TW201711846A

TW201711846A - 對象物的處理方法、假固定用組成物、半導體裝置及其製造方法

Info

Publication number: TW201711846A
Application number: TW105122676A
Authority: TW
Inventors: 森隆; 水野光
Original assignee: Jsr股份有限公司
Priority date: 2015-09-28
Filing date: 2016-07-19
Publication date: 2017-04-01
Also published as: KR20180061158A; CN108369892B; SG11201802429WA; US10407598B2; JP6524972B2; CN108369892A; JP2017069541A; KR102501433B1; US20190048236A1

Abstract

本發明提供一種於經由暫時固定材將處理對象物暫時固定於支撐體上的狀態下進行對象物的加工·移動處理，繼而藉由光照射分離法將支撐體與對象物分離的方法，可防止所述對象物的光劣化。一種對象物的處理方法，包括：形成積層體的步驟，所述積層體具有支撐體、包含層（I）的暫時固定材、以及處理對象物，所述層（I）含有具有結構單元（A1）的聚合物（A）；對處理對象物進行加工、及/或使積層體移動的步驟；自支撐體側對層（I）照射光的步驟；以及將支撐體與處理對象物分離的步驟。□[式（A1）中，Ar為縮合多環芳香族環；R1 為氫原子或碳數1～20的烴基；R2 為鹵素原子或碳數1～20的烴基；R3 為氫原子或有機基；a為1以上的整數，b為0以上的整數]

Description

對象物的處理方法、假固定用組成物、半導體裝置及其製造方法

本發明是有關於一種對象物的處理方法、暫時固定用組成物、半導體裝置及其製造方法。

提出有：於經由暫時固定材將半導體晶圓等處理對象物黏接於玻璃基板等支撐體上的狀態下，對對象物進行背面研磨及感光蝕刻加工（photofabrication）等加工處理的方法。對於該暫時固定材而言必需的是：於加工處理中可將對象物暫時固定於支撐體上，於加工處理後可將支撐體與對象物容易地分離。

提出有：於所述分離處理中，藉由對具有支撐體、暫時固定材以及對象物的積層體中的所述暫時固定材照射紫外線及紅外線等放射能量，使暫時固定材的接著力降低，繼而將支撐體與對象物分離的方法（參照專利文獻1～專利文獻3）。以下亦將對暫時固定材進行光照射並使其接著力降低後將支撐體與對象物分離的方法、或者一面進行光照射一面將支撐體與對象物分離的方法稱為「光照射分離法」。

專利文獻1～專利文獻3中揭示有光照射分離法中所使用的暫時固定材。此處，專利文獻1的所述暫時固定材具有黏接層及剝離層，專利文獻2的所述暫時固定材具有接著層、以及含有具有光吸收性的聚合物的分離層，專利文獻3的所述暫時固定材具有黏著層、光阻擋層及光熱轉換層。 [現有技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]美國公開專利第2014/0106473號公報 [專利文獻2]日本專利特開2012-106486號公報 [專利文獻3]日本專利特開2011-076767號公報

[發明所欲解決之課題] 加工對象物有時會因光照射分離法中所使用的光而劣化，因此，必須藉由使分離層吸收所述光，來防止所述光到達對象物而防止對象物劣化。然而，分離層因加工處理中的熱而劣化，其結果存在如下問題：分離層無法充分吸收所述光，所述光到達對象物。

本發明的課題在於提供一種於經由暫時固定材將處理對象物暫時固定於支撐體上的狀態下進行對象物的加工·移動處理，繼而藉由光照射分離法將支撐體與對象物分離的方法，可防止所述對象物的光劣化。 [解決課題之手段]

本發明者等人為了解決所述課題而進行了努力研究。其結果發現藉由具有以下構成的對象物的處理方法可解決所述課題，從而完成了本發明。即，本發明例如是有關於以下的[1]～[16]。

[1] 一種對象物的處理方法，包括：（1）形成積層體的步驟，所述積層體具有支撐體、暫時固定材以及處理對象物，此處，所述暫時固定材包含層（I），且所述對象物保持於所述暫時固定材上，所述層（I）含有具有下述式（A1）所示的結構單元的聚合物（A）；（2）對所述對象物進行加工、及/或使所述積層體移動的步驟；（3）自所述支撐體側對所述層（I）照射光的步驟；以及（4）將所述支撐體與所述對象物分離的步驟。

[式（A1）中，Ar為縮合多環芳香族環；-OR¹ 為鍵結於所述縮合多環芳香族環上的基，R¹ 為氫原子或碳數1～20的烴基，-OR¹ 於存在多個的情況下，可彼此相同亦可不同；R² 為鍵結於所述縮合多環芳香族環上的基，為鹵素原子或碳數1～20的烴基，R² 於存在多個的情況下，可彼此相同亦可不同；R³ 為氫原子或有機基，R³ 可彼此相同亦可不同；a為1以上的整數，b為0以上的整數] [2]如所述[1]記載的對象物的處理方法，其中所述暫時固定材進而包含接著劑層（II）。 [3]如所述[2]記載的對象物的處理方法，其中所述積層體依照所述支撐體、所述層（I）、所述接著劑層（II）及所述處理對象物的順序而具有所述各要素。 [4]如所述[1]～[3]中任一項記載的對象物的處理方法，其中於所述步驟（1）中，於暫時固定材上形成至少具有配線層的處理對象物。 [5]如所述[4]記載的對象物的處理方法，其中所述步驟（2）中的加工包含將選自半導體晶圓及半導體晶片中的至少一種配置於所述配線層上。 [6]如所述[1]～[5]中任一項記載的對象物的處理方法，其中所述步驟（3）中的光為紫外線。 [7]如所述[6]記載的對象物的處理方法，其中所述紫外線為波長300 nm～400 nm的紫外線。 [8]如所述[1]～[7]中任一項記載的對象物的處理方法，其中所述層（I）的厚度為0.1 μm～500 μm。 [9]如所述[1]～[8]中任一項記載的對象物的處理方法，其中所述式（A1）中的所述縮合多環芳香族環為萘環。 [10]如所述[1]～[9]中任一項記載的對象物的處理方法，其中所述式（A1）中的R¹ 為氫原子或炔基。 [11]一種暫時固定用組成物，其含有具有下述式（A2）所示的結構單元的聚合物（A）。

[式（A2）中，Ar為縮合多環芳香族環；-OR¹ 為鍵結於所述縮合多環芳香族環上的基，R¹ 為氫原子或碳數1～20的烴基，-OR¹ 於存在多個的情況下，可彼此相同亦可不同；R² 為鍵結於所述縮合多環芳香族環上的基，為鹵素原子或碳數1～20的烴基，R² 於存在多個的情況下，可彼此相同亦可不同；R³ 為氫原子或有機基，R³ 可彼此相同亦可不同；a1為2以上的整數，b為0以上的整數] [12]如所述[11]記載的暫時固定用組成物，其進而含有溶劑。 [13]如所述[11]或[12]記載的暫時固定用組成物，其中所述暫時固定用組成物的固體成分100質量%中所含的所述聚合物（A）的含有比例為50質量%以上。 [14]一種半導體裝置的製造方法，其藉由如所述[1]～[10]中任一項記載的處理方法對對象物進行加工而製造半導體裝置。 [15]一種半導體裝置的製造方法，包括：（1）形成積層體的步驟，所述積層體具有支撐體、暫時固定材以及配線層，此處，所述暫時固定材包含層（I），且所述配線層形成於所述暫時固定材上，所述層（I）含有具有所述式（A1）所示的結構單元的聚合物（A）；（2）於所述配線層上配置選自半導體晶圓及半導體晶片中的至少一種的步驟；（3）自所述支撐體側對所述層（I）照射光的步驟；以及（4）將所述支撐體與所述配線層分離的步驟。 [16]一種半導體裝置，其是藉由所述[14]或[15]記載的製造方法而得。 [發明的效果]

