TW201801305A - 具有受保護發光層之有機發光顯示設備 - Google Patents

Abstract

提供一種有機發光顯示設備，其防止有機發光層的汙染且從而防止由汙染導致顯示在顯示設備上的影像品質的劣化。顯示設備包含具有顯示區域與周邊區域的基板。設置在基板上的第一絕緣層具有在周邊區域的第一開口。第一電極設置在顯示區域內且在第一絕緣層上。第一堤設置在第一絕緣層上且具有透過其暴露第一電極的中心的第二開口。第二堤設置在第一絕緣層上且與第一堤分離。第一開口設置在第一堤與第二堤之間。中間層設置在第一電極上。第二電極設置在中間層與第一堤上。

Description

具有受保護發光層之有機發光顯示設備

相關申請案之互相參照

本申請主張2016年3月24日向韓國智慧財產局提交之韓國專利申請號No.10-2016-0035546之優先權，本揭露的全部內容於此併入作為參考。

一或多種實施例關於有機發光顯示設備，並且更具體而言，關於一種可防止雜質以免於其中的發光層汙染的有機發光顯示設備。

有機發光顯示設備包含有機發光裝置(OLED)。OLED包含電洞注入電極、電子注入電極，且有機發光層設置在電洞注入電極與電子注入電極之間。當電洞注入電極傳輸電洞至有機發光層時，電子注入電極傳輸電子至有機發光層。當電洞與電子在有機發光層內結合，形成激子。當激子的激發態衰退，電子的能階鬆弛且發射光子。透過此種方式，OLED係為能夠產生光線且因此OLED顯示器係為不需要使用背光元件以顯示影像的自發光顯示設備。

因為有機發光顯示設備係為自發光，其可以低電壓驅動，且可配置成與需要使用背光的顯示裝置相較為具有重量輕與小尺寸。此外，因為有機發光顯示設備具有寬視角、對比度高且響應速度快，此種顯示科技用於各種類型的電子裝置，例如，攜帶式媒體播放器、行動電話、與電視是受歡迎的選擇。

已經進行製造例如可折疊式OLED顯示設備或可卷式OLED顯示設備的可撓曲式OLED顯示設備的研究。

然而，根據習知技術的有機發光顯示設備存在例如氣體或是水氣的雜質可能從外部進入或可累積在包含在顯示設備中的有機材料的問題。這些雜質在製造期間或在使用時可能滲入OLED中。雜質滲入於OLED中可能因而造成顯示在OLED顯示器上的影像品質的劣化。

本發明的一或多種例示性實施例包含具有可防止所形成的影像品質劣化或可降低劣化的結構之有機發光顯示設備。

根據本發明的一或多種例示性實施例，有機發光顯示設備包含具有顯示區域與在顯示區域外的周邊區域的基板。第一絕緣層設置在顯示區域與周邊區域兩者內。第一絕緣層係設置在基板上且具有在周邊區域內的第一開口。第一電極係設置在顯示區域內且在第一絕緣層上。第一堤係為設置在顯示區域與周邊區域兩者的第一絕緣層上。第一堤具有透過其暴露第一電極的中心的第二開口。第二堤係設置在第一絕緣層上且與第一堤分離。第一開口係設置在第一堤與第二堤之間。中間層係設置在第一電極上。第二電極係設置在中間層與第一堤上。

從面對第二堤的第一堤的邊緣至第一開口的距離與從面對第一堤的第二堤的邊緣至第一開口的距離的每一個可為大約4μm或4μm以上。

介於第一堤與第二堤之間的距離可為大約15μm或15μm以上。

第二電極可不設置在第一缺口，且可不設置在第二堤上。

有機發光顯示設備可更包含設置第一絕緣層上的周邊區域內，且設置以覆蓋第一開口的導電層。

第一堤可包含彼此分離的複數個區域，以暴露至少一部分的導電層。

第二電極可接觸在複數個區域之間的導電層。

導電層可包含設置在第一開口的周邊的複數個第三開口。

有機發光顯示設備可更包含設置在第一絕緣層下且包含無機材料的第二絕緣層。第二絕緣層的至少一部分可透過第一開口暴露。

有機發光顯示設備可更包含設置在顯示區域與周邊區域內的第二電極上的覆蓋層。

第二電極的至少一部分可藉由覆蓋層暴露。

第一絕緣層、第一堤與第二堤、以及覆蓋層的每一個可包含有機材料。

有機發光顯示設備可更包含封裝層。封裝層可包含個別設置在覆蓋層上的至少一無機層與至少一有機層。

第一開口可環繞顯示區域。

第一絕緣層可包含藉由第一開口各自分離的第一區域與第二區域。

第一開口可包含主開口與從主開口分叉的複數個分叉開口。

顯示區域可包含四個角與連接四個角的四個邊緣。

主開口可位在相鄰於四個角落的每一個角落，且複數個分叉開口可位在四個邊緣中的至少其一。

主開口可分叉成至少二分叉開口，且至少二分叉開口可位在四個邊緣中的至少其一。

第一絕緣層可更包含由分叉開口環繞的第三區域。

有機發光顯示設備可更包含在第一絕緣層上的第一區域、第二區域以及第三區域內的導電層。導電層可具有位在第二區域與第三區域的每一個內的複數個第三開口。

有機發光顯示設備包含含有在其中心的顯示區域與環繞顯示區域的非顯示區域的基板。第一堤係設置在基板上。第一堤包含OLED與對應於複數個子像素的複數個開口。第二堤與第一堤分離，且整體設置在非顯示區域內。絕緣層覆蓋第一堤與第二堤。絕緣層具有設置在第一堤與第二堤之間的開口，以使該開口分離第一堤與第二堤。

