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TW201801304A - 顯示裝置及其製造方法 - Google Patents

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TW201801304A
TW201801304A TW105143201A TW105143201A TW201801304A TW 201801304 A TW201801304 A TW 201801304A TW 105143201 A TW105143201 A TW 105143201A TW 105143201 A TW105143201 A TW 105143201A TW 201801304 A TW201801304 A TW 201801304A
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金鍾成
俞忠根
金豪鎭
朴泰翰
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樂金顯示科技股份有限公司
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Abstract

一個實施例中，一種顯示裝置包含基板、電晶體、發光裝置、接觸孔以及接觸孔中的輔助電極。基板包含發射光線之發射區域以及不發射光線之非發射區域。電晶體位於基板上方。發光裝置位於電晶體上方，發光裝置包含第一電極、第一電極上的發光層以及位於發光層上的第二電極。接觸孔位於基板之發射區域中，接觸孔位於電晶體與發光裝置之間。輔助電極將發光裝置之第一電極與電晶體電連接在一起。

Description

顯示裝置及其製造方法
本發明係關於一種有機發光顯示裝置及其製造方法以及包含此有機發光顯示裝置之頭戴式顯示器。
隨著資訊導向社會的進步，對於顯示影像之顯示裝置的各種需求也日益增加。因此，近來正在使用各種顯示裝置比如液晶顯示裝置、電漿顯示裝置、有機發光顯示裝置等。
作為一種類型的顯示裝置，有機發光顯示裝置係為自發光顯示裝置，在視角與對比度方面比液晶顯示裝置更好。此外，因為有機發光顯示裝置不需要單獨的背光，所以可減輕且薄型化有機發光顯示裝置，並且有機發光顯示裝置在功率消耗方面表現卓越。另外，有機發光顯示裝置係由低直流（direct current；DC）電壓驅動，具有快速的響應時間且製造成本低。
有機發光顯示裝置各自包含陽極、劃分陽極之護堤（bank）、陽極上形成的電洞傳輸層、有機發光層與電子傳輸層，以及形成於電子傳輸層上的陰極。這種情況下，當高位準電壓被施加至陽極且低位準電壓被施加至陰極時，電洞與電子分別透過電洞傳輸層與電子傳輸層向有機發光層移動，以及在有機發光層中彼此結合以發射光線。
有機發光顯示裝置中，順序地堆疊陽極、有機發光層與陰極的區域為發射光線的發射區域（emissive area），以及提供護堤的區域為不發射光線的非發射區域。護堤界定發射區域。
陽極透過接觸孔連接薄膜電晶體（thin-film transistor；TFT）之源極或汲極，以及被供應高位準電壓。由於接觸孔的階梯高度的緣故，有機發光層難以被均勻地沈積於接觸孔上，由此接觸孔中未形成有機發光層。就是說，護堤覆蓋接觸孔。
近來，因為應用至行動裝置等的小型有機發光顯示裝置具有高解析度，故明顯地降低了畫素尺寸。然而，接觸孔係透過照相製程（photo process）而形成，由於照相製程的限制，接觸孔無法被形成為小於特定尺寸。就是說，盡管減小了畫素尺寸，但是減小接觸孔方面存在限制。
接觸孔被放置於非發射區域中，由此，如果畫素尺寸被減小，非發射區域的面積比則變得更高，且發射區域的面積比變得更低。如果發射區域的面積比變得更低，則發射區域的發光亮度應該增加，因為這個原因，有機發光層的壽命被降低。
近來，業界正在發展各自包含有機發光顯示裝置的頭戴式顯示器。頭戴式顯示器為用於虛擬實境（virtual reality；VR）的眼鏡式監視裝置，以眼鏡形式或頭盔形式加以佩戴且在接近使用者眼睛的距離處形成焦點。然而，在頭戴式顯示器中，正好在使用者的眼睛前方看到有機發光顯示裝置所顯示的影像，因為這個原因，如果每一畫素中非發射區域所佔據的面積的比率高，則如圖1所示的格子圖案中看到非發射區域。
因此，本揭露在於提供一種有機發光顯示裝置及其製造方法以及包含此有機發光顯示裝置之頭戴式顯示器（head-mounted display；HMD），實質上避免習知技術之限制與缺陷所導致的一或多個問題。
本揭露一方面在於提供一種有機發光顯示裝置及其製造方法以及包含此有機發光顯示裝置之頭戴式顯示器，改善有機發光層的壽命。
本揭露另一方面在於提供一種有機發光顯示裝置及其製造方法以及包含此有機發光顯示裝置之頭戴式顯示器，避免在格子圖案中看到非發射區域。
一個實施例中，一種顯示裝置包含：基板，包含發射光線之發射區域與不發射光線之非發射區域；基板上方的電晶體；位於電晶體上方的發光裝置，發光裝置包含第一電極、第一電極上的發光層以及發光層上的第二電極；基板之發射區域中的接觸孔，接觸孔位於電晶體與發光裝置之間；以及接觸孔中的輔助電極，輔助電極將發光裝置之第一電極與電晶體電連接在一起。
一個實施例中，一種顯示裝置之製造方法包含︰形成基板，基板包含發射光線之發射區域與不發射光線之非發射區域；於基板上形成電晶體；於電晶體上方形成發光裝置，形成發光裝置以包含第一電極、第一電極上的發光層與發光層上的第二電極；於基板之發射區域中形成接觸孔，接觸孔形成於電晶體與發光裝置之間；以及於接觸孔中形成輔助電極，輔助電極將發光裝置之第一電極與電晶體電連接在一起。
一個實施例中，一種顯示裝置包含︰基板，包含發射光線之發射區域與不發射光線之非發射區域；基板上方之電晶體，電晶體包含第一電極、第二電極與閘極；平坦化層，位於電晶體上；接觸孔，位於平坦化層之一部分中，接觸孔位於基板之發射區域中，接觸孔暴露電晶體之第一電極之一部分；輔助電極，位於平坦化層上方，輔助層填充接觸孔之至少一部分且輔助電極接觸電晶體之第一電極之暴露部分；以及輔助電極上的發光裝置，發光裝置之第一電極經由輔助電極電連接電晶體之第一電極。
本發明其他的優點和特徵將在如下的說明書中部分地加以闡述，並且本發明其他的優點和特徵對於本領域的普通技術人員來說，可以透過本發明如下的說明得以部分地理解或者可以從本發明的實踐中得出。本發明的目的和其它優點可以透過本發明所記載的說明書和申請專利範圍中特別指明的結構並結合圖式部份，得以實現和獲得。
為了獲得本發明的這些目的和其他特徵，現對本發明作具體化和概括性的描述，本案提供一種有機發光顯示裝置。
本發明另一方面提供一種有機發光顯示裝置之製造方法。
可以理解的是，如上所述的本發明之概括說明和隨後所述的本發明之詳細說明均是具有代表性和解釋性的說明，並且是為了進一步揭示本發明之申請專利範圍。
現在將結合圖式部份對本發明的代表性實施方式作詳細說明。這些圖式部份中所使用的相同的參考標號代表相同或同類部件。
結合附圖從以下描述的實施例中將顯然看出本發明之優點與特徵以及實現這些優點或特徵之方法。然而，本發明並非限制於這些實施例，而是可依照多種形式被修正。本文提供這些實施例使得本揭露完整且完全，以及將本發明之保護範圍充分傳達至本領域之技術人員。另外，本發明之範圍僅僅由申請專利範圍界定。
圖式中所揭露的用於描述本發明實施例之形狀、尺寸、比率、角度與數目僅僅是代表性的，由此本發明並非受限於所示的細節。同樣的參考標號代表同樣的元件。以下描述中，當相關已知的功能或配置的詳細描述被判定為不必要地混淆本發明的主旨時，將省略其詳細描述。
當說明書中使用「包含」與「具有」的情況下，除非使用了「僅僅～」，否則可增加另一零件。除非指出不包含複數形式，否則單數形式的術語包含複數個形式。
在解釋元件時，即使沒有明確描述，但是元件也被解釋為包含誤差區域。
例如，在描述位置關係時，當位置順序被描述為「之上～」、「上方～」、「之下～」以及「鄰近～」時，除非使用「正好」或「直接」，否則可包含不接觸的情況。
例如，描述時間關係時，當時間順序被描述為「～以後」、「～後續」、「～下一個」以及「～以前」時，除非使用「正好」或「直接」，否則可包含不連續的情況。
應理解，雖然本文使用術語「第一」、「第二」等可用於描述各種元件，但是這些元件不應受到這些術語的限制。這些術語僅僅用於區分一個元件與另一個元件。例如，在不脫離本發明之範圍的情況下，第一元件可被稱為第二元件，以及類似地，第二元件可被稱為第一元件。
此外，X軸方向、Y軸方向與Z軸方向並非被僅僅限制為之間為垂直關係的幾何關係，以及在本發明之元件功能上作業的範圍內具有更廣泛的方向性。