根據本發明，可提供一種於經由暫時固定材將處理對象物暫時固定於支撐體上的狀態下進行對象物的加工·移動處理，繼而藉由光照射分離法將支撐體與對象物分離的方法，可防止所述對象物的光劣化。

以下，對於本發明中所形成的積層體，包含構成所述積層體的暫時固定材的原料組成物即暫時固定用組成物在內進行說明，然後對對象物的處理方法、半導體裝置及其製造方法進行說明。

於本發明中，所謂暫時固定材是指對處理對象物進行加工及/或移動時，為了以對象物不會自支撐體偏離移動的方式將對象物暫時固定於支撐體上而使用的材料。所謂處理對象物，是指受到後述的步驟（2）中的加工處理或移動處理的對象物（例如後述的步驟（1）或步驟（2）中的階段），另外，有時亦指受到所述處理後的對象物（例如後述的步驟（3）或步驟（4）中的階段）。以下，亦將處理對象物簡稱為「對象物」。

1.積層體於本發明中所形成的積層體中，作為加工或移動對象的處理對象物是經由暫時固定材而暫時固定於支撐體上。所述暫時固定材於一實施方式中是由對象物及支撐體夾持。

暫時固定材包含含有後述的聚合物（A）的層（I）（以下亦稱為「分離層（I）」），於一實施形態中，包含分離層（I）以及接著劑層（II）。所述積層體較佳為於支撐體與接著劑層（II）之間具有分離層（I）。即，所述積層體較佳為依照支撐體、分離層（I）、接著劑層（II）及對象物的順序而具有所述各層。

分離層（I）含有聚合物（A）。若對分離層（I）照射後述的光，則聚合物（A）吸收該光，聚合物（A）分解或變質。因該分解或變質，分離層（I）的強度或接著力於光照射的前後降低。藉由對積層體施加外力，於分離層（I）內產生凝聚破壞，或者於分離層（I）與接觸於該層的層之間產生界面破壞。因此，藉由對光照射處理後的積層體施加外力，可將支撐體與對象物容易地分離。

暫時固定材除了分離層（I）外，亦可具有與該層（I）直接接觸或夾著其他層而形成的接著劑層（II）。如此，具有2層以上的層的暫時固定材例如可平衡良好地具有保護對象物所具有的電路面、支撐體與對象物的接著性·分離性、光照射處理時所使用的光的阻擋性、及加工處理時·光照射處理時的耐熱性等功能。

將所述積層體的例子示於圖1中。該積層體1具有支撐體10、形成於支撐體10上的暫時固定材20、以及由暫時固定材20暫時固定於支撐體10上的對象物30。暫時固定材20具有與對象物30接觸的接著劑層（II）21、以及形成於所述層（II）21上且與支撐體10接觸的分離層（I）22。該例中，示出了具有接著劑層（II）的暫時固定材，但亦可為不具有所述層（II）的暫時固定材。

暫時固定材除了層（I）及層（II）以外，亦可具有任意的其他層。於依照支撐體、分離層（I）、接著劑層（II）及對象物的順序而具有所述各要素的積層體的情況下，例如可於層（I）與層（II）之間設置中間層，另外，亦可於層（I）與支撐體之間或層（II）與對象物之間設置其他層。尤其較佳為包含層（I）及層（II）的2層的暫時固定材。

所述暫時固定材的總厚度可根據對象物的暫時固定面的尺寸、加工處理及光照射處理中所要求的耐熱性及遮光性、以及對象物與支撐體的密接性的程度而任意地選擇。所述暫時固定材的總厚度通常為0.2 μm～1000 μm，較佳為0.2 μm～500 μm，更佳為1 μm～300 μm。另外，層（I）及層（II）的各層的厚度分別獨立地通常為0.1 μm～500 μm，較佳為0.1 μm～250 μm，更佳為0.5 μm～150 μm。若該些的厚度處於所述範圍，則暫時固定材具有用以將對象物暫時固定的充分的保持力，對象物不會於加工處理或移動處理中自暫時固定面脫落。

所述暫時固定材於現代經濟活動的情景所要求的各種加工處理、例如各種材料表面的微細化加工處理、各種表面安裝、半導體晶圓及半導體晶片的搬運等時，可較佳地用作對象物的暫時固著材。

[分離層（I）] 分離層（I）含有以下說明的聚合物（A）。分離層（I）例如可由含有聚合物（A）的暫時固定用組成物形成。暫時固定用組成物亦可含有溶劑。

加工對象的對象物的一例即半導體晶圓及半導體晶片通常而言並不耐光，若受到光照射則有時劣化。分離層（I）必須阻擋所述光以使光照射分離法中所使用的光並不到達對象物。另外，即便於以將對象物暫時固定於支撐體上的狀態進行的加工處理、例如鍍敷處理等高溫處理後，分離層（I）亦較佳為可阻擋所述光。

含有聚合物（A）的分離層（I）對光照射處理中所使用的光的透光率低。即，分離層（I）於光照射處理中所使用的光的波長下的透光率、例如波長355 nm下的透光率較佳為10%T以下，更佳為5%T以下，進而佳為1%T以下。

含有聚合物（A）的分離層（I）例如即便於受到300℃左右的高溫處理後，亦可維持對光照射處理中所使用的光的低透光率。即，對分離層（I）於氮氣流下以溫度300℃進行10分鐘加熱處理後的、光照射處理中所使用的光的波長下的透光率、例如波長355 nm下的透光率較佳為10%T以下，更佳為5%T以下，進而佳為1%T以下。

因此，分離層（I）可防止光照射處理中所使用的光到達加工對象的對象物，可防止所述對象物的劣化。分離層（I）為因聚合物（A）吸收所述光並分解或變質而產生支撐體與對象物的分離的層，並且亦為阻擋光照射處理中所使用的光的層。

分離層（I）的透光率可如以下般進行測定。形成包含透明的基板及分離層（I）的積層體。對於所述積層體，使用分光光度計，並視需要對所述基板進行基線（baseline）修正而測定所述積層體的透光率（%T），獲得分離層（I）的透光率（%）。

＜聚合物（A）＞聚合物（A）具有式（A1）所示的結構單元（以下亦稱為「結構單元（A1）」）。

式（A1）中，各符號的詳細情況如以下所述。

Ar為縮合多環芳香族環，較佳為縮合多環芳香族烴環。構成縮合多環芳香族環的環數（例：苯核數）較佳為2～5，更佳為2～3，進而佳為2。作為縮合多環芳香族環，可列舉萘環、薁（azulene）環、蒽環、菲環、芘環、屈環、聯三伸苯（triphenylene）環、苝環，就分離層（I）的透光率難以因加熱處理中的熱增大的方面而言，較佳為萘環。

-OR¹ 為鍵結於所述縮合多環芳香族環上的基。R¹ 為氫原子或碳數1～20的烴基。作為碳數1～20的烴基，例如可列舉：甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、第三丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基等碳數1～20的烷基；環戊基、環己基等碳數3～20的環烷基；苯基、萘基等碳數6～18的芳基；炔丙基等碳數2～20的炔基。就與其他層的接著性、或分離層（I）的透光率難以因加工處理中的熱增大的方面而言，R¹ 較佳為氫原子或炔基，更佳為氫原子或炔丙基。-OR¹ 於存在多個的情況下，可彼此相同亦可不同。

R² 為鍵結於所述縮合多環芳香族環上的基。R² 為鹵素原子或碳數1～20的烴基。R² 於存在多個的情況下，可彼此相同亦可不同。 R³ 為氫原子或有機基。R³ 可彼此相同亦可不同。

a為1以上的整數。認為結構單元（A1）中的Ar-OR¹ 部分於例如a為2以上的整數的情況下，受到高溫的加熱處理而形成遮光性高的醌結構。就醌結構形成的方面而言，a較佳為2以上的整數，更佳為2～4的整數，進而佳為2。b為0以上的整數，較佳為0～4的整數，更佳為0～2的整數。例如，於Ar為萘環的情況下，a為1～6的整數，b為0～4的整數，1≦a+b≦6。