第一堤與第二堤可各自包含與該絕緣層相同的有機材料。有機發光顯示設備可更包含設置在顯示區域內且與其中的絕緣層重疊的第一電極。第一電極的中心可透過在第一堤內的開口暴露。有機發光顯示設備可更包含設置在第一電極上的中間層、以及設置在中間層與第一堤上的第二電極。

在所描述本揭露的例示性實施例，也繪示於附圖中，為了清楚起見而採用特定術語。然而，本揭露不旨在限制於所選擇的特定術語，且應了解的是，每一個特定構件包含以類似方式操作的全部技術等效物。

與其他構件相同或相似的這些構件在所有附圖中可用相同元件符號表示，且可省略這些構件的多餘說明。

此外，為了清楚描繪與說明的便利性，在附圖中的元件的尺寸與厚度可被誇大。因此，本發明的例示性實施例不應被視為必須限於元件的尺寸與厚度，如附圖所示。

第1圖係為示意性繪示根據本發明的例示性實施例的有機發光顯示設備的平面圖。第2圖係為第1圖的A區域的放大平面圖。第3圖係為示意性繪示第1圖的一部分的有機發光顯示設備的截面圖。第4圖係為根據範例示意性繪示的一部分的有機發光顯示設備的截面圖。

參照第1圖至第3圖，根據本發明的例示性實施例的有機發光顯示設備1包含具有顯示區域DA與周邊區域PA的基板110。周邊區域PA係為設置在顯示區域DA外的非顯示區域。基板110可包含像是玻璃、金屬、塑膠等的各種材料。根據本發明的例示性實施例，基板110可為可撓曲式基板。舉例而言，基板110可包含像是聚醚碸(polyethersulphone，PES)、聚丙烯酸酯(polyacrylate，PAR)、聚醚醯亞胺(polyetherimide，PEI)、聚萘二甲酸乙二酯(polyethylene naphthalate，PEN)、聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)、聚苯硫醚(polyphenylene sulfide，PPS)、聚丙烯酯(polyallylate)、聚醯亞胺(polyimide，PI)、聚碳酸酯(polycarbonate，PC)或醋酸丙酸纖維素(cellulose acetate propionate，CAP)的高分子樹脂。

基板110的顯示區域DA係為顯示影像的區域。顯示區域DA可包含複數個第一薄膜電晶體TFT1以及電性連接至複數個第一薄膜電晶體TFT1的有機發光裝置(OLED)130。OLED 130可藉由複數個第一電極131電性連接至複數個第一薄膜電晶體TFT1。複數個第二薄膜電晶體TFT2可設置在基板110的周邊區域PA內。複數個第二薄膜電晶體TFT2可為被配置成例如控制施加於顯示區域DA的電訊號的電路單元的一部分。

每一個第一薄膜電晶體TFT1可包含半導體層122、閘極電極124、源極電極126S、與汲極電極126D。半導體層122可包含非晶矽(amorphous silicon)、多晶矽(polycrystalline silicon)或有機半導體材料。閘極電極124設置在半導體層122上。源極電極126S與汲極電極126D係為彼此電訊(electrical communication)至由施加於閘極電極124的訊號決定的程度。閘極電極124可具有單層結構或多層結構。閘極電極124可包含鋁(aluminum，Al)、鉑(platinum，Pt)、鈀(palladium，Pd)、銀(silver，Ag)、鎂(magnesium，Mg)、金(gold，Au)、鎳(nickel，Ni)、釹(neodymium，Nd)、銥(iridium，Ir)、鉻(chromium，Cr)、鋰(lithium，Li)、鈣(calcium，Ca)、鉬(molybdenum，Mo)、鈦(titanium，Ti)、鎢(tungsten，W)、與銅(copper，Cu)中的其一或多種。舉例而言，閘極電極124的精確組成可藉由考慮與相鄰層的附著力、堆疊的層的表面平坦性、與加工性來決定。

為了使半導體層122與閘極電極124充分地絕緣，閘極絕緣層113可設置在半導體層122與閘極電極124之間。閘極絕緣層113可包含像是氧化矽(silicon oxide)、氮化矽(silicon nitride)及/或氮氧化矽(silicon oxynitride)的無機材料。此外，第二絕緣層115可設置在閘極電極124的上部。源極電極126S與汲極電極126D可個別設置在第二絕緣層115上。第二絕緣層115可包含像是氧化矽、氮化矽及/或氮氧化矽的無機材料。源極電極126S與汲極電極126D透過穿過第二絕緣層115與閘極絕緣層113兩者所形成的接觸孔電性連接於半導體層122。

源極電極126S與汲極電極126D可具有單層結構或多層結構。源極電極126S與汲極電極126D可分別包含鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、銀(Ag)、鎂(Mg)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鈣(Ca)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鎢(W)、及/或(Cu)。舉例而言，源極電極126S與汲極電極126D的精確組成可藉由考慮導電性等來決定。包含無機材料的絕緣層可由化學氣相沉積(CVD)或原子層沉積(ALD)所形成。

緩衝層111可設置在第一薄膜電晶體TFT1與基板110之間。緩衝層111可包含像是氧化矽、氮化矽及/或氮氧化矽的無機材料。緩衝層111可用以使基板110的上表面更平滑，從而最小化或防止來自基板110的雜質滲入半導體層122的每一個第一薄膜電晶體TFT1。

