TW201816899A - 添加載體基材的佈線基板和製造添加載體基材的佈線基板的方法 - Google Patents

Abstract

一種添加載體基材的佈線基板包括佈線基板和載體基材。佈線基板包括絕緣層、配置在絕緣層的下表面的佈線層以及覆蓋絕緣層的下表面的阻焊層，阻焊層具有開口，使部分的佈線層露出作為外部連接端子。藉由黏合層將載體基材黏合至阻焊層。載體基材具有與阻焊層的開口連通的開口，使外部連接端子露出。載體基材的開口的直徑比阻焊層的開口的直徑小。

Description

添加載體基材的佈線基板和製造添加載體基材的佈線基板的方法

本發明涉及一種添加載體基材的佈線基板和一種製造添加載體基材的佈線基板的方法

裝設在佈線基板上的半導體元件的密度逐漸增加。如今需要更薄的佈線基板和密度更高的佈線圖案。已有一種無芯佈線基板可滿足這種需求。無芯基板小于高剛性芯基板幷且厚度比層間絕緣層厚。這種佈線基板在製造和組裝程序中容易產生變形而難以處理。日本特開專利公開號4848768描述了當佈線基板黏合至剛性試驗基板的狀態下時，佈線基板的製造和組裝過程。

爲了判定包含在佈線基板中的佈線層的斷線等狀况，需要進行測量佈線基板的電氣特性測試。然而，當佈線基板的外部連接端子被試驗基板覆蓋時，測試探針等不能與外部連接端子接觸。

一個實施例是添加載體基材的佈線基板，其包括佈線基板和載體基材。 佈線基板包括絕緣層、配置在絕緣層的下表面的佈線層、以及覆蓋絕緣層的下表面的阻焊層，佈線基板包括開口使部分的佈線層露出而作為外部連接端子。藉由黏合層將載體基材黏合至阻焊層。載體基材包括開口，其連通于阻焊層的開口幷使外部連接端子露出。載體基材的開口的直徑比阻焊層的開口的直徑小。

另一個實施例是製造添加載體基材的佈線基板的方法。該方法包括在支撑主體的上表面和下表面其中之一上形成佈線基板。形成佈線基板包括在支撑體的上表面和下表面中的其中之一上交替堆疊佈線層和絕緣層，並且形成阻焊層，阻焊層具有開口使佈線層的一部份露出，用來當作外部連接端子。該方法還包括將具有黏合層的載體基材黏合至阻焊層幷在載體基材中形成開口。載體基材的開口與阻焊層的開口連通使外部連接端子露出，而且載體基材的開口的直徑小于阻焊層的開口的直徑。該方法還包括讓探針由載體基材的開口接觸到外部連接端子以進行電氣測試。 ※

利用上述實施例，針對載體基材在佈線基板製造程序與組裝程序期間的處理進行改良，同時允許測試佈線基板的電氣特性。

結合附圖，通過以下舉例說明本發明原理的描述，其他實施例和其優點將變得顯而易見。

應該理解的是，前述的一般性描述和下文的詳細描述均為示例性和說明性，而非針對本發明做出限制。

參照附圖來描述實施例。在附圖中，爲了簡單和清楚而示出了元件，且不一定按比例繪製。爲了便于理解，在剖面圖中，可能不會示出陰影綫或用陰影替換。在本說明書中，平面圖是指主體的鳥瞰圖（例如，圖1A中垂直方向的視圖），平面形狀是指在垂直方向觀看到主體的形狀。

參照圖1A，添加載體基材的佈線基板10包括載體基材21、黏合層22、以及佈線基板30。藉由黏合層22將載體基材21黏合至佈線基板30。在以下的說明中，將佈線基板30一側稱為上側，將載體基材21一側稱為下側。藉由黏合層22將佈線基板30黏合至載體基材21的上表面。

如圖1A所示，佈線基板30包括佈線層31、絕緣層32、佈線層33、絕緣層34、佈線層35、以及阻焊層36。

佈線層31形成於絕緣層32的上表面，幷且嵌入絕緣層32中。在本實施例中，佈線層31嵌入絕緣層32中，以致佈線層31的上表面與絕緣層32的上表面齊平。佈線層31的上表面的一些部分用來當作部件連接端子P1，該部件連接端子P1連接到裝設在佈線基板30上的半導體元件51（參照圖7A）。半導體元件51是電子元件的一個實例。絕緣層32覆蓋佈線層31的下表面和側表面。

