TW201722723A

TW201722723A - 黏著薄片

Info

Publication number: TW201722723A
Application number: TW105128257A
Authority: TW
Inventors: 高野健; 菊池和浩; 杉野貴志
Original assignee: 琳得科股份有限公司
Priority date: 2015-09-01
Filing date: 2016-09-01
Publication date: 2017-07-01
Also published as: JP6714004B2; JPWO2017038916A1; WO2017038916A1

Abstract

一種黏著薄片(10)，其係密封黏著薄片上之半導體元件時所使用之黏著薄片(10)，其具有：具有第一面(11a)及與第一面(11a)相反側之第二面(11b)，且含有聚酯系樹脂之基材(11)、層合於基材(11)之第一面(11a)的黏著劑層(12)、與層合於基材(11)之第二面(11b)的硬塗層(13)，且硬塗層(13)，為使有機無機混成材料硬化所形成的硬化被膜。

Description

黏著薄片

本發明係關於黏著薄片。

對於半導體裝置之製造步驟中使用之黏著薄片，係要求各種特性。近年來，對於黏著薄片，係要求即使經過施以高溫條件之步驟，亦不會污染製造步驟中使用之裝置、構件、及被黏著體。進一步地，亦要求於高溫條件之步驟後，將黏著薄片於室溫剝離時，對被黏著體等殘留黏著劑之不良狀況(所謂之殘膠)少、且剝離力小。

例如，文獻1(日本特開2002-275435號公報)中，記載了用以抑制黏著劑之殘膠，安定地生產QFN(Quad Flat Non-lead)之半導體封裝的遮罩片。文獻1中，記載藉由使用特定之耐熱薄膜及聚矽氧系黏著劑來製作遮罩片，而可耐受黏晶步驟及樹脂密封步驟中於150℃~180℃下1小時~6小時的環境。

但是，文獻1記載之遮罩片的製作所使用之聚醯亞胺薄膜等之耐熱性薄膜及聚矽氧系黏著劑價格高昂，因此該遮罩片之用途，限於QFN封裝等一部分的用途。

近年來，即使於施以如180℃以上200℃以下之高溫條件的步驟，亦使用黏著薄片。於如此之高溫步驟中，例如使用較聚醯亞胺薄膜等耐熱性低且價格便宜的薄膜(例如聚對苯二甲酸乙二酯等之薄膜)作為基材時，於加熱及加壓步驟中，係有基材中之寡聚物附著於設備及構件而污染、或設備及構件與基材熔合之虞。當基材熔合於設備及構件時，係有難以剝離黏著薄片，即使可剝離，基材之寡聚物等亦殘留於設備及構件，使設備及構件污染之虞。例如，於將貼附於黏著薄片之黏著劑層的半導體元件予以樹脂密封之步驟中施以高溫條件時，係有半導體元件之表面被污染，於半導體裝置產生不良狀況的可能性。

本發明之目的為提供即使經過施以高溫條件之步驟後，亦可防止設備及構件之污染、以及防止與設備及構件之熔合的黏著薄片。

依照本發明之一態樣，係提供一種黏著薄片，其係密封黏著薄片上之半導體元件時所使用之黏著薄片，該薄片具有第一面及與前述第一面相反側之第二面，且具有含有聚酯系樹脂之基材、層合於前述基材之前述第一面的黏著劑層、與層合於前述基材之前述第二面的硬塗層，前述硬塗層為使有機無機混成材料硬化所形成的硬化被膜。

本發明之一態樣之黏著薄片中，以190℃及1小時之條件加熱後，於沿著前述基材之任一面的方向之收縮率較佳為1.7%以下。

本發明之一態樣之黏著薄片中，前述聚酯系樹脂，較佳為選自由聚對苯二甲酸乙二酯樹脂、聚萘二甲酸乙二酯樹脂、及聚對苯二甲酸丁二酯樹脂所成之群的樹脂。

本發明之一態樣之黏著薄片中，前述硬塗層之厚度較佳為0.5μm以上且3.0μm以下。

本發明之一態樣之黏著薄片中，較佳為於前述黏著劑層與前述基材之間進一步具有第二硬塗層，且前述第二硬塗層含有多官能丙烯酸系樹脂。

本發明之一態樣之黏著薄片中，前述有機無機混成材料，較佳含有使二氧化矽微粒子與具有聚合性不飽和基之有機化合物鍵結而得的材料、以及活性能量線硬化型樹脂。

依照本發明，可提供即使經過施以高溫條件之步驟後，亦可防止設備及構件之污染、以及防止與設備及構件之熔合的黏著薄片。

10、10A‧‧‧黏著薄片

11‧‧‧基材

11a‧‧‧第一面

11b‧‧‧第二面

12‧‧‧黏著劑層

13‧‧‧硬塗層

13a‧‧‧第一硬塗層

13b‧‧‧第二硬塗層

20‧‧‧框構件

21‧‧‧開口部

30‧‧‧密封樹脂

30A‧‧‧密封樹脂層

40‧‧‧補強構件

41‧‧‧補強板

42‧‧‧接著層

50‧‧‧密封體

CP‧‧‧半導體晶片

RL‧‧‧剝離薄片

圖1為第一實施形態之黏著薄片之截面概略圖。

圖2A為說明使用第一實施形態之黏著薄片的半導體裝置之製造步驟的一部分之圖。

圖2B為說明使用第一實施形態之黏著薄片的半導體裝置之製造步驟的一部分之圖。

圖2C為說明使用第一實施形態之黏著薄片的半導體裝置之製造步驟的一部分之圖。

圖2D為說明使用第一實施形態之黏著薄片的半導體裝置之製造步驟的一部分之圖。

圖2E為說明使用第一實施形態之黏著薄片的半導體裝置之製造步驟的一部分之圖。

圖3為第二實施形態之黏著薄片之截面概略圖。

〔第一實施形態〕 (黏著薄片)

圖1係顯示本實施形態之黏著薄片10的截面概略圖。

黏著薄片10具有基材11、黏著劑層12及硬塗層13。

基材11具有第一面11a、及與第一面11a相反側之第二面11b。本實施形態之黏著薄片10中，黏著劑層12層合於第一面11a、硬塗層13層合於第二面11b。

本實施形態中，如圖1所示，於黏著劑層12之上係層合有剝離薄片RL。黏著薄片10之形狀，例如可採取薄片狀、帶狀、標籤狀等任意形狀。

(基材)

基材11係含有聚酯系樹脂。基材11更佳為由以聚酯系樹脂為主成分之材料所成。本說明書中，以聚酯系樹脂為主成分之材料，意指構成基材之材料全體質量中聚酯系樹脂所佔之質量的比例為50質量%以上。聚酯系樹脂，較佳為例如選自由聚對苯二甲酸乙二酯樹脂、聚對苯二甲酸丁二酯樹脂、聚萘二甲酸乙二酯樹脂、聚萘二甲酸丁二酯樹脂、及此等樹脂之共聚合樹脂所成之群的任一樹脂；更佳為選自由聚對苯二甲酸乙二酯樹脂、聚萘二甲酸乙二酯樹脂、及聚對苯二甲酸丁二酯樹脂所成之群的樹脂；又更佳為聚對苯二甲酸乙二酯樹脂。

基材11較佳為聚對苯二甲酸乙二酯薄膜、或聚萘二甲酸乙二酯薄膜；更佳為聚對苯二甲酸乙二酯薄膜。聚酯薄膜中含有之寡聚物，係來自於聚酯形成性單體、二聚體、及三聚體等。

為了提高基材11與黏著劑層12之密著性、及基材11與硬塗層13之密著性，第一面11a及第二面11b，亦可實施底塗處理、電暈處理、及電漿處理等之至少任一者的表面處理。對於基材11之第一面11a及第二面11b，亦可塗佈黏著劑來實施黏著處理。基材之黏著處理所用的黏著劑，可列舉例如丙烯酸系、橡膠系、聚矽氧系、及胺基甲酸酯系等之黏著劑。

基材11之厚度，較佳為10μm以上且500μm以下、更佳為15μm以上且300μm以下、又更佳為20μm以上且250μm以下。

將黏著薄片10以190℃及1小時之條件加熱後，於沿著基材11之任一面的方向之收縮率較佳為1.7%以下。

將黏著薄片10以190℃及1小時之條件加熱後，至少基材11之MD方向的收縮率，較佳為1.7%以下。

半導體裝置之製造製程中包含於180℃至190℃加熱1小時左右之步驟，收縮率若為1.7%以下，則可防止因基材11之收縮使黏著薄片10由被黏著體剝離。藉由防止加熱步驟中黏著薄片10由被黏著體剝離，可防止製造製程中之搬送不良狀況。又，因黏著薄片10剝離，露出被黏著體之面(例如半導體晶片之電路面)，有被污染之虞，但若滿足前述之收縮率條件，亦可防止如此之污染。

