TW201803052A - 電子裝置封裝，電子裝置封裝之製造方法及電子裝置封裝用膠帶 - Google Patents

Abstract

本發明係一種電子裝置封裝，電子裝置封裝之製造方法及電子裝置封裝用膠帶，其課題之目的係提供：可抑制經由外力而接著劑層或金屬層產生剝離，散熱性或信賴性下降的電子裝置封裝，電子裝置封裝之製造方法及電子裝置封裝用膠帶。

解決手段為本發明之電子裝置封裝係其特徵為具有：基板，和第1面則呈與前述基板對向地加以連接於前述基板之電子裝置，和加以設置於與前述第1面相反側之前述電子裝置之第2面的接著劑層，和藉由前述接著劑層而加以接著於前述電子裝置之前述第2面的金屬層；前述金屬層之平面的尺寸≦前述接著劑層之平面的尺寸<前述電子裝置之第2面的平面之尺寸者。

Description

電子裝置封裝，電子裝置封裝之製造方法及電子裝置封裝用膠帶

本發明係有關電子裝置封裝，電子裝置封裝之製造方法及電子裝置封裝用膠帶，特別是有關具有金屬層於電子裝置的背面之電子裝置封裝，該電子裝置封裝之製造方法，及使用於該電子裝置封裝之電子裝置封裝用膠帶。

近年，攜帶電話或筆記型PC等之電子機器係要求更薄型化．小型化。因此，為了薄型化．小型化搭載於電子機器之半導體封裝等之電子裝置封裝，而使電子裝置或電路基板之電極數增加，更且亦使間距縮窄。對於如此之電子裝置封裝係例如，有覆晶(FC；Flip Chip)安裝封裝。

在覆晶安裝封裝中，如上述，電極數則增加，以及窄間距化之故，而發熱量的增加則成為問題。因此，作為覆晶安裝封裝之散熱構造，加以提案有隔著接著劑層而設置金屬層於電子裝置之背面者(例如，參照專利 文獻1)。並且，在專利文獻1中，加以揭示有電子裝置之平面尺寸與金屬層及接著劑層之平面尺寸為相同之電子裝置封裝。

另外，在覆晶安裝封裝中，係有著電子裝置之線膨脹率與電路基板之線膨脹率大不同之情況。此情況，在電子裝置封裝之製造過程中，在加以加熱及冷卻中間製品時，對於電子裝置與電路基板之間係成為於膨脹量及收縮量產生有差者。經由此差，對於電子裝置封裝係成為產生有彎曲者。即使作為抑制如此之彎曲的構造，亦加以提案有隔著接著劑層而設置金屬層於電子裝置之背面者(例如，參照專利文獻2)。在引用文獻2中，加以揭示有接著劑層之平面的尺寸則較電子裝置之平面的尺寸為大之電子裝置封裝。

更且，在覆晶安裝封裝中，亦加以提案有隔著接著劑層而設置金屬層於電子裝置之背面，將此金屬層作為雷射標示用的保護層而使用者(例如，參照專利文獻3)。在專利文獻3中，加以揭示有電子裝置之平面尺寸與金屬層及接著劑層之平面尺寸為相同之電子裝置封裝。

[先前技術文獻]

[專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2007-235022號公報

[專利文獻2]日本專利第5487847號公報

[專利文獻3]日本專利第5419226號公報

但如引用文獻2，接著劑層之平面的尺寸則較電子裝置之平面的尺寸為大時，外力則加上於接著劑層則自電子裝置之外緣突出之部分的情況，接著劑層則產生剝離，而散熱性或信賴性則下降。例如，在封閉電子裝置封裝時，經由潛入至接著劑層則自電子裝置之外緣突出之部分的下面側之封閉用樹脂之壓力，而有自電子裝置之外緣部，接著劑層則產生剝離，散熱性或信賴性則下降之問題。

另外，如專利文獻1，3，電子裝置之平面的尺寸與金屬層及接著劑層之平面的尺寸則為相同之情況，經由藉由接著劑層而將金屬層貼合於電子裝置時之位置調整誤差，而產生有接著劑層則自電子裝置之外緣突出之部分。如此，與上述的情況同樣地，有著經由外力而接著劑層產生剝離，散熱性或信賴性下降的問題。

因此，本申請發明之目的係提供：可抑制經由外力而接著劑層或金屬層產生剝離，散熱性或信賴性下降的電子裝置封裝，電子裝置封裝之製造方法及電子裝置封裝用膠帶。

為了解決以上之課題，有關本發明之電子裝置封裝係其特徵為具有：基板，和第1面則呈與前述基板對向地加以連接於前述基板之電子裝置，和加以設置於與前述第1面相反側之前述電子裝置之第2面的接著劑層，和藉由前述接著劑層而加以接著於前述電子裝置之前述第2面的金屬層；前述金屬層之平面的尺寸≦前述接著劑層之平面的尺寸<前述電子裝置之第2面的平面之尺寸者。

上述電子裝置封裝係前述金屬層則包含銅或鋁者為佳。

另外，為了解決以上之課題，有關本發明之電子裝置封裝之製造方法係其特徵為具有：第1面則呈與前述基板對向地連接電子裝置於前述基板之工程，和於與前述第1面相反側之前述電子裝置之第2面，藉由接著劑層而接著金屬層之工程；前述金屬層之平面的尺寸≦前述接著劑層之平面的尺寸<前述電子裝置之第2面的平面之尺寸者。

上述電子裝置封裝之製造方法係前述金屬層則包含銅或鋁者為佳。

另外，為了解決以上之課題，有關本發明之電子裝置封裝用膠帶係具有：具有基材薄膜與黏著劑層之黏著膠帶，和層積於與前述黏著劑層之前述基材薄膜相反側而加以設置之接著劑層與金屬層的層積體；前述金屬層係第1面則呈與基板對向地加以連接於前述基板之電子裝置之，於與前述第1面相反側的第2面，藉由前述接著劑 層加以接著之電子裝置封裝用膠帶，其特徵為呈成為前述金屬層之平面的尺寸≦前述接著劑層之平面的尺寸<前述電子裝置之第2面的平面之尺寸地，預先加以切斷前述接著劑層及前述金屬層而加以個片化者。

另外，上述電子裝置封裝用膠帶係前述金屬層則包含銅或鋁者為佳。

如根據本發明，可抑制經由外力而接著劑層或金屬層產生剝離，散熱性或信賴性下降者。

1‧‧‧電子裝置封裝用膠帶

2‧‧‧基材膠帶

3‧‧‧金屬層

4‧‧‧接著劑層

5‧‧‧黏著膠帶

5a‧‧‧標籤部

5b‧‧‧周邊部

圖1係模式性地顯示有關本發明之實施形態的電子裝置封裝之構造的剖面圖。

圖2係模式性地顯示有關本發明之實施形態的電子裝置封裝用膠帶之構造的剖面圖。

圖3(a)係模式性地顯示有關本發明之實施形態的電子裝置封裝用膠帶之構造的平面圖，而(b)係同剖面圖。

圖4係模式性地顯示有關本發明之實施形態的電子裝置封裝用膠帶之構造的斜視圖。

圖5係模式性地顯示有關本發明之實施形態的電子裝置封裝用膠帶之製造方法的說明圖，(A)係顯示金屬層之貼合工程的長度方向剖面圖，(B)係顯示接著劑層之貼合 工程的長度方向剖面圖，(C)係顯示預切工程之短方向剖面圖，(D)係顯示不要部分之除去工程的斜視圖。

圖6係模式性地顯示有關本發明之實施形態的電子裝置封裝用膠帶之製造方法的說明圖，(A)係顯示黏著膠帶之貼合工程的短方向剖面圖，(B)係顯示預切工程之短方向剖面圖，(C)係顯示不要部分之除去工程的短方向剖面圖。

圖7係模式性地顯示有關本發明之實施形態的電子裝置封裝之製造方法的剖面圖。

圖8係模式性地顯示有關本發明之實施形態的電子裝置封裝之製造方法的剖面圖。

圖9係模式性地顯示有關本發明之其他實施形態的電子裝置封裝之構造的剖面圖。

以下，對於本發明之實施形態，詳細地加以說明。

圖1係模式性地顯示有關本發明之實施形態的電子裝置封裝8之構造的剖面圖。然而，在本實施形態中，作為電子裝置封裝8，將覆晶連接於被著體上之半導體晶片C為例加以說明。

電子裝置封裝8係具有基板9，而對於基板9係第1面C1(加以形成有電路之電路面)則呈與基板9對向地，半導體晶片C則經由覆晶接合方式(覆晶安裝方式)， 使半導體晶片C之突起電極10與由連接襯墊所被著之接合用的導電材11(焊錫等)電性導通者而加以連接。

對於與半導體晶片C之第1面C1相反側的第2面(背面)係加以設置有接著劑層4，藉由此接著劑層4而加以接著金屬層3。半導體晶片C之第2面C2，接著劑層4，金屬層3的平面尺寸係成為金屬層3=接著劑層4<半導體晶片C之第2面C2。

經由作為接著劑層4之平面尺寸<半導體晶片C之第2面C2之平面尺寸之時，接著劑層4則成為呈未有自半導體晶片C之外緣突出於平面方向之部分。隨之，可抑制外力加上於接著劑層4，而自半導體晶片C之外緣部，接著劑層4產生剝離之情況。另外，因成為金屬層3之平面尺寸=接著劑層4之平面尺寸之故，金屬層3則成為呈亦未有自接著劑層4之外緣突出於平面方向之部分。隨之，可抑制外力加上於金屬層3，而自接著劑層4之外緣部，金屬層3產生剝離之情況。