佈線層33形成於絕緣層32的下表面。佈線層33包括形成於絕緣層32的下表面的佈線圖案，該佈線圖案藉由佈線延伸穿過絕緣層32並與佈線層31連接。絕緣層34形成於絕緣層32的下表面幷覆蓋佈線層33。佈線層35形成於絕緣層34的下表面。佈線層35包括形成於絕緣層34的下表面的佈線圖案，該佈線圖案藉由佈線延伸穿過絕緣層34並與佈線層33連接。以此方式，佈線基板30具備將佈線層31、絕緣層32、佈線層33、絕緣層34、和佈線層35依序堆疊而獲得的無芯佈線基板的結構。

阻焊層36形成於絕緣層34的下表面，幷部分覆蓋佈線層35。阻焊層36包括開口36X，開口36X使佈線層35的下表面部分露出，使其作爲外部連接端子P2。如圖1C所示，開口36X，舉例來說，可排列成矩陣狀陣列。圖1示意性示出開口36X的排列的一個實例，但並非是對於開口36X的排列的方向與數量做出限制。

舉例來說，佈線層31、33與35是以銅（Cu）或銅合金製成。舉例來說，絕緣層32與34是以環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂等絕緣性樹脂製成，或是在環氧樹脂或聚醯亞胺樹脂中混合二氧化矽或氧化鋁等填充劑而獲得的樹脂製成。絕緣層32與34以絕緣樹脂製成，絕緣樹脂包含增強材料。使用主要組成成分爲環氧樹脂或聚醯亞胺樹脂的熱固性樹脂來浸漬增强材料，如玻璃纖維、芳族聚醯胺纖維、或液晶聚合物（LCP）纖維的平織布或不織布而獲得絕緣樹脂。或者，絕緣層32與34可由熱固性絕緣樹脂或感光性絕緣樹脂製成。

舉例來說，阻焊層36可為感光性乾膜光阻或液體光刻膠。這種光阻材料可為例如酚醛樹脂或丙烯酸樹脂。例如，在使用感光性乾膜光阻的情況下，進行熱壓接，利用乾膜將絕緣層34和佈線層35黏合。執行光刻使乾膜圖形化並形成具有開口36X的阻焊層36。 當使用液體光刻膠時，執行相同的程序來形成阻焊層36。

當需要時，表面處理層（未示出）可在從開口36X露出的佈線層35的表面上形成。表面處理層（未圖示）的實例可包括金（Au）層、鎳（Ni）/ Au層（Ni層為底層，並在Ni層上形成Au層的金屬層）、鈀（Pd）/ Au層（Ni層為底層，Ni層、Pd層、Au層依序堆疊的金屬層）。或者，經由諸如有機可焊性防腐劑（OSP）抗氧化處理過的表面處理層可形成於從開口36X露出的佈線層35的表面上。

現在將敘述載體基材21。載體基材21藉由黏合層22黏合至阻焊層36的下表面36b。

載體基材21包括開口21X，其與阻焊層36的開口36X連通。因此外部連接端子P2由載體基材21的開口21X露出。載體基材21藉由黏合層22黏合至阻焊層36的下表面36b。如此，黏合層22包括開口22X，開口22X利用與載體基材21相同的方法與阻焊層36的開口36X連通。

舉例來說，可利用被紫外綫照射後黏合力會降低的材料來製成黏合層22。

載體基材21可以是例如核心基板、金屬箔、或膜。核心基板的一個例子是玻璃環氧樹脂基板，其爲增强材料與浸漬在增强材料中的熱固性樹脂的硬化産物的複合物。增强材料例如是玻璃布（平織玻璃布）、不織玻璃布、平織芳族聚醯胺布、不織芳族聚醯胺布，平織液晶聚合物（LCP）布、或不織LCP布。 熱固性絕緣樹脂例如是環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、或氰酸酯樹脂。金屬箔可由例如銅或不銹鋼製成。膜可由例如環氧樹脂、酚醛樹脂、或聚醯亞胺樹脂製成。

在本實施例中，載體基材21中的開口21X的直徑被設定爲小于阻焊層36中的開口36X的直徑。如圖1A所示，載體基材21的開口21X以從載體基材21的下表面（與黏合層22相反一側的表面）朝向載體基材21的上表面（面對黏合層22的面）漸縮。在本實例中，載體基材21中的每個開口21X在載體基材21的上表面處（接觸黏合層22的表面）具有第一直徑，並且在載體基材21的下表面處（與黏合層22相反一側的表面）具有第二直徑。第二直徑大於第一直徑。載體基材21中的開口21X的第一直徑被設定爲小于阻焊層36中的開口36X的直徑。另外，載體基材21從阻焊層36中每個開口36X的邊緣向內延伸。意即，載體基材21將限定出開口36X的阻焊層36的邊緣完全覆蓋。換句話說，載體基材21完全覆蓋阻焊層36的下表面36b。