作為R² 中的鹵素原子，例如可列舉：氟、氯、碘。作為R² 中的碳數1～20的烴基，例如可列舉：甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、第三丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基等碳數1～20的烷基；環戊基、環己基等碳數3～20的環烷基；苯基、萘基等碳數6～18的芳基。

作為R³ 中的有機基，例如可列舉：烷基、環烷基、芳基、呋喃基、噻吩基。於R³ 中，作為烷基，例如可列舉甲基、乙基、丙基等碳數1～20的烷基，作為環烷基，例如可列舉環戊基、環己基等碳數3～20的環烷基，作為芳基，例如可列舉苯基、萘基、蒽基、茀基、芘基等碳數6～18的芳基。

於所述有機基中，烷基、環烷基及芳基中所含的至少一個氫原子亦可經選自碳數1～20的烷基、碳數3～20的環烷基、碳數6～18的芳基、碳數1～20的烷氧基、羥基、硝基及鹵素原子中的至少一種基取代。例如可列舉：芳基取代烷基、芳基取代環烷基、烷基取代芳基、環烷基取代芳基、芳基取代芳基、烷氧基取代芳基、羥基取代芳基、硝基取代芳基、鹵素原子取代芳基。

於結構單元（A1）中，「鍵結於縮合多環芳香族環的基」亦可鍵結於多個環（例：苯核）的任意環上。另外，（1）於同一結構單元（A1）中存在多個-OR¹ 時，-OR¹ 可鍵結於縮合多環芳香族環所含的同一環上，亦可鍵結於不同的環上；（2）於同一結構單元（A1）中存在多個R² 時，R² 可鍵結於縮合多環芳香族環所含的同一環上，亦可鍵結於不同的環上。

-C(R³ )₂ -為鍵結於縮合多環芳香族環上的二價的基。於-C(R³ )₂ -Ar(OR¹ )_a (R² )_b -C(R³ )₂ -中，-C(R³ )₂ -可鍵結於縮合多環芳香族環所含的同一環上，亦可鍵結於不同的環上。具體而言，於Ar為萘環的情況下，兩個-C(R³ )₂ -可鍵結於萘環所含的同一苯核上（例如，下述1），亦可鍵結於不同的苯核上（例如，下述2）。

作為結構單元（A1）中的-C(R³ )₂ -的鍵結部位，於Ar為萘環的情況下，例如可列舉：1,2位、1,3位、1,4位、1,5位、1,6位、1,7位、1,8位、2,3位、2,4位、2,5位、2,6位、2,7位、2,8位、3,4位、3,5位、3,6位、3,7位、3,8位、4,5位、4,6位、4,7位、4,8位。

結構單元（A1）較佳為式（A2）所表示的結構單元（以下亦稱為「結構單元（A2）」）。該情況下，有分離層（I）對光照射的感度高、且分離層（I）的遮光性優異的傾向。

式（A2）中，Ar、R¹ ～R³ 及b分別與式（A1）中的同一符號為相同含義，a1為2以上的整數，更佳為2～4的整數，進而佳為2。

聚合物（A）100質量%中，結構單元（A1）的含量通常為80質量%以上，較佳為90質量%以上，更佳為99質量%以上。若含量處於所述範圍，則有可獲得對光照射的感度高、且遮光性優異的分離層（I）的傾向。所述含量可利用¹³ C核磁共振（¹³ C Nuclear Magnetic Resonance，¹³ C NMR）進行測定。

聚合物（A）的利用凝膠滲透層析法（Gel Permeation Chromatography，GPC）測定的聚苯乙烯換算的重量平均分子量（Mw）通常為500～30,000，較佳為1,000～15,000，進而佳為1,300～10,000。若Mw處於所述範圍，則可形成膜厚均勻性優異的層（I）。將Mw的測定方法的詳細情況記載於實施例中。

聚合物（A）可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。暫時固定用組成物中所含的固體成分100質量%中，聚合物（A）的含量通常為15質量%以上，較佳為20質量%～100質量%，進而佳為25質量%～100質量%。於一實施形態中，暫時固定用組成物所含的固體成分100質量%中，聚合物（A）的含量例如為40質量%以上、50質量%～100質量%或者60質量%～100質量%。所謂固體成分，是指溶劑以外的所有成分。若聚合物（A）的含量處於所述範圍，則就分離層（I）的接著性、分離性、遮光性及耐熱性的方面而言較佳。

R¹ 為氫原子的聚合物（A）較佳為具有鍵結於縮合多環芳香族環上的-OH的縮合多環芳香族化合物與醛化合物的酚醛清漆樹脂。另外，R¹ 為碳數1～20的烴基的聚合物（A）較佳為藉由利用R¹ X所示的鹵化物（R¹ 表示碳數1～20的烴基，X表示氯原子、溴原子等鹵素原子）對所述酚醛清漆樹脂的-OH進行取代反應而得的取代酚醛清漆樹脂。

所述酚醛清漆樹脂例如可藉由於酸性觸媒的存在下使所述縮合多環芳香族化合物與所述醛化合物加成縮合而得。作為反應條件，於溶劑中，使所述縮合多環芳香族化合物與所述醛化合物於通常為40℃～200℃下反應0.5小時～10小時左右。作為所述縮合多環芳香族化合物，例如可列舉式（a1）所示的化合物。

式（a1）中，Ar'為與式（A1）中的Ar對應的縮合多環芳香族環，-OH及R² 為鍵結於所述縮合多環芳香族環上的基，R² 、a及b與式（A1）中的同一符號為相同含義。

作為縮合多環芳香族化合物，例如可列舉式（a1）中，Ar'為萘環的萘衍生物，具體而言可列舉：1,3-二羥基萘、2,3-二羥基萘、2,4-二羥基萘、2,5-二羥基萘、2,6-二羥基萘、2,7-二羥基萘、2,8-二羥基萘、3-甲基-2,6-二羥基萘等二羥基萘；α-萘酚、β-萘酚等單羥基萘。

縮合多環芳香族化合物可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。作為所述醛化合物，例如可列舉：式（a2）所示的化合物、式（a3）所示的化合物、式（a4）所示的化合物。

式（a2）～式（a4）中，R³¹ 及R³² 與式（A1）中的R³ 為相同含義；式（a3）中，n1為2以上的整數，例如2～12的整數；式（a4）中，n2為2以上的整數，例如2～12的整數。

作為所述醛化合物，例如可列舉：甲醛、多聚甲醛、三噁烷等R³¹ =R³² =氫的化合物；乙醛、丙醛等R³¹ =氫且R³² =烷基的化合物；苯甲醛、萘甲醛、蒽甲醛、茀甲醛、芘甲醛等R³¹ =氫且R³² =芳基的化合物；苯乙醛、萘乙醛、苯丙醛等R³¹ =氫且R³² =芳基取代烷基的化合物；甲基苯甲醛、乙基苯甲醛、丁基苯甲醛等R³¹ =氫且R³² =烷基取代芳基的化合物；環戊基苯甲醛、環己基苯甲醛等R³¹ =氫且R³² =環烷基取代芳基的化合物；苯基苯甲醛等R³¹ =氫且R³² =芳基取代芳基的化合物；甲氧基苯甲醛、甲氧基萘甲醛、二甲氧基萘甲醛等R³¹ =氫且R³² =烷氧基取代芳基的化合物；羥基苯甲醛、羥基萘甲醛等R³¹ =氫且R³² =羥基取代芳基的化合物；硝基苯甲醛等R³¹ =氫且R³² =硝基取代芳基的化合物；氯苯甲醛等R³¹ =氫且R³² =鹵素原子取代芳基的化合物；糠醛（furfuraldehyde）、噻吩甲醛。

