TW201728374A - 用於化學處理半導體基材的裝置和方法 - Google Patents

Abstract

一種用於化學處理半導體基材的裝置，具有預處理裝置，該預處理裝置在該半導體基材的一傳輸方向上設置在一第一塗覆裝置和一第二塗覆裝置之前。該預處理裝置用於在該半導體基材上生成一環繞的限定區域，使得之後借助該第一塗覆裝置所施加的流體被限定並被保持於基材上側上。該第一塗覆裝置設置在該第二塗覆裝置的一處理池上方，使得該流體在處理基材下側的過程中完全覆蓋該基材上側。

Description

用於化學處理半導體基材的裝置和方法

發明領域

本發明涉及如請求項1的前序部分所述的一種用於化學處理半導體基材的裝置。本發明另外還涉及一種用於化學處理半導體基材的方法。

發明背景

在WO 2011/047894 A1中公開了一種用於用處理介質來化學處理矽基材的裝置。該矽基材首先在處理池前在基材上側整個平面用一保護液浸濕。接著在處理池上方在該矽基材的基材下側施加該處理介質，該處理介質對該矽基材在基材下側進行化學處理。通過該保護液來保護基材上側防止該處理介質。在處理池上方再次在基材下側施加保護液，以便補充從基材上側流下的保護液。缺點是，一方面該保護液會從基材上側滴下，由此影響了該處理介質的品質，且必須在基材上側對保護液補充加量。另一方面的缺點是，在將保護液滴下的可能性理想地最小化的情況下，基材上側不完全被保護液浸濕，或者在整個施加該處理介質的過程中不完全保持浸濕。

發明概要

本發明所基於的任務是，提供一種裝置，其能夠簡單而經濟地化學處理半導體基材。

該任務通過具有請求項1所述特徵的一種裝置而得到解決。通過在傳輸方向上給塗覆裝置前置的預處理裝置，首先在該半導體基材上一生成環繞的並對要施加的流體，尤其是要施加的保護流體進行限定的限定區域，如此使得之後在該基材上側所施加的流體被保持於該限定區域上。環繞的限定區域優選地排斥該流體。環繞的限定區域借助該預處理裝置而在連接該基材上側與基材下側的基材端面上被生成，和/或在該基材上側上被生成。通過環繞的以及限定流體的該限定區域，基材上側構成了限定區域的一內部空間，在該內部空間中該流體可以以簡單的方式被加入或被施加。因為該限定區域把該流體保持於該基材上側上，所以該流體僅須粗略地確定劑量。另外該流體還不會從該基材上側滴下來，如此使得該處理流體的品質不受該流體的影響。從而不需要導致處理流體消耗增大的處理流體再劑量，如此使得該裝置具有高的經濟性。該處理流體優選地是一種處理液。該處理液尤其包含有氫氟酸和/或硝酸，如此使得該處理液體形成了一種蝕刻液。該第一塗覆裝置設置在該第二塗覆裝置的處理池上方，使得一方面及時把該流體施加到該基材上側上，且另一方面在處理該基材下側的過程中借助該處理液防止該所施加的流體 比如由於其表面張力從內部空間的角落回流。延長施加該流體的時間，使得該基材上側在該限定區域內儘可能長時間地完全被該流體覆蓋，尤其直至借助該處理液來處理該基材下側的過程結束。根據本發明的裝置尤其可以用於化學處理用以製造太陽能電池的半導體晶片。

如果該流體作為保護流體來構造，那麼及時地在處理該基材下側前施加該保護流體，但又儘可能遲地移至該處理池上方，使得該基材上側在該限定區域內儘可能長時間地完全被該流體覆蓋，尤其直至借助該處理液的處理過程結束和/或直至該半導體基材不再位於該處理池上方。該要施加的流體尤其是一保護液。該保護液尤其是含水的。如果排斥用水或蒸餾水作為保護液，那麼該限定區域優選地構造為疏水的。

如果該流體作為處理流體，尤其作為處理液來構造，那麼也可化學處理該基材上側。比如借助處理液來移除發射器的電惰性重摻雜的上層。也把該上層稱作「無感層」。該處理流體尤其作為蝕刻液來構造。該蝕刻液為鹼性或酸性。