舉例來說，載體基材21上的每個開口21X可爲圓形平面形狀。然而，載體基材21的開口21X不一定限制爲這種平面形狀，亦可爲像是四邊形的多邊形。

在本實施例中，載體基材21中的開口21X的截面形狀均爲錐形。但是，幷無限制一定是這樣的形狀。如圖1B所示，載體基材21中的每個開口21X的形狀可讓開口21X的壁在垂直方向筆直地延伸。例如，每個開口21X從載體基材21的上表面（接觸黏合層22的表面）到載體基材21的下表面（與黏合層22相對的一側的表面）具有相同的直徑。當載體基材21中的每個開口21X的壁在垂直方向形成筆直地延伸的形狀，和開口21X的截面形狀爲錐形的情况相同，載體基材21中的開口21X的直徑被設定為小於阻焊層36的開口36X的直徑。

現在開始描述製造添加載體基材的佈線基板10的方法步驟。在以下的敘述中，附圖中只有將被描述到的元件才加上標號。此外，爲了便于理解，附圖中使用的標號與用於半導體裝置的最終元件的標號相符合。

如圖1B所示，添加載體基材的佈線基板10爲片狀基板。添加載體基材的佈線基板10是藉由切割大型基板（工作基板）而來。

如圖9A所示，工作基板40是包括多個（圖9A中為六個）方塊C1（均爲矩形幷以虛綫示出）的大型基板。在接下來敘述的薄片切割步驟中，將工作基板40切開以形成多個添加載體基材的佈線基板10（圖9B中為3個）。在本實施例中，在圖9A的狀態下對工作基板40進行每個製造步驟直到薄片切割步驟。圖9C示出了方塊C1的排列範例。舉例來說，如圖9C所示，本實施例的添加載體基材的佈線基板10為片狀基板。在平面圖中，每個添加載體基材的佈線基板10形成為矩形。每個添加載體基材的佈線基板10包括多個方塊C1（圖9C中為兩個）。方塊C1彼此分開。每個方塊C1包括呈矩陣式陣列的多個區域C2。在每個區域C2上裝設半導體元件並形成封裝樹脂。之後，移除圖1A所示的載體基材21。沿著在每個區域C2周圍延伸的實綫，切割片狀基板以將多個半導體裝置（半導體封裝）獨立出來。圖1A示意性示出單個區域C2的剖面。

現在將描述在兩個代表性區域C2中製造添加載體基材的佈線基板10的方法。需要時將在說明書中參照圖9A的工作基板40。

按照圖2A的步驟形成支撐主體100，支撐主體100包括支撑基板101、黏合層102、以及金屬層103。一個黏合層102與一個金屬層103形成在支撑基板101的一側。一個黏合層102與一個金屬層103形成在支撑基板101的另一側。

支撑基板101可爲例如藉由利用環氧樹脂等浸漬玻璃布（平織布）、不織玻璃布、或芳族聚醯胺纖維製成的構件。每個黏合層102可以是金屬箔，例如銅箔、鋁箔、鎳箔、或鋅箔；陶瓷板；或其主要成分是諸如丙烯酸或聚醯亞胺的樹脂的樹脂片。每個金屬層103可為例如銅箔等。

按照圖2B的步驟在支撐主體100的每個表面的金屬層103上形成佈線基板30。佈線基板30具備佈線層31、絕緣層32、佈線層33、絕緣層34、以及阻焊層36。佈線層31、絕緣層32、佈線層33、絕緣層34、以及阻焊層36依序堆疊在金屬層103上以形成佈線基板30。

首先在金屬層103上形成佈線層31。使用各種類型的佈線形成程序，如半加成程序來形成佈線層31。 例如，在金屬層103的表面上的特定位置處形成具有開口的光阻層。在對應於佈線層31的部分，從開口將金屬層103露出。光阻層可以是感光性乾膜光阻或液體光刻膠。這種光刻膠可為例如酚醛樹脂或丙烯酸樹脂。 然後，使用光阻層作為遮罩並使用金屬層103作為電鍍供電層來執行電解電鍍（電解銅電鍍），在金屬層103上形成佈線層31。然後，利用例如鹼分層液將光阻層移除。

在金屬層103的上表面的佈線層31被熱固性環氧樹脂或之類的絕緣樹脂層覆蓋且層壓以形成絕緣層32。可以施加絕緣樹脂的液體或糊劑，如熱固性環氧樹脂，並使其硬化而形成絕緣層32。接著形成穿過絕緣層32而延伸的通孔使佈線層31的一些部分露出。可藉由例如CO₂ 雷射等進行雷射鑽孔以形成通孔。必要時也可進行除污程序。

