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TW201729003A - 用以識別製程窗邊界之方法 - Google Patents

用以識別製程窗邊界之方法 Download PDF

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TW201729003A
TW201729003A TW105134683A TW105134683A TW201729003A TW 201729003 A TW201729003 A TW 201729003A TW 105134683 A TW105134683 A TW 105134683A TW 105134683 A TW105134683 A TW 105134683A TW 201729003 A TW201729003 A TW 201729003A
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TW
Taiwan
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TW105134683A
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English (en)
Inventor
玲莉 鍾
黃文謹
馮泰納 布魯諾 拉
Original Assignee
Ａｓｍｌ荷蘭公司
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Publication date
Application filed by Ａｓｍｌ荷蘭公司 filed Critical Ａｓｍｌ荷蘭公司
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    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
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Abstract

本發明描述一種方法，其包括：在一處理參數之一當前值下，判定一圖案化製程或其一產物之一特性之一值；判定該特性之該值是否滿足一終止準則；若未滿足該終止規則，則藉由一電腦根據該處理參數之該當前值及該處理參數之一先前值判定該處理參數之一新值，且將該當前值設定為該新值及重複該等判定步驟；及若滿足該終止規則，則提供該處理參數之該當前值作為該特性具有一目標值時的該處理參數之一值之一近似值。

Description

用以識別製程窗邊界之方法
本發明係關於一種改良製造製程之效能之方法。該方法可結合微影設備而使用。
微影設備為將所要圖案施加至基板之目標部分上之機器。微影設備可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在彼情形下，圖案化裝置(其替代地被稱為光罩或倍縮光罩)可用於產生對應於IC之個別層之電路圖案，且可將此圖案成像至具有輻射敏感材料(抗蝕劑)層之基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。一般而言，單一基板將含有經順次地曝光之鄰近目標部分之網路。已知微影設備包括：所謂步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來輻照每一目標部分；及所謂掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由光束而掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來輻照每一目標部分。 在將電路圖案自圖案化裝置轉印至基板之前，基板可經歷各種工序，諸如，上底漆、抗蝕劑塗佈及軟烘烤。在曝光之後，基板可經受其他工序，諸如，曝光後烘烤(post-exposure bake；PEB)、顯影、硬烘烤，及經轉印電路圖案之量測/檢測。此一系列工序係用作製作裝置(例如，IC)之個別層的基礎。基板接著可經歷各種製程，諸如，蝕刻、離子植入(摻雜)、金屬化、氧化、化學機械拋光等等，該等製程皆意欲完成裝置之個別層。若在裝置中需要若干層，則針對每一層來重複整個工序或其變體。最終，裝置將存在於基板上之每一目標部分中。接著藉由諸如切塊或鋸切之技術來使此等裝置彼此分離，據此，可將個別裝置安裝於載體上、連接至接腳，等等。 因此，諸如半導體裝置之製造裝置通常涉及使用數個製作製程來處理基板(例如，半導體晶圓)以形成該等裝置之各種特徵及多個層。通常使用(例如)沈積、微影、蝕刻、化學機械拋光及離子植入等來製造及處理此等層及特徵。可在基板上之複數個晶粒上製作多個裝置，且接著將其分離成個別裝置。此裝置製造製程可被認為係圖案化製程。圖案化製程涉及圖案化步驟，諸如使用微影設備之光學及/或奈米壓印微影，以在基板上提供圖案且通常但(視情況)涉及一或多個相關圖案處理步驟，諸如藉由顯影設備之抗蝕劑顯影、使用烘烤工具烘烤基板、使用蝕刻設備使用圖案之蝕刻等。另外，在圖案化製程中通常涉及一或多個度量衡製程。
本文中揭示一種方法，其包含：在處理參數之當前值下，判定圖案化製程或其產物之特性之值；判定該特性之該值是否滿足終止準則；若未滿足該終止規則，則藉由電腦根據該處理參數之該當前值及該處理參數之先前值判定該處理參數之新值，且將該當前值設定為該新值及重複該等判定步驟；及若滿足該終止規則，則提供該處理參數之該當前值作為該特性具有目標值時的該處理參數之值之近似值。 根據一實施例，該方法進一步包含選擇處理參數之初始值。 根據一實施例，目標值為製程窗(PW)或子製程窗(子PW)之邊界。 根據一實施例，終止準則為該特性在處理參數之當前值下之值處於相對目標值之範圍內。 根據一實施例，根據該特性在該處理參數之該當前值下之值及該特性在該處理參數之該先前值下之值判定該新值。 根據一實施例，判定新值包含：根據處理參數之當前值或先前值，及根據該特性在處理參數之當前值或先前值下之值判定處理參數之步長；及藉由將當前值與該步長組合而判定該新值。 根據一實施例，判定新值包含：判定該特性在處理參數之先前值下及在處理參數之當前值下之值；及根據該特性在處理參數之先前值下及在處理參數之當前值下之值，及根據目標值藉由外插法或內插法判定該新值。 