TW201816838A

TW201816838A - 部分淨形與部分近淨形矽碳化物化學汽相沉積

Info

Publication number: TW201816838A
Application number: TW106126160A
Authority: TW
Inventors: 賈斯汀查爾斯卡尼夫
Original assignee: 美商蘭姆研究公司
Priority date: 2016-08-04
Filing date: 2017-08-03
Publication date: 2018-05-01
Also published as: US20180040479A1; US10096471B2; KR20180016300A; CN107686983A

Abstract

一種製造結構的方法，該結構具有在基板處理系統中暴露於電漿之表面，該方法包含：提供具有一第一形狀的一犧牲基板；將該基板加工成一第二形狀，該第二形狀具有與該結構的一期望最終形狀相對應的尺寸；在該基板上沉積一材料層；對該材料層的第一選定部分進行加工以使在該材料層內的該基板暴露；移除該基板的剩餘部分；及將該材料層的第二選定部分加工成具有該期望最終形狀的該結構而沒有對在處理期間暴露於電漿之該結構的該表面進行加工。

Description

部分淨形與部分近淨形矽碳化物化學汽相沉積

本申請案主張於2016年8月4日提申之美國臨時申請案第62/370,916號之優先權。以上所述之申請案的完整揭露內容係藉由參照而納入本文中。

本揭露內容係關於處理期間暴露於電漿之基板處理系統的構件之製造。

這裡所提供之先前技術描述係為了大體上呈現本發明之背景。在此先前技術章節中敘述的成果之範圍內之本案列名之發明人的成果、以及在申請期間不適格作為先前技術之說明書的實施態樣，皆非有意地或暗示地被承認為對抗本發明之先前技術。

基板處理系統可用以處理基板(例如，半導體晶圓)。可於基板上執行之範例性處理包含(但不限於)化學汽相沉積(CVD)、原子層沉積(ALD)、導體蝕刻及/或其它蝕刻、沉積、或清潔處理。可將基板配置於基板處理系統之處理腔室中的一基板支撐件(例如底座、靜電卡盤(ESC)等)上。於蝕刻期間，可將包含一或更多前驅物的氣體混合物導入處理腔室中，並可使用電漿來啟動化學反應。

基板支撐件可包含用以支撐晶圓的陶瓷層。舉例而言，晶圓在處理期間係被夾持至陶瓷層上。基板支撐件可包含一邊緣環，該邊緣環係圍繞基板支撐件的外部部分而配置(例如，在周邊之外及/或與周邊相鄰)。可設置邊緣環以將電漿限制於基板上方之容積，保護基板支撐件免於電漿等引起的侵蝕。基板處理系統可包含一電漿限制護罩，該電漿限制護罩係圍繞基板支撐件及上電極(例如，噴淋頭)其中每一者而配置以進一步將電漿限制在基板上方的容積內。

本揭露內容之進一步的可應用領域將從實施方式、發明申請專利範圍及圖式中變得明顯。詳細說明及具體範例係意圖為僅供說明的目的，而非意欲限制本揭示內容的範圍。

基板處理系統的處理腔室可包含一電漿限制護罩。該護罩可用以將電漿及其他反應物限制在處理腔室中的期望區域內。舉例而言，該護罩可設置成圍繞基板支撐件及上電極，以將電漿限制於在基板上方且在上電極下方的容積內。

在一些範例中，電漿限制護罩係藉由將半導體材料(例如，矽碳化物、或SiC)沉積在犧牲基板上而製造。例如，使用化學汽相沉積(CVD)處理將SiC沉積在基板上。基板可包含具有與護罩之期望構造(換言之，最終形狀)大致相對應之形狀的石墨塊或圓柱體。所沉積之材料在基板上及其周圍形成SiC層。接著將沉積在基板上的層加工(舉例而言，藉由使用例如切割、研磨等的各樣技術)成為最終形狀。此處理可稱為一近淨形處理。