接著形成佈線層33。可藉由例如半加成程序形成佈線層33。例如執行像是無電電鍍，首先在絕緣層32的上表面形成種子層。然後，在種子層上的指定位置處形成具有開口的光阻層。如上所述，光阻層可以是感光性乾膜光阻或液體光刻膠（例如酚醛樹脂或丙烯酸樹脂）。接下來使用光阻層作為遮罩，並且使用種子層作為電鍍電力供給層來執行電解電鍍（電解銅電鍍）以形成電解電鍍層。使用例如鹼性分層液移除光阻層之後，使用電解電鍍層作為蝕刻遮罩，進行蝕刻來移除不需要的種子層部分。這就形成了佈線層33。

接著，重複與形成絕緣層32和形成佈線層33的相同步驟來形成絕緣層34和佈線層35。藉此方式，將指定數量的佈線層和絕緣層依序交替堆疊以形成佈線結構。

然後，具有開口36X的阻焊層36形成於佈線層35與絕緣層34的上表面。舉例來說，藉由將感光性樹脂膜層壓於佈線層35和絕緣層34的上表面，或藉由在佈線層35層壓和絕緣層34的上表面施加樹脂液體或糊劑以形成阻焊層36。在光刻程序中進行曝光和顯影將樹脂圖案化，形成特定形狀。佈線層35的上表面的一些部分從開口36X露出用來當作外部連接端子P2。

圖3的步驟中，每個載體基材21覆蓋對應的阻焊層36的全部表面，每個載體基材21藉由對應的黏合層22黏合至光阻層36的表面（對應于圖1A的下表面36b的表面）。

圖4的步驟中，從圖3中所示的支撑基板101分離出兩個佈線基板30。每個佈線基板30從支撑基板101分離後，每個佈線基板30被載體基材21支撐。

圖5A的步驟中，執行蝕刻以移除金屬層103（參考圖4）並且將佈線層31和絕緣層32的上表面露出。

圖5B的步驟中，在載體基材21中形成開口21X，並且在黏合層22中形成開口22X將外部連接端子P2露出。可以藉由例如CO₂ 雷射器或YAG雷射器進行雷射鑽孔而形成開口21X和22X。在該步驟中，阻焊層36中的開口36X的直徑小於開口21X和22X的直徑。

以此方式形成黏合至佈線基板30的載體基材21中的開口21X，使開口21X具有高位置精度。此外，載體基材21中開口21X的直徑比阻焊層36中的開口36X的直徑小。這樣，在載體基材21上形成開口21X的程序中，限制用來加工的雷射對阻焊層36的照射。這减少了雷射對阻焊層36的影響。

載體基材21中的開口21X（以及黏合層22中的開口22X）的大小僅需要足以讓在佈線基板30上進行電氣測試時使用的探針電極插入。探針電極位於與佈線基板30的外部連接端子P2對應的位置。精確地形成載體基材21的開口21X讓探針電極容易插入，探針電極容易與外部連接端子P2接觸。

參考圖5B，載體基材21中的每個開口21X形成為錐形，使其直徑從載體基材21的下表面（與黏合層22相對的一側的表面）朝向載體基材21的上表面（接觸黏合劑層22的表面）漸縮。在本實例中，載體基材21中的每個開口21X在載體基材21的上表面處（接觸黏合劑層22的表面）具有第一直徑，且在載體基材21的下表面處（與黏合劑層22相反一側的表面）具有比第一直徑大的第二直徑。載體基材21中的每個開口21X的第一直徑被設定爲小于阻焊層36中的每個開口36X的直徑。然而，載體基材21中的開口21X不限于這種結構幷可以在垂直方向上直綫延伸。

在圖6的步驟中，執行薄片切割以形成添加載體基材的佈線基板10，並且對包括在添加載體基材的佈線基板10中的佈線基板30進行電氣測試。意即，對片狀的添加載體基材的佈線基板10的每個區域C2具有的佈線構造（參照圖1A）進行電氣測試。

切割圖9A所示的工作基板40以形成圖9B所示片狀的添加載體基材的佈線基板10。接著，對片狀的添加載體基材的佈線基板10進行電氣測試。

參照圖6，在片狀的添加載體基材的佈線基板10上進行電氣測試。在本實例中，探針端子T1接觸在佈線基板30的上表面的部件連接端子P1，探針端子T2接觸在佈線基板30的下表面的外部連接端子P2。利用探針端子T1、T2在佈線基板30上進行各種電氣測試（開路測試，短路測試等）。

佈線基板30被載體基材21支撐。這在利用測試裝置執行電氣測試時有利于處理（支撑）佈線基板30。 載體基材21具有開口21X使得佈線基板30的外部連接端子P2露出。因此，測試探針端子T2能夠容易地接觸附著於載體基材21的佈線基板30中的外部連接端子P2，以進行電氣測試。