本說明書中基材11之MD(MD：Machine Direction)方向，係指平行於賦予基材11之原膜的長度方向(原膜製造時之移送方向)之方向。

(硬塗層)

硬塗層13，為由使有機無機混成材料硬化而形成之硬化被膜所成的層。硬塗層13含有有機無機混成材料之硬化物。

本說明書中，有機無機混成材料，係指有機成分與無機成分之混合方式為緊密，且於以分子等級或接近分子等級之粒徑分散之狀態硬化而得的樹脂。具體而言，有機成分或無機成分，例如以粒徑100nm以下分散。本實施形態中使用之有機無機混成材料，較佳為可藉由活性能量線之照射，無機成分與有機成分會反應而硬化，形成硬化膜(硬塗膜)之材料。活性能量線可列舉例如紫外線及電子束等。

再者，本說明書中之有機成分或無機成分的粒徑，係使用粒度分布測定裝置(MicrotracBEL公司製，Nanotrac Wave-UT151)，以動態光散射法所測定之值。

作為有機無機混成材料，較佳為含有活性能量線硬化型樹脂、及二氧化矽微粒子之活性能量線感應型組成物。藉由對活性能量線感應型組成物照射上述活性能量線，可交聯及硬化，得到有機無機混成硬化樹脂。

本實施形態中之有機無機混成材料，較佳含有使二氧化矽微粒子與具有聚合性不飽和基之有機化合物鍵結而得的材料、以及活性能量線硬化型樹脂。有機無機混成材料因為含有二氧化矽微粒子，故可減低硬化時之收縮，可抑制黏著薄片10捲曲。

(活性能量線硬化型樹脂)

本實施形態中，活性能量線硬化型樹脂為藉由照射活性能量線而進行交聯及硬化的聚合性化合物。藉由使用因活性能量線而硬化的樹脂，可使基材11之熱歷程為小。活性能量線可列舉例如紫外線及電子束等之電磁波、以及具有能量量子之荷電粒子束等。本實施形態之硬塗層13所用之樹脂，較佳為紫外線硬化型樹脂。

活性能量線硬化型樹脂，較佳含有多官能丙烯酸系樹脂。多官能丙烯酸系樹脂，較佳為選自由多官能性(甲基)丙烯酸酯系單體及(甲基)丙烯酸酯系預聚物所成之群的至少1種樹脂、更佳為多官能性(甲基)丙烯酸酯系單體。

再者，本說明書中，「(甲基)丙烯酸酯」為表示丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯雙方時所用的表述，關於其他類似用語亦相同。

多官能性(甲基)丙烯酸酯系單體，可列舉例如1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、羥基三甲基乙酸新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、二環戊烷基二(甲基)丙烯酸酯、己內酯改質二環戊烯基二(甲基)丙烯酸酯、環氧乙烷改質磷酸二(甲基)丙烯酸酯、環氧乙烷改質二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、烯丙基化環己基二(甲基)丙烯酸酯、三聚異氰酸酯二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、丙酸改質二季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、環氧丙烷改質三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、參(丙烯醯氧基乙基)三聚異氰酸酯、丙酸改質二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、及己內酯改質二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯等。

再者，多官能性(甲基)丙烯酸酯系單體，可單獨使用、亦可組合2種以上使用。

(甲基)丙烯酸酯系預聚物，可列舉例如聚酯(甲基)丙烯酸酯系預聚物、(甲基)丙烯酸環氧酯系預聚物、胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯系預聚物、及多元醇(甲基)丙烯酸酯系預聚物等。

聚酯(甲基)丙烯酸酯系預聚物，例如可藉由多元羧酸與多元醇之縮合得到兩末端具有羥基之聚酯寡聚物，進而藉由將該羥基以(甲基)丙烯酸進行酯化而得到。又，聚酯(甲基)丙烯酸酯系預聚物，例如可藉由對多元羧酸加成環氧烷得到寡聚物，且將該寡聚物之末端羥基以(甲基)丙烯酸進行酯化而得到。

(甲基)丙烯酸環氧酯系預聚物，例如可藉由使(甲基)丙烯酸與較低分子量之雙酚型環氧樹脂或酚醛清漆型環氧樹脂的環氧乙烷環反應進行酯化而得到。

胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯系預聚物，例如可藉由聚醚多元醇或聚酯多元醇、與聚異氰酸酯之反應而得到聚胺基甲酸酯寡聚物，且將該聚胺基甲酸酯寡聚物以(甲基)丙烯酸進行酯化而得到。

多元醇(甲基)丙烯酸酯系預聚物，可藉由將聚醚多元醇之羥基以(甲基)丙烯酸進行酯化而得到。

再者，此等預聚物，可單獨使用、亦可組合2種以上使用，亦可與前述多官能性(甲基)丙烯酸酯系單體合併使用。

(二氧化矽微粒子)

二氧化矽微粒子之平均粒徑較佳為0.5nm以上且500nm以下、更佳為1nm以上且100nm以下。再者，二氧化矽微粒子之平均粒徑，例如係藉由BET法所測定之值。

二氧化矽微粒子之中，就與活性能量線硬化型樹脂形成堅固之鍵結的觀點而言，尤以經具有可與上述活性能量線硬化型樹脂反應之聚合性不飽和基的有機化合物表面修飾之二氧化矽微粒子(反應性二氧化矽微粒子)為佳。

經具有聚合性不飽和基的有機化合物表面修飾之二氧化矽微粒子，可藉由使具有可與該矽醇基反應之官能基即(甲基)丙烯醯基的含聚合性不飽和基之有機化合物與二氧化矽微粒子表面之矽醇基反應而得到。

再者，本實施形態中，具有修飾二氧化矽微粒子之表面的聚合性不飽和基之有機化合物，亦可為相當於上述活性能量線硬化型樹脂之化合物。惟，修飾二氧化矽微粒子之表面的化合物，係作為二氧化矽微粒子之構成要素而含有，而與上述活性能量線硬化型樹脂區別。

前述具有可與矽醇基反應之官能基的含聚合性不飽和基之有機化合物，較佳為例如下述一般式(I)表示之化合物等。

前述一般式(I)中，R¹為氫原子或甲基，R²為鹵素原子或選自由下述式表示之基所成之群的任一種基。

-OCH₂CH₂NCO,,,-OCH₂CH₂OH,-OH,-O(CH₂)₃-Si(OCH₃)₃

含聚合性不飽和基之有機化合物，可列舉例如(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸氯化物、(甲基)丙烯酸2-異氰酸基乙酯、(甲基)丙烯酸縮水甘油酯、(甲基)丙烯酸2,3-亞胺基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、及(甲基)丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷等之(甲基)丙烯酸衍生物。

此等含聚合性不飽和基之有機化合物，可單獨使用、亦可組合2種以上使用。

有機無機混成材料中之二氧化矽微粒子的含量，相對於上述活性能量線硬化型樹脂100質量份而言，較佳為80質量份以上且400質量份以下、更佳為100質量份以上且300質量份以下。

(光聚合起始劑)

有機無機混成材料，較佳為含有光聚合起始劑。

光聚合起始劑，可列舉例如苯偶姻、苯偶姻甲基醚、苯偶姻乙基醚、苯偶姻異丙基醚、苯偶姻-n-丁基醚、苯偶姻異丁基醚、苯乙酮、二甲基胺基苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2,2-二乙氧基-2-苯基苯乙酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮、1-羥基環己基苯基酮、2-甲基- 1-[4-(甲硫基)苯基]-2-嗎啉基-丙烷-1-酮、4-(2-羥基乙氧基)苯基-2(羥基-2-丙基)酮、二苯甲酮、p-苯基二苯甲酮、4,4’-二乙基胺基二苯甲酮、二氯二苯甲酮、2-甲基蒽醌、2-乙基蒽醌、2-第三丁基蒽醌、2-胺基蒽醌、2-甲基噻噸酮、2-乙基噻噸酮、2-氯噻噸酮、2,4-二甲基噻噸酮、2,4-二乙基噻噸酮、苄基二甲基縮酮、苯乙酮二甲基縮酮、及p-二甲基胺基安息香酸酯等。

