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TW201730262A - 高耐熱性光阻組成物及使用其之圖案形成方法 - Google Patents

高耐熱性光阻組成物及使用其之圖案形成方法 Download PDF

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TW201730262A
TW201730262A TW105137427A TW105137427A TW201730262A TW 201730262 A TW201730262 A TW 201730262A TW 105137427 A TW105137427 A TW 105137427A TW 105137427 A TW105137427 A TW 105137427A TW 201730262 A TW201730262 A TW 201730262A
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photoresist composition
type photoresist
amplified negative
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仁川裕
片山朋英
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Ａｚ電子材料盧森堡有限公司
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Abstract

本發明提供一種高耐熱性光阻組成物及使用其之圖案形成方法。藉由使用本發明之包含特定的聚合物及交聯劑等而成之化學增幅型負型光阻組成物，可形成為高感度，且具有優異的解析性及耐熱性之光阻圖案。

Description

高耐熱性光阻組成物及使用其之圖案形成方法
本發明係關於一種在半導體製造程序中使用的高耐熱性光阻組成物，更詳細而言，關於一種使用作為曝光源之300nm以下的遠紫外線，例如，使用KrF準分子雷射光(248nm)等，形成高解析圖案之際的高耐熱性光阻組成物及使用期之圖案形成方法。
在以LSI等之半導體積體電路、或FPD的顯示面之製造、彩色濾光片、熱能頭等之電路基板的製造等為例的寬廣領域中，為了進行細微元件之形成或細微加工，以往是利用光微影技術。在光微影法中，為了形成光阻圖案而使用正型或負型的感光性樹脂組成物(光阻)。
光阻之耐熱性，在光微影程序中為重要的性質，需要高耐熱性。包含聚醯亞胺的光阻具有高耐熱性，包含聚醯亞胺或聚醯亞胺前驅物的光阻係作為i射線負光阻使用。然而，作為可達成高解析的對應KrF曝光的光阻，使用聚醯亞胺係為困難，需要對應KrF曝光的高耐熱性光阻。
作為具有高耐熱性之對應KrF曝光的光阻，例如，有在專利文獻1及專利文獻2記載的光阻為高耐熱性之記載，表現出直到130~150℃左右的耐熱性，但關於其以上的溫度的耐熱性並沒有表現出來。與聚醯亞胺之耐熱性比較時，有改良的餘地。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開1999-190904號公報
[專利文獻2]日本特開2001-081137號公報
本發明為了解決上述的技術課題，提供一種高耐熱性光阻組成物及使用其之圖案形成方法。
本發明之化學增幅型負型光阻組成物，其特徵為包含(I)含有以下的通式(Ia)所示之重複單元而成的聚合物、(II)以下的通式(IIa)、或通式(IIb)所示之交聯劑、(III)酸產生劑、及(IV)溶劑而成。
