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TW201802917A - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

基板處理裝置及基板處理方法 Download PDF

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TW201802917A
TW201802917A TW106106833A TW106106833A TW201802917A TW 201802917 A TW201802917 A TW 201802917A TW 106106833 A TW106106833 A TW 106106833A TW 106106833 A TW106106833 A TW 106106833A TW 201802917 A TW201802917 A TW 201802917A
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substrate processing
liquid
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齊藤裕樹
林航之介
大田垣崇
長嶋裕次
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芝浦機械電子裝置股份有限公司
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    • H10P72/00—

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Abstract

本發明藉由有效率地生成亞硝酸，可生成具有適於蝕刻的亞硝酸濃度的蝕刻液，而提升蝕刻的效率。本發明之基板處理裝置是使用包含氫氟酸及硝酸的蝕刻液來處理半導體晶圓，其中具有：儲存槽，儲存蝕刻液；濃度感測器，測量蝕刻液中的亞硝酸濃度；醇供給部，將異丙醇供給至蝕刻液，使亞硝酸濃度維持在預定值以上；及基板處理單元，將儲存槽內的蝕刻液供給至半導體晶圓。

Description

基板處理裝置及基板處理方法
技術領域 本發明是有關於一種將處理液供給至半導體晶圓等基板來處理該基板的基板處理裝置及基板處理方法。
背景技術 於半導體裝置或液晶顯示裝置等電子零件的濕蝕刻製程中所使用的基板處理裝置已為人所知(例如，參考專利文獻1。)。基板處理裝置於半導體晶圓等基板的製造製程中，作為去除在基板表面的應變層或存在於基板表面之重金屬等雜質的方法，已知有藉由藥液對基板表面進行蝕刻的方法。
作為蝕刻方法而言，已使用有例如將以預定的混合比例混合了氫氟酸(HF)、硝酸(HNO3 )及純水的蝕刻液供給至半導體晶圓來進行的方法。已知在蝕刻液中有助於蝕刻的是亞硝酸(HNO2 )。因此，藉由使矽基板(半導體晶圓等)溶解於包含有氫氟酸與硝酸的溶液中來生成亞硝酸，進而生成蝕刻液。 先行技術文獻
專利文獻 [專利文獻1]日本特開平11-26425號公報
發明概要 發明欲解決之課題 於上述基板處理裝置中，若蝕刻液中的亞硝酸濃度較低，半導體晶圓的蝕刻處理時間就會變長。因此，雖然必須要有充分的量的矽基板溶解，但是矽基板的溶解很花費時間，而具有生產性下降的問題。
在此，本發明之目的為提供一種基板處理裝置及基板處理方法，其可有效率地生成具有適於蝕刻的亞硝酸濃度的蝕刻液，而可提升蝕刻的效率。 用以解決課題之手段
為了解決前述課題而達成目的，本發明之基板處理裝置及基板處理方法如以下構成。
一種基板處理裝置，使用包含氫氟酸及硝酸的處理液來處理基板，該基板處理裝置具有：儲存槽，儲存前述處理液；醇供給部，將醇供給至前述處理液；及供給部，將已被供給有前述醇的處理液供給至前述基板。
一種基板處理方法，使用包含氫氟酸及硝酸的處理液來處理基板，該基板處理方法是將前述處理液儲存於儲存槽，且將醇供給至前述處理液，並將已被供給有前述醇的處理液供給至前述基板。 發明效果
根據本發明，可有效率地生成具有適於蝕刻的亞硝酸濃度的蝕刻液，而可提升蝕刻的效率。
用以實施發明之最佳形態 圖1是示意地顯示本發明之一實施形態的基板處理裝置10的說明圖，圖2是顯示基板處理裝置10的亞硝酸生成量的說明圖，圖3是顯示基板處理裝置10的動作流程的說明圖。又，圖1中W表示半導體晶圓(基板)。