再者，此等光聚合起始劑，可單獨使用、亦可組合2種以上使用。

再者，此等含有活性能量線硬化型樹脂、二氧化矽微粒子、及光聚合起始劑之有機無機混成材料的市售品，可列舉例如「Opstar Z7530」、「Opstar Z7524」、及「Opstar TU4086」(製品名，均為JSR(股)製)等。

活性能量線感應型組成物中，於不損及本發明之效果的範圍可依需要含有選自由紫外線吸收劑、光安定劑、抗氧化劑、紅外線吸收劑、抗靜電劑、調平劑、消泡劑等所成之群的至少1種添加劑。此等添加劑當中，就提高耐光性之觀點而言，尤以含有選自由紫外線吸收劑及光安定劑所成之群的至少1種為佳。

(紫外線吸收劑)

活性能量線感應型組成物，亦可含有紫外線吸收劑。

紫外線吸收劑可列舉苯并三唑系紫外線吸收劑、受阻胺系紫外線吸收劑、二苯甲酮系紫外線吸收劑、及三嗪系紫外線吸收劑等。此等紫外線吸收劑，可單獨使用、亦可組合2種以上使用。此等之中，尤以分子內具有自由基聚合性之雙鍵的自由基聚合性紫外線吸收劑為佳。

紫外線吸收劑之含量，相對於活性能量線硬化型樹脂、二氧化矽微粒子、及光聚合起始劑之合計100質量份而言，較佳為0.2質量份以上且10質量份以下、更佳為0.5質量份以上且7質量份以下。

(光安定劑)

活性能量線感應型組成物，亦可含有光安定劑。

光安定劑，可列舉受阻胺系光安定劑、二苯甲酮系光安定劑、及苯并三唑系光安定劑等。此等光安定劑，可單獨使用、亦可組合2種以上使用。

光安定劑之含量，相較於活性能量線硬化型樹脂、二氧化矽微粒子、及光聚合起始劑之合計100質量份而言，較佳為0.2質量份以上且10質量份以下、更佳為0.5質量份以上且7質量份以下。

硬塗層13之厚度較佳為0.5μm以上且3.0μm以下。硬塗層13之厚度若為0.5μm以上，則可提高半導體裝置之製造製程中的耐熱性，若為3.0μm以下，可抑制黏著薄片10捲曲。

硬塗層13之形成所使用的活性能量線感應型組成物之一例，可列舉含有反應性二氧化矽微粒子、多官能性(甲基)丙烯酸酯系單體、及(甲基)丙烯酸酯系預聚物之活性能量線感應型組成物。

(黏著劑層)

本實施形態之黏著劑層12，含有黏著劑組成物。該黏著劑組成物中所含之黏著劑，並無特殊限定，可應用各種類之黏著劑於黏著劑層12。黏著劑層12中所含之黏著劑，可列舉例如橡膠系、丙烯酸系、聚矽氧系、聚酯系、及胺基甲酸酯系。再者，黏著劑之種類，係考慮用途及所貼著之被黏著體種類等來選擇。

黏著劑層12所含有之黏著劑組成物，較佳含有以丙烯酸2-乙基己酯為主要單體的丙烯酸系共聚物。本說明書中，以丙烯酸2-乙基己酯為主要單體，意指丙烯酸系共聚物全體質量中來自丙烯酸2-乙基己酯之共聚物成分所佔的質量比例為50質量%以上。本實施形態中，丙烯酸系共聚物中來自丙烯酸2-乙基己酯之共聚物成分的比例，較佳為50質量%以上且95質量%以下、更佳為60質量%以上且95質量%以下、又更佳為80質量%以上且95質量%以下、又再更佳為85質量%以上且93質量%以下。來自丙烯酸2-乙基己酯之共聚物成分之比例若為50質量%以上，則加熱後黏著力不會變得過高，更容易由被黏著體將黏著薄片剝離，若為80質量%以上則更加容易剝離。來自丙烯酸2-乙基己酯之共聚物成分之比例若為95質量%以下，則可防止初期密著力不足而於加熱時使基材變形、或因為該變形使黏著薄片由被黏著體剝離。

丙烯酸系共聚物中，丙烯酸2-乙基己酯以外之共聚物成分的種類及數目，並無特殊限定。例如，作為第二共聚物成分，較佳為具有反應性官能基的含官能基之單體。作為第二共聚物成分之反應性官能基，當使用後述之交聯劑時，較佳為可與該交聯劑反應的官能基。該反應性官能基，較佳為例如選自由羧基、羥基、胺基、取代胺基、及環氧基所成之群的至少任一取代基；更佳為羧基及羥基之至少任一取代基；又更佳為羧基。

具有羧基之單體(含羧基之單體)，可列舉例如丙烯酸、甲基丙烯酸、巴豆酸、馬來酸、依康酸、及檸康酸等之乙烯性不飽和羧酸。含羧基之單體當中，就反應性及共聚合性之觀點而言，尤以丙烯酸為佳。含羧基之單體，可單獨使用、亦可組合2種以上使用。

具有羥基之單體(含羥基之單體)，可列舉例如(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丁酯、及(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯等之(甲基)丙烯酸羥基烷酯等。含羥基之單體當中，就羥基之反應性及共聚合性之觀點而言，尤以(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯為佳。含羥基之單體可單獨使用、亦可組合2種以上使用。再者，本說明書中，「(甲基)丙烯酸」係表示「丙烯酸」及「甲基丙烯酸」雙方時所使用的表述，其他類似用語亦相同。

具有環氧基之丙烯酸酯，可列舉例如丙烯酸縮水甘油酯、及甲基丙烯酸縮水甘油酯等。

丙烯酸系共聚物中之其他共聚物成分，可列舉烷基之碳數為2~20的(甲基)丙烯酸烷酯。(甲基)丙烯酸烷酯，可列舉例如(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸n-丁酯、(甲基)丙烯酸n-戊酯、(甲基)丙烯酸n-己酯、甲基丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸n-癸酯、(甲基)丙烯酸n-十二烷酯、(甲基)丙烯酸肉豆蔻酯、(甲基)丙烯酸棕櫚酯、及(甲基)丙烯酸硬脂酯等。此等(甲基)丙烯酸烷酯當中，就更提高黏著性之觀點而言，尤以烷基之碳數為2~4的(甲基)丙烯酸酯為佳、更佳為(甲基)丙烯酸n-丁酯。(甲基)丙烯酸烷酯，可單獨使用、亦可組合2種以上使用。

丙烯酸系共聚物中之其他共聚物成分，可列舉例如來自選自由含烷氧基烷基之(甲基)丙烯酸酯、具有脂肪族環之(甲基)丙烯酸酯、具有芳香族環之(甲基)丙烯酸酯、非交聯性之丙烯醯胺、具有非交聯性之3級胺基的(甲基)丙烯酸酯、乙酸乙烯酯、及苯乙烯所成之群的至少任一單體之共聚物成分。

含烷氧基烷基之(甲基)丙烯酸酯，可列舉例如(甲基)丙烯酸甲氧基甲酯、(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸乙氧基甲酯、及(甲基)丙烯酸乙氧基乙酯。

具有脂肪族環之(甲基)丙烯酸酯，可列舉例如(甲基)丙烯酸環己酯。

具有芳香族環之(甲基)丙烯酸酯，可列舉例如(甲基)丙烯酸苯酯。

非交聯性之丙烯醯胺，可列舉例如丙烯醯胺、及甲基丙烯醯胺。

具有非交聯性之3級胺基的(甲基)丙烯酸酯，可列舉例如(甲基)丙烯酸(N,N-二甲基胺基)乙酯、及(甲基)丙烯酸(N,N-二甲基胺基)丙酯。

此等單體可單獨使用、亦可組合2種以上使用。

本實施形態中，作為第2共聚物成分，較佳為含羧基之單體或含羥基之單體、更佳為丙烯酸。丙烯酸系共聚物含有來自丙烯酸2-乙基己酯之共聚物成分、及來自丙烯酸之共聚物成分時，丙烯酸系共聚物全體質量中，來自丙烯酸之共聚物成分所佔質量之比例較佳為1質量%以下、更佳為0.1質量%以上且0.5質量%以下。丙烯酸之比例若為1質量%以下，則於黏著劑組成物中含有交聯劑時，可防止丙烯酸系共聚物之交聯過快進行。

丙烯酸系共聚物，亦可含有來自2種以上之含官能基之單體的共聚物成分。例如，丙烯酸系共聚物，亦可為3元系共聚物。丙烯酸系共聚物為3元系共聚物時，較佳為使丙烯酸2-乙基己酯、含羧基之單體及含羥基之單體共聚合而得到之丙烯酸系共聚物，該含羧基之單體，較佳為丙烯酸，含羥基之單體，較佳為丙烯酸2-羥基乙酯。丙烯酸系共聚物中，較佳為來自丙烯酸2-乙基己酯之共聚物成分的比例為80質量%以上且95質量%以下，來自丙烯酸之共聚物成分的質量比例為1質量%以下，且剩餘部分為來自丙烯酸2-羥基乙酯之共聚物成分。

