TW201817034A - 用於發光裝置之反射性結構 - Google Patents

Abstract

本發明闡述一種用於發光裝置之反射體。一裝置包含與一第一n型區及一第二n型區接觸之一反射體。該反射體包含多個層。一個層具有不同於其他層之一折射率。該裝置包含與該第二n型區接觸之一發光區(LER)、與該LER接觸之一p型區及與該p型區接觸之一光提取區(LXR)。大多數光透過該LXR逸出該裝置。該反射體將由該LER發射之光往回朝向該LXR反射。在另一裝置中，一反射體嵌入於該裝置之一n型區中。該裝置包含一LER、一p型區及一波長轉換器結構。該反射體將由該波長轉換結構發射之光往回朝向該波長轉換結構反射。

Description

用於發光裝置之反射性結構

本申請案係關於發光裝置。

包含發光二極體(LED)、共振腔發光二極體(RCLED)、垂直腔表面發射雷射(VCSEL)及邊緣發射雷射之半導體發光裝置在當前可用之最有效光源當中。在能夠跨越可見光譜操作之高亮度發光裝置之製造中當前所關注之材料系統包含III族至V族半導體，尤其係鎵、鋁、銦及氮之二元、三元及四元合金(亦被稱為III族氮化物材料)。 通常，藉由以下操作來製作III族氮化物發光裝置：藉由金屬有機化學汽相沈積(MOCVD)、分子束磊晶(MBE)或其他磊晶技術在一藍寶石、碳化矽、III族氮化物或其他適合基板上磊晶生長不同組成物及摻雜劑濃度之半導體層之一堆疊。該堆疊通常包含形成於基板上方之摻雜有(舉例而言) Si之一或多個n型層、形成於該或該等n型層上方之一作用區中之一或多個發光層及形成於該作用區上方之摻雜有(舉例而言) Mg之一或多個p型層。在該等n型及p型區上形成電觸點。 LED通常具有一發射表面，大多數光自該發射表面逸出LED。一LED中之發光層通常在所有方向上發射光。另外，光可在該LED內(舉例而言)因全內反射而在具有不同折射率之兩種材料之間的介面處經反射。在遠離該發射表面之方向上發射或反射之光可能不合意地在該LED內被吸收。

本文中闡述一種用於發光裝置之反射性結構及用於製成反射性結構之方法。一發光裝置包含與一第一n型區及一第二n型區接觸之一反射體。該反射體可包含多個層，其中一個層具有不同於其他層之一折射率。該發光裝置進一步包含與該第二n型區接觸之一發光區、與該發光區接觸之一p型區及與該p型區接觸之一光提取區。該發光裝置具有透過該光提取區逸出之大多數光且該反射體經調諧以將由該發光區發射之光往回朝向該光提取區反射。在另一發光裝置中，一反射體嵌入於該發光裝置之一n型區中。該發光裝置進一步包含與該n型區接觸之一發光區、與該發光區接觸之一p型區及與該p型區接觸之波長轉換器結構。該反射體經調諧以將由該波長轉換結構發射之光往回朝向該波長轉換結構反射。

