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TW201800732A - 光波導之檢查方法及使用該方法之光波導之製法 - Google Patents

光波導之檢查方法及使用該方法之光波導之製法 Download PDF

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TW201800732A
TW201800732A TW105140611A TW105140611A TW201800732A TW 201800732 A TW201800732 A TW 201800732A TW 105140611 A TW105140611 A TW 105140611A TW 105140611 A TW105140611 A TW 105140611A TW 201800732 A TW201800732 A TW 201800732A
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TW
Taiwan
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light
optical waveguide
core material
light reflecting
reflecting surface
Prior art date
Application number
TW105140611A
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English (en)
Inventor
小澤博紀
辻田雄一
有馬明
Original Assignee
日東電工股份有限公司
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Publication date
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Abstract

本發明係提供一種光波導之檢查方法，其可簡便地檢查形成於光波導芯材之光反射面的彎曲程度(平面形成度)，並提供一種使用了該檢查方法之光波導的製法。本發明之光波導的檢查方法，是令來自光源的光從光波導之芯材第2端部之連接面入射，並於第1端部之光反射面反射，然後從光波導出射，並以具備攝像元件之相機對該出射光攝像。並且藉由求得所拍攝影像的輝度來測定出射光的輝度。可判定該輝度的測定値越大，光反射面之彎曲程度也就越小。茲此，上述輝度之測定値較標準値更大者，光反射面近乎平面，而可作為上述檢查的合格品。

Description

光波導之檢查方法及使用該方法之光波導之製法
本發明係有關於一種使用在光通訊、光資訊處理及其他一般光學領域中的光波導之檢查方法及使用該方法之光波導之製法。
最近之電子機器等伴隨著傳送資訊量之增加而除了電性配線之外亦採用光配線。舉例而言，作為此類物件已提出一種光電混合基板，其係如圖7所示，積層了具電性配線52之電路基板E與具芯材(光配線)57之光波導W，並在對應於光波導W兩端部的上述電路基板E之部分安裝了發光元件11及受光元件12(例如參照專利文獻1)。該光電混合基板中，上述電路基板E是在絕緣層51表面上形成電性配線52而成者。又，上述光波導W是以第1包覆層56與第2包覆層58挾持芯材(光配線)57而成。而且，上述光波導W之第1包覆層56係與上述電路基板E之絕緣層51的內面(與電性配線52形成面相反側之面)接觸。又，上述光波導W中對應於上述發光元件11及上述受光元件12的兩端部係形成傾斜面，其相對於上述芯材57之縱向(光傳播方向)呈45°傾斜，而芯材57位於該傾斜面的部分就成為光反射面57a、57b。再者，在上述絕緣層51對應於上述發光元件11及上述受光元件12的部分形成有光路用的貫通孔55，通過該貫通孔55，光L可傳播於上述發光元件11與第1端部(圖7中為左端部)之光反射面57a之間、及上述受光元件12與第2端部(圖7中為右端部)之光反射面57b之間。
