TW201806457A

TW201806457A - 含有金屬配線的積層體的製造方法、含有金屬配線的積層體及帶被鍍覆層基板

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Publication number: TW201806457A
Application number: TW106110228A
Authority: TW
Inventors: 松岡知佳; 一木孝彦; 笠原健裕; 成田岳史
Original assignee: 富士軟片股份有限公司
Priority date: 2016-03-30
Filing date: 2017-03-28
Publication date: 2018-02-16
Also published as: WO2017170012A1; US20190029111A1; JPWO2017170012A1

Abstract

本發明提供一種可效率良好地製造具有電阻低的微細的金屬配線的含有金屬配線的積層體的、含有金屬配線的積層體的製造方法、含有金屬配線的積層體及帶被鍍覆層基板。本發明的含有金屬配線的積層體的製造方法包括：於基板上形成具有與鍍覆觸媒或其前驅物進行相互作用的官能基的感光性層的步驟；對感光性層以圖案狀進行曝光，對經曝光的感光性層實施顯影處理，而形成具有溝部的被鍍覆層的步驟；將鍍覆觸媒或其前驅物賦予至被鍍覆層的步驟；以及對賦予有鍍覆觸媒或其前驅物的被鍍覆層進行鍍覆處理，以填埋溝部的方式形成金屬配線的步驟。

Description

含有金屬配線的積層體的製造方法、含有金屬配線的積層體及帶被鍍覆層基板

本發明是有關於一種含有金屬配線的積層體的製造方法、含有金屬配線的積層體及帶被鍍覆層基板。

於基板上配置有金屬配線的導電性膜（含有金屬配線的積層體）用於觸控面板（touch panel）及印刷配線基板等多種用途。作為含有金屬配線的積層體的製造方法，例如於專利文獻1中揭示有使用非硬化性樹脂層的態樣。更具體而言，揭示有包括以下步驟的態樣：於基板的表面，介隔硬化性樹脂層而形成非硬化性樹脂層的步驟；自非硬化性樹脂層側，於非硬化性樹脂層及硬化性樹脂層形成凹部的步驟；將鍍覆用觸媒賦予至非硬化性樹脂層表面及凹部表面的步驟；將非硬化性樹脂層與其表面的鍍覆用觸媒一併去除的步驟；以及對凹部表面實施無電解鍍覆的步驟。 [現有技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2015-57812號公報

[發明所欲解決之課題] 另一方面，近年來要求效率良好地生產具有更微細的金屬配線的含有金屬配線的積層體。專利文獻1所記載的方法中，需要另行製作非硬化性樹脂層，並且花費將其去除的工夫，因此未必滿足近期的要求。

本發明鑑於所述實際情況，而課題在於提供一種含有金屬配線的積層體的製造方法，其可效率良好地製造具有電阻低的微細的金屬配線的含有金屬配線的積層體。另外，本發明的課題亦在於提供一種含有金屬配線的積層體及帶被鍍覆層基板。 [解決課題之手段]

本發明者等人對現有技術的問題點進行了努力研究，結果發現，藉由使用具有溝部的被鍍覆層，而可解決所述課題。即，本發明者等人發現，可藉由以下的構成來解決所述課題。

（1）一種含有金屬配線的積層體的製造方法，其包括：於基板上形成具有與鍍覆觸媒或其前驅物進行相互作用的官能基的感光性層的步驟；對感光性層以圖案狀進行曝光，對經曝光的感光性層實施顯影處理，而形成具有溝部的被鍍覆層的步驟；將鍍覆觸媒或其前驅物賦予至被鍍覆層的步驟；以及對賦予有鍍覆觸媒或其前驅物的被鍍覆層進行鍍覆處理，以填埋溝部的方式形成金屬配線的步驟。（2）如（1）所述的含有金屬配線的積層體的製造方法，其中感光性層為負型感光性層，於曝光時，介隔遮光部的寬度為10 μm以下的光罩對感光性層進行曝光。（3）如（1）或（2）所述的含有金屬配線的積層體的製造方法，其中感光性層含有具有與鍍覆觸媒或其前驅物進行相互作用的官能基的化合物、及具有聚合性基的化合物。（4）一種含有金屬配線的積層體，其具有：基板；配置於基板上的、具有溝部且具有與鍍覆觸媒或其前驅物進行相互作用的官能基的被鍍覆層；及以填埋被鍍覆層的溝部的方式配置的金屬配線，且於被鍍覆層的與基板側為相反側的表面（表面上）分散有金屬。（5）如（4）所述的含有金屬配線的積層體，其中於被鍍覆層的溝部的側壁面（側壁面上），分散有與分散於被鍍覆層的與基板側為相反側的表面的金屬為相同種類的金屬，且分散於被鍍覆層的溝部的側壁面的金屬的量多於分散於被鍍覆層的與基板側為相反側的表面的金屬的量。（6）一種帶被鍍覆層基板，其具有：基板；及配置於基板上的、具有溝部且具有與鍍覆觸媒或其前驅物進行相互作用的官能基的被鍍覆層。 [發明的效果]

根據本發明，可提供一種含有金屬配線的積層體的製造方法，其可效率良好地製造具有電阻低的微細的金屬配線的含有金屬配線的積層體。另外，根據本發明，亦可提供一種含有金屬配線的積層體及帶被鍍覆層基板。

以下，對本發明進行詳細說明。以下所記載的構成要件的說明有時是基於本發明的代表性實施態樣而成，本發明並不限定於此種實施態樣。此外，本說明書中使用「～」來表示的數值範圍是指包含「～」的前後所記載的數值來作為下限值及上限值的範圍。作為本發明的製造方法的特徵點，如下段中所詳細敘述般，可列舉使用具有溝部的被鍍覆層的方面。於鍍覆觸媒或其前驅物吸附於此種被鍍覆層時，相較於被鍍覆層的與基板側為相反側的表面，鍍覆觸媒或其前驅物更容易吸附於溝部的側壁面。因此，若對所獲得的被鍍覆層實施鍍覆處理，則以填埋溝部的方式形成金屬配線（鍍覆層）。即，可對應於溝部的大小來形成電阻低且微細的金屬配線。

本發明的含有金屬配線的積層體的製造方法包括以下的步驟A～步驟D。步驟A：於基板上形成具有與鍍覆觸媒或其前驅物進行相互作用的官能基的感光性層的步驟步驟B：對感光性層以圖案狀進行曝光，對經曝光的感光性層實施顯影處理，而形成具有溝部的被鍍覆層的步驟步驟C：將鍍覆觸媒或其前驅物賦予至被鍍覆層的步驟步驟D：對賦予有鍍覆觸媒或其前驅物的被鍍覆層進行鍍覆處理，以填埋溝部的方式形成金屬配線的步驟以下，參照圖式對各步驟中所使用的材料及其程序進行詳細敘述。