根據一實施例，判定新值包含藉由處理參數之先前值與處理參數之當前值之仿射組合判定該新值。 本文中揭示一種方法，其包含：獲得圖案化製程之處理參數之值，其中在處理參數之該值下，該圖案化製程處於製程窗之邊界處；獲得處理參數之偏差；判定複數個圖案中之每一者之指示符之值，指示符之該值表徵在處理參數之該值至與該偏差組合之處理參數之該值的範圍內圖案中之每一者之特性之改變；及藉由電腦基於指示符之該值在該複數個圖案當中識別具有缺陷風險之圖案。 根據一實施例，偏差表示處理參數之值在圖案化製程期間之變化量值。 根據一實施例，該指示符為該特性在與該偏差組合之該處理參數之值下之值與該特性在該處理參數之值下之值之差值。 根據一實施例，指示符為該特性相對於處理參數之導數。 根據一實施例，該指示符為該處理參數自與該偏差組合之該處理參數之值至該處理參數之值之改變與該偏差之機率之乘積的積分。 本文中揭示一種電腦程式產品，其包含上面記錄有指令之電腦可讀媒體，該等指令在由電腦執行時實施本文中之方法中的任一者。
儘管在本文中可特定地參考微影設備在IC製造中之使用，但應理解，本文中所描述的微影設備可具有其他應用，諸如製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之上下文中，可認為本文中對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更一般之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)自動化光阻塗佈及顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)或度量衡或檢測工具中處理本文所提及之基板。在適用情況下，可將本文中之揭示內容應用於此等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，例如，以便產生多層IC，使得本文中所使用之術語「基板」亦可指已經含有多個經處理層之基板。 本文所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外(UV)輻射(例如，具有365 nm、248 nm、193 nm、157 nm或126 nm之波長)及遠紫外(EUV)輻射(例如，具有在5 nm至20 nm之範圍內的波長)；及粒子束，諸如，離子束或電子束。 本文所使用之術語「圖案化裝置」應被廣泛地解釋為指可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以在基板之目標部分中產生圖案的裝置。應注意，被賦予至輻射光束之圖案可能不會確切地對應於基板之目標部分中之所要圖案。一般而言，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中所產生之裝置(諸如，積體電路)中之特定功能層。 圖案化裝置可為透射的或反射的。圖案化裝置之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列及可程式化LCD面板。光罩在微影中為吾人所熟知，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中每一者可個別地傾斜，以便在不同方向上反射入射輻射光束；以此方式，反射光束經圖案化。 支撐結構固持圖案化裝置。支撐結構以取決於圖案化裝置之定向、微影設備之設計及其他條件(諸如，圖案化裝置是否被固持於真空環境中)的方式來固持圖案化裝置。支撐可使用機械夾持、真空或其他夾持技術，例如，在真空條件下之靜電夾持。支撐結構可為(例如)框架或台，其可根據需要而固定或可移動，且其可確保圖案化裝置(例如)相對於投影系統處於所要位置。可認為本文中對術語「倍縮光罩」或「光罩」之任何使用皆與更一般術語「圖案化裝置」同義。 本文所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解譯為涵蓋適於(例如)所使用之曝光輻射或適於諸如浸潤流體之使用或真空之使用之其他因素的各種類型之投影系統，包括折射光學系統、反射光學系統及反射折射光學系統。可認為本文中對術語「投影透鏡」之任何使用與更一般術語「投影系統」同義。 照明系統亦可涵蓋各種類型之光學組件，包括用於導向、塑形或控制輻射光束的折射、反射及反射折射光學組件，且該等組件在下文中亦可共同或單個稱作「透鏡」。 圖1示意性地描繪根據一實施例之微影設備。該設備包含： -    照明系統(照明器) IL，其用以調節輻射光束PB (例如，UV輻射或DUV輻射)； -    支撐結構MT，其用以支撐圖案化裝置(例如，光罩) MA，且連接至用以相對於項目PL來準確地定位該圖案化裝置之第一定位裝置PM； -    基板台(例如，晶圓台) WT，其用於固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓) W，且連接至用於相對於項目PL而準確地定位該基板之第二定位裝置PW；及 -    投影系統(例如，折射投影透鏡) PL，其經組態以將由圖案化裝置MA賦予至輻射光束PB之圖案成像至基板W之目標部分C (例如，包含一或多個晶粒)上。 如此處所描繪，設備屬於透射類型(例如，使用透射光罩)。或者，設備可屬於反射類型(例如，使用如上文所提及的類型之可程式化鏡面陣列)。 照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當輻射源為準分子雷射時，輻射源及微影設備可為分離實體。在此等狀況下，不認為輻射源形成微影設備之部件，且輻射光束係憑藉包含(例如)合適導向鏡面及/或光束擴展器之光束遞送系統BD而自輻射源SO傳遞至照明器IL。在其他狀況下，舉例而言，當輻射源為水銀燈時，輻射源可為設備之整體部件。源SO及照明器IL連同光束遞送系統BD在需要時可被稱為輻射系統。 照明器IL可變更光束之強度分佈。照明器可經配置以限制輻射光束之徑向範圍使得在照明器IL之光瞳平面中之環形區域內之強度分佈為非零。另外或替代地，照明器IL可操作以限制光束在光瞳平面中之分佈使得在光瞳平面中之複數個同等間隔之區段中的強度分佈為非零。輻射光束在照明器IL之光瞳平面中之強度分佈可被稱作照明模式。 照明器IL可包含經組態以調整光束之強度分佈之調整器AM。一般而言，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的至少外部及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。