TW201815487A

TW201815487A - 移除金屬化合物之溶劑與方法

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Publication number: TW201815487A
Application number: TW106124968A
Authority: TW
Inventors: 訾安仁; 鄭雅如; 張慶裕
Original assignee: 台灣積體電路製造股份有限公司
Priority date: 2016-08-05
Filing date: 2017-07-25
Publication date: 2018-05-01
Also published as: TWI709442B; CN107689322B; US20180040474A1; CN107689322A; US10622211B2

Abstract

一光阻層塗布在一晶圓上，該光阻層包含一含金屬材料。對該光阻層進行極紫外線(extreme ultraviolet，EUV)微影製程，以形成一圖案化光阻。以一洗淨液洗淨該晶圓，以移除該含金屬材料。該洗淨液包含一溶劑，該溶劑之漢森溶解度參數(Hansen solubility parameters)delta D在13至25之間、delta P在3至25之間、及delta H在4至30之間。該溶劑含有一酸解離常數小於4之酸，或是含有一酸解離常數大於9之鹼。

Description

移除金屬化合物之溶劑與方法

本發明實施例係關於半導體製造之技術領域，尤其係關於一種微影製程。

半導體積體電路產業經歷快速成長，而積體電路材料與設計之技術進步，促使許多積體電路世代之誕生，每一世代均較前一世代更小、更複雜。然而，這些進步亦增加積體電路製程之複雜度，而為實現此等進步，亦需要在積體電路製程上進行類似的開發。在積體電路發展過程中，功能密度(亦即，每一晶片面積之互連元件之數量)已廣泛提昇，而幾何尺寸大小(亦即，能使用製程製作之最小組件(或線路))則減小。因此，對於能夠解決上述缺點之微影製程仍有其需求。

由於半導體元件尺寸持續縮減，例如小於20奈米(nanometer,nm)節點，傳統微影技術有其光學上限制，其所生解析度上的問題，可能致使無法達成所欲之微影效果。相對地，極紫外線(extreme ultraviolet，EUV)微影則能達成非常小之元件尺寸。然而，傳統EUV微影仍存有缺點。例如，關於EUV光吸收及/或含金屬材料所導致之污染等缺點，因而可能累及或減損半導體製造之績效。

所以，現有EUV微影之系統與操作方法雖然能一般性地符合其目的，但在各方面仍尚未完全滿足。

本發明實施例係提供一種在微影製程中移除金屬化合物之溶劑與方法，包括：在一光阻層塗布在一晶圓上，該光阻層包含一含金屬材料。對該光阻層進行EUV微影製程，以形成一圖案化光阻；以一洗淨液洗淨該晶圓，以移除該含金屬材料；該洗淨液包含一溶劑，該溶劑之漢森溶解度參數(Hansen solubility parameters)delta D在13至25之間、delta P在3至25之間、及delta H在4至30之間，且該溶劑含有一酸解離常數小於4之酸，或是含有一酸解離常數大於9之鹼。

10‧‧‧EUV微影系統

12‧‧‧光源或EUV光源

14‧‧‧照明器

16‧‧‧光罩平台

18‧‧‧光罩

20‧‧‧投影光學模組或投影光學箱

22‧‧‧光瞳相位調制器

24‧‧‧投影光瞳平面

26‧‧‧半導體基材

28‧‧‧基材平台

30‧‧‧低膨脹材料基材

32‧‧‧導電層

34‧‧‧反射多膜層結構

36‧‧‧覆蓋層

38‧‧‧緩衝層

40‧‧‧吸收層

45‧‧‧半導體晶圓

48‧‧‧基材

50‧‧‧材料層

60‧‧‧光阻層

70‧‧‧含金屬材料

80‧‧‧材料

100‧‧‧洗淨液

150‧‧‧洗淨系統

160‧‧‧空腔

170‧‧‧排氣機構

180、181、190、191‧‧‧噴嘴

200‧‧‧滌洗流體

250‧‧‧旋轉裝置

300‧‧‧控制器

400‧‧‧微影製程

410、420、430、440、450‧‧‧製程步驟

510、520、530、540‧‧‧製程步驟

600、610、620、630、640‧‧‧製程步驟

本發明實施例所揭露之內容，均能經由閱讀如下實施方式與所伴隨之圖式而能充分瞭解。應強調者，為符合所屬產業之標準操作，各圖式並未按比例繪製。事實上，各圖式尺寸或許有所增減，以利清楚說明。

第1圖係依據本發明某些實施例所建構之微影系統之概要圖。

第2圖係依據本發明某些實施例所建構之EUV光罩之剖面圖。

第3圖係依據本發明某些實施例所建構之半導體晶圓之剖面圖。

第4-6圖顯示，依據本發明某些實施例，洗淨晶圓以移除含金屬污染物之不同流程。

第7圖顯示，依據本發明某些實施例，用以洗淨晶圓以移除含金屬污染物之洗淨系統之實施例。

第8-9圖依據本發明某些實施例，提供不同洗淨流程操作之視覺圖像。

第10圖是依據本發明某些實施例之各式製程流程之圖解。

第11圖顯示，依據本發明某些實施例，一溶劑內之添加物之化學組成物之化學式。

第12圖是依據本發明某些實施例之製造半導體元件之方法。

以下揭露依據本發明之各種實施例或範例，俾供實施本發明各標的之各技術特徵。為簡明扼要闡述本發明實施例，以下將以明確特定範例描述各元件及其配置。惟，此些說明理應為單純示範，並非用以限制本發明。舉例來說，以下描述在一第二技術特徵上形成一第一技術特徵，可理解其包括此等第一、第二技術特徵為直接接觸的實施例及此等第一、第二技術特徵之間尚有其他技術特徵形成，以致第一、第二技術特徵並非直接接觸的實施例。除此之外，為使本說明書內容簡單明瞭，在此亦可於不同範例中重複使用圖示元件符號及/或字元，然並非用以限定此些實施例及/或配置。

其次，空間對應關係的詞語，諸如「向其之下」、「在下方」、「較低」、「以上」、「較高」及諸如此類者，可隨意用於此以利描述圖示中一元件或技術特徵之於其他元件或技術特徵之空間關係。空間對應關係的詞語包括元件在使用或操作中的各種方向及圖示中描述的方向，除此之外，與其相關的裝置可旋轉，如旋轉90度或轉向其他方向，而可對應地解釋此些空間對應關係的詞語

