本發明者等人進行努力研究，結果驚奇地發現：藉由於含有氧化鈰(以下，亦稱為「二氧化鈰」)粒子作為研磨粒之研磨液組合物中含有特定之多糖B，能夠確保研磨速度，並且提昇研磨選擇性及抑制研磨不均，從而完成本發明。 即，本發明係關於一種研磨液組合物，其含有氧化鈰粒子A、重量平均分子量為800以上且2800以下之多糖B、及水。根據本發明之研磨液組合物，能夠確保研磨速度，並且提昇研磨選擇性及抑制研磨不均。 本發明之效果表現之機制之詳細內容雖不明確，但推定如下。 認為通常於使用含有氧化鈰粒子作為研磨粒之研磨液組合物之研磨中，氮化矽膜等研磨終止膜受到因水分子所引起之水解進行氧化而成為與氧化矽膜等被研磨膜同等之組成，容易藉由氧化鈰粒子進行研磨。相對於此，推定於使用本發明之研磨液組合物之研磨中，藉由具有特定之重量平均分子量之多糖B與水分子進行水合，可抑制氮化矽膜等研磨終止膜之水解，抑制藉由氧化鈰粒子之研磨。進而，推測本發明之研磨液組合物藉由含有上述多糖B，氮化矽膜等研磨終止膜之研磨抑制能力變高，可抑制氮化矽膜等研磨終止膜之研磨不均產生。 但是，本發明可不限定於該等機制而解釋。 於本發明中，「研磨選擇性」係與被研磨膜之研磨速度相對於研磨終止膜之研磨速度之比(被研磨膜之研磨速度/研磨終止膜之研磨速度)同義，若「研磨選擇性」較高，則意指上述研磨速度比會較大。 [氧化鈰(二氧化鈰)粒子A] 本發明之研磨液組合物含有氧化鈰粒子A(以下，亦簡稱為「粒子A」)作為研磨粒。關於粒子A之製造方法、形狀及表面狀態，可無特別限定。作為粒子A，例如可列舉：膠體二氧化鈰、不定形二氧化鈰、二氧化鈰包覆二氧化矽等。膠體二氧化鈰例如可利用日本專利特表2010-505735號公報之實施例1～4中記載之方法，藉由增層製程而獲得。不定形二氧化鈰例如可將碳酸鈰或硝酸鈰等鈰化合物進行焙燒、粉碎而獲得。作為二氧化鈰包覆二氧化矽，例如可列舉具有利用日本專利特開2015-63451號公報之實施例1～14或日本專利特開2013-119131號公報之實施例1～4中記載之方法，藉由粒狀二氧化鈰被覆二氧化矽粒子表面之至少一部分而成之構造之複合粒子，該複合粒子例如可藉由使二氧化鈰沈積於二氧化矽粒子而獲得。就提昇研磨速度之觀點而言，較佳為膠體二氧化鈰。就減少研磨後之殘留物之觀點而言，較佳為二氧化鈰包覆二氧化矽。粒子A可為1種二氧化鈰粒子，亦可為2種以上之二氧化鈰粒子之組合。 就提昇研磨速度之觀點而言，粒子A之平均一次粒徑較佳為5 nm以上，更佳為10 nm以上，進而較佳為20 nm以上，而且，就抑制研磨損傷產生之觀點而言，較佳為300 nm以下，更佳為200 nm以下，進而較佳為150 nm以下。於本發明中，粒子A之平均一次粒徑係使用藉由BET(氮吸附)法算出之BET比表面積S(m
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/g)而算出。BET比表面積可藉由實施例中記載之方法進行測定。 作為粒子A之形狀，例如可列舉：大致球狀、多面體狀、樹莓狀。 若將粒子A、多糖B及水之合計含量設為100質量%，則就確保研磨速度及提昇研磨選擇性之觀點而言，本發明之研磨液組合物中之粒子A之含量較佳為0.05質量%以上，更佳為0.10質量%以上，進而較佳為0.20質量%以上，而且，就相同之觀點而言，較佳為10.0質量%以下，更佳為7.5質量%以下，進而較佳為5.0質量%以下，進而更佳為2.5質量%以下，進而更佳為1.0質量%以下。於粒子A為2種以上之二氧化鈰粒子之組合之情形時，粒子A之含量係指該等之合計含量。 [多糖B] 本發明之研磨液組合物含有重量平均分子量為800以上且2800以下之多糖B(以下，亦簡稱為「多糖B」)。就抑制氮化矽膜之研磨速度之觀點而言，多糖B之重量平均分子量為800以上，較佳為850以上，更佳為900以上，進而較佳為1000以上，進而較佳為1200以上，而且，就提昇研磨速度比之觀點而言，為2800以下，較佳為2700以下，更佳為2600以下，進而較佳為2550以下，進而較佳為2500以下，進而較佳為2300以下。於本發明中，「多糖」表示成為結構單元之單糖之數量為2個以上之糖。此處，多糖之結構單元意指構成多糖之單糖。多糖B可為1種多糖，亦可為2種以上之多糖之組合。 