接著劑層4之平面形狀係與半導體晶片C之平面形狀略相似形者為佳，但為非相似形亦可。非相似形之情況，構成接著劑層4之平面形狀的邊長度係在加以貼合於半導體晶片C之方向中，構成對應之半導體晶片C之平面形狀的邊長度以下。接著劑層4之平面的面積則如較半導體晶片C之平面的面積為小時，構成接著劑層4之平面形狀的邊長度與在加以貼合於半導體晶片C之方向中，構成對應之半導體晶片C之平面形狀的邊長度則為相 同的邊亦可，但對於搭載接著劑層4於半導體晶片C上時之位置調整要求高精確度之故而從搭載性的觀點，係構成接著劑層4之平面形狀的邊長度則較在加以貼合於半導體晶片C之方向中，構成對應之半導體晶片C之平面形狀的邊長度為小者為佳。接著劑層4之平面的面積係半導體晶片C之平面的面積之80%以上，不足100%者為佳，而更理想為90%以上96%以下。接著劑層4之平面的面積則如為半導體晶片C之平面的面積之80%以上時，可得到散熱性或電子裝置封裝之彎曲抑制的效果。另外，當考慮搭載於半導體晶片C上之精確度或製造上之不均時，對於作為呈自半導體晶片C係可未露出而搭載接著劑層4與金屬層3，係接著劑層4之平面的面積則為半導體晶片C之平面的面積之96%以下者為佳。

然而，在本實施形態中，作成金屬層3之平面尺寸=接著劑層4之平面尺寸，但如圖9所示，作成金屬層3之平面尺寸<接著劑層4之平面尺寸亦可。此情況，金屬層3之平面形狀係與接著劑層4之平面形狀略相似形者為佳，但非相似形亦可。非相似形之情況，構成金屬層3之平面形狀的邊長度則為在加以貼合於接著劑層4之方向中，構成對應之接著劑層4之平面形狀的邊長度以下。金屬層3之平面的面積係半導體晶片C之平面的面積之80%以上，不足100%者為佳，而更理想為90%以上95%以下。金屬層3之平面的面積則如為半導體晶片C之平面的面積之80%以上時，可得到散熱性或電子裝置封裝 之彎曲抑制的效果。

作為被著體係可使用引線架或電路基板(配線電路基板等)等之各種基板9者。作為如此之基板9的材質係無特別加以限定者，但可舉出陶瓷基板，塑料基板。作為塑料基板係例如，可舉出環氧基板，雙馬來酸酐縮亞胺三嗪基板，聚醯亞胺基板等。另外，經由將其他的半導體晶片作為被著體，而覆晶連接上述半導體晶片C之時，作為晶載構造亦可。

圖2係顯示有關本發明之實施形態的電子裝置封裝用膠帶1之剖面圖。此電子裝置封裝用膠帶1係可對於製造上述之電子裝置封裝8使用者。此電子裝置封裝用膠帶1係具有基材薄膜51與加以設置於基材薄膜51上之黏著劑層52所成之黏著膠帶5，而對於黏著劑層52上係加以設置有接著劑層4與金屬層3的層積體。在本實施形態中，對於黏著劑層52上係加以設置有接著劑層4，和層積於接著劑層4而加以設置之金屬層3。接著劑層4與金屬層3之層積體係包含藉由為了將兩者的密著性作為良好之底層塗料層等而間接性地加以層積的形態。

本發明之電子裝置封裝用膠帶1係如圖3及圖4所示，將黏著膠帶5加以切斷呈對應於環框R(參照圖8)之形狀，而金屬層3及接著劑層4亦對應於此而加以切斷(預切加工)成特定形狀為佳，而在本實施形態中，加以進行預切加工。

本發明之電子裝置封裝用膠帶1係如圖3及 圖4所示，將複數形成有加以層積金屬層3，接著劑層4，加以切斷成對應於環框R之形狀的黏著膠帶5(標籤部5a)之層積體的長形基材膠帶2，卷繞為滾軸狀的形態者為佳，而在本實施形態中係卷繞為滾軸狀，但加以設置於基材膠帶2之層積體則亦可為各1個加以切斷之形態。

作為預切加工而卷繞為滾軸狀的情況，如圖3及圖4所示，電子裝置封裝用膠帶1係具有基材膠帶2，而對於基材膠帶2上係加以設置有具有特定之平面形狀的金屬層3，和於與金屬層3之基材膠帶2側相反側，與金屬層3層積而加以設置，具有特定之平面形狀的接著劑層4，和被覆接著劑層4，且具有在接著劑層4之周圍，呈接觸於基材膠帶2地加以設置之特定平面形狀的標籤部5a與呈圍繞該標籤部5a之外側的周邊部5b之黏著膠帶5。

標籤部5a係具有對應於切割用之環框R的形狀。對應於切割用之環框R的形狀之形狀係與環框R內側略相同形狀，較環框R內側的尺寸為大之相似形者為佳。另外，未必為圓形亦可，但接近於圓形之形狀為佳，而為圓形者更佳。周邊部5b係包含完全地圍繞標籤部5a之外側的形態，和如圖示未完全圍繞之形態。然而，周邊部5b係未加以設置亦可。

更且，金屬層3及接著劑層4係呈成為加以預定金屬層3之平面的尺寸=接著劑層4之平面的尺寸<金屬層3及接著劑層4之貼合的電子裝置之第2面的平面尺 寸地，加以預先切斷而作為個片化。在本實施形態中，作成金屬層3之平面尺寸=接著劑層4之平面尺寸，但作成金屬層3之平面尺寸<接著劑層4之平面尺寸亦可。對於金屬層3之平面尺寸，接著劑層4之平面尺寸，及電子裝置之第2面的平面尺寸，係如在有關上述之電子裝置封裝之實施形態所說明之。

接著劑層4係個片所集合之全體形狀則具有特定之標籤形狀，而此標籤形狀之外緣係貼合環框R於黏著膠帶5之標籤部5a的周緣部，呈可以拾取裝置之推升構件進行推升地(參照圖8)，成為較標籤部5a為小之形狀。接著劑層4之標籤形狀係為與標籤部5a略相同之形狀，而較標籤部5a之尺寸為小之相似形者為佳。接著劑層4之標籤形狀係未必為圓形亦可，但接近於圓形之形狀為佳，而為圓形者更佳。

金屬層3係個片所集合之全體形狀則成為與接著劑層4同樣的形狀，而加以層積接著劑層4於金屬層3。在此所稱之層積係如加以層積主要部分即可，而金屬層3與接著劑層4則未必需要為相同大小，但從製造之便利性，略相同形狀者為佳。在以下，對於各構成要素加以說明。

<基材膠帶2>

基材膠帶2係亦可由公知的間隔件而構成，但亦可直接使用使用於電子裝置封裝用膠帶之預切割加工之基材膠 帶者。直接使用在電子裝置封裝用膠帶之預切割加工所使用之基材膠帶情況，基材膠帶2係在預切割加工時必須黏著保持金屬層3之故，例如，可最佳地使用具有樹脂薄膜與加以設置於樹脂薄膜之單面的基材膠帶用黏著層的膠帶。

對於構成基材膠帶2之樹脂薄膜的素材，係可使用公知的材料，但如加以例示時，可舉出聚酯(PET、PBT、PEN、PBN、PTT)系、聚烯烴(PP、PE)系、共聚物(EVA、EEA、EBA)系、另外置換一部分此等材料，更提升接著性或機械性強度的薄膜。另外，亦可為此等之薄膜的層積體。從耐熱性，平滑性，及取得容易度的點，選自聚乙烯對苯二甲酸酯，聚丙烯，及高密度聚乙烯者為佳。

構成基材薄膜2之樹脂薄膜的厚度係無特別加以限定者，而適宜地作設定即可，但10~150μm為佳。

作為使用於基材膠帶用黏著劑層之樹脂，係可使用加以使用於黏著劑之公知的氯化聚丙烯樹脂，丙烯酸樹脂，聚酯樹脂，聚氨酯樹脂，環氧樹脂等，但將丙烯酸系聚合物作為基底聚合物之丙烯酸系黏著劑者為佳。

作為丙烯酸系聚合物係例如，可舉出作為單量體成分而使用(甲基)丙烯酸烷基酯(例如，甲基酯，乙基酯，丙基酯，異丙基酯，丁基酯，異丁基酯，s-丁基酯，t-丁基酯，戊烷基酯，異戊基酯，已烷基酯，庚基酯，辛基酯，2-乙基己基酯，異辛酯，壬基酯，癸基酯，異癸基酯，十一基酯，十二基酯，十三基酯，十四基酯，十六基 酯，十八基酯，二十基酯等之烷基的碳數1~30，特別是碳數4~18之直鏈狀或支鏈狀之烷基酯等)及(甲基)丙烯酸環烷基(例如、環戊基酯、環己基酯等)之1種或2種以上之丙烯酸系聚合物等。然而，(甲基)丙烯酸酯係指稱為丙烯酸酯及/或甲基丙烯酸酯，與本發明之(甲基)係完全同樣的意思。

丙烯酸系聚合物係將凝集力，耐熱性等之改質作為目的，因應必要，而包含對應於可與前述(甲基)丙烯酸烷基酯或丙烯酸環烷基酯共聚合之其他單分子成分的單位亦可。作為如此之單分子成分，例如，可舉出丙烯酸，甲基丙烯酸，羧乙基(甲基)丙烯酸酯，羧基戊基(甲基)丙烯酸酯，衣康酸，馬來酸，丁烯二酸，巴豆酸等之羧基含有單分子；無水順丁烯二酸，衣康酸酐等之酸酐單分子；(甲基)丙烯酸2-羥乙基，(甲基)丙烯酸2-羥丙基，(甲基)丙烯酸4-羥基丁基，(甲基)丙烯酸6-羥基已基，(甲基)丙烯酸8-羥基辛基，(甲基)丙烯酸10-羥基癸基，(甲基)丙烯酸12-羥基十二烷基，(4-羥甲基環己烷)甲基(甲基)丙烯酸等之羥基含有單分子；苯乙烯磺酸，丙烯基磺酸，2-(甲基)丙烯醯胺-2甲基丙烷磺酸，(甲基)丙烯醯胺丙烷磺酸，磺丙基(甲基)丙烯酸，(甲基)丙烯醯氧基奈磺酸等之磺酸基含有單分子；2-羥乙基丙烯醯基磷酸等之磷酸基含有單分子；丙烯醯胺，丙烯腈等。此等可共聚合之單分子成分係可使用1種或2種以上。此等可共聚合之單分子的使用量係全單分子成分之40重量%以下者為佳。

