TW201725966A - 電磁屏蔽式電子裝置及相關系統與方法 - Google Patents

Abstract

本案揭示電磁屏蔽式電子裝置技術。在實例中，製作電子裝置封裝體之方法可包含提供具有導體襯墊及電子組件之基板。該方法亦可包含在該基板及電子組件上形成共形絕緣層。該共形絕緣層與該電子組件形狀相符。該方法可進一步包含暴露該導體襯墊。另外，該方法可包含在該絕緣層上形成導電電磁干擾(EMI)層，且使該導電電磁干擾層與該導體襯墊接觸。

Description

電磁屏蔽式電子裝置及相關系統與方法

發明領域 本文中所描述之實施例總體上係關於電磁屏蔽式電子裝置。

發明背景 可使用諸如濺射之物理氣相沉積(PVD)製程來產生用於電子裝置封裝體(例如，系統級封裝(SiP))之電磁干擾(EMI)屏蔽。例如，導電材料可沉積至封裝(例如，諸如電子級環氧樹脂之模製複合物)之經暴露模製表面上，以便產生EMI屏蔽層。對於封裝之組件間的EMI屏蔽而言，可在組件之間的位置處藉由穿過模製複合物之雷射產生溝槽。然後，在將EMI層材料沉積於模製複合物之表面上之前，利用導電材料填充該溝槽。

依據本發明之一實施例，係特地提出一種製作一電子裝置封裝體之方法，該方法包含：提供具有一導體襯墊及一電子組件之一基板；在該基板及電子組件上形成一共形(conformal)絕緣層，其中該共形絕緣層與該電子組件形狀相符(conform)；暴露該導體襯墊；以及在該絕緣層上形成一導電電磁干擾(EMI)層，且使該導電電磁干擾層與該導體襯墊接觸。

較佳實施例之詳細說明 在對發明實施例加以揭示及描述之前，應理解的是，不意欲限制本文中所揭示之特定結構、過程步驟或材料，而是包括如相關領域的一般技藝人士將認識到的以上各者之同等物。亦應理解的是，本文中所採用之術語僅用於描述特定實例之目的，且並非意欲進行限制。不同圖式中之相同參考數字表示相同的元件。流程圖及過程中所提供之數字係為了確保清楚地例示出步驟及操作而提供，且不一定指示特定次序或順序。除非另外定義，否則本文中所使用的所有技術及科學用詞之含義與一般熟習本揭示內容所屬技術者通常所理解之含義相同。

如本說明書及所附申請專利範圍中所使用，單數形式「一」及「該」包括複數對象，除非上下文明確地另外指出。因此，例如，對「一電子組件」之參考包括多個此類電子組件。

在本揭示內容中，「包含」、「含有」及「具有」及類似者可具有在美國專利法中賦予其的含義並且可意味「包括」及類似者，並且通常被理解為開放式用詞。「由……組成」等詞係封閉式用詞，並且可僅包括結合此類用詞並且根據美國專利法所特定列出的組件、結構、步驟或類似者。「本質上由……組成」具有通常由美國專利法賦予其的含義。特定言之，此類用詞通常為封閉式用詞，其例外情況為：允許包括不會實質上影響結合其來使用之項目之基礎及新穎特性或功能的額外項目、材料、組件、步驟或元件。例如，存在於組合物中但不會影響組合物的性質或特性之微量元素在「本質上由……組成」語言下存在時將係容許的，即使接在此術語之後的項目列表中未明確敘述。當在本說明書中使用例如「包含」或「包括」之開放式用詞時，應理解，亦應對「本質上由……組成」語言以及「由……組成」語言給予直接支援，就如同明確陳述一樣，反之亦然。

描述及申請專利範圍中的「第一」、「第二」、「第三」、「第四」等詞及類似者(若存在)係用於區分類似元件並且未必用於描述特定的順序次序或時間次序。應理解，如此使用的用詞在適當情況下可互換，以使得本文中所描述的實施例例如能夠以不同於本文中所例示或以其他方式描述之順序的順序來操作。類似地，若本文中將方法描述為包含一系列步驟，則本文中所呈現之此類步驟之次序未必為可進行此類步驟之唯一次序，並且可能可省略某些所陳述步驟，且/或可能可將本文中未描述之某些其他步驟添加至該方法。

描述及申請專利範圍中的「左」、「右」、「前」、「後」、「頂部」、「底部」、「上方」、「下方」等詞及類似者(若存在)係用於描述性目的並且未必用於描述永久的相對位置。應理解，如此使用的用詞在適當情況下可互換，以使得本文中所描述的實施例例如能夠以不同於本文中所例示或以其他方式描述之定向的定向來操作。如本文中所使用的「耦接」一詞係定義為以電氣或非電氣方式直接或間接地連接。本文中描述為彼此「相鄰」之物件針對使用該片語之情境視情況可彼此形成實體接觸，彼此緊靠，或彼此處於相同的一般區域或區中。片語「在一個實施例中」或「在一個態樣中」在本文中的出現未必全部指代相同的實施例或態樣。

如本文中所使用，「大致上」一詞指代動作、特性、性質、狀態、結構、項目或結果之完整或近乎完整的範圍或程度。例如，「大致上」封閉的物件將意味該物件完全封閉或近乎完全封閉。與絕對完整性之確切可允許偏差度在一些情況下可取決於特定情境。然而，一般來說，近乎完成將使得具有相同的整體結果，就如同獲得絕對且總體完成一樣。「大致上」的使用在以貶義使用時同等地可用來指代動作、特性、性質、狀態、結構、項目或結果之完全或近乎完全缺乏。例如，「大致上沒有」顆粒之組合物將完全沒有顆粒，或近乎完全沒有顆粒，其程度使得效果將與其完全沒有顆粒相同。換言之，「大致上沒有」一成分或元素之組合物仍可實際上含有此項目，只要其沒有可量測的效果即可。