第一絕緣層118可設置在每一個第一薄膜電晶體TFT1上。舉例而言，當OLED 130設置在第一薄膜電晶體TFT1上，第一絕緣層118可具有第一電極131可平坦地形成於其上的平坦上表面。舉例而言，第一絕緣層118可由像是丙烯醯基(acryl)、苯環丁烯(benzocyclobutene，BCB)、聚醯亞胺(PI)或六甲基二矽氧(hexamethyldisiloxane，HMDSO)的有機材料所形成。在第3圖中，第一絕緣層118具有單層結構。然而，第一絕緣層118可替代地具有多層結構。第一絕緣層118可設置在基板110的顯示區域DA與顯示區域DA外的周邊區域內。第一絕緣層118可具有通過其而暴露在周邊區域PA的第二絕緣層115的第一開口118h1。第一絕緣層118可藉由第一開口118h1可物理性劃分成至少兩部分。這種第一絕緣層118的佈置可防止從外面來的雜質經由第一絕緣層118滲入顯示區域DA。

在基板110的顯示區域DA中，OLED 130設置在第一絕緣層118上。OLED130包含第一電極131、第二電極135、與設置在第一電極131與第二電極135之間的中間層133。OLED130也可包含發光層。

在第一絕緣層118的開口暴露每一個第一薄膜電晶體TFT1的源極電極126S或汲極電極126D。第一電極131透過開口接觸源極電極126S或汲極電極126D且第一電極131係為電性連接至每一個第一薄膜電晶體TFT1。

第一電極131可形成作為半透明或全透明電極或反射電極。當第一電極131形成作為半透明或全透明電極時，第一電極131可包含透明導電層。透明導電層可包含氧化銦錫(indium tin oxide，ITO)、氧化銦鋅(indium zinc oxide，IZO)、氧化鋅(zinc oxide ，ZnO)、氧化銦(indium oxide，In₂ O₃ )、氧化銦鎵(indium gallium oxide，IGO)及/或氧化鋁鋅(aluminum zinc oxide，AZO)。舉例而言，除了透明導電層，第一電極131可更包含增加光效率的半透射層。半透射層可具有數nm至數十nm的厚度的薄膜且由銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鈣(Ca) 及/或鐿(Yb)所形成。當第一電極131形成作為反射電極時，第一電極131可包含由銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)及/或其化合物所形成的反射層。透明導電層可設置在反射層的上部及/或下部。透明導電層可包含ITO、IZO、ZnO、氧化銦(In₂ O₃ )、IGO及/或AZO。然而，本發明的實施例不限於此，且各種材料可形成第一電極131，且可進行各種修改，其中第一電極131的結構可為單層結構或多層結構。

第一堤(bank)119a可設置在顯示區域DA與周邊區域PA內的第一絕緣層118上。第一堤119a具有對應於子像素的開口。舉例而言，透過第二開口119h2暴露第一電極131的至少一中心。因此，像素藉由開口定義。此外，第一堤119a可增加第一電極131的邊緣與在第一電極131上的第二電極135之間的距離，從而防止在第一電極131的邊緣發生的電弧與其他相關問題。第一堤119a可由像是PI或HMDSO的有機材料所形成堤。第二堤119b可設置在第一絕緣層118上且可藉由位在第一堤119a與第二堤119b之間的第一絕緣層118的第一開口118h1與在周邊區域PA的第一堤119a分離。

舉例而言，第一堤119a與第二堤119b在第一開口118h1的兩邊可完全地彼此分離。因為第一堤119a與第二堤119b係為完全地彼此分離，滲入至第二堤119b例如氣體或是水氣的雜質堤不會被引入第一堤119a，而無論雜質係由外界引入或是在第二堤119b內產生。因此，可防止雜質滲入顯示區域DA且可防止顯示在有機發光顯示設備1的影像品質劣化或可降低劣化。第二堤119b可由與形成第一堤119a的相同材料形成堤。第一堤119a與第二堤119a可由與第一絕緣層118相同的有機材料所形成堤。然而，本發明的實施例不限於此。

OLED 130的中間層133可包含低分子量材料或高分子材料。當中間層133包含低分子量材料時，中間層133可具有電洞注入層(HIL)、電洞傳輸層(HTL)、發光層(EML)、電子傳輸層(ETL)、與電子注入層(EIL)彼此堆疊的結構。中間層133可包含像是銅酞菁(copper phthalocyanine，CuPc)、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-聯苯胺(N,N'-Di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine，NPB)、及/或三-8-羥基喹啉鋁(tris-8-hydroxyquinoline aluminum，Alq3)的有機材料。該些層可藉由真空沉積法形成。當中間層133包含高分子材料時，中間層133可具有包含HTL與EML的結構。在此情況中，HTL可包含聚3,4-伸乙二氧基噻吩(poly 3,4-ethylenedioxythiophene，PEDOT)，且EML可包含聚伸苯乙烯(poly-phenylenevinylene，PPV)類高分子材料及/或聚茀(polyfluorene)類高分子材料。中間層133可藉由絲網印刷或噴墨印刷法、雷射誘發熱成像(LITI)法等形成。