基板處理裝置10具有：基板處理單元100；蝕刻液供給單元200，將蝕刻液L供給至該基板處理單元100；及控制部300，控制基板處理單元100及蝕刻液供給單元200。
基板處理單元100形成為：藉由馬達103使在杯體101內支撐半導體晶圓W的晶圓卡盤102旋轉的構造。然後，如稍後所述，從蝕刻液供給單元200供給的蝕刻處理液是從配置於半導體晶圓W之上方的噴嘴(供給部)104供給至該半導體晶圓W。藉由該蝕刻液處理液，對伴隨著晶圓卡盤102之旋轉而旋轉的半導體晶圓W的表面進行蝕刻處理。
蝕刻供給單元200具有：儲存槽210，容納蝕刻液；回收槽220，容納已使用過的蝕刻液；新液供給槽230，容納以預先設定之預定比率混合了氫氟酸、硝酸、醋酸(CH3 COOH)及純水的新液；及醇供給槽240，容納作為醇之一例的異丙醇(isopropyl alcohol, IPA)。於儲存槽210與基板處理單元100之間分別設有蝕刻液供給線250及回收線260。於回收線260的途中介入存在有回收槽220。於新液供給槽230與儲存槽210之間設有新液供給線270。於醇供給槽240與儲存槽210之間設有醇供給線280。
儲存槽210具有密閉構造的槽本體211及設置於該槽本體211之上部的開放閥212。
回收槽220具有密閉構造的槽本體221。新液供給槽230具有密閉構造的槽本體231。醇供給槽240具有密閉構造的槽本體241。
於新液供給槽230連接有氫氟酸的供給管232、硝酸的供給管233、醋酸的供給管234及純水的供給管235，該等分別設有開關閥232a、233a、234a、235a。從各供給管232~235供給預定的量，以使能如上述地以預定比例進行混合。
蝕刻液供給線250具有：主線251，其入口端設置於槽本體211的底部，出口端連接於基板處理單元100的噴嘴104；泵252及開關閥253，設置於該主線251的途中；分歧部254，設置於泵252及噴嘴104之間；及返回線255，從該分歧部254返回至槽本體211內。於返回線255之中途部分設有測定亞硝酸濃度的濃度感測器256及開關閥257。又，濃度感測器256亦可設置於主線251的中途部分。
回收線260具有主線261，其入口端設置於基板處理單元100的底部，出口端設置於槽本體211內。於主線261設有槽本體221與泵262。
新液供給線270具有：主線271，其入口端設置於槽本體231的底部，出口端設置於槽本體211的頂部；開關閥272，設置該主線271的途中；及泵273。
醇供給線280具有：主線281，其入口端設置於槽本體241的底部，出口端連接於槽本體211；泵282，設置於該主線281的途中；及開關閥284、止回閥285，設置於泵282與槽本體211之間。
主線281之出口端連接於槽本體211的位置是設置於比槽本體211所供給之蝕刻液L的液面還下方的側壁。即，如圖1所示，構成為：於槽本體211內累積有某程度的蝕刻液L之狀態下，直接供給異丙醇至蝕刻液L中。又，若考量到蝕刻液L的液面會變動，或者異丙醇比蝕刻液L的比重還輕，那麼為了構成為使得異丙醇只有在接近蝕刻液L的液面之處不會起反應，主線281的出口端即便設置槽本體211之下方的側壁也最好是更接近底壁之側，或最好設置在底壁。
又，於本實施形態中，醇供給槽240、醇供給線280、主線281、泵282、開關閥284及止回閥285構成醇供給部310。
又，上述各開關閥、各泵是藉由控制部300進行控制。已預先設定的亞硝酸濃度(亞硝酸濃度的預定值)例如被控制部300所設定。控制部300如以下所述地控制基板處理裝置10。
又，於本實施形態中，是使用半導體晶圓作為基板，並藉由對已形成於半導體晶圓之表面的氧化膜進行蝕刻去除之例來作說明。
首先說明處理開始前的準備。於處理開始前，全部的閥是關閉著。接著，將連接於槽本體231的氫氟酸的供給管232、硝酸的供給管233、醋酸的供給管234及純水的供給管235各自的開關閥232a、233a、234a、235a進行開關，從各供給管232~235供給預定的量，以使氫氟酸、硝酸、醋酸及純水能以已預先設定之預定比例來混合，進而生成新的蝕刻液L。接著，開啟開放閥212與開關閥272，使泵273作動，將新的蝕刻液L供給至儲存槽210的槽本體211內。若於槽本體211內累積有預定量的新的蝕刻液L，則關閉開關閥272，停止供給。接著，關閉開放閥212，開啟開關閥257，驅動泵252，進行蝕刻液L的循環。在此，藉由蝕刻液L通過濃度感測器256，來檢測蝕刻液L內的亞硝酸濃度。雖然硝酸本身就會分解而生成亞硝酸，但蝕刻液L內的亞硝酸濃度一開始就為較低的值。