照明器IL可操作以變化光束之角度分佈。舉例而言，照明器可操作以變更強度分佈為非零的光瞳平面中之區段之數目及角度範圍。藉由調整光束在照明器之光瞳平面中之強度分佈，可達成不同照明模式。舉例而言，藉由限制照明器IL之光瞳平面中之強度分佈之徑向及角度範圍，強度分佈可具有多極分佈，諸如，偶極、四極或六極分佈。可(例如)藉由將提供彼照明模式之光學件插入至照明器IL中或使用空間光調變器來獲得所要照明模式。 照明器IL可操作以使用調整器AM變更光束之偏振且可操作以使用調整器AM來調整偏振。橫越照明器IL之光瞳平面之輻射光束的偏振狀態可被稱作偏振模式。使用不同偏振模式可允許在形成於基板W上之影像中達成較大對比度。輻射光束可為非偏振的。替代地，照明器可經配置以使輻射光束線性地偏振。輻射光束之偏振方向可橫越照明器IL之光瞳平面而變化。輻射之偏振方向在照明器IL之光瞳平面中之不同區域中可不同。可取決於照明模式來選擇輻射之偏振狀態。對於多極照明模式，輻射光束之每一極之偏振可大體上垂直於照明器IL之光瞳平面中之彼極的位置向量。舉例而言，對於偶極照明模式，輻射可在實質上垂直於將偶極之兩個對置區段二等分之線的方向上線性地偏振。輻射光束可在可被稱作經X偏振狀態及經Y偏振狀態之兩個不同正交方向中之一者上偏振。對於四極照明模式，每一極之區段中之輻射可在實質上垂直於將彼區段二等分之線之方向上線性地偏振。此偏振模式可被稱作XY偏振。類似地，對於六極照明模式，每一極之區段中之輻射可在實質上垂直於將彼區段二等分之線之方向上線性地偏振。此偏振模式可被稱作TE偏振。 另外，照明器IL通常包含各種其他組件，諸如，積光器IN及集光器CO。照明器提供在橫截面中具有所要均一性及強度分佈的經調節輻射光束PB。 輻射光束PB入射於被固持於支撐結構MT上之圖案化裝置(例如，光罩) MA上。在已橫穿圖案化裝置MA的情況下，光束PB傳遞通過透鏡PL，透鏡PL將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位裝置PW及位置感測器IF (例如，干涉量測裝置)，可準確地移動基板台WT，例如，以便使不同目標部分C定位於光束PB之路徑中。類似地，(例如)在自光罩庫以機械方式擷取之後或在掃描期間，第一定位裝置PM及另一位置感測器(其未在圖1中明確描繪)可用以相對於光束PB之路徑準確地定位圖案化裝置MA。一般而言，將憑藉形成定位裝置PM及PW之部件的長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現物件台MT及WT之移動。然而，在步進器(與掃描器相反)之情況下，支撐結構MT可僅連接至短衝程致動器，或可固定。可使用圖案化裝置對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化裝置MA及基板W。 投影系統PL具有可非均一之光學轉移函數，其可影響成像於基板W上之圖案。對於非偏振輻射，此等效應可由兩個純量映射相當良好地描述，該兩個純量映射描述依據射出投影系統PL之輻射在光瞳平面中之位置而變化的該輻射之透射(變跡)及相對相位(像差)。可將可被稱作透射映射及相對相位映射之此等純量映射表達為基底函數之完整集合之線性組合。一特別方便集合為任尼克多項式，其形成在單位圓上定義之正交多項式集合。每一純量映射之判定可涉及判定此展開式中之係數。由於任尼克多項式在單位圓上正交，因此可藉由依次演算測定純量映射與每一任尼克多項式之內積且將此內積除以彼任尼克多項式之範數之平方來判定任尼克係數。 透射映射及相對相位映射係場及系統相依的。亦即，一般而言，每一投影系統PL將針對每一場點(亦即，針對投影系統PL之影像平面中之每一空間位置)具有不同任尼克展開式。可藉由將輻射(例如)自投影系統PL之物件平面(亦即，圖案化裝置MA之平面)中之類點源投影通過投影系統PL且使用剪切干涉計以量測波前(亦即，具有相同相位之點之軌跡)來判定投影系統PL在其光瞳平面中之相對相位。剪切干涉計係共同路徑干涉計且因此，有利地，無需次級參考光束來量測波前。剪切干涉計可包含繞射光柵，例如，投影系統之影像平面(亦即，基板台WT)中之二維柵格；及偵測器，其經配置以偵測與投影系統PL之光瞳平面共軛的平面中之干涉圖案。干涉圖案係與輻射相位相對於在剪切方向上之光瞳平面中之座標之導數有關。偵測器可包含感測元件陣列，諸如，電荷耦合裝置(CCD)。 可在兩個垂直方向上順序地掃描繞射光柵，該兩個垂直方向可與投影系統PL之座標系統之軸線(x及y)重合或可與此等軸線成諸如45度之角度。可在整數個光柵週期(例如，一個光柵週期)中執行掃描。該掃描使在一個方向上之相位變化達到平均數，從而允許重新建構在另一方向上之相位變化。此情形允許依據兩個方向判定波前。 目前先進技術之微影設備LA之投影系統PL可不產生可見條紋，且因此，可使用相位步進技術(諸如，移動繞射光柵)來增強波前之判定之準確度。可在繞射光柵之平面中且在垂直於量測之掃描方向之方向上執行步進。步進範圍可為一個光柵週期，且可使用至少三個(均一地分佈)相位步長。因此，舉例而言，可在y方向上執行三個掃描量測，每一掃描量測係針對x方向上的一不同位置予以執行。繞射光柵之此步進將相位變化有效地變換成強度變化，從而允許判定相位資訊。光柵可在垂直於繞射光柵之方向(z方向)上步進以校準偵測器。 可藉由將輻射(例如)自投影系統PL之物件平面(亦即，圖案化裝置MA之平面)中之類點源投影通過投影系統PL且使用偵測器來量測與投影系統PL之光瞳平面共軛的平面中之輻射強度來判定投影系統PL在其光瞳平面中之透射(變跡)。可使用與用以量測波前以判定像差的偵測器相同的偵測器。投影系統PL可包含複數個光學(例如，透鏡)元件，且可進一步包含調整機構PA，該調整機構PA經組態以調整光學元件中之一或多者以便校正像差(遍及場之橫越光瞳平面之相位變化)。為了達成此調整，調整機構PA可操作而以一或多種不同方式操控投影系統PL內之一或多個光學(例如，透鏡)元件。投影系統可具有座標系統，其中該投影系統之光軸在z方向上延伸。調整機構PA可操作以進行以下各項之任何組合：使一或多個光學元件位移；使一或多個光學元件傾斜；及/或使一或多個光學元件變形。光學元件之位移可在任何方向(x、y、z或其組合)上進行。光學元件之傾斜通常出自垂直於光軸之平面，圍繞在x或y方向上之軸線旋轉，但對於非旋轉對稱之非球面光學元件可使用圍繞z軸之旋轉。