TW201809858A - 用於微影程序之判定護膜補償校正之方法、度量衡裝置及電腦程式 - Google Patents

Abstract

本發明揭示一種判定一護膜補償校正之方法，該護膜補償校正補償由一護膜安裝至一圖案化器件上引起的該圖案化器件之一失真。該方法包含自與未安裝該護膜的該圖案化器件相關聯之一第一形狀及與安裝有該護膜的該圖案化器件相關聯之一第二形狀判定一護膜誘發之失真，該護膜誘發之失真描述歸因於該護膜被安裝的該圖案化器件之該失真。接著使用該經判定護膜誘發之失真來計算該護膜補償校正，以用於使用該圖案化器件之一微影曝光步驟。

Description

用於微影程序之判定護膜補償校正之方法、度量衡裝置及電腦程式

本發明係關於可用於(例如)藉由微影技術進行器件製造時之方法。

微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)之機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在彼情況下，圖案化器件(其被替代地稱作光罩或倍縮光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上之電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上來進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次地圖案化之鄰近目標部分之網路。已知微影裝置包括：所謂的步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來輻照每一目標部分；及所謂的掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由輻射光束而掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來輻照每一目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上而將圖案自圖案化器件轉印至基板。 任何微影程序(特別是用於半導體器件之製造的微影程序)之關鍵效能參數為所謂的疊對。疊對為經施加圖案中之特徵可直接地定位於在較早步驟中施加至同一基板之合作特徵頂部上的準確度(或誤差)。現代微影程序可應用許多量測、模型化及校正步驟以消除特徵定位時之誤差源，以達成僅幾奈米之疊對。隨著微影裝置之效能改良，由(例如)夾持應力、下垂及在曝光期間之倍縮光罩加熱造成的倍縮光罩變形正變成針對疊對改良之限制因素。 對場內疊對之重要貢獻為倍縮光罩寫入誤差(RWE)。此為倍縮光罩上之特徵之寫入(例如，定位)時的誤差之量度。當使倍縮光罩成像時，此等誤差將造成基板上之經曝光結構之對應位置誤差。為了減輕此誤差，可離線地量測RWE且計算適當校正且在基板定位及/或曝光期間將該等校正前饋至微影裝置。 關於使微影裝置之效能成像之另一問題為倍縮光罩之污染。倍縮光罩上之污染物可成像至基板上，從而引起成像誤差及隨之而來的對良率之負面影響。為了防止此情形，可將隔膜或護膜用作橫越倍縮光罩之實體障壁以防止污染物下降於倍縮光罩上。此護膜及(因此)該護膜上之任何污染物將定位成過於離焦而不能成像於基板上。護膜可包含在框架上方伸展之薄透明膜，該框架在倍縮光罩之一側上方附接(例如，膠合)。因此，護膜之附接可引起倍縮光罩形狀失真。原則上可使用前述量測RWE之方法來量測此等失真。然而，護膜框架之存在歸因於遮蔽效應而不允許直接量測接近於該護膜框架之特徵位置。因而，離線量測將不包含接近於護膜框架之光學量測。

將需要減輕由護膜造成之倍縮光罩失真之效應。 在一第一態樣中，本發明描述一種判定一護膜補償校正之方法，該護膜補償校正補償由一護膜安裝至一圖案化器件上引起的該圖案化器件之一失真，該方法包含： 自與未安裝該護膜的該圖案化器件相關聯之一第一高度剖面及與安裝有該護膜的該圖案化器件相關聯之一第二高度剖面來判定一護膜誘發之失真，該護膜誘發之失真描述歸因於該護膜被安裝的該圖案化器件之該失真；及 使用該經判定護膜誘發之失真來計算該護膜補償校正，以用於使用該圖案化器件之一微影曝光步驟。 本發明進一步提供一種度量衡裝置，其可操作以執行第一態樣之方法。 本發明進一步提供一種製造器件之方法，其中使用一微影曝光程序將一器件圖案施加至一系列基板，該方法包括：使用第一態樣之方法來判定護膜補償校正，及使用該等護膜補償校正來控制該微影曝光程序。 本發明又進一步提供一種包含機器可讀指令之電腦程式產品，該等機器可讀指令用於致使一處理器執行第一態樣之方法。 下文參考隨附圖式來詳細地描述本發明之另外態樣、特徵及優點，以及本發明之各種實施例之結構及操作。應注意，本發明不限於本文中所描述之特定實施例。本文中僅出於說明性目的來呈現此等實施例。基於本文中含有之教示，額外實施例對於熟習相關技術者將顯而易見。

