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TW201737408A - 被加工物之處理裝置 - Google Patents

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TW201737408A
TW201737408A TW106109309A TW106109309A TW201737408A TW 201737408 A TW201737408 A TW 201737408A TW 106109309 A TW106109309 A TW 106109309A TW 106109309 A TW106109309 A TW 106109309A TW 201737408 A TW201737408 A TW 201737408A
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TW106109309A
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TWI740914B (zh
Inventor
小岩真悟
Original Assignee
東京威力科創股份有限公司
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Abstract

本發明係處理裝置具備具有靜電吸盤及冷卻台之載置台。於靜電吸盤與冷卻台之間設置有複數個熱傳遞空間。複數個熱傳遞空間係相對於靜電吸盤之中心軸線同心狀地設置，且相互分離。處理裝置更具備配管系統。配管系統係構成為將複數個熱傳遞空間之各者選擇性地連接於冷卻單元、熱傳遞氣體之來源、及排氣裝置。

Description

被加工物之處理裝置
本發明之實施形態係關於一種用以於腔室內處理被加工物之處理裝置者。
於半導體器件等電子器件之製造中，使用處理裝置。處理裝置一般具備腔室本體、載置台、及氣體供給部。載置台係設置於腔室本體內。載置台具有於其上載置被加工物之本體部、及於其內部形成有冷媒用之流路的冷卻台。本體部係設置於冷卻台上。又，本體部內置有加熱器。氣體供給部係將被加工物之處理用之氣體供給至腔室本體內。 於使用此種處理裝置之被加工物之處理中，有時將被加工物之溫度設定為例如超過200℃之高溫。因此，於日本專利第5482282號中，提出有具有提昇冷卻台與本體部之間之隔熱性之結構的載置台。 日本專利第5482282號中記載之載置台係不僅具備冷卻台及本體部，而且具備複數個隔熱材料。複數個隔熱材料係設置於冷卻台與本體部之間。因此，於日本專利第5482282號所記載之載置台中，於冷卻台與本體部之間，介置有複數個隔熱材料、及位於複數個隔熱材料之間之空間。藉此，可將本體部之溫度設定為高溫。
且說，載置台中存在於冷卻台上具備靜電吸盤者。冷卻台與靜電吸盤一般經由接著劑而接合。對於此種載置台，要求將靜電吸盤之溫度之分佈相對於該靜電吸盤之中心軸線於徑向上進行調整。因此，通常於靜電吸盤之內部同心狀地設置複數個加熱器。 上述載置台係可對靜電吸盤設定之溫度之範圍較窄。又，可設定之靜電吸盤之升溫速率之範圍、及可設定之靜電吸盤之降溫速率之範圍亦較窄。又，難以對靜電吸盤設定於徑向上較大地變化之溫度分佈。 於一態樣中，提供一種被加工物之處理裝置。該處理裝置具備腔室本體及載置台。載置台係設置於腔室本體之內部。載置台具有金屬製之冷卻台及靜電吸盤。於冷卻台之內部形成有冷媒用之流路。靜電吸盤係設置於冷卻台之上。靜電吸盤包含相對於該靜電吸盤之中心軸線同心之複數個區域。於複數個區域分別設置有複數個加熱器。於冷卻台與靜電吸盤之間設置有複數個熱傳遞空間。複數個熱傳遞空間係於複數個區域各者之下方延伸，且相互分離。處理裝置更具備加熱器電源及配管系統。加熱器電源係連接於複數個加熱器。配管系統具有複數個閥，該複數個閥係用以將冷卻單元、熱傳遞氣體之氣源、及排氣裝置選擇性地連接於複數個熱傳遞空間之各者，且切換冷卻單元與冷卻台之流路之連接與切斷。 於一態樣之處理裝置中，可將複數個熱傳遞空間之各者進行減壓，或將熱傳遞氣體供給至複數個熱傳遞空間之各者，或對複數個熱傳遞空間之各者供給來自冷卻單元之冷媒。因此，可變更冷卻台與靜電吸盤之間之熱阻。因此，可對靜電吸盤設定之溫度之範圍較廣。又，可設定之靜電吸盤之升溫速率之範圍、及可設定之靜電吸盤之降溫速率之範圍亦較大。又，可藉由對複數個熱傳遞空間之熱阻賦予差值，而對靜電吸盤設定徑向上較大地變化之溫度分佈。又，因可調整複數個熱傳遞空間各自之熱阻，故而可對靜電吸盤設定各種溫度分佈。例如，可對靜電吸盤設定徑向上急遽變化之溫度分佈、徑向上緩慢變化之溫度分佈、或者徑向上大致固定之溫度分佈。進而，因可使冷卻台與靜電吸盤之間之熱阻變大，故而可降低賦予至複數個加熱器之電力。 於一實施形態中，處理裝置更具備控制部。控制部係以控制複數個閥及加熱器電源之方式構成。靜電吸盤之複數個區域包含第1區域、第2區域、及第3區域。第1區域與靜電吸盤之中心軸線交叉，第3區域係包含靜電吸盤之邊緣之區域，第2區域位於第1區域與第3區域之間。複數個加熱器包含設置於第1區域之第1加熱器、設置於第2區域之第2加熱器、及設置於第3區域之第3加熱器。複數個熱傳遞空間包含位於第1區域之下方之第1熱傳遞空間、位於第2區域之下方之第2熱傳遞空間、及位於第3區域之下方之第3熱傳遞空間。 於一實施形態中，控制部亦可控制加熱器電源，以將電力供給至複數個加熱器，且控制複數個閥，以使冷媒於冷卻台之流路與冷卻單元之間循環，且將複數個熱傳遞空間連接於氣源。該實施形態之控制可於將靜電吸盤之溫度設定為高溫。且將靜電吸盤之徑向上之溫度分佈設定為大致固定時使用。又，該實施形態之控制可於以相對較低之升溫速率使靜電吸盤之溫度上升時使用。 於一實施形態中，控制部亦可控制加熱器電源，以使第1加熱器之發熱量及第2加熱器之發熱量大於第3加熱器之發熱量，且控制複數個閥，以使冷媒於冷卻台之流路與冷卻單元之間循環，將第1熱傳遞空間及第2熱傳遞空間連接於氣源，且將第3熱傳遞空間連接於冷卻單元。該實施形態之控制可於將靜電吸盤之溫度設定為高溫，對靜電吸盤設定溫度隨著接近靜電吸盤之邊緣而緩慢降低之溫度分佈時使用。 於一實施形態中，控制部亦可控制加熱器電源，以使第2加熱器之發熱量大於第1加熱器之發熱量，且第1加熱器之發熱量大於第3加熱器之發熱量，且控制複數個閥，以使冷媒於冷卻台之流路與冷卻單元之間循環，將第1熱傳遞空間及第2熱傳遞空間連接於氣源，且將第3熱傳遞空間連接於冷卻單元。該實施形態之控制可於將靜電吸盤之溫度設定為高溫，對靜電吸盤設定溫度於包含邊緣之區域急遽降低之溫度分佈時使用。 於一實施形態中，控制部亦可控制加熱器電源，以將電力供給至複數個加熱器，且控制複數個閥，以將複數個熱傳遞空間連接於冷卻單元。該實施形態之控制可於將靜電吸盤之溫度設定為低溫，且將靜電吸盤之徑向上之溫度分佈設定為大致固定時使用。 於一實施形態中，控制部亦可控制加熱器電源，以使第1加熱器之發熱量及第2加熱器之發熱量大於第3加熱器之發熱量，且控制複數個閥，以將複數個熱傳遞空間連接於冷卻單元。