＜步驟A（感光性層形成步驟）＞步驟A是於基板上形成具有與鍍覆觸媒或其前驅物進行相互作用的官能基的感光性層的步驟。藉由實施本步驟，則如圖1所示，於基板10上形成感光性層12。感光性層是用以形成具有溝部的被鍍覆層的前驅物層（用於形成被鍍覆層）。以下，首先，對本步驟中使用的各構件及各材料進行詳細敘述，然後，對步驟的程序進行詳細敘述。

（基板）基板只要可支撐後述的被鍍覆層等則其種類並無特別限定，可使用公知的基板。作為基板，例如可列舉絕緣基板，更具體而言，可列舉樹脂基板、陶瓷基板、及玻璃基板等。作為樹脂基板的材料，例如可列舉：聚酯系樹脂（聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯）、聚醚碸系樹脂、聚(甲基)丙烯酸系樹脂、聚胺基甲酸酯系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、聚碸系樹脂、聚醯胺系樹脂、聚烯丙酸酯（polyallylate）系樹脂、聚烯烴系樹脂、纖維素系樹脂、聚氯乙烯系樹脂、及環烯烴系樹脂等。基板的厚度（mm）並無特別限定，就基板的操作性及薄型化的平衡的方面而言，較佳為0.005 mm～1 mm，更佳為0.02 mm～0.08 mm。另外，基板較佳為適當地透過光。具體而言，基板的總光線透過率較佳為85%～100%。

此外，於基板上亦可視需要而配置易接著層或底塗層等。即，亦可使用帶易接著層基板、或帶底塗層基板等。

（感光性層）感光性層是配置於所述基板上的層，且是用以形成具有溝部的被鍍覆層的層。感光性層具有與鍍覆觸媒或其前驅物進行相互作用的官能基（以後亦稱為「相互作用性基」）。所謂相互作用性基，是指可與賦予至被鍍覆層的鍍覆觸媒或其前驅物進行相互作用的官能基。作為相互作用性基，例如可列舉：能與鍍覆觸媒或其前驅物形成靜電相互作用的官能基、以及能與鍍覆觸媒或其前驅物形成配位的含氮官能基、含硫官能基、及含氧官能基等。作為相互作用性基，更具體而言可列舉：胺基、醯胺基、醯亞胺基、脲基、三級胺基、銨基、脒基、三嗪環、三唑環、苯并三唑基、咪唑基、苯并咪唑基、喹啉基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、喹唑啉基、喹噁啉基、嘌呤基、三嗪基、哌啶基、哌嗪基、吡咯啶基、吡唑基、苯胺基、含有烷基胺結構的基、含有異三聚氰酸結構的基、硝基、亞硝基、偶氮基、重氮基、疊氮基、氰基、及氰酸酯基等含氮官能基；醚基、羥基、酚性羥基、羧酸基、碳酸酯基、羰基、酯基、含有N-氧化物結構的基、含有S-氧化物結構的基、及含有N-羥基結構的基等含氧官能基；噻吩基、硫醇基、硫脲基、三聚硫氰酸基、苯并噻唑基、巰基三嗪基、硫醚（thioether）基、硫氧基（thioxy）、亞碸基、碸基、硫醚（sulfite）基、含有磺醯亞胺結構的基、含有氧化鋶鹽結構的基、磺酸基、及含有磺酸酯結構的基等含硫官能基；膦酸酯基、磷醯胺基、膦基、及含有磷酸酯結構的基等含磷官能基；含有氯原子及溴原子等鹵素原子的基等，於可採取鹽結構的官能基中亦可使用該些的鹽。其中，就極性高、對鍍覆觸媒或其前驅物等的吸附能力高的方面而言，較佳為羧酸基、磺酸基、磷酸基及硼酸基等離子性極性基，醚基，或者氰基，更佳為羧酸基（羧基）或者氰基。

感光性層可為負型感光性層，亦可為正型感光性層。其中，就容易形成更微細的金屬配線的方面而言，較佳為負型感光性層。此外，所謂負型感光性層，是於顯影處理時將未曝光部去除的層。此外，所謂正型感光性層，是於顯影處理時將曝光部去除的層。於感光性層為負型感光性層的情況下，感光性層較佳為與所述相互作用性基一併具有聚合性基。

聚合性基為藉由曝光而可形成化學鍵的官能基，例如可列舉自由基聚合性基、以及陽離子聚合性基等。其中，就反應性更優異的方面而言，較佳為自由基聚合性基。作為自由基聚合性基，例如可列舉：丙烯酸酯基（丙烯醯氧基）、甲基丙烯酸酯基（甲基丙烯醯氧基）、衣康酸酯基、丁烯酸酯基、異丁烯酸酯基、順丁烯二酸酯基等不飽和羧酸酯基、苯乙烯基、乙烯基、丙烯醯胺基、以及甲基丙烯醯胺基等。其中，較佳為甲基丙烯醯氧基、丙烯醯氧基、乙烯基、苯乙烯基、丙烯醯胺基、或者甲基丙烯醯胺基，更佳為甲基丙烯醯氧基、丙烯醯氧基、或者苯乙烯基。

就容易形成更微細的金屬配線的方面而言，感光性層較佳為含有以下的化合物X或組成物Y。化合物X：具有相互作用性基及聚合性基的化合物組成物Y：含有具有相互作用性基的化合物、及具有聚合性基的化合物的組成物

（化合物X）化合物X為具有相互作用性基與聚合性基的化合物。相互作用性基及聚合性基的定義如上所述。化合物X中亦可含有兩種以上的相互作用性基。化合物X中所含的相互作用性基的數量並無特別限定，可為一個，亦可為兩個以上。化合物X中亦可含有兩種以上的聚合性基。化合物X中所含的聚合性基的數量並無特別限定，可為一個，亦可為兩個以上。

所述化合物X可為低分子化合物，亦可為高分子化合物。低分子化合物是指分子量未滿1000的化合物，所謂高分子化合物，是指分子量為1000以上的化合物。此外，所謂具有所述聚合性基的低分子化合物，相當於所謂的單體（單量體）。另外，所謂高分子化合物，亦可為具有規定的重複單元的聚合物。另外，作為化合物，可僅使用一種，亦可倂用兩種以上。

於所述化合物X為聚合物的情況下，聚合物的重量平均分子量並無特別限定，就溶解性等操作性更優異的方面而言，較佳為1000～700000，更佳為2000～200000。尤其就聚合感度的方面而言，進而佳為20000以上。具有聚合性基及相互作用性基的聚合物的合成方法並無特別限定，可使用公知的合成方法（參照日本專利特開2009-280905號公報的段落[0097]～段落[0125]）。

（聚合物的較佳態樣1）於所述化合物X為聚合物的情況下，作為聚合物的第一較佳態樣，可列舉含有下述式（a）所表示的具有聚合性基的重複單元（以下亦適宜地稱為「聚合性基單元」）、及下述式（b）所表示的具有相互作用性基的重複單元（以下亦適宜地稱為「相互作用性基單元」）的共聚物。

[化1]

