TW201711174A - 畫素結構及顯示面板 - Google Patents
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Abstract
一種畫素結構，包括資料線、第一掃描線、共用線、第一主動元件、第二主動元件、覆蓋第一、二主動元件的絕緣層、配置於絕緣層上的彩色濾光圖案、配置於彩色濾光圖案上的第一、二畫素電極以及保護圖案。彩色濾光圖案具有溝槽。第一畫素電極填入溝槽，以和第一主動元件電性連接。第一畫素電極具有與共用線重疊且位於溝槽中的部份。第二畫素電極填入溝槽，以和第二主動元件電性連接。第二畫素電極具有與共用線重疊且位於溝槽中的的部份。保護圖案填入溝槽，以覆蓋部份的第一、二畫素電極。保護圖案為絕緣透光材料。
Description
本發明是有關於一種半導體結構及半導體裝置，且特別是有關於一種畫素結構及顯示面板。
隨著科技的進步，體積龐大的陰極射線管（Cathode Ray Tube，CRT）顯示器已逐漸走入歷史。體積精簡的平面顯示器，例如：液晶顯示面板（Liquid Crystal Display，LCD）、有機發光二極體顯示面板（Organic Light Emitting Diode display，OLED display）、電泳顯示面板（Electro-Phoretic Display，EPD）、電漿顯示面板（Plasma Display Panel，PDP）等，則取代陰極射線管顯示器成為顯示器的主流。
近年來，業界更提出將彩色濾光圖案整合於畫素陣列基板上（Color Filter on Array，COA）的技術。組立COA基板與另一對向基板，並於二者之間填入顯示介質，便可形成顯示面板。由於彩色濾光圖案是直接形成在畫素陣列基板上，因此彩色濾光圖案與畫素結構之間的對位精度不受組立COA基板與對向基板的製程能力限制。換言之，COA技術很適合用來製造高解析度的顯示面板。
一般而言，在COA基板中，位於彩色濾光圖案上方的多個畫素電極需穿過彩色濾光圖案的多個開口，以和彩色濾光圖案下方的薄膜電晶體電性連接。此外，COA基板的彩色濾光圖案還需預留另外多個開口，以露出畫素電極與共用線的重疊區域。藉此，雷射方可順利通過所述彩色濾光圖案的開口熔接畫素電極與共用線的重疊區域，進而完成畫素結構的修補（即暗點化）。然而，上述多個開口之間需保持一定的規範距離，而使畫素結構的佈局（layout）受限。因此，在達成高解析度的前提下，採用上述多個彩色濾光圖案開口的設計十分不易設計出開口率高的顯示面板。此外，在提高開口率的考量下，讓出畫素電極與共用線重疊區域之彩色濾光圖案開口的面積往往也設計的較小，但此舉卻使得畫素結構修補不易（即雷射不易通過較小的彩色濾光圖案開口），而修補成功率偏低。
本發明提供一種畫素結構及顯示面板，其開口率高。
本發明的一種畫素結構包括資料線、掃描線、共用線、第一主動元件、第二主動元件、絕緣層、彩色濾光圖案、第一畫素電極、第二畫素電極以及保護圖案。掃描線與資料線交錯。絕緣層覆蓋第一主動元件以及第二主動元件。彩色濾光圖案配置於絕緣層上且具有溝槽。溝槽沿著與掃描線平行的方向延伸且跨越資料線。第一畫素電極配置於彩色濾光圖案上且填入溝槽，以和第一主動元件電性連接。第一畫素電極與共用線重疊的部位於溝槽中。第二畫素電極配置於彩色濾光圖案上且填入溝槽，以和第二主動元件電性連接。第二畫素電極與共用線重疊的部份位於溝槽中。保護圖案填入溝槽，以覆蓋部份的第一畫素電極與部份的第二畫素電極。保護圖案為絕緣透光材料。
本發明的另一種畫素結構包括多條資料線、與資料線交錯的多條掃描線、多條共用線、與資料線及掃描線電性連接的多個主動元件、覆蓋主動元件的絕緣層、配置於絕緣層上且包括多個彩色濾光塊的彩色濾光圖案、以及分別配置於彩色濾光塊上的多個畫素電極以及多個保護圖案。彩色濾光塊沿著與資料線平行的方向排成多行且沿著與掃描線平行的方向排成多列。位於同一列的多個彩色濾光塊彼此相接。相鄰二列的彩色濾光塊相隔開，以定義出多個溝槽。每一彩色濾光塊具有與資料線平行的第一邊、與掃描線平行的第二邊以及連接第一邊與第二邊的一斜邊。位於同一列且相鄰的二個彩色濾光圖案的第一邊相接。相鄰二個彩色濾光圖案的二斜邊分開，以定義出一缺口。缺口與對應的溝槽相通。每一畫素電極填入對應的一個溝槽而與對應的一個主動元件電性連接。每一畫素電極具有修補部。修補部與對應的一條共用線重疊且位於溝槽中。保護圖案為絕緣透光材料。每一保護圖案包括主體部與分支部。主體部填入對應的一個溝槽，以覆蓋對應的一個畫素電極的修補部。分支部與主體部連接且填入對應的一個缺口。
本發明的顯示面板包括上述畫素陣列基板、位於畫素陣列基板對向側的對向基板以及位於畫素陣列基板與對向基板之間的顯示介質。畫素陣列基板包括多個畫素結構，其中每一畫素結構如上述畫素結構。
在本發明的一實施例中，上述的第一畫素電極與共用線重疊的部分與第二畫素電極與共用線重疊的部分與共用線電性連接。
在本發明的一實施例中，上述的畫素結構配置於第一基板上。畫素結構更包括間隙物。間隙物配置於彩色濾光圖案上。間隙物之頂點與第一基板的距離大於保護圖案之頂面與第一基板的距離。保護圖案與間隙物的材質相同。
在本發明的一實施例中，上述的第一畫素電極與共用線重疊的部分以及第二畫素電極與共用線重疊的部分位於第一掃描線的同一側。
在本發明的一實施例中，上述的畫素結構更包括分享開關元件以及分享電容。分享開關元件與第一主動元件電性連接。分享電容與分享開關元件電性連接。
在本發明的一實施例中，上述的分享電容包括第一電極以及第二電極。第一電極為分享開關元件的汲極。第二電極配置於絕緣層上且與第一電極重疊。第二電極填入絕緣層的接觸窗而與共用線電性連接。接觸窗位於溝槽的面積之內。
在本發明的一實施例中，上述的分享開關元件的汲極具有相對的第一側與第二側。第一畫素電極與共用線重疊的部分位於分享開關元件之汲極的第一側。第二畫素電極與共用線重疊的部分以及資料線位於分享開關元件之汲極的第二側。
在本發明的一實施例中，上述的第一畫素電極與共用線重疊的部分、第二畫素電極與共用線重疊的部分以及資料線位於分享開關元件之汲極的同一側。
在本發明的一實施例中，上述的保護圖案填滿溝槽，且保護圖案的邊緣超出溝槽的邊緣。