應理解，術語「至少一個」包含任一項相關的全部組合。例如，「第一項、第二項與第三項中至少一個」包含從第一項、第二項與第三項中選擇之兩個或多個元素的全部組合以及每一第一項、第二項與第三項。
本發明各個實施例之特徵可彼此部分或全部耦合與結合，以及以本領域技術人員可充分理解的方式彼此以各種方式互相作業且在技術上加以驅動。本發明之實施例可彼此獨立完成，或者可依照共存關係共同完成。
以下，將結合附圖詳細描述本發明之代表性實施例。
圖2係為本揭露實施例之有機發光顯示裝置100之透視圖。圖3係為本揭露一個實施例之圖2之第一基板、閘極驅動器、源極驅動積體電路（integrated circuit；IC）、撓性膜、電路板與時序控制器之平面示意圖。
請參考圖2與圖3，本揭露實施例之有機發光顯示裝置100包含顯示面板110、閘極驅動器120、源極驅動器積體電路130、撓性膜140、電路板150與時序控制器160。
顯示面板110包含第一基板111與第二基板112。第二基板112為封裝基板。第一基板111與第二基板112各自為塑膠或玻璃。
複數條閘極線、複數條資料線與複數個畫素P被提供於面對第二基板112的第一基板111的一個表面上。在閘極線與資料線之交叉處定義的複數個區域中分別提供畫素P。
每一畫素P包含薄膜電晶體與有機發光裝置，其中有機發光裝置包含第一電極、有機發光層與第二電極。通常，薄膜電晶體可由任何類型合適的電晶體代替。舉個例子，電晶體包含第一控制電極（例如，場效應電晶體實例中的源極）、第二控制電極（例如，場效應電晶體實例中的汲極）以及控制第一控制電極與第二控制電極間的電流流動的控制電極（例如，場效應電晶體實例中的閘極）。當透過閘極線輸入閘極訊號時，依照透過資料線供應的資料電壓，每一畫素P利用薄膜電晶體供應一定的電流至有機發光裝置。因此，依照一定的電流，每一畫素P之有機發光裝置發射具有一定亮度的光線。將結合圖4詳細描述每一畫素P。
如圖3所示，顯示面板110被劃分為顯示區域DA與非顯示區域NDA。在顯示區域DA處提供畫素P以顯示影像，以及非顯示區域NDA不顯示影像。顯示區域DA中提供閘極線、資料線與畫素P。非顯示區域NDA中提供閘極驅動器120與複數個焊墊。
依照從時序控制器60輸入的閘極控制訊號，閘極驅動器120順序地供應閘極訊號至閘極線。在面板中閘極驅動器（gate driver-in panel；GIP）類型的顯示面板110的顯示區域DA一側或兩側外部的非顯示區域NDA中提供閘極驅動器120。或者，閘極驅動器120可被製造為驅動晶片，且被安裝於撓性膜上，此外，可被接合於捲帶式自動接合（tape automated bonding；TAB）類型的顯示面板110的顯示區域DA一側或兩側外部的非顯示區域NDA上。
源極驅動器積體電路130從時序控制器160接收數位時序資料與源極控制訊號。依照源極控制訊號，源極驅動器積體電路130將數位視訊資料轉換為類比資料電壓，以及分別將類比資料電壓供應至資料線。如果源極驅動器積體電路130被製造為驅動晶片，源極驅動器積體電路130以膜上晶片（chip-on film；COF）類型或塑膠上晶片（chip-on plastic；COP）類型被安裝於撓性膜140上。
在顯示面板110的非顯示區域NDA中提供複數個焊墊比如資料墊。在撓性膜140上提供連接焊墊至源極驅動器積體電路130的線路與連接焊墊至電路板150之線路。撓性膜140利用各向異性膜被接合於焊墊上，由此焊墊連接撓性膜140之線路。
電路板150接合於提供的複數個撓性膜140上。被實施為驅動晶片的複數個電路被安裝於電路板150上。例如，時序控制器160被安裝於電路板150上。電路板150為印刷電路板（PCB）或者撓性印刷電路板（FPCB）。
時序控制器160透過電路板150的電纜從外部系統板（圖未示）接收數位視訊資料與時序訊號。基於時序訊號，時序控制器160產生閘極控制訊號與源極控制訊號。閘極控制訊號用於控制閘極驅動器120之作業時序。源極控制訊號用於控制提供的複數個源極驅動器積體電路130。時序控制器160供應閘極控制訊號至閘極驅動器120，以及供應源極控制訊號至複數個源極驅動器積體電路130。
圖4係為一個實施例之顯示區域中畫素之例子之詳細平面示意圖。圖5係為一個實施例之沿圖4之線I-I'之例子之剖面示意圖。
請參考圖4與圖5，緩衝層210形成於面對第二基板112之第一基板111的一個表面上。緩衝層210形成於第一基板111的一個表面上，用於保護複數個薄膜電晶體220與複數個有機發光裝置280避免水分滲透通過容易滲透水分的第一基板111。緩衝層210包含交替堆疊的複數個無機層。例如，緩衝層210由氧化矽(silicon oxide；SiOx)、氮化矽(silicon nitride；SiNx)與氮氧化矽（SiON）之一或多個交替堆疊的多個層形成。可省略緩衝層210。
薄膜電晶體220形成於緩衝層210上。每一薄膜電晶體220包含主動層221、閘極222、源極223與汲極224。圖5中，圖中代表性地表示薄膜電晶體220形成為頂部閘極型，其中閘極222形成於主動層221上，但是並非限制於此。就是說，薄膜電晶體220可形成為閘極222被放置於主動層221下方的底部閘極型或閘極222被放置於主動層221上方與下方的雙閘極型。
主動層221形成於緩衝層210上。主動層221由矽基半導體材料或者基於氧化物的半導體材料形成。阻光層形成緩衝層210與主動層221之間，用於阻擋外部光線入射到主動層221上。
閘極絕緣層230形成於主動層221上。閘極絕緣層230由無機層例如氧化矽(SiOx)、氮化矽(SiNx)或者其多層形成。
閘極222與閘極線係形成於閘極絕緣層230上。閘極222與閘極線各自由單層或多層形成，其中單層或多層包含鉬(Mo)、鉻(Cr)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、釹(Nd)與銅(Cu)中的一種或者其合金。
層間絕緣層240由閘極222與閘極線形成。層間絕緣層240由無機層例如氧化矽(SiOx)、氮化矽(SiNx)或者其多層形成。
源極223、汲極224與資料線形成於層間絕緣層240上。源極223與汲極224的每一個透過接觸孔C1接觸主動層221，其中接觸孔C1穿透閘極絕緣層230與層間絕緣層240。源極223、汲極224與資料線各自由單層或多層形成，其中單層或多層包含鉬(Mo)、鉻(Cr)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、釹(Nd)與銅(Cu)中的一種或者其合金。
用於絕緣薄膜電晶體220的鈍化層250形成於源極223、汲極224與資料線上。鈍化層250由無機層例如氧化矽(SiOx)、氮化矽(SiNx)或者其多層形成。
第一平坦化層260形成於鈍化層250上，用於平坦化薄膜電晶體220導致的階梯高度。第一平坦化層260由有機層比如丙烯酸樹脂（acryl resin）、環氧樹脂、酚樹脂（phenolic resin）、聚醯胺樹脂（polyamide resin）、聚醯亞胺樹脂（polyimide resin）與／或同類形成。
接觸孔CNT穿透鈍化層250與第一平坦化層260且暴露薄膜電晶體220的汲極224的一部分，接觸孔CNT形成於鈍化層250與第一平坦化層260中。如圖4所示，形成接觸孔CNT以與發射區域EA重疊。圖4中，接觸孔CNT的一部分如圖所示與發射區域EA重疊，但是並非限制於此。其他實施例中，接觸孔CNT的整個部分可與發射區域EA重疊。
輔助電極281a形成於第一平坦化層260上。輔助電極281a透過接觸孔CNT連接薄膜電晶體220的汲極224。圖5中，輔助電極281a如圖所示接觸薄膜電晶體220之汲極224，但是可連接薄膜電晶體220之源極223。另外，如圖5所示，輔助電極281部分地填充接觸孔CNT之一部分。此外，如圖5所示，輔助電極281a直接連接發光裝置280之電極與薄膜電晶體220之電極。
第二平坦化層270形成於輔助電極281a上。第二平坦化層270被填充於接觸孔CNT的剩餘部分內，用於將接觸孔CNT造成的階梯高度平坦化。第二平坦化層270由有機層比如丙烯酸樹脂、環氧樹脂、酚樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂與／或同類形成。
第二平坦化層270形成以覆蓋接觸孔CNT，用於填充接觸孔CNT的階梯高度。因此，如圖4所示，第二平坦化層270形成為比接觸孔CNT寬。然而，本揭露實施例並非限制於此。其他實施例中，第二平坦化層270形成為等於或窄於接觸孔CNT。一個實施例中，接觸孔CNT的寬度比發射區域EA寬。或者，接觸孔CNT的寬度少於發射區域EA的寬度。一個實施例中，接觸孔CNT與發射區域EA具有變化的重疊範圍。例如，接觸孔CNT的10%-95%與發射區域EA重疊。