(式中，A為氫或碳數1~3的烴基，B表示碳數1~5的烴基，x為0以上的整數，y為1以上的整數，而且，x+y≦5)
(式中，n為1以上的整數，R1為碳數1~15之非取代或取代的烴基，R2為氫、羥基、碳數1~15之非取代或取代的烴基)
(式中，l及m為表示聚合比的數，m非0，各重複單元可無規地鍵結，亦可形成嵌段，C及D各自獨立地為氫或碳數1~3的烴基，E及F各自獨立地表示碳數1~5的烴基，R3表示氫、或碳數1~4的烴基，p為0以上的整數，q及s為1以上的整數，r為0以上4以下的整數，p+q≦5，且r+s≦4)
又，本發明之負型圖案形成方法，其特徵為包含以下的步驟而成：(1)在基板塗布本發明之化學增幅型負型光阻組成物，形成組成物層的步驟、(2)將該組成物層進行預備加熱的步驟、(3)在該預備加熱後，將以組成物層被覆之基板進行曝光的步驟、(4)在該曝光後，進行曝光後加熱的步驟、及(5)在該曝光後加熱後，以鹼水溶液進行顯影的步驟。
藉由使用本發明之化學增幅型負型光阻組成物，可形成為高感度，且具有優異的解析性及耐熱性之光阻圖案。具體而言，形成的圖案具有100~300nm的解析性，圖案形成後，在350℃經過60秒後也仍可維持圖案形狀。再者，可抑制在圖案形成時於光阻組成物層產生之駐波所導致的圖案寬度之變動。
[實施發明之形態]
關於本發明的實施形態，詳細說明如下。
[化學增幅型負型光阻組成物]
本發明之化學增幅型負型光阻組成物(以下有時簡稱為組成物)為包含聚合物、交聯劑、酸產生劑、及溶劑而成者。關於該組成物所含之各成分，說明如下。
(I)聚合物
本發明之組成物為含有包含以下的通式(Ia)所示之重複單元而成的聚合物而成者。
在此，A為氫或碳數1~3的烴基。具體而言，A為選自於包含氫、甲基、乙基、正丙基、及異丙基的群組者，較佳為氫。
B為碳數1~5的烴基。具體而言，為選自於包含碳數1~5之烷基、環烷基、及烯基的群組者。
x為0以上的整數，y為1以上的整數，而且，x+y≦5。
該聚合物，可為上述式(Ia)所示之作為單一的重複單元包含之均聚合物，亦可為包含式(Ia)所示之重複單元2種以上的共聚合物。又，該聚合物，亦可為包含式(Ia)以外之重複單元的共聚合物。該共聚合物包含式(Ia) 以外之重複單元時，其它的重複單元，並沒有特別限定，但較佳為自苯乙烯衍生的重複單元。
例如，前述聚合物，較佳為以下的通式(Ib)所示者。
在此，G及H各自獨立地為氫或碳數1~3的烴基。具體而言，為選自於包含氫、甲基、乙基、正丙基、及異丙基的群組者，較佳為氫。
t為0以上的整數，u為1以上的整數，t+u≦5。在此，較佳為t=0，且u=1。
I及J各自獨立地為碳數1~5的烴基。具體而言，為選自於包含碳數1~5之烷基、環烷基、及烯基的群組者。
v為0以上5以下的整數，較佳為0。
各重複單元可無規地鍵結，亦可形成嵌段。
又，x及y為表示聚合度的數，x非0。又，聚合比x：y，較佳為30：70~100：0，更佳為87：13~100：0。又，以提高對鹼性溶液之溶解性為理由，較佳為y=0時。
再者，在本發明使用的聚合物，只要不損及本發明的效果，亦可包含上述以外之重複單元，例如，包含各種的取代基之重複單元。
又，在本發明使用的上述聚合物之質量平均分子量，可因應目的而任意的選擇，一般較佳為3,000~30,000，更佳為5,000~20,000。再者，在本發明中，質量平均分子量意指聚苯乙烯換算質量平均分子量。
作為較佳的例，可舉出例如具有以下的結構之聚合物，但並沒有限定於此。