相關申請案交叉參考 本申請案主張2016年9月27日提出申請之第62/400,246號美國臨時申請案、2017年1月6日提出申請之第17150529.0號歐洲臨時申請案及2017年9月25日提出申請之第15/714,613號美國非臨時申請案之權益，該等申請案之內容據此好似被完全陳述地以引用方式併入本文中。 應理解，用於發光裝置之一反射性結構及用於製成反射性結構之方法之各圖及說明已為了一清晰理解而經簡化以圖解說明相關之元件，同時出於清晰之目的而消除存在於典型裝置處理中之諸多其他元件。熟習此項技術者可認識到，在實施本發明時期望及/或需要其他元件及/或步驟。然而，由於此等元件及步驟係此項技術中眾所周知的，且由於此等元件及步驟不促進對本發明之一較佳理解，因此本文中不提供對此等元件及步驟之一論述。 本文中闡述一種用於一發光裝置之反射性結構及用於製成反射性結構之方法。一般而言，一反射性結構安置於一III族氮化物半導體結構之一表面上或安置於該III族氮化物半導體結構之一n型區內。該反射性結構可包含交替高折射率及低折射率之多個層對，該等層對透過全內反射來反射光。一反射性結構之一說明性實例係一分散式布拉格反射體(DBR)。可在不背離本文中之說明及申請專利範圍之範疇之情況下使用其他反射體。 儘管在本文中所闡述之實例及實施例中半導體發光裝置係發射藍光或UV光之一III族氮化物發光二極體(LED)，但除LED以外之半導體發光裝置(諸如雷射二極體)亦在本發明之範疇內。另外，本文中所闡述之原理可適用於由其他材料系統(諸如其他III-V族材料、III族磷化物、III族砷化物、II族至VI族材料、ZnO或基於Si之材料)製成之半導體發光裝置。 圖1係一裝置100之一說明性半導體結構105，可如圖2之流程圖200中所圖解說明而生長或製作半導體結構105。出於圖解說明之目的，裝置100可係一III族氮化物LED。可使用任何適合半導體發光裝置且本發明之實施方案不限於圖1中所圖解說明之結構。 裝置100係藉由在一生長基板(未展示)上生長一III族氮化物半導體結構而形成。該生長基板通常係藍寶石，但可係任何適合基板，諸如(舉例而言)碳化矽(SiC)、矽(Si)、氮化鎵(GaN)或一複合基板。其上生長有III族氮化物半導體結構的生長基板之一表面可在生長之前經圖案化、粗糙化或紋理化，此可改良自裝置100之光提取。與生長表面相對的生長基板之一表面(亦即，在一覆晶組態中透過其提取大多數光之表面)可在生長之前或之後經圖案化、粗糙化或紋理化，此可改良自裝置100之光提取。 在一實施方案中，裝置100包含一n型區110、一p型區130及夾置在n型區110與p型區130之間的一發光或作用區120。一反射體140安置於n型區110內，且特定而言反射體140安置於n型區110之一第一部分112與n型區110之一第二部分114之間。如下文中所闡述，反射體140可毗鄰n型區110之一表面安置，而非埋在n型區110內。 n型區110可包含但不限於不同組合物及摻雜劑濃度之多個層，舉例而言，該多個層包含諸如緩衝層或成核層之製備層、經設計以促進生長基板之移除之層(其可為n型或未經有意摻雜)及/或針對為使發光區120高效地發射光而期望之特定光學、材料或電性質設計之n型或p型裝置層。 發光區120可包含但不限於一單個厚或薄發光層或者包含由障壁層分開之多個薄或厚發光層之一多量子井發光區(舉例而言)。 P型區130可包含但不限於不同組合物、厚度及摻雜劑濃度之多個層，該多個層包含並非有意摻雜之層或n型層。 圖2係一反射體200之一說明性圖式。圖2係說明性的且可使用任一適合反射體。舉例而言，儘管反射體200圖解說明兩個層類型，但適合反射體可具有多於兩個層類型。