然而，中間層133係不限於此且可具有各種替代結構。中間層133可包含與複數個第一電極131及/或相應於複數個第一電極131的每一個的圖樣層一體成形的層。

第二電極135可設置在顯示區域DA與周邊區域PA內。尤其是，第二電極135可設置在中間層133與第一堤119a的上部。舉例而言，第二電極135可不設置在第一開口118h1內或在第二堤119b上。第二電極135可在複數個OLED 130中形成為一主體且可相應於複數個第一電極131。

第二電極135可形成為半透明或全透明電極或反射電極。當第二電極135形成為半透明或全透明電極，第二電極135可包含銀(Ag)、鋁(Al)、鎂(Mg)、鋰(Li)、鈣(Ca)、銅(Cu)、氟化鋰/鈣(LiF/Ca)、氟化鋰/鋁(LiF/Al)、MgAg、及/或CaAg且可包含具有介於數nm至數十nm的厚度的薄層。當第二電極135形成為反射電極時，第二電極135可由銀(Ag)、鋁(Al)、鎂(Mg)、鋰(Li)、鈣(Ca)、銅(Cu)、氟化鋰/鈣(LiF/Ca)、氟化鋰/鋁(LiF/Al)、MgAg、及/或CaAg所 形成。然而，第二電極135的組成與材料係不限於此且可進行多種修改。

如上文所述，第一絕緣層118與第一堤119a設置在顯示區域DA與周邊區域PA內的基板110上。第一絕緣層118包含位在周邊區域PA內的第一開口118h1。此外，第一堤119a藉由預定距離d1與第一開口118h1間隔。第二堤119b可相對於第一開口118h1設置在與設置有第一堤119a的相反方向，且第二堤119b可藉由預定距離d2與第一開口118h1間隔。舉例而言，第一堤119a與第二堤119b可不設置在第一開口118h1內且可完全地彼此分離。

導電層150可設置在第一絕緣層118的上部與設置在周邊區域PA內的第一開口118h1中。導電層150可設置在與第一電極131的相同層上。至少一部分的導電層150可設置介於第一絕緣層118與第一堤119a之間且介於第一絕緣層118與第二堤119b之間。導電層150可由與第一電極130的相同材料形成且導電層150可完全地覆蓋第一開口118h1。

根據本發明的例示性實施例，導電層150可包含個別設置在第一開口118h1周邊的複數個第三開口150h3。第一堤119a可包含彼此分離且設置在周邊區域PA內的複數個區域119a1、119a2與119a3。第二堤119b也可包含彼此分離且設置在周邊區域PA內的複數個區域119b1與119b2。複數個區域119a1、119a2、119a3、119b1與119b2可設置以覆蓋包含複數個第三開口150h3的導電層的邊緣。包含第三開口150h3的導電層150可具有網格形狀。舉例而言，第一堤119a與第二堤119b的複數個區域119a1、119a2、119a3、119b1與119b2係為彼此分離，而導電層150可不完全地彼此分離，且透過第三開口150h3可彼此進行部分接觸。

在導電層150的第三開口150h3可設置在導電層150的底部且可作為從由有機材料所形成的第一絕緣層118產生氣體的消散至外面的路徑。因此，藉由防止從第一絕緣層118產生的氣體滲入顯示區域DA內，可防止由有機發光顯示設備1形成的影像的品質劣化或可降低劣化。

第二電極135可設置在第一堤119a上。第二電極135在第一堤119a的區域119a1、119a2、與119a3之間的空間可接觸導電層150。導電層150可為供應電力至第二電極135的電源線或連接供應電力至第二電極135的電源線的連接線。

參照第1圖，在第一絕緣層118的第一開口118h1可環繞顯示區域DA。舉例而言，第一開口118h1可形成完全地環繞顯示區域DA的封閉迴圈。因此，第一絕緣層118可包含藉由第一開口118h1彼此分離的第一區域118a與第二區域118b。第一區域118a與第一堤119a相對於第一開口118h1可設置在相同方向，且第二區域118b與第二堤119b相對於第一開口118h1可設置在相同方向。第二電極135可僅設置在第一堤119a上且可不設置在第一開口118h1或第二堤119b上。

增加有機發光顯示設備1的光效率的覆蓋層140可設置在第二電極135上。覆蓋層140可設置在顯示區域DA與周邊區域PA內且可僅設置在第二電極135的上部，且可不超出第二電極135延伸。舉例而言，至少一部分的第二電極135可藉由覆蓋層140暴露。覆蓋層140可由有機材料形成。雖然未顯示於第3圖中，封裝層(第6圖的260)可設置在覆蓋層140上，封裝層包含至少一無機層與至少一有機層。

如上文所述，第一堤119a與第二堤119b可設置在第一開口118h1的相對側。從面對第二堤119b的第一堤119a的邊緣延伸至第一開口118h1的距離d1可為至少4 μm。類似地，從面對第一堤119a的第二堤119b的邊緣延伸至第一開口118h1的距離d2可為至少4 μm。距離d1與d2可彼此相同或是不同。第1圖與第2圖的元件符號119VL可表示連接包含在第一堤119a內的複數個區域119a1、119a2與119a3的邊緣且包含在第二堤119b內的複數個區域119b1與119b2的邊緣的虛線。

當距離d1與d2的每一個小於大約4 μm時，第一堤119a及/或第二堤119b可能進入第一開口118h1。

第一開口118h1的寬度d3可為7μm或7μm以上。舉例而言，介於第一堤119a與第二堤119b之間的距離可為大約15μm或15μm以上。通過這種配置，在第一堤119a與第二堤119b可不在第一開口118h1內彼此連接。