如本文中所使用，「約」一詞用來藉由假設給定值可「略高於」或「略低於」端點而給數值範圍端點提供靈活性。

如本文中所使用，為了便利起見，可在共同列表中呈現多個項目、結構元素、組成元素及/或材料。然而，此等列表應被視為好像列表之每一成員係單獨識別為單獨且唯一的成員。因此，在沒有相反指示的情況下，此列表之個別成員應僅基於其在共同群組中的呈現而被視為相同列表之任何其他成員之實際等效物。

濃度、數量及其他數值資料可在本文中以範圍格式表達或呈現。應理解，此範圍格式僅為了便利及簡潔起見加以使用，且因此應靈活地理解為不僅包括明確敘述為範圍之限值的數值，而且包括該範圍內所包含的所有單獨數值或子範圍，就如同明確敘述了每一數值及子範圍一樣。作為例示，數值範圍「約1至約5」應被理解為不僅包括約1至約5之明確敘述值，而且包括在所指示範圍內的單獨值及子範圍。因此，此數值範圍內所包括是：諸如2、3及4之單獨值及諸如1至3、2至4及3至5等之子範圍，以及單獨的1、2、3、4及5。

此相同原理適用於敘述僅一個數值來作為最小值或最大值之範圍。此外，不管所描述的範圍或特性之寬廣度如何，此理解均應適用。

本說明書全篇中對「一實例」之參考意味結合該實例所描述的特定特徵、結構或特性包括於至少一個實施例中。因此，片語「在一實例中」在本說明書全篇中各種位置的出現未必全部指代相同實施例。 示例性實施例

下文提供技術實施例之初始綜述，並且接著更詳細地描述特定技術實施例。此初始概述意欲幫助閱讀者更快地理解技術，但其不意欲識別技術之關鍵或主要特徵，亦不意欲限制所請求之標的物之範疇。

用於對電子裝置封裝體中之電子裝置進行電磁屏蔽的當前製程具有某些缺陷。特定言之，穿過環氧樹脂模製複合物之厚層雷射開槽以便暴露電氣襯墊係耗時的製程。另外，雷射開槽需要模製複合物厚度與組件之間的間隔之最小縱橫比為1.0。因此，模製複合物之厚度對組件之間的最小間隔產生限制。

某些發明實施例提供以與當前所使用製程相比降低或減少的時間來製作電子裝置封裝體之方法，從而降低成本。另一優點在於能夠降低或減小組件之間的間隔，從而減小封裝尺寸。此類方法可包括：提供具有導體襯墊及電子組件之基板；利用絕緣層將電子組件包封於基板上；暴露導體襯墊；以及在絕緣層上形成導電EMI層且使之與導體襯墊接觸。此類方法可進一步包括使EMI層塗有包封層或外部包封層。此類方法可適用於利用組件之EMI屏蔽的任何技術，包括組件之間的EMI屏蔽或用於組件之群組的EMI屏蔽。

參考圖1至圖5，例示出製作電磁屏蔽式電子裝置封裝體之示範性方法。特定言之，此實例中之電子裝置封裝體將包括圍繞一或多個電子組件之EMI屏蔽，該等電子組件諸如在SiP中所發現之彼等電子組件，在該SiP中，各種緊密間隔的組件將被彼此單獨地屏蔽。該方法可包括提供或獲得具有一或多個導體襯墊112a至112d (例如，接地襯墊)之基板110及安裝於基板110上之一或多個電子組件120至122，如圖1中所例示。電子組件120至122可包含晶粒、處理器、晶片、封裝組件及包括無源器件等之其他裝置。電子組件120至122可以任何合適的方式安裝於基板110上。如由電子組件121、122所表示之一些電子組件可具有施加至倒裝晶片鍵合的晶粒之底部填充物123、124。

該方法亦可包括形成絕緣層，該絕緣層諸如基板110及電子組件120至122上之共形絕緣層130，如圖2中所例示。共形絕緣層130可圍繞電子組件120至122形成，以使得絕緣層130與電子組件120至122形狀相符。共形絕緣層130可由任何合適的材料(例如，介電材料)形成。在一些實施例中，共形絕緣層130可為約10 nm至約100 µm厚之薄層，此可取決於用來形成層130之技術或製程而變化。例如，共形絕緣層130可極薄，例如在使用噴塗製程形成層130時約10 nm厚，或在使用分配或列印途徑形成層130時約50 µm。因此，共形絕緣層130之厚可取決於填料尺寸或類型及用來形成層130之技術(例如，藉由噴塗、列印、分配及/或層壓的沉積)。另外，共形絕緣層130之厚度可取決於電子組件120至122之間的間隙或間隔(例如，側向距離)。換言之，共形絕緣層130應裝配於將彼此屏蔽之相鄰電子組件之間。因此，共形絕緣層130之厚度將比此類電子組件之間的間隙或間隔更薄。一般而言，可能更需要更薄的層130以確保可分隔地屏蔽電子組件120至122中之每一者。另一方面，應形成共形絕緣層130來覆蓋電子組件120至122而沒有針孔，以避免電子組件120至122與共形絕緣層130之間的橋接。隨著絕緣層130之厚度減小，製造電子裝置封裝體所需之處理時間亦減少。減小絕緣層130之厚度亦可提供電子組件120、121之間及電子組件121、122之間的減小的間隔，該減小的間隔可減小含有此類組件之電子裝置封裝體的尺寸。