於本發明中，重量平均分子量可使用液相層析儀(日立製作所股份有限公司製造，L-6000型高效液相層析儀)，藉由凝膠滲透層析法(GPC)於下述條件下進行測定。 檢測器：Shodex RI SE-61示差折射率檢測器 管柱：使用將東曹股份有限公司製造之「TSKgel α-M」與「TSKgel α-M」串聯連接而成者。 溶離液：50 mmol/LiBr水溶液 管柱溫度：40℃ 流速：1.0 mL/min 標準聚合物：分子量已知之單分散支鏈澱粉(Shodex公司製造之STD-P系列) 作為多糖B之結構，可列舉：直鏈結構、環狀結構、支鏈結構，就確保研磨速度，提昇研磨選擇性及抑制研磨不均之觀點而言，較佳為支鏈結構。 作為多糖B之一實施形態，就確保研磨速度，提昇研磨選擇性及抑制研磨不均之觀點而言，例如可列舉水溶性食物纖維，具體而言，可列舉選自難消化性葡聚糖及聚右旋糖中之1種或2種以上之組合。於本發明中，「難消化性葡聚糖、聚右旋糖及水溶性食物纖維」係指難以被人之消化酵素消化之難消化性多糖。 作為上述難消化性葡聚糖之具體例，例如可列舉日本食品化工公司製造之商品名「Fit Fiber」等。作為聚右旋糖之具體例，例如可列舉：Danisco公司製造之商品名「Litesse III」、「Litesse powder」、「Litesse II」、「Litesse Ultra」、「Litesse Fiber HF」；Tate&Lyle公司製造之商品名「STA-LITE III」、「STA-LITE Elite」、「Promitor 85」；太陽化學公司製造之商品名「Sunfiber」等。 上述難消化性葡聚糖例如可於活性碳之存在下對澱粉分解物進行加熱而製造。 上述聚右旋糖例如可以89：10：1對葡萄糖、山梨醇及檸檬酸進行加熱而製造。 作為多糖B之另一實施形態，就確保研磨速度，提昇研磨選擇性及抑制研磨不均之觀點而言，例如可列舉成為結構單元之單糖為葡萄糖之糖、或葡萄糖進行葡糖苷鍵結而成之具有支鏈之縮合物，該等之重量平均分子量為800以上且2800以下。又，該等可單獨使用，亦可併用2種以上。作為成為多糖B之結構單元之單糖之數量，就抑制研磨不均之觀點而言，較佳為3個以上，更佳為5個以上，進而較佳為10個以上，而且，就相同之觀點而言，較佳為20個以下。進而，作為多糖B，就確保研磨速度，提昇研磨選擇性及抑制研磨不均之觀點而言，較佳為3個以上且20個以下之葡萄糖進行鍵結而成之糖，更佳為3個以上且20個以下之葡萄糖進行鍵結而成，且結構單元僅為葡萄糖之糖。 就抑制研磨不均之觀點而言，本發明之研磨液組合物中之多糖B之含量較佳為可降低研磨不均之有效量，若將粒子A、多糖B及水之合計含量設為100質量%，則較佳為0.1質量%以上，更佳為0.2質量%以上，進而較佳為0.3質量%以上，進而較佳為0.4質量%以上，進而較佳為0.5質量%以上，而且，就確保研磨速度及提昇研磨選擇性之觀點而言，較佳為2.5質量%以下，更佳為2.0質量%以下，進而較佳為1.8質量%以下，進而較佳為1.5質量%以下，進而較佳為1.1質量%以下。就確保研磨速度，提昇研磨選擇性及抑制研磨不均之觀點而言，多糖B之含量較佳為0.1質量%以上且2.0質量%以下，更佳為0.2質量%以上且1.8質量%以下，進而較佳為0.3質量%以上且1.5質量%以下。於多糖B為2種以上之多糖之組合之情形時，多糖B之含量係指該等之合計含量。 就確保研磨速度、提昇研磨選擇性及抑制研磨不均之觀點而言，本發明之研磨液組合物中之多糖B之含量相對於粒子A之含量的比B/A較佳為0.01以上，更佳為0.1以上，進而較佳為0.3以上，而且，較佳為20以下，更佳為10以下，進而較佳為5以下。 [化合物C] 就確保研磨速度及提昇研磨選擇性之觀點而言，本發明之研磨液組合物較佳為含有具有陰離子性基之化合物C(以下，亦稱為「化合物C」)作為研磨助劑。化合物C可為1種，亦可為2種以上之組合。 作為化合物C之陰離子性基，可列舉：羧酸基、磺酸基、硫酸酯基、磷酸酯基、膦酸基等。該等陰離子性基可採用經中和之鹽之形態。作為陰離子性基採用鹽之形態之情形時之抗衡離子，可列舉：金屬離子、銨離子、烷基銨離子等，就提昇半導體基板之品質之觀點而言，較佳為銨離子。 作為化合物C，例如可列舉選自一元羧酸、檸檬酸及陰離子性聚合物中之至少1種。