TW201708494A - 防靜電薄片及含有此之包裝材料及電子裝置 - Google Patents
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Abstract
本發明為提供一種同時具有高氣體屏障性能、高水蒸汽障礙性能與防靜電性能的新穎防靜電薄片、含有此的包裝材料及電子裝置。本發明為具備基材(X)與含有層合於前述基材(X)的層(Y)之多層結構體的防靜電薄片,前述層(Y)為包含含有鋁的化合物(A)與具有膦酸單位的聚合物(BO)。其關於層(Y)的表面電阻率為1.0×106Ω/sq以上4.0×1013Ω/sq以下之防靜電薄片者。
Description
本發明係關於防靜電薄片、含此之包裝材料及電子裝置。
將以鋁或氧化鋁作為構成成分的氣體屏障層形成於塑質薄膜上的多層結構體自過去已廣泛地被知道。如此多層結構體使用作為於保護容易藉由氧產生變質的物品(例如食品)之包裝材料。多數這些氣體屏障層藉由如物理氣相成長法或化學氣相成長法的乾式製程於塑質薄膜上形成。鋁蒸鍍薄膜除有氣體屏障性外亦具有遮光性,主要作為乾燥食品之包裝材料使用。另一方面,具有透明性的氧化鋁蒸鍍薄膜可辨識內容物,又具有藉由金屬探知機可紀行異物檢査或微波爐加熱之特徵。因此,該薄膜係以曲頸瓶食品包裝為主,作為用途廣泛的包裝材料使用。
作為含有鋁的氣體屏障層,例如藉由氧化鋁粒子與磷化合物之反應生成物所構成的透明氣體屏障層如專利文獻1所揭示。作為形成該氣體屏障層的方法之1,於塑質薄膜上塗布含有氧化鋁粒子與磷化合物的塗布液,
其次進行乾燥及熱處理之方法已揭示。
然而,過去的氣體屏障層雖具有優良的氣體屏障性,但表面電阻率大,對於除氣體屏障性以外,對於要求防靜電性能之用途的適用上,有改善之空間。
作為賦予防靜電性能的方法,於專利文獻2已揭示具有防靜電層之氣體屏障性模內標識。其中記載該模內標識具有水蒸汽障礙性。然而,專利文獻2中對於該模內標識是否具有氧障礙性則完全無記載。又,在該模內標識之製造上,因防靜電層等多層係以已決定的順序層合,故步驟較為繁雜。
[專利文獻1]國際公開2011/122036號
[專利文獻2]特開2011-5836號公報
本發明的目的之一為提供一種同時具有高氣體屏障性能、高水蒸汽障礙性能與防靜電性能的新穎防靜電薄片以及含有此的包裝材料及電子裝置。
經詳細檢討結果,本發明者們發現藉由具備
含有特定層的多層結構體之防靜電薄片可達成前述目的,而完成本發明。
本發明為提供具備含有基材(X)與層合於前述基材(X)的層(Y)之多層結構體的防靜電薄片,前述層(Y)為含有含鋁之化合物(A)與具有膦酸單位的聚合物(BO),層(Y)的表面電阻率為1.0×106Ω/sq以上4.0×1013Ω/sq以下的防靜電薄片。
對於本發明之防靜電薄片,前述含有鋁的化合物(A)可為含有含鋁的金屬氧化物(Aa)與無機磷化合物(BI)之反應生成物(D)的化合物(Ab)。
對於本發明之防靜電薄片,前述層(Y)中之無機磷化合物(BI)的質量WBI與具有膦酸單位的聚合物(BO)之質量WBO的比WBO/WBI未達0.32者為佳。
對於本發明之防靜電薄片。具有膦酸單位之聚合物(BO)可為下述一般式〔III〕R5-P(=O)(OH)2 〔III〕(式中,R5為可具有取代基的碳數2~30的烯基)所示烯基膦酸類之均聚物或共聚物。
對於本發明之防靜電薄片,具有膦酸單位的聚合物(BO)可為聚(乙烯基膦酸)。
對於本發明之防靜電薄片,前述基材(X)可含有選自由熱塑性樹脂薄膜層、紙層、及無機蒸鍍層所成群的至少1種層。
對於本發明之防靜電薄片,亦可為在40℃
90%RH的條件下中之透濕度為2.0g/(m2‧day)以下。
又,本發明為提供含有前述中任一防靜電薄片的包裝材料。進一步本發明提供含有前述任一防靜電薄片的電子裝置。
依據本發明,可得到具有優良氣體屏障性能及水蒸汽障礙性能,且具有優良防靜電性能之防靜電薄片。又,本發明之防靜電薄片其製造步驟為簡便,在工業上為有利。且本發明之防靜電薄片因防靜電性能的原因,亦會對表面產生微粉末附著之外觀不良。
10‧‧‧縱製袋填充密封袋
11‧‧‧防靜電薄片
11a‧‧‧端部
11b‧‧‧胴體部
11c‧‧‧周緣部
20‧‧‧扁平袋
30‧‧‧真空隔熱體
31‧‧‧芯材
40‧‧‧電子裝置
41‧‧‧電子裝置本體
42‧‧‧密封材料
43‧‧‧保護薄片(防靜電薄片)
[圖1]本發明的縱製袋填充密封袋之一例示模式圖。
[圖2]本發明的扁平袋之一例示模式圖。
[圖3]本發明的真空隔熱體之一例示模式圖。
[圖4]本發明的電子裝置之一例子中一部分截面圖。
[圖5]實施例1所得之多層結構體的截面掃描電子顯微鏡照片。
[圖6]實施例2所得之多層結構體的截面掃描電子顯微鏡照片。
對於本發明,可舉出以下例子做說明。且以下說明中,雖有例示出物質、條件、方法、數值範圍等,但本發明並未受到這些例示之限定。又,所例示的物質並未特別限定於註釋,可單獨使用1種亦可合併使用2種以上。
若無特別註釋,該說明書中,所謂「於特定構件(基材、層等)上層合特定層」的記載之意思為,含有除層合該特定層使其與該構件接觸的情況以外,亦包含夾住其他層於該構件的上方層合該特定層之情況。「於特定構件(基材、層等)上形成特定層」、「於特定構件(基材、層等)上配置特定層」的記載亦表示相同意思。又,若無特別註釋,所謂「於特定構件(基材、層等)上塗布液體(塗布液等)」之記載的意思為,含有除於該構件直接塗布該液體之情況以外,亦含有於該構件上所形成的其他層上進行該液體的塗布之情況。
該說明書中,如「層(Y)」,有將附有符號(Y)之層(Y)與其他層做區別的情況,若無特別註釋,符號(Y)中並無技術上的意思。對於基材(X)、化合物(A)及其他符號亦相同。但,如氫原子(H),明確表示特定元素之情況除外。
本發明之防靜電薄片實質上可僅由多層結構體所構成
者。又,對於本發明之防靜電薄片,多層結構體僅具有層(Y),無須層(Y)為最外層,因同時具有高氣體屏障性能與高水蒸汽障礙性能與防靜電性能,並未限定為層(Y)為最外層之層結構體。
本發明之多層結構體含有基材(X)與層(Y)。層(Y)含有含鋁的化合物(A)(以下僅稱為「化合物(A)」)與具有膦酸單位的聚合物(BO)(以下僅稱為「聚合物(BO)」)。層(Y)亦可進一步含有無機磷化合物(BI)者為佳。以下說明中,若無特別註釋,所謂「多層結構體」的語詞表示含有基材(X)與層(Y)的多層結構體之意思。
對於層(Y),可將化合物(A)的至少一部分與無機磷化合物(BI)及/或聚合物(BO)的至少一部分進行反應。對於層(Y)即使化合物(A)在進行反應時,可將構成反應生成物的化合物(A)之部分視為化合物(A)。此時,將使用於反應生成物的形成之化合物(A)的質量(反應前的化合物(A)之質量)含於層(Y)中之化合物(A)的質量。又,對於層(Y),即使在無機磷化合物(BI)及/或聚合物(BO)進行反應時,將構成反應生成物的無機磷化合物(BI)及/或聚合物(BO)的部分視為無機磷化合物(BI)及/或聚合物(BO)。此時,將使用於反應生成物的形成之無機磷化
合物(BI)及/或聚合物(BO)的質量(反應前之無機磷化合物(BI)及/或聚合物(BO)的質量)含於層(Y)中之無機磷化合物(BI)及/或聚合物(BO)的質量。
基材(X)的材質並無特別限制,可使用種種材質所成的基材。作為基材(X)的材質,例如可舉出熱塑性樹脂、熱硬化性樹脂等樹脂;織物、紙類等纖維集合體;木材;玻璃;金屬;金屬氧化物等。彼等中亦以熱塑性樹脂及纖維集合體為佳,熱塑性樹脂為較佳。基材(X)的形態並無特別限定,可為薄膜或薄片等層狀。作為基材(X),含有選自由熱塑性樹脂薄膜層、紙層及無機蒸鍍層所成群的至少1種者為佳。此時的基材可為單層,亦可為複數層。基材(X)以含有熱塑性樹脂薄膜層者為較佳,除含有熱塑性樹脂薄膜層以外,亦可含有無機蒸鍍層(X’)。
作為使用於基材(X)的熱塑性樹脂,例如可舉出聚乙烯、聚丙烯等聚烯烴系樹脂;聚乙烯對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚乙烯-2,6-萘二甲酸酯、聚伸丁基對苯二甲酸乙二醇酯或彼等的共聚物等聚酯系樹脂;尼龍-6、尼龍-66、尼龍-12等聚醯胺系樹脂;聚乙烯醇、乙烯-乙烯基醇共聚物等羥基含有聚合物;聚苯乙烯;聚(甲基)丙烯酸酯;聚丙烯腈;聚乙酸乙烯酯;聚碳酸酯;聚芳酯;再生纖維素;聚醯亞胺;聚醚醯亞胺;聚碸;聚醚