該實施形態之控制可於將靜電吸盤之溫度設定為低溫，且對靜電吸盤設定溫度隨著接近靜電吸盤之邊緣而緩慢降低之溫度分佈時使用。 於一實施形態中，控制部亦可控制加熱器電源，以將電力供給至複數個加熱器，且控制複數個閥，以使冷媒於冷卻台之流路與冷卻單元之間循環，且將複數個熱傳遞空間連接於排氣裝置。該實施形態之控制可於以相對較高之升溫速率使靜電吸盤之溫度上升時使用。 於一實施形態中，控制部亦可控制加熱器電源，以停止對複數個加熱器供給電力，且控制複數個閥，以使冷媒於冷卻台之流路與冷卻單元之間循環，且將複數個熱傳遞空間連接於氣源。該實施形態之控制可於以相對較低之降溫速率使靜電吸盤之溫度降低時使用。 於一實施形態中，控制部亦可控制加熱器電源，以停止對複數個加熱器供給電力，且控制複數個閥，以使冷媒於冷卻台之流路與冷卻單元之間循環，且將複數個熱傳遞空間連接於冷卻單元。該實施形態之控制可於以相對較高之降溫速率使靜電吸盤之溫度降低時使用。 於一實施形態中，靜電吸盤具有導電性之基台、及陶瓷製之吸附部。吸附部係設置於基台之上，且複數個加熱器內置於吸附部之中。處理裝置更具備電性連接於基台之高頻電源、及將處理氣體供給至腔室本體之內部之氣體供給部。該實施形態之處理裝置可用作電漿處理裝置。
以下，參照圖式，對各種實施形態進行詳細說明。再者，於各圖式中，對同一或相符之部分標註同一符號。 圖1係概略性地表示一實施形態之處理裝置之圖。圖1所示之處理裝置10係電容耦合型之電漿處理裝置。處理裝置10具備腔室本體12及載置台14。腔室本體12具有大致圓筒形狀，且提供其內部空間作為腔室S。腔室本體12係包含例如鋁。於腔室本體12之內部空間側之表面，形成有耐酸鋁膜、及/或氧化釔等具有耐電漿性之陶瓷製之皮膜。將該腔室本體12接地。又，於腔室本體12之側壁，形成有用以將被加工物W搬入至腔室S或自腔室S搬出之開口12p。該開口12p可藉由閘閥GV而開啟及關閉。再者，被加工物W係如晶圓般具有圓盤形狀。 載置台14係以於腔室S內支持被加工物W之方式構成。載置台14具有吸附被加工物W之功能、調整被加工物W之溫度之功能、及對靜電吸盤之基台傳送高頻之結構。該載置台14之詳情隨後敍述。 處理裝置10更具備上部電極16。上部電極16係配置於腔室本體12之上部開口內，且與下述載置台14之下部電極大致平行地配置。於上部電極16與腔室本體12之間介置有絕緣性之支持構件18。 上部電極16具有頂板20及支持體22。頂板20具有大致圓盤狀形狀。頂板20可具有導電性。頂板20係例如由矽形成。或者，頂板20係由鋁形成，且於其表面形成有耐電漿性之陶瓷皮膜。於該頂板20形成有多個氣體噴出孔20a。氣體噴出孔20a係沿大致鉛直方向延伸。 支持體22係將頂板20裝卸自如地支持。支持體22係例如由鋁形成。於支持體22形成有氣體擴散室22b。自該氣體擴散室22b延伸有分別與氣體噴出孔20a連通之多個連通孔22a。又，於氣體擴散室22b，經由埠口22c連接有配管24。於該配管24連接有氣源26。又，於配管24之中途設置有質量流量控制器之類的流量控制器28及閥30。再者，氣源26、流量控制器28、及閥30於一實施形態中構成氣體供給部。 處理裝置10更具備排氣裝置32。排氣裝置32包含渦輪分子泵、乾式真空泵之類的一個以上之泵、及壓力調整閥。該排氣裝置32係與形成於腔室本體12之排氣口連接。 處理裝置10更具備控制部MCU。控制部MCU係以控制處理裝置10之各部之方式構成。例如，控制部MCU可為具備處理機、及記憶體等記憶裝置的電腦裝置。控制部MCU可藉由根據記憶於記憶裝置之程式及配方進行動作而控制處理裝置10之各部。 於使用該處理裝置10時，將被加工物W載置於載置台14上，且由該載置台14進行保持。又，將來自氣源26之處理氣體供給至腔室本體12內，且使排氣裝置32作動，將腔室本體12內之空間之壓力進行減壓。又，於上部電極16與載置台14之下部電極之間形成高頻電場。藉此，處理氣體解離，藉由處理氣體中之分子及/或原子之活性種處理被加工物W。於此種處理中，處理裝置10之各部由控制部MCU進行控制。 以下，除圖1以外，參照圖2及圖3，對載置台14、及隨附於該載置台14之處理裝置10之構成元件進行詳細說明。圖2係將圖1所示之處理裝置之載置台之一部分放大表示之剖視圖。圖3係將圖1所示之處理裝置之載置台之另一部分放大表示之剖視圖。 載置台14具有冷卻台34及靜電吸盤36。冷卻台34由自腔室本體12之底部向上方延伸之支持構件38支持。該支持構件38係絕緣性之構件，且例如由氧化鋁(alumina)形成。又，支持構件38具有大致圓筒形狀。 冷卻台34係由具有導電性之金屬例如鋁形成。冷卻台34具有大致圓盤形狀。冷卻台34具有中央部34a及周緣部34b。中央部34a具有大致圓盤形狀。中央部34a提供冷卻台34之第1上表面34c。第1上表面34c係大致圓形之面。 周緣部34b係連續至中央部34a，且於徑向(相對於沿鉛直方向延伸之軸線Z為放射方向)上在中央部34a之外側，沿周向(相對於軸線Z為周向)延伸。於一實施形態中，周緣部34b係與中央部34a一同地提供冷卻台34之下表面34d。又，周緣部34b係提供第2上表面34e。第2上表面34e係帶狀之面，為於徑向上位於第1上表面34c之外側，且沿周向延伸。又，第2上表面34e係於鉛直方向上，相較第1上表面34c更位於下表面34d之附近。 於冷卻台34連接有供電體40。供電體40係例如供電棒，且連接於冷卻台34之下表面34d。供電體40係由鋁或鋁合金形成。 供電體40係電性連接於設置於腔室本體12之外部之高頻電源42及高頻電源44。高頻電源42係產生電漿產生用之第1高頻之電源。第1高頻之頻率例如為40 MHz。高頻電源44係產生離子牽引用之第2高頻之電源。第2高頻之頻率例如為13.56 MHz。 高頻電源42係經由匹配器46連接於供電體40。匹配器46具有用以使高頻電源42之負載側之阻抗匹配於高頻電源42之輸出阻抗之匹配電路。高頻電源44係經由匹配器48連接於供電體40。匹配器48具有用以使高頻電源44之負載側之阻抗匹配於高頻電源44之輸出阻抗之匹配電路。 於冷卻台34形成有冷媒用之流路34f。流路34f係於冷卻台34內，例如螺旋狀地延伸。自冷卻單元TU將冷媒供給至該流路34f。供給至流路34f之冷媒係於一實施形態中藉由其氣化而吸熱進行冷卻之冷媒。該冷媒例如可為氫氟碳系之冷媒。 靜電吸盤36係設置於冷卻台34之上。具體而言，靜電吸盤36係設置於冷卻台34之第1上表面34c之上。靜電吸盤36具有基台50及吸附部52。基台50係構成下部電極，且設置於冷卻台34之上。基台50具有導電性。基台50例如可為對氮化鋁或碳化矽賦予導電性而成之陶瓷製，或者亦可為金屬(例如鈦) 製。 基台50具有大致圓盤形狀。基台50具有中央部50a及周緣部50b。中央部50a具有大致圓盤形狀。中央部50a提供基台50之第1上表面50c。第1上表面50c為大致圓形之面。 周緣部50b與中央部50a連續，於徑向上在中央部50a之外側沿周向延伸。於一實施形態中，周緣部50b係與中央部50a一同地提供基台50之下表面50d。又，周緣部50b提供第2上表面50e。該第2上表面50e係帶狀之面，且於徑向上在第1上表面50c之外側沿周向延伸。