所述式（a）及式（b）中，R¹ ～R⁵ 分別獨立地表示氫原子、或者經取代或未經取代的烷基（例如甲基、乙基、丙基、丁基等）。此外，取代基的種類並無特別限定，可列舉：甲氧基、氯原子、溴原子、及氟原子等。此外，作為R¹ ，較佳為氫原子、甲基、或者經溴原子所取代的甲基。作為R² ，較佳為氫原子、甲基、或者經溴原子所取代的甲基。作為R³ ，較佳為氫原子。作為R⁴ ，較佳為氫原子。作為R⁵ ，較佳為氫原子、甲基、或者經溴原子所取代的甲基。

所述式（a）及式（b）中，X、Y、及Z分別獨立地表示單鍵、或者經取代或未經取代的二價有機基。作為二價有機基，可列舉：經取代或未經取代的二價脂肪族烴基（較佳為碳數（碳原子數）1～8。例如亞甲基、伸乙基、及伸丙基等伸烷基）、經取代或未經取代的二價芳香族烴基（較佳為碳數6～12。例如伸苯基）、-O-、-S-、-SO₂ -、-N(R)-（R：烷基）、-CO-、-NH-、-COO-、-CONH-、以及將該些組合而成的基（例如伸烷基氧基、伸烷基氧基羰基、伸烷基羰基氧基等）等。

就聚合物的合成容易、被鍍覆層與金屬配線的密接性更優異的方面而言，X、Y及Z較佳為單鍵、酯基（-COO-）、醯胺基（-CONH-）、醚基（-O-）、或者經取代或未經取代的二價芳香族烴基，更佳為單鍵、酯基（-COO-）、或者醯胺基（-CONH-）。

所述式（a）及式（b）中，L¹ 及L² 分別獨立地表示單鍵、或者經取代或未經取代的二價有機基。作為二價有機基的定義，與所述X、Y、及Z中所述的二價有機基相同。就聚合物的合成容易、被鍍覆層與金屬配線的密接性更優異的方面而言，L¹ 較佳為二價脂肪族烴基、或者具有胺基甲酸酯鍵或脲鍵的二價有機基（例如脂肪族烴基）。另外，L¹ 中所含的總碳數較佳為1～9。此外，此處所謂L¹ 的總碳數，是指L¹ 所表示的經取代或未經取代的二價有機基中所含的總碳數。

另外，就被鍍覆層與金屬配線的密接性更優異的方面而言，L² 較佳為單鍵、或者二價脂肪族烴基、二價芳香族烴基、或將該些基組合而成的基。其中，L² 較佳為單鍵、或者總碳數1～15的或者經取代或未經取代的二價有機基。此外，此處所謂L² 的總碳數，是指L² 所表示的經取代或未經取代的二價有機基中所含的總碳數。另外，L² 所表示的二價有機基較佳為未經取代。

所述式（b）中，W表示相互作用性基。相互作用性基的定義如上所述。

就反應性（硬化性、聚合性）以及抑制合成時的凝膠化的方面而言，相對於聚合物中的所有重複單元，所述聚合性基單元的含量較佳為5莫耳%～60莫耳%，更佳為5莫耳%～40莫耳%。另外，就對鍍覆觸媒或其前驅物的吸附性的方面而言，相對於聚合物中的所有重複單元，所述相互作用性基單元的含量較佳為5莫耳%～95莫耳%，更佳為10莫耳%～95莫耳%。

（聚合物的較佳態樣2）於所述化合物X為聚合物的情況下，作為聚合物的第二較佳態樣，可列舉含有下述式（A）、式（B）、及式（C）所表示的重複單元的共聚物。

[化2]

式（A）所表示的重複單元與所述式（a）所表示的重複單元相同，各基的說明亦相同。式（B）所表示的重複單元中的R⁵ 、X及L² 與所述式（b）所表示的重複單元中的R⁵ 、X及L² 相同，各基的說明亦相同。式（B）中的Wa表示除後述的V所表示的親水性基或其前驅物基以外的與鍍覆觸媒或其前驅物進行相互作用的基。其中，較佳為氰基。

式（C）中，R⁶ 分別獨立地表示氫原子、或者經取代或未經取代的烷基。式（C）中，U表示單鍵、或者經取代或未經取代的二價有機基。二價有機基的定義與所述的X、Y及Z所表示的二價有機基相同。就聚合物的合成容易、被鍍覆層與金屬配線的密接性更優異的方面而言，U較佳為單鍵、酯基（-COO-）、醯胺基（-CONH-）、醚基（-O-）、或者經取代或未經取代的二價芳香族烴基。式（C）中，L³ 表示單鍵、或者經取代或未經取代的二價有機基。二價有機基的定義與所述的L¹ 及L² 所表示的二價有機基相同。就聚合物的合成容易、被鍍覆層與金屬配線的密接性更優異的方面而言，L³ 較佳為單鍵、或者二價脂肪族烴基、二價芳香族烴基、或將該些基組合而成的基。

式（C）中，V表示親水性基或其前驅物基。所謂親水性基，只要為顯示親水性的基則並無特別限定，例如可列舉羥基及羧酸基等。另外，所謂親水性基的前驅物基，是指藉由規定的處理（例如利用酸或鹼進行處理）而生成親水性基的基，例如可列舉經2-四氫吡喃基（2-tetrahydropyranyl，THP）所保護的羧酸基等。就與鍍覆觸媒或其前驅物的相互作用的方面而言，親水性基較佳為離子性極性基。作為離子性極性基，可列舉羧酸基、磺酸基、磷酸基及硼酸基。其中，就適度的酸性（不分解其他官能基）的方面而言，較佳為羧酸基。

所述聚合物的第二較佳態樣中的各單元的較佳含量如下所述。就反應性（硬化性、聚合性）以及抑制合成時的凝膠化的方面而言，相對於聚合物中的所有重複單元，式（A）所表示的重複單元的含量較佳為5莫耳%～50莫耳%，更佳為5莫耳%～30莫耳%。就鍍覆觸媒或其前驅物對被鍍覆層的吸附性的方面而言，相對於聚合物中的所有重複單元，式（B）所表示的重複單元的含量較佳為5莫耳%～75莫耳%，更佳為10莫耳%～70莫耳%。就利用水溶液的感光性層的顯影性及被鍍覆層的耐濕密接性的方面而言，相對於聚合物中的所有重複單元，式（C）所表示的重複單元的含量較佳為10莫耳%～70莫耳%，更佳為20莫耳%～60莫耳%，進而佳為30莫耳%～50莫耳%。

作為所述聚合物的具體例，可列舉：日本專利特開2009-007540號公報的段落[0106]～段落[0112]中所記載的聚合物、日本專利特開2006-135271號公報的段落[0065]～段落[0070]中所記載的聚合物、及US2010-080964號的段落[0030]～段落[0108]中所記載的聚合物等。該聚合物可利用公知的方法（例如以上所列舉的文獻中的方法）來製造。

（單體的較佳態樣）於所述化合物X為所謂的單體的情況下，可列舉式（X）所表示的化合物作為單體的較佳態樣之一。

[化3]

