED用配線構件，係以露出於樹脂層(15’)之一方側的面之狀態來形成第1鍍敷層(11)之一方側的面，並在第1鍍敷層之另一方側的面，以使另一方側的面從樹脂層之另一方側的面露出之狀態，於第1鍍敷層的區域內部分地形成第2鍍敷層(13)，由第1鍍敷層與第2鍍敷層所構成之鍍敷層之層積體的側面形狀被形成為大致L字形狀或大致T字形狀，由成為墊部之層積體與成為引線部之層積體所構成的配線構件被配列成矩陣狀，該多列型LED用配線構件，其特徵係，第1鍍敷層之一方側的面，係由藉由去除金屬板的方式所形成之Ag鍍敷層的面而構成。

Description

多列型LED用配線構件及其製造方法
本發明，係關於用以安裝LED元件之多列型LED用配線構件及其製造方法。
搭載有LED(Light Emitting Diode、發光二極體)元件的光半導體裝置，係逐漸使用於一般照明或電視．手機．OA設備等的顯示器等、各種的設備中。
在該些光半導體裝置中，作為順應薄型化或量產化等的要求而開發的之LED封裝，以往，存在有如下述之LED封裝：LED元件被搭載於具有電性絶緣之墊部與引線部的引線框架，以包圍搭載有LED元件之側之墊部與引線部的方式，形成反射樹脂部，藉由透明樹脂部來密封被反射樹脂部包圍且搭載有LED元件之側的內部空間。
在該類型的LED封裝中，係例如如圖7(a)所示，形成為如下述之構成：引線框架50，係具有墊部51及與墊部51隔著間隔而配置的引線部52，在墊部51與引線部52的上面或下面，係形成有反射用或外部連接用之鍍敷層53。又，在引線框架50的上面側，係LED元件60被搭載於墊部51上，LED元件60與引線部52經由接合引線54等而連 接。又，在LED元件60的周圍，係以包圍墊部51與引線部52的方式，形成將光反射的反射樹脂部55。而且，被反射樹脂部55包圍且搭載有LED元件60之側的內部空間，係以由透明之樹脂而構成的透明樹脂部56來密封。
又，使用於製造該類型之LED封裝的引線框架，係如圖8(a)~圖8(c)所示，為了同時獲得多數個LED封裝，由墊部51與引線部52之組合而構成的各個引線框架區域(在圖8(b)中，分別以一點鏈線之矩形而表示。)形成為配列成矩陣狀之多列型LED用引線框架。墊部51、引線部52，係如圖8(b)所示，分別被連接於由構成引線框架之基材之金屬板所形成的連接部57(在圖8(b)中，以斜線之陰影線而表示)，且經由連接部57，與其他引線框架區域中的墊部51或引線部52，抑或多列型LED用引線框架製造用之上述金屬板中的外框部58連結。
而且，在該類型之LED封裝的製造中，係如圖7(b)所示，以覆蓋連接部57的方式，成批形成分別對應於多列型LED用引線框架中之各引線框架區域的各反射樹脂部55，並在每個反射樹脂部55的包圍的墊部51搭載．固定LED元件60而進行引線接合等，在其內部空間形成透明樹脂部56後，沿著各引線框架區域之間的切斷部，將成批形成之反射樹脂部55的一部分與連接部57的一部分同時地切斷。
藉由該切斷加工，如圖7(a)所示，可獲得墊部51與引線部52的下面露出於LED封裝之下面側而能夠與外 部基板電性連接的各個LED封裝。在各個LED封裝的側面，係引線框架之連接部57與反射樹脂部55一起作為切斷面的一部分露出。
具備有像這樣的構成之以往的LED封裝，係被記載於例如以下的專利文獻1。
又，以往，在LED用引線框架中，係為了提高光反射特性，而在墊部及引線部的上面形成光澤Ag鍍敷層。而且，為了獲得1.0以上的光澤度，而在Ag鍍敷液中，使用包含有Se或S的光澤劑來作為添加劑。
使用像這樣的Ag鍍敷液來形成光澤度為1.0以上之Ag鍍敷膜的技術，係被記載於例如以下的專利文獻2。
〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕
[專利文獻1]日本特開2013-232506號公報
[專利文獻2]日本特開2015-124427號公報
如上述般，在LED封裝的製造中，係為了同時獲得多數個LED封裝，而使用經由連接部57連結的多列型LED用引線框架，該連接部57，係用以使如圖8(b)所示之各個引線框架區域中的墊部51或引線部52與其他引線框架區域中的墊部51或引線部52，抑或多列型LED用引線框架 製造用之金屬板中的外框部58連結。
又，在LED用引線框架中，係為了使搭載有LED元件之區域的反射率提升，而在構成引線框架基板之金屬板的墊部及引線部中之最表層形成施予Ag鍍敷而成的反射用鍍敷層。
該Ag鍍敷層，係如上述般，具有使用Ag鍍敷液所形成之1.0以上之光澤度的光澤Ag鍍敷，該Ag鍍敷液，係將光澤劑添加於Ag鍍敷浴中。但是，在使用將光澤劑添加於Ag鍍敷浴中的Ag鍍敷液來形成光澤Ag鍍敷，係必需進行Ag鍍敷浴中之光澤劑的濃度管理，而且，因添加光澤劑而導致製品成本上升。
本發明，係有鑑於像這樣的問題而進行研究者，以提供一種不用添加光澤劑便可維持反射用鍍敷層表面的反射率之多列型LED用配線構件及其製造方法。
為了達成上述目的，本發明之多列型LED用配線構件，係以露出於樹脂層之一方側的面之狀態來形成第1鍍敷層之一方側的面，並在前述第1鍍敷層之另一方側的面，以使另一方側的面從前述樹脂層之另一方側的面露出之狀態，於該第1鍍敷層的區域內部分地形成第2鍍敷層，由前述第1鍍敷層與前述第2鍍敷層所構成之鍍敷層之層積體的側面形狀被形成為大致L字形狀或大致T字形狀，由成為墊部之前述層積體與成為引線部之前述層積體所構成的 配線構件被配列成矩陣狀，該多列型LED用配線構件，其特徵係，前述第1鍍敷層之一方側的面，係由藉由去除金屬板的方式所形成之Ag鍍敷層的面而構成。
又，在本發明之多列型LED用配線構件中，前述第1鍍敷層之Ag鍍敷層，係不含有Se或S的Ag鍍敷層為較佳。
又，本發明之多列型LED用配線構件中，前述第1鍍敷層之另一方側的面係粗化面，或/及前述樹脂層之一方側的面係粗面為較佳。
又，本發明之多列型LED用配線構件之製造方法，其特徵係，具有：在金屬板之另一方側的面，形成第1光阻遮罩的工程，該第1光阻遮罩，係由具有圖案A之開口部的感光性光阻而構成；以使Ag鍍敷層接觸於前述金屬板的方式，在前述第1光阻遮罩之開口部，形成第1鍍敷層的工程；去除前述第1光阻遮罩的工程；在前述金屬板之另一方側的面，形成第2光阻遮罩的工程，該第2光阻遮罩，係由具有在該第1鍍敷層的區域內部分露出之圖案B之開口部的感光性光阻而構成；在前述第2光阻遮罩之開口部，形成成為外部端子之第2鍍敷層的工程；去除前述第2光阻遮罩之工程；在前述金屬板之另一方側的面及前述第1鍍敷層中之未形成有前述第2鍍敷層的部分上，以使前述第2鍍敷層之另一方側的面露出之狀態，形成樹脂層的工程；及去除前述金屬板的工程。
又，在本發明之多列型LED用配線構件之製造 方法中，前述第1鍍敷層，係從前述金屬板之另一方的面側，依序由不含有Se或S的Ag鍍敷層與Pd鍍敷層與Ni鍍敷層來構成為較佳。
又，在本發明之多列型LED用配線構件中，前述樹脂層，係永久光阻為較佳。
又，本發明之多列型LED用配線構件之製造方法，其特徵係，具有：形成第1光阻遮罩的工程，該第1光阻遮罩，係由具有圖案A之開口部的感光性光阻而構成；以使Ag鍍敷層接觸於前述金屬板的方式，在前述第1光阻遮罩之開口部，形成第1鍍敷層的工程；去除前述第1光阻遮罩的工程；在前述金屬板之另一方側的面，形成第2光阻遮罩的工程，該第2光阻遮罩，係由具有在前述第1鍍敷層的區域內部分露出之圖案B之開口部的永久光阻而構成；在前述第2光阻遮罩之開口部，形成成為外部端子之第2鍍敷層的工程；及去除前述金屬板的工程。
又，在本發明之多列型LED用配線構件之製造方法中，前述第1鍍敷層，係從前述金屬板之另一方的面側，依序由不含有Se或S的Ag鍍敷層與Pd鍍敷層與Ni鍍敷層而構成為較佳。
又，本發明之多列型LED用配線構件之製造方法，其特徵係，具有：形成第1光阻遮罩的工程，該第1光阻遮罩，係由具有圖案A之開口部的第1永久光阻而構成；以使Ag鍍敷層接觸於前述金屬板的方式，在前述第1光阻遮罩之開口部，形成第1鍍敷層的工程；在前述第1光阻遮 罩及前述第1鍍敷層之另一方側的面，形成第2光阻遮罩的工程，該第2光阻遮罩，係由具有在前述第1鍍敷層的區域內部分露出之圖案B之開口部的第2永久光阻而構成；在前述第2光阻遮罩之開口部，形成成為外部端子之第2鍍敷層的工程；及去除前述金屬板的工程。
又，本發明之多列型LED用配線構件之製造方法，其特徵係，具有：在金屬板之另一方側的面，形成第1光阻遮罩的工程，該第1光阻遮罩，係由具有圖案A之開口部的第1永久光阻而構成；在前述第1光阻遮罩之另一方側的面，形成第2光阻遮罩的工程，該第2光阻遮罩，係由具有在該第1光阻遮罩之開口部的區域內部分露出之圖案B之開口部的第2永久光阻而構成；以使Ag鍍敷層接觸於前述金屬板的方式，在前述第1光阻遮罩之開口部，形成第1鍍敷層的工程；在前述第2光阻遮罩之開口部，形成成為外部端子之第2鍍敷層的工程；及去除前述金屬板的工程。