該聚合物，亦可為包含通式(Ib)所示之聚合物2種以上的混合物。例如，亦可在上述(Ib-1)所示之均 聚合物或其均聚合物混合(Ib-2)所示之聚合物。從DUV透過性之觀點來說，較佳為使用如前述的聚合物之混合物時。
(II)交聯劑
本發明的組成物為包含特定的交聯劑而成者。
在本發明使用的交聯劑之一種為以下的通式(IIa)所示者。
在此，R1為碳數1~15之非取代或取代的烴基，R2為氫、羥基、碳數1~15之非取代或取代的烴基。
在本發明中，未包含R1為氫的情況。R1及R2均為氫時，該化合物有變得容易分解的傾向，但在本發明中未使用此類交聯劑。因此，根據本發明，因為在高熱環境下也可維持圖案的形狀，所以可形成高耐熱性的圖案。
在通式(IIa)中，R1及R2為烴基時，較佳為選自於包含烷基、環烷基、芳基、烷芳基、及芳烷基的群組者。該等之烴基，亦可藉由羥基、羧基、烷氧基、醯基、胺基等進行取代。
較佳的是前述通式(IIa)的R1及R2之至少一個 為芳基。作為芳基，可舉出例如苯基、甲苯基、萘基、及蒽基等。
更佳為R1及R2之至少一個為萘基。具有萘基時，難以受到駐波之影響，且圖案之剖面變得接近垂直。
又，n為1以上的整數，但n較佳為1以上10以下，更佳為1以上3以下。
前述式(IIa)所示之交聯劑的質量平均分子量為300~2,000，較佳為400~1,500，特佳為450~1,000。又，前述式(IIb)所示之交聯劑的質量平均分子量為500~10,000，較佳為500~5,000，特佳為500~2,000。
作為通式(IIa)所示之交聯劑，可舉出例如下述式所示之(1-Bis[2,6-bis methoxymethyl(4-hydroxyphenyl)methyl]benzene)。
又，就通式(IIa)所示之交聯劑而言，作為具有萘基者之例，有下述式所示之1-Bis[2,6-bis methoxymethyl(4-hydroxyphenyl)methyl]naphthalene。
式中，n為1~3的整數，平均分子量為500~800。
在本發明使用的交聯劑之一種為以下的通式(IIb)所示者。
C及D各自獨立地為氫或碳數1~3的烴基。具體而言，C及D各自獨立地為選自於包含氫、甲基、乙基、正丙基、及異丙基的群組者。該等之中，較佳為氫。
E及F各自獨立地為碳數1~5的烴基。具體而言，為選自於包含碳數1~5之烷基、環烷基、及烯基的群組者。
R3為氫、或碳數1~4的烴基，較佳為選自於包含甲 基、乙基、異丙基、三級丁基的群組者。R3，較佳為甲基。
p為0以上的整數。q及s為1以上的整數，各自的重複單元係苯基之至少一個氫可取代為羥基。r為0以上4以下的整數。再者，p+q≦5，且r+s≦4。
又，l及m為表示各重複單元之聚合度的數。在此，m非0，該交聯劑為必包含-CH2OR3所示之烷氧甲基者。在此，各重複單元可無規地鍵結，亦可形成嵌段。
通式(IIb)所示之交聯劑，其特徵為具有甲氧甲基等之烷氧甲基，就該方面來說，與前述(I)的聚合物不同。再者，在本發明中，用語「烷氧甲基」中，包含對應於R3為氫時之羥甲基。該烷氧甲基，在使用組成物形成圖案之過程的交聯反應中為發揮與聚合物的交聯部之重要的作用者。
前述式(IIb)所示之交聯劑的質量平均分子量，一般為500~10,000，較佳為500~5,000，特佳為500~2,000。
前述式(IIa)或(IIb)所示之交聯劑所示的交聯劑，可為聚合度不同者之混合物，亦可為包含不同之結構者的混合物。具體而言，以式(IIa)所示，但可使用將重量平均分子量之不同者多個混合者、或式(IIa)所示之交聯劑與式(IIb)所示之交聯劑的混合物等。