式（X）中，R¹¹ ～R¹³ 分別獨立地表示氫原子、或者經取代或未經取代的烷基。作為未經取代的烷基，可列舉甲基、乙基、丙基及丁基。另外，作為經取代的烷基，可列舉經甲氧基、氯原子、溴原子、或氟原子等所取代的甲基、乙基、丙基及丁基。此外，作為R¹¹ ，較佳為氫原子、或甲基。作為R¹² ，較佳為氫原子。作為R¹³ ，較佳為氫原子。

L¹⁰ 表示單鍵、或者二價有機基。作為二價有機基，可列舉：經取代或未經取代的脂肪族烴基（較佳為碳數1～8）、經取代或未經取代的芳香族烴基（較佳為碳數6～12）、-O-、-S-、-SO₂ -、-N(R)-（R：烷基）、-CO-、-NH-、-COO-、-CONH-、以及將該些組合而成的基（例如伸烷基氧基、伸烷基氧基羰基、伸烷基羰基氧基等）等。作為經取代或未經取代的脂肪族烴基，較佳為：亞甲基、伸乙基、伸丙基或伸丁基，或者該些基經甲氧基、氯原子、溴原子、或氟原子等所取代的基。作為經取代或未經取代的芳香族烴基，較佳為未經取代的伸苯基或者經甲氧基、氯原子、溴原子或氟原子等所取代的伸苯基。式（X）中，作為L¹⁰ 的較佳態樣之一，可列舉-NH-脂肪族烴基-、或者-CO-脂肪族烴基-。

W的定義與式（b）中的W的定義相同，表示相互作用性基。式（X）中，作為W的較佳態樣，可列舉離子性極性基，更佳為羧酸基。

（組成物Y）組成物Y為含有具有相互作用性基的化合物、以及具有聚合性基的化合物的組成物。即，感光性層含有具有相互作用性基的化合物、以及具有聚合性基的化合物這兩種。相互作用性基及聚合性基的定義如上所述。作為具有相互作用性基的化合物，可為低分子化合物，亦可為高分子化合物。其中，較佳為具有相互作用性基的聚合物。作為具有相互作用性基的化合物的較佳態樣，可列舉具有所述式（b）所表示的重複單元的聚合物（例如聚丙烯酸）。此外，較佳為於具有相互作用性基的化合物中不含聚合性基。所謂具有聚合性基的化合物，為所謂的單體，就所形成的被鍍覆層的硬度更優異的方面而言，較佳為具有兩個以上的聚合性基的多官能單體。所謂多官能單體，具體而言，較佳為具有2個～6個聚合性基的單體。就對反應性造成影響的交聯反應中的分子的運動性的方面而言，所使用的多官能單體的分子量較佳為150～1000，更佳為200～700。另外，作為存在多個的聚合性基彼此的間隔（距離），較佳為以原子數計為1～15，更佳為6～10。於具有聚合性基的化合物中亦可含有相互作用性基。

作為具有聚合性基的化合物的較佳態樣，可列舉式（1）所表示的化合物。

[化4]

式（1）中，Q表示n價連結基，R^a 表示氫原子或甲基。n表示2以上的整數。

R^a 表示氫原子或甲基，較佳為氫原子。就進一步提升被鍍覆層與金屬配線的密接性的觀點而言，Q的價數n為2以上，較佳為2～6，更佳為2～5，進而佳為2～4。作為Q所表示的n價連結基，例如可列舉式（1A）所表示的基、式（1B）所表示的基、

[化5]

可列舉-NH-、-NR（R：表示烷基）-、-O-、-S-、羰基、伸烷基、伸烯基、伸炔基、伸環烷基、芳香族基、雜環基、以及將該些組合兩種以上而成的基等。

作為式（1）所表示的化合物的較佳態樣，可列舉式（Y）所表示的化合物。

[化6]

式（Y）中，R¹ 分別獨立地表示氫原子或甲基。R² 分別獨立地表示碳數2～4的直鏈或分支的伸烷基。其中，於R² 中，不採取鍵結於R² 的兩端的氧原子與氮原子鍵結於R² 的同一碳原子的結構。R³ 分別獨立地表示二價連結基。k表示2或3。x、y及z分別獨立地表示0～6的整數，x+y+z滿足0～18。

R² 表示碳數2～4的直鏈或分支的伸烷基。多個R² 可相互相同，亦可不同。R² 較佳為碳數3～4的伸烷基，更佳為碳數3的伸烷基，進而佳為碳數3的直鏈伸烷基。R² 的伸烷基亦可進而具有取代基，作為該取代基，可列舉芳基、或烷氧基等。其中，於R² 中，不採取鍵結於R² 的兩端的氧原子與氮原子鍵結於R² 的同一碳原子的結構。R² 為連結氧原子與(甲基)丙烯醯胺基的氮原子的直鏈或分支的伸烷基，於該伸烷基採取分支結構的情況下，亦考慮採取兩端的氧原子與(甲基)丙烯醯胺基的氮原子鍵結於伸烷基中的同一碳原子的-O-C-N-結構（半胺縮醛（hemiaminal）結構）。但是，式（Y）所表示的化合物中不含此種結構的化合物。

作為R³ 的二價連結基，可列舉含有伸烷基、伸芳基、雜環基、以及該些的組合的基等，較佳為伸烷基。此外，於二價連結基含有伸烷基的情況下，該伸烷基中亦可更含有選自-O-、-S-、及NR^b -中的至少一種基。 R^b 表示氫原子或碳數1～4的烷基。

x、y及z分別獨立地表示0～6的整數，較佳為0～5的整數，更佳為0～3的整數。x+y+z滿足0～18，較佳為0～15，更佳為0～9。

此外，具有相互作用性基的化合物與具有聚合性基的化合物的質量比（具有相互作用性基的化合物的質量/具有聚合性基的化合物的質量）並無特別限定，就所形成的被鍍覆層的強度以及鍍覆適應性的平衡的方面而言，較佳為0.1～10，更佳為0.5～5。就可獲得顯示良好的透過性的被鍍覆層的方面而言，所述質量比較佳為0.5～1。

感光性層中的化合物X（或組成物Y）的含量並無特別限定，相對於感光性層總質量，較佳為50質量%以上，更佳為80質量%以上。上限並無特別限定，較佳為99.5質量%以下。

感光性層中亦可含有所述化合物X及所述組成物Y以外的成分。感光性層中亦可含有聚合起始劑。藉由含有聚合起始劑，更有效率地進行曝光處理時的聚合性基間的反應。聚合起始劑並無特別限定，可使用公知的聚合起始劑（所謂的光聚合起始劑）等。作為聚合起始劑的例子，可列舉：二苯甲酮類、苯乙酮類、α-胺基苯烷基酮類、安息香類、酮類、硫雜蒽酮類、苯偶醯類、苯偶醯縮酮類、肟酯類、蒽酮（anthrone）類、一硫化四甲基秋蘭姆類、雙醯基氧化膦類、醯基氧化膦類、蒽醌類、及偶氮化合物、以及該些的衍生物。感光性層中的聚合起始劑的含量並無特別限定，就被鍍覆層的硬化性的方面而言，相對於感光性層總質量，較佳為0.01質量%～1質量%，更佳為0.1質量%～0.5質量%。