如請求項2所述的一種裝置保證了對半導體基材的簡單而經濟的化學處理。由於距離A，該第一塗覆裝置設置在靠近該處理池的第一末端，也即設置在該處理池的頭部。由此一方面保證尤其在處理該基材下側前及時把該處理流體施加到該基材上側上，且另一方面儘可能延長施加該流體的時間，使得該流體在處理該基材下側的過 程中不會自該限定區域所限定的內部空間的角落回流。比如由於該流體的表面張力而造成回流。由此不需要借助在該傳輸方向上之後設置的另一塗覆裝置來再定量該流體，尤其是該保護流體。

如請求項3所述的一種裝置保證了對半導體基材的簡單而經濟的化學處理。該清潔裝置能以簡單的方式來清潔基材上側的預處理流體，尤其是預處理液。

如請求項4所述的一種裝置以簡單的方式來保證對基材上側的清潔。該清潔裝置6尤其具有用於把該清潔流體施加到該基材上側的一塗覆噴嘴。該清潔流體尤其為一清潔液，比如水。

如請求項5所述的一種裝置以簡單的方式保證了對該半導體基材的經濟的化學處理。通過該移除裝置能借助之後設置的第一塗覆裝置以簡單的方式把該流體施加到經清潔的基材上側上。如此便能既把保護流體又把處理流體作為該流體而施加。該移除裝置比如包括一輥子，該輥子借助接觸壓力把該清潔流體從該基材上側移除。另外該移除裝置比如包括一風扇，該風扇借助一流體流，尤其是一空氣流把該清潔流體從該基材上側移除。該移除裝置優選地包括一收集池，該收集池設置在該半導體基材下方並收集被移除的清潔流體。

如請求項6所述的一種裝置以簡單的方式保證了對該半導體基材的經濟的化學處理。該至少一位置測量感測器測定該相應半導體基材的傳輸位置，該傳輸位置 用於控制該第一塗覆裝置。該至少一位置測量感測器尤其設置在該清潔裝置之前，且尤其設置在該預處理裝置前，使得根據所測定的該相應半導體基材的傳輸位置來控制該清潔裝置以及該第一塗覆裝置。優選地，正好一位置測量感測器沿該傳輸方向設置，其中根據所測定傳輸位置以及傳輸速度來控制該清潔裝置和/或該第一塗覆裝置。

如請求項7所述的一種裝置以簡單的方式保證了對該半導體基材的經濟的化學處理。該控制裝置優選地是構建成可使得該第一塗覆裝置的一塗覆泵和/或該清潔裝置的一塗覆泵根據所測定傳輸位置以及傳輸速度被接通再重新斷開，使得把該流體和/或該清潔流體精確地施加到該基材上側上。

如請求項8所述的一種裝置保證了對半導體基材的簡單的化學處理。預處理池用於構成該預處理流體或者說預處理液的一液體槽，和/或用於收集被施加的從該半導體基材滴下的預處理流體。該預處理流體優選地對該半導體基材有侵蝕作用，其中通過部分地或成層地侵蝕該半導體基材來形成限定區域。優選地該預處理流體是一種液體蝕刻液。

如請求項9所述的一種裝置保證了對半導體基材的簡單而經濟的化學處理。通過傳輸輥輪沿著預處理池來設置並伸到該預處理池中，預處理液可以在傳輸期間如此被施加到該半導體基材上，使得形成限定區域。該半導體基材比如間接地用該預處理液來浸濕。在此該預處理 液、比如該液體蝕刻液借助該傳輸輥輪而被施加到該基材下側。該預處理液由於其表面張力而自動地運動到基材端面並浸濕它以形成環繞的限定區域。在進行直接浸濕時，該半導體基材借助傳輸輥輪靠近預處理液的一液體槽而被傳輸，如此使得基材下側直接被液體槽浸濕。由於其表面張力和/或由於彎月效應(Meniskusbildung)，預處理液可以自動地移動到基材上側的一邊緣區域。從而在基材端面以及必要時在基材上側上形成了限定區域。預處理液尤其通過其表面張力並通過由該基材表面的粗糙度而產生的毛細效應來自動地移動到基材端面並必要時移動到基材上側。在此基材表面在預處理之前是吸引預處理液的。基材表面在預處理之前尤其構造為親水的。該預處理池的長度使得在所期望的傳輸速度下來保證預處理流體或預處理液的最小作用時長。設置在該處理池上方的傳輸輥輪相應優選地延伸到該處理池中，使得在傳輸過程中把處理液施加到該半導體基材的基材下側上。