接著，開啟開放閥212及醇供給線280之主線281的開關閥284，驅動泵282來將異丙醇供給至槽本體211。在此，於槽本體211內，蝕刻液L中的硝酸會分解而產生亞硝酸與硝酸氣體。藉此，蝕刻液L內的亞硝酸濃度會升高，直到以濃度感測器256檢測的亞硝酸濃度達到預定值為止，醇供給部310會持續對槽本體211供給異丙醇。在該亞硝酸濃度已達到預定值的時間點，關閉開放閥212及開關閥284。然後，停止泵282來停止供給異丙醇。又，除了藉由濃度感測器256決定異丙醇的供給量之外，亦可根據預定的處理時間、半導體晶圓之預定處理片數等條件來算出異丙醇的必要供給量。
圖2是針對氫氟酸、硝酸、醋酸及純水的混合液100cc(硝酸濃度23.8%)，比較了未添加異丙醇時與添加了5µL的異丙醇時的亞硝酸濃度的說明圖。擱置時為224ppm，相對於此，添加了異丙醇時則為1377ppm，可實現6倍的濃度。
回到圖1，在槽本體211內的蝕刻液L的量與其亞硝酸濃度已達到預定值的時間點，停止泵252來停止蝕刻液L的循環。
接著，根據圖3說明蝕刻處理。當蝕刻處理一開始(ST1)，開啟開放閥212及開關閥253，關閉開關閥257，驅動泵252。藉此，槽本體211內的蝕刻液L通過主線251供給至基板處理單元100的噴嘴104。然後，蝕刻液L從噴嘴104供給至藉由馬達103之驅動而旋轉的半導體晶圓W的表面。蝕刻液L透過杯體101被回收，並儲存於回收槽220的槽本體221。驅動泵262令已儲存的蝕刻液L適時地返回槽本體211內。若預定片數的半導體晶圓W的蝕刻處理結束，則結束蝕刻處理(ST2)。
接著，關閉開放閥212及開關閥253，開啟開關閥257，驅動泵252，進行蝕刻液L的循環。此時，藉由濃度感測器256檢測蝕刻液L內的亞硝酸濃度。判斷亞硝酸濃度是否為預定值以上(ST3)，亞硝酸濃度未達預定值時，開啟醇供給線280的開關閥284，驅動泵282來將異丙醇供給至槽本體211(ST4)，進而生成亞硝酸。藉此，蝕刻液L內的亞硝酸濃度會升高。直到以濃度感測器256檢測的亞硝酸濃度達到預定值以上為止，醇供給部310會持續對槽本體211供給異丙醇。在控制部300從濃度感測器256的輸出值檢測得知亞硝酸濃度已達到預定值的時間點，關閉開放閥212與開關閥257、開關閥284。然後，開始接下來的蝕刻處理(ST5)。
又，從噴嘴104向半導體晶圓W的表面供給蝕刻液L的蝕刻處理中，亦可使開關閥257為開啟狀態，並以分歧部254將泵252所供給的蝕刻液L分流至基板處理單元100與槽本體211。此時，從分歧部254透過返回線255供給至槽本體211的蝕刻液是以濃度感測器256檢測蝕刻液L中的亞硝酸濃度。即，從噴嘴104將蝕刻液L供給至半導體晶圓W來進行蝕刻處理的同時，檢測從噴嘴104所供給的蝕刻液L的亞硝酸濃度。此時，在檢測出的亞硝酸濃度為預定值以下時，雖可於該時間點關閉開關閥253，但宜為在蝕刻處理中的半導體晶圓W的處理已結束的時間點關閉開關閥253，停止對噴嘴104供給蝕刻液L。這是因為可防止因途中停止蝕刻處理而產生不良品的緣故。之後，如前述地，對槽本體211供給異丙醇，來調整蝕刻液L中的亞硝酸濃度。
依此，根據本實施形態的基板處理裝置10，若蝕刻液L的亞硝酸濃度低於預定值，則可藉由加入異丙醇來生成亞硝酸，提升蝕刻處理的效率。因此，半導體晶圓W的生產效率會提升。
圖4是顯示基板處理裝置10的變形例的基板處理裝置10A的主要部分的說明圖。於圖4中，與圖1相同功能部分賦予相同符號，並省略其詳細說明。
於基板處理裝置10A中，在構成醇供給部310的主線281位於槽本體211內的出口端，設置會霧狀噴射出異丙醇的例如一流體噴嘴等的噴嘴290。噴嘴290的位置是會比蝕刻液L的液面還下方的位置。因為是從噴嘴290供給異丙醇的構造，故蝕刻液L不會逆流至主線281側，又，藉由霧狀噴射，與蝕刻液L的接觸面積會變大，比起液狀供給異丙醇時，更容易促進反應。蝕刻處理的順序及效果與上述的基板處理裝置10相同。
圖5是顯示基板處理裝置10的另一變形例的基板處理裝置10B的主要部分的說明圖。於圖5中，與圖1相同功能部分賦予相同符號，並省略其詳細說明。
於基板處理裝置10B中，具有將構成醇供給部310的主線281的出口端連接於蝕刻液供給線250的主線251的構成。