由於EUV微影具有製成微小半導體元件尺寸之能力，故現已廣為使用。然而，傳統EUV微影仍存有缺點。例如，典型的傳統光阻材料係有機材料。在EUV範圍內，這些有機材料之光吸收並非最佳。因此，含金屬材料會加入光阻材料內以進行EUV微影。然而，這些含金屬材料會產生潛在之污染問題。例如，若在EUV微影裝置或進行EUV微影之晶圓上，未完全清除含金屬材料，則會污染後續不需或不要有金屬之半導體製程，或是隨著晶圓在各半導體製程設備間移動而污染其它半導體製程設備。因此，由EUV光阻內之含金屬材料所生之污染，將導致半導體製造上之問題，及/或減損半導體元件之效能。

為克服上述問題，本發明實施例提供一種新穎的溶劑以及使用此溶劑之一新穎的系統與方法，以有效地自晶圓上洗淨EUV光阻內之含金屬材料。本發明各實施例將析述如下及對應之第1-10圖。首先，EUV微影系統將說明如下並對應第1-2圖。其次，依據本發明實施例之洗淨系統與方法，將析述於第3-10圖及其對應內容。

第1圖係依據本發明某些實施例所建構之EUV微影系統10之概要圖。EUV微影系統10通常亦稱為掃瞄曝光機(scanner)，具有個別光源及曝光模式，以進行微影曝光製程。EUV微影系統10係設計用以將光阻層曝露於EUV光。該光阻層係對EUV光敏感之材料。EUV微影系統10採用一光源12，以產生EUV光，諸如波長介於約1奈米至約100奈米之EUV光。在一實施例，光源12產生波長集中在約13.5奈米之EUV光。因此，光源12亦稱為EUV光源12。

微影系統10亦採用一照明器(illuminator)14。在實施例中，照明器14包含各式屈光(refractive)光學組件，諸如單一鏡片或具有多重鏡片(波帶板(zone plates))或用於EUV微影系統之反射光學元件，諸如單一反射鏡或一具有多重反射鏡之反射鏡系統，以將源自於光源12之光引導至光罩平台16，特別是架設在光罩平台16之上之光罩18。在本發明實施例中，光源12產生EUV波長之光，照明器14則採用反射光學元件。在某些實施例，照明器14包含一偶極照明組件(dipole illumination component)。

在某些實施例，照明器14可操作成反射鏡以提供適當照明於光罩18之上。在一實施例，照明器14之反射鏡可切換反射EUV光至不同照明位置。在某些實施例，在照明器14之前有一平台，可更包含其它可切換之反射鏡，配合照明器14之反射鏡，以控制EUV光照向不同照明位置。在某些實施例，照明器14可提供光罩18一同軸照明(on-axis illumination，ONT)。在一實施例，一碟狀照明器14具有部份同調性(partial coherence)σ最大值為0.3。在其他某些實施例，照明器14可提供光罩18一偏軸照明(off-axis illumination，OAI)。在一實施例，照明器14為偶極照明器。在某些實施例，偶極照明器之部份同調性σ最大值為0.3。

微影系統10亦包含一光罩平台16，用以架設一光罩18。在某些實施例，光罩平台16包含一靜電夾具(electrostatic chuck，e-chuck)，以架設光罩18。由於氣體分子會吸收EUV光，所以EUV微影系統是置於真空環境下，以免損失EUV光強度。

在本發明實施例，微影系統10是一EUV微影系統，光罩18是一反射式光罩。在此提供光罩18之一例示性結構，以供說明。光罩 18包含一具有一適當材料之基材，例如一低熱膨脹材料(low thermal expansion material，LTEM)或熔融石英。在一些實施例中，LTEM包含摻雜TiO₂之SiO₂或是其他具有低熱膨脹性質之適當材料。

光罩18亦包含一在基材上之反射性多層膜。多層膜包含複數層膜對(film pair)，諸如鉬-矽層膜對(例如，在每一層膜對，一層鉬是在一層矽之上或之下)。相對地，多層膜可包含鉬-鈹層膜對，或其他適當材料而可高度反射EUV光。

光罩18可更包含一覆蓋層，諸如釕，置於多層膜之上，以為保護。光罩18更包含一吸收層。該吸收層位於該多層膜之上，且圖案化以定義一積體電路層。相對地，亦可置放另一反射層在多層膜之上，並進行圖案化，以定義一積體電路層，而形成一EUV相位位移光罩(EUV phase shift mask)。

微影系統10亦包含一投影光學模組(或稱投影光學箱(projection optics box，POB))20，用以將光罩18之圖案，成像在半導體基材26之上，而半導體基材26係架設在微體系統10之基材平台28之上。在各實施例中，POB 20具有屈光光學組件(諸如用於UV微影系統)或反射光學組件(諸如用於EUV微影系統)。而在POB 20中，光經由光罩18導入，依繞射序繞射，並帶有依該光罩定義之圖案。POB 20之倍率得小於1(因而，在標的上之"影像"尺寸(如下標的26所述)係小於光罩上對應"客體"之尺寸)。照明器14與POB 12可合稱為微影系統10之一光學模組。

微影系統10亦包含一光瞳相位調制器(pupil phase modulator)22，以調制來自光罩18之光之光學相位，使其在投射光瞳平面 (projection pupil plane)24有一相分佈(phase distribution)。在光學模組內，有一平面並有對應於客體(即此實施例之光罩18)之傅利葉轉換之場分佈(field distribution)。此平面即稱為投射光瞳平面24。在一些實施例，光瞳相位調制器22包含一調整POB 20之反射鏡之機制，用以調制相位。例如，POB 20之反射鏡係可切換且控制EUV光之反射，藉以調制通過POB 20之光之相位。

在一些實施例，光瞳相位調制器22係採用一置於投射光瞳平面24之瞳孔濾光片(pupil filter)。該瞳孔濾光片可濾出來自於光罩18之EUV光之特定空間頻率分量(spatial frequency componets)。特別是，該瞳孔濾光片是一相位瞳孔濾光片，可調制來自於POB 20之光之相位分佈。然而，相位瞳孔濾光片在一些微影系統(諸如一EUV微影系統)使用上有所限制，因為其所有材料均會吸收EUV光。

如上所述，微影系統10亦包含基材平台28，以架設將被圖案化之一標的26，諸如一半導體基材。在本實施例中，此半導體基材係一半導體晶圓，諸如矽晶圓或其他類型晶圓。標的26塗佈有對光敏感之光阻層，諸如對本實施例之EUV光敏感。前開所述之各式組件整合後，可用於微影曝光製程。微影系統10可更包其它模組或與其它模組整合或連接。