在詳細地描述本發明之實施例之前，有指導性的是呈現可供實施本發明之實施例之實例環境。 圖1示意性地描繪微影裝置LA。該裝置包括：照明系統(照明器) IL，其經組態以調節輻射光束B (例如，UV輻射或DUV輻射)，圖案化器件支撐件或支撐結構(例如，光罩台) MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如，倍縮光罩或光罩) MA，且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該圖案化器件之第一定位器PM；兩個基板台(例如，晶圓台) WTa及WTb，其各自經建構以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓) W，且各自連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該基板之第二定位器PW；及投影系統(例如，折射投影透鏡系統) PS，其經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C (例如，包括一或多個晶粒)上。參考框架RF連接各種組件，且充當用於設定及量測圖案化器件及基板之位置以及圖案化器件及基板上之特徵之位置的參考。 照明系統可包括用於導向、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。 圖案化器件支撐件以取決於圖案化器件之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如，圖案化器件是否被固持於真空環境中)之方式來固持圖案化器件。圖案化器件支撐件可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術以固持圖案化器件。圖案化器件支撐件MT可為(例如)框架或台，其可視需要而固定或可移動。圖案化器件支撐件可確保圖案化器件(例如)相對於投影系統處於所要位置。 本文中所使用之術語「圖案化器件」應被廣泛地解譯為係指可用以在輻射光束之截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中產生圖案的任何器件。應注意，舉例而言，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂的輔助特徵，則該圖案可不確切地對應於基板之目標部分中之所要圖案。通常，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中所產生之器件(諸如，積體電路)中之特定功能層。 如此處所描繪，裝置屬於透射類型(例如，使用透射圖案化器件)。替代地，該裝置可屬於反射類型(例如，使用如上文所提及之類型的可程式化鏡面陣列，或使用反射光罩)。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列及可程式化LCD面板。可認為本文中對術語「倍縮光罩」或「光罩」之任何使用皆與更一般之術語「圖案化器件」同義。術語「圖案化器件」亦可被解譯為係指以數位形式儲存用於控制此可程式化圖案化器件之圖案資訊的器件。 本文中所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解譯為涵蓋適於所使用之曝光輻射或適於諸如浸潤液體之使用或真空之使用之其他因素的任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統，或其任何組合。可認為本文中對術語「投影透鏡」之任何使用皆與更一般之術語「投影系統」同義。 微影裝置亦可屬於如下類型：其中基板之至少一部分可由具有相對高折射率之液體(例如，水)覆蓋，以便填充投影系統與基板之間的空間。亦可將浸潤液體施加至微影裝置中之其他空間，例如，光罩與投影系統之間的空間。浸潤技術在此項技術中被熟知用於增加投影系統之數值孔徑。 在操作中，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當源為準分子雷射時，源及微影裝置可為分離實體。在此等狀況下，不認為源形成微影裝置之部分，且輻射光束係憑藉包括(例如)合適導向鏡面及/或光束擴展器之光束遞送系統BD而自源SO傳遞至照明器IL。在其他狀況下，舉例而言，當源為水銀燈時，源可為微影裝置之整體部分。源SO及照明器IL連同光束遞送系統BD在需要時可被稱作輻射系統。 照明器IL可(例如)包括用於調整輻射光束之角強度分佈之調整器AD、積光器IN及聚光器CO。照明器可用以調節輻射光束，以在其截面中具有所要均一性及強度分佈。 