本發明之組成物所含的前述式(IIa)或(IIb)所示之交聯劑的含有比率，相對於該(I)的聚合物100質量份，一般而言，為2~60質量份的範圍，較佳為5~30質量 份的範圍，更佳為6~15質量份的範圍。
前述交聯劑，因應結構而顯示種種的玻璃轉化溫度，但在本發明使用之交聯劑，較佳為具有150℃~250℃的範圍之玻璃轉化溫度。藉由使交聯劑的玻璃轉化溫度在該範圍，有容易溶於丙二醇單甲醚乙酸酯等之溶媒的優點。
又，本發明之組成物，較佳為前述交聯劑具有特定的熱分解溫度。此時，自其組成物得到的圖案成為具有優異的耐熱性者。具體而言，加熱該交聯劑，自室溫以升溫速度20℃/分鐘進行升溫時，作為重量成為零時之溫度的熱分解溫度，較佳為350~700℃。
(III)酸產生劑
在本發明使用的酸產生劑，可任意地選自於以往已知者。作為酸產生劑的具體例，可舉出鎓鹽化合物、交聯性鎓鹽化合物、碸馬來醯亞胺衍生物、及二磺醯基重氮甲烷化合物等。
作為鎓鹽化合物的具體例，可舉出例如，二苯基錪六氟磷酸鹽、二苯基錪三氟甲烷磺酸鹽、二苯基錪九氟正丁烷磺酸鹽、二苯基錪全氟正辛烷磺酸鹽、二苯基錪樟腦磺酸鹽、雙(4-三級丁基苯基)錪樟腦磺酸鹽及雙(4-三級丁基苯基)錪三氟甲烷磺酸鹽等之錪鹽化合物、及三苯基鋶六氟銻酸鹽、三苯基鋶九氟正丁烷磺酸鹽、三苯基鋶樟腦磺酸鹽及三苯基鋶三氟甲烷磺酸鹽等之鋶鹽化合物、及雙(4-羥苯基)(苯基)鋶三氟甲烷磺酸鹽、雙(4-羥苯基)(苯基)鋶-1,1,2,2,3,3,4,4,4-九氟丁烷-1-磺 酸鹽、苯基雙(4-(2-(乙烯氧基)乙氧基)苯基)鋶-1,1,2,2,3,3,4,4-八氟丁烷-1,4-二磺酸鹽、參(4-(2-(乙烯氧基)乙氧基)苯基)鋶-1,1,2,2,3,3,4,4-八氟丁烷-1,4-二磺酸鹽等之交聯性鎓鹽化合物，但並沒有限定於此等。
作為碸馬來醯亞胺衍生物的具體例，可舉出例如，N-(三氟甲烷磺醯氧基)琥珀醯亞胺、N-(九氟正丁烷磺醯氧基)琥珀醯亞胺、N-(樟腦磺醯氧基)琥珀醯亞胺及N-(三氟甲烷磺醯氧基)萘二甲醯亞胺等。
作為二磺醯基重氮甲烷化合物的具體例，可舉出例如，雙(三氟甲基磺醯基)重氮甲烷、雙(環己基磺醯基)重氮甲烷、雙(苯基磺醯基)重氮甲烷、雙(p-甲苯磺醯基)重氮甲烷、雙(2,4-二甲基苯磺醯基)重氮甲烷、及甲基磺醯基-p-甲苯磺醯基重氮甲烷。在本發明之組成物中，該等之酸產生劑，也可組合2種以上而使用。
酸產生劑的含量，相對於式(I)之聚合物的全質量，通常為1~50%的範圍，較佳為5~30%，更佳為10~30%。
(IV)溶劑
作為在本發明之組成物使用的溶劑，只要為可溶解前述之各成分的溶劑，則可自任意者選擇而使用。作為溶劑的具體例，可使用乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚、甲基賽路蘇乙酸酯、乙基賽路蘇乙酸酯、二乙二醇單甲醚、二乙二醇單乙醚、丙二醇、丙二醇單甲醚、丙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇丙醚乙酸酯、甲苯、二甲苯、甲基乙酮、環戊酮、環己酮、2-羥基丙酸乙酯、2-羥基-2- 甲基丙酸乙酯、乙氧基乙酸乙酯、羥基乙酸乙酯、2-羥基-3-甲基丁酸甲酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-甲氧基丙酸乙酯、3-乙氧基丙酸乙酯、3-乙氧基丙酸甲酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、乳酸乙酯、乳酸丁酯、N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、及N-甲基吡咯啶酮等。該等之溶劑，可單獨或以二種以上之組合使用。再者，可混合丙二醇單丁醚、丙二醇單丁醚乙酸酯等之高沸點溶劑而使用。