又，第2上表面50e係於鉛直方向上位於較第1上表面50c更靠下表面50d之附近。 吸附部52係設置於基台50上。吸附部52藉由使用介置於該吸附部52與基台50之間之金屬的金屬接合而與基台50結合。吸附部52具有大致圓盤形狀，且由陶瓷形成。構成吸附部52之陶瓷可為於室溫(例如20度)以上且400℃以下之溫度範圍內具有1×1015 Ω・cm以上之體積電阻率之陶瓷。作為此種陶瓷，例如可使用氧化鋁(alumina)。根據具有上述體積電阻率之陶瓷製之吸附部52，即便於超過200℃之高溫下，亦可發揮充分之吸附力。 靜電吸盤36包含相對於軸線Z、即靜電吸盤36之中心軸線同心之複數個區域RN。於一實施形態中，靜電吸盤36包含第1區域R1、第2區域R2、及第3區域R3。第1區域R1係與軸線Z交叉，第3區域R3係包含靜電吸盤36之邊緣之區域，第2區域R2係位於第1區域R1與第3區域R3之間。於一例中，第1區域R1係自靜電吸盤36之中心起半徑120 mm之區域，第2區域R2係於靜電吸盤36中自半徑120 mm至半徑135 mm之區域，第3區域R3係於靜電吸盤36中自半徑135 mm至半徑150 mm之區域。再者，靜電吸盤36之區域之個數可為二以上之任意個數。 靜電吸盤36之吸附部52內置有吸附用電極54。吸附用電極54係電極膜，且於該吸附用電極54電性連接有直流電源60。若將來自直流電源60之直流電壓賦予至吸附用電極54，則吸附部52產生庫侖力之類的靜電力，且藉由該靜電力來保持被加工物W。 吸附部52更內置有複數個加熱器HN。複數個加熱器HN係分別設置於靜電吸盤之上述複數個區域RN內。於一實施形態中，複數個加熱器HN包含第1加熱器56、第2加熱器57、及第3加熱器58。第1加熱器56係設置於第1區域R1內，第2加熱器57係設置於第2區域R2內，第3加熱器58係設置於第3區域R3內。 複數個加熱器HN係連接於加熱器電源62。於一實施形態中，於第1加熱器56與加熱器電源62之間，為防止高頻侵入加熱器電源62而設置有濾波器64。於第2加熱器57與加熱器電源62之間，為防止高頻侵入加熱器電源62而設置有濾波器65。又，於第3加熱器58與加熱器電源62之間，為防止高頻侵入加熱器電源62而設置有濾波器66。 於基台50與冷卻台34之間設置有複數個第1彈性構件EM1。複數個第1彈性構件EM1係使靜電吸盤36自冷卻台34朝向上方分離。複數個第1彈性構件EM1分別為O型環。複數個第1彈性構件EM1具有相互不同之直徑，且相對於軸線Z同心狀地設置。又，複數個第1彈性構件EM1係設置於靜電吸盤36之相鄰之區域之邊界及靜電吸盤36之邊緣之下方。於一實施形態中，複數個第1彈性構件EM1包含彈性構件67、彈性構件68、及彈性構件69。彈性構件67係設置於第1區域R1與第2區域R2之邊界之下方，彈性構件68係設置於第2區域R2與第3區域R3之邊界之下方，彈性構件69係設置於靜電吸盤36之邊緣之下方。 複數個第1彈性構件EM1係局部地配置於由冷卻台34之第1上表面34c提供之槽之中，且與第1上表面34c及基台50之下表面50d相接。複數個第1彈性構件EM1係與冷卻台34及基台50一同地於冷卻台34之第1上表面34c與基台50之下表面50d之間劃分形成複數個熱傳遞空間DSN。複數個熱傳遞空間DSN係於靜電吸盤36之複數個區域RN各自之下方延伸，且相互分離。於一實施形態中，複數個熱傳遞空間DSN包含第1熱傳遞空間DS1、第2熱傳遞空間DS2、及第3熱傳遞空間DS3。第1熱傳遞空間DS1係位於彈性構件67之內側，第2熱傳遞空間DS2係位於彈性構件67與彈性構件68之間，第3熱傳遞空間DS3係位於彈性構件68與彈性構件69之間。如下所述，於複數個熱傳遞空間DSN，藉由配管系統PS而將熱傳遞氣體(例如He氣)之氣源GS、冷卻單元TU、及排氣裝置VU選擇性地連接。 複數個熱傳遞空間DSN各自之鉛直方向上之長度係依存於使用處理裝置10時之靜電吸盤36之設定溫度範圍，但例如設定為0.1 mm以上且2.0 mm以下之長度。作為一例，於靜電吸盤36之設定溫度範圍為80℃以上且250℃以下之情形時，將複數個熱傳遞空間DSN各自之鉛直方向上之長度設定為0.5 mm。又，於靜電吸盤36之設定溫度範圍之下限值為低於80℃之溫度之情形時，將複數個熱傳遞空間DSN各自之鉛直方向上之長度設定為短於0.5 mm之長度。 於一實施形態中，複數個第1彈性構件EM1以具有相較被供給He氣之複數個熱傳遞空間DSN各自之熱阻更高的熱阻之方式構成。複數個熱傳遞空間DSN之熱阻係依存於熱傳遞氣體之熱導率、該鉛直方向之長度、及其面積。又，複數個第1彈性構件EM1各自之熱阻係依存於該熱導率、該鉛直方向上之厚度、及該面積。因此，複數個第1彈性構件EM1各自之材料、厚度、及面積係根據複數個熱傳遞空間DSN各自之熱阻而決定。再者，對於複數個第1彈性構件EM1要求較低之熱導率及較高之耐熱性。因此，複數個第1彈性構件EM1例如可由全氟彈性體形成。 載置台14更具備緊固構件70。緊固構件70係由金屬形成，且以將基台50及複數個第1彈性構件EM1夾持於該緊固構件70與冷卻台34之間之方式構成。緊固構件70係為抑制基台50與冷卻台34之間之經由該緊固構件70之熱傳導而由具有較低之熱導率之材料例如鈦形成。 於一實施形態中，緊固構件70具有筒狀部70a及環狀部70b。筒狀部70a具有大致圓筒形狀，且於其下端提供第1下表面70c。第1下表面70c係沿周向延伸之帶狀之面。 環狀部70b具有大致環狀板形狀，且與筒狀部70a之上側部分之內緣連續，自該筒狀部70a朝向徑向內側延伸。該環狀部70b提供第2下表面70d。第2下表面70d係沿周向延伸之帶狀面。 緊固構件70係以第1下表面70c與冷卻台34之第2上表面34e相接且第2下表面70d與基台50之第2上表面50e相接之方式配置。又，緊固構件70係藉由螺絲72而相對於冷卻台34之周緣部34b固定。藉由調整該螺絲72對緊固構件70之螺合，而調整複數個第1彈性構件EM1之壓扁量。藉此，調整複數個熱傳遞空間DSN之鉛直方向上之長度。 於一實施形態中，於緊固構件70之環狀部70b之內緣部下表面與基台50之第2上表面50e之間設置有第2彈性構件74。第2彈性構件74為O型環，抑制可能由緊固構件70之第2下表面70d與基台50之第2上表面50e之摩擦產生之微粒(例如金屬粉)向吸附部52側移動。 又，第2彈性構件74產生相較複數個第1彈性構件EM1所產生之反作用力更小之反作用力。換言之，複數個第1彈性構件EM1係以該複數個第1彈性構件EM1所產生之反作用力大於第2彈性構件74所產生之反作用力的方式構成。進而，該第2彈性構件74作為具有較高之耐熱性且具有較低之熱導率之材料，可由全氟彈性體形成。 於緊固構件70之上設置有加熱器76。該加熱器76係沿周向延伸，且經由濾波器78電性連接於加熱器電源62。濾波器78係為防止高頻侵入加熱器電源62而設置。 加熱器76係設置於第1膜80與第2膜82之間。第1膜80係相對於第2膜82設置於緊固構件70側。第1膜80具有相較第2膜82之熱導率更低之熱導率。例如，第1膜80可為氧化鋯製之熔射膜，且第2膜82可為氧化釔(yttria)製之熔射膜。又，加熱器76可為鎢之熔射膜。 