共形絕緣層130可單獨與電子組件120至122中之一或多者形狀相符。雖然圖式中之共形絕緣層例示為具有線性及/或平面外表面，但應意識到，共形絕緣層之外表面可具有用以與一或多個電子組件形狀相符的諸如彎曲及/或成角度表面之任何合適的組態。電子裝置120至122及基板110之暴露表面可藉由任何合適的技術共形地塗有絕緣(例如，介電)材料，諸如使用沉積製程(例如，霧化或濺射)、噴塗製程、列印製程、層壓製程、模製製程等。形成共形絕緣層130之此類製程可導致藉由共形絕緣層130覆蓋之導體襯墊112a至112d。

因此，該方法可進一步包括暴露導體襯墊112a至112d，如圖3中所例示，以便促進將EMI屏蔽電氣耦接至導體襯墊112a至112d。導體襯墊112a至112d可藉由分別形成穿過共形絕緣層130到達導體襯墊112a至112d之開口113a至113d來暴露。開口113a至113d可具有用以促進將EMI屏蔽與導體襯墊112a至112d電氣耦接之任何合適的組態(例如，溝槽、狹槽、通道、孔等)。此類開口113a至113d可藉由任何合適的技術穿過薄共形絕緣層130形成至導體襯墊112a至112d，該技術諸如準分子雷射剝蝕、雷射輔助的化學蝕刻、經由遮罩之離子銑削等。藉由降低或減小絕緣層130之厚度，亦可降低或減小經移除以形成開口113a至113d之材料的量，從而降低或減小製造電子裝置封裝體所需之處理時間。換言之，薄絕緣層130之材料的共形塗覆可促進準分子雷射剝蝕或用於穿過薄絕緣層130暴露導體襯墊112a至112d之其他合適技術的使用，從而在與穿過研磨襯墊上方之厚模製材料的UV/IR雷射剝蝕之典型製程相比時，可降低用於暴露導體襯墊112a至112d之處理時間。在一個態樣中，使用減小投影準分子雷射可促進諸如約10 µm寬的溝槽之小開口的形成。薄絕緣層130之準分子雷射剝蝕圖案可使得溝槽寬度或通孔直徑小於穿過厚環氧樹脂模製複合物鑽孔之深溝槽雷射，該深溝槽雷射通常用來產生板上組件之間的屏蔽分區。此可促進電氣組件120至122之間的間隔及導體襯墊112a至112d之尺寸的減小，從而可導致SiP封裝印跡(foot print)之尺寸減小。薄共形層130亦可提供封裝厚度之減小。另外，使用光罩之準分子雷射剝蝕可用來同時形成多個開口。例如，可使用光罩輔助的準分子雷射剝蝕製程同時製作用於緊密間隔的電氣組件之多個溝槽及/或通道。在與每次用於一個電氣組件之典型UV/IR雷射剝蝕相比時，利用光罩輔助的準分子雷射剝蝕可同時提供對多個開口(例如，溝槽及/或通道)之極快製造。利用雷射輔助的化學蝕刻或經由遮罩之離子銑削來暴露導體襯墊112a至112d可提供類似的有益效果及優點。

在暴露導體襯墊112a至112d的情況下，導電層或電磁干擾(EMI)層140可形成於絕緣層130上，如圖4中所例示，以用於與基板110相關聯之電磁屏蔽。導電層140可藉由延伸穿過開口113a至113d來與導體襯墊112a至112d接觸或連接至導體襯墊112a至112d。導電材料及層140厚度可具有用以形成共形屏蔽外塗層(overcoat)之任何合適類型及厚度。在一個態樣中，導電材料及厚度可由電導率、磁導率及/或EMI屏蔽需求定義。導電層140可由任何合適技術形成，諸如沉積製程(例如，霧化或濺射)、電鍍製程、噴塗製程、列印製程、層壓製程、模製製程等。導電層140材料之共形塗覆亦可提供電子裝置封裝體之厚度的減小。

在一個態樣中，由於絕緣層130圍繞電氣組件120至122形狀相符，所以導電層140可圍繞電子組件120至122單獨形成。共形絕緣層130亦可促進將多個導電層部分141a至141b、142a至142b置設在電氣組件之間，與由典型UV/IR雷射剝蝕製程所產生的組件之間的單個電導體填充的溝槽相反。例如，導電層部分141a至141b可置設在電氣組件120、121之間，且導電層部分142a至142b可置設在電氣組件121、122之間。導電層140可連接至電氣組件120、121之間的導體襯墊112b，且連接至電氣組件121、122之間的導體襯墊112c。另外，藉由圍繞電氣組件120至122同時形成導電層140 (例如，藉由沉積製程)，導電層140之側面部分141a至141b、142a至142b可與導電層140之頂部部分整體地形成，與由典型製程所導致的單獨形成的電導體填充的溝槽及沉積於模製複合物表面上之電導體相反。例如，側面部分141a可與頂部部分143a整體地形成，側面部分141b、142a可與頂部部分143b整體地形成，且側面部分142b可與頂部部分143c整體地形成。雖然導電層140之側面部分(例如、側面部分141a至141b、142a至142b)例示為垂直於基板110之頂部表面定向，但導電層140之一或多個側面部分可相對於基板之頂部表面以非垂直角度定向。在一些態樣中，導電層可為跨整個電子裝置封裝體延伸之單個材料的連續層，且可如此形成。

