TW201728444A - 積層體基板、積層體基板之製造方法、導電性基板、及導電性基板之製造方法 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種積層體基板，其具備透明基材、及形成於該透明基材之至少一個面側之積層體，該積層體具有黑化層及銅層，該黑化層含有氧、銅及鎳，該黑化層之膜厚為15nm以上，該黑化層含有之氧原子與鎳原子之物質量比O/Ni滿足下式(1)。0.1≦O/Ni≦0.8 (1)

Description

積層體基板、積層體基板之製造方法、導電性基板、及導電性基板之製造方法

本發明係關於一種積層體基板、積層體基板之製造方法、導電性基板及導電性基板之製造方法。

如專利文獻1公開之技術，歷來用於觸控面板之透明導電性薄膜是一種在高分子薄膜上作為透明導電膜形成有ITO(氧化銦-錫)膜之結構。

在此，具備觸控面板之顯示螢幕近年趨於大畫面化，隨之，觸控面板用透明導電性薄膜等之導電性基板亦被要求大面積化。然而，由於ITO電阻值高，因此造成無法應對導電性基板之大面積化之問題。

對此，例如專利文獻2、3公開了使用對銅等之金屬箔進行加工而成之金屬細線來代替ITO膜之技術研究。然而，例如金屬細線使用銅之情況下，由於銅具有金屬光澤，因此存在反射導致顯示螢幕之識別性降低之問題。

因此，研究與銅層一同形成有黑化層之積層體基板，銅層由銅等之金屬箔構成，黑化層由黑色材料構成。為了將該積層體基板加工成具有金屬細線之配線圖案之導電性基板時，在形成銅層及具有被要求之反射率等光學特性之黑化層之後，需要對銅層及黑化層進行蝕刻，以形成所 希望之圖案。

然而，存在銅層與黑化層對蝕刻液之反應性不同之問題。即，若對銅層與黑化層同時進行蝕刻，無法將其中之一個層蝕刻成所希望之形狀之問題。另外，若作為獨立步驟分別進行銅層蝕刻及黑化層蝕刻之情況，會造成步驟數增加之問題。

<先前技術文獻> <專利文獻>

專利文獻1：日本特開2003-151358號公報

專利文獻2：日本特開2011-018194號公報

專利文獻3：日本特開2013-069261號公報

鑑於上述歷來技術之問題，本發明之目的在於提供一種具有能夠同時進行蝕刻處理之銅層及黑化層的積層體基板。

為了解決上述問題，本發明提供一種積層體基板，其具備：透明基材、及積層體，其形成於該透明基材之至少一個面側；該積層體具有：含有氧、銅、鎳之黑化層、及銅層，該黑化層之膜厚為15nm以上，該黑化層含有之氧原子與鎳原子之物質量比O/Ni滿足下式(1)，0.1≦O/Ni≦0.8 (1)。

根據本發明，可提供具有能夠同時進行蝕刻處理之銅層及黑 化層之積層體基板。

10A、10B、20A、20B‧‧‧積層體基板

11‧‧‧透明基材

12、12A、12B‧‧‧銅層

13、13A、13B、131、132、131A、131B、132A、132B‧‧‧黑化層

30‧‧‧導電性基板

31A、31B‧‧‧銅配線層

32A、32B‧‧‧黑化配線層

圖1A是本發明之實施方式之積層體基板之剖面圖。

圖1B是本發明之實施方式之積層體基板之剖面圖。

圖2A是本發明之實施方式之積層體基板之剖面圖。

圖2B是本發明之實施方式之積層體基板之剖面圖。

圖3是本發明之實施方式之具有網格狀配線圖案之導電性基板之俯視圖。

圖4A是沿著圖3中A-A’線之剖面圖。

圖4B是沿著圖3中A-A’線之剖面圖。

圖5是輥對輥濺鍍裝置之說明圖。

以下，關於本發明之積層體基板、積層體基板之製造方法、導電性基板及導電性基板之製造方法之一實施方式進行說明。

(積層體基板、導電性基板)

本實施方式之積層體基板可具備透明基材、及形成於透明基材之至少一個面側之積層體。並且，積層體可具有黑化層及銅層，該黑化層含有氧、銅及鎳。另外，黑化層之膜厚為15nm以上，黑化層含有之氧原子與鎳原子之物質量比O/Ni優選滿足下式(1)。

0.1≦O/Ni≦0.8 (1)

在此，本實施方式之積層體基板是指，透明基材之表面具有銅層及黑 化層之積層體，且對銅層等進行蝕刻之前之基板。導電性基板是指對銅層及黑化層進行蝕刻而形成有金屬細線之基板。

在此，首先關於本實施方式之積層體基板包含之各部件進行說明。

關於透明基材並無特別限定，可優選使用能使可見光穿透之絕緣體薄膜或玻璃基板等。

作為可使可見光穿透之絕緣體薄膜，例如可優選使用聚醯胺類薄膜、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)類薄膜、聚萘二甲酸乙二酯類薄膜、環烯烴類薄膜、聚醯亞胺類薄膜、聚碳酸酯類薄膜等樹脂薄膜等。

關於透明基材之厚度並無特別限定，可根據用於導電性基板時被要求之強度或透光率等任意選擇。作為透明基材之厚度例如可以是10μm以上250μm以下。尤其是用於觸控面板用途之情況下，優選為20μm以上200μm以下，更優選為20μm以上120μm以下。用於觸控面板用途之情況，例如尤其需要減小顯示螢幕整體之厚度之用途下，透明基材之厚度優選為20μm以上100μm以下。

以下，針對銅層進行說明。

關於銅層亦並無特別限定，但為了不使透光率降低，在銅層與透明基材之間或銅層與黑化層之間，優選不配置黏合劑。即，優選將銅層直接形成在其他部件之上面。

為了在其他部件之上面直接形成銅層，優選採用濺鍍法、離子鍍法或蒸鍍法等乾式鍍法來形成銅層。

另外，欲使銅層進一步增厚之情況，優選在乾式鍍層之後使 用濕式鍍法。即，例如能夠在透明基材或黑化層上透過乾式鍍法形成銅薄膜層，並以該銅薄膜層作為供電層，以濕式鍍法形成銅鍍層。在此情況下，銅薄膜層與銅鍍層可構成銅層。

如上所述，透過僅採用乾式鍍法，或透過組合乾式鍍法與濕式鍍法來形成銅層，無需利用黏合劑，就能在透明基材或黑化層上直接形成銅層，因此優選上述方法。

關於銅層之膜厚並無特別限定，將銅層用為配線之情況下，可根據提供該配線之電流之大小及配線寬度等任意選擇。尤其是，為了能夠提供充分之電流，銅層之膜厚優選為80nm以上，更優選為100nm以上，進而優選為150nm以上。關於銅層之膜厚之上限值並無特別限定，但銅層增厚時，為了形成配線而進行蝕刻時需要更多蝕刻時間，從而容易發生側蝕，造成蝕刻途中保護層剝離等之問題。因此，銅層之膜厚優選為5000nm以下，更優選為3000nm，進而優選為1200nm以下。另外，如上所述，在銅層具有銅薄膜層與銅鍍層之情況下，銅薄膜層厚度與銅鍍層厚度之合計優選在上述範圍內。

