TW201806458A

TW201806458A - 軟性電路板及其製造方法

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Publication number: TW201806458A
Application number: TW106108825A
Authority: TW
Inventors: 田嶋久容; 奥薗博和; 町田英明; 金子美晴
Original assignee: 東麗工程股份有限公司; 東麗杜邦股份有限公司; 雷科技股份有限公司
Priority date: 2016-03-17
Filing date: 2017-03-17
Publication date: 2018-02-16
Also published as: KR102312182B1; CN109076704B; WO2017159773A1; CN109076704A; JP6955481B2; JPWO2017159773A1; KR20180122672A; TWI716565B

Abstract

本發明旨在提供一種軟性電路板，在FPC上貼合有開口部的形狀和大小的設計自由度較高的覆蓋膜，充分保證了位於覆蓋膜的開口部的配線中相鄰的配線間的絕緣性。本發明的軟性電路板包括絕緣膜22、形成在所述絕緣膜上的配線30、32、佈置在所述絕緣膜和所述配線的一部分上的絕緣性保護膜12。所述保護膜透過黏著劑15貼合到所述絕緣膜和所述配線上，所述配線中上方沒有佈置所述保護膜之部分的上表面露出且旁側或周圍附著有所述黏著劑。

Description

軟性電路板及其製造方法

本發明涉及一種軟性電路板及其製造方法。

迄今，廣泛使用的一般是絕緣性樹脂膜上形成有電路配線的軟性電路板（以下稱FPC）。內部組裝有FPC及裝在FPC上的電子元件的各種裝置和設備，常被要求小、薄、輕，因此既薄又可彎折的FPC得到越來越廣泛的使用，此外，還有FPC的配線節距越來越小、電路基板上的元件封裝密度越來越高的發展趨勢。

如上述，要使電子設備和電子元件小、薄、輕，則需要防止電路配線之間、電路配線與周圍的元件和配線等之間發生短路，為此需要盡可能地用絕緣材料將FPC的電路配線覆蓋住，來維持絕緣可靠性。為了達到上述目的，一般用覆蓋膜（coverlay film）和面層（cover coat）來保護FPC的電路配線中的與端子和電子元件相連的連接部分以外的部分。

覆蓋膜是在絕緣性樹脂膜上塗佈黏著劑而成的，且是讓與FPC中的電路配線的連接部分和元件封裝部分相對應的部分開口後，貼合到電路配線上（如專利文獻1）。FPC中的電路配線的連接部分和元件封裝部分與覆蓋膜的開口部分相對應，因此呈露出狀態。藉由貼合覆蓋膜，FPC的機械強度得到提高，電路得到保護，並且，耐彎曲性也得到提高。

面層是用具有絕緣性且會受光熱等而固化的物質塗佈到電路配線中的連接部分以外的部分上固化而成的。

感光顯影覆蓋膜是用具有絕緣性且會受光而固化的物質預先製成的片材，且是貼合到電路配線上後用光使其固化。〔專利文獻〕 [專利文獻1]日本特開平9－283895號公報 [專利文獻2]日本特開平10－97081號公報

〔發明欲解決之技術問題〕

然而，因為覆蓋膜是預先設置開口部後再貼合到FPC上，所以要對準開口部和FPC中的電路配線的特定部分的位置費工又費時，貼合位置有偏差時會產生不良品。此外，依據形成開口部的模具的大小、膜材料的物理特性等，開口部的形狀和大小自然會受到限制，FPC的電路配線的設計就受到限制。而且，在位於覆蓋膜的開口部的FPC的電路配線中，相鄰的配線彼此相對的側面露出，配線節距越小配線間的絕緣性就越可能產生問題，並且，該部分的配線的剝離強度較低，配線容易剝離。

另一方面，因為面層藉由印刷方法塗佈到FPC上，所以，尤其是使用感光材料時，由於能夠將開口部形成得較小，因此進行高密度封裝時印刷是一種有效的方法，但可能產生絕緣材料的厚度不均勻、固化後FPC容易捲曲這些問題。此外，在提高FPC的機械強度的效果較差、耐彎曲性這些方面也存在問題。

也有人提出了以下方案：將感光顯影覆蓋膜貼合到FPC的電路面上，之後用光使其固化而形成FPC上的絶緣保護膜。但此時也有固化後容易捲曲的問題，此外，還存在對電路保護的機械強度不足、耐彎曲性不足這些問題。

本發明正是鑑於上述問題而完成的，其目的在於：提供一種軟性電路板，在FPC上貼合有開口部的形狀和大小的設計自由度較高的覆蓋膜，充分保證了位於覆蓋膜的開口部的配線中相鄰的配線間的絕緣性。

