TW201718702A

TW201718702A - 含氟醚化合物、含氟醚組成物、塗佈液及物品

Info

Publication number: TW201718702A
Application number: TW105128027A
Authority: TW
Inventors: Taiki Hoshino; Kazue Toda; Kenji Ishizeki
Original assignee: Asahi Glass Co Ltd
Priority date: 2015-09-01
Filing date: 2016-08-31
Publication date: 2017-06-01
Also published as: CN107922608A; CN107922608B; KR20180044282A; US20180142062A1; JPWO2017038832A1; US10538621B2; JP6791147B2; WO2017038832A1

Abstract

本發明提供一種可形成撥水撥油性、耐摩擦性、指紋污垢除去性、潤滑性、耐藥性及耐光性優異之表面層的含氟醚化合物、含氟醚組成物及塗佈液以及具有表面層的物品。一種以A1-O-Q1-(Rf11O)m1-Rf12-R11-N[-R12-SiR13n1X13-n1]2表示之含氟醚化合物。惟，A1：碳數1~20之全氟烷基；Q1：單鍵或含有1個以上氫原子之氟伸烷基等；Rf11、Rf12：全氟氟伸烷基；m1：2~200之整數；R11：單鍵、伸烷基等；R12：伸烷基等；R13：1價烴基等；X1：水解性基；n1：0~2之整數。

Description

含氟醚化合物、含氟醚組成物、塗佈液及物品

本發明關於含氟醚化合物、含氟醚組成物、塗佈液及物品。

發明背景含氟化合物顯示高潤滑性、撥水撥油性等，所以很適合用於表面處理劑。若利用該表面處理劑對基材表面賦予撥水撥油性，便可輕易地拭去基材表面的污垢，提升污垢之除去性。該含氟化合物中，又以具有在全氟烷基鏈中間存在醚鍵(-O-)之聚(氧全氟伸烷基)鏈的含氟醚化合物特別有優異的油脂等污垢之除去性。

含有該含氟醚化合物之表面處理劑可用在要求長期維持耐摩擦性及指紋污垢除去性之用途上，例如可作為觸控面板之構成手指觸摸面之構件的表面處理劑來使用，耐摩擦性係指即使以手指反覆摩擦撥水撥油性也不會輕易降低之性能，指紋污垢除去性係指藉由擦拭即可輕易地除去附著於表面之指紋之性能。

為了對形成於基材表面之表面層賦予耐摩擦性，例如於含氟醚化合物之末端導入水解性矽基，使含氟醚化合物與基材進行化學鍵結即可。就以形成耐摩擦性優異之表面層為目的之含氟醚化合物而言，已有文獻提出一種於含氟醚化合物之一末端透過源自氮原子之分枝結構而導入有2個水解性矽基的含氟醚化合物(專利文獻1)。先前技術文獻專利文獻

專利文獻1：美國專利提申案公開第2010/0129672號說明書

發明概要發明欲解決之課題根據本發明人等之見解，因為專利文獻1中記載之含氟醚化合物於聚(氧全氟伸烷基)鏈與水解性矽基之間具有極性高且耐藥性及耐光性不夠充分之酯鍵，所以表面層的初始撥水性、耐藥性、耐光性不足。屋外使用之觸控面板(自動販賣機、導引板等數位看板)、車載觸控面板等在表面層會要求耐光性。

本發明目的在於提供一種可形成撥水撥油性、耐摩擦性、指紋污垢除去性、潤滑性、耐藥性及耐光性優異之表面層的含氟醚化合物、含氟醚組成物及塗佈液以及具有撥水撥油性、耐摩擦性、指紋污垢除去性、潤滑性、耐藥性及耐光性優異之表面層的物品。用以解決課題之手段

本發明提供具有下述[1]~[13]之構成之含氟醚化合物、含氟醚組成物、塗佈液及物品。 [1]一種含氟醚化合物，係如下式(1)所示： A¹ -O-Q¹ -(R^f11 O)_m1 -R^f12 -R¹¹ -N[-R¹² -SiR¹³ _n1 X¹ _3-n1 ]₂ ･･･(1) 惟，A¹ 為碳數1~20之全氟烷基； Q¹ 為單鍵、含有1個以上氫原子之氟伸烷基、於含有1個以上氫原子之氟伸烷基末端(惟，與A¹ -O鍵結側之末端除外)具有醚性氧原子之基團、於含有1個以上氫原子且碳數2以上之氟伸烷基的碳-碳原子間具有醚性氧原子之基團、或是於含有1個以上氫原子且碳數2以上之氟伸烷基末端(惟，與A¹ -O鍵結側之末端除外)及碳-碳原子間具有醚性氧原子之基團； R^f11 及R^f12 分別獨立為全氟伸烷基； m1為2~200之整數； (R^f11 O)_m1 可由2種以上R^f11 O構成； R¹¹ 為單鍵、伸烷基、於伸烷基末端(惟，與N鍵結側之末端除外)具有醚性氧原子或-NH-之基團、於碳數2以上之伸烷基之碳-碳原子間具有醚性氧原子或-NH-之基團、或是於碳數2以上之伸烷基末端(惟，與N鍵結側之末端除外)及碳-碳原子間具有醚性氧原子或-NH-之基團； R¹² 為伸烷基或於碳數2以上之伸烷基之碳-碳原子間具有醚性氧原子或-NH-之基團； R¹³ 為氫原子或1價烴基； X¹ 為水解性基； n1為0~2之整數； 2個[-R¹² -SiR¹³ _n1 X¹ _3-n1 ]可為不同基團。

[2]如[1]之含氟醚化合物，其中前述R^f11 及前述R^f12 分別獨立為碳數1~6之全氟伸烷基。 [3]如[1]或[2]之含氟醚化合物，其中前述R^f11 及前述R^f12 分別獨立為不具有分枝結構之全氟伸烷基。 [4]如[1]~[3]中任一項之含氟醚化合物，其中前述(R^f11 O)_m1 具有{(CF₂ O)_x1 (CF₂ CF₂ O)_x2 }(惟，x1、x2皆為1以上之整數，x1+x2為2以上且m1以下之整數，該式表示x1個(CF₂ O)及x2個(CF₂ CF₂ O)呈無規配置之結構)。 [5]如[1]~[4]中任一項之含氟醚化合物，其中前述(R^f11 O)_m1 具有(CF₂ CF₂ O-CF₂ CF₂ CF₂ CF₂ O)_x3 (惟，x3為1以上且m1/2以下之整數)。

[6]如[1]~[5]中任一項之含氟醚化合物，其中前述Q¹ 為單鍵、-R^f5 O-或-R^f5 O-R^f6 O-(惟，R^f5 、R^f6 分別獨立為具有氫原子之碳數2~6之氟伸烷基)。 [7]如[1]~[6]中任一項之含氟醚化合物，其中前述R¹¹ 為選自於由-CH₂ -、-CH₂ CH₂ -、-CH₂ CH₂ CH₂ -、-CH₂ OCH₂ CH₂ -及-CH₂ NHCH₂ CH₂ 所構成群組中之基。 [8]如[1]~[7]中任一項之含氟醚化合物，其中前述R¹² 為-CH₂ CH₂ CH₂ -或-CH₂ CH₂ OCH₂ CH₂ CH₂ -。 [9]如[1]~[8]中任一項之含氟醚化合物，其數量平均分子量為500~20,000。

[10]一種含氟醚組成物，其特徵在於含有：如請求項1至9中任一項之含氟醚化合物；及前述式(1)所示含氟醚化合物以外之含氟醚化合物；並且，相對於含氟醚組成物，前述含氟醚組成物中之前述式(1)所示含氟醚化合物與其他含氟醚化合物之合計比率為80~100質量%，且相對於前述式(1)所示含氟醚化合物與其他含氟醚化合物之合計，前述其他含氟醚化合物之比率超過0質量%且低於40質量%。 [11]如[10]之含氟醚組成物，其中前述其他含氟醚化合物係選自於由下述含氟醚化合物(2)、下述含氟醚化合物(3)及下述含氟醚化合物(4)所構成群組中之至少1種：含氟醚化合物(2)：前述式(1)所示含氟醚化合物中，具有前述-N[-R¹² -SiR¹³ _n1 X¹ _3-n1 ]₂ 之基團鍵結在前述(R^f11 O)_m1 兩側者；含氟醚化合物(3)：前述式(1)所示含氟醚化合物中，具有前述A¹ 之基團鍵結在前述(R^f11 O)_m1 兩側者；含氟醚化合物(4)：前述式(1)所示含氟醚化合物中，前述-N[-R¹² -SiR¹³ _n1 X¹ _3-n1 ]₂ 已被取代成-N[-R¹² -SiR¹³ _n1 X¹ _3-n1 ]_2-t [-R¹⁵ ]_t (惟，R¹⁵ 係加成HSiR¹³ _n1 X¹ _3-n1 後會成為-R¹² -SiR¹³ _n1 X¹ _3-n1 之含不飽和鍵基團或是該含不飽和鍵基團之異構物基團，t為1或2)者。

[12]一種塗佈液，其特徵在於含有：如前述[1]~[9]中任一項之含氟醚化合物或如[10]或[11]之含氟醚組成物；及液狀介質。 [13]一種物品，其特徵在於具有一表面層，該表面層係由如前述[1]~[9]中任一項之含氟醚化合物或如[10]或[11]之含氟醚組成物形成。發明效果

利用本發明之含氟醚化合物、含氟醚組成物及塗佈液，可形成一撥水撥油性、耐摩擦性、指紋污垢除去性、潤滑性、耐藥性及耐光性優異之表面層。本發明之物品具有撥水撥油性、耐摩擦性、指紋污垢除去性、潤滑性、耐藥性及耐光性優異之表面層。

用以實施發明之形態在本說明書中，式(1)所示化合物表記為化合物(1)。以其他式表示之化合物亦以同樣方式表記。本說明書中之以下用語意義如下。「全氟烷基」意指烷基之氫原子全部被氟原子取代之基。「氟伸烷基」意指伸烷基之氫原子有1個以上被氟原子取代之基。「全氟伸烷基」意指伸烷基之氫原子全部被氟原子取代之基。氧全氟伸烷基之化學式係以其氧原子記載於全氟伸烷基之右側表示。「醚性氧原子」係指於碳-碳原子間形成醚鍵(-O-)之氧原子。「水解性矽基」係指可藉由水解反應形成矽烷醇基(Si-OH)之基。譬如式(1)中之SiR¹³ _n1 X¹ _3-n1 。「表面層」係指形成於基材表面之層。含氟醚化合物之「數量平均分子量」可使用NMR分析法並以下述方法算出。利用¹ H-NMR及¹⁹ F-NMR，以末端基為基準，求出氧全氟伸烷基數(平均值)而算出。末端基例如為式(1)中之A¹ 或SiR¹³ _n1 X¹ _3-n1 。

[含氟醚化合物] 本發明之含氟醚化合物(以下亦表記為本化合物)為下式(1)所示化合物(1)。 A¹ -O-Q¹ -(R^f11 O)_m1 -R^f12 -R¹¹ -N[-R¹² -SiR¹³ _n1 X¹ _3-n1 ]₂ ･･･(1) 惟，A¹ 為碳數1~20之全氟烷基；Q¹ 為單鍵、含有1個以上氫原子之氟伸烷基、於含有1個以上氫原子之氟伸烷基末端(惟，與A¹ -O鍵結側之末端除外)具有醚性氧原子之基團、於含有1個以上氫原子之碳數2以上之氟伸烷基之碳-碳原子間具有醚性氧原子之基團、或是於含有1個以上氫原子之碳數2以上之氟伸烷基末端(惟，與A¹ -O鍵結側之末端除外)及碳-碳原子間具有醚性氧原子之基團；R^f11 及R^f12 分別獨立為全氟伸烷基；m1為2~200之整數；(R^f11 O)_m1 可由2種以上R^f11 O所構成；R¹¹ 為單鍵、伸烷基、於伸烷基末端(惟，與N鍵結側之末端除外)具有醚性氧原子或-NH-之基團、於碳數2以上之伸烷基之碳-碳原子間具有醚性氧原子或-NH-之基團、或是於碳數2以上之伸烷基末端(惟，與N鍵結側之末端除外)及碳-碳原子間具有醚性氧原子或-NH-之基團；R¹² 為伸烷基、或是於碳數2以上之伸烷基之碳-碳原子間具有醚性氧原子或-NH-之基團；R¹³ 為氫原子或1價烴基；X¹ 為水解性基；n1為0~2之整數；2個[-R¹² -SiR¹³ _n1 X¹ _3-n1 ]可為不同基團。

(A¹ 基) 從表面層之潤滑性及耐摩擦性更為優異的觀點來看，A¹ 以碳數1~10之全氟烷基為宜，碳數1~6之全氟烷基較佳，碳數1~3之全氟烷基尤佳。

A¹ 末端具有CF₃ -，所以化合物(1)之其中一末端為CF₃ -且另一末端為水解性矽基。利用該結構之化合物(1)可形成低表面能之表面層，所以該表面層具優異的潤滑性及耐摩擦性。另一方面，就習知之兩末端具有水解性矽基的含氟醚化合物而言，表面層之潤滑性及耐摩擦性不夠充分。