光學元件之變形可包括低頻形狀(例如，像散)及高頻形狀(例如，自由形式非球面)兩者。可(例如)藉由使用一或多個致動器以對光學元件之一或多個側施加力及/或藉由使用一或多個加熱元件以加熱光學元件之一或多個選定區域來執行光學元件之變形。一般而言，沒有可能調整投影系統PL以校正變跡(橫越光瞳平面之透射變化)。可在設計用於微影設備LA之圖案化裝置(例如，光罩) MA時使用投影系統PL之透射映射。在使用計算微影技術的情況下，圖案化裝置MA可經設計成至少部分地校正變跡。 圖案化製程之參數可被稱為「處理參數」。圖案化製程可包括實際轉印圖案(例如，曝光) 上游及下游的製程。圖2展示處理參數370之實例類別。第一類別可為在圖案化製程中所使用之微影設備或任何其他設備之參數310。此類別之實例包括微影設備之照明輻射之參數(例如，空間或角度分佈強度)、投影光學件(例如，光學像差)、基板平台等。第二類別可為在圖案化製程中所執行之任何工序之參數320。此類別之實例包括曝光持續時間、輻射劑量、焦點、顯影溫度、顯影中所使用之化學組合物等。第三類別可為設計佈局之參數330。此類別之實例可包括輔助特徵之形狀及位置、藉由解析度增強技術(RET)所施加之調整等。第四類別可為該基板之參數340。實例包括抗蝕劑層下方之結構之特性、該基板上之層之化學組成、抗蝕劑層之物理尺寸等。第五類別可為圖案化製程之一些參數之時間變化之特性350。舉例而言，處理參數可包括高頻平台移動之特性(例如，頻率、振幅等)、高頻雷射頻寬變化(例如，頻率、振幅等)、高頻雷射波長變化等。此等高頻變化或移動為超出用以調整基礎參數(例如，平台位置及/或雷射強度)之機構之回應時間的高頻變化或移動。第六類別可為在曝光下游之特性360，諸如曝光後烘烤、顯影、蝕刻、沈積、摻雜、封裝等。 可藉由合適方法判定處理參數中之一些或全部之值。舉例而言，可根據藉由一或多個基板度量衡工具獲得之資料判定該等值。可自圖案化製程之設備中之一或多個感測器(例如，微影設備之一或多個感測器)獲得該等值。該等值可來自圖案化製程之操作者。 圖案化裝置上之各種圖案可具有不同製程窗(亦即，藉以在規格內產生圖案之處理參數空間)。與潛在系統性缺陷有關之圖案規格之實例包括檢查頸縮、線拉回、線薄化、臨界尺寸(CD)、邊緣置放、重疊、抗蝕劑頂部損耗、抗蝕劑底切及/或橋接。可藉由合併每一個別圖案之製程窗(例如，使該等製程窗重疊)來獲得圖案化裝置或其區上之所有圖案之製程窗。所有圖案之製程窗之邊界含有一些個別圖案之製程窗之邊界。換言之，此等個別圖案限制所有圖案之製程窗。此等圖案可被稱作「熱點」或「製程窗限制圖案(PWLP)」，「熱點」與「製程窗限制圖案(PWLP)」在本文中可互換地使用。當控制圖案化製程時，聚焦於熱點為有可能低成本的。當熱點無缺陷時，最有可能的是，所有圖案均無缺陷。 自數學觀點，製程窗為由所有處理參數橫跨之向量空間中之區域。在給定圖案化製程(例如，微影製程)中，圖案之製程窗僅藉由圖案之規格及圖案化製程中所涉及之物理學規定。即，若規格及物理學在圖案化製程期間不改變，則製程窗不會改變。 然而，在特定圖案化製程中可能不可量測處理參數中之一或多者，例如，在微影設備未裝備有可量測處理參數中之一或多者之感測器時；及在特定圖案化製程中可能不可調整處理參數中之一或多者，例如，歸因於軟體或硬體限制。因此，將由所有處理參數橫跨之向量空間中之區域用作製程窗可不方便。可使用子空間(亦即，由少於所有處理參數所橫跨之空間)之區域(「子PW」)，而非由所有處理參數所橫跨之空間之區域(「全PW」)。舉例而言，使用具有許多處理參數之光學微影之圖案化製程中，由焦點及劑量所橫跨之子空間之區域可被用作子PW。橫跨子空間之處理參數可皆為可量測且可調整的。並非可量測且可調整之所有處理參數皆必須用以橫跨子空間。在光學微影設備中，焦點及劑量通常為可調整且可量測的，而諸如投影光學件之變形(例如，由微影設備之一或多個組件之溫度改變誘發)之特性的其他處理參數可為不可量測的(亦即，無法確定或估計其值)、不可調整的或兩者。 使用子PW可較方便，但子PW在圖案化製程期間可能不保持不變。此係由於未橫跨子PW之彼等處理參數可在圖案化製程期間改變。舉例而言，處理參數可隨著基板上之位置且隨著時間(例如，在若干基板之間、在若干晶粒之間)變化。此變化可由諸如溫度及濕度之環境改變、有意調整、電雜訊或機械雜訊等引起。此等變化之其他原因可包括圖案化製程設備中之一或多個組件(諸如，投影輻射源、微影設備之投影光學件、基板台)之變形或漂移、基板表面之高度變化、微影設備中之照明狹縫位置變化等。彼等處理參數之其他變化可包括曝光後製程(例如，曝光後(PEB)時間、PEB溫度、PEB溫度曲線、顯影劑之化學組成、顯影之持續時間及/或溫度、蝕刻中所使用之氣體組成及/或壓力、功率、蝕刻之溫度及/或持續時間等)的漂移。 圖3示意性地展示子PW在圖案化製程期間為何不可保持不變。出於方便起見，PW被描繪為三維(例如，焦點(f)、劑量(d)及另一處理參數X)空間之區域，但PW實際上可具有更多維度。由處理參數中之兩者-焦點(f)及劑量(d)橫跨之子PW經展示為PW之橫截面。隨著處理參數X在圖案化製程期間出於任何原因而變化，因此由f及d所橫跨之子PW-藉以在X的值之條件下在規格內產生圖案的f及d之範圍不可保持不變。此係由於X之基礎條件改變。為了維持圖案化製程之穩固性，橫跨子PW之處理參數(在此實例中之f及d)可經調諧使得其值對應於子PW中遠離子PW之邊界的點。劑量可為係關於輻射強度及曝光持續時間之「有效劑量」。 PW或子PW可並非為連續的。舉例而言，PW或子PW可包括未彼此連接之兩個區域。PW或子PW因此可具有一或多個邊界。n維空間之邊界為(n-1)維空間。舉例而言，二維空間(亦即，表面)之邊界為一維空間(亦即，曲線)；三維空間(亦即，本體)之邊界為二維空間(亦即，表面)。可藉由判定依據值之集合所產生之圖案是否在規格內而進行判定處理參數之值之給定集合是否在圖案之PW或子PW內部。圖案之實體產生或其模擬對於判定該圖案是否在規格內可為有必要的。實體產生或模擬可為耗時或昂貴的。因此，依據處理參數之值表示PW或子PW之邊界可為適用的。在邊界之此表示之情況下，可藉由簡單地比較值之集合與表示邊界之值而進行判定處理參數之值之給定集合是否在PW或子PW內部。 圖4展示規格之數量S 與單一處理參數X 之間的關係之實例。在此實例中，規格提供S 之值必須來自Su 至Sd 。由X 所橫跨之一維子PW之邊界為值Xu 及Xd ，其中在X =Xu 時S =Su 且在X =Xd 時S =Sd 。 圖5展示判定值Xu 及Xd 之方法之實例。