碸;聚醚醚酮;離聚物樹脂等。將多層結構體使用於包裝材料時,作為基材(X)的材料,以選自由聚乙烯、聚丙烯、聚乙烯對苯二甲酸乙二醇酯、尼龍-6、及尼龍-66所成群的至少1種熱塑性樹脂為佳。
將由前述熱塑性樹脂所成的薄膜作為前述基材(X)使用時,基材(X)可為延伸薄膜亦可為無延伸薄膜。因所得之多層結構體的加工適性(印刷、層合等)優良,故以延伸薄膜為佳,特別以二軸延伸薄膜為佳。二軸延伸薄膜可藉由同時二軸延伸法、逐次二軸延伸法、及管式拉伸法中任一種方法所製造的二軸延伸薄膜。
作為使用於基材(X)的紙,例如可舉出牛皮紙、高品質的紙、模造紙、玻璃紙、羊皮紙、合成紙、白板紙、馬尼拉球、牛奶紙盒原紙、紙杯原紙、象牙紙等。藉由於基材(X)使用紙,可得到紙容器用之多層結構體。
無機蒸鍍層以對於氧或水蒸汽具有障礙性者為佳,具有透明性者為較佳。除具備使用於基材(X)的無機蒸鍍層及熱塑性樹脂薄膜層外,所具備的無機蒸鍍層(X’)可將無機物藉由蒸鍍而形成。作為無機物,例如可舉出金屬(例如鋁)、金屬氧化物(例如氧化鋁、氧化矽、氧化鎂)、金屬氮化物(例如氮化矽)、金屬氮化氧化物(例如氧氮化矽)、或金屬碳化氮化物(例如碳氮化矽)等。彼等的中亦以氧化鋁、氧化矽、氧化鎂、或氮化矽所形成的無機蒸鍍層由對氧或水蒸汽具有優良障礙性之
觀點來看為佳。
除具備熱塑性樹脂薄膜層以外,所具備的無機蒸鍍層(X’)之厚度可依據構成無機蒸鍍層(X’)的成分種類而相異,以0.002~0.5μm的範圍為佳,以0.005~0.2μm的範圍為較佳,以0.01~0.1μm的範圍為更佳。該範圍下,僅選擇多層結構體的障礙性或者機械物性可成為良好的厚度即可。無機蒸鍍層(X’)的厚度若未達0.002μm時,對氧或水蒸汽之無機蒸鍍層的障礙性表現之再現性會有降低之傾向,且有時無機蒸鍍層(X’)會有無法表現充分障礙性的情況會產生。又,無機蒸鍍層(X’)的厚度超過0.5μm時,拉伸或彎曲多層結構體時,無機蒸鍍層(X’)的障礙性有著容易降低之傾向。
無機蒸鍍層的形成方法並無特別限定,可使用真空蒸鍍法(例如電阻加熱蒸鍍、電子束蒸鍍、分子束外延法等)、濺鍍法、離子電鍍法等物理氣相成長法、熱化學氣相成長法(例如觸媒化學氣相成長法)、光化學氣相成長法、電漿化學氣相成長法(例如容量結合電漿、誘導結合電漿、表面波電漿、電子迴旋共振、雙重磁控管、原子層沉積法等)、及有機金屬氣相成長法等化學氣相成長法等。又,亦可於層(Y)蒸鍍無機蒸鍍層(X’)。
基材(X)若為層狀時,該厚度由所得之多層結構體的機械性強度及加工性成為良好的觀點來看,以1
~1,000μm為佳,以5~500μm為較佳,以9~200μm為更佳。
層(Y)為含有化合物(A)與聚合物(BO)。又,層(Y)可進一步含有無機磷化合物(BI)為佳。無機磷化合物(BI)及聚合物(BO)為具有含磷原子之官能基。對於化合物(A)、無機磷化合物(BI)、及聚合物(BO)如以下說明。
化合物(A)可為含有鋁的金屬氧化物(Aa),或含有由含有鋁的金屬氧化物(Aa)(以下僅稱為「金屬氧化物(Aa)」)與無機磷化合物(BI)進行反應所成的反應生成物(D)之化合物(Ab)(以下僅稱為「化合物(Ab)」)。
含有鋁的金屬氧化物(Aa)通常以粒子形態下與無機磷化合物(BI)進行反應。
構成金屬氧化物(Aa)的金屬原子(M)以原子價為2價以上者為佳。作為金屬原子(M),例如可舉出鎂、鈣等周期表第2族之金屬原子;鈦、鋯等周期表第4族之金屬原子;鋅等周期表第12族之金屬原子;
硼、鋁等周期表第13族之金屬原子;矽等周期表第14族之金屬原子等。且硼及矽有時被分類為半金屬原子,但在本說明書中這些皆含於金屬原子者。金屬原子(M)可為1種類,亦可為2種類以上。彼等之中,亦以金屬氧化物(Aa)的生產性或所得之多層結構體的氣體屏障性或水蒸汽障礙性較優良,故金屬原子(M)以選自由鋁、鈦、及鋯所成群的至少1種者為佳,以鋁為較佳。即,金屬原子(M)以含有鋁為佳。
金屬原子(M)所佔的鋁、鈦及鋯之合計比例,通常為60莫耳%以上,亦可為100莫耳%。又,金屬原子(M)所佔的鋁之比例通常為50莫耳%以上,亦可為100莫耳%。金屬氧化物(Aa)可藉由液相合成法、氣相合成法、固體粉碎法等方法製造。
金屬氧化物(Aa)可為含有經可水解的特性基鍵結的金屬原子(M)之化合物(E)(以下僅稱為「化合物(E)」)的水解縮合物。該特性基的例子中,含有後述一般式〔I〕的R1。化合物(E)的水解縮合物實質上可視為金屬氧化物。因此,在本說明書中,有時將化合物(E)的水解縮合物稱為「金屬氧化物(Aa)」。即對於本說明書,可將「金屬氧化物(Aa)」取代為「化合物(E)的水解縮合物」,又可將「化合物(E)的水解縮合物」取代為「金屬氧化物(Aa)」。
因與無機磷化合物(BI)的反應控制變的容易,所得之多層結構體的氣體屏障性為優良,故化合物(E)以含有至少一種下述一般式〔I〕所示化合物(Ea)者為佳。
Al(R1)k(R2)3-k 〔I〕
式中,R1為具有鹵素原子(氟原子、氯原子、溴原子、碘原子)、NO3、可具有取代基的碳數1~9的烷氧基、可具有取代基的碳數2~9的醯氧基、可具有取代基的碳數3~9的烯基氧基、可具有取代基的碳數5~15的β-二酮基、或可具有取代基的碳數1~9的醯基之二醯基甲基。R2為可具有取代基的碳數1~9的烷基、可具有取代基的碳數7~10的芳烷基、可具有取代基的碳數2~9的烯基、或可具有取代基的碳數6~10之芳基。k為1~3的整數。R1若以複數形式存在時,R1彼此可相同亦可相異。R2為複數形式存在時,R2彼此可相同或相異。
化合物(E)除含有化合物(Ea)以外,亦可含有下述一般式〔II〕所示化合物(Eb)的至少1種。
M1(R3)m(R4)n-m 〔II〕
式中,M1為鋁以外的金屬原子,其為選自由周期表的2~14族之金屬原子的1種金屬原子。R3為具有鹵素原子(氟原子、氯原子、溴原子、碘原子)、NO3、可具有取代基的碳數1~9的烷氧基、可具有取代基之碳數2~9的醯氧基、可具有取代基之碳數3~9的烯基氧基、可具有取代基之碳數5~15的β-二酮基、或可具有取代基之碳
數1~9的醯基之二醯基甲基。R4為可具有取代基之碳數1~9的烷基、可具有取代基之碳數7~10的芳烷基、可具有取代基之碳數2~9的烯基、或可具有取代基之碳數6~10的芳基。m為1~n的整數。n為M1的原子價。R3以複數形式存在時,R3彼此可相同或相異。R4以複數形式存在時,R4彼此可相同或相異。
作為R1及R3的烷氧基,例如可舉出甲氧基、乙氧基、n-丙氧基、異丙氧基、n-丁氧基、異丁氧基、sec-丁氧基、tert-丁氧基、苯甲氧基、二苯基甲氧基、三苯甲基氧基、4-甲氧基苯甲氧基、甲氧基甲氧基、1-乙氧基乙氧基、苯甲氧基甲氧基、2-三甲基矽基乙氧基、2-三甲基矽基乙氧基甲氧基、苯氧基、4-甲氧基苯氧基等。
作為R1及R3的醯氧基,例如可舉出乙醯氧基、乙基羰基氧基、n-丙基羰基氧基、異丙基羰基氧基、n-丁基羰基氧基、異丁基羰基氧基、sec-丁基羰基氧基、tert-丁基羰基氧基、n-辛基羰基氧基等。
作為R1及R3的烯基氧基,例如可舉出烯丙基氧基、2-丙烯基氧基、2-丁烯基氧基、1-甲基-2-丙烯基氧基、3-丁烯基氧基、2-甲基-2-丙烯基氧基、2-戊烯基氧基、3-戊烯基氧基、4-戊烯基氧基、1-甲基-3-丁烯基氧基、1,2-二甲基-2-丙烯基氧基、1,1-二甲基-2-丙烯基氧基、2-甲基-2-丁烯基氧基、3-甲基-2-丁烯基氧基、2-甲基-3-丁烯基氧基、3-甲基-3-丁烯基氧基、1-乙烯基-2-丙烯基氧基、5-己烯基氧基等。
作為R1及R3的β-二酮基,例如可舉出2,4-戊烷二酮基、1,1,1-三氟-2,4-戊烷二酮基、1,1,1,5,5,5-六氟-2,4-戊烷二酮基、2,2,6,6-四甲基-3,5-庚烷二酮基、1,3-丁烷二酮基、2-甲基-1,3-丁烷二酮基、2-甲基-1,3-丁烷二酮基、苯甲醯基丙酮根基等。
作為R1及R3的二醯基甲基的醯基,例如可舉出甲醯基、乙醯基、丙醯基(丙醯基)、丁醯基(丁醯基)、香草基(戊醯基)、己醯基等碳數1~6的脂肪族醯基;苯甲醯基、甲苯醯基等的芳香族醯基(芳醯基)等。