上述光電混合基板中光L的傳播是以下述方式進行。首先，光L從發光元件11朝第1端部之光反射面57a發光。該光L在通過形成於上述絕緣層51之光路用貫通孔55後，穿透第1包覆層56，在芯材57之第1端部的光反射面57a反射(光路改變90°)，沿縱向行經芯材57內。然後傳播通過該芯材57內的光L，在芯材57之第2端部的光反射面57b反射(光路改變90°)，朝受光元件12前進。接著，該光L穿透第1包覆層56而出射，通過上述形成於絕緣層51之光路用貫通孔55後，於受光元件12受光。
上述光電混合基板中，重要的是在芯材57第2端部之光反射面57b所反射的光L要能適切恰好地在受光元件12受光。因此，過去已提出一種方法，其檢查上述光反射面57b的傾斜角度，並僅以具備適當傾斜角度之光反射面57b者作為合格品(例如參考專利文獻2、3)。 先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本特開2009-288341號公報 專利文獻2：日本特開平7-234118號公報 專利文獻3：日本特開2014-199229號公報
發明欲解決之課題 然而，上述光反射面57b之傾斜角度即便恰當，仍依個體而有受光元件12受光量低的狀況。茲此，本發明人等探究其原因的結果，了解到受光元件12受光量低者，在上述芯材57兩端部的光反射面57a、57b係呈彎曲而平面形成度較低。因此可知，在光反射面57a、57b反射的光L會散射，並未依設計方向反射，而到達受光元件12之受光部的光L量變低。亦即，本發明人等深入查明，不僅是光反射面57a、57b之傾斜角度而已，彎曲程度(平面形成度)亦與光傳播極為相關。
可藉由以雷射光掃瞄上述光反射面57a、57b獲得該光反射面57a、57b的影像並解析該影像，來檢查上述光反射面57a、57b的彎曲程度。但該檢查並不簡便。以往未曾提出可簡便檢查上述光反射面57a、57b彎曲程度的方法。
本發明乃有鑑於所述情事而作成者，其係提供一種可簡便地檢查形成於光波導芯材之光反射面彎曲程度(平面形成度)的光波導之檢查方法，並提供一種使用了該檢查方法之光波導的製法。 用以解決課題之手段
為了達成上述目的，本發明作為第1要旨的是一種光波導之檢查方法，其具有下述步驟：準備光波導之步驟，該光波導具有光路用的線狀芯材，並於該芯材之第1端部形成有光路變換用光反射面；以及測定步驟，令光從上述芯材之第2端部入射至該芯材內，該光在上述光反射面反射後，從上述光波導出射，然後測定該已出射之出射光的輝度；並且，前述檢查方法係根據上述輝度之測定値來檢查上述光反射面的彎曲程度。
又，本發明作為第2要旨的是一種光波導之製法，其具有下述步驟：形成芯材之步驟、將該芯材之第1端部形成為光反射面的步驟、以及利用上述光波導之檢查方法檢查該光反射面之彎曲程度的步驟；並且，該製法係根據該檢查結果以符合標準的光波導作為合格品。
本發明人等為能簡便地檢查形成在光波導芯材之光反射面的彎曲程度，而對於在上述光反射面反射後從上述光波導出射的出射光反覆進行研究。結果查明了上述光反射面之彎曲程度與上述出射光的輝度大小具有關聯性。即，上述光反射面之彎曲程度越大(平面形成度越低)，在該光反射面反射的光發散程度就會越大，因此來自上述光波導之出射光的輝度就會變低。反之，上述光反射面之彎曲程度越小(光反射面越接近平面)，在該光反射面反射的光發散程度就變得越小，因此來自上述光波導之出射光的輝度就會變高。茲此，本發明人等發現，若測定來自上述光波導之出射光的輝度大小，就能根據輝度的測定値而簡便地檢查上述光反射面的彎曲程度。 發明效果