(Q¹ 基) Q¹ 宜為單鍵、含有1個以上氫原子之碳數1~10之氟伸烷基、於含有1個以上氫原子之碳數1~10之氟伸烷基末端(惟，與A¹ -O鍵結側之末端除外)具有醚性氧原子之基團、於含有1個以上氫原子且碳數2~10之氟伸烷基的碳-碳原子間具有醚性氧原子之基團、或是於含有1個以上氫原子且碳數2~10之氟伸烷基末端(惟，與A¹ -O鍵結側之末端除外)及碳-碳原子間具有醚性氧原子之基團。 Q¹ 不是單鍵時，從表面層外觀優異的觀點來看，Q¹ 中之氫原子數為1個以上，且以2個以上為宜，3個以上尤佳。從表面層之撥水撥油性更加優異的觀點來看，Q¹ 中之氫原子數宜為(Q¹ 之碳數)×2以下，且以(Q¹ 之碳數)以下尤佳。藉由Q¹ 具有氫原子，可提高化合物(1)對於液狀介質之溶解性。所以，化合物(1)不易在塗佈液中凝集，而且將之塗佈至基材表面後，在其乾燥期間化合物(1)也不易凝集，所以表面層之外觀更為優異。就Q¹ 而言，尤宜為單鍵、-R^f5 O-或-R^f5 O-R^f6 O-。惟，R^f5 、R^f6 分別獨立表示具有氫原子之碳數2~6之氟伸烷基。R^f5 、R^f6 中之氫原子數宜為1或2。 R^f5 O宜為於A¹ -O-鍵結之碳原子上具有氫原子之氧氟伸烷基，且以CHFCF₂ O尤佳。R^f6 O宜為於R^f5 O鍵結之碳原子上具有氫原子之氧氟伸烷基，可列舉CH₂ CF₂ O、CH₂ CF₂ CF₂ O、CH₂ CF₂ CF₂ CF₂ O等。-R^f5 O-R^f6 O-可列舉-CHFCF₂ O-CH₂ CF₂ O-等。

((R^f11 O)_m1 ) 從表面層之耐摩擦性及指紋污垢除去性更為優異的觀點來看，R^f11 以碳數1~6之全氟伸烷基為宜，碳數1~4之全氟伸烷基較佳；若從表面層之潤滑性更為優異的觀點來看，則以碳數1~2之全氟伸烷基尤佳。

化合物(1)具有(R^f11 O)_m1 ，所以氟原子含量多。因此，可形成撥水撥油性、耐摩擦性、指紋污垢除去性優異的表面層。另，R^f11 只要為不具分枝結構之全氟伸烷基，(R^f11 O)_m1 即為直鏈結構。藉由該結構之化合物(1)，表面層具優異的耐摩擦性及潤滑性。另一方面，聚(氧全氟伸烷基)鏈具有分枝結構時，表面層之耐摩擦性及潤滑性會略差。

m1為2~200之整數，宜為5~150之整數，且以10~100之整數尤佳。m1只要在前述範圍之下限值以上，表面層之撥水撥油性即佳。m1只要在前述範圍之上限值以下，表面層之耐摩擦性即佳。亦即，化合物(1)之數量平均分子量如果太大，每單位分子量中存在之水解性矽基數就會減少而降低耐摩擦性。

(R^f11 O)_m1 中存在2種以上R^f11 O時，各R^f11 O之鍵結順序不受限定。例如，存在CF₂ O與CF₂ CF₂ O時，CF₂ O與CF₂ CF₂ O可呈無規、交錯或嵌段配置。存在2種以上R^f11 O意指存在碳數互異之2種以上R^f11 O及存在可碳數相同但有無側鏈或側鏈種類(側鏈數或側鏈之碳數等)互異之2種以上R^f11 O。關於2種以上R^f11 O之配置，譬如像實施例之含氟醚化合物，{(CF₂ O)_x1 (CF₂ CF₂ O)_x2 }所示結構係表示x1個(CF₂ O)與x2個(CF₂ CF₂ O)呈無規配置。又，(CF₂ CF₂ O-CF₂ CF₂ CF₂ CF₂ O)_x3 所示結構係表示x3個(CF₂ CF₂ O)與x3個(CF₂ CF₂ CF₂ CF₂ O)呈交錯配置。

從表面層之耐摩擦性、指紋污垢除去性、潤滑性更為優異的觀點來看，(R^f11 O)_m1 宜為{(CF₂ O)_m11 (CF₂ CF₂ O)_m12 }、(CF₂ CF₂ O)_m13 _、 (CF₂ CF₂ CF₂ O)_m14 _、 (CF₂ CF₂ O-CF₂ CF₂ CF₂ CF₂ O)_m15 及該等之一端或兩端具有1~4個其他(R^f11 O)之基團。該等之一端或兩端具有1~4個其他(R^f11 O)之基團可列舉如(CF₂ CF₂ O)₂ {(CF₂ O)_m11 (CF₂ CF₂ O)_m12 }、(CF₂ CF₂ O-CF₂ CF₂ CF₂ CF₂ O)_x3 (CF₂ CF₂ O)等。(R^f11 O)_m1 尤宜為具有{(CF₂ O)_m11 (CF₂ CF₂ O)_m12 }之基團。惟，m11為1以上之整數，m12為1以上之整數，m11+m12為2~200之整數且m11個CF₂ O及m12個CF₂ CF₂ O之鍵結順序不受限定。m13及m14分別為2~200之整數，m15為1~100之整數。

(R^f12 基) 從表面層之耐摩擦性及指紋污垢除去性更為優異的觀點來看，R^f12 以碳數1~6之全氟伸烷基為宜，碳數1~4之全氟伸烷基較佳；若從表面層之潤滑性更為優異的觀點來看，則以碳數1~2之全氟伸烷基尤佳。例如，(R^f11 O)_m1 為{(CF₂ O)_m11 (CF₂ CF₂ O)_m12 }及(CF₂ CF₂ O)_m13 時，R^f12 為碳數1之全氟伸烷基；(R^f11 O)_m1 為(CF₂ CF₂ CF₂ O)_m14 時，R^f12 為碳數2之全氟伸烷基；(R^f11 O)_m1 為(CF₂ CF₂ O-CF₂ CF₂ CF₂ CF₂ O)_m15 時，R^f12 為碳數3之直鏈全氟伸烷基。另，R^f11 為具有分枝之全氟伸烷基時，R^f12 有時會變成具有分枝之全氟伸烷基，譬如R^f11 為(CF(CF₃ )CF₂ O)時，R^f12 即為CF(CF₃ )。只要R^f12 為不具分枝結構之全氟伸烷基，表面層之耐摩擦性及潤滑性即佳。

(R¹¹ 基) 就R¹¹ 而言，宜為單鍵、碳數1~10之伸烷基、於碳數1~10之伸烷基末端(惟，與N鍵結側之末端除外)具有醚性氧原子或-NH-之基團、於碳數2~10之伸烷基之碳-碳原子間具有醚性氧原子或-NH-之基團、或是於碳數2~10之伸烷基末端(惟，與N鍵結側之末端除外)及碳-碳原子間具有醚性氧原子或-NH-之基團，且以碳數1~7之伸烷基、於碳數2~7之伸烷基之碳-碳原子間具有醚性氧原子或-NH-之基團尤佳。從化合物(1)之易製性觀點來看，宜為選自於由-CH₂ -、-CH₂ CH₂ -、-CH₂ CH₂ CH₂ -、-CH₂ OCH₂ CH₂ -及-CH₂ NHCH₂ CH₂ -所構成群組中之基團(惟，左側與R^f12 鍵結)。 R¹¹ 不具極性高且耐藥性及耐光性不夠充分的酯鍵，所以表面層之初始撥水性、耐藥性及耐光性佳。

(R¹² 基) 就R¹² 而言，宜為碳數1~10之伸烷基、或是於碳數2~10之伸烷基之碳-碳原子間具有醚性氧原子或-NH-之基團，且以碳數1~7之伸烷基、或是於碳數2~7之伸烷基之碳-碳原子間具有醚性氧原子或-NH-之基團尤佳。從化合物(1)之易製性觀點來看，宜為-CH₂ CH₂ CH₂ -或-CH₂ CH₂ OCH₂ CH₂ CH₂ -(惟，右側與Si鍵結)。 R¹² 不具極性高且耐藥性及耐光性不夠充分的酯鍵，所以表面層之初始撥水性、耐藥性及耐光性佳。從表面層之耐光性優異的觀點來看，R¹² 以不具醚性氧原子者尤佳。化合物(1)中之2個R¹² 可為相同基團，亦可為不同基團。

(SiR¹³ _n1 X¹ _3-n1 基) SiR¹³ _n1 X¹ _3-n1 為水解性矽基。化合物(1)末端具有2個水解性矽基。該結構之化合物(1)會與基材牢固地化學鍵結，所以表面層的耐摩擦性優異。又，化合物(1)僅一末端具有水解性矽基。該結構之化合物(1)很難凝集，所以表面層有優異的外觀。

X¹ 為水解性基。水解性基係藉由水解反應變成羥基之基。即，化合物(1)末端之Si-X¹ 會因為水解反應而變成矽烷醇基(Si-OH)。矽烷醇基則進一步在分子間起反應而形成Si-O-Si鍵。另外，矽烷醇基會與基材表面之羥基(基材-OH)進行脫水縮合反應而形成化學鍵(基材-O-Si)。

X¹ 可列舉烷氧基、鹵素原子、醯基、異氰酸酯基(-NCO)等。烷氧基以碳數1~4之烷氧基為宜。從化合物(1)之易製性觀點來看，X¹ 以碳數1~4之烷氧基或鹵素原子為佳。鹵素原子以氯原子尤佳。從塗佈時之出氣少且化合物(1)之保存穩定性優異的觀點來看，X¹ 以碳數1~4之烷氧基為佳；需要化合物(1)具長期保存穩定性時以乙氧基尤佳，欲縮短塗佈後之反應時間時則以甲氧基尤佳。

R¹³ 為氫原子或1價烴基。1價烴基可列舉烷基、環烷基、烯基、烯丙基等。 R¹³ 宜為1價烴基，且以1價飽和烴基尤佳。1價飽和烴基之碳數宜為1~6，且以1~3較佳，1~2尤佳。R¹³ 之碳數若在該範圍內，便容易製造化合物(1)。

n1宜為0或1，且以0尤佳。藉由1個水解性矽基中存在有多數個X¹ ，可使與基材之密著性更加牢固。

SiR¹³ _n1 X¹ _3-n1 宜為Si(OCH₃ )₃ 、SiCH₃ (OCH₃ )₂ 、Si(OCH₂ CH₃ )₃ 、SiCl₃ 、Si(OCOCH₃ )₃ 、Si(NCO)₃ 。從工業製造之易處置性觀點來看，以Si(OCH₃ )₃ 尤佳。化合物(1)中之2個SiR¹³ _n1 X¹ _3-n1 可為相同基團，亦可為不同基團。從化合物(1)之易製性觀點來看，宜為相同基團。

(化合物(1)的理想形態) 化合物(1)可列舉如下式化合物。由工業上容易製造、好處置、撥水撥油性、耐摩擦性、指紋污垢除去性、潤滑性、耐藥性及耐光性更為優異的觀點來看，以該化合物為宜。

[化1]

惟，PFPE為多氟聚醚鏈，即A¹ -O-Q¹ -(R^f11 O)_m1 -R^f12 -。PFPE之理想形態係將上述之理想A¹ 、Q¹ 、(R^f11 O)_m1 及R^f12 予以組合而成者。

(化合物(1)之製造方法) 化合物(1)之製造方法可列舉如下述方法(1)~(3)。

＜方法(1)＞起始物質係使用市售之下式(10)所示化合物(10)。 HO-CH₂ -(CF₂ O)(R^f11 O)_x -CF₂ -CH₂ -OH･･･(10)

在鹼性化合物存在下，使A¹ -O-CF=CF₂ 對化合物(10)進行反應而獲得下式(11)所示化合物(11)、下式(3A)所示化合物(3A)及未反應之化合物(10)之混合物。 A¹ -O-CHFCF₂ OCH₂ -(CF₂ O)(R^f11 O)_x -CF₂ -CH₂ -OH･･･(11) A¹ -O-CHFCF₂ OCH₂ -(CF₂ O)(R^f11 O)_x -CF₂ -CH₂ OCF₂ CHF-O-A¹ ･･･(3A)

從混合物單離出化合物(11)，利用化合物(11)與CF₃ CF₂ CF₂ OCF(CF₃ )COF之酯化反應而獲得下式(12)所示化合物(12)。該酯化反應亦可為化合物(11)與其他醯氟、醯氯、醯溴、酸酐等之反應。 A¹ -O-CHFCF₂ OCH₂ -(CF₂ O)(R^f11 O)_x -CF₂ -CH₂ -OCOCF(CF₃ )OCF₂ CF₂ CF₃ ･･･(12)

使用氟氣將化合物(12)之氫原子取代成氟原子而獲得下式(13)所示化合物(13)。該氟化步驟可按照例如國際公開第2000/56694號中記載之方法等來實施。 A¹ -O-(CF₂ CF₂ O)(CF₂ CF₂ O)(R^f11 O)_x (CF₂ CF₂ O)-COCF(CF₃ )OCF₂ CF₂ CF₃ ･･･(13)

使醇類(甲醇、乙醇、1-丙醇、2-丙醇等；以下表記為ROH且R為烷基)對化合物(13)起作用而獲得下式(14)所示化合物(14)。 A¹ -O-(CF₂ CF₂ O)(CF₂ CF₂ O)(R^f11 O)_x -CF₂ -COOR･･･(14)

使用還原劑(硼氫化鈉、鋁氫化鋰等)使化合物(14)進行氫還原而獲得下式(15)所示化合物(15)。 A¹ -O-(CF₂ CF₂ O)(CF₂ CF₂ O)(R^f11 O)_x -CF₂ -CH₂ OH･･･(15)

在鹼性化合物存在下，使CF₃ SO₂ Cl對化合物(15)進行反應而獲得下式(16)所示化合物(16)。 A¹ -O-(CF₂ CF₂ O)(CF₂ CF₂ O)(R^f11 O)_x -CF₂ -CH₂ OSO₂ CF₃ ･･･(16)

在鹼性化合物存在下，使HN(CH₂ CH=CH₂ )₂ 對化合物(16)進行反應而獲得下式(17)所示化合物(17)。 A¹ -O-(CF₂ CF₂ O)(CF₂ CF₂ O)(R^f11 O)_x -CF₂ -CH₂ -N(CH₂ CH=CH₂ )₂ ･･･(17)

