TW201704979A - 觸控面板 - Google Patents

Abstract

一種觸控面板，其包括基板、多個第一電極串、多個第 二電極串、多個絕緣圖案以及多個第一光學匹配圖案。基板具有多個架橋區以及連接架橋區的非架橋區。第一電極串以及第二電極串設置在基板上且交錯於架橋區中。絕緣圖案位於架橋區中，且各絕緣圖案分別位於其中一第一電極串與對應的第二電極串之間。各第一光學匹配圖案分別位於其中一架橋區中且位於對應的第一電極串與對應的第二電極串之間。各絕緣圖案分別設置在其中一第一光學匹配圖案遠離基板的表面上。

Description

觸控面板

本發明是有關於一種面板，且特別是有關於一種觸控面板。

觸控面板通常包括基板以及交錯設置於基板上的多個電極串。電極串的材質通常選用光穿透率佳的透明導電材質，以提升觸控面板的光穿透率。由於單層電極串所在區域以及電極串交錯處之間的反射率差異甚大，因此使用者在使用觸控面板時容易看到電極串在交錯處的橋接痕跡，而影響了觸控面板的視覺效果。現有技術雖有針對上述問題提出改良，然而，此些改良尚無法有效地提升觸控面板的視覺效果。

本發明提供一種觸控面板，其具有良好的視覺效果。

本發明的一種觸控面板，其包括基板、多個第一電極串、多個第二電極串、多個絕緣圖案以及多個第一光學匹配圖案。基板具有多個架橋區以及連接架橋區的非架橋區。第一電極串以及 第二電極串設置在基板上且交錯於架橋區中。絕緣圖案位於架橋區中，且各絕緣圖案分別位於其中一第一電極串與對應的第二電極串之間。各第一光學匹配圖案分別位於其中一架橋區中且位於對應的第一電極串與對應的第二電極串之間。各絕緣圖案分別設置在其中一第一光學匹配圖案遠離基板的表面上。

在本發明的一實施例中，上述的各第一電極串包括多個第一電極墊以及多個第一連接線。各第一連接線沿第一方向串接相鄰兩第一電極墊。各第二電極串包括多個第二電極墊以及多個第二連接線。各第二連接線沿第二方向串接相鄰兩第二電極墊。各第二連接線與對應的第一連接線交錯於其中一架橋區中。各絕緣圖案與對應的第一光學匹配圖案分別位於其中一第一連接線與對應的第二連接線之間。

在本發明的一實施例中，上述的第二連接線、第一光學匹配圖案、絕緣圖案以及第一連接線依序堆疊在基板上，且第一電極墊、第二電極墊以及第一連接線屬於同一層。

在本發明的一實施例中，上述的各第一光學匹配圖案在第二方向上的寬度大於各第一連接線在第二方向上的寬度且小於各第二連接線的長度。

在本發明的一實施例中，上述的各絕緣圖案的厚度大於1微米且小於或等於5微米。

在本發明的一實施例中，上述的第一光學匹配圖案以及絕緣圖案的形狀相同。

在本發明的一實施例中，上述的各第一光學匹配圖案的形狀不同於各第一電極串或各第二電極串的形狀。

在本發明的一實施例中，上述的各第一光學匹配圖案為單層結構。各第一光學匹配圖案的折射率落在1.55至1.8的範圍內，且各第一光學匹配圖案的厚度落在10埃至2000埃的範圍內。

在本發明的一實施例中，上述的各第一光學匹配圖案包括至少一第一子層以及至少一第二子層。所述至少一第一子層以及所述至少一第二子層交替堆疊在基板與對應的絕緣圖案之間。各第一子層的折射率低於各第二子層的折射率，且各第一子層以及各第二子層的厚度分別落在10埃至2000埃的範圍內。

在本發明的一實施例中，上述的各第一子層的折射率落在1.4至1.8的範圍內，且各第二子層的折射率落在1.8至3的範圍內。

在本發明的一實施例中，上述的觸控面板更包括第二光學匹配層。第二光學匹配層設置在基板上且位於架橋區以及非架橋區中，且第二光學匹配層位於第一電極串與基板之間以及第二電極串與基板之間。

在本發明的一實施例中，上述的觸控面板更包括第三光學匹配層。第三光學匹配層位於架橋區以及非架橋區中且設置在第一電極串以及第二電極串上，其中第三光學匹配層在各架橋區中的厚度為A，第三光學匹配層在非架橋區的厚度為B，且(B-A)≦0.1B。