光罩18及其製作方法係進一步敘述在一些實施例。在一些實施例，光罩製程包含兩部份：一空白光罩製程及一光罩圖案製程。在空白光罩製程中，空白光罩係經由沉積適當膜層(例如，反射多膜層)在一適當基材而形成。接著，在光罩圖案化製程中，圖案化該空白光罩，藉以達成一積體電路中一層電路之設計。該圖案化光罩然後用以移轉電路圖案 (例如，一積體電路中一層電路之設計)在一半導體晶圓上。圖案能經由各式微影製程而一再地移轉至複數個晶圓上。一組光罩能用以建構一完整之積體電路。

在各式實施例中，光罩18含有一適當結構，諸如雙元強度光罩(binary intensity mask，BIM)與相位移光罩(phase-shifting mask，PSM)。一典型BIM包含被圖案化之吸收區(亦稱為不透光區)及反射區，用以定義一IC圖案，並移轉予標的。在不透光區，有一吸收體，而一入射光將被此吸收體幾乎完全吸收。在反射區，吸收體係被移除，入射光將被一多膜層(multilayer，ML)繞射。PSM可一減光型相位移光罩(attenuated PSM，AttPSM)或是一交替型相位移光罩(alternating PSM，AltPSM)。一典型PSM包含一第一反射層(諸如一反射ML)及依據一IC圖案而圖案化之一第二反射層。在某些實施例，一AttPSM通常由其吸收體有2%至15%之反射率，而一AltPSM通常由其吸收體有大於50%之反射率。

第2圖顯示光罩18之一實施例。在此實施例中，光罩18係一EUV光罩，且包含由低熱膨脹材料製成之基材30。此熱膨脹材料可為摻雜TiO₂之SiO₂，及或此項技藝所熟知之其它低熱膨脹材料。在一些實施例，另有一導電層32沉積於低膨脹材料基材30之背部，以為靜電夾置之用。在一實施例，導電層32包含氮化鉻，而其他適當成分亦得包含之。

EUV光罩18包含一反射多膜層結構34沉積於低膨脹材料基材30之上。可依所選用之光源類型/波長，選用多膜層結構34，以達到高反射率。多膜層結構34包含複數個膜對，諸如鉬/矽膜對(例如，在每一層膜對，一層鉬是在一層矽之上或之下)。相對地，多膜層結構34亦可包含鉬/鈹膜對，或任何具有在EUV波長有高折射率差(refractive index difference)之材料。

再參見第2圖。EUV光罩18亦包含一沉積在多膜層結構34之覆蓋層36，以防止多膜層氧化。在一實施例，覆蓋層36含有厚度約4奈米至約7奈米之矽。EUV光罩18更包含一沉積在覆蓋層36之上之緩衝層38，以作為一吸收層之圖案化或修補製程中之蝕刻停止層。此部份稍後再予說明。相對於沉積其上之吸收層，緩衝層38具有不同之蝕刻性質。在各式實施例，緩衝層38包含釕，諸如硼化釕、矽化釕等釕化合物、鉻、氧化鉻及氮化鉻。

EUV光罩18亦包含一吸收層40，形成在緩衝層38之上。在一些實施例，吸收層40吸收照向光罩18之EUV光。在各式實施例中，吸收層可為氮化硼鉭(tantalum boron nitride，TaBN)、氧化硼鉭(tantalum boron oxide，TaBO)或鉻、鐳或如下一個或多個材料之氧化物或氮化物或合金：錒(actinium)、鐳、碲、鋅、銅及鋁。

第3圖係顯示本發明實施例一半導體晶圓45之剖面圖。半導體晶圓45可包含一積體電路晶片、系統單晶片(system on chip，SoC)或其部份，以及各式被動或主動微電子元件，諸如電阻、電容、電感、二極體、金屬氧化物半導體場效電晶體(metal-oxide semiconductor field effect transistor，MOSFET)、互補式金屬氧化物半導體(complementary metal-oxide semiconductor transistor，CMOS transistor)、雙極型接面電晶體(bipolar junction transistors，(BJT)、側向擴散金氧半電晶體(laterally diffused MOS (LDMOS)transistors)、高功率金氧半電晶體(high power MOS transistors)或其它類型電晶體。

如第3圖所示，一半導體晶圓45包含一基材48。在一些實施例，基材48是摻雜有諸如硼之p型摻雜物之一矽基材(即：p型基材)。基材48亦可為其它適當的半導體材料。例如，基材48是摻雜有諸如磷或砷之n型摻雜物之一矽基材(即：n型基材)。基材48可包含其它基本半導體，諸如鍺與鑽石。基材48可選擇性地包含一化合物半導體及/或一合金半導體。進而，基材48可包含一磊晶層(epitaxial layer)，可被拉伸以強化操作，及可包含一絕緣層覆矽(silicon-on-insulator，SOI)結構。

在一些實施例，基材48是導體或半導體。其電阻可小於約103歐姆-米。在一些實施例，基材48包含金屬、金屬合金、或化學式為MXa之金屬氮化物/硫化物/硒化物/氧化物/矽化物，其中M為金屬，X為氮、硫、硒、氧、矽，而a則介於0.4至2.5之間。例如，基材48可包含鈦、鋁、鈷、釕、氮化鈦、二氮化鎢、或氮化鉭。

在一些其它實施例，基材48包含介電常數介於約1至約40之間之一介電材料。在一些其它實施例，基材48包含化學式為MXb之矽、金屬氧化物或氮化物，其中M是一金屬或矽，X是氮或氧，b則介於約0.4至2.5之間。例如，基材48可包含SiO₂、氮化矽、氧化鋁、氧化鉿或氧化鑭。

一材料層50形成在基材48之上。材料層50可經由微影製程而圖案化，因此亦可稱為一可圖案化層。在一實施例，材料層50包含一介電材料，諸如氧化矽或氮化矽。在另一實施例，材料層50包含金屬。而在另一實施例，材料層50包含一半導體材料。

在一些實施例，材料層50具有與光阻不同之光學性質。例如，材料層50之n、k、或T數值，可與光阻不同。在一些實施例，材料層50包含至少有一不同之聚合物結構、酸不穩定分子(acid labile molecule)、光致酸發生劑(photo acid generators，PAG)、抑制劑(quenchers)、色團(chromophore)、交聯劑、或溶劑，以使其n數值不同於光阻。在一些實施例，材料層50與光阻有不同蝕刻阻抗性。在一些實施例，材料層50包含一蝕刻阻抗分子。該分子包含低大西數(onishi number)結構、雙鍵結、叁鍵結、矽、氮化矽、鈦、氮化鈦、鋁、氧化鋁、氮氧化矽或其組合。