作為所述酸性觸媒，例如可列舉：鹽酸、硝酸、硫酸、甲酸、乙二酸、乙酸、甲磺酸、樟腦磺酸、對甲苯磺酸（tosic acid）、三氟甲磺酸。相對於縮合多環芳香族化合物1莫耳，酸性觸媒的使用量通常為0.01莫耳～10莫耳。

於所述加成縮合中，相對於縮合多環芳香族化合物1莫耳，醛化合物的使用量通常為1莫耳以上。於醛化合物為式（a3）所示的化合物或式（a4）所示的化合物的情況下，所述使用量為以式（a2）所示的化合物換算的量。

所述取代酚醛清漆樹脂可如通常的方法（例如，日本專利特表2003-533502號公報）中記載般，藉由於鹼性觸媒的存在下使所述酚醛清漆樹脂與所述鹵化物反應而得。

作為所述鹵化物，例如可列舉：氯甲烷、氯乙烷、溴乙烷、氯代環戊烷、溴代環戊烷、氯苯、溴苯、氯丙炔、及溴丙炔。作為所述鹼性觸媒，例如可列舉：胺類、金屬氫氧化物、金屬碳酸鹽、及金屬醇鹽。

＜其他光吸收劑＞暫時固定用組成物、進而分離層（I）除了聚合物（A）以外，亦可含有其他光吸收劑。其他吸收劑例如具有以下的（a）、（b）的任一者或兩者的功能：（a）吸收步驟（3）的光照射處理中所使用的光，於分離層（I）中產生構成成分的分解·變質等；（b）吸收對積層體中的各要素進行配置·積層時的、用於分離層（I）的檢測或各要素的對準的計測光（通常為600 nm～900 nm的波長的光）。作為其他光吸收劑，例如可列舉：苯并三唑系光吸收劑、羥基苯基三嗪系光吸收劑、二苯甲酮系光吸收劑、水楊酸系光吸收劑、感放射線性自由基聚合起始劑、及光感應性酸產生劑等有機系光吸收劑；酚化合物與醛化合物的反應產物；C.I.顏料黑（C.I. pigment black）7、C.I.顏料黑31、C.I.顏料黑32、及C.I.顏料黑35等黑色顏料，C.I.顏料藍（C.I. pigment blue）15：3、C.I.顏料藍15：4、C.I.顏料藍15：6、C.I.顏料綠（C.I. pigment green）7、C.I.顏料綠36、C.I.顏料綠58、C.I.顏料黃（C.I. pigment yellow）139、C.I.顏料紅（C.I. pigment red）242、C.I.顏料紅245、及C.I.顏料紅254等非黑色顏料，C.I.還原藍（C.I. vat blue）4、C.I.酸性藍（C.I. acid blue）40、C.I.直接綠（C.I. direct green）28、C.I.直接綠59、C.I.酸性黃（C.I. acid yellow）11、C.I.直接黃（C.I. direct yellow）12、C.I.活性黃（C.I. reactive yellow）2、C.I.酸性紅（C.I. acid red）37、C.I.酸性紅180、C.I.酸性藍29、C.I.直接紅（C.I. direct red）28及C.I.直接紅83等染料。

其他光吸收劑可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。只要於分離層（I）中聚合物（A）吸收光照射處理中所使用的光並分解或變質，則其他光吸收劑的含量並無特別限定，相對於聚合物（A）100質量份，較佳為20質量份以下。另外，於一實施方式中，相對於聚合物（A）100質量份，其他光吸收劑的含量通常為20質量份～400質量份，較佳為50質量份～300質量份。例如，藉由於此種範圍內使用所述吸收計測光的其他光吸收劑，可良好地進行積層體中的各要素的對準。

＜其他成分＞暫時固定用組成物視需要亦可含有選自石油樹脂及萜烯系樹脂等黏著賦予樹脂、抗氧化劑、聚合抑制劑、密接助劑、界面活性劑、聚苯乙烯交聯粒子、交聯劑以及氧化鋁、氧化鋯、氧化鈦及氧化矽等金屬氧化物粒子中的一種或兩種以上。

[接著劑層（II）] 接著劑層（II）可使用用以暫時固定對象物的公知的接著劑而形成。於依照支撐體、分離層（I）、接著劑層（II）及對象物的順序而具有所述各層的積層體的情況下，接著劑層（II）將對象物暫時固定於支撐體上且覆蓋對象物的表面並加以保護。

作為接著劑，例如可列舉熱塑性樹脂系、彈性體系、或者熱硬化性樹脂系的接著劑，亦可為選自該些中的兩種以上的混合系。接著劑可為溶劑型、乳膠型或熱熔型的任一種。

＜熱塑性樹脂＞作為熱塑性樹脂，例如可列舉：環烯烴系聚合物、萜烯系樹脂、石油樹脂、酚醛清漆樹脂、(甲基)丙烯酸樹脂、聚烯烴、聚氯乙烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、苯氧基樹脂、熱塑性聚醯亞胺樹脂及熱塑性聚苯并噁唑樹脂。該些中，較佳為環烯烴系聚合物。

作為環烯烴系聚合物，例如可列舉：環狀烯烴系化合物與非環狀烯烴系化合物的加成共聚物、一種或兩種以上的環狀烯烴系化合物的開環移位聚合物、使所述開環移位聚合物氫化而得的聚合物。

作為環狀烯烴系化合物，例如可列舉：降冰片烯系烯烴、四環十二烯系烯烴、二環戊二烯系烯烴、及該些的衍生物。作為所述衍生物，例如可列舉具有選自烷基、亞烷基、芳烷基、環烷基、羥基、烷氧基、乙醯基、氰基、醯胺基、醯亞胺基、矽烷基、芳香環、醚鍵、及酯鍵中的一種或兩種以上的取代衍生物。

作為非環狀烯烴系化合物，例如可列舉碳數2～20、較佳為2～10的直鏈狀或分支鏈狀的烯烴，更佳為乙烯、丙烯、丁烯，特佳為乙烯。

環烯烴系聚合物的利用GPC法的聚苯乙烯換算的重量平均分子量（Mw）通常為10,000～100,000，較佳為30,000～100,000。

作為萜烯系樹脂，例如可列舉：萜烯樹脂、氫化萜烯樹脂、萜烯苯酚樹脂、氫化萜烯苯酚樹脂、芳香族改質萜烯樹脂、芳香族改質氫化萜烯樹脂。萜烯系樹脂的利用GPC法測定的聚苯乙烯換算的重量平均分子量（Mw）通常為50,000以下，較佳為500～10,000。

作為石油樹脂，例如可列舉：C5系石油樹脂、C9系石油樹脂、C5系/C9系混合石油樹脂、環戊二烯系樹脂、乙烯基取代芳香族化合物的聚合物、烯烴與乙烯基取代芳香族化合物的共聚物、環戊二烯系化合物與乙烯基取代芳香族化合物的共聚物、該些的氫化物、及選自該些中的兩種以上的混合物。石油樹脂的利用GPC法測定的聚苯乙烯換算的重量平均分子量（Mw）通常為20,000以下，較佳為100～20,000。

酚醛清漆樹脂例如可藉由於乙二酸等酸性觸媒的存在下使酚化合物與醛化合物加成縮合而得。作為酚醛清漆樹脂的較佳地具體例，可列舉：苯酚/甲醛縮合酚醛清漆樹脂、甲酚/甲醛縮合酚醛清漆樹脂、苯酚-萘酚/甲醛縮合酚醛清漆樹脂。酚醛清漆樹脂的利用GPC法測定的聚苯乙烯換算的重量平均分子量（Mw）通常為2,000以上，較佳為2,000～20,000。

熱塑性樹脂可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。就耐熱性的觀點而言，接著劑層（II）較佳為含有環烯烴系聚合物。另外，接著劑層（II）較佳為含有選自環烯烴系聚合物、萜烯系樹脂及石油樹脂中的至少一種成分。此種層對感光蝕刻加工中所使用的化學液、例如極性高的有機溶劑或水系的化學液具有高的耐性。因此，於對對象物進行加工及/或移動時，可防止因化學液而導致接著劑層（II）劣化，對象物自支撐體偏離移動的不良情況。