作為R2及R4的烷基,例如可舉出甲基、乙基、n-丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、sec-丁基、tert-丁基、n-戊基、異戊基、n-己基、異己基、3-甲基戊基、2-甲基戊基、1,2-二甲基丁基、環丙基、環戊基、環己基等。
作為R2及R4的芳烷基,例如可舉出苯甲基、苯基乙基(苯乙基)等。
作為R2及R4的烯基,例如可舉出乙烯基、1-丙烯基、2-丙烯基、異丙烯基、3-丁烯基、2-丁烯基、1-丁烯基、1-甲基-2-丙烯基、1-甲基-1-丙烯基、1-乙基-1-乙烯基、2-甲基-2-丙烯基、2-甲基-1-丙烯基、3-甲基-2-丁烯基、4-戊烯基等。
作為R2及R4的芳基,例如可舉出苯基、1-萘基、2-萘基等。
作為R1、R2、R3、及R4中之取代基,例如可舉出碳數1~6的烷基;甲氧基、乙氧基、n-丙氧基、異丙氧基、n-丁氧基、異丁氧基、sec-丁氧基、tert-丁氧基、n-戊基氧基、異戊基氧基、n-己基氧基、環丙基氧基、環丁基氧基、環戊基氧基、環己基氧基等碳數1~6的烷氧基;甲氧基羰基、乙氧基羰基、n-丙氧基羰基、異丙氧基羰基、n-丁氧基羰基、異丁氧基羰基、sec-丁氧基羰基、tert-丁氧基羰基、n-戊基氧羰基、異戊基氧羰基、環丙基氧羰基、環丁基氧羰基、環戊基氧羰基等碳數1~6的烷氧基羰基;苯基、甲苯基、萘基等的芳香族烴基;氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等鹵素原子;碳數1~6的醯基;碳數7~10的芳烷基;碳數7~10的芳烷基氧基;碳數1~6的烷基胺基;具有碳數1~6的烷基的二烷基胺基等。
作為R1及R3,以具有鹵素原子、NO3、可具有取代基之碳數1~6的烷氧基、可具有取代基之碳數2~6的醯氧基、可具有取代基之碳數5~10的β-二酮基、或可具有取代基之碳數1~6的醯基的二醯基甲基為佳,可具有取代基之碳數1~6的烷氧基為較佳。
作為R2及R4,以可具有取代基之碳數1~6的烷基為佳。式〔I〕的k較佳為3。
作為M1,以周期表的第4族之金屬原子為佳,以鈦、鋯為較佳。M1為周期表的第4族之金屬原子時,式〔II〕的m較佳為4。
作為化合物(Ea),例如可舉出氯化鋁、硝酸鋁、乙酸鋁、參(2,4-戊二酮)鋁、三甲氧基鋁、三乙氧基鋁、三-n-丙氧基鋁、三異丙氧基鋁、三-n-丁氧基鋁、三-sec-丁氧基鋁、三-tert-丁氧基鋁等,其中以三異丙氧基鋁及三-sec-丁氧基鋁為佳。作為化合物(E),可併用2種以上的化合物(Ea)。
作為化合物(Eb),例如可舉出肆(2,4-戊二酮)鈦、四甲氧基鈦、四乙氧基鈦、四異丙氧基鈦、四-n-丁氧基鈦、肆(2-乙基己氧基)鈦等鈦化合物;肆(2,4-戊二酮)鋯、四-n-丙氧基鋯、四-n-丁氧基鋯等鋯化合物等。這些可單獨使用1種或亦可併用2種以上化合物(Eb)。
對於化合物(E),僅得到本發明之效果,在化合物(E)所佔的化合物(Ea)之比例並無特別限定。化合物(Ea)以外的化合物(例如化合物(Eb))於化合物(E)所佔比例,例如以20莫耳%以下為佳,以10莫耳%以下為較佳,以5莫耳%以下為更佳,亦可為0莫耳%。
化合物(E)藉由水解,化合物(E)所具有的可水解之特性基的至少一部分會變換為羥基。且,藉由該水解物的縮合,可形成金屬原子(M)介著氧原子(O)經鍵結的化合物。若重複該縮合,可形成實質上視為金屬氧化物的化合物。且,如此所形成的金屬氧化物(Aa)的表面上通常存在羥基。
對於本說明書,其為將〔僅鍵結於金屬原子(M)的氧原子(O)之莫耳數〕/〔金屬原子(M)之莫耳數〕的比為0.8以上的化合物含於金屬氧化物(Aa)者。其中,僅鍵結於金屬原子(M)的氧原子(O)為M-O-M所示結構中之氧原子(O),如M-O-H所示結構中之氧原子(O),鍵結於金屬原子(M)與氫原子(H)的氧原子被除外。對於金屬氧化物(Aa)中之前述比以0.9以上為佳,以1.0以上為較佳,以1.1以上為更佳。此比的上限雖無特別限定,若將金屬原子(M)的原子價作為n時通常表示為n/2。
欲使其進行前述水解縮合,以化合物(E)具有可水解之特性基者為重要。無這些基鍵結時,因不會引起水解縮合反應或者極為緩慢,故作為目的的金屬氧化物(Aa)之調製變的困難。
化合物(E)的水解縮合物,例如可藉由採用公知溶膠-凝膠法的手法自特定原料所製造。該原料可使用選自由化合物(E)、化合物(E)的部分水解物、化合物(E)的完全水解物、化合物(E)經部分水解縮合所成的化合物、及化合物(E)的完全水解物之一部分經縮合所成的化合物而成群的至少1種。
提供於與無機磷化合物(BI)含有物(含有無機磷化合物(BI)或無機磷化合物(BI)之組成物)之混合的金屬氧化物(Aa)以實質上未含有磷原子者為佳。
含於化合物(Ab)的反應生成物(D)由金屬氧化物(Aa)與無機磷化合物(BI)之反應而得。其中,藉由金屬氧化物(Aa)與無機磷化合物(BI)及進一步與其他化合物進行反應而生成的化合物亦含於反應生成物(D)。化合物(Ab)中亦可部分地含有與反應無關的金屬氧化物(Aa)及/或無機磷化合物(BI)。
對於化合物(Ab),構成金屬氧化物(Aa)的金屬原子與來自無機磷化合物(BI)的磷原子之莫耳比為,〔構成金屬氧化物(Aa)的金屬原子〕:〔來自無機磷化合物(BI)的磷原子〕=1.0:1.0~3.6:1.0之範圍者為佳,以1.01:1.00~1.50:1.00之範圍者為較佳,以1.05:1.00~1.45:1.00之範圍者為更佳。在該範圍內其氣體屏障性能較優良。於化合物(Ab)中之該莫耳比可藉由使用於形成化合物(Ab)的塗布液中之金屬氧化物(Aa)與無機磷化合物(BI)的混合比率而調整。於化合物(Ab)中之該莫耳比通常與於塗布液(S)中之比相同。
對於層(Y)的紅外線吸收光譜,於800~1,400cm-1的區域中的最大吸收波數以1,080~1,130cm-1的範圍者為佳。金屬氧化物(Aa)與無機磷化合物(BI)進行反應成為反應生成物(D)之過程中,來自金屬氧化物(Aa)的
金屬原子(M)、來自無機磷化合物(BI)的磷原子(P)介著氧原子(O)形成M-O-P所示鍵結。其結果反應生成物(D)於紅外線吸收光譜中,產生來自該鍵結的特性吸收帶。經本發明者們進行檢討結果,依據M-O-P的鍵結的特性吸收帶在1,080~1,130cm-1的區域所見到的情況時得知所得之多層結構體表現優良氣體屏障性。特別在該特性吸收帶,得知一般來自各種原子與氧原子的鍵結的吸收所見到的800~1,400cm-1之區域中,最強吸收時,所得之多層結構體表現更優良的氣體屏障性。
相對於此,預先混合金屬烷氧化物或者金屬鹽等金屬化合物與無機磷化合物(BI)後,使其進行水解縮合時,得到來自金屬化合物的金屬原子與來自無機磷化合物(BI)的磷原子幾乎均勻地混合的反應之複合體。此時,對於紅外線吸收光譜,於800~1,400cm-1區域中之最大吸收波數變的如在1,080~1,130cm-1之範圍外。
對於層(Y)的紅外線吸收光譜,於800~1,400cm-1區域中之最大吸收帶的半寬度由所得之多層結構體的氣體屏障性之觀點來看,以200cm-1以下為佳,以150cm-1以下為較佳,以100cm-1以下為更佳,以50cm-1以下為特佳。
層(Y)的紅外線吸收光譜可由實施例所記載的方法進行測定。但,若無法藉由實施例所記載的方法進行測定時,可藉由如反射吸收法、外部反射法、衰減全反射法等反射測定、由多層結構體讀取層(Y)、液體石蠟
法、錠劑法等透過測定之方法進行測定,但並未限定於此等。
對於化合物(Ab),可具有金屬氧化物(Aa)的粒子彼此可介著來自無機磷化合物(BI)的磷原子進行鍵結的結構。作為化合物(Ab)的原料所使用的金屬氧化物(Aa)的粒子可在形成化合物(Ab)之過程中變化其形狀或尺寸。
無機磷化合物(BI)含有與金屬氧化物(Aa)可進行反應的部位,典型為含有複數個如此部位。作為無機磷化合物(BI),含有2~20個如此部位(原子團或官能基)的化合物為佳。於如此部位的例子,含有存在於金屬氧化物(Aa)表面的官能基(例如羥基)與可進行縮合反應的部位。作為如此部位,例如可舉出直接鍵結於磷原子的鹵素原子、直接鍵結於磷原子的氧原子等。存在於金屬氧化物(Aa)表面的官能基(例如羥基)通常鍵結於構成金屬氧化物(Aa)的金屬原子(M)。