另外，如圖4所示，第二平坦化層270形成為比發射區域EA寬。這種情況下，第一電極281b、有機發光層282與第二電極283形成於發射區域EA中的第二平坦化層270上，由此有機發光層282在發射區域EA中形成為均勻厚度，由此發射區域EA輸出均勻的光線。
由於第二平坦化層270的製造製程的特徵的緣故，第二平坦化層270的厚度t2被調整為比第一平坦化層260的厚度t1厚。因此，第二平坦化層270的一部分（例如，中央部分）的厚度比第一平坦化層260的厚度厚。將結合圖8A與圖8B詳細描述第二平坦化層270的厚度t2被調整為比第一平坦化層260的厚度t1厚的原因。
有機發光裝置280形成於第二平坦化層270上。有機發光裝置280包含第一電極281b、有機發光層282與第二電極283。第一電極281b、有機發光層282與第二電極283堆疊的區域被定義為發射區域EA。第一電極281b為陽極，以及第二電極283為陰極。
第一電極281b形成於第二平坦化層270上。如圖4所示，第一電極281b形成為比輔助電極281a寬，由此未被第二平坦化層270覆蓋的輔助電極281a可連接第一電極281b。圖4中，圖中表示第一電極281b與輔助電極281a在接觸孔CNT兩側外部彼此接觸，但是本實施例並非限制於此。其他實施例中，第一電極281b與輔助電極281a可在接觸孔CNT至少一側的外部彼此連接。
輔助電極281a與第一電極281b由相同的材料形成。或者，輔助電極281a與第一電極281b的每一個由一個金屬層或者兩個或多個金屬層形成。
輔助電極281a與第一電極281b的每一個由透明的導電材料或不透明的導電材料形成。透明的導電材料為比如氧化銦錫（indium tin oxide；ITO）或氧化銦鋅（indium zinc oxide；IZO）之透明導電材料（或透明的導電氧化物（transparent conductive oxide；TCO）），或者為半透射導電材料比如鎂(Mg)、銀(Ag)或者鎂與銀的合金。不透明的導電材料為鋁、銀、鉬、鉬與鈦的堆疊結構(Mo/Ti)、銅、鋁與鈦的堆疊結構、鋁與氧化銦錫之堆疊結構(ITO/Al/ITO)，或者銀、鈀與銅（APC）合金與氧化銦錫之堆疊結構(ITO/APC/ITO)。APC合金為銀、鈀(Pd)與銅的合金。
舉個例子，第一電極281b形成為兩層或更多層的堆疊結構，包含具有像鋁或銀的高反射率的導電材料與透明導電材料，以及輔助電極281a由像鉬、鉬與鈦的堆疊結構(Mo/Ti)、銅或者鋁與鈦的堆疊結構(Ti/Al/Ti)的低電阻材料形成。此外，為了最大化地加寬反射區域，第一電極281b由透明導電材料形成，以及輔助電極281a可由如鋁或銀一樣的高反射率的導電材料形成。
護堤284形成於第一平坦化層260上以覆蓋第一電極281b的邊緣，用於定義發射區域EA。形成護堤284的區域無法發射光線，由此定義為非發射區域。例如，第一護堤（例如，左側護堤）形成於輔助電極281a的第一重疊部（例如，左端）、第二平坦化層270以及發光裝置之第一電極281b上方。另外，第二護堤（例如，右側護堤）形成於輔助電極281a之第二重疊部分（例如，右端）、第二平坦化層270與發光裝置之第一電極281b上方。未被第一護堤與第二護堤覆蓋的輔助電極281a的部分定義發射區域EA的寬度。就是說，護堤284定義發射區域EA。護堤284的第三厚度t3被調整為比第一平坦化層260與有機發光層282間的距離t4厚。此外，圖5所示之實施例中，護堤284的厚度均勻。
可凸起地形成第二平坦化層270。因為第二平坦化層270為圖5所示之凸起形狀，所以第二平坦化層270具有不均勻的厚度。此外，有機發光層282可透過例如蒸發沈積製程之製程而形成，蒸發沈積製程在階梯覆蓋特性方面不好，由此薄薄地形成在第二平坦化層270之傾斜部分中。因此，第一電極281b或者有機發光層282的電荷產生層與第二電極283可在第二平坦化層270之傾斜部中短路。階梯覆蓋部表示由特定沈積製程沈積的層，在形成階梯高度的部分中連接而未斷開連接。然而，本揭露之實施例中，因為形成護堤284以覆蓋第二平坦化層270之傾斜部，第一電極281b或者有機發光層282的電荷產生層與第二電極283避免在第二平坦化層270的傾斜部中短路。
有機發光層282形成於第一電極281b與護堤284上。有機發光層282包含電洞傳輸層、發光層與電子傳輸層。這種情況下，當電壓被施加至第一電極281b與第二電極283時，電洞與電子分別透過電洞傳輸層與電子傳輸層向發光層移動，以及在發光層中彼此結合以發射光線。
有機發光層282為發射白光的白色發光層。這種情況下，如圖5所示，形成有機發光層282以覆蓋第一電極281b與護堤284。此外，這種情況下，形成複數個彩色濾光片321至323以覆蓋發射區域EA。
或者，有機發光層282包含發射紅光的紅色發光層、發射綠光的綠色發光層與發光藍光的藍色發光層。這種情況下，發射區域EA被劃分為發射紅光的紅色發射區域、發射綠光的綠色發射區域與發射藍光的藍色發射區域，以及紅色發射區域、綠色發射區域與藍色發射區域的每一個不包含彩色濾光片。紅色發光層形成於紅色發射區域中第一電極281b上，綠色發光層形成於綠色發射區域中第一電極281b上，以及藍色發光層形成於藍色發射區域中第一電極281b上。
第二電極283形成於有機發光層282上。第二電極283由透明導電材料（或透明的導電氧化物）比如能夠透射光線的氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)、或者半透射導電材料比如鎂、銀或者鎂與銀的合金形成。覆蓋層（capping layer）形成於第二電極283上。
封裝層290形成於第二電極283上。封裝層290避免氧氣或水滲透進入有機發光層282與第二電極283內。為此，封裝層290包含至少一個無機層與至少一個有機層。圖5中，圖中表示封裝層290包含第一無機層291、有機層292與第二無機層293，但是並非限制於此。
第一無機層291形成於第二電極283上以覆蓋第二電極283。有機層292形成於第一無機層291上以覆蓋第一無機層291。有機層292形成足夠的厚度，用於避免顆粒經由第一無機層291滲透進入有機發光層282與第二電極283內。第二無機層293形成於有機層292上以覆蓋有機層292。
第一無機層291與第二無機層293的每一個由氮化矽、氮化鋁（aluminum nitride）、氮化鋯（zirconium nitride）、氮化鈦（titanium nitride）、氮化鉿（hafnium nitride）、氮化鉭（tantalum nitride）、氧化矽、氧化鋁、氧化鈦與／或諸如此類形成。有機層292由丙烯酸樹脂、環氧樹脂、酚樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂與／或同類形成。
彩色濾光片321至323與黑色矩陣310形成於面對第一基板111之第二基板112上。紅色濾光片323形成於紅色發射區域中，藍色濾光片322形成於藍色發射區域中，以及綠色濾光片321形成於綠色發射區域中。黑色矩陣（black matrix；BM）310被放置於彩色濾光片321至323之間。如果有機發光層282包含發射紅光的紅色發光層、發射綠光的綠色發光層以及發射藍光的藍色發光層，則可省略彩色濾光片321至323與黑色矩陣310。
第一基板111之封裝層290以及第二基板112之彩色濾光片321至323透過黏合層330彼此黏合，由此，第一基板111與第二基板112彼此接合。黏合層330為透明黏合樹脂。
如上所述，本揭露之實施例中，形成接觸孔CNT以與發射區域EA重疊，以及第二平坦化層270被填充至接觸孔CNT內，用於平坦化接觸孔CNT的階梯高度。因此，本揭露之實施例中，有機發光層形成於第二平坦化層270上以具有均勻的厚度，由此，甚至當形成接觸孔CNT以重疊發射區域EA時，發射區域EA也均勻地輸出光線。
此外，因為有機發光裝置隨著時間的推移而劣化，所以延長有機發光顯示裝置中的有機發光裝置的壽命非常重要。如果有機發光層發射光線的發射區域面積被擴大，有機發光裝置的壽命則延長。本揭露之實施例中，形成接觸孔CNT以重疊發射區域EA，由此，發射區域EA的面積不取決於接觸孔CNT的面積。結果，本揭露之實施例中，發射區域EA的面積被設計為與接觸孔CNT的面積無關，由此，發射區域EA的面積被最大化，從而提高有機發光層的壽命。
另外，本揭露之實施例中，因為發射區域EA的面積被最大化，則非發射區域的面積被最小化。因此，如果本揭露之實施例被應用至頭戴式顯示器，則避免在格子圖案中看到非發射區域。