藉由上述的電氣測試判定佈線基板30是否有缺陷。根據判定結果，在佈線基板30上標記。舉例來說，當確定有缺陷時，在佈線基板30上標記指定記號。

現在將描述使用添加載體基材的佈線基板10的半導體裝置的製造步驟。

在圖7A的步驟中，在添加載體基材的佈線基板10的上表面，半導體元件51連接到部件連接端子P1。然後，形成封裝樹脂52以密封半導體元件51。此時，當佈線基板30沒有在電氣測試中被標記，也就是說，當佈線基板30已被判定為無缺陷，在佈線基板30上裝設半導體元件51。當佈線基板30已被標記，也就是說，當佈線基板30已被判定為有缺陷，不在佈線基板30上裝設半導體元件51。因此，不需要花時間在有缺陷的佈線基板上裝設半導體元件5上。這也避免半導體元件51裝設在有缺陷的佈線基板上而造成半導體元件51浪費。

形成封裝樹脂52以覆蓋半導體元件51與佈線基板30的上表面。舉例來說，封裝樹脂52是由熱固性環氧絕緣樹脂製成。絕緣樹脂並非必須為熱固性，也可以是感光性。

圖7B的步驟中，將載體基材21與黏合層22移除。舉例來說，使用紫外綫照射黏合層22以降低黏合層22的黏合力幷移除載體基材21和黏合層22。

圖8A的步驟中，在外部連接端子P2上形成凸塊61，用於將外部連接端子P2裝設于另一基板。舉例來說，凸塊61是焊料凸塊。可藉由配置在外部連接端子P2上的焊球或施加在外部連接端子P2後經過回焊程序的焊膏來形成凸塊61。

在圖8B的步驟中，從圖8A的結構中獨立出半導體裝置70。如圖9C所示，沿在區域C2周圍延伸的綫來切割出圖8A所示的佈線基板30和封裝樹脂52而獨立出半導體裝置70。

本實施例的優點描述如下。

（1）添加載體基材佈線基板10具有載體基材21、黏合層22和佈線基板30。佈線基板30具有依序堆疊而獲得無芯佈線基板的佈線層31、絕緣層32、佈線層33、絕緣層34、和佈線層35。阻焊層36形成在絕緣層34的下表面以部分地覆蓋佈線層35。阻焊層36包括開口36X，佈線層35的下表面一些部分從開口36X中露出用來作為外部連接端子P2。載體基材21藉由黏合層22黏合至阻焊層36的下表面36b。片狀的添加載體基材的佈線基板10形成之後，載體基材21在電氣測試中變得更容易裝卸具有無芯結構的佈線基板30。

（2）載體基材21和黏合層22包括開口21X和22X，讓外部連接端子P2從開口21X和22X露出。對添加載體基材的佈線基板10進行電氣測試的步驟中，將用于電氣測試的探針端子T2插入載體基材21中的開口21X使探針端子T2接觸從開口21X露出的外部連接端子P2。以這種方式，從載體基材21中的開口21X露出外部連接端子P2，因此可在佈線基板30被載體基材支撐的狀態下，對佈線基板30進行電氣測試21。

（3）載體基材21中的開口21X的直徑小于阻焊層36中的開口36X的直徑。因此，載體基材21從阻焊層36中的每個開口36X的邊緣向內延伸。也就是說，載體基材21完全覆蓋限定出開口36X的阻焊層36的邊緣。換句話說，載體基材21覆蓋阻焊層36的下表面36b。因此，阻焊層36部分不被在載體基材中形成開口21X的步驟中使用的雷射光照射到。這降低了雷射光對阻焊層36的影響。此外，如果佈線基板30的阻焊層36從載體基材21中的開口21X露出，則探針端子T2可能會損壞。在本實施例中，在將探針端子T2插入到載體基材21的開口21X中對佈線基板30進行電氣測試的情况下，探針端子T2不會接觸到阻焊層36。避免探針端子T2被阻焊層36損壞。

（4）參照圖1A，載體基材21中的每個開口21X各自漸縮，使得開口21X的直徑從載體基材21的下表面（與黏合層22相反一側的表面）朝向 載體基材21的上表面（接觸黏合劑層22的表面）漸縮。探針端子T2在佈線基板30上進行電氣測試，即使當探針端子T2移位時，載體基材21中的錐形開口21X也能引導探針端子T2至外部連接端子P2。載體基材21的下表面（與黏合層22相反一側的表面）的大口徑使得探針端子T2容易插入。

（5）載體基材21需要用來將半導體元件51裝設到佈線基板30上的裝置，以及用來將半導體元件51傳送到另一裝置的裝置，該另一裝置為在封裝樹脂52中封裝半導體裝置51的裝置。不具備開口21X的載體基材在佈線基板30上進行電氣測試時，必須先從佈線基板30移除載體基材，之後再將載體基材重新黏合至佈線基板30上。本實施方式的添加載體基材的佈線基板10在載體基材21上具有開口21X，因此不需要移除載體材料之後再黏合載體材料。因此，可以減少製造步驟和製造時間。