使化合物(17)與HSiR¹³ _n1 X¹ _3-n1 進行矽氫化反應而獲得下式(1A)所示化合物(1A)。矽氫化反應宜使用鉑等過渡金屬觸媒或有機過氧化物等自由基產生劑來進行。 A¹ -O-(CF₂ CF₂ O)(CF₂ CF₂ O)(R^f11 O)_x -CF₂ -CH₂ -N[CH₂ CH₂ CH₂ -SiR¹³ _n1 X¹ _3-n1 ]₂ ･･･(1A) 另，若將上述式按每一氧全氟伸烷基單元彙整表示，化合物(1A)可以下述表示。 A¹ -O-(R^f11 O)_x+2 -CF₂ -CH₂ -N[CH₂ CH₂ CH₂ -SiR¹³ _n1 X¹ _3-n1 ]₂ ･･･(1A)

＜方法(2)＞起始物質係使用方法(α)中所製得之化合物(11)。 A¹ -O-CHFCF₂ OCH₂ -(CF₂ O)(R^f11 O)_x -CF₂ -CH₂ -OH･･･(11)

在鹼性化合物存在下，使CF₃ SO₂ Cl對化合物(11)進行反應而獲得下式(16B)所示化合物(16B)。 A¹ -O-CHFCF₂ OCH₂ -(CF₂ O)(R^f11 O)_x -CF₂ -CH₂ OSO₂ CF₃ ･･･(16B)

在鹼性化合物存在下，使HN(CH₂ CH=CH₂ )₂ 對化合物(16B)進行反應而獲得下式(17B)所示化合物(17B)。 A¹ -O-CHFCF₂ OCH₂ -(CF₂ O)(R^f11 O)_x -CF₂ -CH₂ -N(CH₂ CH=CH₂ )₂ ･･･(17B)

使化合物(17B)與HSiR¹³ _n1 X¹ _3-n1 進行矽氫化反應而獲得下式(1B)所示化合物(1B)。 A¹ -O-CHFCF₂ OCH₂ -(CF₂ O)(R^f11 O)_x -CF₂ -CH₂ -N[CH₂ CH₂ CH₂ -SiR¹³ _n1 X¹ _3-n1 ]₂ ･･･(1B) 另，若將上述式按每一氧氟伸烷基單元/氧全氟伸烷基單元彙整表示，化合物(1B)可以下述表示。 A¹ -O-(CHFCF₂ O)(CH₂ CF₂ O)-(R^f11 O)_x -CF₂ -CH₂ -N[CH₂ CH₂ CH₂ -SiR¹³ _n1 X¹ _3-n1 ]₂ ･･･(1B)

＜方法(3)＞起始物質係使用以國際公開第2013/121984號中記載之方法等公知方法製得的下式(15C)所示化合物(15C)。 A¹ -O-(R^f11 O)_x -R^f12 -CH₂ OH･･･(15C)

在鹼性化合物存在下，使CF₃ SO₂ Cl對化合物(15C)進行反應而獲得下式(16C)所示化合物(16C)。 A¹ -O-(R^f11 O)_x -R^f12 -CH₂ OSO₂ CF₃ ･･･(16C)

在鹼性化合物存在下，使HN(CH₂ CH=CH₂ )₂ 對化合物(16C)進行反應而獲得下式(17C)所示化合物(17C)。 A¹ -O-(R^f11 O)_x -R^f12 -CH₂ -N(CH₂ CH=CH₂ )₂ ･･･(17C)

使化合物(17C)與HSiR¹³ _n1 X¹ _3-n1 進行矽氫化反應而獲得下式(1C)所示化合物(1C)。 A¹ -O-(R^f11 O)_x -R^f12 -CH₂ -N[CH₂ CH₂ CH₂ -SiR¹³ _n1 X¹ _3-n1 ]₂ ･･･(1C)

(本化合物) 本化合物可為1種化合物(1)所構成之單一化合物，亦可為A¹ 、Q¹ 、(R^f11 O)_m1 、R^f12 、R¹¹ 、R¹² 、SiR¹³ _n1 X¹ _3-n1 等互異之2種以上化合物(1)所構成之混合物。本發明中，單一化合物之化合物(1)係指除了在m1數上具有分布以外其他皆相同之化合物群組。

本化合物之數量平均分子量以500~20,000為宜，800~10,000較佳，1,000~8,000尤佳。數量平均分子量只要在該範圍內，耐摩擦性即佳。

[含氟醚組成物] 本發明之含氟醚組成物(以下亦表記為本組成物)為含有化合物(1)與化合物(1)以外之含氟醚化合物的組成物。其他含氟醚化合物可列舉：化合物(1)之製造過程中副生成之含氟醚化合物、可與化合物(1)使用在相同用途上之公知的(尤其是市售的)含氟醚化合物等。其他含氟醚化合物係少有降低化合物(1)特性之虞的化合物，且相對於本組成物中之化合物(1)的相對含量以少有降低化合物(1)特性之虞的量為宜。其他含氟醚化合物為化合物(1)之製造過程中副生成之含氟醚化合物時，便容易於製造化合物(1)時進行化合物(1)的精製，可簡化精製步驟。其他含氟醚化合物為可與化合物(1)使用在相同用途上之公知的含氟醚化合物時，有時可發揮補充化合物(1)特性等新的作用效果。

前述其他含氟醚化合物宜為選自於由下述含氟醚化合物(2)、下述含氟醚化合物(3)及下述含氟醚化合物(4)所構成群組中之至少1種。含氟醚化合物(2)：前述式(1)所示含氟醚化合物中，具有前述-N[-R¹² -SiR¹³ _n1 X¹ _3-n1 ]₂ 之基團鍵結在前述(R^f11 O)_m1 兩側者；含氟醚化合物(3)：前述式(1)所示含氟醚化合物中，具有前述A¹ 之基團鍵結在前述(R^f11 O)_m1 兩側者；含氟醚化合物(4)：前述式(1)所示含氟醚化合物中，前述-N[-R¹² -SiR¹³ _n1 X¹ _3-n1 ]₂ 已被取代成-N[-R¹² -SiR¹³ _n1 X¹ _3-n1 ]_2-t [-R¹⁵ ]_t (惟，R¹⁵ 係加成HSiR¹³ _n1 X¹ _3-n1 後會成為-R¹² -SiR¹³ _n1 X¹ _3-n1 之含不飽和鍵基團或是該含不飽和鍵基團之異構物基團，t為1或2)者。從少有降低化合物(1)特性之虞的觀點來看，含氟醚化合物(2)宜為後述化合物(2)，含氟醚化合物(3)宜為後述化合物(3)，含氟醚化合物(4)宜為後述化合物(4)。

(化合物(2)) 化合物(2)為下式(2)所示含氟醚化合物。 [X² _3-n2 R²³ _n2 Si-R²² -]₂ N-Q² -(R^f21 O)_m2 -R^f22 -R²¹ -N[-R²² -SiR²³ _n2 X² _3-n2 ]₂ ･･･(2) 惟，Q² 為單鍵、伸烷基、於伸烷基末端(惟，與N鍵結側之末端除外)具有醚性氧原子或-NH-之基團、於碳數2以上之伸烷基之碳-碳原子間具有醚性氧原子或-NH-之基團、於碳數2以上之伸烷基末端(惟，與N鍵結側之末端除外)及碳-碳原子間具有醚性氧原子或-NH-之基團、含有1個以上氫原子之氟伸烷基、於含有1個以上氫原子之氟伸烷基末端(惟，與N鍵結側之末端除外)具有醚性氧原子或-NH-之基團、於含有1個以上氫原子之碳數2以上之氟伸烷基之碳-碳原子間具有醚性氧原子或-NH-之基團、或是於含有1個以上氫原子之碳數2以上之氟伸烷基末端(惟，與N鍵結側之末端除外)及碳-碳原子間具有醚性氧原子或-NH-之基團；R^f21 及R^f22 分別獨立為全氟伸烷基；m2為2~200之整數；(R^f21 O)_m2 可由2種以上R^f21 O構成；R²¹ 為單鍵、伸烷基、或是於伸烷基末端(惟，與N鍵結側之末端除外)具有醚性氧原子或-NH-之基團、於碳數2以上之伸烷基之碳-碳原子間具有醚性氧原子或-NH-之基團、或是於碳數2以上之伸烷基末端(惟，與N鍵結側之末端除外)及碳-碳原子間具有醚性氧原子或-NH-之基團；R²² 為伸烷基、或是於碳數2以上之伸烷基之碳-碳原子間具有醚性氧原子或-NH-之基團；R²³ 為氫原子或1價烴基；X² 為水解性基；n2為0~2之整數；4個[-R²² -SiR²³ _n2 X² _3-n2 ]可不必全部為相同基團。

就Q² 而言，可列舉與化合物(1)之R¹¹ 或Q¹ 相同者，理想形態亦同。 Q² 為含有1個以上氫原子之氟伸烷基、或是於含有1個以上氫原子之碳數2以上之氟伸烷基之碳-碳原子間具有醚性氧原子或-NH-之基團時，且於Q² 之與(R^f21 O)_m2 鍵結側之末端不存在醚性氧原子或-NH-時，Q² 之與(R^f21 O)_m2 鍵結側之末端之碳原子上會至少鍵結1個氫原子。 (R^f21 O)_m2 、R^f22 、R²¹ 、R²² 、SiR²³ _n2 X² _3-n2 分別可列舉與化合物(1)之(R^f11 O)_m1 、R^f12 、R¹¹ 、R¹² 、SiR¹³ _n1 X¹ _3-n1 相同者，理想形態亦同。

(化合物(2)之製造方法) 化合物(2)之製造方法可列舉如下述方法(4)。

＜方法(4)＞起始物質係使用市售之下式(10)所示化合物(10)。 HO-CH₂ -CF₂ O(R^f11 O)_x -CF₂ -CH₂ -OH･･･(10)

在鹼性化合物存在下，使CF₃ SO₂ Cl對化合物(10)進行反應而獲得下式(18)所示化合物(18)。 CF₃ SO₂ OCH₂ -(CF₂ O)(R^f11 O)_x -CF₂ -CH₂ OSO₂ CF₃ ･･･(18)

在鹼性化合物存在下，使HN(CH₂ CH=CH₂ )₂ 對化合物(18)進行反應而獲得下式(19)所示化合物(19)。 (CH₂ =CHCH₂ )₂ N-CH₂ -(CF₂ O)(R^f11 O)_x -CF₂ -CH₂ -N(CH₂ CH=CH₂ )₂ ･･･(19)

使化合物(19)與HSiR²³ _n2 X² _3-n2 進行矽氫化反應而獲得下式(2A)所示化合物(2A)。 [X² _3-n2 R²³ _n2 Si-CH₂ CH₂ CH₂ ]₂ N-CH₂ -(CF₂ O)(R^f11 O)_x -CF₂ -CH₂ -N[CH₂ CH₂ CH₂ -SiR²³ _n2 X² _3-n2 ]₂ ･･･(2A)

(化合物(3)) 化合物(3)為下式(3)所示含氟醚化合物。 A³¹ -O-Q³¹ -(R^f31 O)_m3 -[Q³² -O]_p -A³² ･･･(3) 惟，A³¹ 及A³² 分別獨立為碳數1~20之全氟烷基；Q³¹ 為單鍵、含有1個以上氫原子之氟伸烷基、於含有1個以上氫原子之氟伸烷基末端(惟，與A³¹ -O鍵結側之末端除外)具有醚性氧原子之基團、於含有1個以上氫原子之碳數2以上之氟伸烷基之碳-碳原子間具有醚性氧原子之基團、或是於含有1個以上氫原子之碳數2以上之氟伸烷基末端(惟，與A³¹ -O鍵結側之末端除外)及碳-碳原子間具有醚性氧原子之基團；Q³² 為含有1個以上氫原子之氟伸烷基、或是於含有1個以上氫原子之碳數2以上之氟伸烷基之碳-碳原子間具有醚性氧原子之基團；R^f31 為全氟伸烷基；m3為2~200之整數；(R^f31 O)_m3 可由2種以上R^f31 O構成；Q³¹ 為單鍵時p為0，Q³¹ 為單鍵以外時p為1。

A³¹ 、Q³¹ 、(R^f31 O)_m3 、Q³² 、A³² 分別可列舉與化合物(1)之A¹ 、Q¹ 、(R^f31 O)_m3 、Q¹ (惟，單鍵除外)、A¹ 相同者，理想形態亦同。從可有效利用製造化合物(1)時副生成之化合物的觀點來看，分別與化合物(1)之A¹ 、Q¹ 、(R^f11 O)_m1 、Q¹ (惟，單鍵除外)、A¹ 相同為宜。 Q³¹ 為含有1個以上氫原子之氟伸烷基、或是於含有1個以上氫原子之碳數2以上之氟伸烷基之碳-碳原子間具有醚性氧原子之基團時，且於Q³¹ 之與(R^f31 O)_m3 鍵結側之末端不存在醚性氧原子時，Q³¹ 之與(R^f31 O)_m3 鍵結側之末端之碳原子上會至少鍵結1個氫原子。

(化合物(3)之製造方法) 化合物(3)之製造方法可列舉如下述方法(5)及(6)。

＜方法(5)＞從方法(1)中所得化合物(11)、化合物(3A)及未反應之化合物(10)之混合物單離出化合物(3A)。 A¹ -O-CHFCF₂ OCH₂ -(CF₂ O)(R^f11 O)_x -CF₂ -CH₂ OCF₂ CHF-O-A¹ ･･･(3A) 另，若將上述式按每一氧氟伸烷基單元/氧全氟伸烷基單元彙整表示，化合物(3A)可以下述表示。 A¹ -O-(CHFCF₂ O)(CH₂ CF₂ O)-(R^f11 O)_x -(CF₂ CH₂ O)(CF₂ CHFO)-A¹ ･･･(3A)