圖6係為本揭露實施例之有機發光顯示裝置之製造方法之流程圖。圖7A至7G係為沿線I-I'之剖面示意圖，用於描述本揭露實施例之有機發光顯示裝置之製造方法。
圖7A至7G所示的剖面示意圖係關於圖5所示有機發光顯示裝置之製造方法，由此同樣的參考標號表示同樣的元件。以下，將結合圖6以及圖7A至7G詳細描述本揭露實施例之有機發光顯示裝置之製造方法。
首先，如圖7A所示，薄膜電晶體220、鈍化層250與第一平坦化層260形成於第一基板111上。
在形成薄膜電晶體220以前，緩衝層210形成於第一基板111上，用於保護薄膜電晶體220與有機發光裝置280避免水分滲透通過第一基板111。緩衝層210由交替堆疊的複數個無機層形成，用於保護薄膜電晶體220與有機發光裝置280避免水分滲透通過容易被水分滲透的第一基板111。舉個例子，緩衝層210由氧化矽、氮化矽與氮氧化矽之一或多個交替堆疊的多層形成。緩衝層210係透過化學氣相沈積（chemical vapor deposition；CVD）製程形成。
接下來，薄膜電晶體220中包含的主動層221形成於緩衝層210上。詳細地，利用濺射（sputtering）製程、金屬有機化學氣相沈積（metal organic chemical vapor deposition；MOCVD）製程與／或諸如此類，主動金屬層形成於整個緩衝層210上方。接下來，透過遮罩製程利用光阻圖案，透過將主動金屬層圖案化而形成主動層221。主動層221由矽基半導體材料或基於氧化物的半導體材料形成。
接下來，閘極絕緣層230形成於主動層221上。閘極絕緣層230由無機層比如氧化矽、氮化矽或者其多層形成。閘極絕緣層230由化學氣相沈積（CVD）製程形成。
接下來，薄膜電晶體220中包含的閘極222與閘極線形成於閘極絕緣層230上。詳細地，利用濺射製程、金屬有機化學氣相沈積（MOCVD）製程與／或諸如此類，第一金屬層形成於整個閘極絕緣層230上方。接下來，透過遮罩製程利用光阻圖案，透過將第一金屬層圖案化而形成閘極222與閘極線。閘極222與閘極線各自由單層或者多層形成，其中單層或者多層包含鉬(Mo)、鉻(Cr)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、釹(Nd)與銅(Cu)其中之一或者其合金。
接下來，層間絕緣層230形成於閘極222上。層間絕緣層230由無機層例如氧化矽、氮化矽或其多層形成。層間絕緣層230係透過化學氣相沈積（CVD）製程形成。
接下來，形成接觸孔C1，接觸孔C1穿透閘極絕緣層210與層間絕緣層230且暴露主動層221。
接下來，薄膜電晶體220中包含的源極223與汲極224以及資料線可形成於層間絕緣層230上。詳細地，利用濺射製程、金屬有機化學氣相沈積（MOCVD）製程與／或諸如此類，第二金屬層形成於整個層間絕緣層230上方。接下來，透過遮罩製程利用光阻圖案，透過將第二金屬層圖案化而形成源極223、汲極224與資料線。透過穿透閘極絕緣層210與層間絕緣層230且暴露主動層221的接觸孔C1，源極223、汲極224與資料線接觸主動層221。源極223、汲極224與資料線各自由單層或者多層形成，其中單層或者多層包含鉬(Mo)、鉻(Cr)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、釹(Nd)與銅(Cu)其中之一或者其合金。
接下來，鈍化層250形成於薄膜電晶體220之源極223與汲極224上。鈍化層250由無機層例如氧化矽、氮化矽或其多層形成。鈍化層250係透過化學氣相沈積（CVD）製程形成。
接下來，第一平坦化層260形成於鈍化層250上，用於平坦化薄膜電晶體220造成的階梯高度。鈍化層250由無機層比如丙烯酸樹脂、環氧樹脂、酚樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂與／或諸如此類形成（圖6之S101）。
其次，如圖7B所示，形成接觸孔CNT，接觸孔CNT穿透鈍化層250與第一平坦化層260且暴露薄膜電晶體220之源極223或汲極224（圖6之S102）。
第三，如圖7C所示，輔助電極281a形成於第一平坦化層260上。輔助電極281a透過接觸孔CNT連接薄膜電晶體220之源極223或汲極224。
詳細地，利用濺射製程、金屬有機化學氣相沈積（MOCVD）製程與／或諸如此類，第三金屬層形成於整個第一平坦化層260上方。接下來，透過遮罩製程利用光阻圖案，透過將第三金屬層圖案化，形成輔助電極281a。
輔助電極281a由透明的導電材料或者不透明的導電材料形成。透明的導電材料可為比如氧化銦錫（ITO）或氧化銦鋅（IZO）之透明導電材料（或透明的導電氧化物），或者為半透射導電材料比如鎂(Mg)、銀(Ag)或者鎂與銀的合金。不透明的導電材料可為鋁、銀、鉬、鉬與鈦的堆疊結構(Mo/Ti)、銅、鋁與鈦的堆疊結構、鋁與氧化銦錫之堆疊結構(ITO/Al/ITO)、APC合金，或者APC合金與氧化銦錫之堆疊結構(ITO/APC/ITO)。APC合金為銀、鈀(Pd)與銅的合金。（圖6之S103）
第四，如圖7D所示，第二平坦化層270形成於輔助電極281a上。第二平坦化層270被填充至接觸孔CNT內，用於平坦化接觸孔CNT造成的階梯高度。
詳細地，如圖8A所示，有機材料270'被塗佈於第一平坦化層260與輔助電極281a上。有機材料270'可為丙烯酸樹脂、環氧樹脂、酚樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂或同類物。利用狹縫噴塗（slit coating）製程、旋轉噴塗（spin coating）製程、蒸發製程與／或諸如此類，有機材料270'形成於第一平坦化層260與輔助電極281a上。有機材料270'被填充至接觸孔CNT內。
接下來，如圖8B所示，最後，遮罩M被放置於接觸孔CNT上，然後透過光刻製程，在未放置遮罩M的區域中形成有機材料270'上完成顯影製程。結果，形成第二平坦化層270以覆蓋接觸孔CNT。
如上所述，如圖8A與8B所示，透過光刻製程形成第二平坦化層270的情況下，第二平坦化層270被填充至接觸孔CNT內，此外，被形成以覆蓋第一平坦化層260上形成的輔助電極281a的一部分。因此，如圖8A與8B所示，透過光刻製程形成第二平坦化層270的情況下，第二平坦化層270的厚度t2被調整為比第一平坦化層260的厚度t1厚。因此，第二平坦化層270被形成為比接觸孔CNT寬。（圖6之S104）
第五，如圖7E所示，第一電極281b形成於第二平坦化層270上。第一電極281b連接第一平坦化層260上未被第二平坦化層270覆蓋的輔助電極281a。
詳細地，利用濺射製程、金屬有機化學氣相沈積（MOCVD）製程與／或諸如此類，第四金屬層形成於整個第一平坦化層260與第二平坦化層270上方。接下來，透過遮罩製程利用光阻圖案，透過將第四金屬層圖案化而形成第一電極281b。
第一電極281b由透明的導電材料或者不透明的導電材料形成。透明的導電材料可為比如氧化銦錫（ITO）或氧化銦鋅（IZO）之透明導電材料（或TCO），或者半透射導電材料比如鎂(Mg)、銀(Ag)或者鎂與銀的合金。不透明的導電材料可為鋁、銀、鉬、鉬與鈦的堆疊結構(Mo/Ti)、銅、鋁與鈦的堆疊結構、鋁與氧化銦錫之堆疊結構(ITO/Al/ITO)、APC合金，或者APC合金與氧化銦錫之堆疊結構(ITO/APC/ITO)。APC合金可為銀、鈀(Pd)與銅的合金。（圖6之S105）
第六，如圖7F所示，順序地形成護堤284、有機發光層282、第二電極283與封裝層290。
首先，形成護堤284以覆蓋第一電極281b之邊緣，用於定義發射區域EA。護堤284由有機層比如丙烯酸樹脂、環氧樹脂、酚樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂與／或諸如此類形成。
接下來，有機發光層282形成於第一電極281b與護堤284上。有機發光層282可透過沈積製程或溶解製程（solution process）形成。透過沈積製程形成有機發光層282的情況下，可透過蒸發製程形成有機發光層282。
在複數個發射區域EA中共同形成機發光層262的情況下，有機發光層262形成為發射白光的白色發光層。如果有機發光層262為白色發光層，則有機發光層262形成為兩個或多個堆疊之串接結構（tandem structure）。每一堆疊包含電洞傳輸層、至少一個發光層與電子傳輸層。此外，電荷產生層係形成於堆疊之間。電荷產生層包含n-型電荷產生層與p-型電荷產生層。n-型電荷產生層被放置為鄰接下部堆疊。p-型電荷產生層形成於n-型電荷產生層上且放置為鄰接上部堆疊。n-型電荷產生層將電子注入下部堆疊內，以及p-型電荷產生層將電洞注入上部堆疊內。n-型電荷產生層由摻雜鹼金屬（alkali metal）或者鹼土金屬（alkali earth metal）的有機層形成。鹼金屬例如為鋰(Li)、鈉(Na)、鉀(K)或銫（Cs），以及鹼土金屬例如為鎂、鍶(Sr)、鋇(Ba)或鐳(Ra)。p-型電荷產生層透過在能夠傳輸電洞的有機材料上摻雜摻雜劑而形成。