作為無機磷化合物(BI),例如可舉出磷酸、二磷酸、三磷酸、4分子以上的磷酸經縮合之多聚磷酸、亞磷酸、膦酸、亞膦酸、次膦酸、亞次膦酸等磷之含氧酸、及彼等的鹽(例如磷酸鈉)、以及彼等的衍生物(例如鹵素化物(例如氯化磷醯基)、脫水物(例如五氧化二磷))等。
彼等的無機磷化合物(BI)可單獨使用1種亦可併用2種以上。彼等的無機磷化合物(BI)之中,以單獨使用磷酸或併用磷酸與此以外的無機磷化合物(BI)者為佳。藉由使用磷酸,可提高後述的得到塗布液(S)安定性之多層結構體的氣體屏障性。併用磷酸與此以外的無機磷化合物(BI)時,以無機磷化合物(BI)的50莫耳%以上為磷酸者為佳。
聚合物(BO)為具有膦酸單位的聚合物,較佳為烯基膦酸類之均聚物或共聚物。烯基膦酸類為具有烯基作為取代基的膦酸,如下述一般式〔III〕所示。
R5-P(=O)(OH)2 〔III〕
式中,R5為可具有取代基的碳數2~30(例如2~10)的烯基。於該烯基中,於分子鏈中可含有1個以上氧羰基,碳鏈的一部分可構成碳環。
前述烯基之例子中,含有具有碳-碳雙鍵之烴鏈(例如乙烯基、烯丙基、1-丙烯基、異丙烯基、2-甲基-1-丙烯基、2-甲基-2-丙烯基、1-丁烯基、2-丁烯基、3-丁烯基、1-戊烯基、1-己烯基、1,3-伸己二烯基、1,5-伸己二烯基等)。又,作為該具有烯基的碳環,例如可舉出苯環、萘環、環丙烷環、環丁烷環、環戊烷環、環丙烯環、環丁烯環、環戊烯環等。又,於碳環上具有碳-碳雙鍵之前述烴鏈以外,可鍵結1個以上的其他飽和烴鏈(例如甲
基、乙基、丙基等)。
作為可適合使用於本發明的烯基膦酸類之單體,例如可舉出乙烯基膦酸、2-丙烯-1-膦酸等的烯基膦酸;4-乙烯基苯甲基膦酸、4-乙烯基苯基膦酸等的烯基芳香族膦酸等。其中亦以烯基膦酸為佳,以乙烯基膦酸為較佳。
聚合物(BO)可僅由膦酸單位所構成,亦可含有其他單體單位。聚合物(BO)於全構成單位所佔的膦酸單位之比例可為50~100莫耳%的範圍,亦可為80~100莫耳%之範圍。
聚合物(BO)可藉由將含有膦酸的至少1種單體進行聚合而得。聚合物(BO)亦可為膦酸與其他乙烯基單體的共聚物。作為可與膦酸進行共聚合的其他乙烯基單體,例如可舉出(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸酯類、(甲基)丙烯腈、苯乙烯、核取代苯乙烯類、烷基乙烯基醚類、烷基乙烯基酯類、全氟烷基乙烯基醚類、全氟烷基乙烯基酯類、馬來酸、無水馬來酸、富馬酸、衣康酸、馬來醯亞胺、苯基馬來醯亞胺等。彼等的中亦以(甲基)丙烯酸酯類、丙烯腈、苯乙烯、馬來醯亞胺、及苯基馬來醯亞胺為佳。
作為聚合物(BO),例如可舉初聚(乙烯基膦酸)、乙烯基膦酸-甲基丙烯酸共聚物等。彼等的中聚(乙烯基膦酸)因可得到高防靜電性能故較佳。聚合物(BO)的分子量並無特別限定,該數平均分子量以5,000
~100,000的範圍亦佳。
在本發明之防靜電薄片中之層(Y)的表面電阻率為1.0×106Ω/sq以上4.0×1013Ω/sq以下之範圍,故顯示優良防靜電性能。層(Y)的表面電阻率亦可為1.0×106Ω/sq以上3.0×1012Ω/sq以下。
藉由聚合物(BO)中之膦酸單位的一部分與化合物(A)中之鋁原子進行反應,可具有表現高防靜電性能之可能性。Pauling的電氣陰性度為磷原子2.29、氧原子3.44、氫原子2.20、鋁原子1.61。氧原子與氫原子的電氣陰性度之差為1.24,氧原子與鋁原子的電氣陰性度之差為1.83。因此,聚合物(BO)中之膦酸基的一部分藉由與化合物(A)中之鋁原子進行反應,使電荷的偏差更大,增加導電性(即電阻較小)。且各原子的Pauling的電氣陰性度之值引用下述參考文獻1之表3所記載的值。
參考文獻1:A.L.Allred、Journal of Inorganic and Nuclear Chemistry、第17卷、第215-221頁(1961年)
藉由本發明之構成所產生的防靜電效果的機制於現今尚未明瞭。
層(Y)的表面電阻率可藉由構成層(Y)的分子極性使其增減。例如使聚合物(BO)中的膦酸單位之量減少,或藉由於層(Y)添加非離子性化合物(例如聚乙烯醇),可增加層(Y)的表面電阻率。又,於聚合聚合物(BO)時,藉由將膦酸取代為膦酸鹽(例如乙烯基膦酸鈉),可降低層(Y)的表面電阻率。又,即使藉
由於層(Y)添加離子性化合物(例如4級銨鹽),亦可降低層(Y)的表面電阻率。且藉由增加聚合物(BO)中的膦酸單位之量,亦可降低層(Y)的表面電阻率。
對於多層結構體之層(Y),含有無機磷化合物(BI)與聚合物(BO)時,於層(Y)中之無機磷化合物(BI)的質量WBI與聚合物(BO)的質量WBO之比WBO/WBI以未達0.32者為佳,由表現較高水蒸汽障礙性之觀點來看,以未達0.26者為較佳,以未達0.14者為更佳。又,WBO/WBI比0.0001大時為佳,由可表現較高氣體屏障性及較高水蒸汽障礙性之觀點來看,比0.001大時較佳,比0.01大時更佳,比0.04大時特佳。
含於本發明之多層結構體的層(Y)可僅由含有鋁的化合物(A)及聚合物(BO)所構成;亦可僅由含有鋁的化合物(A)、無機磷化合物(BI)及聚合物(BO)所構成;又可僅由含有鋁的金屬氧化物(Aa)、無機磷化合物(BI)及聚合物(BO)所構成;亦可僅由包含含有鋁的金屬氧化物(Aa)與無機磷化合物(BI)的反應生成物(D)的化合物(Ab)、無機磷化合物(BI)及聚合物(BO)所構成;亦可僅由含有鋁的金屬氧化物(Aa)、包含含有鋁的金屬氧化物(Aa)與無機磷化合物(BI)的反應生成物(D)之化合物(Ab)、無機磷化合物(BI)及聚合物(BO)所構成。又,對於前述中任一態樣,層(Y)可進一步含有其他成分。作為含於層(Y)的其他成分,例如前述碳酸鹽、鹽酸鹽、硝酸鹽、
碳酸氫鹽、硫酸鹽、硫酸氫鹽、硼酸鹽等無機酸金屬鹽;前述草酸鹽、乙酸鹽、酒石酸鹽、硬脂酸鹽等有機酸金屬鹽;環戊二烯基金屬錯體(例如茂鈦)、氰基金屬錯體(例如普魯士藍)等金屬錯體;層狀黏土化合物;交聯劑;聚合物(BO)以外的聚合物(F)(以下亦稱為「聚合物(F)」);可塑劑;抗氧化劑;紫外線吸收劑;難燃劑等可舉出。多層結構體中之層(Y)中的前述其他成分含有量以50質量%以下為佳,以20質量%以下為較佳,以10質量%以下為更佳,以5質量%以下為特佳,亦可為0質量%(未含其他成分)。
聚合物(F)亦可為例如具有選自由醚鍵、羰基、羥基、羧基、羧酸酐基、及羧基的鹽所成群的至少1種官能基之聚合物(Fa)。
作為聚合物(Fa),例如可舉出聚乙二醇;聚酮;聚乙烯醇、含有碳數4以下的α-烯烴單位1~50莫耳%之改性聚乙烯醇、聚乙烯縮醛(例如聚乙烯縮丁醛)等聚乙烯醇系聚合物;纖維素、澱粉、環糊精等多糖類;聚(甲基)丙烯酸羥基乙酯、聚(甲基)丙烯酸、乙烯-丙烯酸共聚物等(甲基)丙烯酸系聚合物;乙烯-馬來酸酐共聚物的水解物、苯乙烯-馬來酸酐共聚物的水解物、異丁烯-無水馬來酸交互共聚物之水解物等馬來酸系聚合物等。另一方面,欲得到具有較高透明性之層(Y),以
至少未含前述聚乙烯醇系聚合物者為佳。
聚合物(Fa)可為具有聚合性基的單體(例如乙酸乙烯基、丙烯酸)之均聚物,或可為2種以上單體的共聚物,亦可具有羥基及/或羧基之單體與不具有該基之單體之共聚物。且,作為聚合物(Fa),可併用2種以上聚合物(Fa)。
聚合物(Fa)的分子量並無特別限制,欲得到具有更優良的氣體屏障性及機械性強度的多層結構體,以聚合物(Fa)之數平均分子量為5,000以上者為佳,以8,000以上者為較佳,以10,000以上者為更佳。聚合物(Fa)的數平均分子量之上限並無特別限定,例如1,500,000以下。
由良好保持多層結構體之外觀的觀點來看,於層(Y)中之聚合物(Fa)的含有量,將層(Y)質量作為基準(100質量%)時以85質量%以下為佳,以50質量%以下為較佳,以20質量%以下為更佳,以10質量%以下為特佳。聚合物(Fa)可與層(Y)中之成分進行反應,或亦可不進行反應。