根據本發明原理之系統及方法實行一部分淨形或部分近淨形處理。在部分淨形或部分近淨形處理中，沉積層的一些表面可能需要進行加工以達成最終形狀，而其他表面則不需要加工。舉例而言，可對該處理進行配置，使得護罩的較非處理關鍵之表面(例如，非面向電漿之表面)可能需要加工，而沉積層的面向電漿之表面則不需要加工。

例如，石墨基板可在執行SiC層的沉積之前進行加工(換言之，預加工)。更具體而言，將基板預加工成與護罩之期望最終形狀與尺寸更緊密地對應的形狀(可將其稱為互易或互補形狀)。接著將SiC層沉積至預加工的基板上。基板及SiC層的選定部分係加以加工，並將基板從SiC層移除(例如，燒除)。一旦移除基板，則SiC層的一些部分及表面將已經與護罩的期望最終形狀相對應。

因此，根據本揭露內容之原理製造護罩，減少了加工、減少了對護罩的表面光潔度（surface finish）之損壞、將加工導致之裂紋所造成的產品損失最小化、並提高了整體良率。此外，可製造具有更複雜形狀的護罩而無需大量的切割、研磨、或其他會有損壞護罩風險之材料移除方法。

雖然相對於C型護罩進行描述，但本揭露內容之原理亦可應用於基板處理系統內的其它結構，其中包含(但不限於)其他類型的電漿限制護罩、邊緣環、與上電極或噴淋頭相關聯之結構、限制環等。因此，可製造具有更複雜形狀的邊緣環、限制環等而無需大量的切割、研磨、或其他會有損壞護罩風險之材料移除方法。

現在參照圖1，顯示了範例性基板處理系統100。僅以舉例而言，基板處理系統100可用以藉由使用RF電漿而執行蝕刻及/或用於其它合適的基板處理。基板處理系統100包含處理腔室102，其包圍基板處理系統100的其它構件並容納RF電漿。基板處理腔室102包含上電極104、及基板支撐件106(例如，靜電卡盤(ESC))。在操作期間，基板108係配置於基板支撐件106上。雖然顯示了特定的基板處理系統100及腔室102做為範例，然而本揭露內容之原理可應用於其他類型的基板處理系統及腔室，例如原位產生電漿的基板處理系統、實行遠距電漿產生及輸送(例如，藉由使用電漿管、微波管)的基板處理系統等。

僅以舉例而言，上電極104可包含一氣體分配裝置，例如導入並分配處理氣體的噴淋頭109。噴淋頭109可包含柄部部分，其包含連接至處理腔室之頂部表面的一端。基部部分大體上為圓柱形，且在與處理腔室之頂部表面間隔開的位置處自柄部部分的一相反端徑向向外延伸。噴淋頭之基部部分的面向基板之表面或面板包含複數的孔，處理氣體或吹淨氣體(purge gas)係流動通過該等孔。或者，上電極104可包含導電板，且處理氣體可以另一方式導入。

基板支撐件106包含了做為下部電極的導電底板110。底板110支撐著陶瓷層112。在一些範例中，陶瓷層112可包含一加熱層(例如，陶瓷多區域加熱板)。一熱阻層114(例如，接合層)可配置在陶瓷層112與底板110之間。底板110可包含用以讓冷卻劑流動通過底板110的一或更多冷卻劑通道116。基板支撐件106可包含一邊緣環118，其係配置成圍繞基板108之外周邊。

RF產生系統120產生並輸出一RF電壓至至上電極104及下電極(例如，基板支撐件106的底板110)其中一者。上電極104與底板110其中另一者可為DC接地、AC接地、或浮接。僅以舉例而言，RF產生系統120可包含產生RF電壓之RF電壓產生器122，該RF電壓係藉由匹配與分配網路124而供給至上電極104或底板110。在其他範例中，可感應地或遠程地產生電漿。雖然如吾人為舉例之目的而顯示，RF產生系統120係對應於電容耦合電漿(CCP)系統，但本揭露內容之原理亦可實行於其他合適之系統中，僅以舉例而言，例如變壓耦合電漿(TCP )系統、CCP陰極系統、遠距微波電漿產生及傳送系統等。