〔用於解決技術問題之技術手段〕

本發明的軟性電路板具有以下構成：包括絕緣膜、形成在所述絕緣膜上的配線以及佈置在所述絕緣膜和所述配線的一部分上的絕緣性保護膜，所述保護膜透過黏著劑貼合到所述絕緣膜和所述配線上，所述配線中上方沒有佈置所述保護膜之部分的上表面露出且旁側或周圍附著有所述黏著劑。即，配線中的所述一部分以外之部分的上方沒有佈置保護膜，該部分之配線的上表面露出。

所述保護膜較佳由聚醯亞胺樹脂和聚酯樹脂中之一構成。

本發明的其他軟性電路板包括絕緣膜、形成在所述絕緣膜上的配線以及佈置在所述絕緣膜和所述配線的一部分上的絕緣性保護膜。所述保護膜透過黏著劑貼合到所述絕緣膜和所述配線上，在上方沒有佈置所述保護膜之部分中，所述配線的旁側或周圍附著有所述黏著劑，在沒有形成所述配線的所述絕緣膜上設有所述黏著劑，且所述黏著劑的表面和所述配線的上表面覆蓋有由導電性材料構成的導電層。

所述導電層可以是鍍層。

本發明的軟性電路板的製造方法包括：準備配線形成膜的製程，所述配線形成膜是在絕緣膜上形成有配線的膜；貼合製程，取絕緣性保護膜的單面上形成有黏著劑的覆蓋片，以讓所述黏著劑對著所述配線的方式將所述覆蓋片置於所述配線形成膜上而貼合；黏著劑露出製程，除去所述保護膜的一部分而讓所述黏著劑的一部分露出；配線露出製程，將所述黏著劑露出的所述一部分中的上部除去而使所述配線的上表面露出。

較佳地，所述保護膜由聚醯亞胺樹脂和聚酯樹脂中之一構成，所述黏著劑露出製程藉由蝕刻進行。

較佳地，所述配線露出製程藉由蝕刻進行，進行該蝕刻時使用含過錳酸鹽和氫氧化鈉的溶液。此處的過錳酸鹽是由過錳酸和鹽基形成的鹽，例如有過錳酸鉀、過錳酸鈉等。

較佳地，所述配線露出製程中使用的所述溶液滿足以下條件之一：過錳酸鉀的濃度在2質量％以上18.15質量％以下且氫氧化鈉的濃度在20質量％以下；或者，過錳酸鉀的濃度在1質量％以上低於2質量％且氫氧化鈉的濃度在0.05質量％以上20質量％以下；或者，過錳酸鉀的濃度在0.5質量％以上低於1質量％且氫氧化鈉的濃度在0.05質量％以上低於18質量％；或者，過錳酸鉀的濃度在0.1質量％以上低於0.5質量％且氫氧化鈉的濃度在1.5質量％以上低於18質量％；或者，過錳酸鉀的濃度在0.05質量％以上低於0.1質量％且氫氧化鈉的濃度在1.5質量％以上低於5質量％。

較佳地，所述配線露出製程中使用的所述溶液滿足以下條件之一：過錳酸鈉的濃度在2質量％以上20質量％以下且氫氧化鈉的濃度在20質量％以下；或者，過錳酸鈉的濃度在1質量％以上低於2質量％且氫氧化鈉的濃度在0.05質量％以上20質量％以下；或者，過錳酸鈉的濃度在0.5質量％以上低於1質量％且氫氧化鈉的濃度在0.05質量％以上低於18質量％；或者，過錳酸鈉的濃度在0.1質量％以上低於0.5質量％且氫氧化鈉的濃度在1.5質量％以上低於18質量％。

〔發明之效果〕

在本發明的軟性電路板中，沒有佈置保護膜之部分的配線的旁側周圍被黏著劑包圍，因此，配線間藉由黏著劑得到機械性、電氣性的保護，配線的剝離強度、配線間的絕緣性也得到充分保證。

下面，依據圖式詳細說明本發明的實施方式。以下較佳實施方式的說明是本質上的示例，沒有意圖對本發明、其應用物或其用途進行限制。需要說明的是，本發明中的「覆蓋片」是覆蓋膜的一種，是設有黏著劑的覆蓋膜，該黏著劑能保證配線的剝離強度和配線間的絕緣性。

（第一實施方式）

在第一實施方式中，藉由以下製程製造軟性電路板：準備配線形成膜（相當於FPC）的製程（準備製程），該配線形成膜是在絕緣膜上形成有配線的膜；取絕緣性保護膜的單面上形成有黏著劑的覆蓋片，以讓所述黏著劑對著所述配線的方式將所述覆蓋片置於所述配線形成膜上而貼合的製程（貼合製程）；除去所述保護膜的一部分而讓所述黏著劑的一部分露出的製程（黏著劑露出製程）；將所述黏著劑露出的所述一部分中的上部除去而使所述配線的上表面露出的製程（配線露出製程）。

圖1是顯示準備製程中的配線形成膜20和覆蓋片10之間的斷面的圖。配線形成膜20是在絕緣膜22上形成有複數配線31而成。覆蓋片10是在絕緣性保護膜12的單面上形成有絕緣性黏著劑14而成。需要說明的是，不必在覆蓋片10上設置開口部。