可在處理參數X 之多個樣本Xi (例如，X1 、X2 、…、X9 )處獲得數量S 之值Si (例如，S1 、S2 、…、S9 )，其中在X =Xi 時S =Si 。自值Si ，可估計依據X 所表示之邊界。在此實例中，Sd 在S1 與S2 之間。因此，Xd 在X1 與X2 之間。類似地，Su 在S8 與S9 之間。因此，Xu 在X8 與X9 之間。圖5之此方法在計算上可為昂貴的，由於可需要S 之許多值以找到Su 或Sd 落在其間的一對值。 圖6展示根據一實施例的發現依據處理參數之值的PW或子PW之邊界(例如，Sd )的表示之方法之實例。選擇處理參數X 之初始值X1 。初始值X1 可為憑經驗已知在邊界附近之值。初始值X1 亦可為藉由模擬所導出之值。獲得數量S 在X =X1 時之值S1 。可藉由實驗或模擬獲得值S1 。接著比較S1 與由S 之值表示之邊界Sd 。接著選擇處理參數X 之第二值X2 。可基於第一值X1 、值S1 、由S 之值表示之邊界(例如，Sd )、經驗資料、實驗資料或其組合而選擇第二值X2 。作為實例，第二值X2 可為自X1 加上或減去之預定義值(例如，若X 表示焦點，則預定義值可為在1至5 nm、1至10 nm、1至15 nm或1至20 nm焦點差值範圍內之值)。獲得數量S 在X =X2 時之值S2 。可藉由實驗或模擬獲得值S2 。可基於第一值X1 、值S1 、值X2 、值S2 、由S 之值表示之邊界(例如，Sd )、經驗資料、實驗資料或其組合而選擇處理參數X 之第三值X3 。可基於值X1 及X2 及/或S1 、S2 及/或Sd 之值而選擇第三值X3 。舉例而言，可藉由在連接點(X1 、S1 )及(X2 、S2 )之路徑(例如，直線或曲線)上內插或自該路徑外插而選擇X3 。在實施例中，內插法或外插法可針對點X ，其中S 等於Sd 。可藉由緊接在之前的X 之兩個或多於兩個值X ( n - 1 ) 及Xn 及/或在X ( n - 1 ) 及Xn 處的S 之值S ( n - 1 ) 及Sn (使用上文所描述之技術中之一或多者以達到X3 )選擇處理參數X 之另外的值X ( n + 1 ) (例如，X4 )直至滿足終止準則為止。一個此類準則為緊接在之前的X 值之兩個值之間的差值(X ( n + 1 ) -Xn )小於臨限值。另一此類準則為在X ( n + 1 ) 處S 值與由S 表示之邊界(例如，Sd )之間的差值(S ( n + 1 ) -Sd )在臨限值內。X 之最後一個值大致表示邊界(例如，Xd )。此方法不限於藉由單一處理參數之值表示邊界。舉例而言，若由三個處理參數X 、Y 及Z 表示邊界S ，則可基於值Xn 、Yn 、Zn 、X ( n - 1 ) 、Y ( n - 1 ) 及Z ( n - 1 ) 以及在{X ( n - 1 ) 、Y ( n - 1 ) 、Z ( n - 1 ) }及{Xn 、Yn 、Zn }處的S 之值S ( n - 1 ) 及Sn 而選擇值X ( n + 1 ) 、Y ( n + 1 ) 及Z ( n + 1 ) 。 圖7示意性地展示根據一實施例的發現依據一或多個處理參數之值的圖案化製程(例如，裝置製造製程)或其產物之特性(例如，數量S )之目標值(例如，目標值為PW或子PW之邊界)之方法的流程圖。即，該方法發現該一或多個處理參數之值，在該等值下該特性具有目標值。在710中，判定該特性在一或多個處理參數(例如，圖6中之X、Y及Z)之當前值下之值。當前值可為所選合適的初始值或如在730中提供的後續值。該特性不限於製程窗之邊界。在720中，判定該特性在一或多個處理參數之當前值下之值是否滿足終止準則。終止準則之實例可包括該特性在一或多個處理參數之當前值下之值在相對目標值之預定範圍內(例如，在1至2 nm、1至3 nm、1至4 nm、1至5 nm或1至10 nm範圍內之數值內)，或該特性之值尚未自特性之先前值改變臨限百分比(例如，不超過0.5%改變、不超過1%改變、不超過5%改變或不超過10%改變)。若滿足終止準則，則提供一或多個處理參數之當前值740作為目標值之表示之近似值，其中該表示為處理參數之值，在該值下該特性具有目標值。若未滿足終止準則，則流程轉至730，其中根據一或多個處理參數之當前值或先前值及/或該特性在一或多個處理參數之當前值下之值及該特性在一或多個處理參數之先前值下之值而判定一或多個處理參數之新值；將一或多個處理參數設定為新值且流程轉回至710。 圖8示意性地展示在730中判定一或多個處理參數之新值之一種方式的流程圖。在810中，可根據一或多個處理參數之當前值或先前值判定及/或可根據該特性在一或多個處理參數之當前值下之值及/或該特性在一或多個處理參數之先前值下之值判定一或多個處理參數之步長(例如，包括量值及方向兩者)。另外或替代地，該步長可固定或變化。舉例而言，該步長可為自一或多個處理參數之當前值加上或減去之預定義值(例如，若處理參數包含焦點，則預定義值可為在1至5 nm、1至10 nm、1至15 nm或1至20 nm焦點差值範圍內之值)。在實施例中，該步長可經由疊代而改變。舉例而言，步長之值可針對每一疊代或選定數目個疊代而減小。在820中，藉由將當前值與步長組合而判定一或多個處理參數之新值。 圖9示意性地展示在730中判定一或多個處理參數之新值之一種方式的流程圖。在910中，判定該特性分別在緊接在一或多個處理參數之當前值Xn 之前的先前值X ( n - 1 ) 下及當前值Xn 下之值S ( n - 1 ) 及Sn 。在920中，根據值S ( n - 1 ) 、Sn 及目標值藉由外插法或內插法而獲得新值X ( n + 1 ) 。舉例而言，新值X ( n + 1 ) 可為在自S ( n - 1 ) 、Sn 至目標值Sd 之外插或在S ( n - 1 ) 、Sn 內內插至目標值Sd 時X 之值。內插法或外插法不限於線性內插或線性外插。 圖10示意性地展示在730中判定一或多個處理參數之新值之一種方式的流程圖。在1010中，獲得緊接在一或多個處理參數之當前值Xn 之前之先前值X ( n - 1 ) 及一或多個處理參數之當前值Xn 。在1020中，藉由X ( n - 1 ) 與Xn 之仿射組合(諸如(1-t)X ( n - 1 ) +tXn )判定一或多個處理參數之新值X ( n + 1 ) ，其中t為常數，諸如0.5。 可組合在730中判定一或多個處理參數之新值的方式。舉例而言，第一疊代(或數個疊代)可使用一種方式且另外的疊代可使用另一方式。