＜彈性體＞作為彈性體，例如可列舉：丙烯酸橡膠、腈橡膠、胺基甲酸酯橡膠、苯乙烯丁二烯橡膠。該些可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。

＜熱硬化性樹脂＞作為熱硬化性樹脂，例如可列舉：環氧樹脂、可溶酚醛樹脂、脲樹脂、三聚氰胺樹脂、不飽和聚酯樹脂、二烯丙基鄰苯二甲酸酯樹脂、胺基甲酸酯樹脂、矽酮樹脂、含(甲基)丙烯醯基的樹脂、熱硬化性聚醯亞胺樹脂、熱硬化性聚苯并噁唑樹脂。該些可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。

＜其他成分＞接著劑視需要亦可含有選自抗氧化劑、聚合抑制劑、密接助劑、界面活性劑、聚苯乙烯交聯粒子、以及氧化鋁、氧化鋯、氧化鈦及氧化矽等金屬氧化物粒子中的一種或兩種以上。

＜暫時固定用組成物及接著劑的製造＞暫時固定用組成物及接著劑視需要可藉由使用樹脂組成物的加工中使用的公知的裝置、例如雙軸擠出機、單軸擠出機、連續捏合機、輥混煉機、加壓捏合機、班布里混合機（Banbury mixer）將各成分混合來製造。另外，為了去除雜質，亦可適宜進行過濾。

於暫時固定用組成物及接著劑的製造中，為了將該些的黏度設定為適於塗佈的範圍，亦可使用溶劑。作為溶劑，例如可列舉：二甲基亞碸、二乙基亞碸等亞碸溶劑；3-甲氧基-N,N-二甲基丙醯胺、3-丁氧基-N,N-二甲基丙醯胺、3-己氧基-N,N-二甲基丙醯胺、N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二乙基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、N,N-二乙基乙醯胺等醯胺溶劑；六甲基磷醯胺等磷醯胺溶劑；N-甲基-2-吡咯啶酮、N-乙烯基-2-吡咯啶酮、N-戊基-2-吡咯啶酮、N-(甲氧基丙基)-2-吡咯啶酮、N-(第三丁基)-2-吡咯啶酮、N-環己基-2-吡咯啶酮等吡咯啶酮溶劑；2-庚酮、3-庚酮、4-庚酮、甲基異丁基酮、環戊酮、環己酮等酮溶劑；苯甲醚、丙二醇單甲醚、二丙二醇甲醚、二乙二醇單乙醚、二甘二甲醚（diglyme）等醇/醚溶劑；乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙酸異丁酯、乳酸乙酯、3-乙氧基丙酸乙酯、丙二醇單甲醚乙酸酯、二乙二醇單乙醚乙酸酯、甲氧基丙基乙酸酯、碳酸伸乙酯、碳酸伸丙酯、γ-丁內酯等酯/內酯溶劑；二甲苯、檸檬烯、均三甲苯、二戊烯、蒎烯（pinene）、雙環己基、環十二烯、1-第三丁基-3,5-二甲基苯、丁基環己烷、環辛烷、環庚烷、環己烷、甲基環己烷等烴溶劑。

溶劑可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。藉由暫時固定用組成物及接著劑含有溶劑，而容易調整該些的黏度，因此容易將暫時固定材形成於對象物或支撐體上。例如，溶劑可以暫時固定用組成物及接著劑的固體成分濃度分別獨立地成為通常為5質量%～70質量%、更佳為15質量%～50質量%的範圍使用。此處，所謂「固體成分濃度」是指溶劑以外的所有成分的合計濃度。

2.對象物的處理方法本發明的對象物的處理方法包括：（1）形成所述積層體的步驟；（2）對所述對象物進行加工，及/或使所述積層體移動的步驟；（3）自所述支撐體側對所述分離層（I）照射光的步驟；以及（4）將所述支撐體與所述對象物分離的步驟。以下，亦將所述各步驟分別稱為步驟（1）～步驟（4）。

＜2-1.步驟（1）＞步驟（1）中，例如（1-1）於支撐體及/或對象物的表面上形成所述暫時固定材，並經由所述暫時固定材使對象物與支撐體貼合，藉此可將對象物暫時固定於支撐體上。另外，（1-2）於支撐體的表面上形成所述暫時固定材，並於所述暫時固定材上形成樹脂塗膜、配線層等對象物，藉此可將對象物暫時固定於支撐體上。對象物視需要亦可經表面處理。

作為所述暫時固定材的形成方法，例如可列舉：（α）將暫時固定材所具有的各層直接形成於支撐體上及/或對象物上的方法；（β）於實施了脫模處理的聚對苯二甲酸乙二酯膜等膜上使用暫時固定用組成物或接著劑以一定膜厚成膜後，藉由層壓方式將各層轉印至支撐體及/或對象物上的方法。就膜厚均勻性的方面而言，較佳為所述（α）方法。

作為形成暫時固定材所具有的各層的暫時固定用組成物及接著劑的塗佈方法，例如可列舉旋塗法、噴墨法等。旋塗法中，例如可列舉於旋轉速度為300 rpm～3,500 rpm、較佳為500 rpm～1,500 rpm、加速度為500 rpm/秒～15,000 rpm/秒、旋轉時間為30秒～300秒的條件下旋塗所述組成物的方法。

於塗佈暫時固定用組成物並形成塗膜後，例如進行加熱，使溶劑蒸發，藉此形成分離層（I）。加熱的條件可根據溶劑的沸點而適宜決定，例如加熱溫度通常為100℃～350℃，加熱時間通常為1分鐘～60分鐘。

於塗佈接著劑並形成塗膜後，例如進行加熱，使溶劑蒸發，藉此形成接著劑層（II）。如上所述，暫時固定材亦可不具有接著劑層（II）。加熱的條件可根據溶劑的沸點而適宜決定，例如加熱溫度通常為100℃～300℃，加熱時間通常為1分鐘～60分鐘。所述塗膜的加熱視需要可以多階段進行。

於所述（α）方法中，作為使對象物與支撐體貼合的方法，於依照支撐體、分離層（I）、接著劑層（II）及對象物的順序而具有所述各要素的積層體的情況下，可列舉以下方法。例如可列舉：方法1，於對象物面上形成層（II）並於支撐體面上形成層（I），使該些以層（I）及層（II）接觸的方式貼合；方法2，於對象物面上依次形成層（II）及層（I）並於層（I）上貼合支撐體；方法3，於支撐體面上依次形成層（I）及層（II）並於層（II）上貼合對象物。此時的溫度可根據暫時固定用組成物及接著劑的含有成分、塗佈方法等而適宜選擇。該些中，就避免各層的形成中層（I）及層（II）混合的觀點而言，較佳為所述方法1。

關於對象物與支撐體的壓接條件，例如只要藉由以較佳為室溫以上且400℃以下、更佳為150℃～400℃的溫度以1分鐘～20分鐘於各層的積層方向上施加0.01 MPa～100 MPa的壓力來進行即可。壓接後，進而亦可以150℃～300℃的溫度進行10分鐘～3小時加熱處理。如此，經由暫時固定材將對象物牢固的保持於支撐體上。

分離層（I）中，聚合物（A）的含量通常為15質量%以上，較佳為20質量%～100質量%，進而佳為25質量%～100質量%。於一實施形態中，分離層（I）中，聚合物（A）的含量例如為40質量%以上、50質量%～100質量%或60質量%～100質量%。若聚合物（A）的含量處於所述範圍，則就分離層（I）的接著性、分離性、遮光性及耐熱性的方面而言較佳。