丙烯酸系共聚物之重量平均分子量(Mw)，較佳為30萬以上且200萬以下、更佳為60萬以上且150萬以下、又更佳為80萬以上且120萬以下。丙烯酸系共聚物之重量平均分子量Mw若為30萬以上，則可在無於被黏著體上之黏著劑的殘渣之下進行剝離。丙烯酸系共聚物之重量平均分子量Mw若為200萬以下，則可對被黏著體確實地進行貼附。

丙烯酸系共聚物之重量平均分子量Mw，為藉由凝膠滲透層析(Gel Permeation Chromatography；GPC)法所測定之標準聚苯乙烯換算值。

丙烯酸系共聚物，可使用前述之各種原料單體，遵照以往公知之方法而製造。

丙烯酸系共聚物之共聚合形態，並無特殊限定，可為嵌段共聚物、隨機共聚物、或接枝共聚物之任意者。

本實施形態中，黏著劑組成物中之丙烯酸系共聚物的含有率，較佳為40質量%以上且90質量%以下、更佳為50質量%以上且90質量%以下。

構成黏著劑層12之黏著劑組成物，於前述丙烯酸系共聚物以外，較佳含有使進一步摻合交聯劑之組成物交聯而得到之黏著劑。又，黏著劑組成物亦佳為實質上如前述般由使前述丙烯酸系共聚物與交聯劑交聯而得到之黏著劑所構成。此處，實質上意指除了不可避免地混入黏著劑之微量雜質以外，僅由該黏著劑所構成。

本實施形態中，交聯劑可列舉例如異氰酸酯系交聯劑、環氧系交聯劑、氮丙啶系交聯劑、金屬鉗合物系交聯劑、胺系交聯劑、及胺基樹脂系交聯劑。此等交聯劑，可單獨使用、亦可組合2種以上使用。

本實施形態中，由提高黏著劑層12之耐熱性及黏著力的觀點而言，此等交聯劑當中，尤以含有具有異氰酸酯基之化合物作為主成分的交聯劑(異氰酸酯系交聯劑)為佳。異氰酸酯系交聯劑，可列舉例如2,4-甲苯二異氰酸酯、2,6-甲苯二異氰酸酯、1,3-伸二甲苯二異氰酸酯、1,4-伸二甲苯二異氰酸酯、二苯基甲烷-4,4’-二異氰酸酯、二苯基甲烷-2,4’-二異氰酸酯、3-甲基二苯基甲烷二異氰酸酯、六亞甲二異氰酸酯、異佛酮二異氰酸酯、二環己基甲烷-4,4’-二異氰酸酯、二環己基甲烷-2,4’-二異氰酸酯、及離胺酸異氰酸酯等之多元異氰酸酯化合物。

又，多元異氰酸酯化合物，亦可為上述化合物之三羥甲基丙烷加合物型改質體、與水反應之縮二脲型改質體、或具有三聚異氰酸酯環之三聚異氰酸酯型改質體。

本說明書中，以具有異氰酸酯基之化合物為主成分的交聯劑，意指構成交聯劑之成分全體的質量中，具有異氰酸酯基之化合物的質量所佔的比例為50質量%以上。

本實施形態中，黏著劑組成物中的交聯劑之含量，相對於丙烯酸系共聚物100質量份而言，較佳為0.1質量份以上且20質量份以下、更佳為1質量份以上且15質量份以下、又更佳為5質量份以上且10質量份以下。黏著劑組成物中的交聯劑之含量若為如此之範圍內，可提高黏著劑層12與基材11之接著性，且可縮短黏著薄片製造後用以使黏著特性安定化之熟成期間。

本實施形態中，由黏著劑層12之耐熱性的觀點而言，異氰酸酯系交聯劑，更佳為具有三聚異氰酸酯環之化合物(三聚異氰酸酯型改質體)。具有三聚異氰酸酯環之化合物，相對於丙烯酸系共聚物之羥基當量而言，較佳為摻合0.7當量以上且1.5當量以下。具有三聚異氰酸酯環之化合物的摻合量若為0.7當量以上，則加熱後黏著力不會變得過高，容易剝離黏著薄片，可減少殘膠。具有三聚異氰酸酯環之化合物的摻合量若為1.5當量以下，則可防止初期黏著力變得過低、或防止貼附性之降低。

本實施形態中的構成黏著劑層12之黏著劑組成物含有交聯劑時，黏著劑組成物較佳為進一步含有交聯促進劑。交聯促進劑較佳為依照交聯劑之種類等而適當選擇來使用。例如，黏著劑組成物含有聚異氰酸酯化合物作為交聯劑時，較佳為進一步含有有機錫化合物等之有機金屬化合物系的交聯促進劑。

本實施形態中，構成黏著劑層12之黏著劑組成物，亦佳為含有反應性黏著助劑(以下亦有僅稱為「黏著助劑」者)。反應性黏著助劑，較佳為具有反應性官能基之聚丁二烯系樹脂、及具有反應性官能基之聚丁二烯系樹脂的氫化物等。反應性黏著助劑所具有之反應性官能基，較佳為選自由羥基、異氰酸酯基、胺基、環氧乙烷基、酸酐基、烷氧基、丙烯醯基及甲基丙烯醯基所成之群的一種以上之官能基。黏著劑組成物若含有反應性黏著助劑，則可減少將黏著薄片10由被黏著體剝離時的殘膠。反應性黏著助劑並無特殊限定，較佳為兩末端羥基氫化聚丁二烯。

黏著劑組成物中之反應性黏著助劑之含量，較佳為3質量%以上且50質量%以下、更佳為5質量%以上且30質量%以下。黏著劑組成物中之反應性黏著助劑之含量若為3質量%以上，則亦無殘膠，若為50質量%以下，則黏著力亦無降低。

構成黏著劑層12之黏著劑組成物中，於不損及本發明之效果的範圍，亦可含有其他成分。黏著劑組成物中可含有的其他成分，可列舉例如有機溶劑、難燃劑、增黏劑、紫外線吸收劑、抗氧化劑、防腐劑、防黴劑、可塑劑、消泡劑、及濕潤性調整劑等。

黏著劑層12之厚度，係依黏著薄片10之用途而適當決定。本實施形態中，黏著劑層12之厚度，較佳為5μm以上且60μm以下、更佳為10μm以上且50μm以下。黏著劑層12之厚度太薄時，黏著劑層12無法追隨於半導體晶片之電路面的凹凸，有產生間隙之虞。例如層間絕緣材及密封樹脂等進入該間隙，有晶片電路面之配線連接用之電極墊被阻塞之虞。黏著劑層12之厚度若為5μm以上，則黏著劑層12容易追隨晶片電路面之凹凸，可防止間隙產生。又，黏著劑層12之厚度太厚時，係有半導體晶片沈入黏著劑層中，產生半導體晶片部分與密封半導體晶片的樹脂部分之階差之虞。若產生如此之階差時，再配線時係有配線斷線之虞。黏著劑層12之厚度若為60μm以下，則不易產生階差。

(剝離薄片)

剝離薄片RL並無特殊限定。例如，由操作容易性的觀點而言，剝離薄片RL較佳為具備剝離基材、與於剝離基材上塗佈剝離劑所形成之剝離劑層。又，剝離薄片RL可僅於剝離基材之單面具備剝離劑層、亦可於剝離基材之兩面具備剝離劑層。剝離基材，可列舉例如紙基材、於該紙基材層合聚乙烯等之熱可塑性樹脂的層合紙、以及塑膠薄膜等。紙基材可列舉玻璃紙、塗層紙、及玻璃粉紙等。塑膠薄膜可列舉聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、及聚萘二甲酸乙二酯等之聚酯薄膜；以及聚丙烯及聚乙烯等之聚烯烴薄膜等。剝離劑可列舉例如烯烴系樹脂、橡膠系彈性體(例如丁二烯系樹脂、異戊二烯系樹脂等)、長鏈烷基系樹脂、醇酸系樹脂、氟系樹脂、及聚矽氧系樹脂。

剝離薄片RL之厚度並無特殊限定。剝離薄片RL之厚度，通常為20μm以上且200μm以下、較佳為25μm以上且150μm以下。

剝離劑層之厚度並無特殊限定。塗佈含剝離劑之溶液而形成剝離劑層的情況時，剝離劑層之厚度較佳為0.01μm以上且2.0μm以下、更佳為0.03μm以上且1.0μm以下。