絕緣膜22一般採用由聚醯亞胺樹脂、聚酯樹脂、PPS（聚苯硫醚）樹脂、芳香族聚醯胺樹脂、LCP（液晶聚合物）等構成且厚度為5μm到75μm左右的膜。配線31是將銅箔貼合到絕緣膜22上，並對該銅箔藉由蝕刻進行圖案成型（patterning）而形成，或者使用金屬噴敷材料透過半加成法（semi-additive process）進行圖案成型而形成，或者透過全加成法（fully-additive process）而形成，或者使用導電性油墨等藉由印刷而形成。需要說明的是，由與絕緣膜22同種或異種的材料構成的黏著劑存在於絕緣膜22和配線31之間的形態也是一般存在的。保護膜12一般採用由聚醯亞胺樹脂、聚酯樹脂、PPS（聚苯硫醚）樹脂、芳香族聚醯胺樹脂、LCP（液晶聚合物）等構成且厚度為2.5μm到25μm左右的膜。從耐熱性、尺寸穩定性、耐彎曲性的觀點出發，聚醯亞胺樹脂較佳。黏著劑14以環氧系樹脂、丙烯酸系樹脂、聚醯亞胺系樹脂等為主體，一般是熱固化型樹脂，但也可以是光固化型，黏著劑14的厚度為5μm到35μm左右。

然後，將配線形成膜20與覆蓋片10貼合起來（圖2，貼合製程）。在貼合製程中，讓形成在覆蓋片10的單面上的黏著劑14對著配線形成膜20的配線31疊合起來，一邊施加壓力，一邊加熱或照射UV光，使黏著劑14固化。在貼合製程中，因為不必在覆蓋片10上設置開口部，所以不需要與配線形成膜20的配線31對準位置（對準開口部和要露出的配線部分的位置），能夠易於以捲對捲（roll-to-roll）式進行貼合。需要說明的是，還可以以單一或複數電路所含的片材為單位（所謂的枚葉式）來將配線形成膜20與覆蓋片10貼合起來。此時，也不必精確地對準開口部和要露出的配線部分的位置。如上述，因為在本實施方式中貼合時不必精確地對準位置，所以不會產生位置對準失敗的不良品，製程速度也得到提高，因此能夠進行低成本高速度的貼合。需要說明的是，雖然開口部的位置對準並非目的，但為了在貼合製程送入或設置材料時進行導引，當然也可以預先在覆蓋片上開設導引孔等。

貼合製程結束後，所有的配線32、32a都變為受到覆蓋片10保護的狀態。然後，將存在於應露出的配線32a部分上方的保護膜12除去而形成開口部40（圖3，黏著劑露出製程）。保護膜12有諸多除去方法，如藉由蝕刻除去的方法、使用雷射除去的方法等。藉由蝕刻除去的方法，例如是利用專利文献2公開的方法，將耐蝕刻性的抗蝕劑形成到形成開口部的部分以外後，讓蝕刻液發生作用。該製程與藉由蝕刻形成配線的製程是相同的，能夠容易且高精度地進行。使用雷射除去的方法也能夠高精度地進行。

在黏著劑露出製程中，雖然會在保護膜12上形成開口部40，但位於開口部40内的配線30a的上表面形成有已經固化的黏著劑15，因此，配線30a的上表面沒有露出。然後，除去配線30a上表面的已經固化的黏著劑15（圖4，配線露出製程）。除去已經固化的黏著劑15時，用能讓黏著劑15溶解的溶液較佳，只要依據黏著劑15的種類選擇溶液的種類即可。例如，若黏著劑15為環氧系，則用過錳酸鉀和氫氧化鈉的水溶液使其溶解，水洗，然後進行中和即可。需要說明的是，較佳地，讓配線30a呈現埋在黏著劑15下，僅上表面露出的狀態。為此，較佳地，降低溶解黏著劑15的溶液的濃度，控制溶解速度。

藉由進行以上製程，配線形成膜20的一部分配線即配線30，就位於保護膜12的開口部40内，並且，埋在黏著劑15下且上表面39露出，其他的配線32埋在黏著劑15下，且上方存在保護膜12。也就是說，配線形成膜20的一部分配線即配線30的狀態是，上方沒有佈置保護膜12，上表面39露出且旁側或周圍存在黏著劑15。

如上述，位於保護膜12的開口部40内的配線30因為其旁側或周圍存在黏著劑15，所以能夠讓相鄰的配線30、30之間保持較高的線間絕緣可靠性。尤其是，在配線節距較小時也能夠保持較高的線間絕緣可靠性。並且，保護膜12的耐彎曲性優異。