舉例而言，圖8之步驟可用於第一疊代(亦即，用以判定第二當前值)且圖9及/或圖10之方式可用於後續疊代。 因此，本文中之技術提供疊代、稀疏取樣及擬合以可靠地迅速會聚於製程窗邊界上，而非在精細間隔下在一或多個處理參數(例如，聚焦條件)之廣泛範圍之值內模擬或量測以識別製程窗邊界。即，提供使用稀疏條件之疊代處理參數邊界搜尋以供快速判定處理參數之製程窗。因此，參看圖11且考慮到處理參數X 為焦點之實施例，圖案化製程之特性S 為臨界尺寸且藉由模擬獲得該等值，邊界(或製程窗)條件定義為聚焦條件，在該條件下最差模擬圖案大小(例如，其中S 為CD)等於使用者定義之偵測器臨限值(例如，其中St 為臨限值CD)，如圖11中所展示。初始聚焦條件X1 用於判定針對彼聚焦條件之最差模擬圖案大小S1 (在圖11中，展示最差模擬圖案大小S 隨聚焦條件X 而變的曲線，其僅有助於解釋及展示最差模擬圖案大小S 如何隨聚焦條件X 而變地表現；到達曲線上之點中之每一者將需要多個模擬且使用如本文中所描述之技術，並不需要，本文中所描述之技術將以有限數目個疊代達至針對St 之處理參數X 值)。若模擬大小並不匹配如圖11中所展示之偵測器臨限值St (或在經使用者定義之範圍內)，則在新聚焦條件X2 下執行模擬以達到最差模擬圖案大小S ，可藉由(例如)偵測器臨限值與模擬大小之間的差，藉由諸如外插法或內插法之擬合(例如，線性擬合)或如上文所描述之其他技術(例如，步進)判定該新聚焦條件X2 。對於新聚焦條件X3 ，擬合之實例展示於圖11中，結合在X 之彼等值下之值S1 及S2 藉由在X1 與X2 之間線性地內插而獲得新聚焦條件X3 。新聚焦條件X3 用作至模擬之輸入以達到新值S3 從而與St 相比較。重複此製程直至滿足會聚準則(例如，最差模擬圖案大小與臨限值相同) 為止且最終的一或多個聚焦條件將為製程窗/邊界。因此，僅相對極少數目之疊代(例如，10或少於10，或5或少於5)用於定位製程窗，且所使用之計算時間粗略地隨著所使用之疊代之數目線性地縮放。 另外，知曉當圖案化製程偏離至PW或子PW之外時哪一或多個圖案將在其他圖案之前變得有缺陷可為有用的。舉例而言，可更為密切地監視此等一或多個圖案或可對圖案化製程作出調整以使得此等一或多個圖案對於製程偏差較為容許性。在(例如，使用本文中所揭示之方法中的一者)發現依據一或多個處理參數之該等值的PW或子PW之邊界的表示之後，該表示可用於識別此等一或多個圖案。 圖12示意性地展示在圖案化製程偏離至PW或子PW之外時識別具有缺陷風險之一或多個圖案之方法的流程圖。在1110中，例如使用本文中所揭示之方法獲得表示PW或子PW之邊界的一或多個處理參數X 之值X * 。即，當一或多個處理參數X 在值X * 處時，圖案化製程在PW或子PW之邊界處。在1120中，獲得一或多個處理參數X 之偏差Δ。可憑經驗或以實驗方式獲得偏差Δ。偏差Δ可表示X之值在圖案化製程期間歸因於諸如溫度變化、機械變化、隨機效應、照明強度變化等許多因素的變化量值。在1120中，針對圖案中之每一者判定指示符之值，指示符表徵在X * 至X * +Δ內圖案中之每一者之特性C之差值。指示符之實例包括，或，其中𝐶為圖案之規格之數量。指示符之其他實例包括。在1130中，基於指示符之值識別在圖案化製程偏離至PW或子PW之外時具有缺陷風險之一或多個圖案。舉例而言，指示符之值可經排名且識別具有最高值或最低值之一或多個圖案。舉例而言，可識別頂部或底部5%、10%、15%或20%。 因此，舉例而言，參看處理參數為焦點且製程窗邊界經定義之實例，指定自邊界之預定義焦點範圍Δ (該範圍為「焦點邊界區」，在該區內出現所有焦點限制熱點)。在新條件(「焦點邊界區」之遠端)下，判定所有缺陷直至偵測器臨限值。此有助於確保俘獲在「焦點邊界區」中出現的所關注的所有熱點。在例如完整裝置佈局上所俘獲之熱點之數目可極大(例如，約幾十萬至數百萬)。因此，需要能夠評估(例如，排名)此等熱點以識別其對於失效之易感性(例如，按其對於失效之易感性次序排名)。 參看圖13，為了這麼做，在實施例中，可使用統計加權途徑。計算偵測器臨限值大小DTSZ (例如，CD)相對於焦點改變的速率及特定熱點之製程窗兩者。圖13展示熱點HSi 之曲線1300及大多數限制熱點之曲線1310。用於此計算之聚焦條件自焦點邊界f+ 達至預定焦點範圍Δf。在實施例中，此焦點範圍與在藉由微影設備之曝光期間出現的聚焦不確定性之量有關。接著藉由相對於偵測器臨限值大小之斜率與製程窗加權聚焦不確定性(例如，高斯分佈)計算最可能印刷條件，且該條件用於對熱點排名。參看圖13，有關熱點在偵測器臨限值Defth 下方之區域1320中且曲線1330展示基於聚焦不確定性之統計加權函數之實例。曲線1330展示聚焦值機率之高斯分佈，但原則上其他類型之函數可應用於實現準確排名。因此，可提供統計加權途徑以藉由加權偵測器(例如，CD)相對於焦點變化的速率及製程窗(其跨越偵測器臨限值Defth 之聚焦條件)判定熱點之失效之嚴重性或傾向。可例如在正使用多個偵測器臨限值時應用標準化版本。且因此，在實施例中，提供針對給定製程參數值俘獲所有所需限制熱點的方法及相關聯條件，且接著提供基於製程窗、聚焦不確定性及相對於焦點之改變速率的對一或多個限制熱點之統計排名。 圖14為說明可輔助實施本文中所揭示之方法及流程之電腦系統100的方塊圖。電腦系統100包括用於傳達資訊之匯流排102或其他通信機構，及與匯流排102耦接以用於處理資訊之處理器104 (或多個處理器104及105)。電腦系統100亦包括主記憶體106，諸如隨機存取記憶體(RAM)或其他動態儲存裝置，其耦接至匯流排102以用於儲存待由處理器104執行之資訊及指令。主記憶體106亦可在執行指令期間用於儲存暫時變數或其他中間資訊以由處理器104執行。電腦系統100進一步包括耦接至匯流排102以用於儲存用於處理器104之靜態資訊及指令之唯讀記憶體(ROM) 108或其他靜態儲存裝置。提供儲存裝置110 (諸如，磁碟或光碟)且將其耦接至匯流排102以用於儲存資訊及指令。 電腦系統100可經由匯流排102而耦接至用於向電腦使用者顯示資訊之顯示器112，諸如陰極射線管(cathode ray tube；CRT)或平板顯示器或觸控面板顯示器。輸入裝置114 (包括文數字按鍵及其他按鍵)耦接至匯流排102以用於將資訊及命令選擇傳達至處理器104。另一類型之使用者輸入裝置為游標控制件116，諸如滑鼠、軌跡球或游標方向按鍵以用於將方向資訊及命令選擇傳達至處理器104且用於控制顯示器112上之游標移動。