於依此構成的基板處理裝置10B中，進行基板W的蝕刻處理如下。於處理開始前，與基板處理裝置10相同，於儲存槽210的槽本體211內累積預定量的新的蝕刻液L。接著，關閉開放閥212，開啟開關閥257，驅動泵252來進行蝕刻液L的循環。藉由蝕刻液L通過濃度感測器256，可檢測蝕刻液L內的亞硝酸濃度。
又，開啟開放閥212及主線281的開關閥284，驅動泵282將異丙醇供給至主線251。
另一方面，於槽本體211內，蝕刻液L中的硝酸會分解而產生亞硝酸與硝酸氣體。藉此，蝕刻液L內的亞硝酸濃度會升高，直到以濃度感測器256檢測的亞硝酸濃度達到預定值為止，醇供給部310會持續對主線251供給異丙醇。在該亞硝酸濃度已達到預定值的時間點，關閉開放閥212及開關閥284。然後，停止泵282來停止供給異丙醇。
若依此構成，因於蝕刻液L的循環路添加異丙醇，故可促進蝕刻液L與異丙醇的混合。蝕刻處理的順序及效果與上述的基板處理裝置10相同。
又，雖然是將主線281的出口端連接於蝕刻液供給線250的主線251，但亦可連接於分歧部254與噴嘴104之間。
於上述例子中，雖是舉例異丙醇來作為醇，但使用乙醇亦可得到相同的效果。亦可使用氣體醇、固體醇。又，除了蝕刻液L循環時之外，亦可於進行蝕刻處理時測量亞硝酸濃度。
又，作為將蝕刻液L供給至半導體晶圓W的方法，雖是舉例使基板旋轉來進行處理的基板處理單元，但亦可使用將蝕刻液L儲存於處理槽內，再將複數片半導體晶圓W浸漬於其中來進行處理的分批式(batch-type)。
採用分批式時，亦可使用分批式的處理槽來取代基板處理單元100。又，亦可將蝕刻液供給單元200的儲存槽210置換成分批式的處理槽。此時，亦可構成為將醇供給線直接連接於分批式的處理槽，來添加異丙醇。
又，基板不限定於半導體晶圓，亦可為液晶基板，光罩基板等玻璃基板。又，處理不限定於蝕刻處理。
以上，雖然已說明本發明之幾個實施形態，但該等實施形態是作為範例而提出，非意圖限定發明之範圍。該等新實施形態能以其他各式各樣的形態來實施，在未脫離發明要旨的範圍內，可進行各種的省略、置換、變更。該等實施形態或其變形都包含於發明之範圍或要旨，且包含於申請專利範圍所記載之發明和與其均等之範圍。
10、10A、10B‧‧‧基板處理裝置
100‧‧‧基板處理單元
101‧‧‧杯體
102‧‧‧晶圓卡盤
103‧‧‧馬達
104‧‧‧噴嘴
200‧‧‧蝕刻液供給單元
210‧‧‧儲存槽
211、221、231、241‧‧‧槽本體
212‧‧‧開放閥
220‧‧‧回收槽
230‧‧‧新液供給槽
232、233、234、235‧‧‧供給管
232a、233a、234a、235a、253、257、272、284‧‧‧開關閥
240‧‧‧醇供給槽
250‧‧‧蝕刻液供給線
251、261、271、281‧‧‧主線
252、262、273、282‧‧‧泵
254‧‧‧分歧部
255‧‧‧返回線
256‧‧‧濃度感測器
260‧‧‧回收線
270‧‧‧新液供給線
280‧‧‧醇供給線
285‧‧‧止回閥
290‧‧‧噴嘴
300‧‧‧控制部
310‧‧‧醇供給部
ST1、ST2、ST3、ST4、ST5‧‧‧步驟
L‧‧‧蝕刻液
W‧‧‧半導體晶圓
圖1是示意地顯示本發明之一實施形態的基板處理裝置的說明圖。 圖2是顯示同一基板處理裝置的亞硝酸生成量的說明圖。 圖3是顯示同一基板處理裝置的動作流程的說明圖。 圖4是顯示同一基板處理裝置的變形例的說明圖。 圖5是顯示同一基板處理裝置的另一變形例的說明圖。
10‧‧‧基板處理裝置
100‧‧‧基板處理單元
101‧‧‧杯體
102‧‧‧晶圓卡盤
103‧‧‧馬達
104‧‧‧噴嘴
200‧‧‧蝕刻液供給單元
210‧‧‧儲存槽
211、221、231、241‧‧‧槽本體
212‧‧‧開放閥
220‧‧‧回收槽
230‧‧‧新液供給槽
232、233、234、235‧‧‧供給管
232a、233a、234a、235a、253、257、272、284‧‧‧開關閥
240‧‧‧醇供給槽
250‧‧‧蝕刻液供給線
251、261、271、281‧‧‧主線
252、262、273、282‧‧‧泵
254‧‧‧分歧部
255‧‧‧返回線
256‧‧‧濃度感測器
260‧‧‧回收線
270‧‧‧新液供給線
280‧‧‧醇供給線
285‧‧‧止回閥
300‧‧‧控制部
310‧‧‧醇供給部
L‧‧‧蝕刻液
W‧‧‧半導體晶圓