作為化合物C為陰離子性聚合物之情形時之具體例，可列舉選自如下化合物中之至少1種：聚丙烯酸、聚甲基丙烯酸、聚苯乙烯磺酸、(甲基)丙烯酸與單甲氧基聚乙二醇單(甲基)丙烯酸酯之共聚物、具有陰離子基之(甲基)丙烯酸酯與單甲氧基聚乙二醇單(甲基)丙烯酸酯之共聚物、(甲基)丙烯酸烷基酯與(甲基)丙烯酸及單甲氧基聚乙二醇單(甲基)丙烯酸酯之共聚物、該等之鹼金屬鹽、及該等之銨鹽，就提昇半導體基板之品質之觀點而言，較佳為選自聚丙烯酸及其銨鹽中之至少1種。 於化合物C為陰離子性聚合物之情形時，就確保研磨速度及提昇研磨選擇性之觀點而言，化合物C之重量平均分子量較佳為1,000以上，更佳為10,000以上，進而較佳為20,000以上，而且，較佳為550萬以下，更佳為100萬以下，進而較佳為10萬以下。 於化合物C為一元羧酸之情形時，作為化合物C，例如可列舉選自乙醯丙酸、丙酸、香草酸、對羥基苯甲酸及甲酸中之至少1種。認為於本發明之研磨液組合物包含一元羧酸作為化合物C之情形時，保存穩定性變得良好。 就確保研磨速度及提昇研磨選擇性之觀點而言，本發明之研磨液組合物中之化合物C之含量較佳為0.001質量%以上，更佳為0.0015質量%以上，進而較佳為0.0025質量%以上，而且，較佳為1.0質量%以下，更佳為0.8質量%以下，進而較佳為0.6質量%以下。於化合物C為2種以上之組合之情形時，化合物C之含量係指該等之合計含量。 就確保研磨速度及提昇研磨選擇性之觀點而言，本發明之研磨液組合物中之化合物C之含量相對於粒子A之含量的比(C/A)較佳為0.0001以上，更佳為0.0005以上，進而較佳為0.001以上，而且，較佳為1以下，更佳為0.1以下，進而較佳為0.01以下。 [水] 本發明之研磨液組合物含有水作為介質。就提昇半導體基板之品質之觀點而言，該水更佳為包含離子交換水、蒸餾水、超純水等水。關於本發明之研磨液組合物中之水之含量，若將粒子A、多糖B、水、視需要添加之化合物C及下述任意成分之合計含量設為100質量%，則可設為除粒子A、多糖B、化合物C及任意成分以外之剩餘量。 [任意成分] 本發明之研磨液組合物可於無損本發明之效果之範圍內含有pH值調整劑、化合物C以外之界面活性劑、多糖B以外之糖、增黏劑、分散劑、防銹劑、鹼性物質、研磨速度提昇劑等任意成分。就確保研磨速度之觀點而言，該等任意成分之含量較佳為0.001質量%以上，更佳為0.0025質量%以上，進而較佳為0.01質量%以上，就提昇研磨選擇性之觀點而言，較佳為1質量%以下，更佳為0.5質量%以下，進而較佳為0.1質量%以下。 作為上述pH值調整劑，例如可列舉：酸性化合物及鹼性化合物。作為酸性化合物，例如可列舉：鹽酸、硝酸、硫酸等無機酸；乙酸、草酸、檸檬酸及蘋果酸等有機酸等。其中，就通用性之觀點而言，較佳為選自鹽酸、硝酸及乙酸中之至少1種，更佳為選自鹽酸及乙酸中之至少1種。作為鹼性化合物，例如可列舉：氨及氫氧化鉀等無機鹼性化合物；烷基胺及烷醇胺等有機鹼性化合物等。其中，就提昇半導體基板之品質之觀點而言，較佳為選自氨及烷基胺中之至少1種，更佳為氨。 作為上述化合物C以外之界面活性劑，可列舉化合物C以外之陰離子性界面活性劑及非離子性界面活性劑(nonionic detergent)等。作為陰離子性界面活性劑，例如可列舉：烷基醚乙酸鹽、烷基醚磷酸鹽及烷基醚硫酸鹽等。作為非離子性界面活性劑，例如可列舉：聚丙烯醯胺等非離子性聚合物、聚氧伸烷基烷基醚、聚氧乙烯二苯乙烯化苯基醚等。 本發明之研磨液組合物於一或複數個實施形態中，可實質上不包含非離子性界面活性劑。於本發明中，「實質上不包含非離子性界面活性劑」係指研磨液組合物中之非離子性界面活性劑之含量為0.1質量%以下。就確保氧化矽膜之研磨速度及提昇研磨選擇性之觀點而言，本發明之研磨液組合物中之非離子性界面活性劑之含量較佳為未達0.01質量%，進而較佳為0.005質量%以下，進而較佳為實質上為0質量%。 [研磨液組合物] 本發明之研磨液組合物可藉由包括如下步驟之製造方法而製造：利用公知之方法調配包含粒子A及水之漿料、多糖B、以及視需要之化合物C及任意成分等。例如，本發明之研磨液組合物可採用至少調配粒子A、多糖B及水而成者。於本發明中，「調配」包括同時或依序混合粒子A、多糖B及水、以及視需要之化合物C及其他任意成分之操作。