在本發明的一實施例中，上述的畫素結構更包括間隙物。間隙物配置於彩色濾光圖案上。間隙物抵頂對向基板，而保護圖案與間隙物的材質相同。
在本發明的一實施例中，上述的對向基板包括遮光圖案。遮光圖案遮蔽彩色濾光圖案的溝槽。
基於上述，在本發明一實施例的畫素結構及顯示面板中，彩色濾光圖案具有沿著與第一掃描線平行的方向延伸且跨越資料線的溝槽。第一畫素電極配置於彩色濾光圖案上且填入彩色濾光圖案的溝槽，以和第一主動元件電性連接。第二畫素電極配置於彩色濾光圖案上且填入彩色濾光圖案的溝槽，以和第二主動元件電性連接。第一畫素電極之與共用線重疊的第一修補部以及第二畫素電極之與共用線重疊的第二修補部也位於溝槽中。換言之，第一畫素電極以及第二畫素電極需穿過彩色濾光圖案的部分（例如：第一畫素電極與第一主動元件之汲極接觸的區域、第二畫素電極與第二主動元件之汲極接觸的區域）以及第一畫素電極與第二畫素電極需避開彩色濾光圖案的部分（例如：第一、二修補部）均設置在同一開口（即，彩色濾光圖案的同一溝槽）中。藉此，不需像習知技術般，在彩色濾光圖案中設置『多個』開口，因此，不需考量習知技術中彩色濾光圖案多個開口之間距離的規範，從而使畫素結構的佈局（layout）更具彈性，而有助於設計出開口率高的畫素陣列基板及顯示面板。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
圖1為本發明一實施例之畫素陣列基板的上視示意圖。請參照圖1，畫素陣列基板100包括第一基板110及配置於第一基板110上的畫素結構120。在本實施例中，第一基板110例如為透光基板，透光基板的材質可為玻璃、石英、有機聚合物或其它可適用材料。然而，本發明不限於此，在其他實施例中，第一基板110也可以是不透光/反射基板，不透光/反射基板的材質可為導電材料、晶圓、陶瓷或其它可適用的材料。需說明的是，雖圖1僅示出一個畫素結構120為代表，但本領域具有通常知識者根據圖1的畫素結構120及下述說明可依照實際需求將多個畫素結構120以適當的方式配置於第一基板110上，以實現所需畫素陣列基板。
圖2為本發明一實施例之畫素陣列基板的剖面示意圖。特別是，圖2對應於圖1的剖線A-A’、B-B’。圖3為本發明一實施例之畫素陣列基板的剖面示意圖。特別是，圖3對應於圖1的剖線C-C’、D-D’。請參照圖1，每一畫素結構120包括資料線DL、第一掃描線SLn
、共用線CLs
、CLs+1
、第一主動元件T1、第二主動元件T2、絕緣層122（繪於圖2、圖3）、彩色濾光圖案124、第一畫素電極PE1、第二畫素電極PE2以及保護圖案126a。
請參照圖1，第一主動元件T1具有閘極G1、與閘極G1重疊的通道CH1以及分別與通道CH1之相對二側電性連接的源極S1與汲極D1。第一主動元件T1的源極S1與資料線DL電性連接。第一主動元件T1的汲極D1與第一畫素電極PE1電性連接。部份第一畫素電極PE1與共用線CLs
重疊，以構成第一儲存電容C1。第二主動元件T2具有閘極G2、與閘極G2重疊的通道CH2以及分別與通道CH2之相對二側電性連接的源極S2與汲極D2。第二主動元件T2具有閘極G2。第二主動元件T2的源極S2與資料線DL電性連接。第二主動元件T2的汲極D2與第二畫素電極PE2電性連接。部份第二畫素電極PE2與共用線CLs+1
重疊，以構成第二儲存電容C2。如圖2所示，畫素結構120更可包括位於閘極G1與通道CH1之間以及閘極G2與通道CH2之間的絕緣層GI。絕緣層GI又可稱為閘極絕緣層。絕緣層GI的材料可為無機材料（例如：氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、或上述至少二種材料的堆疊層）、有機材料或上述組合。
在本實施例中，第一主動元件T1的閘極G1與第一掃描線SLn
電性連接，且第二主動元件T2的閘極G2與第一掃描線SLn
電性連接。換言之，相鄰二主動元件（即第一、二主動元件T1、T2）可選擇性地電性連接至同一掃描線（即第一掃描線SLn
）。然而，本發明不限於此，在其他實施例中，相鄰二主動元件也選擇性電性連接至不同二掃描線，以下將在後續段落中配合圖9～圖11舉例說明。此外，在本實施例中，通道CH1與通道CH2電性相連，換言之，通道CH1及通道CH2是相連接的同一膜層，以該等方式構成的畫素陣列基板也在本發明所欲保護的範疇內。
請參照圖1，在本實施例中，畫素結構120可選擇性地包括與第一掃描線SLn
平行的第二掃描線SLn+1
、與第二掃描線SLn+1
以及第一主動元件T1電性連接的分享開關元件T3以及與分享開關元件T3電性連接的分享電容C3。詳言之，分享開關元件T3具有閘極G3、與閘極G3重疊的通道CH3以及分別與通道CH3之相對二側電性連接的源極S3與汲極D3。分享開關元件T3的閘極G3與第二掃描線SLn+1
電性連接。分享開關元件T3的源極S3與第一主動元件T1的汲極D1電性連接。請參照圖1及圖2，分享開關元件T3的汲極D3與導電圖案128重疊。導電圖案128填入絕緣層122、125的接觸窗122c、125c而電性連接至共用線CLs+1
。接觸窗122c、125c位於彩色濾光圖案124之溝槽124a的面積以內，且和部分共用線CLs+1
重疊，換句話說，部分共用線CLs+1
延伸至彩色濾光圖案124之溝槽124a的面積以內。如圖2所示，分享開關元件T3的汲極D3可視為分享電容C3的第一電極，導電圖案128可視為分享電容C3的第二電極，汲極D3、導電圖案128以及夾設於汲極D3與導電圖案128之間的部分絕緣層122、125可構成分享電容C3。絕緣層122、125的材料可為無機材料（例如：氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、或上述至少二種材料的堆疊層）、有機材料或上述組合。
請參照圖1，在假設畫素結構120的功能正常而無熔接點W的前提下，可先將掃描訊號輸入至第一掃描線SLn
，此時，第一、二主動元件T1、T2開啟，而使第一、二畫素電極PE1、PE2可接收到來自資料線DL的同一驅動訊號，進而使第一、二儲存電容C1、C2儲存指定的電荷。接著，再將掃描訊號輸入至第二掃描線SLn+1