在導電層140處於適當位置中的情況下，電子裝置封裝體100可與其他封裝分割或實體分離成單獨封裝。電子裝置封裝體100亦可經製備以用於諸如藉由電子裝置封裝體之背側111上的附接焊球(未展示)來與另一組件(例如，母板)耦接。

在一個態樣中，該方法可任擇地包括在導電層140上形成包封層150 (亦即外層，頂層或保護層)，如圖5中所例示，以便保護導電層140及電子裝置封裝體之其他組件。包封層150可使用諸如模製複合物(例如，電子級環氧樹脂)之任何合適包封材料藉由任何合適技術(例如，轉移模製或壓縮模製)形成。在一個態樣中，由於共形絕緣層130及導電層140圍繞電氣組件120至122，所以包封層150之部分可置設在電氣組件之間。例如，包封層部分151可置設在電氣組件120、121之間，且包封層部分152可置設在電氣組件121、122之間。

在包封層150處於適當位置中的情況下，電子裝置封裝體100’可與其他封裝分割或實體分離成單獨封裝。電子裝置封裝體100’亦可經製備以用於諸如藉由電子裝置封裝體之背側111上的附接焊球(未展示)來與另一組件(例如，母板)耦接。

圖6至圖10例示出根據本揭示案之另一實例的製作電磁屏蔽式電子裝置封裝體之方法。特定言之，此實例中之封裝將包括在單元或帶材位準(例如，含有多個單元)圍繞一或多個電子組件之EMI屏蔽。該方法可包括提供或獲得具有一或多個導體襯墊212a至212b、212a’至212b’之基板210及安裝於基板210上之一或多個電子組件220、221、220’、221’，如圖6中所例示。電子組件220、221形成第一組電子組件，且電子組件220’、221’可形成與基板210之相應第一部分214及第二部分214’相關聯的第二組電子組件。導體襯墊212a至212b、212a’至212b’暴露在基板210之表面215處。

該方法亦可包括形成絕緣層，該絕緣層諸如基板210及電子組件220、221、220’、221’上之共形絕緣層230、230’，如圖7中所例示。共形絕緣層230可圍繞電子組件220、221、220’、221’形成，以使得絕緣層230與第一組電子組件220、221形狀相符，且絕緣層230’與第二組電子組件220’、221’形狀相符。共形絕緣層230、230’可由任何合適技術形成，諸如沉積製程(例如，霧化或濺射)、噴塗製程、列印製程、層壓製程、模製製程等。圖7例示出藉由模製絕緣材料形成共形絕緣層230、230’。在此實例中，可在諸如轉移模製製程或壓縮模製製程之模製製程中使用模套(mold chase) 260，以便圍繞電子組件220、221、220’、221’施加共形絕緣層230、230’。

該方法可進一步包括暴露導體襯墊212a至212b、212a’至212b’，以便促進將EMI屏蔽電氣耦接至導體襯墊212a至212b、212a’至212b’。導體襯墊212a至212b、212a’至212b’可藉由遮罩導體襯墊來暴露，以使得防止共形絕緣層230、230’接觸導體襯墊212a至212b、212a’至212b’之至少一部分。如圖7中所例示，導體襯墊212a至212b、212a’至212b’可藉由利用模套260覆蓋導體襯墊212a至212b、212a’至212b’來遮罩。因此，模製製程可用來圍繞電子組件220、221、220’、221’施加絕緣材料，而非在基板210之表面215處完全覆蓋導體襯墊212a至212b、212a’至212b’。可藉由利用適當模套來調整覆蓋導體襯墊之量及程度。在一個實例中，導體襯墊可沒有，諸如完全沒有以下圍繞電子組件施加之絕緣材料的絕緣體材料。在另一實例中，導體襯墊可經部分覆蓋。在進一步實例中，導體襯墊可暴露其表面的至少10%。在另一實例中，導體襯墊可暴露其表面的15%至95%。在導體襯墊212a至212b、212a’至212b’中之每一者的至少一些部分保持暴露的情況下，不需要移除絕緣層230材料來提供對EMI屏蔽連接之觸及。因此，製造電子裝置封裝體所需之處理時間可由於缺乏用以暴露導體襯墊之材料移除製程而減少。

在一個態樣中，可在導體襯墊212a至212b、212a’至212b’由基板210之表面處的絕緣材料(亦即，薄層)完全覆蓋之處採用模製製程。在此情況下，導體襯墊212a至212b、212a’至212b’可如以上關於圖1至圖5所論述之實例中那樣暴露(例如，雷射剝蝕)。

在導體襯墊212a至212b、212a’至212b’暴露的情況下，該方法可包括分別在絕緣層230、230’上形成導電層或電磁干擾(EMI)層240、240’，如圖8中所例示，以用於與基板210相關聯之電磁屏蔽。導電層240、240’可與導體襯墊212a至212b、212a’至212b’接觸或連接至導體襯墊212a至212b、212a’至212b’。例如，導電層240可與導體襯墊212a至212b接觸，且導電層240’可與導體襯墊212a’至212b’接觸。導電層240、240’可由任何合適技術形成，諸如使用沉積製程(例如，霧化或濺射)、電鍍製程、噴塗製程、列印製程、層壓製程、模製製程等。圖8例示出藉由模製導電材料來形成導電層240、240’。在此實例中，可在轉移模製製程或壓縮模製製程中使用模套262，以便圍繞電子組件220、221、220’、221’在絕緣層230、230’上形成導電層240、240’。導電材料層240、240’之共形塗覆可提供電子裝置封裝體之厚度的減小。

