TW201716182A - 研磨裝置與研磨方法 - Google Patents
研磨裝置與研磨方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TW201716182A TW201716182A TW104136120A TW104136120A TW201716182A TW 201716182 A TW201716182 A TW 201716182A TW 104136120 A TW104136120 A TW 104136120A TW 104136120 A TW104136120 A TW 104136120A TW 201716182 A TW201716182 A TW 201716182A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- polishing
- distance
- polishing pad
- central position
- abrasive article
- Prior art date
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 194
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 26
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 claims description 7
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 12
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 8
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- MKYBYDHXWVHEJW-UHFFFAOYSA-N N-[1-oxo-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propan-2-yl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(C(C)NC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 MKYBYDHXWVHEJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920000307 polymer substrate Polymers 0.000 description 3
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 230000003449 preventive effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/07—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool
- B24B37/08—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for double side lapping
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/11—Lapping tools
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/11—Lapping tools
- B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
- B24B37/26—Lapping pads for working plane surfaces characterised by the shape of the lapping pad surface, e.g. grooved
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/34—Accessories
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
一種研磨裝置包括：研磨台以及研磨墊。研磨台具有第一中心位置。研磨墊配置於研磨台上，其具有第二中心位置。研磨墊包括研磨層以及多個環狀溝槽。環狀溝槽位於研磨層中，其以第二中心位置為中心呈現同心排列。第一中心位置與第二中心位置之間具有第一距離。