作為加工（移動）對象的所述處理對象物例如可列舉：半導體晶圓、半導體晶片、玻璃基板、樹脂基板、金屬基板、金屬箔、研磨墊、樹脂塗膜、配線層。亦可於半導體晶圓及半導體晶片上形成選自凸塊、配線、通孔（through hole）、通孔通路（through hole via）、絕緣膜及各種元件中的至少一種。亦可於所述基板上形成或搭載各種元件。作為樹脂塗膜，例如可列舉含有有機成分作為主成分的層；具體而言可列舉：由感光性材料形成的感光性樹脂層、由絕緣性材料形成的絕緣性樹脂層、由感光性絕緣樹脂材料形成的感光性絕緣樹脂層。

作為支撐體，為了利用步驟（3）自支撐體側進行光照射而使分離層（I）變質，較佳為對於光照射中所使用的光透明的基板，例如可列舉玻璃基板、石英基板及透明樹脂製基板。

以下，對至少具有配線層的處理對象物進行說明。於該製程中，於支撐體上形成暫時固定材，並將至少具有配線層的處理對象物作為例如獨立於半導體晶圓或晶片的層而先形成於暫時固定材上，繼而，於後述的步驟（2）中，將於晶圓基板上形成有多個半導體元件的半導體晶圓或半導體晶片配置於所述配線層上。所述配線層藉由與半導體晶圓或晶片電性連接而作為半導體晶圓或晶片的再配線層發揮功能。本發明亦可應用於此種扇出型晶圓級封裝（Fan-Out Wafer Level Package，FP-WLP）技術中的第一再分配層（RDL（Redistribution Layer）-First）結構中。

配線層例如具有絕緣部、配線部、可連接於半導體晶圓或晶片的電極的連接用導體部。將半導體晶圓或晶片配置於配線層上，並藉由焊料、各向異性導電性糊、各向異性導電性膜等黏接材料將配線層的連接用導體部與半導體晶圓或晶片的電極電性連接。於半導體晶圓或晶片與配線層之間產生間隙的情況下，亦可填充底部填充劑材料。

配線層中的內部結構並無特別限定。作為配線部及連接用導體部的材料，例如可列舉：銅、金、銀、鉑、鉛、錫、鎳、鈷、銦、銠、鉻、鎢、釕等金屬，以及包含該些的兩種以上的合金。作為絕緣部的材料，例如可列舉：聚醯亞胺樹脂、丙烯酸樹脂、聚醚腈樹脂、聚醚碸樹脂、環氧樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯樹脂、聚萘二甲酸乙二酯樹脂、聚氯乙烯樹脂等公知的合成樹脂。配線層的厚度通常為1 μm～1,000 μm。

繼而，例如於步驟（2）中對半導體晶圓或晶片進行樹脂密封，於步驟（4）中將暫時固定材與配線層分離，藉此可獲得具有半導體晶圓或晶片與配線層（即再配線層）的半導體裝置。

於在對象物上形成暫時固定材時，為了使暫時固定材的面內的擴展均勻，亦可對對象物面（例如電路面）預先實施表面處理。作為表面處理的方法，例如可列舉於對象物面上預先塗佈表面處理劑的方法。作為所述表面處理劑，例如可列舉矽烷偶合劑等偶合劑。

再者，暫時固定材上的對象物的配置、或者所述配線層形成製程中的配線層上的半導體晶圓或晶片的配置亦可於基於使用計測光所得的各要素的位置資訊進行對位後進行。

就抑制處理對象物的變質的觀點而言，計測光較佳為波長600 nm～900 nm的光，計測光特佳為包含波長633 nm、波長670 nm或波長830 nm的光。作為計測光的光源，例如可較佳地使用可見半導體雷射、發光二極體。

對位例如可如以下般進行。使用含有吸收計測光的其他光吸收劑的層作為分離層（I）。此處，照射計測光，於分離層（I）吸收所述計測光時觀測該計測光的強度降低，根據該強度降低獲得分離層（I）的位置資訊。計測光的照射·觀測中所使用的光感測器的設置位置並無特別限定。根據所得的位置資訊進行暫時固定材及對象物的對位、或者配線層及半導體晶圓或晶片的對位。

作為發光部的光源，例如可列舉可見半導體雷射、發光二極體，作為受光部，例如可列舉：光二極體或光電晶體等光感測器；電荷耦合器件（Charge Coupled Device，CCD）影像感測器或互補金屬氧化物半導體（Complementary Metal Oxide Semiconductor，CMOS）影像感測器等影像感測器。作為使各構成要素移動的機構，例如可列舉機械臂。

＜2-2.步驟（2）＞步驟（2）為對暫時固定於支撐體上的對象物進行加工、及/或使所得的積層體移動的步驟。移動步驟為使半導體晶圓等對象物自某裝置向其他裝置與支撐體一同移動的步驟。作為暫時固定於支撐體上的對象物的加工處理，例如可列舉：切割、背面研磨等對象物的薄膜化、感光蝕刻加工、半導體晶片的積層、各種元件的搭載、樹脂密封。感光蝕刻加工例如包含選自抗蝕劑圖案的形成、蝕刻加工、濺鍍膜的形成、鍍敷處理及鍍敷回焊處理中的一種以上的處理。蝕刻加工及濺鍍膜的形成例如是於25℃～300℃左右的溫度範圍內進行，鍍敷處理及鍍敷回焊處理例如是於225℃～300℃左右的溫度範圍內進行。對象物的加工處理只要是於暫時固定材的保持力不會消失的溫度下進行，則並無特別限定。

例如，於所述RDL-First中，利用步驟（1）將至少具有配線層的處理對象物形成於暫時固定材上，利用步驟（2）將選自半導體晶圓及半導體晶片中的至少一種配置於所述配線層上，繼而，將配線層與半導體晶圓或晶片電性連接。繼而，視需要進行半導體晶圓或晶片的樹脂密封。

＜2-3.步驟（3）＞於對象物的加工處理或積層體的移動後，對暫時固定材所具有的分離層（I）自支撐體側照射光。藉由光照射，作為分離層（I）的含有成分的聚合物（A）吸收光，分離層（I）的強度及接著力降低。因此，只要於對於分離層（I）的光照射後，則並不特別需要暫時固定材的加熱處理便可將支撐體與對象物容易地分離。

光照射較佳為使用紫外線，例如可採用波長10 nm～400 nm的紫外線，特佳為波長300 nm～400 nm的紫外線。作為照射光的光源，例如可列舉：低壓水銀燈、高壓水銀燈、超高壓水銀燈、雷射。

該些中，較佳為雷射。較佳為自支撐體側一面掃描雷射一面對分離層（I）的整面進行照射，更佳為使焦點集中於分離層（I）而照射雷射。掃描方法並無特別限定，例如可列舉：於分離層（I）的XY平面中，於X軸方向上以線狀照射雷射，於Y軸方向上使照射部依次移動而對整面進行照射的方法；或以角周狀照射雷射，使照射部自中心部向周緣部依次移動至外側或使照射部自周緣部向中心部依次移動至內側而對整面進行照射的方法。

雷射例如可列舉固體雷射（例：使用光激發半導體雷射的全固體雷射、釔鋁石榴石（Yttrium Aluminum Garnet，YAG）雷射）、液體雷射（例：色素雷射）、氣體雷射（例：準分子雷射）。該些中，較佳為使用光激發半導體雷射的全固體雷射（波長：355 nm）、YAG雷射（波長：355 nm）及準分子雷射。

作為準分子雷射，例如可列舉：F₂ 準分子雷射（波長：157 nm）、ArF準分子雷射（波長：193 nm）、KrF準分子雷射（波長：248 nm）、XeCl準分子雷射（波長：308 nm）、XeF準分子雷射（波長：351 nm）。光照射的條件視光源等的種類而不同，於使用光激發半導體雷射的全固體雷射及YAG雷射的情況下，通常為1 mW～100 W，累計光量通常為1.4×10^-7 mJ/cm² ～1.4×10⁷ mJ/cm² 。

＜2-4.步驟（4）＞於步驟（4）中，對對象物或支撐體施加力，藉此自所述支撐體剝離所述對象物等，使兩者分離。再者，較佳為於結束步驟（3）的光照射後進行步驟（4）的分離，但亦可一面進行步驟（3）的光照射，一面進行步驟（4）的分離。