在本發明的一實施例中，上述的第三光學匹配層為折射率落在1.6至1.7的範圍內的有機材料層。

在本發明的一實施例中，上述的第三光學匹配層在非架橋區與架橋區的交界的厚度為C，且C大於A與B。

在本發明的一實施例中，。

基於上述，由於設置在架橋區的第一光學匹配圖案有助於補償單層電極串所在區域(非架橋區)以及電極串交錯處(架橋區A1)之間的反射率差異，因此本發明的觸控面板可具有良好的視覺效果。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

100、100A、100B、100C、100D、100E‧‧‧觸控面板

110‧‧‧基板

120‧‧‧第一電極串

122‧‧‧第一電極墊

124‧‧‧第一連接線

130‧‧‧第二電極串

132‧‧‧第二電極墊

134‧‧‧第二連接線

140‧‧‧絕緣圖案

150、150A、150B‧‧‧第一光學匹配圖案

152‧‧‧第一子層

154‧‧‧第二子層

160‧‧‧第二光學匹配層

170‧‧‧第三光學匹配層

A、B、C、H140、H150、H152、H154‧‧‧厚度

A1‧‧‧架橋區

A2‧‧‧非架橋區

A3‧‧‧周邊區

A31‧‧‧接合區

BM‧‧‧裝飾層

D1‧‧‧第一方向

D2‧‧‧第二方向

G‧‧‧間隙

IF‧‧‧交界

L134‧‧‧長度

S1‧‧‧內表面

S2‧‧‧外表面

SI‧‧‧內緣

T124、T132、T170‧‧‧頂面

W‧‧‧導線

W124、W150‧‧‧寬度

X‧‧‧位置

I-I’‧‧‧剖線

圖1A是依照本發明的一實施例的觸控面板的上視示意圖。

圖1B是圖1A中剖線I-I’的第一種剖面示意圖。

圖2至圖6分別是圖1A中剖線I-I’的第二種至第六種剖面示意圖。

圖1A是依照本發明的一實施例的觸控面板的上視示意圖。圖1B是圖1A中剖線I-I’的第一種剖面示意圖。請參照圖1A 及圖1B，觸控面板100包括基板110、多個第一電極串120、多個第二電極串130、多個絕緣圖案140以及多個第一光學匹配圖案150。

基板110適於承載第一電極串120、第二電極串130、絕緣圖案140以及第一光學匹配圖案150。在本實施例中，基板110例如作為蓋板用，其中第一電極串120、第二電極串130、絕緣圖案140以及第一光學匹配圖案150設置在基板110的內表面S1，且基板110的外表面S2為觸控操作面。亦即，觸控物(如手指或觸控筆)碰觸外表面S2或於外表面S2的上方執行懸浮操作。

基板110可以是具有高機械強度以保護(例如防刮)所覆蓋的元件的硬性基板。當觸控面板100有與顯示面板結合使用的需求時，基板110的材質為透明材質，以避免基板110遮蔽來自顯示面板的顯示光束。所述透明材質泛指一般具備高穿透率的材質，而不用以限定穿透率為100%的材質。舉例而言，基板110可以是透光的強化玻璃基板，但不以此為限。

基板110具有多個架橋區A1以及連接架橋區A1的非架橋區A2。第一電極串120以及第二電極串130設置在基板110上且交錯於架橋區A1中。進一步而言，架橋區A11與非架橋區A2的邊界例如由第一電極串120以及第二電極串130因交錯而隆起的位置X(如圖1B所示)界定而成。

在本實施例中，基板110可進一步具有環繞非架橋區A2的周邊區A3，以配置傳遞訊號的多條導線W及其他未繪示的線 路。各導線W分別與其中一第一電極串120或其中一第二電極串130電性連接，且導線W集中延伸至周邊區A3的接合區A31中，以與訊號傳遞線路(未繪示)或晶片(未繪示)接合。為避免導線W及線路顯露於外而影響觸控面板100的視覺效果，觸控面板100可進一步設置裝飾層BM，以遮蔽導線W及線路。如圖1A所示，裝飾層BM覆蓋周邊區A3且暴露架橋區A1以及非架橋區A2，其中周邊區A3以及非架橋區A2的邊界即由裝飾層BM的內緣SI界定而成。

