TW201710718A - 偏光片的製造方法 - Google Patents

Abstract

本發明係關於偏光片之製造方法，更詳而言之，係關於一種偏光片之製造方法，其係使偏光片形成用膜以乾式延伸、應力緩和、染色及交聯之步驟所進行的製造步驟中，乾式延伸步驟以膜之結晶化度滿足0.6至0.8之方式進行，藉此，即使使用薄膜之膜，在染色或交聯步驟亦不發生膜之切斷，故可提升偏光片之生產性，並可製造優異之光學特性的偏光片之方法。

Description

偏光片的製造方法

本發明係關於偏光片之製造方法。

液晶顯示裝置(LCD)、電場發光(EL)顯示裝置、電漿顯示裝置(PDP)、電場發射顯示裝置(FED)、有機發光二極體(OLED)等之各種圖像顯示裝置所使用之偏光板，一般係包含於聚乙烯醇系(polyvinyl alcohol、PVA)膜使碘系化合物或二色性偏光物質吸附配向而成之偏光片，具有於偏光片之一面積層偏光片保護膜，且於偏光片之另一面依序積層有偏光片保護膜、與液晶單元接合之黏著劑層及離型膜之多層構造。

構成偏光板之偏光片係適用於圖像顯示裝置，為提供色再現性優異之圖像，要求兼備高穿透率及偏光度。為使此具體實現，將聚乙烯醇系膜本身進行改質，或使用非昇華性二色性染料以取代具有昇華性之碘系偏光元件之方法而製造偏光片。

在如此之態樣中，薄膜使用聚乙烯醇系膜可具體實現高穿透率，但因為薄膜，在製造步驟中(特別是，染色或交聯步驟)膜容易被斷裂，會有偏光度等之光學 特性顯著降低之問題。

韓國公開專利第10-2009-0070085號係揭示偏光片之製造方法，但未提示對於上述問題點之替代方案。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]韓國公開專利第10-2009-0070085號

本發明之目的在於提供一種可製造光學特性優異之偏光片，減少在製造步驟中發生偏光片形成用膜之斷裂，並提升生產性之偏光片之製造方法。

1. 一種偏光片之製造方法，係包含使偏光片形成用膜進行乾式延伸、應力緩和、染色及交聯之步驟；前述乾式延伸步驟係以前述膜之結晶化度滿足0.6至0.8之方式進行。

2. 如上述1所述之偏光片之製造方法，其中前述膜之結晶化度為0.61至0.75。

3. 如上述1所述之偏光片之製造方法，其中，前述偏光片形成用膜之厚度為10至30μm。

4. 如上述1所述之偏光片之製造方法，其中，前述乾式延伸步驟之膜的延伸比為4至5倍。

5. 如上述1所述之偏光片之製造方法，其 中，前述乾式延伸步驟係在120至140℃下進行。

6. 如上述1所述之偏光片之製造方法，其中，前述應力緩和步驟係浸漬於20至50℃之應力緩和用水溶液中而進行。

7. 如上述1所述之偏光片之製造方法，其中，前述應力緩和步驟係進行40至180秒鐘。

8. 如上述1所述之偏光片之製造方法，其中，前述應力緩和步驟之膜的延伸比為0.9至1倍。

9. 如上述1所述之偏光片之製造方法，其中，前述染色步驟係浸漬於5至42℃之染色用水溶液而進行。

10. 如上述1所述之偏光片之製造方法，其中，前述染色步驟係進行60至200秒鐘。

11. 如上述1所述之偏光片之製造方法，其中，前述染色步驟之膜的延伸比為1至1.1倍。

12. 如上述1所述之偏光片之製造方法，其中，前述交聯步驟係浸漬於20至90℃之交聯用水溶液中而進行。

13. 如上述1所述之偏光片之製造方法，其中，前述交聯步驟係進行1秒鐘至15分鐘。

14. 如上述1所述之偏光片之製造方法，其中，前述交聯步驟之膜的延伸比為0.99至1.65倍。

15. 如上述1所述之偏光片之製造方法，其中，前述交聯步驟之後，更包含水洗及乾燥步驟。

本發明之偏光片之製造方法係在進入濕式步驟之前進行乾式延伸步驟，在前述乾式步驟中使膜之結晶化度為特定之範圍，藉此，於製造步驟中不發生膜之斷裂而生產性優異。

本發明之偏光片之製造方法係可製造光學特性優異之偏光片。

本發明係關於偏光片之製造方法，更詳而言之，係關於一種方法，其係使偏光片形成用膜以乾式延伸、應力緩和、染色及交聯之步驟所進行的製造步驟中，前述乾式延伸步驟以膜之結晶化度滿足0.6至0.8之方式進行，藉此，即使使用薄膜之膜，在染色或交聯步驟亦不發生膜之斷裂，故可提升偏光片之生產性，並可製造優異之光學特性的偏光片之方法。