接下來，第二電極283形成於有機發光層282上。第二電極283為共同形成於複數個發射區域EA中的共同層。第二電極283由透明導電材料（或TCO）比如能夠透射光線的氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)、或者半透射導電材料比如鎂、銀或者鎂與銀的合金形成。覆蓋層形成於第二電極283上。
接下來，封裝層290形成於第二電極283上。封裝層290避免氧氣或水滲透進入有機發光層282與第二電極283內。為此，封裝層290包含至少一個無機層與至少一個有機層。
舉個例子，封裝層290包含第一無機層291、有機層292與第二無機層293。這種情況下，形成第一無機層291以覆蓋第二電極283。形成有機層292以覆蓋第一無機層291。有機層292被形成足夠的厚度，以避免顆粒經由第一無機層291滲透進入有機發光層282與第二電極283內。形成第二無機層293以覆蓋有機層292。
第一無機層291與第二無機層293之每一個由氮化矽、氮化鋁、氮化鋯、氮化鈦、氮化鉿、氮化鉭、氧化矽、氧化鋁、氧化鈦與／或諸如此類形成。有機層292由丙烯酸樹脂、環氧樹脂、酚樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂與／或諸如此類形成。（圖6之S106）
第七，如圖7G所示，利用黏合層330透過將第一基板111的封裝層290黏合至第二基板112之彩色濾光片321至323，第一基板111被接合至第二基板112。黏合層330為透明黏合樹脂。（圖6之S107）
圖9係為沿圖4之線I-I'之另一例子之剖面示意圖。
除了形成第二平坦化層270以覆蓋護堤284與第一電極281b之間的第二平坦化層270造成的階梯高度以外，圖9實質上與以上結合圖5描述的內容相同。因此，圖9中，不再重複護堤284以外的元件的詳細描述。
護堤284形成於第一平坦化層260上以覆蓋第一電極281b的邊緣，用於定義發射區域EA。形成護堤284的區域無法發射光線，由此被定義為非發射區域。舉個例子，第一護堤（例如，左側護堤）形成於輔助電極281a的第一重疊部（例如，左端）、第二平坦化層270與發光裝置之第一電極281b上方。另外，第二護堤（例如，右側護堤）形成於輔助電極281a之第二重疊部分（例如，右端）、第二平坦化層270與發光裝置之第一電極281b上方。未被第一護堤與第二護堤覆蓋的輔助電極281a的一部分定義發射區域EA的寬度。就是說，護堤284定義發射區域EA。護堤284的厚度t5被調整為比第二平坦化層270的厚度t6薄。如圖9所示，護堤284的厚度不均勻。另外，如圖9所示，第一重疊部中包含的第二平坦化層270與發光裝置280的第一電極281b以及第二重疊部中包含的第二平坦化層270與發光裝置的第一電極281b依照第一護堤與第二護堤的非均勻厚度所對應的角度傾斜。
可凸起地形成第二平坦化層270。因為第二平坦化層270如圖9所示為凸起形狀，所以第二平坦化層270具有不均勻的厚度。此外，有機發光層282可透過例如在階梯覆蓋特性方面不好的蒸發沈積製程之製程形成，由此，薄薄地形成於第二平坦化層270之傾斜部分中。因此，第一電極281b或者有機發光層282的電荷產生層與第二電極283可在第二平坦化層270之傾斜部中短路。階梯覆蓋表示一定沈積製程所沈積的層在形成階梯高度的部位中連接而未斷開連接。然而，本揭露之實施例中，因為形成護堤284以覆蓋第二平坦化層270之傾斜部，第一電極281b或者有機發光層282的電荷產生層與第二電極283避免在第二平坦化層270的傾斜部中短路。
圖10係為本揭露另一實施例之有機發光顯示裝置之製造方法之流程圖。圖11A至11C係為沿線I-I'之剖面示意圖，用於描述本揭露另一實施例之有機發光顯示裝置之製造方法。
除了圖6之作業S106中護堤284、有機發光層282、第二電極283與封裝層290的形成作業以外，圖10所示的本揭露另一實施例之有機發光顯示裝置之製造方法實施上與以上結合圖6及圖7A至7G描述的內容相同。因此，以下，將結合圖10以及圖11A至11C詳細描述護堤284、有機發光層282、第二電極283與封裝層290之形成作業。圖11A至11C所示的剖面示意圖係關於圖9所示的有機發光顯示裝置之製造方法，由此，相同的參考標號表示同樣的元件。
以下，將結合圖10及圖11A至11C詳細描述作業S201至S203。
首先，如圖11A所示，有機材料284'被塗佈於第一平坦化層260與第一電極281b上。
有機材料284’可為丙烯酸樹脂、環氧樹脂、酚樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂或諸如此類。利用狹縫噴塗製程、旋轉噴塗製程、蒸發製程與／或諸如此類，有機材料284'形成於第一平坦化層260與第一電極281b上。形成有機材料284'以填充第二平坦化層270。（圖10之S201）
接下來，如圖11B所示，無須使用遮罩，利用乾蝕刻有機材料284'而形成護堤284。因為未使用遮罩，所以本揭露降低了製造成本。此外，乾蝕刻材料被選擇為一種蝕刻有機材料284'但是無法蝕刻第一電極281b的材料。
透過乾蝕刻製程形成護堤284的情況下，護堤284被填充至第二平坦化層270內。特別地，被填充至第二平坦化層270內的護堤284可透過乾蝕刻凸起地形成。因此，透過乾蝕刻製程形成護堤284的情況下，護堤284的厚度t5被調整為比第二平坦化層270的厚度t6薄。（圖10之S202）
接下來，如圖11C所示，順序地形成有機發光層282、第二電極283與封裝層290。
接下來，有機發光層282形成於第一電極281b與護堤284上。透過沈積製程或溶解製程形成有機發光層282。透過沈積製程形成有機發光層282的情況下，透過蒸發製程形成有機發光層282。
有機發光層262共同形成於複數個發射區域EA中的情況下，有機發光層262形成為發射白光的白色發光層。如果有機發光層262為白色發光層，則有機發光層262形成為兩個或多個堆疊之串接結構。每一堆疊包含電洞傳輸層、至少一個發光層與電子傳輸層。此外，電荷產生層係形成於堆疊之間。電荷產生層包含n-型電荷產生層與p-型電荷產生層。n-型電荷產生層被放置為鄰接下部堆疊。p-型電荷產生層形成於n-型電荷產生層上且放置為鄰接上部堆疊。n-型電荷產生層將電子注入下部堆疊內，以及p-型電荷產生層將電洞注入上部堆疊內。n-型電荷產生層由摻雜鹼金屬（alkali metal）或者鹼土金屬（alkali earth metal）的有機層形成，鹼金屬例如為鋰(Li)、鈉(Na)、鉀(K)或銫（Cs），鹼土金屬比如為鎂、鍶(Sr)、鋇(Ba)或鐳(Ra)。p-型電荷產生層透過在能夠傳輸電洞的有機材料上摻雜摻雜劑而形成。
接下來，第二電極283形成於有機發光層282上。第二電極283為共同形成於複數個發射區域EA中的共同層。第二電極283由透明導電材料（或TCO）比如能夠透射光線的氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)、或者半透射導電材料比如鎂、銀或者鎂與銀的合金形成。覆蓋層形成於第二電極283上。
接下來，封裝層290形成於第二電極283上。封裝層290避免氧氣或水分滲透進入有機發光層282與第二電極283內。為此，封裝層290包含至少一個無機層與至少一個有機層。
舉個例子，封裝層290包含第一無機層291、有機層292與第二無機層293。這種情況下，形成第一無機層291以覆蓋第二電極283。形成有機層292以覆蓋第一無機層291。有機層292被形成足夠的厚度以避免顆粒經由第一無機層291滲透進入有機發光層282與第二電極283內。形成第二無機層293以覆蓋有機層292。
第一無機層291與第二無機層293之每一個由氮化矽、氮化鋁、氮化鋯、氮化鈦、氮化鉿、氮化鉭、氧化矽、氧化鋁、氧化鈦與／或諸如此類形成。有機層292由丙烯酸樹脂、環氧樹脂、酚樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂與／或諸如此類形成。（圖10之S203）
圖12係為顯示區域中畫素之另一例子之詳細平面示意圖。圖13係為沿圖12之線II-II'之例子之剖面示意圖。