，此時，分享開關元件T3開啟而第一、二主動元件T1、T2關閉。由於分享開關元件T3的源極S3與第一畫素電極PE1電性連接，因此當第三主動元件T3開啟時，原本儲存在具有第一畫素電極PE1之第一儲存電容C1中的電荷並會被分散至分享電容C3，而使得分別對應第一畫素電極PE1、第二畫素電極PE2的二區域呈現不同的亮度，進而改善色偏（color washout）的問題。然而，本發明不限於此，在其他實施例中，也可以不採用第二掃描線SLn+1
、分享開關元件T3及分享電容C3的設計。
請參照圖1，資料線DL與第一掃描線SLn
、第二掃描線SLn+1
交錯且屬於不同膜層。更進一步地說，在本實施例中，第一掃描線SLn
、第二掃描線SLn+1
、第一、二主動元件T1、T2的閘極G1、G2、分享開關元件T3的閘極G3、共用線CLs
、CLs+1
可屬於同一膜層，其中掃描線SLn
、SLn+1
與共用線CLs
、CLs+1
隔開。第一、二主動元件T1、T2的通道CH1、CH2以及分享開關元件T3的通道CH3可屬於同一膜層。資料線DL、第一、二主動元件T1、T2的源極S1、S2、汲極D1、D2分享開關元件T3的源極S3、汲極D3可屬於同一膜層。第一畫素電極PE1、第二畫素電極PE2以及導電圖案128可屬於同一膜層。更詳細地說，在本實施例中，如圖2所示，閘極G1可位於通道CH1與第一基板110之間。通道CH1可位於源極S1與閘極G1之間。源極S1可位於第一畫素電極PE1與通道CH1之間。換言之，在本實施例中，第一主動元件T1、第二主動元件T2以及分享開關元件T3可選擇性地為底部閘極型薄膜電晶體（bottom gate TFT）。然而，本發明不限於此，在其他實施例中，第一主動元件T1、第二主動元件T2以及分享開關元件T3也可為頂部閘極型薄膜電晶體（top gate TFT）或其他適當型式的薄膜電晶體。此外，如圖1所示，在本實施例中，第一主動元件T1與第二主動元件T2電性連接至同一條掃描線（第一掃描線SLn
）與同一條資料線DL。換言之，本實施例的畫素結構120為1D1G的架構，其中『D』指資料線、『G』指掃描線。然而，本發明不限於此，本領域具有通常知識者可根據本發明的精神將畫素結構改為2D1G的架構、2D2G的架構、HSD(half source driving)的架構或其他所欲架構。該些架構的畫素結構及包括所述畫素結構的顯示面板均在本發明所欲保護的範疇內。
在本實施例中，第一掃描線SLn
、第二掃描線SLn+1
、閘極G1、G2、G3、共用線CLs
、CLs+1
、資料線DL、源極S1、S2、S3與汲極D1、D2、D3例如是使用金屬材料。然而，本發明不限於此，根據其他實施例，第一掃描線SLn
、第二掃描線SLn+1
、閘極G1、G2、G3、共用線CLs
、CLs+1
、資料線DL、源極S1、S2、S3與汲極D1、D2、D3也可以使用其他導電材料。例如：合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物、或是金屬材料與其它導電材料的堆疊層。第一畫素電極PE1、第二畫素電極PE2以及導電圖案128例如是透明導電層，其包括金屬氧化物，例如是銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、或其它合適的氧化物、或者是上述至少二者之堆疊層。然而，本發明不限於此，根據其他實施例，第一畫素電極PE1、第二畫素電極PE2以及導電圖案128也可以是反光導電層、或者是反光導電層與透明導電層的組合。
請參照圖1及圖2，絕緣層122（繪於圖2）覆蓋第一主動元件T1與第二主動元件T2。在本實施例中，絕緣層122更覆蓋第三主動元件T3、資料線DL、第一掃描線SLn
、第二掃描線SLn+1
、共用線CLs
、CLs+1
。彩色濾光圖案124配置於絕緣層122上且具有溝槽124a。如圖1所示，彩色濾光圖案124的溝槽124a沿著與第一掃描線SLn
平行的方向X延伸且跨越資料線DL。在本實施例中，溝槽124a可暴露出第一主動元件T1的汲極D1、第二主動元件T2的汲極D2、第二掃描線SLn+1
、分享開關元件T3、分享電容C3、及部份的共用線CLs+1
。若以整個畫素陣列基板100的觀點來看，位於同一列之多個畫素結構120的溝槽124a可是彼此連接且相通的，而位於同一列之多個畫素結構120的多個溝槽124a連接成長條狀開口，所述長條狀開口在平行於第一掃描線SLn
之方向X上延伸且跨越畫素陣列基板100的所有資料線DL。
請參照圖1及圖2，在本實施例中，畫素結構120可選擇性包括絕緣層125（繪示於圖2）。絕緣層125覆蓋彩色濾光圖案124以及被彩色濾光圖案124之溝槽124a暴露出的元件（例如：第二掃描線SLn+1
、分享開關元件T3、分享電容C3、第一主動元件T1的汲極D1、第二主動元件T2的汲極D2以及部份的共用線CLs+1
）。在本實施例中，絕緣層GI、122、125均透光。
請參照圖1及圖3，第一畫素電極PE1配置於彩色濾光圖案124上且填入溝槽124a，以和第一主動元件T1電性連接。詳言之，位於溝槽124a中的部分絕緣層122、125具有相通的開口122a、125a。第一畫素電極PE1由彩色濾光圖案124及絕緣層125上延伸至溝槽124a中，進而覆蓋被溝槽124a暴露的部分絕緣層122、125並填入絕緣層122、125的開口122a、125a，以和第一主動元件T1的汲極D1電性接觸。值得注意的是，第一畫素電極PE1除了具有與彩色濾光圖案124重疊的主體部之外，第一畫素電極PE1更具有與共用線CLs+1
重疊的第一修補部PE1r，換句話說，部分共用線CLs+1
延伸至彩色濾光圖案124之溝槽124a的面積以內，和第一畫素電極PE1重疊構成第一修補部PE1r。第一修補部PE1r也位於彩色濾光圖案124的溝槽124a中，且不與彩色濾光圖案124的實體、第一主動元件T1的汲極D1以及第二掃描線SLn+1
重疊。
請參照圖1及圖2，類似地，第二畫素電極PE2配置於彩色濾光圖案124上且填入溝槽124a，以和第二主動元件T2電性連接。詳言之，位於溝槽124a中的部分絕緣層122、125具有相通的開口122b、125b。第二畫素電極PE2由彩色濾光圖案124及絕緣層125上延伸至溝槽124a中，進而覆蓋被溝槽124a暴露的部分絕緣層122、125並填入絕緣層122、125的開口122b、125b，以和第二主動元件T2的汲極D2電性接觸。值得注意的是，第二畫素電極PE2除了具有與彩色濾光圖案124重疊的主體部之外，第二畫素電極PE2更具有與共用線CLs+1