其次，針對黑化層進行說明。本實施方式之積層體基板中，黑化層可含有氧、銅及鎳。

不具備黑化層而僅由銅層形成並經過配線加工之金屬細線，由於其配線之銅層具有金屬光澤，銅反射光，例如在用為觸控面板用配線基板之情況下，會發生顯示螢幕之識別性降低之問題。對此，研究黑化層之設置方法。

為了抑制銅層表面之光反射，及為了在透明基材上形成銅層 與黑化層之後進行配線加工，黑化層被要求兼備低反射率以及能夠同時將銅層與黑化層蝕刻成所希望之形狀之蝕刻性。

本發明之發明者等人，為了獲得兼備低反射率與蝕刻性之黑化層，對含有氧、銅、鎳之黑化層進行了研究。其中發現，根據構成黑化層之金屬原子數與氧原子數之比，黑化層對蝕刻液之反應性即蝕刻性有時不足。

進而發現，在含有氧、銅、鎳之黑化層之膜厚為15nm以上，並且黑化層中含有之氧原子與鎳原子之物質量比(O/Ni)滿足下式(1)之情況下，黑化層可兼備低反射率與蝕刻性。

0.1≦O/Ni≦0.8 (1)

例如透過乾式鍍法，能夠形成本實施方式之積層體基板之含有氧、銅、鎳之黑化層。並且，透過乾式鍍法，利用鎳-銅合金，並在氬氣等不活性氣體中添加了氧之環境中，形成含有氧、銅、鎳之黑化層時，鎳會優先被氧化。

然而，上式(1)之O/Ni比小於0.1時，會造成鎳之氧化不足，作為黑化層成膜之Ni-Cu-O膜之反射率有時會提高。

另外，上式(1)之O/Ni比大於0.8時，會增進鎳之氧化，作為黑化層成膜之Ni-Cu-O膜變透明，穿透率可能會提高。從而，該Ni-Cu-O膜與銅層被積層之情況下，穿透Ni-Cu-O膜之光被銅層反射之程度增大，結果反射率會增加。另外，上式(1)之O/Ni比大於0.8時，蝕刻性可能會降低。

對此，如上所述，含有氧、銅、鎳之黑化層中之O/Ni比為 0.1以上0.8以下之情況下，可使該黑化層兼備低反射率與蝕刻性，因此優選。黑化層之O/Ni比尤其優選為0.2以上0.7以下。

在此，關於黑化層含有之各原子之狀態並無特別限定，例如可以含有非化學計量(Non-stoichiometric)之鎳-銅氧化物，鎳與銅之一部分亦可以作為不構成氧化物(亦包含非化學計量之氧化物)之原子含有於其中。

另外，能夠藉由XPS查知黑化層含有之氧、鎳、銅之組成。

關於本實施方式之積層體基板之黑化層中之銅與鎳之比率並無特別限定，黑化層中之銅相對於黑化層中之銅與鎳之合計之比率，按質量比優選為20%以上80%以下。

其理由在於，透過使黑化層中之銅相對於黑化層中之銅與鎳之合計之比率按質量比成為20%(質量%)以上，尤其能夠提高黑化層之蝕刻性。然而，黑化層中之銅相對於黑化層中之銅與鎳之合計之比率按質量比超過80%(質量%)時，黑化層之反射率提高，作為觸控面板用導電性基板之情況下，顯示螢幕之識別性可能會降低，因此優選為80%以下。

黑化層中之銅相對於黑化層中之銅與鎳之合計之比率，按質量比更優選為30%以上50%以下。

在此，採用濺鍍法並使用鎳-銅合金之濺鍍靶來進行黑化層成膜之情況下，能夠使黑化層中銅與鎳之比率與濺鍍靶中銅與鎳之比率大致成為相等。因此，採用濺鍍法進行黑化層成膜之情況下，能夠透過濺鍍靶之組成來變更黑化層中之銅與鎳之比率。

關於黑化層之成膜方法並無特別限定，能夠以任意方法進行 成膜，例如能夠採用乾式鍍法適當進行成膜。尤其是若利用濺鍍法，使用鎳-銅合金之濺鍍靶，一邊使來自該濺鍍靶之鎳-銅合金氧化，一邊能夠較容易之形成含有氧、銅、鎳之黑化層。因此，優選採用濺鍍法來進行黑化層之成膜。

採用濺鍍法進行本實施方式之積層體基板之黑化層成膜之情況下，可使用鎳-銅合金靶，並向腔室內提供不活性氣體及氧氣之同時採用濺鍍法進行成膜。在此，作為不活性氣體可以使用例如氬氣。

透過濺鍍法進行黑化層成膜之情況下，亦可以向腔室內預先提供不活性氣體與氧氣混合而成之混合氣體。另外，亦可以將不活性氣體與氧氣分別提供到腔室內，並調整各氣體之分壓。尤其是，為了能夠調整提供給黑化層之氧量，優選向腔室內同時提供不活性氣體與氧氣，並調整腔室內之氧分壓。

如上所述，向腔室內提供不活性氣體與氧氣之同時採用例如濺鍍法等乾式鍍法來進行黑化層成膜時，關於提供給腔室內之不活性氣體與氧氣之比並無限定。然而，進行黑化層成膜時，射入被成膜表面之氧分子數(Γ(O₂))與堆積在被成膜表面之鎳原子數(Γ(Ni))優選滿足式(2)。即，優選調整不活性氣體分壓及氧分壓，以滿足下式(2)。

2≦Γ(O₂)/Γ(Ni)≦10 (2)

其理由在於，Γ(O₂)/Γ(Ni)為2以上之情況下，能夠使黑化層充分黑化，尤其能夠降低積層體基板之黑化層之反射率，從而，作為導電性基板時尤其能夠提高顯示螢幕之識別性。

另外，Γ(O₂)/Γ(Ni)為10以下時，能夠抑制黑化層含 有之鎳發生過度氧化，由此能夠抑制鎳氧化物變透明而導致黑化層穿透率上升之問題。因此，在黑化層與銅層被積層而成之積層體基板中，黑化層抑制銅層表面之光反射，能夠使積層體基板之反射率降低。另外，尤其能夠提高黑化層之蝕刻性，從而確實能夠對銅層與黑化層同時進行蝕刻處理。

因此，進行黑化層成膜時，如上所述，Γ(O₂)/Γ(Ni)優選為2以上10以下，更優選為4以上8以下。

並且，射入被成膜表面之O₂分子並非是全部與Ni原子發生反應，射入被成膜表面之一部分O₂分子與Ni原子發生反應。因此，考慮到O₂分子與Ni原子之反應機率，射入被成膜表面之O₂分子數(Γ(O₂))與堆積於被成膜表面之原子數(Γ(Ni))之關係優選滿足式(2)。