參照第4圖，根據範例的有機發光顯示設備1’包含設置在周邊區域內的第二絕緣層115’與設置在第二絕緣層115’上的第一絕緣層118’ 。第一 絕緣層118’包含第一開口118h1’。導電層150’可設置在第一開口118h1’。導電層150’可包含形成在第一開口118h1’的周邊的第三開口150h3’。

一起覆蓋至少一部份的導電層150’的第一堤119a’與第二堤119b’可設置在第一絕緣層118’上。第一堤119a’與第二堤119b’在第一開口118h1’內可彼此連接。第二電極135’可設置在第一堤119a’上。第二電極135’可接觸導電層150’。

因為第一堤119a’、第二堤119b’、與第一絕緣層118’的每一個由有機材料所形成，可能位在第一開口118h1’或第一絕緣層118’的外面，或可能從第二堤119b’或第一絕緣層118’產生的雜質G1’與G2’(其可包含引入至第二堤119b’的氣體及/或水氣)可沿著顯示在第4圖的路徑P’經由設置在第一開口118h1’內的接觸部分119c’引入至第一堤119a’。滲入顯示區域DA的雜質G1’與G2’(其可包含氣體及/或水氣)可滲入包含EML的中間層133。因此，有機發光顯示設備1’所形成的影像的品質可能被劣化。

再次參照第3圖，第一堤119a與第二堤119b在第一開口118h1的相對側彼此分離。第一堤119a與第一開口118h1、以及第二堤119b與第一開口118h1藉由預定距離d1與d2可彼此間隔。舉例而言，距離d1與d2可個別為4 μm或4 μm以上。因此，由於關於形成第一堤119a與第二堤119b的有機材料的製程或特徵的問題，第一堤119a與第二堤119b可不流入第一開口118h1。

透過此種配置，引入至第二堤119b或在第二堤119b產生的雜質(例如：氣體及/或水氣)可不被引入至第一堤119a。因此，藉由阻擋滲入雜質顯示區域DA，可防止有機發光顯示設備1所形成的影像的品質劣化或可降低劣化的程度。

第5圖係為示意性繪示根據本發明的例示性實施例的一部分的有機發光顯示設備的平面圖，且第6圖係為示意性繪示第5圖的一部份的有機發光顯示設備的截面圖。

以下，將描述第3圖的有機發光顯示設備1與第6圖的有機發光顯示設備2之間的不同處。第6圖係為繪示對應於設置有第5圖的分叉開口218h11b與218h12b的邊緣的周邊區域PA的截面圖。

參照第5圖與第6圖，根據本發明的例示性實施例的有機發光顯示設備2包含具有顯示區域DA與位在顯示區域DA外的周邊區域PA的基板210。第一絕緣層218設置在顯示區域DA與周邊區域PA兩者。第一絕緣層218設置在基板210上且具有位在周邊區域PA內的第一開口218h1。第一電極231設置在顯示區域DA內且在第一絕緣層218上。第一堤219a設置在顯示區域DA與周邊區域PA兩者內的第一絕緣層218上。第一堤219a包含透過其暴露第一電極231的中心的第二開口219h2。第二堤219b設置在第一絕緣層218上且與第一堤219a分離。第一開口218h1設置在第一堤219a與第二堤219b之間。中間層233設置在第一電極231上。第二電極235設置在中間層233與第一堤219a上。

顯示區域DA可包含四個角與連接四個角的四個邊緣。舉例而言，顯示區域DA可具有矩形。然而，本發明的例示性實施例係為不限於此，且顯示區域DA可具有像是五邊形或是例如三角形或不同的多邊形的多邊形。

緩衝層211可設置在基板210與薄膜電晶體TFT1上。OLED 230係電性連接至薄膜電晶體TFT1。每一個OLED 230包含第一電極231。中間層包含EML。第二電極235可設置在顯示區域DA內且在緩衝層211上。

每一個薄膜電晶體TFT1可包含半導體層222、閘極電極224、源極電極226S、與汲極電極226D。閘極絕緣層213可設置在半導體層222與閘極電極224之間，且第二絕緣層215設置在閘極電極224上。閘極絕緣層213與第二絕緣層215可個別地包含無機材料。閘極絕緣層231與第二絕緣層215可個別地設置在顯示區域DA與周邊區域PA兩者之內。

第一絕緣層218可設置在位於顯示區域DA與周邊區域PA內的薄膜電晶體TFT1上。第一絕緣層218可包含位在周邊區域PA內且透過其暴露第二絕緣層215的第一開口218h1。第一開口218h1可環繞顯示區域DA並可形成封閉迴圈。

第一開口2181h1包含主開口218h1a與從主開口218h1a分叉的複數個分叉開口218h11b與218h12b。主開口218h1a可設置相鄰於四個角的每一個角。每一個分叉開口218h11b與218h12b可設置在四個邊緣。然而，本發明的例示性實施例係為不限於此，且分叉開口218h11b與218h12b可位在四個邊緣中的至少二個。

因為對應於顯示區域DA的角落的周邊區域PA的死空間(dead space)係為狹窄，其可能難以在第一絕緣層218形成複數個開口。然而，因為對應於顯示區域DA的邊緣的周邊區域PA的死空間係為寬，因而可確保可形成複數個開口的足夠大的空間。因此，如第5圖所示，一個主開口218h1a可在角落形成，且從主開口218h1a分叉的複數個分叉開口218h11b與218h12b可設置在邊緣，以便可防止雜質被引入至顯示區域DA。