應理解，在其它實施例中，基材48與材料層50可個別包含額外適當材料成分。

一光阻層60形成在材料層50之上。如第3圖所示實施例，光阻層60包含一正光阻劑，但應可理解，在一替代實施例，光阻層60亦可為負光阻劑。光阻層60包含諸如一高分子、PAG、抑制劑、色團、界面活性劑、交聯劑等成分。因此，會產生小量的酸，進而誘導光阻層60一連串化學形變。光阻層60亦可選擇性地包含一quencher，其可沉積在光阻層60之內，以改善臨界尺寸(critical dimension，CD)之控制。

光阻層60包含一PAG。在某些實施例，PAG包含一致酸成分與一感光成分。感光成分亦稱為感光官能基(sensitizer moiety)，經由一連接劑而與致酸發生劑鍵結或鏈結。

在一些實施例，光阻層60可為一三層光阻。此三層光阻可包含一底層(亦可稱為下層)，一中層，以及一頂層。在一些實施例，底層包含一CxHyOz材料，中層包含一SiCxHyOz材料，頂層包含一CxHyOz材料。在某些實施例中，底層之CxHyOz材料可與頂層之CxHyOz材料相同，但在一些實施例中，則不相同。頂層亦包含一感光成分，諸如PAG。此可用於光微影製程，以圖案化該頂層。頂層典型之圖案化，是採用光微影製程，其可包含一次或多次曝光、烘烤、顯影(developing)及沖洗等製程(無須依此順序進行)。光微影製程圖案化該頂層，以成為一光阻光罩，可有一個或多個溝槽或開口而曝露其下之中層。隨後，藉由該光阻光罩以蝕刻該中層，圖案化該中層。接著，使用該圖案化之中層，以蝕刻該底層，圖案化該底層。此圖案化底層即可用圖案化其底下各層。

如前所述，若採用傳統有機光阻劑時，在EUV微影時，光吸收將成為一問題。因此，如第3圖所示之光阻層60，乃加入含金屬材料70。在某些實施例，含金屬材料70包含銫、鋇、鑭、銦、鈰、銀、或錫、或其等組合或化合物。在實施例中，當光阻層60係一三層光阻時，含金屬材料70可加在底層、中層或頂層之任一層，或是三層均加入。

含金屬材料70可在EUV微影時強化光吸收。然而，如前所述，含金屬材料70會導致污染問題。因此，在光阻層60用於進行EUV微影圖案化之時或之後，如本發明實施例所揭露，將移除含金屬顆粒。

依據本發明一實施例，第4圖顯示洗淨晶圓45以移除污染物含金屬材料70之流程。如第4圖所示，在晶圓45上提供一材料80。材料80可包含特別用於EUV微影之光阻劑，而如前所述，其包含一含金屬材料諸如第3圖所示之含金屬材料70。材料80亦可包含一可用於顯影光阻之顯影溶液。

一洗淨液100可施用於晶圓45，以移除含金屬材料70。洗淨液100可施用於晶圓45之背面，及/或晶圓45之邊緣。此係因為在晶圓移轉過程中(例如，晶圓45由一半導體製造設備傳送至另一半導體製造設備)，可能會發生與晶圓45背面或邊緣物理上接觸。例如，當晶圓45由一半導體製造設備(在一實施例中，其可能為一EUV微影裝置)，各式半導體製造設備之組件可能接觸到晶圓45之底部(亦即，背面)或側邊。經由此等接觸，含金屬材料70(第3圖)可能遺留在半導體製造設備。若半導體製造設備後續製程必須不得有金屬時，則含金屬材料70即成為一污染物。

如另一實施例，若含金屬材料70未完全自晶圓45清除，則當晶圓45載入一新半導體製造設備時，含金屬材料70即可能污染新半導體製造設備。此問題將因各式加熱製程而惡化，因為其會促使含金屬材料70由晶圓45脫逸。此新(且已污染)半導體製造設備可能是用於無金屬環境進行半導體製程，故不希望存有含金屬材料70。基此，將藉由洗淨液100洗清含金屬材料70。為增加此洗淨效能，洗淨液100主要是針對晶圓45之背面及邊緣，而晶圓45之正面亦可清洗之。

洗淨液100之材料組成物係仔細選用以強化移除晶圓45之含金屬材料70。例如，洗淨液100包含一選自漢森溶解度參數(Hansen solubility parameters)delta D、delta P及delta H在特定範圍內之溶劑4。漢森溶解度參數提供一種一材料是否溶解於另一材料而形成溶液之預測方法。任一已知材料之任一分子具有三個漢森溶解度參數(通常是在0.5MPa壓力下進行量測)，即delta D、delta P及delta H。delta D是分子間之分散力之能量。delta P是分子間之偶極力(dipolar intermolecular force)之能量。delta H則是分子間氫鍵之能量。這三個參數可視為在三度漢斯空間之座標。兩分子在此三度漢斯空間越近，則其越可能彼此溶解。

依據本發明實施例，該溶劑是選自其漢森溶解度參數在特定範圍之內者，以使得含金屬材料70可輕易溶解，進而移除。在一些實施例，其溶劑之漢森溶解度參數之delta D是在13至25之間，delta P是在3至25之間，及delta H則是在4至30之間。在一些其它實施例中，其溶劑之漢森溶解度參數之delta D是在15至22之間，delta P是在3.5至17之間，及delta H則是在5至16之間。

在一些實施例，此溶劑是一水性溶劑。可加入一水溶性酸或水溶性鹼至此水性溶劑，以強化該溶劑移除含金屬材料70之能力。此酸或鹼在該水性溶劑內之濃度可介於0.001%至30%之間，例如介於0.1%至20%之間。在一些實施例，在水性溶劑內酸或鹼之農度是介於0.1%至10%之間。若使用酸時，該酸之酸解離常數pka(亦可稱為酸性常數或是酸離子化常數，在此為一對數值)是介於-11至4之間，例如-11至3之間。此水性酸之例，包含但不限於，為硫酸、硝酸、鹽酸、磷酸、CCl₃COOH、氫溴酸或其等之組合。若使用鹼時，該鹼之pka是介於9至40之間，例如介於10至20之間。此水性鹼之例子，包含但不限於，為氫氧化鈉、氨、氫氧化鉀、TMAH、TEAH，或其等之組合。在一些實施例，可加入金屬鉗合物於水溶劑內，或可取代該酸或鹼。在此些實施例，金屬鉗合劑在水性溶劑內之濃度可介於0.001%至30%，例如，在0.1%至20%之間。此金屬鉗合劑之例子，包含但不受限制，為乙二胺四乙酸(ethylenediaminetetraacetic acid，EDTA)、乙二胺-N,N'-琥珀酸(ethylenediamine-N,N’-disuccinic acid，EDDS)、二乙烯三胺五醋酸(diethylenetriaminepentaacetic acid，DTPA)、聚天冬氨酸(polyaspartic acid)、反-1,2-二氨基環己烷-N,N,N’,N’-四乙酸單水化合物(trans-1,2-Cyclohexanediamine-N,N,N’,N’-tetraacetic acid monohydrate)、乙二胺(ethylenediamine)、或其等組合。在一些實施例，水性溶劑亦可加熱，以增強洗淨效率。在一些實施例，此水性溶劑是加熱至室溫(即攝氏25度)至攝氏75度之間，例如，在攝氏45至75度之間。在一些實施例，亦可加入界面活性劑於此水性溶劑，以增加溶解度，及/或減少晶圓45之表面張力。在此水性溶劑內之界面活性劑濃度可介於0.1%至5%之間。應可理解，此處所提及各式材料之各種範圍，係為用以強化溶劑之功效，例如，關於自晶圓45洗淨含金屬材料70之功效。