除了第二平坦化層270、輔助電極281a與第一電極281b以外，圖12及13所示的有機發光顯示裝置的畫素P實質上與以上結合圖4及5描述的內容相同。因此，圖12及13中，不再重複第二平坦化層270、輔助電極281a與第一電極281b以外的元件的詳細描述。
輔助電極281a形成於第一平坦化層260上。輔助電極281a透過接觸孔CNT連接薄膜電晶體220之汲極224。圖13中，輔助電極281a表示為接觸薄膜電晶體220之汲極224，但是可連接薄膜電晶體220之源極223。
第二平坦化層270形成於輔助電極281a上。第二平坦化層270被填充於接觸孔CNT內，用於平坦化接觸孔CNT造成的階梯高度。第二平坦化層270被填充至接觸孔CNT內，這樣第二平坦化層270的厚度小於接觸孔CNT的厚度，且第二平坦化層270的厚度小於第一平坦化層260的厚度。第二平坦化層270由有機層比如丙烯酸樹脂、環氧樹脂、酚樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂與／或諸如此類形成。
第二平坦化層270形成為填充接觸孔CNT，用於填充接觸孔CNT的階梯高度。因此，圖13中，圖中表示第二平坦化層270實質上與接觸孔CNT相同，但是本揭露實施例並非限制於此。其他實施例中，第二平坦化層270可形成為比接觸孔CNT的厚度薄。
由於第二平坦化層270的製造製程的特徵的緣故，第二平坦化層270的厚度t7被調整為比第一平坦化層260的厚度t1小。將結合圖15A與15B詳細描述第二平坦化層270的厚度t7被調整為比第一平坦化層260的厚度t1小的理由。
第一電極281b形成於第二平坦化層270上。如圖12所示，第一電極281b形成為比輔助電極281a寬。此外，如圖12所示，輔助電極281a與第一電極281b的每一個形成為比第二平坦化層270寬。因為第二平坦化層270被形成僅僅填充接觸孔CNT，所以輔助電極281a連接第一平坦化層260上的第一電極281b。圖13中，圖中表示第一電極281b與輔助電極281a在接觸孔CNT兩側外部彼此接觸，但是本實施例並非限制於此。其他實施例中，第一電極281b與輔助電極281a在接觸孔CNT至少一側外部彼此連接。
輔助電極281a與第一電極281b可以由相同的材料形成。或者，輔助電極281a與第一電極281b的每一個由一種金屬層或者兩種或更多金屬層形成。
輔助電極281a與第一電極281b的每一個由透明的導電材料或不透明的導電材料形成。透明的導電材料可為比如氧化銦錫（ITO）或氧化銦鋅（IZO）之透明導電材料（或透明的導電氧化物），或者半透射導電材料比如鎂(Mg)、銀(Ag)或者鎂與銀的合金。不透明的導電材料可為鋁、銀、鉬、鉬與鈦的堆疊結構(Mo/Ti)、鋁與鈦的堆疊結構、鋁與氧化銦錫之堆疊結構(ITO/Al/ITO)、APC合金，或者APC合金與氧化銦錫之堆疊結構(ITO/APC/ITO)。APC合金可為銀、鈀與銅的合金。
舉個例子，第一電極281b形成為兩層或更多層的堆疊結構，包含具有像鋁或銀的高反射率的導電材料與透明導電材料，以及輔助電極281a由像鉬、鉬與鈦的堆疊結構(Mo/Ti)、銅、或者鋁與鈦的堆疊結構(Ti/Al/Ti)一樣低電阻的材料形成。此外，為了最大化地加寬反射區域，第一電極281b由透明導電材料形成，以及輔助電極281a由如鋁或銀一樣的高反射率的導電材料形成。
圖14係為本揭露另一實施例之有機發光顯示裝置之製造方法之流程圖。圖15A與15B係為沿線II-II'之剖面示意圖，用於描述本揭露另一實施例之有機發光顯示裝置之製造方法。
除了圖6之作業S104中第二平坦化層270之形成作業以外，圖14所示本揭露另一實施例之有機發光顯示裝置之製造方法實質上與以上結合圖6及圖7A至7G描述之內容相同。因此，以下將結合圖14、15A與15B詳細描述第二平坦化層270之形成作業。圖15A與15B所示的剖面示意圖係關於圖13所示的有機發光顯示裝置之製造方法，由此，相同的參考標號表示同樣元件。
以下結合圖14、15A與15B詳細描述作業S301與S302。
首先，如圖15A所示，有機材料270'被塗佈於第一平坦化層260與輔助電極281a上。有機材料270'可為丙烯酸樹脂、環氧樹脂、酚樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂諸如此類。利用狹縫噴塗製程、旋轉噴塗製程、蒸發製程與／或諸如此類，有機材料270'形成於第一平坦化層260與輔助電極281a上。有機材料270'被填充於接觸孔CNT內。
接下來，如圖15B所示，無須使用遮罩，利用乾蝕刻有機材料270'而形成第二平坦化層270。因為未使用遮罩，所以本揭露降低了製造成本。此外，乾蝕刻材料被選擇為一種蝕刻有機材料270'但是無法蝕刻輔助電極281a之材料
如上所述，透過乾蝕刻製程形成第二平坦化層270的情況下，第二平坦化層270被僅僅填充至接觸孔CNT內。特別地，與第一平坦化層260相比，填充至接觸孔CNT內的第二平坦化層270係透過乾蝕刻凸起地形成。因此，透過乾蝕刻製程形成第二平坦化層270的情況下，第二平坦化層270的厚度t7被調整為小於第一平坦化層260的厚度t1。因此，第二平坦化層270實質上與接觸孔CNT相同，但是可形成為比接觸孔CNT的高度短。
圖16係為沿圖12之線II-II'之另一例子之剖面示意圖。
除了形成輔助電極281a代替第二平坦化層270以填充接觸孔CNT以外，圖16實質上與以上結合圖5描述的內容相同。因此，圖16中，可省略第二平坦化層270。因此，圖16中，不再重複輔助電極281a以外的相關元件的詳細描述。
輔助電極281a形成於第一平坦化層260上。輔助電極281a透過接觸孔CNT連接薄膜電晶體220之汲極224。圖5中，圖中表示輔助電極281a接觸薄膜電晶體220之汲極224，但是可連接薄膜電晶體220之源極223。
輔助電極281a被填充至接觸孔CNT內，用於平坦化接觸孔CNT造成的階梯高度。就是說，形成輔助電極281a以完全填充接觸孔CNT（例如，覆蓋接觸孔CNT），用於填充接觸孔CNT的階梯高度。因此，如圖16所示，輔助電極281a被形成為比接觸孔CNT寬。然而，本揭露之實施例並非限制於此。其他實施例中，輔助電極281a形成為等於或窄於接觸孔CNT。
另外，輔助電極281a形成為比發射區域EA寬。這種情況下，第一電極281b、有機發光層282與第二電極283形成於發射區域EA中的輔助電極281a上，由此有機發光層282在發射區域EA中形成為均勻的厚度，從而發射區域EA輸出均勻的光線。
輔助電極281a由透明的導電材料或不透明的導電材料形成。透明的導電材料可為比如氧化銦錫（ITO）或氧化銦鋅（IZO）之透明導電材料（或透明的導電氧化物），或者半透射導電材料比如鎂(Mg)、銀(Ag)或者鎂與銀的合金。不透明的導電材料可為鋁、銀、鉬、鉬與鈦的堆疊結構(Mo/Ti)、銅、鋁與鈦的堆疊結構、鋁與氧化銦錫之堆疊結構(ITO/Al/ITO)、APC合金，或者APC合金與氧化銦錫之堆疊結構(ITO/APC/ITO)。APC合金可為銀、鈀與銅的合金。
如上所述，本揭露之實施例中，形成接觸孔CNT以重疊發射區域EA，以及輔助電極281a被填充至接觸孔CNT內，用於平坦化接觸孔CNT之階梯高度。因此，本揭露之實施例中，有機發光層282形成於輔助電極281a上以具有均勻的厚度。由此，即使當形成接觸孔CNT以重疊發射區域EA時，發射區域EA也均勻地輸出光線。
另外，因為有機發光裝置隨著時間的推移而劣化，所以延長有機發光顯示裝置中有機發光裝置的壽命非常重要。如果有機發光層發射光線的發射區域面積被擴大，則有機發光裝置的壽命也延長。本揭露之實施例中，形成接觸孔CNT以重疊發射區域EA，由此發射區域EA的面積不取決於接觸孔CNT的面積。結果，本揭露之實施例中，發射區域EA的面積被設計為與接觸孔CNT的面積無關，由此發射區域EA的面積被最大化，從而提高有機發光層的壽命。
另外，本揭露之實施例中，因為發射區域EA的面積被最大化，所以非發射區域的面積被最小化。因此，如果本揭露之實施例被應用至頭戴式顯示器，則避免以格子圖案看到非發射區域。
圖17係為本揭露另一實施例之有機發光顯示裝置之製造方法之流程圖。圖18A至18C係為沿線II-II'之剖面示意圖，用於描述本揭露另一實施例之有機發光顯示裝置之製造方法。
圖17所示之本發明另一實施例之有機發光顯示裝置之製造方法之作業S401、S402、S405與S406實質上與圖6之作業S101、S102、S106與S107相同。因此，不再重複圖17所示之本發明另一實施例之有機發光顯示裝置之製造方法之作業S401、S402、S405與S406之詳細描述。圖18A至18C所示之剖面示意圖係關於圖16所示之有機發光顯示裝置之製造方法，由此，同樣的參考標號表示同樣的元件。