於第2膜82上設置有聚焦環84。該聚焦環84藉由來自加熱器76之熱而加熱。又，來自加熱器76之熱通量之大部分自第1膜80朝向第2膜82，且經由該第2膜82朝向聚焦環84。因此，聚焦環84被有效率地加熱。 又，載置台14之冷卻台34、緊固構件70等係於其等之外周側由一個以上之絕緣性構件86覆蓋。一個以上之絕緣性構件86係例如由氧化鋁或石英形成。 進而，如圖3所示，對載置台14之冷卻台34及靜電吸盤36，提供用以將熱傳遞氣體(例如He氣)供給至被加工物W與吸附部52之間之氣體管線90。氣體管線90係連接於熱傳遞氣體之供給部91。 如圖3所示，氣體管線90包含氣體管線90a、氣體管線90b、及氣體管線90c。氣體管線90a係形成於吸附部52。又，氣體管線90c係形成於冷卻台34。氣體管線90a與氣體管線90c係經由氣體管線90b而連接。該氣體管線90b係由套筒92提供。該套筒92為大致筒狀之構件，且至少於其表面具有絕緣性，該表面由陶瓷形成。於一例中，套筒92由絕緣性之陶瓷形成。例如，套筒92由氧化鋁(alumina)形成。於另一例中，套筒92亦可為對表面實施絕緣處理所得之金屬製之構件。例如，套筒92亦可包含鋁製之本體及設置於該本體之表面之耐酸鋁皮膜。 基台50與冷卻台34提供用以收容套筒92之收容空間。於劃分形成該收容空間之基台50之面50f形成有絕緣性陶瓷之皮膜94。皮膜94例如可為氧化鋁(alumina)之熔射膜。 於皮膜94與冷卻台34之間，設置有將套筒92之收容空間密封之第3彈性構件96。第3彈性構件96為O型環，且具有絕緣性。第3彈性構件96例如由全氟彈性體形成。又，於第3彈性構件96之外側設置有第4彈性構件98。第4彈性構件98為O型環，且與冷卻台34之第1上表面34c及基台50之下表面50d相接，將熱傳遞空間(例如第1熱傳遞空間DS1)密封。第4彈性構件98係例如由全氟彈性體形成。 如以上所說明，於載置台14，藉由複數個第1彈性構件EM1而將冷卻台34與基台50相互分離。又，於該載置台14，基台50與吸附部52之接合中未使用接著劑。因此，可將靜電吸盤36之溫度設定為250℃之類超過200℃之高溫。又，因可經由供給至複數個熱傳遞空間DSN之熱傳遞氣體完成靜電吸盤36與冷卻台34之間之熱交換，故而亦可將靜電吸盤36之溫度設定為低溫。又，於該載置台14中，可藉由供電體40、冷卻台34、及緊固構件70，確保對靜電吸盤36之基台50之高頻之供電路線。進而，供電體40係連接於冷卻台34而並非直接連接於靜電吸盤36之基台50，故而可採用鋁或鋁合金作為該供電體40之構成材料。因此，即便於使用13.56 MHz以上之較高頻率之高頻的情形時，亦可抑制供電體40中之高頻之損失。 又，如上所述，於一實施形態中，於緊固構件70之環狀部70b之內緣部下表面與基台50之第2上表面50e之間設置有第2彈性構件74。因基台50之周緣部50b之第2上表面50e與緊固構件70之第2下表面70d彼此相接，故而存在於其等之接觸部位產生摩擦，從而產生微粒(例如金屬粉)之情況。即便產生此種微粒，第2彈性構件74亦可抑制微粒附著於吸附部52、及載置於該吸附部52上之被加工物W。 又，複數個第1彈性構件EM1係以該等複數個第1彈性構件EM1所產生之反作用力大於第2彈性構件74所產生之反作用力之方式構成。藉此，可使靜電吸盤36確實地自冷卻台34分離。 又，於一實施形態中，複數個第1彈性構件EM1係以具有相較He氣供給至複數個熱傳遞空間DSN時之該複數個熱傳遞空間DSN之熱阻更高之熱阻的方式構成。又，複數個第1彈性構件EM1例如由全氟彈性體形成。根據該等複數個第1彈性構件EM1，於靜電吸盤36與冷卻台34之間，經由複數個熱傳遞空間DSN之熱傳導相較經由複數個第1彈性構件EM1之熱傳導更成為優勢。因此，可使靜電吸盤36之溫度分佈均一化。 又，於一實施形態中，不使用接著劑而形成供給至被加工物W與吸附部52之間之熱傳遞氣體用之氣體管線90。又，劃分形成配置有供局部地構成該氣體管線90之套筒92之收容空間的基台50之面50f由皮膜94覆蓋，且以將該收容空間密封之方式，於皮膜94與冷卻台34之間設置有絕緣性之第3彈性構件96。藉此，抑制電漿侵入基台50與冷卻台34之間、及與此相伴之基台50之絕緣崩潰。 又，根據具有上述載置台14之處理裝置10，可於自80℃以下之類的較低溫度至250℃之類超過200℃之較高溫度的溫度帶，對被加工物W進行電漿處理。 以下，對處理裝置10中可採用之配管系統PS進行說明。圖4係表示一實施形態之配管系統之構成之圖。圖4所示之配管系統PS具有複數個閥。配管系統PS係構成為將氣源GS、冷卻單元TU、及排氣裝置VU選擇性地連接於複數個熱傳遞空間DSN之各者，將冷卻單元TU與流路34f之連接及切斷進行切換。以下，對複數個熱傳遞空間DSN包含三個熱傳遞空間(第1熱傳遞空間DS1、第2熱傳遞空間DS2、及第3熱傳遞空間DS3)之實施形態進行說明。然而，複數個熱傳遞空間DSN之個數若為與靜電吸盤36之複數個區域RN之個數對應之個數，則可為任意個數。 配管系統PS包含配管L21、配管L22、閥V21、及閥V22。配管L21之一端連接於冷卻單元TU，且配管L21之另一端連接於流路34f。於配管L21之中途設置有閥V21。配管L22之一端連接於冷卻單元TU，且配管L22之另一端連接於流路34f。於配管L22之中途設置有閥V22。若將閥V21及閥V22開啟，則將冷媒自冷卻單元TU經由配管L21供給至流路34f。供給至流路34f之冷媒係經由配管L22返回至冷卻單元TU。 又，配管系統PS更包含壓力調整器104a、配管L11a、配管L12a、配管L13a、配管L14a、配管L15a、配管L17a、配管L31a、配管L32a、閥V11a、閥V12a、閥V13a、閥V14a、閥V15a、閥V31a、及閥V32a。 壓力調整器104a係連接於氣源GS。於壓力調整器104a連接有配管L11a之一端。於配管L11a之中途設置有閥V11a。配管L15a之一端係連接於第1熱傳遞空間DS1。配管L15a之另一端係連接於排氣裝置VU。又，於配管L15a之中途設置有閥V15a。 於配管L11a之另一端連接有配管L12a之一端。配管L12a之另一端係相對於閥V15a在第1熱傳遞空間DS1之側連接於配管L15a。於配管L12a之中途設置有閥V12a。於配管L11a之另一端連接有配管L13a之一端及配管L14a之一端。於配管L13a之中途設置有閥V13a，於配管L14a之中途設置有閥V14a。配管L13a之另一端及配管L14a之另一端係相互連接。於配管L13a之另一端與配管L14a之另一端之連接點連接有配管L17a之一端。配管L17a之另一端係於相較配管L12a之另一端於更接近閥V15a之處連接於配管L15a。 配管L31a之一端係相對於閥V21於冷卻單元TU之側連接於配管L21。配管L31a之另一端連接於第1熱傳遞空間DS1。於配管L31a之中途設置有閥V31a。配管L32a之一端係相對於閥V22於冷卻單元TU之側連接於配管L22。配管L32a之另一端連接於第1熱傳遞空間DS1。於配管L32a之中途設置有閥V32a。 