上述黑化層之被成膜表面是指黑化層成膜時之最外表面部分，黑化層成膜開始時其意味著進行黑化層成膜之下層，即，透明基材之表面或銅層之表面。另外，黑化層之成膜開始後則意味著成膜中之黑化層之最外表面。

可根據下式(3)，求出上式(2)中之射入黑化層之被成膜表面之O₂分子數Γ(O₂)。

Γ(O₂)=p/(2 π mkT)^0.5 [個/(m²s)] (3)

式(3)中之各參數分別如下。p：氧之分壓[Pa]，m：氧分子之質量[kg]，k：波茲曼常數(1.38×10^-23[J/K])、T：溫度(K)。

可根據單位面積中堆積之鎳質量及成膜時間，算出上式(1)中之堆積於黑化層之被成膜表面之鎳原子數(Γ(Ni))。具體可根據下式(4)算出。

Γ(Ni)=W‧Na/(M‧A‧t) [個/(m²s)] (4)

其中，W：Ni之質量，Na：亞佛加厥常數，M：Ni之原子量，A：成膜面積，t：成膜時間。

關於黑化層之厚度並無特別限定，例如優選為15nm以上，更優選為20nm以上。如上所述，黑化層為黑色，其具有抑制銅層之光反射之作用，但黑化層之厚度薄之情況下，無法獲得充分之黑色而有時無法充分抑制銅層之光反射。對此，將黑化層之厚度設定在上述範圍時能夠更確實抑制銅層之反射，因此優選。

關於黑化層之厚度之上限值並無特別限定，但超出必要之增厚，會導致成膜所需時間延長、形成配線時之蝕刻所需時間延長、成本上升。因此，黑化層之厚度優選為60nm以下，更優選為50nm以下。

其次，關於本實施方式之積層體基板之構成例進行說明。

如上所述，本實施方式之積層體基板具備透明基材、銅層及黑化層。在此，關於在透明基材上配置銅層與黑化層時之積層順序並無特別限定。另外，銅層與黑化層可以分別形成複數層。並且，為了抑制銅層表面之光反射，優選在銅層表面當中之尤其想抑制光反射之面上配置黑化層。尤其是，更優選在銅層表面形成有黑化層之積層構造，即，更優選銅層被夾在黑化層之間之結構。

關於本實施方式之積層體基板之具體結構例，參照圖1A、圖1B、圖2A、圖2B進行說明。圖1A、圖1B、圖2A、圖2B是例示本實施方式之積層體基板之圖，是與透明基材、銅層、黑化層之積層方向平行之面之剖面圖。

例如像圖1A所示之積層體基板10A，可以在透明基材11之一個面11a側依序積層銅層12、黑化層13各一層。另外，如圖1B所示之積層體基板10B，可以在透明基材11之一個面11a側及另一個面(另一面)11b側分別依序積層銅層12A、12B及黑化層13A、13B各一層。在此，銅層12(12A、12B)及黑化層13(13A、13B)之積層順序並不限定於圖1A、圖1B之例子，亦可以從透明基材11側開始按黑化層13(13A、13B)、銅層12(12A、12B)之順序進行積層。

本實施方式之積層體基板亦可以是例如在透明基材11之1個面側設置有複數層黑化層之結構。例如像圖2A所示之積層體基板20A，可以在透明基材11之一個面11a側依序積層第1黑化層131、銅層12、第2黑化層132。

在此情況下，亦可以採用在透明基材11之兩面積層銅層、第1黑化層、第2黑化層之結構。具體如圖2B所示之積層體基板20B，可以在透明基材11之一個面11a側及另一個面(另一面)11b側，分別依序積層第1黑化層131A、131B及銅層12A、12B及第2黑化層132A、132B。

另外，圖1B、圖2B表示了在透明基材之兩面積層有銅層、黑化層之情況下，以透明基材11作為對稱面，積層於透明基材11上下面之層彼此對稱配置之例子，但並不限定於該形態。例如，在圖2B中，透明基材11之一個面11a側之結構亦可以與圖1A之結構相同，以依序積層銅層12、黑化層13之形態，使積層於透明基材11上下面之層成為非對稱之結構。

至此，說明了本實施方式之積層體基板，在本實施方式之積層體基板中，由於在透明基材上設有銅層與黑化層，因此能夠抑制銅層對 光之反射。

關於本實施方式之積層體基板之光反射程度並無特別限定，例如本實施方式之積層體基板其黑化層對波長400nm以上700nm以下之光之反射率(正反射率)之平均優選為40%以下。尤其是，本實施方式之積層體基板之黑化層對波長400nm以上700nm以下之光之反射率之平均更優選為30%以下、進而優選為20%以下。其理由在於，本實施方式之積層體基板之黑化層表面對波長400nm以上700nm以下之光之反射率之平均為40%以下之情況下，例如在用為觸控面板用導電性基板時尤其能夠抑制顯示螢幕之識別性降低。

透過對黑化層照射光，能夠對積層體基板之黑化層之反射率進行測定。即，能夠從積層體基板所含之銅層及黑化層當中之黑化層側進行測定。

具體而言，例如像圖1A所示之積層體基板10A那樣在透明基材11之一個面11a上依序積層有銅層12、黑化層13之情況下，以能夠對黑化層13照射光之方式，可對圖中之表面A照射光並進行測定。

另外，改變圖1A中之銅層12與黑化層13之配置方式，在透明基材11之一個面11a依序積層有黑化層13、銅層12之情況下，以能夠對黑化層13照射光之方式，從透明基材11之面11b側對黑化層照射光，從而能夠測定反射率。

在此，光反射率之平均係指，針對於相同試料，使波長在400nm以上700nm以下之範圍內變化之同時進行反射率測定之測定結果之平均值。測定時，關於使波長變化之範圍並無特別限定，例如，優選在上 述波長範圍內以10nm單位使波長變化並對光進行測定，更優選在上述波長範圍內以1nm單位使波長變化並對光進行測定。

本實施方式之積層體基板如上所述，可以具有在透明基材上配置銅層及黑化層之結構。並且，根據所希望之配線圖案，對透明基材上配置之銅層及黑化層進行蝕刻，形成金屬細線即配線，從而能夠作為導電性基板。

因此，本實施方式之導電性基板能夠具備透明基材、及形成於透明基材之至少一個面側之金屬細線。並且，金屬細線可以是具有黑化配線層與銅配線層之積層體，該黑化配線層含有氧、銅、鎳。

另外，黑化配線層之膜厚可設為15nm以上。並且，黑化配線層含有之氧原子與鎳原子之物質量比O/Ni優選滿足下式(1)。

0.1≦O/Ni≦0.8 (1)