作為分離方法，例如可列舉：於相對於對象物面平行的方向上對對象物或支撐體施加力而使兩者分離的方法；將對象物或支撐體的一者固定，並自相對於對象物面平行的方向以一定角度掀起另一者，藉此使兩者分離的方法。

前者的方法中，可列舉如下方法：於相對於支撐體的表面使對象物於水平方向上滑動的同時，對支撐體施加與固定支撐體或施加至所述對象物的力相抗衡的力，藉此將支撐體與對象物分離。

後者的方法中，較佳為於相對於對象物面大致垂直的方向上施加力而將支撐體與對象物分離。所謂「於相對於對象物面大致垂直的方向施加力」是指相對於垂直於對象物面的軸即z軸，於通常為0°～60°的範圍、較佳為0°～45°的範圍、更佳為0°～30°的範圍、進而佳為0°～5°的範圍、特佳為0°即垂直於對象物面的方向上施加力。作為分離方式，例如可以將對象物或支撐體的周緣掀起且於相對於對象物面大致垂直的方向上施加力，並且自所述周緣向中心依次進行剝離的方法（鉤拉方式）來進行。

所述分離可以通常為5℃～100℃、較佳為10℃～45℃、進而佳為15℃～30℃的溫度進行。此處的溫度是指支撐體的溫度。另外，於進行分離時，為了防止對象物的破損，亦可於對象物中的和與支撐體的暫時固著面相反的一側的面貼附增強帶、例如市售的切割帶。

本發明中，如上所述，暫時固定材具有分離層（I），且主要於分離層（I）中產生對象物與支撐體的分離。於對象物具有凸塊的情況下，可於分離步驟時防止凸塊的破損。

再者，於將支撐體與對象物分離後，有暫時固定材殘存於對象物上的情況。分離步驟後殘存於對象物上的暫時固定材可藉由剝離處理而去除，另外，亦可利用溶劑進行清洗而去除。

暫時固定材的剝離較佳為可使用黏著帶，所述黏著帶可於與暫時固定材之間形成高於對象物與暫時固定材的接著力的接著力。將黏著帶積層於暫時固定材上並將黏著帶與暫時固定材一同剝離，藉此可去除暫時固定材。

作為清洗方法，例如可列舉將對象物浸漬於溶劑中的方法、對對象物噴霧溶劑的方法、一面將對象物浸漬於溶劑中一面施加超音波的方法。溶劑的溫度並無特別限定，較佳為20℃～80℃，更佳為20℃～50℃。作為清洗中可使用的溶劑，可例示暫時固定用組成物及接著劑的製造一欄中所說明的溶劑。如上所述，可將支撐體與對象物分離。對於分離後的對象物，亦可進行進一步的加工處理。例如，於所述RDL-First中，亦可進行配線層上的凸塊的形成、利用切割的對每個封裝的切出等。

3.半導體裝置及其製造方法本發明的半導體裝置可藉由利用本發明的對象物的處理方法對對象物進行加工而製造。於自支撐體分離對對象物進行加工而得的半導體裝置（例：半導體元件）後，所述暫時固定材可藉由剝離處理或溶劑處理而容易地去除。因此，本發明的半導體裝置中，因分離時的光照射引起的劣化小，另外，因暫時固定材引起的污點及焦斑等污染減少。 [實施例]

以下，基於實施例進而對本發明進行具體說明，但本發明並不限定於該些實施例。於以下的實施例等的記載中，只要未特別提及，則「份」是以「質量份」的含義使用。

聚合物及樹脂的平均分子量（Mw、Mn）是使用東曹（Tosoh）（股）製造的GPC管柱（2根G2000HXL、1根G3000HXL、1根G4000HXL）且以聚苯乙烯換算計並使用測定裝置「HLC-8220-GPC」（東曹（Tosoh）（股）製造）進行測定。

1.暫時固定用組成物及接著劑的製造 [合成例1]聚合物（A1）的合成於具備冷凝器（condenser）、溫度計及攪拌裝置的反應裝置中，投入2,6-二羥基萘100份、丙二醇單甲醚乙酸酯100份、及多聚甲醛50份（以甲醛換算），添加乙二酸2份，一面進行脫水一面於120℃下加熱5小時。

於反應溶液中添加水並進行攪拌。於回收沈澱物後，利用水進行清洗，並於50℃乾燥17小時，獲得2,6-二羥基萘/甲醛縮合物（聚合物（A1））。聚合物（A1）的Mw為1,550。

[合成例2]聚合物（A2）的合成於具備溫度計的可分離式燒瓶中，投入所述聚合物（A1）10份、溴丙炔13份、三乙胺10份、四氫呋喃40份，一面攪拌一面於50℃反應12小時。反應結束後，藉由水浴冷卻將反應溶液冷卻至30℃以下。冷卻後，將該反應溶液投入至大量的正庚烷中。其後，利用傾析（decantation）法將析出的固體分離並藉由大量的正庚烷進行清洗。繼而，使固體溶解於甲基異丁基酮中，以1質量%的乙二酸及純水進行清洗，去除殘存的三乙胺。其後，於50℃下對有機層乾燥17小時，獲得聚合物（A2）。聚合物（A2）的Mw為5,300，炔丙基的導入率是藉由¹³ C NMR測定，結果若將聚合物（A1）的羥基設為100莫耳%，則為95莫耳%。

[實施例1A～實施例9A、比較例1A～比較例4A] 暫時固定用組成物（I-1）～暫時固定用組成物（I-13）的製造以表1所示的調配量混合表1所示的成分，製造暫時固定用組成物（I-1）～暫時固定用組成物（I-13）。表1中的各成分的詳細情況如後所述。

[表1] 表1 各成分的數值表示調配量（質量份）。

聚合物 A1：所述聚合物（A1） A2：所述聚合物（A2） A3：包含間甲酚/對甲酚=60/40（莫耳比）的甲酚酚醛清漆樹脂（Mw=6,500） A4：聚醯胺酸（商品名「尤皮亞（UPIA）-AT」、宇部興產（股）製造） A5：環烯烴系聚合物（商品名「亞頓（ARTON）RX4500」、JSR（股）製造）光吸收劑 B1：4,4'-雙(二乙基胺基)二苯甲酮 B2：2-[2-羥基-3-(4,5,6,7-四氫-1,3-二氧代-1H-異吲哚-2-基甲基)-5-甲基苯基]-2H-苯并三唑 B3：溶劑藍（Solvent Blue）70 B4：藍顏料分散液（顏料濃度為55質量%且含有顏料（pigment）編號B15：6的甲氧基丙基乙酸酯分散液） B5：綠顏料分散液（顏料濃度為55質量%且含有顏料（pigment）編號G58的甲氧基丙基乙酸酯分散液）溶劑 C1：環己酮 C2：甲氧基丙基乙酸酯 C3：N-甲基-2-吡咯啶酮 C4：均三甲苯其他 D1：氟系界面活性劑（「福傑特（Ftergent）FTX-218」、尼歐斯（NEOS）（股）製造） D2：交聯劑（4-(1-{4-[1,1-雙(4-羥基苯基)乙基]苯基}-1-甲基乙基)苯酚與甲醛的反應產物）

[製造例1]接著劑（II-1）的製造將80份的環烯烴系聚合物（商品名「亞頓（ARTON）RX4500」、JSR（股）製造）、20份的氫化萜烯樹脂（商品名「庫賴隆（CLEARON）P150」、安原化學（Yasuhara Chemical）（股）製造）、20份的液狀苯乙烯丁二烯橡膠（商品名「L-SBR-820」、可樂麗（Kurary）（股）製造）、3份的受阻酚系抗氧化劑（商品名「易璐諾斯（IRGANOX）1010」、巴斯夫（BASF）公司製造）、以及367份的均三甲苯混合，藉此製造接著劑（II-1）。