混合之順序並無特別限定。上述調配例如可使用均質混合機、均質機、超音波分散機及濕式球磨機等混合器而進行。本發明之研磨液組合物之製造方法中之各成分之調配量可與上述本發明之研磨液組合物中之各成分之含量相同。 本發明之研磨液組合物之實施形態可為於預先混合所有成分之狀態下供給至市場之所謂1液型，亦可為於使用時加以混合之所謂2液型。於2液型之研磨液組合物中，分為第1溶液及第2溶液，研磨液組合物例如可為包含粒子A混合於水中而成之第1溶液、及多糖B混合於水中而成之第2溶液，且混合第1溶液與第2溶液者。第1溶液與第2溶液之混合可於供給至研磨對象之表面之前進行，亦可分別供給該等並於被研磨基板之表面上進行混合。 就確保研磨速度及提昇研磨選擇性之觀點而言，本發明之研磨液組合物之pH值較佳為4.0以上，更佳為5.0以上，進而較佳為6.0以上，而且，較佳為9.0以下，更佳為8.5以下，進而較佳為8.0以下。於本發明中，研磨液組合物之pH值係25℃下之值，係使用pH計所測得之值。具體而言，本發明中之研磨液組合物之pH值可藉由實施例中記載之方法進行測定。 於本發明中，「研磨液組合物中之各成分之含量」係指將研磨液組合物用於研磨時的上述各成分之含量。本發明之研磨液組合物可於無損其穩定性之範圍內，於經濃縮之狀態下進行保存及供給。於此情形時，就可使製造/傳輸成本較低之方面而言較佳。而且，該濃縮液可視需要藉由上述水系介質適當進行稀釋而於研磨步驟中使用。作為稀釋比率，較佳為5～100倍。 [被研磨膜] 作為本發明之研磨液組合物設為研磨之對象之被研磨膜，例如可列舉氧化矽膜。因此，本發明之研磨液組合物可較佳地用於形成半導體基板之元件分離構造之步驟中所進行的氧化矽膜之研磨。 [研磨液套組] 本發明係關於一種研磨液套組，其係用以製造研磨液組合物者，且包含：粒子A分散液，其係將含有上述粒子A之分散液收納於容器中而成；及上述多糖B，其係收納於與上述粒子A分散液不同之容器中。根據本發明之研磨液套組，可提供一種可獲得能夠確保研磨速度，並且提昇研磨選擇性及抑制研磨不均之研磨液組合物的研磨液套組。 作為本發明之研磨液套組，例如可列舉於含有上述粒子A之分散液(第1溶液)、及包含多糖B之溶液(第2溶液)相互未混合之狀態下保存，於使用時混合該等之研磨液套組(2液型研磨液組合物)。可於混合上述第1溶液與上述第2溶液後，視需要使用水進行稀釋。於第2溶液中可包含可調配於被研磨物之研磨中使用之研磨液組合物中之其他成分。作為可調配於研磨液組合物中之其他成分，例如可列舉：上述化合物C、酸、氧化劑、雜環芳香族化合物、脂肪族胺化合物、脂環式胺化合物等。於上述第1溶液及第2溶液中，可分別視需要包含任意成分。作為該任意成分，例如可列舉：增黏劑、分散劑、防銹劑、鹼性物質、研磨速度提昇劑、界面活性劑、高分子化合物等。 [半導體基板之製造方法] 本發明係關於一種半導體基板之製造方法(以下，亦稱為「本發明之半導體基板之製造方法」)，其包括使用本發明之研磨液組合物研磨被研磨膜之步驟(以下，亦稱為「使用本發明之研磨液組合物之研磨步驟」)。根據本發明之半導體基板之製造方法，能夠確保研磨步驟中之研磨速度，並且提昇研磨選擇性及抑制研磨不均，故而可發揮可高效率地製造基板品質提昇之半導體基板之效果。 作為本發明之半導體基板之製造方法之具體例，首先，藉由將矽基板於氧化爐內暴露於氧氣而使二氧化矽層沈積於其表面，繼而，於該二氧化矽層上藉由例如CVD法(chemical vapor deposition method，化學氣相沈積法)形成氮化矽(Si
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N
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)膜或多晶矽膜等研磨終止膜。其次，於包含矽基板、及配置於上述矽基板之一主面側之研磨終止膜之基板、例如於矽基板之二氧化矽層上形成有研磨終止膜之基板，使用光微影技術形成溝槽。繼而，例如，藉由使用矽烷氣體及氧氣之CVD法，形成作為溝槽嵌入用被研磨膜之氧化矽(SiO