如請求項10所述的一種裝置保證了對該半導體基材的簡單而經濟的化學處理。通過液位調節，以簡單的方式保證了該預處理液的施加。在進行間接浸濕時，該液位如此來調節，使得預處理液的液面如此低於基材下側，也即低於傳輸輥輪的高度水平面，使得傳輸輥輪任何時候都浸入到預處理液中。為此液面低於基材下側小於傳輸輥輪的直徑。優選地該液面低於基材下側1mm至30mm，較佳為5mm至25mm，且尤以10mm至20mm為更 佳。在進行直接浸濕時，該液位被調節為使得該液面低於基材下側0mm至5mm。這足以使基材端面以及必要時的基材上側浸濕該預處理液，使得形成限定區域。該預處理液的溫度尤其在5℃與25℃之間的溫度範圍中，尤其在室溫下。該預處理液尤其作為蝕刻液來構造，其具有在0.1重量%至50重量%之間，尤其在0.1重量%至5重量%之間的酸濃度範圍。用作酸的尤其是氫氟酸、硝酸、硫酸和/或過氧化磷酸。優選地該第二塗覆裝置針對收集在該處理池中的處理液具有一相應的液位。

如請求項11所述的一種裝置保證了對該半導體基材的簡單而經濟的化學處理。通過該傳輸裝置在傳輸方向上水平傳輸該相應的半導體基材。通過調節該傳輸輥輪的旋轉速度，來設定該半導體基材在傳輸方向上的傳輸速度，使得在儘可能高的傳輸速度下仍然保證了該預處理液足夠的作用時長以形成限定區域。尤其通過該旋轉速度調節裝置已精確得知該相應半導體基材的傳輸速度，使得可根據該傳輸速度以及所測定的單個傳輸位置來控制，尤其可接通以及斷開該第一塗覆裝置和/或該清潔裝置。

本發明另外還基於的任務是提供一種方法，該方法實現了對半導體基材的簡單而經濟的化學處理。

該任務通過具有請求項12所述特徵的一種方法而得到解決。根據本發明的方法的優點對應於根據本發明的裝置的前述優點。根據本發明的方法尤其可借助請求項1至11的特徵而進一步形成。尤其在基材端面上和/或在 該半導體基材的基材上側生成該限定區域。在該半導體基材側面所形成的限定區域能夠被簡單地生成，並足以把流體保持於該基材上側。通過在該基材上側所生成的限定區域，該流體被有效地保持於該基材上側。該限定區域尤其在該基材上側的一邊緣區域中被形成。該邊緣區域從該半導體基材的環繞的邊緣開始小於2mm，較佳小於1.5mm，且尤以小於1mm為更佳。優選地該預處理流體對應該處理流體。由此簡化該處理流體或者說該預處理流體的提供。

如請求項13所述的一種方法以簡單的方式保證了對該基材上側的清潔。尤其借助一塗覆噴嘴來把該清潔流體施加到該基材上側上。該清潔流體尤其為一清潔液，比如水。

如請求項14所述的一種方法以簡單的方式保證了對該半導體基材的經濟的化學處理。通過移除該清潔流體可以以簡單的方式把該流體施加到經清潔的基材上側上。如此便能既把保護流體又把處理流體作為該流體而施加。比如借助一輥子來實施移除，該輥子借助接觸壓力把該清潔流體從該基材上側移除。另外比如借助一風扇來實施移除，該風扇借助一流體流，尤其是一空氣流把該清潔流體從該基材上側移除。被移除的清潔流體在該半導體基材下方比如借助一收集池而被收集。

