TW201725470A - 記憶體模組及其製造方法 - Google Patents

Abstract

一種記憶體模組及其製造方法，記憶體模組包括基板、至少一記憶體、遮光膜及至少一發光二極體。基板包含電氣線路及金手指，而基板的上部邊緣具有切口。遮光膜為不透光性的銅泊所構成，靠近基板的上部邊緣上，並具有切口及至少一開孔。記憶體是在基板上且靠近金手指而連接至電氣線路。發光二極體設置於基板上並連接至電氣線路，而且每個發光二極體是位於遮光膜的相對應開孔。因此，發光二極體可經開孔朝外發射光，並沿著基板的上部邊緣形成特定的亮光圖案、文字或線條，展現整體記憶體模組的文字光影、影像光影之明亮變化，增強視覺效應。

Description

記憶體模組及其製造方法

本發明係有關於一種記憶體模組及其製造方法，尤其是在基板上貼附不透光且具有多個開孔或鏤空標記的遮光膜，並將發光二極體配置在相對應開孔中，使得發光二極體的光線可經開孔而射出或照射到鏤空標記而顯示特定的亮光圖案、文字或線條，進而表現出光線明暗色彩的不同變化，同時展現出整體記憶體模組的文字光影、影像光影之明亮變化，改善並增強視覺效應。

在印刷電路板(PCB)及相關的電子業界，所使用的電路模組一般是包括電路基板、電路裝置，其中電路裝置經導電線路連接至電性插排，並在電路裝置及電性插排間的導電線路上設置多個發光二極體，使得發光二極體可在導電線路導通或不導通下而控制亮暗變化，提供標示或顯示目前電路模組的操作狀態。不過，發光二極體在無任何遮蔽物下容易使光線直射到眼睛，導致刺眼或不舒適。

為解決上述問題，在習用技術的M508053專利中，揭露一種電路模組，包括基板、至少一發光二極體、至少半透明之導光體，其中基板具有PCI-E插排，而PCI-E插排可用以電性插接至PCI-E插槽，而發光二極體是配置於基板中相對於PCI-E插排之一側，並電性連接至PCI-E插排，尤其導光體是至少覆蓋該至少一發光二極體。因此，發光二極體之光線可經導光體的折射與吸收後產生較為柔和與均勻的發射光，能避免發光二極體之光線直射眼睛而傷害視力。

然而，上述習用技術的缺點在於需配置特定結構的導光體，使得整體構造複雜而不利於設計、生產、組裝，而且導光體會額外增加材料成本，嚴重影響產業的利用性，所以普及率始終無法提高。

因此，非常需要一種創新的記憶體模組及其製造方法，提供簡易的遮光方式，利用不透光且具有多個開孔或鏤空標記的遮光膜貼附到具有V型切口的基板上，且將發光二極體配置在相對應開孔中以使得發光二極體的光線可經開孔而射出或照射到鏤空標記而顯示特定的亮光圖案、文字或線條，藉以表現出光線明暗色彩的不同變化而展現出整體記憶體模組的文字光影、影像光影之明亮變化，改善、增強視覺效應而解決上述習用技術的所有問題。

本發明之主要目的在於提供一種記憶體模組，主要包括基板、至少一記憶體、遮光膜以及至少一發光二極體。基板具透光性及電氣絕緣性並包含電氣線路，而且基板的上部邊緣具有切口，再者，基板的下部邊緣具有金手指，連接至電氣線路，其中金手指可用以插設至外部裝置的插槽。

遮光膜為不透光性，可由銅箔藉另一蝕刻處理構成，並設置於基板上，並靠近上部邊緣，而且遮光膜具有切口及至少一開孔，其中遮光膜的切口是對應於基板的切口，而開孔是配置成靠近基板的上部邊緣而排列。

記憶體是設置於基板上且靠近金手指，並連接至電氣線路。此外，發光二極體設置於基板上並連接至電氣線路，而且每個發光二極體是位於遮光膜的相對應開孔。因此，發光二極體的發射光可經由開孔而朝外射出，並沿著基板的上部邊緣形成特定的亮光圖案、文字或線條，表現光線明暗色彩的不同變化，同時展現出整體記憶體模組的文字光影、影像光影之明亮變化，可改善並增強視覺效應。