氣體輸送系統130包含一或更多氣體來源132-1、132-2、…、及132-N(統稱為氣體來源132)，其中N為大於零的整數。該氣體來源供應一或更多前驅物及其混合物。該氣體來源亦供應吹淨氣體。亦可使用汽化之前驅物。氣體來源132藉由閥134-1、134-2、…，及134-N(統稱為閥134)、與質量流量控制器136-1、136-2、…，及136-N(統稱為質量流量控制器136)而連接至岐管140。岐管140之輸出係供給至處理腔室102。僅以舉例而言，岐管140之輸出係供給至噴淋頭109。

溫度控制器142可連接至複數加熱元件，例如配置於陶瓷層112中的熱控制元件(TCE，thermal control elements) 144。舉例而言，加熱元件144可包含(但不限於)與多區域加熱板中之個別區域相對應的巨加熱元件、及/或設置於多區域加熱板的多個區域上的微加熱元件之陣列。溫度控制器142可用以控制複數加熱元件144以控制基板支撐件106及基板108之溫度。

溫度控制器142可與冷卻劑組件146通信以控制流動通過通道116的冷卻劑流量。例如，冷卻劑組件146可包含冷卻劑泵浦及貯存器。溫度控制器142對冷卻劑組件146進行操作以選擇性地使冷卻劑流動通過通道116以冷卻基板支撐件106。

閥150及泵浦152可用以從處理腔室102抽空反應物。系統控制器160可用以控制基板處理系統100的構件。機械臂170可用以將基板傳遞至基板支撐件106上、及將基板從基板支撐件106移除。例如，機械臂170可在基板支撐件106與負載鎖室172之間傳送基板。雖然顯示為獨立的控制器，但溫度控制器142可設置於系統控制器160內。在一些範例中，可環繞接合層114之周邊而於陶瓷層112與底板110之間設置一保護密封件176。

處理腔室102可包含電漿限制護罩，例如C形護罩180。C形護罩180係環繞上電極104及基板支撐件106而設置以將電漿限制在電漿區域182內。在一些範例中，C形護罩180包含半導體材料(例如，矽碳化物(SiC))。C型護罩180可包含一或更多槽口184，其係用以容許氣體流出電漿區域182以藉由閥150及泵浦152而從電漿腔室106排出。可根據本揭露內容之原理而製造C形護罩180(如下面所詳述)。

現在參照圖2，顯示了範例性電漿限制護罩(例如，C形護罩)200之橫剖面。C型護罩200包含靠內、面向電漿的表面204、及靠外、非面向電漿的表面208。C型護罩200可包含一或更多槽口212，用以容許氣體從C型護罩200內的電漿區域216排出。

現在參照圖3A至圖3F，顯示了根據本揭露內容之原理的範例性製造處理。雖然該製造處理係相對於C形護罩進行描述，但該製造處理亦可針對基板處理系統的其他結構(其中包含但不限於邊緣環)而執行。該製造處理可稱為部分淨形或部分近淨形處理。圖3A顯示了一基板，例如石墨塊300。圖3B顯示了加工成為範例性形狀304的塊300，該範例性形狀304可與C型護罩之期望最終形狀的互易或互補形狀相對應。例如，對塊300進行加工包含了移除塊300的部分(例如，經由研磨、切割等)以達成形狀304。形狀304可包含與最終形狀中之槽口的位置相對應的一凸部或鰭部308。雖然僅顯示了單一的凸部308，但其他範例可包含與形成於C形護罩中之複數槽口相對應的二或更多同心之凸部。