參考實例

圖10示出參考實例中添加載體基材的佈線基板200。添加載體基材的佈線基板200中對應於上述實施方式中相同的元件，賦予其相同的附圖標號。這些元件將不會被詳細地描述。

添加載體基材的佈線基板200包括載體基材211、黏合層212、以及佈線基板30。載體基材211藉由黏合層212黏合至佈線基板30。下述說明書中，將佈線基板30的一側稱為上側，將載體基材211的一側稱為下側。佈線基板30藉由黏合層212黏合至載體基材201的上表面。

佈線基板30包括佈線層31、絕緣層32、佈線層33、絕緣層34、佈線層35、以及阻焊層36。載體基材211藉由黏合層212黏合至阻焊層36的下表面36b。

載體基材211包括開口211X，開口211X連通阻焊層36中的開口36X。外部連接端子P2從阻焊層36中的開口36X露出。因此，外部連接端子P2從載體基材211中的開口211X露出。載體基材211藉由黏合層212黏合至阻焊層36的下表面36b。因此，與載體基材211相同，黏合層212具有開口212X，開口212X連通阻焊層36中的開口36X。

舉例來說，可利用被紫外綫照射後黏合力會降低的材料來製成黏合層212。

本參考實例中，載體基材211中的開口211X的直徑被設定爲大于阻焊層36中的開口36X。因此限定出阻焊層36中的開口36X的壁，也就是限定出開口36X的阻焊層36的邊緣，從載體基材211的開口211X露出。

現在將描述添加載體基材的佈線基板200的製造步驟。

在圖11A的步驟中，在載體基材211的上表面形成黏合層212和隔板213。接著，形成開口214X，開口214X延伸穿過載體基材211、黏合層212、 和隔板213。開口214X包括載體基材211的開口211X、黏合層212的開口212X、和隔板213的開口213X。可藉由例如沖頭或鑽頭進行加工或進行雷射鑽孔以形成開口214X。

圖11B的步驟中，移除隔板213（參照圖11A）。

圖12A的步驟中，形成支撐主體100，支撐主體100包括支撑基板101、黏合層102、以及金屬層103。一個黏合層102與一個金屬層103形成于支撑基板101的一側。一個黏合層102與一個金屬層103形成于支撑基板101的另一側。

支撑基板101可爲例如藉由利用環氧樹脂等浸漬玻璃布（平織布）、不織玻璃布、或芳族聚醯胺纖維而形成的構件。每個黏合層102可為金屬箔，例如銅箔、鋁箔、鎳箔、或鋅箔；陶瓷板；或其主要成分是諸如丙烯酸樹脂或聚醯亞胺樹脂的樹脂片。每個金屬層103可為例如銅箔等。

在圖12B的步驟中，在支撐主體100的每個表面的金屬層103上形成佈線基板30。佈線基板30包括佈線層31、絕緣層32、佈線層33 、絕緣層34、佈線層35、和阻焊層36。佈線層31、絕緣層32、佈線層33、絕緣層34、以及阻焊層36依序堆疊在金屬層103上以形成佈線基板30。接下來，在阻焊層36中形成開口36X，使佈線層35的上表面的一些部分露出用來作為外部連接端子P2。

圖13的步驟中，覆蓋阻焊層36的全部表面的載體基材21（參照圖11B）藉由黏合層212黏合至阻焊層36的表面。此外，保護膜222藉由黏合層221黏合至載體基材211的表面。舉例來說，可利用被紫外綫照射後黏合力會降低的材料來製成黏合層221。可利用對後續步驟中執行的蝕刻具有抵抗性的材料形成保護膜222。例如，保護膜222可由感光性乾膜（例如酚醛樹脂或丙烯酸樹脂）形成。

圖14的步驟中，從圖13中所示的支撑基板101分離出兩個佈線基板30。當每個佈線基板30從支撑基板101分離後，被載體基材211支撐。

圖15A的步驟中，蝕刻圖14所示的金屬層103並將金屬層103移除，露出佈線層31和絕緣層32的上表面。在本步驟中，黏合層221封閉載體基材211中的開口211X， 因此，蝕刻液不會進入開口211X。意即，保護外部連接端子P2，使外部連接端子P2免受蝕刻液的影響。

在圖15B的步驟中，移除保護膜222使外部連接端子P2露出。然後，在佈線基板30上進行電氣測試，讓探針端子T2接觸外部連接端子P2，以及讓探針端子T1接觸部件連接端子P1。上述進行的電氣測試用來確定佈線基板30是否有缺陷。根據判定結果在佈線基板30上標記。舉例來說，當判定爲有缺陷時，在佈線基板30上標示指定記號。