又，本發明之多列型LED用配線構件之製造方法，其特徵係，具有：設置第1光阻層與第2光阻層的工程，該第1光阻層，係由覆蓋金屬板之另一方側的面整體之第1永久光阻而構成，該第2光阻層，係由覆蓋前述第1光阻層之另一方側的面整體之第2永久光阻而構成；以第1波長對前述第1光阻層進行曝光，形成具有圖案A之開口部的第1光阻遮罩，並且，以第2波長對前述第2光阻層進行曝光，形成第2光阻遮罩的工程，該第2光阻遮罩，係具有 在前述第1光阻遮罩之開口部的區域內部分露出之圖案B的開口部；以使Ag鍍敷層接觸於前述金屬板的方式，在前述第1光阻遮罩之開口部，形成第1鍍敷層的工程；在前述第2光阻遮罩之開口部，形成成為外部端子之第2鍍敷層的工程；及去除前述金屬板的工程。
根據本發明，能獲得不用添加光澤劑便可維持反射用鍍敷層表面的反射率之多列型LED用配線構件及其製造方法。
1‧‧‧金屬板
10‧‧‧LED用配線構件
10’‧‧‧LED用基板
11‧‧‧第1鍍敷層
13‧‧‧第2鍍敷層
14‧‧‧接合引線
15‧‧‧反射樹脂部
15’‧‧‧樹脂層(永久光阻)
15’-1‧‧‧第1永久光阻
15’-2‧‧‧第2永久光阻
15a’‧‧‧永久光阻之一方側的面
15b’‧‧‧永久光阻之另一方側的面
17‧‧‧密封材料
18‧‧‧透明樹脂部
20‧‧‧半導體元件
R‧‧‧乾膜光阻
[圖1]表示本發明之一實施形態之多列型LED用基板、多列型LED用配線構件之構成的圖；(a)，係從外部端子側觀看的平面圖；(b)，係表示(a)中之各個多列型LED用基板、多列型LED用配線構件所具備的各個LED用基板、LED用配線構件區域中之鍍敷層的層積體與樹脂層之構成之一例的平面圖；(c)，係(b)之B-B剖面圖；(d)，係表示各個LED用基板之一例的剖面圖；(e)，係表示各個LED用配線構件之第1例的剖面圖；(f)，係表示各個LED用配線構件之第2例的剖面圖。
[圖2]表示本發明之第1實施形態之多列型LED用基板、多列型LED用配線構件之製造工程之一例的說明圖； (a)~(i)，係表示圖1(d)所示之多列型LED用基板之製造工程的圖；(a)~(j)，係表示圖1(e)所示之第1例之多列型LED用配線構件之製造工程的圖；(a)~(k)，係表示圖1(f)所示之第2例之多列型LED用配線構件之製造工程的圖。
[圖3]表示使用了經由圖2所示的製造工程所製造之圖1所示之多列型LED用基板、多列型LED用配線構件之LED封裝之製造工程之一例的說明圖。
[圖4]表示本發明之第2實施形態之多列型LED用基板、多列型LED用配線構件之製造工程之一例的說明圖；(a)~(h)，係表示圖1(d)所示之多列型LED用基板之製造工程之一例的圖；(a)~(i)，係表示圖1(e)所示之第1例之多列型LED用配線構件之製造工程的圖；(a)~(j)，係表示圖1(f)所示之第2例之多列型LED用配線構件之製造工程的圖。
[圖5]表示本發明之第3實施形態之多列型LED用基板、多列型LED用配線構件之製造工程之一例的說明圖；(a)~(g)，係表示圖1(d)所示之多列型LED用基板之製造工程之一例的圖；(a)~(h)，係表示圖1(e)所示之第1例之多列型LED用配線構件之製造工程的圖；(a)~(i)，係表示圖1(f)所示之第2例之多列型LED用配線構件之製造工程的圖。
[圖6]表示本發明之第4實施形態之多列型LED用基板、多列型LED用配線構件之製造工程之一例的說明圖；(a)~(e)，係表示圖1(d)所示之多列型LED用基板之製造工 程之一例的圖；(a)~(f)，係表示圖1(e)所示之第1例之多列型LED用配線構件之製造工程的圖；(a)~(g)，係表示圖1(f)所示之第2例之多列型LED用配線構件之製造工程的圖。
[圖7]表示以往之LED封裝之概略構成的圖；(a)，係被切斷而成為了一個製品之狀態之LED封裝的剖面圖；(b)，係表示被切斷之前之成批製造的多列型LED封裝中之切斷部的部分剖面圖。
[圖8]表示以往之LED封裝的製造所使用之多列型LED用引線框架之概略構成的圖；(a)，係概念地表示多列型LED用引線框架中之各個引線框架之配置的平面圖；(b)，係從另一方側的面側觀察圖7所示之類型之LED封裝的製造所使用之多列型LED引線框架的各個引線框架區域中之墊部與引線部之配置的部分放大平面圖；(c)，係(b)之A-A剖面圖。
在實施形態的說明之前，說明關於導出本發明的經過及本發明的作用效果。
如上述般，本案發明者，係已針對提升LED用引線框架中之反射用鍍敷層表面的反射效率進行研究，其結果發現到有如下述之課題：為了不用添加光澤劑而維持反射用鍍敷層表面的反射率，係應改良關於反射用鍍敷層的形成。
更詳細而言，本案發明者，係針對關於反射用鍍敷層的形成，在以往一般所執行之構成引線框架基材之Cu等的金屬板上，以使最上層成為Ag鍍敷層的方式，施予鍍敷而形成的反射用鍍敷層中，能維持與使用添加了光澤劑的Ag鍍敷液所形成之Ag鍍敷層的表面之反射率同等的反射率，且使用了不添加光澤劑的Ag鍍敷液之最上層成為Ag鍍敷層之反射用鍍敷層的形成手法反覆進行試誤。
其結果發現到，當使用不添加光澤劑的Ag鍍敷液，在金屬板上形成Ag鍍敷層後去除金屬板時，則維持去除了Ag鍍敷層中之金屬板之側的面之反射率與以往一般所執行之「在構成引線框架基材之Cu等的金屬板上，以使最上層成為Ag鍍敷層的方式，施予鍍敷而形成的反射用鍍敷層中，使用添加了光澤劑的Ag鍍敷液所形成之Ag鍍敷層的表面之反射率」同等的反射率。
因此，本案發明者，係導出如下述之本發明之多列型LED構件及其製造方法：使用不添加光澤劑的Ag鍍敷液，在金屬板形成Ag鍍敷層後去除金屬板，藉此，所形成之Ag鍍敷層的表面構成反射用鍍敷層的反射面。
本發明之多列型LED用配線構件，係以露出於樹脂層之一方側的面之狀態來形成第1鍍敷層之一方側的面，並在第1鍍敷層之另一方側的面，以使另一方側的面從樹脂層之另一方側的面露出之狀態，於第1鍍敷層的區域內部分地形成第2鍍敷層，由第1鍍敷層與第2鍍敷層所構成之鍍敷層之層積體的側面形狀被形成為大致L字形狀 或大致T字形狀，由成為墊部之層積體與成為引線部之層積體所構成的配線構件被配列成矩陣狀，該多列型LED用配線構件，其特徵係，第1鍍敷層之一方側的面由藉由去除金屬板的方式所形成之Ag鍍敷層的面而構成。
如本發明之多列型LED用配線構件般，只要成為第1鍍敷層之一方側的面是由藉由去除金屬板的方式所形成之Ag鍍敷層之一方側的面而構成之構成，則即便使用不添加光澤劑的Ag鍍敷液來形成Ag鍍敷層，亦維持去除了Ag鍍敷層中之金屬板之側的面之反射率與以往之「在構成引線框架基材之Cu等的金屬板上，以使最上層成為Ag鍍敷層的方式，施予鍍敷而形成的反射用鍍敷層中，使用添加了光澤劑的Ag鍍敷液所形成之Ag鍍敷層的表面之反射率」同等的反射率。而且，在LED用配線構件中，第1鍍敷層，係構成搭載LED元件之側的反射用鍍敷層。因此，只要構成為如本發明之多列型LED用配線構件般，則不用添加光澤劑便可維持反射用鍍敷層表面的反射率。
關於該點，更詳細地進行說明。在以往的LED用配線構件中，係在構成引線框架基材之Cu等的金屬板上，形成以使最上層成為Ag鍍敷層的方式施予了鍍敷的反射用鍍敷層之際，為了提高最上層之Ag鍍敷層表面的反射率，而使用將光澤劑添加於Ag鍍敷液的光澤Ag鍍敷液，添加光澤劑的成本會變高，並且非常難以管理製造時而使用的光澤Ag鍍敷液。對此，使用了不添加光澤劑之Ag鍍敷液的無光澤Ag鍍敷，係與光澤Ag鍍敷相比，由於不添加光澤 劑，因此，可抑制成本，又容易進行鍍敷液的管理。但是，對於以往之在構成引線框架基材之Cu等的金屬板上，形成以使最上層成為Ag鍍敷層的方式施予了鍍敷的反射用鍍敷層之際，使用了無光澤Ag鍍敷液而言，係所形成之無光澤Ag鍍敷層的面之光澤度低，且無法獲得適合於LED封裝之LED光的反射效率。
然而，如本發明之多列型LED用配線構件般，只要將藉由去除金屬板的方式而露出之Ag鍍敷層的面使用來作為反射面，則可維持Ag鍍敷層的面之反射率。而且，為了抑制製造成本並使製造時之鍍敷液的管理容易進行，即便以無光澤Ag鍍敷形成反射面，亦可獲得適合於LED封裝之LED光的反射光率。
另外，在本發明之多列型LED用配線構件中，較佳為，前述第1鍍敷層之Ag鍍敷層，係不含有Se或S的Ag鍍敷層。
一般而言，光澤劑，係含有Se或S。因此，只要使用不添加光澤劑的Ag鍍敷液來形成Ag鍍敷層，則不含有Se或S。
亦即，只要為不含有Se或S的Ag鍍敷層，則在形成Ag鍍敷層時，無需添加含有Se或S的光澤劑，依此，可降低成本。
又，在本發明之多列型LED用配線構件中，較佳為，第1鍍敷層之另一方側的面，係粗化面。
如此地，與樹脂層之密著性便提升。
又，在本發明之多列型LED用配線構件中，較佳為，樹脂層之另一方側的面，係粗面。
如此地，形成於LED元件搭載側之反射樹脂或密封LED搭載區域之透明樹脂等的密著性便提升。
又，如本發明之多列型LED用配線構件般，只要由第1鍍敷層與成為外部端子之第2鍍敷層形成鍍敷層的層積體，則可因應設計來調整LED元件搭載部及內部端子與外部端子每個安裝節距。
又，由第1鍍敷層與第2鍍敷層所構成的鍍敷層之層積體的側面形狀只要是構成為大致L字形狀或大致T字形狀，則與樹脂層之密著性便提升，並可防止從形成LED元件搭載部或端子之鍍敷被膜的樹脂層脫離。
又，只要設成為在第1鍍敷層上，於第1鍍敷層之區域內部分地形成第2鍍敷層的構成，則可使成為外部端子的第2鍍敷層形成為較小，並可防止作為外部端子之露出於LED封裝的背面之第2鍍敷層的脫落或脫離。