輻射光束B入射於被固持於圖案化器件支撐件MT上之圖案化器件MA上，且係由該圖案化器件而圖案化。在已橫穿圖案化器件(例如，光罩) MA的情況下，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器IF (例如，干涉量測器件、線性編碼器、2-D編碼器或電容性感測器)，可準確地移動基板台WTa或WTb，(例如)以便使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。相似地，第一定位器PM及另一位置感測器(其未在圖1中明確地描繪)可用以(例如)在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化器件(例如，光罩) MA。 可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件(例如，光罩) MA及基板W。儘管所說明之基板對準標記佔據專用目標部分，但該等標記可位於目標部分之間的空間中(此等標記被稱為切割道對準標記)。相似地，在多於一個晶粒提供於圖案化器件(例如，光罩) MA上之情形中，光罩對準標記可位於該等晶粒之間。小對準標記亦可在器件特徵當中包括於晶粒內，在此狀況下，需要使該等標記儘可能地小且相比於鄰近特徵無需任何不同成像或程序條件。下文進一步描述偵測對準標記之對準系統。 可在多種模式中使用所描繪裝置。在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描圖案化器件支撐件(例如，光罩台) MT及基板台WT (亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於圖案化器件支撐件(例如，光罩台) MT之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大大小限制單次動態曝光中之目標部分之寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分之高度(在掃描方向上)。如在此項技術中為吾人所熟知，其他類型之微影裝置及操作模式係可能的。舉例而言，步進模式係已知的。在所謂的「無光罩」微影中，使可程式化圖案化器件保持靜止，但具有改變之圖案，且移動或掃描基板台WT。 亦可使用對上文所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同之使用模式。 微影裝置LA屬於所謂的雙載物台類型，其具有兩個基板台WTa、WTb以及兩個站-曝光站EXP及量測站MEA-在該兩個站之間可交換該等基板台。在曝光站處曝光一個台上之一基板的同時，可在量測站處將另一基板裝載至另一基板台上且進行各種預備步驟。此情形實現裝置之產出率之相當大增加。該等預備步驟可包括使用位準感測器LS來映射基板之表面高度輪廓，及使用對準感測器AS來量測基板上之對準標記之位置。若位置感測器IF在基板台處於量測站以及處於曝光站時不能夠量測該基板台之位置，則可提供第二位置感測器以使能夠在兩個站處追蹤基板台相對於參考框架RF之位置。代替所展示之雙載物台配置，其他配置係已知及可用的。舉例而言，已知提供基板台及量測台之其他微影裝置。此等基板台及量測台在執行預備量測時銜接在一起，且接著在基板台經歷曝光時不銜接。 圖案化器件(下文中被稱作倍縮光罩)通常包含由寫入至透明基板上之圖案化結構組成之圖案，圖案化結構係由不透明材料(例如，鉻)形成。重要的是，使圖案化結構在倍縮光罩寫入程序期間準確地定位至倍縮光罩基板上，此係因為位置誤差貢獻於在曝光期間之基板上之疊對誤差。離線倍縮光罩度量衡器件或位置度量衡工具(諸如，離線光罩對齊量測工具)可用以對倍縮光罩執行對齊量測。倍縮光罩對齊包含判定倍縮光罩上之圖案化結構之相對位置，藉此驗證倍縮光罩上之結構置放效能。此倍縮光罩對齊之結果可用以監視倍縮光罩寫入程序且限定倍縮光罩。 亦有可能使用此離線對齊量測工具或其他位置度量衡工具來特性化倍縮光罩寫入誤差(RWE)指紋，且使用此資訊來判定校正且在使用倍縮光罩進行之基板曝光期間將該等校正前饋至微影裝置。RWE指紋可描述倍縮光罩上之影像場中之失真(線性及(可能)高階)(例如，結構位置誤差)。以此方式，可判定校正此等失真的線性及高階結構位置誤差(例如，RWE)校正兩者。在離線量測下，可執行倍縮光罩之緻密量測。可針對每一倍縮光罩進行此量測。舉例而言，在van Haren等人之「Higher order feed-forward control of reticle writing error fingerprints」(Proc. of SPIE第9635 963507-1卷)中描述此概念。 