2.透過率的測定於6英吋的玻璃晶圓上旋塗暫時固定用組成物（I-1），其後，於實施例1A中，使用加熱板於180℃下加熱1分鐘後，進而於300℃下加熱2分鐘，獲得厚度為0.5 μm的均勻的層（I-1）。於其他實施例及比較例中亦進行暫時固定用組成物（I-2）～暫時固定用組成物（I-13）的旋塗及2階段（step）的加熱條件下的加熱，獲得厚度為0.5 μm的均勻的層（I-2）～層（I-13）。將2階段的加熱條件示於表2中。對於所得的層（I-1）～層（I-13），使用紫外可見近紅外分光光度計（日本分光（JASCO），V-7000）測定波長355 nm及波長670 nm下的透過率（初始透過率）。

於氮氣流下，以300℃利用烘箱對具有層（I-1）～層（I-13）的玻璃晶圓加熱10分鐘。對於加熱後的層（I-1）～層（I-13），使用紫外可見近紅外分光光度計（日本分光（JASCO），V-7000）測定波長355 nm及波長670 nm下的透過率（加熱後透過率）。將其結果示於表2中。

[表2] 表2

3.積層體的製造及其評價 [實施例1B～實施例9B] 於4英吋的玻璃晶圓（基板1）上旋塗暫時固定用組成物（I-1）～暫時固定用組成物（I-9），其後，使用加熱板於表3中記載的成膜條件下進行加熱，獲得具有厚度為10 μm的均勻的分離層（I-1）～分離層（I-9）的基板1。另外，於4英吋的矽晶圓（基板2）上旋塗接著劑（II-1），其後，使用加熱板於160℃下加熱5分鐘後，進而於230℃下加熱10分鐘，製作具有厚度為3 μm的均勻的接著劑層（II-1）的基板2。

將所述基板1及所述基板2分別切斷為縱1 cm、橫1 cm後，以分離層（I）與接著劑層（II）接觸的方式進行貼合，使用黏晶裝置，於350℃下施加5分鐘15 MPa的壓力，獲得基板1與基板2經由暫時固定材積層而成的積層體。

利用全固體高輸出雷射裝置（商品名「Genesis CX 355 STM Compact」、日本科黑倫特（Coherent Japan）（股）製造）以輸出100 mW、累計光量2.08×10^-4 mJ/cm² 自基板1側對所得的試驗用積層體照射UV雷射（波長355 nm）。對光照射後的試驗用積層體使用萬能黏結強度測試機（商品名「達格（Dage）4000」、達格（Dage）公司製造）以鉤拉方式於相對於基板1面垂直的軸（z軸）方向施加力（500 μm/秒的速度、23℃），於層（I）與層（II）的界面進行剝離。將該剝離時的剝離強度為40 N/m² 以下的情況評價為可良好的進行剝離。將評價結果示於表3中。

[表3] 表3

1‧‧‧積層體 10‧‧‧支撐體 20‧‧‧暫時固定材 21‧‧‧接著劑層（II） 22‧‧‧分離層（I） 30‧‧‧對象物

圖1為本發明中所形成的積層體的一實施形態的剖面圖。

1‧‧‧積層體

10‧‧‧支撐體

20‧‧‧暫時固定材

21‧‧‧接著劑層(II)

22‧‧‧分離層(I)

30‧‧‧對象物

Claims

一種對象物的處理方法，包括：（1）形成積層體的步驟，所述積層體具有支撐體、暫時固定材以及處理對象物，此處，所述暫時固定材包含層（I），且所述對象物保持於所述暫時固定材上，所述層（I）含有具有下述式（A1）所示的結構單元的聚合物（A）；（2）對所述對象物進行加工、及/或使所述積層體移動的步驟；（3）自所述支撐體側對所述層（I）照射光的步驟；以及（4）將所述支撐體與所述對象物分離的步驟，[式（A1）中， Ar為縮合多環芳香族環； -OR¹ 為鍵結於所述縮合多環芳香族環上的基，R¹ 為氫原子或碳數1～20的烴基，-OR¹ 於存在多個的情況下，可彼此相同亦可不同； R² 為鍵結於所述縮合多環芳香族環上的基，為鹵素原子或碳數1～20的烴基，R² 於存在多個的情況下，可彼此相同亦可不同； R³ 為氫原子或有機基，R³ 可彼此相同亦可不同； a為1以上的整數，b為0以上的整數]。
如申請專利範圍第1項所述的對象物的處理方法，其中所述暫時固定材進而包含接著劑層（II）。
如申請專利範圍第2項所述的對象物的處理方法，其中所述積層體依照所述支撐體、所述層（I）、所述接著劑層（II）及所述處理對象物的順序而具有所述各要素。
如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的對象物的處理方法，其中於所述步驟（1）中，於所述暫時固定材上形成至少具有配線層的處理對象物。
如申請專利範圍第4項所述的對象物的處理方法，其中所述步驟（2）中的加工包含將選自半導體晶圓及半導體晶片中的至少一種配置於所述配線層上。
如申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述的對象物的處理方法，其中所述步驟（3）中的光為紫外線。
如申請專利範圍第6項所述的對象物的處理方法，其中所述紫外線為波長300 nm～400 nm的紫外線。
如申請專利範圍第1項至第7項中任一項所述的對象物的處理方法，其中所述層（I）的厚度為0.1 μm～500 μm。
如申請專利範圍第1項至第8項中任一項所述的對象物的處理方法，其中所述式（A1）中的所述縮合多環芳香族環為萘環。
如申請專利範圍第1項至第9項中任一項所述的對象物的處理方法，其中所述式（A1）中的R¹ 為氫原子或炔基。
一種暫時固定用組成物，其含有具有下述式（A2）所示的結構單元的聚合物（A），[式（A2）中， Ar為縮合多環芳香族環； -OR¹ 為鍵結於所述縮合多環芳香族環上的基，R¹ 為氫原子或碳數1～20的烴基，-OR¹ 於存在多個的情況下，可彼此相同亦可不同； R² 為鍵結於所述縮合多環芳香族環上的基，為鹵素原子或碳數1～20的烴基，R² 於存在多個的情況下，可彼此相同亦可不同； R³ 為氫原子或有機基，R³ 可彼此相同亦可不同； a1為2以上的整數，b為0以上的整數]。
如申請專利範圍第11項所述的暫時固定用組成物，其進而含有溶劑。
如申請專利範圍第11項或第12項所述的暫時固定用組成物，其中所述暫時固定用組成物的固體成分100質量%中所含的所述聚合物（A）的含有比例為50質量%以上。
一種半導體裝置的製造方法，其藉由如申請專利範圍第1項至第10項中任一項所述的處理方法對對象物進行加工而製造半導體裝置。
一種半導體裝置的製造方法，包括：（1）形成積層體的步驟，所述積層體具有支撐體、暫時固定材以及配線層，此處，所述暫時固定材包含層（I），且所述配線層形成於所述暫時固定材上，所述層（I）含有具有下述式（A1）所示的結構單元的聚合物（A）；（2）於所述配線層上配置選自半導體晶圓及半導體晶片中的至少一種的步驟；（3）自所述支撐體側對所述層（I）照射光的步驟；以及（4）將所述支撐體與所述配線層分離的步驟，[式（A1）中， Ar為縮合多環芳香族環； -OR¹ 為鍵結於所述縮合多環芳香族環上的基，R¹ 為氫原子或碳數1～20的烴基，-OR¹ 於存在多個的情況下，可彼此相同亦可不同； R² 為鍵結於所述縮合多環芳香族環上的基，為鹵素原子或碳數1～20的烴基，R² 於存在多個的情況下，可彼此相同亦可不同； R³ 為氫原子或有機基，R³ 可彼此相同亦可不同； a為1以上的整數，b為0以上的整數]。
一種半導體裝置，其是藉由如申請專利範圍第14項或第15項所述的製造方法而得。