又，如本發明之多列型LED用配線構件般，只要構成為僅由層積鍍敷被膜與樹脂層所構成的構造，則在將反射樹脂部形成於LED元件搭載側之墊部及引線部的周圍之際，或在於安裝後以透明樹脂對LED元件進行樹脂密封之際，係由於成為以反射樹脂或透明樹脂來僅對多列型LED用配線構件之樹脂層及露出的鍍敷被膜進行密封，且沒有對膨脹係數較大且不同之基材(金屬板)的表面進行樹脂密封，因此，封裝樹脂之硬化後的翹曲會減輕。詳細而 言，與對構成基材的金屬板進行樹脂密封相比，對構成多列型LED用配線構件的樹脂層進行樹脂密封，係由於樹脂層與封裝樹脂其物理特性為同系統的材料彼此，因此，封裝樹脂硬化後的熱收縮或熱膨脹會變小。其結果，封裝樹脂之硬化後的翹曲變小。
又，如本發明之多列型LED用配線構件般，只要構成為僅由層積鍍敷被膜與樹脂層所構成的構造，則在從配列了複數個LED封裝區域的多列型LED封裝獲得各個LED封裝時之刀片的切斷對象部位，係除了外框部的一部分外，幾乎全部成為樹脂層與反射樹脂部。
其結果，與具有如專利文獻1中記載之LED封裝般的連接部之以往的LED封裝相比，可大幅地減少將構成引線框架之基材之金屬切斷的量，並可大幅降低切斷加工時之對刀片帶來的不良影響，從而延長刀片的連續生產性與壽命。
又，只要構成為如本發明之多列型LED用配線構件般，則由於墊部與引線部被形成為分離的狀態，樹脂層將分離之墊部與引線部加以固定，因此，在LED封裝的製造工程中，在設置了填充搭載有LED元件之內部空間的透明樹脂部後，不需對如以往般之用以分離墊部與引線部之構成引線框架基材的金屬板進行蝕刻。
其結果，透明樹脂部不會與蝕刻液接觸，亦無其表面變質而透射率降低，來自製造後之LED裝置之照射光量減弱等的品質劣化之顧慮。
又，在LED封裝的製造工程中，在設置了透明樹脂部後不需進行蝕刻，其結果，不會有蝕刻液從透明樹脂部與反射樹脂的界面浸入至填充透明樹脂部之LED搭載區域而對LED裝置的電路造成不良影響之虞。
又，如本發明之多列型LED用配線構件般，只要構成為僅由層積鍍敷被膜與樹脂層所構成的構造，則在獲得各個LED封裝的前階段之製造了配列有複數個LED封裝區域之多列型LED封裝的階段中，構成各個引線框架區域中之墊部或引線部的每個層積鍍敷被膜與構成其他引線框架區域中之墊部或引線部的每個層積鍍敷被膜與多列型引線框架製造用之樹脂層為一體連接而不分離，並成為不存在有構成引線框架之基材的金屬所致之連接部的構成。
其結果，可縮小各個引線框架區域中之墊部或引線部與其他引線框架區域中之墊部或引線部的寬度，並可增加能在多列型LED用引線框架形成區域內形成之各個引線框架的數量，從而在製造時可大幅進行集積化。而且，由於與記載於專利文獻1的LED封裝不同，且不需以使連接部難以產生變形的方式來對墊部及引線部的形狀、與連接部的連接位置進行改良設計，因此，墊部或引線部之設計的自由度變大。
另外，在本發明之多列型LED用配線構件中，樹脂層，係由樹脂構件或永久光阻所構成。
另外，本發明之多列型LED用配線構件，係可藉由具有如下述者而進行製造：在金屬板之另一方側的 面，形成第1光阻遮罩的工程，該第1光阻遮罩，係由具有圖案A之開口部的感光性光阻而構成；以使Ag鍍敷層接觸於金屬板的方式，在第1光阻遮罩之開口部，形成第1鍍敷層的工程；去除第1光阻遮罩的工程；在金屬板之另一方側的面，形成第2光阻遮罩的工程，該第2光阻遮罩，係由具有在第1鍍敷層的區域內部分露出之圖案B之開口部的感光性光阻而構成；在第2光阻遮罩之開口部，形成成為外部端子之第2鍍敷層的工程；去除第2光阻遮罩之工程；在金屬板之另一方側的面及第1鍍敷層中之未形成有第2鍍敷層的部分上，以使第2鍍敷層之另一方側的面露出之方式，形成樹脂層的工程；及去除金屬板的工程。
另外，較佳為，第1鍍敷層，係從金屬板之另一方的面側，依序由不含有Se或S的Ag鍍敷層與Pd鍍敷層與Ni鍍敷層來構成。
又，本發明之多列型LED用配線構件，係亦可藉由具有如下述者而進行製造：在金屬板之另一方側的面，形成第1光阻遮罩的工程，該第1光阻遮罩，係由具有圖案A之開口部的感光性光阻而構成；以使Ag鍍敷層接觸於金屬板的方式，在第1光阻遮罩之開口部，形成第1鍍敷層的工程；去除第1光阻遮罩的工程；在金屬板之另一方側的面，形成第2光阻遮罩的工程，該第2光阻遮罩，係由具有在第1鍍敷層的區域內部分露出之圖案B之開口部的永久光阻而構成；在第2光阻遮罩之開口部，形成成為外部端子之第2鍍敷層的工程；及去除金屬板的工程。
又，本發明之多列型LED用配線構件，係亦可藉由具有如下述者而進行製造：在金屬板之另一方側的面，形成第1光阻遮罩的工程，該第1光阻遮罩，係由具有圖案A之開口部的第1永久光阻而構成；以使Ag鍍敷層接觸於金屬板的方式，在第1光阻遮罩之開口部，形成第1鍍敷層的工程；在第1光阻遮罩及第1鍍敷層之另一方側的面，形成第2光阻遮罩的工程，該第2光阻遮罩，係由具有在第1鍍敷層的區域內部分露出之圖案B之開口部的第2永久光阻而構成；在第2光阻遮罩之開口部，形成成為外部端子之第2鍍敷層的工程；及去除金屬板的工程。
如此地，可省略用以對金屬板之另一方側的面形成第1鍍敷層之第1光阻遮罩的去除工程，依此，可使製造成本降低並且提升製造效率。
又，本發明之多列型LED用配線構件，係亦可藉由具有如下述者而進行製造：在金屬板之另一方側的面，形成第1光阻遮罩的工程，該第1光阻遮罩，係由具有圖案A之開口部的第1永久光阻而構成；在第1光阻遮罩之另一方側的面，形成第2光阻遮罩的工程，該第2光阻遮罩，係由具有在第1光阻遮罩之開口部的區域內部分露出之圖案B之開口部的第2永久光阻而構成；以使Ag鍍敷層接觸於金屬板的方式，在第1光阻遮罩之開口部，形成第1鍍敷層的工程；在第2光阻遮罩之開口部，形成成為外部端子之第2鍍敷層的工程；及去除金屬板的工程。
如此地，在1次鍍敷形成過程中，可形成第1鍍敷層與 第2鍍敷層，並進一步提升製造效率。
又，本發明之多列型LED用配線構件，係亦可藉由具有如下述者而進行製造：設置第1光阻層與第2光阻層的工程，該第1光阻層，係由覆蓋金屬板之另一方側的面整體之第1永久光阻而構成，該第2光阻層，係由覆蓋第1光阻層之另一方側的面整體之第2永久光阻而構成；以第1波長對第1光阻層進行曝光，形成具有圖案A之開口部的第1光阻遮罩，並且，以第2波長對第2光阻層進行曝光，形成第2光阻遮罩的工程，該第2光阻遮罩，係具有在第1光阻遮罩之開口部的區域內部分露出之圖案B的開口部；以使Ag鍍敷層接觸於金屬板的方式，在第1光阻遮罩之開口部，形成第1鍍敷層的工程；在第2光阻遮罩之開口部，形成成為外部端子之第2鍍敷層的工程；及去除金屬板的工程。
如此地，藉由1次曝光過程中，可形成具有圖案A之開口部的第1鍍敷層與具有圖案B之開口部的第2鍍敷層，並進一步提升製造效率。
另外，本發明之多列型LED用配線構件，係在去除金屬板之前之多列型LED用基板的狀態下，在以Cu材構成金屬板時，藉由溶解Cu材的方式，形成露出於永久光阻或樹脂構件等的樹脂層之一方側的面之成為內部端子的第1鍍敷層之一方側的面(Ag鍍敷層之一方側的面)。
另外，本發明之多列型LED用配線構件，係在去除金屬板之前之多列型LED用基板的狀態下，在以SUS材構成 金屬板時，亦可藉由剝離SUS材的方式，形成露出於永久光阻或樹脂構件等的樹脂層之一方側的面之成為內部端子的第1鍍敷層之一方側的面(Ag鍍敷層之一方側的面)。
因此，根據本發明，能獲得不用添加光澤劑便可維持反射用鍍敷層表面的反射率之多列型LED用配線構件及其製造方法。又，根據本發明，可減輕封裝樹脂硬化後之樹脂的翹曲，並可延長對各個LED封裝進行切斷加工之刀片的連續生產性與壽命，且填充LED元件搭載部之透明樹脂部不會受到蝕刻用藥液的影響而不會有蝕刻用藥液浸入至LED元件搭載部之虞，可獲得設計之自由度較大的多列型LED用配線構件及其製造方法。
以下，使用圖面，說明關於本發明之實施形態。
第1實施形態
圖1，係表示本發明之一實施形態之多列型LED用基板、多列型LED用配線構件之構成的圖；(a)，係從外部端子側觀看的平面圖；(b)，係表示(a)中之各個多列型LED用基板、多列型LED用配線構件所具備的各個LED用基板、LED用配線構件區域中之鍍敷層的層積體與樹脂層之構成之一例的平面圖；(c)，係(b)之B-B剖面圖；(d)，係表示各個LED用基板之一例的剖面圖；(e)，係表示各個LED用配線構件之第1例的剖面圖；(f)，係表示各個LED用配線構件之第2例的剖面圖。圖2，係表示本發明之第1 實施形態之多列型LED用基板、多列型LED用配線構件之製造工程之一例的說明圖；(a)~(i)，係表示圖1(d)所示之多列型LED用基板之製造工程的圖；(a)~(j)，係表示圖1(e)所示之第1例之多列型LED用配線構件之製造工程的圖；(a)~(k)，係表示圖1(f)所示之第2例之多列型LED用配線構件之製造工程的圖。圖3，係表示使用了經由圖2所示的製造工程所製造之圖1所示之多列型LED用基板、多列型LED用配線構件之LED封裝之製造工程之一例的說明圖。