為了準確地量測所有倍縮光罩特徵，應在無護膜的情況下執行倍縮光罩對齊量測，而在具有護膜的情況下執行實際曝光以防止倍縮光罩上之污染物影響曝光。理想地，亦將在護膜處於適當位置的情況下量測倍縮光罩對齊量測。此情形係不可能的(至少針對理想緻密量測)，此係因為護膜框架投射陰影，陰影防止在框架附近的資料點之量測，因此量測限於並不過於接近倍縮光罩邊緣之資料點。然而，倍縮光罩邊緣為對準標記及倍縮光罩形狀校正(RSC)標記通常位於之位置。對準標記係用於將倍縮光罩載物台對準至基板載物台，且RSC標記係用於量測倍縮光罩不平坦度以用於判定在曝光期間之聚焦校正。另外，倍縮光罩邊緣為護膜誘發之失真被預期為最高的位置。因此，將高度損害基於僅遠離倍縮光罩邊緣之資料點之量測之RWE校正。 圖2示意性說明以上描述之問題。圖2(a)展示由倍縮光罩度量衡器件量測的倍縮光罩200，該倍縮光罩度量衡器件係由倍縮光罩度量衡器件之投影光學件之最終透鏡210表示。應注意，倍縮光罩在此圖解中被展示為完美地平坦，以有助於說明護膜誘發之失真之效應。當然，實際上將並非此情形。 圖2(b)示意性地說明被量測之倍縮光罩200，該倍縮光罩安裝有固持護膜230之護膜框架220。護膜框架220安裝至倍縮光罩200會引起倍縮光罩200相對於在未安裝護膜框架220之情況下的倍縮光罩200之形狀之(進一步)失真。在圖解中誇示此效應，點線展示在護膜框架220安裝之前的倍縮光罩形狀(亦即，圖2(a)中之倍縮光罩之形狀)以供參考。亦值得注意的是由護膜框架220投射之「陰影」240 (無法由倍縮光罩度量衡器件量測之倍縮光罩之區域)。需要使護膜框架220足夠高以在使用倍縮光罩之曝光期間在曝光投影系統之焦距外固持護膜230 (且因此固持其上之任何污染物)。由於此情形，護膜框架220將在投影光學件之最終透鏡210處於護膜框架220附近時阻擋照明錐體250之一部分。使照明錐體250中之一些由護膜框架220阻擋之倍縮光罩之區域界定陰影240，在該陰影中無法量測倍縮光罩200。 圖2(c)示意性地說明陰影240之效應之結果。其展示倍縮光罩200之平面圖(為了清楚起見而不展示護膜230及護膜框架220)。倍縮光罩200包含供由倍縮光罩度量衡裝置量測之複數個度量衡標記260。亦在每一隅角中展示對準標記270，該等對準標記經提供以由曝光裝置上之對準感測器量測而作為對準程序之部分。度量衡標記260中之一些(特別是倍縮光罩周邊處之彼等度量衡標記)可為經提供以由對準感測器量測(代替由倍縮光罩度量衡器件量測或除了由倍縮光罩度量衡器件量測以外)而作為倍縮光罩形狀校正程序之部分的RSC標記。展示加陰影區域240，此表示由護膜框架220投射之陰影。如可看到，數個度量衡標記260(其將包括任何RSC標記(若存在))及對準標記270係在陰影240內，且因此在護膜框架220被附接時無法由倍縮光罩度量衡工具(諸如，光罩對齊量測工具)量測。 因此，設想使用離線倍縮光罩高度剖面(例如，構形)量測以校正護膜誘發之疊對誤差。此概念類似於基於基板高度剖面(基板高度圖)之量測的前饋微影校正。該方法包含在安裝護膜之前量測倍縮光罩高度剖面(例如，對倍縮光罩執行高度圖量測)及在安裝護膜之後再次量測倍縮光罩高度剖面(例如，對倍縮光罩執行高度圖量測)。根據此等量測，可(例如)自在安裝護膜的情況下及未安裝護膜之情況下的量測之差判定由安裝護膜引起的失真(倍縮光罩高度剖面之改變)。可模型化及(接著)前饋護膜誘發之失真之效應以改良結構位置誤差(倍縮光罩寫入誤差)校正。因而，可模型化由護膜誘發之失真引起的對寫入於倍縮光罩上之圖案化結構之位置的效應及/或對基板上之經曝光結構之位置的效應(及(因此)對疊對之效應)。 圖3為根據例示性實施例之此方法之步驟的流程圖。該等步驟如下，且接著此後進行更詳細地描述： 300-倍縮光罩。 310-護膜框架。 320-護膜。 330-在無護膜的情況下量測倍縮光罩高度剖面(第一量測)。 340-在具有護膜的情況下量測倍縮光罩高度剖面(第二量測)。 350-判定護膜誘發之失真。 360-模型化護膜誘發之失真之效應。 370-判定護膜誘發之疊對誤差。 380-將誤差前饋至微影裝置(曝光工具)。 在步驟330處，使用度量衡工具來量測倍縮光罩300 (未安裝護膜)之高度剖面。在步驟340處，使用度量衡工具來量測倍縮光罩300 (其中護膜320經由護膜框架310被安裝)之高度剖面。度量衡工具可包含用於量測遍及倍縮光罩區域之倍縮光罩高度剖面(例如，倍縮光罩高度或不平坦度)之工具。此工具可量測倍縮光罩上之對準標記及/或RSC標記或相似標記之位置。在一實施例中，此工具可包含能夠量測倍縮光罩之高度剖面(不平坦度)之倍縮光罩度量衡工具；例如，倍縮光罩位準感測器。