重疊的第二修補部PE2r，換句話說，部分共用線CLs+1
延伸至彩色濾光圖案124之溝槽124a的面積以內，和第二畫素電極PE2重疊構成第二修補部PE2r。第二修補部PE2r也位於彩色濾光圖案124的溝槽124a中，且不與彩色濾光圖案124的實體、第二掃描線SLn+1
以及第二主動元件T2的汲極D2重疊。
請參照圖1，在本實施例中，分享開關元件T3的汲極D3具有相對的第一側與第二側，第一畫素電極PE1的第一修補部PE1r位於分享開關元件T3之汲極D3的第一側（右側），而第二畫素電極PE2的第二修補部PE2r及資料線DL位於分享開關元件T3之汲極D3的第二側（左側）。然而，本發明不限於此，在其他實施例中，第一、二修補部也可以其他適當方式配置，以下將於後續段落中舉例說明。
值得一提的是，相較於習知中：第一畫素電極PE1以及第二畫素電極PE2需穿過彩色濾光圖案124的部分（例如：第一畫素電極PE1與汲極D1接觸的區域、第二畫素電極PE2與汲極D2接觸的區域）以及第一畫素電極PE1以及第二畫素電極PE2需避開彩色濾光圖案124的部分（例如：第一修補部PE1r、第二修補部PE2r），本發明的設計，將這些原本需要在彩色濾光片上分別設置多個開口的位置，均設置於同一個彩色濾光片之開口（即，溝槽124a）中。換言之，畫素結構120不需像習知技術般，在彩色濾光圖案中分別設置『多個』開口，以使畫素電極分別穿過多個開口與多個薄膜電晶體電性連接，並使畫素電極的部份區域避開彩色濾光圖案，因此，畫素結構120不需考量習知技術中多個彩色濾光圖案開口之間距離的規範，從而使畫素結構120的佈局（layout）更具彈性，而有助於設計出開口率（aperture ratio）高的畫素陣列基板100。
此外，如圖1所示，在本實施例中，更可將第一畫素電極PE1的第一修補部PE1r以及第二畫素電極PE2的第二修補部PE2r設置在第一掃描線SLn
的同一側。換言之，第一修補部PE1r及第二修補部PE2r可與同一條共用線CLs+1
重疊，而另一共用線CLs
可不再設置與第一畫素電極PE1重疊且用以修補（或者說，熔接）的保留區，從而畫素結構120的開口率可更進一步地提升。
請參照圖1及圖2，保護圖案126a填入彩色濾光圖案124的溝槽124a，以覆蓋部份的第一畫素電極PE1與部份的第二畫素電極PE2。詳言之，保護圖案126a覆蓋了被溝槽124a暴露出之構件。舉例而言，（即，第一畫素電極PE1與第一汲極D1接觸的區域、第一畫素電極PE1的第一修補部PE1r、第二畫素電極PE2與第二汲極D2接觸的區域以及第二畫素電極PE2的第二修補部PE2r）。然而，本發明並不限定保護圖案126a一定要覆蓋被溝槽124a暴露出的所有構件，在其他實施例中，保護圖案也可覆蓋被溝槽124a暴露出的部份構件而暴露出另一部份的構件。
在本實施例中，保護圖案126a更覆蓋了第二掃描線SLn+1
、分享開關元件T3以及分享電容C3。更進一步地說，如圖2所示，在本實施例中，保護圖案126a可填滿彩色濾光圖案124的溝槽124a，且保護圖案126a的邊緣126ae可超出溝槽124a的邊緣124ae。換言之，保護圖案126a可與彩色濾光圖案124的傾斜角（tape angle）θ重疊，且暴露出大部分的第一畫素電極PE1與大部分的第二畫素電極PE2。然而，本發明並不限定保護圖案126a的邊緣126ae一定要超出溝槽124a的邊緣124ae。在未繪示的另一實施例中，保護圖案126a的相對二邊緣126ae可剛好位於定義出溝槽124a的彩色濾光圖案124側壁上，也有其他實施例，保護圖案126a的二邊緣126ae並未超出溝槽124a的邊緣124ae而位於溝槽124a內部；或者，保護圖案126a的相對二邊緣126ae其中之一可位於定義出溝槽124a的彩色濾光圖案124側壁上、超出溝槽124a的邊緣124ae或並未超出溝槽124a的邊緣124ae而位於溝槽124a內部，而另一邊緣126ae可不位於定義出溝槽124a的彩色濾光圖案124側壁上，或超出溝槽124a的邊緣124ae，或並未超出溝槽124a的邊緣124ae而位於溝槽124a內部，此設計更可增加開口率。
值得一提的是，填入溝槽124a的保護圖案126a除了能夠保護被溝槽124a暴露出的構件之外，由於保護圖案126a是採用絕緣透光材料，因此，若畫素結構120異常而需使用雷射熔接（welding）第一修補部PE1r與共用線CLs+1
、第二修補部PE2r與共用線CLs+1
、或上述二者，以暗點化畫素結構120時，修補者的視線可穿過透光的保護圖案126a而清楚的看見第一修補部PE1r與共用線CLs+1
重疊處、及/或第二修補部PE2r與共用線CLs+1
重疊處，進而完成修補動作。另一方面，相較於習知技術，由於第一修補部PE1r與共用線CLs+1
重疊處、第二修補部PE2r與共用線CLs+1
重疊處是被面積大的溝槽124a暴露，因此雷射可輕易地射入面積大的溝槽124a中進而完成熔接動作，從而提升畫素結構120的修補（即暗點化）成功率。如圖1、圖2所示，在本實施例中，是熔接（welding）第一修補部PE1r與共用線CLs+1
而形成熔接點W，以使二者電性連接為示例。然而，本發明不以此為限，有熔接第二修補部PE2r與共用線CLs+1
的畫素結構、同時熔接第一修補部PE1r與共用線CLs+1
、第二修補部PE2r與共用線CLs+1
的畫素結構、以及無任何熔接點W的畫素結構也在本發明所欲保護的範疇內。
請參照圖1及圖3，在本實施例中，畫素結構120更包括間隙物（Spacer）126b。間隙物126b配置於彩色濾光圖案124上。間隙物126b之頂點（或說頂面）P1與第一基板110的距離H1大於保護圖案126a之頂面P2與第一基板110的距離H2，而保護圖案126a與間隙物126b的材質相同。舉例而言，可用半調式（half tone）光罩圖案化透光絕緣層，而同時形成高度不同的保護圖案126a與間隙物126b。換言之，保護圖案126a與間隙物126b的製程可整合在一起，而不需為了製作保護圖案126a，額外花費一道工序。