1‧‧‧裝置

2‧‧‧半導體基材

3‧‧‧傳輸方向

4‧‧‧傳輸裝置

5‧‧‧預處理裝置

6、10‧‧‧清潔裝置

7‧‧‧移除裝置

8、9‧‧‧塗覆裝置

11‧‧‧烘乾裝置

12‧‧‧傳輸輥輪

13‧‧‧驅動電機

14‧‧‧旋轉軸

15‧‧‧速度測量感測器

16‧‧‧預處理池

17‧‧‧預處理流體、預處理液

18、41‧‧‧液位測量感測器

19、30、37、42‧‧‧儲存容器

20、28、35、43‧‧‧管路

21、44‧‧‧泵

22‧‧‧控制裝置

23、45‧‧‧液位調節裝置

24‧‧‧旋轉速度調節裝置

25、34‧‧‧塗覆噴嘴

26‧‧‧清潔流體、清潔液

27‧‧‧基材上側

29、36‧‧‧塗覆泵

31‧‧‧移除元件

32‧‧‧收集池

33‧‧‧流體、液體、保護液、處理液

38‧‧‧處理流體、處理液

39‧‧‧基材下側

40‧‧‧處理池

46、47‧‧‧末端

48‧‧‧限定區域

49‧‧‧基材端面

50‧‧‧內部空間

51‧‧‧位置測量感測器

A、d‧‧‧距離

h‧‧‧液位

L‧‧‧長度

S‧‧‧液面

x₀‧‧‧傳輸位置

ω‧‧‧旋轉速度

本發明的其他特徵、優點和細節參見下面的 對實施例的說明。其中：圖1示出了用於化學處理半導體基材的一種裝置，圖2示出了在該裝置的第一運行方式中預處理裝置的放大圖示，圖3示出了按照圖2的預處理裝置的俯視圖，以及圖4示出了在第二運行方式中圖2的預處理裝置的放大圖示。

具體實施方式

裝置1為了水平傳輸半導體基材2而在一傳輸方向3上具有傳輸裝置4。另外裝置1包括一預處理裝置5、一第一清潔裝置6、一移除裝置7、一第一塗覆裝置8、一第二塗覆裝置9、一第二清潔裝置10和一烘乾裝置11。該預處理裝置5在該傳輸方向3上設置在該等塗覆裝置8、9之前。這些半導體基材2尤其作為半導體晶片、優選作為矽晶片來構造。

為了傳輸半導體基材2，該傳輸裝置4具有多個傳輸輥輪12，這些傳輸輥輪從該預處理裝置5沿著該傳輸方向3直至該烘乾裝置11來設置。該傳輸輥輪12借助一電驅動電機13和未詳細示出的一傳動機構而被旋轉驅動。圍繞一相應旋轉軸14的旋轉速度ω借助一速度測量感測器15而被測量。另外為測定相應半導體基材2的傳輸位置x₀而在該預處理裝置5前設置有一位置測量感測器51。

該預處理裝置5具有一預處理池16，其用於容 納一預處理流體17。該預處理流體17作為液體來構造，該液體容納於作為液體槽的預處理池16中。為了測量該預處理液17在該預處理池16中的液位h，該預處理裝置5具有一液位測量感測器18。該液位測量感測器18比如設置在該預處理池16上。

該預處理池16在該傳輸方向3上具有一長度，該長度在0.3m與1.5m之間，較佳在0.4與1.2m之間，且尤以在0.5m與0.8m之間為更佳。傳輸輥輪12在預處理池16的區域內延伸到該預處理池16中，並延伸到其中所容納的預處理液17中。為了調節液位h，該預處理裝置5具有一儲存容器19，該儲存容器通過一管路20和一泵21與該預處理池16相連。

在該裝置1的控制裝置22中實施一種液位調節裝置23，其與液位測量感測器18和泵21相信號連接。另外在該控制裝置22中還實施了針對該傳輸輥輪12的一旋轉速度調節裝置24，其與該速度測量感測器15和該驅動電機13相信號連接。該液位調節裝置23和該旋轉速度調節裝置24尤其是預處理裝置5的組成部分。

該第一清潔裝置6在該傳輸方向3上設置在該預處理裝置5之後且用於去除預處理液14，並用於清潔半導體基材2。該清潔裝置6具有一塗覆噴嘴25，其設置在傳輸輥輪12以及其上所傳輸的半導體基材2上方。該塗覆噴嘴25用於把一清潔流體26施加到半導體基材2上，尤其是半導體基材2的相應基材上側27上。該塗覆噴嘴25通過一 管路28和所屬的一塗覆泵29與一儲存容器30相連。該塗覆泵29與該控制裝置22相信號連接。該清潔流體26作為清潔液體來構造。優選地該清潔液26是水，尤其是蒸餾水。