第一絕緣層218藉由第一開口218h1可劃分成第一區域218a、第二區域218b、與第三區域218c。第三區域218c可由分叉開口218h11b與218h12b環繞。舉例而言，第三區域218c可具有島形。第一電極231可設置在顯示區域DA內且在第一絕緣層218上，且導電層250可設置在周邊區域PA內。導電層250可包含複數個第三開口250h3。複數個第三開口250h3可位在第一絕緣層218的第一區域218a、第二區域218b與第三區域218c內。

第一堤219a可設置在位在顯示區域DA與周邊區域PA兩者中的第一絕緣層218上。第二堤219b可設置在周邊區域PA的第一絕緣層218上。第一堤219a包含透過其暴露第一電極231的中心的第二開口219h2。第一堤219a可在周邊區域PA劃分為複數個區域219a1、219a2與219a3。第二堤219b可與第一堤219a分離。分叉開口218h11b與218h12b設置在第一堤219a與第二堤219b之間。在複數個分叉開口218h11b與218h12b之間的第三堤219c可從第一堤219a與第二堤219b兩者分離。舉例而言，第一堤219a、第二堤219b、與第三堤219c可各分別設置在第一絕緣層218的第一區域218a、第二區域218b、與第三區域218c內。距離d1(從第一堤219a的邊緣至分叉開口218h11b)與距離d2(從第三堤219c的邊緣至分叉開口218h11b)的每一個可為大約4μm或4μm以上，以使第一堤到第三堤219a、219b與219c可完全地彼此分離。分叉開口218h11b的寬度d3可為大約7μm或7μm以上。舉例而言，介於第一堤219a與第三堤219c之間的距離可為大約15μm或15μm以上。

類似地，距離d4(從第三堤219c的邊緣至分叉開口218h12b)與距離d5(從第二堤219b的邊緣至分叉開口218h12b)的每一個可為大約4μm或4μm以上。分叉開口218h12b的寬度d6可為大約7μm或7μm以上。舉例而言，介於第二堤219b與第三堤219c之間的距離可為大約15μm或15μm以上。

第一堤219a、第二堤219b、與第三堤219c可覆蓋在周邊區域PA內的導電層250的至少一部分且可不設置在分叉開口218h11b與218h12b內。導電層250可包含複數個第三開口250h3。

包含EML的中間層233可設置在第一電極231上。第二電極235可設置在中間層233上。第二電極235可設置在中間層233的頂部與第一堤219a的頂部。第二電極235可不設置在第一開口218h1內且可不設置在第二堤219b的頂部或是第三堤219c的頂部。第二電極235可在介於第一堤219a的複數個區域219a1、219a2與的219a3之間的區域接觸導電層250。導電層250可為供應電力至第二電極235的電源線或連接供應電力至第二電極235的電源線的連接線。

增加有機發光顯示設備2的光效率且包含有機材料的覆蓋層240可設置在第二電極235上。封裝層260覆蓋OLED 230且保護OLED 230免於從外部的水氣及氧氣的影響。封裝層260可設置在覆蓋層240上。封裝層260可覆蓋顯示區域DA且可延伸至周邊區域PA。如第6圖所示，封裝層260可包含第一無機層261、有機層263、與第二無機層265。

第一無機層261可覆蓋覆蓋層240且可包含氧化矽、氮化矽及/或氮氧化矽。根據需要，包含氟化鋰(LiF)層的其他層可設置在第一無機層261與覆蓋層240之間。因為第一無機層261係為沿著下部結構形成，如第6圖所示，第一無機層261的上表面可為不平坦。有機層263可覆蓋第一無機層261，且有機層263的上表面可為實質上平坦。有機層263可包含聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚碳酸酯(PC)、聚醯亞胺(PI)、聚乙烯磺酸鹽(polyethylene sulfonate)、聚甲醛(polyoxymethylene)、聚芳酯(polyarylates，PAR)、以及六甲基二矽氧。第二無機層265可覆蓋有機層263且可包含氧化矽、氮化矽及/或氮氧化矽。雖然未顯示，第二有機層265在有機發光顯示設備2的邊緣區域可接觸第一有機層261，以保護有機層263免於暴露在外。

以此種方式，封裝層260包含第 一無機層261、有機層263、與第二無機層265。因此，雖然此多層結構，即使在封裝層260中可能產生裂縫，此裂縫可不在第一無機層261與有機層263之間或是在有機層263與第二無機層265之間連接。因此，可防止水氣或氧氣從外界滲入至顯示區域DA的路徑形成，或可降低其形成。

第7圖係為示意性繪示根據本發明的例示性實施例的一部分的有機發光顯示設備3的平面圖。因為除了第一絕緣層318與導電層350之外，第7圖的有機發光顯示設備3的剩餘佈置可實質上與第3圖的有機發光顯示設備1或第6圖的有機發光顯示設備2相同，以下，將僅描述第一絕緣層318與導電層350，且假設於此沒有描述的所有其他元件實質上與參照第3圖或第6圖描述的對應元件相同。

參照第7圖，根據本發明的例示性實施例的有機發光顯示設備3包含設置在顯示區域DA與周邊區域PA內的第一絕緣層318。第一絕緣層318可包含位在周邊區域內的第一開口318h1。第一開口318h1可環繞顯示區域DA且可包含設置在對應於顯示範圍DA的角落的周邊區域PA的主開口318h1a與設置在對應於顯示區域DA的邊緣周邊區域PA的並從主開口318h1a分叉的三個分叉開口318h11b、318h12b與318h13b。