＜方法(6)＞以氟氣使化合物(3A)氟化而獲得化合物(3B)。 A¹ -O-(CF₂ CF₂ O)(CF₂ CF₂ O)(R^f11 O)_x (CF₂ CF₂ O)(CF₂ CF₂ O)-A¹ ･･･(3B)

Q³¹ 為單鍵且p為0之化合物(3)亦可使用市售物。市售物可列舉FOMBLIN(註冊商標)M、FOMBLIN(註冊商標)Y、FOMBLIN(註冊商標)Z(以上皆Solvay Solexis公司製)、Krytox(註冊商標)(杜邦公司製)、Demnum(註冊商標)(大金工業公司製)等。

化合物(4)為化合物(1)之-N[-R¹² -SiR¹³ _n1 X¹ _3-n1 ]₂ 被-N[-R¹² -SiR¹³ _n1 X¹ _3-n1 ]_2-t [-R¹⁵ ]_t 取代之化合物，-N[-R¹² -SiR¹³ _n1 X¹ _3-n1 ]_2-t [-R¹⁵ ]_t 以外之部分與化合物(1)為相同化合物。R¹⁵ 係藉由矽氫化反應會成為[-R¹² -SiR¹³ _n1 X¹ _3-n1 ]之基團或其異構物基團，t為1或2。如前述，藉由使HSiR¹³ _n1 X¹ _3-n1 加成於末端具有不飽和基之烯基部分的矽氫化反應而生成[-R¹² -SiR¹³ _n1 X¹ _3-n1 ]。例如，使HSiR¹³ _n1 X¹ _3-n1 加成於-N(CH₂ CH=CH₂ )₂ 而成為-N[-CH₂ CH₂ CH₂ -SiR¹³ _n1 X¹ _3-n1 ]₂ 。此時之(CH₂ CH=CH₂ )為R¹⁵ 。在矽氫化反應中，有時會發生以下副反應：生成R¹⁵ 之末端不飽和基異構化到非末端位置、即所謂內烯烴(inner olefine)之烯基。例如，-CH₂ CH=CH₂ 異構化成-CH=CHCH₃ 。於非末端位置具有不飽和基之烯基部分不會與HSiR¹³ _n1 X¹ _3-n1 反應而殘留。在製造化合物(1)之矽氫化反應中，R¹⁵ 未反應而殘留或R¹⁵ 異構化時，會副生成末端為-N[-R¹² -SiR¹³ _n1 X¹ _3-n1 ]_2-t [-R¹⁵ ]_t 之化合物，該化合物即化合物(4)。

(本組成物之組成) 本組成物中，本化合物及其他含氟醚化合物之合計比率相對於本組成物佔80~100質量%為宜，85~100質量%尤佳。即，不純物比率佔20質量%以下為宜，15質量%以下尤佳。本化合物及其他含氟醚化合物之比率只要在前述範圍內，表面層之撥水撥油性、耐摩擦性、指紋污垢除去性、潤滑性、耐藥性及耐光性即佳。

相對於本化合物及其他含氟醚化合物之合計，其他含氟醚化合物之比率宜超過0質量%且低於40質量%，超過0質量%且在30質量%以下較佳，超過0質量%且在20質量%以下尤佳。即，本化合物之比率宜超過60質量%且低於100質量%，70質量%以上且低於100質量%較佳，80質量%以上且低於100質量%尤佳。本化合物及其他含氟醚化合物之比率只要在前述範圍內，表面層之撥水撥油性、耐摩擦性、指紋污垢除去性、潤滑性、耐藥性及耐光性即佳。

另外，其他含氟醚化合物含有化合物(2)、化合物(3)及化合物(4)中之至少1種時，本組成物之組成如下。相對於本醚組成物，本醚組成物中之本化合物、化合物(2)、化合物(3)及化合物(4)之合計比率宜超過60質量%且在100質量%以下，70~100質量%較佳，80~100質量%尤佳。即，本化合物、化合物(2)、化合物(3)及化合物(4)以外之含氟醚化合物與不純物之合計比率宜低於40質量%，30質量%以下較佳，20質量%以下尤佳。相對於本化合物、化合物(2)、化合物(3)及化合物(4)之合計，化合物(2)之比率宜為0質量%以上且低於40質量%，0~30質量%較佳，0~20質量%尤佳。化合物(3)及化合物(4)之比率亦與化合物(2)之比率相同。惟，相對於本化合物、化合物(2)、化合物(3)及化合物(4)之合計，化合物(2)、化合物(3)及化合物(4)之合計比率宜超過0質量%且低於40質量%，超過0質量%且在30質量%以下尤佳。其他含氟醚化合物含有化合物(2)、化合物(3)及化合物(4)中之至少1種時，本組成物之組成只要在前述範圍內，表面層之撥水撥油性、耐摩擦性、指紋污垢除去性、潤滑性、外觀即佳。

[塗佈液] 本發明之塗佈液(以下亦表記為本塗佈液)含有本化合物或本組成物及液狀介質。本塗佈液為液狀即可，可為溶液亦可為分散液。本塗佈液含有本化合物或本組成物即可，亦可含有本化合物製造步驟中所生成之副生成物等不純物。本化合物或本組成物之濃度在本塗佈液中宜為0.001~10質量%，0.1~1質量%尤佳。

液狀介質以有機溶劑為宜。有機溶劑可為氟系有機溶劑亦可為非氟系有機溶劑，或可含有兩溶劑。

氟系有機溶劑可列舉氟化烷烴、氟化芳香族化合物、氟烷基醚、氟化烷基胺、氟醇等。氟化烷烴宜為碳數4~8之化合物。市售物可列舉如C₆ F₁₃ H(旭硝子公司製、ASAHIKLIN(註冊商標)AC-2000)、C₆ F₁₃ C₂ H₅ (旭硝子公司製、ASAHIKLIN(註冊商標)AC-6000)、C₂ F₅ CHFCHFCF₃ (Chemours公司製、Vertrel(註冊商標)XF)等。氟化芳香族化合物可列舉如六氟苯、三氟甲基苯、全氟甲苯、雙(三氟甲基)苯等。氟烷基醚宜為碳數4~12之化合物。市售物可列舉如CF₃ CH₂ OCF₂ CF₂ H(旭硝子公司製、ASAHIKLIN(註冊商標)AE-3000)、C₄ F₉ OCH₃ (3M公司製、Novec(註冊商標)7100)、C₄ F₉ OC₂ H₅ (3M公司製、Novec(註冊商標)7200)、C₂ F₅ CF(OCH₃ )C₃ F₇ (3M公司製、Novec(註冊商標)7300)等。氟化烷基胺可列舉如全氟三丙胺、全氟三丁胺等。氟醇可列舉如2,2,3,3-四氟丙醇、2,2,2-三氟乙醇、六氟異丙醇等。非氟系有機溶劑以僅由氫原子及碳原子構成之化合物、僅由氫原子、碳原子及氧原子構成之化合物為宜，可列舉烴系有機溶劑、醇系有機溶劑、酮系有機溶劑、醚系有機溶劑、酯系有機溶劑。本塗佈液宜含有90~99.999質量%之液狀介質，且含99~99.9質量%尤佳。

本塗佈液除了本化合物及液狀介質以外，可在不損及本發明效果之範圍內含有其他成分。其他成分可列舉如可促進水解性矽基之水解與縮合反應之酸觸媒或鹼性觸媒等公知添加劑。本塗佈液之其他成分比率佔10質量%以下為宜，1質量%以下尤佳。

本塗佈液之固體成分濃度宜為0.001~10質量%，0.01~1質量%尤佳。塗佈液之固體成分濃度係從塗佈液於加熱前之質量與在120℃之對流式乾燥機下加熱4小時後之質量算出之值。又，本組成物之濃度可從固體成分濃度與本組成物及溶劑等之饋入量算出。

[物品] 本發明之物品於基材表面具有本化合物或本組成物所形成之表面層。

(表面層) 在本化合物或本組成物中，藉由本化合物中之水解性矽基(SiR¹³ _n1 X¹ _3-n1 )進行水解反應而形成矽烷醇基(Si-OH)，該矽烷醇基在分子間反應而形成Si-O-Si鍵，或該矽烷醇基與基材表面之羥基(基材-OH)進行脫水縮合反應而形成化學鍵(基材-O-Si)。即，本發明之表面層係以本化合物之水解性矽基之一部分或全部已進行水解反應之狀態含有本化合物。

表面層之厚度宜為1~100nm，1~50nm尤佳。表面層之厚度只要在前述範圍之下限值以上，便容易充分獲得表面處理之效果。表面層之厚度只要在前述範圍之上限值以下，利用效率即高。表面層之厚度可使用薄膜解析用X射線繞射計(RIGAKU公司製、ATX-G)，利用X射線反射率法取得反射X射線之干涉圖案後，從該干涉圖案之振動周期算出。

(基材) 本發明之基材只要是有講求賦予撥水撥油性之基材即無特別限定。基材材料可列舉金屬、樹脂、玻璃、藍寶石、陶瓷、石材及該等之複合材料等。玻璃可經化學強化。基材可經以SiO₂ 等進行表面處理。基材以觸控面板用基材、顯示器用基材為宜，且以觸控面板用基材尤其適宜。觸控面板用基材具有透光性。「具有透光性」意指JIS R 3106：1998(ISO 9050：1990)中所規定之垂直入射型可見光透射率為25%以上。觸控面板用基材之材料宜為玻璃或透明樹脂。

(物品之製造方法) 本發明之物品例如可以下述方法製造。･使用本化合物或本組成物並利用乾式塗佈法將基材表面予以處理而獲得本發明物品之方法。･利用濕式塗佈法將本塗佈液塗佈於基材表面並使其乾燥而獲得本發明物品之方法。

＜乾式塗佈法＞本化合物及本組成物可直接用於乾式塗佈法。本化合物及本組成物很適合以乾式塗佈法形成密著性優異之表面層。乾式塗佈法可列舉真空蒸鍍、CVD、濺鍍等手法。從抑制本化合物分解及裝置簡便性的觀點來看，適合利用真空蒸鍍法。

＜濕式塗佈法＞濕式塗佈法可列舉旋塗法、擦塗法、噴塗法、刮塗法、浸塗法、模塗法、噴墨法、流動施膜法、輥塗法、澆鑄法、朗謬-布洛傑法、凹版塗佈法等。

＜後處理＞為了提升表面層之耐摩擦性，可因應需求進行用以促進本化合物與基材之反應的操作。該操作可列舉加熱、加濕、光照射等。譬如，在具有水分之大氣中將形成有表面層之基材加熱，可促進水解性矽基水解成矽烷醇基之水解反應、基材表面之羥基等與矽烷醇基之反應、矽烷醇基之縮合反應所致之矽氧烷鍵之生成等反應。表面處理後，既為表面層中之化合物且不與其他化合物或基材化學鍵結之化合物可視需求除去。具體方法可列舉如對表面層沖洗溶劑之方法、以浸潤過溶劑之布擦拭之方法等。實施例

以下以實施例進一步詳細說明本發明，惟本發明不受該等實施例限定。以下，符號「%」在未特別提及之前提下，表示「質量%」。又，2種以上化合物(1)所構成之混合物表記為「化合物」，化合物(1)與其他含氟醚化合物所構成者表記為「組成物」。例1~4、11~14、21~24、26~29、31~33為實施例，例5~10、15~20、25、30、34、35為比較例。

[例1：化合物(1A-1)、化合物(3A-1)之製造] (例1-1) 於300mL之3口燒瓶放入24%KOH水溶液24.4g、三級丁醇33g、化合物(10-1)(Solvay Solexis公司製、FLUOROLINK(註冊商標)D4000)220g並添加CF₃ CF₂ CF₂ -O-CF=CF₂ (東京化成工業公司製)19.4g。在氮氣體環境下，於60℃下攪拌8小時。以稀釋鹽酸水溶液洗淨1次後回收有機相，再以蒸發器進行濃縮而獲得粗生成物(a)233g。將粗生成物(a)展開於矽膠管柱層析儀中予以分取。展開溶劑依序使用了C₆ F₁₃ CH₂ CH₃ (旭硝子公司製、AC-6000)、AC-6000/CF₃ CH₂ OCF₂ CF₂ H(旭硝子公司製、AE-3000)=1/2(質量比)、AE-3000/乙酸乙酯=9/1(質量比)。針對各分液，從¹ H-NMR及¹⁹ F-NMR之積分值求出末端基之結構及構成單元之單元數(x1、x2)的平均值。藉此得知粗生成物(a)中分別含有42莫耳%之化合物(11-1)、49莫耳%之化合物(3A-1)及9莫耳%之化合物(10-1)。獲得化合物(11-1)98.6g(產率：44.8%)及化合物(3A-1)51.9g(產率：23.6%)。 HO-CH₂ -(CF₂ O){(CF₂ O)_x1 (CF₂ CF₂ O)_x2 }-CF₂ -CH₂ -OH･･･(10-1) CF₃ CF₂ CF₂ -O-CHFCF₂ OCH₂ -(CF₂ O){(CF₂ O)_x1 (CF₂ CF₂ O)_x2 }-CF₂ -CH₂ -OH･･･(11-1) CF₃ CF₂ CF₂ -O-CHFCF₂ OCH₂ -(CF₂ O){(CF₂ O)_x1 (CF₂ CF₂ O)_x2 }-CF₂ -CH₂ OCF₂ CHF-O-CF₂ CF₂ CF₃ ･･･(3A-1)

化合物(11-1)之NMR譜：¹ H-NMR(300.4MHz、溶劑：CDCl₃ 、基準：TMS)δ(ppm)：3.9(2H)、4.2(2H)、5.8~6.0(1H)。¹⁹ F-NMR(282.7MHz、溶劑：CDCl₃ 、基準：CFCl₃ )δ(ppm)：-52.4~-55.8(42F)、-78.8(1F)、-80.8(1F)、-81.4(1F)、-82.2(3F)、-83.5(1F)、-85.3~-88.2(2F)、-89.4~-91.1(82F)、-130.5(2F)、-145.1(1F)。單元數x1之平均值：21，單元數x2之平均值：20，化合物(11-1)之數量平均分子量：4,150。