本發明之光波導的檢查方法，係以形成於光波導芯材之光反射面將光反射後，從上述光波導出射，然後測定該出射光的輝度。而且，由於上述光反射面之彎曲程度(平面形成度)與上述出射光的輝度大小具關聯性，因此若測定來自上述光波導之出射光的輝度，則根據該輝度的測定値，就能簡便地檢查上述光反射面的彎曲程度(平面形成度)。
尤其，基於上述輝度測定値所進行的光反射面彎曲檢查中，在預先設定輝度的標準値並比較該標準値與上述輝度之測定値的情況下，上述輝度之測定値較上述標準値更大或更小的判定相當容易，故可更為簡便地進行上述光反射面之彎曲程度的檢查。
再者，於上述輝度之測定步驟中，若使用具備攝像元件之相機而在使該相機的焦點對準上述光反射面之一部分的狀態(亦稱聚焦狀態)下，利用上述攝像元件將來自上述光波導的出射光進行攝像並求得所拍攝影像的輝度，藉此進行上述輝度的測定，則在此情形時，上述攝像元件所拍攝的來自上述光波導之出射光影像會很鮮明，且該影像的面積會變小。
又，於上述輝度之測定步驟中，若使用具備攝像元件之相機而在使該相機的焦點偏離上述光反射面的狀態(亦稱失焦狀態)下，利用上述攝像元件將來自上述光波導的出射光進行攝像，並求得所拍攝影像的輝度，藉此進行上述輝度的測定，則在此情形時，上述攝像元件所拍攝的來自上述光波導之出射光影像會很模糊，且該影像的面積會變大。因此，於彎曲程度大之光反射面所反射的上述出射光，在上述失焦狀態下測得之輝度測定値與上述輝度標準値的差值會較在上述聚焦狀態下測得者更大。因此，容易確認光反射面之彎曲程度甚大。
於是，本發明之光波導之製法係於將芯材之第1端部形成為光反射面後，利用上述光波導之檢查方法來檢查該光反射面之彎曲程度，故可將光反射面彎曲程度大者排除，而僅將符合標準之合格品作成商品出貨。結果可提升光波導品質的可靠度。
接著依據圖式詳細地說明本發明之實施形態。
圖1表示具有光波導之光電混合基板之一實施形態的縱剖面圖，該光波導可作為本發明之光波導檢查方法的檢查對象。該實施形態中，光電混合基板A、B係如圖1所示般與光纖F兩端部連接使用，並以該等光電混合基板A、B與光纖F形成光電混合模組。該光電混合模組各端部的光電混合基板A、B具有：連接於上述光纖F之端部的光波導W1，積層於該光波導W1的電路基板E1，安裝於上述電路基板E1之對應於上述光波導W1第1端部之部分的光元件11、12。該等光元件11、12中，配備於光電混合模組第1端部(圖1中的左端部)之光電混合基板A的是發光元件11，而配備於光電混合模組第2端部(圖1中的右端部)之光電混合基板B的是受光元件12。而且，在該實施形態中，在上述電路基板E1與上述光波導W1之間，在對應於安裝上述發光元件11及上述受光元件12之安裝用墊片2a的部分設置補強用的金屬層M1。
若更詳細說明，上述電路基板E1是在具透光性之絕緣層1的表面上形成了具有電性配線本體2與上述安裝用墊片2a的電性配線並以覆蓋層3被覆該電性配線本體2而成者。
上述光波導W1是以第1包覆層6與第2包覆層8挾持光路用線狀芯材7而成者。而且，對應於上述發光元件11及上述受光元件12的光波導W1第1端部係形成傾斜面，其相對於芯材7之縱向呈45°傾斜，而芯材7位於該傾斜面的部分就成為光反射面7a、7b。即，在光電混合模組之第1端部(圖1中的左端部)的光電混合基板A中，上述光反射面7a係反射光L而使發光元件11與芯材7之間的光傳播成為可能；在光電混合模組之第2端部(圖1中的右端部)的光電混合基板B中，上述光反射面7b係反射光L而使受光元件12與芯材7之間的光傳播成為可能。又，上述光波導W1第2端部(與光反射面7a、7b相反側的端部)係形成一直角面，其相對於芯材7的縱向而呈直角，芯材7位於該直角面的部分就成為連接面7c，其連接上述光纖F芯材9的端面。