各第一電極串120包括多個第一電極墊122以及多個第一連接線124。各第一連接線124沿第一方向D1串接相鄰兩第一電極墊122。各第二電極串130包括多個第二電極墊132以及多個第二連接線134。各第二連接線134沿第二方向D2串接相鄰兩第二電極墊132，且各第二連接線134與對應的第一連接線124交錯於其中一架橋區A1中。第二方向D2與第一方向D1彼此相交且例如是彼此垂直。應說明的是，圖1A僅示意性繪示出電極串(包括第一電極串120以及第二電極串130)的其中一種圖案設計，但本發明不限於此。

第一電極串120以及第二電極串130可採用透明導電材質，如金屬氧化物，但不以此為限。所述金屬氧化物例如包括銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物或銦鍺鋅氧化物等。

絕緣圖案140位於架橋區A1中，且各絕緣圖案140分別 位於其中一第一電極串120與對應的第二電極串130之間。如圖1B所示。各絕緣圖案140分別位於第一電極串120與第二電極串130的交錯處，且位於其中一第一連接線124與對應的第二連接線134之間，以使第一連接線124與第二連接線134結構上分離。如此，可避免第一連接線124與第二連接線134因相互接觸而短路。各絕緣圖案140的厚度H140例如大於1微米且小於或等於5微米。

各第一光學匹配圖案150分別位於其中一架橋區A1中且位於對應的第一電極串120與對應的第二電極串130之間。如圖1B所示。各第一光學匹配圖案150分別位於第一電極串120與第二電極串130的交錯處，且位於其中一第一連接線124與對應的第二連接線134之間。各絕緣圖案140分別設置在其中一第一光學匹配圖案150遠離基板110的表面上。亦即，第一光學匹配圖案150比絕緣圖案140更靠近觸控操作面(即外表面S2)。

在本實施例中，第二連接線134、第一光學匹配圖案150、絕緣圖案140以及第一連接線124可依序堆疊在基板110上，且第一電極墊122(繪示於圖1A)、第二電極墊132以及第一連接線124屬於同一層。亦即，第一電極墊122、第二電極墊132以及第一連接線124由同一道製程製作而成。然而，上述膜層的堆疊順序不以此為限。在另一實施例中，第一連接線124、第一光學匹配圖案150、絕緣圖案140以及第二連接線134可依序堆疊在基板110上，且第一電極墊122、第二電極墊132以及第一連接線124屬於同一層。換句話說，第一電極墊122、第二電極墊132以及第 一連接線124可先形成於基板110上，再依續形成第一光學匹配圖案150、絕緣圖案140以及第二連接線134。

如圖1B所示，各第一光學匹配圖案150可為單層結構。藉由調變第一光學匹配圖案150的厚度H150，並使第一光學匹配圖案150的折射率介於電極串(包括第一電極串120以及第二電極串130)與絕緣圖案140之間，可利用光的破壞性干涉來有效降低第一光學匹配圖案150所在區域的反射率。在本實施例中，各第一光學匹配圖案150的厚度H150可落在10埃至2000埃的範圍內，而折射率可落在1.55至1.8的範圍內。第一光學匹配圖案150的製造方法可以是黃光製程，或是在鍍膜製程後藉由乾式蝕刻或濕式蝕刻來圖案化形成第一光學匹配圖案150。然而，第一光學匹配圖案150的材質及其製造方法不限於上述。

為能夠區域性調整觸控面板100的反射率，本實施例的第一光學匹配圖案150僅設置在架橋區A1中，而未覆蓋非架橋區A2。如此，可藉由調變第一光學匹配圖案150的折射率以及厚度H150，來補償單層電極串所在區域(即非架橋區A2)以及電極串交錯處(即架橋區A1)之間的反射率差異，使架橋區A1的反射率與非架橋區A2的反射率趨近一致，從而改善架橋區A1中橋接痕跡的明顯度，使觸控面板100具有良好的視覺效果。