更且，丙烯酸系聚合物係加以交聯之故，多官能性單分子等亦因應必要，而可作為共聚合用單分子成分而含有者。作為如此之多官能性單分子，例如，可舉出己二醇二(甲基)丙烯酸酯，(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯，(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯，新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯，季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯，三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯，季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯，二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯，環氧(甲基)丙烯酸酯，聚酯(甲基)丙烯酸酯，胺甲酸乙酯(甲基)丙烯酸酯等。此等之多官能性單分子亦可使用1種或2種以上者。多官能性單分子之使用量係從黏著特性等的點，全單分子成分之30重量%以下者為佳。

丙烯酸系聚合物之調製係例如，可適用溶液聚合方式或乳化聚合方式，塊狀聚合方式或懸浮聚合方式等之適宜方式於1種或2種以上之成分單分子之混合物而進行者。基材膠帶用黏著劑層係自晶圓之污染防止等的點，抑制低分子量物質之含有的組成為佳，從自有關的點，將重量平均分子量為30萬以上，特別是40萬~300萬的丙烯酸系聚合物作為主成分者為佳的情況，黏著劑係亦可作為經由內部交聯方式或外部交聯方式等之適宜的交聯形式。

另外，為了抑制基材膠帶用黏著劑層之交聯密度而使與黏著膠帶5之剝離性提升，例如，可採用使用多官能異氰酸酯系化合物，多官能環氧系化合物，三聚氰 胺系化合物，金屬鹽系化合物，金屬螯合系化合物，氨基樹脂系化合物，或過氧化物等之適宜的外部交聯劑而進行交聯處理的方式，或混合具有2個以上碳-碳雙鍵之低分子化合物，經由能量線的照射等而進行交聯處理之方式等之適合方式者。使用外部交聯劑的情況，其使用量係經由與欲進行交聯之基底聚合物的平衡，更且，經由作為黏著劑之使用用途而加以適宜決定。一般而言，對於前述基底聚合物100重量分而言，調配20重量分程度以下，更且0.1重量分~20重量分者為佳。

基材膠帶用黏著劑層之厚度係無特別加以限制而可適宜地決定，但一般而言係5~200μm程度。另外，基材膠帶用黏著劑層係亦可以單層而加以構成，而以複數層而加以構成亦可。

<黏著膠帶5>

作為黏著膠帶5係無特別限制，而可使用以往的黏著膠帶。作為黏著膠帶5，例如，可最佳地使用設置黏著劑層52於基材薄膜51之構成。

作為基材薄膜51係如為以往公知的構成，可未特別地限制而使用，但對於作為後述之黏著劑層52而使用放射線硬化性的材料之情況，係使用具有放射線透過性之構成者為佳。

例如，作為其材料，可列舉聚乙烯，聚丙烯，乙烯-丙烯共聚物，聚丁烯-1，聚-4-甲基戊烯-1，乙 烯/醋酸乙烯酯共聚物，乙烯-丙烯酸乙基共聚物，乙烯-丙烯酸甲基共聚物，乙烯-丙烯酸共聚物，離子聚合物等之α-烯烴之單獨聚合物或共聚物，或者此等之混合物，聚氨酯，苯乙烯-乙烯-丁烯或戊烯共聚物，聚醯胺-聚醇共聚物等之熱可塑性合成橡膠，及此等混合物者。另外，基材薄膜係亦可為加以混合選自此等的群之2種以上的材料者，而此等則加以作為單層或複層化者亦可。

基材薄膜51之厚度係無特別加以限定，而適宜地作設定即可，但50~200μm為佳。

為了使基材薄膜51與黏著劑層52之密著性提升，於基材薄膜51的表面，施以鉻酸處理，臭氧暴露，火焰暴露，高壓電擊暴露，離子化放射線處理等之化學性或物理性表面處理。

另外，在本實施形態中，於基材薄膜51上方，直接設置黏著劑層52，但藉由為了提升密著性之底漆層，或為了切割時之切削性提升之固定層，應力緩和層，靜電防止層等而間接性地設置亦可。

作為使用於黏著膠帶5之黏著劑層52之樹脂，係無特別加以限定者，而可使用加以使用於黏著劑之公知的氯化聚丙烯樹脂，丙烯酸樹脂，聚酯樹脂，聚氨酯樹脂，環氧樹脂等，但將丙烯酸系聚合物作為基底聚合物之丙烯酸系黏著劑者為佳。

作為丙烯酸系聚合物係例如，可舉出作為單量體成分而使用(甲基)丙烯酸烷基酯(例如，甲基酯，乙基 酯，丙基酯，異丙基酯，丁基酯，異丁基酯，s-丁基酯，t-丁基酯，戊烷基酯，異戊基酯，已烷基酯，庚基酯，辛基酯，2-乙基己基酯，異辛酯，壬基酯，癸基酯，異癸基酯，十一基酯，十二基酯，十三基酯，十四基酯，十六基酯，十八基酯，二十基酯等之烷基的碳數1~30，特別是碳數4~18之直鏈狀或支鏈狀之烷基酯等)及(甲基)丙烯酸環烷基(例如、環戊基酯、環己基酯等)之1種或2種以上之丙烯酸系聚合物等。然而，(甲基)丙烯酸酯係指稱為丙烯酸酯及/或甲基丙烯酸酯，與本發明之(甲基)係完全同樣的意思。

丙烯酸系聚合物係將凝集力，耐熱性等之改質作為目的，因應必要，而包含對應於可與前述(甲基)丙烯酸烷基酯或丙烯酸環烷基酯共聚合之其他單分子成分的單位亦可。作為如此之單分子成分，例如，可舉出丙烯酸，甲基丙烯酸，羧乙基(甲基)丙烯酸酯，羧基戊基(甲基)丙烯酸酯，衣康酸，馬來酸，丁烯二酸，巴豆酸等之羧基含有單分子；無水順丁烯二酸，衣康酸酐等之酸酐單分子；(甲基)丙烯酸2-羥乙基，(甲基)丙烯酸2-羥丙基，(甲基)丙烯酸4-羥基丁基，(甲基)丙烯酸6-羥基已基，(甲基)丙烯酸8-羥基辛基，(甲基)丙烯酸10-羥基癸基，(甲基)丙烯酸12-羥基十二烷基，(4-羥甲基環己烷)甲基(甲基)丙烯酸等之羥基含有單分子；苯乙烯磺酸，丙烯基磺酸，2-(甲基)丙烯醯胺-2甲基丙烷磺酸，(甲基)丙烯醯胺丙烷磺酸，磺丙基(甲基)丙烯酸，(甲基)丙烯醯氧基奈磺 酸等之磺酸基含有單分子；2-羥乙基丙烯醯基磷酸等之磷酸基含有單分子；丙烯醯胺，丙烯腈等。此等可共聚合之單分子成分系可使用1種或2種以上。此等可共聚合之單分子的使用量係全單分子成分之40重量%以下者為佳。

更且，丙烯酸系聚合物係加以交聯之故，多官能性單分子等亦因應必要，而可作為共聚合用單分子成分而含有者。作為如此之多官能性單分子，例如，可舉出己二醇二(甲基)丙烯酸酯，(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯，(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯，新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯，季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯，三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯，季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯，二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯，環氧(甲基)丙烯酸酯，聚酯(甲基)丙烯酸酯，胺甲酸乙酯(甲基)丙烯酸酯等。此等之多官能性單分子亦可使用1種或2種以上者。多官能性單分子之使用量係從黏著特性等的點，全單分子成分之30重量%以下者為佳。

丙烯酸系聚合物之調製係例如，可適用溶液聚合方式或乳化聚合方式，塊狀聚合方式或懸浮聚合方式等之適宜方式於1種或2種以上之成分單分子之混合物而進行者。黏著劑層52係抑制低分子量物質之含有的組成為佳，從自有關的點，將重量平均分子量為30萬以上，特別是40萬~300萬的丙烯酸系聚合物作為主成分者為佳的情況，黏著劑係亦可作為經由內部交聯方式或外部交聯方式等之適宜的交聯形式。

另外，為了控制黏著劑層52交聯密度而使拾取性提升，例如，可採用使用多官能異氰酸酯系化合物，多官能環氧系化合物，三聚氰胺系化合物，金屬鹽系化合物，金屬螯合系化合物，氨基樹脂系化合物，或過氧化物等之適宜的外部交聯劑而進行交聯處理的方式，或混合具有2個以上碳-碳雙鍵之低分子化合物，經由能量線的照射等而進行交聯處理之方式等之適合方式者。使用外部交聯劑的情況，其使用量係經由與欲進行交聯之基底聚合物的平衡，更且，經由作為黏著劑之使用用途而加以適宜決定。一般而言，對於前述基底聚合物100重量分而言，調配20重量分程度以下，更且0.1重量分~20重量分者為佳。然而，對於黏著劑係從劣化防止等之觀點，根據必要，除前述成分之外，使用各種黏著賦予劑，老化防止劑等之添加劑亦可。

作為構成黏著劑層52之黏著劑，係放射線硬化型黏著劑則最佳。作為放射線硬化型黏著劑，係可例示於前述之黏著劑，調配放射線硬化性之單分子成分或放射線硬化性之寡聚物成分的添加型之放射線硬化型黏著劑。

作為進行調配之放射線硬化性的單分子成分係例如，可舉出胺甲酸乙酯(甲基)丙烯酸酯，三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯，四甲醇甲烷四(甲基)丙烯酸酯，季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯，季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯，二季戊四醇單羥基五(甲基)丙烯酸酯，二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯，1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯等。此等之單 分子成分系可併用1種或2種以上。