層(Y)的厚度(多層結構體具有2層以上的層(Y)時之各層(Y)厚度合計)以0.05~4.0μm為佳,以0.1~2.0μm為較佳,以0.2~0.8μm為更佳。藉由使層(Y)變薄,可使印刷、層合等加工時中之多層結構體的尺寸變化保持在較低水準。又,欲增加多層結構體的柔軟性,亦可將該力學特性接近基材本身的力學特性。本
發明之多層結構體具有2層以上的層(Y)時,由氣體屏障性之觀點來看,每層(Y)1層的厚度以0.05μm以上者為佳。層(Y)的厚度可藉由使用於層(Y)之形成的後述塗布液(S)濃度或者其塗布方法進行控制。
層(Y)之厚度為將多層結構體之截面藉由掃描型電子顯微鏡或透過型電子顯微鏡進行觀察而測定。
對於本發明之多層結構體的製造方法之一例子如以下說明。對於本發明之多層結構體所說明的事項因可適用於本發明之製造方法上,故有時省略重複說明。又,對於本發明之製造方法所說明的事項可適用於本發明之多層結構體。
作為本發明之多層結構體的製造方法,例如可舉出含有前驅體層形成步驟(i)、含有聚合物(BO)的塗布液(T)之塗布步驟(ii)、及氣體屏障層(Y)之形成步驟(iii)的製造方法。且,對於化合物(A)、無機磷化合物(BI)、聚合物(BO)、及這些質量比已如上敘述,故於製造方法省略重複說明。
在步驟(i),藉由將包含含有鋁的化合物(A)之塗布液(S)塗布於基材(X)上進行塗布而於基材(X)上形成層(Y)的前驅體層。藉由步驟(i),得到含有基材
(X)與層(Y)之前驅體層的結構體。層(Y)為含有鋁之蒸鍍層(Ac)、或氧化鋁之蒸鍍層(Ad)時,這些層可藉由上述一般蒸鍍法而形成。因此,以下對於含有化合物(Ab)之層(Y)的前驅體層之形成方法做詳細說明。
作為較佳實施態樣,塗布液(S)(第1塗布液)可藉由將金屬氧化物(Aa)與無機磷化合物(BI)在溶劑中進行混合而使其反應而調製。具體塗布液(S)為混合金屬氧化物(Aa)之分散液與含有無機磷化合物(BI)的溶液之方法;藉由於金屬氧化物(Aa)的分散液添加無機磷化合物(BI),經混合的方法等進行調製。彼等混合時之溫度以50℃以下為佳,以30℃以下為較佳,以20℃以下為更佳。塗布液(S)亦可含有其他化合物(例如聚合物(F))。又,視必要亦可含有選自由乙酸、鹽酸、硝酸、三氟乙酸、及三氯乙酸所成群的至少1種酸化合物(Q)。
金屬氧化物(Aa)之分散液,例如可依據在公知溶膠-凝膠法所採用的操作,例如混合化合物(E)、水、及視必要混合酸觸媒或有機溶劑,藉由使化合物(E)進行縮合或水解縮合而調製。藉由將化合物(E)進行縮合或水解縮合得到金屬氧化物(Aa)之分散液之情況,視必要對於所得之分散液可進行特定處理(前述酸化合物(Q)之存在下的解膠等)。所使用的溶劑並無特別的限定,但以甲醇、乙醇、異丙醇等醇類;水;或彼等混合溶劑為佳。
含有無機磷化合物(BI)之溶液可將無機磷化合物(BI)溶解於溶劑中而調製。作為溶劑,可配合無機磷化合物(BI)種類做適宜選擇,以含有水者為佳。僅不妨礙無機磷化合物(BI)之溶解,溶劑可含有有機溶劑(例如甲醇等醇類)。
塗布液(S)之固體成分濃度由對該塗布液之保存安定性及對基材(X)之塗布性的觀點來看,以1~20質量%為佳,以2~15質量%為較佳,以3~10質量%為更佳。前述固體成分濃度為例如將於塗布液(S)之溶劑餾去後所殘存的固體成分質量經處理後除以塗布液(S)質量而算出。
塗布液(S)經布魯克菲爾德形轉動黏度計(SB型黏度計:轉子No.3、轉動速度60rpm)所測定的黏度以在塗布時的溫度中3,000mPa.s以下者為佳,以2,500mPa.s以下者為較佳,以2,000mPa.s以下為更佳。當該黏度若在3,000mPa.s以下時,可提高塗布液(S)之塗平性,可得到外觀更優之多層結構體。又,作為塗布液(S)之黏度,以50mPa.s以上為佳,以100mPa.s以上為較佳,以200mPa.s以上為更佳。
對於塗布液(S),雖無特別限定,鋁原子與磷原子之莫耳比以鋁原子:磷原子=1.0:1.0~3.6:1.0的範圍為佳,以1.01:1.00~1.50:1.00的範圍為較佳,以1.05:1.00~1.45:1.00的範圍為更佳。鋁原子與磷原子之莫耳比可進行塗布液(S)之乾燥固體物的螢光X線
分析而算出。
塗布液(S)可於基材(X)的至少一面上直接塗布,或介著其他層(J)塗布於基材(X)上。又,於塗布塗布液(S)前,將基材(X)的表面以公知錨塗布劑進行處理,或藉由於基材(X)表面塗布公知接著劑,於基材(X)表面上可形成接著層(I)。
塗布液(S)的塗布並無特別限定,可採用公知方法。作為塗布方法,例如可舉初澆鑄法、浸漬法、輥塗布法、凹版塗布法、絲網印刷法、反向塗布法、噴霧塗布法、接吻塗布法、模塗法、計量棒塗布法、Chambered Doctor combination coating、幕式塗布法、棒塗布法等。
通常對於步驟(i),藉由除去塗布液(S)中之溶劑,形成層(Y1)的前驅體層。溶劑的除去方法並無特別限制,可適用公知乾燥方法。作為乾燥方法,例如可舉出熱風乾燥法、熱輥接觸法、紅外線加熱法、微波加熱法等。乾燥處理溫度以基材(X)的流動開始溫度以下者為佳。塗布液(S)的塗布後之乾燥處理溫度例如可為80~180℃程度,亦可為90~150℃程度。乾燥處理時間雖無特別限定,例如以0.1秒~1小時為佳,以1秒~15分鐘為較佳,以5~300秒為更佳。又,乾燥處理之後進行熱處理為佳。熱處理溫度例如可在100~200℃程度,亦可在120~180℃程度下進行,但比乾燥處理溫度更高溫度者為佳。熱處理時間並無特別限定,例如熱處理之時間以1秒~1小時為佳,以1秒~15分鐘為較佳,以5~
300秒為更佳。如此於塗布含有聚合物(BO)的塗布液(T)前進行熱處理時,由可得到具有良好特性之多層結構體的觀點來看為佳。
在步驟(ii)中,於由步驟(i)所得之層(Y)的前驅體層上塗布含有聚合物(BO)的塗布液(T)。
塗布液(T)(第2塗布液)可藉由混合聚合物(BO)及溶劑而調製。將所得之塗布液(T)塗布於在步驟(i)所得之層(Y)的前驅體層上。
使用於塗布液(T)的溶劑可依據聚合物(BO)的種類做適宜選擇即可,並無特別限定,以甲醇、乙醇、異丙醇等醇類;水;或這些混合溶劑者為佳。
於塗布液(T)中之聚合物(BO)的固體成分之濃度由溶液的保存安定性或者塗布性之觀點來看,以0.01~10質量%為佳,以0.1~9質量%為較佳,以0.2~5質量%為更佳。固體成分濃度可藉由與有關塗布液(S)所記載的相同方法而求得。又,僅可得到本發明之效果,塗布液(T)可含有於上述層(Y)所含的其他成分(例如聚合物(F))。
藉由於塗布塗布液(T)後除去溶劑,形成層(Y)的前驅體層。與塗布液(S)的塗布同樣地,塗布塗布液(T)之方法並無特別限定,可採用公知方法。使用無機磷化合物(BI)時,以將塗布液(T)的塗布量使
無機磷化合物(BI)的質量WBI與聚合物(BO)的質量WBO之比WBO/WBI滿足上述特定關係的量為特佳。
塗布液(T)的溶劑之除去方法並無特別限定,可適用公知乾燥方法。作為乾燥方法,例如可舉出熱風乾燥法、熱輥接觸法、紅外線加熱法、微波加熱法等。乾燥處理溫度以基材(X)的流動開始溫度以下者為佳。塗布液(T)的塗布後之乾燥處理溫度,例如可為90~240℃程度,以100~200℃為佳。
在步驟(iii)中,將經步驟(i)及(ii)所形成的層(Y)之前驅體層藉由140℃以上之溫度進行熱處理後形成層(Y)。該熱處理溫度比塗布液(T)之塗布後的乾燥處理溫度高者為佳。
在步驟(iii)中,進行金屬氧化物(Aa)粒子彼此介著磷原子(來自無機磷化合物(BI)的磷原子)鍵結的反應。在另一觀點來看,在步驟(iii)中,進行生成反應生成物(D)的反應。欲充分進行該反應,熱處理之溫度為140℃以上,以170℃以上為佳,以180℃以上為較佳,以190℃以上為更佳。若熱處理溫度低時,要得到充分反應度之時間會變的過長,成為生產性降低之原因。熱處理之溫度的較佳上限為依據基材(X)之種類等相異。例如將由聚醯胺系樹脂所成的熱塑性樹脂薄膜作為基材(X)使用時,熱處理之溫度以270℃以下者為佳。
又,將由聚酯系樹脂所成的熱塑性樹脂薄膜作為基材(X)使用時,熱處理的溫度以240℃以下者為佳。熱處理可在空氣環境下、氮環境下、氬環境下等實施。熱處理的時間以0.1秒~1小時為佳,以1秒~15分鐘為較佳,以5~300秒為更佳。