化合物(3A-1)之NMR譜：¹ H-NMR(300.4MHz、溶劑：CDCl₃ 、基準：TMS)δ(ppm)：4.2(4H)、5.8~6.0(2H)。¹⁹ F-NMR(282.7MHz、溶劑：CDCl₃ 、基準：CFCl₃ )δ(ppm)：-52.4~-55.8(42F)、-78.8(2F)、-80.7(2F)、-82.2(6F)、-85.3~-88.2(4F)、-89.4~-91.1(84F)、-130.5(4F)、-145.1(2F)。單元數x1之平均值：21，單元數x2之平均值：20，化合物(3A-1)之數量平均分子量：4,420。

(例1-2) 於100mL之茄形燒瓶放入化合物(11-1)30.0g、氟化鈉粉末0.9g、二氯五氟丙烷(旭硝子公司製、AK-225)30g並添加CF₃ CF₂ CF₂ OCF(CF₃ )COF　3.5g。在氮氣體環境下，於50℃下攪拌24小時。以加壓過濾器除去氟化鈉粉末後，將過剩的CF₃ CF₂ CF₂ OCF(CF₃ )COF及AK-225減壓餾去。將所得粗生成物以C₆ F₁₃ H(旭硝子公司製、AC-2000)稀釋並使其通過矽膠管柱，以蒸發器濃縮所回收之溶液而獲得化合物(12-1)31.8g(產率：98.8%)。 CF₃ CF₂ CF₂ -O-CHFCF₂ OCH₂ -(CF₂ O){(CF₂ O)_x1 (CF₂ CF₂ O)_x2 }-CF₂ -CH₂ -OCOCF(CF₃ )OCF₂ CF₂ CF₃ ･･･(12-1)

化合物(12-1)之NMR譜：¹ H-NMR(300.4MHz、溶劑：CDCl₃ 、基準：TMS)δ(ppm)：4.2(2H)、4.7(2H)、5.8~6.0(1H)。¹⁹ F-NMR(282.7MHz、溶劑：CDCl₃ 、基準：CFCl₃ )δ(ppm)：-52.4~-55.8(42F)、-78.8~-88.2(17F)、-89.4~-91.1(82F)、-130.3(2F)、-130.5(2F)、-132.5(1F)、-145.1(1F)。單元數x1之平均值：21，單元數x2之平均值：20，化合物(12-1)之數量平均分子量：4,460。

(例1-3) 於1L鎳製高壓釜之氣體出口直列設置有保持20℃之冷卻器、NaF粒充填層及保持0℃之冷卻器。並設置有液體回流管線，該液體回流管線可從保持0℃之冷卻器將凝集之液體送回高壓釜。於高壓釜中投入ClCF₂ CFClCF₂ OCF₂ CF₂ Cl(以下亦表記為CFE-419)750g，並保持25℃同時進行攪拌。於高壓釜中在25℃下噴入1小時的氮氣後，在25℃、流速2.0L/小時下噴入1小時的20%氟氣。接著，在相同流速下噴入20%氟氣同時耗費4.3小時將已於CFE-419 124g中溶解有化合物(12-1)31.0g之溶液注入高壓釜。在相同流速下噴入20%氟氣，同時將高壓釜內壓加壓至0.15MPa(表壓)。將CFE-419中含有0.05g/mL之苯的苯溶液4mL注入高壓釜內並從25℃加熱至40℃後，關閉高壓釜之苯溶液注入口。攪拌15分鐘後再次注入苯溶液4mL並保持40℃，然後關閉注入口。同樣的操作再重複3次。苯之注入總量為0.17g。在相同流速下噴入20%氟氣並持續攪拌1小時。令高壓釜內之壓力為大氣壓並噴入1小時的氮氣。以蒸發器將高壓釜之內容物濃縮而獲得化合物(13-1)31.1g(產率98.5%)。 CF₃ CF₂ CF₂ -O-(CF₂ CF₂ O)(CF₂ CF₂ O){(CF₂ O)_x1 (CF₂ CF₂ O)_x2 }(CF₂ CF₂ O)-COCF(CF₃ )OCF₂ CF₂ CF₃ ･･･(13-1)

化合物(13-1)之NMR譜：¹⁹ F-NMR(282.7MHz、溶劑：CDCl₃ 、基準：CFCl₃ )δ(ppm)：-52.4~-55.7(42F)、-78.8~-88.1(11F)、-89.4~-91.1(92F)、-91.5(2F)、-130.3(2F)、-130.5(2F)、-132.5(1F)。單元數x1之平均值：21，單元數x2之平均值：20，化合物(13-1)之數量平均分子量：4,550。

(例1-4) 於四氟乙烯-全氟(烷氧乙烯基醚)共聚物(以下亦表記為PFA)製圓底燒瓶放入化合物(13-1)30.0g及AK-225 60g。以冰浴冷卻同時攪拌，並在氮氣體環境下從滴下漏斗徐緩地滴下甲醇2.0g。以氮起泡攪拌12小時。以蒸發器將反應混合物濃縮而獲得化合物(14-1)27.6g(產率98.8%)。 CF₃ CF₂ CF₂ -O-(CF₂ CF₂ O)(CF₂ CF₂ O){(CF₂ O)_x1 (CF₂ CF₂ O)_x2 }-CF₂ -COOCH₃ ･･･(14-1)

化合物(14-1)之NMR譜：¹ H-NMR(300.4MHz、溶劑：CDCl₃ 、基準：TMS)δ(ppm)：3.9(3H)。¹⁹ F-NMR(282.7MHz、溶劑：CDCl₃ 、基準：CFCl₃ )δ(ppm)：-52.4~-55.8(42F)、-82.2(3F)、-89.4~-91.1(92F)、-130.5(2F)。單元數x1之平均值：21，單元數x2之平均值：20，化合物(14-1)之數量平均分子量：4,230。

(例1-5) 於100mL之3口茄形燒瓶內，使氯化鋰0.18g溶解於乙醇18.3g。於其中加入化合物(14-1)25.0g，以冰浴冷卻同時徐緩地滴下已於乙醇22.5g中溶解有硼氫化鈉0.75g之溶液。解除冰浴，徐緩地升溫至室溫同時持續攪拌。在室溫下攪拌12小時後，滴下鹽酸水溶液直到液性成為酸性為止。添加AC-2000 20mL，以水洗淨1次並以飽和食鹽水洗淨1次後回收有機相。將所回收之有機相以蒸發器濃縮而獲得化合物(15-1)24.6g(產率99.0%)。 CF₃ CF₂ CF₂ -O-(CF₂ CF₂ O)(CF₂ CF₂ O){(CF₂ O)_x1 (CF₂ CF₂ O)_x2 }-CF₂ -CH₂ OH･･･(15-1)。

化合物(15-1)之NMR譜：¹ H-NMR(300.4MHz、溶劑：CDCl₃ 、基準：TMS)δ(ppm)：3.9(2H)。¹⁹ F-NMR(282.7MHz、溶劑：CDCl₃ 、基準：CFCl₃ )δ(ppm)：-52.4~-55.7(42F)、-81.4(1F)、-82.2(3F)、-83.4(1F)、-89.4~-91.1(90F)、-130.5(2F)。單元數x1之平均值：21，單元數x2之平均值：20，化合物(15-1)之數量平均分子量：4,200。

(例1-6) 於100mL之2口茄形燒瓶放入化合物(15-1)20.0g、1,3-雙(三氟甲基)苯(東京化成工業公司製)20.0g、CF₃ SO₂ Cl(和光純藥工業公司製)1.01g及三乙胺1.00g，於氮氣體環境下在室溫下攪拌4小時。反應結束後添加15g之AK-225，並以水及飽和食鹽水各洗淨1次後回收有機相。將所回收之有機相以蒸發器濃縮而獲得化合物(16-1)20.3g(產率99%)。 CF₃ CF₂ CF₂ -O-(CF₂ CF₂ O)(CF₂ CF₂ O){(CF₂ O)_x1 (CF₂ CF₂ O)_x2 }-CF₂ -CH₂ OSO₂ CF₃ ･･･(16-1)

化合物(16-1)之NMR譜：¹ H-NMR(300.4MHz、溶劑：CDCl₃ 、基準：TMS)δ(ppm)：4.6(2H)。¹⁹ F-NMR(282.7MHz、溶劑：CDCl₃ 、基準：CFCl₃ )δ(ppm)：-52.4~-55.7(42F)、-74.1(3F)、-76.1(1F)、-79.5(1F)、-82.2(3F)、-89.4~-91.1(90F)、-130.5(2F)。單元數x1之平均值：21，單元數x2之平均值：20，化合物(16-1)之數量平均分子量：4,340。

(例1-7) 於50mL之茄形燒瓶內放入化合物(16-1)15.0g、1,3-雙(三氟甲基)苯(東京化成工業公司製)15.0g、HN(CH₂ CH=CH₂ )₂ (東京化成工業公司製)2.27g及三乙胺0.68g，於氮氣體環境下在90℃下攪拌24小時。反應結束後添加15g之AK-225，並以水及飽和食鹽水各洗淨1次且回收有機相後，與矽膠1.5g混合再以濾器過濾回收有機相。將所回收之有機相以蒸發器濃縮而獲得化合物(17-1)14.4g(產率98%)。 CF₃ CF₂ CF₂ -O-(CF₂ CF₂ O)(CF₂ CF₂ O){(CF₂ O)_x1 (CF₂ CF₂ O)_x2 }-CF₂ -CH₂ -N(CH₂ CH=CH₂ )₂ ･･･(17-1)

化合物(17-1)之NMR譜：¹ H-NMR(300.4MHz、溶劑：CDCl₃ 、基準：TMS)δ(ppm)：3.0(2H)、3.2(4H)、5.1(4H)、5.8(2H)。¹⁹ F-NMR(282.7MHz、溶劑：CDCl₃ 、基準：CFCl₃ )δ(ppm)：-52.4~-55.7(42F)、-74.4(1F)、-76.6(1F)、-82.2(3F)、-89.4~-91.1(90F)、-130.5(2F)。單元數x1之平均值：21，單元數x2之平均值：20，化合物(17-1)之數量平均分子量：4,280。

(例1-8) 於100mL之PFA製茄形燒瓶放入化合物(17-1)12.0g、鉑/1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷錯合物之二甲苯溶液(含鉑量：2%)0.03g、HSi(OCH₃ )₃ 1.3g、二甲亞碸0.01g及1,3-雙(三氟甲基)苯(東京化成工業公司製)0.5g，並在40℃下攪拌10小時。反應結束後減壓餾去溶劑等，以孔徑0.2μm之膜濾器過濾而獲得組成物(1)11.9g(產率92%)，該組成物(1)係由化合物(17-1)之2個烯丙基被矽氫化的化合物(1A-1)及化合物(17-1)之2個烯丙基在分子內環化所生成的副生成物構成。矽氫化之轉化率為100%，無化合物(17-1)殘留。矽氫化之選擇率為81%。 CF₃ CF₂ CF₂ -O-(CF₂ CF₂ O)(CF₂ CF₂ O){(CF₂ O)_x1 (CF₂ CF₂ O)_x2 }-CF₂ -CH₂ -N[CH₂ CH₂ CH₂ -Si(OCH₃ )₃ ]₂ ･･･(1A-1)

化合物(1A-1)之NMR譜：¹ H-NMR(300.4MHz、溶劑：CDCl₃ 、基準：TMS)δ(ppm):0.7(4H)、1.6(4H)、2.6(4H)、3.1(2H)、3.6(18H)。¹⁹ F-NMR(282.7MHz、溶劑：CDCl₃ 、基準：CFCl₃ )δ(ppm)：-52.4~-55.7(42F)、-74.4(1F)、-76.6(1F)、-82.2(3F)、-89.4~-91.1(90F)、-130.5(2F)。單元數x1之平均值：21，單元數x2之平均值：20，化合物(1A-1)之數量平均分子量：4,530。

[例2：化合物(1B-1)之製造] (例2-1) 將化合物(15-1)變更成例1-1所得化合物(11-1)30.0g，1,3-雙(三氟甲基)苯(東京化成工業公司製)之量變更成30.0g，CF₃ SO₂ Cl(和光純藥工業公司製)之量變更成1.44g，三乙胺之量變更成1.45g，除此以外以與例1-6同樣的方式獲得化合物(16B-1)30.6g(產率99%)。 CF₃ CF₂ CF₂ -O-CHFCF₂ OCH₂ -(CF₂ O){(CF₂ O)_x1 (CF₂ CF₂ O)_x2 }-CF₂ -CH₂ OSO₂ CF₃ ･･･(16B-1)

化合物(16B-1)之NMR譜：¹ H-NMR(300.4MHz、溶劑：CDCl₃ 、基準：TMS)δ(ppm)：4.2(2H)、4.6(2H)、5.8~6.0(1H)。¹⁹ F-NMR(282.7MHz、溶劑：CDCl₃ 、基準：C₆ F₆ )δ(ppm)：-51.2~-54.6(42F)、-74.1(3F)、-77.6(1F)、-77.6(2F)、-79.0(1F)、-79.5(1F)、-81.2(3F)、-84.3~-87.2(2F)、-87.9~-91.0(82F)、-129.4(2F)、-144.1(1F)。單元數x1之平均值：21，單元數x2之平均值：20，化合物(16B-1)之數量平均分子量：4,280。

(例2-2) 將化合物(16-1)變更成化合物(16B-1)，HN(CH₂ CH=CH₂ )₂ 之量變更成2.31g，三乙胺之量變更成0.69g，反應時間變更成16小時，除此以外以與例1-7同樣的方式獲得化合物(17B-1)14.1g(產率95%)。 CF₃ CF₂ CF₂ -O-CHFCF₂ OCH₂ -(CF₂ O){(CF₂ O)_x1 (CF₂ CF₂ O)_x2 }-CF₂ -CH₂ -N(CH₂ CH=CH₂ )₂ ･･･(17B-1)