另外，藉由同時在絕緣層230、230’上且圍繞電子組件220、221、220’、221’形成導電層240、240’ (例如，藉由模製製程)，導電層240、240’之側面部分241a至241b、241a’至241b’可分別與導電層240、240’之頂部部分整體地形成。例如，側面部分241a至241b可與頂部部分243整體地形成，且側面部分241a’至241b’可與頂部部分243’整體地形成。雖然導電層240、240’之側面部分241a至241b、241a’至241b’例示為垂直於基板210之頂部表面定向，但側面部分241a至241b、241a’至241b’中之一或多者可相對於基板之頂部表面以非垂直角度定向。

在導電層240處於適當位置中的情況下，電子裝置封裝體200、200’可彼此分割或分離成單獨封裝，如圖9中所例示。例如，基板210之第一部分214及第二部分214’可經分離以形成電子裝置封裝體200、200’。基板210可以任何合適方式分離，諸如利用鋸條270鋸割。電子裝置封裝體200、200’亦可經製備以用於諸如藉由封裝之背側211，211’上的附接焊球(未展示)來與另一組件(例如，母板)電氣耦接。

在一個態樣中，該方法可任擇地包括在導電層240、240’上形成包封層(亦即頂層、外層或保護層)250，如圖10中所例示，以便保護導電層240、240’及電子裝置封裝體201、201’之其他組件。包封層250可使用諸如模製複合物(例如，電子級環氧樹脂)之任何合適包封材料藉由任何合適技術(例如，轉移模製或壓縮模製)形成。在此實例中，包封層250之一部分與基板210 (例如，基板之頂部表面)接觸。

在包封層250處於適當位置中的情況下，電子裝置封裝體201、201’可彼此分割或分離成單獨封裝，如圖10中所例示。例如，基板210之第一部分214及第二部分214’及包封層250可經分離以形成電子裝置封裝體201、201’。基板210及包封層250可以任何合適方式分離，諸如利用鋸條270鋸割。電子裝置封裝體201、201’可經製備以用於諸如藉由封裝之背側211，211’上的附接焊球(未展示)來與另一組件(例如，母板)電氣耦接。

因此，在一個實施例中，具有單個晶粒或多個晶粒之電子裝置封裝體可以帶材位準製作，其中作為對使用可用來暴露導體襯墊之雷射剝蝕製程來製作此類封裝的替代方案，可使用連續模製製程來形成共形絕緣層、導電層及(任擇的)包封層。

在圖11中所例示之一個態樣中，如本文中所揭示之電子裝置封裝體300可形成計算系統302之部分。計算系統302可包括母板380，以及可以可操作地耦接至母板380之處理器381、記憶體裝置382、無線電383、散熱器384、埠385、擴充槽、或任何其他合適的裝置。計算系統302可包含任何類型之計算系統，諸如桌上型電腦、膝上型電腦、平板電腦、智慧電話、伺服器等。 實例

以下實例係關於進一步實施例。

在一個實例中，提供製作電子裝置封裝體之方法，該方法包含：提供具有導體襯墊及電子組件之基板；在基板及電子組件上形成共形絕緣層，其中該共形絕緣層與該電子組件形狀相符；暴露導體襯墊，或該導體襯墊之至少一部分；以及在絕緣層上形成導電電磁干擾(EMI)層，且使該導電電磁干擾層與導體襯墊接觸。