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)膜，獲得研磨終止膜經被研磨膜(氧化矽膜)覆蓋之被研磨基板。藉由形成氧化矽膜，上述溝槽被氧化矽膜之氧化矽填滿，研磨終止膜之上述矽基板側之面之相反面經氧化矽膜被覆。如此形成之氧化矽膜之矽基板側之面之相反面具有與下層之凸凹對應地形成之階差。繼而，藉由CMP法，研磨氧化矽膜直至至少研磨終止膜之矽基板側之面之相反面露出，更佳為研磨氧化矽膜直至氧化矽膜之表面與研磨終止膜之表面成為同一平面。本發明之研磨液組合物可用於進行藉由該CMP法之研磨之步驟中。 於藉由CMP法之研磨中，於使被研磨基板之表面與研磨墊接觸之狀態下，將本發明之研磨液組合物供給至該等之接觸部位，並且使被研磨基板及研磨墊相對移動，藉此使被研磨基板之表面之凹凸部分平坦化。於本發明之半導體基板之製造方法中，可於矽基板之二氧化矽層與研磨終止膜之間形成其他絕緣膜，亦可於被研磨膜(例如氧化矽膜)與研磨終止膜(例如氮化矽膜)之間形成其他絕緣膜。 於使用本發明之研磨液組合物之研磨步驟中，研磨墊之轉數例如可設定為30～200 r/分鐘，被研磨基板之轉數例如可設定為30～200 r/分鐘，設定於具備研磨墊之研磨裝置之研磨負載例如可設定為20～500 g重/cm
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，研磨液組合物之供給速度例如可設定為10～500 mL/分鐘以下。於研磨液組合物為2液型研磨液組合物之情形時，藉由調整第1溶液及第2溶液之各者之供給速度(或供給量)，可調整被研磨膜及研磨終止膜之各者之研磨速度、或被研磨膜與研磨終止膜之研磨速度比(研磨選擇性)。 於使用本發明之研磨液組合物之研磨步驟中，就提昇生產性之觀點而言，被研磨膜(例如氧化矽膜)之研磨速度較佳為2000 Å/分鐘以上，更佳為3000 Å/分鐘以上，進而較佳為4000 Å/分鐘以上。 於使用本發明之研磨液組合物之研磨步驟中，就提昇研磨選擇性及縮短研磨時間之觀點而言，研磨終止膜(例如氮化矽膜)之研磨速度較佳為500 Å/分鐘以下，更佳為300 Å/分鐘以下，進而較佳為150 Å/分鐘以下。 於使用本發明之研磨液組合物之研磨步驟中，就研磨時間之縮短化之觀點而言，研磨速度比(被研磨膜之研磨速度/研磨終止膜之研磨速度)較佳為5.0以上，更佳為10.0以上，進而較佳為20.0以上，進而更佳為40.0以上。於本發明中，研磨選擇性係與被研磨膜之研磨速度相對於研磨終止之研磨速度之比(被研磨膜之研磨速度/研磨終止膜之研磨速度)同義，研磨選擇性較高意指研磨速度比會較大。 [研磨方法] 本發明係關於一種基板之研磨方法(以下，亦稱為本發明之研磨方法)，其包括使用本發明之研磨液組合物之研磨步驟。 藉由使用本發明之研磨方法，能夠確保研磨步驟中之研磨速度，並且提昇研磨選擇性及抑制研磨不均，故而可發揮能夠提昇基板品質提昇之半導體基板之生產性之效果。具體之研磨之方法及條件可與上述本發明之半導體基板之製造方法相同。 本發明進而關於以下之組合物、製造方法。 ＜1＞一種研磨液組合物，其含有氧化鈰粒子A、重量平均分子量為800以上且2800以下之多糖B、及水。 ＜2＞如＜1＞記載之研磨液組合物，其中粒子A之平均一次粒徑較佳為5 nm以上，更佳為10 nm以上，進而較佳為20 nm以上。 ＜3＞如＜1＞或＜2＞記載之研磨液組合物，其中粒子A之平均一次粒徑較佳為300 nm以下，更佳為200 nm以下，進而較佳為150 nm以下。 ＜4＞如＜1＞至＜3＞中任一項記載之研磨液組合物，其中若將粒子A、多糖B及水之合計含量設為100質量%，則粒子A之含量較佳為0.05質量%以上，更佳為0.10質量%以上，進而較佳為0.20質量%以上。 ＜5＞如＜1＞至＜4＞中任一項記載之研磨液組合物，其中若將粒子A、多糖B及水之合計含量設為100質量%，則粒子A之含量較佳為10.0質量%以下，更佳為7.5質量%以下，進而較佳為5.0質量%以下，進而更佳為2.5質量%以下，進而更佳為1.0質量%以下。 ＜6＞如＜1＞至＜5＞中任一項記載之研磨液組合物，其中多糖B之重量平均分子量為800以上，較佳為850以上，更佳為900以上，進而較佳為1000以上，進而較佳為1200以上。 ＜7＞如＜1＞至＜6＞中任一項記載之研磨液組合物，其中多糖B之重量平均分子量為2800以下，較佳為2700以下，更佳為2600以下，進而較佳為2550以下，進而較佳為2500以下，進而較佳為2300以下。 ＜8＞如＜1＞至＜7＞中任一項記載之研磨液組合物，其中多糖B為水溶性食物纖維。 ＜9＞如＜1＞至＜8＞中任一項記載之研磨液組合物，其中多糖B係選自難消化性葡聚糖及聚右旋糖中之至少1種。 ＜10＞如＜1＞至＜9＞中任一項記載之研磨液組合物，其中多糖B係結構單元為葡萄糖之糖、或葡萄糖進行葡糖苷鍵結而成之具有支鏈之縮合物。 ＜11＞如＜1＞至＜10＞中任一項記載之研磨液組合物，其中成為多糖B之結構單元之單糖之數量較佳為3個以上，更佳為5個以上，進而較佳為10個以上。 ＜12＞如＜1＞至＜11＞中任一項記載之研磨液組合物，其中成為多糖B之結構單元之單糖之數量較佳為20個以下。 ＜13＞如＜1＞至＜12＞中任一項記載之研磨液組合物，其中多糖B較佳為3個以上且20個以下之葡萄糖進行鍵結而成之糖，更佳為3個以上且20個以下之葡萄糖進行鍵結而成，且結構單元僅為葡萄糖之糖。 ＜14＞如＜1＞至＜13＞中任一項記載之研磨液組合物，其中若將粒子A、多糖B及水之合計含量設為100質量%，則多糖B之含量較佳為0.1質量%以上，更佳為0.2質量%以上，進而較佳為0.3質量%以上，進而較佳為0.4質量%以上，進而較佳為0.5質量%以上。 ＜15＞如＜1＞至＜14＞中任一項記載之研磨液組合物，其中若將粒子A、多糖B及水之合計含量設為100質量%，則多糖B之含量較佳為2.5質量%以下，更佳為2.0質量%以下，進而較佳為1.8質量%以下，進而較佳為1.5質量%以下，進而較佳為1.1質量%以下。 ＜16＞如＜1＞至＜15＞中任一項記載之研磨液組合物，其中多糖B之含量較佳為0.1質量%以上且2.0質量%以下，更佳為0.2質量%以上且1.8質量%以下，進而較佳為0.3質量%以上且1.5質量%以下。 ＜17＞如＜1＞至＜16＞中任一項記載之研磨液組合物，其中多糖B之含量相對於粒子A之含量之比B/A較佳為0.01以上，更佳為0.1以上，進而較佳為0.3以上。 ＜18＞如＜1＞至＜17＞中任一項記載之研磨液組合物，其中多糖B之含量相對於粒子A之含量之比B/A較佳為20以下，更佳為10以下，進而較佳為5以下。 ＜19＞如＜1＞至＜18＞中任一項記載之研磨液組合物，其中多糖B之含量相對於粒子A之含量之比B/A為0.01以上且20以下。 ＜20＞如＜1＞至＜19＞中任一項記載之研磨液組合物，其進而含有具有陰離子性基之化合物C。 ＜21＞如＜20＞記載之研磨液組合物，其中化合物C之重量平均分子量較佳為1,000以上，更佳為10,000以上，進而較佳為20,000以上。 ＜22＞如＜20＞或＜21＞記載之研磨液組合物，其中化合物C之重量平均分子量較佳為550萬以下，更佳為100萬以下，進而較佳為10萬以下。 ＜23＞如＜20＞記載之研磨液組合物，其中化合物C為一元羧酸。 ＜24＞如＜23＞記載之研磨液組合物，其中化合物C係選自乙醯丙酸、丙酸、香草酸、對羥基苯甲酸及甲酸中之至少1種。 ＜25＞如＜20＞至＜24＞中任一項記載之研磨液組合物，其中化合物C之含量較佳為0.001質量%以上，更佳為0.0015質量%以上，進而較佳為0.0025質量%以上。 ＜26＞如＜20＞至＜25＞中任一項記載之研磨液組合物，其中化合物C之含量較佳為1.0質量%以下，更佳為0.8質量%以下，進而較佳為0.6質量%以下。 ＜27＞如＜20＞至＜26＞中任一項記載之研磨液組合物，其中化合物C之含量相對於粒子A之含量之比(C/A)較佳為0.0001以上，更佳為0.0005以上，進而較佳為0.001以上。 ＜28＞如＜20＞至＜27＞中任一項記載之研磨液組合物，其中化合物C之含量相對於粒子A之含量之比(C/A)較佳為1以下，更佳為0.1以下，進而較佳為0.01以下。 ＜29＞如＜1＞至＜28＞中任一項記載之研磨液組合物，其pH值較佳為4.0以上，更佳為5.0以上，進而較佳為6.0以上。 ＜30＞如＜1＞至＜29＞中任一項記載之研磨液組合物，其pH值較佳為9.0以下，更佳為8.5以下，進而較佳為8.0以下。 ＜31＞如＜1＞至＜30＞中任一項記載之研磨液組合物，其pH值為4.0以上且9.0以下。 ＜32＞如＜1＞至＜31＞中任一項記載之研磨液組合物，其係用於氧化矽膜之研磨。 ＜33＞如＜1＞至＜32＞中任一項記載之研磨液組合物，其包含粒子A混合於水中而成之第1溶液、及多糖B混合於水中而成之第2溶液，且於使用時混合第1溶液與第2溶液。 ＜34＞一種半導體基板之製造方法，其包括使用如＜1＞至＜33＞中任一項記載之研磨液組合物研磨被研磨基板之步驟。 ＜35＞一種基板之研磨方法，其包括使用如＜1＞至＜33＞中任一項記載之研磨液組合物研磨被研磨基板之步驟，且上述被研磨基板係用於半導體基板之製造之基板。 ＜36＞一種如＜1＞至＜33＞中任一項記載之研磨液組合物之用途，其係用於半導體基板之製造。 [實施例] 1.研磨液組合物之製備(實施例1～23及比較例1～11) 以成為下述表1-1、表1-2及表2之含量之方式混合水、研磨粒(粒子A)及添加劑(多糖B、化合物C)，獲得實施例1～23及比較例1～11之研磨液組合物。研磨液組合物之pH值係使用0.1 N銨水溶液進行調整。 作為粒子A，使用膠體二氧化鈰(「ZENUS HC90」，阿南化成公司製造，平均一次粒徑：99 nm，BET比表面積：8.4 m
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/g)、不定形二氧化鈰(焙燒粉碎二氧化鈰GPL-C1010，昭和電工製造，平均一次粒徑：70 nm，BET比表面積：11.8 m
2
/g)、二氧化鈰包覆二氧化矽(平均一次粒徑：92.5 nm，BET比表面積：35.5 m
2
/g)及氫氧化鈰(平均一次粒徑：5 nm，BET比表面積：165 m
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/g)。 作為化合物C，使用聚丙烯酸銨鹽(重量平均分子量21,000)、檸檬酸、乙醯丙酸、丙酸、香草酸、對羥基苯甲酸及甲酸。 作為多糖B，使用以下者。 B1：難消化性葡聚糖[製品名：「Fit Fiber#80」，日本食品化工公司製造，水溶性食物纖維，支鏈結構] B2：聚右旋糖[製品名：「Litesse III」，杜邦公司製造，水溶性食物纖維，支鏈結構，葡萄糖/山梨醇/檸檬酸(89/9/11)之縮合物] B3：聚右旋糖[製品名：「STA-LITE III」，Tate&Lyle公司製造，支鏈結構，於山梨醇及磷酸之存在下，於D-葡萄糖之熱聚合中進行縮合] B4：α-環糊精[環狀寡糖，構成：6個葡萄糖] B5：支鏈澱粉[製品名：「Pullulan」，和光純藥工業公司製造，直鏈結構] B6：糊精[製品名：「Sandek#300」，三和澱粉工業公司製造，支鏈結構] 研磨液組合物之pH值、粒子A之平均一次粒徑及BET比表面積係藉由以下之方法進行測定。將測定結果示於表1-1及表1-2。 (a)研磨液組合物之pH值測定 研磨液組合物之25℃下之pH值係使用pH計(東亞電波工業公司製造，「HM-30G」)所測得之值，為將pH計之電極浸漬於研磨液組合物中1分鐘後之數值。 (b)粒子A之平均一次粒徑 粒子A之平均一次粒徑(nm)係使用下述藉由BET(氮吸附)法而獲得之比表面積S(m
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/g)，將二氧化鈰粒子之真密度設為7.2 g/cm
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而算出。 (c)粒子A之BET比表面積之測定方法 將二氧化鈰粒子A分散液於120℃下熱風乾燥3小時後，藉由瑪瑙研缽粉碎為較細而獲得樣本。於即將測定之前於120℃之環境下乾燥15分鐘，然後使用比表面積測定裝置(Micromeritics自動比表面積測定裝置「Flowsorb III2305」，島津製作所製造)，藉由氮吸附法(BET法)測定比表面積S(m