在第7圖中，三個分叉開口318h11b、318h12b與318h13b位在顯示區域DA的一個邊緣上。然而，本實施例不限於此。舉例而言，三個分叉開口318h11b、318h12b與318h13b可位於兩個或更多個邊緣。第一絕緣層318可藉由三個分叉開口318h11b、318h12b與318h13b劃分成彼此分離的第一區域318a、第二區域318b、第三區域318c、與第四區域318d。第三區域318c與第四區域318d可由分叉開口318h11b、318h12b與318h13b可環繞。舉例而言，第三區域318c與第四區域318d的每一個可具有島形。

在第7圖的有機發光顯示設備3中，三個分叉開口318h11b、318h12b與318h13b設置在顯示區域DA的一個邊緣。因此，可更有效率的阻擋從外部引入或是從設置在第一開口318h1外的層所產生的氣體或是水氣以及形成在層中的有機材料的氣體或是水氣，所以可防止形成在有機發光顯示設備3的影像品質劣化或可降低劣化。

根據上述實施例的有機發光顯示設備1、2與3中，包含第一開口118h1、218h1、與318h1的第一絕緣層118、218、與318設置在周邊區域PA內，且可有效率地阻擋可能從第一開口118h1、218h1、與318h1的外面引入至第一開口118h1、218h1、與318h1之內的雜質的引入路徑，因而可防止形成在有機發光顯示設備1、2、與3的每一個的影像品質劣化或可降低劣化。

如上文所述，根據本發明的一或多個例示性實施例，有機發光顯示設備可防止在製程期間或後續使用中可能發生的污染所造成影像品質劣化或可降低品質劣化的程度。

當本發明的例示性實施例已參照附圖被描述於上文中，將為所屬技術領域中具有通常知識者所了解的是，在不脫離本發明的精神與範疇下，可在此進行形式及細節上的各種變更。

1、1’、2、3‧‧‧有機發光顯示設備
110、210‧‧‧基板
111、211‧‧‧緩衝層
113、213‧‧‧閘極絕緣層
115、115’、215‧‧‧第二絕緣層
118、118’、218、318‧‧‧第一絕緣層
118a、218a、318a‧‧‧第一區域
118b、218b、318b‧‧‧第二區域
119a1、119a2、119a3、119b1、119b2、219a1、219a2、219a3‧‧‧區域
118h1、118h1’、218h1‧‧‧第一開口
119h2、219h2‧‧‧第二開口
150h3、150h3’、250h3‧‧‧第三開口
119a、119a’、219a‧‧‧第一堤
119b、119b’、219b‧‧‧第二堤
119c’‧‧‧接觸部分
119VL‧‧‧虛線
122、222‧‧‧半導體層
124、224‧‧‧閘極電極
126S、226S‧‧‧源極電極
126D、226D‧‧‧汲極電極
130、230‧‧‧OLED
131、231‧‧‧第一電極
135、135’、235‧‧‧第二電極
133、233‧‧‧中間層
140、240‧‧‧覆蓋層
150、150’、250、350‧‧‧導電層
218h1a、318h1a‧‧‧主開口
218h11b、218h12b、318h11b、318h12b、318h13b‧‧‧分叉開口
218c、318c‧‧‧第三區域
219c‧‧‧第三堤
260‧‧‧封裝層
261‧‧‧第一無機層
263‧‧‧有機層
265‧‧‧第二無機層
318d‧‧‧第四區域
A‧‧‧區域
d1、d2、d4、d5‧‧‧距離
d3、d6‧‧‧寬度
DA‧‧‧顯示區域
G1’、G2’‧‧‧雜質
PA‧‧‧周邊區域
P’‧‧‧路徑
TFT1‧‧‧第一薄膜電晶體
TFT2‧‧‧第二薄膜電晶體

這些及/或其他態樣從下列實施例的敘述搭配附圖將變得顯而易見且更容易理解，其中：

第1圖係為示意性繪示根據本發明的例示性實施例的有機發光顯示設備的平面圖；

第2圖係為示意性繪示第1圖的A區域的平面圖；

第3圖係為示意性繪示第1圖的一部分的有機發光顯示設備的截面圖；

第4圖係為示意性繪示一部分的有機發光顯示設備的截面圖；

第5圖係為示意性繪示根據本發明的例示性實施例的一部分的有機發光顯示設備的平面圖。

第6圖係為示意性繪示第5圖的一部分的有機發光顯示設備的截面圖；以及

第7圖係為示意性繪示根據本發明的例示性實施例的一部分的有機發光顯示設備的平面圖。

1‧‧‧有機發光顯示設備

110‧‧‧基板

111‧‧‧緩衝層

113‧‧‧閘極絕緣層

115‧‧‧第二絕緣層

118‧‧‧第一絕緣層

118a‧‧‧第一區域

118b‧‧‧第二區域

118h1‧‧‧第一開口

119a‧‧‧第一堤

119a1、119a2、119a3、119b1、119b2‧‧‧區域

119b‧‧‧第二堤

119h2‧‧‧第二開口

122‧‧‧半導體層

124‧‧‧閘極電極

126S‧‧‧源極電極

126D‧‧‧汲極電極

130‧‧‧OLED

131‧‧‧第一電極

133‧‧‧中間層

135‧‧‧第二電極

140‧‧‧覆蓋層

150‧‧‧導電層

150h3‧‧‧第三開口

d1、d2‧‧‧距離

d3‧‧‧寬度

DA‧‧‧顯示區域

PA‧‧‧周邊區域

TFT1‧‧‧第一薄膜電晶體

TFT2‧‧‧第二薄膜電晶體

Claims (27)