一般而言，反射體設計可係複雜的且可具有各種層厚度及折射率以在反射體中形成一寬廣光譜回應(舉例而言)。下文實例中所闡述之層或反射體之不同特徵(諸如，舉例而言，組合物、摻雜劑濃度及諸如此類)可用於反射體之不同實例中。層或反射體之不同特徵可組合於不同實例中。 在一實施方案中，反射體200包含磊晶生長於一n型區(諸如圖1中之n型區110)或其它下伏半導體層上之複數個層對205。每一層對205包含一較低折射率層210及一較高折射率層215。在一實施方案中，層210及215呈交替組態。層210與215之間的折射率之對比致使光在反射體200之表面處或在反射體200內經反射。層對205之數目以及層210及215之特性經選擇以最佳化反射體200之反射率。圖2中之較低折射率層210及一較高折射率層215之次序僅係說明性的，此乃因較低折射率層210及一較高折射率層215之次序可顛倒。次序選擇可取決於(舉例而言)裝置100中之實施方案而變化。 在一實施方案中，層210與215之間的折射率之差歸因於層210及215之組合物。一反射體之一說明性結構及組合物係一半導體分散式布拉格反射體(DBR)。舉例而言，較低折射率層210可係氮化鋁銦(AlInN)，且較高折射率層215可係氮化鎵(GaN)。對於AlInN類型較低折射率層210，銦(InN)組合物在某些實施方案中可係至少14%，在某些實施方案中可不多於21%，在某些實施方案中可係至少17%，且在某些實施方案中可不多於18%。此等InN組合物充分地晶格匹配至GaN類型較高折射率層215使得其可以適合材料品質生長(舉例而言，其可在不引入缺陷或導致材料鬆弛之情況下生長)。兩個層愈緊密地晶格匹配，每一層可在不引入缺陷或裂縫之情況下生長得愈厚。 在其中較低折射率層210係AlInN且較高折射率層215係GaN之一實施方案中，折射率如下：n_GaN = 2.41，且n_AlInN = 2.25。較低及較高折射率層之折射率可自上文給出之折射率變化+/- 10%。所列出之折射率值係在480 nm下且隨波長變化。較低及較高折射率層兩者之指數值通常將隨波長變短而增加。 在一實施方案中，反射體200中之層210及215可經摻雜。在一實施方案中，反射體200之所有層按一實質上均勻摻雜劑及/或載子濃度來摻雜。在一實施方案中，反射體200以一經調變方式摻雜，其中不同層可按不同摻雜劑及/或載子濃度來摻雜。經調變摻雜可最小化層之間的任何電性質改變。舉例而言，若兩個毗鄰層之電子遷移率不同，則摻雜可自第一層至第二層改變以至少補償電子遷移率之差。此維持層之一恆定傳導率，或與其中第一及第二層係未摻雜或均勻地摻雜之情形相比較減少電子遷移率之差。 在一實施方案中，層210與215之間的折射率之差歸因於層210及215中之不同孔隙度。增加一層之孔隙度通常降低折射率。因此，較低折射率層210可比較高折射率層215更多孔。在一實施方案中，較低折射率層210係多孔的，且較高折射率層215並非多孔的。在一實施方案中，較低折射率層210及較高折射率層215兩者皆係多孔的，但較高折射率層215不如較低折射率層210多孔。 可在一後生長程序中形成反射體200中之孔隙度。在一實施方案中，將製成為多孔之半導體或III族氮化物結構曝露至一電解質。III族氮化物結構耦合至一電源供應器之一個端子。該電源供應器之另一端子浸沒於電解質中以完成一電路。使電路通電致使電解質蝕刻III族氮化物材料以增加與電解質接觸之III族氮化物材料之孔隙度。舉例而言，連接至將製成為多孔之一III族氮化物層之一鉑線充當陽極。鉑線之另一端充當陰極。其上生長有III族氮化物層之一晶圓及鉑線浸沒於一2M NaOH溶液中。透過線及晶圓(舉例而言)以介於10 mA/cm2與20 mA/cm2之間的一密度施加一直流電。