上述的遮光膜也可配置成具有至少一鏤空標記，如藉另一蝕刻處理而形成，且不具有任何開孔，同時發光二極體是設置在基板上且與遮光膜位於不同側部表面上，以如遮光膜位於基板的正面，而發光二極體位於基板的背面，使得發光二極體可朝遮光膜的鏤空標記發射光線而顯示。

本發明之另一目的在於提供一種記憶體模組的製造方法，首先，對具透光性及電氣絕緣性基板上的銅箔進行蝕刻處理而形成電氣線路 以及金手指，其中金手指是用以插設至外部裝置的插槽，並連接至電氣線路，而且基板的上部邊緣具有切口。接著備製遮光膜，其中遮光膜為不透光性，並具有切口以及至少一開孔，而且開孔是配置成靠近切口。

然後，將該遮光膜貼附到基板上，使得遮光膜是設置於基板上且靠近上部邊緣，且遮光膜的切口是對應於基板的切口，再將至少一記憶體設置於基板上且靠近金手指，並連接至電氣線路。最後，將至少一發光二極體設置於遮光膜的相對應開孔內，其中發光二極體可經由金手指獲得來自外部裝置的電力而點亮發光，或是由基板上連接至電氣線路的電子元件提供電力而點亮發光。

上述的遮光膜可備置成具有至少一鏤空標記而不具有任何開孔，且發光二極體是設置在基板上且與遮光膜位於不同側部表面上，以使得發光二極體可朝遮光膜的鏤空標記發射光線而顯示。

由於整體結構簡單，且遮光膜為不透光並具有多個開孔或鏤空標記，所以配置在相對應開孔中的發光二極體可經開孔而射出光線，或是光照射到鏤空標記，因而顯示特定的亮光圖案、文字或線條，藉以展現出整體記憶體模組的文字光影、影像光影之明亮變化，增強視覺效應。

10‧‧‧記憶體模組

11‧‧‧基板

11A‧‧‧切口

13‧‧‧記憶體

15‧‧‧遮光膜

17‧‧‧發光二極體

18‧‧‧金手指

19‧‧‧電子元件

20‧‧‧記憶體模組

21‧‧‧基板

21A‧‧‧切口

23‧‧‧記憶體

25‧‧‧遮光膜

25B‧‧‧鏤空標記

27‧‧‧發光二極體

28‧‧‧金手指

29‧‧‧電子元件

S10~S18‧‧‧步驟

S20~S28‧‧‧步驟

第一圖顯示依據本發明第一實施例記憶體模組的示意圖。

第二圖顯示依據本發明第二實施例記憶體模組的正面示意圖。

第三圖顯示依據本發明第二實施例記憶體模組的背面示意圖。

第四圖顯示依據本發明第三實施例記憶體模組的製造方法的操作流程示意圖。

第五圖顯示依據本發明第四實施例記憶體模組的製造方法的操作流程示意圖。

以下配合圖示及元件符號對本發明之實施方式做更詳細的說明，俾使熟習該項技藝者在研讀本說明書後能據以實施。

參閱第一圖，本發明第一實施例記憶體模組的示意圖。如第一圖所示，本發明第一實施例的記憶體模組10主要包括基板11、至少一記憶體13、遮光膜15以及至少一發光二極體17，其中基板11具透光性及電氣絕緣性並包含電氣線路(圖中未顯示)，遮光膜15是由銅箔構成並為不透光性，且設置於基板11上而靠近基板11的上部邊緣，記憶體13及發光二極體17是設置於該基板11上並連接至電氣線路。

具體而言，基板11的上部邊緣具有切口11A，比如V型切口，且遮光膜15也具有切口，並配置成是對應於基板11的切口11A，而較佳的，遮光膜15未完全遮蓋到基板11的整個上部邊緣，而是基板11的上部邊緣具有未被遮光膜15遮蓋的邊緣區域，且該邊緣區域具有預設寬度，不過並未用以限定本發明的範圍，因此另一方式是，遮光膜15也可完全遮蓋基板11的整個上部邊緣。

此外，基板11的下部邊緣具有金手指18，是連接至電氣線路，其中金手指18可用以插設至外部裝置的插槽，形成電氣連接，而記憶體13是設置於靠近基板11的金手指18，並與遮光膜15相互隔離開。

