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TW201814199A - 發光二極體晶片的製造方法及發光二極體晶片 - Google Patents

發光二極體晶片的製造方法及發光二極體晶片 Download PDF

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TW201814199A
TW201814199A TW106130121A TW106130121A TW201814199A TW 201814199 A TW201814199 A TW 201814199A TW 106130121 A TW106130121 A TW 106130121A TW 106130121 A TW106130121 A TW 106130121A TW 201814199 A TW201814199 A TW 201814199A
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岡村卓
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日商迪思科股份有限公司
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Abstract

[課題]提供一種能夠得到充分的亮度的發光二極體晶片的製造方法及發光二極體晶片。 [解決手段]一種發光二極體晶片的製造方法，其特徵在於具備有晶圓準備步驟、透明基板準備步驟、一體化步驟及分割步驟。該晶圓準備步驟是準備晶圓，該晶圓是在結晶成長用之透明基板上具有積層體層，並於在該積層體層的正面以相互交叉之複數條分割預定線所區劃出之各區域中各自形成有LED電路，該積層體層形成有包含發光層的複數層半導體層；該透明基板準備步驟是準備已於內部形成有複數個氣泡的透明基板；該一體化步驟是將晶圓的背面貼附於該透明基板的正面以形成一體化晶圓；該分割步驟是沿著該分割預定線將該晶圓和該透明基板一起切斷以將該一體化晶圓分割成一個個的發光二極體晶片。