感光性層中亦可含有其他添加劑（例如增感劑、硬化劑、聚合抑制劑、抗氧化劑、抗靜電劑、填料、粒子、阻燃劑、界面活性劑、潤滑劑、以及塑化劑等）。

感光性層的厚度並無特別限定，較佳為0.01 μm～20 μm，更佳為0.1 μm～10 μm，進而佳為0.1 μm～5 μm。所述感光性層的厚度為平均厚度，是測定感光性層的任意10點的厚度，並進行算術平均而得的值。

（步驟的程序）於基板上形成感光性層的方法並無特別限定，可列舉：將含有所述各種成分的組成物（被鍍覆層形成用組成物）塗佈於基板上而形成感光性層的方法（塗佈法）；以及將感光性層形成於臨時基板上，並轉印至基板上的方法（轉印法）等。其中，就容易控制厚度的方面而言，較佳為塗佈法。以下，對塗佈法的態樣進行詳細敘述。

塗佈法所使用的組成物中含有所述成分（例如化合物X或組成物Y）。此外，就操作性的方面而言，較佳為於組成物中含有溶劑。溶劑的種類並無特別限定，例如可列舉：水、醇系溶劑、酮系溶劑、醯胺系溶劑、腈系溶劑、酯系溶劑、碳酸酯系溶劑、醚系溶劑、二醇系溶劑、胺系溶劑、硫醇系溶劑、及鹵素系溶劑等。組成物中的溶劑的含量並無特別限定，相對於組成物總量，較佳為50質量%～98質量%，更佳為70質量%～95質量%。若為所述範圍內，則組成物的操作性優異，容易控制感光性層的層厚。

於塗佈法的情況下，將組成物塗佈於基板上的方法並無特別限定，可使用公知的方法（例如旋塗、模塗、浸塗等）。就組成物的操作性及感光性層的製造效率的方面而言，較佳為將組成物塗佈於基板上，視需要進行乾燥處理來去除殘存於塗膜的溶劑，從而形成感光性層的態樣。此外，乾燥處理的條件並無特別限定，就生產性更優異的方面而言，較佳為於室溫～220℃（較佳為50℃～120℃）下實施1分鐘～30分鐘（較佳為1分鐘～10分鐘）。

＜步驟B（被鍍覆層形成步驟B）＞步驟B是對感光性層以圖案狀進行曝光，對經曝光的感光性層實施顯影處理，而形成具有溝部的被鍍覆層的步驟。例如，於感光性層為負型感光性層的情況下（例如感光性層中含有所述化合物X或組成物Y的情況下），首先，如圖2所示，介隔具有規定的遮光部14的光罩，對感光性層12實施圖案曝光。其次，藉由對經曝光的感光性層實施顯影處理，而將未曝光部去除，從而如圖3所示，形成具有溝部16的被鍍覆層18。於圖3中，形成有2條溝部，但其數量並無特別限定。另外，以上對感光性層為負型感光性層的情況進行了敘述，但並不限定於該態樣。即，亦可使用正型感光性層作為感光性層。於使用正型感光性層的情況下，將曝光部去除，而形成具有溝部的被鍍覆層。

於如上所述形成溝部16時，位於遮光部14的緣部的正下方的感光性層的部分難以被曝光。結果，於圖3中，較被鍍覆層18的與基板10側為相反側的表面18a（被鍍覆層的上表面）中的硬化而言，溝部16的側壁面18b中的硬化更難進行。因此，若具有溝部16的被鍍覆層18與溶液接觸，則溝部16的側壁面18b部分的硬化度低，因此於溝部16的側壁面18b部分更容易發生膨潤。另外，於感光性層含有如上所述的組成物Y的情況下，於溝部16的側壁面18b部分難以進行具有聚合性基的化合物的聚合。因此，若實施顯影處理，則源自具有聚合性基的化合物的成分進一步溶出，具有相互作用性基的化合物的濃度進一步提高。即，溝部16的側壁面18b中的相互作用性基的濃度變得更高於被鍍覆層18的表面18a中的相互作用性基的濃度。若產生如上所述的現象，則於將鍍覆觸媒或其前驅物賦予至具有溝部的被鍍覆層時，鍍覆觸媒或其前驅物優先吸附於溝部16的側壁面18b部分。即，吸附於溝部16的側壁面18b的鍍覆觸媒或其前驅物的量變得更多於吸附於被鍍覆層18的表面18a的鍍覆觸媒或其前驅物的量。因此，若對此種被鍍覆層實施鍍覆處理，則於溝部內鍍覆優先析出，結果，以填埋溝部內的方式而形成金屬配線。

以下，首先對曝光處理的方法進行詳細敘述，然後，對顯影處理進行詳細敘述。

曝光處理（光照射處理）中，根據所使用的感光性層的材料來實施最佳波長的光下的曝光。例如，實施利用紫外線、及可見光線等進行的光照射。作為光源，例如可列舉：水銀燈、金屬鹵化物燈、氙燈、化學燈及碳弧燈等。另外，亦能夠使用電子束、X射線、離子束及遠紅外線等。作為曝光時間，根據感光性層的材料的反應性及光源而不同，通常為10秒～5小時之間。作為曝光能量，只要為10 mJ～10000 mJ左右即可，較佳為2000 mJ～10000 mJ。

此外，以圖案狀實施所述曝光的方法並無特別限定，可採用公知的方法。例如，只要介隔具有規定的開口部（開口圖案）的光罩對感光性層照射光即可。所使用的光罩的態樣並無特別限定，於感光性層為負型感光性層的情況下，較佳為使用遮光部的寬度為10 μm以下的光罩。所述遮光部的寬度較佳為5 μm以下，更佳為2 μm以下。下限並無特別限定，多為0.5 μm以上的情況。此外，所謂遮光部的寬度，例如是指圖2中示出的W、及圖4中示出的W。於曝光時，較佳為於使光罩密接於感光性層（較佳為負型感光性層）的狀態下進行曝光。若於光罩位於離開感光性層表面的位置的狀態下進行曝光，則因折射光的擴展，從而所形成的溝容易變淺，結果金屬配線的電阻容易升高。

另外，光罩中的遮光部的形狀亦無特別限定，可根據溝部的圖案而適宜地選擇。例如，於感光性層為負型感光性層且形成網格圖案狀的溝部的情況下，較佳為如圖4所示，遮光部14使用網格圖案狀的光罩。於網格圖案狀的光罩的情況下，網格圖案內的格子20（開口部）的一邊的長度L較佳為800 μm以下，更佳為600 μm以下，且較佳為20 μm以上，更佳為40 μm以上。此外，格子的形狀並無特別限定，可設為大致菱形的形狀，或多邊形狀（例如三角形、四邊形、六邊形）。另外，除了直線狀以外，格子的一邊的形狀亦可設為彎曲形狀，亦可設為圓弧狀。