偏光片係為使所適用之顯示器要求之光學特性具體實現，適當地調整偏光片形成用膜之材料、步驟條件等而製造，但使用於OLED之偏光片時，有時亦要求具有高穿透率之偏光片。為了製造如此具有高穿透率之偏光片而使用薄膜之偏光片形成用膜，但此時，在製造步驟中(特別是，染色或交聯步驟)膜容易被斷裂，會有偏光度等之光學特性顯著降低之問題。

因此，本發明係在進入濕式步驟之前進行乾式延伸步驟，經由乾式延伸步驟而製造具有適當結晶化度之膜，藉此，即使使用薄膜之膜，亦可導出不產生前述問題之偏光片之製造方法。

本發明之偏光片之製造方法係使偏光片形成用膜進行乾式延伸、應力緩和、染色及交聯之步驟。

以下，舉出本發明之一實施例而更詳細說明。

<乾式延伸步驟>

本發明之偏光片之製造方法係在進入濕式步驟之前使偏光片形成用膜進行乾式延伸之步驟。

藉由前述乾式延伸步驟，膜以結晶化度滿足0.6至0.8之方式延伸，藉此，改善膜之強度，即使製造成薄膜，亦可以後述之濕式步驟(特別是，染色及交聯步驟)減少膜之斷裂發生率，藉此而提升偏光片之生產性。又，乾式延伸步驟之結束時，膜之結晶化度滿足前述結晶化度之範圍時，偏光度不易降低。

本發明所謂的「結晶化度」係相對於經過乾式延伸步驟之偏光片形成用膜，構成前述膜之高分子之結晶部分及非結晶部分之全體之中的結晶部分之比率，前述結晶化度係可經由該領域一般所知之方法而測定。

本發明之乾式延伸步驟中，乾式延伸結束時之膜之結晶化度未達0.6時，後述之染色及交聯步驟中容易發生斷裂，乾式延伸結束時之膜之結晶化度超過0.8 時，光學特性、尤其是偏光度會降低。又，前述膜之結晶化度較佳係0.61至0.75，此時，由於無前述之問題點可具體實現更為優異之光學特性。

在前述結晶化度係可使該領域藉公知方法而具體實現，例如，朝MD方向提高延伸倍率時，延伸後之結晶化度有變高之傾向，故，可藉延伸倍率之調整而控制結晶化度，進而，亦可藉由將膜之溫度、偏光片形成用膜之材料、添加劑(塑化劑等)之種類及含量、膜之水分率等調節至適當範圍而具體實現，然並不限定於此。

本發明之偏光片形成用膜係可容易進行前述本發明之乾式延伸步驟者，且可藉由二色性物質、亦即碘等染色之膜，其種類並無特別限定，例如聚乙烯醇膜、部分皂化之聚乙烯醇膜；聚對苯二甲酸乙二酯膜、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物膜、乙烯-乙烯醇共聚物膜、纖維素膜、此等部分經皂化之膜等的親水性高分子膜；或經脫水處理之聚乙烯醇系膜、經脫鹽酸處理之聚乙烯醇系膜等之多烯配向膜等。此等之中，不僅在面內強化偏光度之均一性的效果優異，且對碘之染色親和性優異之點，以聚乙烯醇系膜為佳。

前述偏光片形成用膜之厚度並無特別限定，例如，可為10至30μm，滿足上述之範圍時，可具體實現優異之穿透率，經由本發明之製造步驟而確保充分之強度，在後述之濕式步驟不發生膜之斷裂，故適合。

在本發明之乾式延伸步驟，膜之延伸比並 無特別限定，可為約4至5倍，較佳係4.0至4.8倍。滿足上述之範圍時，適合具體實現前述之適當的結晶化度，超過約5倍時，在染色步驟中，碘之染色性降低而具體實現所要求之光學特性。