又，配管系統PS更包含壓力調整器104b、配管L11b、配管L12b、配管L13b、配管L14b、配管L15b、配管L17b、配管L31b、配管L32b、閥V11b、閥V12b、閥V13b、閥V14b、閥V15b、閥V31b、及閥V32b。 壓力調整器104b連接於氣源GS。於壓力調整器104b連接有配管L11b之一端。於配管L11b之中途設置有閥V11b。配管L15b之一端連接於第2熱傳遞空間DS2。配管L15b之另一端連接於排氣裝置VU。又，於配管L15b之中途設置有閥V15b。 於配管L11b之另一端設置有配管L12b之一端。配管L12b之另一端係相對於閥V15b於第2熱傳遞空間DS2之側連接於配管L15b。於配管L12b之中途設置有閥V12b。於配管L11b之另一端連接有配管L13b之一端及配管L14b之一端。於配管L13b之中途設置有閥V13b，且於配管L14b之中途設置有閥V14b。配管L13b之另一端及配管L14b之另一端係相互連接。於配管L13b之另一端與配管L14b之另一端之連接點連接有配管L17b之一端。配管L17b之另一端於相較配管L12b之另一端更接近閥V15b之處連接於配管L15b。 配管L31b之一端係相對於閥V21於冷卻單元TU之側連接於配管L21。配管L31b之另一端連接於第2熱傳遞空間DS2。於配管L31b之中途設置有閥V31b。配管L32b之一端係相對於閥V22於冷卻單元TU之側連接於配管L22。配管L32b之另一端連接於第2熱傳遞空間DS2。於配管L32b之中途設置有閥V32b。 又，配管系統PS更包含壓力調整器104c、配管L11c、配管L12c、配管L13c、配管L14c、配管L15c、配管L17c、配管L31c、配管L32c、閥V11c、閥V12c、閥V13c、閥V14c、閥V15c、閥V31c、及閥V32c。 壓力調整器104c連接於氣源GS。於壓力調整器104c連接有配管L11c之一端。於配管L11c之中途設置有閥V11c。配管L15c之一端連接於第3熱傳遞空間DS3。配管L15c之另一端連接於排氣裝置VU。又，於配管L15c之中途設置有閥V15c。 於配管L11c之另一端連接有配管L12c之一端。配管L12c之另一端係相對於閥V15c於第3熱傳遞空間DS3之側連接於配管L15c。於配管L12c之中途設置有閥V12c。於配管L11c之另一端連接有配管L13c之一端及配管L14c之一端。於配管L13c之中途設置有閥V13c，於配管L14c之中途設置有閥V14c。配管L13c之另一端及配管L14c之另一端相互連接。於配管L13c之另一端與配管L14c之另一端之連接點連接有配管L17c之一端。配管L17c之另一端於較配管L12c之另一端更接近閥V15c之處連接於配管L15c。 配管L31c之一端係相對於閥V21於冷卻單元TU之側連接於配管L21。配管L31c之另一端連接於第3熱傳遞空間DS3。於配管L31c之中途設置有閥V31c。配管L32c之一端係相對於閥V22於冷卻單元TU之側連接於配管L22。配管L32c之另一端連接於第3熱傳遞空間DS3。於配管L32c之中途設置有閥V32c。 配管系統PS之複數個閥之開啟及關閉係由控制部MCU控制。又，如上所述，加熱器電源62亦由控制部MCU控制。控制部MCU所進行之配管系統PS之複數個閥及加熱器電源62之控制中具有複數個模式。以下，參照圖5～圖13，對複數個模式各自中之配管系統PS的複數個閥之控制及加熱器電源62之控制進行說明。圖5～圖13係例示複數個模式各自中之配管系統之狀態的圖。於圖5～圖13中，表示閥之塗黑之圖形表示該閥已關閉，表示閥之空心之圖形表示該閥已開啟。又，於以下之說明中，亦參照圖14～圖19。圖14～圖18係例示靜電吸盤之溫度分佈之圖。圖19係例示靜電吸盤之溫度之時間變化之圖。於圖14～圖18中，橫軸表示靜電吸盤36之吸附部52之半徑上之各位置與該吸附部52之中心之間的距離，縱軸表示吸附部52之各位置之溫度。再者，於圖14～圖18中，假設被加工物W之直徑為300 mm，且表示於以吸附部52之中心為基準之半徑上直至150 mm為止之間之各位置的溫度。又，於圖19中，橫軸為時間，縱軸表示吸附部52之溫度。於圖19中，表示靜電吸盤36之吸附部52之中心之溫度之時間變化與邊緣之溫度之時間變化。 如圖5所示，於第1模式中，以將電力供給至複數個加熱器HN之方式，控制加熱器電源62。再者，於第1模式中，可對複數個加熱器HN以該複數個加熱器HN以大致同等之發熱量發熱之方式供給電力。又，於第1模式中，以使冷媒於流路34f與冷卻單元TU之間循環，且將複數個熱傳遞空間DSN連接於氣源GS之方式，控制配管系統PS之複數個閥。於圖5所示之配管系統PS之例中，於第1模式中，將閥V11a、閥V12a、閥V14a、閥V11b、閥V12b、閥V14b、閥V11c、閥V12c、閥V14c、閥V21、及閥V22開啟，將配管系統PS之複數個閥中之其他閥關閉。根據第1模式之控制，複數個加熱器HN發熱，將熱傳遞氣體供給至複數個熱傳遞空間DSN，將冷媒供給至流路34f。藉此，如圖14所示，靜電吸盤36之吸附部52之溫度成為相對較高之溫度，又，靜電吸盤36之徑向上之溫度分佈變得大致固定。 如圖6所示，於第2模式中，以第1加熱器56之發熱量及第2加熱器57之發熱量大於第3加熱器58之發熱量之方式，控制加熱器電源62。再者，於第2模式中，可對第1加熱器56供給與第1模式中供給至第1加熱器56之電力同等之電力，且對第2加熱器57供給與第1模式中供給至第2加熱器57之電力同等之電力。於第2模式中，亦可不對第3加熱器58供給電力。又，於第2模式中，以使冷媒於流路34f與冷卻單元TU之間循環，將第1熱傳遞空間DS1及第2熱傳遞空間DS2連接於氣源GS，將第3熱傳遞空間連接於上述冷卻單元之方式，控制複數個閥。於圖6所示之配管系統PS之例中，於第2模式中，將閥V11a、閥V12a、閥V14a、閥V11b、閥V12b、閥V14b、閥V21、閥V22、閥V31c、及閥V32c開啟，將配管系統PS之複數個閥中之其他閥關閉。根據第2模式之控制，第1加熱器56之發熱量及第2加熱器57之發熱量變得大於第3加熱器58之發熱量，且將熱傳遞氣體供給至第1熱傳遞空間DS1及第2熱傳遞空間DS2，將冷媒供給至第3熱傳遞空間DS3及流路34f。藉此，如圖15所示，靜電吸盤36之吸附部52之溫度成為相對較高之溫度，又，靜電吸盤36之徑向上之溫度分佈成為溫度隨著自中心接近邊緣而緩慢降低之溫度分佈。 如圖7所示，於第3模式中，以第2加熱器57之發熱量大於第1加熱器56之發熱量，且第1加熱器56之發熱量大於第3加熱器58之發熱量之方式，控制加熱器電源62。再者，於第3模式中，可對第1加熱器56供給與第1模式中供給至第1加熱器56之電力同等之電力。於第3模式中，亦可不對第3加熱器58供給電力。又，於第3模式中，以使冷媒於流路34f與冷卻單元TU之間循環，且將第1熱傳遞空間DS1及第2熱傳遞空間DS2連接於氣源GS，將第3熱傳遞空間DS3連接於冷卻單元TU之方式，控制配管系統PS之複數個閥。於圖7所示之配管系統PS之例中，於第3模式中，將閥V11a、閥V12a、閥V14a、閥V11b、閥V12b、閥V14b、閥V21、閥V22、閥V31c、及閥V32c開啟，且將配管系統PS之複數個閥中之其他閥關閉。