使用塑膠薄膜作為剝離基材時，該塑膠薄膜之厚度較佳為3μm以上且50μm以下、更佳為5μm以上且40μm以下。

本實施形態之黏著薄片10，較佳為加熱後顯示如下之黏著力。首先，將黏著薄片10貼附於被黏著體(銅箔或聚醯亞胺薄膜)，以100℃及30分鐘之條件加熱，接著以180℃及30分鐘之條件加熱，進一步以190℃及1小時之條件加熱後，於室溫下黏著劑層12對銅箔之黏著力、及於室溫下黏著劑層12對聚醯亞胺薄膜之黏著力，較佳分別為0.7N/25mm以上且2.0N/25mm以下。進行如此之加熱後的黏著力若為0.7N/25mm以上，則因加熱而使基材或被黏著體變形時，可防止黏著薄片10由被黏著體剝離。又，加熱後之黏著力若為2.0N/25mm以下，則剝離力不會變得過高，容易將黏著薄片10由被黏著體剝離。

再者，本說明書中，室溫係指22℃以上且24℃以下之溫度。

又，本說明書中，黏著力係藉由180°剝離法，以剝離速度(拉伸速度)300mm/分鐘、黏著薄片之寬度25mm所測定的值。

(黏著薄片之製造方法)

黏著薄片10之製造方法並無特殊限定。

例如，黏著薄片10，係經如下之步驟製造。

首先，準備或配製含有前述有機無機混成材料之硬塗層用塗佈劑(以下稱為硬塗劑)。為了使硬塗劑容易塗佈，硬塗劑較佳為進一步添加溶劑而作為塗佈液之形態。硬塗劑所用之溶劑，可列舉例如脂肪族烴系溶劑、芳香族烴系溶劑、鹵化烴系溶劑、醇系溶劑、酮系溶劑、酯系溶劑、溶纖劑系溶劑、及醚系溶劑等。

脂肪族烴系溶劑，可列舉己烷、及庚烷等。

芳香族烴系溶劑，可列舉甲苯、及二甲苯等。

鹵化烴系溶劑，可列舉二氯甲烷、及二氯乙烷等。

醇系溶劑，可列舉甲醇、乙醇、丙醇、及丁醇等。

酮系溶劑，可列舉丙酮、甲基乙基酮、2-戊酮、異佛酮、及環己酮等。

酯系溶劑，可列舉乙酸乙酯、及乙酸丁酯等。

溶纖劑系溶劑，可列舉乙基溶纖劑等。

醚系溶劑，可列舉丙二醇單甲基醚等。

於添加溶劑作為塗佈液的硬塗劑中，固體成分濃度，由對基材之塗佈性及作業性的觀點而言，較佳為1質量%以上且60質量%以下、更佳為5質量%以上且40質量%以下。

然後，將硬塗劑塗佈於基材11之第二面11b上而形成塗膜，使塗膜乾燥後，對該塗膜照射活性能量線，使該塗膜硬化，藉以形成硬塗層13。硬塗劑之塗佈方法，可列舉例如棒塗佈法、刀式塗佈法、輥塗佈法、刮刀塗佈法、模具塗佈法、及凹版塗佈法等。活性能量線，可列舉例如紫外線及電子束等，較佳為紫外線。紫外線，例如可使用高壓水銀燈、無電極燈、金屬鹵化物燈、或氙燈等來照射。紫外線之照射量並無特殊限制，較佳為100mJ/cm²以上且500mJ/cm²以下、更佳為150mJ/cm²以上且450mJ/cm²以下。另一方面，電子束可使用電子束加速器等照射。電子束之照射量並無特殊限制，較佳為150kV以上且350kV以下。再者，使用電子束時，可在不添加光聚合起始劑之下得到硬化膜。

接著，於基材11之第一面11a上塗佈黏著劑組成物，形成塗膜。接著，使該塗膜乾燥，形成黏著劑層12。之後，以被覆黏著劑層12的方式貼著剝離薄片RL。

又，黏著薄片10之別的製造方法，係經如下之步驟製造。首先，於剝離薄片RL之上塗佈黏著劑組成物，形成塗膜。接著，使塗膜乾燥，形成黏著劑層12。藉由貼合具有該黏著劑層12之剝離薄片RL、與具有前述硬塗層13之基材11，亦可製造黏著薄片10。此時，係貼合黏著劑層12與基材11之第一面11a。

塗佈黏著劑組成物來形成黏著劑層12時，較佳為以有機溶劑稀釋黏著劑組成物配製塗佈液來使用。有機溶劑可列舉例如甲苯、乙酸乙酯、及甲基乙基酮等。塗佈塗佈液之方法並無特殊限定。塗佈方法可列舉例如旋轉塗佈法、噴霧塗佈法、棒塗佈法、刀式塗佈法、輥刀式塗佈法、輥塗佈法、刮刀塗佈法、模具塗佈法、及凹版塗佈法等。

為了防止有機溶劑及低沸點成分殘留於黏著劑層12，較佳為將塗佈液塗佈於基材11或剝離薄片RL後，加熱塗膜進行乾燥。又，於黏著劑組成物中摻合交聯劑時，為了使交聯反應進行，提高凝集力，亦以加熱塗膜為佳。

(黏著薄片之使用)

黏著薄片10，係於密封半導體元件時使用。黏著薄片10，較佳為於密封未搭載於金屬製引線框架，而貼著於黏著薄片10上之狀態的半導體元件時使用。具體而言，黏著薄片10，較佳並非於密封搭載於金屬製引線框架之半導體元件時使用，而是密封貼著於黏著劑層12之狀態的半導體元件時使用。不使用金屬製引線框架來封裝半導體元件之形態，可列舉面板規模封裝(Panel Scale Package；PSP)及晶圓等級封裝(Wafer Level Package；WLP)。

黏著薄片10，較佳為於具有下述步驟的製程中使用：將形成有複數個開口部之框構件貼著於黏著薄片10之步驟、將半導體晶片貼著於露出於前述框構件之開口部的黏著劑層12之步驟、將前述半導體晶片以密封樹脂被覆之步驟、與使前述密封樹脂熱硬化之步驟。

(半導體裝置之製造方法)

說明使用本實施形態之黏著薄片10製造半導體裝置的方法。

圖2A~圖2E，係顯示說明本實施形態之半導體裝置之製造方法的概略圖。

本實施形態之半導體裝置之製造方法，係實施：將形成有複數個開口部21之框構件20貼著於黏著薄片10之步驟(黏著薄片貼著步驟)、將半導體晶片CP貼著於露出於框構件20之開口部21的黏著劑層12之步驟(接合步驟)、將半導體晶片CP以密封樹脂30被覆之步驟(密封步驟)、使密封樹脂30熱硬化之步驟(熱硬化步驟)、與熱硬化後剝離黏著薄片10之步驟(剝離步驟)。亦可依需要，於熱硬化步驟之後，實施將補強構件40貼著於經密封樹脂30密封之密封體50的步驟(補強構件貼著步驟)。以下說明各步驟。

‧黏著薄片貼著步驟

圖2A係顯示說明將框構件20貼著於黏著薄片10之黏著劑層12之步驟的概略圖。再者，於黏著薄片10貼著剝離薄片RL時，係預先剝離剝離薄片RL。

本實施形態之框構件20，係形成為格子狀，具有複數個開口部21。框構件20較佳為以具有耐熱性之材質形成，可列舉例如銅及不鏽鋼等之金屬、以及聚醯亞胺樹脂及玻璃環氧樹脂等之耐熱性樹脂等。

開口部21為貫通框構件20之表背面的孔。開口部21之形狀，只要係可將半導體晶片CP容納於框內，則無特殊限定。開口部21之孔的深度，亦只要可容納半導體晶片CP，則無特殊限定。

‧接合步驟

圖2B係顯示說明將半導體晶片CP貼著於黏著劑層12之步驟的概略圖。

將黏著薄片10貼著於框構件20時，於各自之開口部21，依照開口部21之形狀，係露出黏著劑層12。於各開口部21之黏著劑層12上貼著半導體晶片CP。將半導體晶片CP以將其電路面以黏著劑層12被覆的方式貼著。

半導體晶片CP之製造，例如，係藉由實施將形成有電路之半導體晶圓的背面予以研削之背面研磨步驟、及將半導體晶圓單片化之切割步驟而製造。切割步驟中，藉由將半導體晶圓貼著於切割片之接著劑層，使用切割機(dicing saw)等之切斷手段將半導體晶圓單片化，而得到半導體晶片CP(半導體元件)。