本實施形態之多列型LED用基板、多列型LED用配線構件，係如圖1(a)所示，具有：LED用基板10’，被配列成矩陣狀；及半導體裝置用配線構件10之集合體。
各個LED用基板10’，係如圖1(d)所示，被構成為具有：金屬板1；作為樹脂層的永久光阻15’；第1鍍敷層11，成為LED元件搭載部及內部端子；及鍍敷層13，成為外部端子。另外，樹脂層，係亦可由樹脂構件所構成以代替永久光阻15’。
各個LED用配線構件10，係如圖1(e)、圖1(f)所示，被構成為具有：永久光阻15’；第1鍍敷層11，成為LED元件搭載部及內部端子；及鍍敷層13，成為外部端子。
在圖1(e)、圖1(f)所示的各個LED用配線構件10中，以使一方側的面與永久光阻15’之一方側的面15a’同一面地露出的狀態，在永久光阻15’之一方側的面15a’中之預定部位形成第1鍍敷層11。
又，第1鍍敷層11之另一方側的面，係成為粗化面。
在第1鍍敷層11上，以使另一方側的面從永久光阻15’之另一方側的面15b’露出之狀態，於第1鍍敷層11的區域內部分地(例如，距離第1鍍敷層11之外緣0.03mm以上的內側)形成第2鍍敷層13。
另外，第1鍍敷層11，係例如由依序層積之Ag鍍敷層、Au鍍敷層、Pd鍍敷層、Ni鍍敷層或Cu鍍敷層而構成。
Ag鍍敷層，係由不含有Se或S的Ag鍍敷層而構成。
第2鍍敷層13，係例如由依序層積之Ni鍍敷層、Pd鍍敷層、Au鍍敷層而構成。
而且，各個LED用配線構件10中之露出於永久光阻15’之一方側的面之第1鍍敷層11的一方側的面，係由藉由去除多列型LED用基板所具備之金屬板的方式所形成之Ag鍍敷層之一方側的面而構成。
又，鍍敷層11與鍍敷層13之層積體，係被形成為側面形狀為大致L字形狀(或大致T字形狀)。
又，圖1(f)所示之LED用配線構件10，係在永久光阻15’之一方側的面，形成包圍墊部及引線部之外周的反射樹脂部15。
另外，本實施形態之多列型LED用基板10’，係金屬板1由Cu材而構成，多列型LED用配線構件10，係藉由溶解Cu材的方式，形成露出於永久光阻15’之一方側的面之第1鍍敷層11之一方側的面(Ag鍍敷層之一方側的面)。
又，本實施形態之多列型LED用基板10’，係金屬板1由SUS材而構成，多列型LED用配線構件10，係亦可藉由剝離SUS材的方式，形成露出於永久光阻15’之一方側的面之第1鍍敷層11之一方側的面(Ag鍍敷層之一方側的面)。
像這樣構成之本實施形態之多列型LED用基板、多列型LED用配線構件，係例如可依下述般進行製造。另外，包含在製造的各工程中所實施之藥液洗淨或水洗淨等的預處理．後處理等，係為了方便起見而省略說明。
首先，將第1光阻遮罩用之乾膜光阻R層疊於圖2(a)所示之金屬板1的兩面(參閱圖2(b))。另外，在金屬板1中，係使用Cu材。
其次，對金屬板1之下面的乾膜光阻R，係使用形成了用以在預定位置形成墊部與引線部之每個LED元件搭載部及內部端子的基部之圖案(在此，係設成為圖案A)的玻璃遮罩，進行曝光．顯像，並且，對金屬板1之上面的乾膜光阻R，係使用照射整面的玻璃遮罩，進行曝光．顯像。而且，如圖2(c)所示，在金屬板1的下面，係形成圖案A之第1光阻遮罩，在金屬板1的上面，係形成覆蓋金屬板1之整面的第1光阻遮罩。另外，曝光．顯像，係藉由以往習知的方法來進行。例如，以由玻璃遮罩覆蓋的狀態來照射紫外線，使對於被照射了通過玻璃遮罩之紫外線的乾膜光阻之部位的顯像液之溶解性降低，去除其以外的部分，藉此形成光阻遮罩。另外，在此，雖係使用了負型之乾膜光阻來 作為光阻，但在光阻遮罩的形成中，係亦可使用負型之液狀光阻。而且，亦可使用正型之乾膜光阻或液狀光阻，使對於被照射了通過玻璃遮罩之紫外線的光阻之部位的顯像液之溶解性增大，去除其部分，藉此形成光阻遮罩。
其次，作為第1鍍敷層11，在從第1光阻遮罩露出之金屬板1的部位，以依例如Ag鍍敷層、Au鍍敷層、Pd鍍敷層之順序而分別成為預定厚度(例如，Ag鍍敷層2.0μm、Au鍍敷層0.003μm、Pd鍍敷層0.03μm)的方式，分別施加Ag鍍敷、Au鍍敷、Pd鍍敷。另外，Ag鍍敷，係使用不添加包含有Se或S之光澤劑的Ag鍍敷液而成為無光澤Ag鍍敷。
其次，在Pd鍍敷層上，施加例如Ni鍍敷層(或Cu鍍敷層)例如2μm程度。又，較佳為，對Ni鍍敷層(或Cu鍍敷層)施加粗化處理。圖2(d)，係表示此時的狀態。
另外，第1鍍敷層11的總厚度，係抑制在5μm以下。當形成為超過了5μm之鍍敷厚度時，則在以覆蓋第1鍍敷層11的方式，形成用以形成後述之第2鍍敷層的第2光阻遮罩之際，由於從金屬板1過度突出，因此，空氣變得容易進入第2光阻遮罩的內部，故不佳。
又，在第1鍍敷層11的形成工程中，在Pd鍍敷層上形成Ni鍍敷層時之對於Ni鍍敷層的粗化處理，係藉由對Ni鍍敷層之表面施予蝕刻的方式而進行。抑或，亦可藉由施予將Ni鍍敷之結晶形成得較粗之粗面化Ni鍍敷的方式而進行。又，在Pd鍍敷層上形成Cu鍍敷層時之對於Cu鍍敷層的粗化處理，係藉由對Cu鍍敷層之表面施予陽極氧化處理 或蝕刻的方式而進行。
其次，去除兩面的第1光阻遮罩(參閱圖2(e))。而且，在金屬板1的下面設置由焊料光阻所構成之永久光阻15’，並且，將乾膜光阻R2層疊於金屬板1的上面(參閱圖2(f))。
其次，使用形成了用以在已先形成之第1鍍敷層的區域內之與成為一部分之外部端子的部位重疊地形成鍍敷層之圖案(在此，係設成為圖案B)的玻璃遮罩，對下面的永久光阻15’進行曝光．顯像，並且，對上面的乾膜光阻R2，係使用照射整面的玻璃遮罩，進行曝光．顯像。而且，作為第2光阻遮罩，在下面，係形成由圖案B之永久光阻15’所構成的光阻遮罩，在上面，係形成覆蓋整面的光阻遮罩(參閱圖2(g))。
其次，作為第2鍍敷層13，在從第2光阻遮罩露出之構成第1鍍敷層11之Ni鍍敷層(或Cu鍍敷層)的面，依例如Ni鍍敷層、Pd鍍敷層、Au鍍敷層之順序而分別成為預定厚度，且以使最上層之鍍敷層(Au鍍敷層)的面成為第2光阻遮罩的面之高度以下的方式，分別施加Ni鍍敷、Pd鍍敷、Au鍍敷。圖2(h)，係表示此時的狀態。較佳為，以使最上層之鍍敷層的面較第2光阻遮罩的面低3~13μm左右而形成凹陷的方式，施予每個鍍敷。如此一來，在如將LED封裝與外部機器進行焊錫接合般的情況下，焊錫變得容易滯留在凹陷中，而可防止焊錫滲出。Ni鍍敷層，係被形成為例如20~50μm的厚度。另外，亦可不設置Ni鍍敷層，以依Pd 鍍敷層、Au鍍敷層之順序而分別成為預定厚度的方式，分別施加Pd鍍敷、Au鍍敷。又，第2鍍敷層13中之構成成為外部端子接合面之鍍敷層的金屬，係可從Ni、Pd、Au、Sn等適當地選擇能與外部基材焊錫接合的種類。
其次，去除被形成於金屬板1之上面的第2光阻遮罩(參閱圖2(i))。
藉此，具備有圖1(d)所示之構成的多列型LED用基板10’便完成。
其次，藉由溶解，從多列型LED用基板10’去除由Cu材所構成的金屬板1(參閱圖2(j))。藉此，圖1(e)所示之本實施形態之第1例的多列型LED用配線構件10便完成。此時，第1鍍敷層11中之最上層之Ag鍍敷層的表面之反射率變得較以往一般所執行之「在構成引線框架基材之Cu等的金屬板上，以使最上層成為Ag鍍敷層的方式，施予鍍敷而形成的反射用鍍敷層11中之Ag鍍敷層的表面之反射率」更高。
另外，多列型LED用基板10’，係亦可由SUS材來構成金屬板1。在該情況下，多列型LED用配線構件10，係藉由剝離SUS材的方式而完成。
其次，在多列型LED用配線構件10中之永久光阻15’的上面，形成包圍墊部及引線部之外周的反射樹脂部15(參閱圖2(k))。藉此，圖1(f)所示之本實施形態之第2例的多列型LED用配線構件10便完成。
使用了如此般所製造之本實施形態的多列型 LED用基板、多列型LED用配線基板之LED封裝的製造，係依下述般進行。圖3，係表示使用了經由圖2所示的製造工程所製造之圖1所示之多列型LED用基板、多列型LED用配線構件之LED封裝之製造工程之一例的說明圖。
依與使用圖2(i)~圖2(k)而說明之工程相同的處理步驟，使用多列型LED用基板10’，製造第1例之多列型LED用配線構件10，其次，使用第1例之多列型LED用配線構件10，製造第2例之多列型LED用配線構件10(參閱圖3(a)~圖3(c))。
其次，將LED元件20搭載於圖3(c)之多列型LED用配線構件10之墊部的內部端子面側且連接於內部端子，以預定之密封材料17密封半導體元件20之內部端子側的間隙(參閱圖3(d))，並以接合引線14連接LED元件20與引線部(參閱圖3(e))。另外，在本實施形態之多列型LED用配線構件10中，由於所露出之內部端子的表面成為與永久光阻15’的上面15a’同一面，因此，可於穩定的狀態下搭載LED元件20。
其次，將透明樹脂填充於被反射樹脂部15包圍且搭載有半導體元件20的空間部，形成透明樹脂部18而進行密封(參閱圖3(f))。
其次，切斷各個LED封裝區域(參閱圖3(g))。藉此，LED封裝便完成(參閱圖3(h))。
將完成的LED封裝搭載於外部構件。在該情況下，因僅外部端子從永久光阻露出，故可輕易地與被設置 於外部構件的連接用端子連接。