圖4為本發明一實施例之顯示面板的剖面示意圖。請參照圖4，顯示面板1000包括前述的畫素陣列基板100、位於畫素陣列基板100對向側的對向基板200與位於畫素陣列基板100與對向基板200之間的顯示介質300。在本實施例中，顯示介質300例如為液晶。然而，本發明不限於此，在其他實施例中，顯示介質300也可以是有機電致發光層、電泳顯示介質或其他適當材料。
顯示面板1000可進一步包括共用電極400。共用電極400與第一畫素電極PE1之間的電壓差、共用電極400與第二畫素電極PE2之間的電壓差可驅動顯示介質300，進而使顯示面板1000顯示影像。在本實施例中，共用電極400可配置在對向基板200上，間隙物126b可抵頂對向基板200上的共用電極400。然而，本發明不限於此，在未繪示的另一實施例中，共用電極400與畫素結構120也可配置在同一第一基板110上，而間隙物126b可直接抵頂對向基板200。此外，顯示面板1000更可包括遮光圖案BM。遮光圖案BM遮蔽彩色濾光圖案124的溝槽124a。更進一步地說，遮光圖案BM遮蔽每一畫素結構120之彩色濾光圖案124至溝槽124a的邊緣124ae。在本實施例中，遮光圖案BM可配置於對向基板200上（即，對向基板200與顯示介質300之間），但本發明不以此為限。由於顯示面板1000採用前述具有畫素結構120的畫素陣列基板100，因此顯示面板1000也具有高開口率、易修補等優點。
圖5為本發明另一實施例之畫素陣列基板的上視示意圖。請參照圖5，畫素陣列基板100A包括第一基板110以及配置於第一基板110上的畫素結構120A。圖6為本發明另一實施例之畫素陣列基板的剖面示意圖。特別是，圖6對應於圖5的剖線E-E’、F-F’。圖7為本發明另一實施例之畫素陣列基板的剖面示意圖。特別是，圖7對應於圖5的剖線G-G’。請參照圖5，畫素結構120A與圖1的畫素結構120類似，因此相同或相對應的元件，以相同或相對應的標號表示。畫素結構120A與畫素結構120的主要差異在於：畫素結構120A的第一、二修補部PE1rA、PE2rA與畫素結構120的第一、二修補部PE1r、PE2r的配置方式不同，以下主要就此差異處做說明二者相同處，還請依照圖5、圖6、圖7中的標號參考前述說明，於此便不再重述。
請參照圖5、圖6及圖7，畫素結構120A包括資料線DL、第一掃描線SLn
、共用線CLs
、CLs+1
、第一主動元件T1、第二主動元件T2、絕緣層122（繪示於圖6、圖7）、彩色濾光圖案124、第一畫素電極PE1、第二畫素電極PE2以及保護圖案126a。第一掃描線SLn
與資料線DL交錯。第一主動元件T1與資料線DL以及第一掃描線SLn
電性連接。第二主動元件T2與資料線DL以及第一掃描線SLn
電性連接。絕緣層122覆蓋第一主動元件T2以及第二主動元件T2。彩色濾光圖案124配置於絕緣層122上且具有溝槽124a。溝槽124a沿著與第一掃描線SLn
平行的方向延伸且跨越資料線DL。第一畫素電極PE1配置於彩色濾光圖案124上且填入溝槽124a，以和第一主動元件T1電性連接。第一畫素電極PE1具有與共用線CLs+1
重疊的第一修補部PE1rA。第一修補部PE1rA位於溝槽124a中。第二畫素電極PE2配置於彩色濾光圖案124上且填入溝槽124a，以和第二主動元件T2電性連接。第二畫素電極PE2具有與共用線CLs+1
重疊的第二修補部PE2rA。第二修補部PE2rA位於溝槽124a中。保護圖案126a填入溝槽124a，以覆蓋部份的第一畫素電極PE1與部份的第二畫素電極PE2。保護圖案126a為絕緣透光材料。在本實施例中，保護圖案126a與間隙物126b之間的間距d例如是介於0～100微米（μm），但本發明不以此為限。
與圖1之畫素結構120不同的是，如圖5所示，在畫素結構120A中，第一畫素電極PE1的第一修補部PE1rA、第二畫素電極PE2的第二修補部PE2rA以及資料線DL位於分享開關元件T3之汲極D3的同一側。對應地，畫素結構120A也具有與畫素結構120類似的功效與優點，於此便不再重述。
圖8為本發明另一實施例之顯示面板的剖面示意圖。請參照圖8，顯示面板1000A與顯示面板1000類似，因此相同或相對應的元件，以相同或相對應的標號表示。顯示面板1000A包括前述的畫素陣列基板100A、位於畫素陣列基板100A對向側的對向基板200以及位於畫素陣列基板100A與對向基板200之間的顯示介質300。顯示面板1000A也具有與顯示面板1000類似的功效與優點，於此便不再重述。
圖9為本發明另一實施例之畫素陣列基板的上視示意圖。圖10為本發明另一實施例之畫素陣列基板的剖面示意圖。特別是，圖10對應於圖9的剖線H-H’、I-I’。圖9的畫素結構120B與圖1的畫素結構120類似，因此相同或相對應的元件，以相同或相對應的標號表示。畫素結構120B與畫素結構120的差異在於：在畫素結構120B中，第一主動元件T1的閘極G1與第二主動元件T2的閘極G2是分別電性連接至不同二條掃描線SLn
；此外，在畫素結構120B中，第一主動元件T1的通道CH1與第二主動元件T2的通道CH1也可不相連接。以下主要說明此差異，二者相同處請圖9、圖10中的標號參照前述說明，於此便不再重述。
請參照圖9及圖10，畫素陣列基板100B包括第一基板110及配置於第一基板110上的畫素結構120B。每一畫素結構120B包括資料線DL、掃描線SLn
、共用線CLs
、CLs+1
、第一主動元件T1、第二主動元件T2、絕緣層122（繪於圖12）、彩色濾光圖案124、第一畫素電極PE1、第二畫素電極PE2以及保護圖案126a。掃描線SLn
與資料線DL交錯。第一主動元件T1具有閘極G1、與閘極G1重疊的通道CH1、位於通道CH1二側的源極S1與汲極D1。第二主動元件T2具有閘極G2、與閘極G2重疊的通道CH2、位於通道CH2二側的源極S2與汲極D2。第一主動元件T1的源極S1及第二主動元件T2的源極S2與資料線DL電性連接。與畫素結構120不同的是，第一主動元件T1的閘極G1及第二主動元件T2的閘極G2可分別與不同條掃描線SLn
電性連接。
絕緣層122覆蓋第一主動元件T1以及第二主動元件T2。彩色濾光圖案124配置於絕緣層122上且具有溝槽124a。溝槽124a沿著與掃描線SLn