另外，放射線硬化性的寡聚物成分係可舉出：胺甲酸乙酯系，聚醚系，聚酯系，聚碳酸酯系，聚丁二烯系等種種的寡聚物，其分子量則100~30000程度之範圍的構成為適當。放射線硬化性的單分子成分或寡聚物成分的調配量係因應前述黏著劑層52的種類，可適宜地決定可降低黏著劑層52之黏著力的量者。一般而言，對於構成黏著劑之丙烯酸系聚合物等之基底聚合物100重量分而言，例如5重量分~500重量分、而理想為70重量分~150重量分程度。

另外，作為放射線硬化型黏著劑，係除了前述添加型之放射線硬化型黏著劑之外，亦可舉出使用作為基底聚合物而具有碳-碳雙鍵具有於聚合物側鏈或主鏈中或者主鏈末端之內在型的放射線硬化型黏著劑。內在型的放射線硬化型黏著劑係無須含有低分子成分之寡聚物成分等，或者未含有多數之故，未有經時性地，寡聚物成分等則移動在黏著劑內，而可形成安定層構造之黏著劑層52之故而為理想。

具有碳-碳雙鍵之基底聚合物係可未特別地限制而使用具有碳-碳雙鍵，且具有黏著性之構成。作為如此之基底聚合物，係將丙烯酸系聚合物作為基本結構者為佳。作為丙烯酸系聚合物之基本結構，係可舉出前述例示之丙烯酸系聚合物。

對於丙烯酸系聚合物之碳-碳雙鍵的導入法係 未特別加以限制，而可採用各種方法，但碳-碳雙鍵係導入於聚合物側鏈情況則在分子設計上為容易。例如，可舉出：預先，共聚合具有官能基之單分子於丙烯酸系聚合物之後，使可與此官能基反應之官能基及具有碳-碳雙鍵之化合物，保持維持碳-碳雙鍵之放射線硬化性，進行縮合或附加反應之方法。

作為此等官能基的組合例，係可舉出：羧酸基與環氧基，羧酸基與氮丙啶基，羥基與異氰酸酯基等。此等官能基的組合之中，從反應追踪的容易度，羥基與異氰酸酯基之組合則最佳。另外，如為經由此等官能基之組合，而生成具有前述碳-碳雙鍵之丙烯酸系聚合物之組合，官能基係亦可位於丙烯酸系聚合物與前述化合物之任一側，但在前述理想的組合，係丙烯酸系聚合物則具有羥基，而前述化合物則具有異氰酸酯基之情況為最佳。此情況，作為具有碳-碳雙鍵之異氰酸酯基化合物，係例如，可舉出甲基丙烯醯基異氰酸酯，2-甲基丙烯酸異氰基乙酯，m-異丙烯基-α,α-二甲基苄基異氰酸酯等。另外，作為丙烯酸系聚合物，係加以使用共聚合前述例示之羥基含有聚合物或2-羥乙基乙烯基醚，4-羥基乙烯醚，二乙二醇單乙烯醚等之醚系化合物等之構成。

內在型之放射線硬化型黏著劑係可單獨使用具有前述碳-碳雙鍵之基底聚合物(特別是丙烯酸系聚合物)，但亦可未使特性惡化程度地調配前述放射線硬化性的聚合物成分或寡聚物成分等之光聚合性化合物者。該光 聚合性化合物的調配量係通常對於基底聚合物100重量分而言為30重量分以下的範圍內，而理想為0~10重量分的範圍內。

對於放射線硬化型黏著劑，係在經由紫外線等而使其硬化之情況係含有光聚合開始劑者為佳。

在上述之丙烯酸系聚合物之中，亦含有特別以CH₂=CHCOOR(式中、R係碳數為4~18之烷基)所代表之丙烯酸酯，和羥基含有單分子，和於分子內具有自由基反應性碳-碳雙鍵之異氰酸酯化合物而加以構成之丙烯酸系聚合物A者為佳。

丙烯酸烷基酯之烷基的碳數不足4時，極性為高而剝離力變大而有拾取性下降之情況。另一方面，丙烯酸烷基酯之烷基的碳數超過18時，因黏著劑層52之玻璃移轉溫度則變為過高，而在常溫的接著特性降低，其結果，在切割時有產生有金屬層3之剝離的情況。

上述丙烯酸系聚合物A係因應必要，含有對應於其他的單分子成分的單位亦可。

在丙烯酸系聚合物A中，加以使用具有自由基反應性碳-碳雙鍵之異氰酸酯化合物。即，丙烯酸聚合物係於經由前述丙烯酸酯或羥基含有單分子等之單分子組成物，具有加以附加反應雙鍵含有異氰酸酯化合物之構成者為佳。隨之，丙烯酸系聚合物係於其分子構造內，具有自由基反應性碳-碳雙鍵者為佳。經由此，可作為經由活性能量線(紫外線等)之照射而硬化之活性能量線硬化型黏 著劑層(紫外線硬化型黏著劑層等)，而可使金屬層3與黏著劑層52的剝離力降低者。

作為碳雙鍵之異氰酸酯化合物，係例如，可舉出甲基丙烯醯基異氰酸酯，丙系醯基異氰酸酯，2-甲基丙烯酸異氰基乙酯，丙烯酸2-異氰基乙酯m-異丙烯基-α,α-二甲基苄基異氰酸酯等。碳雙鍵含有異氰酸酯化合物係可以單獨或組合2種以上而使用者。

另外，對於活性能量線硬化型黏著劑，係為了調整活性能量線照射前之黏著力，或活性能量線照射後之黏著力，而適宜地使用外部交聯劑亦可。作為外部交聯方法之具體的手段，係可舉出添加聚異氰酸酯化合物，環氧化合物，氮丙啶化合物，三聚氰胺系交聯劑等之所謂交聯劑而使其反應的方法。使用外部交聯劑的情況，其使用量係經由與欲進行交聯之基底聚合物的平衡，更且，經由作為黏著劑之使用用途而加以適宜決定。外部交聯劑之使用量係一般而言，對於前述基底聚合物100重量分而言為20重量分以下(理想為0.1重量分~10重量分)。更且，對於活性能量線硬化型黏著劑，係經由必要，除了前述成分以外，亦可加以調配以往公知之各種黏著賦予劑，老化防止劑，發泡劑等添加劑。

黏著劑層52之厚度係無特別加以限制而可適宜地決定，但一般而言係5~200μm程度。另外，黏著劑層52係亦可以單層而加以構成，而以複數層而加以構成亦可。

<金屬層3>

作為構成金屬層3之金屬係未特別加以限定，而例如，選自不鏽鋼，鋁，鐵，鈦，錫，鎳及銅所成的群之至少1種者，則從散熱性，電子裝置封裝8的彎曲防止的點為佳。此等之中，從熱傳導性為高，得到散熱的效果之觀點，含有銅者特別理想。另外，從電子裝置封裝8的彎曲防止的觀點係含有鋁者特別理想。

金屬層3的厚度係5μm以上，不足200μm。經由作為5μm以上之時，可得到散熱效果或封裝之彎曲的抑制效果。另外，如為不足200μm時，卷繞加工則為容易。

<接著劑層4>

接著劑層4係將接著劑預先作為薄膜化之構成。

接著劑層4係至少經由熱硬化性樹脂而加以形成，而至少經由熱硬化性樹脂與熱可塑性樹脂而加以形成者為佳。

作為熱可塑性樹脂係，例如，可舉出天然橡膠，丁基橡膠，異戊二烯橡膠，氯丁橡膠，乙烯-乙酸乙烯共聚物，乙烯-丙烯酸共聚物，乙烯-丙烯酸酯共聚物，聚丁二烯樹脂，聚碳酸酯樹脂，熱可塑性聚醯亞胺樹脂，6-尼龍或6,6-尼龍等之聚醯胺樹脂，苯氧基樹脂，丙烯酸樹脂，PET(聚對苯二甲酸乙二酯)或PBT(聚對苯二甲酸丁 二酯)等之飽和聚酯樹脂，聚醯胺醯亞胺樹脂，或氟素樹脂等。熱可塑性樹脂係可以單獨或併用2種以上而使用者。此等熱可塑性樹脂之中，在離子性不純物少，對於應力緩和性優越的點，丙烯酸樹脂則在並存有可撓性與強度而為高韌性的點，而苯氧基樹脂則在各觀點，可容易確保半導體元件的信賴性之故而特別理想。

作為丙烯酸樹脂係未特別加以限定，而可舉出將具有碳數30以下(理想為碳數1~18)之直鏈或分歧之烷基的丙烯酸或甲基丙烯酸的酯之1種或2種以上作為成分之聚合體等。即，在本發明中，丙烯酸樹脂係指亦包含甲基丙烯酸樹脂之廣義的意思。作為前述烷基，係例如可舉出，甲基，乙基，丙基，異丙基，n-丁基，t-丁基，異丁基，戊基，異戊基，己基，庚基，2-乙基己基，辛基，異辛基，壬基，異壬基，癸基，異癸基，十一基，十二基(月桂基)，十三基，十四基，正十八基，十八基等。

另外，作為為了形成丙烯酸樹脂之其他單分子(烷基之碳數為30以下之丙烯酸或甲基丙烯酸之烷酯以外的單分子)，係並非特別加以限定，例如可舉出：如丙烯酸，甲基丙烯酸，羧乙基丙烯酸酯，羧基戊基丙烯酸酯，衣康酸，馬來酸，丁烯二酸或巴豆酸等之羧基含有單分子；無水順丁烯二酸或衣康酸酐等之酸酐單分子，如(甲基)丙烯酸2-羥乙基，(甲基)丙烯酸2-羥丙基，(甲基)丙烯酸4-羥基丁基，(甲基)丙烯酸6-羥基已基，(甲基)丙烯酸8-羥基辛基，(甲基)丙烯酸10-羥基癸基，(甲基)丙烯酸 12-羥基十二烷基或(4-羥甲基環己烷)甲基丙烯酸等之羥基含有單分子，如苯乙烯磺酸，丙烯基磺酸，2-(甲基)丙烯醯胺-2-甲基丙烷磺酸，(甲基)丙烯醯胺丙烷磺酸，磺丙基(甲基)丙烯酸或(甲基)丙烯醯氧基奈磺酸等之磺酸基含有單分子，或如2-羥乙基丙烯醯基磷酸等之磷酸基含有單分子等。然而，(甲基)丙烯酸係指稱為丙烯酸及/或甲基丙烯酸，與本發明之(甲基)係完全同樣的意思。