在本發明之多層結構體的製造方法之較佳一態樣中,於塗布液(S)的塗布後,進行乾燥處理(第1乾燥處理),再繼續進行熱處理(第1熱處理)後形成前驅體層,於塗布液(T)之塗布後,進行乾燥處理(第2乾燥處理),再繼續進行熱處理(第2熱處理)。此時,前述第1熱處理的溫度比第1乾燥處理高,前述第2熱處理的溫度比第2乾燥處理高,前述第2熱處理的溫度比前述第1熱處理的溫度高為佳。
如此所得之多層結構體可直接作為本發明之防靜電薄片使用。且於前述多層結構體中,可進一步接著或形成其他構件(例如接著層(I)、其他層(J)),作為本發明之防靜電薄片使用。如此防靜電薄片可藉由前述多層結構體之製造方法中具備進一步接著或形成其他構件(例如接著層(I)、其他層(J))之步驟的製造方法而製造。前述其他構件的接著可藉由公知方法進行。
對於本發明之多層結構體,層(Y)可層合成與基材(X)直接接觸。又,層(Y)可介著接著層(I)層合於
基材(X)。使用接著層(I),有著可提高基材(X)與層(Y)之接著性的情況。接著層(I)可由接著性樹脂所構成。由接著性樹脂所構成的接著層(I)係藉由將基材(X)之表面以公知錨塗布劑進行處理、或於基材(X)的表面塗布公知接著劑而形成。作為該接著劑,混合聚異氰酸酯成分與多元醇成分並進行反應的2液反應型聚胺基甲酸酯系接著劑為佳。又,藉由於錨塗布劑或接著劑可添加公知矽烷偶合劑等少量添加劑,可進一步提高接著性。作為矽烷偶合劑,例如可舉出具有異氰酸酯基、環氧基、胺基、脲基、巰基等反應性基之矽烷偶合劑,但並未限定於此等。藉由將基材(X)與層(Y)介著接著層(I)做強接著,對於本發明之多層結構體施予印刷或層合等加工時,可更有效地抑制氣體屏障性或外觀的惡化,且可提高使用本發明之多層結構體的包裝材料之落下強度。接著層(I)的厚度以0.01~10.0μm為佳,以0.03~5.0μm為較佳。
本發明之多層結構體因可提供種種特性(例如熱封性、障礙性、力學物性),亦可含有其他層(J)。如此本發明之多層結構體,例如可藉由於基材(X)直接或介著接著層(I)層合層(Y)後,進一步將該其他層(J)直接或介著接著層(I)進行接著或形成而製造。作為其他層(J),例如可舉出油墨層;聚烯烴層、乙烯-乙烯基
醇共聚物樹脂層等熱塑性樹脂層等,但並未限定於此等。
本發明之多層結構體可含有使用於印刷商品名或圖案等時的油墨層。如此本發明之多層結構體,例如於基材(X)直接或介著接著層(I)層合層(Y)後,進一步藉由直接形成該油墨層而可製造。作為油墨層,例如可舉出將於溶劑含有顏料(例如二氧化鈦)的聚胺基甲酸酯樹脂經分散的液體進行乾燥之皮膜,但亦可為未含有顏料之聚胺基甲酸酯樹脂或者以其他樹脂作為主劑的墨水或者電子電路配線形成用光阻經乾燥的皮膜。作為對層(Y)的油墨層之塗布方法,除凹板印刷法以外,可舉出線錠、旋轉塗布機、模具塗布等各種塗布方法。油墨層的厚度以0.5~10.0μm為佳,以1.0~4.0μm為較佳。
藉由將本發明之多層結構體的最表面層作為聚烯烴層,可對多層結構體賦予熱封性,或提高多層結構體的力學特性。由熱封性或力學特性的提高等觀點來看,聚烯烴以聚丙烯或聚乙烯者為佳。又,欲提高多層結構體的力學特性,於多層結構體層合選自由聚酯所成薄膜、聚醯胺所成薄膜、及含羥基的聚合物所成的薄膜所成群的至少1種薄膜者為佳。由力學特性的提高觀點來看,作為聚酯以聚乙烯對苯二甲酸乙二醇酯為佳,作為聚醯胺以尼龍-6為佳。又,由全層具有障礙性的觀點來看,作為含有羥基的聚合物以乙烯-乙烯基醇共聚物為佳。且於各層間視必要可設置由錨塗布層或接著劑所成的層。
本發明之多層結構體之構成的具體例子如以下所示。多層結構體雖可具有基材(X)、層(Y)以外的其他構件(例如接著層(I)、其他層(J)),但對於以下具體例子,省略該其他構件之記載。又,以下具體例子可進行複數層之層合或組合。
(1)層(Y)/聚酯層、(2)層(Y)/聚酯層/層(Y)、(3)層(Y)/聚醯胺層、(4)層(Y)/聚醯胺層/層(Y)、(5)層(Y)/聚烯烴層、(6)層(Y)/聚烯烴層/層(Y)、(7)層(Y)/含有羥基的聚合物層、(8)層(Y)/含有羥基的聚合物層/層(Y)、(9)層(Y)/紙層、(10)層(Y)/紙層/層(Y)、(11)層(Y)/無機蒸鍍層/聚酯層、(12)層(Y)/無機蒸鍍層/聚醯胺層、(13)層(Y)/無機蒸鍍層/聚烯烴層、(14)層(Y)/無機蒸鍍層/含有羥基的聚合物層、(15)層(Y)/聚酯層/聚醯胺層/聚烯烴層、(16)層(Y)/聚酯層/層(Y)/聚醯胺層/聚烯烴層、(17)聚酯層/層(Y)/聚酯層/層(Y)/無機蒸鍍層/
含有羥基的聚合物層/聚烯烴層、(18)聚酯層/層(Y)/聚醯胺層/聚烯烴層、(19)層(Y)/聚醯胺層/聚酯層/聚烯烴層、(20)層(Y)/聚醯胺層/層(Y)/聚酯層/聚烯烴層、(21)聚醯胺層/層(Y)/聚酯層/聚烯烴層、(22)層(Y)/聚烯烴層/聚醯胺層/聚烯烴層、(23)層(Y)/聚烯烴層/層(Y)/聚醯胺層/聚烯烴層、(24)聚烯烴層/層(Y)/聚醯胺層/聚烯烴層、(25)層(Y)/聚烯烴層/聚烯烴層、(26)層(Y)/聚烯烴層/層(Y)/聚烯烴層、(27)聚烯烴層/層(Y)/聚烯烴層、(28)層(Y)/聚酯層/聚烯烴層、(29)層(Y)/聚酯層/層(Y)/聚烯烴層、(30)聚酯層/層(Y)/聚烯烴層、(31)層(Y)/聚醯胺層/聚烯烴層、(32)層(Y)/聚醯胺層/層(Y)/聚烯烴層、(33)聚醯胺層/層(Y)/聚烯烴層、(34)層(Y)/聚酯層/紙層、(35)層(Y)/聚醯胺層/紙層、(36)層(Y)/聚烯烴層/紙層、(37)聚烯烴層/紙層/聚烯烴層/層(Y)/聚酯層/聚烯烴層、
(38)聚烯烴層/紙層/聚烯烴層/層(Y)/聚醯胺層/聚烯烴層、(39)聚烯烴層/紙層/聚烯烴層/層(Y)/聚烯烴層、(40)紙層/聚烯烴層/層(Y)/聚酯層/聚烯烴層、(41)聚烯烴層/紙層/層(Y)/聚烯烴層、(42)紙層/層(Y)/聚酯層/聚烯烴層、(43)紙層/層(Y)/聚烯烴層、(44)層(Y)/紙層/聚烯烴層、(45)層(Y)/聚酯層/紙層/聚烯烴層、(46)聚烯烴層/紙層/聚烯烴層/層(Y)/聚烯烴層/含有羥基的聚合物層、(47)聚烯烴層/紙層/聚烯烴層/層(Y)/聚烯烴層/聚醯胺層、(48)聚烯烴層/紙層/聚烯烴層/層(Y)/聚烯烴層/聚酯層、(49)無機蒸鍍層/層(Y)/聚酯層、(50)無機蒸鍍層/層(Y)/聚酯層/層(Y)/無機蒸鍍層、(51)無機蒸鍍層/層(Y)/聚醯胺層、(52)無機蒸鍍層/層(Y)/聚醯胺層/層(Y)/無機蒸鍍層、(53)無機蒸鍍層/層(Y)/聚烯烴層、(54)無機蒸鍍層/層(Y)/聚烯烴層/層(Y)/無機蒸鍍層
作為本發明之防靜電薄片,在40℃、90%RH的條件下之透濕度為2.0g/(m2.day)以下,以0.50g/(m2.day)以下者為佳,以0.30g/(m2.day)以下者為較佳。透濕度的測定方法及測定條件如後述實施例所記載。
本發明之防靜電薄片在20℃、85%RH的條件下之氧透過度為2.0mL/(m2.day.atm)以下,以0.50mL/(m2.day.atm)以下者為佳,以0.20mL/(m2.day.atm)以下者為較佳。氧透過度之測定方法及測定條件如後述的實施例所記載。
本發明之防靜電薄片為同時具有高氣體屏障性、高水蒸汽障礙性能與防靜電性能。因此,本發明之防靜電薄片適用於包裝材料、電子裝置等種種用途上。
本發明之包裝材料含有本發明之防靜電薄片。含有本發明之防靜電薄片的包裝材料,可適用於種種用途上。該包裝材料除了對氧或水蒸汽具有障礙性能以外,亦可適用於防靜電性能成為必要的用途上。例如本發明的包裝材料作為柴魚片、辣椒等粉狀體的包裝材料為佳。又,本發明的包裝材料除食品用包裝材料以外,亦可以IC為主,使用作為電晶體、二極管、凝結器、壓電元件暫存器等電子零件的包裝材料上為佳。
本發明之包裝材料並無特別限定,可藉由公知種種方法製作。例如可藉由將含有防靜電薄片或該防靜電薄片的薄膜材(以下僅稱為「薄膜材」)經接合後成形為所定容器形狀,製作出容器(包裝材料)。成形方法可舉出熱成形、射出成形、押出吹塑成形等。又藉由於成形為所定容器形狀的基材(X)上形成層(Y),可製作出容器(包裝材料)。如此所製作的容器在本說明書中有時稱為「包裝容器」。
