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TW201808976A - 鈍化層形成用組成物、帶鈍化層的半導體基板、帶鈍化層的半導體基板的製造方法、太陽電池元件、太陽電池元件的製造方法以及太陽電池 - Google Patents

鈍化層形成用組成物、帶鈍化層的半導體基板、帶鈍化層的半導體基板的製造方法、太陽電池元件、太陽電池元件的製造方法以及太陽電池 Download PDF

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TW201808976A
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Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
passivation layer
composition
forming
group
compound
Prior art date
Application number
TW105140387A
Other languages
English (en)
Chinese (zh)
Inventor
早坂剛
野尻剛
田中直敬
濱田光祥
清水麻理
児玉俊輔
Original Assignee
日立化成股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日立化成股份有限公司 filed Critical 日立化成股份有限公司
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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10FINORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/30Coatings
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
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JP6295673B2 (ja) * 2014-01-17 2018-03-20 日立化成株式会社 パッシベーション層付半導体基板、パッシベーション層形成用塗布型材料及び太陽電池素子
KR20170026538A (ko) * 2014-07-04 2017-03-08 히타치가세이가부시끼가이샤 패시베이션층 형성용 조성물, 패시베이션층이 형성된 반도체 기판 및 그의 제조 방법, 태양 전지 소자 및 그의 제조 방법, 및 태양 전지

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