更進一步而言，遮光膜15具有至少一開孔，是配置成靠近基板11的上部邊緣而排列，同時每個發光二極體17是位於相對應的開孔內。例如，開孔是沿著V型切口而排列，且記憶體13是設置於基板11的同一側部表面上，或設置於基板11的相對面的二側部表面上，亦即正面及背面。因此，發光二極體17的發射光可經由開孔而朝外射出，並沿著基板11的上部邊緣形成特定的亮光圖案、文字或線條，進而表現出光線明暗色彩的不同變化，同時展現出整體記憶體模組10的文字光影、影像光影之明亮變化，改善並增強視覺效應。

更加具體而言，發光二極體17是經由金手指18而獲得來自外部裝置(圖中未喜訕)的電力而點亮發光，或是由基板11上連接至電氣線路的電子元件19提供電力而點亮發光，其中電子元件19可為電子開關或電子控制器。

參考第二圖及第三圖，分別為本發明第二實施例記憶體模組20的正面及背面示意圖。如第二圖及第三圖所示，第二實施例的記憶體模組20是類似於第一實施例，並包括基板21、至少一記憶體23、遮光膜25以及至少一發光二極體27，其中基板21具透光性及電氣絕緣性並包含電氣線路(圖中未顯示)，遮光膜25是由銅箔構成並為不透光性，且設置於基板21的正面上且靠近基板21的上部邊緣，而記憶體23是設置於基板21上並連接至電氣線路，尤其，發光二極體27是設置於基板21的背面上並連接至電氣線路。

此外，基板21的上部邊緣具有切口21A，而遮光膜25也具有切口，是對應於基板21的切口21A。具體而言，遮光膜25還具有至少一鏤空標記25B，且鏤空標記25B可為圖案、文字或線條，而在第二圖及第三圖中是以文字”V-color”當作實例以方便解釋本發明的特點而已，並非用以限定本發明的範圍。所以第二實施例與第一實施例的差異點在於第二實施例的遮光膜25具有鏤空標記25B而非第一實施例中遮光膜15的開孔，使得發光二極體27所發射的光線是朝向遮光膜25的鏤空標記25B而顯示。再者，第二實施例的遮光膜25及發光二極體27是限定成分別設置於基板21的正面及背面上而非同一面上，第二實施例的其餘技術特徵是相同於第一實施例，因而以下不再贅述。

此外，為進一步改善顯示鏤空標記25B的視覺效應，可將發光二極體27是設置成靠近相對於鏤空標記25B的下方邊緣，因此，發光二極體27的發射光可由下往上而朝向鏤空標記25B。

進一步參考第四圖，依據本發明第三實施例記憶體模組的製造方法的操作流程示意圖，其中第三實施例記憶體模組的製造方法主要是包括步驟S10、S12、S14、S16、S18，係用製作第一圖的記憶體模組10。

具體而言，在第三實施例製造方法的步驟S10中，主要是針對透光性及電氣絕緣性的基板上的銅箔進行蝕刻處理，使得銅箔形成電氣線路以及金手指，其中金手指可是用以插設至外部裝置的插槽，並係連接至電氣線路，尤其是，基板的上部邊緣具有切口，比如V型切口。

接著進行步驟S12，備製遮光膜，其中遮光膜是由銅箔構成 並為不透光性，且可藉另一蝕刻處理而具有切口以及至少一開孔，尤其開孔是配置成靠近切口。較佳的，遮光膜的開孔是沿著V型切口而排列。然後在步驟S14中，將遮光膜貼附到基板上，其中遮光膜是設置成靠近基板的上部邊緣，以使得遮光膜的切口是對應於該基板的切口。較佳的，遮光膜可未完全遮蓋到基板的上部邊緣，而使得基板的上部邊緣露出具有預設寬度的特定邊緣區域。不過遮光膜也可視實際需要而完全遮蓋基板的上部邊緣。

進行步驟S16，將至少一記憶體設置於基板上且靠近金手指，並連接至電氣線路，其中記憶體可設置於基板的同一側部表面上，或設置於基板的相對面的二側部表面上，亦即正面及背面。最後，步驟S18將每個發光二極體設置於遮光膜的相對應開孔內，其中發光二極體可經由金手指獲得來自外部裝置的電力而點亮發光，或是由基板上連接至電氣線路的電子元件提供電力而點亮發光。