根據第3模式之控制，第2加熱器57之發熱量變得大於第1加熱器56之發熱量，第1加熱器56之發熱量變得大於第3加熱器58之發熱量，且將熱傳遞氣體供給至第1熱傳遞空間DS1及第2熱傳遞空間DS2，將冷媒供給至第3熱傳遞空間DS3及流路34f。藉此，如圖16所示，靜電吸盤36之吸附部52之溫度成為相對較高之溫度，又，靜電吸盤36之徑向上之溫度分佈成為於包含邊緣之區域中溫度急遽降低之溫度分佈。 如圖8所示，於第4模式中，以將電力供給至複數個加熱器HN之方式，控制加熱器電源62。再者，於第4模式中，可對第1加熱器56供給與第1模式中供給至第1加熱器56之電力同等之電力，對第2加熱器57供給與第1模式中供給至第2加熱器57之電力同等之電力，對第3加熱器58供給與第1模式中供給至第3加熱器58之電力同等之電力。又，於第4模式中，以將複數個熱傳遞空間DSN連接於冷卻單元TU之方式，控制配管系統PS之複數個閥。再者，於第4模式中，冷媒既可不供給至流路34f，亦可供給至流路34f。於圖8所示之配管系統PS之例中，於第4模式中，將閥V31a、閥V32a、閥V31b、閥V32b、閥V31c、及閥V32c開啟，且將配管系統PS之複數個閥中之其他閥關閉。根據第4模式之控制，複數個加熱器HN發熱，將冷媒供給至複數個熱傳遞空間DSN。藉此，如圖17所示，靜電吸盤36之吸附部52之溫度成為相對較低之溫度，又，靜電吸盤36之徑向上之溫度分佈成為大致固定。 如圖9所示，於第5模式中，以第1加熱器56之發熱量及第2加熱器57之發熱量大於第3加熱器58之發熱量之方式，控制加熱器電源62。再者，於第5模式中，可對第1加熱器56供給與第1模式中供給至第1加熱器56之電力同等之電力，對第2加熱器57供給與第1模式中供給至第2加熱器57之電力同等之電力。於第5模式中，亦可不對第3加熱器58供給電力。又，於第5模式中，以將複數個熱傳遞空間DSN連接於冷卻單元TU之方式，控制配管系統PS之複數個閥。再者，於第5模式中，冷媒既可不供給至流路34f，亦可供給至流路34f。於圖9所示之配管系統PS之例中，於第5模式中，將閥V31a、閥V32a、閥V31b、閥V32b、閥V31c、及閥V32c開啟，且將配管系統PS之複數個閥中之其他閥關閉。根據第5模式之控制，第1加熱器56之發熱量及第2加熱器57之發熱量變得大於第3加熱器58之發熱量，且將冷媒供給至複數個熱傳遞空間DSN。藉此，如圖18所示，靜電吸盤36之吸附部52之溫度成為相對較低之溫度，又，靜電吸盤36之徑向上之溫度分佈成為溫度隨著自中心接近邊緣而緩慢降低之溫度分佈。 如圖10所示，於第6模式中，以將電力供給至複數個加熱器HN之方式，控制加熱器電源62。再者，於第6模式中，以複數個加熱器HN之發熱量成為相較第1模式中之複數個加熱器HN之發熱量更高之發熱量的方式，控制加熱器電源62。又，於第6模式中，可對複數個加熱器HN以該複數個加熱器HN以大致同等之發熱量發熱之方式供給電力。又，於第6模式中，以使冷媒於流路34f與冷卻單元TU之間循環，且將複數個熱傳遞空間DSN連接於氣源GS之方式，控制配管系統PS之複數個閥。於圖10所示之配管系統PS之例中，於第6模式中，將閥V11a、閥V12a、閥V14a、閥V11b、閥V12b、閥V14b、閥V11c、閥V12c、閥V14c、閥V21、及閥V22開啟，且將配管系統PS之複數個閥中之其他閥關閉。根據第6模式之控制，複數個加熱器HN發熱，將熱傳遞氣體供給至複數個熱傳遞空間DSN，且將冷媒供給至流路34f。藉此，以圖19所示之期間T1中的靜電吸盤36之吸附部52之溫度之時間變化之方式，使靜電吸盤36之吸附部52以相對較低之速度升溫。因此，根據第6模式之控制，可以相對較低之升溫速率，使靜電吸盤36之吸附部52之溫度上升。 如圖11所示，於第7模式中，以將電力供給至複數個加熱器HN之方式，控制加熱器電源62。再者，於第7模式中，對複數個加熱器HN供給與第6模式中供給至複數個加熱器HN之電力大致同等之電力。又，於第7模式中，以使冷媒於流路34f與冷卻單元TU之間循環，將複數個熱傳遞空間DSN連接於排氣裝置VU之方式，控制配管系統PS之複數個閥。於圖11所示之配管系統PS之例中，於第7模式中，將閥V15a、閥V15b、閥V15c、閥V21、及閥V22開啟，且將配管系統PS之複數個閥中之其他閥關閉。根據第7模式之控制，複數個加熱器HN發熱，將複數個熱傳遞空間DSN之壓力進行減壓，將冷媒供給至流路34f。藉此，以圖19所示之期間T4中的靜電吸盤36之吸附部52之溫度之時間變化之方式，使靜電吸盤36之吸附部52以相對較高之速度升溫。因此，根據第7模式之控制，可以相對較高之升溫速率，使靜電吸盤36之吸附部52之溫度上升。 如圖12所示，於第8模式中，以停止對複數個加熱器HN供給電力之方式，控制加熱器電源62。又，於第8模式中，以使冷媒於流路34f與冷卻單元TU之間循環，將複數個熱傳遞空間DSN連接於氣源GS之方式，控制配管系統PS之複數個閥。於圖12所示之配管系統PS之例中，於第8模式中，將閥V11a、閥V12a、閥V14a、閥V11b、閥V12b、閥V14b、閥V11c、閥V12c、閥V14c、閥V21、及閥V22開啟，且將配管系統PS之複數個閥中之其他閥關閉。根據第8模式之控制，複數個加熱器HN不發熱，將熱傳遞氣體供給至複數個熱傳遞空間DSN，將冷媒供給至流路34f。藉此，以圖19所示之期間T3中的靜電吸盤36之吸附部52之溫度之時間變化之方式，使靜電吸盤36之吸附部52以相對較低之速度降溫。因此，根據第8模式之控制，可以相對較低之降溫速率，使靜電吸盤36之吸附部52之溫度降低。 如圖13所示，於第9模式中，以停止對複數個加熱器HN供給電力之方式，控制加熱器電源62。又，於第9模式中，以使冷媒於流路34f與冷卻單元TU之間循環，將複數個熱傳遞空間DSN連接於冷卻單元TU之方式，控制配管系統PS之複數個閥。於圖13所示之配管系統PS之例中，於第9模式中，將閥V21、閥V22、閥V31a、閥V32a、閥V31b、閥V32b、閥V31c、及閥V32c開啟，且將配管系統PS之複數個閥中之其他閥關閉。根據第9模式之控制，複數個加熱器HN不發熱，將冷媒供給至複數個熱傳遞空間DSN，將冷媒亦供給至流路34f。藉此，以圖19所示之期間T5中的靜電吸盤36之吸附部52之溫度之時間變化之方式，使靜電吸盤36之吸附部52以相對較高之速度降溫。因此，根據第9模式之控制，可以相對較高之降溫速率，使靜電吸盤36之吸附部52之溫度降低。 於圖19所示之靜電吸盤36之吸附部52之溫度之時間變化中，於期間T1與期間T3之間之期間T2中，利用上述第1模式之控制。又，於期間T6中，利用上述第2模式或第3模式之控制。又，於期間T7中，利用上述第4模式之控制，於期間T8中，利用上述第5模式之控制。再者，用以獲得圖19所示之靜電吸盤36之吸附部52之溫度之時間變化之控制部MCU所進行之控制之模式的序列僅為用以例示者。控制部MCU可於使吸附部52之溫度升溫時選擇第6模式或第7模式，於使吸附部52之溫度降溫時選擇第8模式或第9模式。