倍縮光罩位準感測器可用以在複數個點處掃描倍縮光罩之表面以便建構該倍縮光罩之三維映像。此倍縮光罩位準感測器可被稱為聚焦誤差偵測/校正系統之部分。 用於步驟330及340中之倍縮光罩度量衡工具可屬於能夠遍及整個倍縮光罩(包括護膜框架附近)量測倍縮光罩高度剖面之類型。在一實施例中，此倍縮光罩度量衡工具可包含可操作以執行倍縮光罩之與附接至護膜之側相對的側之高度剖面量測的倍縮光罩度量衡工具。舉例而言，在護膜安裝至倍縮光罩之前側的情況下，高度剖面量測可針對倍縮光罩之背側(此倍縮光罩度量衡工具可在反射中操作，其中度量衡對齊工具可在透射中操作)。對倍縮光罩之背側之量測相對於前側之量測的任何額外貢獻將被預期針對量測步驟330、340兩者(例如，在護膜安裝之前及之後)係相同的，且因此在步驟350處將被消除(例如，藉由獲得第一量測與第二量測之差)，從而僅留下護膜誘發之失真。 在步驟350處，自步驟330及340之倍縮光罩高度剖面量測(例如，藉由該等量測之差)判定護膜誘發之失真。在步驟360處，使用模型以模型化護膜誘發之失真之效應。此模型可包含經驗模型或較進階計算模型(例如，基於有限元素方法)。較進階計算模型原則上能夠考量倍縮光罩與倍縮光罩載物台之間的複雜相互作用。在步驟370處，判定預期護膜誘發之疊對誤差，且在步驟380處，將此等預期護膜誘發之疊對誤差作為曝光校正前饋至微影裝置。 步驟360及370中所描述之疊對誤差之模型化及判定可類似於由不同曝光步驟(例如不同層之曝光)之間的基板失真之改變引起的疊對誤差之模型化及判定。因而，模型化步驟可使用相似於當模型化基板失真改變時所使用之模型的模型。然而，該模型經調適用於模型化倍縮光罩失真。與倍縮光罩形成對比，經失真基板被平坦地拉動於夾盤上。歸因於頂部膜應力，基板之中性表面(其中不存在應力及應變)並不與中間表面重合。因此，在基板被平坦地拉動於夾盤上之後繼續存在一些失真。此情形之結果為：用於下文所描述之模型之模型因數為d/2，其中基板模型可使用為d/6之因數。 圖4展示倍縮光罩之護膜誘發之失真的細節。截面中展示具有厚度d的倍縮光罩400之部分，其處於存在失真而引起高度變化(在z方向上)之部位。在圓圈410內，放大地展示基板。倍縮光罩變形引起倍縮光罩平面(x/y)平面之局域旋轉，該局域旋轉可自倍縮光罩表面之梯度導出。在一實施例中，線性模型可用以模型化護膜誘發之失真對倍縮光罩圖案化結構之位置或經曝光結構之位置(及(因此)對疊對)之效應。產品特徵(圖案化結構)形成於倍縮光罩之底部表面上(例如，以鉻形成)。藉由旋轉之此底部表面之位移係與倍縮光罩厚度d成比例。對基板上之疊對之影響將取決於(乘以)微影裝置之投影光學件之放大率。在一特定實施例中，此放大率為0.25 (亦即，投影光學件強加4倍縮減率或縮小率)且因此，疊對影響在基板位階處比在倍縮光罩位階處小4倍。 參看圖4，歸因於護膜安裝的倍縮光罩上在x方向上之位置誤差(RWE)OVr_x 可藉由以下方程式判定：其中α為在部位x處之(經失真)倍縮光罩平面之角度。 因此，歸因於護膜安裝的基板上之位置誤差及(因此)疊對貢獻將為：其中m為投影光學件之放大率。 更一般而言，歸因於護膜安裝的基板遍及基板平面之位置誤差將為：以此方式，可計算由護膜安裝至倍縮光罩引起的寫入於倍縮光罩上之產品特徵之位置移位(RWE)及/或曝光於基板上之產品特徵之位置移位(疊對誤差)，且可將其作為曝光校正前饋，該等曝光校正補償此護膜誘發之位置移位。在一特定實例中，可計算由安裝護膜引起的寫入於倍縮光罩上之產品結構之位置移位，且使用該位置移位以校正在護膜不處於適當位置的情況下所執行之倍縮光罩上之結構之位置量測。此方法可視情況包含(例如)使用倍縮光罩對齊工具來執行倍縮光罩上之圖案化結構之初始位置量測。 本文中所揭示之概念使得能夠簡化製造工廠中之控制策略。可自回饋控制迴路獲得隱含的疊對貢獻且將其作為前饋校正發送至曝光工具。所揭示概念原則上改良基於離線倍縮光罩對齊量測的前饋校正之準確度。 在以下經編號實施例中揭示本發明之另外實施例： 1. 一種判定一護膜補償校正之方法，該護膜補償校正補償由一護膜安裝至一圖案化器件上引起的該圖案化器件之一失真，該方法包含： 自與未安裝該護膜的該圖案化器件相關聯之一第一形狀及與安裝有該護膜的該圖案化器件相關聯之一第二形狀來判定一護膜誘發之失真，該護膜誘發之失真描述歸因於該護膜被安裝的該圖案化器件之該失真；及 使用該經判定護膜誘發之失真來計算該護膜補償校正，以用於使用該圖案化器件之一微影曝光步驟。 2. 如實施例1之方法，其中計算護膜補償校正之該步驟包含預測該圖案化器件上之圖案化結構之位置移位及/或在該曝光步驟之後的基板上之經曝光結構之對應位置移位，該等位置移位係由該護膜誘發之失真引起。 3. 