以下結合圖17與圖18A至18C詳細描述作業S403至S404。
首先，如圖18A所示，填充接觸孔CNT的第三金屬層281a'形成於整個第一平坦化層260上方。為了填充接觸孔CNT，透過塗佈且硬化液體狀態的導電層而形成第三金屬層281a'。
接下來，如圖18B所示，第四金屬層281b'形成於整個第三金屬層281a'上方。第四金屬層281b'係透過濺射製程、金屬有機化學氣相沈積製程與／或諸如此類而形成。
接下來，透過遮罩製程利用光阻圖案，透過將第三金屬層281a'與第四金屬層281b'同時圖案化而形成輔助電極281a與第一電極281b。
輔助電極281a與第一電極281b的每一個由透明的導電材料或不透明的導電材料形成。透明的導電材料為比如氧化銦錫（ITO）或氧化銦鋅（IZO）之透明導電材料（或透明的導電氧化物），或者半透射導電材料比如鎂(Mg)、銀(Ag)或者鎂與銀的合金。不透明的導電材料可為鋁、銀、鉬、鉬與鈦的堆疊結構(Mo/Ti)、銅、鋁與鈦的堆疊結構、鋁與氧化銦錫之堆疊結構(ITO/Al/ITO)、APC合金，或者APC合金與氧化銦錫之堆疊結構(ITO/APC/ITO)。APC合金為銀、鈀與銅的合金。
舉個例子，第一電極281b形成為兩層或更多層的堆疊結構，包含具有像鋁或銀的高反射率的導電材料與透明導電材料，以及輔助電極281a由像鉬、鉬與鈦的堆疊結構(Mo/Ti)、銅、或者鋁與鈦的堆疊結構(Ti/Al/Ti)一樣低電阻的材料形成。此外，為了最大化地加寬反射區域，第一電極281b由透明導電材料形成，以及輔助電極281a由如鋁或銀一樣的高反射率的導電材料形成。（圖17之S403與S404）
圖19係為顯示區域中畫素之另一例子之詳細平面示意圖。
除了圖19所示的畫素區域中畫素P被提供為正方形以外，圖19之畫素P實質上與以上結合圖4描述的內容相同。因此，圖19中，省略畫素P之相關元件之詳細描述。
依照本揭露之實施例，畫素P可提供為如圖19所示之正方形，以及這種情況下，與圖4中每一畫素被提供為矩形的情況相比，可沿其他方向（橫向）與一個方向（垂直方向）擴大發射區域EA之面積，由此進一步加寬發射區域EA。因此，本揭露之實施例中，提高了有機發光層之壽命，此外，非發射區域之面積被最小化。
另外，依照本揭露之實施例，畫素P被提供為圖19所示之正方形，這種情況下，第一電極281b連接接觸孔CNT全部側面外部的輔助電極281a。因此，即使當形成輔助電極281a、第一電極281b與接觸孔CNT時出現製程錯誤時，第一電極281b可連接接觸孔CNT至少一個側邊外部的輔助電極281a。
沿圖19之線III-III'之剖面結構實質上與沿圖5之線I-I'之剖面示意圖或者沿圖9之線I-I'之剖面示意圖相同。
圖20係為顯示區域中畫素之另一例子之詳細平面示意圖。
除了圖20所示之顯示區域中的畫素P被提供為正方形以外，圖20之畫素P實質上與以上結合圖12描述的內容相同。因此，在圖20中，省略畫素P之相關元件之詳細描述。
依照本揭露之實施例，圖20中畫素P被提供為正方形，這種情況下，與圖12中每一畫素被提供為矩形的情況相比，沿其他方向（橫向）與一個方向（垂直方向）可擴大發射區域EA之面積，由此進一步加寬發射區域EA。因此，本揭露之實施例中，提高了有機發光層之壽命，此外，非發射區域之面積被最小化。
另外，依照本揭露之實施例，圖20中畫素P被提供為正方形，這種情況下，第一電極281b在接觸孔CNT全部側面的外部連接輔助電極281a。因此，即使當形成輔助電極281a、第一電極281b與接觸孔CNT時出現製程錯誤時，第一電極281b可連接接觸孔CNT至少一個側邊外部的輔助電極281a。
沿圖20之線IV-IV'之剖面結構實質上與沿圖13之線II-II'之剖面示意圖或沿圖16之線II-II'之剖面示意圖相同。
圖21A與21B係為本揭露實施例之頭戴式顯示器之代表性示意圖。
請參考圖21A與21B，本揭露實施例之頭戴式顯示器包含顯示容納殼10、左眼透鏡20a、右眼透鏡20b與可頭戴連接帶30。
顯示容納殼10容納顯示裝置，且將顯示裝置顯示的影像供應至左眼透鏡20a與右眼透鏡20b。顯示裝置可為本發明實施例之有機發光顯示裝置。本發明實施例之有機發光顯示裝置已經結合圖2至20加以詳細描述。
顯示容納殼10被設計為供應相同的影像至左眼透鏡20a與右眼透鏡20b。或者，顯示容納殼10被設計為使得在左眼透鏡20a上顯示左眼影像以及在右眼透鏡20b顯示右眼影像。
如圖22所示，左眼透鏡20a前方放置的左眼有機發光顯示裝置11以及右眼透鏡20b前方放置的右眼有機發光顯示裝置12被容納於顯示容納殼10內。圖22表示從上方看顯示容納殼10時的剖面示意圖。左眼有機發光顯示裝置11顯示左眼影像，以及右眼有機發光顯示裝置12顯示右眼影像。使用者的左眼LE透過左眼透鏡20a看到左眼有機發光顯示裝置11顯示的左眼影像，以及使用者的右眼RE透過右眼透鏡20b看到右眼有機發光顯示裝置12顯示的右眼影像。
另外，圖22中，在左眼透鏡20a與左眼有機發光顯示裝置11之間以及在右眼透鏡20b與右眼有機發光顯示裝置12之間可進一步放置放大透鏡。這種情況下，由於放大透鏡的緣故，左眼有機發光顯示裝置11上顯示的影像與右眼有機發光顯示裝置12上顯示的影像被放大且被使用者看到。
如圖23所示，左眼透鏡20a與右眼透鏡20b前方放置的鏡面反射器13以及鏡面反射器13上放置的有機發光顯示裝置14被容納於顯示容納殼10中。圖23表示從側面查看顯示容納殼10時之剖面示意圖。有機發光顯示裝置14在朝向鏡面反射器13的方向顯示影像，以及鏡面反射器13朝左眼透鏡20a與右眼透鏡20b的方向將有機發光顯示裝置14顯示的影像全部反射。因此，有機發光顯示裝置14顯示的影像被供應至左眼透鏡20a與右眼透鏡20b。圖23中，為了便於描述，圖中僅僅表示使用者的左眼透鏡20a與左眼LE。如圖23所示，使用鏡面反射器13的情況下，可薄薄地提供顯示容納殼10。
另外，圖22中，在左眼透鏡20a與鏡面反射器13之間以及在右眼透鏡20b與鏡面反射器13之間可進一步放置放大透鏡。這種情況下，由於放大透鏡的緣故，左眼有機發光顯示裝置11上顯示的影像與右眼有機發光顯示裝置12上顯示的影像被放大且被使用者看到。
可頭戴連接帶30被固定至顯示容納殼10。可頭戴連接帶30被代表性地表示被提供以圍繞使用者的頂部與兩側，但是並非限制於此。可頭戴連接帶30可固定頭戴式顯示器至使用者的頭部，以及被實施為眼鏡型或頭盔型。
習知技術之頭戴式顯示器中，正好在使用者的眼睛的前方看到有機發光顯示裝置顯示的影像，因為在這個原因，如圖1所示，以格子圖案看到非發射區域。然而，本揭露之實施例中，形成接觸孔CNT以重疊發射區域EA，以及第二平坦化層270被填充於接觸孔CNT內，用於平坦化接觸孔CNT之階梯高度。因此，本揭露之實施例中，有機發光層形成於第二平坦化層270上以具有均勻的厚度，由此，即使當形成接觸孔CNT以重疊發射區域EA時，發射區域EA也均勻地輸出光線。因此，本揭露之實施例中，因為發射區域EA的面積被最大化，所以非發射區域的面積被最小化。因此，如果本揭露之實施例被應用至頭戴式顯示器，則如圖24所示避免以格子圖案看到非發射區域。
如上所述，依照本揭露之實施例，形成接觸孔以重疊發射區域，以及第二平坦化層被填充於接觸孔內，從而平坦化接觸孔的階梯高度。因此，依照本揭露之實施例，有機發光層形成於第二平坦化層上以具有均勻的厚度，由此即使當形成接觸孔以重疊發射區域時，發射區域也可均勻地輸出光線。
另外，依照本揭露之實施例，因為形成接觸孔以重疊發射區域，則發射區域的面積不取決於接觸孔的面積。結果，依照本揭露之實施例，發射區域的面積被設計為與接觸孔的面積無關，由此，發射區域的面積被最大化，從而提高有機發光層的壽命。
另外，依照本揭露之實施例，因為發射區域的面積被最大化，所以非發射區域的面積被最小化。因此，本揭露之實施例被應用至頭戴式顯示器的情況下，避免以格子圖案看到非發射區域。
另外，依照本揭露之實施例，形成護堤以覆蓋第二平坦化層的傾斜部。因此，依照本揭露之實施例，在第二平坦化層的傾斜部中薄薄地形成有機發光層，從而避免第一電極或有機發光層之電荷產生層與第二電極之間出現短路。
另外，依照本揭露之實施例，每一畫素被提供為正方形，這種情況下，與每一畫素被提供為矩形的情況相比，在其他方向（橫向）與一個方向（垂直方向）可擴大發射區域之面積，由此進一步加寬發射區域。因此，本揭露之實施例中，提高了有機發光層之壽命，此外，非發射區域之面積被最小化。本揭露消除頭戴式顯示器所顯示的影像的格子圖案。