在製作電子裝置封裝體之方法的一個實例中，暴露導體襯墊包含：形成穿過共形絕緣層到達導體襯墊之開口，其中導電層延伸至該開口中以便與導體襯墊接觸。

在製作電子裝置封裝體之方法的一個實例中，形成穿過共形絕緣層之開口包含：利用雷射來剝蝕共形絕緣層。

在製作電子裝置封裝體之方法的一個實例中，暴露導體襯墊包含：遮罩導體襯墊以使得防止共形絕緣層接觸該導體襯墊之至少一部分。

在製作電子裝置封裝體之方法的一個實例中，遮罩導體襯墊包含：利用模套覆蓋導體襯墊，其中形成共形絕緣層包含：模製絕緣材料。

在製作電子裝置封裝體之方法的一個實例中，電子組件包含第一電子組件及第二電子組件。

在製作電子裝置封裝體之方法的一個實例中，共形絕緣層單獨與第一電子組件及第二電子組件中之至少一者形狀相符。

在製作電子裝置封裝體之方法的一個實例中，第一電子組件及第二電子組件形成一組電子組件，且共形絕緣層符合該組電子組件。

在製作電子裝置封裝體之方法的一個實例中，多個導電層部分置設在第一電子組件與第二電子組件之間。

在製作電子裝置封裝體之方法的一個實例中，導電層圍繞第一電子組件及第二電子組件單獨形成。

在製作電子裝置封裝體之方法的一個實例中，形成共形絕緣層包含：沉積絕緣材料。

在製作電子裝置封裝體之方法的一個實例中，沉積絕緣材料包含：霧化該絕緣材料。

在製作電子裝置封裝體之方法的一個實例中，形成共形絕緣層包含：模製絕緣材料。

在製作電子裝置封裝體之方法的一個實例中，形成導電層包含：沉積導電材料。

在製作電子裝置封裝體之方法的一個實例中，沉積導電材料包含：霧化、列印、濺射及電鍍導電材料中之至少一者。

在製作電子裝置封裝體之方法的一個實例中，形成導電層包含：模製導電材料。

在製作電子裝置封裝體之方法的一個實例中，該方法進一步包含：在導電層上形成包封層。

在製作電子裝置封裝體之方法的一個實例中，電子組件包含第一電子組件及第二電子組件，其中包封層之至少一部分置設在該第一電子組件與該第二電子組件之間。

在製作電子裝置封裝體之方法的一個實例中，包封層之部分與基板接觸。

在製作電子裝置封裝體之方法的一個實例中，形成包封層包含：模製包封材料。

在製作電子裝置封裝體之方法的一個實例中，包封材料包含環氧樹脂。

在製作電子裝置封裝體之方法的一個實例中，電子組件包含與基板之相應第一部分及第二部分相關聯之第一電子組件及第二電子組件，該方法進一步包含：使基板之第一部分及第二部分分離以便形成第一電子裝置封裝體及第二電子裝置封裝體。

在製作電子裝置封裝體之方法的一個實例中，使基板之第一部分及第二部分分離包含：切割該基板。

在製作電子裝置封裝體之方法的一個實例中，導電層之側面部分與導電層之頂部部分整體地形成。

在製作電子裝置封裝體之方法的一個實例中，導電層之側面部分相對於基板之頂部表面以非垂直角度定向。

在一個實例中，提供電磁屏蔽電子裝置封裝體之方法，該方法包含：圍繞安裝於基板上之電子組件形成共形絕緣層，其中該共形絕緣層與該電子組件形狀相符；以及在絕緣層上形成導電層，且使該導電層與基板上之導體襯墊接觸，以用於與該基板相關聯之電磁屏蔽。

在電磁屏蔽電子裝置封裝體之方法的一個實例中，導體襯墊由共形絕緣層覆蓋，該方法進一步包含：形成穿過共形絕緣層到達導體襯墊之開口，其中導電層延伸至該開口中以便與導體襯墊接觸。

在電磁屏蔽電子裝置封裝體之方法的一個實例中，形成穿過共形絕緣層之開口包含：利用雷射來剝蝕共形絕緣層。

在電磁屏蔽電子裝置封裝體之方法的一個實例中，該方法進一步包含：遮罩導體襯墊以使得防止共形絕緣層接觸該導體襯墊之至少一部分。

在電磁屏蔽電子裝置封裝體之方法的一個實例中，遮罩導體襯墊包含：利用模套覆蓋導體襯墊，其中形成共形絕緣層包含：模製絕緣材料。

在電磁屏蔽電子裝置封裝體之方法的一個實例中，電子組件包含第一電子組件及第二電子組件。

在電磁屏蔽電子裝置封裝體之方法的一個實例中，共形絕緣層單獨與第一電子組件及第二電子組件中之至少一者形狀相符。

在電磁屏蔽電子裝置封裝體之方法的一個實例中，第一電子組件及第二電子組件形成一組電子組件，且共形絕緣層與該組電子組件形狀相符。

在電磁屏蔽電子裝置封裝體之方法的一個實例中，多個導電層部分置設在第一電子組件與第二電子組件之間。

在電磁屏蔽電子裝置封裝體之方法的一個實例中，導電層圍繞第一電子組件及第二電子組件單獨形成。

在電磁屏蔽電子裝置封裝體之方法的一個實例中，形成共形絕緣層包含：沉積絕緣材料。

在電磁屏蔽電子裝置封裝體之方法的一個實例中，沉積絕緣材料包含：霧化該絕緣材料。

在電磁屏蔽電子裝置封裝體之方法的一個實例中，形成共形絕緣層包含：模製絕緣材料。

在電磁屏蔽電子裝置封裝體之方法的一個實例中，形成導電層包含：沉積導電材料。

在電磁屏蔽電子裝置封裝體之方法的一個實例中，沉積導電材料包含：霧化、列印、濺射及電鍍導電材料中之至少一者。

在電磁屏蔽電子裝置封裝體之方法的一個實例中，形成導電層包含：模製導電材料。

在電磁屏蔽電子裝置封裝體之方法的一個實例中，該方法進一步包含：在導電層上形成包封層。

在電磁屏蔽電子裝置封裝體之方法的一個實例中，電子組件包含第一電子組件及第二電子組件，其中包封層之至少一部分置設在該第一電子組件與該第二電子組件之間。

在電磁屏蔽電子裝置封裝體之方法的一個實例中，包封層之一部分與基板接觸。

在電磁屏蔽電子裝置封裝體之方法的一個實例中，形成包封層包含：模製包封材料。

在電磁屏蔽電子裝置封裝體之方法的一個實例中，包封材料包含環氧樹脂。

在電磁屏蔽電子裝置封裝體之方法的一個實例中，電子組件包含與基板之相應第一部分及第二部分相關聯之第一電子組件及第二電子組件，方法進一步包含：使基板之第一部分及第二部分分離以便形成第一電子裝置封裝體及第二電子裝置封裝體。