如實施例1或2之方法，其包含該微影曝光步驟，其中該微影曝光步驟係由一微影裝置執行，且將該等護膜補償校正前饋至該微影裝置以校正該微影曝光步驟。 4. 如實施例3之方法，其包含： 執行該圖案化器件上之圖案化結構之位置的一量測； 基於該圖案化器件上之圖案化結構之該位置的該量測而計算結構位置誤差校正；及 組合該等結構位置校正及該等護膜補償校正以獲得組合校正，且將該等組合校正前饋至該微影裝置以校正該微影曝光步驟。 5. 如任何實施例之方法，其中該等護膜補償校正包含在該曝光步驟期間之經曝光結構之位置的校正，該等校正補償該護膜誘發之失真。 6. 如任何前述實施例之方法，其進一步包含： 執行該圖案化器件之一第一量測，該圖案化器件之該第一量測包含量測該第一形狀，該第一形狀包含在無護膜安裝至該圖案化器件之情況下的該圖案化器件之形狀；及 執行該圖案化器件之一第二量測，該圖案化器件之該第二量測包含量測該第二形狀，該第二形狀包含在一護膜安裝至該圖案化器件之情況下的該圖案化器件之形狀。 7. 如實施例6之方法，其中該第一量測及該第二量測係在該微影曝光步驟之前執行的離線量測。 8. 如實施例6或7之方法，其中該第一量測及該第二量測各自包含該圖案化器件之一高度剖面。 9. 如實施例6、7或8之方法，其中該第一量測及該第二量測係各自使用一圖案化器件位準感測器來執行。 10. 如實施例6至9中任一項之方法，其中該第一量測及該第二量測各自包含該圖案化器件的與該護膜安裝所至之側對置之側的一量測。 11. 如任何實施例之方法，其包含使用該等護膜補償校正來執行該微影曝光步驟。 12. 一種度量衡裝置，其可操作以執行如實施例6至10中任一項之方法。 13. 如實施例12之度量衡裝置，其包含： 用於該圖案化器件之一支撐件； 一圖案化器件位準感測器，其可操作以執行該第一量測及該第二量測；及 一處理器。 14. 一種微影裝置，其包含如實施例12或13之度量衡裝置；且其可進一步操作以使用一微影曝光程序將包含於該圖案化器件上之一器件圖案施加至一系列基板。 15. 一種包含處理器可讀指令之電腦程式，該等處理器可讀指令在經執行於合適的處理器控制之裝置上時致使該處理器控制之裝置執行如實施例1至11中任一項之方法。 16. 一種電腦程式載體，其包含如實施例15之電腦程式。 17. 一種製造器件之方法，其中使用一微影曝光程序將一器件圖案施加至一系列基板，該方法包括： - 使用如實施例1至10中任一項之方法來判定護膜補償校正，及使用該等護膜補償校正來控制該微影曝光程序。 儘管在本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文中所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如，製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之內容背景中，可認為本文中對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更一般之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文中所提及之基板。在適用情況下，可將本文中之揭示內容應用於此等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理多於一次，(例如)，以便產生多層IC，使得本文中所使用之術語「基板」亦可指已經含有多個經處理層之基板。 本文中所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為或為約365奈米、355奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長)及極紫外線(EUV)輻射(例如，具有在5奈米至20奈米之範圍內之波長)；以及粒子束(諸如，離子束或電子束)。 術語「透鏡」在內容背景允許時可指各種類型之光學組件中之任一者或其組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。 雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述方式不同之其他方式來實踐本發明。舉例而言，本發明可採取以下形式：電腦程式，其含有描述如上文所揭示之方法的機器可讀指令之一或多個序列；或資料儲存媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光碟)，該資料儲存媒體具有儲存於其中之此電腦程式。 以上之描述意欲為說明性而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。