可選超紫外線(UV)照射由一250 W汞燈供應。一適當孔隙度可需要10至60分鐘之處理，之後關斷燈及電流源。在一實施方案中，鉑可直接施加於晶圓之表面上方，或者諸如KOH、氟化物酸、草酸或CH3OH:HF:H2O2之不同溶液用於一光電化學驅動之程序中。 在一實施方案中，生長反射體200使得較低折射率層210被更高度摻雜，且較高折射率層215被較輕地摻雜。在形成反射體200中之孔隙度之後生長程序期間，更高度摻雜之層變得比較輕地摻雜之層更多孔。更高度摻雜之層210及較輕地摻雜之層215之組合物可相同或不同。 在其中層210及215中之至少一者製成為至少部分地多孔之一實施方案中，至少部分地多孔層可自任一III族氮化物材料生長。 在其中層210及215中之至少一者製成為至少部分地多孔之一實施方案中，至少部分地多孔層可在某些實施方案中按至少10¹⁷ cm^-3 且在某些實施方案中按不多於1019 cm^-3 之一摻雜劑或載子濃度來摻雜。摻雜濃度可變化以控制孔隙度。 在一實施方案中，在生長包含所有層對210及215之反射體200及/或包含反射體結構以及作用及p型區之整個半導體結構之後，然後(舉例而言)藉由蝕刻將反射體200之所有或一部分製成為多孔的。該蝕刻可自材料之側面(舉例而言)繼續進行。當在後生長處理期間將反射體200製成為多孔的時可取決於(舉例而言)最終晶粒之蝕刻速率及大小。舉例而言，可在形成將每一晶粒分開之溝渠之後進行用以將反射體200製成為多孔之蝕刻，使得蝕刻可自每一晶粒之邊緣而非僅僅自晶圓之邊緣橫向繼續進行。 在其中層210及215中之至少一者製成為至少部分地多孔之一實施方案中，至少一個部分地多孔層可在某些實施方案中具有至少λn/4之一厚度且在某些實施方案中具有不多於λn/2之一厚度，其中λn係半導體材料中之光波長或真空(或實質上空氣)中之波長除以折射率。層210及215之厚度可取決於材料之組合物及LED之發射波長兩者。在一實施方案中，若λn介於250 nm與600 nm之間，則層210及215中之每一者之厚度可係至少20 nm且不多於150 nm。 在其中層210及215中之至少一者製成為至少部分地多孔之一實施方案中，至少一個部分地多孔層可具有不多於塊體(非多孔)材料之折射率(舉例而言，在某些實施方案中不多於2.5、在某些實施方案中至少1.2且在某些實施方案中至少1.3)之一折射率。每一層中之折射率取決於彼層之孔隙度。 在一實施方案中，生長反射體200，使得較低折射率層210係較佳地藉由後生長程序蝕刻且因此變得更多孔之一組合物，且較高折射率層215係不較佳地藉由後生長程序蝕刻且因此變得不多孔之一組合物。在形成反射體200中之孔隙度之後生長程序期間，層210變得比層215更多孔。在一實施方案中，層210及215分別係InGaN及AlGaN。在一實施方案中，InGaN及AlGaN層可具有一高GaN組合物。 在一實施方案中，反射體200可在某些實施方案中包含至少3個層對205 (或層群組，在其中重複多於兩個層類型之情形中)，在某些實施方案中包含至少4個層對205或層群組，在某些實施方案中包含不多於50個層對205或層群組且在某些實施方案中包含至少30個層對205或層群組。對數可受層210與215之間的折射率差影響。針對相同反射率，折射率之一較大差允許使用較少對或層群組。 圖3係根據特定實施方案之用於生長圖1及圖2之發光裝置之一說明性流程圖300。藉由在一生長基板(未展示)上生長n型區110之一第一部分112而生長半導體結構105 (305)。在n型區110之第一部分112上生長一反射性結構或反射體140 (310)，如上文中所闡述。在反射體140上生長n型區110之一第二部分110 (315)。