本實施方式之導電性基板可優選用為例如觸控面板用導電性基板。在此情況下，導電性基板可以是具有例如網格狀配線圖案之結構。

透過對以上說明之本實施方式之積層體基板之銅層及黑化層進行蝕刻，能夠獲得具有網格狀配線圖案之導電性基板。

例如，能夠由兩層金屬細線構成網格狀配線圖案。具體之結構例如圖3所示。圖3表示沿著銅配線層、黑化配線層之積層方向從上面側觀察具備網格狀配線圖案之導電性基板30之圖。圖3所示之導電性基板30具有透明基材11、與圖中Y軸方向平行之複數個銅配線層31A、與X軸方向平行之銅配線層31B。另外，透過對銅層進行蝕刻形成銅配線層31A、31B，在該銅配線層31A、31B之上面及/或下面形成有未圖示之黑化配線層。 透過對黑化層進行蝕刻能夠形成黑化配線層，其被蝕刻成與銅配線層31A、31B相同之形狀(圖案)。

關於透明基材11與銅配線層31A、31B之配置並無特別限定。透明基材11與銅配線層之配置結構例如圖4A、圖4B所示。圖4A、圖4B是沿著圖3之A-A’線之剖面圖。

首先，如圖4A所示，可以在透明基材11之上下面分別配置銅配線層31A、31B。在此，圖4A所示之例子之情況下，在銅配線層31A之上面及銅配線層31B之下面，分別配置有被蝕刻成與銅配線層31A、31B相同形狀之黑化配線層32A、32B。

另外，如圖4B所示，使用1組透明基材11，夾著其中一個透明基材11在其上下面配置銅配線層31A、31B，且，可以將一個銅配線層31B配置在透明基材11之間。在此情況下，在銅配線層31A、31B之上面亦配置有被蝕刻成與銅配線層相同形狀之黑化配線層32A、32B。

另外，關於黑化配線層與銅配線層之配置並無限定。因此，在圖4A、圖4B之任一個情況下，均能夠使黑化配線層32A、32B與銅配線層31A、31B之配置上下顛倒。另外，還能夠例如設置複數層之黑化配線層。

然而，黑化配線層優選被配置在銅配線層表面當中之尤其需要抑制光反射之面。因此，在圖4B所示之導電性基板中，例如，需要抑制圖中下面側之光反射之情況下，優選使黑化配線層32A、32B之位置與銅配線層31A、31B之位置彼此顛倒。另外，除了黑化配線層32A、32B之外，還可以在銅配線層31A、31B與透明基材11之間配置黑化配線層。

例如，利用圖1B所示之在透明基材11之兩面具備銅層 12A、12B與黑化層13A、13B之積層體基板，能夠形成圖3及圖4A所示之具有網格狀配線圖案之導電性基板。

以利用圖1B之積層體基板來形成之情況為例進行說明，首先，對透明基材11之一個面11a側之銅層12A及黑化層13A進行蝕刻，以形成沿著圖1B中之X軸方向隔著規定間隔配置並與圖1B中Y軸方向平行之複數個線狀圖案。在此，圖1B中之X軸方向表示與圖1B中之各層之寬度方向是平行之方向。另外，圖1B中之Y軸方向表示與紙面垂直之方向。

然後，對透明基材11之另一個面11b側之銅層12B及黑化層13B進行蝕刻，形成沿著圖1B中Y軸方向隔著規定間隔配置並與X軸方向平行之複數個線狀圖案。

透過以上操作，能夠形成如圖3、圖4A所示之具有網格狀配線圖案之導電性基板。在此，亦能夠對透明基材11之兩面同時進行蝕刻。即，可同時進行銅層12A、12B、黑化層13A、13B之蝕刻。

另外，圖4A中，在銅配線層31A、31B與透明基材11之間亦配置黑化配線層之情況下，能夠用圖2B之積層體基板代替圖1B之積層體基板。在此情況下，包括圖2B之積層體基板之第1黑化層131A、131B在內，能夠與上述情況同樣進行蝕刻，製作成導電性基板。

透過使用2片如圖1A或圖2A所示之導電性基板，亦能夠形成如圖3所示之具有網格狀配線圖案之導電性基板。以利用圖1A所示之積層體基板來形成之情況為例進行說明，對2片如圖1A所示之積層體基板分別進行銅層12及黑化層13之蝕刻，以形成沿著Y軸方向相離規定間隔並與X軸方向平行配置之複數個線狀圖案。然後，將透過上述蝕刻處理形 成於各導電性基板上之線狀圖案設置成彼此交叉之方向，並貼合2片導電性基板，從而能夠獲得具有網格狀配線之導電性基板。

關於貼合2片導電性基板時之貼合面並無特別限定。例如，對透明基材11之未積層銅層12等面即圖1A中之面11b彼此進行貼合，能夠獲得與圖4A所示之導電性基板相同之結構。

此外，例如還可以對一個經過蝕刻之積層體基板之積層有銅層12等之面即圖1A中之表面A、及另一個經過蝕刻之積層體基板之未積層銅層12等之面即圖1A中之面11b進行貼合。在此情況下，形成與圖4B所示之導電性基板相同之結構。

在此，優選黑化層被配置在銅層表面當中尤其需要抑制光反射之面。

因此，在圖4B所示之導電性基板中，有必要抑制圖中來自下面側之光之反射之情況下，優選將黑化配線層32A、32B之位置與銅配線層31A、31B之位置顛倒配置。在此情況下，製作導電性基板時，能夠使用圖1A中之銅層12與黑化層13被顛倒配置之積層體基板來代替圖1A所示之積層體基板10A，來製作該導電性基板。

另外，除了黑化配線層32A、32B之外，還可以在銅配線層31A、31B與透明基材11之間設置黑化配線層。此時，製作導電性基板時，能夠通過使用圖2A所示之積層體基板20A代替圖1A所示之積層體基板10A，來製作導電性基板。

在此，關於圖3、圖4A、圖4B所示之具有網格狀配線圖案之導電性基板中之金屬細線之寬度或金屬細線間之距離並無特別限定，例 如，可以根據流通於金屬細線之電流量等來選擇。考慮到用為顯示螢幕之觸控面板用導電性基板時之識別性，金屬細線之寬度優選為20μm以下。

如上所述，透過根據所希望之配線圖案對上述積層體基板之銅層及黑化層進行蝕刻，能夠製作本實施方式之導電性基板。因此，本實施方式之導電性基板之銅配線層及黑化配線層可分別具有與上述積層體基板之銅層及黑化層相同之特性。

在此，例如，黑化配線層中之銅相對於黑化配線層中之銅與鎳之合計之比率按質量比優選為20%以上80%以下，更優選為30%以上50%以下。

另外，黑化配線層對波長400nm以上700nm以下之光之反射率之平均優選為40%以下，更優選為30%以下，進而優選為20%以下。其理由在於，本實施方式之導電性基板之黑化配線層對波長400nm以上700nm以下之光之反射率之平均為40%以下之情況下，例如用為觸控面板用導電性基板時，能夠格外抑制顯示螢幕之識別性降低。