此外，再參考第五圖，依據本發明第四實施例記憶體模組的製造方法的操作流程示意圖，其中第四實施例記憶體模組的製造方法是類似於上述第三實施例的製造方法，包括步驟S20、S22、S24、S26、S28，用以製作第二圖的記憶體模組20，係分別類似於上述第三實施例的步驟S10、S12、S14、S16、S18，其主要差異點在於第四實施例的步驟S22所備製的遮光膜以及步驟S28的發光二極體配置方式，因而以下只說明步驟S22、S28，而步驟S20、S24、S26的處理內容不再贅述。

在步驟S22中，備製不透光性的遮光膜，且遮光膜具有切口以及至少一鏤空標記，比如可藉另一蝕刻處理而形成，其中遮光膜的切口是對應於基板的切口，尤其是鏤空標記可為圖案、文字或線條。此外，步驟S28將至少一發光二極體設置於基板上，並連接至電氣線路，其中發光二極體與遮光膜是位在基板的二不同側部表面上，比如遮光膜位在基板的正面，而發光二極體是位於基板的背面，使得發光二極體所發射的光線可朝鏤空標記而顯示。

還可進一步將發光二極體設置成靠近相對於鏤空標記的下方邊緣，使得發光二極體的發射光可由下往上而朝向鏤空標記，進而改善 鏤空標記的顯示效應。

綜上所述，本發明的主要特點在於不需使用任何導光元件或遮光元件，而是使用具遮光功能的遮光膜，尤其是利用不透光且具有多個開孔或鏤空標記的遮光膜貼附到具有V型切口的基板上，且將發光二極體配置在相對應開孔中以使得發光二極體的光線可經開孔而射出或照射到鏤空標記而顯示特定的亮光圖案、文字或線條，藉以表現出光線明暗色彩的不同變化，使得整體記憶體模組展現出文字光影、影像光影之明亮變化。所以本發明記憶體模組的整體結構簡單，易於生產、組裝，同時不僅解決發光二極體會刺眼的缺點，也改善整體的視覺效應。

本發明的另一特點在於遮光膜是由銅箔構成，且開孔或鏤空標記可利用蝕刻處理而達成，不須開發特定的處理技術，所以可靠度相當高，並相當具有產業利用性。

由於本發明的技術內並未見於已公開的刊物、期刊、雜誌、媒體、展覽場，因而具有新穎性，且能突破目前的技術瓶頸而具體實施，確實具有進步性。此外，本發明能解決習用技術的問題，改善整體使用效率，而能達到具產業利用性的價值。

以上所述者僅為用以解釋本發明之較佳實施例，並非企圖據以對本發明做任何形式上之限制，是以，凡有在相同之發明精神下所作有關本發明之任何修飾或變更，皆仍應包括在本發明意圖保護之範疇。

10‧‧‧記憶體模組

11‧‧‧基板

11A‧‧‧切口

13‧‧‧記憶體

15‧‧‧遮光膜

17‧‧‧發光二極體

18‧‧‧金手指

19‧‧‧電子元件

Claims (10)