切割裝置並無特殊限定，可使用公知之切割裝置。又，關於切割條件亦無特殊限定。再者，亦可使用雷射切割法及隱形切割(stealth dicing)法等來取代使用切割刀切割之方法。

切割步驟之後，亦可實施延伸切割片，擴張複數個半導體晶片CP間之間隔的擴展步驟。藉由實施擴展步驟，可使用筒夾等之搬送手段拾取半導體晶片CP。又，藉由實施擴展步驟，切割片之接著劑層的接著力減少，變得容易拾取半導體晶片CP。

於切割片之接著劑組成物、或接著劑層中摻合能量線聚合性化合物時，係由切割片之基材側對接著劑層照射能量線，使能量線聚合性化合物硬化。使能量線聚合性化合物硬化時，提高接著劑層之凝集力，可降低接著劑層之接著力。能量線可列舉例如紫外線(UV)及電子束(EB)等，較佳為紫外線。能量線之照射，可於半導體晶圓之貼附後、半導體晶片之剝離(拾取)前的任意階段進行。例如，可於切割之前或後照射能量線、亦可於擴展步驟之後照射能量線。

‧密封步驟及熱硬化步驟

圖2C係顯示說明密封貼著於黏著薄片10之半導體晶片CP及框構件20的步驟之概略圖。

密封樹脂30之材質為熱硬化性樹脂，可列舉例如環氧樹脂等。作為密封樹脂30使用之環氧樹脂，例如可包含酚樹脂、彈性體、無機填充材、及硬化促進劑等。

以密封樹脂30被覆半導體晶片CP及框構件20之方法，並無特殊限定。

本實施形態中，係舉使用薄片狀之密封樹脂30的態樣為例來說明。將薄片狀之密封樹脂30以被覆半導體晶片CP及框構件20的方式進行載置，將密封樹脂30加熱硬化，形成密封樹脂層30A。如此地，半導體晶片CP及框構件20係被埋入密封樹脂層30A。使用薄片狀之密封樹脂30時，較佳為藉由真空層合法來密封半導體晶片CP及框構件20。藉由該真空層合法，可防止於半導體晶片CP與框構件20之間產生空隙。以真空層合法進行之加熱的溫度條件範圍，例如為80℃以上且120℃以下。

密封步驟中，亦可使用薄片狀之密封樹脂30被支撐於聚對苯二甲酸乙二酯等之樹脂薄片而得的層合薄片。此時，亦可以被覆半導體晶片CP及框構件20的方式載置層合薄片後，將樹脂薄片由密封樹脂30剝離，使密封樹脂30加熱硬化。如此之層合薄片，可列舉例如ABF薄膜(味之素Fine-Techno股份有限公司製)。

將半導體晶片CP及框構件20密封之方法，亦可採用轉注成形法。此時，例如於密封裝置之模具內部，容納貼著於黏著薄片10之半導體晶片CP及框構件20。於該模具內部注入流動性之樹脂材料，使樹脂材料硬化。轉注成形法時，加熱及壓力之條件並無特殊限定。轉注成形法之通常的條件之一例，係維持150℃以上之溫度、與4MPa以上且15MPa以下之壓力30秒以上且300秒以下。之後，解除加壓，由密封裝置取出硬化物，靜置於烘箱內，維持150℃以上之溫度2小時以上且15小時以下。如此地，密封半導體晶片CP及框構件20。

於前述之密封步驟中使用薄片狀之密封樹脂30時，亦可於使密封樹脂30熱硬化之步驟(熱硬化步驟)之前，實施第一加熱壓製步驟。於第一加熱壓製步驟中，係將經密封樹脂30被覆之半導體晶片CP及附框構件20之黏著薄片10自兩面以板狀構件夾入，於特定溫度、時間、及壓力之條件下壓製。藉由實施第一加熱壓製步驟，亦容易於半導體晶片CP與框構件20之空隙填充密封樹脂30。又，藉由實施加熱壓製步驟，亦可將以密封樹脂30所構成的密封樹脂層30A之凹凸予以平坦化。於第一加熱壓製步驟中，黏著薄片10之硬塗層13係接觸於板狀構件，因此可防止基材11與板狀構件之接觸。板狀構件例如可使用不鏽鋼等之金屬板。

熱硬化步驟之後，剝離黏著薄片10時，可得到經密封樹脂30密封之半導體晶片CP及框構件20。以下，有將其稱為密封體50者。

‧補強構件貼著步驟

圖2D係顯示說明於密封體50貼著補強構件40之步驟的概略圖。

剝離黏著薄片10後，實施對所露出之半導體晶片CP之電路面形成再配線層的再配線步驟及凸塊固定步驟。

為了提高如此之再配線步驟及凸塊固定步驟中的密封體50之操作性，亦可依需要，實施於密封體50貼著補強構件40之步驟(補強構件貼著步驟)。實施補強構件貼著步驟時，較佳為於剝離黏著薄片10之前實施。如圖2D 所示，密封體50係以被黏著薄片10及補強構件40夾在中間的狀態被支撐。

本實施形態中，補強構件40具備耐熱性之補強板41、與耐熱性之接著層42。補強板41可列舉例如含有玻璃環氧樹脂等之耐熱性樹脂的板狀構件。接著層42，係使補強板41與密封體50接著。作為接著層42，係依補強板41及密封樹脂層30A之材質適當選擇。

補強構件貼著步驟中，較佳為實施於密封體50之密封樹脂層30A與補強板41之間夾入接著層42，進一步由補強板41側及黏著薄片10側分別以板狀構件夾入，於特定之溫度、時間、及壓力的條件下壓製的第二加熱壓製步驟。藉由第二加熱壓製步驟，將密封體50與補強構件40臨時固定。於第二加熱壓製步驟之後，為了使接著層42硬化，較佳為將經臨時固定之密封體50與補強構件40於特定之溫度及時間的條件下加熱。加熱硬化之條件，係依接著層42之材質而適當設定，例如為185℃、80分鐘、及2.4MPa之條件。亦於第二加熱壓製步驟中，黏著薄片10之硬塗層13接觸於板狀構件，因此可防止基材11與板狀構件之接觸。於第二加熱壓製步驟中，例如亦可使用不鏽鋼等之金屬板作為作為板狀構件。

‧剝離步驟

圖2E係顯示說明剝離黏著薄片10之步驟的概略圖。

本實施形態中，黏著薄片10之基材11可彎曲時，可一邊將黏著薄片10彎曲，一邊由框構件20、半導體晶片CP及密封樹脂層30A容易地剝離。剝離角度θ並無特殊限定，較佳為以90度以上之剝離角度θ來剝離黏著薄片10。剝離角度θ若為90度以上，則可將黏著薄片10由框構件20、半導體晶片CP及密封樹脂層30A容易地剝離。剝離角度θ較佳為90度以上且180度以下、更佳為135度以上且180度以下。藉由如此地一邊使黏著薄片10彎曲一邊進行剝離，可在減低對框構件20、半導體晶片CP及密封樹脂層30A所造成之負荷的同時進行剝離，可抑制黏著薄片10之剝離所致的半導體晶片CP及密封樹脂層30A之損傷。剝離黏著薄片10後，實施前述之再配線步驟及凸塊固定步驟等。於黏著薄片10剝離後，實施再配線步驟及凸塊固定步驟等之前，亦可依需要實施前述之補強構件貼著步驟。

貼著補強構件40時，係於實施再配線步驟及凸塊固定步驟等後，於不需以補強構件40支撐的階段，將補強構件40由密封體50剝離。

之後，將密封體50以半導體晶片CP單位進行單片化(單片化步驟)。將密封體50單片化之方法並無特殊限定。例如，可藉由與切割前述半導體晶圓時所使用之方法相同的方法進行單片化。將密封體50單片化之步驟，可於將密封體50貼著於切割片等之狀態下實施。藉由將密封體50單片化，製造半導體晶片CP單位之半導體封裝，該半導體封裝，係於構裝步驟中構裝於印刷配線基板等。

依照本實施形態，可提供即使經過施以高溫條件之步驟後，亦可防止設備及構件之污染、以及防止與設備及構件之熔合的黏著薄片10。於黏著薄片10的基材11之第二面11b，係層合有硬塗層13，因此可防止例如於前述第一加熱壓製步驟及第二加熱壓製步驟中不鏽鋼板等之板狀構件與基材11之接觸。因此，即使基材11含有聚酯系樹脂，亦可防止起因於基材11之寡聚物所致的設備及構件之污染，且亦可進一步防止設備及構件與基材11之熔合。