在電磁屏蔽電子裝置封裝體之方法的一個實例中，使基板之第一部分及第二部分分離包含：切割該基板。

在電磁屏蔽電子裝置封裝體之方法的一個實例中，導電層之側面部分與導電層之頂部部分整體地形成。

在電磁屏蔽電子裝置封裝體之方法的一個實例中，導電層之側面部分相對於基板之頂部表面以非垂直角度定向。

在一個實例中，提供電子裝置封裝體，該電子裝置封裝體包含：基板，該基板具有導體襯墊；an 電子組件，該電子組件耦接至基板；共形絕緣層，該共形絕緣層處於電子組件及基板上，其中該共形絕緣層與電子組件形狀相符；以及導電電磁干擾(EMI)層，該導電電磁干擾層處於絕緣層上且與導體襯墊接觸。

在電子裝置封裝體之一個實例中，電子組件包含第一電子組件及第二電子組件。

在電子裝置封裝體之一個實例中，共形絕緣層單獨與第一電子組件或第二電子組件中之至少一者形狀相符。

在電子裝置封裝體之一個實例中，第一電子組件及第二電子組件形成一組電子組件，且共形絕緣層與該組電子組件形狀相符。

在電子裝置封裝體之一個實例中，多個導電層部分置設在第一電子組件與第二電子組件之間。

在電子裝置封裝體之一個實例中，導電層圍繞第一電子組件及第二電子組件單獨形成。

在電子裝置封裝體之一個實例中，該電子裝置封裝體進一步包含導電層上之包封層。

在電子裝置封裝體之一個實例中，電子組件包含第一電子組件及第二電子組件，其中包封層之至少一部分置設在該第一電子組件與該第二電子組件之間。

在電子裝置封裝體之一個實例中，包封層之一部分與基板接觸。

在電子裝置封裝體之一個實例中，包封層包含環氧樹脂。

在電子裝置封裝體之一個實例中，導電層之側面部分與導電層之頂部部分整體地形成。

在電子裝置封裝體之一個實例中，導電層之側面部分相對於基板之頂部表面以非垂直角度定向。

在一個實例中，提供計算系統，該計算系統包含母板及耦接至該母板的如本文中所敘述之電子裝置封裝體。

在計算系統之一個實例中，計算系統包含桌上型電腦、膝上型電腦、平板電腦、智慧電話、伺服器或其組合。

在計算系統之一個實例中，計算系統進一步包含可操作地耦接至母板之處理器、記憶體裝置、散熱器、無線電、擴充槽、埠或其組合。

電子裝置封裝體之電子組件或裝置(例如晶粒)中所使用之電路系統可包括硬體、韌體、程式碼、可執行碼、電腦指令及/或軟體。電子組件及裝置可包括非暫時性電腦可讀儲存媒體，該非暫時性電腦可讀儲存媒體可為不包括信號之電腦可讀儲存媒體。在可規劃電腦上執行程式碼的情況下，本文中所敘述之計算裝置可包括處理器、可由該處理器讀取之儲存媒體(包括依電性及非依電性記憶體及/或儲存元件)、至少一個輸入裝置以及至少一個輸出裝置。依電性記憶體及非依電性記憶體及/或儲存元件可為RAM、EPROM、快閃驅動機、光學驅動機、磁性硬驅動機、固態驅動機或用於儲存電子資料之其他媒體。節點及無線裝置亦可包括收發器模組、計數器模組、處理模組及/或時鐘模組或計時器模組。可實施或利用本文中所描述之任何技術的一或多個程式可使用應用程式設計介面(API)、可再用控制件及類似物。此等程式可以高階程序性程式設計語言或物件導向式程式設計語言來實施，以便與電腦系統通訊。然而，若需要，該或該等程式可以組合語言或機器語言來實施。在任何情況下，該語言可為編譯語言或解譯語言，並且與硬體實行方案結合。

另外，所描述之特徵、結構或特性在一或多個實施例中可以任何合適方式加以組合。在此描述中，提供眾多特定細節，諸如佈局、距離之實例、網路實例等。然而，相關領域的技藝人士將認識到，不具有特定細節中之一或多者，或具有其他方法、組件、佈局、措施等之許多變化係可能的。在其他實例中，未展示或詳細描述熟知的結構、材料或操作，但較佳視為在本揭示案之範疇內。

雖然前述實例例示出一或多個應用中的特定實施例，但是一般熟習此項技術者將顯而易見，在不脫離本文中明確表達之原理及概念的情況下，可作出實行方案之形式、用途及細節的眾多修改。相應地，不意欲由此限制。

100、100’、200、200’、201、201’、300‧‧‧電子裝置封裝體
110、210‧‧‧基板
111、211、211’‧‧‧背側
112a-112d、212a、212a’、212b、212b’‧‧‧導體襯墊
113a-113d‧‧‧開口
120-122、220、220’、221、221’‧‧‧電子組件
123、124‧‧‧底部填充物
130‧‧‧共形絕緣層/絕緣層/層
140‧‧‧導電層或電磁干擾(EMI)層/導電層
141a、141b、142a、142b‧‧‧導電層部分/側面部分
143a-143c、243、243’‧‧‧頂部部分
150、250‧‧‧包封層
151、152‧‧‧包封層部分
214‧‧‧第一部分
214’‧‧‧第二部分
215‧‧‧表面
230、230’‧‧‧共形絕緣層/絕緣層
240、240’‧‧‧導電層
241a、241a’、241b、241b’‧‧‧側面部分
260、262‧‧‧模套
270‧‧‧鋸條
302‧‧‧計算系統
380‧‧‧母板
381‧‧‧處理器
382‧‧‧記憶體裝置
383‧‧‧無線電
384‧‧‧散熱器
385‧‧‧埠