現在將描述使用添加載體基材的佈線基板200的半導體裝置的製造步驟。

在圖16A的步驟中，在添加載體基材的佈線基板200的上表面裝設半導體元件51。然後，形成封裝樹脂52以密封半導體元件51。此時，當電氣測試中佈線基板30未被標記，也就是說，當佈線基板30已被判定為無缺陷時，在佈線基板30上裝設半導體元件51。當佈線基板30已被標記，也就是說，當佈線基板30已被判定爲有缺陷，不在佈線基板30上裝設半導體元件51。因此，不需要花時間在有缺陷的佈線基板上裝設半導體元件51。這也避免在有缺陷的佈線基板上裝設半導體元件51而造成半導體元件51的浪費。

封裝樹脂52覆蓋半導體元件51以及佈線基板30的上表面。舉例來說，封裝樹脂是由熱固性環氧絕緣樹脂製成。絕緣樹脂並非必須為熱固性，也可以是感光性。

圖16B的步驟中，移除載體基材211與黏合層212。舉例來說，使用紫外綫照射黏合層212使黏合層212的黏性降低，並移除載體基材211與黏合層212。

圖17A的步驟中，凸塊61形成在外部連接端子P2上，用於將外部連接端子P2裝設在另一基板上。舉例來說，凸塊61是焊料凸塊。可藉由配置在外部連接端子P2上的焊球或施加在外部連接端子P2後經過回焊程序的焊膏來形成凸塊61。

圖17B的步驟中，從圖17A的結構中獨立出半導體裝置70。使用切割刀片切割圖17A所示的佈線基板30和封裝樹脂52，而獨立出半導體裝置70。

利用與上述添加載體基材的佈線基板10實施例的相同方式，添加載體基材的佈線基板200允許在佈線基板30上進行電氣檢查，基板30被載體基材211支撐。

對於本領域的技術人員來說顯而易見的是，在不脫離本發明範圍的情況下，能夠以許多其他的具體形式利用前述實施例。特別應該理解，能以下面的形式利用前述實施例。

在上述實施例中，針對添加載體基材的佈線基板的結構可做出變化。

參考圖18，載體基材302可藉由黏合層301黏合至載體基材21的下表面。載體基材21和302中兩層的剛性增強以便於處理。另外，載體基材21的開口21X被載體基材302封閉。因此，能夠防止液體、塵埃等異物進入開口21X。在這種情況下，保護膜222（參考圖13）可以黏合至載體基材21而非載體基材302。舉例來說，在進行圖6示出的電氣測試之後，施加載體基材302或保護膜222。此外在進行圖3的步驟之後，在載體基材21和黏合層22中形成開口21X和22X而露出外部連接端子P2，如圖5B所示 。此外，參照圖4，從支撑基板101分離佈線基板30之前，可先將載體基材302或保護膜222黏合至載體基材21。在這種情況下，當進行電氣測試時，需要移除載體基材302或保護膜222。

在上述實施例和修改示例中，可以在載體基材的表面上和載體基材的開口中（例如圖1A中，載體基材21的下表面以及載體基材21的開口21X）形成佈線。 此外，可以使用包括佈線層和絕緣層的堆叠基板以及包括核心基板的佈線基板作為載體基材。

在上述實施例和修改過的實例中，包括在添加載體基材的佈線基板10中的方塊C1（參考圖1B）的數量和每個方塊C1中具有的區域C2的數量都可做改變。 此外，工作基板40（參考圖9A）中方塊C1的數量，也就是從工作基板40形成的添加載體基材的佈線基板10的數量可做改變。

在上述實施例和修改過的實例中，佈線基板30的絕緣層和佈線層的數量可做改變。

在上述實施例和修改過的實例中，形成于佈線基板30的絕緣層30的上表面的阻焊層具有開口，露出部件連接端子P1。

本文所述的所有示例和條件語言旨在用於教學目的，以幫助讀者理解本發明的原理以及發明人爲了促進本領域而貢獻的概念，幷且將被解釋爲不限于此類特定所述實施例和條件，本說明書中這些實施例的組織也不涉及本發明的優缺點的說明。雖然已詳細描述了實施例，但是應當理解，在不脫離本發明範圍的情況下，可以進行各種改變、替換和更改。