此輸入裝置通常具有在兩個軸線(第一軸線(例如，x)及第二軸線(例如，y))上之兩個自由度，其允許該裝置指定在平面中之位置。觸控面板(螢幕)顯示器亦可用作輸入裝置。 根據一個實施例，最佳化製程之部分可回應於處理器104執行主記憶體106中含有之一或多個指令之一或多個序列而由電腦系統100執行。可自諸如儲存裝置110之另一電腦可讀媒體將此類指令讀取至主記憶體106中。主記憶體106中含有之指令序列的執行使得處理器104執行本文中所描述之製程步驟。亦可使用多處理配置中之一或多個處理器，以執行主記憶體106中含有的指令序列。在一替代實施例中，可取代或結合軟體指令來使用固線電路。因此，本文中之描述不限於硬體電路及軟體之任何特定組合。 如本文中所使用之術語「電腦可讀媒體」指代參與將指令提供至處理器以供執行之任何媒體。類似地，機器可讀媒體可包括用於儲存或傳輸呈可由機器(例如，計算裝置)讀取之形式之資訊的任何機構。此媒體可呈許多形式，包括(但不限於)非揮發性媒體、揮發性媒體及傳輸媒體。非揮發性媒體包括例如光碟或磁碟，諸如儲存裝置110。揮發性媒體包括動態記憶體，諸如主記憶體106。傳輸媒體包括同軸電纜、銅線以及光纖，包括包含匯流排102之電線。傳輸媒體亦可呈輻射波之形式，諸如在射頻(RF)及紅外線(IR)資料通信期間所產生的輻射波。常見形式之機器可讀媒體或電腦可讀媒體包括例如軟碟、軟性磁碟、硬碟、磁帶、任何其他磁性媒體、CD-ROM、DVD、任何其他光學媒體、快閃記憶體裝置、打孔卡、紙帶、具有孔之圖案之任何其他實體媒體、唯讀記憶體(ROM)、隨機存取記憶體(RAM)、PROM及EPROM、FLASH-EPROM、任何其他記憶體晶片或盒帶、如在下文中所描述之載波或任何其他媒體(電腦可自其讀取)。 可在將一或多個指令之一或多個序列攜載至處理器104以供執行時涉及各種形式之電腦可讀媒體。舉例而言，最初可將該等指令承載於遠端電腦之磁碟上。遠端電腦可將指令載入至其動態記憶體中，且使用數據機經由電話線而發送指令。在電腦系統100本端之數據機可接收電話線上之資料，且使用紅外線傳輸器以將資料轉換成紅外線信號。耦接至匯流排102之紅外線偵測器可接收紅外線信號中攜載之資料且將該資料置放於匯流排102上。匯流排102將資料攜載至主記憶體106，處理器104自主記憶體106擷取且執行指令。由主記憶體106接收之指令可視情況在由處理器104執行之前或之後儲存於儲存裝置110上。 電腦系統100亦較佳包括耦接至匯流排102之通信介面118。通信介面118提供對網路鏈路120之雙向資料通信耦接，網路鏈路120連接至本端網路122。舉例而言，通信介面118可為整合式服務數位網路(ISDN)卡或數據機以提供對對應類型之電話線之資料通信連接。作為另一實例，通信介面118可為區域網路(LAN)卡以提供至相容LAN之資料通信連接。亦可實施無線鏈路。在任何此類實施中，通信介面118發送及接收攜載表示各種類型之資訊之數位資料串流的電信號、電磁信號或光學信號。 網路鏈路120通常經由一或多個網路將資料通信提供至其他資料裝置。舉例而言，網路鏈路120可經由本端網路122將連接提供至主機電腦124或由網際網路服務提供者(ISP) 126操作之資料裝備。ISP 126又經由全球封包資料通信網路(現通常稱作「網際網路」128)來提供資料通信服務。本端網路122及網際網路128兩者使用攜載數位資料串流的電信號、電磁信號或光學信號。經由各種網路之信號及在網路鏈路120上且經由通信介面118之信號(該等信號將數位資料攜載至電腦系統100及自電腦系統100攜載數位資料)為輸送資訊的載波之實例形式。 電腦系統100可經由網路、網路鏈路120及通信介面118而發送訊息且接收資料(包括程式碼)。在網際網路實例中，伺服器130可經由網際網路128、ISP 126、本端網路122及通信介面118而傳輸用於應用程式之經請求程式碼。一個此類經下載應用程式可提供(例如)實施例之照明最佳化。經接收程式碼可在其被接收時由處理器104執行，及/或儲存於儲存裝置110或其他非揮發性儲存器中以供稍後執行。以此方式，電腦系統100可獲得呈載波形式之應用程式碼。 可使用以下條項進一步描述本發明： 1.   一種方法，其包含： 在一處理參數之一當前值下，判定一圖案化製程或其一產物之一特性之一值； 判定該特性之該值是否滿足一終止準則； 若未滿足該終止準則，則藉由一電腦根據該處理參數之該當前值及該處理參數之一先前值判定該處理參數之一新值，且將該當前值設定為該新值及重複該等判定步驟；及 若滿足該終止準則，則提供該處理參數之該當前值作為該特性具有一目標值時的該處理參數之一值之一近似值。 2.   如條項1之方法，其進一步包含選擇該處理參數之一初始值。 3.   如條項1或條項2之方法，其中該目標值表示一製程窗(PW)或一子製程窗(子PW)之一邊界。 4.   如條項1至3中任一項之方法，其中該終止準則為在該處理參數之該當前值下該特性之該值在相對該目標值之一某一範圍內。 5.   如條項1至4中任一項之方法，其中根據該特性在該處理參數之該當前值下之該值及該特性在該處理參數之該先前值下之該值判定該新值。 6.   如條項1至5中任一項之方法，其中判定該新值包含： 根據該處理參數之該當前值或該先前值，且根據該特性在該處理參數之該當前值或該先前值下之該值判定該處理參數之一步長；及 藉由將該當前值與該步長組合而判定該新值。 7.   如條項1至5中任一項之方法，其中判定該新值包含： 判定該特性在該處理參數之該先前值下及在該處理參數之該當前值下之值；及 根據該特性在該處理參數之該先前值下及在該處理參數之該當前值下之該等值，且根據該目標值藉由外插法或內插法判定該新值。 8.   如條項1至5中任一項之方法，其中判定該新值包含藉由該處理參數之該先前值與該處理參數之該當前值之一仿射組合而判定該新值。 9.   如條項1至8中任一項之方法，其中該特性包含臨界尺寸且該處理參數包含焦點。 10.  一種方法，其包含： 獲得一圖案化製程之一處理參數之一值，其中在該處理參數之該值下，該圖案化製程處於一製程窗之一邊界處。 獲得該處理參數之一偏差； 判定複數個圖案中之每一者之一指示符之一值，該指示符之該值表徵在該處理參數之該值至與該偏差組合之該處理參數之該值的範圍內該等圖案中之每一者之一特性之一改變；及 藉由一電腦基於該指示符之該值在該複數個圖案當中識別具有一缺陷風險之一或多個圖案。 11.  如條項10之方法，其中該偏差表示該處理參數之值在該圖案化製程期間之變化之一量值。 12.  