又,含有本發明之防靜電薄片的包裝材料可使用於種種成形品之二次加工。如此成形品(包裝材料)可為縱製袋填充密封袋、真空包裝袋、小袋(Pouch)、層合試管容器、輸液袋、容器用蓋材、紙容器或真空隔熱體。對此等成形品亦可進行熱封,此時本發明之防靜電薄片因不容易附著灰塵等浮游物質,故可降低熱封時浮游物質之進入。
本發明之包裝材料可為縱製袋填充密封袋。其中一例如圖1所示。圖1所示縱製袋填充密封袋10係藉由本發明之防靜電薄片11以2個端部11a與胴體部11b之三方進行密封而形成。縱製袋填充密封袋10可藉由縱型製袋填充機製造。藉由縱型製袋填充機的製袋可適用種種方法,但對於任一方法,內容物自袋子的上方開口往其內部供給,其後密封該開口而製造出縱製袋填充密封袋。縱製
袋填充密封袋,例如係由上端、下端及側部的三方經熱封的1片薄膜材所構成。作為本發明的包裝容器之縱製袋填充密封袋具有優良的氣體屏障性及水蒸汽障礙性,且於製袋時接著面的灰塵等附著較為少。因此,藉由使用該縱製袋填充密封袋,可長期間防止內容物之品質劣化。
本發明之包裝材料可為小袋。其中一例如圖2所示。圖2的扁平袋20係藉由2片防靜電薄片11以該周緣部11c互相接合而形成。於本說明書中,「小袋」之用語主要以食品、日用品或醫藥品作為內容物,具備薄膜材作為壁構件的容器而言。小袋例如由該形狀及用途,可舉出付有噴口的小袋、付有拉鍊密封的小袋、扁平袋、直立小袋、橫製袋填充密封小袋、曲頸瓶小袋等。小袋可藉由障礙性多層膜與至少1層其他層經層合而形成。作為本發明中之包裝容器的小袋具有優良的氣體屏障性及水蒸汽障礙性,且於製袋時附著於接著面的灰塵較少。因此,藉由使用該小袋,可長期間防止內容物的品質劣化。又,該小袋的一例中,因可保持良好透明性,故容易確認內容物及確認因劣化所造成的內容物變質。
真空隔熱體係為具備配置於由包覆材與包覆材所包圍的內部之芯材的隔熱體,配置有芯材的內部經減壓。真空
隔熱體為可更薄且更輕地達成與由胺基甲酸酯形式所成的隔熱體而得之同等隔熱特性者。本發明之真空隔熱體因經長期間亦可保持隔熱效果,故可利用於冷藏庫、熱水供給設備及電鍋等家電製品用的隔熱材、壁部、頂部、上面空間部及底部等所使用的住宅用隔熱材、車頂材料、自動販賣機等隔熱面板、熱泵應用機器等熱移動機器等隔熱上。
本發明之真空隔熱體的一例子如圖3所示。圖3的真空隔熱體30為具備包覆材11與粒子狀芯材31,包覆材11係由周緣部11c彼此接合的2片薄膜材所構成,芯材31設置於藉由該包覆材11所包圍的內部。以周緣部11c所包圍的中央部中,包覆材11可作為隔開芯材31被收容的內部與外部之隔壁的功能,藉由內部與外部的壓力差密著於芯材31。
芯材之材料及形狀若適用於隔熱者即可,並無特別限制。作為芯材,例如可舉出珍珠岩粉、二氧化矽粉末、沈澱二氧化矽粉末、矽藻土、矽酸鈣、玻璃毛、岩棉、人工(合成)毛、樹脂之發泡體(例如苯乙烯形式、胺基甲酸酯形式)等。作為芯材,可使用成形為所定形狀的中空容器、蜂窩結構體等。
對於本發明之具有防靜電薄片的電子裝置之一例子做說明。電子裝置的一部截面圖如圖4所示。圖4之電子裝置40具備電子裝置本體41、使用於封閉電子裝置本體41
之密封材料42與保護電子裝置本體41的表面之保護薄片(防靜電薄片)43。密封材料42為覆蓋電子裝置本體41之表面全體。保護薄片43為介著密封材料42配置於電子裝置本體41的一方表面上。配置保護薄片43的表面與反側表面亦可配置保護薄片43。此時,該反側表面上所配置的保護薄片可與保護薄片43相同或相異。
電子裝置本體41雖無特別限定,例如可為太陽電池等光電變換裝置、有機EL顯示、液晶顯示器、電子紙等情報顯示裝置、有機EL發光元件等照明裝置。密封材料42為可配合電子裝置本體41的種類及用途等而適宜地附加的任意構件。作為密封材料42,可舉出乙烯-乙酸乙烯基共聚物或聚乙烯縮丁醛等。保護薄片43僅可配置成保護電子裝置本體41的表面者即可,可直接配置於電子裝置本體41的表面上,介著密封材料42等其他構件可配置於電子裝置本體41的表面上。
電子裝置本體41的較佳一例子為太陽電池。作為太陽電池,例如可舉出矽系太陽電池、化合物半導體太陽電池、有機薄膜太陽電池等。作為矽系太陽電池,例如可舉出單晶矽太陽電池、多晶矽太陽電池、非晶質矽太陽電池等。作為化合物半導體太陽電池,例如可舉出III-V族化合物半導體太陽電池、II-VI族化合物半導體太陽電池、I-III-VI族化合物半導體太陽電池等。作為有機薄膜太陽電池,例如pn異質結有機薄膜太陽能電池、本體異質結有機薄膜太陽能電池(Bulk heterojunction organic
thin film solar cells)等。又,太陽電池可為複數單位容器以直列方式連接的集積形太陽電池,亦可為非集積形太陽電池。
電子裝置本體41可依據該種類而以所謂的捲對捲方式製作。捲對捲方式中,於送出輥捲取之可撓性基板(例如不銹鋼基板或樹脂基板等)送出,該基板上形成元件而製作電子裝置本體41,該電子裝置本體41以捲取輥進行捲取。此時,保護薄片43亦已具有可撓性的長形薄片形態,更具體為作為長形薄片之捲回體的形態做準備為佳。一例子中,自送出輥所送出的保護薄片43於捲取於捲取輥前之電子裝置本體41上被層合,與電子裝置本體41同時被捲取。另一例為,於捲取輥所捲取的電子裝置本體41另外自輥送出,再與保護薄片43層合亦可。本發明之較佳一例為電子裝置本身具有可撓性者。
保護薄片43為含有本發明之防靜電薄片。防靜電薄片可僅由多層結構體所構成。或者防靜電薄片亦可含有多層結構體與層合於多層結構體之其他構件(例如其他層(J))。保護薄片43為適用於電子裝置表面的保護之層狀層合體,僅含有上述防靜電薄片即可,該厚度及材料並無特別限定。
藉由以透明基材及透明層而構成防靜電薄片,可使本發明之防靜電薄片成為透明。又,本發明之防靜電薄片對氧或水蒸汽具有高障礙性能,且亦具有防靜電性能。特別為於太陽電池構件或顯示構件等製品使用本發
明之防靜電薄片時,該特性可賦予製品的耐久性。
保護薄片43亦可含有例如配置於防靜電薄片的一表面或雙方表面的表面保護層。作為表面保護層,以不容易受破壞的樹脂所成的層為佳。又,如太陽電池可在室外利用的裝置之表面保護層由耐候性(例如耐光性)高的樹脂所成為佳。又,於保護必須透過光之面時,以透光性高之表面保護層為佳。作為表面保護層(表面保護薄膜)之材料,例如可舉出聚(甲基)丙烯酸酯、聚碳酸酯、聚乙烯對苯二甲酸乙二醇酯、聚乙烯-2,6-萘二甲酸酯、聚氟化乙烯基(PVF)、聚氟化亞乙烯基(PVDF)、聚四氟伸乙基(PTFE)、聚氯三氟乙烯(PCTFE)、乙烯-四氟乙烯共聚物(ETFE)、乙烯-氯三氟乙烯共聚物(ECTFE)、四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚共聚物(PFA)、四氟乙烯-六氟伸丙基共聚物(FEP)等。保護薄片的一例含有配置於一表面的聚(甲基)丙烯酸酯層。
欲提高表面保護層之耐久性,於表面保護層可添加各種添加劑(例如紫外線吸收劑)。耐候性高之表面保護層的較佳一例為添加紫外線吸收劑之丙烯酸樹脂層。作為紫外線吸收劑,例如可舉出苯並三唑系、二苯甲酮系、水楊酸鹽系、氰基丙烯酸酯系、鎳系、三嗪系紫外線吸收劑,但並未限定於此。又,可併用其他安定劑、光安定劑、抗氧化劑等。
本發明為僅可達到本發明之效果者即可,本發明之技術的範圍內含有前述構成的種種組合態樣。
其次,舉出實施例進一步具體的說明本發明,但本發明並未受到這些實施例之任何限定,多數變形在本發明之技術思想內可由該領域具有一般知識者完成。以下實施例及比較例中之析及評估如下述進行。
(1)紅外線吸收光譜之測定
使用傅立葉變換紅外分光光度計以衰減全反射法進行測定。測定條件如以下所示。
裝置:珀金埃爾默股份有限公司製Spectrum One
測定模式:衰減全反射法
測定範圍:800~1,400cm-1
(2)多層結構體之截面觀察
使用小型轉動式切片機切多層結構體,製作出截面觀察用切片。將製作的切片以碳膠帶固定於試料檯上,在真空度7Pa、放電電流15mA進行20秒鉑離子濺射後,使用超高分解能電界放出形掃描電子顯微鏡,觀察多層結構體的截面方向之結構。測定條件如以下所示。
裝置:日立High-Technologies製SU8010
加速電壓:1.0kV
倍率:100,000倍
(3)氧透過度之測定