Description

發光二極體晶片的製造方法及發光二極體晶片
發明領域 本發明是有關於一種發光二極體晶片的製造方法及發光二極體晶片。
發明背景 在藍寶石基板、GaN基板、SiC基板等的結晶成長用基板的正面上形成有將n型半導體層、發光層、p型半導體層積層複數層而成的積層體層，並且在此積層體層上藉由交叉的複數條分割預定線所區劃出的區域中形成有複數個LED(發光二極體(Light Emitting Diode))等之發光元件的晶圓，是沿著分割預定線切斷而分割成一個個的發光元件晶片，並且已分割的發光元件晶片是廣泛地應用在手機、個人電腦、照明機器等的各種電氣機器上。
由於從發光元件晶片的發光層射出的光具有各向同性，所以即使被照射到結晶成長用基板的內部也會使光從基板的背面及側面射出。然而，由於已被照射到基板之內部的光之中在與空氣層之間的界面上的入射角為臨界角以上的光會在界面上進行全反射而被封閉在基板內部，並不會有從基板射出到外部之情形，所以會有導致發光元件晶片的亮度降低的問題。
為了解決此問題，在日本專利特開2014-175354號公報中已記載有下述之發光二極體(LED)：為了抑制從發光層射出的光被封閉在基板的內部，而形成為在基板的背面貼附透明構件來謀求亮度的提升。 先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本專利特開2014-175354號公報
發明概要 發明欲解決之課題 然而，在專利文獻1所揭示的發光二極體中，雖然可藉由在基板的背面貼附透明構件而使亮度稍微提升，但是仍有無法得到充分的亮度的問題。
本發明是有鑒於像這樣的點而作成的發明，其目的在於提供一種能夠得到充分的亮度的發光二極體晶片的製造方法及發光二極體晶片。 用以解決課題之手段
依據請求項1記載的發明，可提供一種發光二極體晶片的製造方法，該發光二極體晶片的製造方法之特徵在於具備有： 晶圓準備步驟，準備晶圓，該晶圓是在結晶成長用之透明基板上具有積層體層，並於在該積層體層的正面以相互交叉之複數條分割預定線所區劃出之各區域中各自形成有LED電路，該積層體層形成有包含發光層的複數層半導體層； 透明基板準備步驟，準備已於內部形成有複數個氣泡的透明基板； 一體化步驟，將晶圓的背面貼附於該透明基板的正面以形成一體化晶圓；及 分割步驟，沿著該分割預定線將該晶圓和該透明基板一起切斷以將該一體化晶圓分割成一個個的發光二極體晶片。
較理想的是，該透明基板是以透明陶瓷、光學玻璃、藍寶石、透明樹脂的任一種所形成，並且在該一體化步驟中該透明基板是利用透明接著劑來接著於晶圓。
依據請求項3記載的發明，可提供一種發光二極體晶片，該發光二極體晶片具備：於正面形成有LED電路的發光二極體、及貼附在該發光二極體之背面的透明構件，且在該透明構件的內部形成有複數個氣泡。 發明效果
由於本發明的發光二極體晶片是在貼附於LED的背面之透明構件的內部形成有複數個氣泡，所以除了會使透明構件的表面積增大之外，也會使光在透明構件內複雜地折射，以使被封閉在透明構件內之光減少，而使從透明構件射出之光的量增大並使發光二極體晶片的亮度提升。
用以實施發明之形態 以下，參照圖式詳細地說明本發明的實施形態。參照圖1，所示為光元件晶圓(以下，有時會簡稱為晶圓)11的正面側立體圖。
光元件晶圓11是在藍寶石基板13上積層氮化鎵(GaN)等的晶膜層層(epitaxial layer)(積層體層)15而構成的。光元件晶圓11具有積層有晶膜層15的正面11a、和露出藍寶石基板13的背面11b。
在此，在本實施形態的光元件晶圓11中，雖然是採用藍寶石基板13作為結晶成長用基板，但是也可以採用GaN基板或SiC基板等來替代藍寶石基板13。
積層體層(晶膜層)15是藉由依序使電子成為多數載子(carrier)的n型半導體層(例如n型GaN層)、成為發光層的半導體層(例如InGaN層)、電洞成為多數載子的p型半導體層(例如p型GaN層)進行晶膜生長而形成。
藍寶石基板13具有例如100μm的厚度，且積層體層15具有例如5μm的厚度。於積層體層15上以形成為格子狀的複數條分割預定線17來區劃而形成有複數個LED電路19。晶圓11具有形成有LED電路19的正面11a、和露出了藍寶石基板13的背面11b。
依據本發明實施形態的發光二極體晶片的製造方法，首先會實施準備如圖1所示的光元件晶圓11的晶圓準備步驟。此外，還實施準備已於內部形成有複數個氣泡29之透明基板21的透明基板準備步驟。
實施透明基板準備步驟之後，實施一體化步驟，該一體化步驟是如圖2(A)所示，將透明基板21的正面21a貼附到晶圓11的背面11b。圖2(B)是一體化晶圓的立體圖。
透明基板21是由透明樹脂、光學玻璃、藍寶石、透明陶瓷的任一種所形成。在本實施形態中，是由比光學玻璃更有耐久性之聚碳酸酯、丙烯酸樹脂等之透明樹脂來形成透明基板。
實施一體化步驟後，實施支撐步驟，該支撐步驟是如圖3所示，將一體化晶圓25的透明基板21貼附到外周部已貼附於環狀框架F上之切割膠帶T來形成框架單元，以透過切割膠帶T以環狀框架F支撐一體化晶圓25。
實施支撐步驟之後，實施分割步驟，該分割步驟是將框架單元投入切削裝置，並且利用切削裝置來將一體化晶圓25切削並分割成一個個的發光二極體晶片。參照圖4來說明此分割步驟。
此分割步驟是使用例如已廣為周知的切削裝置來實施。如圖4所示，切削裝置的切削單元10包含有主軸殼體12、可旋轉地插入主軸殼體12中的圖未示的主軸、和裝設在主軸的前端的切削刀14。
切削刀14的切割刃是以例如用鍍鎳方式來將鑽石磨粒固定而成的電鑄磨石所形成，且其前端形狀是做成三角形、四角形、或半圓形。
切削刀14的大致上半部分是以刀片罩(blade cover)(輪罩(wheel cover))16來覆蓋，在刀片罩16上配設有於切削刀14的裏側及近前側水平地伸長的一對(圖中僅顯示1條)冷卻噴嘴18。
在分割步驟中，是隔著框架單元的切割膠帶T而在切削裝置的工作夾台20上吸引保持一體化晶圓25，而環狀框架F則是以圖未示的夾具夾持來固定。
然後，一邊使切削刀14朝箭頭R方向高速旋轉一邊切入晶圓11的分割預定線17直到切削刀14的前端到達切割膠帶T為止，並且從冷卻噴嘴18朝向切削刀14及晶圓11的加工點供給著切削液來將一體化晶圓25朝箭頭X1方向加工進給，藉此形成沿著晶圓11的分割預定線17切斷晶圓11及透明基板21的切斷溝27。
將切削單元10在Y軸方向上分度進給，並且沿著朝第1方向伸長的分割預定線17逐次地形成同樣的切斷溝27。其次，將工作夾台20旋轉90°之後，沿著於與第1方向正交的第2方向上伸長之全部的分割預定線17形成同樣的切斷溝27，以形成圖5所示之狀態，藉此將一體化晶圓25分割成如圖6所示的發光二極體晶片31。
在上述之實施形態中，雖然是將切削裝置使用在將一體化晶圓25分割成一個個的發光二極體晶片31上，但是也可以作成：將對晶圓11及透明基板21具有穿透性之波長的雷射光束沿著分割預定線13朝晶圓11照射，並且在晶圓11及透明基板21的內部於厚度方向上形成複數層的改質層，接著，對一體化晶圓25賦與外力，來以改質層為分割起點將一體化晶圓25分割成一個個的發光二極體晶片31。
圖6所示的發光二極體晶片31是在正面具有LED電路19之LED13A的背面貼附有透明構件21A。此外，在透明構件21A的內部形成有複數個氣泡29。
因此，在圖6所示之發光二極體晶片31上，除了會使透明構件的表面積增大之外，也會使光在透明構件內複雜地折射，以使被封閉在透明構件內之光減少，而使從透明構件21A射出之光的量增大，並使發光二極體晶片31的亮度提升。
10‧‧‧切削單元
11‧‧‧光元件晶圓(晶圓)
11a、21a‧‧‧正面
11b‧‧‧背面
12‧‧‧主軸殼體
13‧‧‧藍寶石基板
13A‧‧‧LED
14‧‧‧切削刀
15‧‧‧積層體層
16‧‧‧刀片罩
17‧‧‧分割預定線
18‧‧‧冷卻噴嘴
19‧‧‧LED電路
20‧‧‧工作夾台
21‧‧‧透明基板
21A‧‧‧透明構件
24‧‧‧聚光器(雷射頭)
25‧‧‧一體化晶圓
27‧‧‧切斷溝
29‧‧‧氣泡
31‧‧‧發光二極體晶片
R、X1‧‧‧箭頭
T‧‧‧切割膠帶
F‧‧‧環狀框架
X、Y、Z‧‧‧方向
圖1是光元件晶圓的正面側立體圖。 圖2(A)是顯示將具有複數個貫通孔的透明基板之正面貼附在晶圓之背面而進行一體化之一體化步驟的立體圖，圖2(B)是一體化晶圓的立體圖。 圖3是顯示透過切割膠帶而將一體化晶圓支撐於環狀框架上的支撐步驟的立體圖。 圖4是顯示將一體化晶圓分割成發光二極體晶片的分割步驟的立體圖。 圖5是分割步驟結束後之一體化晶圓的立體圖。 圖6是本發明實施形態之發光二極體晶片的立體圖。

Claims (3)

  1. 一種發光二極體晶片的製造方法，其特徵在於具備有： 晶圓準備步驟，準備晶圓，該晶圓是在結晶成長用之透明基板上具有積層體層，並於在該積層體層的正面以相互交叉之複數條分割預定線所區劃出之各區域中各自形成有LED電路，該積層體層形成有包含發光層的複數層半導體層； 透明基板準備步驟，準備已於內部形成有複數個氣泡的透明基板； 一體化步驟，將晶圓的背面貼附於該透明基板的正面以形成一體化晶圓；及 分割步驟，沿著該分割預定線將該晶圓和該透明基板一起切斷以將該一體化晶圓分割成一個個的發光二極體晶片。
  2. 如請求項1之發光二極體晶片的製造方法，其中該透明基板是以透明陶瓷、光學玻璃、藍寶石、透明樹脂的任一種所形成，並且在該一體化步驟中該透明基板是使用透明接著劑來貼附於該晶圓。
  3. 一種發光二極體晶片，具備： 於正面形成有LED電路的發光二極體、及貼附在該發光二極體之背面的透明構件， 在該透明構件的內部形成有複數個氣泡。
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