在n型區110之第二部分110上方生長發光區120 (320)。在發光區120上方生長P型區130 (325)。生長次序係說明性的。在如本文中所闡述之一實施方案中，反射體140可需要後處理活動以(舉例而言)引起孔隙度。後處理活動可係(舉例而言)蝕刻，如本文中所闡述。 圖4係如圖5之流程圖500中所圖解說明而生長之一橫向發光裝置400之一剖面圖。在裝置400中，大多數光透過一發射表面逸出一半導體結構405，該發射表面定義為其中形成用於裝置400之觸點之表面。 裝置400包含生長於一生長基板410上之一半導體結構405。生長基板410可係但不限於一非III族氮化物基板、藍寶石或諸如此類。藉由在生長基板410上生長一成核或緩衝結構415而形成半導體結構405 (505)。成核或緩衝結構415係不良品質材料且因此吸收入射於成核或緩衝結構415上之光之一顯著部分。在成核或緩衝結構415上生長一反射體420 (510)。半導體結構405進一步包含生長於反射體420上之一n型區425 (515)、生長於n型區425上之一作用區430 (520)及生長於作用區430上之一p型區435 (525)。在一實施方案中，反射體420可嵌入於n型區425中，如上文中關於圖1所闡述。 在p型區435之一表面上形成一電流散佈層440 (530)。電流散佈層440可係但不限於可透過其提取光之一薄實質上透明金屬層，或諸如氧化銦錫之一透明導電氧化物層。移除電流散佈層440、p型區435及作用區430之一部分以曝露n型區425之一部分(535)，在n型區425上形成一金屬n觸點445 (540)。在一電流散佈層440上形成一金屬p接觸墊450 (545)。在如本文中所闡述之一實施方案中，反射體420可需要後處理活動以(舉例而言)引起孔隙度。此可(舉例而言)在曝露n型區425之一部分之後且在於n型區425之經曝露部分上形成金屬n觸點445之前。後處理活動可係(舉例而言)蝕刻，如本文中所闡述。 如本文中所闡述，反射體420經調諧以將由作用區430在成核或緩衝結構405之方向上發射之光朝向發射表面反射，以減少或阻止由成核或緩衝結構405吸收之光。在此實施方案中，發射表面之定向由其上形成有金屬n觸點445及金屬p接觸墊450之表面定義。 圖6係如圖7之流程圖700中所圖解說明而生長之一覆晶發光裝置600之一剖面圖。在裝置600中，發射表面係面對一波長轉換結構640的一半導體結構605之一表面。 裝置600包含生長於一生長基板(未展示)上之一半導體結構605。藉由在生長基板上方生長反射體610、n型區615、作用區620及p型區625而形成半導體結構605 (705)。在一實施方案中，反射體610可嵌入於n型區615中，如上文中關於圖1所闡述。在p型區625上形成一反射p型觸點630 (710)。在一實施方案中，反射p觸點630通常包含多個導電層，諸如一反射金屬及可阻止或減少反射金屬之電遷移之一防護金屬。在一實施方案中，反射金屬係銀，但可使用任一或任何適合材料。移除反射p型觸點630、p型區625及作用區620之一部分以曝露n型區615之一部分(715)，在n型區615上形成一n型觸點635 (720)。將一波長轉換結構640定位於反射體610上方(725)。 N型觸點635及p觸點630藉由一間隙彼此電隔離。在一實施方案中，該間隙可填充有一介電質，諸如一矽氧化物或任一其他適合材料。在一實施方案中，可形成多個n型觸點通孔。圖6中所展示之n型觸點635及p型觸點630之配置係說明性的且可使用其他配置。在一實施方案中，可重新分佈n型觸點635及p型觸點630以形成具有一介電質/金屬堆疊之接合墊，如此項技術中已知。反射體610經調諧以將由波長轉換結構640發射之任何經波長轉換光往回朝向波長轉換結構640反射。