在一些實施例，此溶劑為一有機溶劑。該有機溶劑具有極性官能基，諸如但不限於-OH、-COOH、-CO-、-O-、-COOR、-CN-、-SO-等。在各式實施例，此有機溶劑可包含PGME、PGEE、GBL、CHN、EL、甲醇、乙醇、丙醇、正丁醇、丙酮、DMF、乙腈、THF、醋酸、或其等之組合。可加入一有機酸或有機鹼於該有機溶劑內，以強化該溶劑移除含金屬材料70之能力。此酸或鹼在該有機溶劑內之濃度，可介於0.001%至30%之間，例如，在0.1%至20%之間。若使用一酸時，該酸之酸解離常數pka(亦可稱為酸性常數或是酸離子化常數，在此為一對數值)是介於-11至4之間，例如-11至3之間。此水性酸之例，包含但不限於，為乙二酸、甲酸、2-羥丙酸(2-hydroxypropanoic acid)、2-羥基丁二酸(2-hydroxybutanedioic acid)、檸檬酸、尿酸、三氟甲磺酸(trifluoromethanesulfonic acid)、苯磺酸(benzenesulfonic acid)、乙磺酸(ethanesulfonic acid)、甲磺酸(methanesulfonic acid)、草酸二水合物、丁烯二酸、或其等之組合。

若使用鹼時，該鹼之pka是介於9至40之間，例如介於10至20之間。此水性鹼之例子，包含但不限於，為單乙醇胺、單異丙醇胺、2-氨基-2-甲基-1-丙醇、苯并三氮唑(1H-benzotriazole)、1,2,4-三氮唑(1,2,4-triazole)、1,8-二氮雜二環十一-7烯(1,8-diazabicycloundec-7-ene)，或其等之組合。在一些實施例，可加入金屬鉗合物於該有機溶劑內，或可取代該酸或鹼。在此些實施例，金屬鉗合劑在有機溶劑內之濃度可介於0.001%至30%，例如，在0.1%至20%之間。此金屬鉗合劑之例子，包含但不限於，為EDTA、EDDS、DTPA、聚天冬氨酸、反-1,2-二氨基環己烷-N,N,N’,N’-四乙酸單水化合物、乙二胺、或其等之組合。在一些實施例，有機溶劑亦可加熱，以增強洗淨效率。在一些實施例，此有機溶劑是加熱至室溫(即攝氏25度)至攝氏75度之間，例如，在攝氏45至75度之間。在一些實施例，亦可加入界面活性劑於此有機溶劑，以增加溶解度，及/或減少晶圓45之表面張力。在此有機溶劑內之界面活性劑濃度可介於0.1%至5%之間。應可理解，此處所提及各式材料之各種範圍，係為用以強化溶劑之功效，例如，關於自晶圓45洗淨含金屬材料70之功效。

第5-6圖顯示，依據本發明一替代實施例，洗淨晶圓45以移除含金屬材料70之流程。為符一致性及清楚說明，在第4-6圖所示類似組件均為相同標示。如第5圖所示，在晶圓45上提供一材料80。如前關於第4圖之相關敘述，材料80可包含特別用於EUV微影之光阻劑(以為更好之光吸收)，及/或亦可包含一顯影溶液。當材料80施作在晶圓45之上時，洗淨液100則尚未施用之。

請參考第6圖。洗淨液100係施用於晶圓45，以移除含金屬材料70。洗淨液100主要施用於晶圓45之背面，及/或晶圓45之邊緣，而在某些實施例，亦施用於晶圓45之正面。如先前第4圖相關敘述，洗淨液100包含一水性或有機溶劑，而其漢斯溶解度參數在一特定範圍內，以促進含金屬材料70之移除。各式添加物，諸如酸、鹼、金屬鉗合劑等，可加入前開溶劑內，以進一步增加洗淨液100移除含金屬材料70之功效。因此，對應於第4圖之流程是針對當使用含金屬材料70(於光阻劑內)時移除含金屬材料70，對應於第5-6圖之流程則是經由額外之洗淨步驟以移除含金屬材料70。

請參考第7圖，顯示一洗淨系統150之一實施例。在一些實施例，洗淨系統150可為既有半導體製造裝置之一部份。例如，其可整合至一EUV微影設備，而其EUV微影則使用含金屬光阻劑。在其他實施例，洗淨系統150可為其它類型半導體製造設備之一部份，而金屬污染物則可能被引入該等設備。如第7圖所示實施例，材料80(例如，一含金屬EUV光阻及/或一顯影溶液。)係施用在晶圓45之正面。材料80內之金屬係一污染物，將藉由洗淨系統150移除，如下所述。

洗淨系統150含有一空腔160，晶圓45置於其內。在一些實施例，空腔係可密閉式，可使晶圓45絕緣於空腔160外之其他污染物。洗淨系統150亦可包含一個或多個排氣機構170，而與空腔160連接，使得空腔160內之流體(例如：空氣，其可能包含污染物顆粒)被排除空腔160。換言之，在排氣機構170內施用一負壓，以在排氣機構170內或附近產生部分真空狀態。施用負壓於排氣機構170，可迫使諸如空氣等空腔160內之流體排出於空腔170之外。

洗淨系統150更包含一複數個噴嘴180、181，用以噴灑如先前第4-6圖相關敘述之洗淨液100。進而，噴嘴180係設置於晶圓45之下，因此可用以噴灑洗淨液100於晶圓45之背面。噴嘴181則是設置於晶圓45之邊緣，因此可用以噴灑洗淨液100於晶圓45邊緣之上。