Description
本發明是有關於一種研磨裝置與研磨方法，且特別是有關於一種可提供較均勻的研磨率的研磨裝置與研磨方法。
隨著產業的進步，平坦化製程經常被採用為生產各種元件的製程。在平坦化製程中，化學機械研磨製程經常為產業所使用。一般來說，化學機械研磨（chemical mechanical polishing，CMP）製程是將研磨墊貼附於研磨承載台上，供應具有化學品之研磨液於研磨墊上，對研磨物件（例如是半導體晶圓）施加一壓力以將其壓置於研磨墊上，且讓研磨物件及研磨墊彼此進行相對運動。藉由相對運動所產生的機械摩擦及研磨液的化學作用下，移除部分研磨物件之表層，而使其表面逐漸平坦，來達成平坦化的目的。
圖1是一種傳統研磨裝置的上視示意圖。請參照圖1，研磨裝置10包括研磨台12以及位於研磨台12上的研磨墊14。研磨墊14具有研磨層14a以及多個同心圓溝槽14b位於研磨層14a表面。同心圓溝槽14b以研磨台12的中心呈同心排列，其可用以容納及傳輸研磨液。然而，由於各個同心圓溝槽14b之間並不相連，再加上研磨製程中，研磨台12與研磨墊14在進行等速率圓周運動時，外圍區域的同心圓溝槽14b的切線速度大於中央區域的同心圓溝槽14b的切線速度，其使得研磨層14a表面上不同區域（亦即中央區域與外圍區域）的研磨液傳輸速度不同。因此，研磨墊上的研磨物件20的中央區域與外圍區域之間的研磨液的流場分布亦隨之不同，進而產生研磨物件20研磨率不均勻的問題。
因此，如何提供一種研磨裝置與研磨方法，其可提升研磨物件的研磨率均勻度將成為重要的一門課題。
本發明提供一種研磨裝置與研磨方法，其可提升研磨物件的研磨率均勻度，進而改善產品良率。
本發明提供一種研磨裝置包括研磨台以及研磨墊。研磨台具有第一中心位置。研磨墊配置於研磨台上，其具有第二中心位置。研磨墊包括研磨層以及多個環狀溝槽。環狀溝槽位於研磨層中，其以第二中心位置為中心呈現同心排列。第一中心位置與第二中心位置之間具有第一距離。
在本發明的一實施例中，上述研磨裝置更包括研磨頭配置於研磨墊上，其可用以承載研磨物件使其與研磨墊接觸。研磨頭沿著研磨台的徑向方向來回擺動第二距離。
在本發明的一實施例中，上述第一距離與第二距離的總和至少大於1.1公分。
在本發明的一實施例中，上述第一距離至少大於1.1公分。
在本發明的一實施例中，上述第一距離介於0公分至20公分之間。
本發明提供一種研磨方法，其步驟如下。提供研磨墊於研磨台上。研磨台具有第一中心位置。研磨墊具有第二中心位置。第一中心位置與第二中心位置之間具有第一距離。藉由配置在研磨墊上的研磨頭，以承載研磨物件使其與研磨墊接觸。對研磨物件施加一壓力，使得研磨物件被壓置於研磨墊上以進行研磨製程。在研磨製程中，研磨物件沿著研磨台的徑向方向來回擺動第二距離。
在本發明的一實施例中，上述第一距離與第二距離的總和至少大於1.1公分。
在本發明的一實施例中，上述第一距離至少大於1.1公分。
在本發明的一實施例中，在提供研磨墊於研磨台上之前，更包括藉由治具平貼在研磨台的邊緣，使得研磨墊配置在研磨台上時，第一中心位置與第二中心位置之間維持在第一距離。
在本發明的一實施例中，上述治具包括弧形結構、握持部以及測量部。弧形結構具有凹部與凸部，其中凹部對應於研磨台的邊緣。握持部的一端連接至弧形結構的凸部。測量部配置於弧形結構與握持部之間，其可用以量測第一距離的長度。
基於上述，本發明藉由分離研磨台的第一中心位置與研磨墊的第二中心位置，使得第一中心位置與第二中心位置相距第一距離。因此，在研磨製程中，其可改善相對應的研磨物件之中央區域的研磨液的流場分布，進而提升研磨物件的研磨率均勻度，並增加產品良率。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
圖2為本發明之一實施例之研磨裝置的剖面示意圖。圖3為圖2的上視示意圖。
請先參照圖2，本實施例提供一種研磨裝置100包括研磨台102以及研磨墊104。研磨台102具有第一中心位置C1。研磨台102可用以承載研磨墊104。
請同時參照圖2與圖3，研磨墊104配置於研磨台102上，其具有第二中心位置C2。研磨墊104包括研磨層104a以及多個環狀溝槽104b。環狀溝槽104b位於研磨層104a中，其以第二中心位置C2為中心呈現同心排列。雖然圖3中繪示8個環狀溝槽104b，但本發明不以此為限，環狀溝槽104b的數目可依實際需求而定。