根據本實施形態之多列型LED用基板10’，由於設成為如下述構成：在金屬板1中之對應於墊部及引線部的預定部位，以使Ag鍍敷層接觸於金屬板1之面的方式，形成成為內部端子的第1鍍敷層11，因此，藉由去除金屬板1的方式，成為內部端子之第1鍍敷層11的上面由Ag鍍敷層的上面所構成。
而且，根據本實施形態之多列型LED用配線構件10，由於設成為如下述構成：成為內部端子之第1鍍敷層11的上面由藉由去除金屬板1的方式所形成之Ag鍍敷層的上面而構成，因此，即便使用不添加光澤劑的Ag鍍敷液來形成Ag鍍敷層，亦維持去除了Ag鍍敷層中之金屬板1之側的面之反射率與以往一般所執行之「在構成引線框架基材之Cu等的金屬板上，以使最上層成為Ag鍍敷層的方式，施予鍍敷而形成的反射用鍍敷層中，使用添加了光澤劑的Ag鍍敷液所形成之Ag鍍敷層的表面之反射率」同等的反射率。而且，在LED用配線構件中，第1鍍敷層11，係構成搭載LED元件之側的反射用鍍敷層。因此，根據本實施形態之多列型LED用配線構件10，不用添加光澤劑便可維持反射用鍍敷層表面的反射效率。而且，為了抑制製造成本並使製造時之鍍敷液的管理容易進行，即便以無光澤Ag鍍敷形成反射面，亦可獲得適合於LED封裝之LED光的反射光率。
又，根據本實施形態之多列型LED用配線構件，由於是將第1鍍敷層的Ag鍍敷層設成為由不含有Se或 S之Ag鍍敷層所構成的構成，因此，在形成Ag鍍敷層時，無需添加含有Se或S的光澤劑，依此，可降低成本。
又，在本實施形態之多列型LED用配線構件10中，只要由粗化面構成第1鍍敷層之下面，則與樹脂層(本例，係永久光阻15’)的密著性便提升。
又，在本實施形態之多列型LED用配線構件10中，只要由粗面構成樹脂層之上面，則與形成於LED元件搭載側之反射樹脂或密封LED搭載區域之透明樹脂等的密著性便提升。
又，根據本實施形態之多列型LED用配線構件10，由於是由第1鍍敷層11與成為外部端子之第2鍍敷層13形成鍍敷層的層積體，因此，可因應設計來調整LED元件搭載部及內部端子與外部端子每個安裝節距。
又，由於由第1鍍敷層與第2鍍敷層所構成的鍍敷層之層積體的側面形狀是構成為大致L字形狀或大致T字形狀，因此，與樹脂層(在本例中，係永久光阻15’)之密著性便提升，並可防止從形成LED元件搭載部或端子之鍍敷被膜的樹脂層(在本例中，係永久光阻15’)脫離。
又，由於是設成為在第1鍍敷層11上，於第1鍍敷層11之區域內部分地形成第2鍍敷層13的構成，因此，可使成為外部端子的第2鍍敷層13形成為較小，並可防止作為外部端子之露出於LED封裝的背面之第2鍍敷層13的脫落或脫離。
又，根據本實施形態之多列型LED用配線構 件，由於是構成為僅由層積鍍敷被膜與樹脂層(在本例中，係永久光阻15’)所構成的構造，因此，在將反射樹脂部15形成於LED元件搭載側之墊部及引線部的周圍之際，或在於安裝後以透明樹脂部18對LED元件20進行樹脂密封之際，係由於成為以形成反射樹脂部15或透明樹脂部18的封裝樹脂來僅對多列型LED用配線構件10之永久光阻15’及露出的鍍敷被膜進行密封，且沒有對膨脹係數較大且不同之基材(金屬板)的表面進行樹脂密封，因此，封裝樹脂之硬化後的翹曲會減輕。詳細而言，與對構成基材的金屬板進行樹脂密封相比，對構成多列型LED用配線構件的樹脂層(在本例中，係永久光阻15’)進行樹脂密封，係由於樹脂層(在本例中，係永久光阻15’)與封裝樹脂其物理特性為同系統的材料彼此，因此，封裝樹脂硬化後的熱收縮或熱膨脹會變小。其結果，封裝樹脂之硬化後的翹曲變小。
又，根據本實施形態之多列型LED用配線構件10，由於是構成為僅由層積鍍敷被膜與樹脂層(在本例中，係永久光阻15’)所構成的構造，因此，在從配列了複數個LED封裝區域的多列型LED封裝獲得各個LED封裝時之刀片的切斷對象部位，係除了外框部的一部分外，幾乎全部成為樹脂層(在本例中，係永久光阻15’)與反射樹脂部15。
其結果，與具有如專利文獻1中記載之LED封裝般的連接部之以往的LED封裝相比，可大幅地減少將構成引線框架之基材之金屬切斷的量，並可大幅降低切斷加工時之 對刀片帶來的不良影響，從而延長刀片的連續生產性與壽命。
又，根據本實施形態之多列型LED用配線構件10，由於墊部與引線部被形成為分離的狀態，樹脂層(在本例中，係永久光阻15’)將分離之墊部與引線部加以固定，因此，在LED封裝的製造工程中，在設置了填充搭載有LED元件20之內部空間的透明樹脂部18後，不需對如以往般之用以分離墊部與引線部之構成引線框架基材的金屬板進行蝕刻。
其結果，透明樹脂部18不會與蝕刻液接觸，亦無其表面變質而透射率降低，來自製造後之LED裝置之照射光量減弱等的品質劣化之顧慮。
又，在LED封裝的製造工程中，在設置了透明樹脂部18後不需進行蝕刻，其結果，不會有蝕刻液從透明樹脂部18與反射樹脂25的界面浸入至填充透明樹脂部18之LED搭載區域而對LED裝置的電路造成不良影響之虞。
又，根據本實施形態之多列型LED用配線構件10，由於是構成為僅由層積鍍敷被膜與樹脂層(在本例中，係永久光阻15’)所構成的構造，因此，在獲得各個LED封裝的前階段之製造了配列有複數個LED封裝區域之多列型LED封裝的階段中，各個引線框架區域中之墊部或引線部與其他引線框架區域中之墊部或引線部與多列型引線框架製造用之樹脂層(在本例中，係永久光阻15’)為一體連接而不分離，並成為不存在有構成引線框架之基材的金 屬所致之連接部的構成。
其結果，可縮小各個引線框架區域中之墊部或引線部與其他引線框架區域中之墊部或引線部的寬度，並可增加能在多列型LED用引線框架形成區域內形成之各個引線框架的數量，從而在製造時可大幅進行集積化。而且，由於與記載於專利文獻1的LED封裝不同，且不需以使連接部難以產生變形的方式來對墊部及引線部的形狀、與連接部的連接位置進行改良設計，因此，墊部或引線部之設計的自由度變大。
因此，根據本實施形態，能獲得不用添加光澤劑便可維持反射用鍍敷層表面的反射率之多列型LED用配線構件及其製造方法。又，根據本實施形態，可減輕封裝樹脂硬化後之樹脂的翹曲，並可延長對各個LED封裝進行切斷加工之刀片的連續生產性與壽命，且填充LED元件搭載部之透明樹脂部不會受到蝕刻用藥液的影響而不會有蝕刻用藥液浸入至LED元件搭載部之虞，可獲得設計之自由度較大的多列型LED用配線構件及其製造方法。
第2實施形態
圖4，係表示本發明之第2實施形態之多列型LED用基板、多列型LED用配線構件之製造工程之一例的說明圖；(a)~(h)，係表示圖1(d)所示之多列型LED用基板之製造工程之一例的圖；(a)~(i)，係表示圖1(e)所示之第1例之多列型LED用配線構件之製造工程的圖；(a)~(j)，係表示圖 1(f)所示之第2例之多列型LED用配線構件之製造工程的圖。
在第2實施形態之多列型LED用基板、多列型LED用配線構件的製造工程中，係首先，在圖4(a)所示之金屬板1的下面設置由焊料光阻所構成的第1永久光阻15’-1，並且，將第1光阻遮罩用之乾膜光阻R層疊於金屬板1的上面(參閱圖4(b))。另外，在金屬板1中，係使用Cu材。
其次，對金屬板1之下面的第1永久光阻15’-1，係使用形成了用以在預定位置形成墊部與引線部之每個LED元件搭載部及內部端子的基部之圖案(在此，係設成為圖案A)的玻璃遮罩，進行曝光．顯像，並且，對金屬板1之上面的乾膜光阻R，係使用照射整面的玻璃遮罩，進行曝光．顯像。而且，如圖4(c)所示，在金屬板1的下面，係形成圖案A之第1光阻遮罩，在金屬板1的上面，係形成覆蓋金屬板1之整面的第1光阻遮罩。
其次，與第1實施形態大致相同地，在從第1光阻遮罩露出之金屬板1的部位，形成第1鍍敷層11(參閱圖4(d))。
其次，在由第1永久光阻15’-1所構成之光阻遮罩及第1鍍敷層11的下面，設置由焊料光阻所構成的第2永久光阻15’-2(參閱圖4(e))。
其次，使用形成了用以在已先形成之第1鍍敷層11的區域內之與成為一部分之外部端子的部位重疊地形成鍍敷層之圖案(在此，係設成為圖案B)的玻璃遮罩，對下面的第2永久光阻15’-2進行曝光．顯像。而且，作為第2光阻遮 罩，在下面，係形成由圖案B之第2永久光阻15’-2所構成的光阻遮罩(參閱圖4(f))。
其次，與第1實施形態大致相同地，在從第2光阻遮罩露出之構成第1鍍敷層11之Ni鍍敷層(或Cu鍍敷層)的面，形成第2鍍敷層13(參閱圖4(g))。
其次，去除被形成於金屬板1之上面的第1光阻遮罩(參閱圖4(h))。
藉此，具備有圖1(d)所示之構成的多列型LED用基板10’便完成。
以後之第1例之多列型LED用配線構件10、第2例之多列型LED用配線構件10的製造程序(參閱圖4(i)~圖4(j))，係與圖2(j)~圖2(k)所示的第1實施形態中之製造程序大致相同。
根據第2實施形態之多列型LED用配線基板之製造方法，可省略用以對金屬板1之下面形成第1鍍敷層11之第1光阻遮罩的去除工程，依此，可使製造成本降低並且提升製造效率。
第3實施形態
圖5，係表示本發明之第3實施形態之多列型LED用基板、多列型LED用配線構件之製造工程之一例的說明圖；(a)~(g)，係表示圖1(d)所示之多列型LED用基板之製造工程之一例的圖；(a)~(h)，係表示圖1(e)所示之第1例之多列型LED用配線構件之製造工程的圖；(a)~(i)，係表示圖 1(f)所示之第2例之多列型LED用配線構件之製造工程的圖。