雖然本發明以前述之實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。在不脫離本發明之精神和範圍內，所為之更動與潤飾，均屬本發明之專利保護範圍。關於本發明所界定之保護範圍請參考所附之申請專利範圍。
100‧‧‧有機發光顯示裝置
110‧‧‧顯示面板
DA‧‧‧顯示區域
NDA‧‧‧非顯示區域
P‧‧‧畫素
111‧‧‧第一基板
112‧‧‧第二基板
120‧‧‧閘極驅動器
130‧‧‧源極驅動器積體電路
140‧‧‧撓性膜
150‧‧‧電路板
160‧‧‧時序控制器
EA‧‧‧發射區域
CNT‧‧‧接觸孔
C1‧‧‧接觸孔
210‧‧‧緩衝層
220‧‧‧薄膜電晶體
221‧‧‧主動層
222‧‧‧閘極
223‧‧‧源極
224‧‧‧汲極
230‧‧‧閘極絕緣層
240‧‧‧層間絕緣層
250‧‧‧鈍化層
260‧‧‧第一平坦化層
270‧‧‧第二平坦化層
270'‧‧‧有機材料
280‧‧‧有機發光裝置
281a‧‧‧輔助電極
281a'‧‧‧第三金屬層
281b‧‧‧第一電極
281b'‧‧‧第四金屬層
282‧‧‧有機發光層
283‧‧‧第二電極
284‧‧‧護堤
284'‧‧‧有機材料
290‧‧‧封裝層
291‧‧‧第一無機層
292‧‧‧有機層
293‧‧‧第二無機層
310‧‧‧黑色矩陣
321、322、323‧‧‧彩色濾光片
330‧‧‧黏合層
t1‧‧‧厚度
t2‧‧‧厚度
t3‧‧‧第三厚度
t4‧‧‧距離
t5‧‧‧厚度
t6‧‧‧厚度
t7‧‧‧厚度
M‧‧‧遮罩
10‧‧‧顯示容納殼
11‧‧‧左眼有機發光顯示裝置
12‧‧‧右眼有機發光顯示裝置
13‧‧‧鏡面反射器
14‧‧‧有機發光顯示裝置
20a‧‧‧左眼透鏡
20b‧‧‧右眼透鏡
30‧‧‧可頭戴連接帶
LE‧‧‧左眼
RE‧‧‧右眼
圖1係為習知技術之頭戴式顯示器所顯示的影像的格子圖案之代表性示意圖。 圖2係為本揭露實施例之有機發光顯示裝置之透視圖。 圖3係為本揭露實施例之圖2之第一基板、閘極驅動器、源極驅動積體電路、撓性膜、電路板與時序控制器之平面示意圖。 圖4係為本揭露實施例之顯示區域中畫素之例子之詳細平面示意圖。 圖5係為本揭露實施例之沿圖4之線I-I'之例子之剖面示意圖。 圖6係為本揭露實施例之有機發光顯示裝置之製造方法之流程圖。 圖7A至7G係為沿線I-I'之剖面示意圖，用於描述本揭露實施例之有機發光顯示裝置之製造方法。 圖8A與8B係為沿線I-I'之剖面示意圖，表示本揭露實施例之圖6之步驟S105之詳細作業。 圖9係為本揭露實施例之沿圖4之線I-I'之另一例子之剖面示意圖。 圖10係為本揭露另一實施例之有機發光顯示裝置之製造方法之流程圖。 圖11A至11C係為沿線I-I'之剖面示意圖，用於描述本揭露另一實施例之有機發光顯示裝置之製造方法。 圖12係為本揭露實施例之顯示區域中畫素之另一例子之詳細平面示意圖。 圖13係為沿圖12之線II-II'之例子之剖面示意圖。 圖14係為本揭露另一實施例之有機發光顯示裝置之製造方法之流程圖。 圖15A與15B係為沿線II-II'之剖面示意圖，用於描述本揭露另一實施例之有機發光顯示裝置之製造方法。 圖16係為沿圖12之線II-II'之另一例子之剖面示意圖。 圖17係為本揭露另一實施例之有機發光顯示裝置之製造方法之流程圖。 圖18A至18C係為沿線II-II'之剖面示意圖，用於描述本揭露另一實施例之有機發光顯示裝置之製造方法。 圖19係為本揭露一個實施例之顯示區域中畫素之另一例子之詳細平面示意圖。 圖20係為本揭露一個實施例之顯示區域中畫素之另一例子之詳細平面示意圖。 圖21A與21B係為本揭露實施例之頭戴式顯示器之代表性示意圖。 圖22係為本揭露一個實施例之圖21A與21B之顯示容納殼之例子之代表性示意圖。 圖23係為本揭露一個實施例之圖21A與21B之顯示容納殼之例子之代表性示意圖。 圖24係為本揭露實施例之頭戴式顯示器所顯示的影像的格子圖案之代表性示意圖。
270‧‧‧第二平坦化層
281a‧‧‧輔助電極
281b‧‧‧第一電極
P‧‧‧畫素
EA‧‧‧發射區域
CNT‧‧‧接觸孔

Claims (20)

  1. 一種顯示裝置，包含：一基板，包含發射光線之一發射區域以及不發射光線之一非發射區域；一電晶體，位於該基板上方；一發光裝置，位於該電晶體上方，該發光裝置包含一第一電極、該第一電極上的一發光層以及該發光層上的一第二電極；該基板之該發射區域中的一接觸孔，該接觸孔位於該電晶體與該發光裝置之間；以及該接觸孔中的一輔助電極，該輔助電極將該發光裝置之該第一電極與該電晶體電連接在一起。
  2. 如請求項1所述之顯示裝置，更包含︰該電晶體上方之一第一平坦化層，該第一平坦化層位於該電晶體與該發光裝置之間，以及該接觸孔被放置於該第一平坦化層中且暴露該電晶體之一電極之一部分，其中該輔助電極位於該第一平坦化層上且部分地填充該接觸孔之一部分。
  3. 如請求項2所述之顯示裝置，更包含︰該輔助電極上的一第二平坦化層，該第二平坦化層填充該接觸孔之一剩餘部分，其中該發光裝置之該第一電極位於該第二平坦化層上且接觸該第二平坦化層。
  4. 如請求項3所述之顯示裝置，其中該第二平坦化層之一寬度比該接觸孔之一寬度寬，以及其中該第二平坦化層之該寬度比該基板之該發射區域寬。
  5. 如請求項3所述之顯示裝置，其中該第二平坦化層之一寬度等於或者窄於該接觸孔之一寬度。
  6. 如請求項3所述之顯示裝置，其中該第二平坦化層之厚度不均勻。
  7. 如請求項3所述之顯示裝置，其中該第二平坦化層之一部分之厚度比該第一平坦化層之厚度厚。
  8. 如請求項2所述之顯示裝置，其中該輔助電極直接地連接該發光裝置之該第一電極與該電晶體之該電極。
  9. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該接觸孔之一寬度比該基板之該發射區域窄。
  10. 如請求項4所述之顯示裝置，其中該發光裝置之該第一電極之一寬度比該輔助電極之一寬度寬。
  11. 如請求項3所述之顯示裝置，其中凸起地形成該第二平坦層之一部分。
  12. 如請求項3所述之顯示裝置，更包含︰一第一護堤，位於該輔助電極之一第一重疊部、該第二平坦化層與該發光裝置之該第一電極上方；以及一第二護堤，位於該輔助電極之一第二重疊部上方、該第二平坦化層與該發光裝置之該第一電極上，其中未被該第一護堤與該第二護堤覆蓋的該輔助電極之一部分定義該發射區域之一寬度。
  13. 如請求項12所述之顯示裝置，其中該第一重疊部中包含的該第二平坦化層與該發光裝置之該第一電極以及該第二重疊部中包含的該第二平坦化層與該發光裝置之該第一電極依照一角度傾斜。
  14. 如請求項12所述之顯示裝置，其中該第一護堤之一厚度與該第二護堤之一厚度均勻，以及其中該第一護堤之該厚度與該第二護堤之該厚度比該第一平坦化層與該發光裝置之該發光層之間的一距離厚。
  15. 如請求項12所述之顯示裝置，其中該第一護堤之一厚度與該第二護堤之一厚度不均勻，以及其中該第一護堤之該厚度與該第二護堤之該厚度比該第二平坦化層之一最厚部分薄。
  16. 如請求項15所述之顯示裝置，其中與該第一護堤及該第二護堤重疊的該發光裝置之部分依照與該第一護堤及該第二護堤之不均勻厚度所對應的角度傾斜。
  17. 如請求項3所述之顯示裝置，其中填充該接觸孔中的該第二平坦化層的一厚度小於該接觸孔之一厚度，以及該第二平坦化層的該厚度小於該第一平坦化層之一厚度。
  18. 如請求項2所述之顯示裝置，其中該輔助電極之一部分完全填充於該接觸孔之一厚度中。
  19. 一種顯示裝置之製造方法，包含︰形成一基板，該基板包含發射光線之一發射區域與不發射光線之一非發射區域；於該基板上形成一電晶體；於該電晶體上方形成一發光裝置，該發光裝置形成為包含一第一電極、該第一電極上的一發光層與該發光層上的一第二電極；於該基板之該發射區域中形成一接觸孔，該接觸孔形成於該電晶體與該發光裝置之間；以及於該接觸孔中形成一輔助電極，該輔助電極將該發光裝置之該第一電極與該電晶體電連接在一起。
  20. 一種顯示裝置，包含︰一基板，包含發射光線之一發射區域與不發射光線之一非發射區域；該基板上方之一電晶體，該電晶體包含一第一電極、一第二電極與一閘極；一平坦化層，位於該電晶體上；一接觸孔，位於該平坦化層之一部分中，該接觸孔位於該基板之該發射區域中，該接觸孔暴露該電晶體之該第一電極之一部分；該平坦化層上方的一輔助電極，該輔助電極填充該接觸孔之至少一部分且該輔助電極接觸該電晶體之該第一電極之該暴露部分；以及該輔助電極上的一發光裝置，該發光裝置之該第一電極經由該輔助電極電連接該電晶體之該第一電極。
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