在一實施例中，研磨墊104之研磨層104a可例如是由聚合物基材所構成，聚合物基材可以是聚酯(polyester)、聚醚(polyether)、聚胺酯(polyurethane)、聚碳酸酯(polycarbonate)、聚丙烯酸酯(polyacrylate)、聚丁二烯(polybutadiene)、或其餘經由合適之熱固性樹脂(thermosetting resin)或熱塑性樹脂(thermoplastic resin)所合成之聚合物基材等。
值得注意的是，研磨台102的第一中心位置C1與研磨墊104的第二中心位置C2之間具有第一距離D1。換言之，在本實施例中，研磨墊104的環狀溝槽104b是以第二中心位置C2為中心呈現同心排列，環狀溝槽104b並非以第一中心位置C1為中心呈現同心排列。因此，在後續研磨製程中，其可改善被壓置在研磨墊104上的研磨物件200的中央區域與外圍區域之間的研磨液的流場分布，進而提升研磨物件200的研磨率均勻度，並增加產品良率。在一實施例中，第一距離D1可至少大於1.1公分。在一實施例中，第一距離D1可介於0公分至20公分之間。但本發明不以此為限，在其他實施例中，第一距離D1的上限值可依照研磨台102的尺寸與其他研磨裝置的參數值來進行調整。
請繼續參照圖2，研磨頭300設置在研磨墊104上，用以承載研磨物件200使其與研磨墊104接觸。詳細地說，研磨頭300可以對研磨物件200施加壓力，進而將研磨物件200壓置於研磨墊104的表面上，使得研磨物件200的待研磨面與研磨墊104的研磨層104a相接觸，以進行研磨。在一實施例中，研磨物件200可以是半導體晶圓、ⅢⅤ族晶圓、儲存元件載體、陶瓷基底、高分子聚合物基底、及玻璃基底等，但本發明不限於此。
如圖2所示，研磨台102沿著一個固定的轉動方向A旋轉時，其同時帶動配置於研磨台102上的研磨墊104，使得研磨墊104亦可以沿著與研磨台102相同的轉動方向A旋轉。研磨頭300亦循著一個固定的轉動方向B旋轉，會同時帶動貼附於研磨頭300的研磨物件200，而使研磨物件200循著與研磨頭300相同的轉動方向B旋轉。在本實施例中，轉動方向A例如是具有一相同於轉動方向B的旋轉方向，以使研磨墊104與研磨物件200進行相對運動，但本發明不限於此。在其它實施例中，轉動方向A與轉動方向B亦可選擇是相反方向，以使研磨墊104與研磨物件200進行相反運動。
在一實施例中，研磨頭300沿著研磨台102的徑向方向S來回平移擺動時，會同時帶動貼附於研磨頭300的研磨物件200，使得研磨物件200亦沿著徑向方向S來回擺動第二距離D2，以進行研磨製程。如圖3所示，所述第二距離D2是指研磨頭300的第三中心位置C3（可例如是研磨頭300的圓心）到研磨台102的第一中心位置C1（可例如是研磨台102的圓心）的距離範圍。上述距離範圍可由研磨頭300的半徑與研磨台102的半徑來定義。值得注意的是，研磨物件200沿著徑向方向S來回擺動亦可改善被壓置在研磨墊104上的研磨物件200的中央區域與外圍區域之間的研磨液的流場分布，進而提升研磨物件200的研磨率均勻度，並增加產品良率。在一實施例中，第一距離D1與第二距離D2的總和可至少大於1.1公分。在一實施例中，第二距離D2可介於0至20公分之間。但本發明不以此為限，在其他實施例中，第二距離D2亦可為非固定範圍，其可例如是逐漸遞增或逐漸遞减的距離範圍。
圖4為實驗例1之研磨裝置與比較例1-4之研磨裝置的研磨率比較圖。
圖4之縱軸為研磨率（Polish rate），其單位為埃（Å）。圖4之橫軸表示研磨物件的相對位置，也就是自研磨物件中央（即研磨物件的中心的位置標示為0）向右＋R及向左－R各點之相對位置。圓點分布為實施例1，其是使用研磨裝置100並分離研磨台102的第一中心位置C1與研磨墊104的第二中心位置C2，使得第一中心位置C1與第二中心位置C2相距第一距離D1（D1＝1.2公分），來進行研磨製程。基本上比較例1-4與實施例1相似，其差異點是在於第一距離D1的不同。詳細地說，比較例1的第一距離D1=0公分；比較例2的第一距離D1=0.9公分；比較例3的第一距離D1=1.0公分；比較例4的第一距離D1=1.1公分。由圖4可知，比較例1-4的研磨裝置因對應於研磨物件的中央區域的研磨液流場分布較差，使得研磨物件的中央區域與外圍區域的研磨率具有較大的落差。反觀，實施例1之研磨裝置100則是因對應於研磨物件200的中央區域的研磨液流場分布較佳，使得研磨物件200的中央區域與外圍區域的研磨率的落差較小。換言之，本實施例之研磨物件200的中央區域的研磨率較為平坦，因此，研磨物件200的整體研磨率較為均勻。
圖5為本發明之一實施例之配置研磨墊的作動示意圖。圖6為本發明之一實施例之研磨方法的流程步驟圖。