本發明之乾式延伸步驟之實施溫度並無特別限定，例如為120至140℃，較佳係125至135℃。滿足上述之範圍時，適合具體實現前述之適當的結晶化度，超過140℃時，結晶化度過高，在染色步驟中，碘之染色性降低而難以具體實現所要求之光學特性。

本發明之乾式延伸步驟之實施時間並無特別限定，可在到達前述之適當結晶化度之範圍內適當地進行，例如可進行1秒鐘至1分鐘，較佳係進行5至30秒鐘。

本發明之乾式延伸步驟之實施方法並無特別限定，可舉例如對膜賦予張力而藉由加壓輥進行壓延之方法；對膜賦予張力使接觸加熱輥之方法；在加熱烘箱之內部或外部所設置之輥間加熱膜並施加拉伸力，同時進行延伸之方法；通過2個加熱輥之間使其壓縮延伸之方法等，此時，前述之乾式延伸步驟之實施溫度係可藉由調整延伸用之輥、烘箱之溫度而具體實現。

本發明之偏光片之製造方法中，偏光片形成用膜之延伸除了乾式延伸步驟之外，可在後述之濕式步驟(應力緩和、染色、交聯步驟等)同時進行。

<應力緩和步驟>

本發明之偏光片之製造步驟係乾式延伸之後，進行應 力緩和步驟。

應力緩和步驟係將乾式延伸後之偏光片形成用膜在染色步驟之前浸漬於充滿了應力緩和用水溶液之應力緩和槽，除去堆積於膜表面上之塵埃或抗結塊劑之雜質，緩和偏光片形成用膜之應力，提升染色性而防止染色不均一性，使偏光片之物性提升用的步驟。

應力緩和用水溶液通常可單獨使用水(純水、去離子水)，為提升高分子膜之加工性，亦可添加少量之甘油或碘化鉀。

含有甘油及碘化鉀之時，其含量並無特別限定，例如應力緩和用水溶液之總重量中分別為5重量%以下，亦可為10重量%以下。

應力緩和步驟之實施溫度(應力緩和用水溶液之溫度)並無特別限定，例如為20至50℃，較佳係25至40℃。應力緩和步驟之溫度為上述之範圍內時，適當地進行應力緩和，可明顯減少膜之斷裂發生。

應力緩和步驟之實施時間(應力緩和槽浸漬時間)並無特別限定，例如可為40秒鐘至180秒鐘以下，較佳係90秒鐘以下。應力緩和步驟之實施時間為上述之範圍內時，應力緩和步驟之溫度為上述之範圍內時，適當地進行應力緩和，可明顯減少膜之斷裂發生。

可同時進行應力緩和步驟以及濕式延伸步驟，此時，前述應力緩和步驟之延伸比可為約0.9至1倍，在上述之範圍內，可在光學特性無降低下在適當範圍進行 應力緩和。

<染色步驟>

本發明之偏光片之製造方法係在前述應力緩和步驟之後，進行染色步驟。

染色步驟係使偏光片形成用膜浸漬於充滿了含有二色性物質例如含碘之染色用水溶液之染色槽，使偏光片形成用膜吸附碘之步驟。

染色用水溶液係可含有水、水溶性有機溶劑或此等之混合溶劑及碘者。

前述染色用水溶液內之碘之濃度在染色液中可為0.4至400mmol/L，較佳係0.8至275mmol/L，更佳係1至200mmol/L。

又，前述染色用水溶液為了改善染色效率，可更含有作為助溶劑之碘化物。

碘化物之種類並無特別限定，可舉例如碘化鉀、碘化鋰、碘化鈉、碘化鋅、碘化鋁、碘化鉛、碘化銅、碘化鋇、碘化鈣、碘化錫、碘化鈦等，在對水之溶解度較大之點上，係以碘化鉀較佳。此等可單獨或混合2種以上而使用。

前述碘化物之含量並無特別限定，例如在染色用水溶液之總重量中可為0.01至10重量%，較佳係0.1至5重量%。

又，前述染色用水溶液為了增加偏光片形成用膜之碘錯合物含量，可更含有硼酸。

前述硼酸之含量並無特別限定，例如在染色用水溶液之總重量中可為0.3至5重量%。滿足上述之範圍時，因增加PVA-I₃ ^-錯合物及PVA-I₅ ^-錯合物之含量，故較佳，但，超過5重量%時，膜之斷裂的危險性會增加。