平行的方向X延伸且跨越資料線DL。第一畫素電極PE1配置於彩色濾光圖案124上且填入溝槽124a，以和第一主動元件T1的汲極D1電性連接。第一畫素電極PE1具有與共用線CLs
重疊的第一修補部PE1。第一修補部PE1位於溝槽124a中。第二畫素電極PE2配置於彩色濾光圖案124上且填入溝槽124a，以和第二主動元件T2電性連接。第二畫素電極PE1具有與共用線CLs+1
重疊的第二修補部PE2r。第二修補部PE2r位於溝槽124a中。保護圖案126a填入溝槽124a，以覆蓋部份的第一畫素電極PE1。保護圖案126a填入溝槽124a，以覆蓋部份的第二畫素電極PE2。保護圖案126a為絕緣透光材料。畫素結構120B具有與畫素結構120類似的功效與優點，於此便不再重述。
圖11為本發明另一實施例之顯示面板的剖面示意圖。請參照圖11，顯示面板1000B與顯示面板1000類似，因此相同或相對應的元件，以相同或相對應的標號表示。顯示面板1000B包括前述的畫素陣列基板100B、位於畫素陣列基板100B對向側的對向基板200以及位於畫素陣列基板100B與對向基板200之間的顯示介質300。顯示面板1000B也具有與顯示面板1000類似的功效與優點，於此便不再重述。
圖12示出本發明一實施例的畫素陣列基板（例如但不限於，圖1的畫素陣列基板100、圖5的畫素陣列基板100A或圖9的畫素陣列基板100B）的彩色濾光圖案以及保護圖案。請參照圖12，在本發明一實施例的畫素素陣列基板100（100A、或100B）中，彩色濾光圖案124包括多個彩色濾光塊CF。請參照圖1及圖12（或圖5及圖12）（或圖9及圖12）多個彩色濾光塊CF沿著與資料線DL平行的方向排成多行R且沿著與掃描線SLn平行的方向排成多列C。位於同一列C的多個彩色濾光塊CF彼此相接。更進一步地說，每一彩色濾光塊CF具有與資料線DL平行的第一邊CFa、與掃描線SLn平行的第二邊CFb以及連接第一邊CFa與第二邊CFb的斜邊CFc；在本實施例中，位於同一列C的每一個彩色濾光塊CF的第一邊CFa可位於相鄰彩色濾光塊CF的邊緣區域上，而相鄰二個彩色濾光塊CF的第一邊CFa可略微錯開。然而，本發明不限於此，在其他實施例中，位於同一列C的任意相鄰二個彩色濾光塊CF的第一邊CFa也可剛好直接連接，而位於同一列C的相鄰二個彩色濾光塊CF未相堆疊（未繪示）。
請參照圖1及圖12（或圖5及圖12）（或圖9及圖12），位於同一列C的多個彩色濾光塊CF彼此相接且相鄰二列C的彩色濾光塊CF相隔開以定義出溝槽124a。值得注意的是，位於同一列C且相鄰的二個彩色濾光圖案CF的二第一邊CFb相接而相鄰二個彩色濾光圖案CF的二斜邊CFc分開，以定義出缺口124b。缺口124b與對應的溝槽124a相通。在本實施例中，相鄰二彩色濾光圖案CF的二斜邊CFc例如為互為鏡像的二弧線，而由互為鏡像的二弧線定義出的缺口124b可近似於一個V字型缺口。但本發明不以此為限，在其他實施例中，斜邊CF3、缺口124b也可為其他形狀。
請參照圖1及圖12（或圖5及圖12）（或圖9及圖12）保護圖案126a包括主體部126a1以及分支部126a2。主體部126a1填入個溝槽126a，以覆蓋對應的畫素電極PE1、PE2的修補部PE1r、PE2r。分支部126a2與主體部126a1連接且填入缺口124b。在本實施例中，主體部126a1可為一個長條狀物體，而分支部126a2可為直接連接主體部126a1長邊的三角形凸起。但本發明不以此為限，在其他實施例中，主體部126a1、分支部126a2也可為其他形狀。
圖13示出本發明一實施例的畫素陣列基板（例如但不限於，圖1的畫素陣列基板100、圖5的畫素陣列基板100A或圖9的畫素陣列基板100A）的彩色濾光圖案以及保護圖案。請參照圖13，在本發明一實施例的畫素素陣列基板100（100A、或100B）中，彩色濾光圖案124包括多個彩色濾光塊CF。請參照圖1及圖13（或圖5及圖13）（或圖9及圖13）多個彩色濾光塊CF沿著與資料線DL平行的方向排成多行R且沿著與掃描線SLn平行的方向排成多列C。相鄰二列C的彩色濾光塊CF相隔開以定義出溝槽124a。此外，相鄰二行R的彩色濾光塊CF也可選擇性地相隔開以定義出與溝槽124a交錯的另一溝槽124c。此時，保護圖案除126a除了包括覆蓋溝槽124a的主體部126a1之外，保護圖案除126a更可進一步包括與主體部126a1交錯且相連接的分支部126a3，其中分支部126a3覆蓋溝槽124c。
此外，如圖13所示，當相鄰二行R的彩色濾光塊CF相隔開而定義出另一溝槽124c時，溝槽124c會露出共用線（圖1、圖5或圖9的CLs
、CLs+1
）的局部。換言之，彩色濾光塊CF可能會露出共用線（圖1、圖5或圖9的CLs
、CLs+1
）的局部。此時，部份保護圖案除126a（例如：分支部126a3）可覆蓋被彩色濾光塊CF露出的共用線（圖1、圖5或圖9的CLs
、CLs+1
）的局部。更進一地說，凡被所有彩色濾光塊CF（即彩色濾光圖案層124）露出的所有構件可選擇性地皆被保護圖案除126a覆蓋。
綜上所述，在本發明一實施例的畫素結構及顯示面板中，彩色濾光圖案具有沿著與第一掃描線平行的方向延伸且跨越資料線的溝槽。第一畫素電極配置於彩色濾光圖案上且填入彩色濾光圖案的溝槽，以和第一主動元件電性連接。第二畫素電極配置於彩色濾光圖案上且填入彩色濾光圖案的溝槽，以和第二主動元件電性連接。此外，第一畫素電極之與共用線重疊的第一修補部及第二畫素電極之與共用線重疊的第二修補部也位於溝槽中。
換言之，第一畫素電極以及第二畫素電極需穿過彩色濾光圖案的部分（例如：第一畫素電極與第一主動元件之汲極接觸的區域、第二畫素電極與第二主動元件之汲極接觸的區域）以及第一畫素電極與第二畫素電極需避開彩色濾光圖案的部分（例如：第一、二修補部）均設置在同一開口（即，彩色濾光圖案的同一溝槽）中。藉此，不需像習知技術般，在彩色濾光圖案中設置『多個』開口，而不需考量習知技術中彩色濾光圖案多個開口之間距離的規範。如此一來，畫素結構的佈局（layout）便可更具彈性，而有助於設計出開口率高的畫素陣列基板與顯示面板。