10‧‧‧添加載體基材的佈線基板

21‧‧‧載體基材

21X‧‧‧開口

22‧‧‧黏合層

22X‧‧‧開口

30‧‧‧佈線基板

31‧‧‧佈線層

32‧‧‧絕緣層

33‧‧‧佈線層

34‧‧‧絕緣層

35‧‧‧佈線層

36‧‧‧阻焊層

36b‧‧‧下表面

36X‧‧‧開口

40‧‧‧工作基板

51‧‧‧半導體元件

52‧‧‧封裝樹脂

61‧‧‧凸塊

70‧‧‧半導體裝置

100‧‧‧支撐主體

101‧‧‧支撑基板

102‧‧‧黏合層

103‧‧‧金屬層

211‧‧‧載體基材

211X‧‧‧開口

212‧‧‧黏合層

212X‧‧‧開口

213‧‧‧隔板

213X‧‧‧開口

214X‧‧‧開口

221‧‧‧黏合層

222‧‧‧保護層

301‧‧‧黏合層

302‧‧‧載體基材

C1‧‧‧方塊

C2‧‧‧區域

T1‧‧‧探針端子

T2‧‧‧探針端子

P1‧‧‧部件連接端子

P2‧‧‧外部連接端子

參考以下針對較佳實施例的描述以及附圖，最能理解實施例及其目的和優點，其中：

圖1A是添加載體基材的佈線基板的示意剖面圖；

圖1B是另一種添加載體基材的佈線基板的示意剖面圖；

圖1C是阻焊層中開口的示意平面圖；

圖2A、2B、3、4、5A、5B、和6是圖1A的添加載體基材的佈線基板的製造步驟的示意剖面圖；

圖7A、7B、8A、和8B是包括圖1A的添加載體基材的佈線基板的半導體裝置的製造步驟的示意剖面圖；

圖9A至圖9C是圖1A的添加載體基材的佈線基板的製造步驟的示意俯視圖；

圖10是參考實例中添加載體基材的佈線基板的示意剖面圖；

圖11A、11B、12A、12B、13、14、15A、和15B是圖10的添加載體基材的佈線基板的製造步驟的示意剖面圖；

圖16A、16B、17A、和17B是包括圖10的添加載體基材的佈線基板的半導體裝置的製造步驟的示意剖面圖；以及

圖18是添加載體基材的佈線基板的變形例的示意剖面圖。

Claims (7)

1. 一種添加載體基材的佈線基板，包括： 佈線基板，該佈線基板包括 絕緣層， 配置在該絕緣層的下表面的佈線層，和 阻焊層，該阻焊層覆蓋該絕緣層的下表面幷且具有開口，該開口使該佈線層的一部分露出作爲外部連接端子；以及 載體基材，藉由黏合層黏合至該阻焊層，該載體基材具有開口，該載體基材的開口與該阻焊層的開口連通幷露出該外部連接端子， 其中，該載體基材的開口的直徑小于該阻焊層的開口的直徑。
2. 根據申請專利範圍1所述之添加載體基材的佈線基板，其中，該載體基材包括與該黏合層接觸的上表面，以及位於該載體基材的上表面的相反一側的下表面；以及 該載體基材的開口在該載體基材的上表面處具有第一直徑且在該載體基材的下表面處具有第二直徑，其中該第二直徑大于該第一直徑，且該第一直徑小于該阻焊層的開口的直徑。
3. 根據申請專利範圍1或2所述之添加載體基材的佈線基板，其中，該佈線基板包括多個絕緣層和多個佈線層，該些絕緣層和該些佈線層依序交替堆叠，最上層的絕緣層的上表面和最上層的佈線層的上表面露出，最上層的佈線層具有部件連接端子，電子部件裝設於該部件連接端子。
4. 一種製造添加載體基材的佈線基板的方法，包括： 在支撑主體的上表面和下表面的其中之一上形成佈線基板，其中，形成該佈線基板的步驟包括 在該支撑主體的上表面和下表面的其中之一上交替堆疊佈線層和絕緣層，和 形成阻焊層，該阻焊層包括開口，該開口使該佈線層的一部分露出作爲外部連接端子； 將具有黏合層的載體基材黏合至該阻焊層; 在該載體基材上形成開口，其中該載體基材的開口與該阻焊層的開口連通，以將該外部連接端子露出，且該載體基材的開口的直徑小于該阻焊層的開口的直徑；以及 使探針從該載體基材的開口接觸到該外部連接端子以進行電氣測試。
5. 根據申請專利範圍4所述之方法，還包括： 在將具有該黏合層的該載體基材黏合至該阻焊層之後，且在該載體基材中形成該開口之前，將該佈線基板與該支撑主體分離。
6. 根據申請專利範圍4所述之方法，還包括： 在該支撑主體的上表面和下表面中另一方上形成與該佈線基板具有相同結構的第二佈線基板；以及 將具有該黏合層的該載體基材黏合至該第二佈線基板的阻焊層。
7. 根據申請專利範圍4至6中任一項所述之方法，其中： 該載體基材包括接觸該黏合層的上表面以及位於該上表面相反一側的下表面； 其中該載體基材的開口具有在該載體基材的上表面處的第一直徑和在該載體基材的下表面處的第二直徑，該第二直徑大于該第一直徑，幷且該第一直徑小于該阻焊層的開口的直徑。