如圖1A所示，第一光學匹配圖案150以及絕緣圖案140呈1對1的設置關係，其中各第一光學匹配圖案150在第二方向D2上的寬度W150大於各第一連接線124在第二方向D2上的寬 度W124且小於各第二連接線134的長度L134。第一光學匹配圖案150的形狀可相同於絕緣圖案140的形狀，且第一光學匹配圖案150的形狀不同於各第一電極串120或各第二電極串130的形狀。舉例而言，第一光學匹配圖案150以及絕緣圖案140於基板110上的正投影可皆為矩形，而第一光學匹配圖案150的尺寸可略大於絕緣圖案140的尺寸，但不以此為限。在其他實施例中，第一光學匹配圖案150的尺寸也可等於或略小於絕緣圖案140的尺寸。

圖2至圖6分別是圖1A中剖線I-I’的第二種至第六種剖面示意圖。請參照圖2，觸控面板100A與圖1B的觸控面板100相似，且相似或相同的元件以相同的標號表示，於此不再贅述。觸控面板100A與觸控面板100的主要差異在於，各第一光學匹配圖案150A包括至少一第一子層152以及至少一第二子層154。在本實施例中，第一子層152以及第二子層154的數量分別為1，且第一子層152以及第二子層154依序堆疊在基板110與對應的絕緣圖案140之間，且位於絕緣圖案140與第二連接線134之間。

藉由調變第一子層152以及第二子層154的厚度H152、H154，並利用高、低折射率堆疊的設計，可有效降低第一光學匹配圖案150A所在區域的反射率，使架橋區A1與非架橋區A2之間的反射率差異趨近於0。所述高、低折射率堆疊的設計例如是使第二連接線134的折射率大於第一子層152的折射率，而第一子層152的折射率低於第二子層154的折射率，且第二子層154的 折射率高於絕緣圖案140的折射率。舉例而言，第一子層152的折射率可落在1.4至1.8的範圍內，且第二子層154的折射率可落在1.8至3的範圍內。第一子層152的材質可包括二氧化矽(SiO₂)，而第二子層154的材質可包括五氧化二鈮(Nb₂O₅)、二氧化鈦(TiO₂)、二氧化鋯(ZrO₂)、氮化矽(SiN_x)或氮氧化矽(SiO_xN_y)，但不以此為限。此外，第一子層152以及第二子層154的厚度H152、H154可分別落在10埃至2000埃的範圍內。

請參照圖3，觸控面板100B與圖2的觸控面板100A相似，且相似或相同的元件以相同的標號表示，於此不再贅述。觸控面板100B與觸控面板100A的主要差異在於，第一光學匹配圖案150B的第一子層152以及第二子層154的數量分別大於1(例如分別為2)，且第一子層152以及第二子層154交替堆疊在基板110與對應的絕緣圖案140之間，且位於絕緣圖案140與第二連接線134之間。第一子層152以及第二子層154的材質可參照前述，於此不再贅述。

請參照圖4，觸控面板100C與圖1B的觸控面板100相似，且相似或相同的元件以相同的標號表示，於此不再贅述。觸控面板100C與觸控面板100的主要差異在於，觸控面板100C進一步包括第二光學匹配層160。第二光學匹配層160設置在基板110上且位於架橋區A1以及非架橋區A2中，且第二光學匹配層160位於第一電極串120與基板110之間以及第二電極串130與基板110之間。具體地，第二光學匹配層160可直接設置在基板110 的內表面S1上，而第一電極串120以及第二電極串130設置於第二光學匹配層160上。

第二光學匹配層160的折射率例如介於基板110的折射率與電極串(包括第一電極串120以及第二電極串130)的折射率之間，以補償電極串之間的間隙G與單層電極串所在區域(非架橋區A2中間隙G以外的區域)之間的反射率差異，從而改善習知圖案明顯度的問題。舉例而言，第二光學匹配層160的折射率可落在1.6至1.7的範圍內。

第二光學匹配層160可為單層結構或多層結構。具體地，第二光學匹配層160可包括至少一有機材料層、至少一無機材料層或上述兩者的疊層。當第二光學匹配層160為多個子層的堆疊層時，其各子層的折射率由基板110至第二連接線134的順序可採用上述高-低或高-低-高-低的設計，其中最靠近內表面S1上的子層採用高折射率的材質，而最靠近第二連接線134的子層採用低折射率的材質。如此，第二光學匹配層160與位於其上的第二連接線134、第一光學匹配圖案150以及絕緣圖案140之間仍可具有上述高、低折射率堆疊的設計。