感光性層為負型感光性層的情況下所使用的光罩（正型遮罩）中的遮光部的面積的比例並無特別限定，就可獲得更微細的金屬配線的方面而言，較佳為50%以下，更佳為30%以下。上限並無特別限定，多為2.5%以上的情況。此外，所述遮光部的面積的比例（%）可藉由{（遮光部的面積）/（遮光部的面積+開口部的面積）}×100而求出。

其次，對經曝光的感光性層實施顯影處理，而形成具有溝部的被鍍覆層。顯影處理的方法並無特別限定，可採用公知的方法。例如，於感光性層為負型感光性層的情況下，可列舉使溶解位於未曝光部的感光性層的溶劑與感光性層接觸的方法。更具體而言，可列舉將水用作顯影液的方法。於使用水將未曝光部去除的情況下，可列舉：將具有實施了曝光處理的感光性層的基板浸漬於水中的方法（浸漬法）、於感光性層上塗佈水的方法（塗佈法）、及將水噴霧至感光性層上的方法（噴霧法）等，較佳為噴霧法。於噴霧法的情況下，就生產性及作業性等方面而言，噴霧時間較佳為1分鐘～30分鐘左右。此外，以上列舉水作為顯影液，但並不限定於該態樣，亦可使用其他顯影液（例如鹼性溶液）等。

藉由所述處理，可獲得具有基板及配置於基板上的、具有溝部且具有相互作用性基的被鍍覆層的帶被鍍覆層基板。溝部的寬度並無特別限定，就可形成更微細的金屬配線的方面而言，較佳為10 μm以下，更佳為5 μm以下，進而佳為2 μm以下。下限並無特別限定，多為0.001 μm以上的情況。溝部的深度並無特別限定，較佳為被鍍覆層的厚度的1/10以上，更佳為與被鍍覆層的厚度相同。即，較佳為以基板表面露出的方式於被鍍覆層中形成溝部。溝部的圖案形狀並無特別限定。例如，如上所述，於遮光部使用網格圖案狀的光罩的情況下，可形成網格狀的溝部。

＜步驟C（鍍覆觸媒賦予步驟C）＞步驟C是將鍍覆觸媒或其前驅物賦予至所述步驟B中所獲得的具有溝部的被鍍覆層的步驟。被鍍覆層中所含的相互作用性基根據其功能而附著（吸附）所賦予的鍍覆觸媒或其前驅物。此外，如上所述，藉由實施本步驟，相較於被鍍覆層的表面，更多的鍍覆觸媒或其前驅物被賦予至溝部的側壁面。

鍍覆觸媒或其前驅物作為鍍覆處理的觸媒及電極而發揮功能。因此，根據鍍覆處理的種類來適宜地決定所使用的鍍覆觸媒或其前驅物的種類。此外，作為鍍覆觸媒或其前驅物，較佳為無電解鍍覆觸媒或其前驅物。以下，主要對無電解鍍覆觸媒或其前驅物等進行詳細敘述。

無電解鍍覆觸媒只要成為無電解鍍覆時的活性核則並無特別限定。具體而言，可列舉具有自觸媒還原反應的觸媒能力的金屬（例如作為可進行離子化傾向低於Ni的無電解鍍覆的金屬而已知者）等。更具體而言，可列舉：鈀（Pd）、銀（Ag）、銅（Cu）、鉑（Pt）、金（Au）、及鈷（Co）等。其中，就觸媒能力的高低而言，較佳為銀（Ag）、鈀（Pd）、鉑（Pt）或銅（Cu）。作為該無電解鍍覆觸媒，亦可使用金屬膠體。所謂無電解鍍覆觸媒前驅物，只要為藉由化學反應而可成為無電解鍍覆觸媒者，則並無特別限定，可使用作為所述無電解鍍覆觸媒而列舉的金屬的離子。作為無電解鍍覆觸媒前驅物的金屬離子藉由還原反應而成為作為無電解鍍覆觸媒的0價金屬。作為無電解鍍覆觸媒前驅物的金屬離子亦可於被賦予至被鍍覆層後、浸漬於無電解鍍覆浴之前，另行藉由還原反應而變化為0價金屬來作為無電解鍍覆觸媒。另外，亦可於保持無電解鍍覆觸媒前驅物的狀態下浸漬於無電解鍍覆浴，並藉由無電解鍍覆浴中的還原劑而變化為金屬（無電解鍍覆觸媒）。此外，作為鍍覆觸媒或其前驅物而使用的金屬、與藉由後述的鍍覆處理而析出的金屬較佳為其種類不同。

作為無電解鍍覆觸媒前驅物的金屬離子較佳為使用金屬鹽而賦予至被鍍覆層。作為金屬鹽，只要為溶解於適當的溶劑中而解離為金屬離子與鹼（陰離子）者則並無特別限定，例如可列舉：M(NO₃ )_n 、MCl_n 、M_2/n (SO₄ )、以及M_3/n (PO₄ )（M表示n價金屬原子）等。作為金屬離子，可較佳地使用所述金屬鹽解離而成者。例如可列舉：銀（Ag）離子、銅（Cu）離子、鎳（Ni）離子、鈷（Co）離子、鉑（Pt）離子、及鈀（Pd）離子。其中，較佳為能進行多牙配位的金屬離子，尤其就能進行配位的官能基的種類數及觸媒能力的方面而言，更佳為銀（Ag）離子、鈀（Pd）離子、或銅（Cu）離子。於本步驟中，作為用以不進行無電解鍍覆而是直接進行電鍍的觸媒，可使用0價金屬。

作為將鍍覆觸媒或其前驅物賦予至被鍍覆層的方法，例如可列舉：製備將鍍覆觸媒或其前驅物分散或溶解於適當的溶劑中而成的觸媒賦予溶液，並將所述溶液塗佈於被鍍覆層上的方法；或者將具有被鍍覆層的基板浸漬於所述溶液中的方法。作為所述溶劑，可列舉水或有機溶劑。所述觸媒賦予溶液的pH並無特別限定，較佳為酸性，更佳為1～5。

觸媒賦予溶液中的鍍覆觸媒或其前驅物的濃度並無特別限定，較佳為0.001質量%～50質量%，更佳為0.005質量%～30質量%。另外，作為被鍍覆層與觸媒賦予溶液的接觸時間，較佳為30秒～24小時左右，更佳為1分鐘～1小時左右。

關於被鍍覆層的鍍覆觸媒或其前驅物的吸附量，根據使用的鍍覆浴種、觸媒金屬種、被鍍覆層的相互作用性基種、及使用方法等而不同，就鍍覆的析出性的方面而言，較佳為5 mg/m² ～1000 mg/m² ，更佳為10 mg/m² ～800 mg/m² ，進而佳為20 mg/m² ～600 mg/m² 。

＜步驟D（鍍覆處理步驟）＞步驟D是對賦予有鍍覆觸媒或其前驅物的被鍍覆層進行鍍覆處理，以填埋溝部的方式形成金屬配線的步驟。藉由實施本步驟，而以填埋圖3的溝部16的方式形成圖5所示的金屬配線22。