在本發明之組成物使用的溶劑，相對於組成物全體之質量為50~95%的範圍，較佳為70~90%，更佳為80~90%。
本發明之化學增幅型負型光阻組成物為將前述的(I)~(IV)當作為必要成分者，視需要，可進一步組合化合物。關於可進行該等之組合的材料，說明如下。再者，在組成物全體佔的(I)~(IV)以外之成分，相對於全體之重量，較佳為5%以下，更佳為2%以下。
作為進一步之化合物的例，可舉出例如，界面活性劑、酸、鹼等。該等之成分，應使用不會損及本發明之效果者。
界面活性劑，將組成物的均一性之維持、塗布性之改良等作為目的而使用。組成物的界面活性劑之含有率，為了將光阻的表面粗度之改良效果發揮至最大，將組成物之全質量作為基準，較佳定為50~100,000ppm，更佳為50~50,000ppm，最佳為50~20,000ppm。界面活性劑的含量過多時，因為有時引起顯影不良等之問題 ，所以需要注意。
酸或鹼，為了調整組成物之pH、改良各成分之溶解性而使用。又，鹼，可為了抑制利用曝光產生的酸之擴散距離而加入。藉由該擴散距離之控制，解析度提升，且可抑制曝光後之感度變化、減少基板或環境相依性。使用的酸或鹼，在不損及本發明的效果之範圍，可任意地選擇，可舉出例如，羧酸、胺類、銨鹽。該等中包含脂肪酸、芳香族羧酸、第1級胺、第2級胺、第3級胺、銨化合物類，該等亦可利用任意的取代基進行取代。更具體而言，可舉出甲酸、乙酸、丙酸、苯甲酸、鄰苯二甲酸、水楊酸、乳酸、蘋果酸、檸檬酸、草酸、丙二酸、琥珀酸、富馬酸、馬來酸、烏頭酸、戊二酸、己二酸、單乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、三異丙醇胺、四甲基銨等。
本發明之組成物，除此以外，亦可進一步包含殺菌劑、抗菌劑、防腐劑、及/或防黴劑。該等之藥劑係為了在細菌或菌類經時的組成物中防止繁殖而使用。該等之例中包含苯氧基乙醇、異噻唑啉酮等之醇。來自日本曹達股份有限公司於市面上販售的Best Side(商品名)為特別有效的防腐劑、防黴劑、及殺菌劑。典型而言，該等之藥劑為不會對組成物的性能造成影響者，將通常組成物的全質量作為基準時，為1%以下，較佳為0.1%以下，而且較佳為成為0.001%以下的含量。
[圖案形成方法]
接著，對於本發明之圖案的形成方法進行說明。當 舉出本發明之組成物應用之代表的圖案形成方法時，可舉出如以下的方法。
首先，在視需要進行前處理之矽基板、玻璃基板等之基板的表面，將本發明的化學增幅型負型光阻組成物，利用旋轉塗布法等以往公知的塗布法進行塗布，形成組成物層。在化學增幅型負型光阻組成物之塗布前，亦可於感光性樹脂組成物層之下層塗布形成抗反射膜，及/或也可於組成物層之上層塗布形成抗反射膜。
在基板上形成的組成物層，以熱板或加熱爐等進行稱為預烘烤的加熱，除去組成物層中的溶劑。預烘烤溫度，根據使用的基板或溶劑等而不同，例如，使用熱板時，加熱溫度，通常為20~200℃，較佳為50~150℃左右，加熱時間，通常為30~300秒鐘，較佳為30~120秒鐘。在預烘烤後，通常得到膜厚為通常300~800nm左右的光阻膜。
之後，使用高壓汞燈、金屬鹵素燈、超高壓汞燈、KrF準分子雷射、ArF準分子雷射、軟X射線照射裝置、電子線描畫裝置等公知之照射裝置，可視需要隔著遮罩對光阻膜進行曝光。