又，控制部MCU於吸附部52之溫度變得相對較高時可選擇第1～第3模式中之任一者，且於吸附部52之溫度變得相對較低時選擇第4模式或第5模式。 以下，對另一實施形態之配管系統進行說明。圖20係例示另一實施形態之配管系統之構成之圖。圖20所示之配管系統PSA係可取代配管系統PS而用於處理裝置10中之配管系統。配管系統PSA係於更具備閥V18a、閥V18b、閥V18c、槽Ta、槽Tb、槽Tc、配管L33、閥V23、槽Td、及閥V24之方面，不同於配管系統PS。 槽Ta係於配管L17a與配管L15a之連接點和配管L12a與配管L15a之連接點之間設置於配管L15a。閥V18a係於配管L12a與配管L15a之連接點和槽Ta之間設置於配管L15a。槽Tb係於配管L17b與配管L15b之連接點和配管L12b與配管L15b之連接點之間設置於配管L15b。閥V18b係於配管L12b與配管L15b之連接點和槽Tb之間設置於配管L15b。槽Tc係於配管L17c與配管L15c之連接點和配管L12c與配管L15c之連接點之間設置於配管L15c。閥V18c係於配管L12c與配管L15c之連接點和槽Tc之間設置於配管L15c。 配管L33係連接於配管L32a。於配管L33連接有排氣裝置VU2。閥V23及閥V24係設置於配管L33。槽Td係設置於閥V23與閥V24之間。 如上所述，於配管系統PS中，可使用藉由其氣化而吸熱進行冷卻之冷媒。該冷媒係於複數個熱傳遞空間DSN內氣化，故可藉由排氣裝置VU排出。然而，因無法使液狀冷媒流入排氣裝置VU，故於配管系統PS中無法使用液狀冷媒。 另一方面，於配管系統PSA中，可使用於處理裝置10之使用溫度範圍、例如20℃以上且250℃以下之溫度帶區域中為液體之液狀冷媒。於配管系統PSA中，藉由將閥V11a、閥V12a、閥V13a、及閥V14a關閉，且將閥V15a及閥V18a開啟，便可將自第1熱傳遞空間DS1排出之液狀冷媒蓄積於槽Ta。又，藉由將閥V11b、閥V12b、閥V13b、及閥V14b關閉，且將閥V15b及閥V18b開啟，便可將自第2熱傳遞空間DS2排出之液狀冷媒蓄積於槽Tb。又，藉由將閥V11c、閥V12c、閥V13c、及閥V14c關閉，且將閥V15c及閥V18c開啟，便可將自第3熱傳遞空間DS3排出之液狀冷媒蓄積於槽Tc。進而，藉由將閥V21、閥V22、閥V31a、閥V31b、及閥V31c關閉，且將閥V32a、閥V32b、閥V32c、閥V23、及閥V24開啟，便可將自第1熱傳遞空間DS1排出之液狀冷媒、自第2熱傳遞空間DS2排出之液狀冷媒、及自第3熱傳遞空間DS3排出之液狀冷媒蓄積於槽Td。 於以上說明之處理裝置10中，可將複數個熱傳遞空間DSN之各者進行減壓，或將熱傳遞氣體供給至複數個熱傳遞空間DSN之各者，或者將來自冷卻單元之冷媒供給至複數個熱傳遞空間DSN之各者。因此，可變更冷卻台34與靜電吸盤36之間之熱阻。因而，可對靜電吸盤36(吸附部52)設定之溫度之範圍較廣。又，可設定之靜電吸盤36(吸附部52)之升溫速率之範圍、及可設定之靜電吸盤36(吸附部52)之降溫速率之範圍亦較廣。又，可藉由對複數個熱傳遞空間DSN之熱阻賦予差值，而於靜電吸盤36(吸附部52)中設定徑向上較大地變化之溫度分佈。又，因可調整複數個熱傳遞空間DSN各自之熱阻，故可於靜電吸盤36(吸附部52)中設定各種溫度分佈。例如，可於靜電吸盤36(吸附部52)中設置徑向上急遽變化之溫度分佈、徑向上緩慢變化之溫度分佈、或徑向上大致固定之溫度分佈。進而，因可使冷卻台34與靜電吸盤36之間之熱阻變大，故可降低賦予至複數個加熱器HN之電力。 以上，對各種實施形態進行了說明，但並不限定於上述實施形態，可構成各種變化態樣。例如，高頻電源42亦可經由匹配器46連接於上部電極16。又，處理裝置10亦可為電容耦合型之電漿處理裝置以外之任意電漿處理裝置、例如感應耦合型之電漿處理裝置、將微波之類表面波用於電漿之產生之電漿處理裝置或處理被加工物W之其他處理裝置。
10‧‧‧處理裝置
12‧‧‧腔室本體
12p‧‧‧開口
14‧‧‧載置台
16‧‧‧上部電極
18‧‧‧支持構件
20‧‧‧頂板
20a‧‧‧氣體噴出孔
22‧‧‧支持體
22a‧‧‧連通孔
22b‧‧‧氣體擴散室
22c‧‧‧埠口
24‧‧‧配管
26‧‧‧氣源
28‧‧‧流量控制器
30‧‧‧閥
32‧‧‧排氣裝置
34‧‧‧冷卻台
34a‧‧‧中央部
34b‧‧‧周緣部
34c‧‧‧第1上表面
34d‧‧‧下表面
34e‧‧‧第2上表面
34f‧‧‧流路
36‧‧‧靜電吸盤
38‧‧‧支持構件
40‧‧‧供電體
42‧‧‧高頻電源
44‧‧‧高頻電源
46‧‧‧匹配器
48‧‧‧匹配器
50‧‧‧基台
50a‧‧‧中央部
50b‧‧‧周緣部
50c‧‧‧第1上表面
50d‧‧‧下表面
50e‧‧‧第2上表面
50f‧‧‧面
52‧‧‧吸附部
54‧‧‧吸附用電極
56‧‧‧第1加熱器
57‧‧‧第2加熱器
58‧‧‧第3加熱器
60‧‧‧直流電源
62‧‧‧加熱器電源
64‧‧‧濾波器
65‧‧‧濾波器
66‧‧‧濾波器
67‧‧‧彈性構件
68‧‧‧彈性構件
69‧‧‧彈性構件
70‧‧‧緊固構件
70a‧‧‧筒狀部
70b‧‧‧環狀部
70c‧‧‧第1下表面
70d‧‧‧第2下表面
72‧‧‧螺絲
74‧‧‧第2彈性構件
76‧‧‧加熱器
78‧‧‧濾波器
80‧‧‧第1膜
82‧‧‧第2膜
84‧‧‧聚焦環
86‧‧‧絕緣性構件
90‧‧‧氣體管線
90a‧‧‧氣體管線
90b‧‧‧氣體管線
90c‧‧‧氣體管線
91‧‧‧供給部
92‧‧‧套筒
94‧‧‧皮膜
96‧‧‧第3彈性構件
98‧‧‧第4彈性構件
104a‧‧‧壓力調整器
104b‧‧‧壓力調整器
104c‧‧‧壓力調整器
DS1‧‧‧第1熱傳遞空間
DS2‧‧‧第2熱傳遞空間
DS3‧‧‧第3熱傳遞空間
DSN‧‧‧熱傳遞空間
EM1‧‧‧第1彈性構件
GS‧‧‧氣源
GV‧‧‧閘閥
HN‧‧‧加熱器
L11a‧‧‧配管
L11b‧‧‧配管
L11c‧‧‧配管
L12a‧‧‧配管
L12b‧‧‧配管
L12c‧‧‧配管
L13a‧‧‧配管
L13b‧‧‧配管
L13c‧‧‧配管
L14a‧‧‧配管
L14b‧‧‧配管
L14c‧‧‧配管
L15a‧‧‧配管
L15b‧‧‧配管
L15c‧‧‧配管
L17a‧‧‧配管
L17b‧‧‧配管
L17c‧‧‧配管
L21‧‧‧配管
L22‧‧‧配管
L31a‧‧‧配管
L31b‧‧‧配管
L31c‧‧‧配管
L32a‧‧‧配管
L32b‧‧‧配管
L32c‧‧‧配管
L33‧‧‧配管
MCU‧‧‧控制部
PS‧‧‧配管系統
PSA‧‧‧配管系統
R1‧‧‧第1區域
R2‧‧‧第2區域
R3‧‧‧第3區域
RN‧‧‧區域
S‧‧‧腔室
Ta‧‧‧槽
Tb‧‧‧槽
Tc‧‧‧槽
Td‧‧‧槽
TU‧‧‧冷卻單元
V11a‧‧‧閥
V11b‧‧‧閥
V11c‧‧‧閥
V12a‧‧‧閥
V12b‧‧‧閥
V12c‧‧‧閥
V13a‧‧‧閥
V13b‧‧‧閥
V13c‧‧‧閥
V14a‧‧‧閥
V14b‧‧‧閥
V14c‧‧‧閥
V15a‧‧‧閥
V15b‧‧‧閥
V15c‧‧‧閥
V18a‧‧‧閥