化合物(17B-1)之NMR譜：¹ H-NMR(300.4MHz、溶劑：CDCl₃ 、基準：TMS)δ(ppm)：3.0(2H)、3.2(4H)、4.2(2H)、5.1(4H)、5.7~6.0(3H)。¹⁹ F-NMR(282.7MHz、溶劑：CDCl₃ 、基準：C₆ F₆ )δ(ppm)：-51.2~-54.6(42F)、-73.4(1F)、-75.6(1F)、-77.7(1F)、-79.7(1F)、-81.2(3F)、-84.3~-87.2(2F)、-87.9~-91.0(82F)、-129.4(2F)、-144.1(1F)。單元數x1之平均值：21，單元數x2之平均值：20，化合物(17B-1)之數量平均分子量：4,230。

(例2-3) 將化合物(17-1)變更成例2-2所得化合物(17B-1)，鉑錯合物溶液之量變更成0.032g，反應溫度變更成70℃，除此以外以與例1-8同樣的方式獲得組成物(2)11.7g(產率92%)，該組成物(2)係由化合物(17B-1)之2個烯丙基被矽氫化的化合物(1B-1)及化合物(17B-1)之2個烯丙基在分子內環化所生成的副生成物構成。矽氫化之轉化率為100%，無化合物(17B-1)殘留。矽氫化之選擇率為82%。 CF₃ CF₂ CF₂ -O-CHFCF₂ OCH₂ -(CF₂ O){(CF₂ O)_x1 (CF₂ CF₂ O)_x2 }-CF₂ -CH₂ -N[CH₂ CH₂ CH₂ -Si(OCH₃ )₃ ]₂ ･･･(1B-1)

化合物(1B-1)之NMR譜：¹ H-NMR(300.4MHz、溶劑：CDCl₃ 、基準：TMS)δ(ppm):0.7(4H)、1.6(4H)、2.6(4H)、3.1(2H)、3.6(18H)、4.2(2H)、5.8~6.0(1H)。¹⁹ F-NMR(282.7MHz、溶劑：CDCl₃ 、基準：C₆ F₆ )δ(ppm)：-51.2~-54.6(42F)、-73.4(1F)、-75.6(1F)、-77.7(1F)、-79.7(1F)、-81.2(3F)、-84.3~-87.2(2F)、-87.9~-91.0(82F)、-129.4(2F)、-144.1(1F)。單元數x1之平均值：21，單元數x2之平均值：20，化合物(1B-1)之數量平均分子量：4,470。

[例3：化合物(1C-1)之製造] (例3-1) 按照國際公開第2013/121984號之實施例7中記載之方法獲得化合物(15C-1)。 CF₃ -O-(CF₂ CF₂ O-CF₂ CF₂ CF₂ CF₂ O)_x3 (CF₂ CF₂ O)-CF₂ CF₂ CF₂ -CH₂ OH･･･(15C-1)。

化合物(15C-1)之NMR譜：¹ H-NMR(300.4MHz、溶劑：CDCl₃ 、基準：TMS)δ(ppm)：2.0(1H)、4.0(2H)。¹⁹ F-NMR(282.7MHz、溶劑：CDCl₃ 、基準：CFCl₃ )δ(ppm)：-56.2(3F)、-84.1(54F)、-89.3(54F)、-91.4(2F)、-123.7(2F)、-126.6(52F)、-128.7(2F)。單元數x3之平均值：13，化合物(15C-1)之數量平均分子量：4,700。

(例3-2) 將化合物(15-1)變更成例3-1所得化合物(15C-1)，CF₃ SO₂ Cl(和光純藥工業公司製)之量變更成0.86g，三乙胺之量變更成1.02g，除此以外以與例1-6同樣的方式獲得化合物(16C-1)30.6g(產率99%)。 CF₃ -O-(CF₂ CF₂ O-CF₂ CF₂ CF₂ CF₂ O)_x3 (CF₂ CF₂ O)-CF₂ CF₂ CF₂ -CH₂ OSO₂ CF₃ ･･･(16C-1)

化合物(16C-1)之NMR譜：¹ H-NMR(300.4MHz、溶劑：CDCl₃ 、基準：TMS)δ(ppm)：4.7(2H)。¹⁹ F-NMR(282.7MHz、溶劑：CDCl₃ 、基準：C₆ F₆ )δ(ppm)：-56.3(3F)、-74.0(3F)、-84.0(54F)、-89.2(54F)、-91.4(2F)-122.7(2F)、-123.6(2F)、-126.6(52F)。單元數x3之平均值：13，化合物(16C-1)之數量平均分子量：4,830。

(例3-3) 將化合物(16-1)變更成例3-2中所得化合物(16C-1)，HN(CH₂ CH=CH₂ )₂ 之量變更成2.08g，三乙胺之量變更成0.63g，除此以外以與例1-7同樣的方式獲得化合物(17C-1)14.6g(產率98%)。 CF₃ -O-(CF₂ CF₂ O-CF₂ CF₂ CF₂ CF₂ O)_x3 (CF₂ CF₂ O)-CF₂ CF₂ CF₂ -CH₂ -N(CH₂ CH=CH₂ )₂ ･･･(17C-1)

化合物(17C-1)之NMR譜：¹ H-NMR(300.4MHz、溶劑：CDCl₃ 、基準：TMS)δ(ppm)：3.1(2H)、3.2(4H)、5.1(4H)、5.8(2H)。¹⁹ F-NMR(282.7MHz、溶劑：CDCl₃ 、基準：C₆ F₆ )δ(ppm):-56.3(3F)、-84.0(54F)、-89.2(54F)、-91.4(2F)-120.9(2F)、-126.6(54F)。單元數x3之平均值：13，化合物(17C-1)之數量平均分子量：4,780。

(例3-4) 將化合物(17-1)變更成例3-3所得化合物(17C-1)，鉑錯合物溶液之量變更成0.029g，HSi(OCH₃ )₃ 之量變更成1.2g，除此以外以與例1-8同樣的方式獲得組成物(3)11.8g(產率94%)，該組成物(3)係由化合物(17C-1)之2個烯丙基被矽氫化的化合物(1C-1)及化合物(17C-1)之2個烯丙基在分子內環化所生成的副生成物構成。矽氫化之轉化率為100%，無化合物(17C-1)殘留。矽氫化之選擇率為80%。 CF₃ -O-(CF₂ CF₂ O-CF₂ CF₂ CF₂ CF₂ O)_x3 (CF₂ CF₂ O)-CF₂ CF₂ CF₂ -CH₂ -N[CH₂ CH₂ CH₂ -Si(OCH₃ )₃ ]₂ ･･･(1C-1)

化合物(1C-1)之NMR譜：¹ H-NMR(300.4MHz、溶劑：CDCl₃ 、基準：TMS)δ(ppm):0.7(4H)、1.6(4H)、2.6(4H)、3.2(2H)、3.6(18H)。¹⁹ F-NMR(282.7MHz、溶劑：CDCl₃ 、基準：C₆ F₆ )δ(ppm):-56.3(3F)、-84.0(54F)、-89.2(54F)、-91.4(2F)-120.9(2F)、-126.6(54F)。單元數x3之平均值：13，化合物(1C-1)之數量平均分子量：5,020。

[例4：化合物(1C-2)之製造] (例4-1) 將化合物(15-1)變更成化合物(15C-2)(SynQuest Laboratories製)，CF₃ SO₂ Cl(和光純藥工業公司製)之量變更成4.0g，三乙胺之量變更成4.5g，除此以外以與例1-6同樣的方式獲得化合物(16C-2)21.5g(產率98%)。 CF₃ CF₂ CF₂ -O-(CF(CF₃ )CF₂ O)_x4 -CF(CF₃ )-CH₂ OH･･･(15C-2) CF₃ CF₂ CF₂ -O-(CF(CF₃ )CF₂ O)_x4 -CF(CF₃ )-CH₂ OSO₂ CF₃ ･･･(16C-2)

化合物(16C-2)之NMR譜：¹ H-NMR(300.4MHz、溶劑：CDCl₃ 、基準：TMS)δ(ppm)：4.9(2H)。¹⁹ F-NMR(282.7MHz、溶劑：CDCl₃ 、基準：C₆ F₆ )δ(ppm)：-74.2(3F)、-78.4~-82.2(38F)、-129.4(2F)、-135.0(1F)、-144.2(6F)。單元數x4之平均值：6，化合物(16C-2)之數量平均分子量：1,440。

(例4-2) 將化合物(16-1)變更成例4-1所得化合物(16C-2)10.0g，1,3-雙(三氟甲基)苯(東京化成工業公司製)之量變更成10.0g，HN(CH₂ CH=CH₂ )₂ 之量變更成2.67g，三乙胺之量變更成4.07g，AK-225之量變更成10g，矽膠之量變更成1.0g，除此以外以與例1-7同樣的方式獲得化合物(17C-2)9.5g(產率98%)。 CF₃ CF₂ CF₂ -O-(CF(CF₃ )CF₂ O)_x4 -CF(CF₃ )-CH₂ -N(CH₂ CH=CH₂ )₂ ･･･(17C-2)

化合物(17C-2)之NMR譜：¹ H-NMR(300.4MHz、溶劑：CDCl₃ 、基準：TMS)δ(ppm):3.2(6H)、5.1(4H)、5.8(2H)。¹⁹ F-NMR(282.7MHz、溶劑：CDCl₃ 、基準：C₆ F₆ )δ(ppm)：78.4~-82.2(38F)、-129.4(2F)、-131.1(1F)、-144.2(6F)。單元數x4之平均值：6，化合物(17C-2)之數量平均分子量：1,390。

(例4-3) 將化合物(17-1)變更成例4-2所得化合物(17C-2)8.0g，鉑錯合物溶液之量變更成0.09g，HSi(OCH₃ )₃ 之量變更成3.2g，二甲亞碸之量變更成0.03g，1,3-雙(三氟甲基)苯(東京化成工業公司製)之量變更成1.6g，除此以外以與例1-8同樣的方式獲得組成物(4)9.0g(產率96%)，該組成物(4)係由化合物(17C-2)之2個烯丙基被矽氫化的化合物(1C-2)及化合物(17C-2)之2個烯丙基在分子內環化所生成的副生成物構成。矽氫化之轉化率為100%，無化合物(17C-2)殘留。矽氫化之選擇率為82%。 CF₃ CF₂ CF₂ -O-(CF(CF₃ )CF₂ O)_x4 -CF(CF₃ )-CH₂ -N[CH₂ CH₂ CH₂ Si(OCH₃ )₃ ]₂ ･･･(1C-2)

化合物(1C-2)之NMR譜：¹ H-NMR(300.4MHz、溶劑：CDCl₃ 、基準：TMS)δ(ppm):0.7(4H)、1.6(4H)、2.6(4H)、3.3(2H)、3.6(18H)。¹⁹ F-NMR(282.7MHz、溶劑：CDCl₃ 、基準：C₆ F₆ )δ(ppm)：-78.4~-82.2(38F)、-129.4(2F)、-131.1(1F)、-144.2(6F)。單元數x4之平均值：6，化合物(1C-2)之數量平均分子量：1,640。

[例5：化合物(4-1)之製造] (例5-1) 按照國際公開第2013/121984號之實施例6中記載之方法獲得化合物(14-2)。 CF₃ -O-(CF₂ CF₂ O-CF₂ CF₂ CF₂ CF₂ O)_x3 (CF₂ CF₂ O)-CF₂ CF₂ CF₂ -COOCH₃ ･･･(14-2)。

化合物(14-2)之NMR譜：¹ H-NMR(300.4MHz、溶劑：CDCl₃ 、基準：TMS)δ(ppm)：3.9(3H)。¹⁹ F-NMR(282.7MHz、溶劑：CDCl₃ 、基準：CFCl₃ )δ(ppm)：-56.2(3F)、-84.0(54F)、-89.3(54F)、-91.4(2F)、-119.8(2F)、-126.6(52F)、-127.0(2F)。單元數x3之平均值：13，化合物(14-2)之數量平均分子量：4,730。

(例5-2) 使用化合物(14-2)，按照美國專利提申公開第2005/0249942號說明書之段落[0100]~[0104]中記載之方法得到化合物(21-1)後獲得化合物(22-1)。 CF₃ -O-(CF₂ CF₂ O-CF₂ CF₂ CF₂ CF₂ O)_x3 (CF₂ CF₂ O)-CF₂ CF₂ CF₂ -CONHCH₂ CH₂ OH･･･(21-1)。 CF₃ -O-(CF₂ CF₂ O-CF₂ CF₂ CF₂ CF₂ O)_x3 (CF₂ CF₂ O)-CF₂ CF₂ CF₂ -CONHCH₂ CH₂ OCOCH=CH₂ ･･･(22-1)。

(例5-3) 使用化合物(22-1)，按專利文獻1之段落[0121]中記載之方法獲得化合物(4-1)。 CF₃ -O-(CF₂ CF₂ O-CF₂ CF₂ CF₂ CF₂ O)_x3 (CF₂ CF₂ O)-CF₂ CF₂ CF₂ -CONHCH₂ CH₂ OCOCH₂ CH₂ -N[CH₂ CH₂ CH₂ -Si(OCH₃ )₃ ]₂ ･･･(4-1)。

化合物(4-1)之NMR譜：¹ H-NMR(300.4MHz、溶劑：CDCl₃ 、基準：TMS)δ(ppm):0.7(4H)、1.6(4H)、2.4~2.9(10H)、3.6(18H)、4.4(2H)。¹⁹ F-NMR(282.7MHz、溶劑：CDCl₃ 、基準：CFCl₃ )δ(ppm)：-56.2(3F)、-84.0(54F)、-89.3(54F)、-91.4(2F)、-120.8(2F)、-126.6(52F)、-127.2(2F)。單元數x3之平均值：13，化合物(4-1)之數量平均分子量：5,150。