200‧‧‧倍縮光罩
210‧‧‧最終透鏡
220‧‧‧護膜框架
230‧‧‧護膜
240‧‧‧陰影/加陰影區域
250‧‧‧照明錐體
260‧‧‧度量衡標記
270‧‧‧對準標記
300‧‧‧倍縮光罩
310‧‧‧護膜框架
320‧‧‧護膜
330‧‧‧步驟
340‧‧‧步驟
350‧‧‧步驟
360‧‧‧步驟
370‧‧‧步驟
380‧‧‧步驟
400‧‧‧倍縮光罩
410‧‧‧圓圈
AD‧‧‧調整器
AS‧‧‧對準感測器
B‧‧‧輻射光束
BD‧‧‧光束遞送系統
C‧‧‧目標部分
CO‧‧‧聚光器
EXP‧‧‧曝光站
IF‧‧‧位置感測器
IL‧‧‧照明系統/照明器
IN‧‧‧積光器
LA‧‧‧微影裝置
LS‧‧‧位準感測器
M1‧‧‧光罩對準標記
M2‧‧‧光罩對準標記
MA‧‧‧圖案化器件
MEA‧‧‧量測站
MT‧‧‧圖案化器件支撐件或支撐結構
P1‧‧‧基板對準標記
P2‧‧‧基板對準標記
PM‧‧‧第一定位器
PS‧‧‧投影系統
PW‧‧‧第二定位器
RF‧‧‧參考框架
SO‧‧‧輻射源
W‧‧‧基板
WTa‧‧‧基板台
WTb‧‧‧基板台