如圖3C中所示，一半導體材料(例如，矽、SiC、或另一含矽材料)係加以沉積(例如，藉由使用CVD處理)，以在塊300上形成SiC層312。僅以舉例而言，SiC層312係以與期望之最終形狀的任何部分的最大厚度(例如，0.365英吋或9.271 mm)相對應的厚度沉積。圖3D顯示了將部分的SiC層312及塊300移除(例如，藉由研磨)之後的SiC層312及塊300。舉例而言，部分的塊300之凸部308、內徑316、及頂部320、和SiC層312的對應部分係加以移除。

將部分的SiC層312移除(如圖3D中所示)容許石墨塊300的剩餘部分暴露於各樣的處理氣體。在一範例中，圖3E顯示了將石墨塊300的剩餘部分移除之後的SiC層312。舉例而言，可藉由燒灼或另一合適的處理而將塊300的剩餘部分移除。可在移除塊300的剩餘部分之後對SiC層312進行退火，以在任何額外的加工之前提高SiC層312的強度。

圖3F顯示了在進一步的加工、研磨等(其係用以形成具有最終期望形狀之C形護罩324)之後的SiC層312。如先前所述，該C形護罩324係在無需於靠內、面向電漿的表面328上執行任何加工之情況下形成。可於將C型護罩324安裝至基板處理腔室中之前在C型護罩324上執行額外的處理(例如，氧化及清潔)。

現在參照圖4A至圖4F，顯示了根據本揭露內容之原理的邊緣環之範例性製造處理。圖4A顯示了一基板，例如石墨塊400。圖4B顯示了加工成為範例性形狀404的塊400，該範例性形狀404可與二個邊緣環之期望最終形狀的互易或互補形狀相對應。如圖4C中所示，一半導體材料(例如，矽、SiC、或另一含矽材料)係加以沉積(例如，藉由使用CVD處理)，以在塊400上形成SiC層412。圖4D顯示了將部分的SiC層412及塊400移除(例如，藉由研磨)之後的SiC層412及塊400。圖4E顯示了將石墨塊400的剩餘部分移除之後的SiC層412。可在移除塊400的剩餘部分之後對SiC層412進行退火，以在任何額外的加工之前提高SiC層412的強度。圖4F顯示了在進一步的加工、研磨等(其係用以形成具有各別之最終期望形狀的邊緣環416及420)之後的SiC層412。如先前所述，邊緣環416及420係在無需於各別的面向電漿表面424及428上執行任何加工之情況下形成。可於將邊緣環416及420安裝至基板處理腔室中之前在邊緣環416及420上執行額外的處理(例如，氧化及清潔)。

現在參照圖5A至圖5F，顯示了根據本揭露內容之原理的邊緣環之另一範例性製造處理。圖5A顯示了一基板，例如石墨塊500。圖5B顯示了加工成為範例性形狀504的塊500，該範例性形狀504可對應於二個邊緣環之期望最終形狀的互易或互補形狀。如圖5C中所示，一半導體材料(例如，矽、SiC、或另一含矽材料)係加以沉積(例如，藉由使用CVD處理)，以在塊500上形成層512(例如，在本範例中為SiC層512)。圖5D顯示了將部分的SiC層512及塊500移除(例如，藉由研磨)之後的SiC層512及塊500。圖5E顯示了將石墨塊500的剩餘部分移除之後的SiC層512。可在移除塊500的剩餘部分之後對SiC層512進行退火，以在任何額外的加工之前提高SiC層512的強度。圖5F顯示了在進一步的加工、研磨等(其係用以形成具有各別之最終期望形狀的邊緣環516及520)之後的SiC層512。如先前所述，邊緣環516及520係於未在各別的面向電漿表面524及528上執行任何加工之情況下形成。可於將邊緣環516及520安裝至基板處理腔室中之前在邊緣環516及520上執行額外的處理(例如，氧化及清潔)。