另外，作為熱硬化性樹脂，係環氧樹脂，苯酚樹脂之其他，可舉出氨基樹脂，不飽和聚酯樹脂，聚胺基甲酸酯樹脂，聚矽氧樹脂，熱硬化性聚醯亞胺樹脂等。熱硬化性樹脂係可以單獨或併用2種以上而使用者。作為熱硬化性樹脂，係特別是使半導體元件腐蝕之離子性不純物等含有少之環氧樹脂為最佳。另外，作為環氧樹脂之硬化劑係可適合使用苯酚樹脂。

作為環氧樹脂係無特別限定，例如可使用雙酚A型環氧樹脂，雙酚F型環氧樹脂，雙酚S型環氧樹脂，溴化雙酚A型環氧樹脂，氫化雙酚A型環氧樹脂，雙酚AF型環氧樹脂，聯苯型環氧樹脂，萘型環氧樹脂，芴型環氧樹脂，雙酚酚醛環氧樹脂，甲酚酚醛環氧樹脂，三羥基苯基甲烷環氧樹脂，四苯酚乙烷環氧樹脂等之二官能環氧樹脂或多官能環氧樹脂，或乙內醯脲型環氧樹脂，三縮水甘油基異尿氰酸酯型環氧樹脂或縮水甘油胺型環氧樹脂等之環氧樹脂。

作為環氧樹脂係例示之中，酚醛環氧樹脂， 聯苯型環氧樹脂，三羥基苯基甲烷環氧樹脂，四苯酚乙烷環氧樹脂則特別理想。此等環氧樹脂係富有與作為硬化劑之苯酚樹脂之反應性，而對於耐熱性等優越之故。

更且，苯酚樹脂係作為環氧樹脂之硬化劑而作用之構成，例如，可舉出苯酚酚醛樹脂，苯酚芳烷基樹脂，甲酚酚醛清漆樹脂，tert-丁基苯酚酚醛樹脂，壬基苯酚酚醛樹脂等之酚醛型苯酚樹脂，可溶酚醛型苯酚樹脂，聚氧基苯乙烯等之聚氧苯乙烯等。苯酚樹脂係可以單獨或併用2種以上而使用者。此等苯酚樹脂之中，苯酚酚醛樹脂，苯酚芳烷基樹脂則特別理想。可提升半導體裝置之連接信賴性之故。

環氧樹脂與苯酚樹脂之調配比例係例如，環氧樹脂成分中之環氧基每1當量，苯酚樹脂中之氫氧基則呈成為0.5當量~2.0當量地進行調配者最佳。又最佳係0.8當量~1.2當量。即，兩者的調配比例則超出前述範圍時，充分之硬化反應則無法進行，而環氧樹脂硬化物之特性則容易劣化之故。

另外，加以使用環氧樹脂與苯酚樹脂之熱硬化促進觸媒亦可。作為熱硬化促進觸媒係並無特別加以限制，可自公知之熱硬化促進觸媒之中做適當選擇而使用。熱硬化促進觸媒係可以單獨或組合2種以上而使用者。作為熱硬化促進觸媒係例如，可使用胺系硬化促進劑，磷系硬化促進劑，咪唑系硬化促進劑，硼系硬化促進劑，磷-硼系硬化促進劑等。

作為環氧樹脂之硬化劑，係如上述，使用苯酚樹脂者為佳，但亦可使用咪唑類，胺類，酸酐類等之公知的硬化劑。

接著劑層4係對於電子裝置等之被著體9而言，具有接著性(密著性)者則為重要。因此，為了預先使接著劑層4作為某種程度交聯，而作為交聯劑而添加與聚合體的分子鏈末端之官能基等反應之多官能性化合物亦可。經由此，可使在高溫下的接著特性提升，而謀求耐熱性之改善。

作為交聯劑係無特別加以限制，而可使用公知的交聯劑。具體而言，例如，異氰酸酯系交聯劑，環氧系交聯劑，三聚氰胺系交聯劑，過氧化物系交聯劑之其他，可舉出尿素系交聯劑，金屬醇鹽系交聯劑，金屬螯合系交聯劑，金屬鹽系交聯劑，碳二亞胺系交聯劑，噁唑啉系交聯劑，氮丙環系交聯劑，胺系交聯劑等。作為交聯劑係異氰酸酯系交聯劑或環氧系交聯劑為最佳。另外，前述交聯劑係可以單獨或組合2種以上而使用。

然而，在本發明中，取代使用交聯劑，或者使用交聯劑之同時，亦可經由電子線或紫外線等之照射而施以交聯處理者。

對於接著劑層4，係因應必要而可適宜地調配其他的添加劑者。作為其他的添加劑，例如，充填劑(添加劑)，難燃劑，矽烷偶合劑，離子捕集劑之其他，可舉出增量劑，老化防止劑，氧化防止劑，界面活性劑等。

作為充填劑，係亦可為無機充填劑，有機充填劑之任一，但無機充填劑為最佳。經由無機充填劑等之充填劑的調配，可對於接著劑層4謀求熱傳導性的提升，彈性率之調節等。作為無機充填劑，係例如二氧化矽，黏土，石膏，碳酸鈣，硫酸鋇，氧化鋁，氧化鈹，碳化矽，氮化矽，氮化鋁等之陶瓷類，鋁，銅，銀，金，鎳，鉻，鉛，錫，鋅，鈀，焊錫等之金屬，或合金類，其他可舉出碳等所成之種種的無機粉末等。充填劑係可以單獨或併用2種以上而使用者。作為充填劑係其中，二氧化矽或氧化鋁，而作為二氧化矽，特別是熔融二氧化矽則最佳。然而，無機充填劑的平均粒徑係0.001μm~80μm之範圍內者為佳。無機充填劑的平均粒徑係例如，可經由雷射繞射型粒度分布測定裝置而測定者。

充填劑(特別是無機充填劑)的調配量係對於有機樹脂成分而言為98重量%以下(0重量%~98重量%)者為佳，而特別是二氧化矽之情況係0重量%~70重量%，而熱傳導或導電等之機能性無機充填劑之情況係10重量%~98重量%之情況則為最佳。

另外，作為難燃劑係例如可舉出，三氧化二銻，五氧化二銻，溴化環氧樹脂等。難燃劑係可以單獨，或併用2種以上而使用者。作為矽烷偶合劑係例如可舉出，β-(3,4-環氧環己烷)乙基三甲氧基矽烷，γ-縮水甘油醚氧丙基三甲氧基矽烷，γ-縮水甘油基丙基甲基二甲氧基矽烷等。矽烷偶合劑係可以單獨或併用2種以上而使用者。 作為離子捕集劑係例如，可舉出水滑石類，氫氧化鉍等。離子捕集劑係可以單獨或併用2種以上而使用者。

接著劑層4係從接著性與信賴性的觀點，特別是含有：(A)環氧樹脂，(B)硬化劑，(C)丙烯酸樹脂或苯氧基樹脂，及(D)加以表面處理之無機充填材者為佳。

經由使用(A)環氧樹脂之時，可得到高接著性，耐水性，耐熱性。作為環氧樹脂係可使用上述之公知的環氧樹脂。(B)硬化剤係可使用上述之公知的硬化劑。

(C)丙烯酸樹脂係並存可撓性與強度而為高韌性。理想之丙烯酸樹脂係Tg(玻璃轉移溫度)為-50℃~50℃，聚合作為交聯性官能基而具有環氧基，縮水甘油基，醇性氫氧基，酚性氫氧基或羧基之單分子而得到之交聯性官能基含有(甲基)丙烯酸共聚物。更且，當含有丙烯腈等而顯示橡膠特性時，得到高韌性。

另外，(C)苯氧基樹脂係苯氧基樹脂係分子鏈為長，與環氧樹脂構造類似，在高交聯密度之組成物中，作為可撓性材料而作用，因賦予高韌性之故，而為高強度之同時可得到強韌度之組成物。理想之苯氧基樹脂係主架構為雙酚A型之構成，但其他，作為理想的構成可舉出雙酚F型苯氧基樹脂，雙酚A/F型混合型苯氧基樹脂或溴化苯氧基樹脂等市售的苯氧基樹脂者。

作為(D)加以表面處理之無機充填材，係可舉出以偶合劑加以表面處理之無機充填劑。作為無機充填材，係可使用上述之公知的無機充填劑，例如，二氧化 矽，氧化鋁。經由以偶合劑加以表面處理之時，無機充填劑的分散性則成為良好。因此，因可得到對於流動性優越之接著劑層之故，可使與金屬層3的接著力提升。另外，因成為呈可使無機充填劑作為高充填之故，可降低吸水率而使耐濕性提升。

例如，經由矽烷偶合劑之無機充填材的表面處理係經由公知的方法，根據使無機充填材分散於矽烷偶合劑溶液中之時，使存在於無機充填劑表面之氫氧基與加以加水分解矽烷偶合劑之烷氧基等的加水分解基之矽醇基反應，於無機充填劑表面，經由生成Si-O-Si結合而加以進行。

接著劑層4之厚度係雖無特別加以限制，但從通常處理性的觀點及散熱性，3μm以上為佳，而5μm以上更佳，為了貢獻於半導體封裝之薄型化，而150μm以下為佳，100μm以下更佳。接著劑層4係亦可以單層而加以構成，而以複數層而加以構成亦可。