在本實施例中，將利用上述研磨裝置100來進行研磨製程，其配置關係已於上述段落詳細說明過，於此便不再贅述。
請同時參考圖5與圖6，先進行步驟S001，將治具400平貼在研磨台102的邊緣。詳細地說，治具400包括弧形結構402、握持部404以及測量部406。弧形結構402具有凹部402a與凸部402b。凹部402a可對應於研磨台102的邊緣。握持部404的一端連接至弧形結構402的凸部402b。在一實施例中，握持部404配置於凸部402b的中央位置，但本發明不以此為限。測量部406配置於弧形結構402與握持部404之間，其可從弧形結構402的凹部402a延伸至弧形結構402的凸部402b。
接著，進行步驟S002、S003。連續地說，可先將弧形結構402的凹部402a平貼或對齊研磨台102的邊緣，再將研磨墊104配置在研磨台102上。之後，利用治具400的測量部406，將研磨台102的第一中心位置C1與研磨墊104的第二中心位置C2之間維持在第一距離D1。由於治具400的測量部406上具有刻度標記，其可用以量測所需的第一距離D1的長度，並將超出研磨台102的部分研磨墊104（如圖5中的虛線部分）移除。因此，在進行預防性維護（Preventive Maintenance，PM），不同使用者可依照相同的刻度標記來配置研磨墊。如此一來，便可標準化預防性維護的程序。
然後，進行步驟S004，藉由配置在研磨墊104上的研磨頭300，以承載研磨物件200使其與研磨墊104接觸。在一實施例中，研磨台102沿著轉動方向A旋轉，其同時帶動配置於研磨台102表面的研磨墊104亦沿著轉動方向A旋轉。而研磨頭300則是沿著轉動方向B旋轉，亦同時帶動貼附於研磨頭300的研磨物件200沿著轉動方向B旋轉（如圖2所示）。
之後，進行步驟S005，對研磨物件200施加一壓力，使得研磨物件200被壓置於研磨墊104上以進行研磨製程。在研磨製程中，研磨物件200沿著研磨台100的徑向方向S來回擺動第二距離D2（如圖3所示）。但本發明不以此為限，在其他實施例中，研磨物件200亦可以不沿著研磨台100的徑向方向S來回擺動。
綜上所述，本發明藉由分離研磨台的第一中心位置與研磨墊的第二中心位置，使得第一中心位置與第二中心位置相距第一距離。因此，在研磨製程中，其可改善相對應的研磨物件之中央區域的研磨液的流場分布，進而提升研磨物件的研磨率均勻度，並增加產品良率。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
10、100‧‧‧研磨裝置
12、102‧‧‧研磨台
14、104‧‧‧研磨墊
14a、104a‧‧‧研磨層
14b‧‧‧同心圓溝槽
20、200‧‧‧研磨物件
104b‧‧‧環狀溝槽
300‧‧‧研磨頭
400‧‧‧治具
402‧‧‧弧形結構
402a‧‧‧凹部
402b‧‧‧凸部
404‧‧‧握持部
406‧‧‧測量部
A、B‧‧‧轉動方向
C1、C2、C3‧‧‧中心
D1‧‧‧第一距離
D2‧‧‧第二距離
S‧‧‧徑向方向
S001~S005‧‧‧步驟
12、102‧‧‧研磨台
14、104‧‧‧研磨墊
14a、104a‧‧‧研磨層
14b‧‧‧同心圓溝槽
20、200‧‧‧研磨物件
104b‧‧‧環狀溝槽
300‧‧‧研磨頭
400‧‧‧治具
402‧‧‧弧形結構
402a‧‧‧凹部
402b‧‧‧凸部
404‧‧‧握持部
406‧‧‧測量部
A、B‧‧‧轉動方向
C1、C2、C3‧‧‧中心
D1‧‧‧第一距離
D2‧‧‧第二距離
S‧‧‧徑向方向
S001~S005‧‧‧步驟
圖1為習知的研磨裝置的上視示意圖。 圖2為本發明之一實施例之研磨裝置的剖面示意圖。 圖3為圖2的上視示意圖。 圖4為實驗例1之研磨裝置與比較例1-4之研磨裝置的研磨率比較圖。 圖5為本發明之一實施例之配置研磨墊的作動示意圖。 圖6為本發明之一實施例之研磨方法的流程步驟圖。
100‧‧‧研磨裝置
102‧‧‧研磨台
104‧‧‧研磨墊
104a‧‧‧研磨層
104b‧‧‧環狀溝槽
200‧‧‧研磨物件
C1、C2、C3‧‧‧中心
D1‧‧‧第一距離
D2‧‧‧第二距離
S‧‧‧徑向方向
Claims (10)
- 一種研磨裝置，包括： 一研磨台，具有一第一中心位置；以及 一研磨墊，配置於該研磨台上，其具有一第二中心位置，該研磨墊包括： 一研磨層；以及 多個環狀溝槽，位於該研磨層中，其以該第二中心位置為中心呈現同心排列， 其中該第一中心位置與該第二中心位置之間具有一第一距離。
- 如申請專利範圍第1項所述的研磨裝置，更包括一研磨頭，配置於該研磨墊上，用以承載一研磨物件使其與該研磨墊接觸，其中該研磨頭沿著該研磨台的徑向方向來回擺動一第二距離。