另外，第二光學匹配層160可選擇性地延伸至周邊區A3，且位於裝飾層BM與導線W之間，但不以此為限。應說明的是，延伸至周邊區A3的第二光學匹配層160需暴露位於周邊區A3中的接合區A31(繪示於圖1A)，以利接合區A31中的導線W與訊號傳遞線路(未繪示)或晶片(未繪示)接合。

請參照圖5，觸控面板100D與圖1B的觸控面板100相似，且相似或相同的元件以相同的標號表示，於此不再贅述。觸控面板100D與圖1B的觸控面板100的主要差異在於，觸控面板100D進一步包括第三光學匹配層170。第三光學匹配層170位於架橋區A1以及非架橋區A2中且設置在第一電極串120以及第二電極串130上。

第三光學匹配層170的折射率可介於基板110的折射率與電極串(包括第一電極串120以及第二電極串130)的折射率之間，以補償電極串之間的間隙G與單層電極串所在區域(非架橋區A2中間隙G以外的區域)之間的反射率差異，從而改善習知圖案明顯度的問題。舉例而言，第三光學匹配層170的折射率落在1.6至1.7的範圍內。

此外，藉由使第三光學匹配層170在架橋區A1的厚度A與非架橋區A2的厚度B趨近一致，例如使(B-A)≦0.1B，可進一步補償單層電極串所在區域(非架橋區A2)與電極串交錯處(架橋區A1)之間的反射率差異，從而改善架橋區A1中橋接痕跡的明顯度，使觸控面板100D具有良好的視覺效果。上述厚度A定義為架橋區A1中第三光學匹配層170的頂面T170與第一連接線124的頂面T124的距離，而厚度B定義為非架橋區A2中第三光學匹配層170未因電極串交錯而隆起的頂面T170與第二電極墊132的頂面T132(或第一電極墊122的頂面)的距離。

由於架橋區A1的膜層厚度大於非架橋區A2的膜層厚 度，因此當第三光學匹配層170由液態材料(如液態的有機材料)固化形成時，液態材料在固化前容易由架橋區A1往非架橋區A2流動，使得第三光學匹配層170在非架橋區A2的厚度B容易大於第三光學匹配層170在架橋區A1的厚度A，且第三光學匹配層170在非架橋區A2與架橋區A1的交界IF的厚度C會大於厚度A與厚度B。在本實施例中，。上述交界IF定義為第三光學匹配層170在非架橋區A2與架橋區A1之間因下層膜厚斷差所造成的傾斜處。

為使第三光學匹配層170在架橋區A1的厚度A與非架橋區A2的厚度B趨近一致，本實施例可增加有機材料的黏度、降低有機材料的流平特性(leveling property)或降低有機材料的表面張力，來降低有機材料的灘流程度。舉例而言，可使有機材料的黏度大於5厘泊且不大於50厘泊，或使有機材料的表面張力小於各絕緣圖案140之材料的表面張力。或者，當第三光學匹配層170採用印刷的方式形成時，亦可藉由縮減印刷器具(如滾輪)與基板110之間的移動速率差異，來降低有機材料的灘流程度，從而實現(B-A)≦0.1B。

請參照圖6，觸控面板100E與圖4的觸控面板100C相似，且相似或相同的元件以相同的標號表示，於此不再贅述。觸控面板100E與觸控面板100C的主要差異在於，觸控面板100E還包括第三光學匹配層170。第三光學匹配層170的材質、配置位 置及其功效可參照圖5中對應的描述，於此不再贅述。

綜上所述，本發明在架橋區設置第一光學匹配圖案，以補償單層電極串所在區域(非架橋區)以及電極串交錯處(架橋區)之間的反射率差異，使觸控面板可具有良好的視覺效果。在一實施例中，還可進一步設置第二光學匹配層以及第三光學匹配層的其中至少一者，以補償電極串之間的間隙與單層電極串所在區域之間的反射率差異，從而改善習知圖案明顯度的問題，並使電極串之間的間隙的反射率、單層電極串所在區域的反射率以及電極串交錯處的反射率趨近一致，而使觸控面板具有理想的視覺效果。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