反射率係指，去除導電性基板中之透明基材之情況下，被配置在最外表面之黑化配線層之光射入側之表面之反射率。因此，透過對積層體基板之黑化層等進行蝕刻之後殘留之金屬細線之黑化配線層進行光照射，能夠測定導電性基板之黑化配線層之反射率。

關於反射率之具體測定方法，可以採用與積層體基板之黑化層之反射率相同之方式來進行測定，因此省略贅述。

另外，例如銅配線層及黑化配線層之厚度等，亦可以具有與上述積層體基板之銅層及黑化層相同之特性。

另外，上述圖3、圖4A及圖4B中表示了組合直線形狀之金屬細線來形成網格狀配線圖案之例子，但並不限定於該形態，構成配線圖案之金屬細線可以是任意形狀。例如，構成網格狀配線圖案之金屬細線之形狀可以分別是鋸齒型彎曲之線(z型直線)等各種形狀，以防止在顯示螢幕之画像之間產生疊紋(干涉紋)。

具有上述由2層金屬細線構成之網格狀配線圖案之導電性基板，可以優選用為例如投影型靜電容量方式之觸控面板用導電性基板。

(積層體基板之製造方法、導電性基板之製造方法)

以下，關於本實施方式之積層體基板之製造方法及導電性基板之製造方法之構成例進行說明。

在此，透過本實施方式之積層體基板之製造方法能夠製造上述積層體基板，且透過本實施方式之導電性基板之製造方法能夠製造上述導電性基板。因此，除了以下說明之內容之外，可採用與上述積層體基板及導電性基板相同之結構，因此省略部分說明。

本實施方式之積層體基板之製造方法，可具有透過例如濺鍍法等乾式鍍法來進行黑化層成膜之黑化層形成步驟。並且，在黑化層形成步驟中，成膜黑化層時，射入黑化層之被成膜表面之氧分子數(Γ(O₂))與堆積於黑化層之銅原子數(Γ(Ni))優選滿足以下式(2)。

2≦Γ(O₂)/Γ(Ni)≦10 (2)

在黑化層形成步驟中，可在透明基材之至少一個面側形成含有氧、銅、鎳之黑化層。並且，在黑化層形成步驟中，可透過例如用於堆積非化學計量之鎳-銅氧化物之成膜手段，進行黑化層之成膜步驟。關於黑化層形成步 驟中之用於堆積非化學計量之鎳-銅合金氧化物之成膜手段並無特別限定，優選乾式鍍法，尤其優選濺鍍成膜手段(濺鍍法)。

在本實施方式之積層體基板之製造方法之黑化層形成步驟中，透過例如濺鍍法等乾式鍍法來進行黑化層成膜之情況下，能夠使用鎳-銅合金靶，向腔室內提供不活性氣體及氧氣之同時進行成膜。在此，作為不活性氣體，例如可以使用氬氣。

並且，向腔室內提供不活性氣體與氧氣之同時透過例如濺鍍法等乾式鍍法來進行黑化層成膜時，關於提供給腔室內之不活性氣體與氧氣之比並無限定。但是，進行黑化層成膜時，射入被成膜表面之氧分子數(Γ(O₂))與堆積在被成膜表面之鎳原子數(Γ(Ni))優選滿足上式(2)。

其理由在於，Γ(O₂)/Γ(Ni)為2以上時，能夠使黑化層充分黑化，從而能夠格外降低積層體基板之黑化層之反射率，作為導電性基板時尤其能夠提高顯示螢幕之識別性。

另外，Γ(O₂)/Γ(Ni)為10以下時，能夠抑制黑化層含有之鎳過度氧化，由此能夠抑制鎳氧化物變透明所致之黑化層穿透率提高之問題。從而，在黑化層與銅層積層而成之積層體基板中，黑化層能夠抑制銅層表面之光反射，降低積層體基板之反射率。並且，尤其能夠提高黑化層之蝕刻性，能夠更確實地對銅層與黑化層同時進行蝕刻處理。

因此，進行黑化層成膜時，如上所述，Γ(O₂)/Γ(Ni)優選為2以上10以下，更優選為4以上8以下。

透過乾式鍍法進行黑化層成膜時，能夠使用例如圖5所示之輥對輥濺鍍裝置50來適宜進行成膜。接下來以使用輥對輥濺鍍裝置之情況 為例，說明黑化層形成步驟。

圖5表示了輥對輥濺鍍裝置50之一個構成例。輥對輥濺鍍裝置50具有能夠收容幾乎其所有構成部件之殼體51。圖5中殼體51之形狀被表示為長方形，但關於殼體51之形狀並無特別限定，可根據收容於其內部之裝置、設置位置、耐壓性能等，採用任意之形狀。例如，殼體51之形狀可以是圓筒形狀。然而，成膜開始時為了排除與成膜無關之殘留氣體，優選能夠將殼體51內部減壓至1Pa以下，更優選減壓至10^-3Pa以下，進而優選減壓至10^-4Pa以下。在此，無需使殼體51內部整體都減壓至上述壓力，可以僅使用於進行濺鍍之、配置有下述成膜輥53之圖中下側區域51a及區域51b減壓至上述壓力。

在殼體51內，可以配置用於提供黑化層成膜基材之捲出輥52、成膜輥53、濺鍍陰極54a~54d、前饋輥55a、後饋輥55b、張力輥56a、56b、捲取輥57。

另外，在黑化層成膜基材之輸送路徑上，除了上述各輥之外，還可以任意設置導向輥58a~58h、加熱器59等。

可由伺服馬達向捲出輥52、成膜輥53、前饋輥(feed roller)55a、捲取輥57提供動力。可透過粉粒離合器等之扭矩控制，使捲出輥52、捲取輥57保持黑化層成膜基材之張力平衡。

關於成膜輥53之構造並無特別限定，例如優選表面被施以硬質鉻鍍層加工，內部有來自殼體51外部之冷媒或熱媒循環，從而能夠保持大致恆定之溫度之構造。

張力輥56a、56b例如優選其表面被施以硬質鉻鍍層加工， 並具備張力感應器。另外，前饋輥55a、後饋輥55b、導向輥58a~58h亦優選其表面被施以硬質鉻鍍層加工。

濺鍍陰極54a~54d優選為磁控管陰極式，並與成膜輥53相對配置。關於濺鍍陰極54a~54d之尺寸並無特別限定，但優選濺鍍陰極54a~54d之沿著黑化層成膜基材之寬度方向之尺寸大於黑化層成膜基材之寬度。