鍍覆處理的方法並無特別限定，例如可列舉無電解鍍覆處理、或者電解鍍覆處理（電鍍處理）。本步驟中，可單獨實施無電解鍍覆處理，亦可於實施無電解鍍覆處理後進而實施電解鍍覆處理。以下，對無電解鍍覆處理、以及電解鍍覆處理的程序進行詳細敘述。

電解鍍覆處理是使用溶解有欲以鍍覆的方式析出的金屬離子的溶液，藉由化學反應而使金屬析出的處理。無電解鍍覆例如較佳為藉由以下方式來進行：於對具有賦予有無電解鍍覆觸媒的被鍍覆層的基板進行水洗而去除多餘的無電解鍍覆觸媒（金屬）後，將經水洗的基板浸漬於無電解鍍覆浴中。作為所使用的無電解鍍覆浴，可使用公知的無電解鍍覆浴。另外，於在無電解鍍覆觸媒前驅物吸附或含浸於被鍍覆層的狀態下，將具有賦予有無電解鍍覆觸媒前驅物的被鍍覆層的基板浸漬於無電解鍍覆浴中的情況下，較佳為對基板進行水洗而去除多餘的無電解鍍覆觸媒前驅物（金屬鹽等）後，將經水洗的基板浸漬於無電解鍍覆浴中。於該情況下，於無電解鍍覆浴中，進行無電解鍍覆觸媒前驅物的還原，緊接著進行無電解鍍覆。作為此處所使用的無電解鍍覆浴，亦可與所述同樣地使用公知的無電解鍍覆浴。此外，無電解鍍覆觸媒前驅物的還原亦能夠與使用所述般的無電解鍍覆液的態樣不同，準備觸媒活性化液（還原液）而作為無電解鍍覆前的另一步驟而進行。

通常的無電解鍍覆浴中，除了溶劑（例如水）以外，主要含有1.鍍覆用的金屬離子、2.還原劑、3.提升金屬離子的穩定性的添加劑（穩定劑）。除該些以外，亦可於該鍍覆浴中含有鍍覆浴的穩定劑等公知的添加劑。作為無電解鍍覆浴中所使用的有機溶劑，較佳為能於水的溶劑，更佳為丙酮等酮類、以及甲醇、乙醇及異丙醇等醇類。作為無電解鍍覆浴中所使用的金屬的種類，可列舉銅、錫、鉛、鎳、金、銀、鈀及銠，其中，就金屬配線的導電性更優異的方面而言，較佳為銅、銀或金，更佳為銅。此外，根據所述金屬而選擇最佳的還原劑及添加劑。作為於無電解鍍覆浴中的浸漬時間，較佳為1分鐘～6小時左右，更佳為1分鐘～3小時左右。

於賦予至被鍍覆層的鍍覆觸媒或其前驅物具有作為電極的功能的情況下，可對賦予有所述觸媒或其前驅物的被鍍覆層進行電解鍍覆。此外，如上所述，於本步驟中，可於所述無電解鍍覆處理之後，視需要進行電解鍍覆處理。於此種態樣中，可適宜地調整所形成的金屬配線的厚度。作為電解鍍覆的方法，可列舉現有公知的方法。此外，作為電解鍍覆中所使用的金屬，可列舉：銅、鉻、鉛、鎳、金、銀、錫及鋅等，就金屬配線的導電性更優異的方面而言，較佳為銅、金或銀，更佳為銅。

＜含有金屬配線的積層體＞藉由所述方法，可獲得具有：基板；配置於基板上的、具有溝部且具有與鍍覆觸媒或其前驅物進行相互作用的官能基的被鍍覆層；及以填埋被鍍覆層的溝部的方式配置的金屬配線的含有金屬配線的積層體（導電性膜）。於含有金屬配線的積層體的被鍍覆層的與基板側為相反側的表面分散有金屬。更具體而言，於圖5所示的被鍍覆層18的與基板10為相反側的表面18a上分散有金屬。作為該金屬，可列舉源自所述步驟C中賦予至被鍍覆層的鍍覆觸媒或其前驅物的金屬。分散於被鍍覆層的與基板側為相反側的表面的金屬與構成金屬配線的金屬較佳為種類不同。

此外，作為含有金屬配線的積層體的較佳態樣之一，可列舉如下態樣：於被鍍覆層的溝部的側壁面，分散有與分散於被鍍覆層的與基板側為相反側的表面的金屬為相同種類的金屬，且分散於被鍍覆層的溝部的側壁面的金屬的量多於分散於被鍍覆層的與基板側為相反側的表面的金屬的量。如上所述，於步驟C中所使用的被鍍覆層中，相較於其表面，鍍覆觸媒或其前驅物更容易吸附於溝部的側壁面。結果，產生如上所述的金屬的量的差異。

含有金屬配線的積層體中的金屬配線的寬度並無特別限定，就微細化的方面而言，較佳為10 μm以下，更佳為5 μm以下，進而佳為2 μm以下。下限並無特別限定，多為0.005 μm以上的情況。

＜用途＞含有金屬配線的積層體可應用於多種用途。例如可列舉：觸控面板（或者觸控面板感測器）、半導體晶片、各種電氣配線板、撓性印刷電路（Flexible Printed Circuits，FPC）、薄膜覆晶（Chip on Film，COF）、捲帶式自動接合（Tape Automated Bonding，TAB）、天線、多層配線基板、指紋認證裝置的指紋的檢測電極、及主機板（mother board）等多種用途。其中，較佳為用於觸控面板感測器（靜電電容式觸控面板感測器）。於將含有金屬配線的積層體應用於觸控面板感測器的情況下，含有金屬配線的積層體中的金屬配線作為觸控面板感測器中的檢測電極或引出配線而發揮功能。此外，於本說明書中，將使觸控面板感測器與各種顯示裝置（例如液晶顯示裝置、有機電致發光（Electro-Luminescence，EL）顯示裝置）組合而成者稱為觸控面板。作為觸控面板，可較佳地列舉所謂的靜電電容式觸控面板。 [實施例]

以下，基於實施例來對本發明進一步進行詳細說明。以下的實施例中所示的材料、使用量、比例、處理內容、及處理程序等只要不脫離本發明的主旨則可適宜地進行變更。因此，本發明的範圍不應受到以下所示的實施例限定性地解釋。

＜實施例1＞（被鍍覆層形成用組成物的製備）於異丙醇中，以6：4的固體成分質量比添加聚丙烯酸（黏度為8000 cp～12000 cp（此外，1 cp=1 mPa·s）、重量平均分子量為37萬、和光純藥工業股份有限公司製造）、及下述結構的四官能丙烯醯胺A（其中，構造式中的R為氫），製備溶液。接著，以相對於所述四官能丙烯醯胺A而含量成為5質量%的方式，將肟系聚合起始劑（豔佳固（irgacure）OXE02、日本巴斯夫（BASF Japan）公司製造）添加至所述溶液。繼而，於添加有肟系聚合起始劑的溶液中，以相對於組成物總質量而言的濃度成為0.02質量%的方式添加作為界面活性劑的W-AHE（富士軟片股份有限公司製造），從而製備被鍍覆層形成用組成物。