100‧‧‧觸控面板

110‧‧‧基板

120‧‧‧第一電極串

124‧‧‧第一連接線

130‧‧‧第二電極串

132‧‧‧第二電極墊

134‧‧‧第二連接線

140‧‧‧絕緣圖案

150‧‧‧第一光學匹配圖案

H140、H150‧‧‧厚度

A1‧‧‧架橋區

A2‧‧‧非架橋區

A3‧‧‧周邊區

BM‧‧‧裝飾層

G‧‧‧間隙

S1‧‧‧內表面

S2‧‧‧外表面

SI‧‧‧內緣

W‧‧‧導線

X‧‧‧位置

Claims (15)

1. 一種觸控面板，包括：一基板，具有多個架橋區以及連接該些架橋區的一非架橋區；多個第一電極串以及多個第二電極串，設置在該基板上且交錯於該些架橋區中；多個絕緣圖案，位於該些架橋區中，且各該絕緣圖案分別位於其中一第一電極串與對應的第二電極串之間；以及多個第一光學匹配圖案，其中各該第一光學匹配圖案分別位於其中一架橋區中且位於對應的第一電極串與對應的第二電極串之間，而各該絕緣圖案分別設置在其中一第一光學匹配圖案遠離該基板的表面上。
2. 如申請專利範圍第1項所述的觸控面板，其中各該第一電極串包括多個第一電極墊以及多個第一連接線，且各該第一連接線沿一第一方向串接相鄰兩第一電極墊，各該第二電極串包括多個第二電極墊以及多個第二連接線，且各該第二連接線沿一第二方向串接相鄰兩第二電極墊，各該第二連接線與對應的第一連接線交錯於其中一架橋區中，各該絕緣圖案與對應的第一光學匹配圖案分別位於其中一第一連接線與對應的第二連接線之間。
3. 如申請專利範圍第2項所述的觸控面板，其中該些第二連接線、該些第一光學匹配圖案、該些絕緣圖案以及該些第一連接線依序堆疊在該基板上，且該些第一電極墊、該些第二電極墊以及該些第一連接線屬於同一層。
4. 如申請專利範圍第2項所述的觸控面板，其中各該第一光學匹配圖案在該第二方向上的寬度大於各該第一連接線在該第二方向上的寬度且小於各該第二連接線的長度。
5. 如申請專利範圍第1項所述的觸控面板，其中各該絕緣圖案的厚度大於1微米且小於或等於5微米。
6. 如申請專利範圍第1項所述的觸控面板，其中該些第一光學匹配圖案以及該些絕緣圖案的形狀相同。
7. 如申請專利範圍第1項所述的觸控面板，其中各該第一光學匹配圖案的形狀不同於各該第一電極串或各該第二電極串的形狀。
8. 如申請專利範圍第1項所述的觸控面板，其中各該第一光學匹配圖案為單層結構，各該第一光學匹配圖案的折射率落在1.55至1.8的範圍內，且各該第一光學匹配圖案的厚度落在10埃至2000埃的範圍內。
9. 如申請專利範圍第1項所述的觸控面板，其中各該第一光學匹配圖案包括至少一第一子層以及至少一第二子層，該至少一第一子層以及該至少一第二子層交替堆疊在該基板與對應的絕緣圖案之間，各該第一子層的折射率低於各該第二子層的折射率，且各該第一子層以及各該第二子層的厚度分別落在10埃至2000埃的範圍內。
10. 如申請專利範圍第9項所述的觸控面板，其中各該第一子層的折射率落在1.4至1.8的範圍內，且各該第二子層的折射率落在1.8至3的範圍內。
11. 如申請專利範圍第1項所述的觸控面板，更包括：一第二光學匹配層，設置在該基板上且位於該些架橋區以及該非架橋區中，且該第二光學匹配層位於該些第一電極串與該基板之間以及該些第二電極串與該基板之間。
12. 如申請專利範圍第1項所述的觸控面板，更包括：一第三光學匹配層，位於該些架橋區以及該非架橋區中且設置在該些第一電極串以及該些第二電極串上，其中該第三光學匹配層在各該架橋區中的厚度為A，該第三光學匹配層在該非架橋區的厚度為B，且(B-A)≦0.1B。
13. 如申請專利範圍第12項所述的觸控面板，其中該第三光學匹配層為折射率落在1.6至1.7的範圍內的有機材料層。
14. 如申請專利範圍第12項所述的觸控面板，其中該第三光學匹配層在該非架橋區與該些架橋區的交界的厚度為C，且C大於A與B。
15. 如申請專利範圍第14項所述的觸控面板，其中。