使用通常的覆蓋膜和面層時，若露出的配線的寬度較小（即配線節距較小），則配線從配線形成膜20上剝離所需的剝離強度就會較低，FPC的使用環境的變化、經時劣化、來自外部的外壓和彎曲可能導致配線從軟性電路板上剝離或斷裂。但是，若是本實施方式的軟性電路板，則配線30的旁側或周圍就會被黏著劑15包圍，因此，即使配線30的寬度較小也能保證有較大的剝離強度，就不必擔心配線30從軟性電路板上剝離或配線30斷裂。而且，用各向異性導電性黏著劑（ACF或ACP）將露出的配線30與外部端子電氣連接起來時，若是通常的覆蓋膜和面層，則各向異性導電性黏著劑也會進入相鄰的配線之間（配線的側面之間），因此各向異性導電性黏著劑中的導電粒子可能會讓相鄰的配線之間導通，但若是本實施方式的軟性電路板就沒有這種擔心，在這一點上也能夠讓相鄰的配線30、30之間保持較高的線間絕緣可靠性。

先前的覆蓋膜，在貼合到配線形成膜上之前需要藉由沖裁形成開口，為此需要使用模具。但本實施方式的軟性電路板是不需要使用模具的，從而能夠降低相應的成本。此外，為了藉由沖裁形成開口，開口的大小、形狀、開口率會受到限制，所以不能將開口設計得較小，開口形狀的設計不自由。但若是本實施方式的軟性電路板，就能夠自由地設計開口大小、形狀等。此外，若是本實施方式的軟性電路板，則不需要進行半沖裁（half die cutting），就能夠使覆蓋膜用的離型膜較薄，能夠使由剝離時的應力造成的捲曲等尺寸精度的變化大幅度減少，因此能夠降低成本。而且，若是本實施方式的軟性電路板，則易於進行捲對捲加工，貼合時容易對準覆蓋片和配線形成膜的位置，因此，既能夠降低成本，又能夠縮短製造時間。因為先前的覆蓋膜是先形成開口再進行貼合的，所以在開口部處會有黏著劑滲出，為了防止這個問題，在貼合製程中，需要有兼具柔軟性、耐熱性、剝離性等的複雜結構的緩衝材料，但若是本實施方式的軟性電路板，則不需要上述緩衝材料，能夠降低成本。

＜聚醯亞胺膜＞

本發明採用的覆蓋片使用聚醯亞胺樹脂，這從FPC的耐熱性、尺寸穩定性、耐彎曲性這些方面看較佳，使用具有特定物性的聚醯亞胺膜更佳。

[聚醯亞胺膜的製造方法]

要得到聚醯亞胺膜，首先，讓芳香族二胺成分和芳香族酸酐成分在有機溶劑中聚合，由此得到聚醯胺酸溶液（以下又稱為聚胺酸溶液）。

聚醯胺酸溶液能夠藉由讓以芳香族二胺成分和芳香族酸酐成分為主成分的化学物質在有機溶劑中聚合而得到。

芳香族二胺成分例如有：對苯二胺、間苯二胺、聯苯胺、對苯二甲胺（p-xylylenediamine）、4,4'-二氨基二苯醚、3,4'-二氨基二苯醚、4,4'- 二氨基二苯甲烷、4,4’-二胺基二苯基碸（4,4’-Diaminodiphenyl sulfone）、3,3'-二甲基-4,4'-二氨基二苯甲烷、1,5-萘二胺、3,3'-二甲氧基聯苯胺、1,4'-雙（3-甲基-5-胺苯基）苯（1,4 - bis (3-methyl - 5-aminophenyl) benzene）及上述物質的醯胺形成性衍生物。上述物質既可以單獨使用一種，也可以混合使用兩種以上。

從耐熱性和熱尺寸穩定性優異等觀點出發，芳香族二胺成分是從由對苯二胺、4,4'-二氨基二苯醚組成的群中選出的一種以上較佳。

芳香族酸酐成分具體例如有以下酸及以下酸的醯胺形成性衍生物等的芳香族四羧酸的酸酐成分：苯均四酸（pyromellitic acid）、3,3',4,4'-聯苯四羧酸（3,3',4,4'-biphenyltetracarboxylic acid）、2,3’,3,4’-聯苯四羧酸、3,3',4,4'-二苯甲酮四羧酸、2,3,6,7-萘四酸（2,3,6,7-naphthalenetetracarboxylic acid）、2,2-雙（3,4-二羧基苯基）醚（2,2-bis(3,4-dicarboxyphenyl)ether）、吡啶-2,3,5,6-四羧酸（pyridine-2,3,5,6-tetracarboxylic acid）。上述物質既可以單獨使用一種，也可以混合使用兩種以上。

從耐熱性和熱尺寸穩定性優異的觀點出發，芳香族酸酐成分採用苯均四酸二酐和/或3,3',4,4'-聯苯四羧酸二酐較佳。

在本發明中，芳香族二胺成分和酸酐成分的組合選擇以下組合較佳：芳香族二胺成分是從由對苯二胺、4,4'-二氨基二苯醚和3,4'-二氨基二苯醚組成的群中選出的一種以上，芳香族酸酐成分是苯均四酸二酐和/或3,3',4,4'-聯苯四羧酸二酐。