應可理解，雖然此處圖示兩噴嘴180-181以噴灑洗淨液100，洗淨系統150可包含其它噴嘴，用以噴灑洗淨液100於晶圓45之上。例如，在晶圓45下方設置超過一個噴嘴，在晶圓45不同邊緣處設置超過一個噴嘴，以及在晶圓45上方設置一個或多個噴嘴，以噴灑洗淨液100在晶圓45之正面。在實施例，藉由噴嘴180-181(或其它類似噴嘴)噴灑之洗淨液100，將可清除晶圓45上之含金屬材料70，例如，洗淨晶圓45背面或邊緣上之含金屬材料70。

為增進自晶圓45清除含金屬材料70，洗淨系統150亦包含噴嘴190與191。每個噴嘴均是用以傳送一適當滌洗流體(purging fluid)200(例如，空氣)至晶圓45。在晶圓45一邊緣設置噴嘴190，而可用以噴灑滌洗流體200至晶圓45之邊緣上。正壓係使用在噴嘴190-191，以確使滌洗流體200可自噴嘴190-191噴出，並接觸至晶圓45。在一些實施例，施用在噴嘴190-191之正壓強度(或絕對值)，超過施用在噴嘴180-181之負壓強度(或絕對值)。在一些實施例，滌洗流體200包含氮氣。而在其它實施例，滌洗流體200包含其它不會與晶圓45上膜層反應之適當材料。

滌洗流體200與晶圓間之交互作用，可強化包括移除含金屬材料70之洗淨或移除污染顆粒之效能。就這方面而言，噴嘴190-191係"推進"，而排氣機構170則是將含金屬材料70自晶圓45抽離，並排出於空腔160之外。

應可理解，雖然此處圖示兩噴嘴190-191以遞送滌洗流體200，洗淨系統150可包含其它噴嘴，用以遞送滌洗流體200於晶圓45之上。例如，在晶圓45下方設置超過一個噴嘴，在晶圓45不同邊緣處設置超過一個噴嘴，以及在晶圓45上方設置一個或多個噴嘴，以遞送滌洗流體200在晶圓45之正面。在一些實施例，個別滌洗流體噴嘴(例如，噴嘴190-191)鄰近於個別洗淨液噴嘴(例如，噴嘴180-181)。在實施例，藉由噴嘴190-191(或其它類似噴嘴)遞送之滌洗流體200，將可清除晶圓45上之含金屬材料70，例如，清除晶圓45背面或邊緣上之含金屬材料70。

除施用洗淨液噴嘴180-181及滌洗流體噴嘴190-191外，洗淨系統150亦有機構而可在洗淨製程中，例如在應用洗淨液100及/或滌洗流體200時，旋轉晶圓45。例如，洗淨系統150可包含一旋轉裝置250。旋轉裝置250可包含一夾具、一托座、及/或一馬達。旋轉裝置係機械性連接晶圓45，用以在一順時鐘及/或一逆時鐘方式旋轉。因此，當旋轉裝置250旋轉時，晶圓45亦隨之旋轉之。

為控制旋轉裝置250，洗淨系統150可包含一控制器300，可通訊地與旋轉裝置250耦合。控制器300可位於洗淨系統150其餘部份之遠端處。換言之，在某些實施例，控制器300可在空腔160之外執行之，而在其它實施例，則可在空腔160之內執行之。控制器300亦可為整組半導體製造系統之一部份，而洗淨系統150亦為其一部份。控制器300可包含電子記憶體及一個或多個電子處理器，用以執行儲存在電子記憶體之程式指令，而為一控制旋轉裝置250旋轉之電腦程式。依據電腦程式，控制器300可控制旋轉裝置(連帶控制晶圓45)旋轉在一特定轉速、旋轉期間、及/或一旋轉方向(例如，順時鐘或逆時鐘)。在一些實施例，控制器300可用以設定晶圓之一旋轉速率在約800RPM至約4500RPM之間，例如在約800RPM至約3500RPM之間。此旋轉速率範圍可優化增進晶圓45上之洗淨液100之分佈，以及促進諸如含金屬材料70之污染材料之移除。

應可理解，晶圓45之旋轉不需要都在同一方向。除了進行順時鐘方向或逆時鐘反向，晶圓45在控制器300控制之下，可進行順時鐘旋轉與逆時鐘旋轉之混合。例如，晶圓45可先為順時鐘方向旋轉X秒後，接著為逆時鐘方向Y秒(X與Y可相同或不同)，或前開順序相反為之。作為一種替代方式之混合順時鐘方向與逆時鐘方向旋轉，可更增強洗淨液100與滌洗流體200於晶圓45之施用，進而改善含金屬材料污染物之移除。

第8圖依據本發明某些實施例，提供一洗淨流程操作之視覺圖像。第8圖顯示一典型微影製程400。在一些實施例，微影製程400是一EUV微影製程。微影製程400包含一步驟410，將一感光材料塗佈在諸如晶圓45之晶圓之上。感光材料可包含一三層光阻(包含一頂層、一中層及一底層)。可經由一旋轉塗佈製程將感光材料塗佈。如前所述，為強化光吸受，感光材料包含金屬。該金屬在微影製程後，將被視為污染物而應予移除。

微影製程400包含一曝光前烘烤步驟420，用以烘烤晶圓(及塗佈於其上之感光材料)。微影製程400包含一曝光步驟430，用以曝射晶圓(及塗佈於其上之感光材料)。在一些實施例，曝光涉及使用UV光或電子束，以曝射晶圓45。微影製程400包含一曝光後烘烤步驟440，用以烘烤晶圓(及塗佈於其上之感光材料)。微影製程包含一顯影步驟450，經由施用一顯影溶液於晶圓上，以顯影晶圓。應可理解，微影製程400可包含額外製程，並不限於此處所述或所特定者。

依據第8圖所示之方法流程圖，在進行步驟410及450時，使用如第7圖相關敘述之洗淨系統150，洗淨晶圓45。換言之，當含金屬之感光材料施用於晶圓45時，使用洗淨系統150洗淨晶圓45。此外，當顯影溶液施用於晶圓45以顯影已曝光之感光材料時，亦使用洗淨系統150洗淨晶圓45。然而，應可理解，依據此方法流程，晶圓45並不需要洗淨兩次。例如，晶圓45可在步驟410時洗淨，或替代地，在步驟450時洗淨，但不需要在步驟410與450均進行洗淨。