另外，接著劑層4係在B平台(未硬化狀態或半硬化狀態)中，與金屬層3之剝離力(23℃、剝離角度180度、線速300mm/分)則為0.3N以上者為佳。當剝離力不足0.3N時，在進行個片化(切割)時，有在接著劑層4與金屬層3之間產生有剝離之虞。

接著劑層4之吸水率係為1.5vol%以下者為佳。吸水率之測定方法係如以下。即，將50×50mm尺寸之接著劑層4(薄膜狀接著劑)作為取樣，使取樣，在真空 乾燥機中，以120℃，進行3小時乾燥，在乾燥器中放冷後，測定乾燥質量而作為M1。將取樣，以室溫浸漬24小時於蒸餾水之後取出，以濾紙擦拭取樣表面，馬上進行秤量而作為M2。吸水率係經由下式(1)而加以算出。

吸水率(vol%)=[(M2-M1)/(M1/d)]×100 (1)

在此，d係薄膜之密度。

當吸水率超出1.5vol%時，經由吸水的水分，在焊錫迴焊時，有產生迴焊裂化之虞。

接著劑層4之飽和吸濕率係為1.0vol%以下者為佳。飽和吸濕率之測定方法係如以下。即，將直徑100mm之圓形之接著劑層4(薄膜狀接著劑)作為取樣，使取樣，在真空乾燥機中，以120℃，進行3小時乾燥，在乾燥器中放冷後，測定乾燥質量而作為M1。將取樣，在85℃、85%RH的恆溫恆濕槽中進行168小時吸濕之後取出，馬上進行秤量而作為M2。飽和吸濕率係經由下式(2)而加以算出。

飽和吸濕率(vol%)=[(M2-M1)/(M1/d)]×100 (2)

在此，d係薄膜之密度。

當飽和吸濕率超出1.0vol%時，經由迴焊時之吸濕而蒸氣壓的值則變高，而有無法得到良好的迴焊特性之虞。

接著劑層4之殘存揮發分係為3.0wt%以下者為佳。殘存揮發成分之測定方法係如以下。即，將50×50mm尺寸之接著劑層4(薄膜狀接著劑)作為取樣，測定取 樣之初期的質量而作為M1，將取樣，在熱風循環恆溫槽中，以200℃進行2小時加熱後，進行秤量而作為M2。殘存揮發分係經由下式(3)而加以算出。

殘存揮發分(wt%)=[(M2-M1)/M1]×100 (3)

當殘存揮發分超出3.0wt%時，經由封裝時之加熱而溶媒則產生揮發，於接著劑層4之內部產生有空隙，而有產生封裝破裂之虞。

對於金屬層3之線膨脹係數之接著劑層4之線膨脹係數而言的比(金屬層3之線膨脹係數/接著劑層4之線膨脹係數)係為0.2以上者為佳。當該比不足0.2時，成為在金屬層3與接著劑層4之間容易產生剝離，而在封裝時，產生有封裝破裂，而有信賴性降低之虞。

接著，對於有關本實施形態之電子裝置封裝用膠帶1之製造方法加以說明。首先，準備長形之金屬層3。作為金屬層3係如使用市售的金屬箔即可。接著，如圖5(A)所示，將金屬層3，使用貼合滾軸r等而貼合於長形之基材膠帶2的黏著面。

另外，形成長形箔膜狀的接著劑層4。接著劑層4係可利用調製樹脂組成物，而形成為薄膜狀的層之慣用方法而形成者。具體而言，例如，可舉出於適當的間隔件(剝離紙等)上，塗佈前述樹脂組成物而進行乾燥(在熱硬化為必要之情況等中，因應必要而施以加熱處理進行乾燥)，形成接著劑層4之方法等。前述樹脂組成物係亦可 為溶液，以及分散液。

接著，如圖5(B)所示，於加以貼合於基材膠帶2之金屬層3上，使用貼合滾軸r而貼合自間隔件加以剝離之接著劑層4。

然而，在上述中，在貼合金屬層3於基材膠帶2之後，作成呈貼合接著劑層4於金屬層3上，但貼合金屬層3與接著劑層4之後，將金屬層3側的面貼合於基材膠帶2亦可。

接著，如圖5(C)所示，外緣為特定之標籤形狀(在此係圓形形狀)，使用格子狀的壓切齒，將接著劑層4及金屬層3預先個片化成特定的尺寸之同時，全體形狀則呈成為特定的標籤形狀地進行預切割，如圖5(D)所示，將周邊之不要部分6，自基材膠帶2剝離而除去。在此，個片化係呈成為金屬層3之平面的尺寸=接著劑層4之平面的尺寸<半導體晶片C之第2面之平面的尺寸地進行。

然而，作為形成特定形狀之金屬層3及接著劑層4於基材膠帶2上之方法，係未加以限定於上述者，而亦可為將長形的金屬層3貼合於長形之基材膠帶2，沖壓為特定形狀，除去不要部分6之後，將加以形成為特定形狀之接著劑層4，貼合於特定形狀之金屬層3上亦可，而亦可將各預先形成為特定形狀之金屬層3與接著劑層4，貼合於基材膠帶2。特別是，如圖9所示，作為金屬層3之平面尺寸<接著劑層4之平面尺寸之情況，經由如此之方法而加以製造。但，從製造工程之步驟的簡便性， 經由上述圖5(A)~(D)所示之工程而製造者為佳。另外，在上述的圖5(A)~(D)所示之工程，如預先個片化接著劑層4及金屬層3為特定之尺寸時，可得到金屬層3之平面尺寸=接著劑層4之平面尺寸之接著劑層4及金屬層3的層積體，由僅對於此層積體的電子裝置背面進行位置調整而搭載，可一時性地搭載接著劑層4及金屬層3於電子裝置之背面之故，在對於電子裝置之接著劑層及金屬層之搭載工程的步驟之簡便性的點，亦為優越。另外，無須位置調整金屬層3而搭載於接著劑層4之必要之故，因未有產生偏差於金屬層3之搭載位置之故，對於搭載性亦為優越。

又，另外，製作黏著膠帶5。基材薄膜係可經由以往公知的製膜方法而進行製膜者。作為該製膜方法係例如，可例示日曆製膜法，在有機溶媒中之鑄造法，在密閉系統之充氣壓出法，T字模壓出法，共壓出法，乾式層疊法等。接著，於基材薄膜51上塗佈黏著劑層組成物，使其乾燥(因應必要而使其加熱交聯)而形成黏著劑層52。作為塗佈方式係可舉出滾輪塗工，網版印刷塗工，凹版印刷塗工等。然而，將黏著劑層組成物直接塗佈於基材薄膜51，而於基材薄膜51上形成黏著劑層52亦可，另外，將黏著劑層組成物，塗佈於對於表面進行剝離處理之剝離紙等而使黏著劑層52形成之後，使該黏著劑層轉印於基材薄膜51亦可。經由此，加以製作形成黏著劑層52於基材薄膜51上之黏著膠帶5。

之後，如圖6(A)所示，於加以形成於基材膠 帶2上之特定形狀的金屬層3及接著劑層4之接著劑層4側的面，呈接觸有黏著膠帶5之黏著劑層52側的面地層疊黏著膠帶5。

接著，如圖6(B)所示，使用壓切刀等而規格裁切黏著膠帶5為特定形狀，如圖6(C)所示，經由自基材膠帶2而剝離除去周邊之不要部分7之時，加以作成電子裝置封裝用膠帶1。然而，之後，剝離使用於規格裁切加工的基材膠帶2，而作為呈與黏著膠帶5之黏著劑層52貼合公知的間隔件亦可。

<使用方法>

接著，對於使用本實施形態之電子裝置封裝用膠帶1而製造電子裝置封裝8之方法，參照圖7~圖8同時加以說明。

[半導體晶圓W之安裝工程]

首先，準備與本發明之電子裝置封裝用膠帶1另外的黏著膠帶D，而於該黏著膠帶D上的中央部，如在圖7(A)所示地，貼著半導體晶圓W，將此黏著保持固定(半導體晶圓W之安裝工程)之同時，於黏著膠帶D之周緣部貼合環框R。此時，黏著膠帶D係加以貼著於半導體晶圓W的背面。半導體晶圓W之背面係指：意味與電路面相反側的面(亦稱為非電路面，非電極形成面等)。貼著方法係無特別加以限定，但經由加熱壓著之方法為佳。壓著係 通常，經由壓著滾輪等之按壓手段而按壓同時加以進行。

[半導體晶圓W之切割工程]

接著，如在圖7(B)所示地，進行半導體晶圓W之切割。經由此，將半導體晶圓W切斷為特定的尺寸而作為個片化(小片化)，製造半導體晶片C。切割係例如，自半導體晶圓W之電路面側，依照常用方法而加以進行。另外，在本工程中，例如，可採用至黏著膠帶D為止進行切入之稱為全切割之切斷方式等。作為在本工程所使用之切割裝置係無特別加以限定，而可使用以往公知者。然而，進行黏著膠帶D之擴展之情況，該擴展係可使用以往公知的擴展裝置而進行者。

[半導體晶片C之拾取工程]

如在圖7(C)所示地，進行半導體晶片C之拾取，使半導體晶片C，自黏著膠帶D剝離。作為拾取之方法係無特別加以限定，而可採用以往公知的各種方法。例如，將貼合有半導體晶片C及環框R之黏著膠帶D，令基材薄膜側作為下方，載置於拾取裝置之平台S上，以固定環框R之狀態，使中空圓柱形狀的推升構件T上升，擴張黏著膠帶D。在此狀態，可舉出經由銷N，自黏著膠帶D之基材薄膜側，將各個半導體晶片C往上頂，將往上頂之半導體晶片C，經由拾取裝置而拾取之方法等。

[覆晶連接工程]