現在參照圖6，製造根據本揭露內容之原理的基板處理系統之結構(例如，護罩、邊緣環等)的範例性方法600開始於604。在608，提供一基板(例如，石墨塊)。在612，將基板加工成一形狀，該形狀具有與該結構之期望最終形狀為互易或互補的特徵及/或尺寸。在616，沉積一材料(舉例而言，半導體材料(例如，含矽材料))以在所加工之基板上形成一層。例如，該層係對應於使用CVD處理沉積在基板上的一SiC層。

在620，將沉積的層及基板進一步加工(例如，研磨)，以移除部分的層及基板。在624，將基板的剩餘部分移除(例如，藉由燒灼)。在628，可在剩餘的半導體層上執行任何額外的製造步驟以完成該結構。僅以舉例而言，額外的製造步驟包含(但不限於)退火、加工、氧化、及清潔等。方法600於632結束。

以上所述在本質上僅為說明且係決非意欲限制本揭示內容、其應用、或使用。本揭示內容的廣泛教示可以多種方式執行。因此，雖然此揭示內容包含特殊的例子，但本揭示內容的真實範圍應不被如此限制，因為其他的變化將在研讀圖示、說明書及以下申請專利範圍後變為顯而易見。吾人應理解方法中的一或多個步驟可以不同的順序(或同時)執行而不改變本揭示內容的原理。另外，儘管每個實施例中皆於以上敘述為具有特定的特徵，但相關於本揭示內容之任何實施例中所敘述的該等特徵之任何一或多者可在其他實施例之任一者的特徵中實施、及/或與之組合而實施，即使該組合並未明確說明亦然。換言之，上述實施例並非互相排除，且一或多個實施例之間的排列組合仍屬於本揭示內容的範圍內。

元件之間(例如，在模組、電路元件，半導體層等之間)的空間和功能上的關係係使用各種術語來表述，其中包括「連接」、「接合」、「耦接」、「相鄰」、「接近」、「在頂端」、「上方」、「下方」和「配置」。除非明確敘述為「直接」，否則當於上述揭示內容中描述第一和第二元件之間的關係時，該關係可為第一及二元件之間沒有其他中間元件存在的直接關係，但也可為第一及二元件之間(空間上或功能上)存在一或多個中間元件的間接關係。如本文中所使用，詞組「A、B和C中至少一者」應解讀為意指使用非排除性邏輯OR的邏輯(A OR B OR C)，且不應解讀為「A中至少一者、B中至少一者、及C中至少一者」。

在一些實行例中，控制器為系統的一部分，其可為上述範例的一部分。此等系統可包括半導體處理設備，其包含一個以上處理工具、一個以上腔室、用於處理的一個以上平臺、及/或特定處理元件(晶圓基座、氣流系統等)。這些系統可與電子設備整合，該等電子設備用於在半導體晶圓或基板處理之前、期間、及之後控制這些系統的操作。電子設備可稱作為「控制器」，其可控制該一個以上系統之各種的元件或子部分。依據系統的處理需求及/或類型，控制器可加以編程以控制本文中所揭露的任何製程，其中包含：處理氣體的輸送、溫度設定(例如，加熱及/或冷卻)、壓力設定、真空設定、功率設定、射頻(RF)產生器設定、RF匹配電路設定、頻率設定、流率設定、流體輸送設定、位置及操作設定、出入工具、及其他轉移工具、及/或與特定系統連接或介接的負載鎖之晶圓傳送。

廣義而言，控制器可定義為電子設備，其具有各種不同的積體電路、邏輯、記憶體、及/或軟體，其接收指令、發布指令、控制操作、啟用清潔操作、啟用終點量測等。積體電路可包含儲存程式指令之韌體形式的晶片、數位信號處理器(DSP)、定義為特殊應用積體電路(ASIC)的晶片、及/或執行程式指令(例如軟體)的一或多個微處理器或微控制器。程式指令可為以各種個別設定(或程式檔案)的形式與控制器通訊的指令，該等設定定義了用以在半導體晶圓上、對基板、或系統執行特定製程的操作參數。在一些實施例中，該等操作參數可為由製程工程師定義之配方的部分，以在一或多個層、材料、金屬、氧化物、矽、二氧化矽、表面、電路、及/或晶圓的晶粒之製造期間內完成一或多個處理步驟。