當芳香族二胺成分中含有對苯二胺和4,4'-二氨基二苯醚時，對苯二胺與4,4'-二氨基二苯醚的莫耳比為50/50～0/100較佳，40/60～0/100更佳。

當芳香族酸酐成分中含有苯均四酸二酐和3,3',4,4'-聯苯四羧酸二酐時，苯均四酸二酐與3,3',4,4'-聯苯四羧酸二酐的莫耳比為100/0～50/50較佳，100/0～60/40更佳。

製造聚醯亞胺膜的方法例如有：將聚醯胺酸溶液澆鑄成薄膜狀，使其熱脫水環化並除去溶劑而得到聚醯亞胺膜的方法；在聚醯胺酸溶液中加入環化觸媒和脫水劑並使其進行化學脫水環化而製備出膠膜（gel film），將膠膜加熱而除去溶劑，由此得到聚醯亞胺膜的方法。後者較佳。

從能夠減小熱收縮率（具體而言，能夠讓以200℃加熱60分後的熱收縮率在0.2％以下）等觀點出發，對如上述而得到的聚醯亞胺膜，進一步進行退火處理較佳。退火處理的方法沒有特別限定，可以依照常規方法進行。退火處理的溫度沒有特別限定，200～500℃較佳，200～370℃更佳，210～350℃尤佳。具體而言，將爐內加熱到所述溫度範圍，讓膜在低張力下通過爐內，來進行退火處理較佳。膜在爐內滯留的時間為處理時間，變更通過速度就能控制處理時間，處理時間為5秒～5分較佳。此外，通過時的膜張力為10～50N/m較佳，20～30N/m更佳。

為了提高FPC的尺寸精度，聚醯亞胺膜在以200℃加熱60分後的熱收縮率通常在0.2％以下（如0.01～0.15％），在0.15％以下（如0.01～0.1％）較佳，在0.1％以下（如0.01～0.07％）更佳。將聚醯亞胺膜在調節到25℃、60％RH的房間內放置2小時以上之後，用CNC圖像處理装置系統NEXIV VM－250（Nikon製造）測量膜尺寸L1，然後以200℃加熱60分後再次在調節到25℃、60％RH的房間內放置1日後，用所述CNC圖像處理装置系統測量膜尺寸L2，聚醯亞胺膜在以200℃加熱60分後的熱收縮率能夠藉由下述數學式計算。

熱收縮率（％）＝－[（L2－L1）/L1]×100

聚醯亞胺膜的平均線性熱膨脹係數沒有特別限定，如為0～100ppm/℃，0～50ppm/℃較佳，3～35ppm/℃更佳。所述熱膨脹係數能夠使用島津製作所製造的TMA－50，在測量溫度範圍：50～200℃、升溫速度：10℃/分的條件下測量。

＜實施例1＞

在實施例1中使用的是UNON-GIKEN CO., LTD. 製造的覆蓋片：保護膜是厚12.5μm的kapton 50EN，在其上形成有20μm的環氧系黏著劑。在150℃、3MPa、30分的貼合條件下，將該覆蓋片貼合到單面形成有電路的電路形成基板上。

用東麗工程股份有限公司製造的聚醯亞胺蝕刻液TPE3000N進行蝕刻而除去該帶覆蓋片的軟性電路板的保護膜的一部分，用除去後的片材狀基板在包括開口部的範圍內製備出尺寸為35mm×22.5mm的試驗片。

取上述試驗片，放入至少含有過錳酸鉀和氫氧化鈉中之一的100g蝕刻液中用蝕刻除去黏著劑，水洗後，進行中和。

此時，變更了到所述試驗片的配線露出為止的蝕刻速度，也分別變更了蝕刻液中所含的過錳酸鉀和氫氧化鈉的濃度。

上述結果顯示於表1。需要說明的是，此時保護膜的蝕刻條件，採用了日本專利第3251515号的條件。

＜表1＞

依據該結果，不含過錳酸鉀時，不管氫氧化鈉的濃度是多少都無法用蝕刻除去黏著劑；或者，過錳酸鉀在1.2質量％以下且氫氧化鈉低於0.05質量％時，無法用蝕刻除去黏著劑；或者，過錳酸鉀在0.1質量％以下且氫氧化鈉低於1.5質量％時，無法用蝕刻除去黏著劑；或者，過錳酸鉀低於1質量％且氫氧化鈉在18質量％以上時，無法用蝕刻除去黏著劑；或者，過錳酸鉀低於0.1質量％且氫氧化鈉在5質量％以上時，無法用蝕刻除去黏著劑。