所拾取之半導體晶片C係如在圖7(D)所示，於基板等之被著體9，經由覆晶接合方式(覆晶安裝方式)而使其固定。具體而言，將半導體晶片C，在半導體晶片C之電路面(亦稱為表面，電路圖案形成面，電極形成面等)則與被著體9對向的形態，於被著體9，依照常用方法而使其固定。例如，首先，於作為加以形成於半導體晶片C之電路面側的連接部之突起電極10，使助熔劑附著。接著，經由使半導體晶片C之突起電極10，接觸於由被著體9之連接墊片所被著之接合用的導電材11(焊錫等)而按壓之同時，使突起電極10及導電材11熔融之時，確保半導體晶片C與被著體9之電性導通，而可使半導體晶片C固定於被著體9(覆晶接合工程)。此時，對於半導體晶片C與被著體9之間係加以形成有空隙，而其空隙間距離係一般為30μm~300μm程度。殘存於半導體晶片C與被著體9之對向面或間隙的助熔劑係洗淨除去。

接著，如圖8所示，剝離有關本實施形態之電子裝置封裝用膠帶1的基材膠帶2，使金屬層3及黏著膠帶5的黏著劑層露出，將黏著劑層的周緣部固定於環框R。接著，拾取加以個片化之金屬層3及接著劑層4，自黏著膠帶5使其剝離。拾取係可由與上述之半導體晶片C的拾取工程同樣的工程而進行者。

接著，將加以拾取之金屬層3及接著劑層4之接著劑層4側，貼合於加以覆晶連接之半導體晶片C的 背面。之後，充填封閉材(封閉樹脂等)而封閉於附有金屬層3之半導體晶片C周邊及半導體晶片C與被著體9之間隙。封閉係由依照平常的方法加以進行。此時，成為金屬層3之平面的尺寸=接著劑層4之平面的尺寸<半導體晶片C之第2面的平面之尺寸，而接著劑層4則未自半導體晶片C之外緣突出於平面方向，而金屬層3則亦未自接著劑層4之外緣突出於平面方向之故，在封閉電子裝置封裝時，經由封閉用的樹脂之壓力之時，未有自電子裝置之外緣部，接著劑層4或金屬層3產生剝離之情況。隨之，在覆晶接合工程中，經由半導體晶片C與被著體9之熱膨脹率差而產生的彎曲，則經由半導體晶片C與金屬層3之熱膨脹率差而有效果地加以相抵。另外，作為電子裝置之使用時的發熱則經由金屬層3而有效果地加以散熱。

另外，在本實施形態中，使用預先加以個片化金屬層3及接著劑層4之電子裝置封裝用膠帶1，但將未加以個片化之金屬層3及接著劑層4之層積體，呈較半導體晶片之第2面的平面尺寸為小地進行切割而拾取，貼合於加以覆晶連接之半導體晶片C的背面亦可。另外，呈成為金屬層3之平面的尺寸<接著劑層4之平面的尺寸<半導體晶片C之第2面的平面之尺寸地，各切割金屬層3及接著劑層4，以接著劑層4，金屬層3的順序而貼合於各加以覆晶連接之半導體晶片C的背面亦可。

另外，在本實施形態中，作成呈依序設置黏著劑層52，接著劑層4，金屬層3，但亦可作為呈依序設 置黏著劑層52，金屬層3，接著劑層4。

另外，在本實施形態中，使用複數設置外形為圓形標籤形狀之接著劑層4及金屬層3於基材膠帶2上之電子裝置封裝用膠帶1，但使用寬度與接著劑層4及金屬層3之個片的寬度(貼合接著劑層4及金屬層3於電子裝置時之寬度)相同，於長形的間隔件上，以相同寬度依序層積長形的接著劑層與金屬層而卷繞成卷軸狀之電子裝置封裝用膠帶亦可。間隔件係可使用公知的構成，而接著劑層及金屬層係可使用與上述構成相同之構成者。使用如此之電子裝置封裝用膠帶之情況，切斷成貼合接著劑層及金屬層於電子裝置之長度，將所切斷之接著劑層及金屬層之個片，自間隔件剝離，將該個片之接著劑層側貼合於電子裝置。此情況，成為金屬層之平面的尺寸=接著劑層之平面的尺寸，但呈成為接著劑層及金屬層之平面的尺寸<電子裝置之第2面之平面的尺寸地進行設計。

另外，個別地準備：寬度則與接著劑層4之個片的寬度(貼合於電子裝置時之寬度)相同，於長形之間隔件上，以相同寬度依序層積長形的接著劑層與間隔件而層積卷繞成卷軸狀之接著膠帶，和寬度則與金屬層3之個片的寬度(搭載於電子裝置時之寬度)相同而將長形之金屬層卷繞成卷軸狀之卷軸狀金屬層亦可。間隔件係可使用公知的構成，而接著劑層及金屬層係可使用與上述構成相同之構成者。使用如此之接著膠帶及卷軸狀金屬層的情況，首先，剝離接著膠帶之一方的間隔件，將接著劑層切斷成 貼合於電子裝置之長度，將所切斷之接著劑層的個片，自另一方的間隔件剝離而貼合於電子裝置。接著，將卷軸狀金屬層切斷成搭載於電子裝置之長度，將所切斷之金屬層的個片，藉由接著劑層而貼合於電子裝置進行搭載。此情況，呈成為金屬層之平面的尺寸≦接著劑層之平面的尺寸<電子裝置之第2面之平面的尺寸地進行設計。

<實施例>

接著，為了將本發明之效果作為更明確，而對於實施例及比較例加以詳細說明，但本發明係未加以限定於此等實施例者。

(1)黏著膠帶之製作

<黏著劑層組成物(1)>

作為具有官能基之丙烯酸系共聚合體(A1)，由2-乙基己基丙烯酸酯、2-羥乙基丙烯酸酯及甲基丙烯酸所成，而調製2-乙基己基丙烯酸酯的比率為60莫耳%，質量平均分子量70萬的共聚合體。接著，碘價呈成為20地，添加2-甲基丙烯酸異氰基乙酯，調製玻璃轉移溫度-50℃、氫氧基價10mgKOH/g、酸價5mgKOH/g之丙烯酸系共聚合體(a-1)。

對於上述丙烯酸系共聚合體(a-1)100質量分而言，將作為聚異氰酸酯而加上5質量分coronate L(商品名，TOSOH股份有限公司製)，而作為光聚合開始劑，加 上3質量分Esacure KIP 150(商品名、Lamberti公司製)之混合物，溶解於乙酸乙酯，進行攪拌而調製黏著劑層組成物(1)。

作為基材薄膜而製作以下之構成。

<基材薄膜(1)>

以200℃而熔融乙烯-甲基丙烯酸共聚合體之樹脂珠，使用壓出機而成形為厚度100μm、迴路剛性7mN之長尺薄膜狀，製作基材薄膜(1)。乙烯-甲基丙烯酸共聚合物係使用日本Dupont-Mitsui Polychemicals股份有限公司製之Nucrel NO35C(商品名)。

<黏著膠帶(1)>

將上述黏著劑組成物(1)，於釋放處理之聚對苯二甲酸乙二酯薄膜所成之剝離襯墊，乾燥後的厚度則呈成為10μm地進行塗工，再以110℃進行3分鐘乾燥作成黏著劑層之後，與上述基材薄膜(1)貼合，製作黏著膠帶(1)。

(2)接著劑層之製作

<接著劑層(1)>

使丙烯酸樹脂(Nagase ChemteX股份有限公司製、商品名「Teisan resin SG-P3」、Mw85萬、Tg12℃)80質量分，和萘型環氧樹脂(DIC股份有限公司製、商品名「HP-4700」)10質量分、作為硬化劑之苯酚樹脂(日本明和化成股份有限公司製、商品名「MEH7851」)10質量分，溶解 於丁酮，而調製接著劑層組成物溶液。將此接著劑層組成物溶液，塗佈於聚矽氧釋離處理之厚度為50μm之聚乙烯對苯二甲酸酯薄膜所成之釋離處理薄膜(剝離襯墊)上之後，以130℃進行5分鐘乾燥。經由此，而製作厚度10μm之接著劑層(1)。

(3)金屬層的準備

<金屬層(1)>

GTS-MP(商品名、日本古河電氣工業股份有限公司製、銅箔、厚度35μm)

(4)基材膠帶之製作

作為基材膠帶而製作以下之構成。

(樹脂薄膜d-1)

將以40：60所示之調配比而混合苯乙烯-氫化異戊二烯-苯乙烯系嵌段共聚物(SEPS)(股份有限公司KURARAY公司製、商品名「SEPTON KF-2104」)與聚丙烯(PP)(宇部興產股份有限公司製、商品名「J-105G」)之樹脂珠，以200℃熔融，經由使用壓出機而成形為厚度90μm之長形薄膜狀之時，製作樹脂薄膜d-1。

(基材膠帶用黏著劑層組成物e-1)

作為具有官能基之丙烯酸系共聚合體(A2)，由2-乙基 己基丙烯酸酯、2-羥乙基丙烯酸酯及甲基丙烯酸所成，而調製2-乙基己基丙烯酸酯的比率為70莫耳%，質量平均分子量50萬，玻璃轉移溫度-50℃，氫氧基價30gKOH/g、酸價5mgKOH/g的丙烯酸系共聚合體(a2)。對於丙烯酸系共聚合體(a2)100質量分而言，加上8質量分聚異氰酸酯系化合物(商品名「coronate L」TOSOH股份有限公司製)，溶解於乙酸乙酯，進行攪拌而得到基材膠帶用黏著劑層組成物e-1。

<基材膠帶(1)>

將調製之基材膠帶用黏著劑層組成物e-1，於釋離處理之聚對苯二甲酸乙二酯薄膜所成之釋離襯墊，乾燥後的厚度則呈成為10μm地進行塗工，再以110℃進行3分鐘乾燥之後，與上述樹脂薄膜d-1貼合，製作加以形成基材膠帶用黏著劑層於樹脂薄膜上之基材膠帶(1)。