黏著薄片10具有含有以丙烯酸2-乙基己酯為主要單體之丙烯酸系共聚物的黏著劑層12時，黏著薄片10容易由被黏著體剝離，可減少殘膠。本實施形態中，黏著劑層12所接觸之被黏著體，為半導體晶片CP及框構件20。於接觸於半導體晶片CP及框構件20之狀態下，黏著劑層12係暴露於高溫條件。相較於以往之高溫製程中使用的黏著薄片，依照黏著薄片10，即使暴露於高溫條件後，亦為剝離容易、對於半導體晶片CP及框構件20之殘膠少。

〔第二實施形態〕

第二實施形態之黏著薄片，於具有2個硬塗層之點，與第一實施形態之黏著薄片相異。第二實施形態，於其他點與第一實施形態相同，因此將說明省略或簡化。

(黏著薄片)

圖3係顯示本實施形態之黏著薄片10A之截面概略圖。

黏著薄片10A具有基材11、黏著劑層12及硬塗層13。

本實施形態之硬塗層13，包含第一硬塗層13a與第二硬塗層13b。基材11，與前述實施形態同樣地，具有第一面11a、及與第一面11a相反側之第二面11b。本實施形態之黏著薄片10A中，於第一面11a係層合有第二硬塗層13b、於第二面11b係層合有第一硬塗層13a、於第二硬塗層13b係層合有黏著劑層12。

第二硬塗層13b之厚度，較佳為與第一實施形態中說明之硬塗層13為相同範圍之厚度。第二硬塗層13b，較佳為以被覆基材11之第一面11a全體的方式形成。

第一硬塗層13a，為使有機無機混成材料硬化而形成之硬化被膜，含有有機無機混成材料之硬化物。第一硬塗層13a之形成，可使用與前述實施形態相同之有機無機混成材料。

第二硬塗層13b，含有多官能丙烯酸系樹脂。第二硬塗層13b，由與黏著劑層12之密著性的觀點而言，較佳為並非使有機無機混成材料硬化所形成之硬化被膜。第二硬塗層13b之形成所使用的活性能量線感應型組成物，除了並非有機無機混成材料這點以外，係可使用第一實施形態中說明之材料來配製，第二硬塗層13b，較佳為使該活性能量線感應型組成物硬化所形成之硬化被膜。第二硬塗層13b之形成所使用的活性能量線感應型組成物，亦與前述實施形態同樣地，較佳含有選自由多官能性(甲基)丙烯酸酯系單體及(甲基)丙烯酸酯系預聚物所成之群的至少1種樹脂、更佳含有多官能性(甲基)丙烯酸酯系單體。

第二硬塗層13b之形成所使用的活性能量線感應型組成物之一例，可列舉含有季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、及環氧乙烷改質二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯作為多官能性(甲基)丙烯酸酯系單體的活性能量線感應型組成物。

本實施形態之第一硬塗層13a之一例，可列舉使含有反應性二氧化矽微粒子、多官能性(甲基)丙烯酸酯系單體、及(甲基)丙烯酸酯系預聚物之有機無機混成材料硬化所形成的第一硬塗層13a。此時之第二硬塗層13b的一例，可列舉使含有作為多官能性(甲基)丙烯酸酯系單體之季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯及環氧乙烷改質二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、作為光聚合起始劑之1-羥基環己基苯基酮、以及作為調平劑之矽氧烷改質丙烯酸系調平劑的活性能量線感應型組成物硬化所形成之第二硬塗層13b。

黏著薄片10A之製造方法並無特殊限定。例如，黏著薄片10A，係經如下之步驟製造。

首先，與前述實施形態同樣地準備或配製硬塗劑。接著，將硬塗劑塗佈於基材11之第二面11b上形成塗膜，使塗膜乾燥後，對該塗膜照射活性能量線，使該塗膜硬化，藉以形成第一硬塗層13a。接著，於基材11之第一面11a上塗佈硬塗劑，與前述同樣地使塗膜硬化，藉以形成第二硬塗層13b。

接著，於基材11之第二硬塗層13b上塗佈黏著劑組成物，形成塗膜。接著，使該塗膜乾燥，形成黏著劑層12。之後，以被覆黏著劑層12的方式貼著剝離薄片RL。

又，黏著薄片10A之別的製造方法，係經如下之步驟製造。首先，於剝離薄片RL之上塗佈黏著劑組成物，形成塗膜。接著，使塗膜乾燥，形成黏著劑層12。藉由貼合具有該黏著劑層12之剝離薄片RL、與具有前述第一硬塗層13a及第二硬塗層13b之基材11，亦可製造黏著薄片10A。此時，係貼合黏著劑層12與基材11之第二硬塗層13b。

黏著薄片10A亦可於與前述實施形態相同之半導體裝置的製造製程中使用。

依照本實施形態，可提供即使經過施以高溫條件之步驟後，亦可防止設備及構件之污染、以及防止與設備及構件之熔合的黏著薄片10A。

黏著薄片10A，於黏著劑層12與基材11之間亦進一步具有第二硬塗層13b，因此可防止基材11中所含有的寡聚物朝向黏著劑層12移動。

黏著薄片10A，於基材11之兩面(第一面11a及第二面11b)上分別層合有硬塗層，因此可減低加熱所致之基材變形。

〔實施形態之變化〕

本發明不限定於前述實施形態，於可達成本發明之目的之範圍的變化及改良等，係包含於本發明中。再者，以下說明中，若與前述實施形態說明之構件等相同，則賦予同一符號而省略或簡化其說明。

硬塗層13可以被覆基材11之第二面11b全體的方式形成、亦可具有未形成硬塗層13之區域。後者的情況時，於使用黏著薄片10之製程中，只要以製程中使用之裝置及構件與基材11不接觸的方式來形成硬塗層13即可。

前述實施形態中，作為黏著薄片之製造方法，係以首先形成硬塗層13，之後形成黏著劑層12之態樣為例來說明，但本發明不限定於如此之態樣。作為黏著薄片之製造方法之別的一態樣，例如亦可為首先於基材11形成黏著劑層12，且將黏著劑層12以剝離薄片RL被覆後，形成硬塗層13之態樣。

前述實施形態中，係以藉由剝離薄片RL來被覆黏著薄片10之黏著劑層12的態樣為例來說明，但本發明不限定於如此之態樣。

又，黏著薄片10可為單枚、亦可以層合有複數枚之黏著薄片10的狀態提供。此時，例如，黏著劑層12，亦可被所層合之別的黏著薄片之硬塗層13所被覆。

又，黏著薄片10可為長形狀之薄片、亦能夠以捲繞為滾筒狀之狀態提供。捲繞為滾筒狀之黏著薄片10，能夠由滾筒繞出並切斷為所期望之尺寸等來使用。

前述實施形態中，作為密封樹脂30之材質，雖以熱硬化性樹脂的情況為例來說明，但本發明不限定於如此之態樣。例如，密封樹脂30亦可為以紫外線等之能量線硬化之能量線硬化性樹脂。

前述實施形態中，半導體裝置之製造方法的說明中，係以將框構件20貼著於黏著薄片10之態樣為例來說明，但本發明不限定於如此之態樣。黏著薄片10，亦可不使用框構件，而於密封半導體元件之半導體裝置之製造方法中使用。

〔實施例〕

以下，列舉實施例以進一步詳細說明本發明。本發明不受此等實施例之任何限定。

〔評估方法〕

黏著薄片之評估，係遵照以下所示方法進行。

〔黏著薄片收縮率評估〕

將2枚之黏著薄片的黏著劑層彼此貼合，切出為縱12cm×橫12cm的大小，得到黏著薄片層合體。貼合2枚之黏著薄片時，使各自之黏著薄片的基材之MD方向一致而貼合。

於該黏著薄片層合體之表面，寫入縱10cm×橫10cm之四角形印記。該四角形印記，係以四角形之邊沿著基材之MD方向的方式寫入。使用電子測徑器，計測所寫入之四角形的各頂點之間隔，以該各頂點之間隔為初期值。之後，以190℃及1小時之條件將黏著薄片層合體加熱。加熱後，將黏著薄片層合體回到室溫後再度計測四角形印記之各頂點的間隔。基於初期值及加熱後之間隔的計測值，算出各邊之收縮率。於基材之MD方向的收縮率為1.7%以下時判定為「A」、收縮率超過1.7%時判定為「B」。