在第3實施形態之多列型LED用基板、多列型LED用配線構件的製造工程中，直至對金屬板1之下面形成由圖案A之第1永久光阻15’-1所構成的第1光阻遮罩、對金屬板1之上面形成由覆蓋金屬板1的整面之感光光阻所構成的第1光阻遮罩(參閱圖5(a)~圖5(c))為止，係與圖4(a)~圖4(c)所示的第2實施形態中之製造程序大致相同地進行。
其次，將由乾燥薄膜型之焊料光阻所構成的第2永久光阻15’-2層疊於由第1永久光阻15’-1所構成之第1光阻遮罩的下面(參閱圖5(d))。
其次，使用形成了在第1光阻遮罩之開口部的區域內部分露出之圖案(在此，係設成為圖案B)的玻璃遮罩，對下面之第2永久光阻15’-2進行曝光．顯像。而且，作為第2光阻遮罩，在下面，係形成由圖案B之第2永久光阻15’-2所構成的光阻遮罩(參閱圖5(e))。
其次，在從由第1永久光阻15’-1所構成之第1光阻遮罩的開口部露出之金屬板1的部位，與第1實施形態大致相同地，以使Ag鍍敷層接觸於金屬板1之下面的方式，施予每個鍍敷，形成第1鍍敷層11。而且，在從由第2永久光阻15’-2所構成之第2光阻遮罩的開口部露出之構成第1鍍敷層11之Ni鍍敷層(或Cu鍍敷層)的面，與第1實施形態大致相同地，形成第2鍍敷層13(參閱圖5(f))。
其次，去除被形成於金屬板1之上面的第1光阻遮罩 (參閱圖5(g))。
藉此，具備有圖1(d)所示之構成的多列型LED用基板10’便完成。
以後之第1例之多列型LED用配線構件10、第2例之多列型LED用配線構件10的製造程序(參閱圖5(h)~圖5(i))，係與圖2(j)~圖2(k)所示的第1實施形態中之製造程序大致相同。
根據第3實施形態之多列型LED用配線基板之製造方法，在1次鍍敷形成過程中，可形成第1鍍敷層11與第2鍍敷層13，並進一步提升製造效率。
第4實施形態
圖6，係表示本發明之第4實施形態之多列型LED用基板、多列型LED用配線構件之製造工程之一例的說明圖；(a)~(e)，係表示圖1(d)所示之多列型LED用基板之製造工程之一例的圖；(a)~(f)，係表示圖1(e)所示之第1例之多列型LED用配線構件之製造工程的圖；(a)~(g)，係表示圖1(f)所示之第2例之多列型LED用配線構件之製造工程的圖。
在第4實施形態之多列型LED用基板、多列型LED用配線構件的製造工程中，係首先，在圖6(a)所示之金屬板1的下面，依順序設置作為第1光阻層之由焊料光阻所構成的第1永久光阻15’-1、作為第2光阻層之由焊料光阻所構成的第2永久光阻15’-2，並且，將第1光阻遮罩用之乾膜光 阻R層疊於金屬板1的上面(參閱圖6(b))。另外，在金屬板1中，係使用Cu材。
其次，對金屬板1之下面的第1永久光阻15’-1，使用形成了用以在預定位置形成墊部與引線部之每個LED元件搭載部及內部端子的基部之圖案(在此，係設成為圖案A)的玻璃遮罩，以第1波長進行曝光。又，對金屬板1之下面的第2永久光阻15’-2，使用形成了在圖案A之開口部的區域內部分露出之圖案(在此，係設成為圖案B)的玻璃遮罩，對下面之第2永久光阻15’-2進行曝光。而且，同時地對第1永久光阻15’-1、第2永久光阻15’-2進行顯像，在金屬板1之下面，形成具有圖案A之開口部的第1光阻遮罩與具有圖案B之開口部的第2光阻遮罩(參閱圖6(c))。另外，對上面的乾膜光阻R，係使用照射整面之玻璃遮罩而進行曝光．顯像，形成覆蓋整面的第1光阻遮罩。
其次，與第3實施形態大致相同地，形成第1鍍敷層11、第2鍍敷層13(參閱圖6(d))，並進一步去除被形成於金屬板1之上面的第1光阻遮罩(參閱圖6(e))。
藉此，具備有圖1(d)所示之構成的多列型LED用基板10’便完成。
以後之第1例之多列型LED用配線構件10、第2例之多列型LED用配線構件10的製造程序(參閱圖6(f)~圖6(g))，係與圖2(j)~圖2(k)所示的第1實施形態中之製造程序大致相同。
根據第4實施形態之多列型LED用基板、多列 型LED用配線基板之製造方法，藉由1次曝光過程中，可形成具有圖案A之開口部的第1光阻遮罩與具有圖案B之開口部的第2光阻遮罩，並進一步提升製造效率。
實施例其次，說明本發明之多列型LED用基板、多列型LED用配線構件之製造方法的實施例。
另外，在各工程中，由於實施包含有藥液洗淨或水洗淨等的預處理．後處理為一般處理，因此，省略記載。
實施例1
首先，作為金屬板1，準備了亦被使用作為引線框架材之板厚0.15mm的Cu材(參閱圖2(a))。
在第1光阻遮罩形成工程中，係將厚度25μm之乾膜光阻R層疊於金屬板1的兩面(參閱圖2(b))。其次，對下面的乾膜光阻R，係使用形成了用以在預定位置形成墊部與引線部之每個LED元件搭載部及內部端子的基部之圖案A的玻璃遮罩，進行曝光．顯像，從而形成了形成鍍敷之部分被開口的第1光阻遮罩。對上面的乾膜光阻R，係使用照射整面的玻璃遮罩，進行曝光．顯像，從而形成了覆蓋金屬板1之整面的第1光阻遮罩。該曝光．顯像，係與以往工法相同，使曝光用之玻璃遮罩密著於乾膜光阻R並照射紫外線，藉此，將各個圖案曝光於乾膜光阻R，藉由碳酸鈉進行顯像(參閱圖2(c))。
在接下來的鍍敷工程中，係在從形成於下面之第1光阻遮罩露出的金屬板1進行一般的鍍敷預處理後，依序施 予了Ag為2.0μm、Au為0.01μm、Pd為0.03μm、Ni為2.0μm的鍍敷(參閱圖2(d))。另外，Ag鍍敷，係設成為使用了不添加包含有Se或S之光澤劑的Ag鍍敷液之無光澤Ag鍍敷。
其次，將兩面之第1光阻遮罩剝離(參閱圖2(e))，在金屬板1的下面塗佈由焊料光阻所構成的永久光阻15’，並且，將乾膜光阻R2層疊於金屬板1的上面(參閱圖2(f))。此時，雖必需因應所形成之第2鍍敷層的厚度來加以選定光阻之厚度，但在本實施例中，係由於將第2鍍敷層形成為15~40μm，因此，以使最上層之鍍敷層的面成為第2光阻遮罩的面之高度以下的方式，僅在下面側使用厚度為50μm的光阻，上面側使用厚度為25μm的光阻。
而且，使用形成了用以在已先形成之第1鍍敷層的區域內之與成為一部分之外部端子的部位重疊地形成鍍敷之圖案B的玻璃遮罩，對永久光阻15’進行曝光．顯像，從而形成第2光阻遮罩(參閱圖2(g))。另外，在上面，係形成了覆蓋整面的第2光阻遮罩。
在接下來的鍍敷工程中，係對從所形成之第2光阻遮罩露出的Ni鍍敷面，依序施予了Ni為20.0μm、Pd為0.03μm、Au為0.01μm的鍍敷(參閱圖2(h))。
其次，去除上面之第2光阻遮罩，製作多列型LED用基板10’(參閱圖2(i))。
其次，藉由溶解，從多列型LED用基板10’去除金屬板1，製作實施例1中之第1例的多列型LED用配線構件10(參閱圖2(j))。
其次，在多列型LED用配線構件10中之永久光阻15’的上面，形成包圍墊部及引線部之外周的反射樹脂部15，製作實施例1中之第2例的多列型LED用配線構件10(參閱圖2(k))。
實施例2
首先，作為金屬板1，準備了與實施例1大致相同的Cu材(參閱圖4(a))。
在第1光阻遮罩形成工程中，係在金屬板1的下面塗佈由焊料光阻所構成的第1永久光阻15’-1，並且，將第1光阻遮罩用之乾膜光阻R層疊於金屬板1的上面(參閱圖4(b))。其次，對金屬板1之下面的第1永久光阻15’-1，係使用形成了用以在預定位置形成墊部與引線部之每個LED元件搭載部及內部端子的基部之圖案A的玻璃遮罩，進行曝光．顯像，並且，對金屬板1之上面的乾膜光阻R，係使用照射整面的玻璃遮罩，進行曝光．顯像，在金屬板1之下面，係形成圖案A之第1光阻遮罩，在金屬板1之上面，係形成覆蓋金屬板1之整面的第1光阻遮罩(參閱圖4(c))。
在接下來的鍍敷工程中，係與實施例1大致相同地，在從第1光阻遮罩露出之金屬板1的部位，形成第1鍍敷層11(參閱圖4(d))。
其次，在由第1永久光阻15’-1所構成之第1光阻遮罩及第1鍍敷層11的下面，塗佈由焊料光阻所構成的第2永久光阻15’-2(參閱圖4(e))。
其次，使用形成了用以在已先形成之第1鍍敷層11的區域內之與成為一部分之外部端子的部位重疊地形成鍍敷層之圖案B的玻璃遮罩，對下面的第2永久光阻15’-2進行曝光．顯像，作為第2光阻遮罩，在下面，係形成了由圖案B之第2永久光阻15’-2所構成的光阻遮罩(參閱圖4(f))。
在接下來的鍍敷工程中，係與實施例1大致相同地，在從第2光阻遮罩露出之構成第1鍍敷層11之Ni鍍敷層(或Cu鍍敷層)的面，形成第2鍍敷層13(參閱圖4(g))。
以後，藉由與實施例1大致相同的製造程序，分別製作了多列型LED用基板10’(參閱圖4(h))、實施例2中之第1例的多列型LED用配線構件10(參閱圖4(i))、實施例2中之第2例的多列型LED用配線構件10(參閱圖4(j))。
實施例3
首先，作為金屬板1，準備了與實施例1大致相同的Cu材(參閱圖5(a))。
第1光阻遮罩形成工程，係與實施例2中之製造程序大致相同地進行(參閱圖5(b)~圖5(c))。
其次，在由第1永久光阻15’-1所構成之第1光阻遮罩的下面，層疊了由乾燥薄膜型之焊料光阻所構成的第2永久光阻15’-2(參閱圖5(d))。