另一方面，過錳酸鉀的濃度在2質量％以上18.15質量％以下且氫氧化鈉的濃度在20質量％以下時，能夠用蝕刻除去黏著劑；或者，過錳酸鉀的濃度在1質量％以上低於2質量％且氫氧化鈉的濃度在0.05質量％以上20質量％以下時，能夠用蝕刻除去黏著劑；或者，過錳酸鉀的濃度在0.5質量％以上低於1質量％且氫氧化鈉的濃度在0.05質量％以上低於18質量％時，能夠用蝕刻除去黏著劑；或者，過錳酸鉀的濃度在0.1質量％以上低於0.5質量％且氫氧化鈉的濃度在1.5質量％以上低於18質量％時，能夠用蝕刻除去黏著劑；或者，過錳酸鉀的濃度在0.05質量％以上低於0.1質量％且氫氧化鈉的濃度在1.5質量％以上低於5質量％時，能夠用蝕刻除去黏著劑。

因此推定：表中顯示為數字的條件和顯示為○的條件，即用粗線圈出的範圍，能夠在60分以內用蝕刻除去厚10μm的黏著劑，表中顯示為無法蝕刻或×的條件，無法在60分以内用蝕刻除去厚10μm的黏著劑。

此外，在能夠蝕刻的條件中，各藥液中至少一種的濃度越高則蝕刻時間越短。

＜實施例2＞

在實施例2中，使用與實施例1相同的試驗片，將含有過錳酸鈉和氫氧化鈉中至少一種的溶液用作黏著劑的蝕刻液，用蝕刻除去黏著劑。即，在本實施例中蝕刻液所含的過錳酸鹽是過錳酸鈉，與實施例1不同。

上述結果顯示於表2。需要說明的是，此時保護膜的蝕刻條件，採用了日本專利第3251515号的條件。

＜表2＞

依據該結果，過錳酸鈉為0.05質量％時，不管氫氧化鈉的濃度是多少都無法用蝕刻除去黏著劑；或者，過錳酸鈉在1.2質量％以下且不含氫氧化鈉時，無法用蝕刻除去黏著劑；或者，過錳酸鈉在0.1質量％以下且氫氧化鈉低於1.5質量時，無法用蝕刻除去黏著劑；或者，過錳酸鈉在0.5質量％以下且氫氧化鈉在18質量％以上時，無法用蝕刻除去黏著劑。

另一方面，過錳酸鈉的濃度在2質量％以上20質量％以下且氫氧化鈉的濃度在20質量％以下時，能夠用蝕刻除去黏著劑；或者，過錳酸鈉的濃度在1質量％以上低於2質量％且氫氧化鈉的濃度在0.05質量％以上20質量％以下時，能夠用蝕刻除去黏著劑；或者，過錳酸鈉的濃度在0.5質量％以上低於1質量％且氫氧化鈉的濃度在0.05質量％以上低於18質量％時，能夠用蝕刻除去黏著劑；或者，過錳酸鈉的濃度在0.1質量％以上低於0.5質量％且氫氧化鈉的濃度在1.5質量％以上低於18質量％時，能夠用蝕刻除去黏著劑。

＜實施例3＞

在實施例3中，用兩種覆蓋片進行了蝕刻。

首先第一種覆蓋片使用的是UNON-GIKEN CO., LTD. 製造的覆蓋片：保護膜是厚12.5μm的kapton 50EN，在其上形成有20μm的環氧系黏著劑。將該覆蓋片貼合到雙面形成有電路的電路形成基板的雙面上。需要說明的是，該黏著劑與實施例1的覆蓋片的黏著劑材質不同。貼合條件與實施例1相同。

用東麗工程股份有限公司製造的聚醯亞胺蝕刻液TPE3000N進行蝕刻而除去該帶覆蓋片的軟性電路板的保護膜的一部分，用除去後的片材狀基板在包括開口部的範圍內製備出尺寸為40mm×90mm的試驗片。

然後，第二種覆蓋片使用的是NIKKAN INDUSTRIES CO., LTD.製造的覆蓋片：保護膜是厚12.5μm的kapton 50H，在其上形成有20μm的環氧系黏著劑。將該覆蓋片貼合到雙面形成有電路的電路形成基板的雙面上。貼合條件定為160℃、3MPa、40分。

取上述兩種試驗片，放入含有過錳酸鈉和氫氧化鈉的100g蝕刻液中用蝕刻除去黏著劑，水洗後，進行中和。

上述結果顯示於表3。需要說明的是，此時保護膜的蝕刻條件，採用了日本專利第3251515号的條件。

＜表3＞

依據該結果，過錳酸鈉的濃度為8.5質量％、氫氧化鈉的濃度為5質量％時，雖然蝕刻時間不同，但能夠用蝕刻除去黏著劑。

＜實施例4＞

在實施例4中，用兩種覆蓋片進行了蝕刻。

首先第一種覆蓋片使用的是KYOCERA Chemical Corporation製造的覆蓋片：保護膜是厚12.5μm的kapton 50ENC，在其上形成有25μm的環氧系黏著劑。將該覆蓋片貼合到雙面形成有電路的電路形成基板的雙面上。需要說明的是，該黏著劑與實施例1、2的覆蓋片的黏著劑材質不同。貼合條件與實施例1相同。