該移除裝置7在該傳輸方向3上設置在該第一清潔裝置6之後。該移除裝置7包括設置在傳輸輥輪12上方的一移除元件31以及設置在該傳輸輥輪12下方的一收集池32。該移除元件31例如作為輥子來構造，該輥子以接觸壓力貼靠在相應半導體基材2的基材上側27，且把清潔液26自基材上側27壓入收集池32。替代地，該移除元件31例如作為風扇來構造，該風扇借助對準該基材上側27的一流體流，尤其一空氣流把清潔液26自基材上側27移除並送入收集池32。

該等塗覆裝置8、9在該傳輸方向3上設置在該移除裝置7之後。該第一塗覆裝置8用於把一流體33施加到半導體基材2的相應基材上側27上。該第一塗覆裝置8具有一塗覆噴嘴34，該塗覆噴嘴設置在傳輸輥輪12以及其上所傳輸的半導體基材2上方。該塗覆噴嘴34通過一管路35和所屬的一塗覆泵36與一儲存容器37相連。該塗覆泵36與該控制裝置22相信號連接。該流體33尤其作為液體來構造。

該第二塗覆裝置9用於在半導體基材2的相應基材下側39上施加一處理流體38。處理流體38作為液體來構造，其容納於處理池40中。該第二塗覆裝置9與該預處理裝置5相對應地具有一液位測量感測器41、一儲存容器42、以及一液位調節裝置45，其中該儲存容器通過一管路 43和一泵44與該處理池40相連接。關於第二塗覆裝置9的構造參見該預處理裝置5的說明。

該處理池40具有一第一末端46以及在該傳輸方向3上之後設置之一第二末端47，其中該處理池40在該等末端46、47之間具有一長度L。該第一塗覆裝置8，尤其是其塗覆噴嘴34設置在該處理池40上方。該噴嘴34自第一末端46起具有距離A，其條件是：0.01．LA0.3．L，較佳為0.05．LA0.25．L，且尤以0.1．LA0.2．L為更佳。

該第二清潔裝置10以及之後設置的烘乾裝置11在該傳輸方向3上設置在該等塗覆裝置8、9之後。

在第一運行方式中該裝置1的功能如下：該預處理裝置5用於在各半導體基材2上生成一環繞的限定區域48，其中該限定區域將之後借助該第一塗覆裝置8施加的流體33或者要施加的液體限定在基材上側27上，使得該液體33被保持於基材上側27上。為此，在預處理池16中的液位h借助該液位調節裝置23被調節為使得傳輸輥輪12浸入到該預處理液17的液體池中。傳輸輥輪12在其圍繞所屬的旋轉軸14旋轉時從該液體池中攜帶出預處理液17，使得相應半導體基材2的基材下側39借助傳輸輥輪12被間接地浸濕。在預處理液17的液面S與基材下側39之間的距離d比如在5mm至10mm之間。預處理液17自動地從基材下側39移動到環繞的基材端面49。

該預處理液17作為蝕刻液來構造，且尤以具 有氫氟酸和/或硝酸為更佳。氫氟酸和/或硝酸的濃度在0.1重量%至50重量%之間，尤以在0.1重量%至5重量%之間為更佳。預處理液17的溫度在7℃與25℃之間，比如20℃。預處理液17的作用時長通過傳輸輥輪12的旋轉速度ω和/或預處理池16的長度來設定。

通過作為蝕刻液來構造的預處理液17，在基材端面49上腐蝕掉了一吸引預處理液17的上層，使得露出了一排斥預處理液17的下層。排斥預處理液17的下層優選地構造為疏水的。通過露出該下層而自動中斷了與該預處理液17的接觸，使得蝕刻速率下降並且自動地停止蝕刻過程。通過該蝕刻過程從而在基材端面49上生成了環繞的限定區域48，其中限定區域在該基材上側27上環繞地限定了一內部空間50。

相應半導體基材2接著被傳輸到該清潔裝置6，該清潔裝置借助該塗覆噴嘴25把該清潔流體26或清潔液施加到基材上側27上。根據所測定的傳輸位置x₀以及由旋轉速度ω所測定的傳輸速度把該塗覆泵29接通，接著再斷開，使得該清潔流體26僅被施加到相應基材上側27上。接著借助該移除裝置7再把該清潔流體26從相應基材上側27移除，使得預處理液17被從基材上表面或基材上側27沖洗掉。利用清潔流體26沖洗掉的預處理液17在傳輸輥輪12的下面被收集和/或排到該收集池32中。該清潔流體26如此被構造為通過限定區域48而被限定，使得該清潔流體被保持於基材上側27上。通過該限定區域48僅需要粗略地 確定清潔流體26的劑量。