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/g)。 2.研磨液組合物(實施例1～23及比較例1～11)之評價 [試片之製作] 自於矽晶圓單面藉由TEOS(Tetraethyl orthosilicate，原矽酸四乙酯)-電漿CVD法形成有厚度2000 nm之氧化矽膜者切割出40 mm×40 mm之正方形片，獲得氧化矽膜試片。 以相同之方式，自於矽晶圓之單面藉由CVD法形成有厚度300 nm之氮化矽膜者切割出40 mm×40 mm之正方形片，獲得氮化矽膜試片。 [氧化矽膜(被研磨膜)之研磨速度之測定] 作為研磨裝置，使用壓盤直徑300 mm之Musashino Denshi公司製造之「MA-300」。又，作為研磨墊，使用Nitta Haas公司製造之硬質胺基甲酸酯墊「IC-1000/Sub400」。於上述研磨裝置之壓盤貼附上述研磨墊。將上述試片安裝於支架(holder)，以試片之形成有氧化矽膜之面成為下方之方式(以氧化矽膜面向研磨墊之方式)將支架置於研磨墊。進而，以施加於試片之負載成為300 g重/cm
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之方式，將鉛垂置於支架。一面以50 mL/分鐘之速度將研磨液組合物滴下至貼附有研磨墊之壓盤之中心，一面使壓盤及支架之各者以90 r/分鐘向相同之旋轉方向旋轉1分鐘，進行氧化矽膜試片之研磨。研磨後，使用超純水進行清洗，並進行乾燥，將氧化矽膜試片作為下述光乾渉式膜厚測定裝置之測定對象。 於研磨前及研磨後，使用光乾渉式膜厚測定裝置(大日本網屏公司製造之「Lambda ACE VM-1000」)，測定氧化矽膜之膜厚。氧化矽膜之研磨速度係藉由下述式算出，並示於下述表1-1、表1-2及表2。 ・氧化矽膜之研磨速度(Å/分鐘) ＝[研磨前之氧化矽膜厚度(Å)－研磨後之氧化矽膜厚度(Å)]/研磨時間(分鐘) [氮化矽膜(研磨終止膜)之研磨速度之測定] 使用氮化矽膜試片作為試片以代替氧化矽膜試片，除此以外，以與上述[氧化矽膜之研磨速度之測定]相同之方式，進行氮化矽膜之研磨及膜厚之測定。氮化矽膜之研磨速度係藉由下述式算出，並示於下述表1-1、表1-2及表2。 ・氮化矽膜之研磨速度(Å/分鐘) ＝[研磨前之氮化矽膜厚度(Å)－研磨後之氮化矽膜厚度(Å)]/研磨時間(分鐘) [研磨速度比] 將氧化矽膜之研磨速度相對於氮化矽膜之研磨速度之比設為研磨速度比，藉由下述式算出，並示於下述表1-1、表1-2及表2。研磨速度比之值越大，則表示研磨選擇性越高。 ・研磨速度比＝氧化矽膜之研磨速度(Å/分鐘)/氮化矽膜之研磨速度(Å/分鐘) [研磨不均之評價方法] 為了測定研磨後之氮化矽膜試片上之不均之個數，使用下述評價方法。首先，使用NIKON製造之「COOLPIXS3700」，於下述條件下對氮化矽膜試片拍攝照片。 ・ISO感度：400 ・圖像模式：2 M(1600×1200) ・白平衡：螢光燈 ・AF(Auto Focus，自動對焦)區域選擇：中央 ・AF模式：AF-S單次AF ・AF輔助光：無 ・電子變焦：不進行 ・宏：ON 繼而，針對拍攝之照片，使用MITANI製造之圖像分析軟體「WinROOF2013」，於下述條件下測定研磨不均之個數。 將測定基準單位設定為1像素，將拍攝之照片進行單色圖像化，藉由修整，將晶圓內部之514pixed×514像素之正方形區域指定為分析區域(以下，稱為指定區域)。然後，使指定區域之內側(實際面積263952像素)之灰度256灰階反轉，為了使產生研磨不均之部分之識別容易而進行增強，將增強之部分利用軟體功能「藉由2個閾值之二值化」，自閾值80至184，以透明度127進行二值化。其後，測量二值區域之形狀特徵，測定色度不同之不均之部分作為研磨不均之個數。將測定結果示於表1-1、表1-2及表2。 [穩定性之評價] 測定將實施例13～23之研磨液組合物於60℃下靜置1個月時之pH值。將測定結果示於表2。於確保經過1個月後之研磨液組合物之研磨性能之情形時，可判斷為保存穩定性良好。 [表1-1]
[表1-2]
[表2]
如表1-1、表1-2及表2所示，含有特定之多糖B之實施例1～23確保研磨速度，並且研磨選擇性提昇，進而，研磨不均得到抑制。關於包含聚丙烯酸銨或檸檬酸作為化合物C之實施例8～11，研磨選擇性進一步提昇。可知關於包含乙醯丙酸、丙酸、香草酸、對羥基苯甲酸或甲酸作為化合物C之實施例14～23，保存穩定性良好。 [產業上之可利用性] 本發明之研磨液組合物可用於高密度化或高積體化用半導體基板之製造方法。