染色步驟之實施溫度(染色用水溶液之溫度)並無特別限定，例如可為5至42℃，較佳係可為10至35℃。染色步驟之溫度為上述之範圍內時，膜無斷裂，碘會在膜上有效地吸附而可具體實現優異之光學特性。

染色步驟之實施時間(染色槽浸漬時間)並無特別限定，例如可為60至200秒，較佳係可為80至150秒。染色步驟之時間為上述之範圍內時，膜無斷裂，碘會於膜上有效地吸附而可具體實現優異之光學特性。

可同時進行染色步驟以及濕式延伸步驟，此時，前述染色步驟之延伸比可為約1至1.1倍，在上述之範圍內，在膜無斷裂下可具體實現優異之光學特性。

又，在應力緩和步驟及染色步驟之累積延伸比係以0.9至1.1倍為佳，前述累積延伸比未達0.9倍時，會有膜上產生皺摺而產生外觀不良之情形，超過1.1倍時，會有產生延伸不均之情形。

<交聯步驟>

本發明之偏光片之製造方法係於前述染色步驟之後，進行交聯步驟。

交聯步驟係為免被物理性吸附之碘分子所致之染色性因外部環境而降低，而使經染色之偏光片形成 用膜浸漬於交聯用水溶液而交聯，使經吸附之碘分子固定之步驟。二色性染料之碘交聯反應不足時，有時會因濕熱環境使碘分子脫離而要求充分之交聯反應。又，偏光片形成用膜係用以使位在分子與分子之間的碘分子配向，提升光學特性，故在交聯步驟以較大之延伸比延伸者為佳。

因而，前述交聯步驟係可藉由第1交聯步驟及第2交聯步驟而進行，在前述步驟之至少1個步驟，可使用含有硼化合物之交聯用水溶液，此時，可藉由前述硼化合物而提升偏光片之光學特性，同時並提升色耐久性，故佳。

交聯用水溶液可含有水及硼化合物，亦可更含有可與水一起相互作用之有機溶劑及碘化物。

硼化合物係賦予較短之交聯鍵結與膜之剛性，抑制步驟中之膜的皺褶發生，藉此，提升處理性，發揮形成碘配向之作用。

前述交聯用水溶液內之硼化合物之濃度並無特別限定，例如交聯用水溶液之總重量中可為1至10重量%，滿足上述之範圍時，於適當範圍交聯，可具體實現優異之光學特性。又，未達1重量%時，會有交聯效果減少使膜之剛性降低，超過10重量%時，有時因過度之交聯鍵而產生膜之斷裂。

又，交聯用水溶液係為了在偏光片之面內的偏光度之均一性與防止被染附之碘的脫落，故可進一步含有碘化物。

前述交聯用水溶液內之碘化物之含量並無特別限定，例如交聯用水溶液之總重量中可為0.05至15重量%，較佳係可為0.5至11重量%。滿足上述之範圍時，可防止在染色步驟被吸附之碘離子從膜脫出，或交聯液所含之碘離子滲透至膜內，可抑制穿透率之變化。

交聯步驟之實施溫度(交聯用水溶液之溫度)並無特別限定，例如可為20至90℃，較佳係可為50至75℃，交聯步驟之溫度為上述之範圍內時，膜在無斷裂下使碘在適當範圍配向，可具體實現優異之光學特性。

交聯步驟之實施時間(交聯槽浸漬時間)並無特別限定，例如可為1秒鐘至15分鐘，較佳係可為5秒鐘至10分。交聯步驟之時間為上述之範圍內時，膜在無斷裂下使碘在適當範圍配向，可具體實現優異之光學特性。

可同時進行交聯步驟以及濕式延伸步驟，此時，前述交聯步驟之延伸比可為約0.99至1.65倍，在上述之範圍內，膜在無斷裂下而碘在適當範圍配向，可具體實現優異之光學特性，藉此，可提升偏光片之生產性。

又，前述交聯步驟係藉由第1交聯步驟及第2交聯步驟進行時，第1交聯步驟之延伸比可為約1.1至1.5倍，第2交聯步驟之延伸比可為約1至1.3倍，第1交聯步驟及第2交聯步驟之累積延伸比可為約0.99至1.65倍。