上述金屬層M1係配置於上述電路基板E1的絕緣層1與上述光波導W1的第1包覆層6之間。而且，上述金屬層M1中對應於上述發光元件11與上述光反射面7a之間的部分、及上述金屬層M1中對應於上述受光元件12與上述光反射面7b之間的部分，係形成光路用的貫通孔5。
在上述光電混合模組中的光傳播係以如下方式進行。即，首先，在光電混合模組之第1端部(圖1中的左端部)的光電混合基板A中，光L從上述發光元件11發光部11a向芯材7第1端部之光反射面7a發光。該光L依序通過上述絕緣層1、已形成於上述金屬層M1之光路用貫通孔5、及上述第1包覆層6，然後入射至芯材7內。接著，該光L在上述芯材7第1端部的光反射面7a反射，光路改變90°，經過該芯材7內傳播至第2端部之連接面7c後，從該連接面7c出射。接著，該光L從上述光纖F之芯材9的第1端部(圖1中的左端部)入射到該光纖F的芯材9內，經過該光纖F之芯材9內傳播至第2端部(圖1中的右端部)後，從該第2端部出射。接著，於光電混合模組之第2端部(圖1中的右端部)的光電混合基板B中，該光L從芯材7第2端部之連接面7c入射至該芯材7。接著，該光L傳播至上述芯材7第1端部之光反射面7b，於該光反射面7b反射，光路改變90°，朝向受光元件12傳播。接著，該光L離開芯材7，依序通過上述第1包覆層6、已形成於上述金屬層M1之光路用貫通孔5、及上述絕緣層1後，於受光元件12之受光部12a受光。
在此，上述芯材7的折射率為大於1的値，上述光反射面7a、7b的外側為空氣而該空氣的折射率為1。如此一來，由於上述芯材7的折射率大於其外側空氣的折射率，故光L未穿透上述光反射面7a、7b而是於光反射面7a、7b反射。
如此，就光電混合模組之第1端部(圖1中的左端部)的光電混合基板A而言，重要的是在芯材7第1端部之光反射面7a所反射的光L能在不從芯材7外洩下適恰地經由芯材7內傳播至第2端部之連接面7c。又，就光電混合模組之第2端部(圖1中的右端部)的光電混合基板B而言，重要的是在芯材7第1端部之光反射面7b所反射的光L是適恰地在受光元件12之受光部12a受光。要是上述光反射面7a、7b呈彎曲而平面形成度低，則在該光反射面7a、7b反射的光L就不會依所設計的方向反射。因此，於光電混合模組之第1端部(圖1中的左端部)的光電混合基板A中，在光反射面7a反射的光L就會從芯材7外洩；而於光電混合模組之第2端部(圖1中的右端部)的光電混合基板B中，在光反射面7b反射的光L就不會在受光元件12受光部12a適恰地受光。在此等情形時，上述光電混合基板A、B因無法發揮其機能而遭廢棄。上述光電混合基板A、B一旦廢棄，可正常運作的上述發光元件11及受光元件12亦遭廢棄，故損失甚高。
茲此，本實施形態係如下述說明般，於上述光電混合基板A、B的製作步驟中，在進行上述發光元件11及受光元件12的安裝前，先檢查上述光波導W1之光反射面7a、7b的彎曲程度(平面形成度)。
即，具有上述檢查步驟的光電混合基板A、B之製作方式係如下述般進行。
〔光電混合基板A、B之電路基板E1的形成〕 首先，準備用於形成上述金屬層M1的金屬片材Ma〔參考圖2(a)〕。該金屬片材Ma之形成材料可舉例如不銹鋼、42合金等，其中從尺寸精度等觀點來看是以不銹鋼為佳。上述金屬片材Ma(金屬層M1)的厚度係設定在例如10~100μm之範圍內。
接著，如圖2(a)所示，在上述金屬片材Ma的表面塗佈感光性絕緣樹脂，利用光刻法形成預定圖案的絕緣層1。該絕緣層1的形成材料可舉例如聚醯亞胺、聚醚腈、聚醚碸、聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚氯化乙烯等合成樹脂，聚矽氧系溶膠凝膠材料等。上述絕緣層1之厚度係設定在例如10~100µm之範圍內。