用東麗工程股份有限公司製造的聚醯亞胺蝕刻液TPE3000N進行蝕刻而除去該帶覆蓋片的軟性電路板的保護膜的一部分，用除去後的片材狀基板在包括開口部的範圍內製備出尺寸為20mm×20mm的試驗片。

然後，第二種覆蓋片使用的是KYOCERA Chemical Corporation製造的覆蓋片：保護膜是厚12.5μm的kapton 50ENC，在其上形成有25μm的環氧系黏著劑。將該覆蓋片貼合到雙面形成有電路的電路形成基板的雙面上。貼合條件與實施例1相同。需要說明的是，該覆蓋片的黏著劑與實施例1、2的覆蓋片和本實施例的第一種覆蓋片的黏著劑材質不同。

上述結果顯示於表4。需要說明的是，此時保護膜的蝕刻條件，採用了日本專利第3251515号的條件。

＜表4＞

（第二實施方式）

第二實施方式所涉及的軟性電路板如下：在圖4所示的軟性電路板的保護膜12上形成的開口部和該軟性電路板在配線露出製程中被除去一部分黏著劑15以後的部分上，形成有由導電材料構成的導電層50，如圖5所示。導電層50設在配線33的上表面39上，且形成為填滿在黏著劑露出製程和配線露出製程中形成的整個凹陷處。導電層50能夠藉由塗佈導電漿料或鍍敷等形成。需要說明的是，也可以在圖4所示的第一實施方式所涉及的軟性電路板的黏著劑層15和配線30的一部分上設置導電層50以外的材料後，再以覆蓋上述材料的方式形成導電層50。

（第三實施方式）

第三實施方式所涉及的軟性電路板如下：在圖4所示的軟性電路板的保護膜12上形成的開口部和該軟性電路板在配線露出製程中被除去一部分黏著劑15以後的部分上，形成有由導電材料構成的導電層52，該導電層52是鍍層，如圖6所示。導電層52設在配線34的上表面39上，且形成為覆蓋在黏著劑露出製程和配線露出製程中形成的凹陷處的整個底面和側面。形成鍍層即導電層52的鍍敷方法沒有特別限定。需要說明的是，也可以在圖4所示的第一實施方式所涉及的軟性電路板的黏著劑層15和配線30的一部分上設置導電層52以外的材料後，再以覆蓋上述材料的方式形成導電層52。

（其他實施方式）

上述實施方式為本發明的示例，本發明不限於上述示例，還可以將已知技術、慣用技術、公知技術與上述示例進行組合，或用已知技術、慣用技術、公知技術替換上述示例中的一部分。此外，本發明所屬技術領域中具有通常知識者容易想到的變形發明也包含在本發明中。

只要具有絕緣性且滿足軟性電路板的各種特性，絕緣膜和保護膜的材質及厚度等可以是任意的材質及厚度等。例如可以使用聚酯樹脂膜作為保護膜。此時，使用鹼性溶液（如聯氨水溶液）進行聚酯樹脂膜的蝕刻即可。此外，黏著劑只要是覆蓋片用即可，其材質沒有特別限定。

此外，黏著劑只要具有絕緣性即可，其種類沒有特別限定。

上方沒有佈置保護膜之部分的配線，僅上表面露出較佳，但側面的上方也可以露出一部分。只要側面的1/2以上是被黏著劑包圍（即，至少配線的側面有一半埋在黏著劑中）的狀態，就會發揮絕緣性和機械強度的效果。

除去保護膜後，也可以用雷射除去配線上的黏著劑。此外，也可以用噴砂法除去黏著劑。

若軟性電路板的配線分為高精細部和高精細部以外的部分，則還可以使電路板為複合體（即複合式）：僅在高精細部應用本技術，在高精細部以外的部分使用先前技術即設有面層和預先開口部的覆蓋膜。

此外，軟性電路板可以是配線形成在單面上的板，也可以是形成在雙面上的板，還可以是具有三層以上電路層的多層板。此時，配線形成在單面上的板，在形成有配線的面上形成有覆蓋片，而雙面配線的板，雙面都形成有覆蓋片。至於多層板，依據疊合方法不同，有疊合單面板的情況、疊合雙面板的情況，還有混合疊合單面板和雙面板的情況，但不管哪一種都是在最外層和內層的電路面上形成覆蓋片。

此外，本技術還能夠用於將軟性電路板和剛性電路板組合而成的所謂的軟硬複合板上的内層覆蓋片結構。

可以將複數個上述實施方式所涉及的軟性電路板疊合起來，並讓相鄰的兩個軟性電路板的配線之間電氣導通，該導通方法例如有以下方法：在絕緣膜上形成到達配線的通孔，將導電材料埋入該通孔且讓該導電材料向與絕緣膜上佈置有配線的面相反的面一側突出，並讓該突出部與另一個軟性電路板的配線接觸。但不限於此方法。