根據以下結合隨附圖式進行之詳細描述，發明特徵及優勢將顯而易見，該等圖式藉助於實例共同例示出各種發明實施例；且其中： 圖1例示出具有導體襯墊及安裝於其上之電子組件的示範性基板； 圖2例示出絕緣層之實例，諸如將導體襯墊及電子組件包封於基板上之共形絕緣層； 圖3例示出絕緣層之實例，該絕緣層將導體襯墊及電子組件包封於基板上，該絕緣層具有經形成以暴露導體襯墊之開口； 圖4例示出形成於將電子組件包封於基板上之絕緣層上的導電層或EMI層之實例； 圖5例示出裝置封裝之實例，該裝置封裝在導電層或EMI層上方具有包封層，該導電層或EMI層形成於將電子組件包封於基板上之絕緣層上； 圖6例示出具有導體襯墊及安裝於其上之電子組件的基板之另一實例； 圖7例示出絕緣層之實例，諸如將電子裝置組件及導體襯墊包封於基板上之共形絕緣層； 圖8例示出形成於將電子組件包封於基板上之絕緣層上的導電層或EMI層之實例； 圖9例示出彼此分割或分離的單獨電子裝置封裝體之實例； 圖10例示出具有導電層上之包封層的彼此分割或分離的單獨電子裝置封裝體之實例； 圖11係示範性計算系統之示意說明。

現將參考示範性發明實施例，且本文中將使用特定語言來描述該等實施例。然而應理解，並不意欲由此限制技術範疇或特定發明實施例。

100‧‧‧電子裝置封裝體

110‧‧‧基板

111‧‧‧背側

112a-112d‧‧‧導體襯墊

113a-113d‧‧‧開口

120-122‧‧‧電子組件

130‧‧‧共形絕緣層/絕緣層/層

140‧‧‧導電層

141a、141b、142a、142b‧‧‧導電層部分/側面部分

143a-143c‧‧‧頂部部分

Claims (24)

1. 一種製作一電子裝置封裝體之方法，該方法包含： 提供具有一導體襯墊及一電子組件之一基板； 在該基板及電子組件上形成一共形(conformal)絕緣層，其中該共形絕緣層與該電子組件形狀相符(conform)； 暴露該導體襯墊；以及 在該絕緣層上形成一導電電磁干擾(EMI)層，且使該導電電磁干擾層與該導體襯墊接觸。
2. 如請求項1之方法，其中暴露該導體襯墊包含：形成穿過該共形絕緣層到達該導體襯墊之一開口，並且其中該導電層延伸至該開口中以便與該導體襯墊接觸。
3. 如請求項1之方法，其中暴露該導體襯墊包含：遮罩該導體襯墊以使得防止該共形絕緣層接觸該導體襯墊之至少一部分。
4. 如請求項1之方法，其中該電子組件包含一第一電子組件及一第二電子組件。
5. 如請求項1之方法，其中形成一共形絕緣層包含：沉積一絕緣材料。
6. 如請求項1之方法，其中形成一共形絕緣層包含：模製一絕緣材料。
7. 如請求項1之方法，其中形成該導電層包含：沉積一導電材料。
8. 如請求項1之方法，其中形成該導電層包含：模製一導電材料。
9. 如請求項1之方法，其進一步包含：在該導電層上形成一包封層。
10. 如請求項1之方法，其中該電子組件包含與該基板之各別第一部分及第二部分相關聯的一第一電子組件及一第二電子組件，且進一步包含：使該基板之該第一部分及該第二部分分離以便形成第一電子裝置封裝體及第二電子裝置封裝體。
11. 如請求項1之方法，其中該導電層之一側部部分與該導電層之一頂部部分係整體地形成。
12. 如請求項1之方法，其中該導電層之一側部部分相對於該基板之一頂部表面係以一非垂直角度定向。
13. 一種電子裝置封裝體，其包含： 一基板，其具有一導體襯墊； 一電子組件，其被耦接至該基板； 一共形絕緣層，其在該電子組件及該基板上，其中該共形絕緣層與該電子組件形狀相符；以及 一導電電磁干擾(EMI)層，其在該絕緣層上且與該導體襯墊接觸。
14. 如請求項13之電子裝置封裝體，其中該電子組件包含一第一電子組件及一第二電子組件。
15. 如請求項14之電子裝置封裝體，其中該共形絕緣層單獨與該第一電子組件或該第二電子組件中之至少一者形狀相符。
16. 如請求項14之電子裝置封裝體，其中該第一電子組件及該第二電子組件形成一組電子組件，且該共形絕緣層與該組電子組件形狀相符。
17. 如請求項14之電子裝置封裝體，其中複數個導電層部分被設置在該第一電子組件與該第二電子組件之間。
18. 如請求項17之電子裝置封裝體，其中該導電層係於該第一電子組件及該第二電子組件的四周單獨形成。
19. 如請求項13之電子裝置封裝體，其進一步包含該導電層上之一包封層。
20. 如請求項19之電子裝置封裝體，其中該電子組件包含一第一電子組件及一第二電子組件，並且其中該包封層之至少一部分被設置在該第一電子組件與該第二電子組件之間。
21. 如請求項19之電子裝置封裝體，其中該包封層之一部分係與該基板接觸。
22. 如請求項21之電子裝置封裝體，其中該包封層包含一環氧樹脂。
23. 如請求項13之電子裝置封裝體，其中該導電層之一側面部分與該導電層之一頂部部分係整體地形成。
24. 如請求項13之電子裝置封裝體，其中該導電層之一側面部分相對於該基板之一頂部表面係以一非垂直角度定向。