<水洗步驟>

依需要，本發明之偏光片之製造方法在交聯步驟結束 之後，可進一步含有水洗步驟。

水洗步驟係將結束延伸及交聯之偏光片形成用膜浸漬於充滿了水洗用水溶液之水洗槽，除去在前面之步驟附著於偏光片形成用膜之不需要的殘留物之步驟。

水洗用水溶液可為水(去離子水)，亦可在此進一步添加碘化物。

水洗步驟之實施溫度(水洗用水溶液之溫度)並無特別限定，例如可為0至60℃，較佳係可為5至30℃。

水洗步驟係可省略，亦可在如應力緩和步驟、染色步驟及交聯步驟之前面的步驟結束時進行。又，可重複1次以上，其重複次數並無特別限制。

<乾燥步驟>

乾燥步驟係使經水洗之偏光片形成用膜乾燥，經乾燥所致之內縮染附之碘分子的配向更提升，獲得光學特性優異之偏光片的步驟。

乾燥方法並無特別限定，可使用自然乾燥、空氣乾燥、加熱乾燥、遠紅外線乾燥、微波乾燥、熱風乾燥等之方法，最近，可嶄新地使用只使膜內之水活性化而乾燥之微波處理，通常，主要使用熱風處理及遠紅外線處理。

熱風乾燥時之實施溫度並無特別限定，為防止偏光片之劣化，以比較低之溫度進行者為佳，例如可為20至105℃，較佳係可為100℃以下。

前述熱風乾燥之實施時間並無特別限定，例如可進行1至10分鐘。

本發明之偏光片之製造方法，除了前述步驟之中之乾式延伸步驟及乾燥步驟外之其餘步驟，係可為全部在恒溫水槽內浸漬偏光片形成用膜而進行者。

有關前述偏光片之製造方法的偏光片，前述偏光片係可在至少一面積層有保護膜之偏光板的製造中使用。

前述保護膜之種類係只要為透明性、機械強度、熱安定性、水屏蔽性、等向性等優異之膜即可，並無特別限定，若舉出具體例，可舉例如聚對苯二甲酸乙二酯、聚間苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯等之聚酯系樹脂；二乙醯纖維素、三乙醯纖維素等之纖維素系樹脂；聚碳酸酯系樹脂；聚(甲基)丙烯酸甲酯、聚(甲基)丙烯酸乙酯等之聚丙烯酸系樹脂；聚苯乙烯、丙烯腈-苯乙烯共聚物等之苯乙烯系樹脂；聚乙烯、聚丙烯、具有環系或降莰烯構造之聚烯烴、乙烯-丙烯共聚物等之聚烯烴系樹脂；尼龍、芳香族聚醯胺等之聚醯胺系樹脂；醯亞胺系樹脂；聚醚碸系樹脂；碸系樹脂；聚醚酮系樹脂；聚苯硫系樹脂；乙烯醇系樹脂；偏二氯乙烯系樹脂；乙烯醇縮丁醛系樹脂；芳酸酯系樹脂；聚甲醛系樹脂；環氧系樹脂等之熱塑性樹脂所構成之膜，亦可使用以前述熱塑性樹脂之摻混物所構成之膜。又，亦可使用(甲基)丙烯酸系、胺基甲酸酯系、環氧系、矽系等之熱硬化性樹脂或紫外線硬化型樹脂所構 成之膜。此等之中，考量偏光特性或耐久性時，特別以具有經鹼等皂化之表面的纖維素系膜者為佳。又，保護膜係可為兼備下述之光學層之機能者。

前述偏光板之構造並無特別限制，可為滿足必要之光學特性的各種之種類的光學層積層於偏光片上者。例如，於偏光片之至少一面積層有保護偏光片之保護膜的構造；於偏光片之至少一面或保護膜上積層有硬塗層、抗反射層、抗黏著層、抗擴散層、防眩層等之表面處理層的構造；亦可於偏光片之至少一面或保護膜上具有補償視角之配向液晶層、或積層有其他機能性膜之構造。又，在形成各種之圖像顯示裝置所使用之如偏光轉換裝置之光學膜、反射片、半穿透板、1/2波長板或1/4波長板等之含有波長板(含有λ板)之相位差板、視角補償膜、增亮膜之中的1個以上作為光學層而積層之構造。更詳而言之，係於偏光片之一面積層有保護膜之構造的偏光板，於所積層之保護膜上積層有反射片或半穿透反射片之反射型偏光板或半穿透型偏光板；積層有相位差板之橢圓形或圓形偏光板；積層有視角補償層或視角補償膜之寬視角偏光板；或積層有增亮膜之偏光板等為佳。