10‧‧‧覆蓋片
12‧‧‧保護膜
14、15‧‧‧黏著劑
20‧‧‧配線形成膜
22‧‧‧絕緣膜
30、30a‧‧‧配線
31‧‧‧配線
32、32a‧‧‧配線
33‧‧‧配線
34‧‧‧配線
39‧‧‧上表面
50、52‧‧‧導電層

圖1是顯示準備製程的斷面示意圖。圖2是顯示貼合製程的斷面示意圖。圖3是顯示黏著劑露出製程的斷面示意圖。圖4是顯示配線露出製程的斷面示意圖。圖5是顯示其他實施方式所涉及的軟性電路板的斷面示意圖。圖6是顯示其他實施方式所涉及的軟性電路板的斷面示意圖。

12‧‧‧保護膜

15‧‧‧黏著劑

22‧‧‧絕緣膜

32‧‧‧配線

30‧‧‧配線

39‧‧‧上表面

Claims

一種軟性電路板，包括絕緣膜、形成在所述絕緣膜上的配線以及佈置在所述絕緣膜和所述配線的一部分上的絕緣性保護膜，所述保護膜透過黏著劑貼合到所述絕緣膜和所述配線上，所述配線中上方沒有佈置所述保護膜之部分的上表面露出且旁側或周圍附著有所述黏著劑。
如請求項1所述的軟性電路板，其中，所述保護膜由聚醯亞胺樹脂和聚酯樹脂中之一構成。
一種軟性電路板，包括絕緣膜、形成在所述絕緣膜上的配線以及佈置在所述絕緣膜和所述配線的一部分上的絕緣性保護膜，所述保護膜透過黏著劑貼合到所述絕緣膜和所述配線上，在上方沒有佈置所述保護膜之部分中，所述配線的旁側或周圍附著有所述黏著劑，在沒有形成所述配線的所述絕緣膜上設有所述黏著劑，且所述黏著劑的表面和所述配線的上表面覆蓋有由導電性材料構成的導電層。
如請求項3所述的軟性電路板，其中，所述導電層是鍍層。
一種軟性電路板的製造方法，包括：準備配線形成膜的製程，所述配線形成膜是在絕緣膜上形成有配線的膜；貼合製程，取絕緣性保護膜的單面上形成有黏著劑的覆蓋片，以讓所述黏著劑對著所述配線的方式將所述覆蓋片置於所述配線形成膜上而貼合；黏著劑露出製程，除去所述保護膜的一部分而讓所述黏著劑的一部分露出；以及配線露出製程，將所述黏著劑露出的所述一部分中的上部除去而使所述配線的上表面露出。
如請求項5所述的軟性電路板的製造方法，其中，所述保護膜由聚醯亞胺樹脂和聚酯樹脂中之一構成，所述黏著劑露出製程藉由蝕刻進行。
如請求項5或6所述的軟性電路板的製造方法，其中，所述配線露出製程藉由蝕刻進行，進行該蝕刻時使用含過錳酸鹽的溶液。
如請求項7所述的軟性電路板的製造方法，其中，所述配線露出製程中使用的所述溶液，還含有氫氧化鈉。
如請求項7或8所述的軟性電路板的製造方法，其中，所述配線露出製程中使用的所述溶液滿足以下條件之一：過錳酸鉀的濃度在2質量％以上18.15質量％以下且氫氧化鈉的濃度在20質量％以下；或者，過錳酸鉀的濃度在1質量％以上低於2質量％且氫氧化鈉的濃度在0.05質量％以上20質量％以下；或者，過錳酸鉀的濃度在0.5質量％以上低於1質量％且氫氧化鈉的濃度在0.05質量％以上低於18質量％；或者，過錳酸鉀的濃度在0.1質量％以上低於0.5質量％且氫氧化鈉的濃度在1.5質量％以上低於18質量％；或者，過錳酸鉀的濃度在0.05質量％以上低於0.1質量％且氫氧化鈉的濃度在1.5質量％以上低於5質量％。
如請求項7或8所述的軟性電路板的製造方法，其中，所述配線露出製程中使用的所述溶液滿足以下條件之一：過錳酸鈉的濃度在2質量％以上20質量％以下且氫氧化鈉的濃度在20質量％以下；或者，過錳酸鈉的濃度在1質量％以上低於2質量％且氫氧化鈉的濃度在0.05質量％以上20質量％以下；或者，過錳酸鈉的濃度在0.5質量％以上低於1質量％且氫氧化鈉的濃度在0.05質量％以上低於18質量％；或者，過錳酸鈉的濃度在0.1質量％以上低於0.5質量％且氫氧化鈉的濃度在1.5質量％以上低於18質量％。