〔黏著薄片耐熱性評估〕

將黏著薄片貼合於厚度80μm之銅箔，得到切出為7cm×15cm之大小的附銅箔之膠帶。自該附銅箔之膠帶的上面側及下面側，使用與附銅箔之膠帶相同尺寸之SUS板(#1200精整)上下夾入。將經SUS板夾入之附銅箔之膠帶，於190℃、2.5MPa、及90分鐘之條件進行加熱及加壓。加熱及加壓後，確認接觸於黏著薄片之SUS板的表面狀態，無髒污及熔合時判定為「A」、產生髒污時判定為「B」。

〔密著性評估〕

於100℃及30分鐘之條件加熱，隨後以180℃及30 分鐘之條件加熱，接著以190℃及1小時之條件加熱黏著薄片。之後，對黏著劑層施以交叉切割(crosscut)為1mm寬之棋盤狀，於該交叉切割為棋盤狀之黏著劑層表面，貼上黏著膠帶(Nichiban(股)製、商品名：Cellotape(註冊商標))，根據「JIS K5600-5-6」之棋盤膠帶法(交叉切割(crosscut)法)，進行黏著膠帶之剝離試驗，基於下述基準評估黏著劑層與基材之密著性。於棋盤之100個格子當中，剝離之格子數若為10以下則判定為「A」、超過10時判定為「B」。

〔黏著薄片之製作〕 (實施例1) (1)基材之製作

將含有活性能量線感應型組成物之硬塗劑100質量份、與作為稀釋溶劑之丙二醇單甲基醚83質量份均勻混合，配製固體成分濃度約40質量%之硬塗劑HCl。所使用之含有活性能量線感應型組成物之硬塗劑HCl，為JSR(股)製之商品名「Opstar Z7530」，含有活性能量線感應型組成物(70質量%)、光聚合起始劑(3質量%)、及甲基乙基酮(27質量%)，固體成分濃度為73質量%。活性能量線感應型組成物之組成，為含有反應性二氧化矽微粒子(硬塗劑中之42質量%)、與多官能性(甲基)丙烯酸酯系單體及(甲基)丙烯酸酯系預聚物(硬塗劑中之28質量%)。

使用棒塗佈器，將硬塗劑HCl塗佈於透明聚對苯二甲酸乙二酯薄膜〔東洋紡(股)製；PET50A-4300、厚度50μm〕之易接著面。以乾燥及UV硬化後之膜厚成為1.5μm的方式塗佈硬塗劑HCl。乾燥條件設為70℃及1分鐘。UV硬化係以高壓水銀燈照射150mJ/cm²之紫外線。如此地，製作具有硬塗層之基材HCBS1。

(2)黏著劑組成物之製作

摻合以下之材料(聚合物、黏著助劑、交聯劑、及稀釋溶劑)，充分攪拌，配製實施例1之塗佈用黏著劑液(黏著劑組成物)。

‧聚合物：丙烯酸酯共聚物、100質量份(固體成分)

丙烯酸酯共聚物，係使丙烯酸2-乙基己酯92.8質量%、丙烯酸2-羥基乙酯7.0質量%、與丙烯酸0.2質量%共聚合而配製。

‧黏著助劑：兩末端羥基氫化聚丁二烯〔日本曹達(股)製；GI-1000〕13質量份(固體成分)

‧交聯劑：具有六亞甲二異氰酸酯之脂肪族系異氰酸酯(六亞甲二異氰酸酯之三聚異氰酸酯型改質體)〔日本Polyurethane工業(股)製；Coronate HX〕、9.0質量份(固體成分)

‧稀釋溶劑：使用甲苯及MEK(甲基乙基酮)之混合溶劑(以體積比計甲苯：MEK=2：1)，塗佈用黏著劑液之固體成分濃度，係配製為30質量%。

(3)黏著劑層之製作

將所配製之塗佈用黏著劑液，使用缺角輪塗佈器(Comma coater、註冊商標)，以乾燥後之膜厚成為50μm的方式，塗佈於由設置有聚矽氧系剝離層之透明聚對苯二甲酸乙二酯薄膜所成的剝離薄膜〔LINTEC(股)製；SP-PET382150、厚度38μm〕的剝離層面側，進行90℃及90秒之加熱。隨後進行115℃及90秒之加熱，使塗膜乾燥。

(4)黏著薄片之製作

使塗佈用黏著劑液之塗膜乾燥後，貼合黏著劑層、與基材HCBS1，得到實施例1之黏著薄片。於基材之與形成有硬塗層之面相反側的面貼合黏著劑層，得到黏著薄片。

(實施例2)

實施例2之黏著薄片，除了形成硬塗層之基材種類與實施例1相異以外，係與實施例1相同地製作。實施例2中，使用帝人杜邦薄膜(股)製之聚對苯二甲酸乙二酯薄膜(製品名：PET50 KFL12D、厚度50μm)，於該薄膜的易接著面塗佈與實施例1相同之硬塗劑HCl，形成硬塗層，得到具有硬塗層之基材HCBS2。

(實施例3)

實施例3之黏著薄片，除了於基材之聚對苯二甲酸乙二酯薄膜的兩面形成硬塗層以外，係與實施例2相同地製作。實施例3之具有硬塗層之基材HCBS3，係於基材HCBS1之與形成有硬塗層的面相反側之面塗佈實施例3之硬塗劑HC2，形成硬塗層。

實施例3之硬塗劑HC2，係依以下所示之摻合量(均為質量份(固體成分比))，混合(A)~(D)成分，配製硬化性樹脂組成物後，以丙二醇單甲基醚稀釋而得到。硬塗劑HC2之固體成分濃度為30質量%。

(A)成分

季戊四醇三丙烯酸酯(新中村化學工業(股)製、商品名：A-TMM-3L)、100質量份(固體成分)。

(B)成分

環氧乙烷改質二季戊四醇六丙烯酸酯(新中村化學工業(股)製、商品名：A-DPH-12E)、100質量份(固體成分)。

(C)成分

1-羥基環己基苯基酮(BASF公司製、商品名：Irgacure 184、苯乙酮系光聚合起始劑)、10質量份(固體成分)。

(D)成分

矽氧烷改質丙烯酸系調平劑(BYK-Chemie Japan(股)製、商品名：BYK-3550)、0.2質量份(固體成分)。

將所配製之實施例3之硬塗劑HC2，於基材HCBS1之與形成有硬塗層之面相反側的易接著面上，使用計量線棒(Meyer bar)以乾燥後之膜厚成為3μm的方式進行塗佈。將塗膜於80℃乾燥1分鐘後，使用高壓水銀燈，照射紫外線300mJ/cm²(累積光量)，使塗佈膜硬化，製作具有膜厚3μm之第二硬塗層的基材HCBS3。

再者，貼合黏著劑層與基材HCBS3時，係於與形成有使用硬塗劑HC2之硬塗層的面相反之面上貼合黏著劑層，得到黏著薄片。

(比較例1)

比較例1之黏著薄片，除了不形成硬塗層，且使用透明聚對苯二甲酸乙二酯薄膜〔東洋紡(股)製；PET50A-4300、厚度50μm〕作為基材以外，係與實施例1相同地製作。

(比較例2)

比較例2之黏著薄片，除了不形成硬塗層，且使用聚對苯二甲酸乙二酯薄膜〔帝人杜邦薄膜(股)製；PET50 KFL12D、厚度50μm〕作為基材以外，係與實施例2相同地製作。

(比較例3)

比較例3之黏著薄片，除了貼合實施例2中所用之基材HCBS2的硬塗層、與黏著劑層以外，係與實施例2相同地製作。

表1表示實施例1~3及比較例1~3之黏著薄片的基材及硬塗層之層構成。

表2表示實施例1~3及比較例1~3之黏著薄片的評估結果。

依照實施例1~3之黏著薄片，因為具有硬塗層，故於耐熱性評估中未產生對SUS板之熔合及污染。另一方面，比較例1~3之黏著薄片中，基材之第二面(與層合有黏著劑層之面相反的面)不具有硬塗層，因此因為於SUS板與基材之PET薄膜接觸的狀態下加熱，SUS板之表面被污染。

依照實施例1~3之黏著薄片，由於收縮率低，因此可抑制例如於半導體裝置之製造製程等中產生步驟上之不良狀況。

依照實施例1~3之黏著薄片，黏著劑層與基材之密著性優良。實施例3之黏著薄片，於基材與黏著劑層之間設置有硬塗層，可認為因為係使用前述硬塗劑HC2來形成硬塗層，故硬塗層與黏著劑層之密著力、及基材與硬塗層之密著力優良。

10‧‧‧黏著薄片