[例6：化合物(4-2)之製造] (例6-1) 除了將化合物(14-2)變更成化合物(14-3)(SynQuest Laboratories製)以外，以與例5同樣的方式獲得化合物(4-2)。 CF₃ CF₂ CF₂ -O-(CF(CF₃ )CF₂ O)_x4 -CF(CF₃ )-COOCH₃ ･･･(14-3) CF₃ CF₂ CF₂ -O-(CF(CF₃ )CF₂ O)_x4 -CF(CF₃ )-CONHCH₂ CH₂ OCOCH₂ CH₂ -N[CH₂ CH₂ CH₂ -Si(OCH₃ )₃ ]₂ ･･･(4-2)

化合物(4-2)之NMR譜：¹ H-NMR(300.4MHz、溶劑：CDCl₃ 、基準：TMS)δ(ppm):0.7(4H)、1.6(4H)、2.4~2.9(10H)、3.6(18H)、4.5(2H)。¹⁹ F-NMR(282.7MHz、溶劑：CDCl₃ 、基準：CFCl₃ )δ(ppm):-78.4~-82.2(38F)、-129.4(2F)、-131.1(1F)、-144.2(6F)。單元數x4之平均值：6，化合物(4-2)之數量平均分子量：1,760。

[例7：化合物(2A-1)之製造] (例7-1) 將化合物(15-1)變更成化合物(10-1)30.0g，1,3-雙(三氟甲基)苯(東京化成工業公司製)之量變更成30.0g，CF₃ SO₂ Cl(和光純藥工業公司製)之量變更成2.9g，三乙胺之量變更成3.0g，除此以外以與例1-6同樣的方式獲得化合物(18-1)31.0g(產率97%)。 CF₃ SO₂ OCH₂ -(CF₂ O){(CF₂ O)_x1 (CF₂ CF₂ O)_x2 }-CF₂ -CH₂ OSO₂ CF₃ ･･･(18-1)

化合物(18-1)之NMR譜：¹ H-NMR(300.4MHz、溶劑：CDCl₃ 、基準：TMS)δ(ppm)：4.6(2H)。¹⁹ F-NMR(282.7MHz、溶劑：CDCl₃ 、基準：C₆ F₆ )δ(ppm)：-51.2~-54.6(42F)、-74.1(6F)、-77.0(2F)、-79.0(2F)、-87.5~-91.0(80F)。單元數x1之平均值：21，單元數x2之平均值：20，化合物(18-1)之數量平均分子量：4,150。

(例7-2) 將化合物(16-1)變更成例7-1所得化合物(18-1)25.0g，1,3-雙(三氟甲基)苯(東京化成工業公司製)之量變更成25.0g，HN(CH₂ CH=CH₂ )₂ 之量變更成4.68g，三乙胺之量變更成4.88g，AK-225之量變更成25g，矽膠之量變更成2.5g，除此以外以與例1-7同樣的方式獲得化合物(19-1)23.1g(產率95%)。 (CH₂ =CHCH₂ )₂ N-CH₂ -(CF₂ O){(CF₂ O)_x1 (CF₂ CF₂ O)_x2 }-CF₂ -CH₂ -N(CH₂ CH=CH₂ )₂ ･･･(19-1)

化合物(19-1)之NMR譜：¹ H-NMR(300.4MHz、溶劑：CDCl₃ 、基準：TMS)δ(ppm)：3.0(4H)、3.2(8H)、5.1(8H)、5.8(4H)。¹⁹ F-NMR(282.7MHz、溶劑：CDCl₃ 、基準：C₆ F₆ )δ(ppm)：-51.2~-54.6(42F)、-77.0(2F)、-79.0(2F)、-87.5~-91.0(80F)。單元數x1之平均值：21，單元數x2之平均值：20，化合物(19-1)之數量平均分子量：4,050。

(例7-3) 將化合物(17-1)變更成例7-2所得化合物(19-1)20.0g，鉑錯合物溶液之量變更成0.1g，HSi(OCH₃ )₃ 之量變更成4.8g，二甲亞碸之量變更成0.02g，1,3-雙(三氟甲基)苯(東京化成工業公司製)之量變更成0.8g，除此以外以與例1-8同樣的方式獲得組成物(7)21.3g(產率95%)，該組成物(7)係由化合物(19-1)之4個烯丙基被矽氫化的化合物(2A-1)及化合物(19-1)之2個烯丙基在分子內環化所生成的副生成物構成。矽氫化之轉化率為100%，無化合物(19-1)殘留。矽氫化之選擇率為81%。 [(CH₃ O)₃ Si-CH₂ CH₂ CH₂ ]₂ N-CH₂ -(CF₂ O){(CF₂ O)_x1 (CF₂ CF₂ O)_x2 }-CF₂ -CH₂ -N[CH₂ CH₂ CH₂ -Si(OCH₃ )₃ ]₂ ･･･(2A-1)

化合物(2A-1)之NMR譜：¹ H-NMR(300.4MHz、溶劑：CDCl₃ 、基準：TMS)δ(ppm):0.7(8H)、1.6(8H)、2.6(8H)、3.0(4H)、3.6(36H)。¹⁹ F-NMR(282.7MHz、溶劑：CDCl₃ 、基準：C₆ F₆ )δ(ppm)：-51.2~-54.6(42F)、-77.0(2F)、-79.0(2F)、-87.5~-91.0(80F)。

[例8：化合物(5-1)之製造] (例8-1) 於100mL之2口茄形燒瓶加入例1-5所得化合物(15-1)20.0g、硫酸氫四丁銨0.21g、BrCH₂ CH=CH₂ 1.76g及30%氫氧化鈉水溶液2.6g，在60℃下攪拌8小時。反應結束後添加20g之AC-2000，並以稀釋鹽酸水溶液洗淨1次後回收有機相。使所回收之有機相通過矽膠管柱，以蒸發器濃縮所回收之溶液而獲得化合物(24-1)19.8g(產率98.2%)。 CF₃ CF₂ CF₂ -O-(CF₂ CF₂ O)(CF₂ CF₂ O){(CF₂ O)_x1 (CF₂ CF₂ O)_x2 }-CF₂ -CH₂ OCH₂ CH=CH₂ ･･･(24-1)。

化合物(24-1)之NMR譜：¹ H-NMR(300.4MHz、溶劑：CDCl₃ 、基準：TMS)δ(ppm)：3.7(2H)、4.1(2H)、5.2~5.3(2H)、5.9(1H)。¹⁹ F-NMR(282.7MHz、溶劑：CDCl₃ 、基準：CFCl₃ )δ(ppm)：-52.3~-55.7(42F)、-78.1(1F)、-80.1(1F)、-82.1(3F)、-89.4~-91.1(90F)、-130.5(2F)。單元數x1之平均值：21，單元數x2之平均值：20，化合物(24-1)之數量平均分子量：4,250。

(例8-2) 將化合物(17-1)變更成例8-1所得化合物(24-1)之5.0g，鉑錯合物溶液之量變更成0.005g，HSi(OCH₃ )₃ 之量變更成0.25g，二甲亞碸之量變更成0.005g，1,3-雙(三氟甲基)苯(東京化成工業公司製)之量變更成0.20g並將反應時間變更為4小時，除此以外以與例1-8同樣的方式獲得組成物(8)4.9g(產率95%)，該組成物(9)係由化合物(24-1)之1個烯丙基被矽氫化的化合物(5-1)及化合物(24-1)之1個烯丙基異構化成內烯烴(-CH=CHCH₃ )的副生成物構成。矽氫化之轉化率為100%，無化合物(24-1)殘留。矽氫化之選擇率為95%。 CF₃ CF₂ CF₂ -O-(CF₂ CF₂ O)(CF₂ CF₂ O){(CF₂ O)_x1 (CF₂ CF₂ O)_x2 }-CF₂ -CH₂ OCH₂ CH₂ CH₂ -Si(OCH₃ )₃ ･･･(5-1)

化合物(5-1)之NMR譜：¹ H-NMR(300.4MHz、溶劑：CDCl₃ 、基準：TMS)δ(ppm)：0.7(6H)、1.7(6H)、3.6(11H)、3.8(2H)。¹⁹ F-NMR(282.7MHz、溶劑：CDCl₃ 、基準：C₆ F₆ )δ(ppm)：-52.4~-55.8(42F)、-78.2(1F)、-80.2(1F)、-82.2(3F)、-89.4~-91.1(90F)、-130.5(2F)。單元數x1之平均值：21，單元數x2之平均值：20，化合物(5-1)之數量平均分子量：4,370。

[例9：化合物(5-2)之製造] (例9-1) 將化合物(15-1)變更成例1-1所得化合物(11-1)52.0g，硫酸氫四丁銨之量變更成0.52g，BrCH₂ CH=CH₂ 之量變更成4.4g，30%氫氧化鈉水溶液之量變更成6.5g，AC-2000之量變更成50g，除此以外以與例8-1同樣的方式獲得化合物(24-2)52.4g(產率99.9%)。 CF₃ CF₂ CF₂ -O-CHFCF₂ OCH₂ -(CF₂ O){(CF₂ O)_x1 (CF₂ CF₂ O)_x2 }-CF₂ -CH₂ OCH₂ -CH=CH₂ ･･･(24-2)

化合物(24-2)之NMR譜：¹ H-NMR(300.4MHz、溶劑：CDCl₃ 、基準：TMS)δ(ppm)：3.7(2H)、4.1(2H)、4.2(2H)、5.2~5.3(2H)、5.8~6.0(2H)。¹⁹ F-NMR(282.7MHz、溶劑：CDCl₃ 、基準：CFCl₃ )δ(ppm)：-52.3~-55.7(42F)、-78.1(1F)、-78.7(1F)、-80.2(1F)、-80.7(1F)、-82.2(3F)、-85.4~-88.2(2F)、-89.4~-91.1(86F)、-130.5(2F)、-145.1(1F)。單元數x1之平均值：21，單元數x2之平均值：20，化合物(24-2)之數量平均分子量：4,190。

(例9-2) 除了將化合物(24-1)變更成例9-1所得化合物(24-2)以外，以與例8-2同樣的方式獲得組成物(9)4.8g(產率93%)，該組成物(9)係由化合物(24-2)之1個烯丙基被矽氫化的化合物(5-2)及化合物(24-2)之1個烯丙基異構化成內烯烴(-CH=CHCH₃ )的副生成物構成。矽氫化之轉化率為100%，無化合物(24-2)殘留。矽氫化之選擇率為94%。 CF₃ CF₂ CF₂ -O-CHFCF₂ OCH₂ -(CF₂ O){(CF₂ O)_x1 (CF₂ CF₂ O)_x2 }-CF₂ -CH₂ OCH₂ CH₂ CH₂ -Si(OCH₃ )₃ ･･･(5-2)

化合物(5-2)之NMR譜：¹ H-NMR(300.4MHz、溶劑：CDCl₃ 、基準：TMS)δ(ppm)：0.7(6H)、1.7(6H)、3.6(11H)、3.8(2H)、4.2(2H)、5.8~6.0(1H)。¹⁹ F-NMR(282.7MHz、溶劑：CDCl₃ 、基準：C₆ F₆ )δ(ppm)：-52.3~-55.7(42F)、-78.2(1F)、-78.7(1F)、-80.3(1F)、-80.7(1F)、-82.2(3F)、-85.4~-88.2(2F)、-89.4~-91.1(82F)、-130.5(2F)、-145.1(1F)。單元數x1之平均值：21，單元數x2之平均值：20，化合物(5-2)之數量平均分子量：4,310。

[例10：化合物(6-1)之製造] 按照國際公開第2013/121984號之實施例6中記載之方法獲得化合物(6-1)。 CF₃ -O-(CF₂ CF₂ O-CF₂ CF₂ CF₂ CF₂ O)_x3 (CF₂ CF₂ O)-CF₂ CF₂ CF₂ -CONHCH₂ CH₂ CH₂ -Si(OCH₃ )₃ ･･･(6-1)。

化合物(6-1)之NMR譜：¹ H-NMR(300.4MHz、溶劑：CDCl₃ 、基準：TMS)δ(ppm):0.6(2H)、1.6(2H)、2.8(1H)、3.3(2H)、3.5(9H)。¹⁹ F-NMR(282.7MHz、溶劑：CDCl₃ 、基準：CFCl₃ )δ(ppm)：-56.2(3F)、-84.1(54F)、-89.3(54F)、-91.3(2F)、-120.8(2F)、-126.6(52F)、-127.2(2F)。單元數x3之平均值：13，化合物(6-1)之數量平均分子量：4,870。

[例11~20：物品之製造及評估] 使用例1~10中所得各化合物或組成物進行基材之表面處理而獲得例11~20之物品。以表面處理方法來說，係就各例分別採用下述乾式塗佈法及濕式塗佈法。基材則使用了化學強化玻璃。針對所得物品以下述方法進行評估。結果顯示於表1及表2。

(乾式塗佈法) 乾式塗佈係利用真空蒸鍍裝置(ULVAC公司製、VTR-350M)進行(真空蒸鍍法)。將例1~10中所得各化合物或組成物0.5g充填於真空蒸鍍裝置內之鉬製舟皿，並將真空蒸鍍裝置內部排氣至1×10^-3 Pa以下。在升溫速度10℃/分以下之速度下將配置有組成物之舟皿加熱，並在晶體振盪式膜厚計測量到蒸鍍速度超過1nm/秒之時間點打開擋板，開始對基材表面進行成膜。在膜厚達約50nm之時間點關閉擋板，結束對基材表面之成膜。在200℃下將堆積有組成物之基材進行加熱處理30分鐘後，以AK-225洗淨而獲得在基材表面具有表面處理層之物品。