如此之偏光板不僅可使用一般之液晶顯示裝置，亦可適用於有機電場發光顯示裝置(OLED)、電漿顯示裝置、電場發射顯示裝置等之各種圖像顯示裝置。

以下，為有助於本發明之理解而提示較佳之實施例，但此等實施例僅為本發明之例示，並非限制添 附之申請專利範圍者，在本發明之範疇及技術思想之範圍內可對實施例施行各種變更及修正者係發明所屬技術領域中具有一般知識者所能理解，此等之變形及修正理當屬於添附之申請專利範圍。

實施例及比較例

(實施例1)

將具有30μm之厚度且皂化度為99.9%以上之透明未延伸聚乙烯醇膜(PE30、KURARAY公司)以120℃之熱輥進行4倍乾式延伸。延伸後測定膜之結晶化度。

其後，於25℃之水(去離子水)浸漬經乾式延伸之膜1分20秒鐘使其應力緩和後，在含有碘1.25mM/L、碘化鉀1.25重量%、及硼酸0.3重量%之30℃之染色用水溶液中浸漬2分鐘而染色。此時，以應力緩和及染色步驟分別以0.92倍、1.002倍之延伸比進行延伸，從應力緩和槽至染色槽之累積延伸比成為0.922之方式延伸。然後，於含有碘化鉀10重量%、硼酸8重量%之65℃之交聯液中浸漬30秒鐘(第1交聯步驟)使其交聯，並以1.3倍之延伸比延伸。其後，於含有碘化鉀10重量%、硼酸8重量%之65℃之交聯液中浸漬20秒鐘(第2交聯步驟)使其交聯並以1.03倍之延伸比延伸。

此時，以應力緩和、染色及交聯步驟之總累積延伸比成為1.234倍之方式進行。交聯結束之後，使聚乙烯醇膜以100℃之烘箱乾燥1分鐘而製造偏光片，所製造之偏光片之穿透率為43.5%。

以下，以實施例1至10及比較例1至7之全部的穿透率成為43.5%(偏差0.2%)之範圍內的方式製作試樣。

(實施例2至7及比較例1至4)

除了調整下述之表1所記載之乾式延伸倍率及乾式延伸溫度，其餘以與實施例1同樣之方法製造偏光片。

(比較例5)

除了不進行乾式延伸，其餘以與實施例1同樣之方法製造偏光片。

(實施例8)

除了聚乙烯醇膜之厚度為20μm而相異以外，其餘以與實施例1同樣之方法製造偏光片。

(實施例9)

除了浸漬於水中1分鐘30秒進行應力緩和以外，其餘以與實施例1同樣之方法製造偏光片。

(實施例10)

除了浸漬於40℃之水中進行應力緩和以外，其餘以與實施例1同樣之方法製造偏光片。

(實施例11)

除了浸漬於40℃之水中1分鐘30秒進行應力緩和以外，其餘係以與實施例1同樣之方法製造偏光片。

(比較例6)

除了聚乙烯醇膜之厚度為60μm而相異以外，其餘以與比較例1同樣之方法製造偏光片。

<乾式延伸後之膜之結晶化度>

吸光度之測定：聚乙烯醇系膜在乾式延伸後，幅度及長度切成10＊10mm以上之後，將依ATR-IR法(Attenuated total Reflection Infrared Spectroscopy；全反射衰減紅外線分光法)之紅外線分光光譜使用傅立葉轉換紅外線分光光度 計(Thermo fisher scientific公司製造之紅外線分光光度計：NICOLET 5700,Pike Technology公司製ATR單元：VeeMAXIII)，依以下之條件進行吸光度之測定。

掃描次數：16次

最終格式：吸光模式

測定角度：45度

波數解析度：4cm^-1

測定波數範圍：400至4000cm^-1

掃描速度：9.6kHz

低通濾波器：自動

光源：IR(ceramic)

分束器：KBr

檢測器：DTGS KBr

結晶：ZnSe

測定方向：以光之入射方向與偏光片吸收軸方向成為平行之方式測定

結晶化度係使用下述之式求得。(C=結晶化度)