Claims (10)

  1. 一種基板處理裝置，使用包含氫氟酸及硝酸的處理液來處理基板，其特徵在於具有： 儲存槽，儲存前述處理液； 醇供給部，將醇供給至前述處理液；及 供給部，將已被供給有前述醇的處理液供給至前述基板。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，其中前述醇供給部是將前述醇供給至比儲存在前述儲存槽的前述處理液的液面還下方的位置。
  3. 如請求項1之基板處理裝置，其中具有： 主線，連接前述供給部與前述儲存槽； 分歧部，設置於該主線的途中；及 返回線，從該分歧部與前述儲存槽連接。
  4. 如請求項3之基板處理裝置，其中更具有濃度感測器，檢測前述供給部所供給之前述處理液中的亞硝酸濃度， 在藉由前述濃度感測器檢測出的亞硝酸濃度為預定值以下時，前述醇供給部會將醇供給至前述處理液。
  5. 如請求項4之基板處理裝置，其中具有控制部，在藉由前述濃度檢測器檢測出的前述處理液中的亞硝酸濃度比預定值還低時，會停止前述供給部供給前述處理液； 前述控制部於前述基板之處理中，在藉由前述濃度感測器檢測出前述處理液中的亞硝酸濃度比預定值還低時，於前述基板的處理完成後，會停止前述供給部供給前述處理液。
  6. 如請求項3之基板處理裝置，其中前述醇供給部是將前述醇供給至前述主線中的前述儲存槽與前述分歧部之間。
  7. 一種基板處理方法，使用包含氫氟酸及硝酸的處理液來處理基板，其特徵在於： 將前述處理液儲存於儲存槽， 將醇供給至前述處理液， 將已被供給有前述醇的處理液供給至前述基板。
  8. 如請求項7之基板處理方法，其中在朝前述儲存槽內供給前述醇時，是於比儲存在前述儲存槽的前述處理液的液面還下方的位置進行供給。
  9. 如請求項7之基板處理方法，其中一邊檢測從前述儲存槽供給至前述基板的前述處理液的亞硝酸濃度，一邊使其一部分返回至前述儲存槽。
  10. 如請求項9之基板處理方法，其中於前述基板之處理中，若前述處理液中的前述亞硝酸濃度比預定值還低，則於前述基板之處理完成後，停止前述處理液的供給。
TW106106833A 2016-03-07 2017-03-02 基板處理裝置及基板處理方法 TWI637435B (zh)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI724350B (zh) * 2018-09-13 2021-04-11 大陸商友達光電（昆山）有限公司 一種蝕刻裝置