第9圖依據本發明某些實施例，提供另一洗淨流程操作之視覺圖像。為符合一致與說明清楚，第8-9圖類似元件為相同標示。相對於第8圖所示之方法流程圖，如第9圖所示之方法流程圖，則是在步驟410、420、440與450之後，進行晶圓洗淨，而非在進行步驟410與450之時。換言之，在含金屬感光材料已塗佈在晶圓之上之後、及/或在曝光前烘烤製程之後、及/或在曝光後烘烤製程後、及/或在顯影製程之後，洗淨晶圓45。再次，應可理解，在此方法流程中，晶圓45並不需要洗淨四次。例如，在步驟410、420、440與450、或其等組合之任一步驟之後，使用洗淨系統150洗淨晶圓45。

應可理解，雖然前述集中在洗淨晶圓上源自於一含金屬EUV光阻之一金屬污染物之移除，此處所述之系統與方法並不受此等特定內容之限制。當在其它半導體製造中，金屬被視為一種污染物而需要移除時，本發明實施例之系統與方法亦可使用之。

此外，亦應可理解，在一些實施例中，亦可選擇性地操作以高接觸角(high-contact-angle)材料沖洗晶圓之一額外步驟。第10圖顯示依據本發明實施例之數個不同方法流程。請參考第10圖，一流程A包含一步驟510，對諸如前述晶圓45之晶圓進行一高接觸角材料沖洗製程。此沖洗亦可施用於晶圓之背面或邊緣。高接觸角材料可包含一具有接觸角大於水之75度之材料。在以高接觸角材料處理晶圓後，晶圓表面將變成疏水性。由於此是在光阻層塗佈在晶圓表面之前完成，因此後續晶圓洗淨將較為容易。換言之，晶圓表面之疏水性(由於在步驟510施用高接觸角材料)，使得在光阻內之含金屬材料更容易自晶圓中移除。

仍請參考第10圖。在以高接觸角材料沖洗步驟510之後，進行步驟520。在步驟520，提供一金屬膜。此金屬膜可為先前所討論之在光阻內之含金屬材料。因此，步驟520涉及塗佈一含金屬光阻材料於晶圓表面之上。

在步驟520之後，進行步驟530。步驟530涉及一新溶劑沖洗製程。此新溶劑可為前述洗淨液100之例示，例如包含一漢斯溶解度參數在特定範圍之溶劑。再次，步驟530可將含金屬材料沖離晶圓，以減低污染風險。

流程B與C類似流程A。在流程B與C中，進行另一步驟540，對晶圓進行一工業用溶劑沖洗製程。在一些實施例，工業用溶劑可包含工業上在一微影製程廣泛使用之其他溶劑。流程B與C之差異，在於流程B係在步驟530之後，進行步驟540(工業用溶劑沖洗)，而流程C則是在步驟530之前，進行步驟540。

無論個別流程為何，應可理解此選擇性之以高接觸角材料沖洗晶圓之步驟540，可增進洗淨製程，已如前述。在一些實施例，高接觸角材料包含一碳氟化物(carbon fluoride compound)，例如一CxFy單元。在各式實施例中，x係介於1至7之間，而y則是依結構而予以飽合之數量。一些實施例包含-CF₃、-C₂F₅、-C₃F₇、-C₄F₉、-C₅F₁₁或-C₆F₁₃。碳氟化物得以添加物之方式加入一溶劑。在一些實施例，碳氟化物為一聚合物。在一些實施例，碳氟化物具有分鏈，在另一實施例則無。在一些實施例，碳氟化物亦可為環狀。在一些實施例，碳氟化物可使用氫原子或氟原子以飽合之。

在碳氟化物為聚合物之實施例中，聚合物鏈可包含聚苯乙烯、丙烯酸酯、或由1至10個碳單元所形成之一聚合物。聚合物單元可為一CxFy。在一些實施例，高接觸角材料包含六甲基二矽氮(hexamethyldisilazane)、一N,N-二甲基三甲基矽胺(N,N-Dimethyltrimethylsilylamine)化合物或其等組合。例如，高接觸角材料可包含1-25%六甲基二矽氮或一N,N-二甲基三甲基矽胺化合物。

第11圖顯示一些典型碳氟化物之化學式。當然，應可理由，所列化學式僅是舉例，並不因此而受限。其它適當之碳氟化物亦可在替代實施例中使用。

第12圖係顯示依據本發明實施例之一半導體製程之操作方法600。

方法600包含一步驟610，在一基材上形成一圖案化膜層。在一些實施例，基材係導電體或半導電體。其電阻可小於約103歐姆-米。在一些實施例，基材包含金屬、金屬合金、或化學式為MXa之金屬氮化物/硫化物/硒化物/氧化物/矽化物，其中M為金屬，X為氮、硫、硒、氧、矽，而a則介於0.4至2.5之間。例如，基材可包含鈦、鋁、鈷、釕、氮化鈦、二氮化鎢、或氮化鉭。在一些其它實施例，基材包含介電常數介於約1至約40之間之一介電材料。在一些其它實施例，基材包含化學式為MXb之矽、金屬氧化物或氮化物，其中M是一金屬或矽，X是氮或氧，b則介於約0.4至2.5之間。例如，基材可包含SiO₂、氮化矽、氧化鋁、氧化鉿或氧化鑭。

形成在基材上之圖案化層具有與光阻不同之光學性質。例如，圖案化層與光阻有不同之n、k、或T數值。在一些實施例，圖案化層包含至少有一不同之聚合物結構、酸不穩定分子、PAG、抑制劑、色團、交聯劑、或溶劑，以使其n數值不同於光阻。在一些實施例，圖案化層與光阻有不同蝕刻阻抗性。在某些實施例，圖案化層包含一蝕刻阻抗分子。該分子包含低大西數(onishi number)結構、雙鍵結、叁鍵結、矽、氮化矽、鈦、氮化鈦、鋁、氧化鋁、氮氧化矽或其組合。

步驟600包含一步驟620，在圖案化層上塗佈一光阻層。光阻層包含一含金屬材料。

步驟600包含一步驟630，對光阻層進行微影製程，以形成圖案化光阻。在一些實施例，微影製程包含一EUV微影製程。

步驟600包含一步驟640，以一洗淨液洗淨晶圓，以移除含金屬材料。在一些實施例，洗淨液包含一溶劑，該溶劑之漢森溶解度參數之delta D是在13至25之間，delta P是在3至25之間，及delta H則是在4至30之間。在一些其它實施例中，其溶劑之漢森溶解度參數之delta D是在15至22之間，delta P是在3.5至17之間，及delta H則是在5至16之間。在一些實施例，此溶劑是一水性溶劑。在一些實施例，此溶劑是一有機溶劑。在一些實施例，此溶劑包含一pka小於4之酸，例如，介於-11至4之間。在一些實施例，此溶劑包含一pka大於9之鹼，例如，介於9至40之間。在一些實施例，此溶劑包含一金屬鉗合物。在一些實施例，此溶劑包含一界面活性劑。在一些實施例，此溶劑可加熱至室溫至攝氏75度之間。在一些實施例，此洗淨晶圓包含當晶圓正洗淨時，旋轉該晶圓。