1. 一種記憶體模組，包括：一基板，具透光性及電氣絕緣性並包含一電氣線路，且該基板的一上部邊緣具有一切口，而該基板的一下部邊緣具有一金手指，係連接至該電氣線路，且該金手指是用以插設至一外部裝置的插槽；一遮光膜，係不透光性，是設置於該基板上且靠近該上部邊緣，且該遮光膜具有一切口，是對應於該基板的切口，並具有至少一開孔，是配置成靠近該基板的上部邊緣而排列；至少一記憶體，係設置於該基板上且靠近該金手指，並連接至該電氣線路；以及至少一發光二極體，係設置於該基板上，並連接至該電氣線路，且每個發光二極體是位於該遮光膜的相對應開孔內，其中該發光二極體是經由該金手指獲得來自外部裝置的電力而點亮發光，或是該發光二極體係由該基板上連接至該電氣線路的一電子元件提供電力而點亮發光。
2. 依據申請專利範圍第1項之記憶體模組，其中該基板的切口為一V型切口，而該遮光膜是由銅箔構成，且該開孔是沿著該V型切口而排列，且該至少一記憶體是設置於該基板的同一側部表面上，或設置於該基板的相對面的二側部表面上。
3. 依據申請專利範圍第1項之記憶體模組，其中該遮光膜未完全遮蓋到該基板的上部邊緣，而使得該基板的上部邊緣露出具一預設寬度的一邊緣區域。
4. 一種記憶體模組，包括：一基板，具透光性及電氣絕緣性並包含一電氣線路，而該基板的一上部邊緣具有一切口，且該基板的一下部邊緣具有一金手指，係連接至該電氣線路，且該金手指是用以插設至一外部裝置的插槽；一遮光膜，係不透光性，是設置於該基板上且靠近該上部邊緣，且該遮光膜具有一切口，是對應於該基板的切口，並具有至少一鏤空標記；至少一記憶體，係設置於該基板上且靠近該金手指，並連接至該電氣線路；以及至少一發光二極體，係設置於該基板上，並連接至該電氣線路，且該至少一發光二極體與該遮光膜是位在該基板的二不同側部表面上，其中該發光二極體是經由該金手指獲得來自外部裝置的電力而點亮發光，或是該發光二極體係由該基板上連接至該電氣線路的一電子元件提供電力而點亮發光，以使得該發光二極體所發射的光線是朝向該遮光膜的鏤空標記。
5. 依據申請專利範圍第4項之記憶體模組，其中該基板的切口為一V型切口，而該遮光膜是由銅箔構成，且該至少一記憶體是設置於該基板的同一側部表面上，或設置於該基板的相對面的二側部表面上。
6. 依據申請專利範圍第4項之記憶體模組，其中該遮光膜未完全遮蓋到該基板的上部邊緣，而使得該基板的上部邊緣露出具一預設寬度的一邊緣區域，且該至少一發光二極體是設置成靠近相對於該至少一鏤空標記的下方邊緣。
7. 一種記憶體模組的製造方法，包括：對具透光性及電氣絕緣性的一基板上的一銅箔進行一蝕刻處理，使得該銅箔形成一電氣線路以及一金手指，且該金手指是用以插設至一外部裝置的插槽，並係連接至該電氣線路，而該基板的一上部邊緣具有一切口；備製一遮光膜，且該遮光膜是由銅箔構成並為不透光性，且藉一另一蝕刻處理而具有一切口以及至少一開孔，而該至少一開孔是配置成靠近該切口；將該遮光膜貼附到該基板上，且該遮光膜是設置於該基板上且靠近該上部邊緣，以使得該遮光膜的切口是對應於該基板的切口；將至少一記憶體設置於該基板上且靠近該金手指，並連接至該電氣線路；以及將至少一發光二極體設置於該遮光膜的相對應開孔內，其中該發光二極體是經由該金手指獲得來自外部裝置的電力而點亮發光，或是該發光二極體係由該基板上連接至該電氣線路的一電子元件提供電力而點亮發光。
8. 依據申請專利範圍第7項之記憶體模組的製造方法，其中該基板的切口為一V型切口，而該遮光膜的開孔是沿著該V型切口而排列，且該至少一記憶體是設置於該基板的同一側部表面上，或設置於該基板的相對面的二側部表面上，該遮光膜未完全遮蓋到該基板的上部邊緣，而使得該基板的上部邊緣露出具一預設寬度的一邊緣區域。
9. 一種記憶體模組的製造方法，包括：對具透光性及電氣絕緣性的一基板上的一銅箔進行一蝕刻處理，使得該 銅箔形成一電氣線路以及一金手指，且該金手指是用以插設至一外部裝置的插槽，並係連接至該電氣線路，而該基板的一上部邊緣具有一切口；備製一遮光膜，且該遮光膜是由銅箔構成並為不透光性，且藉一另一蝕刻處理而具有一切口以及至少一鏤空標記；將該遮光膜貼附到該基板上，且該遮光膜是設置於該基板上且靠近該上部邊緣，以使得該遮光膜的切口是對應於該基板的切口；將至少一記憶體設置於該基板上且靠近該金手指，並連接至該電氣線路；以及將至少一發光二極體設置於該基板上，並連接至該電氣線路，且該至少一發光二極體與該遮光膜是位在該基板的二不同側部表面上，其中該發光二極體是經由該金手指獲得來自外部裝置的電力而點亮發光，或是該發光二極體係由該基板上連接至該電氣線路的一電子元件提供電力而點亮發光。
10. 依據申請專利範圍第7項之記憶體模組的製造方法，其中該基板的切口為一V型切口，而該至少一記憶體是設置於該基板的同一側部表面上，或設置於該基板的相對面的二側部表面上，該遮光膜未完全遮蓋到該基板的上部邊緣，而使得該基板的上部邊緣露出具一預設寬度的一邊緣區域，且該至少一發光二極體是設置成靠近相對於該至少一鏤空標記的下方邊緣。