式中，A₁₁₄₃、A₁₀₉₃及A₂₀₀₀係分別波數1143、1093及2000cm^-1中之吸光度。

<偏光片之特性評價>

在上述之實施例及比較例中所製造之偏光片之物性以 下述之方法測定，其結果呈示於下述表2。

1. 光學特性(偏光度、穿透率)

將所製造之偏光片斷裂成為4cm×4cm之大小後，使用紫外可見光線分光計(V-7100、JASCO公司製)測定穿透率。此時，偏光度係依下述之式(1)定義。

偏光度(P)=[(T₁-T₂)/(T₁+T₂)]^1/2 (1)

(式中，T₁係將一對偏光片以吸收軸平行之狀態配置時所得之平行穿透率，T₂係將一對偏光片以吸收軸正交之狀態配置時所得之正交穿透率)。

2. 斷裂評價

以實施例及比較例之條件製造偏光片時斷裂之有/無的發生係依據下述之評價基準以目視確認。

<評價基準>

○：完全未發生膜之斷裂或龜裂

△：發生2次以下膜之斷裂或龜裂

×：發生3次以上膜之斷裂或龜裂

從前述表2可知，本發明之製造方法所製造之偏光片係顯示優異之光學特性，且在製造步驟中亦未發生斷裂。

乾式延伸步驟之後，結晶化度超出本發明之範圍之比較例1至4及6之情形，可確認出步驟中發生膜之斷裂或產生大量微細龜裂，結晶化度超出本發明之上 限範圍之比較例2、3及6之情形，可確認出光學特性顯著降低。

尤其，完全未進行乾式延伸步驟之比較例5之情形，可確認出製造步驟中常發生斷裂。

又，實施例8與比較例6比較時，實施例8之情形係使用20μm之薄膜之膜時亦未發生斷裂，但結晶化度超出本發明之範圍之比較例8係儘管為60μm，亦可確認出在膜上發生斷裂2次以下。

Claims (15)

1. 一種偏光片之製造方法，係包含使偏光片形成用膜進行乾式延伸、應力緩和、染色及交聯之步驟；前述乾式延伸步驟係以前述膜之結晶化度滿足0.6至0.8之方式進行。
2. 如申請專利範圍第1項所述之偏光片之製造方法，其中前述膜之結晶化度為0.61至0.75。
3. 如申請專利範圍第1或2項所述之偏光片之製造方法，其中，前述偏光片形成用膜之厚度為10至30μm。
4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項所述之偏光片之製造方法，其中，前述乾式延伸步驟之膜的延伸比為4至5倍。
5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項所述之偏光片之製造方法，其中，前述乾式延伸步驟係在120至140℃進行。
6. 如申請專利範圍第1至5項中任一項所述之偏光片之製造方法，其中，前述應力緩和步驟係浸漬於20至50℃之應力緩和用水溶液中而進行。
7. 如申請專利範圍第1至6項中任一項所述之偏光片之製造方法，其中，前述應力緩和步驟係進行40至180秒鐘。
8. 如申請專利範圍第1至7項中任一項所述之偏光片之製造方法，其中，前述應力緩和步驟之膜的延伸比為0.9至1倍。
9. 如申請專利範圍第1至8項中任一項所述之偏光片之製造方法，其中，前述染色步驟係浸漬於5至42℃之染色用水溶液中而進行。
10. 如申請專利範圍第1至9項中任一項所述之偏光片之製造方法，其中，前述染色步驟係進行60至200秒鐘。
11. 如申請專利範圍第1至10項中任一項所述之偏光片之製造方法，其中，前述染色步驟之膜的延伸比為1至1.1倍。
12. 如申請專利範圍第1至11項中任一項所述之偏光片之製造方法，其中，前述交聯步驟係浸漬於20至90℃之交聯用水溶液中而進行。
13. 如申請專利範圍第1至12項中任一項所述之偏光片之製造方法，其中，前述交聯步驟係進行1秒鐘至15分鐘。
14. 如申請專利範圍第1至13項中任一項所述之偏光片之製造方法，其中，前述交聯步驟之膜的延伸比為0.99至1.65倍。
15. 如申請專利範圍第1至14項中任一項所述之偏光片之製造方法，其中，前述交聯步驟之後，更包含水洗及乾燥步驟。