此外，填入彩色濾光圖案之溝槽的保護圖案除了可以保護被溝槽暴露出的構件之外，由於保護圖案是採用絕緣透光材料，因此，若畫素結構異常而需使用雷射熔接第一修補部與共用線、第二修補部與共用線、或上述二者，以使畫素結構暗點化時，修補者的視線可穿過透光的保護圖案而清楚的看見第一修補部與共用線重疊處及/或第二修補部與共用線重疊處，進而完成修補動作。另一方面，相較於習知技術，由於第一修補部與共用線重疊處、第二修補部與共用線重疊處是被面積大的溝槽暴露，因此雷射可輕易地射入面積大的溝槽中進而完成熔接動作，從而畫素結構的修補成功率也可顯著提升。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
100、100A、100B‧‧‧畫素陣列基板
110‧‧‧第一基板
120、120A、120B‧‧‧畫素結構
122、125、GI‧‧‧絕緣層
122a、125a、122b、125b‧‧‧開口
122c、125c‧‧‧接觸窗
124‧‧‧彩色濾光圖案
124a、124c‧‧‧溝槽
124b‧‧‧缺口
124ae‧‧‧邊緣
126a‧‧‧保護圖案
126a1‧‧‧主體部
126a2、126a3‧‧‧分支部
126ae‧‧‧邊緣
126b‧‧‧間隙物
128‧‧‧導電圖案
200‧‧‧對向基板
300‧‧‧顯示介質
400‧‧‧共用電極
1000、1000A、1000B‧‧‧顯示面板
A-A’、B-B’、C-C’、D-D’、E-E’、F-F’、G-G’、H-H’、I-I’‧‧‧剖線
BM‧‧‧遮光圖案
C‧‧‧列
CF‧‧‧彩色濾光塊
CFa、CFb、CFc‧‧‧邊
C1‧‧‧第一儲存電容
C2‧‧‧第二儲存電容
C3‧‧‧分享電容
CLs、CLs+1‧‧‧共用線
CH1、CH2、CH3‧‧‧通道
DL‧‧‧資料線
D1、D2、D3‧‧‧汲極
G1、G2、G3‧‧‧閘極
H1、H2‧‧‧距離
P1‧‧‧頂點
P2‧‧‧頂面
PE1‧‧‧第一畫素電極
PE1r、PE1rA‧‧‧第一修補部
PE2‧‧‧第二畫素電極
PE2r、PE2rA‧‧‧第二修補部
R‧‧‧列
SLn‧‧‧第一掃描線
SLn+1‧‧‧第二掃描線
S1、S2、S3‧‧‧源極
T1‧‧‧第一主動元件
T2‧‧‧第二主動元件
T3‧‧‧分享開關元件
W‧‧‧熔接點
X‧‧‧方向
θ‧‧‧傾斜角
110‧‧‧第一基板
120、120A、120B‧‧‧畫素結構
122、125、GI‧‧‧絕緣層
122a、125a、122b、125b‧‧‧開口
122c、125c‧‧‧接觸窗
124‧‧‧彩色濾光圖案
124a、124c‧‧‧溝槽
124b‧‧‧缺口
124ae‧‧‧邊緣
126a‧‧‧保護圖案
126a1‧‧‧主體部
126a2、126a3‧‧‧分支部
126ae‧‧‧邊緣
126b‧‧‧間隙物
128‧‧‧導電圖案
200‧‧‧對向基板
300‧‧‧顯示介質
400‧‧‧共用電極
1000、1000A、1000B‧‧‧顯示面板
A-A’、B-B’、C-C’、D-D’、E-E’、F-F’、G-G’、H-H’、I-I’‧‧‧剖線
BM‧‧‧遮光圖案
C‧‧‧列
CF‧‧‧彩色濾光塊
CFa、CFb、CFc‧‧‧邊
C1‧‧‧第一儲存電容
C2‧‧‧第二儲存電容
C3‧‧‧分享電容
CLs、CLs+1‧‧‧共用線
CH1、CH2、CH3‧‧‧通道
DL‧‧‧資料線
D1、D2、D3‧‧‧汲極
G1、G2、G3‧‧‧閘極
H1、H2‧‧‧距離
P1‧‧‧頂點
P2‧‧‧頂面
PE1‧‧‧第一畫素電極
PE1r、PE1rA‧‧‧第一修補部
PE2‧‧‧第二畫素電極
PE2r、PE2rA‧‧‧第二修補部
R‧‧‧列
SLn‧‧‧第一掃描線
SLn+1‧‧‧第二掃描線
S1、S2、S3‧‧‧源極
T1‧‧‧第一主動元件
T2‧‧‧第二主動元件
T3‧‧‧分享開關元件
W‧‧‧熔接點
X‧‧‧方向
θ‧‧‧傾斜角
圖1為本發明一實施例之畫素陣列基板的上視示意圖。 圖2為本發明一實施例之畫素陣列基板的剖面示意圖。 圖3為本發明一實施例之畫素陣列基板的剖面示意圖。 圖4為本發明一實施例之顯示面板的剖面示意圖。 圖5為本發明另一實施例之畫素陣列基板的上視示意圖。 圖6為本發明另一實施例之畫素陣列基板的剖面示意圖。 圖7為本發明另一實施例之畫素陣列基板的剖面示意圖。 圖8為本發明另一實施例之顯示面板的剖面示意圖。 圖9為本發明另一實施例之畫素陣列基板的上視示意圖。 圖10為本發明另一實施例之畫素陣列基板的剖面示意圖。 圖11為本發明另一實施例之顯示面板的剖面示意圖。 圖12示出本發明一實施例的畫素陣列基板的彩色濾光圖案及保護圖案。 圖13示出本發明一實施例的畫素陣列基板的彩色濾光圖案及保護圖案。
100‧‧‧畫素陣列基板
110‧‧‧第一基板
120‧‧‧畫素結構
122a、125a、122b、125b‧‧‧開口
122c、125c‧‧‧接觸窗
124‧‧‧彩色濾光圖案
124a‧‧‧溝槽
126a‧‧‧保護圖案
126a1‧‧‧主體部
126b‧‧‧間隙物
124ae、126ae‧‧‧邊緣
128‧‧‧導電圖案
A-A’、B-B’、C-C’、D-D’‧‧‧剖線
C1‧‧‧第一儲存電容
C2‧‧‧第二儲存電容
C3‧‧‧分享電容
CLs、CLs+1‧‧‧共用線
CH1、CH2、CH3‧‧‧通道
CF‧‧‧彩色濾光塊
CFa、CFb、CFc‧‧‧邊
DL‧‧‧資料線
D1、D2、D3‧‧‧汲極
G1、G2、G3‧‧‧閘極
PE1‧‧‧第一畫素電極
PE1r‧‧‧第一修補部
PE2‧‧‧第二畫素電極
PE2r‧‧‧第二修補部
SLn‧‧‧第一掃描線
SLn+1‧‧‧第二掃描線
S1、S2、S3‧‧‧源極
T1‧‧‧第一主動元件
T2‧‧‧第二主動元件
T3‧‧‧分享開關元件
W‧‧‧熔接點
X‧‧‧方向
Claims (23)
- 一種畫素結構，包括： 多條資料線； 多條掃描線，與該些資料線交錯； 至少一共用線； 一第一主動元件，與對應的一條資料線及對應的一條掃描線電性連接； 一第二主動元件，與對應的一條資料線及對應的一條掃描線電性連接； 一絕緣層，覆蓋該第一主動元件以及該第二主動元件； 一彩色濾光圖案，配置於該絕緣層上且具有一溝槽，該溝槽沿著與該些掃描線平行的方向延伸且跨越該些資料線； 一第一畫素電極，配置於該彩色濾光圖案上且填入該溝槽以和該第一主動元件電性連接，其中該第一畫素電極與該共用線重疊的部份位於該溝槽中； 一第二畫素電極，配置於該彩色濾光圖案上且填入該溝槽以和該第二主動元件電性連接，其中該第二畫素電極與該共用線重疊的部份位於該溝槽中；以及 一保護圖案，填入該溝槽，以覆蓋部份的該第一畫素電極與部份的該第二畫素電極，其中該保護圖案為絕緣透光材料。