其次，使用形成了在第1光阻遮罩之開口部的區域內部分露出之圖案(在此，係設成為圖案B)的玻璃遮罩，對下面之第2永久光阻15’-2進行曝光．顯像，作為第2光阻遮 罩，在下面，係形成了由圖案B之第2永久光阻15’-2所構成的光阻遮罩(參閱圖5(e))。
其次，與實施例1大致相同地，在從由第1永久光阻15’-1所構成之第1光阻遮罩的開口部露出之金屬板1的部位，以使Ag鍍敷層接觸於金屬板1之下面的方式，施予每個鍍敷，形成了第1鍍敷層11。而且，在從由第2永久光阻15’-2所構成之第2光阻遮罩的開口部露出之構成第1鍍敷層11之Ni鍍敷層(或Cu鍍敷層)的面，與實施例1大致相同地，形成了第2鍍敷層13(參閱圖5(f))。
以後，藉由與實施例1大致相同的製造程序，分別製作了實施例3的多列型LED用基板10’(參閱圖5(g))、實施例3中之第1例的多列型LED用配線構件10(參閱圖5(h))、實施例3中之第2例的多列型LED用配線構件10(參閱圖5(i))。
實施例4
首先，作為金屬板1，準備了與實施例1大致相同的Cu材(參閱圖6(a))。
其次，在金屬板1的下面，依序塗佈由焊料光阻所構成的第1永久光阻15’-1、由焊料光阻所構成的第2永久光阻15’-2，並且，在金屬板1的上面層疊了第1光阻遮罩用之乾膜光阻R(參閱圖6(b))。
其次，對金屬板1之下面的第1永久光阻15’-1，使用形成了用以在預定位置形成墊部與引線部之每個LED元件搭載部及內部端子的基部之圖案A的玻璃遮罩，以第1波長 進行曝光，又，對金屬板1之下面的第2永久光阻15’-2，使用形成了在圖案A之開口部的區域內部分露出之圖案B的玻璃遮罩，從而對下面的第2永久光阻15’-2進行了曝光。而且，同時地對第1永久光阻15’-1、第2永久光阻15’-2進行顯像，在金屬板1之下面，形成了具有圖案A之開口部的第1光阻遮罩與具有圖案B之開口部的第2光阻遮罩(參閱圖6(c))。另外，對上面的乾膜光阻R，係使用照射整面之玻璃遮罩而進行曝光．顯像，形成了覆蓋整面的第1光阻遮罩。
其次，與實施例3大致相同地，形成第1鍍敷層11、第2鍍敷層13(參閱圖6(d))。
以後，藉由與實施例1大致相同的製造程序，分別製作了實施例4的多列型LED用基板10’(參閱圖6(e))、實施例4中之第1例的多列型LED用配線構件10(參閱圖6(f))、實施例4中之第2例的多列型LED用配線構件10(參閱圖6(g))。
將LED元件20搭載於使用各實施例之製造方法而獲得之多列型LED用配線構件10之內部端子面側的墊部(參閱圖3(d))，以接合引線14連接LED元件20與引線部(參閱圖3(e))，並將透明樹脂填充於被反射樹脂部15包圍且搭載有半導體元件20的空間部，形成透明樹脂部18而進行密封(參閱圖3(f))，並切斷各個LED封裝區域(參閱圖3(g))而獲得了LED封裝(參閱圖3(h))。
光澤度之比較試驗
使用不添加包含有Se或S之光澤劑的Ag鍍敷液，在Cu材上形成無光澤Ag鍍敷，對已形成之無光澤Ag鍍敷之最表面的光澤度進行了測定(試驗資料1)。
其次，在無光澤鍍敷側，使用與本實施形態及實施例相同的工程，形成永久光阻，並在永久光阻形成後溶解去除Cu材，使無光澤Ag鍍敷面露出，對已露出之無光澤Ag鍍敷面的光澤度進行了測定(試驗資料2)。
已測定之每個面的光澤度如下所述。
(1)試驗資料1(形成於Cu材上的最表面)：0.234
(2)試驗資料2(藉由Cu材之去除而露出的面)：1.135
如上述試驗資料所示，藉由Cu材之去除而露出之無光澤Ag鍍敷層的面，係光澤度遠比形成於Cu材上之無光澤Ag鍍敷層的最表面高。藉由Cu材之去除而露出之無光澤Ag鍍敷層的面之光澤度1.135，係滿足使用添加了被使用於LED封裝之包含有Se或S之光澤劑的Ag鍍敷液所形成之光澤銀鍍敷的光澤度1.0以上。
以上，雖說明了關於本發明之多列型LED用基板、多列型LED用配線構件及其製造方法實施形態及實施例，但本發明之多列型LED用基板、多列型LED用配線構件，係並不限定於上述實施形態及實施例的構成。
例如，在第1實施形態之多列型LED用基板、多列型LED用配線構件中，雖係在第1鍍敷層使用了Ag、Au、Pd、Ni，在第2鍍敷層使用了Ni、Pd、Au，但本發明之多列型LED用基板、多列型LED用配線構件中之第1鍍敷層、 第2鍍敷層的形成所使用之鍍敷的組合，係並不定於此，作為變形例，亦可組合施予了如接下來的表1所示般之鍍敷的第1鍍敷層、第2鍍敷層，而構成本發明之多列型LED用基板、多列型LED用配線構件。但是，構成反射用鍍敷層的第1鍍敷層中之最靠近LED元件搭載側的鍍敷層，係以不添加包含有Se或S之光澤劑的Ag鍍敷來加以形成。
另外，在表1中，係示出了各變形例中從欄之上方依序施予鍍敷者。
〔產業上之可利用性〕
本發明之多列型LED用基板、多列型LED用配線構件及該些之製造方法，係於必需組裝LED封裝之領域為有用的。

Claims (11)

  1. 一種多列型LED用配線構件，係以露出於樹脂層之一方側的面之狀態來形成第1鍍敷層之一方側的面，並在前述第1鍍敷層之另一方側的面，以使另一方側的面從前述樹脂層之另一方側的面露出之狀態，於該第1鍍敷層的區域內部分地形成第2鍍敷層，由前述第1鍍敷層與前述第2鍍敷層所構成之鍍敷層之層積體的側面形狀被形成為大致L字形狀或大致T字形狀，由成為墊部之前述層積體與成為引線部之前述層積體所構成的配線構件被配列成矩陣狀，該多列型LED用配線構件，其特徵係，前述第1鍍敷層之一方側的面，係由藉由去除金屬板的方式所形成之Ag鍍敷層的面而構成。
  2. 如申請專利範圍第1項之多列型LED用配線構件，其中，前述第1鍍敷層之Ag鍍敷層，係不含有Se或S的Ag鍍敷層。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之多列型LED用配線構件，其中，前述第1鍍敷層之另一方側的面為粗化面，或/及前述樹脂層之一方側的面為粗面。
  4. 一種多列型LED用配線構件之製造方法，其特徵係，具有：在金屬板之另一方側的面，形成第1光阻遮罩的工程，該第1光阻遮罩，係由具有圖案A之開口部的感光性光阻而構成；以使Ag鍍敷層接觸於前述金屬板的方式，在前述第1光阻遮罩之開口部，形成第1鍍敷層的工程；去除前述第1光阻遮罩的工程；在前述金屬板之另一方側的面，形成第2光阻遮罩的工程，該第2光阻遮罩，係由具有在該第1鍍敷層的區域內部分露出之圖案B之開口部的感光性光阻而構成；在前述第2光阻遮罩之開口部，形成成為外部端子之第2鍍敷層的工程；去除前述第2光阻遮罩之工程；在前述金屬板之另一方側的面及前述第1鍍敷層中之未形成有前述第2鍍敷層的部分上，以使前述第2鍍敷層之另一方側的面露出之狀態，形成樹脂層的工程；及去除前述金屬板的工程。
  5. 如申請專利範圍第4項之多列型LED用配線構件之製造方法，其中，前述第1鍍敷層，係從前述金屬板之另一方的面側，依序由不含有Se或S的Ag鍍敷層與Pd鍍敷層與Ni鍍敷層來 構成。
  6. 如申請專利範圍第1項之多列型LED用配線構件，其中，前述樹脂層，係永久光阻。
  7. 一種多列型LED用配線構件之製造方法，其特徵係，具有：在金屬板之另一方側的面，形成第1光阻遮罩的工程，該第1光阻遮罩，係由具有圖案A之開口部的感光性光阻而構成；以使Ag鍍敷層接觸於前述金屬板的方式，在前述第1光阻遮罩之開口部，形成第1鍍敷層的工程；去除前述第1光阻遮罩之工程；在前述金屬板之另一方側的面，形成第2光阻遮罩的工程，該第2光阻遮罩，係由具有在前述第1鍍敷層的區域內部分露出之圖案B之開口部的永久光阻而構成；在前述第2光阻遮罩之開口部，形成成為外部端子之第2鍍敷層的工程；及去除前述金屬板的工程。
  8. 如申請專利範圍第7項之多列型LED用配線構件之製造方法，其中，前述第1鍍敷層，係從前述金屬板之另一方的面側， 依序由不含有Se或S的Ag鍍敷層與Pd鍍敷層與Ni鍍敷層而構成。
  9. 一種多列型LED用配線構件之製造方法，其特徵係，具有：在金屬板之另一方側的面，形成第1光阻遮罩的工程，該第1光阻遮罩，係由具有圖案A之開口部的第1永久光阻而構成；以使Ag鍍敷層接觸於前述金屬板的方式，在前述第1光阻遮罩之開口部，形成第1鍍敷層的工程；在前述第1光阻遮罩及前述第1鍍敷層之另一方側的面，形成第2光阻遮罩的工程，該第2光阻遮罩，係由具有在該第1鍍敷層的區域內部分露出之圖案B之開口部的第2永久光阻而構成；在前述第2光阻遮罩之開口部，形成成為外部端子之第2鍍敷層的工程；及去除前述金屬板的工程。
  10. 一種多列型LED用配線構件之製造方法，其特徵係，具有：在金屬板之另一方側的面，形成第1光阻遮罩的工程，該第1光阻遮罩，係由具有圖案A之開口部的第1永久光阻而構成；在前述第1光阻遮罩之另一方側的面，形成第2光阻遮 罩的工程，該第2光阻遮罩，係由具有在該第1光阻遮罩之開口部的區域內部分露出之圖案B之開口部的第2永久光阻而構成；以使Ag鍍敷層接觸於前述金屬板的方式，在前述第1光阻遮罩之開口部，形成第1鍍敷層的工程；在前述第2光阻遮罩之開口部，形成成為外部端子之第2鍍敷層的工程；及去除前述金屬板的工程。