接著如圖2(b)所示，利用諸如部分加成法(semi-additive method)、減去法等形成上述電性配線(電性配線本體2及安裝用墊片2a)。
接著如圖2(c)所示，在上述電性配線本體2的部分塗佈由聚醯亞胺樹脂等構成之感光性絕緣樹脂，利用光刻法形成覆蓋層3。如此進行而在上述金屬片材Ma的表面形成電路基板E1。
〔光電混合基板A、B之金屬層M1的形成〕 然後如圖2(d)所示，藉由對上述金屬片材Ma施以蝕刻處理等，移除該金屬片材Ma縱向之先端部(第2端部)側部分S，同時在該金屬片材Ma形成光路用貫通孔5。如此進行而將上述金屬片材Ma形成為金屬層M1。
〔光電混合基板A、B之光波導W1的形成〕 而後，為了在上述電路基板E1與上述金屬層M1之積層體的內面形成光波導W1(參考圖4)，首先如圖3(a)所示，在上述積層體的內面(圖中的下面)塗佈作為第1包覆層6形成材料的感光性樹脂。然後，利用放射線將該塗佈層曝光硬化，形成第1包覆層6。該第1包覆層6係形成為將上述金屬片材Ma〔參考圖2(d)〕之移除部分(縱向之第2端部側部分S)及形成於上述金屬層M1之光路用貫通孔5填埋的狀態。上述第1包覆層6之厚度(從金屬層M1內面起算的厚度)係設定在例如5~80μm之範圍內。而且，形成光波導W1時(形成上述第1包覆層6、下述芯材7及下述第2包覆層8時)，上述積層體之內面朝上。
接著如圖3(b)所示，在上述第1包覆層6的表面(圖中為下面)利用光刻法形成預定圖案之芯材7。該芯材7之第2端部係形成為垂直於該芯材7之縱向的面，而成為連接上述光纖F之芯材9(參考圖1)端面的連接面7c。又，上述芯材7之尺寸係設定成諸如寬度在5~200μm之範圍內、厚度在5~200μm之範圍內。上述芯材7之形成材料可舉例如和上述第1包覆層6相同的感光性樹脂，並使用折射率較上述第1包覆層6及下述第2包覆層8〔參考圖3(c)〕之形成材料更大的材料。
接著如圖3(c)所示，以披覆上述芯材7的方式，於上述第1包覆層6表面(圖中為下面)利用光刻法形成第2包覆層8。該第2包覆層8的厚度(從第1包覆層6表面起算的厚度)係大於上述芯材7的厚度，設定成諸如500μm以下。上述第2包覆層8之形成材料可舉例如和上述第1包覆層6相同的感光性樹脂。
之後如圖3(d)所示，利用例如準分子雷射加工等，將對應於上述電路基板E1安裝用墊片2a的(圖中係位於下方)芯材7之部分(第1端部)與上述第1包覆層6及上述第2包覆層8一同形成傾斜面，其對芯材7之縱向呈45°傾斜。上述芯材7位於該等傾斜面的部分係成為光反射面7a、7b。
〈光波導W1之形成步驟中光反射面7a、7b彎曲程度的檢查〉 繼而以下述方式，檢查已形成於上述芯材7第1端部的光反射面7a、7b之彎曲程度(平面形成度)。該檢查方法為本發明之第1特徵。
即，檢查上述光反射面7a、7b之彎曲程度的方法係如圖4所示，首先準備光源10，其為可發出均一光線之LED(發光二極體)等，並準備相機20，其具有CCD(電荷耦合元件)影像感測器、CMOS(互補金屬氧化物半導體)影像感測器等攝像元件。然後將上述光源10設置在芯材7第2端部的連接面7c側，將上述相機20設置在電路基板E1中對應於芯材7第1端部光反射面7a、7b的部分之上方。接著令光L1從該光源10朝芯材7第2端部之連接面7c發光。
藉此，上述光L1係從上述芯材7第2端部之連接面7c入射至芯材7，在第1端部之光反射面7a、7b反射而光路改變90°，朝上述相機20傳播。接著，該光L1離開芯材7，依序通過上述第1包覆層6、已形成於上述金屬層M1之光路用貫通孔5、及上述絕緣層1後，朝上述相機20出射。