- 如申請專利範圍第1項所述的畫素結構，其中該第一畫素電極與該共用線重疊的部份與該第二畫素電極與該共用線重疊的部份與該共用線電性連接。
- 如申請專利範圍第1項所述的畫素結構，配置於一第一基板上，該畫素結構更包括： 一間隙物，配置於該彩色濾光圖案上，其中該間隙物之頂點與該第一基板的距離大於該保護圖案之頂面與該第一基板的距離，而該保護圖案與該間隙物的材質相同。
- 如申請專利範圍第1項所述的畫素結構，其中該第一畫素電極與該共用線重疊的部份以及該第二畫素電極與該共用線重疊的部份位於其中一條掃描線的同一側。
- 如申請專利範圍第1項所述的畫素結構，更包括： 一分享開關元件，與該第一主動元件電性連接；以及 一分享電容，與該分享開關元件電性連接。
- 如申請專利範圍第5項所述的畫素結構，其中該分享電容包括： 一第一電極，為該分享開關元件的一汲極；以及 一第二電極，配置於該絕緣層上且與該第一電極重疊，該第二電極填入該絕緣層的一接觸窗而與該共用線電性連接，其中該接觸窗位於該溝槽的面積之內。
- 如申請專利範圍第5項所述的畫素結構，其中該分享開關元件的一汲極具有相對的一第一側與一第二側，該第一畫素電極與該共用線重疊的部份位於該分享開關元件之該汲極的該第一側，而該第二畫素電極與該共用線重疊的部份以及該資料線位於該分享開關元件之該汲極的該第二側。
- 如申請專利範圍第5項所述的畫素結構，其中該第一畫素電極與該共用線重疊的部份、該第二畫素電極與該共用線重疊的部份以及該資料線位於該分享開關元件之該汲極的同一側。
- 如申請專利範圍第5項所述的畫素結構，其中該保護圖案填滿該溝槽，且該保護圖案的邊緣超出該溝槽的邊緣。
- 一種顯示面板，包括： 一畫素陣列基板，包括多個畫素結構，其中每一該畫素結構如申請專利範圍第1項所述； 一對向基板，位於該畫素陣列基板的對向側；以及 一顯示介質，位於該畫素陣列基板與該對向基板之間。
- 如申請專利範圍第10項所述的顯示面板，其中該畫素結構更包括： 一間隙物，配置於該彩色濾光圖案上，該間隙物抵頂該對向基板，而該保護圖案與該間隙物的材質相同。
- 如申請專利範圍第10項所述的顯示面板，其中該對向基板包括： 一遮光圖案，遮蔽該彩色濾光圖案的該溝槽。
- 如申請專利範圍第10項所述的顯示面板，其中該第一畫素電極與該共用線重疊的部份與該第二畫素電極與該共用線重疊的部份至少其中之一與該共用線電性連接。
- 如申請專利範圍第10項所述的顯示面板，其中該第一畫素電極與該共用線重疊的部份以及該第二畫素電極與該共用線重疊的部份位於該第一掃描線的同一側。
- 如申請專利範圍第10項所述的顯示面板，其中該畫素結構，更包括： 一分享開關元件，與該第一主動元件電性連接；以及 一分享電容，與該分享開關元件電性連接。
- 如申請專利範圍第15項所述的顯示面板，其中該分享電容包括： 一第一電極，為該分享開關元件的一汲極；以及 一第二電極，配置於該絕緣層上且與該第一電極重疊，該第二電極填入該絕緣層的一接觸窗而與該共用線電性連接，其中該接觸窗位於該溝槽的面積之內。
- 如申請專利範圍第15項所述的顯示面板，其中該分享開關元件的一汲極具有相對的一第一側與一第二側，該第一畫素電極與該共用線重疊的部份位於該分享開關元件之該汲極的該第一側，而該第二畫素電極與該共用線重疊的部份以及該資料線位於該分享開關元件之該汲極的該第二側。
- 如申請專利範圍第15項所述的顯示面板，其中該第一畫素電極與該共用線重疊的部份、該第二畫素電極與該共用線重疊的部份以及該資料線位於該分享開關元件之該汲極的同一側。
- 如申請專利範圍第10項所述的顯示面板，其中該保護圖案填滿該溝槽，且該保護圖案的邊緣超出該溝槽的邊緣。
- 如申請專利範圍第10項所述的顯示面板，其中該保護圖案填於該溝槽內，且該保護圖案的邊緣並未超出該溝槽的邊緣。
- 如申請專利範圍第10項所述的顯示面板，其中該保護圖案可部份填位於該溝槽內，部分超出該溝槽的邊緣。
- 一種畫素結構，包括： 多條資料線； 多條掃描線，與該些資料線交錯； 多條共用線； 多個主動元件，與該些資料線及該些掃描線電性連接； 一絕緣層，覆蓋該些主動元件； 一彩色濾光圖案，配置於該絕緣層上且包括多個彩色濾光塊，該些彩色濾光塊沿著與該些資料線平行的方向排成多行且沿著與該些掃描線平行的方向排成多列，位於同一列的多個彩色濾光塊彼此相接且相鄰二列的彩色濾光塊相隔開以定義出多個溝槽，其中每一該彩色濾光塊具有與該些資料線平行的一第一邊、與該些掃描線平行的一第二邊以及連接該第一邊與該第二邊的一斜邊，位於同一列且相鄰的二個彩色濾光圖案的二第一邊相接而該相鄰二個彩色濾光圖案的二斜邊分開以定義出一缺口，該缺口與對應的一個溝槽相通； 多個畫素電極，分別配置於該些彩色濾光塊上，每一該畫素電極填入對應的一個溝槽而與對應的一個主動元件電性連接；以及 多個保護圖案，為絕緣透光材料，每一保護圖案包括： 一主體部，填入對應的一個溝槽，以覆蓋對應的一個畫素電極的修補部；以及 一分支部，與該主體部連接且填入對應的一個缺口。
- 一種畫素結構，包括： 一資料線； 一第一掃描線，與該資料線交錯； 一共用線； 一第一主動元件，與該資料線以及該第一掃描線電性連接； 一第二主動元件，與該資料線以及該第一掃描線電性連接； 一絕緣層，覆蓋該第一主動元件以及該第二主動元件； 一彩色濾光圖案，配置於該絕緣層上且具有一溝槽，該溝槽沿著與該第一掃描線平行的方向延伸且跨越該資料線； 一第一畫素電極，配置於該彩色濾光圖案上且填入該溝槽以和該第一主動元件電性連接，其中該第一畫素電極具有與該共用線重疊的一第一修補部，該第一修補部位於該溝槽中； 一第二畫素電極，配置於該彩色濾光圖案上且填入該溝槽以和該第二主動元件電性連接，其中該第二畫素電極具有與該共用線重疊的一第二修補部，該第二修補部位於該溝槽中；以及 一保護圖案，填入該溝槽，以覆蓋部份的該第一畫素電極與部份的該第二畫素電極，其中該保護圖案為絕緣透光材料。
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