現在將參考示意性隨附圖式僅舉例描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應元件符號指示對應部件，且在該等圖式中： 圖1描繪微影裝置； 圖2示意性地展示(a)由倍縮光罩度量衡工具量測的未附接護膜之倍縮光罩、(b)由倍縮光罩度量衡工具量測的附接有護膜之倍縮光罩及(c)由倍縮光罩框架投射之陰影對倍縮光罩之量測的影響； 圖3為示意性地描述根據本發明之一實施例之方法的流程圖；及 圖4為護膜誘發之失真之區中的倍縮光罩截面之示意性細節。

300‧‧‧倍縮光罩

310‧‧‧護膜框架

320‧‧‧護膜

330‧‧‧步驟

340‧‧‧步驟

350‧‧‧步驟

360‧‧‧步驟

370‧‧‧步驟

380‧‧‧步驟

Claims (15)

1. 一種判定一護膜補償校正之方法，該護膜補償校正補償由一護膜安裝至一圖案化器件上引起的該圖案化器件之一失真，該方法包含： 自與未安裝該護膜的該圖案化器件相關聯之一第一高度剖面及與安裝有該護膜的該圖案化器件相關聯之一第二高度剖面來判定一護膜誘發之失真，該護膜誘發之失真描述歸因於該護膜被安裝的該圖案化器件之該失真；及 使用該經判定護膜誘發之失真來計算該護膜補償校正，以用於使用該圖案化器件之一微影曝光步驟。
2. 如請求項1之方法，其中計算護膜補償校正之該步驟包含：預測該圖案化器件上之圖案化結構之位置移位及/或在該曝光步驟之後的基板上之經曝光結構之對應位置移位，該等位置移位係由該護膜誘發之失真引起。
3. 如請求項1之方法，其包含該微影曝光步驟，其中該微影曝光步驟係由一微影裝置執行，且將該等護膜補償校正前饋至該微影裝置以校正該微影曝光步驟。
4. 如請求項3之方法，其包含： 執行該圖案化器件上之圖案化結構之位置的一量測； 基於該圖案化器件上之圖案化結構之該位置的該量測而計算結構位置誤差校正；及 組合該等結構位置校正及該等護膜補償校正以獲得組合校正，且將該等組合校正前饋至該微影裝置以校正該微影曝光步驟。
5. 如請求項1之方法，其中該等護膜補償校正包含在該曝光步驟期間之經曝光結構之位置的校正，該等校正補償該護膜誘發之失真。
6. 如請求項1之方法，其進一步包含： 執行該圖案化器件之一第一量測，該圖案化器件之該第一量測包含量測該第一高度剖面，該第一高度剖面包含在無護膜安裝至該圖案化器件之情況下的該圖案化器件之高度剖面；及 執行該圖案化器件之一第二量測，該圖案化器件之該第二量測包含量測該第二高度剖面，該第二高度剖面包含在一護膜安裝至該圖案化器件之情況下的該圖案化器件之高度剖面。
7. 如請求項6之方法，其中該第一量測及該第二量測係在該微影曝光步驟之前執行的離線量測。
8. 如請求項6之方法，其中該第一量測及該第二量測係各自使用一圖案化器件位準感測器來執行。
9. 如請求項6之方法，其中該第一量測及該第二量測各自包含該圖案化器件的與該護膜安裝所至之側對置之側的一量測。
10. 如請求項1之方法，其包含使用該等護膜補償校正來執行該微影曝光步驟。
11. 一種度量衡裝置，其可操作以執行如請求項6之方法。
12. 如請求項11之度量衡裝置，其包含： 用於該圖案化器件之一支撐件； 一圖案化器件位準感測器，其可操作以執行該第一量測及該第二量測；及 一處理器。
13. 一種微影裝置，其包含如請求項11之度量衡裝置；且其可進一步操作以使用一微影曝光程序將包含於該圖案化器件上之一器件圖案施加至一系列基板。
14. 一種包含處理器可讀指令之電腦程式，該等處理器可讀指令在經執行於合適的處理器控制之裝置上時致使該處理器控制之裝置執行如請求項1之方法。
15. 一種製造器件之方法，其中使用一微影曝光程序將一器件圖案施加至一系列基板，該方法包括： 使用如請求項1之方法來判定護膜補償校正；及 使用該等護膜補償校正來控制該微影曝光程序。