接著，利用上述相機20之攝像元件對該出射光L1攝像。並且藉由求得其所拍攝影像的輝度來測定上述出射光L1的輝度。在出射光L1攝像(測定輝度)時，可將上述相機20的焦點對準上述芯材7第1端部之光反射面7a、7b的一部分(例如光反射面7b的上緣)，亦可自該光反射面7a、7b偏往上述相機20之方向，亦可偏往其相反側(自光反射面7a、7b偏往相機20相反側的方向)。
於是可依據上述輝度的測定値來檢查上述光反射面7a、7b的彎曲程度。即，上述輝度的測定値越大，在上述光反射面7a、7b反射的光L1發散程度就越小，而可判定上述光反射面7a、7b的彎曲程度也就越小。於是，上述輝度的測定値較預設標準値更大者，其上述光反射面7a、7b更接近於平面而適於實用，可作為上述檢查的合格品。
例如，上述攝像元件為CCD影像感測器時，一旦上述出射光L1於該CCD影像感測器攝像，該CCD影像感測器的受光像素就對上述出射光L1受光，而於每個受光像素測定輝度値。並且就該輝度値設定預定的閾値(例如，500)，計算測得該閾値以上之輝度値的受光像素數。將該數作為面積積算値，該面積積算値越大，可判定上述光反射面7a、7b之彎曲程度就越小。此外，上述輝度値的閾値係例如設定在10~2000之範圍內，並宜設定在100~1000之範圍內，更宜設定在300~700之範圍內。
如此進行而通過檢查上述光反射面7a、7b之彎曲程度的步驟，形成光波導W1。像這樣在光波導W1之形成步驟中設置一檢查上述光反射面7a、7b之彎曲程度的步驟，並以該光反射面7a、7b彎曲程度適供實用的光波導W1作為合格品，即本發明之第2特徵。
〔光電混合基板A、B之發光元件11及受光元件12的安裝〕 而後，就作為上述檢查之合格品的光波導W1，於積層在該光波導上之電路基板E1的安裝用墊片2a處安裝發光元件11或受光元件12(參考圖1)。如此進行而獲得具有發光元件11的光電混合基板A、與具有受光元件12的光電混合基板B。
而後，於光纖F芯材9之第1端部連接具發光元件11之光電混合基板A的芯材7之連接面7c，並於該光纖F芯材9之第2端部連接具受光元件12之光電混合基板B的芯材7之連接面7c，從而獲得圖1所示之光電混合模組。
如此在光波導W1之形成步驟中，由於具有檢查上述光反射面7a、7b之彎曲程度的步驟，而得以不將發光元件11及受光元件12安裝在積層於光波導W1不合格品的電路基板E1上，即光反射面7a、7b彎曲程度大者。藉此能夠避免發光元件11及受光元件12被安裝在積層於光波導W1不合格品的電路基板E1上而讓功能正常之發光元件11及受光元件12遭廢棄。
圖5表示具有光波導之光電混合基板之另一實施形態的縱剖面圖，該光波導可作為本發明之光波導檢查方法的檢查對象。就本實施形態的光電混合基板而言，於圖1所示之上述實施形態中，光電混合模組之兩端部的光電混合基板A、B係形成為不透過光纖F而直接連接的形態。此外，於圖5中，符號E2為電路基板、符號M2為金屬層、符號W2為光波導。除此以外的部分係與圖1所示之上述實施形態相同，並於相同部分附上相同符號。
於是，利用與上述實施形態相同的步驟，形成電路基板E2、金屬層M2及光波導W2。而在本實施形態中也可以和上述實施形態相同方式進行，檢查上述光波導W2之兩端部的光反射面7a、7b彎曲程度。
即，其中一側之上述光反射面7b彎曲程度的檢查方法係如圖6所示，首先在位於發光元件11之安裝側之電路基板E2中對應於芯材7第1光反射面7a的部分之上方設置LED等光源10，同時在電路基板E2中對應於該芯材7第2光反射面7b的部分之上方設置相機20。接著，令光L1從光源10朝芯材7之第1光反射面7a發光。
藉此，上述光L1係於上述第1光反射面7a反射並傳播經過芯材7內後，於上述第2光反射面7b反，往上述相機20出射。接著，以上述相機20對該出射光L1攝像，藉此測定上述出射光L1的輝度。而後，與先前所述方法相同地進行，計算測得閾値以上之輝度値的受光像素數。將該數作為面積積算値，根據該面積積算値，檢查上述第2光反射面7b的彎曲程度。