四官能丙烯醯胺A（參照以下結構式。R表示氫原子）

[化7]

於帶易接著層聚對苯二甲酸乙二酯（Poly Ethylene Terephthalate，PET）膜（東麗製造、露米勒（Lumirror）U48）的易接著層上，棒塗佈被鍍覆層形成用組成物。使塗佈有被鍍覆層形成用組成物的PET膜於80℃下乾燥2分鐘，而於PET膜上形成感光性層（厚度：約0.5 μm）。其次，於真空下，隔著遮罩寬度（遮光部的寬度；相當於圖4中的W）為0.9 μm的具有網格圖案的光罩，對感光性層實施紫外線（Ultraviolet，UV）照射（能量的量：7.5 J、14 mW、波長為254 nm）。藉由對經UV照射的感光性層進行水顯影而獲得具有網格圖案狀的溝部的被鍍覆層。此外，所述UV照射是於使光罩密接於感光性層的狀態下進行。

其次，對具有所獲得的被鍍覆層的PET膜進行水洗，然後，使該PET膜於30℃的Pd觸媒賦予液（R&H公司製造）中浸漬5分鐘。其次，對自Pd觸媒賦予液取出的PET膜進行水洗，然後，使該PET膜浸漬於30℃的金屬觸媒還原液（R&H公司製造）中。其次，再次對自金屬觸媒賦予液取出的PET膜進行水洗，然後，使該PET膜於30℃的銅鍍覆液（R&H公司製造）中浸漬15分鐘，製造以金屬配線填充於網格圖案狀的溝部的方式形成的含有金屬配線的積層體。

＜實施例2＞除了將光罩的遮罩寬度自0.9 μm變更為1.5 μm以外，依照與實施例1相同的程序來製造含有金屬配線的積層體。

＜實施例3＞除了將光罩的遮罩寬度自0.9 μm變更為2 μm以外，依照與實施例1相同的程序來製造含有金屬配線的積層體。

＜實施例4＞除了將光罩的遮罩寬度自0.9 μm變更為4 μm以外，依照與實施例1相同的程序來製造含有金屬配線的積層體。

此外，於藉由所述實施例1～實施例4而獲得的含有金屬配線的積層體的被鍍覆層的與基板側為相反側的表面分散有金屬Pd。此外，於藉由所述實施例1～實施例4而獲得的含有金屬配線的積層體的溝部的側壁面亦分散有金屬Pd。

＜評價＞（金屬濃度評價）拍攝所獲得的含有金屬配線的積層體中的金屬配線的剖面掃描式電子顯微鏡（Scanning Electron Microscope，SEM）照片，按照以下基準來對側壁面部與表面部的金屬Pd濃度進行評價。此外，較佳為「A」。「A」：側壁面部的金屬Pd濃度/表面部的金屬Pd濃度超過1 「B」：側壁面部的金屬Pd濃度/表面部的金屬Pd濃度為1以下

（電阻評價）藉由羅萊斯塔（LORESTA）MCP-T610（三菱分析技術（Mitsubishi Analytech））來對所獲得的含有金屬配線的積層體中的金屬配線的電阻值進行測定，按照以下基準來進行評價。實用上較佳為「A」。「A」：電阻值未滿100 Ω/□ 「B」：電阻值為100 Ω/□以上

（細線化評價）藉由SEM來觀察所獲得的含有金屬配線的積層體中的金屬配線的寬度，按照以下基準來進行評價。實用上較佳為「A」。「A」：金屬配線的寬度為遮罩寬度+0.1 μm以內的寬度的情況「B」：金屬配線的寬度為超過遮罩寬度+0.1 μm的寬度的情況

將所述結果匯總示於以下的表1中。

[表1]

如所述表1所示，根據本發明的製造方法，可效率良好地製造具有微細且電阻低的金屬配線的含有金屬配線的積層體。

10‧‧‧基板
12‧‧‧感光性層
14‧‧‧遮光部
16‧‧‧溝部
18‧‧‧被鍍覆層
18a‧‧‧表面
18b‧‧‧側壁面
20‧‧‧格子（開口部）
22‧‧‧金屬配線
L‧‧‧格子（開口部）的一邊的長度
W‧‧‧遮光部的寬度

圖1是表示本發明的製造方法的步驟A的態樣的剖面圖。圖2是表示本發明的製造方法的步驟B的曝光的態樣的剖面圖。圖3是經過本發明的製造方法的步驟B的顯影處理而獲得的帶被鍍覆層基板的剖面圖。圖4是表示光罩的一態樣的俯視圖。圖5是經過本發明的製造方法的步驟D而獲得的含有金屬配線的積層體的剖面圖。

10‧‧‧基板

18‧‧‧被鍍覆層

18a‧‧‧表面

18b‧‧‧側壁面

22‧‧‧金屬配線

Claims

一種含有金屬配線的積層體的製造方法，其包括：於基板上形成具有與鍍覆觸媒或其前驅物進行相互作用的官能基的感光性層的步驟；對所述感光性層以圖案狀進行曝光，對經曝光的所述感光性層實施顯影處理，而形成具有溝部的被鍍覆層的步驟；將鍍覆觸媒或其前驅物賦予至所述被鍍覆層的步驟；以及對賦予有鍍覆觸媒或其前驅物的所述被鍍覆層進行鍍覆處理，以填埋所述溝部的方式形成金屬配線的步驟。
如申請專利範圍第1項所述的含有金屬配線的積層體的製造方法，其中所述感光性層為負型感光性層，於所述曝光時，介隔遮光部的寬度為10 μm以下的光罩對所述感光性層進行曝光。
如申請專利範圍第1項或第2項所述的含有金屬配線的積層體的製造方法，其中所述感光性層含有具有與鍍覆觸媒或其前驅物進行相互作用的官能基的化合物、及具有聚合性基的化合物。
一種含有金屬配線的積層體，其具有：基板；配置於所述基板上的、具有溝部且具有與鍍覆觸媒或其前驅物進行相互作用的官能基的被鍍覆層；及以填埋所述被鍍覆層的所述溝部的方式配置的金屬配線，且於所述被鍍覆層的與所述基板側為相反側的表面分散有金屬。
如申請專利範圍第4項所述的含有金屬配線的積層體，其中於所述被鍍覆層的所述溝部的側壁面，分散有與分散於所述被鍍覆層的與所述基板側為相反側的表面的所述金屬為相同種類的金屬，且分散於所述被鍍覆層的所述溝部的側壁面的所述金屬的量多於分散於所述被鍍覆層的與所述基板側為相反側的表面的所述金屬的量。
一種帶被鍍覆層基板，其具有：基板；及配置於所述基板上的、具有溝部且具有與鍍覆觸媒或其前驅物進行相互作用的官能基的被鍍覆層。