用於黑化層成膜之基材被輸送到作為輥對輥真空成膜裝置之輥對輥濺鍍裝置50內，並在與成膜輥53相對之濺鍍陰極54a~54d處成膜黑化層。

以下，關於使用輥對輥濺鍍裝置50進行黑化層成膜時之順序進行說明。

首先，對於在濺鍍陰極54a~54d上安裝有鎳-銅合金靶，並且在捲出輥52設置有用於進行黑化層成膜之基材之殼體51內，使用真空泵60a、60b，還可酌情追加真空泵60c，進行真空排氣。

在此，將基材從捲出輥52輸送至捲取輥57之過程中，能夠在基材上連續成膜不同組成之層，具體而言，例如黑化層與銅薄膜層。如上所述，在連續成膜黑化層與銅薄膜層之情況下，例如可以在濺鍍陰極54a、54b設置鎳-銅合金靶，並在濺鍍陰極54c、54d設置銅靶。

然後，由氣體提供部61a向殼體51內導入作為濺鍍氣體之例如氬等不活性氣體與氧氣。

關於氣體提供部61a之結構並無特別限定，可具有未圖示之氣體儲藏罐。並且，為了能夠控制向殼體51內提供各氣體之提供量，可以 在氣體儲藏罐與殼體51之間，按照氣體種類設置質量流量控制器(MFC)611a、611b，及閥612a、612b。圖5顯示了質量流量控制器與閥各為2組之設置例，但關於設置數量並無特別限定，可以根據所使用之氣體種類數，選擇設置數量。

由氣體提供部61a向殼體內導入不活性氣體與氧氣時，優選透過質量流量控制器611a、611b等調整氧分壓，以使Γ(O₂)/Γ(Ni)滿足如上所述之規定範圍。

由氣體提供部61a向殼體51內提供濺鍍氣體時，優選透過調整濺鍍氣體之流量、設在真空泵60b與殼體51之間之壓力調整閥62a之開度，以使殼體內保持例如0.13Pa以上1.3Pa以下，並進行成膜。

在該狀態下，從捲出輥52例如按每分鐘1m以上20m以下之速度輸送基材，並由連接於濺鍍陰極54a~54d之濺鍍用直流電源提供電力來進行濺鍍放電。由此，能夠在基材上連續成膜所希望之黑化層。

輥對輥濺鍍裝置50中，除了上述之外，還可以根據需要配置各種部件。例如，可以設置用於測定殼體51內之壓力之壓力計63a、63b及通氣閥64a、64b等。

另外，如上所述，在將基材從捲出輥52輸送至捲取輥57之過程中，能夠在基材上連續成膜黑化層與銅薄膜層。在基材上連續成膜黑化層與銅薄膜層之情況下，優選採用能夠將濺鍍陰極54a、54b側之區域51a與濺鍍陰極54c、54d側之區域51b控制成不同環境之結構。具體而言，優選例如透過設置隔壁65來將2個區域控制成不同環境之結構。在此情況下，除了氣體提供部61a之外，還能夠設置氣體提供部61b。設置氣體提供 部61b之情況下，氣體提供部61b可以是與氣體提供部61a相同之結構，例如，可以具備質量流量控制器611c及閥612c。圖5中表示設有1組質量流量控制器611c與612c之例子，但並不限定於該形態，可根據提供之氣體種類數來選擇設置數。

另外，還可以在區域51b側預先設置真空泵60c與壓力調整閥62b，根據來自氣體提供部61b之濺鍍氣體之流量及壓力調整閥62b之開度，來控制區域51b內之壓力。

無需在殼體內形成不同環境之區域之情況下，則無需設置上述隔壁65、氣體提供部61b、真空泵60c及壓力調整閥62b，可將區域51a與區域51b控制成相同環境。

另外，本實施方式之積層體基板之製造方法中，除了黑化層形成步驟之外，還可具有以下步驟。

準備透明基材之透明基材準備步驟。

藉由堆積銅之成膜手段在透明基材之至少一個面側形成銅層之銅層形成步驟。

如上所述，在本實施方式之積層體基板中，關於在透明基材上配置銅層、黑化層時之積層順序並無特別限定。另外，可將銅層與黑化層分別形成複數層。因此，關於上述銅層形成步驟、黑化層形成步驟之實施順序，實施次數並無特別限定，可根據欲形成之積層體基板之結構，以任意次數、時機實施。

準備透明基材之透明基材準備步驟，例如是準備由可使可見光穿透之絶緣體薄膜、玻璃基板等構成之透明基材之步驟，關於其具體之 操作並無特別限定。例如，可以根據提供給後續步驟中之各步驟之需要，切割成任意尺寸等。

其次，關於銅層形成步驟進行說明。

銅層如上所述，優選使用乾式鍍法形成銅層。另外，想使銅層進一步增厚時，優選在乾式鍍層之後使用濕式鍍法。

因此，銅層形成步驟亦可具有例如，由乾式鍍法形成銅薄膜層之步驟。另外，銅層形成步驟亦可具有，透過乾式鍍法形成銅薄膜層之步驟，及以該銅薄膜層作為供電層並透過濕式鍍法形成銅鍍層之步驟。

如上所述，透過僅採用乾式鍍法或組合乾式鍍法及濕式鍍法來形成銅層，從而無需經由黏合劑就能夠在透明基材或黑化層上直接形成銅層，因此優選。

作為乾式鍍法並無特別限定，例如可以優選使用濺鍍法、離子鍍法或蒸鍍法等。尤其是，作為用於形成銅薄膜層之乾式鍍法，由於容易控制膜厚，更優選使用濺鍍法。即，銅層形成步驟中使堆積銅之成膜手段較佳為濺鍍成膜手段(濺鍍法)。

例如使用上述輥對輥濺鍍裝置50，能夠較佳地進行銅薄膜層之成膜。關於輥對輥濺鍍裝置之結構，前文中已有說明，在此省略贅述。

關於採用濕式鍍法來形成銅鍍層之步驟中之條件，即，電鍍處理之條件並無特別限定，可以採用常用方法中之諸條件。例如，將形成有銅薄膜層之基材提供給裝有銅鍍液之鍍槽，並透過控制電流密度、基材之輸送速度，能夠形成銅鍍層。

然後，採用上述積層體基板之製造方法製造之積層體基板， 與上文所述之積層體基板同樣，銅層之厚度優選為80nm以上，更優選為100nm以上，進而優選為150nm以上。另外，關於銅層之厚度之上限值並無特別限定，優選為5000nm以下，更優選為3000nm以下，進而優選為1200nm以下。

此外，透過上述說明之積層體基板之製造方法製得之積層體基板中，關於黑化層之厚度並無特別限定，例如優選15nm以上，更優選為20nm以上。關於黑化層之厚度上限值並無特別限定，優選為60nm以下，更優選為50nm以下。

另外，透過上述說明之積層體基板之製造方法製得之積層體基板，其對波長400nm以上700nm以下之光之反射率之平均優選為40%以下，更優選為30%以下。尤其優選為20%以下。