  11. 一種多列型LED用配線構件之製造方法，其特徵係，具有：設置第1光阻層與第2光阻層的工程，該第1光阻層，係由覆蓋金屬板之另一方側的面整體之第1永久光阻而構成，該第2光阻層，係由覆蓋前述第1光阻層之另一方側的面整體之第2永久光阻而構成；以第1波長對前述第1光阻層進行曝光，形成具有圖案A之開口部的第1光阻遮罩，並且，以第2波長對前述第2光阻層進行曝光，形成第2光阻遮罩的工程，該第2光阻遮罩，係具有在前述第1光阻遮罩之開口部的區域內部分露出之圖案B的開口部；以使Ag鍍敷層接觸於前述金屬板的方式，在前述第1光阻遮罩之開口部，形成第1鍍敷層的工程；在前述第2光阻遮罩之開口部，形成成為外部端子之第2鍍敷層的工程；及 去除前述金屬板的工程。
TW106123827A 2016-07-27 2017-07-17 多列型ｌｅｄ用配線構件及其製造方法 TWI752055B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016-147562 2016-07-27
JP2016147562A JP6825780B2 (ja) 2016-07-27 2016-07-27 多列型ｌｅｄ用配線部材及びその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201817046A true TW201817046A (zh) 2018-05-01
TWI752055B TWI752055B (zh) 2022-01-11

Family

ID=61010609

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW106123827A TWI752055B (zh) 2016-07-27 2017-07-17 多列型ｌｅｄ用配線構件及其製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10305007B2 (zh)
JP (1) JP6825780B2 (zh)
CN (1) CN107665941B (zh)
TW (1) TWI752055B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11335842B2 (en) * 2018-02-14 2022-05-17 Maven Optronics Co., Ltd. Chip-scale packaging light-emitting device with electrode polarity identifier and method of manufacturing the same
CN113410220A (zh) * 2021-07-17 2021-09-17 北京梦之墨科技有限公司 一种led玻璃屏及其制作方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005244033A (ja) * 2004-02-27 2005-09-08 Torex Semiconductor Ltd 電極パッケージ及び半導体装置
JP6007891B2 (ja) * 2008-09-09 2016-10-19 日亜化学工業株式会社 光半導体装置及びその製造方法
JP2012033855A (ja) * 2010-07-01 2012-02-16 Hitachi Cable Ltd Ｌｅｄモジュール、ｌｅｄパッケージ、並びに配線基板およびその製造方法
TW201250964A (en) * 2011-01-27 2012-12-16 Dainippon Printing Co Ltd Resin-attached lead frame, method for manufacturing same, and lead frame
JP6071034B2 (ja) 2012-04-27 2017-02-01 大日本印刷株式会社 Ｌｅｄ素子搭載用リードフレーム、樹脂付リードフレーム、多面付ｌｅｄパッケージ、ｌｅｄパッケージの製造方法および半導体素子搭載用リードフレーム
JP2013239540A (ja) * 2012-05-14 2013-11-28 Shin Etsu Chem Co Ltd 光半導体装置用基板とその製造方法、及び光半導体装置とその製造方法
WO2014097643A1 (ja) * 2012-12-21 2014-06-26 パナソニック株式会社 電子部品パッケージおよびその製造方法
JP6280710B2 (ja) * 2013-09-02 2018-02-14 新光電気工業株式会社 配線基板、発光装置及び配線基板の製造方法
JP6318613B2 (ja) 2013-12-27 2018-05-09 日亜化学工業株式会社 発光装置用リードフレーム又は基板に用いられるめっき液、並びに、それを用いて製造されるリードフレーム又は基板、及びその製造方法、及びそれを備える発光装置
JP6539956B2 (ja) * 2014-08-08 2019-07-10 株式会社カネカ リードフレーム、樹脂成型体、表面実装型電子部品、表面実装型発光装置、及びリードフレーム製造方法
US9590158B2 (en) * 2014-12-22 2017-03-07 Nichia Corporation Light emitting device

Also Published As

Publication number Publication date
TWI752055B (zh) 2022-01-11
US20180033933A1 (en) 2018-02-01
JP2018018937A (ja) 2018-02-01
CN107665941A (zh) 2018-02-06
JP6825780B2 (ja) 2021-02-03
US10305007B2 (en) 2019-05-28
CN107665941B (zh) 2021-07-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6493975B2 (ja) 多列型ｌｅｄ用リードフレーム及びｌｅｄパッケージ、並びにそれらの製造方法
JP6524533B2 (ja) 半導体素子搭載用基板、半導体装置及び光半導体装置、並びにそれらの製造方法
JP6455931B2 (ja) Ｌｅｄパッケージ及び多列型ｌｅｄ用リードフレーム、並びにそれらの製造方法
JP6366042B2 (ja) Ｌｅｄパッケージ及び多列型ｌｅｄ用リードフレーム、並びにそれらの製造方法
JP6468600B2 (ja) Ｌｅｄパッケージ及び多列型ｌｅｄ用リードフレーム、並びにそれらの製造方法
JP6537141B2 (ja) Ｌｅｄパッケージ及び多列型ｌｅｄ用リードフレーム、並びにそれらの製造方法
JP4508064B2 (ja) 半導体装置用配線基板の製造方法
TW201817046A (zh) 多列型ｌｅｄ用配線構件及其製造方法
JP6322853B2 (ja) Ｌｅｄパッケージ及び多列型ｌｅｄ用リードフレーム、並びにそれらの製造方法
CN108155170B (zh) 引线框
KR102570206B1 (ko) 다열형 반도체 장치용 배선 부재 및 그 제조 방법
JP6468601B2 (ja) 多列型ｌｅｄ用リードフレーム及びその製造方法、並びにｌｅｄパッケージの製造方法
JP6524517B2 (ja) 光半導体装置用リードフレーム、光半導体装置用樹脂付きリードフレーム及び光半導体装置と、光半導体装置用リードフレームの製造方法
JP6357684B2 (ja) リードフレーム、光半導体装置用樹脂付きリードフレーム及びこれらの製造方法、並びに光半導体装置
JP6542112B2 (ja) 多列型ｌｅｄ用リードフレーム、並びにｌｅｄパッケージ及び多列型ｌｅｄ用リードフレームの製造方法
JP2017011097A (ja) Ｌｅｄパッケージ及び多列型ｌｅｄ用リードフレーム、並びにそれらの製造方法
JP2017034096A (ja) 光半導体素子搭載用基板、光半導体装置及びそれらの製造方法
JP6867080B2 (ja) 半導体素子搭載用基板及びその製造方法
JP6901201B2 (ja) 半導体素子搭載用基板及びその製造方法
KR102570205B1 (ko) 다열형 반도체 장치용 배선 부재 및 그 제조 방법
JP6508529B2 (ja) Ｌｅｄパッケージ及び多列型ｌｅｄ用リードフレーム、並びにそれらの製造方法
JP2017162945A (ja) 多列型ｌｅｄ用リードフレーム及びその製造方法、並びにｌｅｄパッケージ及びその製造方法
JP2017092186A (ja) リードフレームの製造方法
JP2016122808A (ja) 半導体装置用基板及びその製造方法
JP2017139391A (ja) リードフレームの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees