TW201803937A

TW201803937A - 樹脂片

Info

Publication number: TW201803937A
Application number: TW106106034A
Authority: TW
Inventors: 高橋昭仁
Original assignee: 住友電木股份有限公司
Priority date: 2016-03-02
Filing date: 2017-02-23
Publication date: 2018-02-01
Also published as: JP6107992B1; KR20180099901A; JP2017157722A; TWI633141B; KR101991378B1; WO2017150231A1

Abstract

本發明之樹脂片為一種使用於阻焊劑且具備載體基材及樹脂層之樹脂片，該樹脂層配置於該載體基材上且由阻焊劑用樹脂組成物構成，樹脂層之膜厚為1μm以上50μm以下，將樹脂層的B階段狀態的基於動態黏彈性試驗之測定範圍50~200℃、升溫速度3℃/min、頻率62.83rad/sec下的複合動態黏度(complex dynamic viscosity)的極小值設為η時，η為100Pa‧s以上3000Pa‧s以下，樹脂層的硬化物於30℃的儲存彈性模數為7GPa以上40GPa以下。

Description

樹脂片

本發明係關於一種樹脂片。

作為與印刷配線板的阻焊劑有關之技術，例如有於專利文獻1記載者。依據專利文獻1，記載有以塗佈並乾燥用於阻焊劑之熱固性樹脂組成物而成之乾膜的形態利用。具體而言，塗佈於載體膜上，使熱固性樹脂組成物中所含之有機溶劑揮發乾燥，藉此獲得上述乾膜。並且，記載有於印刷配線板或撓性印刷配線板等基材上貼付乾膜，剝下載體膜，並將乾膜硬化。

[專利文獻1]日本特開2014-156583號公報

然而，本發明人進行研究後，結果發現：上述文獻記載的用於阻焊劑之乾膜，搬運可靠性存在改善的餘地。

本發明人於用於阻焊劑之樹脂膜，從提高電路基板的產率之觀點而言，著眼於半硬化物(B階段狀態的樹脂膜)與硬化物(硬化後的樹脂膜)的特性平衡，詳細研究後，結果得到了如下見解：

(1)目前，於印刷配線板等電路基板，薄層化不斷發展。伴隨薄層化，電路基板中產生之撓曲亦逐漸明顯化。瞭解若撓曲產生於電路基板，則於安裝程序中，基板的搬運變得困難等搬運可靠性下降。即使採用將基板自身剛性化之手法，撓曲的抑制亦不充分。

(2)對於如此明顯化之基板的撓曲，進行各種研究後，結果發現：提高形成於基板的表面之阻焊劑(樹脂膜的硬化物)的剛性，藉此能夠充分抑制基板的撓曲。雖然詳細的機制尚不明確，但可想到藉由提高形成於基板表面之阻焊劑的剛性，能夠如吊橋結構般地拉起基板，因此產生搬運基板時之提高基板自身的剛性之以上的剛性結構，而能夠抑制基板的撓曲。

(3)對剛性優異之阻焊劑進行了進一步研究後，結果瞭解：對構成該阻焊劑之樹脂層進行硬化之前，將該種樹脂層埋入基板表面的配線時，於為B階段狀態(半硬化物)之樹脂層會產生樹脂流動。

基於此種見解進行研究後，結果發現：藉由將於30℃的儲存彈性模數設為指標，可對搬運基板時之可抑制撓曲的剛性進行評價。

又，對樹脂層之B階段狀態之特性進行了深入研究後，結果發現：將於測量範圍50~200℃之複合動態黏度(complex dynamic viscosity)的極小值設為指標，藉此於將樹脂層埋入形成於基板表面之配線時，可對該樹脂層流出至基板的外部之樹脂穩定地進行評價。本發明人基於以上見解進行潛心研究後，結果發現：對於用於阻焊劑之樹脂膜，將於30℃的儲存彈性模數設為規定值以上，將且將複合動態黏度的極小值設為規定值以上，藉此可提高未流出至基板的外部而殘留之阻焊劑的剛性，因此可實現可充分抑制搬運基板時之基板的撓曲之剛性結構，可提高搬運可靠性，從而完成本發明。

依據本發明，提供一種樹脂片，其使用於阻焊劑，該樹脂片具備載體基材與樹脂層，該樹脂層配置於該載體基材上，由阻焊劑用樹脂組成物構成，該樹脂層之膜厚為1μm以上50μm以下，前述樹脂層的B階段狀態的基於動態黏彈性試驗之測量範圍50~200℃、升溫速度3℃/min、頻率62.83rad/sec下的複合動態黏度的極小值設為η時，η為100Pa‧s以上3000Pa‧s以下，該樹脂層之硬化物於30℃的儲存彈性模數為7GPa以上40GPa以下。

依據本發明，可提供一種樹脂片，其使用於搬運可靠性優異之阻焊劑。

10‧‧‧阻焊劑

20‧‧‧電路基板

22‧‧‧基板

24‧‧‧導電體圖案

28‧‧‧開口部

30‧‧‧焊球

40‧‧‧密封樹脂層

50‧‧‧接合線

60‧‧‧半導體元件

62‧‧‧晶粒結著材

242‧‧‧線路

244‧‧‧凸墊

246‧‧‧鍍覆膜

上述之目的及其他目的、特徵及優點，根據以下敘述之較佳的實施形態及從屬於其之以下附圖，變得更加明確。

圖1係表示實施形態中的電路基板結構例之示意圖。

圖2係表示實施形態之半導體封裝體結構一例之剖面示意圖。

以下使用附圖對本發明的實施形態進行說明。再者，於所有附圖，對相同的構成要件賦予相同的符號並適當地省略說明。

對本實施形態之樹脂片的概要進行說明。

本實施形態的樹脂片具備載體基材與樹脂層，該樹脂層配置於載體基材上，由阻焊劑用樹脂組成物構成。該樹脂片使用於阻焊劑。

又，本實施形態的樹脂片滿足如下條件：

‧樹脂層之膜厚為1μm以上50μm以下。

‧將樹脂層的B階段狀態的基於動態黏彈性試驗之測量範圍50~200℃、升溫速度3℃/min、頻率62.83rad/sec下的複合動態黏度的極小值設為η時，η為100Pa‧s以上3000Pa‧s以下。

‧樹脂層的硬化物於30℃的儲存彈性模數為7GPa以上40GPa以下。

本實施形態的樹脂層，如由上述膜厚規定般為薄層，且如由上述硬化物於30℃的儲存彈性模數規定般具有高剛性。此種樹脂層可作為薄層化基板或無芯結構的基板的阻焊劑較佳地利用。

在此，本發明人進行研究後瞭解：於將電路基板(基板及阻焊劑的總計膜厚)的總膜厚設為例如100μm以下之薄層的情況下，薄層化基板的單體強度會變得不足夠。具體而言，形成於基板表面之銅配線等配線會重疊，因此即使提高基板單體的剛性，亦無法充分抑制基板的撓曲。

相對於此，於基板的表面形成具有高剛性之阻焊劑(本實施形態的樹脂層的硬化物)，藉此可抑制前述基板的撓曲。雖然詳細的機制尚不明確，但認為是高剛性的阻焊劑以覆蓋配線之方式形成於整體，因此可如吊橋結構般地拉起因配線的重量而撓曲之基板，可產生提高基板單體剛性之以上的剛性結構。

又，B階段狀態的樹脂層具有流動性，該流動性係被基於動態黏彈性試驗而得之複合動態黏度的極小值規定。於本實施形態，將複合動態黏度的極小值設為上述下限值以上，藉此而可將B階段狀態的樹脂層形成於基板的表面後，抑制該樹脂層的樹脂流動。

於構成本實施形態的樹脂片之樹脂層，提高其硬化物的剛性，且適當地控制半硬化物(B階段狀態的樹脂層)中的流動性，藉此可獲得搬運可靠性優異之樹脂層。亦即，藉由使用本實施形態的樹脂片，可提高從將阻焊劑形成於電路基板之步驟至將電子零件安裝於電路基板步驟的製造穩定性，因此可提高電子裝置的整個製造步驟的產率。

〔阻焊劑用樹脂組成物〕

以下對使用於本實施形態的樹脂層之阻焊劑用樹脂組成物進行說明。

本實施形態的阻焊劑用樹脂組成物為清漆狀樹脂組成物。藉由將該阻焊劑用樹脂組成物設為薄膜狀，可獲得本實施形態的樹脂層。藉由使該種樹脂層硬化，可獲得阻焊劑。

本實施形態的阻焊劑用樹脂組成物可使用含有熱固性樹脂之熱固性樹脂組成物。作為該熱固性樹脂，並無特別限定，但例如可列舉：酚醛樹脂、具有苯并

環之樹脂、環氧樹脂、丙烯酸樹脂、三聚氰胺樹脂、不飽和聚酯樹脂、馬來亞醯胺樹脂、聚胺酯樹脂、二烯丙基鄰苯二甲酸酯樹脂、聚矽氧樹脂、氰酸酯樹脂(cyanate resin)、具有甲基丙烯醯基之樹脂等。例如熱固性樹脂可以是於室溫(25℃)為液態之液態樹脂。此等可使用一種或組合兩種以上使用。於本實施形態，熱固性樹脂含有較佳環氧樹脂。

(環氧樹脂(A))

本實施形態之環氧樹脂(A)例如可含有選自下列一種或二種以上：雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚E型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、雙酚M型環氧樹脂(4,4’-(1,3-伸苯基二異亞丙基)雙酚型環氧樹脂)、雙酚P型環氧樹脂(4,4’-(1,4-伸苯基二異亞丙基)雙酚型環氧樹脂)、雙酚Z型環氧樹脂(4,4’-環己二烯雙酚型環氧樹脂)等雙酚型環氧樹脂；苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、四苯酚基乙烷型酚醛清漆型環氧樹脂、具有稠環芳香族烴結構之酚醛清漆型環氧樹脂等酚醛清漆型環氧樹脂；聯苯型環氧樹脂；伸茬基型環氧樹脂、聯苯芳烷基型環氧樹脂等芳烷基型環氧樹脂；伸萘醚型環氧樹脂、萘酚型環氧樹脂、萘二酚型環氧樹脂、2官能或4官能環氧型萘樹脂、聯萘型環氧樹脂、萘芳烷基型環氧樹脂、萘變性甲酚酚醛清漆型環氧樹脂等具有萘骨架之環氧樹脂；蒽型環氧樹脂；苯氧基型環氧樹脂；二環戊二烯型環氧樹脂；降莰烯烯型環氧樹脂；金剛烷型環氧樹脂；茀型環氧樹脂等。於此等中，從提高阻焊劑的埋入性或表面平滑性之觀點而言，更佳含有具有萘骨架之環氧樹脂。藉此，亦可實現阻焊劑的低線膨脹化及高彈性模數化。又，亦可提高電路基板的剛性而有助於作業性的提高、實現半導體封裝體中的耐回流性的提高及彎曲的抑制。再者，從提高阻焊劑的埋入性觀點而言，特佳含有具有3官能以上的萘骨架之環氧樹脂。

於本實施形態，作為較佳形態的一例可舉含有以下通式(1)所示之環氧樹脂作為環氧樹脂(A)。

(式(1)中，n為0~10的整數，R₁及R₂相互獨立為氫原子、碳數1~6的烷基或碳數1~6的烷氧基)

於本實施形態，環氧樹脂(A)的含量例如相對於阻焊劑用樹脂組成物的整體為3重量%以上為較佳，5重量%以上為更佳。將環氧樹脂(A)的含量設為上述下限值以上，藉此可有助於使用阻焊劑用樹脂組成物而形成之阻焊劑的埋入性或平滑性的提高。另一方面，環氧樹脂(A)的含量，例如相對於阻焊劑用樹脂組成物的整體為40重量%以下為較佳，35重量%以下為更佳。將環氧樹脂(A)的含量設為上述上限值以下，藉此可實現使用阻焊劑用樹脂組成物而形成之阻焊劑的耐熱性或耐濕性的提高。再者，阻焊劑用樹脂組成物的整體，係指去除阻焊劑用樹脂組成物中所含之溶劑的成分整體。以下，於本說明書皆相同。

(填充材料(B))

本實施形態的阻焊劑用樹脂組成物亦可進一步含有填充材料。亦即，阻焊劑用樹脂組成物可含有熱固性樹脂與填充材料。

作為本實施形態之填充材料，可使用無機填充材料。作為上述無機填充劑，雖無特別限定，但是例如可列舉：滑石、燒製黏土、未燒製黏土、雲母、玻璃等矽酸鹽；氧化鈦、氧化鋁、水鋁石、二氧化矽、熔融二氧化矽等氧化物；碳酸鈣、碳酸鎂、水滑石等碳酸鹽；氫氧化鋁、氫氧化鎂、氫氧化鈣等氫氧化物；硫酸鋇、硫酸鈣、亞硫酸鈣等硫酸鹽或亜硫酸鹽；硼酸鋅、偏硼酸鋇、硼酸鋁、硼酸鈣、硼酸鈉等硼酸鹽；氮化鋁、氮化硼、氮化矽、氮化碳等氮化物；鈦酸鍶、鈦酸鋇等鈦酸鹽等。於此等中，滑石、氧化鋁、玻璃、二氧化矽、雲母、氫氧化鋁、氫氧化鎂為較佳。

本實施形態之二氧化矽，雖無特別限定，但是可以含有例如球狀二氧化矽及破碎二氧化矽之中的至少一者。從提高阻焊劑的埋入性或表面平滑性之觀點而言，更佳含有球狀二氧化矽。又，二氧化矽例如亦可為熔融球狀二氧化矽。

上述填充材料之平均粒徑D₅₀的下限值，雖無特別限定，但較佳為0.01μm以上，更佳為0.05μm以上。上述填充材料之平均粒徑D₅₀的上限值，雖無特別限定，但較佳為5.0μm以下，更佳為2.0μm以下，再更佳為1.0μm以下。藉此，可提高流動性與機械強度的平衡。

作為上述二氧化矽，雖平均粒徑D₅₀係無特別限定，但例如可以使用平均粒徑D₅₀為2nm以上100nm以下之微粒二氧化矽。藉此，可更有效地提高阻焊劑的埋入性或表面平滑性。於本實施形態，作為於提高埋入性或表面平滑性方面較佳態樣的一例，可舉於阻焊劑用樹脂組成物中同時含有平均粒徑D₅₀為2nm以上100nm以下之微粒二氧化矽及平均粒徑D₅₀超過100nm的二氧化矽。

上述填充材料的平均粒徑D₅₀，例如可使用雷射繞射式粒徑分布測量裝置(HORIBA公司製，LA-500)測量。於本實施形態，填充材料可以含有一種或兩種以上。

又，製備阻焊劑用樹脂組成物時，作為二氧化矽，例如使用二氧化矽濃度為10重量%以上90重量%以下之二氧化矽原料為更佳。從提高電路基板的機械強度之觀點而言，例如使用二氧化矽濃度為50重量%以上90重量%以下之二氧化矽原料為特佳。又，從抑制電路基板的撓曲或提高電子裝置的吸濕可靠性之觀點而言，例如併用二氧化矽濃度為50重量%以上90重量%以下之二氧化矽原料與二氧化矽濃度為10重量%以上且低於50重量%之二氧化矽原料為特佳。

上述填充材料的含量，例如相對於阻焊劑用樹脂組成物的整體，較佳為30重量%以上，更佳為50重量%以上。藉由將填充材料的含量設為上述下限值以上，可有效地提高使用阻焊劑用樹脂組成物而獲得之阻焊劑的耐熱性或耐濕性。又，還可使阻焊劑低線膨脹化及高彈性模數化，而有助於降低電路基板的撓曲或藉由該電路基板獲得之半導體封裝體的彎曲。另一方面，上述填充材料的含量，例如相對於阻焊劑用樹脂組成物的整體，較佳為90重量%以下，更佳為85重量%以下。藉由將填充材料的含量設為上述上限值以下，可更有效地提高阻焊劑的埋入性。

(氰酸酯樹脂(C))

本實施形態的阻焊劑用樹脂組成物可進一步含有氰酸酯樹脂(C)。藉此，對於阻焊劑，可實現低線膨脹化或彈性模數及剛性的提高。又，亦可有助於提高所獲得之電子裝置的耐熱性或耐濕性。

本實施形態之氰酸酯樹脂(C)為於分子內具有氰酸酯基(-O-CN)之樹脂，可使用於分子內具有兩個以上之氰酸酯基的樹脂。作為上述氰酸酯樹脂(C)，雖無特別限定，但例如可列舉：雙環戊二烯型氰酸酯樹脂、苯酚酚醛清漆型氰酸酯樹脂、酚醛清漆型氰酸酯樹脂、雙酚A型氰酸酯樹脂、雙酚E型氰酸酯樹脂、四甲基雙酚F型氰酸酯樹脂等雙酚型氰酸酯樹脂及萘酚芳烷基型氰酸酯樹脂等。

又，上述氰酸酯樹脂(C)，雖無特別限定，但例如可使鹵化氰化合物與酚類或萘酚類反應而獲得。作為此種氰酸酯樹脂，例如可列舉：藉由苯酚酚醛清漆型多元酚類與鹵化氰的反應而獲得之氰酸酯樹脂、經甲酚酚醛清漆型多元酚類與鹵化氰的反應而獲得之氰酸酯樹脂及透過萘酚芳烷基型多元萘酚類與鹵化氰的反應而獲得之氰酸酯樹脂等。上述氰酸酯樹脂亦可使用一種或組合兩種以上。

於此等中，從阻焊劑的低線膨脹化或提高彈性模數及剛性之觀點而言，更佳含有苯酚酚醛清漆型氰酸酯樹脂、雙環戊二烯型氰酸酯樹脂或萘酚芳烷基型氰酸酯樹脂，特佳含有苯酚酚醛清漆型氰酸酯樹脂。

上述氰酸酯樹脂(C)的含量，例如相對於阻焊劑用樹脂組成物的整體，較佳為3重量%以上，更佳為5重量%以上。藉由將氰酸酯樹脂(C)的含量設為上述下限值以上，可實現使用阻焊劑用樹脂組成物而形成之阻焊劑的更有效的低線膨脹化、高彈性模數化。又，可有助於埋入性或平滑性的提高。另一方面，氰酸酯樹脂(C)的含量，例如相對於阻焊劑用樹脂組成物的整體，較佳為40重量%以下，更佳為35重量%以下。藉由將氰酸酯樹脂(C)的含量設為上述上限值以下，可實現使用阻焊劑用樹脂組成物形成之阻焊劑的耐熱性或耐濕性的提高。

(硬化促進劑(D))

本實施形態的阻焊劑用樹脂組成物例如可進一步含有硬化促進劑(D)。藉此，可提高阻焊劑用樹脂組成物的硬化性。

作為本實施形態之硬化促進劑(D)，可使用促進環氧樹脂(A)的硬化反應者，其種類無特別限定。作為本實施形態的硬化促進劑(D)，雖無特別限定，但例如可含有選自下述的一種或兩種以上：環烷酸鋅、環烷酸鈷、辛酸錫、辛酸鈷、辛酸鋅、雙(乙醯丙酮)鈷(II)、三(乙醯丙酮)鈷(III)等有機金屬鹽，三乙胺、三丁胺、二氮雜雙環〔2.2.2〕辛烷等三級胺類，如四苯鏻-四苯硼酸鹽(TPP-K)、四苯鏻-四(4-甲基苯基)硼酸鹽(TPP-MK)、四苯鏻的雙(萘-2,3-二氧基)苯基矽酸鹽加成物之四級鏻系化合物，2-苯基-4-甲基咪唑、2-乙基-4-乙基咪唑、2-苯基-4-乙基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羥基咪唑、2-苯基-4,5-二羥基咪唑等咪唑類，苯酚、雙酚A、壬基酚等苯酚化合物、醋酸、安息香酸、水楊酸、對甲苯磺酸等有機酸及鎓鹽化合物。於此等中，從更有效地提高硬化性之觀點而言，更佳含有鎓鹽化合物。

使用作為上述硬化促進劑(D)之鎓鹽化合物，雖無特別限定，但例如可使用由下述通式(2)表示的化合物。

(式(2)中，P表示磷原子，R³、R⁴、R⁵及R⁶分別表示具有取代或未取代的芳香環或雜環之有機基，或取代或未取代的脂肪族基，可以相互相同，亦可以相互不同。A^-表示於分子內具有至少一個以上可向分子外排出之質子之n(n

1)價質子施體的陰離子，或其錯陰離子)

上述硬化促進劑(D)的含量，例如相對於阻焊劑用樹脂組成物的整體，較佳為0.1重量%以上，更佳為0.3重量%以上。藉由將硬化促進劑(D)的含量設為上述下限值以上，可更有效地提高阻焊劑用樹脂組成物的硬化性。另一方面，硬化促進劑(D)的含量，例如相對於阻焊劑用樹脂組成物的整體，較佳為10重量%以下，更佳為5重量%以下。藉由將硬化促進劑(D)的含量設為上述上限值以下，可提高阻焊劑用樹脂組成物的保存性。

(著色劑(E))

本實施形態的阻焊劑用樹脂組成物例如可進一步含有著色劑(E)。本實施形態的著色劑(E)例如含有選自綠、紅、藍、黃及黑等染料、顏料及色素中之一種或兩種以上。於此等中，從提高開口部的辨識性等之觀點而言，可含有綠色著色劑，但亦可含有綠色染料。作為該綠色著色劑，例如可含有蒽醌系、酞青素系及苝系等公知的著色劑一種或兩種以上。

關於上述黑色染料，例如可列舉：偶氮系等金屬錯鹽黑色染料，或蒽醌系化合物等有機黑色染料等。作為該黑色染料，並無特別限定，但例如可列舉：Kayaset Black A-N(日本化藥公司製)、Kayaset Black G(日本化藥公司製)等。於本實施形態，亦可使用一種或兩種以上之黑色顏料。

上述黑色染料含量的下限值，相對於阻焊劑用樹脂組成物的整體，較佳為0.01重量%以上，更佳為0.05重量%以上，特佳為0.07重量%以上。可提高阻焊劑的YAG雷射等的雷射的刻印性。上述黑色染料的含量的上限值相對於阻焊劑用樹脂組成物的整體，較佳為1.0重量%以下，更佳為0.9重量%以下，再更佳為0.8重量%以下。藉此，可實現經除黑色以外之著色的阻焊劑。

上述著色劑(E)之含量的總量，例如相對於阻焊劑用樹脂組成物的整體，較佳為0.05重量%以上，更佳為0.1重量%以上。藉由將著色劑(E)的含量設為上述下限值以上，可更有效地提高使用阻焊劑用樹脂組成物而獲得之阻焊劑的開口部的辨識性或隱蔽性。另一方面，著色劑(E) 之含量的總量，例如相對於阻焊劑用樹脂組成物的整體，較佳為5重量%以下，更佳為3重量%以下。藉由將著色劑(E)的含量設為上述上限值以下，可更有效地提高阻焊劑用樹脂組成物的硬化性等。

(其他成分(F))

於本實施形態的阻焊劑用樹脂組成物，除了上述各成分以外，亦可根據需要添加選自偶合劑、均染劑、硬化劑、光敏劑、消泡劑、紫外線吸收劑、發泡劑、抗氧化劑、阻燃劑及離子捕捉劑等中之一種或兩種以上的添加物。

作為上述偶合劑，例如可列舉：環氧矽烷偶合劑、陽離子矽烷偶合劑、胺基矽烷偶合劑等矽烷偶合劑、鈦酸酯系偶合劑及聚矽氧油型偶合劑等。上述偶合劑的含量，雖無特別限定，但例如相對於阻焊劑用樹脂組成物的整體，可設為0.05重量%以上5重量%以下，亦可進一步設為0.2重量%以上3重量%以下。

作為上述均染劑，可舉丙烯酸系共聚物等。

作為上述硬化劑例如可例舉：苯酚酚醛清漆樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、芳基亞烷基(arylalkylene)型酚醛清漆樹脂等酚醛樹脂等。上述硬化劑的含量，雖無特別限定，但例如相對於阻焊劑用樹脂組成物的整體，可設為0.05重量%以上10重量%以下，亦可進一步設為0.2重量%以上5重量%以下。作為上述光敏劑例如可舉感光性重氮醌化合物。

再者，本實施形態之阻焊劑用樹脂組成物，例如可製成不含玻璃纖維基材等纖維基材或紙基材者。藉此，可實現特別適合用以形成阻焊劑之阻焊劑用樹脂組成物。

〔樹脂片〕

本實施形態之樹脂片可具備載體基材與形成於載體基材上之樹脂層。本實施形態的樹脂層為B階段狀態，由上述阻焊劑用樹脂組成物的乾燥膜構成。於本實施形態的樹脂片可為片狀(枚葉狀)，亦可為可捲曲之輥形狀。

於本實施形態，作為使阻焊劑用樹脂組成物形成於載體基材之方法，雖無特別限定，但例如可舉如下方法等：使阻焊劑用樹脂組成物溶解並分散於溶劑等而製備樹脂清漆，使用各種塗佈裝置將樹脂清漆塗佈於載體基材之後，將其乾燥之方法、使用噴霧裝置將樹脂清漆噴霧塗佈於載體基材之後，將其乾燥。其中，較佳為下述方法：使用缺角輪塗布機(comma coater)、模塗機(die coater)等各種塗佈裝置將樹脂清漆塗佈於載體基材之後，將其乾燥。藉此，可效率良好地製造無空隙且具有均勻的樹脂層的厚度之樹脂片。

本實施形態的樹脂清漆為含有溶劑之阻焊劑用樹脂組成物。

於上述樹脂清漆，阻焊劑用樹脂組成物的固體成分含量，例如較佳為30重量%以上80重量%以下，更佳為40重量%以上70重量%以下。藉此，可獲得作業性或成膜性非常優異之阻焊劑用樹脂組成物。再者，清漆狀阻焊劑用樹脂組成物例如可使用超聲波分散方式、高壓衝突式分散方式、高速旋轉分散方式、珠磨方式、高速剪切分散方式及自轉公轉式分散方式等各種混合機將上述各成分於溶劑中溶解、混合、攪拌，藉由進行製備。

(溶劑)

作為本實施形態的溶劑，例如可含有選自丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、甲苯、乙酸乙酯、環己烷、庚烷、環己酮、四氫呋喃、二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、二甲亞碸、乙二醇、賽珞蘇系、卡必醇系、大茴香醚及N-甲基吡咯啶酮等有機溶劑中的一種或兩種以上。

以上述方式，可獲得將B階段狀態(半硬化狀態)的樹脂層形成於載體基材上之樹脂片。

於本實施形態，樹脂層的半硬化狀態(B階段狀態)係指利用DSC(示差掃描熱量分析儀)測量未硬化的樹脂層與硬化後的樹脂層，由DSC之測量結果計算出的反應率超過0%且為60%以下，較佳為0.5%以上55%以下，更佳為1%以上50%以下的狀態。藉此，可提高樹脂層的處理性。

又，於B階段狀態的樹脂層的溶劑含量相對於阻焊劑用樹脂組成物整體能夠定義為5重量%以下。為了設在上述溶劑含量的範圍內，對於阻焊劑用樹脂組成物，例如可在100℃~150℃、1分鐘~5分鐘的條件下進行溶劑除去處理。藉此，可抑制熱固性樹脂膜之硬化的進行，且同時充分地去除溶劑。

另一方面，本實施形態之樹脂層的硬化物之硬化狀態(C階段狀態)係指如上述般，由DSC之測量結果計算出的反應率大於75%，更佳為85%以上，再更佳為95%以上的狀態。藉此，可提高樹脂層之硬化物的剛性。

於本實施形態，可藉由熱處理將上述樹脂層硬化。作為本實施形態之硬化溫度的下限值，雖無特別限定，但例如較佳為190℃以上，更佳為200℃以上，再更佳為210℃以上。作為上述硬化溫度的上限值，雖無特別限定，但例如可設為260℃以下，可以為240℃以下，亦可以為220℃ 以下。藉由利用本實施形態之阻焊劑用樹脂組成物，即使於高溫硬化溫度條件下，由於耐熱性優異，因此亦能夠獲得製造穩定性優異之阻焊劑。

又，於本實施形態，作為載體基材，例如可使用高分子膜或金屬箔等。作為上述高分子膜，並無特別限定，但例如可例舉：聚乙烯、聚丙烯等聚烯烴、聚對酞酸乙二酯、聚對酞酸丁二酯等聚酯、聚碳酸酯、聚矽氧片等離型紙、氟系樹脂、聚醯亞胺樹脂等具有耐熱性之熱塑性樹脂片等。作為上述金屬箔，雖無特別限定，但例如可例舉：銅及/或銅系合金、鋁及/或鋁系合金、鐵及/或鐵系合金、銀及/或銀系合金、金及金系合金、鋅及鋅系合金、鎳及鎳系合金、錫及錫系合金等。其中，因由聚對酞酸乙二酯構成之片價格便宜且剝離強度的調節簡便，故最佳。藉此，自上述樹脂片以適當的強度剝離變得容易。

關於上述載體基材的厚度，雖無特別限定，但例如可設為10μm以上100μm以下，亦可設為10μm以上70μm以下。藉此，製造樹脂片時的操作性良好而較佳。

本實施形態之樹脂層可為單層亦可為多層，可含有一種或兩種以上上述膜。在該樹脂片為多層的情況下、可以由相同種類構成，亦可由不同種類構成。

於本實施形態，形成兩層以上之樹脂層的方法並無特別限定，例如將阻焊劑用樹脂組成物塗佈於載體基材而獲得之第一樹脂層及第二樹脂層貼合，之後使其乾燥，藉此獲得兩層樹脂層。除此之外，還可舉如下方法：將阻焊劑用樹脂組成物塗佈於載體基材，使其乾燥，藉此獲得第一樹脂層，此後，於第一樹脂層上塗佈阻焊劑用樹脂組成物，使其乾燥，藉此將第二樹脂層形成於第一樹脂層上。再者，亦可使用下述方法：兩層同時地塗佈於載體基材上，使其乾燥，藉此獲得兩層樹脂層。

以下、對本實施形態之樹脂層的特性進行說明。

本實施形態的樹脂層之膜厚的下限值，並無特別限定，例如為1μm以上，較佳為5μm以上，更佳為10μm以上。藉此，可設為製造穩定性或機械強度優異的樹脂層。又，樹脂層之膜厚的上限值例如為50μm以下，較佳為40μm以下，更佳為30μm以下。藉此，可將電路基板之整體的厚度薄層化。

將本實施形態的樹脂層的B階段狀態的基於動態黏彈性試驗之測量範圍50~200℃、升溫速度3℃/min、頻率62.83rad/sec下的複合動態黏度的極小值設為η。

於本實施形態，上述η的下限值例如為100Pa‧s以上，較佳為150Pa‧s以上為，更佳為200Pa‧s以上。藉此，可抑制將樹脂層貼付於基板後的樹脂流動，因此可實現處理性的提高。又，上述η的上限值，並無特別限定，例如為3000Pa‧s以下，較佳為2500Pa‧s以下，更佳為2000Pa‧s以下。藉此，可提高樹脂層的埋入性。亦即，可輕易埋入形成於基板表面之配線，可穩定地獲得基板與樹脂層的密接性。再者，可實現處理性的提高。

於本實施形態，複合動態黏度可如下地測量。例如，切取樹脂片的樹脂層作為測量試樣，使用動態黏彈性測量裝置(Anton Paar公司.製，裝置名Physica MCR-301)，在下述條件下進行複合動態黏度η的測量。

頻率：62.83rad/sec

測量溫度：50~200℃、升溫速度3℃/min

幾何形狀：平行板

板直徑：10mm

負載(正向力)：0N(恆定)

應變：0.3%

測量環境：空氣

又，關於本實施形態的樹脂層之B階段狀態之樹脂流動量的下限值，並無特別限定，例如為5重量%以上，或為8重量%以上，或亦可為10重量%以上。藉此，可提高電路基板於製造時的產率。又，上述樹脂流動量的上限值例如未達70重量%，較佳為65重量%以下，更佳為60重量%以下為更佳，進一步較佳為50重量%以下。藉此，於基板與樹脂層的貼付步驟，可抑制樹脂層流出至基板的外部，可提高處理性。

於本實施形態，上述樹脂流動量能夠以下述測量條件測量：

‧以試樣尺寸113mm φ對每個基材進行衝壓

‧以帶有基材的狀態重疊4片(W0)

‧在溫度171±3℃、壓力750±50kPa的條件進行加熱加壓

‧測量經去除超出113mm φ之樹脂的重量(W1)

(W0-W1)/(W0-基材重量)×100

於本實施形態，以200℃、1小時進行熱處理而獲得之上述樹脂層的硬化物於30℃之儲存彈性模數的下限值例如為7GPa以上，較佳為10GPa以上，更佳為13GPa以上，再更佳為14GPa以上。藉此，可充分地抑制具備由本實施形態之樹脂層的硬化物構成的阻焊劑之電路基板的撓曲。因此，可抑制因電路基板撓曲而使得配置於樹脂層上之基板產生位置偏移的現象。再者，可抑制起因於基板的撓曲而在製程中於基板產生裂紋或發生搬運中的鉤掛。又，可實現具備該電路基板之半導體封裝體(電子裝置)的彎曲抑制等。上述硬化物於30℃之儲存彈性模數的上限值，並無特別限定，例如可設為40GPa以下，或可設為30GPa以下，亦可設為20GPa以下。藉此可實現搬運可靠性及處理性的平衡。

於本實施形態，以200℃、1小時進行熱處理而獲得之上述樹脂層的硬化物於260℃之儲存彈性模數的下限值例如為0.2GPa以上，較佳為0.5GPa以上，更佳為1.5GPa以上，再更佳為2.0GPa以上。藉此，於熱時間步驟，可充分地抑制具備由本實施形態之樹脂層的硬化物構成的阻焊劑之電路基板的撓曲。又，可實現具備此電路基板之半導體封裝體(電子裝置)的彎曲抑制等。上述硬化物於260℃之儲存彈性模數，並無特別限定，但例如可設為10GPa以下，或可設為8GPa以下，亦可設為6GPa以下。可實現搬運可靠性及處理性的平衡。

又，於本實施形態，玻璃轉移溫度以上之儲存彈性模數相對於未達玻璃轉移溫度之儲存彈性模數的儲存彈性模數比可如下表示。

儲存彈性模數比=於30℃之儲存彈性模數/(於260℃之儲存彈性模數×10)

本實施形態之儲存彈性模數比的上限值例如可設為5.0以下，更佳亦可設為0.90以下，特佳亦可設為0.8以下，最佳亦可設為0.7以下。藉此，即使處於重複地施加熱歷程之使用環境下，亦可充分地抑制具備由本實施形態之樹脂層的硬化物構成的阻焊劑之電路基板的撓曲。又，關於上述儲存彈性模數比的下限值，並無特別限定，例如可以設為0.1以上，或可設為0.3以上，亦可設為0.4以上。藉此，可實現搬運可靠性及處理性的平衡。

於本實施形態，以200℃、1小時進行熱處理熱而獲得之上述樹脂層的硬化物之玻璃轉移溫度的下限值例如為160℃以上，更佳為180℃以上，進一步較佳為190℃以上。藉此，可實現樹脂層的耐熱性及耐回流性的提高等。又，關於上述樹脂層的硬化物之玻璃轉移溫度的上限值，並無特別限定，例如可設為350℃以下。

於本實施形態，關於上述儲存彈性模數及上述玻璃轉移溫度，例如可由如下方式所獲得之測量結果計算出：使用動態黏彈性測量裝置，在頻率1Hz、升溫速度5℃/分鐘的條件下進行動態黏彈性試驗。作為動態黏彈性測量装置，並無特別限定，例如可使用精工電子公司製之DMS6100。

於本實施形態，以200℃、1小時進行熱處理而獲得之上述樹脂層的硬化物其未達玻璃轉移溫度之線膨脹係數的下限值，並無特別限定，例如可為1ppm/℃以上，亦可為5ppm/℃以上，或亦可為10ppm/℃以上。藉此可穩定地實現可製造耐久性優異的半導體封裝體之電路基板。上述樹脂層的硬化物其未達玻璃轉移溫度之線膨脹係數的上限值例如為35ppm/℃以下，較佳為30ppm/℃以下，更佳為25ppm/℃以下。藉此，可實現具備由上述樹脂層構成的阻焊劑之半導體封裝體的彎曲抑制等。

於本實施形態，例如可計算藉由使用TMA(熱分析儀)在升溫速度10℃/分鐘的條件下測量而獲得之線膨脹係數於25~50℃的平均，將此設為未達玻璃轉移溫度的上述線膨脹係數。

於本實施形態，以下述條件測量之撓曲量例如未達35mm，較佳為20mm以下，更佳為15mm以下。上述撓曲量係指用以評價本發明人發現之阻焊劑之剛性的指標。亦即，進行各種實驗後，結果瞭解作為上述撓曲量的指標，將撓曲量設為規定值以下，藉此可獲得搬運可靠性優異的樹脂片或使用其之電路基板。

於本實施形態之撓曲量的測量條件例如為如下：首先，將阻焊劑用樹脂組成物塗佈於載體基材之後，在140℃、2分鐘的條件下去除溶劑，形成規定厚度的樹脂層。準備芯基材(50mm×85mm，規定厚度)的一面及另一面上積層12μm厚的銅箔而成之雙面覆銅積層板。接著，對上述雙面覆銅積層板的銅箔進行蝕刻處理而獲得去除銅箔之基板。接著，於上述基板之上述一面及上述另一面的各個面上，以上述樹脂層與上述基板相對向的方式積層該樹脂片後，使用真空加壓式層壓裝置在溫度120℃、壓力0.8MPa、120秒的條件下進行真空加熱加壓成型。接著，從該樹脂片剝離上述載體基材後，在200℃、1小時的條件下將上述基板上的上述樹脂層硬化而形成了阻焊劑。以此方式獲得試樣。對於所獲得之試樣，在從為短邊之一邊的端部支撐10mm，且同時在將與上述一邊相對向的另一邊設為自由端之狀態下，測量上述另一邊的撓曲量。

又，從抑制源自測量條件之偏差的觀點而言，作為本實施形態中的撓曲量的測量條件，例如可採用樹脂層的厚度為20μm，且芯基材的厚度為30μm之條件。

又，本實施形態的樹脂片，由於樹脂層的剛性優異，因此不僅適用於薄層基板，亦適用於形成在不具有玻璃纖維基材之基板(無芯基板)表面的阻焊劑。

再者，於本實施形態，例如藉由適當地選擇阻焊劑用樹脂組成物中含有之各成分的種類或摻合量、阻焊劑用樹脂組成物的製備方法等，可控制上述儲存彈性模數、上述玻璃轉移溫度、上述線膨脹係數、上述樹脂流動量及上述撓曲量。其中，例如可列舉平均粒徑0.01~3μm的球狀二氧化矽和微二氧化矽的摻合比，或樹脂組成物整體中之無機填充材料的含量(合計值)等作為用以將上述複合動態黏度的極小值及於30℃的儲存彈性模數設為所需數值範圍之要素。

〔電路基板〕

對本實施形態之電路基板進行說明。

圖1係表示實施形態中的電路基板20的結構例的示意圖。

本實施形態的電路基板可含有：在表面形成有電路(導電體圖案24)的基板22與形成於為基板表面上之最外層的阻焊劑10。該阻焊劑係以由本實施形態的阻焊劑用樹脂組成物構成的樹脂層之硬化物構成。

又，阻焊劑之膜厚，例如可設為1μm以上50μm以下之與上述樹脂層之膜厚同樣的範圍阻焊劑於30℃的儲存彈性模數，例如可設為7GPa以上40GPa以下之與上述樹脂層的硬化物同樣的範圍。

圖1所示之電路基板20具備基板22、導電體圖案24及阻焊劑10。導電體圖案24設於基板22的至少一個最外表面。阻焊劑10構成電路基板20的最外層。阻焊劑10設於導電體圖案24的周圍。於阻焊劑10設有複數個開口部28。導電體圖案24的導電部的一部分位於至少一個開口部28內。

於本實施形態之電路基板20，基板22可為含有至少一個絕緣層之基板。基板22具備之絕緣層例如為將樹脂組成物浸於纖維基材而成的樹脂基材。又，基板22可為不具玻璃纖維基材之基板(無芯基板)。

上述基板22可設為由熱固性樹脂構成者。基板22可為剛性基板，亦可為撓性基板。基板22之膜厚的下限值，並無特別限定，例如可為10μm以上，亦可為15μm以上，或亦可為30μm以上。藉此，可設為機械強度優異的電路基板。又，上述基板22之膜厚的上限值例如為100μm以下，較佳為80μm以下，更佳為70μm以下。藉此，可將電路基板20充分地薄層化。

本實施形態的電路基板20可具有至少於基板22之單面形成有阻焊劑10的結構，更佳為具有於基板22之雙面形成有阻焊劑10的結構者。

此情況下，基板22與阻焊劑10的合計膜厚例如較佳為200μm以下，更佳為150μm以下，再更佳為100μm以下。

又，阻焊劑10之膜厚相對於上述合計膜厚之膜厚比的下限值例如為10%以上，較佳為20%以上，更佳為30%以上。上述膜厚比的上限值例如為70%以下，較佳為60%以下，更佳為50%以下。藉由將阻焊劑10之膜厚比設在上述範圍內，可獲得薄層化且同時處理性和搬運可靠性優異的樹脂片或使用其之電路基板。

又，上述基板22可為僅具有一個絕緣層且僅於其單面形成有導電體圖案24之單面板，亦可為僅具有一個層、於該表面和背面雙方設有導電體圖案24之雙面板，亦可為具有兩層以上的絕緣層之多層板。當基板22為多層板之情況下，於基板22內形成有一層以上夾在兩個絕緣層之配線層。

又，基板22為雙面板或多層板之情況下，設於基板22的一個表面(最外表面)之導電體圖案24與設於相反側的表面(最外表面)之導電體圖案24或設於基板22內部的配線層經由貫穿至少一部分的絕緣層之通孔(未圖示)相互電連接。

上述導電體圖案24設於基板22之表面和背面的至少其中一方的表面(最外表面)。導電體圖案24例如為對積層於基板22之銅膜進行選擇蝕刻而形成的圖案。導電體圖案24至少含有凸墊244和線路242作為導電部。凸墊244主要為將安裝於電路基板20之元件或零件與導電體圖案24電連接之連接部，例如為連接於導電體圖案24的另一部分或基板22內的配線層之圓形或四邊形的部分。再者，亦可於凸墊244之中心設有插入電子零件的端子等的孔。並且，線路242主要為將凸墊244彼此相互電連接的線狀部分。

上述阻焊劑10積層於導電體圖案24上。藉此，可維持絕緣性，因此可獲得可靠性較高的電路基板。又，因於上下的最外層配置有上述阻焊劑，故例如可呈現黑色，於電路基板的下表面亦可提高美觀性。再者，於上述阻焊劑的下表面例如亦可藉由YAG雷射等雷射刻印標記。

於阻焊劑10，主要於設有凸墊244之區域設有開口部28，且凸墊244未被阻焊劑10被覆。亦即，於凸墊244上未設有阻焊劑10，凸墊244露出。再者，亦可於凸墊244上例如積層有鎳及金的鍍覆膜或焊錫的鍍覆膜等導電膜。於本實施形態之電路基板20，位於開口部28的凸墊244上進一步設有鍍覆膜246。於阻焊劑10，可在凸墊244以外的部分進一步設有設有開口部，亦可有如使線路242之一部分露出般的開口部28。又，無需所有凸墊244位於開口部28，亦可有被阻焊劑10覆蓋的凸墊244。

本實施形態的電路基板20例如可用作中介層(interposer)或母板。再者，封裝體係指於電路基板上搭載有各種零件且一次性密封者。半導體封裝體為封裝體的一例，封裝體中亦包含一次性密封之ECU(Electric Control Unit)等。

〔電子裝置〕

接著，對本實施形態之半導體封裝體102進行說明。

圖2係表示本實施形態之半導體封裝體102之結構的一例之剖面示意圖。

本實施形態的電子裝置(半導體封裝體102)可含有上述電路基板(電路基板20)與安裝於電路基板上之電子元件(半導體元件60)。亦即，該電子裝置可作為半導體裝置利用。構成此電路基板之最外層的阻焊劑之中，配置於安裝有電子元件的面相反側的面上之阻焊劑(下層側的阻焊劑10)可設為將本實施形態的阻焊劑用樹脂組成物進行硬化而獲得者。

圖2所示之半導體封裝體102具備電路基板20、半導體元件60及密封樹脂層40。半導體元件60配設於電路基板20上。密封樹脂層40覆蓋電路基板20之至少一個面及半導體元件60。電路基板20具備基板22、導電體圖案24及阻焊劑10。導電體圖案24設於基板22之至少一個最外表面。阻焊劑10為電路基板20之最外層，設於導電體圖案24的周圍。

於本實施形態之半導體封裝體102，於上述之電路基板20之其中一方的面(以下稱作“上表面”)的阻焊劑10上配設有至少一個半導體元件60。於半導體封裝體102中，電路基板20例如為中介層，半導體元件60例如為從半導體晶圓切取之LSI晶片。又，除了於電路基板20的上表面除半導體元件60之外，例如亦可進一步配設有作為電阻或容量發揮作用的電子零件等。半導體元件60經由晶粒結著材62固定於阻焊劑10上。

於半導體元件60設有與其表面之電連接之連接焊墊(未圖示)，連接焊墊例如與製作於半導體元件60的內部之電路連接。作為設於電路基板20的導電體圖案24之一部分的凸墊244設於阻焊劑10之開口部28。並且，凸墊244與半導體元件60之連接焊墊藉由接合線50連接。再者，於本實施形態之半導體封裝體102，在凸墊244上進一步設有鍍覆膜246，凸墊244經由鍍覆膜246與接合線50連接，但不限定於此。又，可以藉由導線或焊錫連接取代以接合線50連接。

密封樹脂層40覆蓋露出於電路基板20之上表面的表面之阻焊劑10、基板22、鍍覆膜246(在未設有鍍覆膜246之情況下為凸墊244)、半導體元件60中除了以晶粒結著材62與電路基板20接合的面以外的面及接合線50。再者，密封樹脂層40可覆蓋電路基板20之設有半導體元件60的面之整個面，亦可使該面之一部分露出而覆蓋。

於半導體封裝體102的電路基板20，於上表面的相反側的面(以下稱作“下表面”)進一步設有複數個開口部28與開口部28之內部的凸墊244。並且，各個凸墊244被鍍覆膜246覆蓋，進一步設有覆蓋鍍覆膜246的焊球30。

此處，雖說明倒裝晶片連接的封裝例作為本實施形態之半導體封裝體102，但並不限定於此，可為焊線或TAB(Tape Automated Bonding)連接的封裝。

於本實施形態，可將電子裝置的密封樹脂層40與配置於安裝面的相反側之下層的阻焊劑10(本實施形態的阻焊劑)設為相同顏色。例如可分別設為相同或相同程度的黑色。藉由將上表面及下表面之最外層設為相同的黑色，可提高電子裝置整體的美觀性。再者，於電子裝置之下層的阻焊劑10之下表面上，亦可貼付覆蓋外部連接電極(例如，焊球30)的黑色封膜。

又，於密封樹脂層40的上表面或阻焊劑10的下表面例如藉由YAG雷射等雷射刻印標記。此標記例如由以直線或曲線構成之文字、數字或記號之至少一種以上構成。又，上述標記表示例如導體封裝體的產品名、產品編號、批量編號或製造商名等。又，上述標記例如可以藉由YVO₄雷射、碳酸雷射等刻印。

作為本實施形態的電子裝置，並無特別限定，例如可列舉：QFP(Quad Flat Package)、SOP(Small Outline Package)、BGA(Ball Grid Array)、CSP(Chip Size Package)、QFN(Quad Flat Non-leaded Package)、SON(Small Outline Non-leaded Package)、LF-BGA(Lead Flame BGA)等。

又，作為上述半導體元件，雖例如可列舉：積體電路、大型積體電路、電晶體、閘流體、二極體、固體影像感測器等，但不限定於此等。

〔電路基板的製造方法〕

接著，對電路基板20的製造方法進行說明。

本實施形態之電路基板20的製造方法依序包含：準備基板22之步驟、積層樹脂層之步驟、形成開口部28之步驟及進行去膠渣處理(desmear treatment)之步驟。於準備基板22步驟，準備至少一個最外表面設有導電體圖案24的基板22。於積層樹脂層步驟，在基板22及導電體圖案24上積層最外層的樹脂層。於形成開口部28步驟，使導電體圖案24之一部分露出於樹脂層的規定區域。於去膠渣處理步驟，對樹脂層的表面進行去膠渣處理。形成開口部28步驟含有對樹脂層中的作為開口部28之區域照射雷射光的步驟。

首先，準備於表、背面之至少其中一方的最外表面設有導電體圖案24的基板22(準備基板步驟)。接著，於基板22之導電體圖案24上積層樹脂層(進行積層之步驟)。於本步驟，於基板22之設有導電體圖案24的面上，以樹脂層與基板22相對向的方式貼付樹脂片。關於樹脂片的貼付，例如可藉由將樹脂片的樹脂層積層於導電體圖案24上後，對其進行真空加熱加壓成型進行。於本實施形態，作為樹脂片，可為帶有金屬箔的樹脂層，亦可為帶有樹脂膜的樹脂層。接著，將載體基材自樹脂層剝離。藉此，於基板22以覆蓋導電體圖案24之方式形成有樹脂層。

接著於導電體圖案24上之樹脂層的規定位置設置開口部28(形成開口部步驟)。開口部28以主要使導電體圖案24之凸墊244露出的方式形成。作為開口部28的形成方法無特別限定，可使用曝光顯影法或雷射加工法等方法。

當將曝光顯影法使用於形成開口部28之情況下，阻焊劑用樹脂組成物需要含有光敏劑。於曝光顯影法，首先進行如下曝光：對樹脂層中形成開口部28之區域或不形成開口部28之區域中的任一者選擇性地照射光。之後，藉由進行使用鹼性水溶液等顯影液的顯影，可形成開口部28。

之後，藉由使B階段狀態的樹脂層熱硬化，形成阻焊劑10(樹脂層的硬化物)。於本實施形態，硬化溫度並無特別限定，例如可為160℃以上，亦可為180℃以上，或亦可為200℃以上。藉此形成阻焊劑10(阻焊劑)。此處，曝光例如可使用使遮罩圖案密接並照射紫外線之方法，或對所希望的區域直接照射雷射光之方法。

從程序簡化的觀點而言，於形成開口部28步驟，對樹脂層中之作為開口部28的區域照射雷射光(照射雷射光步驟)，形成開口之方法為較佳，其中雷射加工法為更佳。

於形成開口部28後，根據需要，可進行去膠渣處理(去膠渣處理步驟)。於去膠渣處理，去除因形成開口部28等產生之膠渣。

於本實施形態之電路基板20的製造方法，在形成開口部28以及根據需要去膠渣處理之後，進行將鍍覆膜246形成於露出在開口部28的導電體圖案24上的鍍覆處理。然而，亦可不形成鍍覆膜246，製成電路基板20。鍍覆膜246例如可形成為鍍焊覆膜或鍍錫膜，或於鍍鎳膜上積層鍍金膜之雙層結構的鍍覆膜。鍍覆膜246以覆蓋露出於開口部28的導電體圖案24之導電部的方式形成。又，關於鍍覆膜246之膜厚，並無特別限定，例如能夠設為2μm以上10μm以下。藉此，可將凸墊244部分作為使用電路基板20的安裝步驟中適合於接合線50或焊接的連接部。

關於鍍覆處理的方法，並無特別限定，可使用公知的方法。例如可利用電鍍法或無電電鍍法。例如於使用無電電鍍法之情況下，可如下述方式形成鍍覆膜246。在此，對形成鎳與金的雙層結構的鍍覆膜246之例進行說明，但不限定於此。首先，形成鍍鎳膜。於進行無電鍍鎳之情況下，將積層有導電體圖案24或阻焊劑10的基板22浸漬於鍍覆液。藉此，可鍍鎳膜形成於露出在開口部28之導電體圖案24的導電部上。鍍覆液可使用含有鎳鉛以及作為還原劑之例如次磷酸鹽者。接著，於鍍鎳膜上進行無電鍍金。關於無電鍍金的方法，並無特別限定，例如可利用藉由金離子與基底金屬之離子的置換進行的置換鍍金來進行。

再者，在鍍覆處理之前，根據需要，亦可進行清洗露出的導電體圖案24之導電部的步驟或粗化步驟。

接著，於本實施形態之電路基板20的製造方法，亦可對形成有阻焊劑10的表面進行電漿處理。以此方式，可獲得如圖1的本實施形態之電路基板20。

〔電子裝置的製造方法〕

接著，對半導體封裝體102之製造方法進行說明。

本實施形態之電子裝置(半導體封裝體102)的製造方法可含有：準備於一面形成有導電電路(導電體圖案24)的基板(基板22)的步驟；將上述樹脂層配置於基板上的步驟；於樹脂層形成開口部而使導電電路露出的步驟；藉由對樹脂層進行加熱硬化而形成阻焊劑10的步驟；將電子元件與露出於開口部的導電電路電連接的步驟；及對電子元件(半導體元件60)進行密封的步驟。

亦即，本實施形態之半導體封裝體102的製造方法依序包含：準備電路基板20步驟、配設半導體元件60步驟及進行密封步驟。於準備電路基板20步驟，準備阻焊劑10(阻焊劑)露出於表面的電路基板20。於配設半導體元件60步驟，於阻焊劑10上配設半導體元件60。於進行密封步驟，以使用密封樹脂將露出的阻焊劑10及半導體元件60覆蓋的方式進行密封。電路基板20具備基板22、導電體圖案24及阻焊劑10。導電體圖案24設於基板22之至少一個最外表面。阻焊劑10為電路基板20之最外層，設於導電體圖案24上。於阻焊劑10設有複數個開口部28。導電體圖案24之導電部的一部分位於至少一個開口部28內。

首先，準備上述電路基板20(準備電路基板步驟)，於電路基板20上配設半導體元件60(配設半導體元件步驟)。此時，半導體元件60例如經由晶粒結著材62搭載於電路基板20上。連接半導體元件60與電路基板20的接合線50例如向露出於電路基板20之上表面的開口部28的導電體圖案24接合。接著，藉由密封樹脂層40將電路基板20之上表面、半導體元件60及接合線50進行密封(進行密封步驟)。作為密封樹脂例如可使用環氧樹脂組成物。作為以密封樹脂進行模製的方法，可利用轉移成型法、射出成型法、轉印法、塗布法等。將密封樹脂層40例如於150℃以上200℃以下進行加熱，藉此使其硬化。

又，於電路基板20設置作為外部連接端子的焊球30之例中，例如將焊球30形成於露出在下表面側的開口部28之導電體圖案24上。再者，雖說明倒裝晶片連接的封裝體例作為本實施形態之半導體封裝體102，但半導體封裝體102並不限定於此，亦可為銲線或TAB連接的封裝體。

以上，雖參考圖示對本發明的實施形態進行了敘述，但此等為本發明的例示，亦可採用除上述以外的各種組合。

以下，對參考形態之例進行備註。

1.一種樹脂片，其使用於阻焊劑且具備載體基材及樹脂層，該樹脂層配置於該載體基材上且由阻焊劑用樹脂組成物構成，該樹脂層的膜厚為1μm以上50μm以下，將該樹脂層的B階段狀態的基於動態黏彈性試驗之測量範圍50~200℃、升溫速度3℃/min、頻率62.83rad/sec下的複合動態黏度的極小值設為η時，η為100Pa‧s以上3000Pa‧s以下，該樹脂層的硬化物於30℃的儲存彈性模數為7GPa以上40GPa以下。

2.如第1項之樹脂片，其中，該樹脂層的硬化物的玻璃轉變溫度為160℃以上。

3.如第1或2項之樹脂片，其中，該樹脂層的硬化物低於玻璃轉變溫度的線膨脹係數為1ppm/℃以上35ppm/℃以下。

4.如第1至3項中任一項之樹脂片，其中，該樹脂層的硬化物於260℃的儲存彈性模數為0.2GPa以上10GPa以下。

5.如第1至4項中任一項之樹脂片，其中，在下述條件下測得之該樹脂層的B階段狀態的樹脂流動量為5重量%以上且低於70重量%，

(樹脂流動量的測量條件)

‧以試樣尺寸113mm φ對每個基材進行衝壓

‧以帶有基材的狀態重疊四片(W0)

‧在溫度171±3℃、壓力750±50kPa的條件下進行加熱加壓

‧對去除了超出113mm φ之樹脂之重量進行測量(W1)

(W0-W1)/(W0-基材重量)×100。

6.如第1至5項中任一項之樹脂片，其使用於形成在不具有玻璃纖維基材之基板的表面之阻焊劑。

7.如第1至6項中任一項之樹脂片，其中，該阻焊劑用樹脂組成物含有熱硬性樹脂及填充材料。

8.如第7項之樹脂片，其中，該熱硬性樹脂含有環氧樹脂。

9.如第7或8項之樹脂片，其中，該填充材料含有二氧化矽。

10.如第7至9項中任一項之樹脂片，其中，該阻焊劑用樹脂組成物還含有氰酸酯樹脂(cyanate resin)。

11.如第1至10項中任一項之樹脂片，其中，以下述條件測量之撓曲量低於35mm，

(撓曲量的測量條件)

將阻焊劑用樹脂組成物塗佈於載體基材之後，在140℃、2分鐘的條件下去除溶劑，從而形成厚度20μm的樹脂層；準備在芯基材(50mm×85mm、30μmt)的一面及另一面上積層12μm厚度的銅箔而成之雙面覆銅積層板；接下來，對該雙面覆銅積層板的銅箔進行蝕刻處理而獲得去除了銅箔之基板；接下來，於該基板的一面及另一面的各個面上，以該樹脂層與該基板對向的方式積層該樹脂片之後，使用真空加壓式層壓裝置在溫度120℃、壓力0.8MPa、120秒的條件下進行真空加熱加壓成型；接下來，從該樹脂片剝離該載體基材之後，在200℃、1小時的條件下對該基板上的該樹脂層進行硬化而形成了阻焊劑；以此方式，獲得試樣；關於所獲得之試樣，在從作為短邊之一邊的端部支撐10mm，且將與該一邊對向之另一邊設為自由端之狀態下，測量該另一邊的撓曲量。

12.一種電路基板，具備表面形成有電路之基板及形成於該基板表面上之阻焊劑，該阻焊劑由樹脂層之硬化物構成，該樹脂層由阻焊劑用樹脂組成物構成，該樹脂層之膜厚為1μm以上50μm以下，該樹脂層之硬化物於30℃的儲存彈性模數為7GPa以上40GPa以下。

13.如第12項之電路基板，其中，該基板之膜厚與該樹脂層之膜厚的合計值為10μm以上200μm以下。

14.如第12或13項之電路基板，其中，該基板不具玻璃纖維基材。

【實施例】

接著，對本發明的實施例進行說明。

(阻焊劑用樹脂組成物的製備)

關於各實施例及各比較例，使用表1所示之成分的原料調整清漆狀阻焊劑用樹脂組成物。表1中表示各成分之摻合比例的數值，係表示各成分相對於阻焊劑用樹脂組成物(以下亦有時簡稱為“樹脂組成物”。)之固體成分整體的摻合比例(重量%)。

表1中的各成分之原料的詳細說明如下。

(熱固性樹脂)

熱固性樹脂1：萘酚型環氧樹脂(日本化藥公司製，NC-7000L)

熱固性樹脂2：2官能萘型環氧樹脂(迪愛生公司製，HP-4032D)

熱固性樹脂3：環氧丙烯酸酯樹脂(日本化藥公司製，ZFR-1401)

熱固性樹脂4：聯苯二亞甲基型環氧樹脂(日本化藥公司製，NC-3000L)

熱固性樹脂5：聯苯型環氧樹脂(Mitsubishi Chemical Corporation製，YX4000HK)

(丙烯酸單體)

丙烯酸單體1：2官能乙氧基化雙酚A二甲基丙烯酸酯(新中村化學公司製，BPE-500)

丙烯酸單體2：2官能胺酯丙烯酸酯(日本化藥公司製，KAYARAD UX-2201)

(無機填充材料)

無機填充材料1：球狀二氧化矽(Admatechs公司製，SC4050，平均粒徑D₅₀：1μm)

無機填充材料2：球狀二氧化矽(Admatechs公司製，SC2050，平均粒徑D₅₀：0.5μm)

無機填充材料3：球狀二氧化矽(Admatechs公司製，SC1050，平均粒徑D₅₀：0.3μm)

(氰酸酯樹脂)

氰酸酯樹脂1：酚醛清漆苯酚型氰酸酯樹脂(Lonza Japan公司製，PT-30)

(硬化促進劑)

硬化促進劑1：由下述通式(2)表示之四苯鏻的雙(萘-2,3-二氧基)苯基矽酸鹽加成物(住友電木公司製，C05-MB)

(其他成分)

(偶合劑)

偶合劑1：環氧矽烷(信越化學工業公司製，KBM-403)

(均染劑)

均染劑1：均染劑(BYK Japan公司製，BYK-356)

(光反應起始劑)

光反應起始劑1：2,4,6-三甲基苯甲醯基-二苯基-膦氧化物(BASF Japan公司製，TPO)

光反應起始劑2：2-苄基-2-二甲胺基-1-(4-N-

啉基苯基)-1-丁酮(BASF Japan公司製，IRGACURE369)

光反應起始劑3：肟化合物(BASF Japan公司製，OXE-02)

(實施例1~3：樹脂組成物的清漆的製備)

以如下方式製備樹脂組成物的清漆(樹脂清漆)：作為環氧樹脂，將10.0重量份的萘酚型環氧樹脂(日本化藥公司製，NC-7000L)、3.6重量份的2官能萘型環氧樹脂(迪愛生公司製，HP-4032D)、13.6重量份的酚醛清漆苯酚型氰酸酯樹脂(Lonza Japan公司製，PT-30)、以固體成分計72重量份之平均粒徑D₅₀為1μm的球狀二氧化矽(Admatechs公司製，SC4050)、0.3重量份之四苯鏻的雙(萘-2,3-二氧基)苯基矽酸鹽加成物、0.2重量份的環氧矽烷(信越化學工業公司製，KBM-403)及0.3重量份的均染劑(BYK Japan公司製，BYK-356)溶解分散，使用高速攪拌裝置攪拌30分鐘，以使非揮發性成分變為70重量%的方式進行調整。

(實施例4：樹脂組成物的清漆的製備)

以如下方式製備樹脂組成物的清漆(樹脂清漆)：將作為環氧樹脂之16.5重量份的萘酚型環氧樹脂(日本化藥公司製，NC-7000L)、5.5重量份的2官能萘型環氧樹脂(迪愛生公司製，HP-4032D)、22.0重量份的酚醛清漆苯酚型氰酸酯樹脂(Lonza Japan公司製，PT-30)、以固體成分計55重量份之平均粒徑D₅₀為0.5μm的球狀二氧化矽(Admatechs公司製，SC2050)、0.44重量之的四苯鏻的雙(萘-2,3-二氧基)苯基矽酸鹽加成物、0.12重量份的環氧矽烷(信越化學工業公司製，KBM-403)及0.44重量份的均染劑(BYK Japan公司製，BYK-356)溶解分散，使用高速攪拌裝置攪拌30分鐘，以使非揮發性成分變為70重量%的方式進行調整。

(實施例5、6：樹脂組成物的清漆的製備)

使用表1記載的成分，與實施例1同樣地製備樹脂組成物的清漆(樹脂清漆)。

(實施例7：樹脂組成物的清漆的製備)

以如下方式製備樹脂組成物的清漆(樹脂清漆)：作為環氧樹脂，將20.2重量份的萘酚型環氧樹脂(日本化藥公司製，NC-7000L)、6.7重量份的聯苯二亞甲基型環氧樹脂(日本化藥公司製，NC-3000L)、26.9重量份的酚醛清漆苯酚型氰酸酯樹脂(Lonza Japan公司製，PT-30)、以固體成分計45重量份的球狀二氧化矽(Admatechs公司製，SC2050，平均粒徑D₅₀：0.5μm)、0.53重量份的四苯鏻的雙(萘-2,3-二氧基)苯基矽酸鹽加成物(住友電木公司製，C05-MB)、0.14重量份的環氧矽烷(信越化學工業公司製，KBM-403)及0.53重量份的均染劑(BYK Japan公司製，BYK-356)溶解分散，使用高速攪拌裝置攪拌30分鐘，以使非揮發性成分變為70重量%的方式進行調整。

(實施例8：樹脂組成物的清漆的製備)

以如下方式製備樹脂組成物的清漆(樹脂清漆)：作為環氧樹脂，將16.5重量份的萘酚型環氧樹脂(日本化藥公司製，NC-7000L)、5.5重量份的2官能萘型環氧樹脂(迪愛生公司製，HP-4032D)、22重量份的酚醛清漆苯酚型氰酸酯樹脂(Lonza Japan公司製，PT-30)、以固體成分計30重量份的球狀二氧化矽(Admatechs公司製，SC4050，平均粒徑D₅₀：1μm)、以固體成分計25重量份的球狀二氧化矽(Admatechs公司製，SC2050，平均粒徑D₅₀：0.5μm)、0.44重量份之四苯鏻的雙(萘-2,3-二氧基)苯基矽酸鹽加成物(住友電木公司製，C05-MB)、0.12重量份的環氧矽烷(信越化學工業公司製，KBM-403)及0.44重量份的均染劑(BYK Japan公司製，BYK -356)溶解分散，使用高速攪拌裝置攪拌30分鐘，以使非揮發性成分變為70重量%的方式進行調整。

(比較例1、2：樹脂組成物的清漆的製備)

以如下方式製備樹脂組成物的清漆(樹脂清漆)：將45.8重量份的環氧丙烯酸酯樹脂(日本化藥公司製，ZFR-1401)、作為環氧樹脂之14.8重量份的聯苯二亞甲基型環氧樹脂(日本化藥公司製，NC-3000L)、作為光反應起始劑之2.9重量份的2,4,6-三甲基苯甲醯基-二苯基-氧化膦(BASF JAPAN公司製，TPO)、0.15重量份的2-苄基-2-二甲胺基-1-(4-嗎啉代苯基)-1-丁酮(BASF JAPAN公司製，IRGACURE369)、0.06重量份的肟化合物(BASF JAPAN公司製，OXE-02)、4.54重量份的2官能乙氧基化雙酚A二甲基丙烯酸酯(Shin-Nakamura Chemical公司製，BPE-500)、6.0重量份的2官能胺酯丙烯酸酯(日本化藥公司製，KAYARADUX-2201)、0.15重量份的環氧矽烷(信越化學工業公司製，KBM-403)及0.6重量份的均染劑(BYK Japan公司製，BYK-356)溶解並分散於二丙二醇單甲醚。接著，加入以固體成分計25重量份之平均粒徑D₅₀為0.3μm的球狀二氧化矽(Admatechs公司製，SC1050)，使用高速攪拌裝置攪拌30分鐘，以使非揮發性成分變為70重量%的方式進行調整。

(樹脂片的製作)

關於各實施例及各比較例，將所獲得之樹脂組成物的清漆(樹脂清漆)塗佈於作為載體基材的PET膜上後，在140℃、2分鐘的條件下去除溶劑，形成具有規定的樹脂厚度的樹脂層。藉此，獲得樹脂片。

(最低複合動態黏度)

關於各實施例及各比較例，以如下方式測量最低複合動態黏度(複合動態黏度的極小值)。首先，根據上述樹脂片的製作，獲得形成有具有20μm樹脂厚度之樹脂層的樹脂片。接著，重疊5片自所獲得的樹脂片剝離作為載體基材之PET膜的樹脂層(薄膜)，從而準備好總膜厚100μm的測量試樣。接著，對該測量試樣使用動態黏彈性測量裝置(Anton Paar公司製，裝置名Physica MCR-301)，在下述條件下進行複合動態黏度的測量。由所獲得之測量結果計算出於50~150℃的最低複合動態黏度(Pa‧sec)。

頻率：62.83rad/sec

測量溫度：50~200℃

升溫速度：3℃/min

幾何形狀：平行板

板直徑：10mm

負載(正向力)：0N(恆定)

應變：0.3%

測量環境：空氣

(玻璃轉移溫度、儲存彈性模數)

關於各實施例及各比較例，根據上述樹脂片的製作，獲得形成有具有20μm樹脂厚度之樹脂層的樹脂片。接著，重疊5片自所獲得的樹脂片剝離作為載體基材之PET膜的樹脂層(薄膜)，從而準備好總膜厚100μm的積層膜。接著，將該積層膜以200℃、1小時進行熱處理之後，切取寬度8mm×長度50mm×厚度100μm作為測量試樣。對該測量試樣，使用動態黏彈性測量裝置(精工電子公司製，DMS6100)，在頻率1Hz、升溫速度5℃/分鐘的條件下進行了動態黏彈性試驗。接著，由所獲得之測量結果計算出玻璃轉移溫度(℃)與於30℃的儲存彈性模數(GPa)、於260℃的儲存彈性模數(GPa)。玻璃轉移溫度由tan δ的峰值判定。將結果示於表1。

(線膨脹係數)

關於各實施例及各比較例，根據上述樹脂片的製作，獲得形成有具有20μm樹脂厚度之樹脂層的樹脂片。接著，重疊5片自所獲得的樹脂片剝離作為載體基材之PET膜的樹脂層(薄膜)，從而準備好總膜厚100μm的積層膜。接著，將該積層膜以200℃、1小時進行熱處理之後，以切取寬度4mm×長度20mm×厚度100μm切取作為測量試樣。對該測量試樣，使用TMA(TA Instruments公司製)，在升溫速度10℃/分鐘的條件下進行線膨脹係數的測量。接著，計算出於50~75℃之測量結果的平均，並將其作為於未達玻璃轉移溫度的線膨脹係數(ppm/℃)。將結果示於表1。

(樹脂流動量的測量條件)

‧以試樣尺寸113mm φ對每個基材進行衝壓

‧以帶有基材的狀態重疊4片(W0)

‧在溫度171±3℃、壓力750±50kPa的條件下進行加熱加壓

‧測量去除超出113mm φ之樹脂的重量(W1)

(W0-W1)/(W0-基材重量)×100

(撓曲量的測量條件)

關於各實施例及各比較例，將所獲得之樹脂組成物塗佈於載體基材後，在140℃、2分鐘的條件下去除溶劑，形成於表1所示之膜厚的樹脂層。準備於芯基材(LAZ-4785TH-G，、住友電木公司製，50mm×85mm，於表1所示之膜厚)之一面及另一面上積層12μm厚的銅箔而成的雙面覆銅積層板。接著，對上述雙面覆銅積層板之銅箔進行蝕刻處理而獲得去除銅箔的基板。接著，於上述基板之上述一面及上述另一面的各個面上，以該樹脂層與上述基板相對向的方式積層該樹脂片後，使用真空加壓式層壓裝置在溫度120℃、壓力0.8MPa、120秒的條件下進行真空加熱加壓成型。接著，從該樹脂片剝離該載體基材之後，在200℃、1小時的條件下將上述基板上的該樹脂層硬化而形成阻焊劑。以此方式，獲得試樣。對於所獲得之試樣，在自為短邊之一邊的端部支撐10mm，且同時在將與上述一邊相對向之另一邊設為自由端之狀態下，測量上述另一邊的撓曲量。

撓曲量的判定基準：

◎：15mm以下

○：大於15mm且小於35mm

×：35mm以下

(基板加工中的搬運不良情況(搬運性))

關於各實施例及各比較例，將所獲得之樹脂組成物塗佈於載體基材後，在140℃、2分鐘的條件下去除溶劑，形成於表1所示之膜厚的樹脂層。準備於芯基材(LAZ-4785TH-G、住友電木公司製，250mm×250mm、於表1所示之膜厚)的一面及另一面上積層12μm厚的銅箔而成之雙面覆銅積層板。接著，對上述雙面覆銅積層板的銅箔進行蝕刻處理而獲得去除銅箔的基板。接著，於上述基板之上述一面及上述另一面的各個面上，以該樹脂層與上述基板相對向的方式積層該樹脂片後，使用真空加壓式層壓裝置在溫度120℃、壓力0.8MPa、120秒的條件下進行真空加熱加壓成型。接著，自該樹脂片剝離該載體基材後，在200℃、1小時的條件下將上述基板上的該樹脂層硬化而形成阻焊劑。以此方式，獲得試樣。對於所獲得之試樣，以膜搬運加壓式真空層壓機(MEIKI公司製，MVLP500/600)評價搬運性。評價方法為如下：測量自開始搬運時之基板的裝配位置，在作為第一次加壓，真空30秒後，以0.5MPa進行30秒，其後，作為第二次加壓，以0.8MPa進行60秒之後的基板四個角之位置偏移量的最大值。

搬運性的判定基準：

○：15mm以下

×：大於15mm

(半導體封裝體的製作)

關於各實施例及各比較例，以如下方式製作半導體封裝體。首先，準備於30μm厚的芯基材(LAZ-4785TH-G，住友電木公司製)之一面及另一面上積層12μm厚的銅箔而成之雙面覆銅積層板。接著，對上述覆銅積層板的銅箔進行蝕刻處理而形成導體電路圖案，藉此獲得於一面及另一面形成有上述導體電路圖案的電路基板。接著，於電路基板之上述一面上及上述另一面的各個面上，以樹脂層與電路基板相對向的方式積層由上述獲得的於表1所述之膜厚的樹脂片後，使用真空加壓式層壓裝置在溫度120℃、壓力0.8MPa、60秒的條件下進行真空加熱加壓成型。接著，自樹脂片剝離作為載體基材之PET膜後，在200℃、1小時的條件下將電路基板上的樹脂層硬化而形成阻焊劑。

接著，以導體電路圖案之一部分露出的方式，藉由碳酸雷射在設置於電路基板之一面上的阻焊劑形成開口後，對電路基板之一面實施去膠渣處理及電漿處理。接著，於電路基板的一面上經由晶粒結著材搭載半導體元件後，藉由接合線將自上述開口露出的導體圖案與上述半導體元件連接。接著，藉由環氧樹脂組成物將半導體元件及接合線進行密封成型，從獲得半導體封裝體(16mm×16mm)。

(PKG彎曲(@25℃))

關於各實施例及各比較例，測量所獲得之半導體封裝體於25℃的彎曲量。此時，封裝體彎曲量未達150μm者設為○；封裝體彎曲量為150μm以上者設為×，藉此評價封裝體彎曲。再者，封裝體彎曲量由如下定義：半導體封裝體上表面之中心點與該上表面之外周部於半導體元件與電路基板之積層方向的距離。

以上，雖基於實施例對本發明進行更具體的說明，但此等為本發明的例示，亦可採用除上述以外的各種組合。

本申請主張基於2016年3月2日於日本提出專利申請之日本專利特願2016-040405之優先權，將其公開的所有內容併入於本說明書。

10‧‧‧阻焊劑

20‧‧‧電路基板

22‧‧‧基板

24‧‧‧導電體圖案

28‧‧‧開口部

242‧‧‧線路

244‧‧‧凸墊

246‧‧‧鍍覆膜

Claims

一種樹脂片，其使用於阻焊劑且具備載體基材及樹脂層，該樹脂層配置於該載體基材上且由阻焊劑用樹脂組成物構成，該樹脂層的膜厚為1μm以上50μm以下，將該樹脂層的B階段狀態的基於動態黏彈性試驗之測量範圍50~200℃、升溫速度3℃/min、頻率62.83rad/sec下的複合動態黏度(complex dynamic viscosity)的極小值設為η時，η為100Pa‧s以上3000Pa‧s以下，該樹脂層的硬化物於30℃的儲存彈性模數為7GPa以上40GPa以下。
如申請專利範圍第1項之樹脂片，其中，該樹脂層的硬化物的玻璃轉變溫度為160℃以上。
如申請專利範圍第1項之樹脂片，其中，該樹脂層的硬化物低於玻璃轉變溫度的線膨脹係數為1ppm/℃以上35ppm/℃以下。
如申請專利範圍第1項之樹脂片，其中，該樹脂層的硬化物於260℃的儲存彈性模數為0.2GPa以上10GPa以下。
如申請專利範圍第1項之樹脂片，其中，在下述條件下測得之該樹脂層的B階段狀態的樹脂流動量為5重量%以上且低於70重量%，樹脂流動量的測量條件：‧以試樣尺寸113mm φ對每個基材進行衝壓‧以帶有基材的狀態重疊四片(W0)‧在溫度171±3℃、壓力750±50kPa的條件下進行加熱加壓‧對去除了超出113mm φ之樹脂之重量進行測量(W1)(W0-W1)/(W0-基材重量)×100。
如申請專利範圍第1項之樹脂片，其使用於形成在不具有玻璃纖維基材之基板的表面之阻焊劑。
如申請專利範圍第1項之樹脂片，其中，該阻焊劑用樹脂組成物含有熱硬性樹脂及填充材料。
如申請專利範圍第7項之樹脂片，其中，該熱硬性樹脂含有環氧樹脂。
如申請專利範圍第7項之樹脂片，其中，該填充材料含有二氧化矽。
如申請專利範圍第7項之樹脂片，其中，該阻焊劑用樹脂組成物還含有氰酸酯樹脂(cyanate resin)。
如申請專利範圍第1至10項中任一項之樹脂片，其中，以下述條件測量之撓曲量低於35mm，撓曲量的測量條件：將阻焊劑用樹脂組成物塗佈於載體基材之後，在140℃、2分鐘的條件下去除溶劑，從而形成厚度20μm的樹脂層；準備在芯基材(50mm×85mm、30μmt)的一面及另一面上積層12μm厚度的銅箔而成之雙面覆銅積層板；接下來，對該雙面覆銅積層板的銅箔進行蝕刻處理而獲得去除了銅箔之基板；接下來，於該基板的一面及另一面的各個面上，以該樹脂層與該基板對向的方式積層該樹脂片之後，使用真空加壓式層壓裝置在溫度120℃、壓力0.8MPa、120秒的條件下進行真空加熱加壓成型；接下來，從該樹脂片剝離該載體基材之後，在200℃、1小時的條件下對該基板上的該樹脂層進行硬化而形成了阻焊劑；以此方式，獲得試樣；關於所獲得之試樣，在從作為短邊之一邊的端部支撐10mm，且將與該一邊對向之另一邊設為自由端之狀態下，測量該另一邊的撓曲量。