此外，使用透過上述說明之積層體基板之製造方法製得之積層體基板，能夠製作具有金屬細線之導電性基板。使用透過本實施方式之積層體基板之製造方法製得之積層體基板，對其銅層及黑化層進行蝕刻來製作導電性基板時，除了上述步驟之外，還可具有對銅層、黑化層進行配線加工之配線加工步驟。即，本實施方式之導電性基板之製造方法可具有：對透過本實施方式之積層體基板之製造方法製得之積層體基板進行配線加工之配線加工步驟。

進行該配線加工步驟時，例如，首先，可以在積層體基板之最外表面形成保護層，該保護層具有與欲透過蝕刻去除之部分對應的開口部。

使用圖1A所示之積層體基板來製作導電性基板時，可以在 積層體基板中配置之黑化層13之被露出之表面A上形成保護層。在此，關於保護層之形成方法並無特別限定，例如可以採用光微影法形成，該保護層具有與欲透過蝕刻去除之部分對應的開口部。

其次，透過從保護層上面供給蝕刻液，能夠實施銅層12、黑化層13之蝕刻。

在此，如圖1B所示，在透明基材11之兩面配置有銅層、黑化層之情況下，可以在積層體基板之表面A及表面B上分別形成具有規定形狀之開口部之保護層，並對形成於透明基材11之兩面之銅層、黑化層同時進行蝕刻。

另外，對形成在透明基材11之兩面之銅層及黑化層，亦可以對每一側分別進行蝕刻處理。即，例如可以對銅層12A及黑化層13A進行蝕刻之後，對銅層12B及黑化層13B進行蝕刻。

本實施方式之積層體基板所含之黑化層示出與銅層同樣之蝕刻液反應性，因此，關於配線加工步驟中使用之蝕刻液並無特別限定，可優選使用一般之銅層蝕刻中使用之蝕刻液。作為蝕刻液，例如可以優選使用三氯化鐵與鹽酸之混合水溶液。關於蝕刻液中之三氯化鐵與鹽酸之含有量並無特別限定，例如，三氯化鐵之含有比率優選為5重量%以上50重量%以下，更優選為10重量%以上30重量%以下。另外，蝕刻液中，鹽酸之含有比率優選為1重量%以上50重量%以下，更優選為1重量%以上20重量%以下。在此，剩餘部分可為水。

蝕刻液可以在室溫下使用，而為了提高反應性，亦可加溫使用，例如可以加溫至40℃以上50℃以下來使用。

透過上述配線加工步驟獲得之金屬細線，例如可具有網格狀配線圖案，關於其具體形態前文已說明，在此省略贅述。

另外，關於圖1A或圖2A所示之在透明基材11之一個面側具有銅層及黑化層之積層體基板，透過配線加工步驟進行蝕刻，並對獲得之2片導電性基板進行貼合，形成具有網格狀配線圖案之導電性基板。在此情況下，還可具有對導電性基板進行貼合之步驟。

在貼合導電性基板之步驟中，關於貼合2片導電性基板之方法並無特別限定，例如可以使用黏合劑等進行黏合。

以上關於本實施方式之積層體基板之製造方法及導電性基板之製造方法進行了說明。

透過該積層體基板之製造方法獲得之積層體基板，其銅層與黑化層對蝕刻液之反應性幾乎相同，因此，能夠對銅層與黑化層同時進行蝕刻處理，容易形成所希望之金屬細線。

另外，含有氧、銅、鎳，且膜厚及黑化層中之氧原子與鎳原子之物質量比在規定範圍內之黑化層由於為黑色，因此透過蝕刻形成黑化配線層之情況下，能夠抑制銅配線層之光反射。從而，將獲得之導電性基板用於例如觸控面板用導電性基板時，能夠抑制識別性之降低。

[實施例]

以下，基於本發明之實施例及比較例進一步詳細說明本發明，但這些實施例並不表示對本發明構成限制。

(評價方法)

(1)反射率

對以下各實施例、比較例中製作之積層體基板進行了反射率測定。

將反射率測定單元設置在紫外可見分光光度計(島津製作所股份有限公司製造 型號：UV-2550)，進行測定。

在各實施例、比較例中製作了具有圖2A所示之結構之積層體基板，並透過對圖2A中第2黑化層132之露於外部之表面A，以入射角5°、受光角5°照射了波長400nm以上700nm以下範圍之光，實施反射率測定。在此，使照射到積層體基板之光之波長按1nm單位在400nm以上700nm以下之範圍內變化之同時進行了測定，並以測定結果之平均作為該積層體基板之反射率之平均。

(2)黑化層之氧、鎳、銅原子之比率

對以下各實施例、比較例中製作之積層體基板，使用XPS(ULVAC PHI公司製造 型號：Versa ProbeII)測定第2黑化層之氧、鎳、銅原子之比率。

(3)蝕刻性

將以下各實施例、比較例中製作之積層體基板，浸漬於三氯化鐵10重量%、鹽酸10重量%、剩餘部分為水之蝕刻液中1分鐘，並評價蝕刻性。將透明基材上無殘渣剩餘之積層體基板判定為蝕刻性良好。

(試樣之製作條件)

以下表示各實施例、比較例中之積層體基板之製造條件。

[實施例1]

製作了具有圖2A所示結構之積層體基板20A。

首先，將寬度500mm、厚度100μm之聚對苯二甲酸乙二酯樹脂(PET)之透明基材設置在圖5所示之輥對輥濺鍍裝置50。並且，在濺 鍍陰極54a及54b設置了黑化層成膜用之Ni-40質量%Cu靶，在濺鍍陰極54c及54d設置了銅層成膜用之銅靶。

其次，使輥對輥濺鍍裝置50之加熱器59加熱至100℃，對透明基材進行加熱，去除基材中所含之水份。

接下來，將殼體51內排氣至1×10^-4Pa，並由氣體提供部61a向殼體51內被隔壁65隔開之濺鍍陰極54a及54b側之區域51a，以360sccm導入了氬氣、以40sccm導入了氧氣。並且，調整被設在氣體提供部61a及真空泵60b與殼體51之間之壓力調整閥62a之開度，將區域51a內之壓力調整為0.4Pa。此時，區域51a內之氧分壓為0.04Pa。在此，將黑化層成膜時之區域51a內之氧分壓，在表1中表示為黑化層成膜時之O₂分壓。

同樣，由氣體提供部61b向殼體51內之濺鍍陰極54c及54d側之區域51b，以400sccm導入了氬氣。並且，對設在氣體提供部61b及真空泵60c與殼體51之間之壓力調整閥62b之開度進行了調整，以使區域51ba內之壓力成為0.4Pa。

然後，由捲出輥52以每分鐘2m之速度輸送透明基材，同時由與濺鍍陰極54a~54d連接之濺鍍用直流電源提供電力，進行濺鍍放電，在基材上連續成膜黑化層及銅層。透過該操作在透明基材上形成了厚度20nm之第1黑化層131及厚度100nm之銅層。