反射體610經調諧為對於由作用區620在波長轉換結構640之方向上發射之光為透明的。 在一實施方案中，n型觸點635及p型觸點630可係充分厚的以支撐半導體結構605。在一實施方案中，裝置600可附接至一座架(未展示)以支撐半導體結構605。可(舉例而言)藉由蝕刻或雷射剝離移除生長基板。在某些實施方案中，藉由移除生長基板而曝露之一III族氮化物結構可經薄化(舉例而言)以移除不良品質成核或緩衝材料及/或曝露反射體610。 波長轉換結構640包含吸收由作用區620發射之光且發射一較長波長之光之一或多種材料。波長轉換材料之實例包含習用磷光體、有機磷光體、量子點、有機半導體、II族至VI族或III族至V族半導體、II族至VI族或III族至V族半導體量子點或奈米晶體、染料、聚合物或發光之其他材料。波長轉換結構之實例可包含但不限於：發光陶瓷發光塊；諸如粉末磷光體之波長轉換材料，其安置於經輥軋、澆鑄或以其他方式形成為一薄片然後單個化為個別波長轉換結構之透明材料(諸如聚矽氧或玻璃)中；諸如粉末磷光體之波長轉換材料，其安置於形成為一撓性薄片之一透明材料(諸如聚矽氧)中，該撓性薄片可層壓或以其他方式安置於LED上方；諸如粉末磷光體之波長轉換材料，其與諸如聚矽氧之一透明材料混合且經施配、絲網印刷、鋼印、模製或以其他方式安置於LED上方；及藉由電泳、蒸汽或任一其他適合類型之沈積塗佈於LED或另一結構上之波長轉換材料。在一實施方案中，該等波長轉換結構可藉由一黏合層附接至LED。 該等波長轉換材料吸收由LED發射之光且發射一或多個不同波長之光。由LED發射之未經轉換光通常係自結構提取之光之最終光譜之一部分，儘管其無需如此。常見組合之實例包含但不限於：一發射藍色LED與一發射黃色波長轉換材料相組合、一發射藍色LED與發射綠色及紅色波長轉換材料相組合、一發射UV LED與發射藍色及黃色波長轉換材料相組合，及一發射UV LED與發射藍色、綠色及紅色波長轉換材料相組合。可添加發射其他色彩之光之波長轉換材料以適應自結構提取之光之光譜。 在某些實施方案中，可將其他材料添加至波長轉換結構640或裝置600，諸如(舉例而言)改良光學效能之材料、鼓勵散射之材料及/或改良熱效能之材料。 本文中所闡述之實施例可併入至任何適合發光裝置中。本發明之實施例不限於所圖解說明之特定結構，諸如(舉例而言)圖1、圖4及圖6之垂直裝置。 本文中所闡述之用於製成一發光裝置之反射性結構之非限制性方法可針對各種應用及用途而修改同時仍在申請專利範圍之精神及範疇內。本文中所闡述及/或圖式中所展示之實施方案及變化形式僅藉由實例之方式呈現且關於範疇及精神並非限制性的。本文中之說明可適用於用於製成發光裝置中之反射性結構之方法之所有實施方案，儘管可關於一特定實施方案來闡述其。 如本文中所闡述，本文中所闡述之方法不限於執行任一(何)特定功能之任一(何)特定元件且所呈現之方法之一些步驟未必以所展示之次序發生。舉例而言，在某些情形中，兩個或多於兩個方法步驟可以一不同次序發生或同時發生。另外，所闡述方法之某些步驟可係可選的(即使未明確陳述為可選的)，且因此可被省略。本文中所揭示之方法之此等及其他變化形式尤其鑒於如本文中所闡述之對發光裝置之一反射性結構及用於製成反射性結構之方法之說明而將容易明瞭，且被視為在本發明之完全範疇內。 可省略或與其他實施方案一起實施某些實施方案之某些特徵。本文中所闡述之裝置元件及方法元件可係可互換的且用於本文中所闡述之實例或實施方案中之任一者中或自本文中所闡述之實例或實施方案中之任一者省略。 儘管上文以特定組合闡述特徵及元件，但可在不具有其他特徵及元件之情況下單獨使用或者在具有或不具有其他特徵及元件之情況下以各種組合使用每一特徵或元件。