在一些實行例中，控制器可為電腦的一部分或連接至電腦，該電腦係與系統整合、連接至系統、以其他方式網路連至系統、或其組合。舉例而言，控制器可為在「雲端」或工廠主機電腦系統的整體或部分，可允許晶圓處理的遠端存取。該電腦可允許針對系統的遠端存取以監測製造操作的當前進度、檢查過往製造操作的歷史、檢查來自複數個製造操作的趨勢或性能度量、改變目前處理的參數、設定目前操作之後的處理步驟、或開始新的處理。在一些範例中，遠端電腦(例如伺服器)可透過網路提供製程配方給系統，該網路可包含區域網路或網際網路。遠端電腦可包含使用者介面，其允許參數及/或設定的輸入或編程，這些參數及/或設定係接著從遠端電腦被傳遞至系統。在一些例子中，控制器接收數據形式的指令，該數據明確指定於一或多個操作期間將被執行之各個處理步驟的參數。吾人應理解參數可專門用於將執行之製程的類型與配置控制器以介接或控制之工具的類型。因此，如上面所述，控制器可為分散式的，例如藉由包含一或多個分散的控制器，其由網路連在一起且朝共同的目的(例如本文中所述之製程及控制)作業。一個用於此等目的之分散式控制器的例子將為腔室上的一或多個積體電路，連通位於遠端(例如在平台級或作為遠端電腦的一部分)的一或多個積體電路，其接合以控制腔室中的製程。

不受限制地，示例系統可包含電漿蝕刻腔室或模組、沉積腔室或模組、旋轉-潤洗腔室或模組、金屬電鍍腔室或模組、清潔腔室或模組、斜邊蝕刻腔室或模組、物理氣相沉積(PVD)腔室或模組、化學汽相沉積(CVD)腔室或模組、原子層沉積(ALD)腔室或模組、原子層蝕刻(ALE)腔室或模組、離子植入腔室或模組、軌道腔室或模組、及任何可關聯或使用於半導體晶圓的製造及/或生產中之其他的半導體處理系統。

如上面所述，依據將由工具執行的一個以上處理步驟，控制器可與下述通訊：一或多個其他工具電路或模組、其他工具元件、群組工具、其他工具介面、毗鄰工具、相鄰工具、位於工廠各處的工具、主電腦、另一個控制器、或用於材料傳送的工具，該等用於材料傳送的工具將晶圓的容器攜帶進出半導體生產工廠內的工具位置及/或裝載埠。

100‧‧‧基板處理系統

102‧‧‧處理腔室

104‧‧‧上電極

106‧‧‧基板支撐件

108‧‧‧基板

109‧‧‧噴淋頭

110‧‧‧底板

112‧‧‧陶瓷層

114‧‧‧接合層（熱阻層）

116‧‧‧冷卻劑通道

118‧‧‧邊緣環

120‧‧‧RF產生系統

122‧‧‧RF電壓產生器

124‧‧‧匹配與分配網路

130‧‧‧氣體輸送系統

132-1~132-N‧‧‧氣體來源

134-1~134-N‧‧‧閥

136-1~136-N‧‧‧質量流量控制器

140‧‧‧岐管

142‧‧‧溫度控制器

144‧‧‧熱控制元件

146‧‧‧冷卻劑組件

150‧‧‧閥

152‧‧‧泵浦

160‧‧‧系統控制器

170‧‧‧機械臂

172‧‧‧負載鎖室

176‧‧‧保護性密封件

180‧‧‧電漿限制護罩 (C形護罩)

182‧‧‧電漿區域

184‧‧‧槽口

200‧‧‧電漿限制護罩 (C形護罩)

204‧‧‧面向電漿表面

208‧‧‧非面向電漿表面

212‧‧‧槽口

216‧‧‧電漿區域

300‧‧‧基板(石墨塊)