接著相應半導體基材2被傳輸到該等塗覆裝置8、9。借助該塗覆噴嘴34把該流體33或者液體施加到基材上側27上。為此，根據所測定的傳輸位置x₀以及由旋轉速度ω所測定的傳輸速度，借助控制裝置22把該塗覆泵36接通以及斷開，使得該流體33僅被施加到相應基材上側27上。

該流體33比如作為保護流體或者作為保護液來構造。通過該限定區域48來限定該保護液33，使得該保護液被保持於該基材上側27。通過該限定區域48僅需要粗略地確定保護液33的劑量。通過把該塗覆噴嘴34設置在該處理池40上方且靠近該第一末端46，一方面及時地在借助處理流體38處理該基材下側39前施加該保護液33，但另一方面又儘可能遲，使得該保護液33在處理該基材下側39的過程中完全覆蓋該基材上側27，且尤其不會自動地(比如由於表面張力)從該內部空間50的角落回流。由此不需要借助另一塗覆裝置來再定量該保護液33。該保護液33優選地作為水，尤其是蒸餾水來構造。由於該基材上側27上的保護液33，基材上側27被保護以防止通過處理液38的不期望的化學處理。通過把保護液33保持於該限定區域48中，其不會滴到處理池40中並污染或稀釋處理液38。由此避免了再定量該處理液38以保持腐蝕作用，由此降低了化學品消耗。

另外該流體33比如作為處理流體，尤其作為 處理液來構造。通過限定區域48來限定該處理液33，使得該處理液被保持於該基材上側27。處理液33相當於處理液38，由此處理液33的滴下完全不成問題。該處理液33優選地作為一液體蝕刻液來構造。

由此該流體33視具體需求而被選為一保護流體或一處理流體，尤其是一保護液或一處理液。為此，必須把保護流體或處理流體加入儲存容器37。由此可借助該裝置1，通過簡單交換該儲存容器37所包含的流體33來實施不同的處理過程。

該第二塗覆裝置9借助傳輸輥輪12把該處理流體38或處理液施加到基材下側39上。該處理液38作為蝕刻液來構造，並包含有氫氟酸和/或硝酸，以在基材下側39上化學處理相應半導體基材2。優選地該預處理液17和該處理液38相同地構造，使得僅須準備一種蝕刻液。該蝕刻液尤其可以在共同的儲存容器19、42中被準備。在該處理池40中的液位借助該液位測量感測器41、泵44以及該液位調節裝置45對應於預處理裝置5來調節。

在化學處理之後，相應半導體基材2在該清潔裝置10中被清潔，並接著在該烘乾裝置11中被烘乾。相應被化學處理的半導體基材2現在提供用於進一步的處理步驟。

在第二運行方式中該裝置1的功能如下：與第一運行方式不同，在該預處理池16中的液位h被調節為使得該預處理液17直接地和/或通過彎月 效應而直接浸濕相應半導體基材2的基材下側39。該液位h被調節為使得該液面S具有0mm與5mm之間的距離d。通過該液面S，基材下側39從而直接被該預處理液17浸濕。該預處理液17自動地沿著環繞的基材端面49移動到該基材上側27。在該基材上側27上該預處理液17浸濕1mm至10mm的一環繞的邊緣區域。該預處理液17腐蝕掉基材端面49上的、以及部分在基材上側27的邊緣區域中的上層，使得排斥該清潔液26及該流體33的、處於其下的下層被露出。由於這種自限制的腐蝕過程，在基材上側27上下層僅僅在最多1mm的一環繞邊緣區域中被露出，而在剩餘的邊緣區域中上層僅僅被蝕刻。基材端面49以及在基材上側27上露出的邊緣區域從而形成了環繞的限定區域48。

相應被預處理的半導體基材2接著被傳輸到第一清潔裝置6及移除裝置7，以及接著被傳輸到塗覆裝置8、9。環繞的限定區域48再次把該清潔流體26及該流體33，尤其該保護液限定在該基材上側27上。關於其他的運行方式參見第一運行方式的說明。