曝光過的基板係進行曝光後加熱(PEB)，促進交聯反應。作為加熱條件，例如，使用熱板時，加熱溫度為80~150℃，較佳為100~130℃，加熱時間為60~180秒鐘，較佳為60~120秒鐘。
之後，例如，以混拌顯影等之方法進行顯影，形成光阻圖案。光阻之顯影，通常使用鹼性顯影液進 行。作為鹼性顯影液，例如，使用氫氧化鈉、氫氧化四甲銨(TM AH)等之水溶液或水性溶液。顯影處理後，使用沖洗液進行光阻圖案之沖洗(清洗)。再者，形成的光阻圖案係作為蝕刻、電鍍、離子擴散、染色處理等之光阻使用，之後視需要進行剝離。
本發明之圖案形成方法，特別是相對於微細且寬高比之高的光阻圖案也為有效。在此，寬高比(aspect ratio)係為相對於光阻圖案之寬的高度之比。因此，本發明之圖案形成方法，較佳為組合如前述之可形成細微光阻圖案的微影步驟，亦即，使用KrF準分子雷射或ArF準分子雷射，甚至使用X射線、電子束等作為曝光光源之包含在250nm以下的曝光波長之曝光的微影步驟。再者，縱觀光阻圖案之圖案尺寸，線與間距‧圖案(line & space pattern)之線寬、或接觸孔‧圖案之孔徑為400nm以下，尤佳為包含形成200nm以下的光阻圖案之微影步驟。
使用諸例說明本發明如下。再者，本發明的態樣，並沒有限定於該等例。
[實施例101]
相對於100重量份之聚合物P1，以交聯劑C310重量份、酸產生劑A1(TG TP-H、商品名)0.375重量份、作為界面活性劑之MEGAFAC R-2011(商品名)0.06重量份的比率，溶解於丙二醇單甲醚乙酸酯。進一步攪拌後，以0.01μm的過濾器過濾，調整出實施例1的化學增幅型負型光阻組成物。
使用旋轉塗布機(東京威力科創股份有限公 司製)，將實施例1的組成物，預先塗布於實施六亞甲基二矽氮烷處理的矽晶圓，在120℃於熱板上乾燥60秒鐘，得到膜厚550nm的光阻膜。使用曝光裝置(Canon FPA-3000EX5)，以曝光波長=248nm、開口數NA=0.63的條件，隔著曝光遮罩(接觸孔250nm、C/H=1：3)曝光前述的光阻膜。曝光後，在熱板上於120℃加熱60秒鐘後，使用2.38質量%四甲基氫氧化銨水溶液，利用混拌法進行顯影30秒鐘。顯影後，進一步以純水清洗，進行乾燥，得到洞寬250nm的光阻圖案。
圖案形狀評價
利用電場放射型操作電子顯微鏡(S-5500(商品名)、Hitachi High-Technologies股份有限公司製)觀察圖案的剖面，將圖案形狀如以下而分類並評價。
A：具備適當的解析性(100-300nm，較佳為150-250nm)，無駐波之影響
B：圖案形成也有駐波之影響
C：沒有形成圖案
耐熱性評價
將形成的圖案，在熱板上於350℃加熱60秒鐘後，利用電場放射型操作電子顯微鏡(S-5500(商品名)、Hitachi High-Technologies股份有限公司製)觀察圖案的剖面，將圖案形狀如以下而分類並評價。
A：維持圖案形狀，膜厚減少小於10%
B：維持圖案形狀，膜厚減少為10%以上且小於20%
C：維持圖案形狀，膜厚減少為20%以上
D：沒有維持圖案形狀
[實施例102~104、比較例101、102]
相對於實施例101，將聚合物的種類及摻合比如表1所示進行變更，除此以外，係與實施例101同樣進行，實施實施例102~104、比較例101、102。得到的結果係如表1所示。
聚合物P1
聚合物P2
聚合物P3
交聯劑C3
酸產生劑A1
[實施例201、比較例201、202]
相對於實施例101，將交聯劑的種類如表2所示變更，除此以外，係同樣進行，實施比較例201、202及203。得到的結果係如表2所示。
交聯劑C1
交聯劑C2
交聯劑C4