- 如申請專利範圍第2項所述的研磨裝置，其中該第一距離與該第二距離的總和至少大於1.1公分。
- 如申請專利範圍第1項所述的研磨裝置，其中該第一距離至少大於1.1公分。
- 如申請專利範圍第1項所述的研磨裝置，其中該第一距離介於0公分至20公分之間。
- 一種研磨方法，包括： 提供一研磨墊於一研磨台上，其中該研磨台具有一第一中心位置，研磨墊具有一第二中心位置，該第一中心位置與該第二中心位置之間具有一第一距離； 藉由配置在該研磨墊上的一研磨頭，以承載一研磨物件使其與該研磨墊接觸；以及 對該研磨物件施加一壓力，使得該研磨物件被壓置於該研磨墊上以進行一研磨製程，其中在該研磨製程中，該研磨物件沿著該研磨台的徑向方向來回擺動一第二距離。
- 如申請專利範圍第6項所述的研磨方法，其中該第一距離與該第二距離的總和至少大於1.1公分。
- 如申請專利範圍第6項所述的研磨方法，其中該第一距離至少大於1.1公分。
- 如申請專利範圍第6項所述的研磨方法，在提供該研磨墊於該研磨台上之前，更包括藉由一治具平貼在該研磨台的邊緣，使得該研磨墊配置在該研磨台上時，該第一中心位置與該第二中心位置之間維持在該第一距離。
- 如申請專利範圍第9項所述的研磨方法，其中該治具包括： 一弧形結構，具有一凹部與一凸部，其中該凹部對應於該研磨台的邊緣； 一握持部，其一端連接至該弧形結構的該凸部；以及 一測量部，配置於該弧形結構與該握持部之間，其用以量測該第一距離的長度。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW104136120A TW201716182A (zh) | 2015-11-03 | 2015-11-03 | 研磨裝置與研磨方法 |
| CN201510776337.6A CN106670956A (zh) | 2015-11-03 | 2015-11-13 | 研磨装置与研磨方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW104136120A TW201716182A (zh) | 2015-11-03 | 2015-11-03 | 研磨裝置與研磨方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201716182A true TW201716182A (zh) | 2017-05-16 |
Family
ID=58865150
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW104136120A TW201716182A (zh) | 2015-11-03 | 2015-11-03 | 研磨裝置與研磨方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN106670956A (zh) |
| TW (1) | TW201716182A (zh) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108655947A (zh) * | 2018-05-30 | 2018-10-16 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 研磨机台及研磨方法 |
| CN109397070A (zh) * | 2018-10-24 | 2019-03-01 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 一种磷化铟晶圆片及其外延晶圆片的衬底抛光模具 |
| CN111421462B (zh) * | 2019-01-08 | 2022-03-22 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 化学机械研磨方法 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5842910A (en) * | 1997-03-10 | 1998-12-01 | International Business Machines Corporation | Off-center grooved polish pad for CMP |
| US5944583A (en) * | 1997-03-17 | 1999-08-31 | International Business Machines Corporation | Composite polish pad for CMP |