根據本發明的裝置1和根據本發明的方法尤其適於加工太陽能電池，其被紋理化、塗層、熱擴散、離子植入和/或熱、濕化學和/或自然氧化。

1‧‧‧裝置

2‧‧‧半導體基材

3‧‧‧傳輸方向

4‧‧‧傳輸裝置

5‧‧‧預處理裝置

6、10‧‧‧清潔裝置

7‧‧‧移除裝置

8、9‧‧‧塗覆裝置

11‧‧‧烘乾裝置

12‧‧‧傳輸輥輪

16‧‧‧預處理池

17‧‧‧預處理流體、預處理液

18、41‧‧‧液位測量感測器

19、30、37、42‧‧‧儲存容器

20、28、35、43‧‧‧管路

21、44‧‧‧泵

22‧‧‧控制裝置

25、34‧‧‧塗覆噴嘴

26‧‧‧清潔流體、清潔液

29、36‧‧‧塗覆泵

31‧‧‧移除元件

32‧‧‧收集池

33‧‧‧流體、液體、保護液、處理液

38‧‧‧處理流體、處理液

39‧‧‧基材下側

40‧‧‧處理池

46、47‧‧‧末端

51‧‧‧位置測量感測器

A‧‧‧距離

L‧‧‧長度

x₀‧‧‧傳輸位置

Claims (14)

1. 一種用於化學處理一半導體基材的裝置，其具有-一傳輸裝置，以在一傳輸方向上傳輸一半導體基材，-一第一塗覆裝置，以把一流體，尤其是保護流體施加到該半導體基材的基材上側上，以及-一第二塗覆裝置，以把一處理流體施加到該半導體基材的待處理的一基材下側上，其中，一預處理裝置為使得在該半導體基材上生成環繞的並對要施加的流體進行限定的限定區域而在該傳輸方向上設置在該塗覆裝置之前，以及該第一塗覆裝置設置在該第二塗覆裝置的處理池上方。
2. 如請求項1的裝置，其中，該處理池在一第一末端與在該傳輸方向上之後設置的一第二末端之間具有長度L，且該第一塗覆裝置在該傳輸方向上與該第一末端具有距離A，其條件是：0.01．LA0.3．L，較佳為0.05．LA0.25．L，且尤以0.1．LA0.2．L為更佳。
3. 如請求項1或2的裝置，其中，在該預處理裝置與該等塗覆裝置之間設置有用於清潔該基材上側的一清潔裝置。
4. 如請求項3的裝置，其中， 該清潔裝置被構建成能把清潔流體施加到該基材上側上。
5. 如請求項4的裝置，其中，在該清潔裝置與該等塗覆裝置之間設置有用於把清潔流體從該基材上側移除的一移除裝置。
6. 如請求項1至5中任一項的裝置，其中，至少一位置測量感測器為測定該半導體基材的一傳輸位置而被設置在該第一塗覆裝置之前，尤其在該預處理裝置前。
7. 如請求項6的裝置，其中，控制裝置是構建成可使得該第一塗覆裝置的一塗覆泵和/或該清潔裝置的一塗覆泵根據所測得的傳輸位置而被控制。
8. 如請求項1至7中任一項的裝置，其中，該預處理裝置具有用於預處理流體、尤其是預處理液的一預處理池。
9. 如請求項1至8中任一項的裝置，其中，該傳輸裝置具有多個傳輸輥輪，其中該等設置在該預處理池上方的傳輸輥輪延伸到該預處理池中。
10. 如請求項8或9的裝置，其中，該預處理裝置具有針對在該預處理池中所容納的預處理液的一液位調節裝置。
11. 如請求項9至11中任一項的裝置，其中，該傳輸裝置具有針對傳輸輥輪的一旋轉速度調節裝 置。
12. 一種用於化學處理半導體基材的方法，其具有以下的步驟：-提供一半導體基材，-在該半導體基材上生成環繞的一限定區域，其中該限定區域圍繞並限定要施加到基材上側上的一流體，尤其是一保護流體，-在該基材上側上將流體施加到在具有一處理流體的一處理池上方的該限定區域的一內部空間中，以及-將該處理流體施加到一待處理的基材下側上。
13. 如請求項12的裝置，其中，在該限定區域生成之後清潔該基材上側，特別是透過一清潔流體來清潔。
14. 如請求項13的裝置，其中，在施加該流體前將該清潔流體自該基材上側移除。