又，以相同方式，將圖6中上述光波導W2左右方向調換並進行測定，藉此檢查另一方向之上述第1光反射面7a的彎曲程度。
其後，僅針對積層於上述檢查合格之光波導W2上的電路基板E2安裝發光元件11及受光元件12(參考圖5)，獲得圖5所示之光電混合基板。
此外，上述各實施形態中，雖是對於在電路基板E1、E2上形成有電性配線(電性配線本體2及安裝用墊片2a)的態樣檢查了光反射面7a、7b的彎曲程度，但對於未形成有上述電性配線的態樣，亦可以相同方式檢查光反射面7a、7b的彎曲程度。
接著就實施例予以說明。惟，本發明不侷限於實施例。 實施例
準備Synergy Optosystems公司製的OCT-001，以作為測定輝度之裝置。入射芯材之光線的光源，使用所發射之光波長為850nm、均勻光照射面直徑4mm、且NA(開口數)為0.57者。將光波導出來的出射光攝像的相機，其CCD影像感測器係使用倍率為5倍、視野範圍為1.28mm×0.96mm、且NA(開口數)為0.42者。
準備15個光波導試樣，其於芯材之第2端部形成光入射面(連接面)、並於芯材之第1端部形成光反射面(參考圖1)。該芯材的尺寸係作成剖面為50μm×50μm的長方形、長度為3mm且相鄰芯材與芯材間之距離為250μm。並且，上述光源所發射的光線，在從上述芯材第2端部之光入射面入射到該芯材內、並在第1端部之光反射面反射後，係從上述光波導出射。
實施例1 將上述相機之焦點對準各試樣之光反射面的上端緣，並在該狀態(聚焦狀態)下，以上述相機對經1條芯材而來之上述出射光進行攝像。然後，將CCD影像感測器各受光像素所測定之輝度値的閾値設定在500，計算測得該閾値以上之輝度値的受光像素數。從以上述相機進行攝像起一直到計算受光像素數為止是為1次，重覆進行4次並將其合計值為面積積算値，示於下表1中。
實施例2 維持上述實施例1中上述相機的焦點距離不變，將上述相機往遠離各試樣之光反射面的方向移動160μm。即，上述相機的焦點是在較各試樣之光反射面上端緣更靠近160μm相機20側的位置。在該狀態(失焦狀態)下，以上述相機對上述已出射的出射光進行攝像。然後以和上述實施例1相同方式計算面積積算値，並示於下表1。
〔光反射面之彎曲的評價(基於面積積算値的評價)〕 準備作為比較基準的標準品。在上述實施例1的標準品之面積積算値為4364。以該面積積算値為標準値，將該標準値約低10%之値4000作為閾値。然後針對各試樣，上述面積積算値在該閾値4000以上者評價為「○：光反射面之彎曲程度小」，上述面積積算値低於上述閾値4000者評價為「×：光反射面之彎曲程度大」，並分別示於下表1。又，在上述實施例2中的標準品之面積積算値為12251。以該面積積算値為標準値，將該標準値約低10%之値11000作為閾値。然後針對各試樣，上述面積積算値在該閾値11000以上者評價為「○：光反射面之彎曲程度小」，上述面積積算値低於上述閾値11000者評價為「×：光反射面之彎曲程度大」，並分別示於下表1。
〔光反射面之曲率半徑的測定及基於掃瞄影像的評價〕 使用基恩斯公司製VKX-250，以雷射光掃瞄上述光波導之各試樣的光反射面，獲得該光反射面的影像並解析該影像，藉此鑑定上述光反射面實際的曲率半徑。然後將該曲率半徑在200μm以上者評價為「○：光反射面之彎曲程度小」，上述曲率半徑低於200μm者評價為「×：光反射面之彎曲程度大」，並分別示於下表1。
【表1】
Figure TW201800732AD00001
如上表1，以實施例1、2之檢查方法檢查的光反射面之彎曲程度，和利用雷射光掃瞄實際取得之光反射面的影像所獲評價一致。即可知，以實施例1、2之簡便的檢查方法可檢查光反射面的彎曲程度。