| KR100669301B1 (ko) * | 2002-06-03 | 2007-01-16 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 연마 패드 및 복층형 연마 패드 |
| US7654885B2 (en) * | 2003-10-03 | 2010-02-02 | Applied Materials, Inc. | Multi-layer polishing pad |
| JP2008290197A (ja) * | 2007-05-25 | 2008-12-04 | Nihon Micro Coating Co Ltd | 研磨パッド及び方法 |
| CN101422882B (zh) * | 2007-10-31 | 2015-05-20 | 智胜科技股份有限公司 | 研磨垫及研磨方法 |
| CN101579838B (zh) * | 2008-05-13 | 2015-09-09 | 智胜科技股份有限公司 | 研磨方法、研磨垫及研磨系统 |
| TWI599447B (zh) * | 2013-10-18 | 2017-09-21 | 卡博特微電子公司 | 具有偏移同心溝槽圖樣之邊緣排除區的ｃｍｐ拋光墊 |
-
2015
- 2015-11-03 TW TW104136120A patent/TW201716182A/zh unknown
- 2015-11-13 CN CN201510776337.6A patent/CN106670956A/zh active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN106670956A (zh) | 2017-05-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9199354B2 (en) | Flexible diaphragm post-type floating and rigid abrading workholder | |
| US9399274B2 (en) | Wafer polishing method | |
| TWM459065U (zh) | 硏磨墊以及硏磨系統 | |
| US9233452B2 (en) | Vacuum-grooved membrane abrasive polishing wafer workholder | |
| US10335918B2 (en) | Workpiece processing apparatus | |
| TW201724240A (zh) | 半導體晶圓之加工方法 | |
| TWI409868B (zh) | 研磨方法、研磨墊及研磨系統 | |
| TW201716182A (zh) | 研磨裝置與研磨方法 | |
| CN107073674A (zh) | 用于对工件进行研磨的化学机械研磨装置 | |
| JP4478859B2 (ja) | 研磨パッド | |
| TWI532565B (zh) | 研磨方法以及研磨系統 | |
| JP7032307B2 (ja) | チャック表面の決定論的な仕上げのための方法 | |
| TWM500653U (zh) | 硏磨系統及硏磨墊的組合 | |
| CN107471088B (zh) | 研磨垫及研磨方法 | |
| TWI755069B (zh) | 修整拋光墊的方法 | |
| JP2002299296A (ja) | 半導体ウェーハの研磨方法 | |
| CN106737130A (zh) | 蓝宝石基板研磨装置 | |
| US6054017A (en) | Chemical mechanical polishing pad with controlled polish rate | |
| KR101286009B1 (ko) | 웨이퍼 연마 장치 및 웨이퍼 연마방법 | |
| KR102863292B1 (ko) | 페이스 업 웨이퍼 에지 연마 장치 | |
| JP2001110763A5 (zh) | ||
| TWI558502B (zh) | 硏磨墊套組、硏磨系統以及硏磨方法 | |
| CN206436115U (zh) | 蓝宝石基板研磨装置 | |
| JP5688590B2 (ja) | 研磨パッド用表面処理剤及び研磨パッド用スプレー | |
| JP3869290B2 (ja) | 研磨装置 |