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102264002B1 (ko) * 2017-10-20 2021-06-11 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체
JP7250566B2 (ja) * 2019-02-26 2023-04-03 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
CN110993614B (zh) * 2019-11-27 2022-06-10 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板制备装置及方法
CN111354637B (zh) * 2020-02-28 2023-07-25 通威太阳能(眉山)有限公司 一种氢氟酸循环利用洗石墨舟的方法
CN114242585B (zh) * 2020-09-09 2025-12-30 中国科学院微电子研究所 一种后栅工艺中去除多晶硅牺牲栅的方法及装置

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1126425A (ja) 1997-06-30 1999-01-29 Sumitomo Metal Ind Ltd 半導体基板のエッチング方法及びその装置
JP3653416B2 (ja) * 1999-05-19 2005-05-25 沖電気工業株式会社 エッチング方法およびエッチング装置
JP2003115479A (ja) * 2001-10-03 2003-04-18 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法およびウエット処理装置
US7332439B2 (en) * 2004-09-29 2008-02-19 Intel Corporation Metal gate transistors with epitaxial source and drain regions
CN101180419A (zh) * 2004-12-06 2008-05-14 皇家飞利浦电子股份有限公司 蚀刻剂溶液及其添加剂
JP4907400B2 (ja) * 2006-07-25 2012-03-28 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
US7890202B2 (en) * 2007-10-16 2011-02-15 International Business Machines Corporation Method for creating wafer batches in an automated batch process tool
US8894868B2 (en) * 2011-10-06 2014-11-25 Electro Scientific Industries, Inc. Substrate containing aperture and methods of forming the same
JP5858770B2 (ja) * 2011-12-19 2016-02-10 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理システム
JP2013170983A (ja) * 2012-02-22 2013-09-02 Japan Atomic Energy Agency 硝酸イオンの還元方法
JP6302708B2 (ja) * 2013-03-29 2018-03-28 芝浦メカトロニクス株式会社 ウェットエッチング装置
WO2015136872A1 (ja) * 2014-03-10 2015-09-17 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理システムおよび配管洗浄方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI724350B (zh) * 2018-09-13 2021-04-11 大陸商友達光電（昆山）有限公司 一種蝕刻裝置

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