1. 一種有機發光顯示設備，其包含： 一基板，其具有一顯示區域與在該顯示區域外的一周邊區域； 一第一絕緣層，其設置在該顯示區域與該周邊區域兩者內，該第一絕緣層係為設置在該基板上，且具有在該周邊區域內的一第一開口； 一第一電極，其設置在該顯示區域內且設置在該第一絕緣層上； 一第一堤，其設置在該顯示區域與該周邊區域兩者內的該第一絕緣層上且具有透過暴露該第一電極的一中心的一第二開口； 一第二堤，其設置在該第一絕緣層上且與該第一堤分離，其中該第一開口設置在該第一堤與該第二堤之間； 一中間層，其設置在該第一電極上；以及 一第二電極，其設置在該中間層與該第一堤上。
2. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示設備，其中面對該第二堤的該第一堤的一邊緣至該第一開口的距離係為至少4μm，且面對該第一堤的該第二堤的一邊緣至該第一開口的距離係為至少4μm。
3. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示設備，其中該第一堤與該第二堤之間的距離係為至少15μm。
4. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示設備，其中該第二電極不與該第一開口或該第二堤重疊。
5. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示設備，其更包含設置在該周邊區域內、設置在該第一絕緣層上且覆蓋該第一開口的一導電層。
6. 如申請專利範圍第5項所述之有機發光顯示設備，其中該第一堤包含彼此分離的複數個區域，以使該導電層的至少一部分暴露。
7. 如申請專利範圍第6項所述之有機發光顯示設備，其中該第二電極接觸在該複數個區域中的一對或多對鄰近區域之間的該導電層。
8. 如申請專利範圍第5項所述之有機發光顯示設備，其中該導電層包含設置在該第一開口的周邊內的複數個第三開口。
9. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示設備，其更包含設置在該第一絕緣層下且包含一無機材料的一第二絕緣層，其中該第二絕緣層的至少一部分透過該第一開口暴露。
10. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示設備，其更包含設置在該顯示區域與該周邊區域內的該第二電極上的一覆蓋層。
11. 如申請專利範圍第10項所述之有機發光顯示設備，其中該第二電極的至少一部分係藉由該覆蓋層暴露。
12. 如申請專利範圍第10項所述之有機發光顯示設備，其中該第一絕緣層、該第一堤與該第二堤、以及該覆蓋層的每一個包含一有機材料。
13. 如申請專利範圍第10項所述之有機發光顯示設備，其更包含含有個別設置在該覆蓋層上的至少一無機層與至少一有機層的一封裝層。
14. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示設備，其中該第一開口環繞該顯示區域。
15. 如申請專利範圍第14項所述之有機發光顯示設備，其中該第一絕緣層包含藉由該第一開口彼此分離的一第一區域與一第二區域。
16. 如申請專利範圍第15項所述之有機發光顯示設備，其中該第一開口包含一主開口與從該主開口分叉的複數個分叉開口。
17. 如申請專利範圍第16項所述之有機發光顯示設備，其中該顯示區域包含四個角與連接該四個角的四個邊緣。
18. 如申請專利範圍第17項所述之有機發光顯示設備，其中該主開口位在相鄰於該四個角的每一個角，且該複數個分叉開口位在該四個邊緣中的至少其一。
19. 如申請專利範圍第17項所述之有機發光顯示設備，其中該主開口分叉為至少二分叉開口，且該至少二分叉開口位在該四個邊緣中的至少其一。
20. 如申請專利範圍第16項所述之有機發光顯示設備，其中該第一絕緣層更包含由該分叉開口環繞的一第三區域。
21. 如申請專利範圍第20項所述之有機發光顯示設備，其更包含設置在該第一絕緣層上的該第一區域、該第二區域以及該第三區域內的一導電層，且該導電層具有位在該第二區域與該第三區域的每一個的複數個第三開口。
22. 一種有機發光顯示設備，其包含： 一基板，其包含在一中心的一顯示區域與環繞該顯示區域的一非顯示區域； 一第一堤，其設置在該基板上且具有一OLED與對應於複數個子像素的複數個開口； 一第二堤，其與該第一堤分離且整體設置在該非顯示區域內；以及 一絕緣層，其覆蓋該第一堤與該第二堤且具有設置在該第一堤與該第二堤之間的一開口，以使該開口分離該第一堤與該第二堤。
23. 如申請專利範圍第22項所述之有機發光顯示設備，其更包含設置在該絕緣層上的且覆蓋設置在該第一堤與該第二堤之間的該開口之一導電層，該導電層係至少部分地暴露在該非顯示區域內。
24. 如申請專利範圍第22項所述之有機發光顯示設備，其中該第一堤與該第二堤包含與該絕緣層相同的有機材料。
25. 如申請專利範圍第22項所述之有機發光顯示設備，其更包含設置在該顯示區域內且與該絕緣層重疊的一第一電極。
26. 如申請專利範圍第25項所述之有機發光顯示設備，其中該第一電極的中心係透過在該第一堤中的開口暴露。
27. 如申請專利範圍第25項所述之有機發光顯示設備，其更包含設置在該第一電極上的一中間層、以及設置在該中間層及該第一堤上的一第二電極。