又，於光波導之形成步驟中納入上述實施例1、2之檢查方法。結果可簡易地檢查光反射面彎曲程度的大小。
在上述實施例係就本發明之具體形態予以顯示，惟上述實施例僅為單純例示，非供作為限定性的解釋。對於業界人士顯而易見的各式變化均意屬本發明之範圍內。 產業上的可利用性
本發明之光波導的檢查方法及使用了該方法之光波導的製法，可運用在要簡便地檢查形成於光波導芯材之光反射面彎曲程度之情形時。
A、B‧‧‧光電混合基板
F‧‧‧光纖
E1、E2‧‧‧電路基板
L1‧‧‧光
M1、M2‧‧‧金屬層
W1、W2‧‧‧光波導
1、51‧‧‧絕緣層
2‧‧‧電性配線本體
2a‧‧‧安裝用墊片
3‧‧‧覆蓋層
5、55‧‧‧貫通孔
6、56‧‧‧第1包覆層
7、57‧‧‧芯材、光配線
7a、7b、57a、57b‧‧‧光反射面
7c‧‧‧連接面
8、58‧‧‧第2包覆層
9‧‧‧芯材
10‧‧‧光源
11‧‧‧發光元件
11a‧‧‧發光部
12‧‧‧受光元件
12a‧‧‧受光部
20‧‧‧相機
52‧‧‧電性配線
圖1為示意性表示具有光波導之光電混合基板之一實施形態的縱剖面圖，該光波導可作為本發明之光波導檢查方法的檢查對象。 圖2(a)~(c)為示意性表示上述光電混合基板之電路基板形成步驟的說明圖，圖2(d)為示意性表示上述光電混合基板之金屬層形成步驟的說明圖。 圖3(a)~(d)為示意性表示上述光電混合基板之光波導形成步驟的說明圖。 圖4為示意性表示上述光波導之檢查方法之一實施形態的說明圖。 圖5為示意性表示具有光波導之光電混合基板之另一實施形態的縱剖面圖，該光波導可作為本發明之光波導檢查方法的檢查對象。 圖6為示意性表示上述光波導之檢查方法之另一實施形態的說明圖。 圖7為示意性表示習知光電混合基板的縱剖面圖。
E1‧‧‧電路基板
L1‧‧‧光
M1‧‧‧金屬層
W1‧‧‧光波導
1‧‧‧絕緣層
2‧‧‧電性配線本體
2a‧‧‧安裝用墊片
3‧‧‧覆蓋層
5‧‧‧貫通孔
6‧‧‧第1包覆層
7‧‧‧芯材
7a、7b‧‧‧光反射面
7c‧‧‧連接面
8‧‧‧第2包覆層
10‧‧‧光源
20‧‧‧相機

Claims (5)

  1. 一種光波導之檢查方法，特徵在於具有下述步驟：準備光波導之步驟，該光波導具有光路用的線狀芯材，並於該芯材之第1端部形成有光路變換用光反射面；以及測定步驟，令光從上述芯材之第2端部入射至該芯材內，該光在上述光反射面反射後，從上述光波導出射，然後測定該已出射之出射光的輝度；並且，前述檢查方法係根據上述輝度之測定値來檢查上述光反射面的彎曲程度。
  2. 如請求項1之光波導之檢查方法，其中在根據上述輝度之測定値所進行的光反射面彎曲檢查上，是預先設定輝度之標準値，並比較該標準値與上述輝度之測定値，來檢查上述光反射面的彎曲程度。
  3. 如請求項1或2之光波導之檢查方法，其於上述輝度之測定步驟中，係藉由下述方式來進行上述輝度的測定：使用具備攝像元件之相機，在使該相機的焦點對準上述光反射面之一部分的狀態下，利用上述攝像元件將來自上述光波導的出射光進行攝像並求得所拍攝影像的輝度。
  4. 如請求項1或2之光波導之檢查方法，其於上述輝度之測定步驟中，係藉由下述方式來進行上述輝度的測定：使用具備攝像元件之相機，在使該相機的焦點偏離上述光反射面的狀態下，利用上述攝像元件將來自上述光波導的出射光進行攝像並求得所拍攝影像的輝度。
  5. 一種光波導之製法，特徵在於具有下述步驟：形成芯材之步驟、將該芯材之第1端部形成為光反射面的步驟、以及利用如請求項1至4中任一項之光波導之檢查方法檢查該光反射面之彎曲程度的步驟，並且，該製法係根據該檢查之結果以符合標準的光波導作為合格品。
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