304‧‧‧範例性形狀

308‧‧‧凸部(鰭部)

312‧‧‧SiC層

316‧‧‧內徑

320‧‧‧頂部

324‧‧‧C形護罩

328‧‧‧面向電漿表面

400‧‧‧基板(石墨塊)

404‧‧‧範例性形狀

412‧‧‧SiC層

416‧‧‧邊緣環

420‧‧‧邊緣環

424‧‧‧面向電漿表面

428‧‧‧面向電漿表面

500‧‧‧基板(石墨塊)

504‧‧‧範例性形狀

512‧‧‧SiC層

516‧‧‧邊緣環

520‧‧‧邊緣環

524‧‧‧面向電漿表面

528‧‧‧面向電漿表面

600‧‧‧方法

604‧‧‧步驟

608‧‧‧步驟

612‧‧‧步驟

616‧‧‧步驟

620‧‧‧步驟

624‧‧‧步驟

628‧‧‧步驟

632‧‧‧步驟

本揭示內容從實施方式及隨附圖式可更完全了解，其中：

根據本揭露內容，圖1為範例處理腔室的功能方塊圖；

根據本揭露內容，圖2為範例性電漿限制護罩；

根據本揭露內容，圖3A至圖3F繪示了護罩製造處理之範例性步驟；

根據本揭露內容，圖4A至圖4F繪示了第一邊緣環製造處理之範例性步驟；

根據本揭露內容，圖5A至5F繪示了第二邊緣環製造處理之範例性步驟；及

根據本揭露內容，圖6繪示了製造基板處理系統之結構的範例性方法之步驟。

在圖式中，元件符號可被再次使用以辨別相似及/或相同的元件。

Claims

一種製造結構的方法，該結構具有在基板處理系統中暴露於電漿之表面，該方法包含：提供具有一第一形狀的一犧牲基板；將該基板加工成一第二形狀，該第二形狀具有與該結構的一期望最終形狀相對應之尺寸；在該基板上沉積一材料層；對該材料層的第一選定部分進行加工以使在該材料層內的該基板暴露；移除該基板的剩餘部分；及將該材料層的第二選定部分加工成具有該期望最終形狀的該結構而沒有對在處理期間暴露於電漿之該結構的該表面進行加工。
如申請專利範圍第1項之製造結構的方法，其中該結構係對應於一電漿限制護罩。
如申請專利範圍第2項之製造結構的方法，其中該電漿限制護罩係對應於一C形護罩。
如申請專利範圍第1項之製造結構的方法，其中該結構係對應於一邊緣環。
如申請專利範圍第1項之製造結構的方法，其中該基板包含一石墨塊。
如申請專利範圍第1項之製造結構的方法，其中該第二形狀包含與該結構的該期望最終形狀中的一槽口之位置相對應的至少一凸部。
如申請專利範圍第6項之製造結構的方法，其中該對該材料層的該第一選定部分進行加工之步驟包含移除與該凸部相對應的該材料層之部分。
如申請專利範圍第1項之製造結構的方法，其中該沉積該材料層之步驟包含以該材料層完全包圍該基板。
如申請專利範圍第1項之製造結構的方法，其中該對該材料層的該第一選定部分進行加工之步驟包含移除該基板之選定部分。
如申請專利範圍第9項之製造結構的方法，其中，在移除該基板的該選定部分之後，暴露於電漿的該結構之該表面係被該基板的剩餘部分所覆蓋。
如申請專利範圍第1項之製造結構的方法，其中該沉積該材料層之步驟包含藉由使用化學汽相沉積處理而沉積該材料層。
如申請專利範圍第1項之製造結構的方法，其中該材料層包含一半導體材料。
如申請專利範圍第1項之製造結構的方法，其中該材料層包含矽。
如申請專利範圍第1項之製造結構的方法，其中該材料層包含矽碳化物。