V18b‧‧‧閥
V18c‧‧‧閥
V21‧‧‧閥
V22‧‧‧閥
V23‧‧‧閥
V24‧‧‧閥
V31a‧‧‧閥
V31b‧‧‧閥
V31c‧‧‧閥
V32a‧‧‧閥
V32b‧‧‧閥
V32c‧‧‧閥
VU‧‧‧排氣裝置
VU2‧‧‧排氣裝置
W‧‧‧被加工物
Z‧‧‧軸線
圖1係概略性地表示一實施形態之處理裝置之圖。 圖2係將圖1所示之處理裝置之載置台之一部分放大表示之剖視圖。 圖3係將圖1所示之處理裝置之載置台之另一部分放大表示之剖視圖。 圖4係表示一實施形態之配管系統之構成之圖。 圖5係例示配管系統之狀態之圖。 圖6係例示配管系統之狀態之圖。 圖7係例示配管系統之狀態之圖。 圖8係例示配管系統之狀態之圖。 圖9係例示配管系統之狀態之圖。 圖10係例示配管系統之狀態之圖。 圖11係例示配管系統之狀態之圖。 圖12係例示配管系統之狀態之圖。 圖13係例示配管系統之狀態之圖。 圖14係例示靜電吸盤之溫度分佈之圖。 圖15係例示靜電吸盤之溫度分佈之圖。 圖16係例示靜電吸盤之溫度分佈之圖。 圖17係例示靜電吸盤之溫度分佈之圖。 圖18係例示靜電吸盤之溫度分佈之圖。 圖19係例示靜電吸盤之溫度之時間變化之圖。 圖20係例示另一實施形態之配管系統之構成之圖。
34‧‧‧冷卻台
34f‧‧‧流路
36‧‧‧靜電吸盤
56‧‧‧第1加熱器
57‧‧‧第2加熱器
58‧‧‧第3加熱器
62‧‧‧加熱器電源
67‧‧‧彈性構件
68‧‧‧彈性構件
69‧‧‧彈性構件
104a‧‧‧壓力調整器
104b‧‧‧壓力調整器
104c‧‧‧壓力調整器
DS1‧‧‧第1熱傳遞空間
DS2‧‧‧第2熱傳遞空間
DS3‧‧‧第3熱傳遞空間
GS‧‧‧氣源
L11a‧‧‧配管
L11b‧‧‧配管
L11c‧‧‧配管
L12a‧‧‧配管
L12b‧‧‧配管
L12c‧‧‧配管
L13a‧‧‧配管
L13b‧‧‧配管
L13c‧‧‧配管
L14a‧‧‧配管
L14b‧‧‧配管
L14c‧‧‧配管
L15a‧‧‧配管
L15b‧‧‧配管
L15c‧‧‧配管
L17a‧‧‧配管
L17b‧‧‧配管
L17c‧‧‧配管
L21‧‧‧配管
L22‧‧‧配管
L31a‧‧‧配管
L31b‧‧‧配管
L31c‧‧‧配管
L32a‧‧‧配管
L32b‧‧‧配管
L32c‧‧‧配管
PS‧‧‧配管系統
R1‧‧‧第1區域
R2‧‧‧第2區域
R3‧‧‧第3區域
TU‧‧‧冷卻單元
V11a‧‧‧閥
V11b‧‧‧閥
V11c‧‧‧閥
V12a‧‧‧閥
V12b‧‧‧閥
V12c‧‧‧閥
V13a‧‧‧閥
V13b‧‧‧閥
V13c‧‧‧閥
V14a‧‧‧閥
V14b‧‧‧閥
V14c‧‧‧閥
V15a‧‧‧閥
V15b‧‧‧閥
V15c‧‧‧閥
V21‧‧‧閥
V22‧‧‧閥
V31a‧‧‧閥
V31b‧‧‧閥
V31c‧‧‧閥
V32a‧‧‧閥
V32b‧‧‧閥
V32c‧‧‧閥
VU‧‧‧排氣裝置

Claims (11)

  1. 一種被加工物之處理裝置，其具備： 腔室本體、及 設置於上述腔室本體之內部之載置台， 上述載置台具有： 形成有冷媒用之流路之金屬製之冷卻台、及 設置於上述冷卻台之上之靜電吸盤， 上述靜電吸盤包含相對於該靜電吸盤之中心軸線同心之複數個區域，且具有分別設置於該複數個區域之複數個加熱器，且 設置有於上述冷卻台與上述靜電吸盤之間、且上述複數個區域各者之下方延伸且相互分離之複數個熱傳遞空間； 該處理裝置更具備： 加熱器電源，其連接於上述複數個加熱器；及 配管系統，其具有複數個閥，該複數個閥係用以將冷卻單元、熱傳遞氣體之氣源、及排氣裝置選擇性連接於上述複數個熱傳遞空間之各者，且切換上述冷卻單元與上述流路之連接與切斷。
  2. 如請求項1之被加工物之處理裝置，其更具備控制上述複數個閥及上述加熱器電源之控制部， 上述複數個區域包含第1區域、第2區域、及第3區域，上述第1區域與上述中心軸線交叉，上述第3區域係包含上述靜電吸盤之邊緣之區域，上述第2區域位於上述第1區域與上述第3區域之間， 上述複數個加熱器包含設置於上述第1區域之第1加熱器、設置於上述第2區域之第2加熱器、及設置於上述第3區域之第3加熱器，且 上述複數個熱傳遞空間包含位於上述第1區域之下方之第1熱傳遞空間、位於上述第2區域之下方之第2熱傳遞空間、及位於上述第3區域之下方之第3熱傳遞空間。
  3. 如請求項2之被加工物之處理裝置，其中上述控制部係控制上述加熱器電源，以將電力供給至上述複數個加熱器，且控制上述複數個閥，以使冷媒於上述流路與上述冷卻單元之間循環，且將上述複數個熱傳遞空間連接於上述氣源。
  4. 如請求項2或3之被加工物之處理裝置，其中上述控制部係控制上述加熱器電源，以使上述第1加熱器之發熱量及上述第2加熱器之發熱量大於上述第3加熱器之發熱量，且控制上述複數個閥，以使冷媒於上述流路與上述冷卻單元之間循環，將上述第1熱傳遞空間及上述第2熱傳遞空間連接於上述氣源，且將上述第3熱傳遞空間連接於上述冷卻單元。
  5. 如請求項2至4中任一項之被加工物之處理裝置，其中上述控制部係控制上述加熱器電源，以使上述第2加熱器之發熱量大於上述第1加熱器之發熱量，使上述第1加熱器之發熱量大於上述第3加熱器之發熱量，且控制上述複數個閥，以使冷媒於上述流路與上述冷卻單元之間循環，將上述第1熱傳遞空間及上述第2熱傳遞空間連接於上述氣源，且將上述第3熱傳遞空間連接於上述冷卻單元。
  6. 如請求項2至5中任一項之被加工物之處理裝置，其中上述控制部係控制上述加熱器電源，以將電力供給至上述複數個加熱器，且控制上述複數個閥，以將上述複數個熱傳遞空間連接於上述冷卻單元。
  7. 如請求項2至6中任一項之被加工物之處理裝置，其中上述控制部係控制上述加熱器電源，以使上述第1加熱器之發熱量及上述第2加熱器之發熱量大於上述第3加熱器之發熱量，且控制上述複數個閥，以將上述複數個熱傳遞空間連接於上述冷卻單元。
  8. 如請求項2至7中任一項之被加工物之處理裝置，其中上述控制部係控制上述加熱器電源，以將電力供給至上述複數個加熱器，且控制上述複數個閥，以使冷媒於上述流路與上述冷卻單元之間循環，且將上述複數個熱傳遞空間連接於上述排氣裝置。
  9. 如請求項2至8中任一項之被加工物之處理裝置，其中上述控制部係控制上述加熱器電源，以停止對上述複數個加熱器供給電力，且控制上述複數個閥，以使冷媒於上述流路與上述冷卻單元之間循環，且將上述複數個熱傳遞空間連接於上述氣源。
  10. 如請求項2至9中任一項之被加工物之處理裝置，其中上述控制部係控制上述加熱器電源，以停止對上述複數個加熱器供給電力，且控制上述複數個閥，以使冷媒於上述流路與上述冷卻單元之間循環，且將上述複數個熱傳遞空間連接於上述冷卻單元。
  11. 如請求項1至9中任一項之被加工物之處理裝置，其中上述靜電吸盤具有導電性之基台、及陶瓷製之吸附部， 上述吸附部係設置於上述基台之上，上述複數個加熱器係內置於上述吸附部之中， 該處理裝置更具備： 電性連接於上述基台之高頻電源，及 將處理氣體供給至上述腔室本體之內部之氣體供給部。
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