如條項10或條項11之方法，其中該指示符為該特性在與該偏差組合之該處理參數之該值下之一值與該特性在該處理參數之該值下之一值之一差值。 13.  如條項10或條項11之方法，其中該指示符為該特性相對於該處理參數之一導數。 14.  如條項10或條項11之方法，其中該指示符為該處理參數自與該偏差組合之該處理參數之該值至該處理參數之該值之一改變與該偏差之一機率之一乘積之一積分。 15.  一種電腦程式產品，其包含上面記錄有指令之一電腦可讀媒體，該等指令在由一電腦執行時實施如條項1至14中任一項之方法。 本發明之實施例可以硬體、韌體、軟體或其任何組合進行實施。本發明之實施例亦可被實施為儲存於機器可讀媒體上之指令，其可由一或多個處理器讀取及執行。另外，韌體、軟體、常式、指令可在本文中被描述為執行特定動作。然而，應瞭解，此等描述僅僅係出於方便起見，且此等動作事實上係由計算裝置、處理器、控制器或執行韌體、軟體、常式、指令等等之其他裝置引起。 儘管上文已描述本發明之特定實施例，但將瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐實施例。
100‧‧‧電腦系統
102‧‧‧匯流排
104‧‧‧處理器
105‧‧‧處理器
106‧‧‧主記憶體
108‧‧‧唯讀記憶體(ROM)
110‧‧‧儲存裝置
112‧‧‧顯示器
114‧‧‧輸入裝置
116‧‧‧游標控制件
118‧‧‧通信介面
120‧‧‧網路鏈路
122‧‧‧本端網路
124‧‧‧主機電腦
126‧‧‧網際網路服務提供者(ISP)
128‧‧‧網際網路
130‧‧‧伺服器
310‧‧‧參數
320‧‧‧參數
330‧‧‧參數
340‧‧‧參數
350‧‧‧特性
360‧‧‧特性
370‧‧‧處理參數
740‧‧‧當前值
1300‧‧‧曲線
1310‧‧‧曲線
1320‧‧‧區域
1330‧‧‧曲線
AD‧‧‧調整器
B‧‧‧輻射光束
BD‧‧‧光束遞送系統
CO‧‧‧集光器
IF‧‧‧位置感測器
IL‧‧‧照明器
IN‧‧‧積光器
M1‧‧‧圖案化裝置對準標記
M2‧‧‧圖案化裝置對準標記
MA‧‧‧圖案化裝置
MT‧‧‧支撐結構
P1‧‧‧基板對準標記
P2‧‧‧基板對準標記
PM‧‧‧第一定位裝置
PL‧‧‧項目/投影系統/透鏡
PW‧‧‧第二定位裝置
SO‧‧‧輻射源/源
W‧‧‧基板
WT‧‧‧基板台
圖1示意性地描繪根據一實施例之微影設備。 圖2展示處理參數之實例類別。 圖3示意性地展示子製程窗為何在圖案化製程期間可能不保持不變。 圖4示意性地展示規格之數量S 隨單一處理參數X 而變的關係之實例。 圖5示意性地展示判定由數量S 表示之製程窗之邊界的值之方法的實例。 圖6示意性地展示根據一實施例的發現依據一或多個處理參數之值的製程窗之邊界的表示之方法之實例。 圖7示意性地展示根據一實施例的發現依據一或多個處理參數之值的圖案化製程或其產物之特性之目標值的表示之方法之流程圖。 圖8示意性地展示在圖7之730中判定一或多個處理參數之新值之一種方式之流程圖。 圖9示意性地展示在圖7之730中判定一或多個處理參數之新值之一種方式之流程圖。 圖10示意性地展示在圖7之730中判定一或多個處理參數之新值之一種方式之流程圖。 圖11示意性地展示根據一實施例的發現依據一或多個處理參數之值的製程窗之邊界的表示之方法之實例。 圖12示意性地展示在圖案化製程偏離至製程窗之外時識別具有缺陷風險之一或多個圖案之方法的流程圖。 圖13示意性地展示識別某些熱點之經加權途徑。 圖14為實例電腦系統之方塊圖。

Claims (15)

  1. 一種方法，其包含： 在一處理參數之一當前值下，判定一圖案化製程或其一產物之一特性之一值； 判定該特性之該值是否滿足一終止準則； 若未滿足該終止準則，則藉由一電腦根據該處理參數之該當前值及該處理參數之一先前值判定該處理參數之一新值，且將該當前值設定為該新值及重複該等判定步驟；及 若滿足該終止準則，則提供該處理參數之該當前值作為該特性具有一目標值時的該處理參數之一值之一近似值。
  2. 如請求項1之方法，其進一步包含選擇該處理參數之一初始值。
  3. 如請求項1之方法，其中該目標值表示一製程窗(PW)或一子製程窗(子PW)之一邊界。
  4. 如請求項1之方法，其中該終止準則為在該處理參數之該當前值下該特性之該值在相對該目標值之一某一範圍內。
  5. 如請求項1之方法，其中根據該特性在該處理參數之該當前值下之該值及該特性在該處理參數之該先前值下之該值判定該新值。
  6. 如請求項1之方法，其中判定該新值包含： 根據該處理參數之該當前值或該先前值，且根據該特性在該處理參數之該當前值或該先前值下之該值判定該處理參數之一步長；及 藉由將該當前值與該步長組合而判定該新值。
  7. 如請求項1之方法，其中判定該新值包含： 判定該特性在該處理參數之該先前值下及在該處理參數之該當前值下之值；及 根據該特性在該處理參數之該先前值下及在該處理參數之該當前值下之該等值，且根據該目標值藉由外插法或內插法判定該新值。
  8. 如請求項1之方法，其中判定該新值包含：藉由該處理參數之該先前值及該處理參數之該當前值之一仿射組合而判定該新值。
  9. 如請求項1之方法，其中該特性包含臨界尺寸且該處理參數包含焦點。
  10. 一種方法，其包含： 獲得一圖案化製程之一處理參數之一值，其中在該處理參數之該值下，該圖案化製程處於一製程窗之一邊界處； 獲得該處理參數之一偏差； 判定複數個圖案中之每一者之一指示符之一值，該指示符之該值表徵在該處理參數之該值至與該偏差組合之該處理參數之該值的範圍內該等圖案中之每一者之一特性之一改變；及 藉由一電腦基於該指示符之該值在該複數個圖案當中識別具有一缺陷風險之一或多個圖案。
  11. 如請求項10之方法，其中該偏差表示該處理參數之值在該圖案化製程期間之變化之一量值。
  12. 如請求項10之方法，其中該指示符為該特性在與該偏差組合之該處理參數之該值下之一值與該特性在該處理參數之該值下之一值之一差值。
  13. 如請求項10之方法，其中該指示符為該特性相對於該處理參數之一導數。
  14. 如請求項10之方法，其中該指示符為該處理參數自與該偏差組合之該處理參數之該值至該處理參數之該值之一改變與該偏差之一機率之一乘積之一積分。
  15. 一種電腦程式產品，其包含上面記錄有指令之一電腦可讀媒體，該等指令在由一電腦執行時實施如請求項1或請求項10之方法。
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