105‧‧‧半導體結構

110‧‧‧n型區

112‧‧‧第一部分

114‧‧‧第二部分

120‧‧‧發光區/作用區

130‧‧‧p型區

140‧‧‧反射體/反射性結構

200‧‧‧反射體

205‧‧‧層對

210‧‧‧層/較低折射率層/更高度摻雜之層

215‧‧‧層/較高折射率層/較輕地摻雜之層

400‧‧‧橫向發光裝置/裝置

405‧‧‧半導體結構

410‧‧‧生長基板

415‧‧‧成核或緩衝結構

420‧‧‧反射體

425‧‧‧n型區

430‧‧‧作用區

435‧‧‧p型區

440‧‧‧電流散佈層

445‧‧‧金屬n觸點

450‧‧‧金屬p接觸墊

600‧‧‧覆晶發光裝置/裝置

605‧‧‧半導體結構

610‧‧‧反射體

615‧‧‧n型區

620‧‧‧作用區

625‧‧‧p型區

630‧‧‧反射p型觸點/反射p觸點/p觸點/p型觸點

635‧‧‧n型觸點

640‧‧‧波長轉換結構

可依據連同附圖藉由實例方式給出之以下說明具有一更詳細理解，其中： 圖1係根據特定實施方案之包含一反射體之一說明性半導體結構之一剖面； 圖2係根據特定實施方案之一反射體之一剖面； 圖3係根據特定實施方案之用於生長圖1及圖2之發光裝置之一說明性流程圖； 圖4係根據特定實施方案之一橫向發光裝置之一剖面圖，其中一發射表面係其上形成有觸點的一半導體結構之一表面； 圖5係根據特定實施方案之用於製成圖4之發光裝置之一說明性流程圖； 圖6係根據特定實施方案之包含一波長轉換材料之一覆晶發光裝置之一剖面圖，其中發射表面係面對波長轉換材料的半導體結構之一表面；且 圖7係根據特定實施方案之用於製成圖6之發光裝置之一說明性流程圖。

Claims (18)

1. 一種裝置，其包括： 一第一n型區； 一反射體，其與該第一n型區接觸，該反射體包含複數個層且該複數個層中之至少一者具有不同於該複數個層中之其他層之一折射率； 一第二n型區，其與該反射體接觸； 一發光區，其與該第二n型區接觸； 一p型層，其與該發光區接觸；及 一光提取區，其與該p型區接觸，該裝置具有透過該光提取區逸出之大多數光， 該反射體經調諧以將由該發光區發射之光往回朝向該光提取區反射。
2. 如請求項1之裝置，其中該至少一個層係該複數個層中與第二複數個層交替之第一複數個層，該第一複數個層比該第二複數個層更多孔。
3. 如請求項1之裝置，其中該至少一個層比另一複數個層被更高度摻雜。
4. 如請求項1之裝置，其中該至少一個層係一多孔半導體層且另一複數個層係非多孔半導體層。
5. 如請求項1之裝置，其中該至少一個層係GaN且其他層係AlInN。
6. 如請求項1之裝置，其中該至少一個層係InGaN且其他層係AlGaN。
7. 一種裝置，其包括： 一n型區； 一反射體，其嵌入於該n型區中，該反射體包含複數個層且該複數個層中之至少一者具有不同於該複數個層中之其他層之一折射率； 一發光區，其與該n型區接觸； 一p型區，其與該發光區接觸；及 一波長轉換結構，其與該p型區接觸， 該反射體經調諧以將由該波長轉換結構發射之光往回朝向該波長轉換結構反射。
8. 如請求項7之裝置，其中該至少一個層係該複數個層中與第二複數個層交替之第一複數個層，該第一複數個層比該第二複數個層更多孔。
9. 如請求項7之裝置，其中該至少一個層比另一複數個層被更高度摻雜。
10. 如請求項7之裝置，其中該至少一個層係一多孔半導體層且另一複數個層係非多孔半導體層。
11. 如請求項7之裝置，其中該至少一個層係GaN且其他層係AlInN。
12. 如請求項7之裝置，其中該至少一個層係InGaN且其他層係AlGaN。
13. 一種用於製成一裝置之方法，該方法包括： 在一基板上生長一第一n型區； 在該第一n型區上生長一反射體，該反射體包含複數個層且該複數個層中之至少一者具有不同於該複數個層中之其他層之一折射率； 在該反射體上生長一第二n型區； 在該第二n型層上生長一發光區； 在該發光區上生長一p型區；及 在該p型區上生長一透明電流擴散區，該裝置具有透過該透明電流擴散區逸出之大多數光， 該反射體經調諧以將由該發光區發射之光往回朝向該透明電流擴散區反射。
14. 如請求項13之方法，其中該至少一個層係第一複數個層且該方法進一步包括： 使該第一複數個層與該複數個層中之第二複數個層交替，該第一複數個層比該第二複數個層更多孔。
15. 如請求項13之方法，其進一步包括： 將該至少一個層摻雜為比另一複數個層更高度摻雜。
16. 如請求項13之方法，其進一步包括： 更多地自一多孔半導體材料生長該至少一個層且自非多孔半導體材料生長另一複數個層。
17. 如請求項13之方法，其進一步包括： 自GaN生長該至少一個層且自AlInN生長其他層。
18. 如請求項13之方法，其進一步包括： 自InGaN生長該至少一個層且自AlGaN生長其他層。