(濕式塗佈法) 將例1~10中所得各化合物或組成物與作為液狀介質之C₄ F₉ OC₂ H₅ (3M公司製、Novec(註冊商標)7200)混合，調製出固體成分濃度0.05%之塗佈液。將基材浸漬於塗佈液中並放置30分鐘後取出基材(浸塗法)。使塗膜在200℃下乾燥30分鐘後，以AK-225洗淨而獲得在基材表面具有表面處理層之物品。

(評估方法) ＜接觸角之測定方法＞使用接觸角測定裝置(協和界面科學公司製、DM-500)，測定置於表面層表面上之約2μL之蒸餾水或正十六烷的接觸角。在表面層表面上不同的5處進行測定並算出其平均值。接觸角之算出係使用2θ法。

＜初始接觸角＞針對表面層，以前述測定方法測定初始水接觸角及初始正十六烷接觸角。評估基準如下。初始水接觸角： ◎(優)：115度以上。 ○(良)：110度以上且低於115度。 △(可)：100度以上且低於110度。 ×(不良)：低於100度。初始正十六烷接觸角： ◎(優)：66度以上。 ○(良)：65度以上且低於66度。 △(可)：63度以上且低於65度。 ×(不良)：低於63度。

＜耐摩擦性＞針對表面層，依據JIS L 0849：2013(ISO 105-X12：2001)使用往復式導線試驗機(KNT公司製)在壓力98.07kPa、速度320cm/分下使鋼絲絨Bonstar(#0000)往復1萬次後，測定水接觸角。摩擦後之撥水性(水接觸角)之降低愈小，摩擦所造成的性能降低愈小，則耐摩擦性愈佳。評估基準如下。 ◎(優)：往復1萬次後之水接觸角變化為5度以下。 ○(良)：往復1萬次後之水接觸角變化超過5度且在10度以下。 △(可)：往復1萬次後之水接觸角變化超過10度且在20度以下。 ×(不良)：往復1萬次後之水接觸角變化超過20度。

＜耐藥性＞耐鹼性試驗：將物品浸漬於1當量濃度NaOH水溶液(pH：14)中5小時後予以水洗、風乾，並利用前述方法測定水接觸角。試驗後之水接觸角之降低愈小，鹼所造成的性能降低愈小，則耐鹼性愈佳。評估基準如下。 ◎(優)：耐鹼性試驗後之水接觸角變化為5度以下。 ○(良)：耐鹼性試驗後之水接觸角變化超過5度且在10度以下。 △(可)：耐鹼性試驗後之水接觸角變化超過10度且在20度以下。 ×(不良)：耐鹼性試驗後之水接觸角變化超過20度。

鹽水噴霧試驗(SST)：依照JIS H 8502進行鹽水噴霧試驗。即，將物品在鹽水噴霧試驗機(Suga Test Instruments Co.,Ltd.製)內暴露在鹽水環境下300小時後，利用前述方法測定水接觸角。試驗後之水接觸角之降低愈小，鹽水所造成的性能降低愈小，則耐鹽水性愈佳。評估基準如下。 ◎(優)：鹽水噴霧試驗後之水接觸角變化為5度以下。 ○(良)：鹽水噴霧試驗後之水接觸角變化超過5度且在10度以下。 △(可)：鹽水噴霧試驗後之水接觸角變化超過10度且在20度以下。 ×(不良)：鹽水噴霧試驗後之水接觸角變化超過20度。

＜指紋污垢除去性＞將人工指紋液(由油酸與鯊烯所構成之液體)附著於矽橡膠栓之平坦面後，以不織布(旭化成公司製、BEMCOT(註冊商標)M-3)擦拭多餘的油分來備妥指紋印模。將該指紋印模放置於表面層上，在負載9.8N下按壓10秒鐘。以霧度計測定附有指紋之處的霧度並設為初始值。針對附有指紋之處使用安裝有拭紙的往復式導線試驗機(KNT公司製)，在負載4.9N下進行擦拭。每往復擦拭一次就測定霧度值，並測出霧度從初始值降至10%以下之擦拭次數。擦拭次數愈少，愈可輕易除去指紋污垢，則指紋污垢擦拭性愈佳。評估基準如下。 ◎(優)：擦拭次數為3次以下。 ○(良)：擦拭次數為4~5次。 △(可)：擦拭次數為6~8次。 ×(不良)：擦拭次數達9次以上。

＜耐光性＞針對表面層，使用桌上型氙弧燈式促進耐光性試驗機(東洋精機公司製、SUNTEST XLS+)在黑板溫度63℃下照射光線(650W/m² 、300~700nm)500小時後，測定水接觸角。促進耐光試驗後之水接觸角的降低愈小，光所造成的性能降低愈小，則耐光性愈佳。評估基準如下。 ◎(優)：促進耐光試驗後之水接觸角變化為5度以下。 ○(良)：促進耐光試驗後之水接觸角變化超過5度且在10度以下。 △(可)：促進耐光試驗後之水接觸角變化超過10度且在20度以下。 ×(不良)：促進耐光試驗後之水接觸角變化超過20度。

＜潤滑性＞使用負載變動型摩擦磨耗試驗系統(新東科學公司製、HHS2000)，在接觸面積3cm×3cm且負載0.98N之條件下測定表面層對人工皮膚(出光精密科技公司製、PBZ13001)之動摩擦係數。動摩擦係數愈小，則潤滑性愈佳。評估基準如下。 ◎(優)：動摩擦係數為0.3以下。 ○(良)：動摩擦係數超過0.3且在0.4以下。 △(可)：動摩擦係數超過0.4且在0.5以下。 ×(不可)：動摩擦係數超過0.5。

[表1]

[表2]

例11~14係使用不具酯鍵且於一末端具有2個水解性矽基之本化合物，其等之撥水撥油性、耐摩擦性、耐藥性、指紋污垢除去性、潤滑性及耐光性相當優異。例15、16係使用具有酯鍵且於一末端具有2個水解性矽基之化合物(4-1)、(4-2)，其等之耐藥性及耐光性很差。吾等認為，耐藥性很差的理由是因為具有水解性高之酯鍵所致。耐光性很差的理由則認為是因為具有鍵結能小的酯鍵所致。例17係使用兩末端具有2個水解性矽基之化合物(2A-1)，其耐摩擦性、指紋污垢除去性及耐光性很差。吾等認為，指紋擦拭性很差的理由係因為未反應之末端基使表面物性降低所致。耐摩擦性很差的理由則認為係因為兩末端被固定於基材所致。例18~20係使用含有於一末端僅具有1個水解性矽基之化合物(5-1)或化合物(5-2)的組成物或者使用化合物(6-1)，其等之耐摩擦性很差。吾等認為，耐摩擦性很差的理由係因為與基材之反應性基只有1個使得與基材之密著性不夠充分所致。

[例21~35：物品之製造及評估] 準備了例1-1中被單離之化合物(3A-1)。準備了例2-3所得化合物(1B-1)。準備了例7-3所得化合物(2A-1)。

以表3所示比率將化合物(1B-1)、化合物(2A-1)、化合物(3A-1)混合調製出組成物。使用各組成物，利用上述濕式塗佈法製造出物品。針對物品測定接觸角並且評估耐摩擦性及潤滑性。結果顯示於表3。

[表3]

從例21~25得知，於一末端具有2個水解性矽基之本化合物添加兩末端具有2個水解性矽基之化合物(2A-1)時，化合物(2A-1)之比率只要低於40質量%，表面層即具有實用上的性能。隨著化合物(2A-1)比率增加，有耐摩擦性及潤滑性降低之傾向。從例26~30得知，於一末端具有2個水解性矽基之本化合物添加兩末端不具水解性矽基之化合物(3A-1)時，化合物(3A-1)之比率只要低於40質量%，表面層即具有實用上的性能。隨著化合物(3A-1)比率增加，有耐摩擦性降低之傾向。從例31~35得知，於一末端具有2個水解性矽基之本化合物同時添加兩末端具有2個水解性矽基之化合物(2A-1)及兩末端不具水解性矽基之化合物(3A-1)時，化合物(2A-1)及化合物(3A-1)之合計比率只要低於40質量%，表面層即具有實用上的性能。隨著化合物(2A-1)及化合物(3A-1)之合計比率增加，有耐摩擦性降低之傾向。產業上之可利用性

本發明之含氟醚化合物適合使用於對觸控面板中構成手指觸摸之面之構件等的基材表面賦予撥水撥油性的表面處理。另外，在此係援引已於2015年9月1日提申之日本專利申請案2015-171987號之說明書、申請專利範圍及摘要之全部內容並納入作為本發明說明書之揭示。

(無)

Claims

一種含氟醚化合物，係如下式(1)所示： A¹ -O-Q¹ -(R^f11 O)_m1 -R^f12 -R¹¹ -N[-R¹² -SiR¹³ _n1 X¹ _3-n1 ]₂ ･･･(1) 惟，A¹ 為碳數1~20之全氟烷基； Q¹ 為單鍵、含有1個以上氫原子之氟伸烷基、於含有1個以上氫原子之氟伸烷基末端(惟，與A¹ -O鍵結側之末端除外)具有醚性氧原子之基團、於含有1個以上氫原子且碳數2以上之氟伸烷基的碳-碳原子間具有醚性氧原子之基團、或是於含有1個以上氫原子且碳數2以上之氟伸烷基末端(惟，與A¹ -O鍵結側之末端除外)及碳-碳原子間具有醚性氧原子之基團； R^f11 及R^f12 分別獨立為全氟伸烷基； m1為2~200之整數； (R^f11 O)_m1 可由2種以上R^f11 O構成； R¹¹ 為單鍵、伸烷基、於伸烷基末端(惟，與N鍵結側之末端除外)具有醚性氧原子或-NH-之基團、於碳數2以上之伸烷基之碳-碳原子間具有醚性氧原子或-NH-之基團、或是於碳數2以上之伸烷基末端(惟，與N鍵結側之末端除外)及碳-碳原子間具有醚性氧原子或-NH-之基團； R¹² 為伸烷基或於碳數2以上之伸烷基之碳-碳原子間具有醚性氧原子或-NH-之基團； R¹³ 為氫原子或1價烴基； X¹ 為水解性基； n1為0~2之整數； 2個[-R¹² -SiR¹³ _n1 X¹ _3-n1 ]可為不同基團。
如請求項1之含氟醚化合物，其中前述R^f11 及前述R^f12 分別獨立為碳數1~6之全氟伸烷基。
如請求項1或2之含氟醚化合物，其中前述R^f11 及前述R^f12 分別獨立為不具有分枝結構之全氟伸烷基。
如請求項1至3中任一項之含氟醚化合物，其中前述(R^f11 O)_m1 具有{(CF₂ O)_x1 (CF₂ CF₂ O)_x2 }(惟，x1、x2皆為1以上之整數，x1+x2為2以上且m1以下之整數，該式表示x1個(CF₂ O)及x2個(CF₂ CF₂ O)呈無規配置之結構)。
如請求項1至4中任一項之含氟醚化合物，其中前述(R^f11 O)_m1 具有(CF₂ CF₂ O-CF₂ CF₂ CF₂ CF₂ O)_x3 (惟，x3為1以上且m1/2以下之整數)。
如請求項1至5中任一項之含氟醚化合物，其中前述Q¹ 為單鍵、-R^f5 O-或-R^f5 O-R^f6 O-(惟，R^f5 、R^f6 分別獨立為具有氫原子之碳數2~6之氟伸烷基)。
如請求項1至6中任一項之含氟醚化合物，其中前述R¹¹ 為選自於由-CH₂ -、-CH₂ CH₂ -、-CH₂ CH₂ CH₂ -、-CH₂ OCH₂ CH₂ -及-CH₂ NHCH₂ CH₂ -所構成群組中之基。
如請求項1至7中任一項之含氟醚化合物，其中前述R¹² 為-CH₂ CH₂ CH₂ -或-CH₂ CH₂ OCH₂ CH₂ CH₂ -。
如請求項1至8中任一項之含氟醚化合物，其數量平均分子量為500~20,000。
一種含氟醚組成物，其特徵在於含有：如請求項1至9中任一項之含氟醚化合物；及前述式(1)所示含氟醚化合物以外之含氟醚化合物；並且，相對於含氟醚組成物，前述含氟醚組成物中之前述式(1)所示含氟醚化合物與其他含氟醚化合物之合計比率為80~100質量%；且相對於前述式(1)所示含氟醚化合物與其他含氟醚化合物之合計，前述其他含氟醚化合物之比率超過0質量%且低於40質量%。
如請求項10之含氟醚組成物，其中前述其他含氟醚化合物係選自於由下述含氟醚化合物(2)、下述含氟醚化合物(3)及下述含氟醚化合物(4)所構成群組中之至少1種；含氟醚化合物(2)：前述式(1)所示含氟醚化合物中，具有前述-N[-R¹² -SiR¹³ _n1 X¹ _3-n1 ]₂ 之基團鍵結在前述(R^f11 O)_m1 兩側者；含氟醚化合物(3)：前述式(1)所示含氟醚化合物中，具有前述A¹ 之基團鍵結在前述(R^f11 O)_m1 兩側者；含氟醚化合物(4)：前述式(1)所示含氟醚化合物中，前述-N[-R¹² -SiR¹³ _n1 X¹ _3-n1 ]₂ 已被取代成-N[-R¹² -SiR¹³ _n1 X¹ _3-n1 ]_2-t [-R¹⁵ ]_t (惟，R¹⁵ 係加成HSiR¹³ _n1 X¹ _3-n1 後會成為-R¹² -SiR¹³ _n1 X¹ _3-n1 之含不飽和鍵基團或是該含不飽和鍵基團之異構物基團，t為1或2)者。
一種塗佈液，其特徵在於含有：如請求項1至9中任一項之含氟醚化合物或如請求項10或11之含氟醚組成物；及液態介質。
一種物品，其特徵在於具有一表面層，該表面層係由如請求項1至9中任一項之含氟醚化合物或如請求項10或11之含氟醚組成物形成。