(5)電子裝置封裝之製作

<實施例1>

將如以上作為所得到之金屬層(1)與附有間隔件之接著劑層(1)之接著劑層(1)側，以貼合角度120°、壓力0.2MPa、速度10mm/s之條件進行貼合之後，於金屬層上，以貼合角度120°、壓力0.2MPa、速度10mm/s之條件而貼合基材膠帶(1)。接著劑層(1)與金屬層(1)，規格切割成較黏著膠帶(1)為小之圓形標籤形狀，呈加以個片化為 9.4×9.4mm角。將間隔件，自接著劑層剝離，將使其露出之接著劑層側與前述黏著膠帶(1)之黏著劑層，黏著劑層則呈與基材膠帶(1)接觸地加以貼合於金屬層及接著劑層之周圍。接著，將黏著膠帶，呈成為與金屬層及接著劑層同心圓狀地規格切割成圓形形狀，將周邊的不要部分，自基材膠帶(1)剝離而除去，製作電子裝置封裝用膠帶。

於20mm×20mm之基板上，使用晶片接合材(日本古河電氣工業股份有限公司製、商品名「AF3836」)，將10mm角的晶片，與基板之高低差則呈成為100μm地貼合，製作100個當作加以覆晶連接之晶片的樣本。

(對於晶片之接著劑層及金屬層的搭載工程)

自上述電子裝置封裝用膠帶的基材薄膜側，經由空冷式高壓燈(80W/cm、照射距離10cm)而照射200mJ/cm²紫外線於黏著劑層。對於電子裝置封裝用膠帶中央部之接著劑層及金屬層的個片樣本100個，進行拾取，於上述晶片上搭載接著劑層及金屬層。之後，以封閉材(KYOCERA Chemical股份有限公司製、商品名「KE-G3000D」)進行塑模，製作實施例1之電子裝置封裝樣本。

<實施例2>

將如上述作為所得到之金屬層(1)與基材膠帶(1)之黏著劑層(1)側，以貼合角度120°、壓力0.2MPa、速度 10mm/s之條件進行貼合之後，呈自金屬層(1)之表面到達至基材膠帶(1)地將金屬層(1)，規格裁切成較黏著膠帶(1)為小之圓形的標籤形狀，加以個片化為9mm×8.4mm。將加以個片化之附有基材膠帶(1)之金屬層(1)的金屬層(1)側與黏著膠帶(1)之黏著劑層，以貼合角度120°、壓力0.2MPa、速度10mm/s之條件進行貼合之後，呈自基材薄膜(1)之表面到達至間隔材地將黏著劑膠帶(1)，與金屬層(1)呈成為同心圓狀地規格裁切成圓形形狀，將周邊的不要部分，自間隔件剝離而除去，製作附有金屬層之黏著膠帶。

另外，將附有間隔件之接著劑層(1)之接著劑層(1)，規格切割成較黏著膠帶(1)為小之圓形標籤形狀，呈加以個片化為9mm×9.4mm。並且，將加以個片化之附有間隔件之接著劑層(1)的接著劑層(1)側與黏著膠帶(1)之黏著劑層，以貼合角度120°、壓力0.2MPa、速度10mm/s之條件進行貼合之後，呈自基材薄膜(1)之表面到達至間隔材地將黏著膠帶(1)，與接著劑層(1)呈成為同心圓狀地規格裁切成圓形形狀，將周邊的不要部分，自間隔件剝離而除去，製作附有接著劑層之黏著膠帶。

另外，製作100個當作與實施例1相同加以覆晶連接之晶片的樣本。

(對於晶片之接著劑層及金屬層的搭載工程)

自上述附有接著劑層之黏著膠帶的基材薄膜側，經由 空冷式高壓燈(80W/cm、照射距離10cm)而照射200mJ/cm²紫外線於黏著劑層。對於附有接著劑層之黏著膠帶中央部之接著劑層的個片樣本100個，進行拾取，於上述晶片上搭載接著劑層。之後，自上述附有金屬層之黏著膠帶的基材薄膜側，經由空冷式高壓燈(80W/cm、照射距離10cm)而照射200mJ/cm²紫外線於黏著劑層。對於附有金屬層之黏著膠帶中央部之金屬層的個片樣本100個，進行拾取，於上述晶片上之接著劑層上搭載金屬層。之後，以封閉材(KYOCERA Chemical股份有限公司製、商品名「KE-G3000D」)進行塑模，製作實施例2之電子裝置封裝。

<實施例3>

將晶片尺寸作為4mm×20mm、而將接著劑層尺寸作為4mm×18mm、將金屬層尺寸作為3.6mm×18mm以外，係與實施例2同樣作為，製作有關實施例3之電子裝置封裝。

<比較例1>

將晶片尺寸作為10mm×10mm、而將接著劑層尺寸作為10.4mm×10.4mm、將金屬層尺寸作為10.4mm×10.4mm以外，係與實施例1同樣作為，製作比較例1之電子裝置封裝。

<比較例2>

將晶片尺寸作為10mm×10mm、而將接著劑層尺寸作為9.4mm×9.4mm、將金屬層尺寸作為10.4mm×10.4mm以外，係與實施例2同樣作為，製作比較例2之電子裝置封裝。

<比較例3>

將晶片尺寸作為10mm×10mm、而將接著劑層尺寸作為10.4mm×10.4mm、將金屬層尺寸作為9.4mm×9.4mm以外，係與實施例2同樣作為，製作比較例3之電子裝置封裝。

對於有關實施例1~3及比較例1~3之電子裝置封裝，進行以下的評估。

(作業性)

在製作有關各實施例及比較例之電子裝置封裝時，對於上述晶片之接著劑層及金屬層的搭載工程，從接下的觀點評估作業性。首先，對於步驟的簡便性，將可以1工程搭載之構成作為點1，而將以2工程以上加上於搭載之構成，作為點0而評估。將其結果示於表1。另外，對於搭載性，以光學顯微鏡而觀察對於接著劑層及金屬層的晶片之搭載位置，測定自目標的搭載處之偏移，將0.2mm以上之樣本個數均為0%之構成作為點2，而將超過0%，不足10%之構成作為點1，將10%以上的構成作為點0而評估。將其結果示於表1。並且，步驟的簡便性及搭載性的 點之合計為3的構成，在作業性中作為良品○，而1或2之構成係作為容許品△、0的構成係作為不良品×而評估。將其結果示於表2。

(剝離之有無)

切斷有關各實施例及比較例之電子裝置封裝，以光學顯微鏡而觀察剖面。將未確認到自晶片，接著劑層或金屬層的剝離或浮起之構成作為良品○，而將確認到自晶片，接著劑層的剝離或浮起之構成作為不良品×1，將確認到自晶片，金屬層的剝離或浮起之構成作為良品×2。將其結果示於表2。

如表2所示，有關實施例1~3之電子裝置封裝係為金屬層之平面的尺寸≦接著劑層之平面的尺寸<電子裝置之第2面之平面的尺寸之故，未產生有晶片與接著劑層之間及接著劑層與金屬層之間的剝離。另外，接著劑層之平面的尺寸<電子裝置之第2面之平面的尺寸之故， 而對於晶片之搭載性亦成為良好之結果。更且，有關實施例1之電子裝置封裝係金屬層之平面的尺寸=接著劑層之平面的尺寸之故，而成為對於晶片之搭載性特別優越，對於晶片之搭載步驟之簡易性亦為優越之結果。

對此，有關比較例1，3之電子裝置封裝係接著劑層之平面的尺寸>電子裝置之第2面之平面的尺寸之故，而在晶片與接著劑層之間產生有剝離。有關比較例2之電子裝置封裝係金屬層之平面的尺寸>接著劑層之平面的尺寸之故，而在接著劑層與金屬層之間產生有剝離。

3‧‧‧金屬層

4‧‧‧接著劑層

8‧‧‧電子裝置封裝

9‧‧‧基板

10‧‧‧突起電極

11‧‧‧導電材

C‧‧‧半導體晶片

C1‧‧‧第1面

C2‧‧‧第2面

Claims (6)

1. 一種電子裝置封裝，其特徵為具有；基板，和第1面則呈與前述基板對向地加以連接於前述基板之電子裝置，和加以設置於與前述第1面相反側之前述電子裝置之第2面的接著劑層，和藉由前述接著劑層而加以連接於前述電子裝置之前述第2面的金屬層；前述金屬層之平面的尺寸≦前述接著劑層之平面的尺寸<前述電子裝置之第2面之平面的尺寸。
2. 如申請專利範圍第1項記載電子裝置封裝，其中，前述金屬層則含有銅或鋁者。
3. 一種電子裝置封裝的製造方法，其特徵為具有：第1面則呈與前述基板對向地連接電子裝置於前述基板之工程，和於與前述第1面相反側的前述電子裝置之第2面，藉由接著劑層而接著金屬層之工程；前述金屬層之平面的尺寸≦前述接著劑層之平面的尺寸<前述電子裝置之第2面之平面的尺寸。
4. 如申請專利範圍第3項記載電子裝置封裝的製造方法，其中，前述金屬層則含有銅或鋁者。
5. 一種電子裝置封裝用膠帶，係具有：擁有基材薄膜與黏著劑層之黏著膠帶；和層積於與前述黏著劑層之前述基材薄膜相反側而加 以設置之接著劑層與金屬層的層積體；前述金屬層係第1面則呈與基板對向地加以連接於前述基板之電子裝置之，於與前述第1面相反側的第2面，藉由前述接著劑層加以接著之電子裝置封裝用膠帶，其特徵為呈成為前述金屬層之平面的尺寸≦前述接著劑層之平面的尺寸<前述電子裝置之第2面的平面之尺寸地，預先加以切斷前述接著劑層及前述金屬層而加以個片化者。
6. 如申請專利範圍第5項記載電子裝置封裝用膠帶，其中，前述金屬層則含有銅或鋁者。