於載氣側將多層結構體安裝於氧透過量測定裝置上使向著基材層方相,測定氧透過度。測定條件如以下所示。
裝置:Modern Controls Inc.製MOCON OX-TRAN2/20
溫度:20℃
氧供給側之濕度:85%RH
載氣側之濕度:85%RH
氧壓:1氣壓
載氣壓力:1氣壓
(4)透濕度之測定
於載氣側將多層結構體安裝於水蒸汽透過量測定裝置上使向著基材層方向,測定透濕度(水蒸汽透過度)。測定條件如以下所示。
裝置:Modern Controls Inc.製MOCON PERMATRAN3/33
溫度:40℃
水蒸汽供給側之濕度:90%RH
載氣側之濕度:0%RH
(5)表面電阻值之測定
多層結構體的表面之中,於與基材(X)為反側的表面上接觸所定電極,將該電極連接於數位超高電阻/微小電流計。再以JIS K 6911(2006)及JIS C 2139(2008)為準,於主電極與閘電極之間輸入電壓,測定層(Y)及
比較例的表面層之表面電阻。測定條件如以下所示。又,於所得之表面電阻值乘上電極係數18.84後算出表面電阻率。
裝置:Advantest Corporation製R8340A
溫度:20℃
電壓:500V
主電極直徑:50mm
閘電極內徑:70mm
(6)灰塵附著評估
於多層結構體表面上附著小麥粉後,用空氣強烈地吹塑,除去表面小麥粉。除去後未附著小麥粉時評估為A,稍有附著時評估為B,多量附著時評估為C。
一邊攪拌蒸餾水230質量份一邊升溫至70℃。於該蒸餾水經1小時滴入三異丙氧基鋁88質量份,徐徐將液溫上升至95℃,藉由餾出所產生的異丙醇而進行水解縮合。於所得之液體添加60質量%之硝酸水溶液4.0質量份,在95℃進行3小時攪拌,使水解縮合物的粒子凝集體解膠。其後將該液體濃縮至固體成分濃度以氧化鋁換算時為10質量%後得到溶液。對於如此所得之溶液22.50質量份,加入蒸餾水54.29質量份及甲醇18.80質量份,經攪拌至均勻後得到分散液。接著在維持液溫15℃之狀態
下一邊攪拌一邊滴入85質量%的磷酸水溶液4.41質量份,繼續在15℃下攪拌至黏度為1,500mPa.s,得到目的塗布液(S-1)。該塗布液(S-1)中,鋁原子與磷原子之莫耳比為鋁原子:磷原子=1.15:1.00。
氮環境下將乙烯基膦酸10g及2,2’-偶氮雙(2-脒基丙烷)2鹽酸鹽0.025g溶解於水5g,在80℃進行3小時攪拌。冷卻後於聚合溶液加入水15g並稀釋,使用纖維素膜之Spectrum Laboratories,Inc.製的「Spectra/Por」(註冊商標)並過濾。餾去濾液中的水後,在50℃進行24小時真空乾燥後得到聚合物(BO-1)。聚合物(BO-1)為聚(乙烯基膦酸)。GPC分析結果,該聚合物之數平均分子量以聚乙二醇換算下為10,000。
氮環境下,將2-膦醯氧基乙基甲基丙烯酸酯8.5g及偶氮雙異丁腈0.1g溶解於甲基乙基酮17g,在80℃進行12小時攪拌。冷卻所得之聚合物溶液後,加入1,2-二氯乙烷170g,藉由傾析回收聚合物之沈澱物。接著溶解聚合物於四氫呋喃,使用1,2-二氯乙烷作為弱溶劑進行再沈澱之純化。進再沈純化3次後,在50℃進行24小時真空乾燥,得到聚合物(CBO)。聚合物(CBO)為2-膦醯氧基乙基甲基丙烯酸酯之聚合物(含有磷酸基之聚合物)。聚
合物(CBO)因未含有膦酸基,故未含於聚合物(BO)。GPC分析結果,該聚合物的數平均分子量以聚苯乙烯換算下為10,000。
將在前述合成例所得之聚合物(BO)溶解於水與甲醇之混合溶劑(質量比下為水:甲醇=7:3),得到固體成分濃度為1質量%之塗布液(T-1)。
將前述合成例所得之聚合物(CBO)溶解於水與甲醇之混合溶劑(質量比下為水:甲醇=7:3),得到固體成分濃度為1質量%之塗布液(T-2)。
首先作為基材(X),準備延伸聚乙烯對苯二甲酸乙二醇酯薄膜之Toray製的「Lumilar(註冊商標)P60」(厚度12μm)(以下有時簡稱為「X-1」)。於該基材上使用棒塗布塗布塗布液(S-1)。將塗布後薄膜在110℃下進行5分鐘乾燥後,藉由在160℃進行1分鐘熱處理,於基材上形成層(Y1-1)的前驅體層。其次,使用棒塗布將塗布液(T-1)塗布至無機磷化合物(BI)的質量WBI與聚合物(BO)的質量WBO之比至WBO/WBI=5.2/94.8,在110℃進行3分鐘乾燥。接著在220℃藉由進行1分鐘熱
處理形成層(Y1-1)。如此得到具有基材(X-1)/層(Y1-1)之結構的多層結構體(1-1)。
測定多層結構體(1-1)之紅外線吸收光譜的結果,800~1,400cm-1區域中之最大吸收波數為1,108cm-1,對於前述區域中之最大吸收帶的半寬度為37cm-1。
對於所得之多層結構體(1-1)藉由上述方法進行截面觀察。結果如圖5所示。層(Y1-1)的厚度為0.40μm。
將所得之多層結構體(1-1)的氧透過度及透濕度藉由上述方法進行測定。又,對於所得之多層結構體(1-1)藉由上述方法,進行層(Y)之表面電阻率測定及灰塵附著評估。結果如表1所示。
依據表1變更聚合物(BO)與無機磷化合物(BI)之質量比WBO/WBI以外,藉由與實施例1之多層結構體(1-1)的同樣方法製作出多層結構體(2-1)並進行評估。截面觀察結果如圖6所示,評估結果如表1所示。層(Y2-1)的厚度為0.39μm。
變更塗布液(T-1)使用塗布液(T-2)以外,與實施例1的多層結構體(1-1)之製作同樣地製作出多層結構體(C1-1)並進行評估。結果如表1所示。
除未經塗布液(T-1)塗布以外,與實施例1的多層結構體(1-1)之製作同樣地,製作出多層結構體(C2-1)並進行評估。結果如表1所示。
實施例及比較例之多層結構體的製造條件及評估結果如表1所示。
PVPA:聚(乙烯基膦酸)
PPEM:聚(2-膦醯氧基乙基甲基丙烯酸酯)
由表1確認本發明之防靜電薄片具有優良氣體屏障性能及水蒸汽障礙性能,且具有優良防靜電性能,於表面不會產生微粉末的附著,且不會引起外觀不良。
本發明可利用於防靜電薄片以及含有此的包裝材料及電子裝置。依據本發明,可得到具有優良氣體屏障性能及水蒸汽障礙性能,且具有優良防靜電性能之防靜
電薄片。因此,本發明之防靜電薄片適用於食品、藥品、醫療器材、產業資材、電子機器等包裝材料為佳。又,可適用於液晶顯示用基板薄膜、有機EL用基板薄膜、電子紙用基板薄膜、電子裝置用封止薄膜、電漿顯示板用薄膜等顯示構件;LED用薄膜、IC標籤用薄膜、太陽電池模組、太陽電池用後座、太陽電池用保護薄膜等太陽電池構件等電子裝置關連構件;光通信用構件、電子機器用可撓性薄膜、燃料電池用隔膜、燃料電池用封止薄膜、各種功能性薄膜之基板薄膜等電子裝置為佳。
Claims (9)
- 一種防靜電薄片,其為具備含有基材(X)、層合於前述基材(X)的層(Y)的多層結構體之防靜電薄片,其特徵為前述層(Y)包含含有鋁之化合物(A)與具有膦酸單位的聚合物(BO),層(Y)的表面電阻率為1.0×106Ω/sq以上4.0×1013Ω/sq以下。
- 如請求項1之防靜電薄片,其中前述含有鋁的化合物(A)為包含含有鋁的金屬氧化物(Aa)與無機磷化合物(BI)之反應生成物(D)的化合物(Ab)。
- 如請求項2之防靜電薄片,其中前述無機磷化合物(BI)的質量WBI與前述具有膦酸單位的聚合物(BO)之質量WBO的比WBO/WBI未達0.32。
- 如請求項1~3中任一項之防靜電薄片,其中具有膦酸單位的聚合物(BO)為下述一般式〔III〕所示烯基膦酸類的均聚物或共聚物;R5-P(=O)(OH)2 〔III〕(式中,R5為可具有取代基之碳數2~30的烯基)。
- 如請求項1~3中任一項之防靜電薄片,其中具有膦酸單位的聚合物(BO)為聚(乙烯基膦酸)。
- 如請求項1~5中任一項之防靜電薄片,其中前述基材(X)為含有選自由熱塑性樹脂薄膜層、紙層、及無機蒸鍍層所成群的至少1種層者。
- 如請求項1~6中任一項之防靜電薄片,其中在40℃、90%RH的條件下,透濕度為2.0g/(m2.day)以下。
- 一種包裝材料,其特徵為含有如請求項1~7中任一項之防靜電薄片者。
- 一種電子裝置,其特徵為含有如請求項1~7中任一項之防靜電薄片者。
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