接下來，使輥對輥濺鍍裝置50反向輸送，從捲取輥57向捲出輥52輸送了在透明基材上積層有第1黑化層及銅層之基材。並且，在與上述相同之條件下，形成了厚度100nm之銅層及厚度20nm之第2黑化層132。

經上述2次成膜，銅層成為合計厚度為200nm之層。

另外，第1黑化層131及第2黑化層132成膜時之Γ(O₂)/Γ(Ni)為5.8。

對製作成之積層體基板之第2黑化層之反射率進行測定時，對第2黑化層132之被露出之表面A，即第2黑化層132之未與銅層12相對向之面照射光，並測定了對波長400nm以上700nm以下之光之反射率之平均。其結果，製作成之積層體基板之第2黑化層之反射率之平均為25%。

另外，關於第2黑化層之氧、鎳、銅之原子比率，透過XPS進行評價，並算出第2黑化層中之O/Ni比之結果，第2黑化層之O/Ni比為0.34。在此，如上所述，第1黑化層與第2黑化層在相同條件下成膜，因此兩黑化層成為相同組成。

[實施例2~實施例7]

關於實施例2~實施例4，作為第1、第2黑化層成膜時之Γ(O₂)/Γ(Ni)及黑化層成膜用靶中之鎳與銅之含率，採用了表1所示之比、含率，其他按照與實施例1相同之條件製作積層體基板，並進行評價。

關於實施例5~實施例7，作為第1、第2黑化層成膜時之Γ(O₂)/Γ(Ni)、黑化層成膜用靶中之鎳與銅之含率，採用了表1所示之比、含率，且第1、第2黑化層之膜厚設為30nm，其他按照與實施例1相同之條件製作積層體基板，並進行評價。

在此，為了使第1黑化層、第2黑化層成膜時之Γ(O₂)/Γ(Ni)成為表1所示之規定比，亦改變了由輥對輥濺鍍裝置50之氣體提 供部61a向黑化層成膜之區域51a提供之氧提供量。因此，黑化層成膜時之O₂分壓亦有變化。

評價結果如表1所示。

[比較例1~比較例4]

關於比較例1~比較例3，第1、第2黑化層成膜時之Γ(O₂)/Γ(Ni)有變更，其他按照與實施例1相同之條件製作積層體基板，並進行評價。

關於比較例4，第1、第2黑化層之膜厚設為10nm，其他按照與實施例1相同之條件，製作積層體基板，並進行評價。

在此，為了使第1黑化層、第2黑化層成膜時之Γ(O₂)/Γ(Ni)成為表1所示之規定比，由輥對輥濺鍍裝置50之氣體提供部61a向黑化層成膜之區域51a提供之氧提供量亦有變更。因此，黑化層成膜時之O₂分壓亦有變化。

尤其是比較例1，進行第1黑化層、第2黑化層之成膜時，對區域51a未提供氧，僅提供了氬。

評價結果如表1所示。

【表1】

根據表1所示之結果，關於黑化層之膜厚為15nm以上、黑化層含有之氧原子與鎳原子之物質量比O/Ni為0.1以上0.8以下之實施例1~實施例7，蝕刻性之評價結果為良好。並且，黑化層之反射率為40%以下，確認到作為抑制銅層表面之光反射之黑化層具備充分之功能。從而，確認到獲得了具備可同時進行蝕刻處理之銅層與黑化層之積層體基板。

對此，關於黑化層含有之氧原子與鎳原子之物質量比O/Ni小於0.1之比較例1、2，黑化層之反射率超過40%，確認到作為抑制銅層表面之光反射之黑化層其功能不足。

另外，關於黑化層含有之氧原子與鎳原子之物質量比O/Ni超過0.8之比較例3，進行蝕刻性評價之結果，確認到存在殘渣。即，確認到無法作為具備可同時進行蝕刻處理之銅層與黑化層之積層體基板。

關於比較例4，由於黑化層之膜厚小於15nm，故黑化層之 反射率高至42%，確認到作為抑制銅層表面之光反射之黑化層其功能不夠充分。

以上，藉由實施方式及實施例等，說明積層體基板、積層體基板之製造方法、導電性基板及導電性基板之製造方法，但本發明並不限定於上述實施方式及實施例等。在專利申請範圍記載之本發明要旨範圍內，可進行各種變形、變更。

本申請基於2015年10月16日向日本特許廳提交之專利申請2015-204642號主張優先權，並引用專利申請2015-204642號之全部內容。

10A‧‧‧積層體基板

11‧‧‧透明基材

11a‧‧‧一個面

11b‧‧‧另一個面

12‧‧‧銅層

13‧‧‧黑化層

A‧‧‧表面

X、Y‧‧‧X軸、Y軸

Claims (9)

1. 一種積層體基板，其具備：透明基材、及積層體，其形成於該透明基材之至少一個面側；該積層體具有：含有氧、銅、鎳之黑化層、及銅層，該黑化層之膜厚為15nm以上，該黑化層含有之氧原子與鎳原子之物質量比O/Ni滿足下式(1)，0.1≦O/Ni≦0.8 (1)。
2. 如申請專利範圍第1項之積層體基板，其中，該黑化層中之銅相對於該黑化層中之銅與鎳之合計之比率，按質量比為20%以上80%以下。
3. 如申請專利範圍第1或2項之積層體基板，其中，該銅層之膜厚為80nm以上5000nm以下。
4. 如申請專利範圍第1至3項中之任一項之積層體基板，其中，該黑化層對波長400nm以上700nm以下之光之反射率之平均為40%以下。
5. 一種積層體基板之製造方法，其係申請專利範圍第1至4項中之任一項之積層體基板之製造方法，該製造方法具有：藉由乾式鍍法成膜該黑化層之黑化層形成步驟，在該黑化層形成步驟中，成膜該黑化層時，射入該黑化層之被成膜表面之氧分子數(Γ(O₂))與堆積於該黑化層之銅原子數(Γ(Ni))滿足下式(2)，2≦Γ(O₂)/Γ(Ni)≦10 (2)。
6. 一種導電性基板，其具備： 透明基材、及金屬細線，其形成於該透明基材之至少一個面側；該金屬細線是具有黑化配線層與銅配線層之積層體；該黑化配線層含有氧、銅、鎳，該黑化配線層之膜厚為15nm以上，該黑化配線層含有之氧原子與鎳原子之物質量比O/Ni滿足下式(1)，0.1≦O/Ni≦0.8 (1)。
7. 如申請專利範圍第6項之導電性基板，其中，該黑化配線層中之銅相對於該黑化配線層中之銅與鎳之合計之比率，按質量比為20%以上80%以下。
8. 如申請專利範圍第6或7項之導電性基板，其中，該黑化配線層對波長400nm以上700nm以下之光之反射率之平均為40%以下。
9. 一種導電性基板之製造方法，其具有：配線加工步驟，對藉由申請專利範圍第5項之積層體基板之製造方法獲得之積層體基板進行配線加工。