在一些實施例，使用洗淨液洗淨晶圓時，至少應針對一晶圓背部或一邊緣為之。在一些實施例，洗淨晶圓時，包含遞送一滌洗流體至晶圓，且至少應遞送至一晶圓背部或一邊緣。在一些實施例，微影製程應進行：一光阻塗佈製程、一曝光前烘烤製程、一曝光製程、一曝光後烘烤製程、及一顯影製程。可在光阻塗佈製程或顯影製程進行中，進行晶圓洗淨。亦可在光阻塗佈製程之後、或在曝光前烘烤製程之後、或在曝光後烘烤製程之後、或在顯影製程之後，進行晶圓洗淨。

應可理由，可在步驟610-640之前、或進行中、或之後，進行額外製程。為簡化起見，這些額外製程不予此處敘述。

綜上所述，相對於傳統方法，此處所揭露者提供相當優點。然而，應可理由，其它實施例亦可提供其它優點，而無須在此處揭露所有優點。其中一優點是所揭示之光阻材料改善微影製程，例如由於在光阻中存有金屬或金屬化合物，故有較佳光吸收表現。另一優點是所揭示之洗淨晶圓系統與方法(亦即，使用所揭示之新溶劑作為一洗淨液，以洗淨晶圓上之含金屬材料)，減少微影設備與其它半導體製造設備間因晶圓移轉而生之含金屬材料之污染。至少基於如上理由，本發明實施例改善半導體製程之操作。

本發明實施例之一，係關於一製造半導體元件之一方法。一光阻層塗佈在一晶圓之上。光阻層包含一含金屬材料。對光阻層進行一微影製程，以形成一圖案化光阻。以洗淨液洗淨晶圓，以移除含金屬材料。

本發明實施例之一，係關於一製造半導體元件之一方法。一光阻層係塗佈在一晶圓之上。光阻層包含一含金屬材料。對光阻層進行一EUV微影製程，以形成一圖案化光阻。以洗淨液洗淨晶圓，以移除含金屬材料。洗淨液包含一溶劑，該溶劑之漢森溶解度參數之delta D是在13至25之間，delta P是在3至25之間，及delta H則是在4至30之間。溶劑是包含一pka小於4之酸，或是一pka大於9之鹼。

另一本發明實施例係關於一種製造半導體元件之方法。該方法包含：以一溶劑沖洗一晶圓，其中，該晶圓因以該溶劑沖洗致疏水性增加；在以溶劑沖洗晶圓後，形成一含金屬材料在該晶圓之上；進行一次或多次微影製程，該微影製程至少部份使用此含金屬材料；以及，在進行一次或多次微影製程過程中或之後，移除該含金屬材料，其中，晶圓疏水性之增加，會促進含金屬材料之移除。在一些實施例，此沖洗包含設置一溶劑對水之接觸角。在一些實施例，接觸角之設置包含：以一添加物作為溶劑之部份，該添加劑對於水之接觸角高於75度。在一些實施例，此沖洗包含施用一碳氟化物材料作為溶劑之部份。在一些實施例，碳氟化物材料具有如下化學式：在一些實施例，碳氟化物材料具有如下化學式：在一些實施例，碳氟化物材料具有如下化學式：在一些實施例，碳氟化物材料具有如下化學式：在一些實施例，碳氟化物材料具有如下化學式：在一些實施例，碳氟化物材料具有如下化學式：在一些實施例，含金屬材料之形成，包含形成一光阻，以作為該含金屬材料。在一些實施例，光阻之形成包含塗佈一EUV光阻；及進行一次或多次微影製程，而該微影製程使用一次或多次EUV微影製程。在一些實施例，EUV光阻之塗佈包含塗佈EUV光阻，該EUV光阻包含銫、鋇、鑭、銦、鈰、銀或錫。在一些實施例，含金屬材料之移除，至少部份使用一洗淨液。該洗淨液之漢森溶解度參數之delta D是在13至25之間，delta P是在3至25之間，及delta H則是在4至30之間。

另一本發明實施例係關於一種製造半導體元件之方法。該方法包含：施用一含有碳氟化物之溶劑於一晶圓，其中此溶劑之施用將增加晶圓之疏水性；在施用溶劑後，形成一含金屬光阻層在晶圓之上；使用EUV微影製程圖案化含金屬光阻層；以及，移除含金屬光阻層。在一些實施例，碳氟化物對水之接觸角高於75度。在一些實施例，碳氟化物材料是具有選自如下群組之一化學式：在一些實施例，含金屬光阻層之形成，包含塗佈一EUV光阻，該EUV光阻包含：銫、鋇、鑭、銦、鈰、銀或錫。在一些實施例，含金屬光阻層之移除，至少部份使用一洗淨液。該洗淨液之漢森溶解度參數之delta D是在13至25之間，delta P是在3至25之間，及delta H則是在4至30之間。

另一本發明實施例係關於一種製造半導體元件之方法。該方法包含：藉由施用一第一溶劑以增加晶圓疏水性；在施用第一溶劑後，塗佈一光阻層在晶圓之上，其中，該光阻層是用於EUV微影製程，並包含：銫、鋇、鑭、銦、鈰、銀或錫；使用EUV微影製程以圖案化光阻層；以及，在EUV微影製程至少部份進行後，以一第二溶劑洗淨晶圓，其中，晶圓疏水性之增加，會促進晶圓之洗淨，而該第二溶劑之漢森溶解度參數之delta D是在13至25之間，delta P是在3至25之間，及delta H則是在4至30之間。

上述各實施例之內容係為了詳細說明本發明，然而，該等實施例係僅用於說明，並非意欲限制本發明。熟習本領域之技藝者可理解，本發明之揭露內容可作為基礎而用以設計或修飾其他製程及結構，以達成相同目的及/或達成相同優點。熟習本領域之技藝者亦可理解，在不悖離後附申請專利範圍所界定之範疇下針對本發明所進行之各種變化、替換或修改係落入本發明之一部分。

Claims

一種製造一半導體元件之方法，包括：使用一溶劑以沖洗一晶圓，其中，該晶圓因該溶劑沖洗致增加疏水性；在以該溶劑沖洗該晶圓後，形成一含金屬材料在該晶圓之上；進行一次或多次微影製程，且至少部份使用此含金屬材料；以及在進行該一次或多次微影製程過程中或之後，移除該含金屬材料，其中，該晶圓疏水性之增加，會促進含金屬材料之移除