[實施例301、302]
相對於實施例101，將交聯劑的種類如表3所示變更，除此以外，係同樣進行，實施實施例301、302。得到的結果係如表2所示。
[實施例401、402]
相對於實施例101，將酸產生劑的種類如表4所示變更，除此以外，係同樣進行，實施實施例401、402。得到的結果係如表2所示。
酸產生劑A2

Claims (13)

  1. 一種化學增幅型負型光阻組成物，其特徵為包含(I)含有以下的通式(Ia)所示之重複單元而成的聚合物、(II)以下的通式(IIa)、或通式(IIb)所示之交聯劑、(III)酸產生劑、及(IV)溶劑而成； (式中，A為氫或碳數1~3的烴基，B表示碳數1~5的烴基，x為0以上的整數，y為1以上的整數，而且，x+y≦5)； (式中，n為1以上的整數，R1為碳數1~15之非取代或取代的烴基， R2為氫、羥基、碳數1~15之非取代或取代的烴基)； (式中，l及m為表示聚合比的數，m非0，各重複單元可無規地鍵結，亦可形成嵌段，C及D各自獨立地為氫或碳數1~3的烴基，E及F各自獨立地表示碳數1~5的烴基，R3表示氫、或碳數1~4的烴基，p為0以上的整數，q及s為1以上的整數，r為0以上4以下的整數，p+q≦5，且r+s≦4)。
  2. 如請求項1之化學增幅型負型光阻組成物，其中該聚合物為以下的通式(Ib)所示者； (式中，x及y為表示聚合比的數，x非0，各重複單元可無規地鍵結，亦可形成嵌段，G及H各自獨立地為氫或碳數1~3的烴基，I及J各自獨立地表示碳數1~5的烴基，t為0以上的整數，u為1以上的整數，v為0以上5以下的整數，而且，t+u≦5)。
  3. 如請求項2之化學增幅型負型光阻組成物，其中該通式(Ib)所示之聚合物中，聚合比x：y為87：13~100：0。
  4. 如請求項2或3之化學增幅型負型光阻組成物，其中該通式(Ib)所示之聚合物中，聚合比y為0。
  5. 如請求項1至4中任一項之化學增幅型負型光阻組成物，其中該交聯劑之比率係相對於該(I)的聚合物100質量份而為5~30質量份的範圍。
  6. 如請求項1至5中任一項之化學增幅型負型光阻組成物，其中該R1及R2中之至少一個為芳基。
  7. 如請求項1至6中任一項之化學增幅型負型光阻組成物，其中該R1及R2中之至少一個為萘基。
  8. 如請求項1至7中任一項之化學增幅型負型光阻組成物，其中該n為1以上3以下。
  9. 如請求項1至8中任一項之化學增幅型負型光阻組成物，其中該通式(IIa)所示之交聯劑的質量平均分子量為300~2,000。
  10. 如請求項1至7中任一項之化學增幅型負型光阻組成物，其中該通式(IIb)所示之交聯劑的質量平均分子量 為500~10,000。
  11. 如請求項1至10中任一項之化學增幅型負型光阻組成物，其中該交聯劑的玻璃轉化溫度為150℃~250℃的範圍。
  12. 如請求項1至11中任一項之化學增幅型負型光阻組成物，其中在加熱該交聯劑，自室溫以升溫速度20℃/分鐘進行升溫時，作為重量成為零時之溫度的熱分解溫度為350~700℃。
  13. 一種負型圖案之形成方法，其特徵為包含以下的步驟而成：(1)在基板塗布如請求項1至12中任一項之化學增幅型負型光阻組成物，形成組成物層的步驟；(2)將該組成物層進行預備加熱的步驟；(3)在該預備加熱後，將以組成物層被覆之基板進行曝光的步驟；(4)在該曝光後，進行曝光後加熱的步驟；及(5)在該曝光後加熱後，以鹼水溶液進行顯影的步驟。
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